JP2019009174A - 発光モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
電圧印加により半導体レーザ素子が発熱するため、この熱を放散できるように、このような半導体レーザ装置に対しては、種々の放熱手段が施されている(特許文献1等)。
レーザ素子と、
前記レーザ素子の上方に配置され、蛍光体を含有する波長変換部材と、
基部及び該基部から上方に向かって延伸する側壁を有し、前記レーザ素子を収容するパッケージとを含む半導体レーザ装置、ならびに、
複数の放熱部材を有し、前記複数の放熱部材によって前記パッケージの側壁を挟む放熱部材群を備えることを特徴とする。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
この実施形態1の発光モジュールは、図1A〜図1Jに示すように、半導体レーザ装置10と、放熱部材群とを備える。放熱部材群は、複数の放熱部材2Aを有し、これらが半導体レーザ装置10を挟んで配置されている。
そこで、本実施形態においては、半導体レーザ装置を構成する各種部材の材料及び形状のみならず、放熱部材を、半導体レーザ装置の発熱部位を取り囲むように配置し、さらなる放熱経路を効果的に与えることに加えて、半導体レーザ装置における波長変換部材又はその近傍の部材に対して、放熱部材を近接又は接触させることとした。車載用ヘッドライト等の用途にはより一層の高出力が求められているが、そのような構成により、波長変換部材が発熱しても、その熱を、効率的に外部に放出することができ、波長変換部材における発光効率の低下の可能性を低減することが可能となる。
半導体レーザ装置10は、図2に示すように、レーザ素子12と、レーザ素子12の上方に配置され、蛍光体を含有する波長変換部材15と、レーザ素子12を収容するパッケージ18とを含む。なお、本実施形態において、基部11がある側を下とし、波長変換部材15がある側を上とする。
レーザ素子12は、レーザ光を発振するものであり、n型半導体層と、p型半導体層と、それらの間に配置された活性層とを有する。レーザ素子12が出射するレーザ光を、後述する波長変換部材15に含有される蛍光体を励起する励起光として利用する。レーザ素子12としては、好ましくは320nm〜530nm、さらに好ましくは400nm〜470nmの範囲にピーク波長を有するレーザ光を発振するものを用いることができる。このようなレーザ素子12としては、III族窒化物半導体を用いて形成される半導体レーザ素子が挙げられる。蛍光体としてYAG蛍光体を用いる場合は、420nm〜470nmの範囲にピーク波長を有するレーザ光を発振するレーザ素子12を用いることが好ましい。
パッケージ18は、基部11と、レーザ素子12を収容する空間を取り囲む側壁13を備える。基部11は、側壁13の一端に配置される。言い換えると、基部11から上方に向かって側壁13が延伸している。
基部11は、レーザ素子12を支持する部材であり、レーザ素子12を適所に固定するために用いられる。基部11は、Ni、Cu、Co、Al、Feからなる群より選択される一種を含む金属等によって形成することができる。基部11を構成する主材料としては、例えば、Feを主成分とする材料であるステンレス鋼、コバール、Fe−Ni合金、Fe等が挙げられる。基部11は、少なくとも後述する側壁13と接する部分は金属により構成するのが好ましい。これにより、基部11と側壁13とを溶接により、強固に連結させることができる。なかでも、基部11は、熱伝導性が良好な材料からなることが好ましい。ここで、熱伝導率が良好とは、熱伝導率が数W/m・k以上のものが好ましく、10W/m・k以上がより好ましく、25W/m・k以上がさらに好ましい。基部11は、耐熱性の良好な材料からなることが好ましい。ここで、耐熱性が良好とは、融点が数百℃以上のものが好ましく、1000℃以上がより好ましい。
基部11には、外部電源と接続するためのリード21を設けることができる。
側壁13は、図2に示すように、半導体レーザ装置10において、基部11に固定されている。発振ピーク波長が320〜530nmの範囲にある短波長のレーザ光を出射するレーザ素子を用いる場合、出射するレーザ光のエネルギーが高く光密度が高いため、集塵を発生させやすい。このため、レーザ素子12は気密封止されることが好ましい。例えば、レーザ素子12は基部11と蓋部16によって気密封止される。さらに、半導体レーザ装置内の防塵性を高めるために、側壁13がレーザ素子12を取り囲むように配置されている。
本願において溶接とは、2つの部材の接合部分が連続性を有して一体化されていることを意味する。
本実施形態では、側壁13は、その下端部において、基部11の側面及び上面に沿って内側に突出する突出面13Eをその内側に有する。また、側壁13は、その下側部分において、側方に突出する突出部13Fをその外側に有する。この突出面13Eによって、基部11との位置合わせを容易とすることができ、また、突出部13Fによって、後述する放熱部材群2との接触面積及び固定強度を確保することができる。
レンズ20などの光学部材は側壁17に設けてもよい。本実施形態では、蓋部16を構成する側壁17に突出部17aを設け、これにレンズ20を固定している。
保持部材14は、波長変換部材15を保持するための部材である。
保持部材14は、図2に示すように、側壁13の上面部13Bに固定されている。保持部材14は、上面部13Bの貫通孔13Cの上方において、貫通孔14Cを有する。この貫通孔14C内に、波長変換部材15を固定する。貫通孔14Cの径は、貫通孔13Cの径よりも小さくすることができる。
保持部材14は、強度を考慮すると、0.20mm程度以上の厚みを有することが好ましく、半導体レーザ装置10の小型化を考慮すると、2mm程度以下の厚みを有することが好ましい。
本実施形態では、貫通孔14Cは平面視で円形状である。保持部材14における貫通孔14Cの形状は、柱状、錐台形状又はこれらを組み合わせた形状を選択することができる。
貫通孔14Cの大きさは、例えば、レーザ素子12から出射される光を1本以上通過させる大きさとすることができる。具体的には、レーザ素子12の種類にもよるが、直径又は幅が0.10〜6.5mmの範囲とすることができる。
本実施形態では、保持部材14には、波長変換部材15からの放熱性を考慮してセラミックスからなるものを用いており、側壁13には金属からなるものを用いている。この場合、保持部材14は、側壁13の上面部13Bに、半田等の接着剤を用いて固定することができる。側壁13に溶接された金属製の蓋によって保持部材14の上面を下方へ押さえることにより保持部材14を側壁13に対して固定してもよい。
波長変換部材15は、蛍光体を含有する。波長変換部材15としては、例えば、透光性の母材に蛍光体を分散させた焼結体や、実質的に蛍光体のみからなる焼結体、蛍光体の単結晶などが挙げられる。焼結体の形成には焼結助剤を用いてもよい。透光性の母材及び焼結助剤は、無機材料が好ましい。放熱性、耐光性、及び耐熱性を考慮して、透光性の母材としては、例えば、酸化アルミニウムを用いることができる。
本実施形態では、白色発光の半導体レーザ装置10を得るために、レーザ素子12として青色発光の半導体レーザ素子を用い、波長変換部材15として、セリウムで賦活されたYAG蛍光体と酸化アルミニウムとの焼結体と、その上に配置された赤色発光の蛍光体を含有したガラスとを用いている。これにより、演色性に優れた白色光を得ることができる。
保持部材14への波長変換部材15の固定は、例えば、ガラス等を溶融させて、両者を融着することにより行うことができる。図2に示すように、波長変換部材15は、例えば保持部材14を介して側壁13と接続されているため、側壁13が波長変換部材15の熱の放熱経路となる。したがって、後述するように放熱部材2Aによって側壁13からの熱を放散することにより、波長変換部材15の温度上昇を低減することができる。
図1A〜1Jに示すように、放熱部材群は、複数の放熱部材2Aを有する。これらの複数の放熱部材2Aは、一体となって、半導体レーザ装置10のパッケージ18の側壁13を挟むように配置されている。この場合、放熱部材2Aは、それぞれ、側壁13の外側面に近接又は接触して配置されている。これによって、半導体レーザ装置10で発生する熱を効率的に放出させることができる。その結果、波長変換部材15の熱による劣化を低減することができるので、蛍光体の発光効率の低下を低減することができる。
図1A、1D、1Jに示すように、放熱部材2Aは、それぞれ、側壁13の外側面の一部に接触して配置されることが好ましい。図1A及び1Jにおいて、放熱部材2Aは、それぞれ、側壁13の一部で接触して配置されている。具体的には、図1A及び1Jにおける上側の放熱部材2Aの凹部2Aaの上端及びその付近と、下側の放熱部材2Aの凹部2Aaの下端及びその付近との、合計2箇所で接触して配置されている。図1Dに示すように、側壁13の高さ方向では、それぞれの接触箇所において、突出部13Fから上端までの略全部において放熱部材2Aが接触して配置されている。図1A及び1Jに示すように、上面視において、凹部2Aaの形状を半導体レーザ装置10の側壁13の外縁が成す形状と実質的に同じ形状とする場合は、半導体レーザ装置10のサイズが設計値からずれたとしても複数の放熱部材2Aによって確実に挟み込むことができるように、凹部2Aaの形状の方をやや大きくすることが好ましい。
本実施形態では、図1Aに示すように、パッケージ18の側壁13の外縁は上面視で円形であり、放熱部材の凹部2Aaの上面視の形状は、それぞれ、側壁13の外縁よりも直径の大きな円の円周の一部である。そして、凹部2Aaがそれぞれ側壁13に接触するまで2つの放熱部材2Aを接近させている。この結果、複数の凹部2Aaが全体として成す形状は、側壁13の外縁と中心を同じくする円と略同じである。
上面視における放熱部材2Aの凹部2Aaは、パッケージ18の側壁13と接触していなくてもよいが、側壁13からの熱を放熱部材2Aへ効率的に伝えるためには、凹部2Aaの側壁13からの離間距離は50μm以下であることが好ましい。また、凹部2Aaの少なくとも一部が側壁13から離間している場合は、その隙間に、凹部2Aaと側壁13とを熱的に接続する放熱グリスや放熱シートを配置することが好ましい。これにより、凹部2Aaが側壁13から離間している場合であっても効率的に放熱することが可能である。
放熱部材2Aは、互いに、パッケージ18の側壁13を挟むように、ネジ23等によって固定されることが好ましい。パッケージ18の大きさ、側壁13の形状等は設計値からずれる場合があるが、このような構成であれば、パッケージ18の大きさ、側壁13の形状等によって、放熱部材2Aのパッケージ18への近接度合いなどを調整することができる。
本実施形態では、図1A及び1Eに示すように、2つの放熱部材2Aが、半導体レーザ装置10を凹部2Aaで挟んで、一方側から他方側へ、他方側から一方側へ、2つのネジ23によって固定されている。
本実施形態においては、図1Aに示すように、上面視において、放熱部材2Aの凹部2Aaに対向する部位に一体的に放熱フィン2Abが複数配置されている。
本実施形態においては、図1Bに示すように、断面視において、第2の放熱部材2Bの基部11に接続される部位と反対側の部位(下面側)に一体的に放熱フィン2Bcが複数配置されている。
第2の放熱部材2Bは、放熱部材2Aに、ネジ24等によって固定されることが好ましい。これによって、パッケージ18の大きさ、側壁13の形状等によって、第2の放熱部材2Bのパッケージ18への密着性などを調整することができる。
本実施形態では、図1Cに示すように、2つの放熱部材2Aが、半導体レーザ装置10を凹部2Aaで挟んで配置され、かつ第2の放熱部材2Bに、上方から下方に、それぞれネジ24によって固定されている。
この実施形態2では、図3Aに示すように、実施形態2の複数の放熱部材32Aの凹部32Aaは、上面視において、楕円形状である。これ以外の発光モジュールの構成は、実質的に実施形態1の発光モジュールと同様である。なお、図3A中の符号10aは半導体レーザ装置の外縁を示す。
実施形態2の発光モジュールでは、複数の放熱部材32Aが一体となって、半導体レーザ装置10のパッケージ18の側壁13を挟むように配置されている。この場合、放熱部材32Aは、それぞれ、側壁13の一部に接触して配置されている。具体的には、図3Aにおける上側の放熱部材32Aの凹部32Aaの上端及びその付近と、下側の放熱部材32Aの凹部32Aaの下端及びその付近との、合計2箇所で接触して配置されている。なお、これらの接触箇所において、側壁13の側面の高さ方向の接触範囲は、実施形態1と同様に(図1D参照)、略全部である。
これによって、放熱部材32Aと壁部13とをより確実に接触させることができるので、半導体レーザ装置10で発生する熱をより一層効率的に放出させることができる。その結果、波長変換部材15の熱による劣化を抑制して、蛍光体の発光効率の低下を低減することができる。
この実施形態3では、図3Bに示すように、複数の放熱部材42Aの凹部42Aaの上面視形状は、正六角形であり、半導体レーザ装置10のパッケージ18の外縁の中心と、正六角形の凹部42Aaの中心とは、同じ位置である。これ以外の発光モジュールの構成は、実質的に実施形態1の発光モジュールと同様である。なお、図3B中の符号10aは半導体レーザ装置の外縁を示す。
実施形態3の発光モジュールでは、複数の放熱部材42Aが一体となって、半導体レーザ装置10のパッケージ18の側壁13を挟むように配置されている。この場合、放熱部材42Aは、それぞれ、上面視において側壁13と3箇所ずつ、合計6箇所で接触して配置されている。
このように凹部42Aaを上面視で正六角形などの多角形状とすることにより、上面視で円形状の側壁13に対して、実施形態1の凹部2Aaよりも接触箇所を増やすことができる。したがって、半導体レーザ装置10で発生する熱をより一層効率的に放出させることができると考えられる。
2B 第2の放熱部材
2Aa、2Aaa 凹み
2Ab、2Bc 放熱フィン
2Bd 貫通孔
10 半導体レーザ装置
10a 半導体レーザ装置の外縁
11 基部
11a 凸部
12 レーザ素子
13 側壁
13B 上面部
13C 貫通孔
13E 突出面
13F 突出部
14 保持部材
14C 貫通孔
15 波長変換部材
16 蓋部
17 側壁
17a 突出部
18 パッケージ
19 サブマウント
20 レンズ
21 リード
23、24 ネジ
32A、42A 放熱部材
32Aa、42Aa 凹部
Claims (11)
- レーザ素子と、
前記レーザ素子の上方に配置され、蛍光体を含有する波長変換部材と、
基部及び前記基部から上方に向かって延伸する側壁を有し、前記レーザ素子を収容するパッケージとを含む半導体レーザ装置、ならびに、
複数の放熱部材を有し、前記複数の放熱部材によって前記パッケージの側壁を挟む放熱部材群を備えることを特徴とする発光モジュール。 - 前記複数の放熱部材それぞれは、上面視において、全体として前記パッケージを包囲する凹部を有する請求項1に記載の発光モジュール。
- 上面視において、前記パッケージの側壁の外縁は、円形状である請求項2に記載の発光モジュール。
- 上面視において、前記凹部は、前記パッケージの側壁の外縁と実質的に中心を同じくする円形状である請求項3に記載の発光モジュール。
- 上面視において、前記凹部は、前記パッケージの側壁の外縁と実質的に中心を同じくする多角形状である請求項3に記載の発光モジュール。
- 前記複数の放熱部材それぞれは、放熱フィンの形状を有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光モジュール。
- 前記複数の放熱部材それぞれは、前記側壁の上端と同等またはそれよりも低い位置に上端を有する請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光モジュール。
- 前記放熱部材群は、2つの前記放熱部材からなり、
前記2つの放熱部材は、ネジによって互いに前記パッケージの側壁を挟んで固定されている請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光モジュール。 - さらに、前記基部に接続される第2の放熱部材を備える請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光モジュール。
- 前記放熱部材群は、前記第2の放熱部材にネジによって固定されている請求項9に記載の発光モジュール。
- 前記パッケージは、側方に突出した突出部を備え、
前記パッケージの突出部が、前記複数の放熱部材それぞれによって前記第2の放熱部材側に押圧されることにより、前記半導体レーザ装置が前記第2の放熱部材に固定されている請求項9又は10に記載の発光モジュール。
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