[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2019041122A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019041122A
JP2019041122A JP2018213610A JP2018213610A JP2019041122A JP 2019041122 A JP2019041122 A JP 2019041122A JP 2018213610 A JP2018213610 A JP 2018213610A JP 2018213610 A JP2018213610 A JP 2018213610A JP 2019041122 A JP2019041122 A JP 2019041122A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
conductor
insulator
region
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018213610A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6700368B2 (ja
Inventor
山崎　舜平
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
岡崎　健一
Kenichi Okazaki
健一 岡崎
中田　昌孝
Masataka Nakata
昌孝 中田
片山　雅博
Masahiro Katayama
雅博 片山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2019041122A publication Critical patent/JP2019041122A/ja
Priority to JP2020079954A priority Critical patent/JP6982655B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6700368B2 publication Critical patent/JP6700368B2/ja
Priority to JP2021188262A priority patent/JP7274553B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
    • H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

【課題】寄生容量の小さい半導体装置を提供する。または、消費電力の小さい半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタと、容量素子と、を有する半導体装置であって、トランジスタは、第１の導電体と、第１の導電体上の第１の絶縁体と、第１の絶縁体を介して第１の導電体と重なる領域を有する半導体と、半導体上の第２の絶縁体と、第２の絶縁体を介して半導体と重なる領域を有する第２の導電体と、半導体の上面と接する領域を有する第３の導電体および第４の導電体と、を有し、容量素子は、第１の導電体と同一層と、第３の導電体および第４の導電体と同一層と、を有する半導体装置である。【選択図】図１

Description

本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、または組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、
本発明は、例えば、半導体、半導体装置、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記
憶装置またはプロセッサに関する。または、半導体、半導体装置、表示装置、発光装置、
照明装置、蓄電装置、記憶装置またはプロセッサの製造方法に関する。または、半導体装
置、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置またはプロセッサの駆動方法に
関する。
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指す。表示装置、発光装置、照明装置、電気光学装置、半導体回路および電子機器
は、半導体装置を有する場合がある。
絶縁表面を有する基板上の半導体を用いて、トランジスタを構成する技術が注目されてい
る。当該トランジスタは集積回路や表示装置のような半導体装置に広く応用されている。
トランジスタに適用可能な半導体としてシリコンが知られている。
トランジスタの半導体に用いられるシリコンは、用途によって非晶質シリコン、多結晶シ
リコン、単結晶シリコンなどが使い分けられている。例えば、大型の表示装置を構成する
トランジスタに適用する場合、大面積基板への成膜技術が確立されている非晶質シリコン
を用いると好適である。一方、駆動回路と画素回路とを同一基板上に形成するような高機
能の表示装置を構成するトランジスタに適用する場合、高い電界効果移動度を有するトラ
ンジスタを作製可能な多結晶シリコンを用いると好適である。また、集積回路などを構成
するトランジスタに適用する場合、さらに高い電界効果移動度を有するトランジスタを作
製可能な単結晶シリコンを用いると好適である。多結晶シリコンは、非晶質シリコンに対
し高温での熱処理、またはレーザ光処理を行うことで形成する方法が知られる。
また、近年は、酸化物半導体が注目されている。酸化物半導体は、スパッタリング法など
を用いて成膜できるため、大型の表示装置を構成するトランジスタの半導体に用いること
ができる。また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、高い電界効果移動度を有するた
め、駆動回路と画素回路とを同一基板上に形成するような高機能の表示装置を実現できる
。また、非晶質シリコンを用いたトランジスタの生産設備の一部を改良して利用すること
が可能であるため、設備投資を抑えられるメリットもある。
ところで、酸化物半導体を用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流
が小さいことが知られている。例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタの低いリーク
電流を応用した低消費電力のＣＰＵなどが開示されている（特許文献１参照。）。このよ
うに、ＣＰＵなどの集積回路に酸化物半導体を用いたトランジスタを応用する場合、トラ
ンジスタを縮小し、高集積化することが好ましい。
半導体装置は、高集積化を進めると、配線や電極などが重なり合うことに起因して形成さ
れる寄生容量の影響が無視できなくなる場合がある。酸化物半導体を用いた自己整列トッ
プゲート構造トランジスタが開示されている（特許文献２参照。）。また、特許文献３に
は、導体電極から半導体中に電子を流入させることで、オフセット領域が設けられても優
れた電気特性を有するトランジスタが得られることが開示されている。特許文献２または
特許文献３に開示された技術を用いることで、配線や電極などが重なり合うことに起因し
て形成される寄生容量を低減することができる。
また、半導体からなる活性層で井戸型ポテンシャルを構成することにより、高い電界効果
移動度を有するトランジスタが得られることが開示されている（特許文献４参照。）。
特開２０１２−２５７１８７号公報 特開２００９−２７８１１５号公報 特開２０１１−２２５０７号公報 特開２０１２−５９８６０号公報
寄生容量の小さい半導体装置を提供することを課題の一とする。または、消費電力の小さ
い半導体装置を提供することを課題の一とする。または、優れた周波数特性を有する半導
体装置を提供することを課題の一とする。または、集積度の高い半導体装置を提供するこ
とを課題の一とする。または、丈夫な半導体装置を提供することを課題の一とする。また
は、新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
（１）
本発明の一態様は、第１の導電体と、第２の導電体と、第３の導電体と、第４の導電体と
、第５の導電体と、第６の導電体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と
、第４の絶縁体と、第５の絶縁体と、酸化物半導体と、を有する半導体装置であって、第
１の絶縁体は、第１の導電体の上面と接する領域と、第２の導電体の上面と接する領域と
、を有し、第２の絶縁体は、第１の絶縁体の上面と接する領域を有し、酸化物半導体は、
第２の絶縁体の上面と接する領域を有し、第３の絶縁体は、酸化物半導体の上面と接する
領域を有し、第３の導電体は、第３の絶縁体の上面と接する領域を有し、第４の絶縁体は
、第３の導電体の上面と接する領域と、第３の絶縁体の側面と接する領域と、酸化物半導
体の上面と接する領域と、第１の絶縁体の上面と接する領域と、を有し、第５の絶縁体は
、第４の絶縁体の上面と接する領域を有し、第４の導電体は、酸化物半導体の上面と接す
る領域を有し、第５の導電体は、酸化物半導体の上面と接する領域を有し、第６の導電体
は、第４の絶縁体の上面と接する領域を有し、第１の導電体は、第１の絶縁体および第２
の絶縁体を介して、第１の導電体と、酸化物半導体と、が互いに重なる領域を有し、第３
の導電体は、第３の絶縁体を介して、第３の導電体と、酸化物半導体と、が互いに重なる
領域を有し、第２の導電体は、第１の絶縁体および第４の絶縁体を介して、第２の導電体
と、第６の導電体と、が互いに重なる領域を有する半導体装置である。
（２）
または、本発明の一態様は、酸化物半導体は、第３の絶縁体と接する第１の領域と、第４
の絶縁体と接する、第２の領域および第３の領域と、を有し、第２の領域および第３の領
域は、第１の領域よりも抵抗の低い領域を有し、第４の導電体は、第２の領域と接する領
域を有し、第５の導電体は、第３の領域と接する領域を有する（１）に記載の半導体装置
である。
（３）
または、本発明の一態様は、酸化物半導体は、第１の酸化物半導体と、第２の酸化物半導
体と、を有し、第２の酸化物半導体は、第１の酸化物半導体の上面と接する領域を有し、
第４の導電体と、酸化物半導体と、が互いに重なる領域で、第１の酸化物半導体は、第２
の酸化物半導体よりも高い導電率を有する（１）または（２）に記載の半導体装置である
。
（４）
または、本発明の一態様は、酸化物半導体は、第１の酸化物半導体と、第２の酸化物半導
体と、を有し、第２の酸化物半導体は、第１の酸化物半導体の上面と接する領域を有し、
第４の導電体と、酸化物半導体と、が互いに重なる領域で、第２の酸化物半導体は、第１
の酸化物半導体よりも高い導電率を有する（１）または（２）に記載の半導体装置である
。
（５）
または、本発明の一態様は、酸化物半導体は、第１の酸化物半導体と、第２の酸化物半導
体と、第３の酸化物半導体と、を有し、第２の酸化物半導体は、第１の酸化物半導体の上
面と接する領域を有し、第３の酸化物半導体は、第２の酸化物半導体の上面と接する領域
を有し、第４の導電体と、酸化物半導体と、が互いに重なる領域で、第２の酸化物半導体
は、第１の酸化物半導体および第３の酸化物半導体よりも高い導電率を有する（１）また
は（２）に記載の半導体装置である。
（６）
または、本発明の一態様は、第３の絶縁体は、第３の導電体よりも迫り出した形状を有す
る（１）乃至（５）のいずれか一に記載の半導体装置である。
（７）
または、本発明の一態様は、第３の絶縁体は、端部の断面形状が円弧となる領域を有する
（６）に記載の半導体装置である。
（８）
または、本発明の一態様は、第３の導電体は、第１の導電層と、第２の導電層と、を有し
、第２の導電層は、第１の導電層の上面と接する領域を有し、第１の導電層は、第２の導
電層よりも迫り出した形状を有する（１）乃至（７）のいずれか一に記載の半導体装置で
ある。
（９）
または、本発明の一態様は、酸化物半導体は、インジウムおよび亜鉛を有する（１）乃至
（８）に記載の半導体装置である。
（１０）
または、本発明の一態様は、（１）乃至（９）のいずれか一に記載の半導体装置と、プリ
ント基板と、を有するモジュールである。
（１１）
または、本発明の一態様は、（１）乃至（９）のいずれか一に記載の半導体装置、または
、（１０）に記載のモジュールと、スピーカー、操作キー、または、バッテリーと、を有
する電子機器である。
なお、本発明の一態様に係る半導体装置において、酸化物半導体を他の半導体に置き換え
ても構わない。
寄生容量の小さいトランジスタを提供することができる。または、優れたスイッチング特
性を有するトランジスタを提供することができる。または、非導通時の電流の小さいトラ
ンジスタを提供することができる。または、導通時の電流が大きいトランジスタを提供す
ることができる。または、当該トランジスタを有する半導体装置を提供することができる
。または、寄生容量の小さい半導体装置を提供することができる。または、消費電力の小
さい半導体装置を提供することができる。または、優れた周波数特性を有する半導体装置
を提供することができる。または、集積度の高い半導体装置を提供することができる。ま
たは、丈夫な半導体装置を提供することができる。または、新規な半導体装置を提供する
ことができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、
図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項な
どの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
本発明の一態様に係る半導体装置を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置を示す上面図および断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置を示す断面図。 本発明の一態様に係る半導体装置を示す断面図。 本発明の一態様に係るトランジスタの断面図およびバンド図。 本発明の一態様に係る表示装置の上面図および回路図。 本発明の一態様に係る表示装置の回路図。 本発明の一態様に係る表示装置の回路図。 本発明の一態様に係る表示装置の回路図。 本発明の一態様に係る表示装置の回路図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示モジュールを説明する図。 本発明の一態様に係る半導体装置の回路図。 本発明の一態様に係る記憶装置の回路図。 本発明の一態様に係るＲＦタグのブロック図。 本発明の一態様に係るＲＦタグの使用例を示す図。 本発明の一態様に係るＣＰＵを示すブロック図。 本発明の一態様に係る記憶素子の回路図。 本発明の一態様に係る電子機器を示す図。 本発明の一態様に係る電子機器を示す図。 ＣＡＡＣ−ＯＳの断面におけるＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像、およびＣＡＡＣ−ＯＳの断面模式図。 ＣＡＡＣ−ＯＳの平面におけるＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像。 ＣＡＡＣ−ＯＳおよび単結晶酸化物半導体のＸＲＤによる構造解析を説明する図。 試料の断面ＴＥＭ像およびフローチャート。 抵抗率の温度依存性を説明する図。 ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図、ペレットおよびＣＡＡＣ−ＯＳの断面図。 ｎｃ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図、およびペレットを示す図。 ペレットを説明する図。 被形成面においてペレットに加わる力を説明する図。 被形成面におけるペレットの動きを説明する図。 ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を説明する図。 原子が衝突する前のＩｎＧａＺｎＯ４の構造などを説明する図。 原子が衝突した後のＩｎＧａＺｎＯ４の構造などを説明する図。 原子が衝突した後の原子の軌跡を説明する図。 ＣＡＡＣ−ＯＳおよびターゲットの断面ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ像。 ＣＡＡＣ−ＯＳの電子回折パターンを示す図。 Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図。
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説
明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に
理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるもの
ではない。なお、図面を用いて発明の構造を説明するにあたり、同じものを指す符号は異
なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じく
し、特に符号を付さない場合がある。
なお、図において、大きさ、膜（層）の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されて
いる場合がある。
また、電圧は、ある電位と、基準の電位（例えば接地電位（ＧＮＤ）またはソース電位）
との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である
。
なお、第１、第２として付される序数詞は便宜的に用いるものであり、工程順または積層
順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」または「第３の」な
どと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と
、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
なお、「半導体」と表記した場合でも、例えば、導電性が十分低い場合は「絶縁体」とし
ての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「絶縁体」は境界が曖昧であり、厳密
に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「絶縁体」と
言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「絶縁体」は、「半導体
」と言い換えることができる場合がある。
また、「半導体」と表記した場合でも、例えば、導電性が十分高い場合は「導電体」とし
ての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「導電体」は境界が曖昧であり、厳密
に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「導電体」と
言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「導電体」は、「半導体
」と言い換えることができる場合がある。
なお、半導体の不純物とは、例えば、半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度
が０．１原子％未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導
体にＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅ）が形成されることや、キャリア移動度
が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導
体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族
元素、第１４族元素、第１５族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、
水素（水にも含まれる）、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素
などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によって酸素欠損を形
成する場合がある。また、半導体がシリコンである場合、半導体の特性を変化させる不純
物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１５
族元素などがある。
なお、以下に示す実施の形態では、半導体が酸化物半導体である場合について説明するが
、これに限定されるものではない。例えば、半導体として、多結晶構造、単結晶構造など
のシリコン、ゲルマニウム、などを用いてもよい。または、歪みシリコンなどの歪みを有
する半導体を用いてもよい。または、半導体として高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ
：Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に適用可能
なヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、ヒ化インジウムガリウム、窒化ガリウム、
リン化インジウム、シリコンゲルマニウムなどを用いてもよい。これらの半導体を用いる
ことで、高速動作をすることに適したトランジスタとすることができる。
なお、本明細書において、Ａが濃度Ｂの領域を有する、と記載する場合、例えば、Ａのあ
る領域における深さ方向全体の濃度がＢである場合、Ａのある領域における深さ方向の濃
度の平均値がＢである場合、Ａのある領域における深さ方向の濃度の中央値がＢである場
合、Ａのある領域における深さ方向の濃度の最大値がＢである場合、Ａのある領域におけ
る深さ方向の濃度の最小値がＢである場合、Ａのある領域における深さ方向の濃度の収束
値がＢである場合、測定上Ａそのものの確からしい値の得られる領域における濃度がＢで
ある場合などを含む。
また、本明細書において、Ａが大きさＢ、長さＢ、厚さＢ、幅Ｂまたは距離Ｂの領域を有
する、と記載する場合、例えば、Ａのある領域における全体の大きさ、長さ、厚さ、幅、
または距離がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離
の平均値がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離の
中央値がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離の最
大値がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離の最小
値がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離の収束値
がＢである場合、測定上Ａそのものの確からしい値の得られる領域での大きさ、長さ、厚
さ、幅、または距離がＢである場合などを含む。
なお、本明細書において、絶縁体、半導体、導電体などの成膜は、特に断りがある場合を
除き、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法またはパルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）法などを用いて行うことができる。
なお、ＣＶＤ法は、プラズマを利用するプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅ
ｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、熱を利用する熱ＣＶＤ（ＴＣＶＤ：Ｔｈｅｒｍａｌ ＣＶ
Ｄ）法などに分類できる。さらに用いる原料ガスによって金属ＣＶＤ（ＭＣＶＤ：Ｍｅｔ
ａｌ ＣＶＤ）法、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ
）法に分けることができる。
プラズマＣＶＤ法は、比較的低温で高品質の膜が得られる。熱ＣＶＤ法は、プラズマを用
いないため、プラズマダメージが生じず、欠陥の少ない膜が得られる。
ＣＶＤ法は、原料ガスの流量比によって、得られる膜の組成を制御することができる。例
えば、ＭＣＶＤ法およびＭＯＣＶＤ法では、原料ガスの流量比によって、任意の組成の膜
を成膜することができる。また、例えば、ＭＣＶＤ法およびＭＯＣＶＤ法では、成膜しな
がら原料ガスの流量比を変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜する
ことができる。原料ガスの流量比を変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用いて
成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整に掛かる時間の分、成膜に掛かる時間を短くする
ことができる。したがって、トランジスタの生産性を高めることができる。
なお、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトラン
ジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重な
る領域、またはチャネルが形成される領域における、ソース（ソース領域またはソース電
極）とドレイン（ドレイン領域またはドレイン電極）との間の距離をいう。なお、一つの
トランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一
つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細
書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、
最小値または平均値とする。
チャネル幅とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で
電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重なる領域、またはチャネルが形成される領
域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。なお、一つのト
ランジスタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一
つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細
書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、
最小値または平均値とする。
なお、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域におけるチャネ
ル幅（以下、実効的なチャネル幅と呼ぶ。）と、トランジスタの上面図において示される
チャネル幅（以下、見かけ上のチャネル幅と呼ぶ。）と、が異なる場合がある。例えば、
立体的な構造を有するトランジスタでは、実効的なチャネル幅が、トランジスタの上面図
において示される見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる
場合がある。例えば、微細かつ立体的な構造を有するトランジスタでは、半導体の上面に
形成されるチャネル領域の割合に対して、半導体の側面に形成されるチャネル領域の割合
が大きくなる場合がある。その場合は、上面図において示される見かけ上のチャネル幅よ
りも、実際にチャネルの形成される実効的なチャネル幅の方が大きくなる。
ところで、立体的な構造を有するトランジスタにおいては、実効的なチャネル幅の、実測
による見積もりが困難となる場合がある。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積
もるためには、半導体の形状が既知という仮定が必要である。したがって、半導体の形状
が正確にわからない場合には、実効的なチャネル幅を正確に測定することは困難である。
そこで、本明細書では、トランジスタの上面図において、半導体とゲート電極とが互いに
重なる領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さである見かけ上
のチャネル幅を、「囲い込みチャネル幅（ＳＣＷ：Ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ Ｃｈａｎｎｅ
ｌ Ｗｉｄｔｈ）」と呼ぶ場合がある。また、本明細書では、単にチャネル幅と記載した
場合には、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、
本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合があ
る。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅、囲い
込みチャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを取得して、その画像を解析することなどによ
って、値を決定することができる。
なお、トランジスタの電界効果移動度や、チャネル幅当たりの電流値などを計算して求め
る場合、囲い込みチャネル幅を用いて計算する場合がある。その場合には、実効的なチャ
ネル幅を用いて計算する場合とは異なる値をとる場合がある。
なお、本明細書において、ＡがＢより迫り出した形状を有すると記載する場合、上面図ま
たは断面図において、Ａの少なくとも一端が、Ｂの少なくとも一端よりも外側にある形状
を有することを示す場合がある。したがって、ＡがＢより迫り出した形状を有すると記載
されている場合、例えば上面図において、Ａの一端が、Ｂの一端よりも外側にある形状を
有すると読み替えることができる。
＜半導体装置＞
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置について図を用いて説明する。
図１は、トランジスタ１５０と、容量素子１６０と、を有する半導体装置の断面図である
。
図１に示す半導体装置は、基板１００上の絶縁体１０１と、絶縁体１０１上の導電体１０
４ａ１と、導電体１０４ａ１上の導電体１０４ａ２と、絶縁体１０１上の導電体１０４ｂ
１と、導電体１０４ｂ１上の導電体１０４ｂ２と、絶縁体１０１上、導電体１０４ａ１上
、導電体１０４ａ２上、導電体１０４ｂ１上および導電体１０４ｂ２上の絶縁体１０２ａ
と、絶縁体１０２ａ上の絶縁体１０２ｂと、絶縁体１０２ｂ上の半導体１０６ａと、半導
体１０６ａ上の半導体１０６ｂと、半導体１０６ｂ上の絶縁体１１２と、絶縁体１１２上
の導電体１１４ａと、導電体１１４ａ上の導電体１１４ｂと、絶縁体１０２ａ上、絶縁体
１０２ｂ上、半導体１０６ａ上、半導体１０６ｂ上、絶縁体１１２上、導電体１１４ａ上
および導電体１１４ｂ上の絶縁体１０８と、絶縁体１０８上の絶縁体１１８と、半導体１
０６ｂ上、絶縁体１０８上、絶縁体１１８上の導電体１１６ａ１と、半導体１０６ｂ上、
絶縁体１０８上、絶縁体１１８上の導電体１１６ｂ１と、導電体１１６ａ１上の導電体１
１６ａ２と、導電体１１６ｂ１上の導電体１１６ｂ２と、絶縁体１１８上、導電体１１６
ａ１上、導電体１１６ａ２上、導電体１１６ｂ１上および導電体１１６ｂ２上の絶縁体１
２８と、を有する。
絶縁体１０１は、トランジスタ１５０のチャネル形成領域などへ不純物が混入することを
抑制する機能を有する場合がある。例えば、導電体１０４ａ２および導電体１０４ｂ２な
どが銅などの半導体１０６ａまたは半導体１０６ｂにとっての不純物を有するとき、絶縁
体１０１が銅などをブロックする機能を有する場合がある。
導電体１０４ａ１および導電体１０４ａ２の積層を併せて導電体１０４ａと呼ぶ。導電体
１０４ａは、トランジスタ１５０のゲート電極として機能する領域を有する場合がある。
また、導電体１０４ａは、トランジスタ１５０のチャネル形成領域などを遮光する機能を
有する場合がある。
導電体１０４ｂ１および導電体１０４ｂ２の積層を併せて導電体１０４ｂと呼ぶ。導電体
１０４ｂは、容量素子１６０の電極の一方として機能する領域を有する場合がある。また
、導電体１０４ｂは、半導体装置を遮光する機能を有する場合がある。
なお、導電体１０４ａ１と、導電体１０４ｂ１と、が同一層であっても構わない。その場
合、導電体１０４ａ１と、導電体１０４ｂ１と、が同一層でない場合と比べて工程を短縮
化することができる。また、なお、導電体１０４ａ２と、導電体１０４ｂ２と、が同一層
であっても構わない。その場合、導電体１０４ａ２と、導電体１０４ｂ２と、が同一層で
ない場合と比べて工程を短縮化することができる。
導電体１０４ａ１は、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニ
ウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリ
ウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタルおよび
タングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、合
金や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅およびチタンを含む導電体、
銅およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素を含む導電体、チタンおよ
び窒素を含む導電体などを用いてもよい。導電体１０４ａ１は、特にチタンを含む導電体
を用いると好ましい。
導電体１０４ｂ１は、例えば、導電体１０４ａ１で示した導電体から選択して用いればよ
い。導電体１０４ｂ１は、特に導電体１０４ａ１と同じ種類の導電体を用いると好ましい
。
導電体１０４ａ２は、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニ
ウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリ
ウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタルおよび
タングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、合
金や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅およびチタンを含む導電体、
銅およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素を含む導電体、チタンおよ
び窒素を含む導電体などを用いてもよい。導電体１０４ａ２は、特に銅を含む導電体を用
いると好ましい。
導電体１０４ｂ２は、例えば、導電体１０４ａ２で示した導電体から選択して用いればよ
い。導電体１０４ｂ２は、特に導電体１０４ａ２と同じ種類の導電体を用いると好ましい
。
絶縁体１０２ａおよび絶縁体１０２ｂを併せて絶縁体１０２と呼ぶ。絶縁体１０２は、ト
ランジスタ１５０のゲート絶縁体として機能する領域を有する場合がある。また、絶縁体
１０２ａは、トランジスタ１５０のチャネル形成領域などへ不純物が混入することを抑制
する機能を有する場合がある。例えば、導電体１０４ａ２などが銅などの半導体１０６ａ
または半導体１０６ｂにとっての不純物を有するとき、絶縁体１０２ａが銅などをブロッ
クする機能を有する場合がある。また、絶縁体１０２ａは、容量素子１６０の誘電体とし
て機能する領域を有する場合がある。
絶縁体１０２ｂは、導電体１０４ｂと重なる領域に開口部を有していてもよい。絶縁体１
０２ｂが、開口部を有することで、容量素子１６０の容量を大きくすることができる。
絶縁体１０２ａは、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミ
ニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジ
ルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、
または積層で用いればよい。絶縁体１０２ａは、特に窒化シリコンまたは窒化酸化シリコ
ンを用いると好ましい。
絶縁体１０２ｂは、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミ
ニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジ
ルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、
または積層で用いればよい。絶縁体１０２ｂは、特に酸化シリコンまたは酸化窒化シリコ
ンを用いると好ましい。
半導体１０６ａおよび半導体１０６ｂを併せて半導体１０６と呼ぶ。半導体１０６は、ト
ランジスタ１５０のチャネル形成領域として機能する領域を有する場合がある。
半導体１０６ａは、多結晶構造、単結晶構造などのシリコン、ゲルマニウム、などを用い
てもよい。または、歪みシリコンなどの歪みを有する半導体を用いてもよい。または、半
導体１０６ａとしてＨＥＭＴに適用可能なヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、ヒ
化インジウムガリウム、窒化ガリウム、リン化インジウム、シリコンゲルマニウムなどを
用いてもよい。または、半導体１０６ａとして酸化物半導体を用いてもよい。半導体１０
６ａは、特に酸化物半導体を用いると好ましい。
半導体１０６ｂは、多結晶構造、単結晶構造などのシリコン、ゲルマニウム、などを用い
てもよい。または、歪みシリコンなどの歪みを有する半導体を用いてもよい。または、半
導体１０６ｂとしてＨＥＭＴに適用可能なヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、ヒ
化インジウムガリウム、窒化ガリウム、リン化インジウム、シリコンゲルマニウムなどを
用いてもよい。または、半導体１０６ｂとして酸化物半導体を用いてもよい。半導体１０
６ｂは、特に酸化物半導体を用いると好ましい。
なお、半導体１０６ａおよび半導体１０６ｂに適用可能な酸化物半導体の詳細については
後述する。
半導体１０６ａは、絶縁体１１２、導電体１１４ａ、導電体１１４ｂなどと重ならない領
域１０７ａ１および領域１０７ｂ１を有する。また、半導体１０６ｂは、絶縁体１１２、
導電体１１４ａ、導電体１１４ｂなどと重ならない領域１０７ａ２および領域１０７ｂ２
を有する。領域１０７ａ１および領域１０７ｂ１は、半導体１０６ａの絶縁体１１２、導
電体１１４ａ、導電体１１４ｂなどと重なる領域よりも抵抗の低い領域である。また、領
域１０７ａ２および領域１０７ｂ２は、半導体１０６ｂの絶縁体１１２、導電体１１４ａ
、導電体１１４ｂなどと重なる領域よりも抵抗の低い領域である。なお、抵抗の低い領域
を、キャリア密度の高い領域と呼ぶこともできる。
半導体１０６ａおよび半導体１０６ｂが酸化物半導体である場合、キャリア発生源は、水
素および酸素欠損に起因する場合がある。酸化物半導体のキャリア発生源の詳細について
は後述する。
また、領域１０７ａ１および領域１０７ａ２を併せて領域１０７ａと呼ぶ。また、領域１
０７ｂ１および領域１０７ｂ２を併せて領域１０７ｂと呼ぶ。領域１０７ａおよび領域１
０７ｂは、トランジスタ１５０のソース領域およびドレイン領域として機能する領域を有
する場合がある。
絶縁体１１２は、トランジスタ１５０のゲート絶縁体として機能する領域を有する場合が
ある。なお、絶縁体１１２は、導電体１１４ａよりも迫り出した形状を有してもよい。ま
た、絶縁体１１２は、端部の断面形状が円弧となる領域を有してもよい。絶縁体１１２が
、このような形状を有することで、絶縁体１１２より上に配置される絶縁体、導電体など
の形状不良を抑制することができる場合がある。
絶縁体１１２は、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニ
ウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジル
コニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、ま
たは積層で用いればよい。絶縁体１１２は、特に酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを
用いると好ましい。
なお、半導体１０６が酸化物半導体である場合、半導体１０６と接する領域を有する絶縁
体１０２ｂまたは／および絶縁体１１２が、酸化物半導体の価電子帯の上端のエネルギー
（Ｅｖｏｓ）と伝導帯の下端のエネルギー（Ｅｃｏｓ）との間の準位密度が低い絶縁体を
用いると好ましい。例えば、該準位が電子をトラップする場合、トランジスタのしきい値
電圧をプラス方向に変動させる要因となる。
例えば、酸化シリコン中の窒素酸化物（ＮＯＸとも表記する。）のうち、酸化窒素（ＮＯ
）および二酸化窒素（ＮＯ２）は、ＥｖｏｓとＥｃｏｓとの間に準位を形成する場合があ
る。したがって、安定した電気特性を有するトランジスタとするためには、絶縁体１０２
ｂまたは／および絶縁体１１２が窒素酸化物の少ない酸化シリコンを用いると好ましい場
合がある。なお、以下では酸化シリコンについて説明するが、酸化窒化シリコンにおいて
も同様とする。なお、窒素酸化物の少ない酸化シリコンは、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ
：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）において、窒素
酸化物の放出量よりアンモニアの放出量が多くなる場合がある。例えば、アンモニアの放
出量が１×１０１８個／ｃｍ３以上５×１０１９個／ｃｍ３以下となる場合がある。なお
、アンモニアの放出量は、膜の表面温度が５０℃以上６５０℃以下、または５０℃以上５
５０℃以下の加熱処理による放出量とする。
絶縁体１０２ｂまたは／および絶縁体１１２は、加熱により酸素を放出する絶縁体を用い
ると好ましい。
ここで、加熱処理によって酸素を放出する絶縁体は、ＴＤＳ分析にて、１００℃以上７０
０℃以下または１００℃以上５００℃以下の表面温度の範囲で１×１０１８ａｔｏｍｓ／
ｃｍ３以上、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上または１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３以上の酸素（酸素原子数換算）を放出することもある。
ここで、ＴＤＳ分析を用いた酸素の放出量の測定方法について、以下に説明する。
測定試料をＴＤＳ分析したときの気体の全放出量は、放出ガスのイオン強度の積分値に比
例する。そして標準試料との比較により、気体の全放出量を計算することができる。
例えば、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコン基板のＴＤＳ分析結果、および
測定試料のＴＤＳ分析結果から、測定試料の酸素分子の放出量（ＮＯ２）は、下に示す式
で求めることができる。ここで、ＴＤＳ分析で得られる質量電荷比３２で検出されるガス
の全てが酸素分子由来と仮定する。ＣＨ３ＯＨの質量電荷比は３２であるが、存在する可
能性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位体である質量数１７の
酸素原子および質量数１８の酸素原子を含む酸素分子についても、自然界における存在比
率が極微量であるため考慮しない。
ＮＯ２＝ＮＨ２／ＳＨ２×ＳＯ２×α
ＮＨ２は、標準試料から脱離した水素分子を密度で換算した値である。ＳＨ２は、標準試
料をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値である。ここで、標準試料の基準値を、Ｎ
Ｈ２／ＳＨ２とする。ＳＯ２は、測定試料をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値で
ある。αは、ＴＤＳ分析におけるイオン強度に影響する係数である。上に示す式の詳細に
関しては、特開平６−２７５６９７公報を参照する。なお、上記酸素の放出量は、電子科
学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用い、標準試料として、
例えば１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の水素原子を含むシリコン基板を用いて測定する
。
また、ＴＤＳ分析において、酸素の一部は酸素原子として検出される。酸素分子と酸素原
子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分
子のイオン化率を含むため、酸素分子の放出量を評価することで、酸素原子の放出量につ
いても見積もることができる。
なお、ＮＯ２は酸素分子の放出量である。酸素原子に換算したときの放出量は、酸素分子
の放出量の２倍となる。
または、加熱処理によって酸素を放出する絶縁体は、過酸化ラジカルを含むこともある。
具体的には、過酸化ラジカルに起因するスピン密度が、５×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３
以上であることをいう。なお、過酸化ラジカルを含む絶縁体は、電子スピン共鳴（ＥＳＲ
：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｉｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）にて、ｇ値が２．０１近傍に非対
称の信号を有することもある。
または、過剰酸素を含む絶縁体は、酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯＸ（Ｘ＞２））で
あってもよい。酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯＸ（Ｘ＞２））は、シリコン原子数の
２倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含むものである。単位体積当たりのシリコン原
子数および酸素原子数は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂ
ａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により測定した値である。
なお、酸化シリコンがＮＯ２を有すると、１００Ｋ以下のＥＳＲにおいてｇ値が２．０３
７以上２．０３９以下の第１の吸収線、ｇ値が２．００１以上２．００３以下の第２の吸
収線、およびｇ値が１．９６４以上１．９６６以下の第３の吸収線を有するシグナルが観
測される場合がある。なお、第１の吸収線および第２の吸収線の間隔、ならびに第２の吸
収線および第３の吸収線の間隔は、ＸバンドのＥＳＲ測定において約５ｍＴとなる。した
がって、窒素酸化物の少ない酸化シリコンは、ＮＯ２に起因するスピンの密度が１×１０
１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満、または１×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上１×１０１８
ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未満である。
また、窒素酸化物の少ない酸化シリコンは、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏ
ｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定される窒素濃度が６
×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である。
導電体１１４ａおよび導電体１１４ｂを併せて導電体１１４と呼ぶ。導電体１１４は、ト
ランジスタ１５０のゲート電極として機能する領域を有する場合がある。または、導電体
１１４は、トランジスタ１５０のチャネル形成領域などを遮光する機能を有する場合があ
る。
導電体１１４ａは、導電体１１４ｂよりも迫り出した形状を有してもよい。また、導電体
１１４ｂは、導電体１１４ａよりも切り立った形状を有していてもよい。また、導電体１
１４ｂは、端部の断面形状が円弧となる領域を有してもよい。導電体１１４ａおよび導電
体１１４ｂが、このような形状を有することで、導電体１１４ａおよび導電体１１４ｂよ
り上に配置される絶縁体、導電体などの形状不良を抑制することができる場合がある。
導電体１１４ａは、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニウ
ム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウ
ム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタルおよびタ
ングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、合金
や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅およびチタンを含む導電体、銅
およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素を含む導電体、チタンおよび
窒素を含む導電体などを用いてもよい。導電体１１４ａは、特に窒化タンタルを含む導電
体を用いると好ましい。
導電体１１４ｂは、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニウ
ム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウ
ム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタルおよびタ
ングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、合金
や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅およびチタンを含む導電体、銅
およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素を含む導電体、チタンおよび
窒素を含む導電体などを用いてもよい。導電体１１４ｂは、特にタングステンを含む導電
体を用いると好ましい。
絶縁体１０８は、トランジスタ１５０のチャネル形成領域などへ不純物が混入することを
抑制する機能を有する場合がある。例えば、導電体１１６ａ２および導電体１１６ｂ２な
どが銅などの半導体１０６ａまたは半導体１０６ｂにとっての不純物を有するとき、絶縁
体１０８が銅などをブロックする機能を有する場合がある。また、絶縁体１０８は、容量
素子１６０の誘電体として機能する領域を有する場合がある。
絶縁体１０８は、半導体１０６に達する開口部を有する。なお、該開口部は、半導体１０
６の領域１０７ａと重なって配置される。また、該開口部と別の開口部が、半導体１０６
の領域１０７ｂとも重なって配置されてもよい。
絶縁体１０８は、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニ
ウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジル
コニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、ま
たは積層で用いればよい。絶縁体１０８は、特に窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを
用いると好ましい。
なお、絶縁体１０８として、ＥｖｏｓとＥｃｏｓとの間の準位密度が低い絶縁体を用いて
も構わない。
絶縁体１１８は、トランジスタ１５０の層間絶縁体として機能する領域を有する場合があ
る。例えば、絶縁体１１８を有することで、トランジスタ１５０の各配線間（各導電体間
）の寄生容量を低減できる。
絶縁体１１８は、前述した絶縁体１０８の開口部と重なる位置に開口部を有する。なお、
該開口部は、半導体１０６の領域１０７ａと重なって配置される。また、該開口部と別の
開口部が、半導体１０６の領域１０７ｂとも重なって配置されてもよい。また、絶縁体１
１８は、導電体１０４ｂと重なる領域に開口部を有していてもよい。絶縁体１１８が、導
電体１０４ｂと重なる領域に開口部を有することで、容量素子１６０の容量を大きくする
ことができる。
絶縁体１１８は、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニ
ウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジル
コニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、ま
たは積層で用いればよい。絶縁体１１８は、特に酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを
用いると好ましい。
導電体１１６ａ１および導電体１１６ａ２を併せて導電体１１６ａと呼ぶ。また、導電体
１１６ｂ１および導電体１１６ｂ２を併せて導電体１１６ｂと呼ぶ。また、導電体１１６
ｃ１および導電体１１６ｃ２を併せて導電体１１６ｃと呼ぶ。導電体１１６ａおよび導電
体１１６ｂは、トランジスタ１５０のソース電極およびドレイン電極として機能する領域
を有する場合がある。また、導電体１１６ａおよび導電体１１６ｂは、トランジスタ１５
０のチャネル形成領域などを遮光する機能を有する場合がある。導電体１１６ｃは、容量
素子１６０の電極の他方として機能する領域を有する場合がある。また、導電体１１６ｃ
は、半導体装置を遮光する機能を有する場合がある。
なお、導電体１１６ａ１と、導電体１１６ｂ１と、導電体１１６ｃ１と、が同一層であっ
ても構わない。その場合、導電体１１６ａ１と、導電体１１６ｂ１と、導電体１１６ｃ１
と、が同一層でない場合と比べて工程を短縮化することができる。また、なお、導電体１
１６ａ２と、導電体１１６ｂ２と、導電体１１６ｃ２と、が同一層であっても構わない。
その場合、導電体１１６ａ２と、導電体１１６ｂ２と、導電体１１６ｃ２と、が同一層で
ない場合と比べて工程を短縮化することができる。
導電体１１６ａ１は、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニ
ウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリ
ウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタルおよび
タングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、合
金や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅およびチタンを含む導電体、
銅およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素を含む導電体、チタンおよ
び窒素を含む導電体などを用いてもよい。導電体１１６ａ１は、特に窒化チタン、窒化タ
ンタルまたはタングステンを含む導電体を用いると好ましい。
導電体１１６ｂ１は、例えば、導電体１１６ａ１で示した導電体から選択して用いればよ
い。導電体１１６ｂ１は、特に導電体１１６ａ１と同じ種類の導電体を用いると好ましい
。また、導電体１１６ｃ１は、例えば、導電体１１６ａ１で示した導電体から選択して用
いればよい。導電体１１６ｃ１は、特に導電体１１６ａ１または導電体１１６ｂ１と同じ
種類の導電体を用いると好ましい。
導電体１１６ａ２は、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニ
ウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリ
ウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタルおよび
タングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、合
金や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅およびチタンを含む導電体、
銅およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素を含む導電体、チタンおよ
び窒素を含む導電体などを用いてもよい。導電体１１６ａ２は、特に銅を含む導電体を用
いると好ましい。
導電体１１６ｂ２は、例えば、導電体１１６ａ２で示した導電体から選択して用いればよ
い。導電体１１６ｂ２は、特に導電体１１６ａ２と同じ種類の導電体を用いると好ましい
。また、導電体１１６ｃ２は、例えば、導電体１１６ａ２で示した導電体から選択して用
いればよい。導電体１１６ｃ２は、特に導電体１１６ａ２または導電体１１６ｂ２と同じ
種類の導電体を用いると好ましい。なお、導電体１１６ａ２、導電体１１６ｂ２および導
電体１１６ｃ２として、銅を含む導電体を用いた場合に、導電体１１６ａ１、導電体１１
６ｂ１および導電体１１６ｃ１を設けなくてもよい場合がある。その場合、半導体１０６
と、銅を含む導電体である導電体１１６ａ２および導電体１１６ｂ２が直接接触しても構
わない。
絶縁体１２８は、トランジスタ１５０のチャネル形成領域などへ不純物が混入することを
抑制する機能を有する場合がある。
絶縁体１２８は、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニ
ウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジル
コニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、ま
たは積層で用いればよい。絶縁体１２８は、特に窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを
用いると好ましい。
基板１００としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板または導電体基板を用いればよい
。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコ
ニア基板（イットリア安定化ジルコニア基板など）、樹脂基板などがある。また、半導体
基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの単体半導体基板、または炭化シリ
コン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウ
ムなどの化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域を
有する半導体基板、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板な
どがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などが
ある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さら
には、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体または絶
縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがある。
または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子と
しては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
また、基板１００として、可とう性基板を用いてもよい。なお、基板１００として、繊維
を編みこんだシート、フィルムまたは箔などを用いてもよい。また、基板１００が伸縮性
を有してもよい。また、基板１００は、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に戻
る性質を有してもよい。または、元の形状に戻らない性質を有してもよい。基板１００の
厚さは、例えば、５μｍ以上７００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、
さらに好ましくは１５μｍ以上３００μｍ以下とする。基板１００を薄くすると、半導体
装置を軽量化することができる。また、基板１００を薄くすることで、ガラスなどを用い
た場合にも伸縮性を有する場合や、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に戻る性
質を有する場合がある。そのため、落下などによって基板１００上の半導体装置に加わる
衝撃などを緩和することができる。即ち、丈夫な半導体装置を提供することができる。
可とう性基板である基板１００としては、例えば、金属、合金、樹脂もしくはガラス、ま
たはそれらの繊維などを用いることができる。可とう性基板である基板１００は、線膨張
率が低いほど環境による変形が抑制されて好ましい。可とう性基板である基板１００とし
ては、例えば、線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、５×１０−５／Ｋ以下、または１×１
０−５／Ｋ以下である材質を用いればよい。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミドなど）、ポリイミド、ポリカーボネート、
アクリルなどがある。特に、アラミドは、線膨張率が低いため、可とう性基板である基板
１００として好適である。
なお、可とう性基板上にトランジスタを設ける方法としては、非可とう性の基板上にトラ
ンジスタを作製した後、トランジスタを剥離し、可とう性基板に転置する方法もある。そ
の場合には、非可とう性基板である基板１００上に剥離層を設けるとよい。
ここで、図２は、トランジスタ１５０の上面図および断面図である。図２（Ａ）は、トラ
ンジスタ１５０の上面図を示す。また、図２（Ｂ）は図２（Ａ）に示した一点鎖線Ａ１−
Ａ２に相当するトランジスタ１５０の断面図である。また、図２（Ｃ）は図２（Ａ）に示
した一点鎖線Ａ３−Ａ４に相当するトランジスタ１５０の断面図である。
なお、図１などには、トランジスタ１５０のチャネル長方向の断面図に相当するＡ１−Ａ
２断面（図２（Ｂ）参照。）を含む断面図を示している。したがって、図２（Ｂ）につい
ては、図１の記載を参照する。
図２（Ａ）に示す上面図より、トランジスタ１５０は、導電体１１６ａおよび導電体１１
６ｂと、導電体１１４と、が互いに重なる領域を有さないため、寄生容量が小さいことが
わかる。ただし、トランジスタ１５０が、導電体１１６ａおよび導電体１１６ｂと、導電
体１１４と、が互いに重なる領域を有しても構わない。また、図２（Ａ）では、トランジ
スタ１５０は、導電体１１６ａおよび導電体１１６ｂと、導電体１０４と、が互いに重な
る領域を有するが、間に複数の絶縁体などを有することにより寄生容量は小さくなる。た
だし、導電体１１６ａおよび導電体１１６ｂと、導電体１０４と、が互いに重なる領域を
有さなくても構わない。
チャネル幅方向の断面図に相当する図２（Ｃ）より、トランジスタ１５０のゲート電極と
して機能する領域を有する導電体１１４は、絶縁体１１２を介して半導体１０６を乗り越
える形状を有する。したがって、導電体１１４の電界は、半導体１０６の上面および側面
に対して影響を与えることがわかる。また、トランジスタ１５０のゲート電極として機能
する領域を有する導電体１０４は、絶縁体１０２を介して半導体１０６の下面に面する形
状を有する。したがって、導電体１０４の電界は、半導体１０６の下面に対して影響を与
えることがわかる。
このように、トランジスタ１５０は、ゲート電極として機能する導電体１１４および導電
体１０４によって、半導体１０６の上面、側面および下面が電界に取り囲まれた構造を有
する。このような構造を、本明細書では取り囲みチャネル（ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ：ｓｕｒ
ｒｏｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶ。
ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタは、半導体の全体（バルク）にチャネルが
形成される場合がある。したがって、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタは、
ソース−ドレイン間に大電流を流すことができ、導通時の電流（オン電流）を高くするこ
とができる。また、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタは、ゲート電極の電界
の影響が大きいため、トランジスタの導通、非導通の切り替えを速やかに行うことができ
る。したがって、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタは、サブスレッショルド
スイング値（Ｓ値ともいう。）を小さくできる。また、Ｓ値が小さいことにより、オフ電
流を小さくすることもできる。
＜半導体装置の作製方法＞
次に、図１に示した半導体装置の作製方法について説明する。
まず、基板１００を準備する。
次に、絶縁体１０１を成膜する。
次に、導電体１０４ａ１および導電体１０４ｂ１となる導電体を成膜する。
次に、導電体１０４ａ２および導電体１０４ｂ２となる導電体を成膜する。
次に、該導電体の積層をリソグラフィ工程などによって加工することで、導電体１０４ａ
１および導電体１０４ａ２を有する導電体１０４ａ、ならびに導電体１０４ｂ１および導
電体１０４ｂ２を有する導電体１０４ｂを形成する（図３参照。）。このように、導電体
１０４ａと導電体１０４ｂとを、同一工程を経て形成することにより、工程を短縮化する
ことができる。即ち、半導体装置の生産性を高くすることができる。
次に、絶縁体１０２ａを成膜する。
次に、絶縁体１３２を成膜する（図４参照。）。絶縁体１３２は、後の工程を経て絶縁体
１０２ｂとなる絶縁体であるため、絶縁体１０２ｂについての記載を参照する。
なお、窒素酸化物の少ない酸化シリコンは、例えば、ＰＥＣＶＤ法を用いて、基板温度が
２２０℃以上、２８０℃以上または３５０℃以上とし、原料ガスにシランおよび一酸化二
窒素を用いることで成膜することができる。
次に、保護膜１１３を成膜する。保護膜１１３は、例えば、前述した導電体、前述した絶
縁体または前述した半導体などを用いればよい。保護膜１１３は、好ましくは酸素の透過
性の低い膜を用いる。保護膜１１３は、例えば、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンよ
りも酸素の透過性の低い膜を用いる。保護膜１１３は、好ましくは、柱状結晶構造を有す
るタングステンよりも酸素の透過性の低い膜を用いる。保護膜１１３は、特に好ましくは
、窒化タンタルを用いる。
次に、保護膜１１３の上面側から、酸素を添加する処理を行う（図５参照。）。酸素を添
加する処理としては、例えば、酸化性ガスを含む雰囲気におけるプラズマ処理がある。な
お、酸化性ガスには、例えば、酸素原子を含むガス、具体的には酸素ガス、亜酸化窒素ガ
ス、二酸化炭素ガスなどがある。または、酸素を添加する処理としては、例えば、酸素原
子もしくは酸素原子を含む分子をイオン化してドーピングする処理などがある。ドーピン
グには、質量分離されたイオンをドーピングする場合と、質量分離しないでイオンをドー
ピングする場合とがあり、どちらを用いても構わない。
保護膜１１３が酸素をブロックする機能を有することにより、添加した酸素の離脱を抑制
しながら絶縁体１３２または／および絶縁体１０２ａに酸素を添加することができる。そ
のため、保護膜１１３を設けない状態で酸素を添加した場合よりも、保護膜１１３を設け
た状態で酸素を添加した場合のほうが絶縁体１３２または／および絶縁体１０２ａに含ま
れる酸素量を多くすることができる。なお、保護膜１１３は、酸素を添加する処理によっ
て酸化されても構わない。
なお、保護膜１１３は、酸素をブロックする機能を有し、かつ下層に酸素を到達させる程
度の厚さとすればよい。例えば、保護膜１１３は、１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、または５
ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすればよい。
酸素が添加されることで絶縁体１３２または／および絶縁体１０２ａは、過剰酸素を含む
絶縁体となる。
次に、保護膜１１３を除去する。ただし、保護膜１１３が、絶縁体または半導体であると
き、保護膜１１３を除去しなくてもよい場合がある。
次に、絶縁体１３２をリソグラフィ工程などによって加工し、絶縁体１０２ｂを形成する
（図６参照。）。なお、絶縁体１０２ｂの形成は、絶縁体１０２ａの導電体１０４ｂと重
なる領域が露出するように行う。
次に、半導体１０６ａとなる半導体を成膜する。
次に、半導体１０６ｂとなる半導体を成膜する。
次に、第１の加熱処理を行うと好ましい。第１の加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下
、好ましくは３００℃以上５００℃以下で行えばよい。第１の加熱処理は、不活性ガス雰
囲気、または酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上もしくは１０％以上含む雰囲気で行
う。第１の加熱処理は減圧状態で行ってもよい。または、第１の加熱処理は、不活性ガス
雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１
％以上または１０％以上含む雰囲気で加熱処理を行ってもよい。第１の加熱処理によって
、半導体１０６ａとなる半導体、および半導体１０６ｂとなる半導体の結晶性を高めるこ
とや、水素や水などの不純物を除去することなどができる。
次に、該半導体の積層をリソグラフィ工程などによって加工することで、半導体１０６ａ
および半導体１０６ｂを有する半導体１０６を形成する（図７参照。）。
次に、絶縁体１１２となる絶縁体を成膜する。
次に、導電体１１４ａとなる導電体を成膜する。
次に、導電体１１４ｂとなる導電体を成膜する。
次に、該導電体の積層をリソグラフィ工程などによって加工する。さらに、上層の導電体
のエッチングが下層の導電体のエッチングよりも速く起こる条件でエッチングすることで
、導電体１１４ｂと、導電体１１４ｂよりも迫り出した形状を有する導電体１１４ａを形
成する。
次に、導電体１１４ａなどをマスクとし、絶縁体１１２となる絶縁体を加工することで、
導電体１１４ａよりも迫り出した形状を有する絶縁体１１２を形成する。このとき、半導
体１０６の上面から０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下エッチングされる場合がある。
次に、絶縁体１１２、導電体１１４ａおよび導電体１１４ｂをマスクとし、半導体１０６
を処理する（図８参照。）。
該処理は、例えば、半導体１０６のキャリア密度を高くする機能を有する不純物を添加す
ることで行うことができる。半導体１０６が酸化物半導体である場合、該不純物として、
例えば、ホウ素、炭素、窒素、ネオン、アルミニウム、リン、アルゴン、マンガン、ヒ素
、クリプトン、キセノンなどから選ばれた一種以上を用いればよい。該不純物としては、
特にアルゴンを用いると好ましい。不純物の添加は、ドーピング法などによって行えばよ
い。また、該処理は、例えば、前述した元素（例えば、アルゴンなど）を含む雰囲気にお
けるプラズマ処理などによって行ってもよい。プラズマ処理は、例えば、基板１００側に
自己バイアスが印加されるように行うことが好ましい。
酸化物半導体に対して上述した処理を行うと、酸化物半導体中の酸素を脱離させ、酸素欠
損（ＶＯとも表記する。）を形成することができる。酸素欠損に、近接する水素が入った
状態（ＶＯＨとも表記する。）は、酸化物半導体中でドナー準位を形成するため、被処理
領域のキャリア密度を高くすることができ、抵抗を低減することができる。ＶＯＨがドナ
ー準位を形成することの詳細については後述する。
このようにして、半導体１０６ａの被処理領域である領域１０７ａ１および領域１０７ｂ
１、ならびに半導体１０６ｂの被処理領域である領域１０７ａ２および領域１０７ｂ２を
形成することができる（図９参照。）。なお、領域１０７ａ１および領域１０７ａ２を併
せて領域１０７ａと呼ぶ。また、領域１０７ｂ１および領域１０７ｂ２を併せて領域１０
７ｂと呼ぶ。
次に、絶縁体１３８を成膜する。絶縁体１３８は、後の工程を経て絶縁体１０８となる絶
縁体であるため、絶縁体１０８についての記載を参照する。
絶縁体１３８は、好ましくはＰＥＣＶＤ法により成膜する。例えば、絶縁体１３８として
、水素を有する絶縁体、特に水素を有する窒化シリコン（ＳｉＮＨとも表記する。）を成
膜することで、領域１０７ａおよび領域１０７ｂに水素を添加することができる。その結
果、該水素が領域１０７ａおよび領域１０７ｂに含まれるＶＯを埋めることでドナー準位
を形成するＶＯＨを効率よく形成することができる。なお、絶縁体１３８に十分な量の水
素が含まれている場合、領域１０７ａおよび領域１０７ｂのＶＯＨから水素が脱離してＶ
Ｏになった場合でも、速やかにＶＯＨに戻すことができる。したがって、このようにして
形成された領域１０７ａおよび領域１０７ｂは抵抗が低い状態を安定して保つことができ
る。即ち、領域１０７ａおよび領域１０７ｂを、ソース領域およびドレイン領域に用いた
場合、トランジスタ１５０のオン電流を高くすることができる。
このように、導電体化された酸化物半導体を酸化物導電体ということができる。一般に、
酸化物半導体は、エネルギーギャップが大きいため、可視光に対して透光性を有する。一
方、酸化物導電体は、伝導帯近傍にドナー準位を有する酸化物半導体である。したがって
、該ドナー準位による吸収の影響は小さく、可視光に対して酸化物半導体と同程度の透光
性を有する。
ここで、酸化物導電体における、抵抗率の温度依存性について、図３８を用いて説明する
。
抵抗率を測定した試料に含まれる酸化物導電体として、酸化物半導体が水素を含む窒化シ
リコンに接することで形成された酸化物導電体（ＯＣ＿ＳｉＮＨ）、ドーピング装置にお
いて酸化物半導体にアルゴンが添加され、かつ水素を含む窒化シリコンと接することで形
成された酸化物導電体（ＯＣ＿Ａｒ ｄｏｐｅ＋ＳｉＮＨ）、またはプラズマ処理装置に
おいてアルゴンプラズマを用いてアルゴンイオンを照射し、かつ水素を含む窒化シリコン
と接することで形成された酸化物導電体（ＯＣ＿Ａｒ ｐｌａｓｍａ＋ＳｉＮＨ）を作製
した。
酸化物導電体（ＯＣ＿ＳｉＮＨ）を含む試料の作製方法を以下に示す。まず、ガラス基板
上に、厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコンをＰＥＣＶＤ法により形成した後、酸素プラズ
マを用い、酸素イオンを酸化窒化シリコンに添加することで、加熱により酸素を放出する
酸化窒化シリコンを形成した。次に、加熱により酸素を放出する酸化窒化シリコン上に、
原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１．２のスパッタリングターゲットを用いたスパ
ッタリング法により、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を形成し、４５０℃の窒
素雰囲気で加熱処理した後、４５０℃の窒素および酸素の混合ガス雰囲気で加熱処理した
。次に、ＰＥＣＶＤ法で、厚さ１００ｎｍの窒化シリコンを形成した。次に、３５０℃の
窒素および酸素の混合ガス雰囲気で加熱処理した。
酸化物導電体（ＯＣ＿Ａｒ ｄｏｐｅ＋ＳｉＮＨ）を含む試料の作製方法を以下に示す。
まず、ガラス基板上に、厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコンをＰＥＣＶＤ法により形成し
た後、酸素プラズマを用い、酸素イオンを酸化窒化シリコンに添加することで、加熱によ
り酸素を放出する酸化窒化シリコンを形成した。次に、加熱により酸素を放出する酸化窒
化シリコン上に、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：５：６のスパッタリングターゲット
を用いたスパッタリング法により、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を形成し、
４５０℃の窒素雰囲気で加熱処理した後、４５０℃の窒素および酸素の混合ガス雰囲気で
加熱処理した。次に、ドーピング装置を用いて、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物に、加速電圧を
１０ｋＶとし、ドーズ量が５×１０１４／ｃｍ２のアルゴンを添加して、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚ
ｎ酸化物に酸素欠損を形成した。次に、ＰＥＣＶＤ法で、厚さ１００ｎｍの窒化シリコン
を形成した。次に、３５０℃の窒素および酸素の混合ガス雰囲気で加熱処理した。
酸化物導電体（ＯＣ＿Ａｒ ｐｌａｓｍａ＋ＳｉＮＨ）を含む試料の作製方法を以下に示
す。まず、ガラス基板上に、厚さ４００ｎｍの酸化窒化シリコンをＰＥＣＶＤ法により形
成した後、酸素プラズマを用いることで、加熱により酸素を放出する酸化窒化シリコンを
形成した。次に、加熱により酸素を放出する酸化窒化シリコン上に、原子数比がＩｎ：Ｇ
ａ：Ｚｎ＝１：１：１．２のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により
、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を形成し、４５０℃の窒素雰囲気で加熱処理
した後、４５０℃の窒素および酸素の混合ガス雰囲気で加熱処理した。次に、プラズマ処
理装置において、アルゴンプラズマを発生させ、加速させたアルゴンイオンをＩｎ−Ｇａ
−Ｚｎ酸化物に衝突させることで酸素欠損を形成した。次に、ＰＥＣＶＤ法で、厚さ１０
０ｎｍの窒化シリコンを形成した。次に、３５０℃の窒素および酸素の混合ガス雰囲気で
加熱処理した。
次に、各試料の抵抗率を測定した結果を図３８に示す。ここで、抵抗率の測定は４端子の
ｖａｎ−ｄｅｒ−Ｐａｕｗ法で行った。図３８において、横軸は測定温度を示し、縦軸は
抵抗率を示す。また、酸化物導電体（ＯＣ＿ＳｉＮＨ）の測定結果を四角印で示し、酸化
物導電体（ＯＣ＿Ａｒ ｄｏｐｅ＋ＳｉＮＨ）の測定結果を丸印で示し、酸化物導電体（
ＯＣ＿Ａｒ ｐｌａｓｍａ＋ＳｉＮＨ）の測定結果を三角印で示す。
なお、図示しないが、水素を含む窒化シリコンと接しない酸化物半導体は、抵抗率が高く
、抵抗率の測定が困難であった。このため、酸化物導電体は、酸化物半導体より抵抗率が
低いことがわかる。
図３８から、酸化物導電体（ＯＣ＿Ａｒ ｄｏｐｅ＋ＳｉＮＨ）および酸化物導電体（Ｏ
Ｃ＿Ａｒ ｐｌａｓｍａ＋ＳｉＮＨ）は、酸素欠損および水素を含むことにより、抵抗率
の変動が小さいことがわかる。代表的には、８０Ｋ以上２９０Ｋ以下において、抵抗率は
、±２０％未満の変動率である。または、１５０Ｋ以上２５０Ｋ以下において、抵抗率は
、±１０％未満の変動率である。即ち、酸化物導電体は、縮退半導体であり、伝導帯下端
とフェルミ準位とが一致または略一致していると推定される。このため、酸化物導電体を
トランジスタのソース領域およびドレイン領域として用いることで、酸化物導電体とソー
ス電極およびドレイン電極として機能する導電体とがオーミック接触となり、ソース電極
およびドレイン電極として機能する導電体と、酸化物導電体と、の接触抵抗を低減できる
。また、酸化物導電体の抵抗率は温度依存性が低いため、ソース電極およびドレイン電極
として機能する導電体と、酸化物導電体と、の接触抵抗の変動量が小さく、かつ信頼性の
高いトランジスタを作製することが可能である。
次に、絶縁体１４８となる絶縁体を成膜する。絶縁体１４８となる絶縁体は、後の工程を
経て絶縁体１１８となる絶縁体であるため、絶縁体１１８についての記載を参照する。
次に、第２の加熱処理を行っても構わない。第２の加熱処理を行うことで、半導体１０６
ａを介して、絶縁体１０２などに含まれる過剰酸素が半導体１０６ｂまで移動する。半導
体１０６ｂは半導体１０６ｃ、絶縁体１１２、絶縁体１０８のいずれかで覆われているた
め、過剰酸素の外方拡散が起こりにくい。そのため、このタイミングで第２の加熱処理を
行うことで、効率的に半導体１０６ｂの欠陥（酸素欠損）を低減することができる。なお
、第２の加熱処理は、絶縁体１０２中の過剰酸素（酸素）が半導体１０６ｂまで拡散する
温度で行えばよい。例えば、第１の加熱処理についての記載を参照しても構わない。また
は、第２の加熱処理は、第１の加熱処理よりも低い温度が好ましい。第１の加熱処理と第
２の加熱処理の温度差は、２０℃以上１５０℃以下、好ましくは４０℃以上１００℃以下
とする。これにより、絶縁体１０２から余分に過剰酸素（酸素）が放出することを抑える
ことができる。
次に、該絶縁体をリソグラフィ工程などによって加工することで、絶縁体１４８を形成す
る（図１０参照。）。なお、絶縁体１４８の形成は、絶縁体１３８の導電体１０４ｂと重
なる領域が露出するように行う。
次に、絶縁体１３８と絶縁体１４８との積層をリソグラフィ工程などによって加工するこ
とで、絶縁体１０８と絶縁体１１８との積層を形成する（図１１参照。）。なお、絶縁体
１０８および絶縁体１１８の形成は、領域１０７ａおよび領域１０７ｂが露出するように
行う。
次に、導電体１１６ａ１、導電体１１６ｂ１および導電体１１６ｃ１となる導電体を成膜
する。
次に、導電体１１６ａ２、導電体１１６ｂ２および導電体１１６ｃ２となる導電体を成膜
する。
次に、該導電体の積層をリソグラフィ工程などによって加工することで、導電体１１６ａ
１および導電体１１６ａ２を有する導電体１１６ａ、導電体１１６ｂ１および導電体１１
６ｂ２を有する導電体１１６ｂ、ならびに導電体１１６ｃ１および導電体１１６ｃ２を有
する導電体１１６ｃを形成する。このように、導電体１１６ａと導電体１１６ｂと導電体
１１６ｃとを、同一工程を経て形成することにより、工程を短縮化することができる。即
ち、半導体装置の生産性を高くすることができる。
次に、絶縁体１２８を成膜する（図１２参照。）。
以上のようにして、トランジスタ１５０と、容量素子１６０と、を有する半導体装置を作
製することができる。
＜半導体装置の変形例＞
なお、図１などでは、トランジスタ１５０の半導体１０６が、チャネル形成領域として機
能する領域と、ソース領域およびドレイン領域として機能する領域を有する領域１０７ａ
および領域１０７ｂと、を有する構造について説明しているが、本発明の一態様に係る半
導体装置は、この構造に限定されるものではない。例えば、図１３に示すように、半導体
１０６の領域１０７ａと、領域１０７ｂと、の内側に、さらに領域１０７ｃと、領域１０
７ｄと、領域１０７ｅと、領域１０７ｆと、を有する構造であっても構わない。
なお、領域１０７ｃは、領域１０７ａと隣接する領域を有する。また、領域１０７ｃは、
絶縁体１１２と重なり、かつ導電体１１４ａと重ならない領域を有する。また、領域１０
７ｄは、領域１０７ｂと隣接する領域を有する。また、領域１０７ｄは、絶縁体１１２と
重なり、かつ導電体１１４ａと重ならない領域を有する。また、領域１０７ｅは、領域１
０７ｃと隣接する領域を有する。また、領域１０７ｅは、導電体１１４ａと重なり、かつ
導電体１１４ｂと重ならない領域を有する。また、領域１０７ｆは、領域１０７ｄと隣接
する領域を有する。また、領域１０７ｆは、導電体１１４ａと重なり、かつ導電体１１４
ｂと重ならない領域を有する。
領域１０７ｃは、例えば、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域とし
て機能する領域を有してもよい。ＬＤＤ領域は、ソース領域またはドレイン領域よりもキ
ャリア密度または／および不純物濃度の低い領域であり、かつチャネル形成領域よりもキ
ャリア密度または／および不純物濃度の高い領域を有する。または、領域１０７ｃは、例
えば、オフセット領域として機能する領域を有してもよい。オフセット領域は、チャネル
形成領域と同程度のキャリア密度または／および不純物濃度の領域を有する。
また、領域１０７ｄは、例えば、ＬＤＤ領域として機能する領域を有してもよい。また、
領域１０７ｄは、例えば、オフセット領域として機能する領域を有してもよい。また、領
域１０７ｅは、例えば、ＬＤＤ領域として機能する領域を有してもよい。また、領域１０
７ｅは、例えば、オフセット領域として機能する領域を有してもよい。また、領域１０７
ｆは、例えば、ＬＤＤ領域として機能する領域を有してもよい。また、領域１０７ｆは、
例えば、オフセット領域として機能する領域を有してもよい。なお、半導体１０６におい
て、領域１０７ｅまたは／および領域１０７ｆと、導電体１１４ａと、が互いに重なる領
域をオーバーラップ領域と呼ぶ。
領域１０７ｃ、領域１０７ｄ、領域１０７ｅ、領域１０７ｆの少なくとも一が、ＬＤＤ領
域として機能する領域、または／およびオフセット領域として機能する領域を有すること
で、トランジスタのドレイン電界の集中に起因する劣化を低減することができる。即ち、
信頼性の高い半導体装置とすることができる。
例えば、領域１０７ｃおよび領域１０７ｄがＬＤＤ領域として機能する領域を有し、領域
１０７ｅおよび領域１０７ｆがオフセット領域として機能する領域を有すると、特にトラ
ンジスタのドレイン電界の集中に起因する劣化を低減することができて好ましい場合があ
る。
なお、ＬＤＤ領域として機能する領域それぞれのチャネル長方向における長さは、ソース
領域と、ドレイン領域と、の間の距離の２０％未満、１０％未満、５％未満または２％未
満であると好ましい。または、オーバーラップ領域それぞれのチャネル長方向における長
さは、ソース領域と、ドレイン領域と、の間の距離の２０％未満、１０％未満、５％未満
または２％未満であると好ましい。または、オフセット領域として機能する領域それぞれ
のチャネル長方向における長さは、ソース領域と、ドレイン領域と、の間の距離の２０％
未満、１０％未満、５％未満または２％未満であると好ましい。
また、図１などでは、トランジスタ１５０のチャネル形成領域として機能する領域を有す
る半導体１０６が半導体１０６ａおよび半導体１０６ｂの二層を有する構造について説明
しているが、本発明の一態様に係る半導体装置は、この構造に限定されるものではない。
例えば、図１４に示すように、半導体１０６が半導体１０６ａ、半導体１０６ｂおよび半
導体１０６ｃの三層を有する構造であっても構わない。この場合、領域１０７ａは、領域
１０７ａ１、領域１０７ａ２および領域１０７ａ３を有する構造となる。また、領域１０
７ｂは、領域１０７ｂ１、領域１０７ｂ２および領域１０７ｂ３を有する構造となる。ま
た、図１５に示すように、半導体１０６が一層の構造であっても構わない。この場合、領
域１０７ａは一層の構造となる。また、領域１０７ｂは一層の構造となる。
また、図１などでは、トランジスタ１５０のゲート絶縁体として機能する領域を有する絶
縁体１１２の端部の断面形状が円弧となる領域を有する構造について説明しているが、本
発明の一態様に係る半導体装置は、この構造に限定されるものではない。例えば、図１６
に示すように、絶縁体１１２の端部の断面形状が円弧となる領域を有さない構造であって
も構わない。
なお、本発明の一態様に係るトランジスタ１５０の、絶縁体１１２、導電体１１４ａ、導
電体１１４ｂの少なくとも一がテーパー角を有すると好ましい。例えば、絶縁体１１２は
、半導体１０６の上面と、絶縁体１１２の側面と、の為す角度θ１が９０°未満、３０°
以上８５°以下または４５°以上７０°以下となる断面を有すると好ましい。また、導電
体１１４ａは、絶縁体１１２の上面と、導電体１１４ａの側面と、の為す角度θ２が９０
°未満、１０°以上８５°以下、１５°以上８５°以下、３０°以上８５°以下または４
５°以上７０°以下となる断面を有すると好ましい。また、導電体１１４ｂは、導電体１
１４ａの上面に略平行な直線と、導電体１１４ｂの側面に略平行な直線と、の為す角度θ
３が９０°未満、または３０°以上８５°以下、または４５°以上７０°以下となる断面
を有すると好ましい。また、角度θ１が角度θ２より小さいと後に形成する層などの被覆
性が高くなるため好ましい。また、角度θ３が角度θ２より小さいと後に形成する層など
の被覆性が高くなるため好ましい。
＜配線の位置関係＞
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置の、各配線の接続などについて説明する。
図１７（Ａ）は、半導体装置の配線間の接続の一例を示す断面図である。図１７（Ａ）に
は、導電体１０４ａまたは／および導電体１０４ｂなどと同一層である導電体１０４ｃと
、導電体１１６ａ、導電体１１６ｂまたは／および導電体１１６ｃなどと同一層である導
電体１１６ｄと、が電気的に接続する場合の接続部を示す。具体的には、導電体１０４ｃ
は、絶縁体１０２および絶縁体１１２に設けられた開口部を介して導電体１１４などと同
一層である導電体１１５ａと接する領域を有し、導電体１１６ｄは、絶縁体１０８および
絶縁体１１８に設けられた開口部を介して導電体１１５ａと接する領域を有すればよい。
なお、絶縁体１０２および絶縁体１１２に設けられた開口部は、同一工程を経て形成され
てもよいし、異なる工程を経て形成されてもよい。また、絶縁体１０８および絶縁体１１
８に設けられた開口部は、同一工程を経て形成されてもよいし、異なる工程を経て形成さ
れてもよい。これらの工程を、トランジスタ１５０および容量素子１６０の作製とともに
行うことで、半導体装置の生産性を高くすることができる場合がある。
図１７（Ｂ）は、半導体装置の配線間の接続の一例を示す断面図である。図１７（Ｂ）に
は、導電体１０４ａまたは／および導電体１０４ｂなどと同一層である導電体１０４ｄと
、導電体１１６ａ、導電体１１６ｂまたは／および導電体１１６ｃなどと同一層である導
電体１１６ｅと、が電気的に接続する場合の接続部を示す。具体的には、導電体１０４ｄ
は、絶縁体１０８および絶縁体１１８に設けられた開口部を介して導電体１１６ｅと接す
る領域を有すればよい。
なお、絶縁体１０８および絶縁体１１８に設けられた開口部は、同一工程を経て形成され
てもよいし、異なる工程を経て形成されてもよい。これらの工程を、トランジスタ１５０
および容量素子１６０の作製とともに行うことで、半導体装置の生産性を高くすることが
できる場合がある。
図１７（Ｃ）は、半導体装置の配線間の接続の一例を示す断面図である。図１７（Ｃ）に
は、導電体１０４ａまたは／および導電体１０４ｂなどと同一層である導電体１０４ｅと
、導電体１１４などと同一層である導電体１１５ｂと、が電気的に接続する場合の接続部
を示す。具体的には、導電体１０４ｅは、絶縁体１０２および絶縁体１１２に設けられた
開口部を介して導電体１１５ｂと接する領域を有すればよい。
なお、絶縁体１０２および絶縁体１１２に設けられた開口部は、同一工程を経て形成され
てもよいし、異なる工程を経て形成されてもよい。これらの工程を、トランジスタ１５０
および容量素子１６０の作製とともに行うことで、半導体装置の生産性を高くすることが
できる場合がある。
図１７（Ｄ）は、半導体装置の配線間の交差の一例を示す断面図である。図１７（Ｄ）に
は、導電体１０４ａまたは／および導電体１０４ｂなどと同一層である導電体１０４ｆと
、導電体１１６ａ、導電体１１６ｂまたは／および導電体１１６ｃなどと同一層である導
電体１１６ｆと、が絶縁体１０２、絶縁体１０８および絶縁体１１８を介して重なる領域
を示す。
なお、配線間に絶縁体を複数層有することで、配線間の寄生容量を低減することができる
。そのため、寄生容量に起因した周波数特性（ｆ特ともいう。）の低下を抑制することが
できるため、本発明の一態様に係る半導体装置はｆ特が良好であることがわかる。
＜酸化物半導体＞
以下では、半導体１０６、半導体１０６ａ、半導体１０６ｂ、半導体１０６ｃなどに適用
可能な酸化物半導体について説明する。
酸化物半導体は、例えば、インジウムを含む酸化物である。酸化物半導体は、例えば、イ
ンジウムを含むと、キャリア移動度（電子移動度）が高くなる。また、酸化物半導体は、
元素Ｍを含むと好ましい。元素Ｍは、好ましくは、アルミニウム、ガリウム、イットリウ
ムまたはスズなどとする。そのほかの元素Ｍに適用可能な元素としては、ホウ素、シリコ
ン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、
ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステンなどがある。ただ
し、元素Ｍとして、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。元素Ｍは、例
えば、酸素との結合エネルギーが高い元素である。例えば、酸素との結合エネルギーがイ
ンジウムよりも高い元素である。または、元素Ｍは、例えば、酸化物半導体のエネルギー
ギャップを大きくする機能を有する元素である。また、酸化物半導体は、亜鉛を含むと好
ましい。酸化物半導体は、亜鉛を含むと結晶化しやすくなる場合がある。
ただし、酸化物半導体は、インジウムを含む酸化物半導体に限定されない。酸化物半導体
は、例えば、亜鉛スズ酸化物、ガリウムスズ酸化物などの、インジウムを含まず、亜鉛を
含む酸化物半導体、ガリウムを含む酸化物半導体、スズを含む酸化物半導体などであって
も構わない。
酸化物半導体は、例えば、エネルギーギャップが大きい酸化物を用いる。酸化物半導体の
エネルギーギャップは、例えば、２．５ｅＶ以上４．２ｅＶ以下、好ましくは２．８ｅＶ
以上３．８ｅＶ以下、さらに好ましくは３ｅＶ以上３．５ｅＶ以下とする。
トランジスタのオン電流は、電子の移動を阻害する要因を低減するほど、高くすることが
できる。例えば、電子の移動を阻害する要因のない場合、効率よく電子が移動すると推定
される。電子の移動は、例えば、チャネル形成領域の物理的な凹凸が大きい場合にも阻害
される。
トランジスタのオン電流を高くするためには、例えば、酸化物半導体の上面または下面の
、１μｍ×１μｍの範囲における二乗平均平方根（ＲＭＳ：Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕ
ａｒｅ）粗さが１ｎｍ未満、好ましくは０．６ｎｍ未満、さらに好ましくは０．５ｎｍ未
満、より好ましくは０．４ｎｍ未満とすればよい。また、１μｍ×１μｍの範囲における
平均面粗さ（Ｒａともいう。）が１ｎｍ未満、好ましくは０．６ｎｍ未満、さらに好まし
くは０．５ｎｍ未満、より好ましくは０．４ｎｍ未満とすればよい。また、１μｍ×１μ
ｍの範囲における最大高低差（Ｐ−Ｖともいう。）が１０ｎｍ未満、好ましくは９ｎｍ未
満、さらに好ましくは８ｎｍ未満、より好ましくは７ｎｍ未満とすればよい。ＲＭＳ粗さ
、ＲａおよびＰ−Ｖは、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製走査型プローブ顕微
鏡システムＳＰＡ−５００などを用いて測定することができる。
なお、酸化物半導体に銅が混入すると、電子トラップを生成する場合がある。電子トラッ
プは、トランジスタのしきい値電圧をプラス方向へ変動させる場合がある。したがって、
酸化物半導体の表面または内部における銅濃度は低いほど好ましい。例えば、酸化物半導
体は、銅濃度が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
以下、または１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となる領域を有すると好ましい。
＜酸化物半導体の構造＞
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置さ
れている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略平
行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。ま
た、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態を
いう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二
つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す
。
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体とに分けられ
る。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半
導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｌｉ
ｋｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体などがある。
また別の観点では、酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体と、それ以外の結晶性酸化物半
導体とに分けられる。結晶性酸化物半導体としては、単結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ−Ｏ
Ｓ、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳなどがある。
非晶質構造の定義としては、一般に、準安定状態で固定化していないこと、等方的であっ
て不均質構造を持たないことなどが知られている。また、結合角度が柔軟であり、短距離
秩序性は有するが、長距離秩序性を有さない構造と言い換えることもできる。
逆の見方をすると、本質的に安定な酸化物半導体の場合、完全な非晶質（ｃｏｍｐｌｅｔ
ｅｌｙ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）酸化物半導体と呼ぶことはできない。また、等方的でない
（例えば、微小な領域において周期構造を有する）酸化物半導体を、完全な非晶質酸化物
半導体と呼ぶことはできない。ただし、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、微小な領域において周期
構造を有するものの、鬆（ボイドともいう。）を有し、不安定な構造である。そのため、
物性的には非晶質酸化物半導体に近いといえる。
＜ＣＡＡＣ−ＯＳ＞
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。
ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向した複数の結晶部（ペレットともいう。）を有する酸化物半
導体の一つである。
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ−ＯＳの明視野像と回折パターンとの複合解析像（高分
解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察すると、複数のペレットを確認することができる。一方
、高分解能ＴＥＭ像ではペレット同士の境界、即ち結晶粒界（グレインバウンダリーとも
いう。）を明確に確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起
因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
以下では、ＴＥＭによって観察したＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。図３４（Ａ）に、
試料面と略平行な方向から観察したＣＡＡＣ−ＯＳの断面の高分解能ＴＥＭ像を示す。高
分解能ＴＥＭ像の観察には、球面収差補正（Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ Ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ
Ｃｏｒｒｅｃｔｏｒ）機能を用いた。球面収差補正機能を用いた高分解能ＴＥＭ像を、
特にＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像と呼ぶ。Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像の取得は、例えば、日
本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆなどによって行うこ
とができる。
図３４（Ａ）の領域（１）を拡大したＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を図３４（Ｂ）に示す。
図３４（Ｂ）より、ペレットにおいて、金属原子が層状に配列していることを確認できる
。金属原子の各層の配列は、ＣＡＡＣ−ＯＳの膜を形成する面（被形成面ともいう。）ま
たは上面の凹凸を反映しており、ＣＡＡＣ−ＯＳの被形成面または上面と平行となる。
図３４（Ｂ）に示すように、ＣＡＡＣ−ＯＳは特徴的な原子配列を有する。図３４（Ｃ）
は、特徴的な原子配列を、補助線で示したものである。図３４（Ｂ）および図３４（Ｃ）
より、ペレット一つの大きさは１ｎｍ以上３ｎｍ以下程度であり、ペレットとペレットと
の傾きにより生じる隙間の大きさは０．８ｎｍ程度であることがわかる。したがって、ペ
レットを、ナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）と呼ぶこともできる。また、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳを、ＣＡＮＣ（Ｃ−Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）
を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
ここで、Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像をもとに、基板５１２０上のＣＡＡＣ−ＯＳのペレッ
ト５１００の配置を模式的に示すと、レンガまたはブロックが積み重なったような構造と
なる（図３４（Ｄ）参照。）。図３４（Ｃ）で観察されたペレットとペレットとの間で傾
きが生じている箇所は、図３４（Ｄ）に示す領域５１６１に相当する。
また、図３５（Ａ）に、試料面と略垂直な方向から観察したＣＡＡＣ−ＯＳの平面のＣｓ
補正高分解能ＴＥＭ像を示す。図３５（Ａ）の領域（１）、領域（２）および領域（３）
を拡大したＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を、それぞれ図３５（Ｂ）、図３５（Ｃ）および図
３５（Ｄ）に示す。図３５（Ｂ）、図３５（Ｃ）および図３５（Ｄ）より、ペレットは、
金属原子が三角形状、四角形状または六角形状に配列していることを確認できる。しかし
ながら、異なるペレット間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
次に、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって解析したＣＡ
ＡＣ−ＯＳについて説明する。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ
に対し、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、図３６（Ａ）に示すよう
に回折角（２θ）が３１°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺ
ｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属されることから、ＣＡＡＣ−ＯＳの結晶がｃ軸配向性
を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略垂直な方向を向いていることが確認できる。
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳのｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析では、２θが３１°
近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れる場合がある。２θが３６°近
傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の一部に、ｃ軸配向性を有さない結晶が含まれることを
示している。より好ましいＣＡＡＣ−ＯＳは、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解
析では、２θが３１°近傍にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さない。
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳに対し、ｃ軸に略垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ−ｐｌａｎ
ｅ法による構造解析を行うと、２θが５６°近傍にピークが現れる。このピークは、Ｉｎ
ＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＣＡＡＣ−ＯＳの場合は、２θを５６
°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）として試料を回転させながら分析（
φスキャン）を行っても、図３６（Ｂ）に示すように明瞭なピークは現れない。これに対
し、ＩｎＧａＺｎＯ４の単結晶酸化物半導体であれば、２θを５６°近傍に固定してφス
キャンした場合、図３６（Ｃ）に示すように（１１０）面と等価な結晶面に帰属されるピ
ークが６本観察される。したがって、ＸＲＤを用いた構造解析から、ＣＡＡＣ−ＯＳは、
ａ軸およびｂ軸の配向が不規則であることが確認できる。
次に、電子回折によって解析したＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。例えば、ＩｎＧａＺ
ｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳに対し、試料面に平行にプローブ径が３００ｎｍの
電子線を入射させると、図４９（Ａ）に示すような回折パターン（制限視野透過電子回折
パターンともいう。）が現れる場合がある。この回折パターンには、ＩｎＧａＺｎＯ４の
結晶の（００９）面に起因するスポットが含まれる。したがって、電子回折によっても、
ＣＡＡＣ−ＯＳに含まれるペレットがｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略
垂直な方向を向いていることがわかる。一方、同じ試料に対し、試料面に垂直にプローブ
径が３００ｎｍの電子線を入射させたときの回折パターンを図４９（Ｂ）に示す。図４９
（Ｂ）より、リング状の回折パターンが確認される。したがって、電子回折によっても、
ＣＡＡＣ−ＯＳに含まれるペレットのａ軸およびｂ軸は配向性を有さないことがわかる。
なお、図４９（Ｂ）における第１リングは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（０１０）面およ
び（１００）面などに起因すると考えられる。また、図４９（Ｂ）における第２リングは
（１１０）面などに起因すると考えられる。
上述したように、ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶性の高い酸化物半導体である。酸化物半導体の結
晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、逆の見方をする
とＣＡＡＣ−ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。
なお、不純物は、酸化物半導体の主成分以外の元素で、水素、炭素、シリコン、遷移金属
元素などがある。例えば、シリコンなどの、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸素
との結合力の強い元素は、酸化物半導体から酸素を奪うことで酸化物半導体の原子配列を
乱し、結晶性を低下させる要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二
酸化炭素などは、原子半径（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体の原子配列を
乱し、結晶性を低下させる要因となる。
酸化物半導体が不純物や欠陥を有する場合、光や熱などによって特性が変動する場合があ
る。例えば、酸化物半導体に含まれる不純物は、キャリアトラップとなる場合や、キャリ
ア発生源となる場合がある。また、酸化物半導体中の酸素欠損は、キャリアトラップとな
る場合や、水素を捕獲することによってキャリア発生源となる場合がある。
不純物および酸素欠損の少ないＣＡＡＣ−ＯＳは、キャリア密度の低い酸化物半導体であ
る。具体的には、キャリア密度を８×１０１１／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１１／
ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１０／ｃｍ３未満であり、１×１０−９／ｃｍ３
以上とすることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度
真性な酸化物半導体と呼ぶ。ＣＡＡＣ−ＯＳは、不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い
。即ち、安定な特性を有する酸化物半導体であるといえる。
＜ｎｃ−ＯＳ＞
次に、ｎｃ−ＯＳについて説明する。
ｎｃ−ＯＳは、高分解能ＴＥＭ像において、結晶部を確認することのできる領域と、明確
な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。ｎｃ−ＯＳに含まれる結晶部は、
１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の大きさであることが多い。なお
、結晶部の大きさが１０ｎｍより大きく１００ｎｍ以下である酸化物半導体を微結晶酸化
物半導体と呼ぶことがある。ｎｃ−ＯＳは、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界を
明確に確認できない場合がある。なお、ナノ結晶は、ＣＡＡＣ−ＯＳにおけるペレットと
起源を同じくする可能性がある。そのため、以下ではｎｃ−ＯＳの結晶部をペレットと呼
ぶ場合がある。
ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３
ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるペレ
ット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。した
がって、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体
と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳに対し、ペレットよりも大きい径のＸ
線を用いた場合、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークは検
出されない。また、ｎｃ−ＯＳに対し、ペレットよりも大きいプローブ径（例えば５０ｎ
ｍ以上）の電子線を用いる電子回折を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観
測される。一方、ｎｃ−ＯＳに対し、ペレットの大きさと近いかペレットより小さいプロ
ーブ径の電子線を用いるナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測される。また、ｎ
ｃ−ＯＳに対しナノビーム電子回折を行うと、円を描くように（リング状に）輝度の高い
領域が観測される場合がある。さらに、リング状の領域内に複数のスポットが観測される
場合がある。
このように、ペレット（ナノ結晶）間では結晶方位が規則性を有さないことから、ｎｃ−
ＯＳを、ＲＡＮＣ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有す
る酸化物半導体、またはＮＡＮＣ（Ｎｏｎ−Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ
）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
ｎｃ−ＯＳは、非晶質酸化物半導体よりも規則性の高い酸化物半導体である。そのため、
ｎｃ−ＯＳは、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体よりも欠陥準位密度が低くなる
。ただし、ｎｃ−ＯＳは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため
、ｎｃ−ＯＳは、ＣＡＡＣ−ＯＳと比べて欠陥準位密度が高くなる。
＜ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ＞
ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半
導体である。
ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、高分解能ＴＥＭ像において鬆が観察される場合がある。また、高
分解能ＴＥＭ像において、明確に結晶部を確認することのできる領域と、結晶部を確認す
ることのできない領域と、を有する。
鬆を有するため、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、不安定な構造である。以下では、ａ−ｌｉｋｅ
ＯＳが、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳと比べて不安定な構造であることを示すため
、電子照射による構造の変化を示す。
電子照射を行う試料として、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ（試料Ａと表記する。）、ｎｃ−ＯＳ（
試料Ｂと表記する。）およびＣＡＡＣ−ＯＳ（試料Ｃと表記する。）を準備する。いずれ
の試料もＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である。
まず、各試料の高分解能断面ＴＥＭ像を取得する。高分解能断面ＴＥＭ像により、各試料
は、いずれも結晶部を有することがわかる。
なお、どの部分を一つの結晶部と見なすかの判定は、以下のように行えばよい。例えば、
ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の単位格子は、Ｉｎ−Ｏ層を３層有し、またＧａ−Ｚｎ−Ｏ層を
６層有する、計９層がｃ軸方向に層状に重なった構造を有することが知られている。これ
らの近接する層同士の間隔は、（００９）面の格子面間隔（ｄ値ともいう。）と同程度で
あり、結晶構造解析からその値は０．２９ｎｍと求められている。したがって、格子縞の
間隔が０．２８ｎｍ以上０．３０ｎｍ以下である箇所を、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶部と見
なすことができる。なお、格子縞は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶のａ−ｂ面に対応する。
図５０は、各試料の結晶部（２２箇所から４５箇所）の平均の大きさを調査した例である
。ただし、上述した格子縞の長さを結晶部の大きさとしている。図５０より、ａ−ｌｉｋ
ｅ ＯＳ（試料Ａ）は、電子の累積照射量に応じて結晶部が大きくなっていくことがわか
る。具体的には、図５０中に（１）で示すように、ＴＥＭによる観察初期においては１．
２ｎｍ程度の大きさだった結晶部（初期核ともいう。）が、累積照射量が４．２×１０８
ｅ−／ｎｍ２においては２．６ｎｍ程度の大きさまで成長していることがわかる。一方、
ｎｃ−ＯＳ（試料Ｂ）およびＣＡＡＣ−ＯＳ（試料Ｃ）は、電子照射開始時から電子の累
積照射量が４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２までの範囲で、結晶部の大きさに変化が見られな
いことがわかる。具体的には、図５０中の（２）および（３）で示すように、電子の累積
照射量によらず、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳの結晶部の大きさは、それぞれ１．４
ｎｍ程度および２．１ｎｍ程度であることがわかる。
このように、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、電子照射によって結晶部の成長が見られる場合があ
る。一方、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳは、電子照射による結晶部の成長がほとんど
見られないことがわかる。即ち、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−Ｏ
Ｓと比べて、不安定な構造であることがわかる。
また、鬆を有するため、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べ
て密度の低い構造である。具体的には、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶
の密度の７８．６％以上９２．３％未満となる。また、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ
−ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の９２．３％以上１００％未満となる。単結晶
の密度の７８％未満となる酸化物半導体は、成膜すること自体が困難である。
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、菱
面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３となる。よっ
て、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において
、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳの密度は５．０ｇ／ｃｍ３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満となる。また
、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、
ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ３
未満となる。
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合がある。その場合、任意の割合で組成の異なる
単結晶を組み合わせることにより、所望の組成における単結晶に相当する密度を見積もる
ことができる。所望の組成の単結晶に相当する密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせ
る割合に対して、加重平均を用いて見積もればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない
種類の単結晶を組み合わせて見積もることが好ましい。
以上のように、酸化物半導体は、様々な構造をとり、それぞれが様々な特性を有する。な
お、酸化物半導体は、例えば、非晶質酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、
ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
＜成膜モデル＞
以下では、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳの成膜モデルについて説明する。
図３９（Ａ）は、スパッタリング法によりＣＡＡＣ−ＯＳが成膜される様子を示した成膜
室内の模式図である。
ターゲット２３０は、バッキングプレート上に接着されている。ターゲット２３０および
バッキングプレート下には、複数のマグネットが配置される。該複数のマグネットによっ
て、ターゲット２３０上には磁場が生じている。マグネットの磁場を利用して成膜速度を
高めるスパッタリング法は、マグネトロンスパッタリング法と呼ばれる。
ターゲット２３０は、多結晶構造を有し、いずれかの結晶粒には劈開面が含まれる。なお
、劈開面の詳細については後述する。
基板２２０は、ターゲット２３０と向かい合うように配置しており、その距離ｄ（ターゲ
ット−基板間距離（Ｔ−Ｓ間距離）ともいう。）は０．０１ｍ以上１ｍ以下、好ましくは
０．０２ｍ以上０．５ｍ以下とする。成膜室内は、ほとんどが成膜ガス（例えば、酸素、
アルゴン、または酸素を５０体積％以上の割合で含む混合ガス）で満たされ、０．０１Ｐ
ａ以上１００Ｐａ以下、好ましくは０．１Ｐａ以上１０Ｐａ以下に制御される。ここで、
ターゲット２３０に一定以上の電圧を印加することで、放電が始まり、プラズマが確認さ
れる。なお、ターゲット２３０上の磁場によって、高密度プラズマ領域が形成される。高
密度プラズマ領域では、成膜ガスがイオン化することで、イオン２０１が生じる。イオン
２０１は、例えば、酸素の陽イオン（Ｏ＋）やアルゴンの陽イオン（Ａｒ＋）などである
。
イオン２０１は、電界によってターゲット２３０側に加速され、やがてターゲット２３０
と衝突する。このとき、劈開面から平板状またはペレット状のスパッタ粒子であるペレッ
ト２００ａおよびペレット２００ｂが剥離し、叩き出される。なお、ペレット２００ａお
よびペレット２００ｂは、イオン２０１の衝突の衝撃によって、構造に歪みが生じる場合
がある。
ペレット２００ａは、三角形、例えば正三角形の平面を有する平板状またはペレット状の
スパッタ粒子である。また、ペレット２００ｂは、六角形、例えば正六角形の平面を有す
る平板状またはペレット状のスパッタ粒子である。なお、ペレット２００ａおよびペレッ
ト２００ｂなどの平板状またはペレット状のスパッタ粒子を総称してペレット２００と呼
ぶ。ペレット２００の平面の形状は、三角形、六角形に限定されない、例えば、三角形が
２個以上６個以下合わさった形状となる場合がある。例えば、三角形（正三角形）が２個
合わさった四角形（ひし形）となる場合もある。
ペレット２００は、成膜ガスの種類などに応じて厚さが決定する。理由は後述するが、ペ
レット２００の厚さは、均一にすることが好ましい。また、スパッタ粒子は厚みのないペ
レット状である方が、厚みのあるサイコロ状であるよりも好ましい。
ペレット２００は、プラズマを通過する際に電荷を受け取ることで、側面が負または正に
帯電する場合がある。ペレット２００は、側面に酸素原子を有し、当該酸素原子が負に帯
電する可能性がある。例えば、ペレット２００ａが、側面に負に帯電した酸素原子を有す
る例を図４１に示す。このように、側面が同じ極性の電荷を帯びることにより、電荷同士
の反発が起こり、平板状の形状を維持することが可能となる。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳが、
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である場合、インジウム原子と結合した酸素原子が負に帯電する
可能性がある。または、インジウム原子、ガリウム原子または亜鉛原子と結合した酸素原
子が負に帯電する可能性がある。
図３９（Ａ）に示すように、例えば、ペレット２００は、プラズマ中を凧のように飛翔し
、ひらひらと基板２２０上まで舞い上がっていく。ペレット２００は電荷を帯びているた
め、ほかのペレット２００が既に堆積している領域が近づくと、斥力が生じる。ここで、
基板２２０の上面では、基板２２０の上面に平行な向きの磁場が生じている。また、基板
２２０およびターゲット２３０間には、電位差が与えられているため、基板２２０からタ
ーゲット２３０に向けて電流が流れている。したがって、ペレット２００は、基板２２０
の上面において、磁場および電流の作用によって、力（ローレンツ力）を受ける（図４２
参照。）。このことは、フレミングの左手の法則によって理解できる。なお、ペレット２
００に与える力を大きくするためには、基板２２０の上面において、基板２２０の上面に
平行な向きの磁場が１０Ｇ以上、好ましくは２０Ｇ以上、さらに好ましくは３０Ｇ以上、
より好ましくは５０Ｇ以上となる領域を設けるとよい。または、基板２２０の上面におい
て、基板２２０の上面に平行な向きの磁場が、基板２２０の上面に垂直な向きの磁場の１
．５倍以上、好ましくは２倍以上、さらに好ましくは３倍以上、より好ましくは５倍以上
となる領域を設けるとよい。
また、基板２２０は加熱されており、ペレット２００と基板２２０との間で摩擦などの抵
抗が小さい状態となっている。その結果、図４３（Ａ）に示すように、ペレット２００は
、基板２２０の上面を滑空するように移動する。ペレット２００の移動は、平板面を基板
２２０に向けた状態で起こる。その後、図４３（Ｂ）に示すように、既に堆積しているほ
かのペレット２００の側面まで到達すると、側面同士が結合する。このとき、ペレット２
００の側面にある酸素原子が脱離する。脱離した酸素原子によって、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の
酸素欠損が埋まる場合があるため、欠陥準位密度の低いＣＡＡＣ−ＯＳとなる。
また、ペレット２００が基板２２０上で加熱されることにより、原子が再配列し、イオン
２０１の衝突で生じた構造の歪みが緩和される。歪みの緩和されたペレット２００は、ほ
ぼ単結晶となる。ペレット２００がほぼ単結晶となることにより、ペレット２００同士が
結合した後に加熱されたとしても、ペレット２００自体の伸縮はほとんど起こり得ない。
したがって、ペレット２００間の隙間が広がることで結晶粒界などの欠陥を形成し、クレ
バス化することがない。また、隙間には、伸縮性のある金属原子などが敷き詰められ、向
きのずれたペレット２００同士の側面を高速道路のように繋いでいると考えられる。
以上のようなモデルにより、ペレット２００が基板２２０上に堆積していくと考えられる
。したがって、エピタキシャル成長とは異なり、被形成面が結晶構造を有さない場合にお
いても、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜が可能であることがわかる。例えば、基板２２０の上面（
被形成面）の構造が非晶質構造であっても、ＣＡＡＣ−ＯＳを成膜することは可能である
。
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、平坦面に対してだけでなく、被形成面である基板２２０の上面
に凹凸がある場合でも、その形状に沿ってペレット２００が配列することがわかる。例え
ば、基板２２０の上面が原子レベルで平坦な場合、ペレット２００はａｂ面と平行な平面
である平板面を下に向けて並置するため、厚さが均一で平坦、かつ高い結晶性を有する層
が形成される。そして、当該層がｎ段（ｎは自然数。）積み重なることで、ＣＡＡＣ−Ｏ
Ｓを得ることができる（図３９（Ｂ）参照。）。
一方、基板２２０の上面が凹凸を有する場合でも、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット２００が
凹凸に沿って並置した層がｎ段（ｎは自然数。）積み重なった構造となる。基板２２０が
凹凸を有するため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット２００間に隙間が生じやすい場合がある
。ただし、ペレット２００間で分子間力が働き、凹凸があってもペレット間の隙間はなる
べく小さくなるように配列する。したがって、凹凸があっても高い結晶性を有するＣＡＡ
Ｃ−ＯＳとすることができる（図３９（Ｃ）参照。）。
したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、レーザ結晶化が不要であり、大面積のガラス基板などで
あっても均一な成膜が可能である。
このようなモデルによってＣＡＡＣ−ＯＳが成膜されるため、スパッタ粒子が厚みのない
ペレット状である方が好ましい。なお、スパッタ粒子が厚みのあるサイコロ状である場合
、基板２２０上に向ける面が一定とならず、厚さや結晶の配向を均一にできない場合があ
る。
以上に示した成膜モデルにより、非晶質構造を有する被形成面上であっても、高い結晶性
を有するＣＡＡＣ−ＯＳを得ることができる。
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット２００のほかに酸化亜鉛粒子を有する成膜モデルによ
っても説明することができる。
酸化亜鉛粒子は、ペレット２００よりも質量が小さいため、先に基板２２０に到達する。
基板２２０の上面において、酸化亜鉛粒子は、水平方向に優先的に結晶成長することで薄
い酸化亜鉛層を形成する。該酸化亜鉛層は、ｃ軸配向性を有する。なお、該酸化亜鉛層の
結晶のｃ軸は、基板２２０の法線ベクトルに平行な方向を向く。該酸化亜鉛層は、ＣＡＡ
Ｃ−ＯＳを成長させるためのシード層の役割を果たすため、ＣＡＡＣ−ＯＳの結晶性を高
める機能を有する。なお、該酸化亜鉛層は、厚さが０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下、ほとんど
が１ｎｍ以上３ｎｍ以下となる。該酸化亜鉛層は十分薄いため、結晶粒界をほとんど確認
することができない。
したがって、結晶性の高いＣＡＡＣ−ＯＳを成膜するためには、化学量論的組成よりも高
い割合で亜鉛を含むターゲットを用いることが好ましい。
同様に、ｎｃ−ＯＳは、図４０に示す成膜モデルによって理解することができる。なお、
図４０と図３９（Ａ）との違いは、基板２２０の加熱の有無のみである。
したがって、基板２２０は加熱されておらず、ペレット２００と基板２２０との間で摩擦
などの抵抗が大きい状態となっている。その結果、ペレット２００は、基板２２０の上面
を滑空するように移動することができないため、不規則に降り積もっていくことでｎｃ−
ＯＳを得ることができる。
＜劈開面＞
以下では、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルにおいて記載のターゲットの劈開面について説明
する。
まずは、ターゲットの劈開面について図４４を用いて説明する。図４４に、ＩｎＧａＺｎ
Ｏ４の結晶の構造を示す。なお、図４４（Ａ）は、ｃ軸を上向きとし、ｂ軸に平行な方向
からＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を観察した場合の構造を示す。また、図４４（Ｂ）は、ｃ軸
に平行な方向からＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を観察した場合の構造を示す。
ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の各結晶面における劈開に必要なエネルギーを、第一原理計算に
より算出する。なお、計算には、擬ポテンシャルと、平面波基底を用いた密度汎関数プロ
グラム（ＣＡＳＴＥＰ）を用いる。なお、擬ポテンシャルには、ウルトラソフト型の擬ポ
テンシャルを用いる。また、汎関数には、ＧＧＡ ＰＢＥを用いる。また、カットオフエ
ネルギーは４００ｅＶとする。
初期状態における構造のエネルギーは、セルサイズを含めた構造最適化を行った後に導出
する。また、各面で劈開後の構造のエネルギーは、セルサイズを固定した状態で、原子配
置の構造最適化を行った後に導出する。
図４４に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の構造をもとに、第１の面、第２の面、第３の面
、第４の面のいずれかで劈開した構造を作製し、セルサイズを固定した構造最適化計算を
行う。ここで、第１の面は、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＩｎ−Ｏ層との間の結晶面であり、（０
０１）面（またはａｂ面）に平行な結晶面である（図４４（Ａ）参照。）。第２の面は、
Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＧａ−Ｚｎ−Ｏ層との間の結晶面であり、（００１）面（またはａｂ
面）に平行な結晶面である（図４４（Ａ）参照。）。第３の面は、（１１０）面に平行な
結晶面である（図４４（Ｂ）参照。）。第４の面は、（１００）面（またはｂｃ面）に平
行な結晶面である（図４４（Ｂ）参照。）。
以上のような条件で、各面で劈開後の構造のエネルギーを算出する。次に、劈開後の構造
のエネルギーと初期状態における構造のエネルギーとの差を、劈開面の面積で除すことで
、各面における劈開しやすさの尺度である劈開エネルギーを算出する。なお、構造のエネ
ルギーは、構造に含まれる原子と電子に対して、電子の運動エネルギーと、原子間、原子
−電子間、および電子間の相互作用と、を考慮したエネルギーである。
計算の結果、第１の面の劈開エネルギーは２．６０Ｊ／ｍ２、第２の面の劈開エネルギー
は０．６８Ｊ／ｍ２、第３の面の劈開エネルギーは２．１８Ｊ／ｍ２、第４の面の劈開エ
ネルギーは２．１２Ｊ／ｍ２であることがわかった（下表参照。）。
この計算により、図４４に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の構造において、第２の面にお
ける劈開エネルギーが最も低くなる。即ち、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＧａ−Ｚｎ−Ｏ層との間
が最も劈開しやすい面（劈開面）であることがわかる。したがって、本明細書において、
劈開面と記載する場合、最も劈開しやすい面である第２の面のことを示す。
Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＧａ−Ｚｎ−Ｏ層との間である第２の面に劈開面を有するため、図４
４（Ａ）に示すＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は、二つの第２の面と等価な面で分離することが
できる。したがって、ターゲットにイオンなどを衝突させる場合、もっとも劈開エネルギ
ーの低い面で劈開したウェハース状のユニット（我々はこれをペレットと呼ぶ。）が最小
単位となって飛び出してくると考えられる。その場合、ＩｎＧａＺｎＯ４のペレットは、
Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層、Ｉｎ−Ｏ層およびＧａ−Ｚｎ−Ｏ層の３層となる。
また、第１の面（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＩｎ−Ｏ層との間の結晶面であり、（００１）面（
またはａｂ面）に平行な結晶面）よりも、第３の面（（１１０）面に平行な結晶面）、第
４の面（（１００）面（またはｂｃ面）に平行な結晶面）の劈開エネルギーが低いことか
ら、ペレットの平面形状は三角形状または六角形状が多いことが示唆される。
次に、古典分子動力学計算により、ターゲットとしてホモロガス構造を有するＩｎＧａＺ
ｎＯ４の結晶を仮定し、当該ターゲットをアルゴン（Ａｒ）または酸素（Ｏ）によりスパ
ッタした場合の劈開面について評価する。計算に用いたＩｎＧａＺｎＯ４の結晶（２６８
８原子）の断面構造を図４５（Ａ）に、上面構造を図４５（Ｂ）に示す。なお、図４５（
Ａ）に示す固定層は、位置が変動しないよう原子の配置を固定した層である。また、図４
５（Ａ）に示す温度制御層は、常に一定の温度（３００Ｋ）とした層である。
古典分子動力学計算には、富士通株式会社製Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｅｘｐｌｏｒｅｒ５．
０を用いる。なお、初期温度を３００Ｋ、セルサイズを一定、時間刻み幅を０．０１フェ
ムト秒、ステップ数を１０００万回とする。計算では、当該条件のもと、原子に３００ｅ
Ｖのエネルギーを与え、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶のａｂ面に垂直な方向からセルに原子を
入射させる。
図４６（Ａ）は、図４５に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するセルにアルゴンが入射
してから９９．９ピコ秒（ｐｓｅｃ）後の原子配列を示す。また、図４６（Ｂ）は、セル
に酸素が入射してから９９．９ピコ秒後の原子配列を示す。なお、図４６では、図４５（
Ａ）に示した固定層の一部を省略して示す。
図４６（Ａ）より、アルゴンがセルに入射してから９９．９ピコ秒までに、図４４（Ａ）
に示した第２の面に対応する劈開面から亀裂が生じる。したがって、ＩｎＧａＺｎＯ４の
結晶に、アルゴンが衝突した場合、最上面を第２の面（０番目）とすると、第２の面（２
番目）に大きな亀裂が生じることがわかる。
一方、図４６（Ｂ）より、酸素がセルに入射してから９９．９ピコ秒までに、図４４（Ａ
）に示した第２の面に対応する劈開面から亀裂が生じることがわかる。ただし、酸素が衝
突した場合は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の第２の面（１番目）において大きな亀裂が生じ
ることがわかる。
したがって、ホモロガス構造を有するＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を含むターゲットの上面か
ら原子（イオン）が衝突すると、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は第２の面に沿って劈開し、平
板状の粒子（ペレット）が剥離することがわかる。また、このとき、ペレットの大きさは
、アルゴンを衝突させた場合よりも、酸素を衝突させた場合の方が小さくなることがわか
る。
なお、上述の計算から、剥離したペレットは損傷領域を含むことが示唆される。ペレット
に含まれる損傷領域は、損傷によって生じた欠陥に酸素を反応させることで修復できる場
合がある。
そこで、衝突させる原子の違いによって、ペレットの大きさが異なることについて調査す
る。
図４７（Ａ）に、図４５に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するセルにアルゴンが入射
した後、０ピコ秒から０．３ピコ秒までにおける各原子の軌跡を示す。したがって、図４
７（Ａ）は、図４５から図４６（Ａ）の間の期間に対応する。
図４７（Ａ）より、アルゴンが第１層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）のガリウム（Ｇａ）と衝突す
ると、当該ガリウムが第３層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）の亜鉛（Ｚｎ）と衝突した後、当該亜
鉛が第６層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）の近傍まで到達することがわかる。なお、ガリウムと衝
突したアルゴンは、外に弾き飛ばされる。したがって、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を含むタ
ーゲットにアルゴンを衝突させた場合、図４５（Ａ）における第２の面（２番目）に亀裂
が入ると考えられる。
また、図４７（Ｂ）に、図４５に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するセルに酸素が入
射した後、０ピコ秒から０．３ピコ秒までにおける各原子の軌跡を示す。したがって、図
４７（Ｂ）は、図４５から図４６（Ａ）の間の期間に対応する。
一方、図４７（Ｂ）より、酸素が第１層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）のガリウム（Ｇａ）と衝突
すると、当該ガリウムが第３層（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層）の亜鉛（Ｚｎ）と衝突した後、当該
亜鉛が第５層（Ｉｎ−Ｏ層）まで到達しないことがわかる。なお、ガリウムと衝突した酸
素は、外に弾き飛ばされる。したがって、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を含むターゲットに酸
素を衝突させた場合、図４５（Ａ）における第２の面（１番目）に亀裂が入ると考えられ
る。
本計算からも、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は、原子（イオン）が衝突した場合、劈開面から
剥離することが示唆される。
また、亀裂の深さの違いを保存則の観点から検討する。エネルギー保存則および運動量保
存則は、式（１）および式（２）のように示すことができる。ここで、Ｅは衝突前のアル
ゴンまたは酸素の持つエネルギー（３００ｅＶ）、ｍＡはアルゴンまたは酸素の質量、ｖ
Ａは衝突前のアルゴンまたは酸素の速度、ｖ’Ａは衝突後のアルゴンまたは酸素の速度、
ｍＧａはガリウムの質量、ｖＧａは衝突前のガリウムの速度、ｖ’Ｇａは衝突後のガリウ
ムの速度である。
アルゴンまたは酸素の衝突が弾性衝突であると仮定すると、ｖＡ、ｖ’Ａ、ｖＧａおよび
ｖ’Ｇａの関係は式（３）のように表すことができる。
式（１）、式（２）および式（３）より、ｖＧａを０とすると、アルゴンまたは酸素が衝
突した後のガリウムの速度ｖ’Ｇａは、式（４）のように表すことができる。
式（４）において、ｍＡにアルゴンの質量または酸素の質量を代入し、それぞれの原子が
衝突した後のガリウムの速度を比較する。アルゴンおよび酸素の衝突前に持つエネルギー
が同じである場合、アルゴンが衝突した場合の方が、酸素が衝突した場合よりも１．２４
倍ガリウムの速度が高いことがわかる。したがって、ガリウムの持つエネルギーもアルゴ
ンが衝突した場合の方が、酸素が衝突した場合よりも速度の二乗分だけ高くなる。
アルゴンを衝突させた場合の方が、酸素を衝突させた場合よりも、衝突後のガリウムの速
度（エネルギー）が高くなることがわかる。したがって、アルゴンを衝突させた場合の方
が、酸素を衝突させた場合よりも深い位置に亀裂が生じたと考えられる。
以上の計算により、ホモロガス構造を有するＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を含むターゲットを
スパッタすると、劈開面から剥離し、ペレットが形成されることがわかる。一方、劈開面
を有さないターゲットの他の構造の領域をスパッタしてもペレットは形成されず、ペレッ
トよりも微細な原子レベルの大きさのスパッタ粒子が形成される。該スパッタ粒子は、ペ
レットと比べて小さいため、スパッタリング装置に接続されている真空ポンプを介して排
気されると考えられる。したがって、ホモロガス構造を有するＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を
含むターゲットをスパッタした場合、様々な大きさ、形状の粒子が基板まで飛翔し、堆積
することで成膜されるモデルは考えにくい。スパッタされたペレットが堆積してＣＡＡＣ
−ＯＳを成膜する図３９（Ａ）などに記載のモデルが道理に適っている。
このようにして成膜されたＣＡＡＣ−ＯＳの密度は、単結晶ＯＳと同程度の密度を有する
。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４のホモロガス構造を有する単結晶ＯＳの密度は６．３６ｇ／
ｃｍ３であるのに対し、同程度の原子数比であるＣＡＡＣ−ＯＳの密度は６．３ｇ／ｃｍ
３程度となる。
図４８に、スパッタリング法で成膜したＣＡＡＣ−ＯＳであるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（
図４８（Ａ）参照。）、およびそのターゲット（図４８（Ｂ）参照。）の断面における原
子配列を示す。原子配列の観察には、高角散乱環状暗視野走査透過電子顕微鏡法（ＨＡＡ
ＤＦ−ＳＴＥＭ：Ｈｉｇｈ−Ａｎｇｌｅ Ａｎｎｕｌａｒ Ｄａｒｋ Ｆｉｅｌｄ Ｓｃ
ａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）
を用いる。なお、ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭでは、各原子の像強度は原子番号の二乗に比例す
る。したがって、原子番号の近いＺｎ（原子番号３０）とＧａ（原子番号３１）とは、ほ
とんど区別できない。ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭには、日立走査透過電子顕微鏡ＨＤ−２７０
０を用いる。
図４８（Ａ）および図４８（Ｂ）を比較すると、ＣＡＡＣ−ＯＳと、ターゲットは、とも
にホモロガス構造を有しており、それぞれの原子の配置が対応していることがわかる。し
たがって、図３９（Ａ）などの成膜モデルに示したように、ターゲットの結晶構造が転写
されることでＣＡＡＣ−ＯＳが成膜されることがわかる。
＜バンド図＞
以下では、上述したトランジスタの任意断面におけるバンド図について説明する。
図１８（Ａ）は、本発明の一態様に係るトランジスタ１５０の断面図である。
図１８（Ａ）に示すトランジスタ１５０は、図１についての説明を参照する。
ここで、図１８（Ｂ）に、図１８（Ａ）に示すトランジスタ１５０のチャネル形成領域を
含むＡ−Ａ’断面におけるバンド図を示す。なお、半導体１０６ａは半導体１０６ｂより
もエネルギーギャップが少し小さいとする。また、絶縁体１０２ａ、絶縁体１０２ｂおよ
び絶縁体１１２は、半導体１０６ａおよび半導体１０６ｂよりも十分にエネルギーギャッ
プが大きいとする。また、半導体１０６ａ、半導体１０６ｂ、絶縁体１０２ａ、絶縁体１
０２ｂおよび絶縁体１１２のフェルミ準位（Ｅｆと表記する。）は、それぞれの真性フェ
ルミ準位（Ｅｉと表記する。）の位置とする。また、導電体１０４ａおよび導電体１１４
の仕事関数は、真空準位と該フェルミ準位のエネルギー差と同じとする。
ゲート電圧をトランジスタ１５０のしきい値電圧以上としたとき、半導体１０６ａと半導
体１０６ｂとの間の伝導帯下端のエネルギーの差により、電子は半導体１０６ａを優先的
に流れる。即ち、半導体１０６ａに電子が埋め込まれると推定することができる。なお、
伝導帯下端のエネルギーをＥｃと表記し、価電子帯上端のエネルギーをＥｖと表記する。
したがって、本発明の一態様に係るトランジスタ１５０は、電子の埋め込みによって界面
散乱の影響が低減されている。そのため、本発明の一態様に係るトランジスタ１５０はチ
ャネル抵抗が小さい。
次に、図１８（Ｃ）に、図１８（Ａ）に示すトランジスタ１５０のソース領域またはドレ
イン領域を含むＢ−Ｂ’断面におけるバンド図を示す。なお、領域１０７ａ１、領域１０
７ｂ１、領域１０７ａ２および領域１０７ｂ２は縮退状態とする。また、領域１０７ｂ１
において、半導体１０６ａのフェルミ準位は伝導帯下端のエネルギーと同程度とする。ま
た、領域１０７ｂ２において、半導体１０６ｂのフェルミ準位は伝導帯下端のエネルギー
と同程度とする。領域１０７ａ１および領域１０７ａ２も同様である。
このとき、ソース電極またはドレイン電極としての機能を有する導電体１１６ｂと、領域
１０７ｂ２と、はエネルギー障壁が十分小さいため、オーミック接触となる。また、領域
１０７ｂ２と、領域１０７ｂ１と、はオーミック接触となる。同様に、ソース電極または
ドレイン電極としての機能を有する導電体１１６ａと、領域１０７ａ２と、はエネルギー
障壁が十分小さいため、オーミック接触となる。また、領域１０７ａ２と、領域１０７ａ
１と、はオーミック接触となる。したがって、導電体１１６ａおよび導電体１１６ｂと、
半導体１０６ａおよび半導体１０６ｂと、の間で、電子の授受がスムーズに行われること
がわかる。
以上に示したように、本発明の一態様に係るトランジスタは、ソース電極およびドレイン
電極と、チャネル形成領域と、の間の電子の授受がスムーズに行われ、かつチャネル抵抗
の小さいトランジスタである。即ち、優れたスイッチング特性を有するトランジスタであ
ることがわかる。
次に、図１８（Ｂ）に示すような、バンド図となる半導体１０６ａおよび半導体１０６ｂ
について説明する。
例えば、半導体１０６ａは、半導体１０６ｂを構成する酸素以外の元素のうち一種以上、
または二種以上から構成される酸化物半導体である。半導体１０６ｂを構成する酸素以外
の元素のうち一種以上、または二種以上から半導体１０６ａが構成されるため、半導体１
０６ａと半導体１０６ｂとの界面において、界面準位が形成されにくい。
半導体１０６ａおよび半導体１０６ｂは、少なくともインジウムを含むと好ましい。なお
、半導体１０６ａがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、ＩｎおよびＭの和を１００ａｔｏｍｉ
ｃ％としたとき、好ましくはＩｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％よ
り高く、さらに好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％より
高くする。また、半導体１０６ｂがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、ＩｎおよびＭの和を１
００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％より高く、Ｍが７
５ａｔｏｍｉｃ％未満、さらに好ましくはＩｎが３４ａｔｏｍｉｃ％より高く、Ｍが６６
ａｔｏｍｉｃ％未満とする。
半導体１０６ｂは、半導体１０６ａより電子親和力の大きい酸化物を用いる。例えば、半
導体１０６ｂとして、半導体１０６ａより電子親和力の０．０７ｅＶ以上１．３ｅＶ以下
、好ましくは０．１ｅＶ以上０．７ｅＶ以下、さらに好ましくは０．１５ｅＶ以上０．４
ｅＶ以下大きい酸化物を用いる。なお、電子親和力は、真空準位と伝導帯下端のエネルギ
ーとの差である。
なお、図１４に示したように、半導体１０６が、半導体１０６ａと、半導体１０６ｂと、
半導体１０６ｃと、を有する場合も同様に電子を埋め込むことが可能となる。その場合、
半導体１０６ｃは、半導体１０６ａについての説明を参照する。
以上に示したトランジスタの構造は一例であり、これらを組み合わせたものも本発明の一
態様の範疇に含まれる。
＜半導体装置の応用例＞
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置の応用例を示す。
＜表示装置＞
以下では、本発明の一態様に係る表示装置の構成例について説明する。
［構成例］
図１９（Ａ）には、本発明の一態様に係る表示装置の上面図を示す。また、図１９（Ｂ）
には、本発明の一態様に係る表示装置の画素に液晶素子を用いた場合における画素回路を
示す。また、図１９（Ｃ）には、本発明の一態様に係る表示装置の画素に有機ＥＬ素子を
用いた場合における画素回路を示す。
画素に用いるトランジスタは、上述したトランジスタを用いることができる。ここでは、
ｎチャネル型のトランジスタを用いる例を示す。なお、画素に用いたトランジスタと、同
一工程を経て作製したトランジスタを駆動回路として用いても構わない。また、画素に用
いる容量素子は、上述した容量素子を用いることができる。このように、画素や駆動回路
に上述したトランジスタおよび容量素子を用いることにより、表示品位が高い、または／
および信頼性の高い表示装置となる。
なお、画素に用いるトランジスタと、駆動回路に用いるトランジスタの構造を異ならせる
ことで表示装置の性能を高めることができる場合がある。例えば、画素にはｓ−ｃｈａｎ
ｎｅｌ構造を有するトランジスタを用い、駆動回路にはｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有さな
いトランジスタを用いても構わない。ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタは、
ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有さないトランジスタと比べて高いオン電流と低いオフ電流を
有するため、高いオン電流または／および低いオフ電流の求められる画素に用いるトラン
ジスタとして好ましい場合がある。また、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタ
は、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有さないトランジスタと同程度のオン電流を得たい場合に
占有面積を小さくできる場合がある。したがって、画素の開口率を高くすることができる
場合がある。具体的には、画素の開口率を４０％以上、好ましくは５０％以上、さらに好
ましくは６０％以上とすることができる場合がある。また、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有
するトランジスタは、高い遮光性を有するため、画素に用いるトランジスタの光に起因し
た劣化を抑制することができる場合がある。一方、駆動回路においては、ｓ−ｃｈａｎｎ
ｅｌ構造を有さないトランジスタを用いたほうが、より寄生容量を低減できて好ましい場
合がある。また、駆動回路においては、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有さないトランジスタ
を用いたほうが、設計の自由度が高くなる場合がある。
また、例えば、駆動回路にはｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタを用い、画素
にはｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有さないトランジスタを用いても構わない。ｓ−ｃｈａｎ
ｎｅｌ構造を有するトランジスタは、高いオン電流と低いオフ電流を有するため、高いオ
ン電流または／および低いオフ電流の求められる駆動回路に用いるトランジスタとして好
ましい場合がある。また、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタは、ｓ−ｃｈａ
ｎｎｅｌ構造を有さないトランジスタと同程度のオン電流を得たい場合に占有面積を小さ
くできる場合がある。したがって、駆動回路の面積を小さくし、表示装置の額縁を小さく
することができる場合がある。具体的には、額縁の幅を、それぞれ３ｍｍ以下、好ましく
は１ｍｍ以下、さらに好ましくは０．８ｍｍ以下とすることができる場合がある。一方、
画素においては、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有さないトランジスタのほうが、より寄生容
量を低減できるため好ましい場合がある。特に、発光装置において、画素がしきい値補正
機能を有する場合、寄生容量を低減することで、その効果を高くすることができる場合が
ある。
また、例えば、画素の一部にはｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタを用い、画
素の別の一部にはｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有さないトランジスタを用いても構わない。
ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタは、高いオン電流と低いオフ電流を有する
ため、高いオン電流または／および低いオフ電流の求められる画素の一部に用いるトラン
ジスタとして好ましい場合がある。また、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタ
は、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有さないトランジスタと同程度のオン電流を得たい場合に
占有面積を小さくできる場合がある。したがって、画素の開口率を高くすることができる
場合がある。具体的には、画素の開口率を４０％以上、好ましくは５０％以上、さらに好
ましくは６０％以上とすることができる場合がある。また、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有
するトランジスタは、高い遮光性を有するため、画素に用いるトランジスタの光に起因し
た劣化を抑制することができる場合がある。一方、画素の別の一部においては、ｓ−ｃｈ
ａｎｎｅｌ構造を有さないトランジスタのほうが、より寄生容量を低減できるため好まし
い場合がある。特に、発光装置において、画素がしきい値補正機能を有する場合、寄生容
量を低減することで、その効果を高くすることができる場合がある。
また、例えば、駆動回路の一部にはｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタを用い
、駆動回路の別の一部にはｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有さないトランジスタを用いても構
わない。ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタは、高いオン電流と低いオフ電流
を有するため、高いオン電流または／および低いオフ電流の求められる駆動回路の一部に
用いるトランジスタとして好ましい場合がある。また、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有する
トランジスタは、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有さないトランジスタと同程度のオン電流を
得たい場合に占有面積を小さくできる場合がある。したがって、駆動回路の面積を小さく
し、表示装置の額縁を小さくすることができる場合がある。具体的には、額縁の幅を、そ
れぞれ３ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下、さらに好ましくは０．８ｍｍ以下とすること
ができる場合がある。一方、駆動回路の別の一部においては、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を
有さないトランジスタのほうが、寄生容量を低減できて好ましい場合がある。
アクティブマトリクス型表示装置の上面図の一例を図１９（Ａ）に示す。表示装置の基板
５０００上には、画素部５００１、第１の走査線駆動回路５００２、第２の走査線駆動回
路５００３、信号線駆動回路５００４が配置される。画素部５００１は、複数の信号線に
よって信号線駆動回路５００４と電気的に接続され、複数の走査線によって第１の走査線
駆動回路５００２、および第２の走査線駆動回路５００３と電気的に接続される。なお、
走査線と信号線とによって区切られる領域には、それぞれ表示素子を有する画素が配置さ
れている。また、表示装置の基板５０００は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅ
ｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の接続部を介して、タイミング制御回路（コントローラ、制御Ｉ
Ｃともいう）に電気的に接続されている。
第１の走査線駆動回路５００２、第２の走査線駆動回路５００３および信号線駆動回路５
００４は、画素部５００１と同じ基板５０００上に形成される。そのため、駆動回路を別
途作製する場合と比べて、表示装置を作製するコストを低減することができる。また、駆
動回路を別途作製した場合、配線間の接続数が増える。したがって、同じ基板５０００上
に駆動回路を設けることで、配線間の接続数を減らすことができ、信頼性の向上、または
／および歩留まりの向上を図ることができる。
＜液晶表示装置＞
また、画素の回路構成の一例を図１９（Ｂ）に示す。ここでは、ＶＡ型液晶表示装置の画
素などに適用することができる画素回路を示す。
この画素回路は、一つの画素に複数の画素電極を有する構成に適用できる。それぞれの画
素電極は異なるトランジスタに接続され、各トランジスタは異なるゲート信号で駆動でき
るように構成されている。これにより、マルチドメイン設計された画素の個々の画素電極
に印加する信号を、独立して制御できる。
トランジスタ５０１６のゲート配線５０１２と、トランジスタ５０１７のゲート配線５０
１３には、異なるゲート信号を与えることができるように分離されている。一方、データ
線として機能するソース電極またはドレイン電極５０１４は、トランジスタ５０１６とト
ランジスタ５０１７で共通に用いられている。トランジスタ５０１６とトランジスタ５０
１７は上述したトランジスタ１５０などを適宜用いることができる。また、容量素子５０
２３Ａおよび容量素子５０２３Ｂは、上述した容量素子１６０を適宜用いることができる
。これにより、表示品位が高い、または／および信頼性の高い液晶表示装置を提供するこ
とができる。
トランジスタ５０１６のゲート電極はゲート配線５０１２と電気的に接続され、トランジ
スタ５０１７のゲート電極はゲート配線５０１３と電気的に接続されている。ゲート配線
５０１２とゲート配線５０１３に異なるゲート信号を与えてトランジスタ５０１６とトラ
ンジスタ５０１７の動作タイミングを異ならせ、液晶の配向を制御することができる。
また、容量配線５０１０と、誘電体として機能するゲート絶縁体と、第１の画素電極また
は第２の画素電極と電気的に接続する容量電極とで容量素子を形成してもよい。
マルチドメイン構造は、一画素に第１の液晶素子５０１８と第２の液晶素子５０１９を備
える。第１の液晶素子５０１８は第１の画素電極と対向電極とその間の液晶層とで構成さ
れ、第２の液晶素子５０１９は第２の画素電極と対向電極とその間の液晶層とで構成され
る。
なお、本発明の一態様に係る表示装置は、図１９（Ｂ）に示す画素回路に限定されない。
例えば、図１９（Ｂ）に示す画素回路に新たにスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジ
スタ、センサー、または論理回路などを追加してもよい。
＜発光装置＞
画素の回路構成の他の一例を図１９（Ｃ）に示す。ここでは、有機ＥＬ素子に代表される
発光素子を用いた表示装置（発光装置ともいう。）の画素構造を示す。
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、有機ＥＬ素子が有する一対の電
極の一方から電子が、他方から正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、
電流が流れる。そして、電子および正孔が再結合することにより、発光性の有機化合物が
励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズム
から、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
図１９（Ｃ）は、画素回路の一例を示す図である。ここでは１つの画素にｎチャネル型の
トランジスタを２つ用い、容量素子を１つ用いる例を示す。なお、ｎチャネル型のトラン
ジスタには、上述したトランジスタ１５０などを用いることができる。また、容量素子に
は、上述した容量素子１６０などを用いることができる。また、当該画素回路は、デジタ
ル時間階調駆動を適用することができる。
適用可能な画素回路の構成およびデジタル時間階調駆動を適用した場合の画素の動作につ
いて説明する。
画素５０２０は、スイッチング用トランジスタ５０２１、駆動用トランジスタ５０２２、
発光素子５０２４および容量素子５０２３を有する。スイッチング用トランジスタ５０２
１は、ゲート電極が走査線５０２６に接続され、第１電極（ソース電極、ドレイン電極の
一方）が信号線５０２５に接続され、第２電極（ソース電極、ドレイン電極の他方）が駆
動用トランジスタ５０２２のゲート電極に接続されている。駆動用トランジスタ５０２２
は、ゲート電極が容量素子５０２３を介して電源線５０２７に接続され、第１電極が電源
線５０２７に接続され、第２電極が発光素子５０２４の第１電極（画素電極）に接続され
ている。発光素子５０２４の第２電極は共通電極５０２８に相当する。共通電極５０２８
は、同一基板上に形成される共通電位線と電気的に接続される。
スイッチング用トランジスタ５０２１および駆動用トランジスタ５０２２は上述したトラ
ンジスタ１５０などを用いることができる。また、容量素子５０２３は上述した容量素子
１６０などを用いることができる。これにより、表示品位の高い、または／および信頼性
の高い有機ＥＬ表示装置となる。
発光素子５０２４の第２電極（共通電極５０２８）の電位は低電源電位に設定する。なお
、低電源電位とは、電源線５０２７に供給される高電源電位より低い電位であり、例えば
ＧＮＤ、０Ｖなどを低電源電位として設定することができる。発光素子５０２４の順方向
のしきい値電圧以上となるように高電源電位と低電源電位を設定し、その電位差を発光素
子５０２４に印加することにより、発光素子５０２４に電流を流して発光させる。なお、
発光素子５０２４の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少なく
とも順方向しきい値電圧を含む。
なお、容量素子５０２３は駆動用トランジスタ５０２２のゲート容量を代用することによ
り省略できる場合がある。駆動用トランジスタ５０２２のゲート容量については、チャネ
ル形成領域とゲート電極との間で容量が形成されていてもよい。
次に、駆動用トランジスタ５０２２に入力する信号について説明する。電圧入力電圧駆動
方式の場合、駆動用トランジスタ５０２２がオンまたはオフの二つの状態となるようなビ
デオ信号を、駆動用トランジスタ５０２２に入力する。なお、駆動用トランジスタ５０２
２を線形領域で動作させるために、電源線５０２７の電圧よりも高い電圧を駆動用トラン
ジスタ５０２２のゲート電極に与える。また、信号線５０２５には、電源線電圧に駆動用
トランジスタ５０２２のしきい値電圧Ｖｔｈを加えた値以上の電圧をかける。
アナログ階調駆動を行う場合、駆動用トランジスタ５０２２のゲート電極に発光素子５０
２４の順方向電圧に駆動用トランジスタ５０２２のしきい値電圧Ｖｔｈを加えた値以上の
電圧をかける。なお、駆動用トランジスタ５０２２が飽和領域で動作するようにビデオ信
号を入力し、発光素子５０２４に電流を流す。また、駆動用トランジスタ５０２２を飽和
領域で動作させるために、電源線５０２７の電位を、駆動用トランジスタ５０２２のゲー
ト電位より高くする。ビデオ信号をアナログとすることで、発光素子５０２４にビデオ信
号に応じた電流を流し、アナログ階調駆動を行うことができる。
なお、本発明の一態様に係る表示装置は、図１９（Ｃ）に示す画素構成に限定されない。
例えば、図１９（Ｃ）に示す画素回路にスイッチ、抵抗素子、容量素子、センサー、トラ
ンジスタまたは論理回路などを追加してもよい。
＜発光装置の変形例１＞
例えば、図２０（Ａ）は、画素回路の一例を示す図である。ここでは１つの画素にｎチャ
ネル型のトランジスタを３つ用い、容量素子を１つ用いる例を示す。
図２０（Ａ）に、画素５１１１の回路図の一例を示す。画素５１１１は、トランジスタ５
１５５と、トランジスタ５１５６と、トランジスタ５１５７と、容量素子５１５８と、発
光素子５１５４と、を有する。
発光素子５１５４の画素電極は、画素５１１１に入力される画像信号Ｓｉｇにしたがって
電位が制御される。また、発光素子５１５４の輝度は、画素電極と共通電極の間の電位差
によって定まる。
トランジスタ５１５６は、配線ＳＬと、トランジスタ５１５５のゲートとの間の導通状態
を制御する機能を有する。トランジスタ５１５５は、ソースおよびドレインの一方が、発
光素子５１５４の陽極に電気的に接続され、ソースおよびドレインの他方が配線ＶＬに電
気的に接続されている。トランジスタ５１５７は、配線ＭＬと、トランジスタ５１５５の
ソースおよびドレインの一方の間の導通状態を制御する機能を有する。容量素子５１５８
の一対の電極のうち、一方はトランジスタ５１５５のゲートに電気的に接続され、他方は
発光素子５１５４の陽極に電気的に接続されている。
また、トランジスタ５１５６のスイッチングは、トランジスタ５１５６のゲートに電気的
に接続された配線ＧＬの電位にしたがって行われる。トランジスタ５１５７のスイッチン
グは、トランジスタ５１５７のゲートに電気的に接続された配線ＧＬの電位にしたがって
行われる。
なお、トランジスタ５１５５、トランジスタ５１５６およびトランジスタ５１５７の少な
くともいずれかに、上述したトランジスタ１５０などを用いることができる。また、容量
素子５１５８は、上述した容量素子１６０などを用いることができる。
なお、例えば、トランジスタのソース（または第１の端子など）が、Ｚ１を介して（また
は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）
が、Ｚ２を介して（または介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタ
のソース（または第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部
がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）が、Ｚ２の
一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下
のように表現することができる。
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（または第１の端子など）とドレイン（または
第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（ま
たは第１の端子など）、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）、Ｙの順序で
電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース
（または第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（または
第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端
子など）、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的
に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（
または第１の端子など）とドレイン（または第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に
接続され、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子など）、トランジスタのドレイ
ン（または第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することが
できる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規
定することにより、トランジスタのソース（または第１の端子など）と、ドレイン（また
は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。なお、これら
の表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、
Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）で
あるとする。
次に、図２０（Ａ）に示す画素５１１１の動作例について説明する。
図２０（Ｂ）に、図２０（Ａ）に示す画素５１１１に電気的に接続される配線ＧＬの電位
と、配線ＳＬに供給される画像信号Ｓｉｇの電位のタイミングチャートを例示する。なお
、図２０（Ｂ）に示すタイミングチャートは、図２０（Ａ）に示す画素５１１１に含まれ
るトランジスタが全てｎチャネル型である場合を例示するものである。
まず、期間ｔ１では、配線ＧＬにハイレベルの電位が与えられる。よって、トランジスタ
５１５６およびトランジスタ５１５７がオンとなる。そして、配線ＳＬには、画像信号Ｓ
ｉｇの電位Ｖｄａｔａが与えられており、電位Ｖｄａｔａは、トランジスタ５１５６を介
してトランジスタ５１５５のゲートに与えられる。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。
電位Ｖａｎｏは、電位Ｖｃａｔに発光素子５１５４のしきい値電圧Ｖｔｈｅとトランジス
タ５１５５のしきい値電圧Ｖｔｈを加算した電位よりも高くすることが好ましい。配線Ｖ
Ｌと配線ＣＬとの間に上記電位差が設けられることにより、電位Ｖｄａｔａにしたがって
、トランジスタ５１５５のドレイン電流の値が定められる。そして、当該ドレイン電流が
発光素子５１５４に供給されることで、発光素子５１５４の輝度が定められる。
また、トランジスタ５１５５がｎチャネル型である場合、期間ｔ１では、配線ＭＬの電位
が、配線ＣＬの電位に発光素子５１５４のしきい値電圧Ｖｔｈｅを加算した電位よりも低
く、配線ＶＬの電位が、配線ＭＬの電位にトランジスタ５１５５のしきい値電圧Ｖｔｈを
加算した電位よりも高いことが好ましい。上記構成により、トランジスタ５１５７がオン
であっても、トランジスタ５１５５のドレイン電流を、発光素子５１５４ではなく配線Ｍ
Ｌの方に優先的に流すことができる。
次に、期間ｔ２では、配線ＧＬにローレベルの電位が与えられる。よって、トランジスタ
５１５６およびトランジスタ５１５７がオフとなる。トランジスタ５１５６がオフになる
ことで、トランジスタ５１５５のゲートにおいて、電位Ｖｄａｔａが保持される。また、
配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。よって
、発光素子５１５４では、期間ｔ１において定められた輝度にしたがって発光する。
次に、期間ｔ３では、配線ＧＬにハイレベルの電位が与えられる。よって、トランジスタ
５１５６およびトランジスタ５１５７がオンとなる。また、配線ＳＬには、トランジスタ
５１５５のゲート電圧がしきい値電圧Ｖｔｈよりも大きくなるような電位が与えられる。
また、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。そして、配線ＭＬの電位は、配線ＣＬの
電位に発光素子５１５４のしきい値電圧Ｖｔｈｅを加算した電位よりも低くなり、配線Ｖ
Ｌの電位は、配線ＭＬの電位にトランジスタ５１５５のしきい値電圧Ｖｔｈを加算した電
位よりも高くなる。上記構成により、トランジスタ５１５５のドレイン電流を、発光素子
５１５４ではなく配線ＭＬの方に優先的に流すことができる。
そして、トランジスタ５１５５のドレイン電流は、配線ＭＬを介してモニター回路に供給
される。モニター回路は、配線ＭＬに流れたドレイン電流を用いて、当該ドレイン電流の
値を情報として含む信号を生成する。そして、本発明の一態様に係る発光装置では、上記
信号を用いて、画素５１１１に供給される画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａの値を、補正
することができる。
なお、図２０（Ａ）に示す画素５１１１を有する発光装置では、期間ｔ２の動作の後に期
間ｔ３の動作を行わなくてもよい。例えば、画素５１１１において、期間ｔ１から期間ｔ
２の動作を複数回繰り返した後に、期間ｔ３の動作を行うようにしてもよい。また、１行
の画素５１１１において期間ｔ３の動作を行った後、最小の階調値０に対応する画像信号
を、当該動作を行った１行の画素５１１１に書き込むことで、発光素子５１５４を非発光
の状態にした後、次の行の画素５１１１において、期間ｔ３の動作を行うようにしてもよ
い。
＜発光装置の変形例２＞
また、例えば、図２１（Ａ）は、画素回路の一例を示す図である。ここでは１つの画素に
ｎチャネル型のトランジスタを４つ用い、容量素子を１つ用いる例を示す。
図２１（Ａ）に、画素５２１１の回路図の一例を示す。画素５２１１は、トランジスタ５
２１５と、トランジスタ５２１６と、トランジスタ５２１７と、容量素子５２１８と、発
光素子５２１４と、トランジスタ５２１９と、を有する。
発光素子５２１４の画素電極は、画素５２１１に入力される画像信号Ｓｉｇにしたがって
電位が制御される。また、発光素子５２１４の輝度は、画素電極と共通電極の間の電位差
によって定まる。
トランジスタ５２１９は、配線ＳＬと、トランジスタ５２１５のゲートとの間の導通状態
を制御する機能を有する。トランジスタ５２１５は、ソースおよびドレインの一方が、発
光素子５２１４の陽極に接続されている。トランジスタ５２１６は、配線ＶＬと、トラン
ジスタ５２１５のソースおよびドレインの他方との間の導通状態を制御する機能を有する
。トランジスタ５２１７は、配線ＭＬと、トランジスタ５２１５のソースおよびドレイン
の他方との間の導通状態を制御する機能を有する。容量素子５２１８の一対の電極のうち
、一方はトランジスタ５２１５のゲートに接続され、他方は発光素子５２１４の陽極に接
続されている。
また、トランジスタ５２１９のスイッチングは、トランジスタ５２１９のゲートに接続さ
れた配線ＧＬａの電位にしたがって行われる。トランジスタ５２１６のスイッチングは、
トランジスタ５２１６のゲートに接続された配線ＧＬｂの電位にしたがって行われる。ト
ランジスタ５２１７のスイッチングは、トランジスタ５２１７のゲートに接続された配線
ＧＬｃの電位にしたがって行われる。
なお、トランジスタ５２１５、トランジスタ５２１６、トランジスタ５２１７およびトラ
ンジスタ５２１９の少なくともいずれかに、上述したトランジスタ１５０などを用いるこ
とができる。また、容量素子５２１８は、上述した容量素子１６０などを用いることがで
きる。
次に、図２１（Ａ）に示す画素５２１１の、外部補正の動作例について説明する。
図２１（Ｂ）に、図２１（Ａ）に示す画素５２１１に接続される配線ＧＬａ、配線ＧＬｂ
、配線ＧＬｃの電位と、配線ＳＬに供給される画像信号Ｓｉｇの電位のタイミングチャー
トを例示する。なお、図２１（Ｂ）に示すタイミングチャートは、図２１（Ａ）に示す画
素５２１１に含まれるトランジスタが全てｎチャネル型である場合を例示するものである
。
まず、期間ｔ１では、配線ＧＬａにハイレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにハイレベ
ルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにローレベルの電位が与えられる。よって、トランジス
タ５２１９およびトランジスタ５２１６がオンとなり、トランジスタ５２１７はオフとな
る。そして、配線ＳＬには、画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａが与えられており、電位Ｖ
ｄａｔａは、トランジスタ５２１９を介してトランジスタ５２１５のゲートに与えられる
。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。
電位Ｖａｎｏは、電位Ｖｃａｔに発光素子５２１４のしきい値電圧Ｖｔｈｅを加算した電
位よりも高くすることが好ましい。配線ＶＬの電位Ｖａｎｏは、トランジスタ５２１６を
介して、トランジスタ５２１５のソースおよびドレインの他方に与えられる。よって、電
位Ｖｄａｔａにしたがって、トランジスタ５２１５のドレイン電流の値が定められる。そ
して、当該ドレイン電流が発光素子５２１４に供給されることで、発光素子５２１４の輝
度が定められる。
次に、期間ｔ２では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにハイレベ
ルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにローレベルの電位が与えられる。よって、トランジス
タ５２１６がオンとなり、トランジスタ５２１９、およびトランジスタ５２１７がオフと
なる。トランジスタ５２１９がオフになることで、トランジスタ５２１５のゲートにおい
て、電位Ｖｄａｔａが保持される。また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線Ｃ
Ｌには電位Ｖｃａｔが与えられる。よって、発光素子５２１４では、期間ｔ１において定
められた輝度が保持される。
次に、期間ｔ３では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにローレベ
ルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにハイレベルの電位が与えられる。よって、トランジス
タ５２１７がオンとなり、トランジスタ５２１９およびトランジスタ５２１６がオフとな
る。また、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。そして、配線ＭＬには電位Ｖａｎｏ
が与えられ、なおかつモニター回路に接続される。
上記動作により、トランジスタ５２１７を介して、トランジスタ５２１５のドレイン電流
は、配線ＭＬに供給される。なおかつ、当該ドレイン電流は、配線ＭＬを介してモニター
回路にも供給される。モニター回路は、配線ＭＬに流れたドレイン電流を用いて、当該ド
レイン電流の値を情報として含む信号を生成する。そして、本発明の一態様に係る発光装
置では、上記信号を用いて、画素５２１１に供給される画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａ
の値を、補正することができる。
なお、図２１（Ａ）に示す画素５２１１を有する発光装置では、期間ｔ２の動作の後に期
間ｔ３の動作を行わなくてもよい。例えば、発光装置において、期間ｔ１から期間ｔ２の
動作を複数回繰り返した後に、期間ｔ３の動作を行うようにしてもよい。また、１行の画
素５２１１において期間ｔ３の動作を行った後、最小の階調値０に対応する画像信号を、
当該動作を行った１行の画素５２１１に書き込むことで、発光素子５２１４を非発光の状
態にした後、次の行の画素５２１１において、期間ｔ３の動作を行うようにしてもよい。
＜発光装置の変形例３＞
また、例えば、図２２（Ａ）は、画素回路の一例を示す図である。ここでは１つの画素に
ｎチャネル型のトランジスタを５つ用い、容量素子を１つ用いる例を示す。
図２２（Ａ）に、画素５３１１の回路図の一例を示す。図２２（Ａ）に示す画素５３１１
は、トランジスタ５３１５と、トランジスタ５３１６と、トランジスタ５３１７と、容量
素子５３１８と、発光素子５３１４と、トランジスタ５３１９と、トランジスタ５３２０
と、を有する。
トランジスタ５３２０は、配線ＲＬと、発光素子５３１４の陽極との間の導通状態を制御
する機能を有する。トランジスタ５３１９は、配線ＳＬと、トランジスタ５３１５のゲー
トとの間の導通状態を制御する機能を有する。トランジスタ５３１５は、ソースおよびド
レインの一方が、発光素子５３１４の陽極に接続されている。トランジスタ５３１６は、
配線ＶＬと、トランジスタ５３１５のソースおよびドレインの他方との間の導通状態を制
御する機能を有する。トランジスタ５３１７は、配線ＭＬと、トランジスタ５３１５のソ
ースおよびドレインの他方との間の導通状態を制御する機能を有する。容量素子５３１８
の一対の電極のうち、一方はトランジスタ５３１５のゲートに接続され、他方は発光素子
５３１４の陽極に接続されている。
また、トランジスタ５３１９のスイッチングは、トランジスタ５３１９のゲートに接続さ
れた配線ＧＬａの電位にしたがって行われる。トランジスタ５３１６のスイッチングは、
トランジスタ５３１６のゲートに接続された配線ＧＬｂの電位にしたがって行われる。ト
ランジスタ５３１７のスイッチングは、トランジスタ５３１７のゲートに接続された配線
ＧＬｃの電位にしたがって行われる。トランジスタ５３２０のスイッチングは、トランジ
スタ５３２０のゲートに接続された配線ＧＬｄの電位にしたがって行われる。
なお、トランジスタ５３１５、トランジスタ５３１６、トランジスタ５３１７、トランジ
スタ５３１９およびトランジスタ５３２０の少なくともいずれかに、上述したトランジス
タ１５０などを用いることができる。また、容量素子５３１８は、上述した容量素子１６
０などを用いることができる。
次に、図２２（Ａ）に示す画素５３１１の、外部補正の動作例について説明する。
図２２（Ｂ）に、図２２（Ａ）に示す画素５３１１に接続される配線ＧＬａ、配線ＧＬｂ
、配線ＧＬｃ、配線ＧＬｄの電位と、配線ＳＬに供給される画像信号Ｓｉｇの電位のタイ
ミングチャートを例示する。なお、図２２（Ｂ）に示すタイミングチャートは、図２２（
Ａ）に示す画素５３１１に含まれるトランジスタが全てｎチャネル型である場合を例示す
るものである。
まず、期間ｔ１では、配線ＧＬａにハイレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにハイレベ
ルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｄにハイレベ
ルの電位が与えられる。よって、トランジスタ５３１９、トランジスタ５３１６、および
トランジスタ５３２０がオンとなり、トランジスタ５３１７はオフとなる。また、配線Ｓ
Ｌには、画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａが与えられており、電位Ｖｄａｔａは、トラン
ジスタ５３１９を介してトランジスタ５３１５のゲートに与えられる。よって、電位Ｖｄ
ａｔａにしたがって、トランジスタ５３１５のドレイン電流の値が定められる。そして、
配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＲＬには電位Ｖ１が与えられるため、当該ド
レイン電流は、トランジスタ５３１６およびトランジスタ５３２０を介して、配線ＶＬと
配線ＲＬの間に流れる。
電位Ｖａｎｏは、電位Ｖｃａｔに発光素子５３１４のしきい値電圧Ｖｔｈｅを加算した電
位よりも高くすることが好ましい。配線ＶＬの電位Ｖａｎｏは、トランジスタ５３１６を
介して、トランジスタ５３１５のソースおよびドレインの他方に与えられる。また、配線
ＲＬに与えられた電位Ｖ１は、トランジスタ５３２０を介してトランジスタ５３１５のソ
ースおよびドレインの一方に与えられる。配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。
なお、電位Ｖ１は、電位Ｖ０からトランジスタ５３１５のしきい値電圧Ｖｔｈを差し引い
た電位よりも、十分低いことが好ましい。期間ｔ１では、電位Ｖ１を、電位Ｖｃａｔから
発光素子５３１４のしきい値電圧Ｖｔｈｅを差し引いた電位よりも十分低くすることがで
きるので、発光素子５３１４は発光しない。
次に、期間ｔ２では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにハイレベ
ルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｄにローレベ
ルの電位が与えられる。よって、トランジスタ５３１６がオンとなり、トランジスタ５３
１９、トランジスタ５３１７およびトランジスタ５３２０がオフとなる。トランジスタ５
３１９がオフになることで、トランジスタ５３１５のゲートにおいて、電位Ｖｄａｔａが
保持される。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。
よって、期間ｔ１において値が定められたトランジスタ５３１５のドレイン電流は、トラ
ンジスタ５３２０がオフになることで、発光素子５３１４に供給される。そして、発光素
子５３１４に当該ドレイン電流が供給されることで、発光素子５３１４の輝度が定められ
、当該輝度は期間ｔ２において保持される。
次に、期間ｔ３では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにローレベ
ルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにハイレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｄにローレベ
ルの電位が与えられる。よって、トランジスタ５３１７がオンとなり、トランジスタ５３
１９、トランジスタ５３１６およびトランジスタ５３２０がオフとなる。また、配線ＣＬ
には電位Ｖｃａｔが与えられる。そして、配線ＭＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、なおか
つモニター回路に接続される。
上記動作により、トランジスタ５３１７を介して、トランジスタ５３１５のドレイン電流
は、配線ＭＬに供給される。なおかつ、当該ドレイン電流は、配線ＭＬを介してモニター
回路にも供給される。モニター回路は、配線ＭＬに流れたドレイン電流を用いて、当該ド
レイン電流の値を情報として含む信号を生成する。そして、本発明の一態様に係る発光装
置では、上記信号を用いて、画素５３１１に供給される画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａ
の値を、補正することができる。
なお、図２２（Ａ）に示す画素５３１１を有する発光装置では、期間ｔ２の動作の後に期
間ｔ３の動作を行わなくてもよい。例えば、発光装置において、期間ｔ１から期間ｔ２の
動作を複数回繰り返した後に、期間ｔ３の動作を行うようにしてもよい。また、１行の画
素５３１１において期間ｔ３の動作を行った後、最小の階調値０に対応する画像信号を、
当該動作を行った１行の画素５３１１に書き込むことで、発光素子５３１４を非発光の状
態にした後、次の行の画素５３１１において、期間ｔ３の動作を行うようにしてもよい。
また、図２２（Ａ）に示す画素５３１１では、発光素子５３１４の劣化などにより、発光
素子５３１４の陽極と陰極間の抵抗値が画素間でばらついても、電位Ｖｄａｔａをトラン
ジスタ５３１５のゲートに与える際に、トランジスタ５３１５のソースの電位を所定の電
位Ｖ１に設定することができる。よって、画素間において発光素子５３１４の輝度にばら
つきが生じるのを、防ぐことができる。
＜発光装置の変形例４＞
また、例えば、図２３（Ａ）は、画素回路の一例を示す図である。ここでは１つの画素に
ｎチャネル型のトランジスタを６つ用い、容量素子を１つ用いる例を示す。
図２３（Ａ）に、画素５４１１の回路図の一例を示す。画素５４１１は、トランジスタ５
４１５と、トランジスタ５４１６と、トランジスタ５４１７と、容量素子５４１８と、発
光素子５４１４と、トランジスタ５４４０と、トランジスタ５４４１と、トランジスタ５
４４２と、を有する。
発光素子５４１４の画素電極は、画素５４１１に入力される画像信号Ｓｉｇにしたがって
電位が制御される。また、発光素子５４１４の輝度は、画素電極と共通電極の間の電位差
によって定まる。
トランジスタ５４４０は、配線ＳＬと、容量素子５４１８の一対の電極のうちの一方との
間の導通状態を制御する機能を有する。容量素子５４１８の一対の電極のうちの他方は、
トランジスタ５４１５のソースおよびドレインの一方に接続される。トランジスタ５４１
６は、配線ＶＬ１と、トランジスタ５４１５のゲートとの間の導通状態を制御する機能を
有する。トランジスタ５４４１は、容量素子５４１８の一対の電極のうちの一方と、トラ
ンジスタ５４１５のゲートとの間の導通状態を制御する機能を有する。トランジスタ５４
４２は、トランジスタ５４１５のソースおよびドレインの一方と、発光素子５４１４の陽
極との間の導通状態を制御する機能を有する。トランジスタ５４１７は、トランジスタ５
４１５のソースおよびドレインの一方と、配線ＭＬとの間の導通状態を制御する機能を有
する。
さらに、図２３（Ａ）では、トランジスタ５４１５のソースおよびドレインの他方は配線
ＶＬに接続されている。
また、トランジスタ５４４０におけるオンまたはオフの選択は、トランジスタ５４４０の
ゲートに接続された配線ＧＬａの電位にしたがって行われる。トランジスタ５４１６にお
けるオンまたはオフの選択は、トランジスタ５４１６のゲートに接続された配線ＧＬａの
電位にしたがって行われる。トランジスタ５４４１におけるオンまたはオフの選択は、ト
ランジスタ５４４１のゲートに接続された配線ＧＬｂの電位にしたがって行われる。トラ
ンジスタ５４４２におけるオンまたはオフの選択は、トランジスタ５４４２のゲートに接
続された配線ＧＬｂの電位にしたがって行われる。トランジスタ５４１７におけるオンま
たはオフの選択は、トランジスタ５４１７のゲートに接続された配線ＧＬｃの電位にした
がって行われる。
図２３（Ｂ）に、図２３（Ａ）に示す画素５４１１に接続される配線ＧＬａ、配線ＧＬｂ
、配線ＧＬｃの電位と、配線ＳＬに供給される画像信号Ｓｉｇの電位のタイミングチャー
トを例示する。なお、図２３（Ｂ）に示すタイミングチャートは、図２３（Ａ）に示す画
素５４１１に含まれるトランジスタが全てｎチャネル型である場合を例示するものである
。
まず、期間ｔ１では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにハイレベ
ルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにハイレベルの電位が与えられる。よって、トランジス
タ５４４１、トランジスタ５４４２およびトランジスタ５４１７がオンとなり、トランジ
スタ５４４０およびトランジスタ５４１６はオフとなる。トランジスタ５４４２およびト
ランジスタ５４１７がオンになることで、トランジスタ５４１５のソースおよびドレイン
の一方および容量素子５４１８の一対の電極のうちの他方（ノードＡとして図示する。）
に、配線ＭＬの電位Ｖ０が与えられる。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。
電位Ｖａｎｏは、電位Ｖ０に発光素子５４１４のしきい値電圧Ｖｔｈｅを加算した電位よ
りも高くすることが好ましい。また、電位Ｖ０は、電位Ｖｃａｔに発光素子５４１４のし
きい値電圧Ｖｔｈｅを加算した電位よりも、低いことが好ましい。電位Ｖ０を上記値に設
定することで、期間ｔ１において発光素子５４１４に電流が流れるのを防ぐことができる
。
次に、配線ＧＬｂにローレベルの電位が与えられることで、トランジスタ５４４１および
トランジスタ５４４２がオフになり、ノードＡは電位Ｖ０に保持される。
次に、期間ｔ２では、配線ＧＬａにハイレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにローレベ
ルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにローレベルの電位が与えられる。よって、トランジス
タ５４４０およびトランジスタ５４１６がオンとなり、トランジスタ５４４１、トランジ
スタ５４４２およびトランジスタ５４１７がオフとなる。
なお、期間ｔ１から期間ｔ２に移行する際、配線ＧＬａに与える電位をローレベルからハ
イレベルに切り替えた後に、配線ＧＬｃに与える電位をハイレベルからローレベルに切り
替えることが好ましい。このような動作を行うことによって、配線ＧＬａに与えられる電
位の切り替えによる、ノードＡの電位の変動を防ぐことができる。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。
そして、配線ＳＬには画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａが与えられ、配線ＶＬ１には電位
Ｖ１が与えられる。電位Ｖ１は、電位Ｖｃａｔにトランジスタ５４１５のしきい値電圧Ｖ
ｔｈを加算した電位よりも高く、電位Ｖａｎｏにトランジスタ５４１５のしきい値電圧Ｖ
ｔｈを加算した電位より低いことが好ましい。
なお、図２３（Ａ）に示す画素構成では、電位Ｖ１を、発光素子５４１４のしきい値電圧
Ｖｔｈｅを電位Ｖｃａｔに加算した値より高くしても、トランジスタ５４４２がオフであ
る限り、発光素子５４１４は発光しない。そのため、電位Ｖ０として設定できる値の幅を
広げることが可能となり、Ｖ１−Ｖ０として取りうる値の幅も広げることが可能となる。
したがって、Ｖ１−Ｖ０の値の設定の自由度が上がるため、トランジスタ５４１５のしき
い値電圧の取得に要する時間を短縮した場合、またはしきい値電圧の取得期間に制限があ
る場合においても、正確にトランジスタ５４１５のしきい値電圧の取得を行うことができ
る。
上記動作により、トランジスタ５４１５のゲート（ノードＢとして図示する。）に、ノー
ドＡの電位にしきい値電圧を加算した電位よりも、高い電位Ｖ１が入力され、トランジス
タ５４１５がオンとなる。よって、トランジスタ５４１５を介して容量素子５４１８の電
荷が放出され、電位Ｖ０だったノードＡの電位が上昇を始める。そして、最終的にはノー
ドＡの電位がＶ１−Ｖｔｈに収束し、トランジスタ５４１５のゲート電圧がしきい値電圧
Ｖｔｈに収束すると、トランジスタ５４１５がオフになる。
また、容量素子５４１８の一対の電極のうちの一方（ノードＣとして図示する。）には、
配線ＳＬに与えられた画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａが、トランジスタ５４４０を介し
て与えられる。
次に、期間ｔ３では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにハイレベ
ルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにローレベルの電位が与えられる。よって、トランジス
タ５４４１およびトランジスタ５４４２がオンとなり、トランジスタ５４４０、トランジ
スタ５４１６およびトランジスタ５４１７がオフとなる。
なお、期間ｔ２から期間ｔ３に移行する際、配線ＧＬａに与える電位がハイレベルからロ
ーレベルに切り替えられてから、配線ＧＬｂに与える電位をローレベルからハイレベルに
切り替えることが好ましい。上記構成により、配線ＧＬａに与える電位の切り替えによる
ノードＡにおける電位の変動を防ぐことができる。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＣＬには電位Ｖｃａｔが与えられる。
上記動作により、ノードＢに電位Ｖｄａｔａが与えられるため、トランジスタ５４１５の
ゲート電圧がＶｄａｔａ−Ｖ１＋Ｖｔｈとなる。よって、トランジスタ５４１５のゲート
電圧を、しきい値電圧Ｖｔｈが加味された値に設定することができる。上記構成により、
トランジスタ５４１５のしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきを抑制することができる。よって
、発光素子５４１４に供給する電流値のばらつきを抑えることができ、発光装置の輝度ム
ラを低減することができる。
なお、配線ＧＬｂに与える電位の変動を大きくしておくことで、トランジスタ５４４２の
しきい値電圧のばらつきが発光素子５４１４に供給する電流値に影響を及ぼすことを防ぐ
ことができる。つまり、配線ＧＬｂに与えるハイレベルの電位をトランジスタ５４４２の
しきい値電圧よりも十分大きく、また、配線ＧＬｂに与えるローレベルの電位をトランジ
スタ５４４２のしきい値電圧よりも十分小さくしてやることで、トランジスタ５４４２の
オンとオフの切り替えを確実に行い、トランジスタ５４４２のしきい値電圧のばらつきが
発光素子５４１４の電流値に影響を及ぼすことを防ぐことができる。
次に、期間ｔ４では、配線ＧＬａにローレベルの電位が与えられ、配線ＧＬｂにローレベ
ルの電位が与えられ、配線ＧＬｃにハイレベルの電位が与えられる。よって、トランジス
タ５４１７がオンとなり、トランジスタ５４１６、トランジスタ５４４０、トランジスタ
５４４１およびトランジスタ５４４２がオフとなる。
また、配線ＶＬには電位Ｖａｎｏが与えられ、配線ＭＬは、モニター回路に接続される。
上記動作により、トランジスタ５４１５のドレイン電流Ｉｄが、発光素子５４１４ではな
く、トランジスタ５４１７を介して配線ＭＬに流れる。モニター回路は、配線ＭＬに流れ
たドレイン電流Ｉｄを用いて、当該ドレイン電流Ｉｄの値を情報として含む信号を生成す
る。このドレイン電流Ｉｄは、トランジスタ５４１５の移動度やトランジスタ５４１５の
サイズ（チャネル長、チャネル幅）などに依存した大きさとなっている。そして、本発明
の一態様に係る発光装置では、上記信号を用いて、画素５４１１に供給される画像信号Ｓ
ｉｇの電位Ｖｄａｔａの値を、補正することができる。つまり、トランジスタ５４１５の
移動度のばらつきの影響を低減することができる。
なお、図２３（Ａ）に示す画素５４１１を有する発光装置では、期間ｔ３の動作の後に期
間ｔ４の動作を行わなくてもよい。例えば、発光装置において、期間ｔ１から期間ｔ３の
動作を複数回繰り返した後に、期間ｔ４の動作を行うようにしてもよい。また、一行の画
素５４１１において期間ｔ４の動作を行った後、最小の階調値０に対応する画像信号を、
当該動作を行った一行の画素５４１１に書き込むことで、発光素子５４１４を非発光の状
態にした後、次の行の画素５４１１において、期間ｔ４の動作を行うようにしてもよい。
図２３（Ａ）に示した画素５４１１を有する発光装置では、トランジスタ５４１５のソー
スおよびドレインの他方と、トランジスタ５４１５のゲートとが電気的に分離しているの
で、それぞれの電位を個別に制御することができる。よって、期間ｔ２において、トラン
ジスタ５４１５のソースおよびドレインの他方の電位を、トランジスタ５４１５のゲート
の電位に、しきい値電圧Ｖｔｈを加算した電位よりも高い値に設定することができる。そ
のため、トランジスタ５４１５がノーマリオンである場合に、すなわちしきい値電圧Ｖｔ
ｈがマイナスの値を有している場合に、トランジスタ５４１５において、ソースの電位が
ゲートの電位Ｖ１よりも高くなるまで、容量素子５４１８に電荷を蓄積することができる
。よって、本発明の一態様に係る発光装置では、トランジスタ５４１５がノーマリオンで
あっても、期間ｔ２においてしきい値電圧Ｖｔｈを取得することができ、期間ｔ３におい
て、取得したしきい値電圧Ｖｔｈに応じたゲート電圧を設定することができる。
したがって、本発明の一態様に係る発光装置では、トランジスタ５４１５がノーマリオン
となっても、表示ムラを低減でき、高い画質の表示を行うことができる。
なお、トランジスタ５４１５の特性だけでなく、発光素子５４１４の特性もモニターして
もよい。このとき、画像信号Ｓｉｇの電位Ｖｄａｔａの電位の制御することなどにより、
トランジスタ５４１５には、電流が流れないようにしておくことが好ましい。これにより
、発光素子５４１４の電流を取り出すことができる。その結果、発光素子５４１４の電流
特性の劣化やばらつきの状態を取得することができる。
例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素
子、および発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、または様
々な素子を有することができる。表示素子、表示装置、発光素子または発光装置は、例え
ば、ＥＬ素子（有機物および無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、Ｌ
ＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に
応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、
グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ＭＥ
ＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイ
クロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＩＭＯＤ
（インターフェアレンス・モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子
、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディ
スプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子などの少なくとも一つを有している。
これらのほかにも、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過
率などが変化する表示媒体を有していてもよい。ＥＬ素子を用いた表示装置の一例として
は、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィ
ールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）またはＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥ
Ｄ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉ
ｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ
（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視
型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インクまたは電気泳動
素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶デ
ィスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部または全部が
、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部または全部
が、アルミニウム、銀などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下
に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、消費電力をさらに
低減することができる。
なお、バックライト（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ、蛍光灯など）に白色光（Ｗ
）を用いて表示装置をフルカラー表示させるために、着色層（カラーフィルターともいう
。）を用いてもよい。着色層は、例えば、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）
、イエロー（Ｙ）などを適宜組み合わせて用いることができる。着色層を用いることで、
着色層を用いない場合と比べて色の再現性を高くすることができる。このとき、着色層を
有する領域と、着色層を有さない領域と、を配置することによって、着色層を有さない領
域における白色光を直接表示に利用しても構わない。一部に着色層を有さない領域を配置
することで、明るい表示の際に、着色層による輝度の低下を少なくでき、消費電力を２割
から３割程度低減できる場合がある。ただし、有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子などの自発光
素子を用いてフルカラー表示する場合、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙ、Ｗを、それぞれの発光色を有す
る素子から発光させても構わない。自発光素子を用いることで、着色層を用いた場合より
も、さらに消費電力を低減できる場合がある。
＜発光装置の画素の構造＞
以下では、本発明の一態様に係る発光装置の画素の構造の一例について説明する。
図２４（Ａ）では、基板５０２上に複数のトランジスタ５００（ＦＥＴとも表記する。）
が形成されており、各トランジスタ５００は、発光装置の画素に含まれる各発光素子（５
０４Ｒ、５０４Ｇ、５０４Ｂ、５０４Ｗ）と電気的に接続されている。具体的には、各ト
ランジスタ５００と発光素子が有する導電体５０６と電気的に接続されている。なお、各
発光素子は、導電体５０６、導電体５０７、発光層５１０および導電体５１２によって構
成される。なお、各発光素子のうち、発光素子５０４Ｗを有さなくても構わない。なお、
図２４（Ｂ）は、図２４（Ａ）における領域５２０を拡大した断面図である。
また、各発光素子上には、着色層（５１４Ｒ、５１４Ｇ、５１４Ｂ、５１４Ｗ）がそれぞ
れ配置されている。なお、図２４（Ａ）では、着色層が、基板５１６上に設けられる構造
を示したが、この構造に限定されない。例えば、着色層が、基板５０２上に設けられてい
ても構わない場合がある。また、基板５０２と基板５１６との間には封止膜５１８が配置
されている。封止膜５１８としては、例えば、ガラスフリットなどや、二液混合型の樹脂
などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などを用いることがで
きる。
また、隣り合う発光素子間には、導電体５０６および導電体５０７の端部を覆うように隔
壁５０８が設けられている。また、隔壁５０８上には、スペーサ５０９が設けられている
。なお、導電体５０６は、反射電極として機能する領域、および発光素子の陽極として機
能する領域を有する。また、導電体５０７は、各発光素子の光路長を調整に寄与する領域
を有する。また、導電体５０７上には、発光層５１０が形成されており、発光層５１０上
には、導電体５１２が形成されている。また、導電体５１２は、半透過・半反射電極とし
て機能する領域、および発光素子の陰極として機能する領域を有する。また、スペーサ５
０９は、発光素子と着色層の間に配置される。
また、発光層５１０が、各発光素子で共通していてもよい。ただし、発光層５１０が、各
発光素子で異なっていてもよい。なお、各発光素子は、導電体５０６と導電体５１２によ
って発光層５１０からの発光を共振させる微小光共振器（マイクロキャビティともいう）
構造を有しており、同じ発光層５１０を有していても異なる波長の光を狭線化して取り出
すことができる。具体的には、各発光素子は、発光層５１０の下方に設けられる導電体５
０７の厚さをそれぞれ調整することによって、発光層５１０から得られるスペクトルを所
望の発光スペクトルとし、色純度の高い発光を得ることができる。したがって、図２４（
Ａ）に示す構成とすることにより、例えば、塗りわけの工程が不要となり、高精細化を実
現することが容易となる場合がある。ただし、本発明の一態様に係る発光装置は、各発光
素子で発光層を塗りわけて作製しても構わない。
また、図２４（Ａ）に示す発光装置は、マイクロキャビティ構造によって狭線化された異
なる波長の光を、着色層を通過させることによって、さらに狭線化させ、所望の発光スペ
クトルのみが射出される構成である。したがって、マイクロキャビティ構造と着色層とを
組み合わせることで、さらに色純度の高い発光を得ることができる。具体的には、発光素
子５０４Ｒは、赤色発光が得られるように発光素子の光路長が調整されており、着色層５
１４Ｒを通って矢印の方向に赤色の光が射出される。また、発光素子５０４Ｇは、緑色発
光が得られるように発光素子の光路長が調整されており、着色層５１４Ｇを通って矢印の
方向に緑色の光が射出される。また、発光素子５０４Ｂは、青色発光が得られるように発
光素子の光路長が調整されており、着色層５１４Ｂを通って矢印の方向に青色の光が射出
される。また、発光素子５０４Ｗは、白色発光が得られるように発光素子の光路長が調整
されており、着色層５１４Ｗを通って矢印の方向に白色の光が射出される。
なお、各発光素子の光路長の調整方法については、これに限定されない。例えば、各発光
素子において、発光層５１０の厚さを調整して光路長を調整してもよい。
また、着色層（５１４Ｒ、５１４Ｇ、５１４Ｂ）としては、特定の波長帯域の光を透過す
る機能を有していればよく、例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）の着色層
、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）の着色層、青色の波長帯域の光を透過する青
色（Ｂ）の着色層などを用いることができる。また、着色層５１４Ｗとしては、例えば、
顔料等を含まないアクリル系の樹脂材料等を用いればよい。また、着色層５１４Ｗを有さ
なくも構わない。着色層は、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ工程を用い
た方法などで所望の形状に形成することができる。
導電体５０６としては、例えば、反射率が高い（可視光の反射率が４０％以上１００％以
下、好ましくは７０％以上１００％以下）金属を用いることができる。導電体５０６とし
ては、アルミニウム、銀、または、これらの金属材料を含む合金（例えば、銀とパラジウ
ムと銅の合金）を、単層または積層して用いることができる。
また、導電体５０７としては、例えば、導電性の金属酸化物を用いて形成することができ
る。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、インジウムスズ
酸化物、インジウム亜鉛酸化物、またはこれらの金属酸化物にシリコンもしくはタングス
テンを含ませたものを用いることができる。導電体５０７を設けることによって、後に形
成される発光層５１０と導電体５０６との間に形成される絶縁体の生成を抑制することが
できるので好適である。また、導電体５０６の下層に、導電体５０７として用いる導電性
の金属酸化物を形成してもよい。
また、導電体５１２としては、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料と
により形成され、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％
以下であると好ましい。導電体５１２としては、例えば、銀、マグネシウム、またはこれ
らの金属材料を含む合金等を薄く（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下）形成し、その後、
導電体５０７に用いることのできる導電性の金属酸化物を形成すればよい。
以上に説明した構成においては、基板５１６側に発光を取り出す構造（トップエミッショ
ン構造）の発光装置となるが、トランジスタ５００が形成されている基板５０１側に光を
取り出す構造（ボトムエミッション構造）、または基板５０１および基板５１６の双方に
光を取り出す構造（デュアルエミッション構造）の発光装置としてもよい。ボトムエミッ
ション構造の場合、例えば、着色層（５１４Ｒ、５１４Ｇ、５１４Ｂ、５１４Ｗ）を導電
体５０６の下方に形成する構成とすればよい。なお、光を射出する側の基板には、透光性
の基板を用いればよく、光を射出しない側の基板には、透光性の基板および遮光性の基板
を用いることができる。
＜モジュール＞
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置を適用した表示モジュールについて、図２５
を用いて説明を行う。
図２５に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との
間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された
セル８００６、バックライトユニット８００７、フレーム８００９、プリント基板８０１
０、バッテリー８０１１を有する。なお、バックライトユニット８００７、バッテリー８
０１１、タッチパネル８００４などを有さない場合もある。
本発明の一態様に係る半導体装置は、例えば、セル８００６に用いることができる。
上部カバー８００１および下部カバー８００２は、タッチパネル８００４およびセル８０
０６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルをセル８００６
に重畳して用いることができる。また、セル８００６の対向基板（封止基板）に、タッチ
パネル機能を持たせるようにすることも可能である。または、セル８００６の各画素内に
光センサーを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。または、セル８００
６の各画素内にタッチセンサー用電極を設け、静電容量方式のタッチパネルとすることも
可能である。
バックライトユニット８００７は、光源８００８を有する。光源８００８をバックライト
ユニット８００７の端部に設け、光拡散板を用いる構成としてもよい。
フレーム８００９は、セル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により
発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有してもよい。またフレー
ム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号およびクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
もよいし、別途設けたバッテリー８０１１による電源であってもよい。商用電源を用いる
場合には、バッテリー８０１１を有さなくてもよい。
また、表示モジュール８０００には、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
＜回路＞
以下では、本発明の一態様の半導体装置を用いることにより実現できる回路構成の例を説
明する。
図２６（Ａ）に示す回路図は、ｐチャネル型のトランジスタ２２００とｎチャネル型のト
ランジスタ２１００を直列に接続し、かつそれぞれのゲートを接続した、いわゆるＣＭＯ
Ｓインバータの構成を示している。なお、トランジスタ２２００およびトランジスタ２１
００としては、上述したトランジスタ１５０を用いても構わない。
また図２６（Ｂ）に示す回路図は、トランジスタ２１００とトランジスタ２２００のそれ
ぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、い
わゆるＣＭＯＳアナログスイッチとして機能させることができる。
本発明の一態様に係るトランジスタを用いた、電力が供給されない状況でも記憶内容の保
持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置（記憶装置）の一例を図２７
に示す。
図２７（Ａ）に示す半導体装置は、第１の半導体を用いたトランジスタ３２００と第２の
半導体を用いたトランジスタ３３００、および容量素子３４００を有している。なお、ト
ランジスタ３３００としては、上述したトランジスタ１５０を用いることができる。
トランジスタ３３００は、例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタである。トランジ
スタ３３００のオフ電流が小さいことにより、半導体装置の特定のノードに長期にわたり
記憶内容を保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動作を必要としない、また
はリフレッシュ動作の頻度が極めて少なくすることが可能となるため、消費電力の低い半
導体装置となる。
図２７（Ａ）において、第１の配線３００１はトランジスタ３２００のソースと電気的に
接続され、第２の配線３００２はトランジスタ３２００のドレインと電気的に接続される
。また、第３の配線３００３はトランジスタ３３００のソース、ドレインの一方と電気的
に接続され、第４の配線３００４はトランジスタ３３００のゲートと電気的に接続されて
いる。そして、トランジスタ３２００のゲート、およびトランジスタ３３００のソース、
ドレインの他方は、容量素子３４００の電極の一方と電気的に接続され、第５の配線３０
０５は容量素子３４００の電極の他方と電気的に接続されている。なお、容量素子３４０
０としては、上述した容量素子１６０を用いることができる。
図２７（Ａ）に示す半導体装置は、トランジスタ３２００のゲートの電位が保持可能とい
う特性を有することで、以下に示すように、情報の書き込み、保持、読み出しが可能であ
る。
情報の書き込みおよび保持について説明する。まず、第４の配線３００４の電位を、トラ
ンジスタ３３００が導通状態となる電位にして、トランジスタ３３００を導通状態とする
。これにより、第３の配線３００３の電位が、トランジスタ３２００のゲート、および容
量素子３４００の電極の一方と電気的に接続するノードＦＧに与えられる。すなわち、ト
ランジスタ３２００のゲートには、所定の電荷が与えられる（書き込み）。ここでは、異
なる二つの電位レベルを与える電荷（以下Ｌｏｗレベル電荷、Ｈｉｇｈレベル電荷という
。）のどちらかが与えられるものとする。その後、第４の配線３００４の電位を、トラン
ジスタ３３００が非導通状態となる電位にして、トランジスタ３３００を非導通状態とす
ることにより、ノードＦＧに電荷が保持される（保持）。
トランジスタ３３００のオフ電流は極めて小さいため、ノードＦＧの電荷は長期間にわた
って保持される。
次に情報の読み出しについて説明する。第１の配線３００１に所定の電位（定電位）を与
えた状態で、第５の配線３００５に適切な電位（読み出し電位）を与えると、第２の配線
３００２は、ノードＦＧに保持された電荷量に応じた電位をとる。これは、トランジスタ
３２００をｎチャネル型とすると、トランジスタ３２００のゲートにＨｉｇｈレベル電荷
が与えられている場合の見かけ上のしきい値電圧Ｖｔｈ＿Ｈは、トランジスタ３２００の
ゲートにＬｏｗレベル電荷が与えられている場合の見かけ上のしきい値電圧Ｖｔｈ＿Ｌよ
り低くなるためである。ここで、見かけ上のしきい値電圧とは、トランジスタ３２００を
「導通状態」とするために必要な第５の配線３００５の電位をいうものとする。したがっ
て、第５の配線３００５の電位をＶｔｈ＿ＨとＶｔｈ＿Ｌの間の電位Ｖ０とすることによ
り、ノードＦＧに与えられた電荷を判別できる。例えば、書き込みにおいて、ノードＦＧ
にＨｉｇｈレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線３００５の電位がＶ０（＞
Ｖｔｈ＿Ｈ）となれば、トランジスタ３２００は「導通状態」となる。一方、ノードＦＧ
にＬｏｗレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線３００５の電位がＶ０（＜Ｖ
ｔｈ＿Ｌ）となっても、トランジスタ３２００は「非導通状態」のままである。このため
、第２の配線３００２の電位を判別することで、ノードＦＧに保持されている情報を読み
出すことができる。
なお、メモリセルをアレイ状に配置する場合、読み出し時には、所望のメモリセルの情報
を読み出さなくてはならない。ほかのメモリセルの情報を読み出さないためには、ノード
ＦＧに与えられた電荷によらずトランジスタ３２００が「非導通状態」となるような電位
、つまり、Ｖｔｈ＿Ｈより低い電位を第５の配線３００５に与えればよい。または、ノー
ドＦＧに与えられた電荷によらずトランジスタ３２００が「導通状態」となるような電位
、つまり、Ｖｔｈ＿Ｌより高い電位を第５の配線３００５に与えればよい。
図２７（Ｂ）に示す半導体装置は、トランジスタ３２００を有さない点で図２７（Ａ）に
示した半導体装置と異なる。この場合も図２７（Ａ）に示した半導体装置と同様の動作に
より情報の書き込みおよび保持動作が可能である。
図２７（Ｂ）に示す半導体装置における、情報の読み出しについて説明する。トランジス
タ３３００が導通状態になると、浮遊状態である第３の配線３００３と容量素子３４００
とが導通し、第３の配線３００３と容量素子３４００の間で電荷が再分配される。その結
果、第３の配線３００３の電位が変化する。第３の配線３００３の電位の変化量は、容量
素子３４００の電極の一方の電位（または容量素子３４００に蓄積された電荷）によって
、異なる値をとる。
例えば、容量素子３４００の電極の一方の電位をＶ、容量素子３４００の容量をＣ、第３
の配線３００３が有する容量成分をＣＢ、電荷が再分配される前の第３の配線３００３の
電位をＶＢ０とすると、電荷が再分配された後の第３の配線３００３の電位は、（ＣＢ×
ＶＢ０＋Ｃ×Ｖ）／（ＣＢ＋Ｃ）となる。したがって、メモリセルの状態として、容量素
子３４００の電極の一方の電位がＶ１とＶ０（Ｖ１＞Ｖ０）の２つの状態をとるとすると
、電位Ｖ１を保持している場合の第３の配線３００３の電位（＝（ＣＢ×ＶＢ０＋Ｃ×Ｖ
１）／（ＣＢ＋Ｃ））は、電位Ｖ０を保持している場合の第３の配線３００３の電位（＝
（ＣＢ×ＶＢ０＋Ｃ×Ｖ０）／（ＣＢ＋Ｃ））よりも高くなることがわかる。
そして、第３の配線３００３の電位を所定の電位と比較することで、情報を読み出すこと
ができる。
この場合、メモリセルを駆動させるための駆動回路に上記第１の半導体が適用されたトラ
ンジスタを用い、トランジスタ３３００として第２の半導体が適用されたトランジスタを
駆動回路上に積層して配置する構成とすればよい。
以上に示した半導体装置は、酸化物半導体を用いたオフ電流の極めて小さいトランジスタ
を適用することで、長期にわたって記憶内容を保持することが可能となる。つまり、リフ
レッシュ動作が不要となるか、またはリフレッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可
能となるため、消費電力の低い半導体装置を実現することができる。また、電力の供給が
ない場合（ただし、電位は固定されていることが好ましい）であっても、長期にわたって
記憶内容を保持することが可能である。
また、該半導体装置は、情報の書き込みに高い電圧が不要であるため、素子の劣化が起こ
りにくい。例えば、従来の不揮発性メモリのように、フローティングゲートへの電子の注
入や、フローティングゲートからの電子の引き抜きを行わないため、絶縁体の劣化といっ
た問題が生じない。すなわち、本発明の一態様に係る半導体装置は、従来の不揮発性メモ
リで問題となっている書き換え可能回数に制限はなく、信頼性が飛躍的に向上した半導体
装置である。さらに、トランジスタの導通状態、非導通状態によって、情報の書き込みが
行われるため、高速な動作が可能となる。
＜ＲＦタグ＞
以下では、上述したトランジスタ、または記憶装置を含むＲＦタグについて、図２８を用
いて説明する。
本発明の一態様に係るＲＦタグは、内部に記憶回路を有し、記憶回路に情報を記憶し、非
接触手段、例えば無線通信を用いて外部と情報の授受を行うものである。このような特徴
から、ＲＦタグは、物品などの個体情報を読み取ることにより物品の識別を行う個体認証
システムなどに用いることが可能である。なお、これらの用途に用いるためには高い信頼
性が要求される。
ＲＦタグの構成について図２８を用いて説明する。図２８は、ＲＦタグの構成例を示すブ
ロック図である。
図２８に示すようにＲＦタグ８００は、通信器８０１（質問器、リーダ／ライタなどとも
いう）に接続されたアンテナ８０２から送信される無線信号８０３を受信するアンテナ８
０４を有する。またＲＦタグ８００は、整流回路８０５、定電圧回路８０６、復調回路８
０７、変調回路８０８、論理回路８０９、記憶回路８１０、ＲＯＭ８１１を有している。
なお、復調回路８０７に含まれる整流作用を示すトランジスタの半導体には、逆方向電流
を十分に抑制することが可能な、例えば、酸化物半導体を用いてもよい。これにより、逆
方向電流に起因する整流作用の低下を抑制し、復調回路の出力が飽和することを防止でき
る。つまり、復調回路の入力に対する復調回路の出力を線形に近づけることができる。な
お、データの伝送形式は、一対のコイルを対向配置して相互誘導によって交信を行う電磁
結合方式、誘導電磁界によって交信する電磁誘導方式、電波を利用して交信する電波方式
の３つに大別される。ＲＦタグ８００は、そのいずれの方式に用いることも可能である。
次に各回路の構成について説明する。アンテナ８０４は、通信器８０１に接続されたアン
テナ８０２との間で無線信号８０３の送受信を行うためのものである。また、整流回路８
０５は、アンテナ８０４で無線信号を受信することにより生成される入力交流信号を整流
、例えば、半波２倍圧整流し、後段の容量素子により、整流された信号を平滑化すること
で入力電位を生成するための回路である。なお、整流回路８０５の入力側または出力側に
は、リミッタ回路を有してもよい。リミッタ回路とは、入力交流信号の振幅が大きく、内
部生成電圧が大きい場合に、ある電力以上の電力を後段の回路に入力しないように制御す
るための回路である。
定電圧回路８０６は、入力電位から安定した電源電圧を生成し、各回路に供給するための
回路である。なお、定電圧回路８０６は、内部にリセット信号生成回路を有していてもよ
い。リセット信号生成回路は、安定した電源電圧の立ち上がりを利用して、論理回路８０
９のリセット信号を生成するための回路である。
復調回路８０７は、入力交流信号を包絡線検出することにより復調し、復調信号を生成す
るための回路である。また、変調回路８０８は、アンテナ８０４より出力するデータに応
じて変調をおこなうための回路である。
論理回路８０９は復調信号を解析し、処理を行うための回路である。記憶回路８１０は、
入力された情報を保持する回路であり、ロウデコーダ、カラムデコーダ、記憶領域などを
有する。また、ＲＯＭ８１１は、固有番号（ＩＤ）などを格納し、処理に応じて出力を行
うための回路である。
なお、上述の各回路は、適宜、取捨することができる。
ここで、上述した記憶装置を、記憶回路８１０に用いることができる。本発明の一態様に
係る記憶装置は、電源が遮断された状態であっても情報を保持できるため、ＲＦタグに好
適である。さらに本発明の一態様に係る記憶装置は、データの書き込みに必要な電力（電
圧）が従来の不揮発性メモリに比べて低いため、データの読み出し時と書込み時の最大通
信距離の差を生じさせないことも可能である。さらに、データの書き込み時に電力が不足
し、誤動作または誤書込みが生じることを抑制することができる。
また、本発明の一態様に係る記憶装置は、不揮発性メモリとして用いることが可能である
ため、ＲＯＭ８１１に適用することもできる。その場合には、生産者がＲＯＭ８１１にデ
ータを書き込むためのコマンドを別途用意し、ユーザが自由に書き換えできないようにし
ておくことが好ましい。生産者が出荷前に固有番号を書込んだのちに製品を出荷すること
で、作製したＲＦタグすべてについて固有番号を付与するのではなく、出荷する良品にの
み固有番号を割り当てることが可能となり、出荷後の製品の固有番号が不連続になること
がなく出荷後の製品に対応した顧客管理が容易となる。
＜ＲＦタグの使用例＞
以下では、本発明の一態様に係るＲＦタグの使用例について図２９を用いて説明する。Ｒ
Ｆタグの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書
類（運転免許証や住民票等、図２９（Ａ）参照。）、包装用容器類（包装紙やボトル等、
図２９（Ｃ）参照。）、記録媒体（ＤＶＤやビデオテープ等、図２９（Ｂ）参照。）、乗
り物類（自転車等、図２９（Ｄ）参照。）、身の回り品（鞄や眼鏡等）、食品類、植物類
、動物類、人体、衣類、生活用品類、薬品や薬剤を含む医療品、または電子機器（液晶表
示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話）等の物品、もしくは各物品
に取り付ける荷札（図２９（Ｅ）および図２９（Ｆ）参照。）等に設けて使用することが
できる。
本発明の一態様に係るＲＦタグ４０００は、表面に貼る、または埋め込むことにより、物
品に固定される。例えば、本であれば紙に埋め込み、有機樹脂からなるパッケージであれ
ば当該有機樹脂の内部に埋め込み、各物品に固定される。本発明の一態様に係るＲＦタグ
４０００は、小型、薄型、軽量を実現するため、物品に固定した後もその物品自体のデザ
イン性を損なうことがない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、または証書
類等に本発明の一態様に係るＲＦタグ４０００により、認証機能を付与することができ、
この認証機能を活用すれば、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒
体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、または電子機器等に本発明の一態様に係る
ＲＦタグ４０００を取り付けることにより、検品システム等のシステムの効率化を図るこ
とができる。また、乗り物類であっても、本発明の一態様に係るＲＦタグ４０００を取り
付けることにより、盗難などに対するセキュリティ性を高めることができる。
以上のように、本発明の一態様に係るＲＦタグは、上述したような各用途に用いることが
できる。
＜ＣＰＵ＞
以下では、上述したトランジスタや上述した記憶装置などの半導体装置を含むＣＰＵにつ
いて説明する。
図３０は、上述したトランジスタを一部に用いたＣＰＵの一例の構成を示すブロック図で
ある。
図３０に示すＣＰＵは、基板１１９０上に、ＡＬＵ１１９１（ＡＬＵ：Ａｒｉｔｈｍｅｔ
ｉｃ ｌｏｇｉｃ ｕｎｉｔ、演算回路）、ＡＬＵコントローラ１１９２、インストラク
ションデコーダ１１９３、インタラプトコントローラ１１９４、タイミングコントローラ
１１９５、レジスタ１１９６、レジスタコントローラ１１９７、バスインターフェース１
１９８（Ｂｕｓ Ｉ／Ｆ）、書き換え可能なＲＯＭ１１９９、およびＲＯＭインターフェ
ース１１８９（ＲＯＭ Ｉ／Ｆ）を有している。基板１１９０は、半導体基板、ＳＯＩ基
板、ガラス基板などを用いる。ＲＯＭ１１９９およびＲＯＭインターフェース１１８９は
、別チップに設けてもよい。もちろん、図３０に示すＣＰＵは、その構成を簡略化して示
した一例にすぎず、実際のＣＰＵはその用途によって多種多様な構成を有している。例え
ば、図３０に示すＣＰＵまたは演算回路を含む構成を一つのコアとし、当該コアを複数含
み、それぞれのコアが並列で動作するような構成としてもよい。また、ＣＰＵが内部演算
回路やデータバスで扱えるビット数は、例えば８ビット、１６ビット、３２ビット、６４
ビットなどとすることができる。
バスインターフェース１１９８を介してＣＰＵに入力された命令は、インストラクション
デコーダ１１９３に入力され、デコードされた後、ＡＬＵコントローラ１１９２、インタ
ラプトコントローラ１１９４、レジスタコントローラ１１９７、タイミングコントローラ
１１９５に入力される。
ＡＬＵコントローラ１１９２、インタラプトコントローラ１１９４、レジスタコントロー
ラ１１９７、タイミングコントローラ１１９５は、デコードされた命令に基づき、各種制
御を行なう。具体的にＡＬＵコントローラ１１９２は、ＡＬＵ１１９１の動作を制御する
ための信号を生成する。また、インタラプトコントローラ１１９４は、ＣＰＵのプログラ
ム実行中に、外部の入出力装置や、周辺回路からの割り込み要求を、その優先度やマスク
状態から判断し、処理する。レジスタコントローラ１１９７は、レジスタ１１９６のアド
レスを生成し、ＣＰＵの状態に応じてレジスタ１１９６の読み出しや書き込みを行なう。
また、タイミングコントローラ１１９５は、ＡＬＵ１１９１、ＡＬＵコントローラ１１９
２、インストラクションデコーダ１１９３、インタラプトコントローラ１１９４、および
レジスタコントローラ１１９７の動作のタイミングを制御する信号を生成する。例えばタ
イミングコントローラ１１９５は、基準クロック信号ＣＬＫ１を元に、内部クロック信号
ＣＬＫ２を生成する内部クロック生成部を備えており、内部クロック信号ＣＬＫ２を上記
各種回路に供給する。
図３０に示すＣＰＵでは、レジスタ１１９６に、メモリセルが設けられている。レジスタ
１１９６のメモリセルとして、上述したトランジスタ１５０、容量素子１６０などを用い
ることができる。
図３０に示すＣＰＵにおいて、レジスタコントローラ１１９７は、ＡＬＵ１１９１からの
指示に従い、レジスタ１１９６における保持動作の選択を行う。すなわち、レジスタ１１
９６が有するメモリセルにおいて、フリップフロップによるデータの保持を行うか、容量
素子によるデータの保持を行うかを、選択する。フリップフロップによるデータの保持が
選択されている場合、レジスタ１１９６内のメモリセルへの、電源電圧の供給が行われる
。容量素子におけるデータの保持が選択されている場合、容量素子へのデータの書き換え
が行われ、レジスタ１１９６内のメモリセルへの電源電圧の供給を停止することができる
。
図３１は、レジスタ１１９６として用いることのできる記憶素子１２００の回路図の一例
である。記憶素子１２００は、電源遮断で記憶データが揮発する回路１２０１と、電源遮
断で記憶データが揮発しない回路１２０２と、スイッチ１２０３と、スイッチ１２０４と
、論理素子１２０６と、容量素子１２０７と、選択機能を有する回路１２２０と、を有す
る。回路１２０２は、容量素子１２０８と、トランジスタ１２０９と、トランジスタ１２
１０と、を有する。なお、記憶素子１２００は、必要に応じて、ダイオード、抵抗素子、
インダクタなどのその他の素子をさらに有していてもよい。
ここで、回路１２０２には、上述した記憶装置を用いることができる。記憶素子１２００
への電源電圧の供給が停止した際、回路１２０２のトランジスタ１２０９のゲートにはＧ
ＮＤ（０Ｖ）、またはトランジスタ１２０９がオフする電位が入力され続ける構成とする
。例えば、トランジスタ１２０９のゲートが抵抗等の負荷を介して接地される構成とする
。
スイッチ１２０３は、一導電型（例えば、ｎチャネル型）のトランジスタ１２１３を用い
て構成され、スイッチ１２０４は、一導電型とは逆の導電型（例えば、ｐチャネル型）の
トランジスタ１２１４を用いて構成した例を示す。ここで、スイッチ１２０３の第１の端
子はトランジスタ１２１３のソースとドレインの一方に対応し、スイッチ１２０３の第２
の端子はトランジスタ１２１３のソースとドレインの他方に対応し、スイッチ１２０３は
トランジスタ１２１３のゲートに入力される制御信号ＲＤによって、第１の端子と第２の
端子の間の導通または非導通（つまり、トランジスタ１２１３の導通状態または非導通状
態）が選択される。スイッチ１２０４の第１の端子はトランジスタ１２１４のソースとド
レインの一方に対応し、スイッチ１２０４の第２の端子はトランジスタ１２１４のソース
とドレインの他方に対応し、スイッチ１２０４はトランジスタ１２１４のゲートに入力さ
れる制御信号ＲＤによって、第１の端子と第２の端子の間の導通または非導通（つまり、
トランジスタ１２１４の導通状態または非導通状態）が選択される。
トランジスタ１２０９のソースとドレインの一方は、容量素子１２０８の一対の電極のう
ちの一方、およびトランジスタ１２１０のゲートと電気的に接続される。ここで、接続部
分をノードＭ２とする。トランジスタ１２１０のソースとドレインの一方は、低電源電位
を供給することのできる配線（例えばＧＮＤ線）に電気的に接続され、他方は、スイッチ
１２０３の第１の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの一方）と電気的に接
続される。スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの
他方）はスイッチ１２０４の第１の端子（トランジスタ１２１４のソースとドレインの一
方）と電気的に接続される。スイッチ１２０４の第２の端子（トランジスタ１２１４のソ
ースとドレインの他方）は電源電位ＶＤＤを供給することのできる配線と電気的に接続さ
れる。スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方
）と、スイッチ１２０４の第１の端子（トランジスタ１２１４のソースとドレインの一方
）と、論理素子１２０６の入力端子と、容量素子１２０７の一対の電極のうちの一方と、
は電気的に接続される。ここで、接続部分をノードＭ１とする。容量素子１２０７の一対
の電極のうちの他方は、一定の電位が入力される構成とすることができる。例えば、低電
源電位（ＧＮＤ等）または高電源電位（ＶＤＤ等）が入力される構成とすることができる
。容量素子１２０７の一対の電極のうちの他方は、低電源電位を供給することのできる配
線（例えばＧＮＤ線）と電気的に接続される。容量素子１２０８の一対の電極のうちの他
方は、一定の電位が入力される構成とすることができる。例えば、低電源電位（ＧＮＤ等
）または高電源電位（ＶＤＤ等）が入力される構成とすることができる。容量素子１２０
８の一対の電極のうちの他方は、低電源電位を供給することのできる配線（例えばＧＮＤ
線）と電気的に接続される。
なお、容量素子１２０７および容量素子１２０８は、トランジスタや配線の寄生容量等を
積極的に利用することによって省略することも可能である。
トランジスタ１２０９のゲートには、制御信号ＷＥが入力される。スイッチ１２０３およ
びスイッチ１２０４は、制御信号ＷＥとは異なる制御信号ＲＤによって第１の端子と第２
の端子の間の導通状態または非導通状態を選択され、一方のスイッチの第１の端子と第２
の端子の間が導通状態のとき他方のスイッチの第１の端子と第２の端子の間は非導通状態
となる。
トランジスタ１２０９のソースとドレインの他方には、回路１２０１に保持されたデータ
に対応する信号が入力される。図３１では、回路１２０１から出力された信号が、トラン
ジスタ１２０９のソースとドレインの他方に入力される例を示した。スイッチ１２０３の
第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方）から出力される信号は、
論理素子１２０６によってその論理値が反転された反転信号となり、回路１２２０を介し
て回路１２０１に入力される。
なお、図３１では、スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとド
レインの他方）から出力される信号は、論理素子１２０６および回路１２２０を介して回
路１２０１に入力する例を示したがこれに限定されない。スイッチ１２０３の第２の端子
（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方）から出力される信号が、論理値を反
転させられることなく、回路１２０１に入力されてもよい。例えば、回路１２０１内に、
入力端子から入力された信号の論理値が反転した信号が保持されるノードが存在する場合
に、スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方）
から出力される信号を当該ノードに入力することができる。
また、図３１において、記憶素子１２００に用いられるトランジスタのうち、トランジス
タ１２０９以外のトランジスタは、酸化物半導体以外の半導体でなる膜または基板１１９
０にチャネルが形成されるトランジスタとすることができる。例えば、シリコンまたはシ
リコン基板にチャネルが形成されるトランジスタとすることができる。また、記憶素子１
２００に用いられるトランジスタ全てを、チャネルが酸化物半導体で形成されるトランジ
スタとすることもできる。または、記憶素子１２００は、トランジスタ１２０９以外にも
、チャネルが酸化物半導体で形成されるトランジスタを含んでいてもよく、残りのトラン
ジスタは酸化物半導体以外の半導体でなる層または基板１１９０にチャネルが形成される
トランジスタとすることもできる。
図３１における回路１２０１には、例えばフリップフロップ回路を用いることができる。
また、論理素子１２０６としては、例えばインバータやクロックドインバータ等を用いる
ことができる。
本発明の一態様に係る半導体装置では、記憶素子１２００に電源電圧が供給されない間は
、回路１２０１に記憶されていたデータを、回路１２０２に設けられた容量素子１２０８
によって保持することができる。
また、酸化物半導体にチャネルが形成されるトランジスタはオフ電流が極めて小さい。例
えば、酸化物半導体にチャネルが形成されるトランジスタのオフ電流は、結晶性を有する
シリコンにチャネルが形成されるトランジスタのオフ電流に比べて著しく小さい。そのた
め、当該トランジスタをトランジスタ１２０９として用いることによって、記憶素子１２
００に電源電圧が供給されない間も容量素子１２０８に保持された信号は長期間にわたり
保たれる。こうして、記憶素子１２００は電源電圧の供給が停止した間も記憶内容（デー
タ）を保持することが可能である。
また、スイッチ１２０３およびスイッチ１２０４を設けることによって、プリチャージ動
作を行うことを特徴とする記憶素子であるため、電源電圧供給再開後に、回路１２０１が
元のデータを保持しなおすまでの時間を短くすることができる。
また、回路１２０２において、容量素子１２０８によって保持された信号はトランジスタ
１２１０のゲートに入力される。そのため、記憶素子１２００への電源電圧の供給が再開
された後、容量素子１２０８によって保持された信号を、トランジスタ１２１０の状態（
導通状態、または非導通状態）に変換して、回路１２０２から読み出すことができる。そ
れ故、容量素子１２０８に保持された信号に対応する電位が多少変動していても、元の信
号を正確に読み出すことが可能である。
このような記憶素子１２００を、プロセッサが有するレジスタやキャッシュメモリなどの
記憶装置に用いることで、電源電圧の供給停止による記憶装置内のデータの消失を防ぐこ
とができる。また、電源電圧の供給を再開した後、短時間で電源供給停止前の状態に復帰
することができる。よって、プロセッサ全体、もしくはプロセッサを構成する一つ、また
は複数の論理回路において、短い時間でも電源停止を行うことができるため、消費電力を
抑えることができる。
記憶素子１２００をＣＰＵに用いる例として説明したが、記憶素子１２００は、ＤＳＰ（
Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、カスタムＬＳＩ、ＰＬＤ（Ｐｒ
ｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ）等のＬＳＩ、ＲＦ−ＩＤ（Ｒａｄｉ
ｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）にも応用可能である。
＜電子機器＞
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備
えた画像再生装置（代表的にはＤＶＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ
等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置）に用いること
ができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器と
して、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ
、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプ
レイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、デジタルオーディオ
プレイヤー等）、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ
払い機（ＡＴＭ）、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図３２に示
す。
図３２（Ａ）は携帯型ゲーム機であり、筐体９０１、筐体９０２、表示部９０３、表示部
９０４、マイクロフォン９０５、スピーカー９０６、操作キー９０７、スタイラス９０８
等を有する。なお、図３２（Ａ）に示した携帯型ゲーム機は、２つの表示部９０３と表示
部９０４とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、これに限定されない
。
図３２（Ｂ）は携帯データ端末であり、第１筐体９１１、第２筐体９１２、第１表示部９
１３、第２表示部９１４、接続部９１５、操作キー９１６等を有する。第１表示部９１３
は第１筐体９１１に設けられており、第２表示部９１４は第２筐体９１２に設けられてい
る。そして、第１筐体９１１と第２筐体９１２とは、接続部９１５により接続されており
、第１筐体９１１と第２筐体９１２の間の角度は、接続部９１５により変更が可能である
。第１表示部９１３における映像を、接続部９１５における第１筐体９１１と第２筐体９
１２との間の角度にしたがって、切り替える構成としてもよい。また、第１表示部９１３
および第２表示部９１４の少なくとも一方に、位置入力装置としての機能が付加された表
示装置を用いるようにしてもよい。なお、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッ
チパネルを設けることで付加することができる。または、位置入力装置としての機能は、
フォトセンサーとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加す
ることができる。
図３２（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体９２１、表示部９２２、キ
ーボード９２３、ポインティングデバイス９２４等を有する。
図３２（Ｄ）は電気冷凍冷蔵庫であり、筐体９３１、冷蔵室用扉９３２、冷凍室用扉９３
３等を有する。
図３２（Ｅ）はビデオカメラであり、第１筐体９４１、第２筐体９４２、表示部９４３、
操作キー９４４、レンズ９４５、接続部９４６等を有する。操作キー９４４およびレンズ
９４５は第１筐体９４１に設けられており、表示部９４３は第２筐体９４２に設けられて
いる。そして、第１筐体９４１と第２筐体９４２とは、接続部９４６により接続されてお
り、第１筐体９４１と第２筐体９４２の間の角度は、接続部９４６により変更が可能であ
る。表示部９４３における映像を、接続部９４６における第１筐体９４１と第２筐体９４
２との間の角度にしたがって切り替える構成としてもよい。
図３２（Ｆ）は普通自動車であり、車体９５１、車輪９５２、ダッシュボード９５３、ラ
イト９５４等を有する。
＜表示領域または発光領域に曲面を有する電子機器＞
以下では、本発明の一態様に係る電子機器の一例である表示領域または発光領域に曲面を
有する電子機器について、図３３を参照しながら説明する。なお、ここでは、電子機器の
一例として、情報機器、特に携帯性を有する情報機器（携帯機器）について説明する。携
帯性を有する情報機器としては、例えば、携帯電話機（ファブレット、スマートフォン（
スマホ））、タブレット端末（スレートＰＣ）なども含まれる。
図３３（Ａ−１）は、携帯機器１３００Ａの外形を説明する斜視図である。図３３（Ａ−
２）は、携帯機器１３００Ａの上面図である。図３３（Ａ−３）は、携帯機器１３００Ａ
の使用状態を説明する図である。
図３３（Ｂ−１）および図３３（Ｂ−２）は、携帯機器１３００Ｂの外形を説明する斜視
図である。
図３３（Ｃ−１）および図３３（Ｃ−２）は、携帯機器１３００Ｃの外形を説明する斜視
図である。
＜携帯機器＞
携帯機器１３００Ａは、例えば電話、電子メール作成閲覧、手帳または情報閲覧などの機
能から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。
携帯機器１３００Ａは、筐体の複数の面に沿って表示部が設けられている。例えば、可と
う性を有する表示装置を、筐体の内側に沿うように配置することで表示部を設ければよい
。これにより、文字情報や画像情報などを第１の領域１３１１または／および第２の領域
１３１２に表示することができる。
例えば、３つの操作の用に供する画像を第１の領域１３１１に表示することができる（図
３３（Ａ−１）参照。）。また、図中に破線の矩形で示すように文字情報などを第２の領
域１３１２に表示することができる（図３３（Ａ−２）参照。）。
携帯機器１３００Ａの上部に第２の領域１３１２を配置した場合、携帯機器１３００Ａを
洋服の胸ポケットに収納したままの状態で、携帯機器１３００Ａの第２の領域１３１２に
表示された文字や画像情報を、使用者は容易に確認することができる（図３３（Ａ−３）
参照。）。例えば、着信した電話の発信者の電話番号または氏名などを、携帯機器１３０
０Ａの上方から観察できる。
なお、携帯機器１３００Ａは、表示装置と筐体との間、表示装置内または筐体上に入力装
置などを有してもよい。入力装置は、例えば、タッチセンサー、光センサー、超音波セン
サーなどを用いればよい。入力装置を表示装置と筐体との間または筐体上に配置する場合
、マトリクススイッチ方式、抵抗膜方式、超音波表面弾性波方式、赤外線方式、電磁誘導
方式、静電容量方式などのタッチパネルを用いればよい。また、入力装置を表示装置内に
配置する場合、インセルタイプのセンサー、またはオンセルタイプのセンサーなどを用い
ればよい。
なお、携帯機器１３００Ａは、振動センサーなどと、当該振動センサーなどに検知された
振動に基づいて、着信を拒否するモードに移行するプログラムを記憶した記憶装置を備え
ることができる。これにより、使用者は携帯機器１３００Ａを洋服の上から軽く叩いて振
動を与えることにより着信を拒否するモードに移行させることができる。
携帯機器１３００Ｂは、第１の領域１３１１および第２の領域１３１２を有する表示部と
、表示部を支持する筐体１３１０を有する。
筐体１３１０は複数の屈曲部を備え、筐体１３１０が備える最も長い屈曲部が、第１の領
域１３１１と第２の領域１３１２に挟まれる。
携帯機器１３００Ｂは、最も長い屈曲部に沿って設けられた第２の領域１３１２を側面に
向けて使用することができる。
携帯機器１３００Ｃは、第１の領域１３１１および第２の領域１３１２を有する表示部と
、表示部を支持する筐体１３１０を有する。
筐体１３１０は複数の屈曲部を備え、筐体１３１０が備える二番目に長い屈曲部が、第１
の領域１３１１と第２の領域１３１２に挟まれる。
携帯機器１３００Ｃは、第２の領域１３１２を上部に向けて使用することができる。
なお、実施の形態中で述べる内容は、その一部と別の一部とに対して、適用、組み合わせ
、または置き換えなどを行うことができる。また、実施の形態中で述べる内容とは、様々
な図を用いて述べる内容、または明細書に記載される文を用いて述べる内容のことである
。
また、ある図の一部と、その図の別の一部と、別の図の一部と、を適宜組み合わせること
により、さらに多くの図を構成させることができる。
また、図や文において規定されていない内容について、その内容を除くことを規定した発
明の一態様を構成することができる。または、ある値について、上限値と下限値などで示
される数値範囲が記載されている場合、その範囲を任意に狭めることで、または、その範
囲の中の一点を除くことで、その範囲を一部除いた発明の一態様を規定することができる
。これらにより、例えば、従来技術が本発明の一態様の技術的範囲内に入らないことを規
定することができる。
具体例としては、ある回路において、第１乃至第５のトランジスタを用いている回路図が
記載されているとする。その場合、その回路が、第６のトランジスタを有していないこと
を発明として規定することが可能である。または、その回路が、容量素子を有していない
ことを規定することが可能である。さらに、その回路が、ある特定の接続構造をとってい
るような第６のトランジスタを有していない、と規定して発明を構成することができる。
または、その回路が、ある特定の接続構造をとっている容量素子を有していない、と規定
して発明を構成することができる。例えば、ゲートが第３のトランジスタのゲートと接続
されている第６のトランジスタを有していない、と発明を規定することが可能である。ま
たは、例えば、第１の電極が第３のトランジスタのゲートと接続されている容量素子を有
していない、と発明を規定することが可能である。
別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が３Ｖ以上１０Ｖ以下である
ことが好ましい」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が−２Ｖ以上１
Ｖ以下である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば
、ある電圧が１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である
。なお、例えば、その電圧が５Ｖ以上８Ｖ以下であると発明を規定することも可能である
。なお、例えば、その電圧が、概略９Ｖであると発明を規定することも可能である。なお
、例えば、その電圧が３Ｖ以上１０Ｖ以下であるが、９Ｖである場合を除くと発明を規定
することも可能である。なお、ある値について、「ある範囲であることが好ましい」など
と記載されていたとしても、ある値は、それらの記載に限定されない。つまり、「好まし
い」などと記載されていたとしても、それらの記載には限定されない。
別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が１０Ｖであることが好まし
い」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が−２Ｖ以上１Ｖ以下である
場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、ある電圧が
１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。
別の具体例としては、ある物質の性質について、例えば、「ある膜は絶縁膜である」と記
載されているとする。その場合、例えば、その絶縁膜が有機絶縁膜である場合を除く、と
発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、その絶縁膜が無機絶縁膜で
ある場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、その膜
が導電膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例え
ば、その膜が半導体膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。
別の具体例としては、ある積層構造について、例えば、「Ａ膜とＢ膜との間に、ある膜が
設けられている」と記載されているとする。その場合、例えば、その膜が、４層以上の積
層膜である場合を除く、と発明を規定することが可能である。または、例えば、Ａ膜とそ
の膜との間に、導電膜が設けられている場合を除く、と発明を規定することが可能である
。
なお、本明細書等においては、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（
容量素子、抵抗素子など）などが有するすべての端子について、その接続先を特定しなく
ても、当業者であれば、発明の一態様を構成することは可能な場合がある。つまり、接続
先を特定しなくても、発明の一態様が明確であるといえる。そして、接続先が特定された
内容が、本明細書等に記載されている場合、接続先を特定しない発明の一態様が、本明細
書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。特に、端子の接続先として複
数の箇所が想定される場合には、その端子の接続先を特定の箇所に限定しなくてもよい。
したがって、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（容量素子、抵抗素
子など）などが有する一部の端子についてのみ、その接続先を特定することによって、発
明の一態様を構成することが可能な場合がある。
なお、本明細書等においては、ある回路について、少なくとも接続先を特定すれば、当業
者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。または、ある回路について、少な
くとも機能を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。つ
まり、機能を特定すれば、発明の一態様が明確であるといえる。そして、機能が特定され
た発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。し
たがって、ある回路について、機能を特定しなくても、接続先を特定すれば、発明の一態
様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。または
、ある回路について、接続先を特定しなくても、機能を特定すれば、発明の一態様として
開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
なお、本明細書等においては、実施の形態のある項目において述べる図または文において
、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、あ
る部分を述べる図または文が記載されている場合、その一部分の図または文を取り出した
内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが
可能であるものとする。そして、その発明の一態様は明確であるといえる。そのため、例
えば、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、配線、受動素子（容量素子、抵抗素
子など）、導電体、絶縁体、半導体、有機物、無機物、部品、装置、動作方法、製造方法
などが記載された図または文において、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成す
ることが可能であるものとする。例えば、Ｎ個（Ｎは自然数）の回路素子（トランジスタ
、容量素子等）を有して構成される回路図から、Ｍ個（Ｍは自然数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素
子（トランジスタ、容量素子等）を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能であ
る。別の例としては、Ｎ個（Ｎは自然数）の層を有して構成される断面図から、Ｍ個（Ｍ
は自然数で、Ｍ＜Ｎ）の層を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。さ
らに別の例としては、Ｎ個（Ｎは自然数）の要素を有して構成されるフローチャートから
、Ｍ個（Ｍは自然数で、Ｍ＜Ｎ）の要素を抜き出して、発明の一態様を構成することは可
能である。さらに別の例としては、「Ａは、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ＥまたはＦを有する」と記載さ
れている文から、一部の要素を任意に抜き出して、「Ａは、ＢとＥとを有する」、「Ａは
、ＥとＦとを有する」、「Ａは、ＣとＥとＦとを有する」、または、「Ａは、ＢとＣとＤ
とＥとを有する」などの発明の一態様を構成することは可能である。
なお、本明細書等においては、実施の形態において述べる図または文において、少なくと
も一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すことは、当業者であ
れば容易に理解される。したがって、実施の形態において述べる図または文において、少
なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念も、発明の一態様として
開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。そして、その発
明の一態様は、明確であるといえる。
なお、本明細書等においては、少なくとも図に記載した内容は、発明の一態様として開示
されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。したがって、ある内
容について、図に記載されていれば、文を用いて述べていなくても、その内容は、発明の
一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。同
様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様として開示されているものであ
り、発明の一態様を構成することが可能である。そして、その発明の一態様は明確である
といえる。
本実施例では、本発明の一態様に係る半導体装置の断面形状について、断面ＴＥＭ像によ
って評価した。
以下では、図３７を用いて試料の作製方法を説明する。なお、図３７（Ａ）、図３７（Ｂ
）、図３７（Ｃ）および図３７（Ｄ）には試料の断面ＴＥＭ像を示す。また、図３７（Ｅ
）には、試料の作製方法のフローチャートを示す。
まずは、ガラス基板を準備した。次に、該ガラス基板上にＰＥＣＶＤ法によって厚さが１
００ｎｍの窒化シリコンを成膜した。次に、該窒化シリコン上にＰＥＣＶＤ法によって厚
さが４００ｎｍの酸化窒化シリコンを成膜した。次に、該酸化窒化シリコン上にスパッタ
リング法によって厚さが５０ｎｍの酸化物半導体（ＯＳとも表記する。）を成膜した。次
に、該酸化物半導体上にＰＥＣＶＤ法によって厚さが１００ｎｍの酸化窒化シリコン（Ｓ
ｉＯＮとも表記する。）を成膜した。次に、該酸化窒化シリコン上にスパッタリング法に
よって厚さが３０ｎｍの窒化タンタルを成膜した。次に、該窒化タンタル上にスパッタリ
ング法によって厚さが１５０ｎｍのタングステンを成膜した。
なお、酸化物半導体の成膜は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：５：６［原子数比］のターゲット
を用いて行った。
次に、該タングステン上にレジストマスクを形成した（図３７（Ｅ）ステップＳ１０１参
照。）。ここで抜き出した試料の断面ＴＥＭ像を図３７（Ａ）に示す。
次に、レジストマスクを用いてタングステンおよび窒化タンタルの一部をエッチングした
（図３７（Ｅ）ステップＳ１０２参照。）。ここで抜き出した試料の断面ＴＥＭ像を図３
７（Ｂ）に示す。
なお、エッチングは、３段階に分けて行った。まず、第１段階として、１６０ｓｃｃｍの
塩素ガス、３２０ｓｃｃｍの六フッ化硫黄ガスおよび８０ｓｃｃｍの酸素ガスを用い、圧
力を０．６Ｐａとして、試料側に２５０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、かつ試料と向
かい合うコイル型電極に９０００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）を印加することで、タングステ
ンをエッチングした。このとき、タングステンを完全にエッチングせず、窒化タンタルが
露出しない程度に時間を調整した。
次に、第２段階として、３２０ｓｃｃｍの塩素ガス、１６０ｓｃｃｍの六フッ化硫黄ガス
および２４０ｓｃｃｍの酸素ガスを用い、圧力を０．６Ｐａとして、試料側に１０００Ｗ
（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、かつ試料と向かい合うコイル型電極に９０００Ｗ（１３
．５６ＭＨｚ）を印加することで、残りのタングステンをエッチングした。第２段階は、
タングステンのエッチング速度に対して窒化タンタルのエッチング速度が遅い条件である
ことから、第２段階を有することで試料面内におけるエッチング量のばらつきを低減する
ことができる。
次に、第３段階として、５４０ｓｃｃｍの塩素ガスおよび５４０ｓｃｃｍの六フッ化硫黄
ガスを用い、圧力を３．０Ｐａとして、試料と向かい合うコイル型電極に３０００Ｗ（１
３．５６ＭＨｚ）を印加することで、窒化タンタルをエッチングした。第３段階は、窒化
タンタルのエッチング速度に対して酸化窒化シリコンのエッチング速度が遅い条件である
ことから、試料面内におけるエッチング量のばらつきを低減することができる。なお、３
段階のエッチングは、試料側電極の温度を８０℃として行った。
以上のようにして、タングステンおよび窒化タンタルの一部をエッチングした。
次に、レジストマスク、ならびにタングステンおよび窒化タンタルをマスクに用い、酸化
窒化シリコンの一部をエッチングするとともに、タングステンおよび窒化タンタルの端部
がテーパー角を有するように加工した（図３７（Ｅ）ステップＳ１０３参照。）。ここで
抜き出した試料の断面ＴＥＭ像を図３７（Ｃ）に示す。
なお、エッチングの条件は、２４０ｓｃｃｍの四フッ化炭素ガスおよび１６０ｓｃｃｍの
酸素ガスを用い、圧力を０．８Ｐａとして、試料側に１０００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）を
印加し、かつ試料と向かい合うコイル型電極に７０００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）を印加す
ることで、酸化窒化シリコンをエッチングした。この条件は、酸化窒化シリコンのエッチ
ング速度に対して酸化物半導体のエッチング速度が遅い条件であることから、試料面内に
おけるエッチング量のばらつきを低減することができる。なお、エッチングは、試料側電
極の温度を１０℃として行った。
図３７（Ｃ）より、窒化タンタルの上面と、タングステンの側面と、の為すテーパー角は
およそ４０°であった。また、酸化窒化シリコンの上面と、窒化タンタルの側面と、の為
すテーパー角はおよそ３１°であった。また、酸化物半導体の上面と、酸化窒化シリコン
の側面と、の為すテーパー角はおよそ８４°であった。
図３７（Ｃ）に示した断面形状は、図１６に示した断面形状に相当する。具体的には、図
３７（Ｃ）に示す酸化窒化シリコンが図１６に示す絶縁体１１２に相当する。また、図３
７（Ｃ）に示す窒化タンタルが図１６に示す導電体１１４ａに相当する。また、図３７（
Ｃ）に示すタングステンが図１６に示す導電体１１４ｂに相当する。
図３７（Ｃ）の試料に対し、さらに６０秒間、２４０ｓｃｃｍの四フッ化炭素ガスおよび
１６０ｓｃｃｍの酸素ガスを用い、圧力を０．８Ｐａとして、試料側に１０００Ｗ（１３
．５６ＭＨｚ）を印加し、かつ試料と向かい合うコイル型電極に７０００Ｗ（１３．５６
ＭＨｚ）を印加することで、酸化窒化シリコンをエッチングした。この条件は、酸化窒化
シリコンのエッチング速度に対して酸化物半導体のエッチング速度が遅い条件であること
から、試料面内におけるエッチング量のばらつきを低減することができる。なお、エッチ
ングは、試料側電極の温度を１０℃として行った。
酸化窒化シリコンと、窒化タンタルと、タングステンと、のエッチング速度の関係から、
酸化窒化シリコンの端部が円弧状になり、かつ窒化タンタルがタングステンから迫り出し
た形状となる（図３７（Ｅ）ステップＳ１０４参照。）。
その後、厚さが１００ｎｍの窒化シリコンと、厚さが３００ｎｍの酸化窒化シリコンを成
膜した試料の断面ＴＥＭ像は図３７（Ｄ）に示す。
図３７（Ｄ）より、窒化タンタルの上面と、タングステンの側面と、の為すテーパー角は
およそ８２°であった。また、酸化窒化シリコンの上面と、窒化タンタルの側面と、の為
すテーパー角はおよそ２３°であった。また、酸化物半導体の上面と、酸化窒化シリコン
の側面と、の為すテーパー角はおよそ５５°であった。
１００ 基板
１０１ 絶縁体
１０２ 絶縁体
１０２ａ 絶縁体
１０２ｂ 絶縁体
１０４ 導電体
１０４ａ 導電体
１０４ａ１ 導電体
１０４ａ２ 導電体
１０４ｂ 導電体
１０４ｂ１ 導電体
１０４ｂ２ 導電体
１０４ｃ 導電体
１０４ｄ 導電体
１０４ｅ 導電体
１０４ｆ 導電体
１０６ 半導体
１０６ａ 半導体
１０６ｂ 半導体
１０６ｃ 半導体
１０７ａ 領域
１０７ａ１ 領域
１０７ａ２ 領域
１０７ａ３ 領域
１０７ｂ 領域
１０７ｂ１ 領域
１０７ｂ２ 領域
１０７ｂ３ 領域
１０７ｃ 領域
１０７ｄ 領域
１０７ｅ 領域
１０７ｆ 領域
１０８ 絶縁体
１１２ 絶縁体
１１３ 保護膜
１１４ 導電体
１１４ａ 導電体
１１４ｂ 導電体
１１５ａ 導電体
１１５ｂ 導電体
１１６ａ 導電体
１１６ａ１ 導電体
１１６ａ２ 導電体
１１６ｂ 導電体
１１６ｂ１ 導電体
１１６ｂ２ 導電体
１１６ｃ 導電体
１１６ｃ１ 導電体
１１６ｃ２ 導電体
１１６ｄ 導電体
１１６ｅ 導電体
１１６ｆ 導電体
１１８ 絶縁体
１２８ 絶縁体
１３２ 絶縁体
１３８ 絶縁体
１４８ 絶縁体
１５０ トランジスタ
１６０ 容量素子
２００ ペレット
２００ａ ペレット
２００ｂ ペレット
２０１ イオン
２２０ 基板
２３０ ターゲット
５００ トランジスタ
５０１ 基板
５０２ 基板
５０４Ｂ 発光素子
５０４Ｇ 発光素子
５０４Ｒ 発光素子
５０４Ｗ 発光素子
５０６ 導電体
５０７ 導電体
５０８ 隔壁
５０９ スペーサ
５１０ 発光層
５１２ 導電体
５１４Ｂ 着色層
５１４Ｇ 着色層
５１４Ｒ 着色層
５１４Ｗ 着色層
５１６ 基板
５１８ 封止膜
５２０ 領域
８００ ＲＦタグ
８０１ 通信器
８０２ アンテナ
８０３ 無線信号
８０４ アンテナ
８０５ 整流回路
８０６ 定電圧回路
８０７ 復調回路
８０８ 変調回路
８０９ 論理回路
８１０ 記憶回路
８１１ ＲＯＭ
９０１ 筐体
９０２ 筐体
９０３ 表示部
９０４ 表示部
９０５ マイクロフォン
９０６ スピーカー
９０７ 操作キー
９０８ スタイラス
９１１ 筐体
９１２ 筐体
９１３ 表示部
９１４ 表示部
９１５ 接続部
９１６ 操作キー
９２１ 筐体
９２２ 表示部
９２３ キーボード
９２４ ポインティングデバイス
９３１ 筐体
９３２ 冷蔵室用扉
９３３ 冷凍室用扉
９４１ 筐体
９４２ 筐体
９４３ 表示部
９４４ 操作キー
９４５ レンズ
９４６ 接続部
９５１ 車体
９５２ 車輪
９５３ ダッシュボード
９５４ ライト
１１８９ ＲＯＭインターフェース
１１９０ 基板
１１９１ ＡＬＵ
１１９２ ＡＬＵコントローラ
１１９３ インストラクションデコーダ
１１９４ インタラプトコントローラ
１１９５ タイミングコントローラ
１１９６ レジスタ
１１９７ レジスタコントローラ
１１９８ バスインターフェース
１１９９ ＲＯＭ
１２００ 記憶素子
１２０１ 回路
１２０２ 回路
１２０３ スイッチ
１２０４ スイッチ
１２０６ 論理素子
１２０７ 容量素子
１２０８ 容量素子
１２０９ トランジスタ
１２１０ トランジスタ
１２１３ トランジスタ
１２１４ トランジスタ
１２２０ 回路
１３００Ａ 携帯機器
１３００Ｂ 携帯機器
１３００Ｃ 携帯機器
１３１０ 筐体
１３１１ 領域
１３１２ 領域
２１００ トランジスタ
２２００ トランジスタ
３００１ 配線
３００２ 配線
３００３ 配線
３００４ 配線
３００５ 配線
３２００ トランジスタ
３３００ トランジスタ
３４００ 容量素子
４０００ ＲＦタグ
５０００ 基板
５００１ 画素部
５００２ 走査線駆動回路
５００３ 走査線駆動回路
５００４ 信号線駆動回路
５０１０ 容量配線
５０１２ ゲート配線
５０１３ ゲート配線
５０１４ ソース電極またはドレイン電極
５０１６ トランジスタ
５０１７ トランジスタ
５０１８ 液晶素子
５０１９ 液晶素子
５０２０ 画素
５０２１ スイッチング用トランジスタ
５０２２ 駆動用トランジスタ
５０２３ 容量素子
５０２３Ａ 容量素子
５０２３Ｂ 容量素子
５０２４ 発光素子
５０２５ 信号線
５０２６ 走査線
５０２７ 電源線
５０２８ 共通電極
５１００ ペレット
５１１１ 画素
５１２０ 基板
５１５４ 発光素子
５１５５ トランジスタ
５１５６ トランジスタ
５１５７ トランジスタ
５１５８ 容量素子
５１６１ 領域
５２１１ 画素
５２１４ 発光素子
５２１５ トランジスタ
５２１６ トランジスタ
５２１７ トランジスタ
５２１８ 容量素子
５２１９ トランジスタ
５３１１ 画素
５３１４ 発光素子
５３１５ トランジスタ
５３１６ トランジスタ
５３１７ トランジスタ
５３１８ 容量素子
５３１９ トランジスタ
５３２０ トランジスタ
５４１１ 画素
５４１４ 発光素子
５４１５ トランジスタ
５４１６ トランジスタ
５４１７ トランジスタ
５４１８ 容量素子
５４４０ トランジスタ
５４４１ トランジスタ
５４４２ トランジスタ
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ セル
８００７ バックライトユニット
８００８ 光源
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリー

Claims (8)

  1. 基板上の第１のゲート電極及び第１の導電体と、
    前記第１のゲート電極上及び前記第１の導電体上の第１の絶縁体と、
    前記第１の絶縁体上の第２の絶縁体と、
    前記第２の絶縁体上の、前記第１のゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体と、
    前記酸化物半導体上の第３の絶縁体と、
    前記第３の絶縁体上の、前記酸化物半導体と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
    前記第２のゲート電極と重なる領域と、前記第１の導電体と重なる領域と、を有する第４の絶縁体と、
    前記第４の絶縁体上の第５の絶縁体と、
    前記第５の絶縁体上の、前記酸化物半導体に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
    前記第５の絶縁体上の第２の導電体と、を有し、
    前記第２の絶縁体は、前記第１の導電体と重なる領域に第１の開口部を有し、
    前記第５の絶縁体は、前記第１の開口部と重なる領域に第２の開口部を有し、
    前記第２の導電体は、前記第２の開口部を介して前記第４の絶縁体の上面と接する領域を有し、かつ、前記第１の絶縁体及び前記第４の絶縁体を介して、前記第１の導電体と重なる領域を有し、
    前記第１の導電体は、前記第１のゲート電極と同一層上に設けられ、かつ同一材料を有し、
    前記第２の導電体は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一層上に設けられ、かつ同一材料を有し、
    前記第１の導電体は、容量の一方の電極として機能する領域を有し、
    前記第２の導電体は、前記容量の他方の電極として機能する領域を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１において、
    前記第１の絶縁体及び前記第４の絶縁体の各々は、窒化シリコンを有し、
    前記第２の絶縁体及び前記第５の絶縁体の各々は、酸化シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々は、前記第２のゲート電極と重なる領域を有さないことを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記酸化物半導体のチャネル幅方向において、前記第２のゲート電極は、前記酸化物半導体を乗り越える形状を有し、
    前記第１のゲート電極は、前記第１の絶縁体を介して、前記酸化物半導体の下面に面する形状を有することを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記酸化物半導体のチャネル長方向において、前記第３の絶縁体は、前記第２のゲート電極よりも迫り出した形状を有することを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項５において、
    前記酸化物半導体のチャネル長方向において、前記第３の絶縁体は、端部の断面形状が円弧となる領域を有することを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記第２のゲート電極は、第１の導電層と、第２の導電層と、を有し、
    前記第２の導電層は、前記第１の導電層の上面と接する領域を有し、
    前記酸化物半導体のチャネル長方向において、前記第１の導電層は、前記第２の導電層よりも迫り出した形状を有することを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
    前記酸化物半導体のチャネル長方向において、前記第２の導電層は、前記第１の導電層よりも切り立った形状を有することを特徴とする半導体装置。
JP2018213610A 2014-02-05 2018-11-14 半導体装置 Active JP6700368B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020079954A JP6982655B2 (ja) 2014-02-05 2020-04-30 半導体装置
JP2021188262A JP7274553B2 (ja) 2014-02-05 2021-11-19 半導体装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014020542 2014-02-05
JP2014020542 2014-02-05
JP2014050588 2014-03-13
JP2014050588 2014-03-13

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015021220A Division JP6437331B2 (ja) 2014-02-05 2015-02-05 半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020079954A Division JP6982655B2 (ja) 2014-02-05 2020-04-30 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019041122A true JP2019041122A (ja) 2019-03-14
JP6700368B2 JP6700368B2 (ja) 2020-05-27

Family

ID=53755532

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015021220A Active JP6437331B2 (ja) 2014-02-05 2015-02-05 半導体装置
JP2018213610A Active JP6700368B2 (ja) 2014-02-05 2018-11-14 半導体装置
JP2020079954A Active JP6982655B2 (ja) 2014-02-05 2020-04-30 半導体装置
JP2021188262A Active JP7274553B2 (ja) 2014-02-05 2021-11-19 半導体装置
JP2023075474A Active JP7478882B2 (ja) 2014-02-05 2023-05-01 発光装置
JP2024068847A Pending JP2024097799A (ja) 2014-02-05 2024-04-22 発光装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015021220A Active JP6437331B2 (ja) 2014-02-05 2015-02-05 半導体装置

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020079954A Active JP6982655B2 (ja) 2014-02-05 2020-04-30 半導体装置
JP2021188262A Active JP7274553B2 (ja) 2014-02-05 2021-11-19 半導体装置
JP2023075474A Active JP7478882B2 (ja) 2014-02-05 2023-05-01 発光装置
JP2024068847A Pending JP2024097799A (ja) 2014-02-05 2024-04-22 発光装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9705002B2 (ja)
JP (6) JP6437331B2 (ja)
KR (5) KR102307729B1 (ja)
TW (1) TWI665778B (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6523695B2 (ja) 2014-02-05 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015188062A (ja) 2014-02-07 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
US10032924B2 (en) 2014-03-31 2018-07-24 The Hong Kong University Of Science And Technology Metal oxide thin film transistor with channel, source and drain regions respectively capped with covers of different gas permeability
CN113793872A (zh) 2014-12-10 2021-12-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
CN104576760A (zh) * 2015-02-02 2015-04-29 合肥鑫晟光电科技有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
US9960281B2 (en) * 2015-02-09 2018-05-01 The Hong Kong University Of Science And Technology Metal oxide thin film transistor with source and drain regions doped at room temperature
US9653613B2 (en) * 2015-02-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI650817B (zh) * 2015-08-28 2019-02-11 聯華電子股份有限公司 半導體元件及其製作方法
US9881956B2 (en) 2016-05-06 2018-01-30 International Business Machines Corporation Heterogeneous integration using wafer-to-wafer stacking with die size adjustment
US20170338252A1 (en) * 2016-05-17 2017-11-23 Innolux Corporation Display device
WO2018020350A1 (en) * 2016-07-26 2018-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10411003B2 (en) 2016-10-14 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102660829B1 (ko) * 2016-10-20 2024-04-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
EP3559995B1 (en) * 2016-12-22 2023-03-22 Quantum-Si Incorporated Integrated photodetector with direct binning pixel
US10504939B2 (en) 2017-02-21 2019-12-10 The Hong Kong University Of Science And Technology Integration of silicon thin-film transistors and metal-oxide thin film transistors
WO2018163012A1 (ja) * 2017-03-10 2018-09-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法
US11391626B2 (en) 2018-06-22 2022-07-19 Quantum-Si Incorporated Integrated photodetector with charge storage bin of varied detection time
US11398560B2 (en) * 2018-09-26 2022-07-26 Intel Corporation Contact electrodes and dielectric structures for thin film transistors
CN209000913U (zh) * 2018-11-06 2019-06-18 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
WO2020222062A1 (ja) * 2019-04-29 2020-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法
KR102708740B1 (ko) 2019-12-26 2024-09-20 엘지디스플레이 주식회사 산화물 반도체층 및 실리콘 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치
JP7387475B2 (ja) 2020-02-07 2023-11-28 キオクシア株式会社 半導体装置及び半導体記憶装置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11103066A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US20010019859A1 (en) * 1997-09-29 2001-09-06 Shunpei Yamazaki Semiconductor device and fabrication method thereof
US20010041392A1 (en) * 2000-05-12 2001-11-15 Hideomi Suzawa Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2002050636A (ja) * 2000-05-12 2002-02-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US20020175328A1 (en) * 2001-03-27 2002-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2002359376A (ja) * 2001-03-27 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2007293071A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置および電子機器
US20070272982A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-29 Epson Imaging Devices Corporation Electro-optical apparatus, electronic apparatus, and method of manufacturing electro-optical apparatus
WO2010024050A1 (ja) * 2008-08-27 2010-03-04 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機
JP2011071476A (ja) * 2009-08-25 2011-04-07 Canon Inc 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを用いた表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法
US20120032173A1 (en) * 2010-08-03 2012-02-09 Canon Kabushiki Kaisha Top gate thin film transistor and display apparatus including the same
US20120044434A1 (en) * 2010-08-19 2012-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate and fabricating method thereof

Family Cites Families (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3298974B2 (ja) 1993-03-23 2002-07-08 電子科学株式会社 昇温脱離ガス分析装置
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
WO1997006554A2 (en) 1995-08-03 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP2001007342A (ja) * 1999-04-20 2001-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4011304B2 (ja) * 2000-05-12 2007-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4118602B2 (ja) * 2001-05-23 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US6734463B2 (en) * 2001-05-23 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a window
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
WO2003040441A1 (en) 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4021194B2 (ja) * 2001-12-28 2007-12-12 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ装置の製造方法
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4094324B2 (ja) * 2002-04-05 2008-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP3989763B2 (ja) * 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
US7307317B2 (en) * 2003-04-04 2007-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, CPU, image processing circuit and electronic device, and driving method of semiconductor device
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
KR101078483B1 (ko) 2004-03-12 2011-10-31 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 Lcd 또는 유기 el 디스플레이의 스위칭 소자
JP5025095B2 (ja) * 2004-05-07 2012-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7521368B2 (en) * 2004-05-07 2009-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
TWI467531B (zh) 2004-09-16 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置和其驅動方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
EP1810335B1 (en) 2004-11-10 2020-05-27 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
CA2585071A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
KR100939998B1 (ko) 2004-11-10 2010-02-03 캐논 가부시끼가이샤 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI445178B (zh) 2005-01-28 2014-07-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI412138B (zh) 2005-01-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
JP5121145B2 (ja) * 2005-03-07 2013-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
JP5647757B2 (ja) 2005-06-30 2015-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、発光装置、モジュール、及び電子機器
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
EP1998374A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101667544B (zh) 2005-11-15 2012-09-05 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
KR101496148B1 (ko) 2008-05-15 2015-02-27 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
KR100963026B1 (ko) * 2008-06-30 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP5397759B2 (ja) 2009-07-17 2014-01-22 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置
KR20110022507A (ko) 2009-08-27 2011-03-07 엘지전자 주식회사 광학 어셈블리, 그를 구비한 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
WO2011070901A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5705559B2 (ja) * 2010-06-22 2015-04-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
KR101108176B1 (ko) * 2010-07-07 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 더블 게이트형 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
CN107947763B (zh) 2010-08-06 2021-12-28 株式会社半导体能源研究所 半导体集成电路
JP5626978B2 (ja) 2010-09-08 2014-11-19 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置
TWI535014B (zh) 2010-11-11 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101695398B1 (ko) 2010-12-01 2017-01-11 삼성에스디에스 주식회사 서브 단말에서의 홈 오토메이션 구성 기기 제어 장치 및 방법
US8883556B2 (en) * 2010-12-28 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9443984B2 (en) * 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2012146805A (ja) * 2011-01-12 2012-08-02 Sony Corp 放射線撮像装置、放射線撮像表示システムおよびトランジスタ
JP6016532B2 (ja) 2011-09-07 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2013039126A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6091905B2 (ja) 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9735280B2 (en) * 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
JP6087672B2 (ja) * 2012-03-16 2017-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013247270A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Sony Corp 撮像装置および撮像表示システム
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP6523695B2 (ja) 2014-02-05 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11103066A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US20010019859A1 (en) * 1997-09-29 2001-09-06 Shunpei Yamazaki Semiconductor device and fabrication method thereof
KR20050095816A (ko) * 1997-09-29 2005-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US20010041392A1 (en) * 2000-05-12 2001-11-15 Hideomi Suzawa Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2002050636A (ja) * 2000-05-12 2002-02-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US20020175328A1 (en) * 2001-03-27 2002-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2002359376A (ja) * 2001-03-27 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2007293071A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置および電子機器
US20070262352A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-15 Epson Imaging Devices Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
JP2007316110A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
US20070272982A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-29 Epson Imaging Devices Corporation Electro-optical apparatus, electronic apparatus, and method of manufacturing electro-optical apparatus
WO2010024050A1 (ja) * 2008-08-27 2010-03-04 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機
KR20110045080A (ko) * 2008-08-27 2011-05-03 샤프 가부시키가이샤 액티브 매트릭스 기판, 액정 패널, 액정 표시 장치, 액정 표시 유닛, 텔레비전 수상기
US20110149179A1 (en) * 2008-08-27 2011-06-23 Toshihide Tsubata Active matrix substrate, liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit, and television receiver
CN102132202A (zh) * 2008-08-27 2011-07-20 夏普株式会社 有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机
JP2011071476A (ja) * 2009-08-25 2011-04-07 Canon Inc 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを用いた表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法
US20120032173A1 (en) * 2010-08-03 2012-02-09 Canon Kabushiki Kaisha Top gate thin film transistor and display apparatus including the same
JP2012033836A (ja) * 2010-08-03 2012-02-16 Canon Inc トップゲート型薄膜トランジスタ及びこれを備えた表示装置
US20120044434A1 (en) * 2010-08-19 2012-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate and fabricating method thereof
KR20120017701A (ko) * 2010-08-19 2012-02-29 삼성전자주식회사 표시 기판 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023104930A (ja) 2023-07-28
US9705002B2 (en) 2017-07-11
US20170271520A1 (en) 2017-09-21
TW201535673A (zh) 2015-09-16
KR20240035977A (ko) 2024-03-19
JP2022033792A (ja) 2022-03-02
JP7478882B2 (ja) 2024-05-07
JP2015188064A (ja) 2015-10-29
JP7274553B2 (ja) 2023-05-16
US10096721B2 (en) 2018-10-09
KR102584384B1 (ko) 2023-10-05
KR20230141710A (ko) 2023-10-10
JP2020145443A (ja) 2020-09-10
JP2024097799A (ja) 2024-07-19
KR102381183B1 (ko) 2022-04-01
KR20210119934A (ko) 2021-10-06
JP6700368B2 (ja) 2020-05-27
KR20150092707A (ko) 2015-08-13
KR102646595B1 (ko) 2024-03-13
TWI665778B (zh) 2019-07-11
US20150221775A1 (en) 2015-08-06
JP6982655B2 (ja) 2021-12-17
JP6437331B2 (ja) 2018-12-12
KR20220042342A (ko) 2022-04-05
KR102307729B1 (ko) 2021-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7478882B2 (ja) 発光装置
JP6619074B2 (ja) 半導体装置
JP6937957B1 (ja) 半導体装置、表示装置、表示モジュール、及び電子機器
JP6446258B2 (ja) トランジスタ
JP6694933B2 (ja) 半導体装置
JP2019165230A (ja) 半導体装置の作製方法
JP6570817B2 (ja) 半導体装置
JP2015135961A (ja) 半導体装置
JP6440457B2 (ja) 半導体装置
JP6474625B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2016119465A (ja) 結晶性半導体膜の作成方法、および半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181211

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190917

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200331

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200430

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6700368

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250