[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2018205682A - 露光装置 - Google Patents

露光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018205682A
JP2018205682A JP2017188905A JP2017188905A JP2018205682A JP 2018205682 A JP2018205682 A JP 2018205682A JP 2017188905 A JP2017188905 A JP 2017188905A JP 2017188905 A JP2017188905 A JP 2017188905A JP 2018205682 A JP2018205682 A JP 2018205682A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical system
light
optical
light source
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017188905A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6951926B2 (ja
Inventor
純一 田巻
Junichi Tamaki
純一 田巻
宏行 松▲崎▼
Hiroyuki Matsuzaki
宏行 松▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Orc Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Orc Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Orc Manufacturing Co Ltd filed Critical Orc Manufacturing Co Ltd
Priority to CN201811105201.2A priority Critical patent/CN109581820B/zh
Publication of JP2018205682A publication Critical patent/JP2018205682A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6951926B2 publication Critical patent/JP6951926B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/201Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70191Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】 放電ランプを備えた露光装置において、解像性を損なうことなく、所望するスペクトル分布の光によって、マスク、光変調素子アレイなどを照明する。【解決手段】 放電ランプ20Dと楕円ミラー20Mを設けた光源部20と、照明光学系11とを備えた露光装置1において、照明光学系11が、光学フィルタ13A〜13C、集光レンズ14、ロッドレンズ15、リレー光学系16から構成され、この順で光源部側から配置される。【選択図】図2

Description

本発明は、フォトマスクや光変調素子アレイなどを用いて、フォトレジスト層(感光材料)を表面に形成した基板に対してパターンを投影する露光装置に関し、特に、照明光学系の構成に関する。
投影露光装置(ステッパーなど)、マスクレス露光装置などでは、光源から放射される光が照明光学系を通ってフォトマスク、光変調素子アレイなどに導かれる。フォトマスク、光変調素子アレイを透過、あるいは反射した光は、投影光学系によって基板表面上に結像し、パターン光が基板に投影される。光源は、例えば放電ランプを適用することが可能である。
基板表面に形成されるフォトレジストの感度特性は、フォトレジストの材質などによって相違する。そのため、ある特定波長域を含めた光を基板に照射させると、パターン解像度などに支障をきたす場合がある。しかしながら、放電ランプから放射される光は、一般的に436nm(g線)、405nm(h線)、365nm(i線)にそれぞれピーク(輝線)をもつ連続的で広範囲のスペクトル分布をもつ。
そのため、特定波長域の紫外線強度を低減する光学フィルタを照明光学系内に設ける構成が知られている。光学フィルタを光路上に配置することによって、フォトレジストの感度特性に適した光強度分布をもつパターン光が、基板に投影される(特許文献1参照)。
特開2001−296666号公報
光が収束あるいは拡散している状態でフィルタに入射すると、フィルタ表面における入射角度が入射位置によって大きく相違する。その結果、フィルタの入射角度依存性による減衰波長域のずれが生じ、波長シフトのバランスが変化してしまう。特に、複数の輝線をもつ連続的な光強度分布をもつ場合、波長シフトが生じやすい。その結果、フォトレジストに適した光強度分布が得られず、パターン解像度の低下を招く。
したがって、特定波長域の光強度を低減するフィルタを用いて、フォトレジストに適した光強度分布を得ることができる照明光学系が求められる。
本発明の露光装置は、マスクレス露光装置、投影露光装置(ステッパーなど)、コンタクト露光装置として構成可能であり、連続的な光強度分布をもつ光を放射する光源と、楕円ミラーを備えた光源部と、前記光源部からの光によって照射面を照明する照明光学系とを備える。
本発明の照明光学系は、前記光源部からの光を集光させる集光光学系と、前記集光光学系からの光が入射し、照度を均一にする照度均一化光学系と、前記集光光学系よりも光源部側に配置され、光路と光路外との間で移動可能であって、所定波長域の光強度を減衰させる光学フィルタとを備え、前記集光光学系が、前記楕円ミラーの第2焦点位置よりも光源部側に配置されている。
集光光学系は、屈折型光学系として構成することが可能であり、例えば凸レンズで構成可能である。また、照度均一化光学系は、ロッドレンズを含むようにすることができる。放電ランプは、例えば、g線、h線、i線を含む光を放射し、前記光学フィルタが、g線、h線、i線の少なくとも1つの輝線を含む波長域の光強度を減衰させる。
前記光学フィルタに光が入射するときの前記照明光学系の光軸となす最大入射角度Θaは、前記照度均一化光学系に光が入射するときの光軸となす最大入射角度Θbよりも小さくなるように構成することができる。また、集光光学系の集光角は、前記照明光学系のNAよりも大きくすることが可能である。あるいは、集光光学系と前記照度均一化光学系の入射面との距離間隔が、前記集光光学系の焦点距離よりも短くなるようにすることができる。
照度均一化光学系と前記照射面との間に配置され、前記照度均一化光学系の射出面の像をと前記照射面に投影するリレー光学系を設けることが可能である。リレー光学系は、前記照度均一化光学系の射出面に対して等倍もしくは所定の拡大率で前記照射面を照明することができる。
前記光学フィルタは、互いに異なる波長域の光を減衰させる複数の光学フィルタから構成することが可能であり、前記複数の光学フィルタの光路上への挿入量を調整するフィルタ挿入量調整部を備えることができる。そして、複数の光学フィルタのうち相対的に低減波長域の短い光学フィルタが、相対的に低減波長域の長い光学フィルタよりも光源部側に配置されるようにすることができる。例えば複数の光学フィルタが、低減波長域の短い順で光源部側から配置可能である。
複数の光学フィルタを配置する場合、反射した光が他の光学フィルタに当たり、劣化を招く。これを防ぐため、波長のより短い光を低減する光学フィルタを光源部側に配置することにより、劣化を抑えることができる。これは、以下のような照明光学系を備えた露光装置によっても実現できる。
すなわち露光装置は、連続的な光強度分布をもつ光を放射する光源部と、前記光源部からの光によって照射面を照明する照明光学系とを備え、前記照明光学系が、互いに異なる波長域の光を減衰させる複数の光学フィルタと、複数の光学フィルタの光路上への挿入量を調整するフィルタ挿入量調整部とを備え、複数の光学フィルタのうち相対的に低減波長域の短い光学フィルタが、相対的に低減波長域の長い光学フィルタよりも光源部側に配置される。
本発明の他の態様における露光装置は、連続的な光強度分布をもつ光を放射する光源と、放物面ミラーを備えた光源部と、前記光源部からの光によって照射面を照明する照明光学系とを備え、前記照明光学系が、前記光源部からの光を集光させる集光光学系と、前記集光光学系からの光が入射し、照度を均一にする照度均一化光学系と、前記集光光学系よりも光源部側に配置され、光路と光路外との間で移動可能であって、所定波長域の光強度を減衰させる光学フィルタとを備える。
本発明によれば、放電ランプを備えた露光装置において、解像性を損なうことなく、所望するスペクトル分布の光によって、マスク、光変調素子アレイなどを照明することができる。
第1の実施形態による露光装置の全体構成を示すブロック図である。 照明光学系の構成を示した図である。 光学フィルタの挿入距離と、光学フィルタに入射する光の見かけの入射角度との関係を示した図である。 光学フィルタの挿入距離と、光学フィルタに入射する光の見かけの入射角度との関係を、図3Aとは異なる挿入距離で示した図である。 光源部から放射される光の分光分布曲線を示した図である。 1つの光学フィルタを挿入した場合のスペクトル分布を示した図である。 他の光学フィルタを挿入した場合のスペクトル分布を示した図である。 残りの光学フィルタを挿入した場合のスペクトル分布を示した図である。 第2の実施形態である露光装置のブロック図である。 第3の実施形態である露光装置のブロック図である。
以下では、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図1は、第1の実施形態による露光装置の全体構成を示すブロック図である。
露光装置1は、フォトレジストなどの感光材料を表面に形成した基板Wにパターンを露光するダイレクト(マスクレス)露光装置である。露光装置1は、複数の放電ランプ(ここでは図示せず)から構成される光源部20と、基板Wにパターン光をそれぞれ投影する複数の露光ヘッド10を備えている。なお、ここでは一系統の光源部20と露光ヘッド10のみ図示している。
光源部20の放電ランプ20Dは、高圧もしくは超高圧水銀ランプであり、例えば、0.2mg/mm以上の水銀が含まれている。放電ランプが放射する光は、g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)の輝線を含む光であって、およそ330nm〜480nmの範囲で連続したスペクトル分布をもつ。放電ランプ20Dは、ランプ電源21によって点灯される。
露光ヘッド10は、照明光学系11と、複数の微小なマイクロミラーをマトリクス状に配列させたDMD22(光変調素子アレイ)と、結像光学系23を備え、他の露光ヘッドも同様に構成されている。ベクタデータなどで構成されるCAD/CAMデータが露光装置1に送信されると、ラスタ変換回路26は、ベクタデータをラスタデータに変換し、DMD駆動回路24へ送る。
DMD22の各マイクロミラーは、姿勢を変化させることによって光の反射方向を選択的に切り替えることが可能であり、DMD駆動回路24は、ラスタデータに応じて各マイクロミラーをON/OFF制御する。その結果、パターンに応じた光が結像光学系23によって基板Wの表面に投影される。
露光装置1の露光動作はコントローラ(露光動作制御部)30 により制御される。露光ステージ駆動機構19は、コントローラ30からの制御信号に従い、基板Wを搭載した露光ステージ18を露光ヘッド10に対し相対的に移動させる。位置計測部27は、露光ステージ駆動機構19から送られてくる信号に基づき、基板Wの表面の露光位置を算出する。なお、ステージの移動経路に沿った方向を主走査方向X、この移動経路に沿った方向と直交する方向を副走査方向Yとする。
露光動作中、露光ステージ18は、走査方向Xに沿って一定速度で移動する。DMD22全体による投影エリア(以下、露光エリアという)は、基板Wの移動に伴って基板Wの表面を相対的に移動する。露光動作は所定の露光ピッチに従って行なわれ、露光ピッチに合わせてマイクロミラーがパターン露光の光を投影するように制御される。
図2は、照明光学系11の構成を示した図である。以下、照明光学系11の構成について詳しく説明する。ただし、1つの放電ランプに対応する光学要素のみ図示している。
光源部20には、放射状に発光する放電ランプ20Dとともに、放電ランプ20Dから放射された光を所定方向に向けて反射させ、集光する楕円ミラー20Mが取り付けられている。放電ランプ20Dは、その中心が楕円ミラー20Mの第1焦点位置付近となるように配置されている。
光源部20からDMD入射面22Pまでの照明光学系11の光路上には、波長調整機構12と、集光レンズ(集光光学系)14と、ロッドレンズ(照度均一化光学系)15と、リレー光学系16が、光源部20側から順に光軸Xに沿って配置されている。ただし、光軸Xは、楕円ミラー20Mの焦点とロッドレンズ15の中心とを結ぶ直線を表す。
波長調整機構12は、照明光のスペクトル分布(光強度)を選択的に減衰させるフィルタ機構であって、それぞれ異なる波長領域の光強度を減衰する光学フィルタ13A、13B、13Cを備えている。光学フィルタ13A、13B、13Cは、照明光学系11の光路上の光束に挿入可能となるように設置されている。光学フィルタ13Aは、300nm〜380nmの波長領域を減衰させ、光学フィルタ13Bは、380nm〜420nmの波長領域を減衰させ、光学フィルタ13Cは、420nm〜500nmの波長領域を減衰させる。
集光レンズ14は、楕円ミラー20Mで反射された光を集光し、ここでは正のパワーをもつ凸レンズによって構成されている。ロッドレンズ15は、入射面15Mに入射した光の照度を均一化する。集光レンズ14およびロッドレンズ15の入射面15Mの位置は、楕円ミラー20Mの第2焦点位置よりも光源部側となるように定められている。
すなわち、楕円ミラー20Mの第1焦点位置から集光レンズ14までの距離A、およびロッドレンズ入射面15Mまでの距離Bは、第2焦点位置までの距離Cよりも短い。また、集光レンズ14(の中心)とロッドレンズ入射面15Mとの距離間隔Eが集光レンズ14の焦点距離fよりも短くなるように、ロッドレンズ入射面15Mの位置が定められている。集光レンズ14の集光角θは、照明光学系11から射出される光のNA(以下、照明NAという)よりも大きい。ただし、集光角θは、Arctan(レンズ径/集光レンズ14からロッドレンズ15までの距離)を表す。
リレー光学系16は、ロッドレンズ出射面15Nから出射した光をDMD入射面22Pに投影する光学系であり、ロッドレンズ出射面15NとDMD入射面22Pとは互いに共役関係にある。また、リレー光学系16は、照明光学系11から出射される光のNA(照明NA)を定める開口絞り16Aを備えている。絞り16Aの開口径は、DMD入射面22Pの投影エリアがロッドレンズ射出面15Nのエリアと等倍もしくはそれよりも大きいエリアに拡大するように定められている。
光学フィルタ13A、13B、13Cは、光源部側からこの順で不図示の保持部材によって保持されている。保持部材は、光軸Xの直交方向に各光学フィルタを進退させるフィルタ駆動部17に接続されている。フィルタ駆動部17の動作はコントローラ30によって制御されており、光学フィルタ13A、13B、13Cの光路上の光束に対する挿入距離(すなわち照明光の減衰量)を調整することができる。
図3A、図3Bは、光学フィルタ13Aの挿入距離と、光学フィルタに入射する光の見かけの入射角度との関係を示した図である。
光学フィルタ13Aによって遮られた光束部分の中心を通る光線角度を、見かけの入射角度Θxとすると、見かけの角度Θxは、光学フィルタ13Aの挿入距離に従って変化する。図3Aは、光束の3/4の位置まで光学フィルタを挿入した場合を示し、図3Bは、光束の1/3の位置まで光学フィルタを挿入した場合を示す。
誘電多層膜干渉フィルタである光学フィルタ13Aは、角度依存性を有する。そのため、光学フィルタ13Aに入射する光の見かけの角度Θxが変化すると、ロッドレンズ15で積分された(合成された)光のスペクトル分布は変化する。この照明光のスペクトル分布の変化を抑えるためには、光学フィルタ13Aへの光の入射角度Θaはなるべく小さい(フィルタ面に対して垂直に近い)ことが望ましい。ただし、入射角度Θaは、光学フィルタ13Aに入射する光が照明光学系11の光軸Xとなす角度の最大角度を表す。
一方、照明光学系11の照明NAを大きくするためには、ロッドレンズ15で十分な積分を行う必要がある。そのため、入射角度Θaと、ロッドレンズ15に光が入射するときの光軸Xとなす最大入射角度Θb(図2参照)が、Θa<Θbの関係を満たすように、集光レンズ14が設けられている。なお、光学フィルタ13B、13Cについても、光学フィルタ13Aと同様の条件を満たすように設けられている。
光学フィルタ13A〜13Cそれぞれの挿入方向(光学フィルタの移動方向)Mfは、露光時の走査方向とは逆方向、すなわち基板Wの相対移動方向Mx(図1参照)と同一または近似した方向に対応している。すなわち、光学フィルタ13A〜13Cのいずれかを挿入したとき、光強度の減衰は、露光エリアの走査方向先頭側から始まるように、挿入方向Mfが定められている。
光学フィルタ13A〜13Cのいずれかを挿入したとき、露光エリア内では照度分布に微小な差が生じる。このような場合でも、光学フィルタの移動方向Mfが基板Wの相対移動方向Mxに沿うことで、所定箇所を順次通過するマイクロミラーによって多重露光することにより露光量が平均化され、パターンを均一に露光形成することができる。
保持部材が光路側に移動し、光学フィルタ13A(13B、13C)が光路上の光束に挿入されると、光束の一部が光学フィルタ13A(13B、13C)を通過する。光学フィルタを通過した光の所定の波長領域(例えば300nm〜380nm)が他の波長領域の光強度に対して減衰する。この結果、基板Wの表面に照射される露光光のスペクトル分布が調整される。
図4は、光源部20から放射される光の分光分布曲線を示した図である。
図4に示すように、放電ランプ20Dは、g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)の輝線を含めた連続的なスペクトル光を放射する。ユーザは、レジスト膜の感光特性などに適したスペクトル分布に修正するため、波長調整機構12の光学フィルタ13A〜13Cの位置を制御する。
スペクトル分布調整にあたっては、光学フィルタの挿入距離と露光光の所定波長の光強度の減衰量との関係を事前に測定して補正テーブルが作成されており、そのデータがメモリ32に予め記憶されている。コントローラ30は、メモリ32の補正テーブルを参照して、露光光の照射によるレジスト膜の反応が適正に行われるスペクトル分布となるように、光学フィルタ13A、13B、13Cをフィルタ駆動部17によって移動させる。
図5は、光学フィルタ13Aを挿入した場合のスペクトル分布を示した図である。ここでは、光学フィルタ13Aを所定距離まで光路上に挿入させている。他の光学フィルタ13B、13Cについては、光路外に配置させている。スペクトル分布SPは、およそ短波長域350〜400nmの範囲で光強度をほぼ半減させたスペクトル分布SP1に修正される。
図6は、光学フィルタ13Cを挿入した場合のスペクトル分布を示した図である。ここでは、光学フィルタ13Cを所定距離まで光路上に挿入させている。他の光学フィルタ13A、13Bについては、光路外に配置させている。スペクトル分布SPは、およそ短波長域420〜450nmの範囲で光強度をほぼ半減させたスペクトル分布SP2に修正される。
図7は、光学フィルタ13Bを挿入した場合のスペクトル分布を示した図である。ここでは、光学フィルタ13Bを所定距離まで光路上に挿入させている。他の光学フィルタ13A、13Cについては、光路外に配置させている。スペクトル分布SPは、およそ短波長域390〜425nmの範囲で光強度をほぼ半減させたスペクトル分布SP3に修正される。
図5〜7では、光学フィルタ13A〜13Cのいずれかを光路上に挿入した場合のスペクトル分布を示しているが、2つあるいは3つの光学フィルタを光路上に挿入させることも可能であり、また、光強度の低減の程度についても、半減に限定されるものでなく、所望する光強度減衰量に合わせた挿入距離だけ対象となる光学フィルタを挿入させればよい。
このように本実施形態によれば、放電ランプ20Dと楕円ミラー20Mを設けた光源部20と、照明光学系11とを備えた露光装置1において、照明光学系11が、光学フィルタ13A〜13C、集光レンズ14、ロッドレンズ15、リレー光学系16から構成され、この順で光源部側から配置されている。
本実施形態では、楕円ミラー20Mの第2焦点位置よりも十分光源部側に近い位置に集光レンズ14を設け、ロッドレンズ15の入射面15Mの位置も第2焦点位置より十分に光源側に近い。光学フィルタ13A〜13Cの後方(射出面)側に集光レンズ14を配置することによって、光学フィルタ13A〜13Cに入射する光の入射角度Θaを光軸Xに対して小さくし、光学フィルタ13A〜13Cの入射面に対して略垂直な角度で光が入射することが可能となる。その結果、入射角度の違いによる波長シフトの発生を抑えることができる。
一方、集光レンズ14によって光を集光させ、ロッドレンズ15によって照度を均一化することにより、光学フィルタ13A〜13Cが光路上に挿入されても、照明光学系11の照明NAの変化を抑えることができる。そのため、解像性に影響が出ることなく、光学フィルタ13A〜13Cによって光のスペクトル分布を変えることが可能となる。
また、照明NAよりも集光レンズfの集光角θが十分大きいため、ロッドレンズ15内に入射した光の内部反射回数が多くなり、照度分布ムラが生じない。その結果、リレー光学系16の解像性への影響が生じない。
また、Θa<Θbを満たすため、光学フィルタ13A〜13Cの挿入距離に関わりなく(入射面の光の状態に関わりなく)、ロッドレンズ15の出射面では光が積分され均一な照度分布と均一な配光角となる。リレー光学系16の瞳位置に開口絞り16Aを設置することによって、照明NAを定めることが可能となる。
従来のフライアイレンズを配置した構成では、光の積分を照射面上で行うため、フライアイ出射面での瞳位置にて不均一に遮光(減衰)すると照明NAに影響を与える。しかしながら、フライアイレンズを使用しない本実施形態によれば、光が十分に積分された後の瞳面にてNAを決定するため、光学フィルタの挿入量に関わらず照明光学系11の照明NAを一定とすることが可能となる。
本実施形態では、光学フィルタ13A、13B、13Cが、光源部20から集光レンズ14に向けてこの順で配置され、光路上と光路外との間で移動可能に構成されている。これによって、フィルタ交換などをする必要がなく、また、露光環境によって変わるスペクトル分布に対応させることができる。
また本実施形態では、光強度を低減する波長域(減衰波長)の相対的に短いフィルタが相対的に減衰波長の長いフィルタより光源部側に配置されている。これにより、紫外線劣化を防止することができる。
例えば、光学フィルタ13A、13Cを光路上に挿入した場合、フィルタはそれぞれ100%反射型フィルタを採用しているため、光学フィルタ13A、13Cで反射する光(i線、g線)が光源部20に向けて進行する。したがって、光学フィルタ13Cの反射光(g線)が光学フィルタ13Aを照射する。
紫外線は長期的に光学部品を劣化させる原因となり、より短い波長の方が劣化に対する影響力が大きい。光学フィルタ13Aは最も劣化に影響力をもつi線を反射するが、光学フィルタ13Aよりも光源部側に光学フィルタが配置されていないため、光学フィルタの劣化を防ぐことができる。また、相対的に波長の長いg線が光学フィルタ13Aに照射するため、光学フィルタ13Aにはそれほど劣化の影響が出ない。
以上本実施形態では、複数の光学フィルタ13A、13B、13Cにより所定の波長領域を減衰させていたが、光学フィルタは1つであってもよい。また、照度均一化手段にロッドレンズを用いたが、多数の光ファイバを出射位置がランダムとなるように束ねたランダムバンドルファイバを用いてもよい。さらに、照度均一化光学系として、ロッドレンズの代わりにフライアイレンズを設けるようにしてもよい。また、楕円ミラーに替えて放物面ミラーを使用しても良く、集光レンズに替えて集光ミラーを使用しても良い。
放電ランプとしては、上記以外の放電ランプを使用することも可能であり、連続的スペクトル分布であるとともに、g線、h線、i線を輝線が含まれる連続的なスペクトルで発光する放電ランプが適用可能である。あるいは、他の複数の輝線が含まれる連続的スペクトル光を発光する放電ランプを使用してもよい。
以上の実施形態では、DMD(空間光変調素子)を用いて基板にパターンを露光する露光装置について説明したが、フォトマスクを用いて基板にパターンを露光する露光装置においても同様に本発明を適用することができる。
図8は、第2の実施形態である露光装置のブロック図である。露光装置1’は、フォトマスク22’を用いてパターン光を基板Wに投影する投影露光装置として構成されている。図9は、第3の実施形態である露光装置のブロック図である。露光装置1”は、フォトマスク22”を用いてパターン光を基板Wに投影するコンタクト露光装置として構成されている。露光装置1’、1”いずれにおいても、第1の実施形態と同様の照明光学系11が構成されている。
1 露光装置
10 露光ヘッド
11 照明光学系
13A 光学フィルタ
13B 光学フィルタ
13C 光学フィルタ
14 集光レンズ
15 ロッドレンズ
16 リレー光学系
16A 開口絞り
20 光源部
20D 放電ランプ
20M 楕円ミラー
W 基板

Claims (11)

  1. 連続的な光強度分布をもつ光を放射する光源と、楕円ミラーを備えた光源部と、
    前記光源部からの光によって照射面を照明する照明光学系とを備え、
    前記照明光学系が、
    前記光源部からの光を集光させる集光光学系と、
    前記集光光学系からの光が入射し、照度を均一にする照度均一化光学系と、
    前記集光光学系よりも光源部側に配置され、光路と光路外との間で移動可能であって、所定波長域の光強度を減衰させる光学フィルタとを備え、
    前記集光光学系が、前記楕円ミラーの第2焦点位置よりも前記光源部側に配置されていることを特徴とする露光装置。
  2. 前記光学フィルタに光が入射するときの前記照明光学系の光軸となす最大入射角度Θaが、前記照度均一化光学系に光が入射するときの光軸となす最大入射角度Θbよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記集光光学系の集光角が、前記照明光学系のNAよりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
  4. 前記集光光学系と前記照度均一化光学系の入射面との距離間隔が、前記集光光学系の焦点距離よりも短いことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の露光装置。
  5. 前記照度均一化光学系と前記照射面との間に配置され、前記照度均一化光学系の射出面の像をと前記照射面に投影するリレー光学系をさらに備え、
    前記リレー光学系が、前記照度均一化光学系の射出面に対して等倍もしくは所定の拡大率で前記照射面を照明することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の露光装置。
  6. 前記光学フィルタが、互いに異なる波長域の光を減衰させる複数の光学フィルタから構成され、
    前記複数の光学フィルタの光路上への挿入量を調整するフィルタ挿入量調整部をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の露光装置。
  7. 前記複数の光学フィルタのうち相対的に減衰波長の短い光学フィルタが、相対的に減衰波長の長い光学フィルタよりも光源部側に配置されていることを特徴とする請求項6に記載の露光装置。
  8. 前記複数の光学フィルタが、減衰波長の短い順で光源部側から配置されていることを特徴とする請求項6または7に記載の露光装置。
  9. 前記照度均一化光学系が、ロッドレンズを含むことを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の露光装置。
  10. 前記放電ランプが、g線、h線、i線を含む光を放射し、
    前記光学フィルタが、g線、h線、i線の少なくとも1つの輝線を含む波長域の光強度を減衰させることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の露光装置。
  11. 連続的な光強度分布をもつ光を放射する光源と、放物面ミラーとを備えた光源部と、
    前記光源部からの光によって照射面を照明する照明光学系とを備え、
    前記照明光学系が、
    前記光源部からの光を集光させる集光光学系と、
    前記集光光学系からの光が入射し、照度を均一にする照度均一化光学系と、
    前記集光光学系よりも光源部側に配置され、光路と光路外との間で移動可能であって、所定波長域の光強度を減衰させる光学フィルタとを備えたことを特徴とする露光装置。
JP2017188905A 2017-06-06 2017-09-28 露光装置 Active JP6951926B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811105201.2A CN109581820B (zh) 2017-06-06 2018-09-21 曝光装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017112027 2017-06-06
JP2017112027 2017-06-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018205682A true JP2018205682A (ja) 2018-12-27
JP6951926B2 JP6951926B2 (ja) 2021-10-20

Family

ID=64957820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017188905A Active JP6951926B2 (ja) 2017-06-06 2017-09-28 露光装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6951926B2 (ja)
CN (1) CN109581820B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7450363B2 (ja) * 2019-10-23 2024-03-15 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置および物品製造方法
CN117075449B (zh) * 2023-10-16 2024-02-13 广州市艾佛光通科技有限公司 曝光调试装置、系统及方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6329930A (ja) * 1986-07-23 1988-02-08 Nec Corp 縮小投影露光装置
JPH02260412A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Ushio Inc 露光装置
JPH0375529U (ja) * 1989-11-24 1991-07-29
JPH10335213A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 露光装置の波長管理装置および波長管理方法
JPH11135421A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Nikon Corp 投影光学系の結像特性計測方法及び投影露光装置
US20040227103A1 (en) * 2001-08-10 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Collector with fastening devices for fastening mirror shells
JP2007012970A (ja) * 2005-07-01 2007-01-18 Mejiro Precision:Kk レジストパターンの断面形状を制御することができる露光装置及び露光方法
JP2007234757A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Mejiro Precision:Kk 照明光学系
JP2010103191A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Fujitsu Microelectronics Ltd 露光装置および露光方法
JP2011253864A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Topcon Corp 露光装置
JP2015005542A (ja) * 2013-06-19 2015-01-08 キヤノン株式会社 光源装置、およびリソグラフィ装置
JP2016063185A (ja) * 2014-09-22 2016-04-25 キヤノン株式会社 照明光学装置、露光装置、および物品の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3000502B2 (ja) * 1992-12-29 2000-01-17 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3826047B2 (ja) * 2002-02-13 2006-09-27 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、及びそれを用いたデバイス製造方法
CN101201552B (zh) * 2002-12-03 2010-12-08 株式会社尼康 光学照明装置、曝光装置以及曝光方法
JP2008164729A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Ushio Inc 光照射器及び光照射装置並びに露光方法
WO2012067246A1 (ja) * 2010-11-19 2012-05-24 Nskテクノロジー株式会社 近接露光装置及び近接露光方法
CN106292189A (zh) * 2015-05-24 2017-01-04 上海微电子装备有限公司 一种照明系统

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6329930A (ja) * 1986-07-23 1988-02-08 Nec Corp 縮小投影露光装置
JPH02260412A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Ushio Inc 露光装置
JPH0375529U (ja) * 1989-11-24 1991-07-29
JPH10335213A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 露光装置の波長管理装置および波長管理方法
JPH11135421A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Nikon Corp 投影光学系の結像特性計測方法及び投影露光装置
US20040227103A1 (en) * 2001-08-10 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Collector with fastening devices for fastening mirror shells
JP2007012970A (ja) * 2005-07-01 2007-01-18 Mejiro Precision:Kk レジストパターンの断面形状を制御することができる露光装置及び露光方法
JP2007234757A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Mejiro Precision:Kk 照明光学系
JP2010103191A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Fujitsu Microelectronics Ltd 露光装置および露光方法
JP2011253864A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Topcon Corp 露光装置
JP2015005542A (ja) * 2013-06-19 2015-01-08 キヤノン株式会社 光源装置、およびリソグラフィ装置
JP2016063185A (ja) * 2014-09-22 2016-04-25 キヤノン株式会社 照明光学装置、露光装置、および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109581820B (zh) 2022-04-12
CN109581820A (zh) 2019-04-05
JP6951926B2 (ja) 2021-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6182224B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
US8823921B2 (en) Programmable illuminator for a photolithography system
JP3413160B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた走査型露光装置
JP5365641B2 (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
KR101089406B1 (ko) 조명광학계, 이것을 사용한 노광장치, 및 디바이스의 제조방법
JP6951926B2 (ja) 露光装置
JP5387982B2 (ja) 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5541164B2 (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2004055856A (ja) 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法
JP3814444B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2005533285A (ja) 反射屈折投影対物レンズ
JP2021510214A (ja) 投影リソグラフィシステムのための瞳ファセットミラー、照明光学部品、および光学システム
JP5453804B2 (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2009157325A (ja) 露光照明装置及び露光パターンの位置ずれ調整方法
US20090135398A1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2002222756A (ja) 照明装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
JP5187631B2 (ja) 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP4366374B2 (ja) 露光装置
JP2002350620A (ja) 光学部材、当該光学部材を用いた照明装置及び露光装置
WO2010073801A1 (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2005115128A (ja) 照明光学装置およびそれを用いた投影露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200805

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210615

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210816

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210921

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210927

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6951926

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250