JP2018137367A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1には、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、基板を水平に保持しながら回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板に処理液を供給する処理液供給装置とを備えている。処理液供給装置は、基板に向けて処理液を吐出するノズルと、ノズルに処理液を供給する供給配管と、供給配管に介装されたバルブとを含む。供給配管を流れる処理液は、バルブが開かれることによってノズルに供給される。これにより、処理液がノズルから吐出され、基板に供給される。バルブは、弁体が弁座に接触することにより閉じられ、弁体が弁座から離れることにより開かれる。
これらの構成によれば、上昇部、縮小部、オリフィス部材、および電動バルブの少なくとも一つが第1供給配管に設けられている。上昇部は上方に延びており、位置エネルギーを処理液に加える必要があるので、第1供給配管での圧力損失が増加する。縮小部およびオリフィス部材は流路面積を減少させるので、第1供給配管での圧力損失が増加する。同様に、電動バルブは流路面積を減少させるので、第1供給配管での圧力損失が増加する。これにより、第1供給配管での圧力損失を第1戻り配管での圧力損失よりも大きくすることができる。特に、上昇部、縮小部、およびオリフィス部材は流路面積が一定であるのに対して、電動バルブは流路面積を任意の大きさに変更できる。
請求項4に記載の発明は、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持されている基板に向けて処理液を吐出する第1ノズルと、前記基板保持手段に保持されている基板に供給される処理液を送る送液装置と、前記送液装置によって送られた処理液を第1分岐部に案内する共通配管と、前記第1分岐部から前記第1ノズルに処理液が流れるように常に開いており、前記共通配管によって案内された処理液を前記第1分岐部から前記第1ノズルに案内する第1供給配管と、前記共通配管によって案内された処理液を前記第1供給配管とは異なる経路に沿って前記第1分岐部から案内する第1戻り配管と、前記第1供給配管での圧力損失が前記第1戻り配管での圧力損失よりも大きくなるように圧力損失を規定する第1圧力損失規定手段と、前記第1戻り配管の流路面積を減少させることにより、前記第1戻り配管での圧力損失を前記第1供給配管での圧力損失よりも大きくして、前記共通配管内の処理液を前記共通配管から前記第1供給配管に流す第1吐出実行状態と、前記第1吐出実行状態のときよりも前記第1戻り配管の流路面積を増加させることにより、前記第1戻り配管での圧力損失を前記第1供給配管での圧力損失よりも小さくして、前記共通配管内の処理液を前記共通配管から前記第1戻り配管に流す第1吐出停止状態と、に切り替わる第1吐出バルブとを備え、前記第1圧力損失規定手段は、前記第1供給配管の一部であり、かつ、処理液の流れの下流の方に上方に延びる上昇部と、前記第1供給配管の一部であり、かつ、処理液の流れの下流に向かって細くなる縮小部と、処理液が通過する少なくとも一つの貫通穴が設けられており、前記第1供給配管に配置されたオリフィス部材と、のうちの少なくとも一つを含む、基板処理装置である。
請求項6に記載の発明は、前記第1圧力損失規定手段は、前記第1供給配管の一部であり、かつ、処理液の流れの下流の方に上方に延びる上昇部を含み、前記基板処理装置は、前記上昇部に処理液があるか否かを検出する第1液体検出センサーをさらに備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液の吐出を停止しているにもかかわらず共通配管から第1供給配管に処理液が供給される異常が発生すると、制御装置が送液装置に処理液の送液を停止させる。これにより、処理液の吐出を停止しているにもかかわらず第1ノズルが処理液を連続的に吐出することを確実に防止することができる。
この構成によれば、共通配管を流れる処理液の流量が、第1流量計によって検出される。第1供給配管での圧力損失が第1戻り配管での圧力損失よりも大きいので、処理液の吐出を実行しているときには、処理液の吐出を停止しているときよりも大きな抵抗が共通配管内の処理液に加わる。そのため、処理液の吐出を実行しているときの処理液の流量は、処理液の吐出を停止しているときの処理液の流量よりも小さい。したがって、共通配管を流れる処理液の流量を検出することにより、処理液が共通配管から第1供給配管に流れていることを確認できる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1を上から見た模式図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、基板Wを収容する複数のキャリアCを保持する複数のロードポートと、複数のロードポートから搬送された基板Wを処理液や処理ガスなどの処理流体で処理する複数の処理ユニット2と、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。制御装置3は、プログラム等の情報を記憶する記憶部と記憶部に記憶された情報にしたがって基板処理装置1を制御する演算部とを含むコンピュータである。
処理ユニット2は、内部空間を有する箱型のチャンバー6と、チャンバー6内で基板Wを水平に保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック10と、基板Wから排出された処理液を受け止める筒状のカップ14と含む。
チャンバー6は、基板Wが通過する搬入搬出口が設けられた箱型の隔壁8と、搬入搬出口を開閉するシャッター9と、フィルターによってろ過された空気であるクリーンエアーのダウンフローをチャンバー6内に形成するFFU7(ファン・フィルタ・ユニット)とを含む。センターロボットCRは、搬入搬出口を通じてチャンバー6に基板Wを搬入し、搬入搬出口を通じてチャンバー6から基板Wを搬出する。
基板処理装置1によって基板Wが処理されるときには、チャンバー6内に基板Wを搬入する搬入工程が行われる(図3のステップS1)。
具体的には、ノズル移動ユニット22が、第1薬液ノズル21Aを処理位置に移動させ、カップ昇降ユニット15が、カップ14を上位置まで上昇させる。その後、薬液供給装置23が第1薬液ノズル21Aへの薬液の供給を開始し、第1薬液ノズル21Aが薬液を吐出する。第1薬液ノズル21Aが薬液を吐出しているとき、ノズル移動ユニット22は、第1薬液ノズル21Aから吐出された薬液が基板Wの上面中央部に着液する中央処理位置と、第1薬液ノズル21Aから吐出された薬液が基板Wの上面外周部に着液する外周処理位置と、の間で第1薬液ノズル21Aを移動させてもよいし、薬液の着液位置が基板Wの上面中央部に位置するように第1薬液ノズル21Aを静止させてもよい。
具体的には、リンス液バルブ18が開かれ、リンス液ノズル16が純水の吐出を開始する。基板Wの上面に着液した純水は、回転している基板Wの上面に沿って外方に流れる。基板W上の薬液は、リンス液ノズル16から吐出された純水によって洗い流される。これにより、基板Wの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。リンス液バルブ18が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ18が閉じられ、純水の吐出が停止される。
具体的には、スピンモータ13が基板Wを回転方向に加速させ、薬液供給工程およびリンス液供給工程での基板Wの回転速度よりも大きい高回転速度(たとえば数千rpm)で基板Wを回転させる。これにより、液体が基板Wから除去され、基板Wが乾燥する。基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ13が回転を停止する。これにより、基板Wの回転が停止される。
具体的には、カップ昇降ユニット15が、カップ14を下位置まで下降させる。その後、センターロボットCR(図1参照)が、ハンドをチャンバー6内に進入させる。センターロボットCRは、複数のチャックピン11が基板Wの把持を解除した後、スピンチャック10上の基板Wをハンドで支持する。その後、センターロボットCRは、基板Wをハンドで支持しながら、ハンドをチャンバー6の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Wがチャンバー6から搬出される。
薬液供給装置23は、基板Wに供給される薬液を貯留するタンク24と、タンク24内の薬液を循環させる環状の循環路を形成する循環配管25とを含む。薬液供給装置23は、さらに、タンク24内の薬液を循環配管25に送るポンプ27と、パーティクルなどの異物を薬液から除去するフィルター28と、薬液を加熱することによりタンク24内の薬液の温度を調整する上流ヒータ26とを含む。ポンプ27、フィルター28、および上流ヒータ26は、循環配管25に介装されている。
循環配管25の上流端および下流端は、タンク24に接続されている。薬液は、タンク24から循環配管25の上流端に送られ、循環配管25の下流端からタンク24に戻る。これにより、タンク24内の薬液が循環路を循環する。薬液が循環路を循環している間に、薬液に含まれる異物がフィルター28によって除去され、薬液が上流ヒータ26によって加熱される。これにより、タンク24内の薬液は、室温よりも高い一定の温度に維持される。
図9に示すように、第1薬液ノズル21Aに薬液を吐出させるときは、制御装置3は、第1吐出バルブ34Aを第1吐出停止状態から第1吐出実行状態に切り替える。これにより、第1戻り配管32Aでの圧力損失が、第1供給配管31Aでの圧力損失よりも大きくなる。そのため、共通配管29内の薬液は、共通配管29から第1供給配管31Aに供給され、第1供給配管31Aから第1薬液ノズル21Aに供給される。これにより、薬液が第1薬液ノズル21Aから基板Wに向けて吐出される。
図11は、本発明の第2実施形態に係る薬液供給装置23を示す模式図である。図12は、吐出バルブおよび流量調整バルブ41Bの開度と薬液ノズルから吐出された薬液の流量の時間的変化を示すグラフである。図11および図12において、前述の図1〜図10に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図12に示すように、第1薬液ノズル21Aに薬液を吐出させるとき、制御装置3は、流量調整バルブ41Bの弁体43を全開位置に位置させた状態で、第1吐出バルブ34Aの弁体43を開位置から閉位置に移動させる(図12に示す時刻T1)。これにより、第1薬液ノズル21Aが薬液の吐出を開始し、第1薬液ノズル21Aから吐出される薬液の流量が零から増加する。
その後、制御装置3は、第1吐出バルブ34Aの弁体43を閉位置から開位置に移動させる(図12に示す時刻T3)。これにより、第1戻り配管32Aでの圧力損失が第1供給配管31Aでの圧力損失よりも小さくなるので、共通配管29から第1供給配管31Aへの薬液の供給が停止され、共通配管29から第1戻り配管32Aに薬液が供給される。そのため、第1薬液ノズル21Aから吐出される薬液の流量が零まで減少し、第1薬液ノズル21Aからの薬液の吐出が停止される。
図13は、本発明の第3実施形態に係る薬液供給装置23を示す模式図である。図13において、前述の図1〜図12に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
第3実施形態では、スピンチャック10に保持されている基板Wの上面に向けて薬液を下方に吐出する第2薬液ノズル21Bと、第1供給配管31Aから第2薬液ノズル21Bに薬液を案内する第2供給配管31Bと、第2供給配管31Bの流路面積を減少させることにより第2供給配管31Bでの圧力損失を増加させる第2絞り装置36Bとが、基板処理装置1に設けられている。第2絞り装置36Bは、図6に示す流量調整バルブ41Bであってもよいし、図7に示す縮小部37Aであってもよいし、図8に示すオリフィス部材37Bであってもよいし、これらの2つ以上を備えていてもよい。
図14は、本発明の第4実施形態に係る薬液供給装置23を示す模式図である。図14において、前述の図1〜図13に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
第4実施形態では、第2薬液ノズル21B、第2供給配管31B、および第2絞り装置36Bに加えて、第2分岐部30Bからタンク24に薬液を案内する第2戻り配管32Bと、第2戻り配管32Bの流路面積を増減させる第2吐出バルブ34Bと、第2供給配管31B内の検出位置に薬液があるか否かを検出する第2液体検出センサー35Bとが、基板処理装置1に設けられている。
図15は、本発明の第5実施形態に係る薬液供給装置23を示す模式図である。図15において、前述の図1〜図14に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
以下の説明では、第1薬液ノズル21A、第2薬液ノズル21B、第3薬液ノズル21C、および第4薬液ノズル21Dに対応する構成であることを表すために、「第1」、「第2」、「第3」、および「第4」を名称の先頭に付し、「A」、「B」、「C」、および「D」を名称の末尾に付すことがある。図15では、同じ目的のため、「A」、「B」、「C」、および「D」を符号の末尾に付している。たとえば、図15中の符号「54D」は、第4薬液ノズル21Dに対応する第4戻り配管54Dを表している。
供給配管31A〜31D、戻り配管32A〜32D、吐出バルブ34A〜34D、液体検出センサー35A〜35D、および絞り装置36A〜36Dは、薬液ノズル21A〜21Dごとに設けられている。さらに、上流ヒータ26によって加熱された薬液をさらに加熱する下流ヒータ55A〜55Dが、薬液ノズル21A〜21Dごとに設けられている。複数の戻り配管32A〜32Dは、クーラー56を介してタンク24に接続されている。
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、タンク24に貯留される液体は、薬液に限らず、リンス液などの他の液体であってもよい。
第1液体検出センサー35Aは、上昇部31a以外の第1供給配管31Aの一部に薬液があるか否かを検出してもよい。第1液体検出センサー35Aが必要でなければ、第1液体検出センサー35Aを省略してもよい。同様に、第1流量計33Aを省略してもよい。上流ヒータ26および下流ヒータ55A〜55Dの少なくとも一方を省略してもよい。
第2実施形態において、制御装置3は、第1供給配管31Aに設けられた流量調整バルブ41Bの開度を減少させずに、第1吐出バルブ34Aを第1吐出実行状態から第1吐出停止状態に切り替えてもよい。
前述の全ての構成の2つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
3: 制御装置
4: 流体ボックス
6: チャンバー
10: スピンチャック(基板保持手段)
21A: 第1薬液ノズル
21B: 第2薬液ノズル
21C: 第3薬液ノズル
21D: 第4薬液ノズル
23: 薬液供給装置
24: タンク
25: 循環配管
26: 上流ヒータ(温度調節器)
27: ポンプ(送液装置)
28: フィルター
29: 共通配管
30A: 第1分岐部
30B: 第2分岐部
30C: 第3分岐部
30D: 第4分岐部
31A: 第1供給配管
31B: 第2供給配管
31a: 上昇部(第1圧力損失規定手段)
32A: 第1戻り配管
32B: 第2戻り配管
33A: 第1流量計
34A: 第1吐出バルブ
34B: 第2吐出バルブ
35A: 第1液体検出センサー
35B: 第2液体検出センサー
36A: 第1絞り装置(第1圧力損失規定手段)
36B: 第2絞り装置(第2圧力損失規定手段)
37A: 縮小部(第1および第2圧力損失規定手段)
37B: オリフィス部材(第1および第2圧力損失規定手段)
37a: 貫通穴
41A: 開閉バルブ
41B: 流量調整バルブ(電動バルブ、第1および第2圧力損失規定手段)
42a: 内部流路
43: 弁体
43a: 環状部
43b: 円錐部
44: 弁座
52: 電動モータ(電動アクチュエータ)
53: 上流共通配管
54A: 第1下流共通配管
54B: 第2下流共通配管
54C: 第3下流共通配管
54D: 第4下流共通配管
55: 下流ヒータ(温度調節器)
W: 基板
Claims (13)
- 基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板に向けて処理液を吐出する第1ノズルと、
前記第1ノズルに供給される処理液を貯留するタンクと、
前記タンク内の処理液を循環させる循環配管と、
前記タンク内の処理液を前記循環配管に送る送液装置と、
前記循環配管を流れる処理液から異物を除去するフィルターと、
前記循環配管内の処理液を前記循環配管から第1分岐部に案内する共通配管と、
前記第1分岐部から前記第1ノズルに処理液が流れるように常に開いており、前記共通配管によって案内された処理液を前記第1分岐部から前記第1ノズルに案内する第1供給配管と、
前記共通配管によって案内された処理液を前記第1分岐部から前記タンクに案内する第1戻り配管と、
前記第1供給配管での圧力損失が前記第1戻り配管での圧力損失よりも大きくなるように圧力損失を規定する第1圧力損失規定手段と、
前記第1戻り配管の流路面積を減少させることにより、前記第1戻り配管での圧力損失を前記第1供給配管での圧力損失よりも大きくして、前記共通配管内の処理液を前記共通配管から前記第1供給配管に流す第1吐出実行状態と、前記第1吐出実行状態のときよりも前記第1戻り配管の流路面積を増加させることにより、前記第1戻り配管での圧力損失を前記第1供給配管での圧力損失よりも小さくして、前記共通配管内の処理液を前記共通配管から前記第1戻り配管に流す第1吐出停止状態と、に切り替わる第1吐出バルブとを備える、基板処理装置。 - 前記第1圧力損失規定手段は、
前記第1供給配管の一部であり、かつ、処理液の流れの下流の方に上方に延びる上昇部と、
前記第1供給配管の一部であり、かつ、処理液の流れの下流に向かって細くなる縮小部と、
処理液が通過する少なくとも一つの貫通穴が設けられており、前記第1供給配管に配置されたオリフィス部材と、のうちの少なくとも一つを含む、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1圧力損失規定手段は、処理液が流れる内部流路を形成するバルブボディと前記内部流路内に配置された弁体と前記弁体を任意の位置に静止させる電動アクチュエータとが設けられた電動バルブを含む、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板に向けて処理液を吐出する第1ノズルと、
前記基板保持手段に保持されている基板に供給される処理液を送る送液装置と、
前記送液装置によって送られた処理液を第1分岐部に案内する共通配管と、
前記第1分岐部から前記第1ノズルに処理液が流れるように常に開いており、前記共通配管によって案内された処理液を前記第1分岐部から前記第1ノズルに案内する第1供給配管と、
前記共通配管によって案内された処理液を前記第1供給配管とは異なる経路に沿って前記第1分岐部から案内する第1戻り配管と、
前記第1供給配管での圧力損失が前記第1戻り配管での圧力損失よりも大きくなるように圧力損失を規定する第1圧力損失規定手段と、
前記第1戻り配管の流路面積を減少させることにより、前記第1戻り配管での圧力損失を前記第1供給配管での圧力損失よりも大きくして、前記共通配管内の処理液を前記共通配管から前記第1供給配管に流す第1吐出実行状態と、前記第1吐出実行状態のときよりも前記第1戻り配管の流路面積を増加させることにより、前記第1戻り配管での圧力損失を前記第1供給配管での圧力損失よりも小さくして、前記共通配管内の処理液を前記共通配管から前記第1戻り配管に流す第1吐出停止状態と、に切り替わる第1吐出バルブとを備え、
前記第1圧力損失規定手段は、
前記第1供給配管の一部であり、かつ、処理液の流れの下流の方に上方に延びる上昇部と、
前記第1供給配管の一部であり、かつ、処理液の流れの下流に向かって細くなる縮小部と、
処理液が通過する少なくとも一つの貫通穴が設けられており、前記第1供給配管に配置されたオリフィス部材と、のうちの少なくとも一つを含む、基板処理装置。 - 基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板に向けて処理液を吐出する第1ノズルと、
前記基板保持手段に保持されている基板に供給される処理液を送る送液装置と、
前記送液装置によって送られた処理液を第1分岐部に案内する共通配管と、
前記第1分岐部から前記第1ノズルに処理液が流れるように常に開いており、前記共通配管によって案内された処理液を前記第1分岐部から前記第1ノズルに案内する第1供給配管と、
前記共通配管によって案内された処理液を前記第1供給配管とは異なる経路に沿って前記第1分岐部から案内する第1戻り配管と、
前記第1供給配管での圧力損失が前記第1戻り配管での圧力損失よりも大きくなるように圧力損失を規定する第1圧力損失規定手段と、
前記第1戻り配管の流路面積を減少させることにより、前記第1戻り配管での圧力損失を前記第1供給配管での圧力損失よりも大きくして、前記共通配管内の処理液を前記共通配管から前記第1供給配管に流す第1吐出実行状態と、前記第1吐出実行状態のときよりも前記第1戻り配管の流路面積を増加させることにより、前記第1戻り配管での圧力損失を前記第1供給配管での圧力損失よりも小さくして、前記共通配管内の処理液を前記共通配管から前記第1戻り配管に流す第1吐出停止状態と、に切り替わる第1吐出バルブとを備え、
前記第1圧力損失規定手段は、処理液が流れる内部流路を形成するバルブボディと前記内部流路内に配置された弁体と前記弁体を任意の位置に静止させる電動アクチュエータとが設けられた電動バルブを含む、基板処理装置。 - 前記第1圧力損失規定手段は、前記第1供給配管の一部であり、かつ、処理液の流れの下流の方に上方に延びる上昇部を含み、
前記基板処理装置は、前記上昇部に処理液があるか否かを検出する第1液体検出センサーをさらに備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、前記第1吐出バルブが前記第1吐出停止状態のときに前記上昇部に処理液があることを前記第1液体検出センサーが検出すると、前記送液装置に処理液の送液を停止させる制御装置をさらに備える、請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記第1圧力損失規定手段は、処理液が流れる内部流路を形成するバルブボディと前記内部流路内に配置された弁体と前記弁体を任意の位置に静止させる電動アクチュエータとが設けられた電動バルブをさらに含み、
前記基板処理装置は、前記第1吐出バルブが前記第1吐出停止状態のときに前記上昇部に処理液があることを前記第1液体検出センサーが検出すると、前記電動バルブを閉じることにより、前記第1分岐部から前記第1ノズルに処理液が流れないように前記第1供給配管での処理液の流れを停止させる制御装置をさらに備える、請求項6または7に記載の基板処理装置。 - 前記第1圧力損失規定手段は、処理液が流れる内部流路を形成するバルブボディと前記内部流路内に配置された弁体と前記弁体を任意の位置に静止させる電動アクチュエータとが設けられた電動バルブを含み、
前記基板処理装置は、前記第1吐出バルブを前記第1吐出実行状態から前記第1吐出停止状態に切り替える前に、前記電動バルブの開度を減少させる制御装置をさらに備える、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記共通配管を流れる処理液の流量を検出する第1流量計をさらに備える、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置は、前記基板保持手段を収容するチャンバーと、前記チャンバーの側方に配置された流体ボックスと、前記第1ノズルに供給される処理液の温度を加熱および冷却の少なくとも一方によって前記第1供給配管の上流で変更する温度調節器とをさらに備え、
前記第1分岐部は、前記チャンバーまたは流体ボックス内に配置されている、請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、
前記基板保持手段に保持されている基板に向けて処理液を吐出する第2ノズルと、
前記第1供給配管から前記第2ノズルに処理液が流れるように常に開いており、前記第1供給配管から前記第2ノズルに処理液を案内する第2供給配管とをさらに備え、
前記第1圧力損失規定手段は、前記第1供給配管および第2供給配管での圧力損失が前記第1戻り配管での圧力損失よりも大きくなるように前記第1供給配管および第2供給配管での圧力損失を規定し、
前記第1吐出バルブは、前記第1戻り配管の流路面積を減少させることにより、前記第1戻り配管での圧力損失を前記第1供給配管および第2供給配管での圧力損失よりも大きくして、前記共通配管内の処理液を前記共通配管から前記第1供給配管および第2供給配管に流す前記第1吐出実行状態と、前記第1吐出実行状態のときよりも前記第1戻り配管の流路面積を増加させることにより、前記第1戻り配管での圧力損失を前記第1供給配管および第2供給配管での圧力損失よりも小さくして、前記共通配管内の処理液を前記共通配管から前記第1戻り配管に流す前記第1吐出停止状態と、に切り替わる、請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記共通配管は、前記送液装置によって送られた処理液を案内する上流共通配管と、前記上流共通配管によって案内された処理液を前記第1分岐部に案内する第1下流共通配管と、前記上流共通配管によって案内された処理液を第2分岐部に案内する第2下流共通配管とを含み、
前記基板処理装置は、
前記基板保持手段に保持されている基板に向けて処理液を吐出する第2ノズルと、
前記第2分岐部から前記第2ノズルに処理液が流れるように常に開いており、前記共通配管によって案内された処理液を前記第2分岐部から前記第2ノズルに案内する第2供給配管と、
前記共通配管によって案内された処理液を前記第2供給配管とは異なる経路に沿って前記第2分岐部から案内する第2戻り配管と、
前記第2供給配管での圧力損失が前記第2戻り配管での圧力損失よりも大きくなるように圧力損失を規定する第2圧力損失規定手段と、
前記第2戻り配管の流路面積を減少させることにより、前記第2戻り配管での圧力損失を前記第2供給配管での圧力損失よりも大きくして、前記共通配管内の処理液を前記共通配管から前記第2供給配管に流す第2吐出実行状態と、前記第2吐出実行状態のときよりも前記第2戻り配管の流路面積を増加させることにより、前記第2戻り配管での圧力損失を前記第2供給配管での圧力損失よりも小さくして、前記共通配管内の処理液を前記共通配管から前記第2戻り配管に流す第2吐出停止状態と、に切り替わる第2吐出バルブとをさらに備える、請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102154962B1 (ko) * | 2020-05-29 | 2020-09-10 | 김신호 | 반도체 세정 공정용 정량 공급을 위한 미소유량 컨트롤밸브 구조 |
JP2021002653A (ja) * | 2019-06-24 | 2021-01-07 | セメス カンパニー,リミテッド | 液供給ユニット、そしてこれを有する基板処理装置及び方法 |
JP2021052038A (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
WO2021091635A1 (en) * | 2019-11-04 | 2021-05-14 | Tokyo Electron Limited | Methods and systems to monitor, control, and synchronize dispense systems |
JP2021136295A (ja) * | 2020-02-26 | 2021-09-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
WO2021230103A1 (ja) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
JP2021182590A (ja) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
US20220301894A1 (en) * | 2021-03-19 | 2022-09-22 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2022162115A (ja) * | 2018-09-21 | 2022-10-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
WO2023204048A1 (ja) * | 2022-04-21 | 2023-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液供給システム、液処理装置および液供給方法 |
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7132054B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2022-09-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
KR102355356B1 (ko) * | 2020-03-25 | 2022-01-25 | 무진전자 주식회사 | 반도체 공정의 약액 공급 관리 시스템 |
JP7499622B2 (ja) * | 2020-06-23 | 2024-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
KR102616524B1 (ko) * | 2020-07-22 | 2023-12-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법 |
KR102616521B1 (ko) * | 2020-10-08 | 2023-12-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법 |
KR102646484B1 (ko) * | 2020-12-29 | 2024-03-12 | 세메스 주식회사 | 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
CN112974405B (zh) * | 2021-02-24 | 2022-07-01 | 安徽捷密德智能机械制造有限责任公司 | 一体成型的风刀 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004111668A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Citizen Watch Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2009158597A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2013059735A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Advance Denki Kogyo Kk | 液体供給装置 |
JP2015041751A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP2016063074A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2016157855A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2016167568A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2017034188A (ja) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および処理液吐出方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11125344A (ja) | 1997-10-20 | 1999-05-11 | Ebara Corp | 弁装置 |
JP2004267965A (ja) | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び処理液切替方法 |
JP4667964B2 (ja) | 2005-05-31 | 2011-04-13 | シーケーディ株式会社 | 流量調整弁 |
JP5319942B2 (ja) | 2008-03-18 | 2013-10-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ダイヤフラムバルブおよびこれを備えた基板処理装置 |
JP5235556B2 (ja) | 2008-08-07 | 2013-07-10 | Ckd株式会社 | 液体供給システム |
KR101478859B1 (ko) | 2009-12-09 | 2015-01-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 이 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 |
JP5019082B1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-09-05 | 栗田工業株式会社 | 液体加熱方法及び液体加熱装置並びに加熱液体供給装置 |
KR101945566B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2019-02-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 장치, 처리액 공급 방법 및 컴퓨터 기억 매체 |
JP5979700B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2016-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP6118577B2 (ja) | 2013-02-14 | 2017-04-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6291177B2 (ja) * | 2013-07-11 | 2018-03-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN109285800B (zh) * | 2014-03-10 | 2022-02-08 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理系统以及管道清洗方法 |
JP6320805B2 (ja) | 2014-03-17 | 2018-05-09 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置 |
JP6376457B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2018-08-22 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置およびフィルタ劣化検出方法 |
US10332761B2 (en) | 2015-02-18 | 2019-06-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
CN109037111B (zh) * | 2015-02-25 | 2022-03-22 | 株式会社思可林集团 | 基板处理装置 |
-
2017
- 2017-02-22 JP JP2017031484A patent/JP6959743B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-18 US US15/874,290 patent/US10910234B2/en active Active
- 2018-01-26 TW TW110122364A patent/TWI788884B/zh active
- 2018-01-26 CN CN201810077962.5A patent/CN108461418B/zh active Active
- 2018-01-26 TW TW107102832A patent/TWI733977B/zh active
- 2018-01-30 KR KR1020180011365A patent/KR102106199B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004111668A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Citizen Watch Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2009158597A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2013059735A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Advance Denki Kogyo Kk | 液体供給装置 |
JP2015041751A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP2016063074A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2016157855A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2016167568A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2017034188A (ja) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および処理液吐出方法 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7312304B2 (ja) | 2018-09-21 | 2023-07-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP2022162115A (ja) * | 2018-09-21 | 2022-10-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP2021002653A (ja) * | 2019-06-24 | 2021-01-07 | セメス カンパニー,リミテッド | 液供給ユニット、そしてこれを有する基板処理装置及び方法 |
JP7290607B2 (ja) | 2019-06-24 | 2023-06-13 | セメス カンパニー,リミテッド | 液供給ユニット、そしてこれを有する基板処理装置及び方法 |
JP7571258B2 (ja) | 2019-07-02 | 2024-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP2021052038A (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7312656B2 (ja) | 2019-09-24 | 2023-07-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
WO2021091635A1 (en) * | 2019-11-04 | 2021-05-14 | Tokyo Electron Limited | Methods and systems to monitor, control, and synchronize dispense systems |
US11998945B2 (en) | 2019-11-04 | 2024-06-04 | Tokyo Electron Limited | Methods and systems to monitor, control, and synchronize dispense systems |
JP2021136295A (ja) * | 2020-02-26 | 2021-09-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7370277B2 (ja) | 2020-02-26 | 2023-10-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
WO2021230103A1 (ja) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
JP7463502B2 (ja) | 2020-05-12 | 2024-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
JPWO2021230103A1 (ja) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | ||
JP2021182590A (ja) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
JP7487006B2 (ja) | 2020-05-19 | 2024-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
KR102154962B1 (ko) * | 2020-05-29 | 2020-09-10 | 김신호 | 반도체 세정 공정용 정량 공급을 위한 미소유량 컨트롤밸브 구조 |
US20220301894A1 (en) * | 2021-03-19 | 2022-09-22 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US11996302B2 (en) * | 2021-03-19 | 2024-05-28 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
WO2023204048A1 (ja) * | 2022-04-21 | 2023-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液供給システム、液処理装置および液供給方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202136670A (zh) | 2021-10-01 |
US10910234B2 (en) | 2021-02-02 |
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JP6959743B2 (ja) | 2021-11-05 |
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