JP2018107279A - 発光装置および集積型発光装置 - Google Patents
発光装置および集積型発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018107279A JP2018107279A JP2016251898A JP2016251898A JP2018107279A JP 2018107279 A JP2018107279 A JP 2018107279A JP 2016251898 A JP2016251898 A JP 2016251898A JP 2016251898 A JP2016251898 A JP 2016251898A JP 2018107279 A JP2018107279 A JP 2018107279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting device
- emitting element
- wavelength conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000010354 integration Effects 0.000 title 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 32
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 8
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 8
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 35
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 27
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 240000003380 Passiflora rubra Species 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpent-2-ene Chemical compound CCC=C(C)C JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017770 Cu—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000007 bat wing Anatomy 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000005383 fluoride glass Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007666 vacuum forming Methods 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V7/00—Reflectors for light sources
- F21V7/0083—Array of reflectors for a cluster of light sources, e.g. arrangement of multiple light sources in one plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
- F21K9/68—Details of reflectors forming part of the light source
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
Description
液晶テレビに使用されるバックライトや一般照明器具等では、デザイン製が重要視され、薄型化の要望が高い。
前記封止部材の幅(W)に対する高さ(H)の比(H/W)が0.5より小さい。
さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。
図1Aは、第1実施形態の発光装置(発光装置100)の構成を示す概略断面図である。
図1Aに示されるように、本実施形態は、表面に導体配線102が設けられた基体101と、基体101に載置される発光素子105を有する。発光素子105は、基体101の表面に設けられた少なくとも一対の導体配線102に跨がるように、接続部材103を介してフリップチップ実装されている。発光素子105の光取り出し面側(発光素子105の上面)には発光素子105より一回り大きい波長変換部材106が設けられており、その光取り出し面側に光反射膜107が形成されている。具体的には、波長変換部材106の発光素子105に対向する底面の面積は、発光素子105の上面の面積よりも大きくなっており、発光素子105の上面の外周端が波長変換部材106の底面の外周端の内側に位置するように、波長変換部材106が発光素子105上に設けられている。また、光反射膜107は、波長変換部材106の光取り出し面のほぼ全面に設けられている。
また、第1実施形態の発光装置100は、発光素子105および波長変換部材106を覆う透光性の封止部材110を備えている。導体配線102の上には、少なくとも発光素子105が電気的に接続される領域を除いて、絶縁部材104が設けられていてもよい。尚、図1Aにおいて、112の符号を付して示すものは、必要に応じて設けられる光反射部材であり、後述の第4実施形態で説明するように構成してもよいし、パッケージの側壁により構成されていてもよい。
これにより、発光素子105や波長変換部材106から放射される光の内、基体101の垂直方向(発光素子105の上面)の成分の多くは光反射膜107により反射され、基体101の水平方向の成分が増加する。
この様な構成とすることで、バットウイング配光特性を実現することが出来る。
ここで、バットウイング配光特性とは、配光角が90°以下の第1領域に配光角が90°のときの強度より大きい強度の第1ピークを有し、配光角が90°以上の第2領域に配光角が90°のときの強度より大きい強度の第2ピークを有するような配光特性を言う。
これにより、発光装置100から出射する光はほぼ全て波長変換部材106からの出射となり、配向角による色ムラを抑制することが出来る。発光素子105の側面が白樹脂で覆われていない場合は広配向角から発光装置100を観測すると発光素子105の発光色がダイレクトに見えてしまい、上段の波長変換部材106との色差が目立ってしまう。
発光素子105および波長変換部材106は、透光性の封止部材110により被覆される。封止部材110は、発光素子105等を外部環境から保護するとともに、波長変換部材106等から出力される光を光学的に制御するため、発光素子105および波長変換部材106を被覆するように基体上に配置される部材である。封止部材110は略ドーム状に形成されており、本実施形態においては、波長変換部材106は封止部材110で直接被覆されている。
この様な構成とすることで、波長変換部材106から出た光は、封止部材110と空気の界面で屈折し、より広配光化させることが可能となる。
ここで、封止部材の高さ(H)は、図1Aに示すように、発光素子105の実装面からの最大の高さを指すものとする。また、封止部材の幅(W)とは、封止部材の底面の形状が円形の場合は上述のように径を指すものとし、その他の形状の場合は、もっとも長さの短いところのことを指すものとする。
図1Aに示す第1実施形態の発光装置100では、封止部材110の表面を凸状の曲面としたが、より広配光とするためには、封止部材110の光軸方向の中央部を平坦又は凹状にするのが望ましい。特に、図1Bに示すように、封止部材110の光軸方向の中央部を凹形状にすることでレンズ効果により光軸方向への光量を少なくすることが出来、より広配光のバットウイング配向が実現できる。
(基体101)
基体101は、発光素子105を載置するための部材である。基体101はその表面に、発光素子105に電力を供給するための導体配線102を有している。
基体101の材料としては、例えば、セラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジン、ポリフタルアミド(PPA)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等の樹脂が挙げられる。なかでも、低コストと、成型容易性の点から、樹脂を材料として選択することが好ましい。基板の厚みは適宜選択することができ、ロール・ツー・ロール方式で製造可能なフレキシブル基板、あるいはリジット基板のいずれであってもよい。リジット基板は湾曲可能な薄型リジット基板であってもよい。
導体配線102は、発光素子105の電極と電気的に接続され、外部からの電流(電力)を供給するための部材である。すなわち、外部から通電させるための電極またはその一部としての役割を担うものである。通常、正と負の少なくとも2つに離間して形成される。
接続部材103は、発光素子105を基体101または導体配線102に固定するための部材である。本実施形態のようにフリップチップ実装の場合は導電性の部材が用いられる。具体的にはAu含有合金、Ag含有合金、Pd含有合金、In含有合金、Pb−Pd含有合金、Au−Ga含有合金、Au−Sn含有合金、Sn含有合金、Sn−Cu含有合金、Sn−Cu−Ag含有合金、Au−Ge含有合金、Au−Si含有合金、Al含有合金、Cu−In含有合金、金属とフラックスの混合物等を挙げることができる。
導体配線102は、発光素子105や他材料と電気的に接続する部分以外は絶縁部材104で被覆されている事が好ましい。すなわち、各図に示されるように、基体上には、導体配線102を絶縁被覆するためのレジストが配置されていても良く、絶縁部材104はレジストとして機能させることができる。
絶縁部材104の材料は、発光素子からの光の吸収が少ない材料であり、絶縁性であれば特に限定されない。例えば、エポキシ、シリコーン、変性シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネート、ポリイミド等を用いることができる。
基体に搭載される発光素子105は、公知のものを利用できる。本実施形態においては、発光素子105として発光ダイオードを用いるのが好ましい。
発光素子105は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ZnSeや窒化物系半導体(InxAlyGa1−x−yN、0≦X
、0≦Y、X+Y≦1)、GaPを用いたものを用いることができる。成長基板として透光性のサファイア基板等を用いることができる。また、赤色の発光素子としては、GaAlAs、AlInGaPなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
光反射膜107は波長変換部材106の主面である光取り出し面側に成膜される。
材料としては、金属や白色フィラー含有樹脂でも良く、少なくとも発光素子105が発光する光(第1の光)と波長変換部材106が発光する光(第2の光)を反射する材料であれば特に材料は規定されない。
また、誘電体多層膜を用いることで、吸収の少ない反射膜を得ることが出来る。
誘電体多層膜の材料としては金属酸化膜材料や金属窒化膜または酸窒化膜等を用いることが出来る。また、シリコーン樹脂やフッ素樹脂等の有機材を使用する事もでき、特に材料を規定する物では無い。
波長変換部材106は、発光素子105が発光する第1の光の少なくとも一部を吸収して第1の光より長波長の光を発光する部材であり、例えば、蛍光体と透光性材料とを含む板状又はシート状部材である。
透光性材料としては、透光性樹脂、ガラス等の無機材料が使用できる。透光性樹脂としては、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。透光性樹脂としては、特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。無機材料としては、例えば、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、フッ化カルシウムガラス、アルミノホウ珪酸ガラス、オキシナイトライドガラス、カルコゲナイドガラス等が挙げられる。
また、その蛍光体材料等は、単独で使用しても良く、組み合わせて使用しても良い。
封止部材110の材料としては、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂あるいはそれらを混合させた樹脂や、ガラスなどの透光性材料を用いることができる。これらのうち、耐光性および成形のしやすさを考慮して、シリコーン樹脂を選択することが好ましい。
封止部材110にこれらの部材を含有させる場合、配光特性になるべく影響の与えないものを用いることが好ましい。たとえば、含有させる部材の粒径が0.2μm以下のものであれば、配光特性に与える影響が少ないため好ましい。なお、本明細書中において粒径とは平均粒径のことをいうものとし、平均粒径の値は、空気透過法を利用したF.S.S.S.No(Fisher−SubSieve−Sizers−No.)によるものとする。
図2は、第2実施形態の発光装置200の断面図である。
第2実施形態の発光装置200は、発光素子105側面に透光性部材109が逆テーパー状に形成されているおり、その外側に白色部材108が形成されている点で第1実施形態とは異なり、その他の構成は第1実施形態と同様である。
以下、第1実施形態と異なる点について説明する。
透光性部材109は発光素子105と波長変換部材106の界面にも形成して接着剤としての機能を果たすようにしても良い。
ここで、透光性部材109は、透光性樹脂、ガラス等の透光性材料から形成することができる。透光性樹脂としては、特に、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂であるのが好ましい。透光性部材109は発光素子105の側面と接触しているので、点灯時に発光素子105で発生する熱の影響を受けやすい。熱硬化性樹脂は、耐熱性に優れているので、透光性部材109に適している。なお、透光性部材109は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため、通常は、透光性部材109に、光を反射、吸収又は散乱する添加物は添加されないことが好ましい。しかし、望ましい特性を付与するために、透光性部材109に添加物を添加するのが好ましい場合もある。例えば、透光性部材109の屈折率を調整するため、または硬化前の透光性部材の粘度を調整するために、各種フィラーを添加してもよい。
図3は、第3実施形態の発光装置300の断面図である。
第3実施形態の発光装置300は、波長変換部材106の下面の外周底面に撥油材111を形成した点で第2実施形態とは異なり、その他の構成は第2実施形態と同様である。
以下、第2実施形態と異なる点について説明する。
加えて、透光性部材109を発光素子105と波長変換部材106の接着剤として使用するときに、透光性部材109の広がりを抑制し発光素子105を波長変換部材106の中心に位置合わせしやすくなり、さらには透光性部材109の逆テーパー形状の形成時の形状バラツキを抑えることができる。
尚、撥油材としては特に限定する物では無いが、フッ素系材料等が利用可能である。
また、第1〜第3実施形態の発光装置において、発光素子105及び波長変換部材106に含有させる蛍光体を種々組み合わせることにより、各種発光色を発光させることができる発光装置を提供することができる。
したがって、第1〜第3実施形態の発光装置によれば、広配光でかつ各種発光色の発光が可能な発光装置を提供することができる。
図5は、第4実施形態の発光モジュール400の断面図である。
第4実施形態の発光モジュール400は、基体401上に第1実施形態と同様に構成された発光装置100が複数設けられ、各発光装置100の間に光反射部材410が配置された集積型発光装置である。また、発光装置100及び光反射部材410の上方には、発光素子105の上面と略平行になるように発光素子105からの光を拡散するための光拡散板411が配置されている。
しかしながら、第4実施形態の発光モジュール400は、バットウイング配光特性を有する複数の発光装置100と、隣接する発光装置100間に配置された光反射部材410を備えることにより、発光素子間の光量を光反射部材410による反射光で補うことができるので、より小さなOD/Pitchであっても光拡散板411の面上での輝度ムラを小さくできる。
光反射部材410は、上述したように、隣接する発光装置100の間に設置される。
材料としては、少なくとも発光装置100からの光を反射する材料であれば特に材料は限定されない。たとえば金属板や白色フィラー含有樹脂を好適に用いることができる。
また、光反射部材の反射面として誘電体多層膜を用いることで、吸収の少ない反射面を得ることも出来る。加えて、膜の設計で反射率を任意に調整出来、また、角度により反射率を制御することも可能となる。
101 基体
102 導体配線
103 接続部材
104 絶縁部材
105 発光素子
106 波長変換部材
107 光反射膜
108 白色部材
109 透光性部材
110 封止部材
111 撥油材
Claims (15)
- 導体配線を有する基体と、
前記基体に実装され、第1の光を発光する発光素子と、
前記発光素子の上面に設けられ、前記第1の光の少なくとも一部を吸収して前記第1の光より長波長の光を発光する波長変換部材と、
前記波長変換部材の上面に設けられた光反射膜と、
前記発光素子、前記波長変換部材及び光反射膜を被覆する封止部材と、を有し、
前記封止部材の幅(W)に対する高さ(H)の比(H/W)が0.5より小さい発光装置。 - 前記封止部材の表面は凸状の曲面で形成されている、請求項1に記載の発光装置。
- 前記光反射膜が、誘電体多層膜で形成されている請求項1〜2のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光素子の側面を覆う白色部材を含む請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材の前記発光素子側の底面の面積は、前記発光素子の上面の面積よりも大きく、前記波長変換部材の前記発光素子側の底面は、前記発光素子の上面に対向する内側底面と該内側底面の周りを囲む外周底面とを有しており、
前記発光装置は、前記外周底面の下に前記発光素子の側面を覆う透光性部材を有し、前記透光性部材の表面は、前記波長変換部材から離れるにしたがって前記発光素子の側面に近づくように傾斜した傾斜面である請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記傾斜面を覆う白色部材を含む請求項5に記載の発光装置。
- 前記傾斜面を覆いかつ前記透光性部材より低い屈折率を有する部材を有する請求項5に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材の底面の外周に沿って撥油材が形成されている請求項4〜7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光装置が出射する光の全光量の30%以上が、前記基体の上面に対して仰角20゜未満の方向に出射される請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光装置が出射する光の全光量の40%以上が、前記基体の上面に対して仰角20゜未満の方向に出射される請求項1〜9のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記封止部材の幅(W)に対する高さ(H)の比(H/W)が0.3以下である請求項1〜10のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光素子はフリップチップ実装されている、請求項1〜11のいずれか1項に記載の発光装置。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載の発光装置を複数備え、前記発光装置間にそれぞれ光反射部材が配置されている集積型発光装置。
- 前記光反射部材の高さが、前記発光装置間の距離の0.3倍以下である請求項13に記載の集積型発光装置。
- 前記光反射部材の高さが、前記発光装置間の距離の0.2倍以下である請求項13に記載の集積型発光装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016251898A JP6868388B2 (ja) | 2016-12-26 | 2016-12-26 | 発光装置および集積型発光装置 |
US15/853,472 US10598342B2 (en) | 2016-12-26 | 2017-12-22 | Light-emitting device and integrated light-emitting device |
JP2019236806A JP6985622B2 (ja) | 2016-12-26 | 2019-12-26 | 発光装置および集積型発光装置 |
US16/784,616 US10920960B2 (en) | 2016-12-26 | 2020-02-07 | Light-emitting device and integrated light-emitting device |
US17/150,474 US11313534B2 (en) | 2016-12-26 | 2021-01-15 | Light-emitting device and integrated light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016251898A JP6868388B2 (ja) | 2016-12-26 | 2016-12-26 | 発光装置および集積型発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019236806A Division JP6985622B2 (ja) | 2016-12-26 | 2019-12-26 | 発光装置および集積型発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018107279A true JP2018107279A (ja) | 2018-07-05 |
JP6868388B2 JP6868388B2 (ja) | 2021-05-12 |
Family
ID=62629526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016251898A Active JP6868388B2 (ja) | 2016-12-26 | 2016-12-26 | 発光装置および集積型発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10598342B2 (ja) |
JP (1) | JP6868388B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020021688A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光モジュール及びその製造方法 |
JP2022007896A (ja) * | 2019-11-29 | 2022-01-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びledパッケージ |
JP2022012079A (ja) * | 2020-06-30 | 2022-01-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール、液晶表示装置 |
US12148870B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-11-19 | Nichia Corporation | LED package and integrated light emitting device |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102631105B1 (ko) | 2017-08-31 | 2024-01-30 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
KR20190086300A (ko) * | 2018-01-12 | 2019-07-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 |
JP7177331B2 (ja) | 2018-06-29 | 2022-11-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7007598B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2022-02-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光モジュール及び発光装置の製造方法 |
DE102018132542A1 (de) * | 2018-12-17 | 2020-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische leuchtvorrichtung und herstellungsverfahren |
US11302248B2 (en) | 2019-01-29 | 2022-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | U-led, u-led device, display and method for the same |
US11610868B2 (en) | 2019-01-29 | 2023-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
US11156759B2 (en) | 2019-01-29 | 2021-10-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
US11271143B2 (en) | 2019-01-29 | 2022-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
US11538852B2 (en) | 2019-04-23 | 2022-12-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
JP7226131B2 (ja) * | 2019-06-25 | 2023-02-21 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6912748B1 (ja) * | 2020-02-07 | 2021-08-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール及び面状光源 |
JP6912747B1 (ja) * | 2020-02-07 | 2021-08-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール及び面状光源 |
JP6912746B1 (ja) * | 2020-02-07 | 2021-08-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール及び面状光源 |
KR20230022494A (ko) * | 2021-08-09 | 2023-02-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 발광 다이오드 어셈블리용 회로 기판, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 화상 표시 장치 |
KR20230022492A (ko) * | 2021-08-09 | 2023-02-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 발광 다이오드 어셈블리용 회로 기판, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 화상 표시 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010050236A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2010092672A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Harison Toshiba Lighting Corp | バックライト装置および表示装置 |
JP2010530082A (ja) * | 2007-06-14 | 2010-09-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 薄型の側面発光ledを用いた、薄いフラッシュ又は薄いビデオ録画用ライト |
US20110121341A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Sang Won Lee | Light emitting apparatus |
JP2016072304A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7375379B2 (en) | 2005-12-19 | 2008-05-20 | Philips Limileds Lighting Company, Llc | Light-emitting device |
JP4049186B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2008-02-20 | ソニー株式会社 | 光源装置 |
US9780268B2 (en) * | 2006-04-04 | 2017-10-03 | Cree, Inc. | Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods |
US7626210B2 (en) | 2006-06-09 | 2009-12-01 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Low profile side emitting LED |
US8080828B2 (en) | 2006-06-09 | 2011-12-20 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Low profile side emitting LED with window layer and phosphor layer |
US7503676B2 (en) * | 2006-07-26 | 2009-03-17 | Kyocera Corporation | Light-emitting device and illuminating apparatus |
EP3489572A1 (en) * | 2006-08-29 | 2019-05-29 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices |
US7652301B2 (en) | 2007-08-16 | 2010-01-26 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Optical element coupled to low profile side emitting LED |
US7810956B2 (en) * | 2007-08-23 | 2010-10-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light source including reflective wavelength-converting layer |
JP5277085B2 (ja) * | 2009-06-18 | 2013-08-28 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
CN101619812B (zh) * | 2009-07-24 | 2011-05-18 | 旭丽电子(广州)有限公司 | 发光二极管 |
KR101923588B1 (ko) * | 2011-01-21 | 2018-11-29 | 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 | 발광장치, 그 제조방법 및 조명장치 |
JP2012174551A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光装置 |
JP5609716B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2014-10-22 | デクセリアルズ株式会社 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
JP2012216764A (ja) | 2011-03-25 | 2012-11-08 | Sharp Corp | 発光装置、照明装置、および表示装置 |
US10386559B2 (en) * | 2013-03-29 | 2019-08-20 | Signify Holding B.V. | Light emitting device comprising wavelength converter |
JP6255747B2 (ja) | 2013-07-01 | 2018-01-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6554914B2 (ja) | 2015-06-01 | 2019-08-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
-
2016
- 2016-12-26 JP JP2016251898A patent/JP6868388B2/ja active Active
-
2017
- 2017-12-22 US US15/853,472 patent/US10598342B2/en active Active
-
2020
- 2020-02-07 US US16/784,616 patent/US10920960B2/en active Active
-
2021
- 2021-01-15 US US17/150,474 patent/US11313534B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010530082A (ja) * | 2007-06-14 | 2010-09-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 薄型の側面発光ledを用いた、薄いフラッシュ又は薄いビデオ録画用ライト |
JP2010050236A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2010092672A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Harison Toshiba Lighting Corp | バックライト装置および表示装置 |
US20110121341A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Sang Won Lee | Light emitting apparatus |
JP2016072304A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020021688A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光モジュール及びその製造方法 |
JP7128411B2 (ja) | 2018-08-03 | 2022-08-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光モジュール及びその製造方法 |
JP2022007896A (ja) * | 2019-11-29 | 2022-01-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びledパッケージ |
US11489097B2 (en) | 2019-11-29 | 2022-11-01 | Nichia Corporation | Light emitting device including light transmissive cover member including an annular lens part, and LED package |
JP7295437B2 (ja) | 2019-11-29 | 2023-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US12148870B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-11-19 | Nichia Corporation | LED package and integrated light emitting device |
JP2022012079A (ja) * | 2020-06-30 | 2022-01-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール、液晶表示装置 |
JP7189451B2 (ja) | 2020-06-30 | 2022-12-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール、液晶表示装置 |
US11830967B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-11-28 | Nichia Corporation | Light emitting module and liquid crystal display device |
US12132157B2 (en) | 2020-06-30 | 2024-10-29 | Nichia Corporation | Light emitting module and liquid crystal display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6868388B2 (ja) | 2021-05-12 |
US10920960B2 (en) | 2021-02-16 |
US20180180249A1 (en) | 2018-06-28 |
US10598342B2 (en) | 2020-03-24 |
US20200318808A1 (en) | 2020-10-08 |
US20210140607A1 (en) | 2021-05-13 |
US11313534B2 (en) | 2022-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11313534B2 (en) | Light-emitting device and integrated light-emitting device | |
US11978725B2 (en) | Light-emitting device, integrated light-emitting device, and light-emitting module | |
JP7252483B2 (ja) | 発光装置、集積型発光装置および発光モジュール | |
JP6512321B2 (ja) | 発光装置 | |
CN108963056B (zh) | 发光装置 | |
TW202301711A (zh) | 光源 | |
JP6575507B2 (ja) | 発光装置および集積型発光装置 | |
JP2017084727A (ja) | 照明モジュールおよび照明装置 | |
JP6985622B2 (ja) | 発光装置および集積型発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190108 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190307 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20191001 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20191226 |
|
C116 | Written invitation by the chief administrative judge to file amendments |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C116 Effective date: 20200114 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20200114 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20200616 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20200915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201110 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20210112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210201 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20210224 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20210406 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20210406 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210412 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6868388 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |