JP2018093166A5 - - Google Patents
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Claims (6)
- 基板上に絶縁膜を成膜する第１の工程と、
大気雰囲気下で前記基板を搬送する第２の工程と、
前記絶縁膜を加熱する第３の工程と、
前記絶縁膜上に金属酸化物膜を成膜する第４の工程と、を有し、
前記第３の工程及び第４の工程は、水蒸気分圧が大気よりも小さい雰囲気下で一貫して行われる、半導体装置の作製方法。 - 請求項１において、
前記第３の工程は、
１００℃以上５００℃以下の温度範囲で行われ、且つ１分以上１２０分以下の処理時間の範囲で行われる、半導体装置の作製方法。 - 請求項１または請求項２において、
前記第３の工程は、圧力が１×１０−７Ｐａ以上１×１０−３Ｐａ以下で行われる、半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＧａ、Ａｌ、Ｙ、またはＳｎ）ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜される、半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記金属酸化物膜は、室温以上２００℃以下の温度で成膜される、半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記金属酸化物膜は、意図的に加熱しない温度で成膜される、半導体装置の作製方法。
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