JP2015106662A - Dicing film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ダイシングフィルムに関する。より詳細に、本発明は、半導体用シリコンウエハやパッケージをダイシングソーで切削しチップ化する際に発生する切削水の侵入を抑制できるダイシングフィルムに関する。 The present invention relates to a dicing film. In more detail, this invention relates to the dicing film which can suppress the penetration | invasion of the cutting water generate | occur | produced when cutting the silicon wafer and package for semiconductors with a dicing saw, and making it into a chip | tip.
半導体ウエハ加工用シートの一種であるダイシングフィルムは、半導体用シリコンウエハやパッケージをカットし、チップに切削する時に、半導体用シリコンウエハ等の被着体に接着して、切削されたチップを保持しピックアップするために用いられている。 A dicing film, which is a type of semiconductor wafer processing sheet, holds a cut chip by bonding it to an adherend such as a semiconductor silicon wafer when cutting a semiconductor silicon wafer or package into chips. Used to pick up.
このため、ダイシングフィルムは、切削されたチップの保持性能が良いこと、ピックアップしやすいこと、等が求められている。 For this reason, the dicing film is required to have good holding performance of the cut chips, easy to pick up, and the like.
この様なダイシングフィルムを含む半導体ウエハ加工用シートとして、例えば、特許文献１〜４が知られている。 As a semiconductor wafer processing sheet including such a dicing film, for example, Patent Documents 1 to 4 are known.
特許文献１には、半導体ウエハに対する粘着力が光及び／又は電子線照射前で５０〜５００ｇ／２５ｍｍ、照射後には５〜４０ｇ／２５ｍｍであり、且つ、照射前の該粘着剤層の保持力がＪＩＳＺ０２３７において３６００秒後のズレの距離が５ｍｍ以下である半導体ウエハ加工用粘着シートが開示されている。この半導体ウエハ加工用粘着シートによれば、半導体ウエハに対して優れた粘着力を示し、耐チッピング特性に優れ、安定な粘着物性を保ち、エキスパンディング後のチップ整列性に優れる。 In Patent Document 1, the adhesive strength to a semiconductor wafer is 50 to 500 g / 25 mm before irradiation with light and / or electron beam, 5 to 40 g / 25 mm after irradiation, and the holding power of the adhesive layer before irradiation. Discloses a pressure-sensitive adhesive sheet for processing semiconductor wafers in which the distance of displacement after 3600 seconds is 5 mm or less in JISZ0237. According to this pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer, it exhibits excellent adhesive strength to a semiconductor wafer, has excellent chipping resistance, maintains stable adhesive properties, and has excellent chip alignment after expansion.
特許文献２には、粘着剤が、ベース樹脂１００質量部、放射線重合性化合物３０〜９０質量部、放射線重合性重合開始剤０．０５〜２０質量部及び架橋剤２〜１２質量部からなる半導体ウエハ加工用粘着シートが開示されている。この半導体ウエハ加工用粘着シートによれば、半導体ウエハ加工に際して、不純性が少なくかつ耐チッピング特性に優れ、ダイシングの際のチップ飛びを防ぐことが出来る。
特許文献３には、基材の片面に実質的に放射線非硬化型の粘着剤層（２）が形成され、その表面に放射線によって硬化し粘着力が低下する放射線硬化型粘着剤層（１）が設けられている半導体ウエハ加工用粘着シートが開示されている。この半導体ウエハ加工用粘着シートによれば、貼り付け時には半導体ウエハとしっかり密着し、また剥離時には放射線照射によってその粘着力が十分に低下し、かつバックグラインドテープではその際のウエハの反りが少なく、またダイシングテープの場合ではエキスパンド工程においても十分な引き伸ばしが可能となる。 In Patent Document 3, a radiation non-curable pressure-sensitive adhesive layer (2) is formed on one side of a base material, and the surface thereof is cured by radiation to reduce the adhesive strength (1). A semiconductor wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet is disclosed. According to this adhesive sheet for processing a semiconductor wafer, it adheres firmly to the semiconductor wafer when affixed, and when it is peeled off, its adhesive strength is sufficiently reduced by radiation irradiation, and backgrind tape has less warpage of the wafer at that time, In the case of a dicing tape, sufficient stretching can be achieved even in the expanding process.
ところで、ダイシングフィルムに接着された半導体用シリコンウエハやパッケージは、ダイシングソーでチップに切削されるが、従来、ダイシングの際に冷却や切削屑の洗い流しに用いられる切削水が、ダイシングフィルムに接着しているチップ表面に侵入して、表面汚染が生起し、これによってチップの性能が低下するといった問題があった。 By the way, semiconductor silicon wafers and packages bonded to a dicing film are cut into chips by a dicing saw. Conventionally, cutting water used for cooling and washing away cutting chips adheres to the dicing film. There is a problem that surface contamination occurs due to intrusion into the surface of the chip, which reduces the performance of the chip.
このような切削水侵入によるチップ性能の低下を抑制できるダイシングフィルムとして、特許文献４には、基材フィルム上の少なくとも一方の面に感圧水性エマルジョン型粘着剤層を有し、該水性エマルジョン型粘着剤の分散ポリマーのゲル分率が８０％以上であり、かつ２５℃における剥離時でのＳＵＳ２８０研磨面に対する粘着力が０．８〜２．５Ｎ／２５ｍｍであり、５０℃における加熱剥離時のＳＵＳ２８０研磨面に対する粘着力が、該２５℃における剥離時でのＳＵＳ２８０研磨面に対する粘着力に対して５０％以下であって、該粘着剤中の分散ポリマーの平均粒子径が０．１３〜０．１８μｍであり、感圧水性エマルジョン型粘着剤層に架橋剤を含有しない半導体ウエハ表面保護用粘着テープが開示されている。 As a dicing film capable of suppressing the deterioration of the chip performance due to such penetration of cutting water, Patent Document 4 has a pressure-sensitive aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive layer on at least one surface of the base film, and the aqueous emulsion type The gel fraction of the dispersion polymer of the pressure-sensitive adhesive is 80% or more, and the adhesive strength to the SUS280 polished surface at the time of peeling at 25 ° C. is 0.8 to 2.5 N / 25 mm, and at the time of heat peeling at 50 ° C. The adhesive strength with respect to the SUS280 polished surface is 50% or less with respect to the adhesive strength with respect to the SUS280 polished surface at the time of peeling at 25 ° C., and the average particle size of the dispersed polymer in the adhesive is 0.13 to 0.3. A pressure-sensitive water-emulsion-type pressure-sensitive adhesive layer that has a thickness of 18 μm and does not contain a crosslinking agent is disclosed.
しかしながら、特許文献４の半導体ウエハ表面保護用粘着テープでは、切削水侵入によるチップ性能の低下に対する抑制は不十分である。 However, the adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface of Patent Document 4 does not sufficiently suppress the deterioration of chip performance due to penetration of cutting water.
本発明は、ダイシングフィルムに接着された半導体用シリコンウエハやパッケージがダイシングソーでチップに切削される際に、冷却や切削屑の洗い流しに用いられる切削水がダイシングフィルムに接着しているチップ表面への侵入によるチップ性能の低下を抑制することができるダイシングフィルムを提供することを課題とする。 In the present invention, when a semiconductor silicon wafer or package bonded to a dicing film is cut into chips by a dicing saw, the cutting water used for cooling or washing away the cutting waste is applied to the chip surface bonded to the dicing film. It is an object of the present invention to provide a dicing film that can suppress a decrease in chip performance due to the intrusion of the substrate.
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した。その結果、基材に粘着剤層を設けたダイシングフィルムにおいて、粘着剤層が特定範囲の光積算照射量により硬化性を有し、且つ、前記粘着剤層が、ベース樹脂及びベース樹脂１００質量部に対して５．０質量部以下の架橋剤を含有する粘着剤層であるダイシングフィルムは、切削水侵入によるチップ性能の低下の抑制効果が大きいことを見出した。本発明は、これらの知見に基きさらに検討を重ねた結果、完成するに至ったものである。 The present inventors have intensively studied to solve the above problems. As a result, in the dicing film in which the pressure-sensitive adhesive layer is provided on the base material, the pressure-sensitive adhesive layer has curability due to the light integrated irradiation amount in a specific range, and the pressure-sensitive adhesive layer includes the base resin and the base resin 100 parts by mass. On the other hand, the dicing film which is a pressure-sensitive adhesive layer containing a crosslinking agent of 5.0 parts by mass or less has been found to have a great effect of suppressing the deterioration of the chip performance due to the penetration of cutting water. The present invention has been completed as a result of further studies based on these findings.
すなわち、本発明は以下の態様を包含するものである。
〔１〕基材に粘着剤層を設けたダイシングフィルムであって、粘着剤層は、５０ｍＪ／ｃｍ２以上５００ｍＪ／ｃｍ２以下の光積算照射量により硬化性を有し、粘着剤層は、ベース樹脂及び架橋剤を含有し、架橋剤は、ベース樹脂１００質量部に対して５．０質量部以下の含有量であることを特徴とするダイシングフィルム。
That is, the present invention includes the following aspects.
[1] A dicing film in which a pressure-sensitive adhesive layer is provided on a substrate, the pressure-sensitive adhesive layer has curability with a light integrated irradiation dose of 50 mJ / cm 2 or more and 500 mJ / cm 2 or less, A dicing film comprising a base resin and a crosslinking agent, wherein the crosslinking agent has a content of 5.0 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the base resin.
〔２〕架橋剤は、ベース樹脂１００質量部に対して０．０１質量部以上０．９質量部以下の含有量であることを特徴とする〔１〕に記載のダイシングフィルム。 [2] The dicing film as described in [1], wherein the crosslinking agent has a content of 0.01 parts by mass or more and 0.9 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the base resin.
〔３〕ベース樹脂は、アミド基を有するアクリル系樹脂を含有することを特徴とする〔１〕または〔２〕に記載のダイシングフィルム。 [3] The dicing film as described in [1] or [2], wherein the base resin contains an acrylic resin having an amide group.
〔４〕粘着剤層を半導体ウエハのバックグラインドした面に貼り付け、２時間静置した状態において、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠した測定法で、３００ｃＮ／２５ｍｍ以上の１８０°剥離粘着力を有することを特徴とする〔１〕ないし〔３〕のいずれか１項に記載のダイシングフィルム。 [4] Adhering the adhesive layer to the back-grinded surface of the semiconductor wafer and having a 180 ° peel adhesive strength of 300 cN / 25 mm or more in a measurement method based on JIS Z 0237 in a state of standing for 2 hours. The dicing film according to any one of [1] to [3].
〔５〕粘着剤層は、さらに光硬化性樹脂及び光重合開始剤を含有することを特徴とする〔１〕ないし〔４〕のいずれか１項に記載のダイシングフィルム。 [5] The dicing film according to any one of [1] to [4], wherein the pressure-sensitive adhesive layer further contains a photocurable resin and a photopolymerization initiator.
〔６〕光硬化性樹脂は、ベース樹脂１００質量部に対して２００質量部以下の含有量であることを特徴とする〔１〕ないし〔５〕のいずれか１項に記載のダイシングフィルム。 [6] The dicing film according to any one of [1] to [5], wherein the photocurable resin has a content of 200 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the base resin.
〔７〕光硬化性樹脂は、官能基数が２以上２０以下のオリゴマーを含有することを特徴とする〔１〕ないし〔６〕のいずれか１項に記載のダイシングフィルム。 [7] The dicing film as described in any one of [1] to [6], wherein the photocurable resin contains an oligomer having 2 to 20 functional groups.
〔８〕オリゴマーがウレタンアクリレートであることを特徴とする〔１〕ないし〔７〕のいずれか１項に記載のダイシングフィルム。 [8] The dicing film as described in any one of [1] to [7], wherein the oligomer is urethane acrylate.
本発明のダイシングフィルムは、該ダイシングフィルムに接着された半導体用シリコンウエハやパッケージをダイシングするに際して、冷却や切削屑の洗い流しに用いられる切削水がダイシングフィルムに接着しているチップ表面への侵入によるチップ性能の低下を抑制することができるので、切削水侵入によるチップ性能の低下を抑制する事ができる。 In the dicing film of the present invention, when dicing a semiconductor silicon wafer or package bonded to the dicing film, the cutting water used for cooling or washing away the cutting waste is caused by the penetration of the chip surface bonded to the dicing film. Since the deterioration of the chip performance can be suppressed, the deterioration of the chip performance due to the penetration of the cutting water can be suppressed.
本発明のダイシングフィルムは、基材に粘着剤層を設けたダイシングフィルムであって、粘着剤層は、５０ｍＪ／ｃｍ２以上５００ｍＪ／ｃｍ２以下の光積算照射量により硬化性を有し、粘着剤層は、ベース樹脂及び架橋剤を含有し、架橋剤は、ベース樹脂１００質量部に対して５．０質量部以下の含有量であることを特徴とする。 The dicing film of the present invention is a dicing film in which a pressure-sensitive adhesive layer is provided on a base material, and the pressure-sensitive adhesive layer is curable by a light integrated irradiation dose of 50 mJ / cm 2 or more and 500 mJ / cm 2 or less, The agent layer contains a base resin and a crosslinking agent, and the crosslinking agent has a content of 5.0 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the base resin.
本発明のダイシングフィルムの具体例を図１に示す。
図１に示す様に、本発明のダイシングフィルム１０は、基材１及び粘着剤層２より成る。粘着剤層２は基材１の少なくとも片面に設けられ、ダイシングフィルム１０に、ダイシング前の半導体用シリコンウエハやパッケージあるいはダイシング後のチップ等の被着体（以後、単に被着体と呼ぶことがある）を保持する。
A specific example of the dicing film of the present invention is shown in FIG.
As shown in FIG. 1, the
ダイシングフィルム１０は、粘着剤層２を半導体ウエハのバックグラインドした面に貼り付け、２時間静置した状態において、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠した測定法で、３００ｃＮ／２５ｍｍ以上の１８０°剥離粘着力を有することが好ましい。３００ｃＮ／２５ｍｍ未満の１８０°剥離粘着力の場合、ダイシング時にチップ飛びが発生する可能性があり、好ましくない。
The
基材１は、被着体を搬送する等の移動時に安定性を確保する、切削によって粘着剤層２の下層まで切り込みを入れてもチップがダイシングフィルム１０から、ばらばらに剥がれない様にチップを保持する、あるいはチップの使用時にチップを剥がしやすくするために切削後のチップ間隔を広げる、ためのものである。
The base material 1 ensures stability at the time of movement such as transporting the adherend, and the chips are separated so that the chips are not peeled apart from the
基材１を構成する材料は、光、電子線等のエネルギー線を透過するものであれば特に限定されない。具体的にはポリ塩化ビニル；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂；エチレン・酢酸ビニル共重合体；アイオノマー；エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリオレフィンテレフタレート系樹脂；スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、スチレンービニルイソプレンブロック共重合体、ポリカーボネート、等の熱可塑性樹脂；およびこれらの熱可塑性樹脂の混合物を用いることができる。これらの中でもポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、あるいはオレフィン系共重合体とスチレン系熱可塑性エラストマー等の熱可塑性エラストマーとの混合物が好ましい。これらの樹脂混合物は、基材１を透明にすることができるので、エネルギー線の照射による粘着剤層２の硬化を容易にすることができる。
The material which comprises the base material 1 will not be specifically limited if energy rays, such as light and an electron beam, permeate | transmit. Specifically, polyvinyl chloride; polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene; ethylene / vinyl acetate copolymer; ionomer; ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, ethylene / (meta ) Olefin copolymers such as acrylic acid ester copolymers; Polyolefin terephthalate resins such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate; Styrenic thermoplastic elastomers, olefinic thermoplastic elastomers, styrene-vinylisoprene block copolymers, polycarbonates , Etc .; and mixtures of these thermoplastic resins can be used. Among these, polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, or a mixture of an olefin copolymer and a thermoplastic elastomer such as a styrene thermoplastic elastomer is preferable. Since these resin mixtures can make the base material 1 transparent, the
ポリ塩化ビニルやポリエチレンテレフタレートのような剛性の高い樹脂と熱可塑性エラストマーの混合物が更に好ましい。これらの樹脂混合物は、粘着剤層とシリコンウエハ界面の応力を下げることができるため、切削水侵入によるチップ性能の低下の抑制に効果的である。 A mixture of a highly rigid resin such as polyvinyl chloride or polyethylene terephthalate and a thermoplastic elastomer is more preferable. Since these resin mixtures can lower the stress at the interface between the pressure-sensitive adhesive layer and the silicon wafer, they are effective in suppressing the deterioration of the chip performance due to the penetration of cutting water.
基材１は、本発明の効果を損なわない範囲で、目的に合わせて、各種樹脂や添加剤等を添加することができる。 The substrate 1 can be added with various resins, additives, and the like according to the purpose within a range not impairing the effects of the present invention.
基材１には、帯電防止性を付与する添加剤を添加する事が好ましい。帯電防止性を付与する添加剤としては、例えば、ポリエーテル／ポリオレフィンブロックポリマーやポリエーテルエステルアミドブロックポリマー等の高分子型帯電防止剤や、カーボンブラック等、を挙げることができる。帯電防止効果を高める添加剤としては、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤などの界面活性剤、等を挙げることができる。 It is preferable to add an additive that imparts antistatic properties to the substrate 1. Examples of the additive that imparts antistatic properties include polymer-type antistatic agents such as polyether / polyolefin block polymer and polyetheresteramide block polymer, and carbon black. Examples of additives that enhance the antistatic effect include surfactants such as anionic surfactants, cationic surfactants, nonionic surfactants, and zwitterionic surfactants.
また、温度依存性を示さない帯電防止剤として、例えば、カーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物などの粉体、等を基材１に添加しても良い。基材１にオレフィン系樹脂を用いた場合には、ポリエーテル／ポリオレフィン共重合体を用いたイオン伝導型帯電防止剤が好ましい。 Further, for example, carbon black, silver, nickel, powders such as antimony-doped tin oxide, tin-doped indium oxide, and the like may be added to the substrate 1 as an antistatic agent that does not exhibit temperature dependency. When an olefin resin is used for the substrate 1, an ion conduction type antistatic agent using a polyether / polyolefin copolymer is preferable.
基材１の厚さは、特に限定されないが、５０μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以上２００μｍ以下であることが更に好ましく、８０μｍ以上１５０μｍ以下であることが特に好ましい。基材１の厚さが５０μｍより薄い場合には、ダイシングフィルムをエキスパンドした時に基材１が破断しやすくなり、２５０μｍより厚い場合には、ダイシング時のヒゲの発生を抑制することが出来なくなる。 The thickness of the substrate 1 is not particularly limited, but is preferably 50 μm or more and 250 μm or less, more preferably 70 μm or more and 200 μm or less, and particularly preferably 80 μm or more and 150 μm or less. When the thickness of the base material 1 is less than 50 μm, the base material 1 is easily broken when the dicing film is expanded, and when it is thicker than 250 μm, the generation of whiskers during dicing cannot be suppressed.
粘着剤層２は、基材１の少なくとも片面に設けられ、ダイシングフィルム１０に被着体を保持するためのものである。
The pressure-
粘着剤層２は、５０ｍＪ／ｃｍ２以上５００ｍＪ／ｃｍ２以下の光積算照射量により硬化性を有する事が必要である。ダイシングの後でチップのピックアップ前に光照射することによって、ダイシングの時は光照射されていないのでダイシングフィルム１０にチップを十分に保持することができ、チップをピックアップする時には光照射されて粘着剤層２の粘着力が低下しているので、チップのピックアップが容易となる。
The pressure-
粘着剤層２はベース樹脂及び架橋剤を含有する。
The pressure-
ベース樹脂は、シリコンウエハやパッケージに対して粘着機能を有する樹脂である。本発明に用いられるベース樹脂は、シリコンウエハやパッケージに対して粘着機能を有する熱可塑性樹脂であればよく、特に限定されない。 The base resin is a resin having an adhesive function with respect to a silicon wafer or a package. The base resin used in the present invention is not particularly limited as long as it is a thermoplastic resin having an adhesive function with respect to a silicon wafer or a package.
ベース樹脂は、シリコンウエハやパッケージに対して粘着機能を有するアクリル系樹脂が好ましい。これらのアクリル系樹脂としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン等の（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸Ｎ−ヒドロキシメチルアミド、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、等のアミド基を有するアクリル系樹脂；及びアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、等のアクリル系樹脂；等を挙げることができる。 The base resin is preferably an acrylic resin having an adhesive function with respect to a silicon wafer or a package. Examples of these acrylic resins include (meth) acrylamides such as N, N-dimethylacrylamide, N, N-diethylacrylamide, N-isopropylacrylamide, and acryloylmorpholine, (meth) acrylic acid N-hydroxymethylamide, 2- ( Acrylic resins having an amide group such as (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, and the like; and methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, acrylic acid Acrylics such as glycidyl, 2-hydroxyethyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, glycidyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate Fats; and the like.
また、ベース樹脂は、アミド基を有するアクリル系樹脂を含有していることが好ましい。粘着剤層２のベース樹脂がアミド基を有するアクリル系樹脂を含有している場合には、粘着剤層２は良好な粘着性に加えて、凝集力の制御が可能となり、さらに、他成分との相溶性を調整することが可能となる。
The base resin preferably contains an acrylic resin having an amide group. When the base resin of the pressure-
粘着剤層２に含有される架橋剤は、ベース樹脂を架橋するために用いられる。本発明に用いられる架橋剤の量は、ベース樹脂１００質量部に対して５質量部以下であり、ベース樹脂１００質量部に対して０．０１質量部以上０．９質量部以下の含有量であることが好ましい。特にダイシングによって細長いチップを製造する場合には、更に粘着剤層２に含有される架橋剤を０．０１質量部以上０．８質量部以下に少なくすることによって切削水侵入によるチップ性能の低下の抑制効果を大きくすることができる。本発明において、ベース樹脂１００質量部に対して架橋剤の量が５質量部を超えると、切削水侵入によるチップ性能の低下の抑制効果が低下する事があるので好ましくない。
The crosslinking agent contained in the pressure-
本発明においては、特にベース樹脂であるアミド基を有するアクリル系樹脂１００質量部に対して架橋剤の添加量を５質量部以下、好ましくは０．０１質量部以上０．９質量部以下、とすることによって、粘着剤層２の凝集力を下げることができるので、チップ端面の剥離に対する応力を緩和することが可能となり、ダイシングによるカットラインからの切削水の浸入が防ぐことができる。これによって被着面側のチップ汚染を防ぐことができる。
In the present invention, the addition amount of the crosslinking agent is 5 parts by mass or less, preferably 0.01 parts by mass or more and 0.9 parts by mass or less, particularly with respect to 100 parts by mass of the acrylic resin having an amide group as the base resin. By doing so, the cohesive force of the pressure-
本発明で用いられる架橋剤は、ベース樹脂を架橋できる架橋剤であれば特に限定されない。例えばエポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤等が挙げられる。 The crosslinking agent used in the present invention is not particularly limited as long as it is a crosslinking agent capable of crosslinking the base resin. Examples thereof include an epoxy-based crosslinking agent, an isocyanate-based crosslinking agent, a methylol-based crosslinking agent, a chelate-based crosslinking agent, an aziridine-based crosslinking agent, a melamine-based crosslinking agent, and a polyvalent metal chelate-based crosslinking agent.
なかでも、架橋剤として、イソシアネート系架橋剤が好ましい。イソシアネート系架橋剤としては、例えば多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体、または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、あるいはオキシム類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物、等が挙げられる。 Of these, an isocyanate-based crosslinking agent is preferable as the crosslinking agent. Examples of the isocyanate-based crosslinking agent include polyisocyanate compounds of polyisocyanates and trimers of polyisocyanate compounds, trimers of terminal isocyanate compounds obtained by reacting polyisocyanate compounds and polyol compounds, or terminal isocyanate urethane prepolymers. Examples thereof include blocked polyisocyanate compounds in which the polymer is blocked with phenol or oximes.
多価イソシアネートとしては、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２−４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ジシキウロヘキシルメタン−２−４’−ジイソシアネート等が挙げられる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４−４’−ジイソシアネート、及びヘキサメチレンジイソシアネートの中から選ばれる１種以上が好ましい。これらの多価イソシアネートを用いることによって、特にイソシアネート自体の凝集と架橋のバランスを向上することができる。 As the polyvalent isocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4-4′-diisocyanate, diphenylmethane-2 -4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4-4'-diisocyanate, and dicyclohexylmethane-2-4'-diisocyanate. Among these, at least one selected from 2,4-tolylene diisocyanate, diphenylmethane-4-4'-diisocyanate, and hexamethylene diisocyanate is preferable. By using these polyvalent isocyanates, the balance between the aggregation and crosslinking of the isocyanate itself can be improved.
粘着剤層２は、さらに光硬化性樹脂及び光重合開始剤を含有する事が好ましい。これによって、光照射後における粘着剤層の粘着力を低下させることができる。光照射に必要な光積算照射量は、５０ｍＪ／ｃｍ２以上５００ｍＪ／ｃｍ２以下である。この光積算照射量により光硬化性樹脂に光硬化性を付与する事ができる。光積算照射量が５０ｍＪ／ｃｍ２よりも少ないと粘着剤層２の粘着力が低下しないため被着体をピックアップしにくくなり、光積算照射量が５００ｍＪ／ｃｍ２よりも多くても、更なる効果は得られない。
The pressure-
光硬化性樹脂は、ベース樹脂１００質量部に対して２００質量部以下の含有量であることが好ましく、１５０質量部以下の含有量であることが更に好ましい。２００質量部より多く含有していると、ベース樹脂の含有割合が低下してダイシング前の粘着性が悪くなる。光重合開始剤は、ベース樹脂１００質量部に対して２０質量部以下の含有量であることが好ましく、１質量部以上１０質量部以下の含有量であることが更に好ましい。 The photocurable resin preferably has a content of 200 parts by mass or less, more preferably 150 parts by mass or less, with respect to 100 parts by mass of the base resin. When it contains more than 200 mass parts, the content rate of base resin will fall and the adhesiveness before dicing will worsen. The photopolymerization initiator preferably has a content of 20 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more and 10 parts by mass or less, relative to 100 parts by mass of the base resin.
光硬化性樹脂及び光重合開始剤を含有する粘着剤層２は、光照射することによって、光硬化性樹脂の硬化が進行し、粘着剤層２の粘着力が低下する。この特徴を利用し、ダイシング工程と被着体のピックアップ工程との間に、光照射工程を経ることによって、光照射前のダイシング工程時はダイシングフィルム１０に被着体を十分に保持することができ、光照射後の被着体のピックアップ工程時には、粘着剤層２の粘着力が低下し、被着体のピックアップが容易となる。
When the pressure-
光硬化性樹脂及び光重合開始剤を含有する粘着剤層２に照射する光積算照射量は、５０ｍＪ／ｃｍ２以上５００ｍＪ／ｃｍ２以下であることが必要である。この光積算照射量により光硬化性を有する事ができる。
The light integrated irradiation amount irradiated to the pressure-
本発明で用いられる光硬化性樹脂は、例えば光、電子線等のエネルギー線の照射によって、三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物である。そのようなエネルギー線硬化型樹脂として、具体的にはトリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート類、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート（オリゴマー）等を挙げることができる。
ウレタンアクリレートは粘着力を向上することができるので好ましい。
The photocurable resin used in the present invention is a low molecular weight compound having in the molecule at least two polymerizable carbon-carbon double bonds that can be three-dimensionally cross-linked by irradiation with energy rays such as light and electron beams. is there. As such an energy ray curable resin, specifically, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, Examples thereof include 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylates, and aromatic and aliphatic urethane acrylates (oligomers).
Urethane acrylate is preferable because it can improve adhesive strength.
本発明で用いられる光重合開始剤は、特に限定されない。例えば、ベンジルジメチルケタール、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。 The photopolymerization initiator used in the present invention is not particularly limited. For example, benzyl dimethyl ketal, 2,2-dimethoxy-2-phenyl acetophenone, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, benzyl methyl ketal, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl propane, etc. Can be used.
粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。半導体ウエハのダイシングに用いられるダイシングフィルムの場合は、５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。パッケージ等の特殊部材のダイシングに用いられるダイシングフィルムの場合は、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。粘着剤層２の厚さが３μｍよりも薄い時は被着体の保持力が劣る場合があり、４０μｍよりも厚い時はダイシング時の加工性が悪くなる場合がある。
Although the thickness of the
本発明の粘着剤層２には、更に粘着付与剤を含有していても良い。粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂などが用いられる。
The pressure-
本発明のダイシングフィルム１０の製造方法としては、例えば粘着剤層２を基材１または基材１を含む樹脂フィルムに対して、粘着剤層２となるベース樹脂、架橋剤、光硬化性樹脂、光重合開始剤及びその他の粘着付与剤等を、酢酸エチル及びトルエンといった適宜な溶剤に、溶解または分散させて塗工液とし、ロールコーティングやグラビアコーティングなどの公知のコーティング法により塗布し、乾燥することにより形成される。
As a manufacturing method of the dicing
本発明のダイシングフィルム１０には、本発明の効果を損なわない範囲で目的に応じて他の樹脂層を設けることができる。
The dicing
また、ＴＳＶ（Ｔｈｏｕｇｈ Ｓｉ ｖｉａ）方式の半導体用シリコンウエハやパッケージの表面には、段差が存在している。このような段差は、ダイシングフィルムと被着体間に酸素を含む空間を発生させ、ダイシングフィルムの埋込性や硬化性を低下させるといった問題がある。しかしながら、本発明のダイシングフィルムは、架橋剤をベース樹脂１００重量部に対して５．０重量部以下を含むことにより、段差に対する埋込性や硬化性を低下することなく使用でき、かつ切削水侵入に対する抑制効果が大きく、好適に用いることができる。 Further, a step is present on the surface of a semiconductor silicon wafer or package of a TSV (Through Si via) system. Such a step has a problem that a space containing oxygen is generated between the dicing film and the adherend and the embedding property and curability of the dicing film are lowered. However, the dicing film of the present invention contains 5.0 parts by weight or less of the cross-linking agent with respect to 100 parts by weight of the base resin, so that the dicing film can be used without lowering the embedding property and curability with respect to the step. The effect of suppressing intrusion is great and can be used suitably.
さらに、本発明のダイシングフィルムは、ダイシング工程において、カットサイズが、２０ｍｍ×０.５ｍｍ□以上の場合、切削水侵入に対する抑制効果が大きく、好適に用いることができる。 Furthermore, the dicing film of the present invention can be suitably used when the cut size is 20 mm × 0.5 mm □ or more in the dicing step, because the effect of suppressing the penetration of cutting water is large.
以下に実施例により本発明を更に詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施例により何ら制限されるものではない。なお、以下の実施例、比較例、及び表１に記載されている部は、質量部を表わす。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited by the following examples. In addition, the part described in the following Examples, Comparative Examples, and Table 1 represents parts by mass.
ダイシングフィルムの切削水侵入抑制効果は、下記の試験方法によって評価した。 The cutting water intrusion suppression effect of the dicing film was evaluated by the following test method.
＜切削水侵入抑制効果試験＞
５インチミラーウエハを、実施例で製造したダイシングフィルムの粘着剤層に張り付けて固定し、ダイシングソー（ＤＩＳＣＯ製 ＤＡＤ３３５０）を用いてスピンドル回転数４０，０００ｒｐｍ、カッティングスピード５０ｍｍ／ｍｉｎで１０ｍｍ□のチップサイズにカットした。ダイシングフィルム表面からカットラインを顕微鏡で観察し、以下の通り評価した。
◎：カットラインからの水浸入がなく、切削水侵入の抑制効果が高い。
○：カットラインからの水浸入幅が１０μｍより小さく、切削水侵入の抑制効果がある。
×：カットラインからの水浸入幅が１０μｍより大きく、切削水侵入の抑制効果は無い。
<Cutting water penetration suppression effect test>
A 5-inch mirror wafer is fixed by adhering to the adhesive layer of the dicing film produced in the example, and a 10 mm square chip at a spindle rotation speed of 40,000 rpm and a cutting speed of 50 mm / min using a dicing saw (DISC DAD3350). Cut to size. The cut line was observed with a microscope from the surface of the dicing film and evaluated as follows.
A: There is no water intrusion from the cut line, and the effect of suppressing cutting water intrusion is high.
○: The water intrusion width from the cut line is smaller than 10 μm, and there is an effect of suppressing the penetration of cutting water.
X: The water penetration width from the cut line is larger than 10 μm, and there is no effect of suppressing the penetration of cutting water.
（実施例１）
粘着剤層２のベース樹脂として、ガラス転移温度−１５℃のアミド基を有するアクリル系樹脂１００部、光硬化性樹脂として１５官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（新中村化学工業株式会社製、商品名：ＵＡ−５３Ｈ）１００部、架橋剤としてポリイソシアネート（日本ポリウレタン工業株式会社製、商品名：コロネートＬ）０．２部、及び光重合開始剤としてベンジルジメチルケタール（ＢＡＳＦ Ｊａｐａｎ株式会社製、商品名：イルガキュア６５１）７部を酢酸エチルに溶解し樹脂溶液を得た。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着剤層の厚みが１０μｍになるようにベースフィルムにバーコート塗工した後、８０℃で５分間乾燥させて、所望の粘着剤層となるフィルムを得た。この粘着剤層となるフィルムを、ポリエチレン（宇部興産株式会社製、商品名：Ｆ５２２Ｎ）を１軸混練機で混練後、押出し機で押し出して得た厚み８０μｍの基材１に、３０℃でラミネートロールを用いてラミネートして、ダイシングフィルムを得た。このダイシングフィルムの切削水侵入抑制効果の評価結果を表１に示す。
Example 1
As a base resin of the pressure-
（実施例２）
架橋剤を２．５部とした以外は実施例１と同様にしてダイシングフィルムを得た。
このダイシングフィルムの切削水侵入抑制効果の評価結果を表１に示す。
(Example 2)
A dicing film was obtained in the same manner as in Example 1 except that 2.5 parts of the crosslinking agent was used.
Table 1 shows the evaluation results of the cutting water penetration inhibiting effect of this dicing film.
（実施例３）
架橋剤を５．０部とした以外は実施例１と同様にしてダイシングフィルムを得た。
このダイシングフィルムの切削水侵入抑制効果の評価結果を表１に示す。
(Example 3)
A dicing film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the crosslinking agent was changed to 5.0 parts.
Table 1 shows the evaluation results of the cutting water penetration inhibiting effect of this dicing film.
（比較例１）
架橋剤を７．５部とした以外は実施例１と同様にしてダイシングフィルムを得た。
このダイシングフィルムの切削水侵入抑制効果の評価結果を表１に示す。
(Comparative Example 1)
A dicing film was obtained in the same manner as in Example 1 except that 7.5 parts of the crosslinking agent was used.
Table 1 shows the evaluation results of the cutting water penetration inhibiting effect of this dicing film.
（比較例２）
架橋剤を１１部とした以外は実施例１と同様にしてダイシングフィルムを得た。
このダイシングフィルムの切削水侵入抑制効果の評価結果を表１に示す。
(Comparative Example 2)
A dicing film was obtained in the same manner as in Example 1 except that 11 parts of the crosslinking agent was used.
Table 1 shows the evaluation results of the cutting water penetration inhibiting effect of this dicing film.
（比較例３）
架橋剤を１２．５部とした以外は実施例１と同様にしてダイシングフィルムを得た。
このダイシングフィルムの切削水侵入抑制効果の評価結果を表１に示す。
(Comparative Example 3)
A dicing film was obtained in the same manner as in Example 1 except that 12.5 parts of the crosslinking agent was used.
Table 1 shows the evaluation results of the cutting water penetration inhibiting effect of this dicing film.
１ 基材
２ 粘着剤層
１０ ダイシングフィルム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (8)
前記粘着剤層は、ベース樹脂及び架橋剤を含有し、５０ｍＪ／ｃｍ２以上５００ｍＪ／ｃｍ２以下の光積算照射量により硬化性を有し、
前記架橋剤は、前記ベース樹脂１００質量部に対して５．０質量部以下の含有量であることを特徴とするダイシングフィルム。 A dicing film provided with a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate,
The pressure-sensitive adhesive layer contains a base resin and a cross-linking agent, and has curability with a light integrated irradiation dose of 50 mJ / cm 2 or more and 500 mJ / cm 2 or less,
The dicing film according to claim 1, wherein the crosslinking agent has a content of 5.0 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the base resin.
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