JP2015199814A - 樹脂組成物、接着フィルム、接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、および、電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電極部材が備える電極同士を半田接合するとともに、電極部材間を樹脂組成物により充填する際に、電極同士の半田接合性や電子装置に荷重が作用した場合の機械的な耐性を向上させ、電子装置の接続信頼性を向上させることができるとともに、高速信号伝送にも対応可能な電子装置を得ること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物は、相対向する電極間に介在され、前記相対向する電極を電気的に接続するフィルム状の樹脂組成物であって、前記樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、
（Ｂ）成膜性樹脂と、（Ｃ）充填材と、を含有し、１００℃における溶融粘度Ｖ１が２００Ｐａ・ｓ以上、３００００Ｐａ・ｓ以下であり、硬化後のフィルム状の樹脂組成物の弾塑比が１０％以上、５０％以下であることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、樹脂組成物、接着フィルム、接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、および、電子装置に関する。

近年の電子機器の高機能化および軽薄短小化の要求に伴い、これらの電子機器に使用される電子装置、例えば半導体パッケージも、従来にも増して、小型化かつ多ピン化が進んできている。

電子装置は、電極部材を電気的に接合する工程を実施することにより製造される。
このような電子装置においては、電極が形成された電極部材間の電気的な接続を得るために通常、半田接合が用いられている。この半田接合を実施する箇所としては、例えば、半導体チップ同士の導通接合部、半導体チップをフリップチップで搭載したパッケージのような半導体チップと回路基板間の導通接合部、回路基板同士の導通接合部などが挙げられる。
この半田接合部には、電気的な接続信頼性および機械的な接続強度を確保するために、一般的にアンダーフィル材と呼ばれる液状封止樹脂組成物が注入されている（アンダーフィル封止と呼称される）。

この半田接合部に生じた空隙（ギャップ）を液状封止樹脂組成物で充填して補強する場合、半田接合後に液状封止樹脂組成物を空隙に注入し、これを硬化させることによって半田接合部を補強する方法が用いられている。
しかしながら、電子装置の薄化、小型化に伴い、半田接合部は狭ピッチ化／狭ギャップ化しており、半田接合後に液状封止樹脂組成物を注入しても、注入位置や注入量の調節が難しいため、空隙に液状封止樹脂組成物が充分に行き渡らず、空隙を完全に充填することが困難になるという問題を生じている。

このような問題に対して、電極部材間にフラックス機能を有する接着フィルムを介在させることにより、電極部材間の半田接合と接着とを一括で行う方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

上記の方法では、例えば、回路基板上に半導体チップを搭載する場合、まず、フラックス機能を有する接着フィルムがベースフィルム上に積層された接着シートと、複数の個別回路が設けられたウエハとを用意し、この接着シートを、接着フィルムがウエハの個別回路と対向するようにして配置し、接着シートをウエハにラミネートした後、個別のチップにダイシングすることにより、接着シートがラミネートされた半導体チップが得られる。
そして、回路基板と、接着シートがラミネートされた半導体チップとを、接着シートが回路基板と半導体チップとの間に位置するように積層した後、熱と圧力を加えることにより、接着シートを溶融させ、回路基板の電極と半導体チップの電極とを溶融接合するとともに、回路基板と半導体チップとの間の空隙を充填することにより、回路基板に半導体チップが搭載された電子装置が得られる。

このような技術において、回路基板と半導体チップ間、あるいは半導体チップと半導体チップ間などのギャップ（間隙）が狭くなると、相対する電気回路同士の距離、すなわち
相対する配線と配線との距離が近づくことになる。このことは、相対する配線と配線との間に生じる寄生容量（静電容量）が増加することを意味し、これにより配線内を通る電気信号の遅延の増加（＝ＲＣ時定数の増加）を招くことに繋がるため、高速信号伝送が要求される用途において、良好な特性を発現できる電子装置が要求されている。

また、このような技術において、例えば、回路基板の電極との半導体チップの電極を溶融接合した電子装置をインターポーザー基板に搭載する際のボンディングの荷重によって、電子装置内の回路基板の電極と半導体チップの電極との接合部に応力が集中し接合部にクラックが生じたり、ボンディング荷重の反力によってインターポーザー基板から電子装置のコーナー部で剥離が発生したりすることに繋がるため、このような現象の発生を防止できる特性を有する電子装置が要求されている。

特開２０１３−１１２７３０号公報

本発明は、樹脂組成物を用いて、電極部材が備える電極同士を半田接合するとともに、電極部材間を樹脂組成物により充填する際に、接合する電極間の距離、および、樹脂組成物の硬化物の物理的特性を最適化することにより、電極同士の半田接合性や電子装置に荷重が作用した場合の機械的な耐性を向上させ、電子装置の接続信頼性を向上させることができるとともに、電極部材間の距離を最適化し、樹脂組成物の硬化物により形成される部分を低静電容量化することにより、高速信号伝送にも対応可能な電子装置を得ることができる樹脂組成物、この樹脂組成物から形成される接着フィルム、接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、および、かかる接着フィルムの硬化物を有する電子装置を提供するものである。

このような目的は、下記（１）〜（２１）に記載の本発明により達成される。
（１）相対向する電極間に介在され、前記相対向する電極を電気的に接続する樹脂組成物であって、前記樹脂組成物は、
（Ａ）エポキシ樹脂と、
（Ｂ）成膜性樹脂と、
（Ｃ）充填材と、を含有し、
１００℃における溶融粘度Ｖ１が２００Ｐａ・ｓ以上、３００００Ｐａ・ｓ以下であり、
硬化後の樹脂組成物の弾塑比が１０％以上、５０％以下であることを特徴とする樹脂組成物。

（２）前記（１）に記載の樹脂組成物において、
前記樹脂組成物は、１５０℃における溶融粘度Ｖ２が１００Ｐａ・ｓ以上、２５０００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする樹脂組成物。

（３）前記（２）に記載の樹脂組成物において、
前記溶融粘度Ｖ１と前記溶融粘度Ｖ２との比（Ｖ１／Ｖ２）が、０．５以上、３．０以下であることを特徴とする樹脂組成物。

（４）前記（１）ないし（３）のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
前記（Ａ）エポキシ樹脂は、ビスフェノール型エポキシ樹脂、トリスフェニルメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン構造を分子内に有するエポキシ樹脂、および、ビフェニル構造を分子内に有するエポキシ樹脂、から選ばれる１種以上を含有するものであることを特徴とする樹脂組成物。

（５）前記（１）ないし（４）のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
前記（Ｂ）成膜性樹脂は、ＧＰＣ測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量が１０，０００以上、１，１００，０００以下であることを特徴とする樹脂組成物。

（６）前記（１）ないし（５）のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
前記（Ｃ）充填材は、平均粒子径が５ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることを特徴とする樹脂組成物。

（７）前記（１）ないし（６）のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
さらに、（Ｄ）硬化剤、を含有することを特徴とする樹脂組成物。

（８）前記（１）ないし（７）のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
さらに、（Ｅ）フラックス機能を有する化合物、を含有することを特徴とする樹脂組成物。

（９）前記（１）ないし（８）のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
さらに、（Ｆ）硬化促進剤、を含有することを特徴とする樹脂組成物。

（１０）前記（１）ないし（９）のいずれか一項に記載の樹脂組成物から形成されるものであることを特徴とする、接着フィルム。

（１１）前記（１０）に記載の接着フィルムと、ベースフィルムとを有することを特徴とする、接着シート。

（１２）前記（１０）に記載の接着フィルムと、ダイシングテープとを有することを特徴とする、ダイシングテープ一体型接着シート。

（１３）前記（１０）に記載の接着フィルムと、バックグラインドテープとを有することを特徴とする、バックグラインドテープ一体型接着シート。

（１４）前記（１０）に記載の接着フィルムと、ダイシングテープとバックグラインドテープとを兼ねたダイシングテープ兼バックグラインドテープとを有することを特徴とする、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート。

（１５）前記（１０）ないし（１４）のいずれか一項に記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子装置。

本発明の接着フィルムを用いて、電極部材が備える電極同士を半田接合するとともに、電極部材間を樹脂組成物により充填することにより、接合する電極間の距離、および、樹脂組成物の硬化物の物理的特性を最適化でき、電極同士の半田接合性や電子装置に荷重が作用した場合の機械的な耐性を向上させ、電子装置の接続信頼性を向上させることができるとともに、電極部材間の距離を最適化でき、樹脂組成物の硬化物から形成される部分を低静電容量化することにより、高速信号伝送にも対応可能な電子装置を得ることができる。

（１）本発明の接着シートの一実施形態を示す縦断面図である。（２）本発明のダイシングテープ一体型接着シートの一実施形態を示す縦断面図である。（３）本発明のバックグラインドテープ一体型接着シートの一実施形態を示す縦断面図である。（４）本発明のダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シートの一実施形態を示す縦断面図である。 （ａ）〜（ｆ）本発明の接着シートの一実施形態を用いて、回路基板上に半導体チップを搭載する方法を説明するための斜視図である。 （ａ）〜（ｄ）本発明の接着シートの一実施形態を用いて、ウエハ上に接着シートをラミネートする工程を説明するための縦断面図である。 ナノインデンターを用い、硬化後の樹脂組成物の弾塑比を測定する際の荷重（ｍＮ）−押し込み方向の変位量（μｍ）曲線を図示したものである。

以下、本発明の樹脂組成物、接着フィルム、接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、および電子部品について、必要に応じて添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜樹脂組成物＞
まず、樹脂組成物について詳細に説明する。
本発明の樹脂組成物は、
相対向する電極間に介在され、前記相対向する電極を電気的に接続する樹脂組成物であって、前記樹脂組成物は、
（Ａ）エポキシ樹脂と、
（Ｂ）成膜性樹脂と、
（Ｃ）充填材と、を含有することを特徴とする。

以下、上記樹脂組成物を構成する各成分について詳細に説明する。

（Ａ）エポキシ樹脂
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂（以下、単に「（Ａ）成分」と呼称することがある）を含有することが好ましい。
これにより、接着フィルムをより容易に製造することができ、さらに、ベースフィルムとの剥離性をより好適な水準とすることができる。

本発明の樹脂組成物において用いることができるエポキシ樹脂（Ａ）としては、特に限定されないが、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、メトキシナフタレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；フェノールノボラックエポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノール型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；ビスナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ジヒドロアントラセンジオール型エポキシ樹脂、及びトリスフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂から選ばれる１種以上を用いることができる。

これらの中でも、ビスフェノール型エポキシ樹脂、トリスフェニルメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン構造を分子内に有するエポキシ樹脂、および、ビフェニル構造を分子内に有するエポキシ樹脂から選ばれる１種以上を含有するものであることが好ましい。
特に、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及び／又はトリスフェニルメタン型エポキシ樹脂を用いると、樹脂組成物に耐熱性を付与することができる。

本発明の樹脂組成物中における上記（Ａ）エポキシ樹脂の含有量としては、特に限定されるものではないが、樹脂組成物全体に対して、好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは１０質量％以上である。また、同様に、好ましくは６５質量％以下、さらに好ましくは５５質量％以下である。
これにより、接着フィルムの柔軟性と屈曲性と耐熱性とのバランスをより効果的に発現させることができる。また、これにより、接着フィルムのタック力が強くなり過ぎることや、接着フィルム自体が脆くなり過ぎることにより、取り扱い性が低下することを効果的に防止することができる。

本発明の樹脂組成物は、上述した（Ａ）成分とともに、（Ｂ）成膜性樹脂（以下、単に「（Ｂ）成分」と呼称することがある）を含有することが好ましい。これにより、樹脂組成物をフィルム状に形成するのが容易になるとともに、接着フィルムの機械的特性を向上させることができる。

本発明の樹脂組成物において用いることができる上記（Ｂ）成膜性樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等を挙げることができる。これらの成膜性樹脂から選ばれる１種以上を用いることができる。

これらの中でも、（Ｂ）成膜性樹脂としては、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、、及び、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を用いるのが好ましい。

なお、本明細書において、「（メタ）アクリル系樹脂」とは、（メタ）アクリル酸およびその誘導体の重合体、又は、（メタ）アクリル酸およびその誘導体と他の単量体との共重合体を意味する。ここで、「（メタ）アクリル酸等」と表記するときは、「アクリル酸またはメタアクリル酸等」を意味する。

上記（Ｂ）成膜性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されるものではないが、好ましくは１０，０００以上、さらに好ましくは１５，０００以上、特に好ましくは２０，０００以上である。また、重量平均分子量は、好ましくは１，１００，０００以下、さらに好ましくは１，０００，０００以下である。
上記（Ｂ）成膜性樹脂の重量平均分子量が上記範囲内であると、接着フィルムの成膜性をより向上させることができる。
ここで重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラム）により測定し、ポリスチレン換算の重量平均分子量として算出することができる。

本発明の樹脂組成物中における上記（Ｂ）成膜性樹脂の含有量としては、特に限定されるものではないが、樹脂組成物全体に対して０．５質量％以上であることが好ましく、１質量％以上であることがより好ましい。また、同様に４０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましい。
（Ｂ）成膜性樹脂の含有量が上記範囲内であると、樹脂組成物から接着フィルムを形成する際に良好な成膜性を付与することができるとともに、接着フィルムの流動性を抑制することができ、接着フィルムの取り扱いを容易なものとすることができる。

（Ｃ）充填材
本発明の樹脂組成物は、上述した（Ａ）成分、（Ｂ）成分とともに、（Ｃ）充填材を含有することが好ましい。

（Ｃ）充填材としては特に限定されないが、例えば、タルク、焼成クレー等の等のケイ酸塩、アルミナ、シリカ、溶融シリカ、酸化チタン等の酸化物、炭酸カルシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等の窒化物等に代表される無機充填材、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂等の各種熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂の粉末、またはこれらの樹脂で構成される共重合体等の粉末状有機充填材、ゴム粒子等の有機材料による充填材、木粉、パルプ、ケナフ、アラミド繊維、ポリエステル繊維等の繊維状有機充填材等に代表される有機充填材等が挙げられる。

上記（Ｃ）充填剤の中でも、信頼性の向上という観点から、無機充填材が好ましい。
無機充填材としては特に限定されないが、例えば、酸化チタン、シリカ、マイカ、アルミナ等を挙げることができ、これらから１種又は２種以上を選択することができるが、コスト等の観点からシリカを好ましく用いることができる。シリカの形状としては、破砕シリカと球状シリカがあるが、球状シリカが好ましい。
また、熱伝導性等の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、窒化珪素、窒化ホウ素、等を用いることもできる。

上記無機充填材の平均粒子径は特に限定されないが、５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、２０ｎｍ以上であることが特に好ましい。また、平均粒子径は５００ｎｍ以下であることが好ましく、４００ｎｍ以下であることがさらに好ましく、３００ｎｍ以下であることが特に好ましい。
平均粒子径を上記範囲とすることで、接着フィルムの透明性を向上させることができ、電子部品の電極上に接着フィルムを形成したときに、接着フィルムを通して電極形状を確認することができるため、接続時の位置ずれを防止し、生産性を向上させることができる。また、樹脂組成物における充填材の凝集を抑制し、外観を向上させることができる。
さらに、平均粒子径を上記範囲内とすることで、樹脂組成物の流動性を確保できると共に高粘度化することができるので、電子装置製造時の樹脂組成物のはみ出しを抑制し、ボイドの発生を防止し、接合後の半田層の薄化による銅と半田の合金化の進行防止と半田の接合性の確保を両立する効果を発現させることができる。

上記（Ｃ）充填材の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物全体に対して２０質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましい。また、７０質量％以下であることが好ましく、６０質量％以下であることがより好ましい。（Ｃ）充填材の含有量を上記範囲とすることで、半田接合部における信頼性を向上させつつ、接着フィルムの透明性をより向上させることができる。また、接着フィルムにおける（Ｃ）充填材の凝集を抑制し、外観を向上させることができる。
さらに、上記範囲とすることで、硬化後の封止樹脂層と被接体との間の線膨張係数差が小
さくなり、熱衝撃の際に発生する応力を低減させることができるため、被接体との密着性をさらに向上させることができる。さらに、硬化後の封止樹脂層の弾性率が高くなりすぎるのを抑制することができ、併せて半田接合部に充填材が巻き込まれることを防止するため、電子部品の接続信頼性をより向上させることができる。

（Ｄ）硬化剤
本発明の樹脂組成物は、上述した（Ａ）成分〜（Ｃ）成分とともに、（Ｄ）硬化剤（以下、単に「（Ｄ）成分」と呼称することがある）を含有することができる。

本発明の樹脂組成物において用いることができる（Ｄ）硬化剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メタキシレリレンジアミンなどの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォンなどの芳香族ポリアミン、ピリジン、ピロールなどの複素環式芳香族アミン化合物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジドなどを含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などの脂肪族酸無水物、無水トリトメット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸などの芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＦ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＡＦ型ノボラック樹脂、フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を含むフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を含むナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ビス（モノまたはジｔｅｒｔ−ブチルフェノール）プロパン、メチレンビス（２−プロペニル）フェノール、プロピレンビス（２−プロペニル）フェノール、ビス［（２−プロペニルオキシ）フェニル］メタン、ビス［（２−プロペニルオキシ）フェニル］プロパン、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス［２−（２−プロペニル）フェノール］、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス［２−（１−フェニルエチル）フェノール］、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス［２−メチル−６−ヒドロキシメチルフェノール］、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス［２−メチル−６−（２−プロペニル）フェノール］、４，４’−（１−メチルテトラデシリデン）ビスフェノールなどのフェノール系硬化剤等が挙げられる。これらの硬化剤から選ばれる１種以上を用いることができる。

これらの中でも、フェノール系硬化剤を用いると、樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができる。また、接着フィルムを硬化させる際のアウトガスとなる成分を低減させることができるので、アウトガスにより半導体チップや回路基板等の電極部材の支持体表面を汚染してしまうことをより効果的に防止することができる。

本発明の樹脂組成物中における上記（Ｄ）硬化剤の含有量としては、特に限定されるものではないが、樹脂組成物全体に対して、好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上である。また、同様に、好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。
（Ｄ）硬化剤の含有量を上記範囲内とすることにより、接着フィルムの機械的接着強度を充分に確保することができ、半田接合部の接続信頼性、すなわち本発明の電子装置の信頼性を向上させることができる。

本発明の樹脂組成物は、上述した（Ａ）成分〜（Ｄ）成分のほか、（Ｅ）フラックス機能を有する化合物（以下、単に「（Ｅ）成分」と呼称することがある）を含有することができる。

上記（Ｅ）フラックス機能を有する化合物は、端子等の電極表面に形成された金属酸化
膜を除去する作用を有するものである。そのため、樹脂組成物中に、かかる化合物が含まれていると、たとえ電極表面に酸化膜が形成されたとしても、この化合物の作用により酸化膜を確実に除去することができる。その結果、電極間を電気的に接続させる接合工程において、半田成分の濡れ性が向上することで、電極間において広い範囲に濡れ拡がり、広い範囲で接合されることにより、電極間を確実に電気的に接続させることができる。これにより、半田接合部における接続信頼性が向上し、電子装置の製造における歩留まりを向上させることができる。

このような（Ｅ）フラックス機能を有する化合物としては、特に限定されるものではないが、例えば、フェノール性水酸基および／またはカルボキシル基を有する化合物が好ましく用いられる。

また、本発明の樹脂組成物において用いられる（Ｅ）フラックス機能を有する化合物は、フラックス作用を示すとともに、硬化性樹脂成分を硬化する硬化剤としての機能、すなわち、硬化性樹脂成分と反応可能な官能基を有するものを用いることができる。

このような官能基としては、本発明のように硬化性樹脂成分として（Ａ）エポキシ樹脂を用いる場合、カルボキシル基、水酸基、アミノ基のような（Ａ）エポキシ基と反応可能な官能基が挙げられる。このようなフラックス機能を有する化合物は、樹脂組成物の溶融時に、低融点の金属組成物表面に形成された酸化膜を除去してこれらの表面の濡れ性を高め、接続部を容易に形成し、相対する電極間を電気的に接続することが可能となる。さらに、電極間に電気的な接続が完了した後においては、この化合物は、硬化剤として作用し、（Ａ）エポキシ樹脂に付加して樹脂の弾性率またはＴｇを高める機能を発揮する。したがって、このようなフラックス機能を有する化合物を用いると、フラックス洗浄が不要であり、また、フラックスの残存に起因するイオンマイグレーションの発生等を的確に抑制または防止することが可能となる。

このような作用を備えるフラックス機能を有する化合物としては、
例えば、一分子中にフェノール性水酸基とカルボキシル基とを有する化合物が挙げられる。

上記一分子中にフェノール性水酸基とカルボキシル基とを有する化合物としては、例えば、２−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。

前述のようなフラックス機能を有する化合物は、１種単独で用いても２種以上を併用して用いてもよい。

なお、いずれの化合物も吸湿しやすく、ボイド発生の原因となるため、本発明においては、使用前に予め乾燥させることが好ましい。

上記（Ｅ）フラックス機能を有する化合物の含有量は、使用する樹脂組成物の組成に応じて適宜設定することができる。
本発明の樹脂組成物における（Ｅ）フラックス機能を有する化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物全体に対して、１質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、４質量％以上が特に好ましい。また、３０質量％以下が好ましく、
２５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が特に好ましい。

（Ｅ）フラックス機能を有する化合物の含有量が上記範囲内であると、電極等の表面に形成された酸化膜を確実に除去することができ、これにより電極間を確実に電気的に接合させることができる。さらに、（Ｅ）フラックス機能を有する化合物が硬化性樹脂成分と反応可能な化合物の場合、硬化時に、硬化性樹脂成分に効率よく付加して硬化性樹脂組成物の弾性率またはＴｇを高めることができる。また、未反応のフラックス機能を有する化合物に起因するイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。これにより、半田接合部における接続信頼性が向上し、本発明の電子装置でも高い信頼性を実現し、電子装置の製造における歩留まりを向上させることができる。

本発明の樹脂組成物は、上述した（Ａ）〜（Ｅ）成分のほか、（Ｆ）硬化促進剤（以下、単に「（Ｆ）成分」と呼称することがある）を含有することができる。これにより、接着フィルムを確実かつ容易に硬化させることができ、接着フィルムによる封止樹脂層を確実に形成することができるので、半田接合部の信頼性、及び本発明の電子部品の信頼性を向上させることができる。
（Ｆ）硬化促進剤としては、（Ａ）エポキシ樹脂や（Ｂ）硬化剤の種類等に応じて、適宜その種類を選択することができる。

（Ｆ）硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等のアミン系触媒、トリフェニルホスフィンやテトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との塩等のリン化合物が挙げられ、これらの中でも、フィルム状の樹脂層の速硬化性、保存性、半導体素子上のアルミパッド耐腐食性を両立できるイミダゾール化合物、リン化合物が好ましく、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、（Ｆ）硬化促進剤としては、融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を使用することができる。
融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を用いると、接着フィルムの硬化が完了する前に、電極が備える半田バンプを構成する半田成分が、回路基板や半導体チップが備える電極の表面より確実に移動することができ、電極同士間の電気的接続をより良好なものとすることができる。

上記融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物としては、例えば、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチル
ヒドロキシイミダゾール等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

接着フィルムを構成する樹脂組成物全体に対する（Ｆ）硬化促進剤の含有量は特に限定されないが、好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．０５質量％以上である。また、同様に、好ましくは７質量％以下、さらに好ましくは４質量％以下である。
これにより、硬化促進剤としての機能をさらに効果的に発現させて、接着フィルムの硬化性を向上させることができる。また、電極が備える半田バンプを構成する半田成分の溶融温度における接着フィルムの溶融粘度が高くなりすぎず、良好な半田接合構造が得られる。また、接着フィルムの保存性をさらに向上させることができる。

本発明の樹脂組成物は、１００℃における溶融粘度Ｖ１が、２００Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。さらに好ましくは５００Ｐａ・ｓ以上、特に好ましくは１５００Ｐａ・ｓ以上である。また、溶融粘度Ｖ１は、３００００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。さらに好ましくは２５０００Ｐａ・ｓ以下、特に好ましくは２２０００Ｐａ・ｓ以下である。
上記１００℃における溶融粘度Ｖ１を上記範囲内とすることにより、適切な流動性を確保することができ、ボイドが発生するのを確実に防止するとともに、回路部材等の電極部材の縁部からの樹脂組成物のはみ出しを確実に防止するという作用効果を発現させることができる。

本発明の樹脂組成物は、１５０℃における溶融粘度Ｖ２が、１００Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。さらに好ましくは５００Ｐａ・ｓ以上、特に好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以上である。また、溶融粘度Ｖ２は、２５０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。さらに好ましくは２００００Ｐａ・ｓ以下、特に好ましくは１７０００Ｐａ・ｓ以下である。
上記１５０℃における溶融粘度Ｖ２を上記範囲内とすることにより、高温時の流動性を確保することができ、相対向する電極間を確実に当接することができるという作用効果を発現させることができる。

本発明の樹脂組成物は、上記１００℃における溶融粘度Ｖ１と、上記１５０℃における溶融粘度Ｖ２との比（Ｖ１／Ｖ２）が、０．５以上であることが好ましく、０．７以上であることがさらに好ましい。また、上記比が、３．０以下であることが好ましく、２．５以下であることがさらに好ましい。
上記Ｖ１とＶ２との比を上記範囲内とすることにより、適切な流動性を確保することができ、ボイドが発生するのを確実に防止するとともに、樹脂組成物による阻害がなく相対向する電極間を確実に接続できるという作用効果を発現させることができる。

本発明において、上記Ｖ１、Ｖ２は、下記の方法により測定することができる。
具体的には、１００℃における溶融粘度Ｖ１は、フィルム状の樹脂組成物を、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製「ＭＡＲＳ」を用いて、パラレルプレート２０ｍｍφ、ギャップ０．０５ｍｍ、周波数１Ｈｚ、一定温度１００℃で測定し、９０秒経過後、粘度が安定した状態での粘度を１００℃における溶融粘度Ｖ１とした。
また、１５０℃における溶融粘度Ｖ２は、同様にフィルム状の樹脂組成物を、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製「ＭＡＲＳ」を用いて、パラレルプレート２０ｍｍφ、ギャップ０．０５ｍｍ、周波数１Ｈｚ、一定温度１５０℃で測定し、９０秒経過後、粘度が安定した状態での粘度を１５０℃における溶融粘度Ｖ１とした。

本発明の樹脂組成物は、硬化後のフィルムの弾塑比が１０％以上であることが好ましい。さらに好ましくは１５％以上、特に好ましくは２０％以上である。また、硬化後のフィ
ルムの弾塑比が５０％以下であることが好ましい。さらに好ましくは４５％以下、特に好ましくは４０％以下である。
上記硬化後のフィルム状の樹脂組成物の弾塑比を上記範囲内とすることにより、電子装置をインターポーザー基板に搭載する際のボンディングの荷重による接合部への応力集中や、ボンディング荷重の反力による電子装置のコーナー部での接合部の剥離を防止することができ、電子装置の電気的信頼性が向上し、インターポーザー基板への搭載性が向上するという作用効果を発現させることができる。

なお、上記弾塑比は、ナノインデンターを用いて測定した、硬化後のフィルム状の樹脂組成物における、弾性変形の仕事量と塑性変形の仕事量との合計に対する弾性変形の仕事量の割合を表したものである。

以下、弾塑比の測定方法について、図４を用いて詳細に説明する。
まず、樹脂組成物を１８０℃で１２０分間加熱し硬化させて、厚さ１９μｍのフィルム状硬化物としたものを測定試料として用いた。また、測定装置としては、ナノインデンターとして株式会社エリオニクス製、超微小硬度計ＥＮＴ−１１００を用い、図４の位置（Ｉ）から荷重を０ｍ
Ｎから５ｍＮまで０．２秒毎に０．０１ｍＮの速度で、押し込みヘッドでフィルム状硬化物の表面を押し込むことによって位置（ＩＩ）まで荷重を加えた後に、位置（ＩＩＩ）まで荷重５ｍＮで３０
秒間保持し、その後、荷重を５ｍＮから０ｍＮまで０．２秒毎に０．０１ｍＮの速度で荷重を減らし、位置（ＩＶ）まで押し込みヘッドを戻すことにより、図４に示したような荷重／押し込み方
向の変位曲線を得ることによって、弾性変形の仕事量と塑性変形の仕事量とを測定することができる。なお、押し込みヘッドとしてはバーコヴィッチ圧子（三角錐形状、対稜角１１５°）を用いた。

ここで弾性変形の仕事量とは、前述の測定方法において、荷重を５ｍＮから０ｍＮまで押し込みヘッドを戻す（荷重を減らす）際に荷重５ｍＮから減らし始めた時（位置（ＩＩＩ））を始点、０ｍ
Ｎに達した時（位置（ＩＶ））を終点とし、これと始点（位置（ＩＩＩ））から押し込み方向の変位の
軸に向かって引いた垂線と、押し込み方向の変位の軸とで囲われる部分の面積（すなわち、位置（ＩＩＩ）−（ＩＶ）−（Ｖ）で囲われる部分）で表わされ、荷重と押し込み方向の変位の積分値で算
出することができる。

一方、塑性変形の仕事量とは、前述の測定方法において、荷重を０ｍＮから５ｍＮまで押し込む際の荷重０ｍＮの時を始点として、また荷重を０ｍＮから５ｍＮまで押し込んだ後に荷重を５ｍＮで３０秒間保持し、荷重を５ｍＮから０ｍＮまで押し込みヘッドを戻して（荷重を減らして）０ｍＮに達した時に、押し込み方向の変位の軸とで囲われる部分の面積（すなわち、位置（Ｉ）
−（ＩＩ）−（ＩＩＩ）―（ＩＶ）−（Ｉ）で囲われる部分）で表わされ、こちらも荷重と押し込み方向
の変位の積分値で算出することができる。

前述の弾塑比は、これらを基に弾性変形の仕事量と塑性変形の仕事量との合計に対する、弾性変形の仕事量の割合を面積比率から算出したものである。（図４において面積Ａが弾性変形の仕事量、面積Ｂが塑性変形の仕事量であり、弾塑比（％）は（（Ａ／（Ａ＋Ｂ））×１００）で表わされる。）

＜接着フィルム＞
次に、本発明の接着フィルムについて説明する。
本発明の接着フィルムは、以上に説明した本発明の樹脂組成物から形成されるものであることを特徴とする。

本発明の接着フィルムは、上述したような接着フィルムに含まれる各成分のうち、溶媒に溶解するものを溶媒中で溶解混合し、次いで、溶媒に溶解しないものを分散混合することにより得られた樹脂組成物ワニスを、ベースフィルム上に塗工して、その後、所定の温度で、実質的に溶媒を含まない程度にまで乾燥させることにより得ることができる。

なお、ここで用いられる溶媒としては、使用される成分に対し不活性なものであれば特に限定されるものではないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ＤＩＢＫ（ジイソブチルケトン）、シクロヘキサノン、ＤＡＡ（ジアセトンアルコール）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＢＥ（ニ塩基酸エステル）、ＥＥＰ（３−エトキシプロピオン酸エチル）、ＤＭＣ（ジメチルカーボネート）等が挙げられ、これらを単独、または混合溶媒として用いることができる。なお、溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分が１０〜６０質量％となる範囲であることが好ましい。

＜接着シート＞
次に、本発明の接着シートについて説明する。
本発明の接着シートは、上記本発明の接着フィルムと、ベースフィルムとを有することを特徴とするものである。

図１（１）に、本発明の接着シートの一形態を示す。図１（１）に示した接着シート１１は、電極が形成された電極部材同士を電気的に接続する際に用いられ、電極部材が備える電極同士の間に形成された空隙内に充填される接着フィルム１と、この接着フィルム１に接合され、接着フィルムを担持して接着シートの取り扱い性を高めることができるベースフィルム２とから構成されているものである。

ここで、電極が形成された電極部材としては特に限定されないが、例えば、半導体チップ、半導体ウエハのほか、有機リジッド回路基板、フレキシブル回路基板などの有機回路基板、セラミック回路基板などの無機回路基板を挙げることができる。

本発明における接着シートの形態は、図１（１）に示したものに限定されるものではなく、例えば、図１（１）において、ベースフィルムが積層されているのと反対側の接着フィルム１側表面に、樹脂組成物表面を保護するためのカバーフィルムを有するものであってもよい。
ベースフィルム２は、例えば、複数の個別電極、個別回路が設けられたウエハ表面などに、接着シート１１をラミネートする際に、接着フィルム１の下地層（支持層）として機能するものである。

ここで、ベースフィルムの材料としては特に限定されるものではないが、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、スチレン・アクリロニトリル共重合体、スチレン・ブタジエン・アクリロニトリル共重合体、ポリエチレン、高密度ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリアセタール、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレート、メタクリル・スチレン共重合体、酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエステル、ナイロン、エチレン・ビニルアルコール共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリブチレンテレフタレート、等の樹脂材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いることができる。
本発明の接着シート１１は、上述したように、樹脂組成物ワニスをベースフィルム上に塗工して、その後、所定の温度で、実質的に溶媒を含まない程度にまで乾燥させることにより得ることができる。そして、必要に応じて、さらに、樹脂組成物上にカバーテープを積層した形態とすることもできる。

＜ダイシングテープ一体型接着シート＞
次に、本発明のダイシングテープ一体型接着シートについて説明する。
本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、上記本発明の接着フィルムと、ダイシングテープとを有することを特徴とする。
図１（２）に、本発明のダイシングテープ一体型接着シートの一形態を示す。図１（２）において、ダイシングテープ一体型接着シート１２は、ダイシングテープ３上に接着フィルム１が形成された構造を有するものである。図１（２）に示した形態では、ダイシングテープ３は、ダイシングテープの基材層３ａと、ダイシングテープの粘着剤層３ｂの２層からなるものであり、ダイシングテープの粘着剤層３ｂと接着フィルム１とが接するように積層されている。

本発明のダイシングテープ一体型接着シートの形態は図１（２）に示したものに限定されるものではなく、例えば、ダイシングテープの基材層３ａに直接本発明の接着フィルム１が積層された形態（すなわちダイシングテープの粘着剤層３ｂが存在しない形態）、あるいは、ダイシングテープの粘着層３ｂと接着フィルム１との間に、介在層を有した形態とすることなどもできる。
介在層を有した形態である場合、ダイシングテープの粘着剤層３ｂは、介在層よりも粘着性が高いものが好ましい。これにより、接着フィルム１に対する介在層の密着力よりも、介在層および基材層に対するダイシングテープの粘着剤層の密着力が大きくなる。そのため、電子装置の製造工程において、例えば、半導体チップのピックアップ工程のような電子装置の製造工程において、剥離を生じさせるべき所望の界面（すなわち介在層と接着シートとの界面）で好適に剥離を生じさせることができる。

＜ダイシングテープ＞
本発明のダイシングテープ一体型接着シートに用いられるダイシングテープは、一般的に用いられるどのようなダイシングテープでも用いることができる。
ダイシングテープの基材層３ａの構成材料としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いることができる。

ダイシングテープの基材層３ａの平均厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上であることが好ましく、３０μｍ以上であることがさらに好ましい。また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがさらに好ましい。ダイシングテープの基材層３ａの平均厚さを上記範囲内とすることにより、ダイシングテープが適度な剛性を有するものとなるため、接着シートを確実に支持して、ダイシングテープ一体型接着シートの取扱いを容易にするとともに、ダイシングテープ一体型接着シートが適度に湾曲するこ
とで、接着シートと電極を有する被接体との密着性を高めることができる。

ダイシングテープの基材層３ａの製造方法としては特に限定されないが、カレンダー法、押出成形法などの一般的な成形方法を用いることができる。また、ダイシングテープに粘着剤層３ｂを設ける場合には、基材層３ａの表面に、粘着剤層３ｂを構成する材料と反応する官能基、例えば、ヒドロキシル基またはアミノ基などが露出していることが好ましい。また、基材層３ａと粘着剤層３ｂとの密着性を向上させるために、基材層３ａの表面をコロナ処理またはアンカーコート等で表面処理しておくことが好ましい。

また、ダイシングテープの粘着剤層３ｂの構成材料としては特に限定されないが、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む樹脂組成物で構成されているものを用いることができる。
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等を用いることができる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。

これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシル、及び、（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、及び、酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、ダイシングテープの粘着剤層３ｂが粘着する相手（例えば、上述した介在層、基材層３ａ等）との密着性や粘着性の制御が容易になる。

上記ダイシングテープの粘着剤層３ｂの平均厚さは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがさらに好ましい。また、１００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましい。ダイシングテープの粘着剤層３ｂの平均厚さを上記範囲内とすることにより、ダイシングテープの粘着剤層３ｂの形状追従性が確保され、半導体ウエハなどの接着フィルムの被接物に対する密着性をより高めることができる。

上記ダイシングテープの製造方法としては特に限定されないが、例えば、バーコート法、ダイコート法、グラビアコート法等により、ダイシングテープの基材層３ａ上に粘着剤層３ｂを塗工することにより製造することができる。また、粘着剤層３ｂは別途粘着剤層３ｂ用基材上に塗工した後に、ダイシングテープの基材層３ａ上にラミネートするなどの方法により転写して製造することもできる。

また、ダイシングテープにさらに介在層を設ける場合は、上記粘着剤層３ｂ上にさらに介在層を塗工してもよいし、介在層を別途、介在層用基材上に塗工したものをラミネートするなどの方法により製造することもできる。

本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、例えば、基材層３ａと粘着剤層３ｂ、あるいは、基材層３ａと粘着剤層３ｂ、及び、介在層を有するダイシングテープと、本発明の接着シート（接着フィルム＋ベースフィルム）とを、上記粘着剤層３ｂまたは介在層と、接着シートの接着フィルム１とが接するようにラミネートすることにより得ることができる。

＜バックグラインドテープ一体型接着シート＞
次に、本発明のバックグラインドテープ一体型接着シートについて説明する。本発明のバックグラインドテープ一体型接着シートは、上記本発明の接着フィルムと、バックグラインドテープとを有することを特徴とする。
図１（３）に、本発明のバックグラインドテープ一体型接着シートの一形態を示す。図１（３）において、バックグラインドテープ一体型接着シート１３は、バックグラインドテープ４上に接着フィルム１が形成された構造を有するものである。図１（３）に示した形態では、バックグラインドテープ４は、バックグラインドテープの基材層４ａと、バックグラインドテープの粘着剤層４ｂの２層からなるものであり、バックグラインドテープの粘着剤層４ｂと接着フィルム１とが接するように積層されている。

本発明のバックグラインドテープ一体型接着シートの形態は図１（３）に示したものに限定されるものではなく、例えば、バックグラインドテープの基材層４ａに直接本発明の接着フィルム１が積層された形態（すなわちバックグラインドテープの粘着剤層４ｂが存在しない形態）、あるいは、バックグラインドテープの粘着層４ｂと接着フィルム１との間に、介在層を有した形態とすることなどもできる。

上記バックグラインドテープの基材層４ａの材質としては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等の樹脂からなるものが挙げられる。

上記バックグラインドテープの粘着剤層４ｂを形成する粘着剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、重合性オリゴマーを含有し、これが重合架橋することにより粘着力が低下する粘着剤から構成されるものであることが好ましい。このような粘着剤としては、例えば、分子内に放射線重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、放射線重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分として含んでなる光硬化型粘着剤等が挙げられる。

上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を有する（メタ）アクリル系ポリマーをあらかじめ合成し、分子内に上記官能基と反応する官能基と放射線重合性の不飽和結合とを有する化合物と反応させることにより得ることができる。なお、本明細書において（メタ）アクリル系ポリマーとは、アクリル系ポリマー及びメタクリル系ポリマーを意味するものとする。

また、上記光硬化型粘着剤は、上記重合性ポリマー及び上記多官能オリゴマー又はモノマー以外に、光重合開始剤を配合することが好ましい。これにより、紫外線等の活性光線を照射することにより、粘着剤層４ｂと接着フィルム１との界面の密着力を確実に低下させることができるため、粘着剤層４ｂの残渣が接着フィルム１表面に残ることなく、バックグラインドテープ４を接着フィルム１から確実に剥離することができる。

上記バックグラインドテープの製造方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、バーコート法、ダイコート法、グラビアコート法等により、バックグラインドテープの基材層４ａ上にバックグラインドテープの粘着剤層４ｂを塗工することにより製造することができる。
また、バックグラインドテープの粘着剤層４ｂは別途粘着剤層４ｂ形成用の基材上に塗工した後に、バックグラインドテープの基材層４ａ上にラミネートするなどの方法により転写して製造することもできる。

また、バックグラインドテープにさらに介在層を設ける場合は、上記粘着剤層４ｂ上にさらに介在層を塗工してもよいし、介在層を別途、介在層用基材上に塗工したものをラミネートするなどの方法により製造することもできる。

本発明のバックグラインドテープ一体型接着シートは、例えば、基材層４ａと粘着剤層４ｂ、あるいは、基材層４ａと粘着剤層４ｂ、及び、介在層を有するバックグラインドテープと、本発明の接着シート（接着フィルム＋ベースフィルム）とを、上記粘着剤層４ｂまたは介在層と、接着シートの接着フィルム１とが接するようにラミネートすることにより得ることができる。

＜ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート＞
次に、本発明のダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シートについて説明する。本発明のダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シートは、上記本発明の接着フィルムと、ダイシングテープ兼バックグラインドテープとを有することを特徴とする。
図１（４）に、本発明のダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シートの一形態を示す。図１（４）において、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート１４は、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ４上に接着フィルム１が形成された構造を有するものである。図１（４）に示した形態では、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ４は、ダイシングテープ兼バックグラインドテープの基材層５ａと、ダイシングテープ兼バックグラインドテープの粘着剤層５ｂの２層からなるものであり、ダイシングテープ兼バックグラインドテープの粘着剤層５ｂと接着フィルム１とが接するように積層されている。

本発明のダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シートの形態は図１（４）に示したものに限定されるものではなく、例えば、ダイシングテープ兼バックグラインドテープの基材層５ａに直接本発明の接着フィルム１が積層された形態（すなわちダイシングテープ兼バックグラインドテープの粘着剤層５ｂが存在しない形態）、あるいは、ダイシングテープ兼バックグラインドテープの粘着層５ｂと接着フィルム１との間に、離型性を有する介在層を有した形態とすることなどもできる。

また、ダイシングテープ兼バックグラインドテープの基材層５ａの材質としては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリウレタン等により作製された、耐熱性や耐薬品性の優れたフィルムであれば使用することができる。

本発明のダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シートにおいて、基材層５ａの厚さは、特に限定されるものではないが、通常３０〜５００μｍであることが好ましい。

また、ダイシングテープ兼バックグラインドテープの粘着剤層５ｂとしては、例えば、上述したような、ダイシングテープの粘着剤層４ｂと同じものを適用することができる。

上記ダイシングテープ兼バックグラインドテープの製造方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、バーコート法、ダイコート法、グラビアコート法等により、ダイシングテープ兼バックグラインドテープの基材層５ａ上にダイシングテープ兼バックグラインドテープの粘着剤層５ｂを塗工することにより製造することができる。
また、ダイシングテープ兼バックグラインドテープの粘着剤層５ｂは別途粘着剤層５ｂ形成用の基材上に塗工した後に、ダイシングテープ兼バックグラインドテープの基材層５ａ上にラミネートするなどの方法により転写して製造することもできる。

また、ダイシングテープ兼バックグラインドテープにさらに介在層を設ける場合は、上記粘着剤層５ｂ上にさらに介在層を塗工してもよいし、介在層を別途、介在層用基材上に
塗工したものをラミネートするなどの方法により製造することもできる。

本発明のダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シートは、例えば、基材層５ａと粘着剤層５ｂ、あるいは、基材層５ａと粘着剤層５ｂ、及び、介在層を有するダイシングテープ兼バックグラインドテープと、本発明の接着シート（接着フィルム＋ベースフィルム）とを、上記粘着剤層５ｂまたは介在層と、接着シートの接着フィルム１とが接するようにラミネートすることにより得ることができる。

＜電子装置＞
次に、本発明の電子装置について説明する。
本発明の電子装置は、上記本発明の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とするものである。

本発明の電子装置の形態の一例について、図２、図３を用いて詳細に説明する。
図２は、本発明の接着シートを用いて、回路基板上に半導体チップを搭載する方法の一形態を説明するための斜視図、図３は、本発明の接着シートを用いて、半導体チップ上に接着シートをラミネートする工程の一形態を説明するための縦断面図である。

［１］まず、接着シート１０と、複数の個別回路２１０が設けられた半導体ウエハ２００とを用意し、この接着シート１０を、接着フィルム１が個別回路２１０と対向するようにして配置した後、接着シート１０を半導体ウエハ２００に対してラミネートする（図２（ａ）参照）。

この工程を実施するための方法としては特に限定されないが、一例として、一対の挟圧部材を用いて実施した場合の工程の詳細について、図３を用いて説明する。
図３（ａ）は、接着シート１１と半導体ウエハ２００とをラミネートする前段階を示したものである。半導体ウエハ２００は、先端に半田バンプ２０２を有した電極２０１を複数備えており、複数の電極間には間隙２０３が存在する。
この半導体ウエハ２００の電極２０１側から、接着シート１１を、接着フィルム１が半導体ウエハ２００の電極２０１が形成された側に向くようにして重ねる。
図３（ｂ）は、図３（ａ）で示した構成のものを、挟圧部材５１、５２により加熱・加圧して、半導体ウエハ２００と接着シート１１とをラミネートし、半導体ウエハ２００が有する電極２０１同士の間に形成された間隙２０３内に、接着フィルム１を均一に充填させた状態を示したものである。
図３（ｃ）は、図３（ｂ）で示した挟圧部材５１、５２による加熱・加圧を開放した状態を示したものである。

半導体ウエハ２００上に接着シート１１をラミネートする条件は特に限定されないが、接着シート１１の貼り付け温度が４０〜１５０℃、接着フィルムに加える圧力が０．２〜１．０ＭＰａであることが好ましい。
また、ラミネートは、雰囲気圧１００ｋＰａ以下の減圧下で行うのが好ましく、雰囲気圧８０ｋＰａ以下の減圧下で行うのがより好ましい。

［２］次に、接着シート１１からベースフィルム２を剥離して、個別回路２１０側に接着フィルム１が接合された半導体ウエハ２００を得る。（図２（ｂ）参照）。
この状態を縦断面図で表わしたのが図３（ｄ）で、半導体ウエハ２００と接着シート１１とをラミネートしたものから、ベースフィルム２を除去したものであり、半導体ウエハ２００が有する電極２０１間の間隙２０３に、接着フィルム１が埋め込まれた状態、換言すれば、間隙２０３が接着フィルム１によって充填されている状態を示したものである。

［３］次に、接着フィルム１が接合された半導体ウエハ２００を、ダイシングソー６００を用いて、個別回路２１０毎に個片化することにより、接着フィルム１が接合された半導体チップ３００を得る（図２（ｃ）参照。）。

［４］次に、個別回路４１０を備える回路基板４００を用意し、前工程［３］で得られた半導体チップ３００を、フリップチップボンダー５００を用いて、回路基板４００が備える個別回路４１０の電極と、半導体チップ３００が備える回路基板の電極２０１とが半田バンプ２０２を介して対向するように位置合わせを行い、回路基板４００上に載置する（図２（ｄ）参照。）。

［５］次に、フリップチップボンダー５００を用いて、回路基板４００と半導体チップ３００とを、この状態で加圧・加熱した後、冷却する（図２（ｅ）参照）。
これにより、本発明の電子装置を製造することができる。

本発明の電子装置の形態では、隣接する接合された電極同士間に形成された空隙には、接着フィルム１に由来する封止樹脂が充填される。この空隙に対する封止樹脂の充填では、上記工程［１］において、各間隙２０３に対して接着フィルム１が均一な厚さ（高さ）で充填されているため、接合された電極同士間に形成された複数の空隙に対して、高い充填率で封止樹脂を充填することができる。

また特に、接着フィルム１がフラックス機能を有するものである場合は、その作用により、半田バンプ２０２の表面に形成された酸化膜が除去されつつ、半田バンプ２０２が溶融した後、固化することとなるため、個別回路２１０の電極２０１と、個別回路４１０の電極とが半田接合されて、端子接合が形成される。

［６］次に、接着フィルム１の構成材料に熱硬化性樹脂が含まれる場合は、回路基板４００と半導体チップ３００とを再度、加熱する（図２（ｆ）参照。）。
これにより、空隙に充填された封止樹脂を確実に硬化させることができる。
このようにして、回路基板４００上に半導体チップ３００を搭載することができ、本発明の電子装置を得ることができる。

なお、本実施形態では、接着シートを用いて電気的に接続する、電極が形成された電極部材として、半導体チップと回路基板とを用いる場合を例に挙げて説明したが、かかる場合に限定されるものではない。
本願発明の形態の接着シートが適用できる電極部材の具体的な組合せとしては、例えば、半導体ウエハと半導体ウエハとの組合せ、半導体ウエハと半導体チップとの組合せ、半導体チップと半導体チップとの組合せ、フレキシブル回路基板と半導体ウエハとの組合せ、リジッド回路基板と半導体ウエハとの組合せ、フレキシブル回路基板と半導体チップとの組合せ、リジッド回路基板と半導体チップとの組合せ、フレキシブル回路基板とフレキシブル回路基板との組合せ、フレキシブル回路基板とリジッド回路基板との組合せ、および、リジッド回路基板とリジッド回路基板との組合せ、などが挙げられる。

以上、本発明の接着シートおよび電子装置について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

以下、実施例により本発明を詳細に説明する。

（実施例１）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−１の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−１（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＨＰ−７２００ＨＨ」）１４質量部
（Ｂ）成分：フェノキシ樹脂２（新日鐵住金化学株式会社製、商品名「ＹＰ−５０」、重量平均分子量＝７０，０００）２０質量部
（Ｃ）成分：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＹＣ１００Ｃ」、平均粒子径１００ｎｍ）５０質量部
（Ｄ）成分：フェノールアラルキル樹脂（三井化学株式会社製、商品名「ＸＬＣ−４Ｌ」）１４質量部
（Ｆ）成分：２−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、商品名「２ＰＺ」）２質量部
その他：３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＥ５０３」）０．５質量部

＜接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）の製造＞
上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−１を、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名「ピューレックスＡ５３」）に塗布し、１００℃で５分間乾燥した後の厚さが２５μｍとなる接着フィルムが形成された接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）を得た。

＜ダイシングテープ一体型接着フィルムの製造＞
（１）ダイシングテープの介在層の形成
アクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％と酢酸ビニル７０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量約３００，０００の共重合体１００質量部と、分子量が約７００の５官能アクリレートモノマー４５質量部と、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５質量部と、トリレンジイソシアネート（日本ポリウレタン工業株式会社製、商品名「コロネートＴ−１００」）３質量部との混合物を、予め離型処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルム表面に、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ²を照射
し、ポリエステルフィルム上に介在層を成膜した。

（２）ダイシングテープの粘着層の形成
アクリル酸ブチル７０質量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量約５００，０００の共重合体１００質量部と、トリレンジイソシアネート（日本ポリウレタン工業株式会社製、商品名「コロネートＴ−１００」）３質量部とを混合したダイシングテープの粘着層用ワニスを調製した。上記ダイシングテープの粘着層用ワニスを予め離型処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルム表面に、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエステルフィルム上にダイシングテープの粘着層を成膜した。その後、ダイシングテープの基材層として厚さ１００μｍのポリエチレンシートを上記ポリエステルフィルムと反対側面の粘着層側にラミネート（積層）して、ダイシングテープを得た。

（３）ダイシングテープ一体型接着フィルムの製造
介在層を成膜したフィルムと、上記で得られたベースフィルム付き接着フィルムとを、介在層と接着フィルムとが接するようにラミネートし、第１積層体を得た。
次に、ロール状の金型を用いて、上記第１積層体を半導体ウエハの外径よりも大きく、かつウエハリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後、不要部分を除去して、第２積層体を得た。
さらに、ダイシングテープの粘着層の一方の面側にあるポリエステルフィルムと、上記
第２積層体の一方の面側にあるポリエステルフィルムとを剥離した。そして、上記第２積層体の介在層とダイシングテープの粘着層とが接するように、これらをラミネートした。これにより、ダイシングテープの基材層、ダイシングテープの粘着層、介在層、接着フィルムおよびベースフィルムの５層がこの順でラミネートされたダイシングテープ一体型接着フィルムを得た。

＜バックグラインドテープ一体型接着シートの製造＞
アクリル酸アルキルエステル系共重合物（日本カーバイド工業株式会社製、商品名「ニッセツＫＰ−２２５４Ｅ」）４４質量部、ウレタンアクリレート（大日精化工業株式会社製、商品名「ＨＣ−１５」）４５質量部、イソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン工業株式会社製、商品名「コロネートＬ」）８質量部、光重合開始剤（ＢＡＳＦジャパン株式会社製、商品名「イルガキュア６５１」）３質量部を酢酸エチルに溶解させて、バックグラインドテープの粘着層用ワニスを調製した。

上記バックグラインドテープの粘着層用ワニスを予め離型処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルム表面に、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、８０℃で５分間乾燥することにより、ポリエステルフィルム上にバックグラインドテープの粘着層を成膜した。その後、バックグラインドテープの基材層として厚さ１２０μｍのポリエチレンとエチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）からなる基材を上記ポリエステルフィルムと反対側面の粘着層側にラミネート（積層）し、粘着層をポリエチレンとエチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）からなる基材に転写させることによって、バックグラインドテープを得た。

次に、ロール状の金型を用いて、上記接着シートを半導体ウエハと同等の大きさにハーフカットし、その後不要部分を除去した後に、上記で得られたバックグラインドテープの粘着層とベースフィルム付き接着フィルムの接着フィルムとが接するようにラミネートすることによって、バックグラインドテープの基材、バックグラインドテープの粘着層、接着フィルム、ベースフィルムがこの順でラミネートされたバックグラインドテープ一体型接着シートを得た。

＜バックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着シートの製造＞
クリアテックＣＴ−Ｈ７１７（株式会社クラレ製）を用い、押出機により厚み１００μｍのフィルムを形成し、表面をコロナ処理して、基材フィルムを得た。
次に、アクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％と酢酸ビニル７０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量約３００，０００の共重合体１００質量部と、分子量が約７００の５官能アクリレートモノマー７６質量部と、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン８質量部と、トリレンジイソシアネート（日本ポリウレタン工業社製、商品名「コロネートＴ−１００」）１１質量部とを混合し、バックグラインドテープ兼ダイシングテープの粘着層用ワニスを調製した。

次に、上記バックグラインドテープ兼ダイシングテープの粘着層用ワニスを、予め離型処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥し、バックグラインドテープ兼ダイシングテープの粘着層を得た。

その後、この粘着層を上述した基材フィルムのコロナ処理面にラミネートすることによって粘着層を転写した後に、ポリエステルフィルムを剥離した。次に、ロール状の金型を用いて、上記ベースフィルム付き接着フィルムを半導体ウエハと同等の大きさに、且つ厚み方向においてベースフィルムの途中までカット（ハーフカット）した後に、接着フィルムと粘着層とが接するように貼り付けた。これにより、バックグラインドテープ兼ダイシ
ングテープの基材、バックグラインドテープ兼ダイシングテープの粘着層、接着フィルム、ベースフィルムが、この順に構成されてなるバックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着シートを得た。

＜電子装置の製造＞
本発明の電子装置として、上記で得られた本発明の接着シートを用いて、下記の手順で半導体装置を作製した。
半導体装置（１）の製造
表面に低融点の導電性金属として錫、銀を含む合金からなる半田付き銅電極を有する半導体ウエハ（サイズ２００ｍｍφ、個別回路のサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚さ１００μｍ、電極の高さ１７μｍ（高さ１０μｍの銅電極とその上部に高さ７μｍのＳｎＡｇ半田を形成）、電極の幅３０μｍ、電極間の距離３０μｍ、）を用意し、半導体ウエハに、真空ラミネーター（名機株式会社製、ＭＶＬＰ）を用いて、１００℃、０．８ＭＰａ、３０秒間で接着シートをラミネートし、接着フィルム付き半導体ウエハを得た。
次に、半導体ウエハの接着フィルムを貼り合せた面と逆の面に、ダイシングテープをラミネーターで貼り合せた。このときの貼り合せ条件は２５℃、圧力０．８ＭＰａ、２ｍｍ／ｓで、接着フィルム付き半導体ウエハとダイシングテープを貼り合せた。
次いで、ダイシングテープをウエハリングに固定して、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、株式会社ディスコ製）のダイシングテーブルにセットした。さらに、接着フィルム付き半導体ウエハ側からダイシングソーを用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、接着フィルム付き半導体ウエハが個片化され、以下のダイシングサイズの接着フィルム付き半導体チップを得た。
≪ダイシング条件≫
ダイシングサイズ ：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
ダイシング速度 ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
スピンドル回転数 ：４０，０００ｒｐｍ
ダイシング最大深さ ：０．１３ｍｍ（シリコンウエハの表面からの切り込み量）
ダイシングブレードの厚さ：１５μｍ

これを、フリップチップボンダー（Ｐａｎａｓｏｎｉｃ株式会社製、ＦＣＢ３）を用いて、先端に金とニッケルがコーティングされた銅からなる突起電極を有するシリコン製回路基板（サイズ２００ｍｍφ、厚さ２００μｍ、個別回路のサイズ１２ｍｍ×１２ｍｍ、電極の高さ１０μｍ（高さ１０μｍの銅電極）、電極の幅３０μｍ、電極間の距離３０μｍ）の突起電極と半田付き銅電極とを、所定の互いのアライメントマークをフリップチップボンダーで自動認識させることによって位置合わせを行い、１５０℃、３０Ｎ、５秒間熱圧着することにより仮圧着した後に、２３５℃、３０Ｎ、５秒間熱圧着することによって、半田付き銅電極の半田を溶融させて半田接続を行った。そして、１８０℃、１２０分間、０．８ＭＰａ、窒素雰囲気下で加熱（常態の気圧（大気圧）にさらに０．８ＭＰａを加えた後に加熱）して、接着フィルムを硬化させた。次に、シリコン製回路基板の半導体チップを搭載した面と反対側の面に、ダイシングテープをラミネーターで貼り合せた。このとき、貼り合せ条件は２５℃、圧力０．８ＭＰａ、２ｍｍ／ｓであった。

次いで、ダイシングテープをウエハリングに固定して、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、株式会社ディスコ製）のダイシングテーブルにセットした。さらに、搭載した半導体チップと半導体チップの間をダイシングソーを用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、半導体チップを搭載したシリコン製回路基板が個片化され、半導体チップと、シリコン製回路基板が個片化された半導体チップとが接着フィルムを介して接着された以下のダイシングサイズの半導体装置（１）を得た。
≪ダイシング条件≫
ダイシングサイズ ：１２ｍｍ×１２ｍｍ角
ダイシング速度 ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
スピンドル回転数 ：４０，０００ｒｐｍ
ダイシング最大深さ ：０．２３ｍｍ（シリコンウエハの表面からの切り込み量）
ダイシングブレードの厚さ：１５μｍ

半導体装置（２）および半導体パッケージの製造
表面に低融点の導電性金属として錫、銀を含む合金からなる半田付き銅電極を有する半導体ウエハ（サイズ２００ｍｍφ、個別回路のサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚さ１００μｍ、電極の高さ１７μｍ（高さ１０μｍの銅電極とその上部に高さ７μｍのＳｎＡｇ半田を形成）、電極の幅３０μｍ、電極間の距離３０μｍ、）を用意し、半導体ウエハに、真空ラミネーター（名機株式会社製、ＭＶＬＰ）を用いて、１００℃、０．８ＭＰａ、３０秒間でラミネートし、接着フィルム付き半導体ウエハを得た。
次に、半導体ウエハの接着フィルムを貼り合せた面と逆の面に、ダイシングテープをラミネーターで貼り合せた。このときの貼り合せ条件は２５℃、圧力０．８ＭＰａ、２ｍｍ／ｓで、接着フィルム付き半導体ウエハとダイシングテープを貼り合せた。
次いで、ダイシングテープをウエハリングに固定して、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、株式会社ディスコ製）のダイシングテーブルにセットした。さらに、接着フィルム付き半導体ウエハ側からダイシングソーを用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、接着フィルム付き半導体ウエハが個片化され、以下のダイシングサイズの接着フィルム付き半導体チップを得た。
≪ダイシング条件≫
ダイシングサイズ ：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
ダイシング速度 ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
スピンドル回転数 ：４０，０００ｒｐｍ
ダイシング最大深さ ：０．１３ｍｍ（シリコンウエハの表面からの切り込み量）
ダイシングブレードの厚さ：１５μｍ

次に、上記半導体チップの電極の配列と対応した銅で形成された回路配線兼電極を有する回路基板（回路配線兼電極の高さ１０μｍ、回路配線の幅３０μｍ、隣接する回路配線兼電極間の距離３０μｍ）を用意した。
次に、フリップチップボンダー（Ｐａｎａｓｏｎｉｃ株式会社製、ＦＣＢ３）を用いて、上述の回路基板の回路配線兼電極と接着フィルム付き半導体チップの半田付き銅電極とを、所定の互いのアライメントマークをフリップチップボンダーで自動認識させることによって位置合わせを行い、１５０℃、３０Ｎ、５秒間熱圧着することにより仮圧着した後に、２３５℃、３０Ｎ、５秒間熱圧着することによって、半田付き銅電極と回路基板の回路配線兼電極と半田を溶融させて半田接続を行った。そして、１８０℃、１２０分間、０．８ＭＰａ、窒素雰囲気下で加熱（常態の気圧（大気圧）にさらに０．８ＭＰａを加えた後に加熱）して、接着フィルムを硬化させた。
これにより半導体チップと回路基板とが接着フィルムを介して接着された半導体装置（２）を得た。

この半導体装置（２）に対して、半導体チップが搭載面と反対側の面に半田ボールを用いて２次実装用の半田バンプ（ＳｎＰｂ半田）を形成し、フリップチップボンダーを用いて別途半導体装置（２）の２次実装用半田バンプの配列に対応した電極を有するインターポーザー基板にフラックスを介して位置合わせと共にボンディングによって搭載し、リフロー炉に通すことによってインターポーザー基板に２次実装用の半田バンプを溶融接続した。その後、フラックスの洗浄を行ない、回路基板−インターポーザー基板間へ液状アンダ
ーフィル材を充填し、１５０℃、９０分間の熱処理により液状アンダーフィル材の硬化を行なうことによって、インターポーザー基板に搭載された半導体パッケージを作製した。

（実施例２）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−２の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−２（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分：ノボラック型多官能エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名「ｊＥＲ１５７Ｓ７０」）１９質量部
（Ｂ）成分：ポリエステル樹脂（東洋紡株式会社製、商品名「バイロン２３７」、重量平均分子量＝２２，０００）１３質量部
（Ｃ）成分：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＹＡ０５０Ｃ」、平均粒子径５０ｎｍ）６０質量部
（Ｆ）成分：２，４−ジアミノ−６−〔２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン（四国化成株式会社製、商品名「Ｃ１１Ｚ−Ａ」）３質量部
その他−１：３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＥ５０３」）０．２質量部
その他−２：有機微粒子（コアシェルゴム粒子、三菱レイヨン株式会社製、商品名「メタブレンＳＲＫ２００Ｅ」、平均粒子径０．４μｍ）５質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−２を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

（実施例３）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−３の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−３（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分−１：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ ８５０」）２３質量部
（Ａ）成分―２：トリスフェニルメタン型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名「ｊＥＲ１０３２Ｈ６０」）１１質量部
（Ｂ）成分：フェノキシ樹脂１（新日鐵住金化学株式会社製、商品名「ＦＸ−２９３」、重量平均分子量＝４５，０００）１０質量部
（Ｃ）成分−１：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＹＣ１００Ｃ」、平均粒子径１００ｎｍ）４５質量部
（Ｃ）成分−２：球状シリカ（日本アエロジル株式会社製、商品名「ＡＥＲＯＳＩＬ ２００」、平均粒子径１２ｎｍ）５質量部
（Ｅ）成分：グルタル酸（東京化成工業株式会社製）３質量部
（Ｆ）成分：２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成株式会社製、商品名「２Ｐ４ＭＺ」）３質量部
その他：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＭ４０３」）０．５質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−３を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装
置（半導体装置）を得た。

（実施例４）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−４の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−４（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分−１：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、商品名「ＲＥ−３０３Ｓ」７質量部
（Ａ）成分−２：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＨＰ−７２００ＨＨ」４質量部
（Ｂ）成分：エポキシ基含有・アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス株式会社製、商品名「ＳＧ−８０Ｈ」、重量平均分子量＝３５０，０００）１３質量部
（Ｃ）成分−１：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＹＣ１００Ｃ」、平均粒子径１００ｎｍ）５５質量部
（Ｃ）成分−２：球状シリカ（日本アエロジル株式会社製、商品名「ＡＥＲＯＳＩＬ ２００」、平均粒子径１２ｎｍ）５質量部
（Ｄ）成分：酸無水物（三菱化学株式会社製、商品名「ｊＥＲキュア ＹＨ３０７」）１１質量部
（Ｆ）成分：２−フェニルイミダゾール（四国化成株式会社製、商品名「２ＰＺ」）２質量部
その他−１：３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＥ５０３」）０．５質量部
その他−２：有機微粒子（コアシェルゴム粒子、三菱レイヨン株式会社製、商品名「メタブレンＳＲＫ２００Ｅ」、平均粒子径０．４μｍ）３質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−４を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

（実施例５）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−５の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−５（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分−１：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ ８５０」）３４質量部
（Ｂ）成分：フェノキシ樹脂（新日鐵住金化学株式会社製、商品名「ＦＸ−２９３」、Ｍｗ＝４５，０００）１０質量部
（Ｃ）成分−１：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＹＣ１００Ｃ」、平均粒子径１００ｎｍ）４５質量部
（Ｃ）成分−２：球状シリカ（日本アエロジル株式会社製、商品名「ＡＥＲＯＳＩＬ ２００」、平均粒子径１２ｎｍ）５質量部
（Ｅ）成分：グルタル酸（東京化成工業株式会社製）３質量部
（Ｆ）成分：２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成株式会社製、商品名「２Ｐ４ＭＺ」）３質量部
その他：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＭ４０３」）０．５質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹
脂組成物−５を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

（実施例６）
＜ポリイミド樹脂「ＰＩ−１」の作製＞
（１）ポリアミド酸溶液Ａの調整
乾燥窒素ガス導入管、冷却器、温度計、撹拌機を備えた四口フラスコに脱水精製したＮＭＰ２１３ｇを入れ、窒素ガスを流しながら１０分間激しくかき混ぜた。次に２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）２５．５ｇ（０．０６２モル）と２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン（ＤＰＸ）４．２ｇ（０．０３１モル）とα，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（ＡＰＰＳ）５．９ｇ（０．００７モル）を投入し、系を６０℃に加熱し均一になるまでかき混ぜた。均一に溶解後、系を氷水浴で５℃に冷却し、４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）３１．０ｇ（０．１００モル）を粉末状のまま１０分間かけて添加し、その後フラスコを５℃に保ったまま５時間撹拌を続けポリアミド酸溶液Ａを得た。

（２）ポリアミド酸溶液Ｂの調整
ポリアミド酸Ａと同様に、乾燥窒素ガス導入管、冷却器、温度計、撹拌機を備えた四口フラスコに脱水精製したＮＭＰ３０３．６ｇを入れ、窒素ガスを流しながら１０分間激しくかき混ぜた。次に２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン１１．５ｇ（０．０２８モル）と２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン１．９ｇ（０．０１４モル）とα，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン４８．５ｇ（０．０５８モル）を投入し、系を６０℃に加熱し均一になるまでかき混ぜた。均一に溶解後、系を氷水浴で５℃に冷却し、４，４’−オキシジフタル酸二無水物３１．０ｇ（０．１００モル）を粉末状のまま１０分間かけて添加し、その後フラスコを５℃に保ったまま５時間撹拌を続けポリアミド酸溶液Ｂを得た

（３）ポリイミド樹脂ＰＩ−１の作製
まず、上述のポリアミド酸溶液Ａとポリアミド酸溶液Ｂを同じ質量を秤量してフラスコに入れ、このフラスコにキシレンを満たしたディーン・スターク管を装着し、上述のポリアミド酸溶液Ａとポリアミド酸溶液Ｂの混合溶液にキシレンを添加した。
次に、氷水浴から油浴に替えて系を加熱し、発生する水をポリアミド酸溶液Ａとポリアミド酸溶液Ｂの混合溶液の反応系の外に（フラスコの外に）適宜取り除いた結果、４時間加熱したところで、反応系からの水の発生がなくなった。その後、氷水浴で５℃に冷却した後に、この混合溶液を５０００ｇのメタノール中に投入することによってポリイミド樹脂を析出させ、この溶液をは濾過して析出したポリイミド樹脂を回収し、８０℃で１２時間減圧乾燥することによってポリイミド樹脂「ＰＩ−１」（重量平均分子量＝５０，０００）を得た。このポリイミド樹脂をＫＢｒ錠剤法で赤外吸収スペクトルを測定したところ、環状イミド結合に由来する５．６μｍの吸収があり、一方でアミド結合に由来する６．０６μｍの吸収がないことが確認できたことから、この樹脂が実質的に１００％イミド化していることが確かめられた。

＜接着フィルム形成用樹脂組成物−６の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−６（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分−１：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ ８５０」）１７質量部
（Ａ）成分−２：ノボラック型多官能エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名「ｊＥ
Ｒ１５７Ｓ７０」）２３質量部
（Ｂ）成分：上述の方法によって得られたポリイミド樹脂「ＰＩ−１」、７質量部
（Ｃ）成分：球状シリカフィラー（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ１０５０」、平均粒子径２５０ｎｍ）５０．０質量部
（Ｆ）成分：２−フェニルイミダゾール（四国化成株式会社製、商品名「２ＰＺ」）３質量部
その他：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＭ４０３」）０．５質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−６を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

（実施例７）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−７の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−７（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分−１：トリスフェニルメタン型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名「ｊＥＲ１０３２Ｈ６０」）４質量部
（Ａ）成分−２：ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＨＰ−４７７０」）３質量部
（Ｂ）成分：エポキシ基含有・アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス株式会社製、商品名「ＳＧ−８０Ｈ」、重量平均分子量＝３５０，０００）１１質量部
（Ｃ）成分−１：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＹＡ０５０Ｃ」、平均粒子径５０ｎｍ）５３質量部
（Ｃ）成分−２：球状シリカ（日本アエロジル株式会社製、商品名「ＡＥＲＯＳＩＬ ２００」、平均粒子径１２ｎｍ）７質量部
（Ｄ）成分：フェノールノボラック樹脂（三井化学株式会社製、商品名「ＶＲ−９３０５」）３質量部
（Ｅ）成分：トリメリット酸（東京化成工業株式会社製）９質量部
（Ｆ）成分：トリフェニルホスフィン（北興化学工業株式会社製、商品名「ＴＰＰ」）２質量部
その他−１：３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＥ５０３」）０．５質量部
その他−２：有機微粒子（コアシェルゴム粒子、三菱レイヨン株式会社製、商品名「メタブレンＳＲＫ２００Ｅ」、平均粒子径０．４μｍ）８質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−７を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

（実施例８）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−８の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−８（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分−１：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＰＩ
ＣＬＯＮ ８５０」）２２．３質量部
（Ａ）成分−２：トリスフェニルメタン型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名「ｊＥＲ１０３２Ｈ６０」）９質量部
（Ｂ）成分：実施例６で得られたポリイミド樹脂「ＰＩ−１」、１４．６質量部
（Ｃ）成分−１：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ１０５０」、平均粒子径２５０ｎｍ）４２質量部
（Ｃ）成分−２：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＹＡ０５０Ｃ」、平均粒子径５０ｎｍ）５質量部
（Ｃ）成分−３：球状シリカ（日本アエロジル株式会社製、商品名「ＡＥＲＯＳＩＬ ２００」、平均粒子径１２ｎｍ）３質量部
（Ｅ）成分：フェノールフタリン（東京化成工業株式会社製）４質量部
（Ｆ）成分：２−フェニルイミダゾール（四国化成株式会社製、商品名「２ＰＺ」）３０．０５質量部
その他：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＭ４０３」）０．５質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−８を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

（実施例９）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−９の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−９（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＨＰ−７２００ＨＨ」）１１質量部
（Ｂ）成分：エポキシ基含有、アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス株式会社製、商品名「ＳＧ−８０Ｈ」、重量平均分子量＝３５０，０００）１３質量部
（Ｃ）成分−１：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＹＣ１００Ｃ」、平均粒子径１００ｎｍ）５５質量部
（Ｃ）成分−２：球状シリカ（日本アエロジル株式会社製、商品名「ＡＥＲＯＳＩＬ ２００」、平均粒子径１２ｎｍ）５質量部
（Ｄ）成分：酸無水物（三菱化学株式会社製、商品名「ｊＥＲキュア ＹＨ３０７」）１１質量部
（Ｆ）成分：２−フェニルイミダゾール（四国化成株式会社製、商品名「２ＰＺ」）２質量部
その他−１：３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＥ５０３」）０．５質量部
その他−２：有機微粒子（コアシェルゴム粒子、三菱レイヨン株式会社製、商品名「メタブレンＳＲＫ２００Ｅ」、平均粒径０．４μｍ）３質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−９を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

（実施例１０）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−１０の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−１０（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分−１：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ ８５０」）３１．３質量部
（Ｂ）成分：実施例６で得られたポリイミド樹脂「ＰＩ−１」、１４．６質量部
（Ｃ）成分−１：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ１０５０」、平均粒子径２５０ｎｍ）４２質量部
（Ｃ）成分−２：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＹＡ０５０Ｃ」、平均粒子径５０ｎｍ）５質量部
（Ｃ）成分−３：球状シリカ（日本アエロジル株式会社製、商品名「ＡＥＲＯＳＩＬ ２００」、平均粒子径１２ｎｍ）３質量部
（Ｅ）成分：フェノールフタリン（東京化成工業株式会社製）４質量部
（Ｆ）成分：２−フェニルイミダゾール（四国化成株式会社製、商品名「２ＰＺ」）０．０５質量部
その他：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業製、商品名「ＫＢＭ４０３」）０．５質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−１０を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

（実施例１１）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−１１の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−１１（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、商品名「ＲＥ−３０３Ｓ」）１６質量部
（Ｂ）成分：フェノキシ樹脂２（新日鐵住金化学株式会社製、商品名「ＹＰ−５０」）１質量部
（Ｃ）成分−１：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ２０５０」、平均粒子径５００ｎｍ）３５質量部
（Ｃ）成分−２：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ１０５０」、平均粒子径２５０ｎｍ）３５質量部
（Ｄ）成分：フェノールノボラック樹脂（三井化学株式会社製、商品名「ＶＲ−９３０５」）１１質量部
（Ｆ）成分：２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、商品名「２Ｐ４ＭＺ」）２質量部
その他：３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＥ５０３」）０．５質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−１１を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

（実施例１２）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−１２の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−１２（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分−１：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ ８５０」）１８質量部
（Ａ）成分−２：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、商品名「ＲＥ−３０３Ｓ」）１７質量部
（Ｂ）成分：実施例６で得られたポリイミド樹脂「ＰＩ−１」、４２．０質量部
（Ｃ）成分：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ１０５０」、平均粒子径２５０ｎｍ）１０質量部
（Ｄ）成分：ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成株式会社製、商品名「ＭＥＨ−７８５１Ｈ」）１０質量部
（Ｆ）成分：２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、商品名「２Ｐ４ＭＺ」）３質量部
その他：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＭ４０３」）０．８質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−１２を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

（比較例１）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−２１の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−２１（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、商品名「ＲＥ−３０３Ｓ」）３９質量部
（Ｂ）成分：アクリル樹脂１（東亞合成株式会社製、商品名「ＵＰ−１０８０」、Ｍｗ＝６，０００）２８質量部
（Ｄ）成分：フェノールアラルキル樹脂（三井化学株式会社製、商品名「ＸＬＣ−４Ｌ」）２５質量部
（Ｅ）成分：４−（４−ヒドロキシフェノキシ）安息香酸（東京化成工業株式会社製）６質量部
（Ｆ）成分：２，４−ジアミノ−６−〔２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン（四国化成株式会社製、商品名「Ｃ１１Ｚ−Ａ」）２質量部
その他：３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＥ５０３」）０．１質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−２１を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

（比較例２）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−２２の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−２２（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、商品名「ＲＥ−３０３Ｓ」）７質量部
（Ｂ）成分：アクリル樹脂２（ナガセケムテックス株式会社製、商品名「ＳＧ−６００ＬＢ」、Ｍｗ＝１，２００，２００）１５質量部
（Ｃ）成分−１：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＹＡ０５０Ｃ」、平均粒子径５０ｎｍ）５９質量部
（Ｃ）成分−２：球状シリカ（日本アエロジル株式会社製、商品名「ＡＥＲＯＳＩＬ ２００」、平均粒子径１２ｎｍ）６質量部
（Ｄ）成分：フェノールノボラック樹脂（三井化学株式会社製、商品名「ＶＲ−９３０５」）４質量部
（Ｆ）成分：２−フェニルイミダゾール（四国化成株式会社製、商品名「２ＰＺ」）２質量部
その他−１：３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＥ５０３」）１質量部
その他−２：有機微粒子（コアシェルゴム粒子、三菱レイヨン株式会社製、商品名「メタブレンＳＲＫ２００Ｅ」、平均粒径０．４μｍ）７質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−２２を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

（比較例３）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−２３の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−２３（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ ８５０」）１５質量部
（Ｃ）成分：球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ２０５０」、平均粒子径５００ｎｍ）７５質量部
（Ｄ）成分：フェノールアラルキル樹脂（三井化学株式会社製、商品名「ＸＬＣ−４Ｌ」）６質量部
（Ｅ）成分：ジフェノール酸（東京化成工業株式会社製）１質量部
（Ｆ）成分：２−フェニルイミダゾール（四国化成株式会社製、商品名「２ＰＺ」）３質量部
その他：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＭ４０３」）０．１質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−２３を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

（比較例４）
＜接着フィルム形成用樹脂組成物−２４の製造＞
下記の成分をメチルエチルケトンに溶解・分散し、固形分濃度５０質量％の接着フィルム形成用樹脂組成物−２４（樹脂ワニス）を調製した。
（Ａ）成分：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、商品名「ＲＥ−３
０３Ｓ」）３６質量部
（Ｂ）成分：実施例６で得られたポリイミド樹脂「ＰＩ−１」、５２．０質量部
（Ｄ）成分：フェノールノボラック樹脂（三井化学株式会社製、商品名「ＶＲ−９３０５」）９質量部
（Ｆ）成分：トリフェニルホスフィン（北興化学工業株式会社製、商品名「ＴＰＰ」）３質量部
その他：３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＥ５０３」）１質量部

接着フィルム形成用樹脂組成物−１のかわりに、上記で得られた接着フィルム形成用樹脂組成物−２４を用いた以外は、実施例１と同様の手順により、接着シート（ベースフィルム付き接着フィルム）、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート、電子装置（半導体装置）を得た。

＜物性評価＞
上記実施例、比較例にて製造した接着フィルム形成用樹脂組成物、ならびに、これらの接着フィルム形成用樹脂組成物を用いて製造した接着シートの特性評価結果について、表１に示した。特性評価は以下に記載した手法により実施した。

＜１００℃における溶融粘度Ｖ１＞
各実施例及び各比較例で得られたフィルム状の樹脂組成物を、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製「ＭＡＲＳ」を用いて、パラレルプレート２０ｍｍφ、ギャップ０．０５ｍｍ、周波数１Ｈｚ、一定温度１００℃で測定し、９０秒経過後の粘度を１００℃における溶融粘度Ｖ１とした。

＜１５０℃における溶融粘度Ｖ２＞
各実施例及び各比較例で得られたフィルム状の樹脂組成物を、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製「ＭＡＲＳ」を用いて、パラレルプレート２０ｍｍφ、ギャップ０．０５ｍｍ、周波数１Ｈｚ、一定温度１５０℃で測定し、９０秒経過後の粘度を１５０℃における溶融粘度Ｖ２とした。

＜弾塑比＞
各実施例及び各比較例で得られた樹脂組成物を、１８０℃で１２０分間加熱し硬化させて、厚さ１９μｍのフィルム状硬化物としたものを測定試料として用いた。また、測定装置としては、ナノインデンターとして株式会社エリオニクス製、超微小硬度計ＥＮＴ−１１００を用い、図４の位置（Ｉ）から荷重を０ｍＮから５ｍＮまで０．２秒毎に、０．０１ｍＮの速度で押し込み
ヘッドでフィルム状硬化物の表面を押し込むことによって位置（ＩＩ）まで荷重を加えた後に、位
置（ＩＩＩ）まで荷重５ｍＮで３０秒間保持し、その後、荷重を５ｍＮから０ｍＮまで０．２秒毎に
０．０１ｍＮの速度で押し戻し、位置（ＩＶ）まで押し込みヘッドを戻す（荷重を減らす）ことに
より、図４に示したような荷重／押し込み方向の変位曲線を得ることによって、弾性変形の仕事量と塑性変形の仕事量を得た。
弾塑比は、これらを基に弾性変形の仕事量と塑性変形の仕事量との合計に対する、弾性変形の仕事量の割合を面積比率から算出した。（図４において面積Ａが弾性変形の仕事量、面積Ｂが塑性変形の仕事量であり、弾塑比（％）は（（Ａ／（Ａ＋Ｂ））×１００）で表わされるものである。）

＜ガラス転移温度＞
接着フィルムの硬化物のガラス転移温度Ｔｇについて、測定方法を以下のように示す。
各実施例および比較例で得られた厚み２５μｍの接着フィルムを４枚積層することによって厚み１００μｍのサンプルを作製し、１８０℃、０．８ＭＰａ、１２０分間、窒素雰囲気下で加熱することによって接着フィルムの硬化物サンプルを得た。この硬化物サンプルを２５ｍｍ×３ｍｍに切って試験片とし、試験片の測定面の平行度を高めるために、♯１５００またはそれより粗さが細かいサンドペーパーで研磨した。その後、セイコーインスツル株式会社製、Ｔｈｅｒｍａｌ Ｍｅｃｈａｎｉａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ、ＴＭＡ／ＳＳ６０００を用いてＴＭＡ（引張法）にて測定した。測定条件は昇温５℃／分で３０℃から３３０℃まで昇温し、荷重３０ｍＮで測定した。ガラス転移温度は、最終昇温時のデータを用いて、５０℃から２００℃の温度範囲に現れる変曲点を最小二乗法より求めた接線の交点より算出した。

＜半田接続性＞
上記各実施例および比較例で得られた半導体装置（１）それぞれ１０個について、半導体チップとシリコン製回路基板の接続抵抗値をデジタルマルチメーターで測定し、接続抵抗値を基に評価結果を下記の基準で判定した。なお［◎］、［○］は、良好で問題ないものであった。
［◎］：１０個全ての半導体装置の接続抵抗値が１０Ω以下であったもの。
［○］：１０個全ての半導体装置の接続抵抗値が１０Ωより高く、３０Ω以下であった
もの。
［×］：１個以上の半導体装置の接続抵抗値が３０Ωより高かったもの。

＜半導体チップの縁部からの樹脂組成物のはみ出し評価＞
上記各実施例および比較例で得られた半導体装置（１）それぞれ１０個について、半導体装置（１）の４辺を測長顕微鏡にて観察し、半導体チップの縁部からの樹脂組成物の最大はみ出し距離を測定し、下記の基準で判定した。なお［◎］、［○］は、良好で問題ないものであった。
［◎］：最大はみ出し距離が１００μｍ以下であった半導体装置（１）の個数が、１０個
であったもの。
［○］：最大はみ出し距離が１００μｍ以下であった半導体装置（１）の個数が、６個以
上９個以下であったもの。
［×］：最大はみ出し距離が１００μｍ以下であった半導体装置（１）の個数が、５個以
下であったもの。

＜インターポーザー基板へ搭載後の半導体装置（２）の半田接合接続部のクラック評価＞
上記各実施例および比較例で得られた半導体パッケージそれぞれ１０個について、半導体装置（２）内の半田接続部の断面を電子顕微鏡にて観察し、半田接続部にクラック（亀裂）が発生している半導体装置の個数を記録した。評価結果を下記の基準で判定した。［◎］、［○］は、良好なものであった。
［◎］：半田接続部にクラック（亀裂）が発生している半導体装置の個数が０個であった。
［○］：半田接続部にクラック（亀裂）が発生している半導体装置の個数が１個以上３個以下
であった。
［×］：半田接続部にクラック（亀裂）が発生している半導体装置の個数が４個以上であった。

＜半導体装置（２）のコーナー部の剥離評価＞
上記各実施例および比較例で得られた半導体パッケージそれぞれ１０個について、超音波映像検査装置（株式会社日立パワーソリューションズ製、ＦｉｎｅＳＡＴ ＦＳ３００）にて
半導体装置（２）の半導体チップと回路基板間における半導体チップのコーナー部の剥離の状態を観察し、下記の基準で判定した。［◎］、［○］は、良好で問題ないものであった。
［◎］：半導体チップのコーナー部に剥離がある半導体装置が０個であった。
［○］：半導体チップのコーナー部に剥離がある半導体装置が１個以上３個以下であった。［×］：半導体チップのコーナー部に剥離がある半導体装置が４個以上であった。

＜ＲＣ時定数＞
上記各実施例および比較例で得られた半導体装置（１）において、触針式膜厚計を用いて半導体装置全体の厚さを測定した後に、上下の半導体チップの厚さを差し引くことによって半導体チップ間の距離：ｄ（単位：ｍ）を算出した。また、半導体チップの面積：Ｓは１０ｍｍ×１０ｍｍサイズであることから１．０×１０^-4（単位：ｍ²）とし、真空の
誘電率：ε₀を８．８５４×１０^-12、事前に測定した硬化後の接着フィルムの比誘電率：ε（表１の各実施例および比較例に記載の値）を用い、各実施例および比較例の半導体装置（１）における硬化後の接着フィルム部の静電容量Ｃ（単位：Ｆ）を算出した。なお静電容量Ｃは以下の式を用いて算出した。

Ｃ＝（ε₀×ε×Ｓ）／ｄ

また、上下各チップ内の回路配線の電気信号の遅延は、次式で表されるＲＣ時定数：τ（単位：ｓｅｃ）によって算出することができ、半導体チップの回路配線の配線抵抗：Ｒ（単位：Ω）と静電容量：Ｃとを用いて算出した。

τ＝Ｒ×Ｃ

なお、半導体チップの回路配線の配線抵抗：Ｒは、各実施例および比較例の半導体装置において同一のデザインの半導体チップを使用していることから配線抵抗：Ｒも同一であるため、数値として表示せずに一律に「Ｒ」として計算した。

上記物性評価の結果、実施例１〜１２はいずれも、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）成膜性樹脂と、（Ｃ）充填材と、を含有し、１００℃における溶融粘度Ｖ１が２００Ｐａ・ｓ以上、３００００Ｐａ・ｓ以下であり、硬化後の樹脂組成物の弾塑比が１０％以上、５０％以下であることを特徴とする本発明の樹脂組成物ならびにそれを用いた電子装置等であり、半田接続性、半導体チップの縁部からの樹脂組成物のはみ出し評価、半導体装置の半田接続部のクラック評価、半導体装置のコーナー部の剥離評価のいずれにおいても、良好な結果が得られた。特に、実施例１、実施例３、実施例４、実施例７、実施例８、実施例９は、（Ａ）エポキシ樹脂として、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及び／又はトリスフェニルメタン型エポキシ樹脂を使用しているので、耐熱性にも優れたものとなった。

一方、比較例１は（Ｃ）充填材を配合しておらず、１００℃における溶融粘度Ｖ１が低く、半導体チップの縁部からの樹脂組成物のはみ出し評価において特性が低下した。比較例２はＶ１が高く、半田接続性において特性が低下した。また、比較例３は（Ｂ）成膜性樹脂を配合しておらず、硬化後の樹脂組成物の弾塑比が低く、半導体装置の半田接続部のクラック評価において特性が低下した。そして、比較例４は（Ｃ）充填材を配合しておらず、弾塑比が高く、半導体チップの縁部からの樹脂組成物のはみ出し評価、ならびに、半導体装置のコーナー部の剥離評価において特性が低下したものとなった。

１ 接着フィルム
２ ベースフィルム
３ ダイシングテープ
３ａ ダイシングテープ基材層
３ｂ ダイシングテープ粘着層
１０ 接着シート
１１ ダイシングテープ一体型接着フィルム
５１ 挟圧部材
５２ 挟圧部材
２００ 回路基板（半導体ウエハ）
２０１ 電極
２０２ 半田バンプ
２０３ 間隙
２１０ 個別回路
３００ 半導体チップ
４００ 回路基板
４１０ 個別回路
５００ フリップチップボンダー
６００ ダイシングソー

Claims (15)

1. 相対向する電極間に介在され、前記相対向する電極を電気的に接続する樹脂組成物であって、前記樹脂組成物は、
   （Ａ）エポキシ樹脂と、
   （Ｂ）成膜性樹脂と、
   （Ｃ）充填材と、を含有し、
   １００℃における溶融粘度Ｖ１が２００Ｐａ・ｓ以上、３００００Ｐａ・ｓ以下であり、
   硬化後の樹脂組成物の弾塑比が１０％以上、５０％以下であることを特徴とする樹脂組成物。
2. 前記請求項１に記載の樹脂組成物において、
   前記樹脂組成物は、１５０℃における溶融粘度Ｖ２が１００Ｐａ・ｓ以上、２５０００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする樹脂組成物。
3. 前記請求項２に記載の樹脂組成物において、
   前記溶融粘度Ｖ１と前記溶融粘度Ｖ２との比（Ｖ１／Ｖ２）が、０．５以上、３．０以下であることを特徴とする樹脂組成物。
4. 前記請求項１ないし３のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
   前記（Ａ）エポキシ樹脂は、ビスフェノール型エポキシ樹脂、トリスフェニルメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン構造を分子内に有するエポキシ樹脂、および、ビフェニル構造を分子内に有するエポキシ樹脂、から選ばれる１種以上を含有するものであることを特徴とする樹脂組成物。
5. 前記請求項１ないし４のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
   前記（Ｂ）成膜性樹脂は、ＧＰＣ測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量が１０，０００以上、１，１００，０００以下であることを特徴とする樹脂組成物。
6. 前記請求項１ないし５のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
   前記（Ｃ）充填材は、平均粒子径が５ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることを特徴とする樹脂組成物。
7. 前記請求項１ないし６のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
   さらに、（Ｄ）硬化剤、を含有することを特徴とする樹脂組成物。
8. 前記請求項１ないし７のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
   さらに、（Ｅ）フラックス機能を有する化合物、を含有することを特徴とする樹脂組成物。
9. 前記請求項１ないし８のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
   さらに、（Ｆ）硬化促進剤、を含有することを特徴とする樹脂組成物。
10. 前記請求項１ないし９のいずれか一項に記載の樹脂組成物から形成されるものであることを特徴とする、接着フィルム。
11. 前記請求項１０に記載の接着フィルムと、ベースフィルムとを有することを特徴とする、接着シート。
12. 前記請求項１０に記載の接着フィルムと、ダイシングテープとを有することを特徴とする、ダイシングテープ一体型接着シート。
13. 前記請求項１０に記載の接着フィルムと、バックグラインドテープとを有することを特徴とする、バックグラインドテープ一体型接着シート。
14. 前記請求項１０に記載の接着フィルムと、ダイシングテープとバックグラインドテープとを兼ねたダイシングテープ兼バックグラインドテープとを有することを特徴とする、ダイシングテープ兼バックグラインドテープ一体型接着シート。
15. 前記請求項１０ないし１４のいずれか一項に記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子装置。

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