JP2015023293A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に配置される複数個の発光セルと、
   隣接する２つの発光セルを電気的に接続するブリッジ電極と、
   前記発光セルと前記ブリッジ電極との間に配置される絶縁層とを含み、
   前記複数個の発光セルは、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間の活性層を含む発光構造物と、前記第１導電型半導体層上の第１電極と、前記第２導電型半導体層上の第２電極とをそれぞれ含み、
   前記ブリッジ電極は、
   前記第１導電型半導体層の上面上に配置され、前記隣接する２つの発光セルのいずれか一方の第１電極に接する第１部分と、
   前記第２導電型半導体層の上面上に配置され、前記隣接する２つの発光セルのいずれか他方の第２電極に接する第２部分と、
   前記第１部分と前記第２部分との間に配置される第３部分とを含み、
   第１凹凸が、前記隣接する２つの発光セルの間に位置する前記基板の上面の第１領域に形成され、
   前記ブリッジ電極の前記第３部分は前記第１領域上に配置され、
   前記第１凹凸に対応する第２凹凸が、前記ブリッジ電極の前記第３部分の上面に形成される、発光素子。
2. 前記ブリッジ電極の幅が、前記第１電極または前記第２電極の幅よりも大きい、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記発光構造物は、一部がエッチングされて、前記第１導電型半導体層を露出するエッチング領域を含み、前記第１電極は、露出された前記第１導電型半導体層上に配置された、請求項１又は２に記載の発光素子。
4. 前記第１領域上に配置される前記絶縁層の一部は曲面を有し、
   前記曲面の形状は、前記第１凹凸の外周面の形状と同一である、請求項１ないし３のいずれかに記載の発光素子。
5. 前記第３部分の厚さは、前記第１部分の厚さ及び前記第２部分の厚さよりも大きい、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子。
6. 前記第３部分は、隣接する２つの発光セルの間に配置される、請求項１ないし５のいずれかに記載の発光素子。
7. 前記ブリッジ電極は、前記第１部分または前記第２部分において、それぞれ前記第１電極または前記第２電極と高さが同一である、請求項１ないし６のいずれかに記載の発光素子。
8. 前記ブリッジ電極は、隣接する２つの発光セルの間に複数個存在する、請求項１ないし７のいずれかに記載の発光素子。
9. 前記第１部分の一部が前記第１電極の上部に配置され、前記第２部分の一部が前記第２電極の上部に配置される、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子。
10. 前記ブリッジ電極は、前記第１部分と前記第３部分との間及び前記第２部分と前記第３部分との間に配置される第４部分をさらに含み、
    前記第４部分の厚さが、前記第１部分、前記第２部分または前記第３部分のそれぞれの厚さよりも小さい、請求項１ないし９のいずれかに記載の発光素子。