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JP2012060115A5 - - Google Patents

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JP2012060115A5
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Claims (10)

  1. 発光装置であって、
    キャリアと、
    前記キャリアの上に形成され、且つ、前記キャリアに面する第一表面と、前記第一表面に相対する第二表面と、前記第一表面と前記第二表面との間に介在する能動層とを有する発光構造と、
    前記第一表面から延伸して前記能動層を通過し、複数の発光素子を区分する複数の第一トレンチと、
    前記第二表面から延伸して前記複数の発光素子の前記能動層を通過する複数の第二トレンチであって、前記複数の第二トレンチのうち何れか一つは、側壁に形成される絶縁層を含む、複数の第二トレンチと、
    前記複数の発光素子と前記キャリアとの間に形成される接合層と、を含む、発光装置。
  2. 前記接合層は、前記キャリアに接続されるベース部と、前記複数の第一トレンチにそれぞれ対応する複数の突出部とを含む、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記接合層と前記複数の発光素子との間に位置する誘電層と、
    前記誘電層と前記接合層との間に位置し、前記複数の発光素子に電気接続される導電構造と、をさらに含む、請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記複数の発光素子のうち何れか一つは、
    前記キャリアと前記能動層との間に介在する第一半導体層と、
    前記能動層の、前記第一半導体層に相対する他方側に位置する第二半導体層であって、前記第一トレンチは、前記第一半導体層から前記第二半導体層まで延伸し、且つ前記第二半導体層を露出させ、前記第二トレンチは、前記第二半導体層を通過し、且つ前記第一半導体層を露出させ、前記導電構造は、前記複数の発光素子のうちの一つの前記第一半導体層と、前記複数の発光素子のうちのもう一つの前記第二半導体層との間に接続される、第二半導体層と、を含み、
    且つ、前記発光素子の前記第一表面に形成され、また前記導電構造に接触する接点を含む、請求項3に記載の発光装置。
  5. 前記第二トレンチに充填され、且つ前記第二トレンチの底部に接触する少なくとも一つの導電構造をさらに含む、請求項1に記載の発光装置。
  6. 発光装置の製造方法であって、
    基板を提供するステップと、
    前記基板に発光構造を形成するステップであって、前記発光構造は、第一表面と、前記基板に近接する第二表面とを含むステップと、
    前記発光構造の前記第一表面から延伸する複数の第一トレンチを形成し、複数の発光素子を区分するステップと、
    前記基板を除去して前記第二表面を露出させるステップと、
    前記第二表面から複数の第二トレンチを形成するステップと、
    絶縁層を前記複数の第二トレンチに充填するステップと、
    を含む、製造方法。
  7. さらに、前記基板を除去する前に、前記第一トレンチの側壁に誘電層を形成し、前記誘電層に前記複数の発光素子と接続される複数の導線を共形的に形成し、前記複数の発光素子の前記第一表面にキャリアを提供し、また、前記複数の発光素子と前記キャリアとの間に接合層を形成するステップを含む、請求項6に記載の製造方法。
  8. 前記第二トレンチ中に導電構造を形成するステップをさらに含み、
    前記導電構造は、前記絶縁層を以て前記発光素子と絶縁され、また、前記第二トレンチの底部に接触する、請求項6に記載の製造方法。
  9. 前記発光構造は、前記基板に形成される第一半導体層と、前記第一半導体層に形成される能動層と、前記能動層に形成される第二半導体層と、を含み、
    一部の前記第二半導体層及び前記能動層を除去し、前記第一半導体層を露出させることにより、前記第一トレンチを形成し、また、一部の前記第一半導体層及び前記能動層を除去し、前記第二半導体層を露出させることにより、前記第二トレンチを形成し、
    或いは、
    一部の前記第二半導体層及び前記能動層を除去し、前記第一半導体層を露出させることにより、前記第一トレンチを形成し、また、一部の前記第一半導体層を除去し、前記第一トレンチの底部の一部を露出させることにより、前記第二トレンチを形成する、請求項8に記載の製造方法。
  10. 発光装置であって、
    キャリアと、
    前記キャリアの上に形成され、且つ、前記キャリアに面する第一表面と、前記第一表面に相対する第二表面と、前記第一表面と前記第二表面との間に介在する能動層とを有する発光構造と、
    前記第一表面から延伸して前記能動層を通過する複数の第一トレンチと、
    前記発光構造の前記第二表面から延伸する複数の第二トレンチと、
    を含み、
    前記第二トレンチは、前記第一トレンチの底部の一部を露出させる、発光装置。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI446578B (zh) * 2010-09-23 2014-07-21 Epistar Corp 發光元件及其製法
US8241932B1 (en) * 2011-03-17 2012-08-14 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Methods of fabricating light emitting diode packages
TWI488295B (zh) * 2012-05-25 2015-06-11 Phostek Inc 發光二極體陣列與其形成方法
TWI466328B (zh) * 2012-06-11 2014-12-21 Ritedia Corp 覆晶式發光二極體及其製法與應用
JP2014096455A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具
US20140151630A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-05 Feng-Hsu Fan Protection for the epitaxial structure of metal devices
TWI499091B (zh) * 2012-12-18 2015-09-01 Genesis Photonics Inc 發光裝置
DE102013103079A1 (de) * 2013-03-26 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
KR20140140399A (ko) * 2013-05-29 2014-12-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 발광 요소들을 갖는 발광다이오드 및 그것을 제조하는 방법
US9705029B2 (en) * 2013-06-26 2017-07-11 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
WO2015000182A1 (zh) 2013-07-05 2015-01-08 晶元光电股份有限公司 发光元件及其制造方法
TWI566427B (zh) * 2013-07-05 2017-01-11 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
DE102013107531A1 (de) * 2013-07-16 2015-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
KR101841609B1 (ko) 2013-07-29 2018-03-23 에피스타 코포레이션 반도체 장치
TWI603390B (zh) * 2013-07-29 2017-10-21 晶元光電股份有限公司 選擇性轉移半導體元件的方法
US9461209B2 (en) * 2013-11-27 2016-10-04 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device
US11329195B2 (en) 2013-08-27 2022-05-10 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device
CN104425538B (zh) * 2013-09-03 2019-05-03 晶元光电股份有限公司 具有多个发光结构的发光元件
KR102378952B1 (ko) * 2015-08-27 2022-03-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
CN106784276B (zh) * 2016-11-30 2019-04-12 陕西科技大学 一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法
CN110268534B (zh) * 2017-01-12 2022-07-12 苏州晶湛半导体有限公司 半导体器件及其制造方法
US10686084B2 (en) 2017-03-01 2020-06-16 Phase Sensitive Innovations, Inc. Diamond-backed photodiodes, diamond-sandwiched photodiodes, photodiode systems and related methods of manufacture
CN109768134A (zh) * 2019-01-28 2019-05-17 华引芯(武汉)科技有限公司 一种发光高效率反转垂直结构高压芯片及其制备方法
CN112687780B (zh) * 2020-12-29 2022-02-11 厦门三安光电有限公司 一种高压发光二极管芯片

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3717196B2 (ja) * 1994-07-19 2005-11-16 豊田合成株式会社 発光素子
JP2005322722A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 発光ダイオード
US7563625B2 (en) * 2005-01-11 2009-07-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method of making light-emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7221044B2 (en) * 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
CN1835253A (zh) * 2005-03-17 2006-09-20 日立电线株式会社 发光二极管阵列
KR100782129B1 (ko) * 2006-05-25 2007-12-05 한국광기술원 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드제조방법
WO2008031280A1 (en) * 2006-09-13 2008-03-20 Helio Optoelectronics Corporation Light emitting diode structure
KR100974923B1 (ko) * 2007-03-19 2010-08-10 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드
DE102008011848A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
KR20100028412A (ko) * 2008-09-04 2010-03-12 삼성전자주식회사 나노 막대를 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP5123269B2 (ja) * 2008-09-30 2013-01-23 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
DE102008062933B4 (de) * 2008-12-23 2021-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Projektionsvorrichtung
KR100986570B1 (ko) * 2009-08-31 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법

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