JP2015068853A - 積層体、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】干渉縞の発生が抑制された透明積層体を提供する。
【解決手段】積層体は、基材と、基材上に設けられた、反射防止機能を有する構造層とを備える。構造層は、複数の構造体と、複数の構造体と基材との間に設けられた中間層とを備える。中間層が、（２π／λ）・ｎ（λ）・｜ｄ−ｄ₀｜＜π（但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける中間層の屈折率、ｄ₀：中心点における中間層の厚み、ｄ：任意点における中間層の厚み）の関係を満たしている。
【選択図】図１

Description

本技術は、反射防止機能を有する積層体、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器に関する。

ディスプレイやカメラ用レンズ等に用いられているガラスやフィルムでは、表面反射を抑制するために、様々な反射防止技術が用いられている。反射防止技術としては、基材よりも低屈折率の薄膜を表面に形成する技術や、高屈折率材料と低屈折率材料とを交互に積層させる技術が一般的に用いられている。

しかし、上記反射防止技術では、スパッタリング、真空蒸着法などの真空プロセスを用いて薄膜を成膜するため、成膜時間が長くなり、生産効率が低下する。さらに上記反射防止技術では、光の干渉現象を利用しているために、反射率に光の波長依存性や入射角依存性があり、所望する反射防止効果を得ることが困難である。

このような問題点を解消すべく、近年、基材表面に光の波長以下の微細な凹凸形状を形成することで反射防止性能を発現させる技術が開発されてきており、一般的にモスアイと呼ばれている。このモスアイは、上述の光の干渉現象を利用した反射防止技術と比較して、広い波長帯域で反射防止効果が得られ、さらに波長依存性が少ないという利点がある。

このモスアイは、一般的にナノインプリント方式によって製造される（例えば特許文献１参照）。ナノインプリント方式としては、所望の凹凸形状とは逆のパターンの型を準備し、基材に型を熱プレスして基材を塑性変形させる熱インプリント方式、基材上に熱硬化性樹脂（インプリント樹脂）を塗布して型をプレスすると共に、加熱硬化させる熱硬化インプリント方式、基材上に紫外線硬化性樹脂（インプリント樹脂）を塗布して型をプレスすると共に、ＵＶ照射して硬化させるＵＶ硬化インプリント方式がある。ガラス等の無機基材にモスアイを形成する場合には、熱硬化インプリント方式、ＵＶ硬化インプリント方式が主に用いられる。

特開２０１０−１５６８４４号公報

ところが、インプリント方式では、インプリント成形した表面に干渉縞が発生し、視認性が低下することがある。

したがって、本技術の目的は、干渉縞の発生が抑制された積層体、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の技術は、
基材と、
基材上に設けられた、反射防止機能を有する構造層と
を備え、
構造層は、
複数の構造体と、
複数の構造体と基材との間に設けられた中間層と
を備え、
中間層が、以下の関係式（１）を満たしている積層体である。
（２π／λ）・ｎ（λ）・｜ｄ−ｄ₀｜＜π ・・・（１）
（但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける中間層の屈折率、ｄ₀：中心点における中間層の厚み、ｄ：任意点における中間層の厚み）

第２の技術は、
基材と、
基材上に設けられた、反射防止機能を有する構造層と
を備え、
構造層は、
複数の構造体と、
複数の構造体と基材との間に設けられた中間層と
を備え、
中間層の任意区画が、以下の式（１）を満たしている積層体である。
（２π／λ）・ｎ（λ）・｜Ｄ−Ｄ₀｜＜π ・・・（２）
（但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける中間層の屈折率、Ｄ₀：区画の中心点における中間層の厚み、Ｄ：区画内の任意点における中間層の厚み）

第３の技術は、
撮像素子と、
透光部を有し、撮像素子を収容するパッケージと
を備え、
透光部は、
基材と、
基材上に設けられた、反射防止機能を有する構造層と
を備え、
構造層は、
複数の構造体と、
複数の構造体と基材との間に設けられた中間層と
を備え、
中間層が、以下の関係式（１）を満たしている撮像素子パッケージである。
（２π／λ）・ｎ（λ）・｜ｄ−ｄ₀｜＜π ・・・（１）
（但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける中間層の屈折率、ｄ₀：中心点における中間層の厚み、ｄ：任意点における中間層の厚み（中心点を中心とする所定範囲内の任意点における中間層の厚み）

上記積層体またはその構造層は、光学素子、光学系、撮像装置、撮像素子パッケージ、撮像モジュール、光学機器および電子機器などに適用して好適なものである。光学素子としては、例えば、レンズ、フィルタ、半透過型ミラー、調光素子、プリズム、偏光素子、ディスプレイ用前面板などが挙げられるが、これに限定されるものではない。撮像装置としては、例えば、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。光学機器としては、例えば、望遠鏡、顕微鏡、露光装置、測定装置、検査装置、分析機器などが挙げられるが、これに限定されるものではない。電子機器としては、パーソナルコンピュータ、携帯電話、タブレット型コンピュータ、表示装置などが挙げられるが、これに限定されるものでなない。

以上説明したように、本技術によれば、透明積層体において干渉縞の発生を抑制することができる。

図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る透明積層体の構成の一例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した透明積層体の表面の一部を拡大して表す平面図である。図１Ｃは、図１ＢのＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図２Ａは、基材の面内方向に厚さが変化する中間層の一例を示す断面図である。図２Ｂは、中間層の厚さに対する反射率変化を示す図である。 図３Ａ〜図３Ｄは、本技術の第１の実施形態に係る透明積層体の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図４Ａ〜図４Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る透明積層体の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図５Ａは、本技術の第１の実施形態の変形例１に係る透明積層体の構成の一例を示す断面図である。図５Ｂは、本技術の第１の実施形態の変形例２に係る透明積層体の構成の一例を示す断面図である。 図６は、本技術の第１の実施形態の変形例３に係る透明積層体の構成の一例を示す断面図である。 図７Ａは、本技術の第１の実施形態の変形例４に係る透明積層体の外観の一例を示す断面図である。図７Ｂは、本技術の第１の実施形態の変形例４に係る透明積層体の構成の一例を示す断面図である。 図８Ａは、本技術の第２の実施形態に係る撮像素子パッケージの構成の一例を示す断面図である。図８Ｂは、本技術の第２の実施形態の変形例に係る撮像素子パッケージの構成の一例を示す断面図である。 図９は、本技術の第３の実施形態に係るカメラモジュールの構成の一例を示す断面図である。 図１０は、本技術の第４の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。 図１１は、本技術の第５の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。 図１２は、本技術の第６の実施形態に係る第１の電子機器の外観の一例を示す斜視図である。 図１３Ａは、本技術の第６の実施形態に係る第２の電子機器の前面側の外観の一例を示す斜視図である。図１３Ｂは、本技術の第６の実施形態に係る第２の電子機器の背面側の外観の一例を示す斜視図である。 図１４Ａは、本技術の第７の実施形態に係る第３の電子機器の前面側の外観の一例を示す斜視図である。図１４Ｂは、本技術の第７の実施形態に係る第３の電子機器の背面側の外観の一例を示す斜視図である。 図１５Ａは、参考例１に係る透明積層体の反射スペクトルを示す図である。図１５Ｂは、参考例２に係る透明積層体の反射スペクトルを示す図である。

本発明者らは、上述の干渉縞の発生の原因を解明すべく、鋭意検討を行った。その結果、その発生の原因を解明するに至った。すなわち、ガラスやフィルムなどの基材上に樹脂を塗布してインプリントする方式では、複数の構造体と基材との間に、インプリント樹脂からなる中間層が形成される。また、上述のインプリント方式では、基材とインプリント樹脂の材料とが異なり、両者の材料の屈折率に差が存在するのが一般的である。したがって、基材と中間層との界面でフレネル反射が生じる。このようにフレネル反射が発生した場合において、中間層の厚さにバラつきがあると、成形面に干渉縞が発生することがある。

そこで、本発明者らは、上記検討の結果を踏まえて、干渉縞の発生を抑制する技術について鋭意検討を重ねた。その結果、中間層が、以下の関係式（１）を満たすようにすることを見出すに至った。
（２π／λ）・ｎ（λ）・｜ｄ−ｄ₀｜＜π ・・・（１）
（但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける中間層の屈折率、ｄ₀：中心点における中間層の厚み、ｄ：任意点における中間層の厚み）

本技術の実施形態について、以下の順序で説明する。
１ 第１の実施形態（複数の凸状構造体を備える透明積層体の例）
１．１ 透明積層体の構成
１．２ 透明積層体の製造方法
１．３ 効果
１．４ 変形例
２ 第２の実施形態（透明積層体を撮像素子パッケージに適用した例）
３ 第３の実施形態（透明積層体または構造層をカメラモジュールに適用した例）
４ 第４の実施形態（透明積層体または構造層をデジタルカメラに適用した例）
５ 第５の実施形態（透明積層体または構造層をデジタルビデオカメラに適用した例）
６ 第６の実施形態（透明積層体または構造層を電子機器に適用した例）

＜１．第１の実施形態＞
［１．１ 透明積層体の構成］
以下、図１Ａ〜図１Ｃを参照して、透明積層体１１の構成の一例について説明する。透明積層体１１は、反射防止機能を持つ表面１１ｓを有している。表面１１ｓには微細な凹凸が設けられている。透明積層体１１は、表面を有する基材１２と、この基材１２の表面に設けられた構造層１３とを備える。基材１２と構造層１３とは、異なる材料により構成され、異なる屈折率を有している。したがって、基材１２と構造層１３との界面でフレネル反射が生じる。ここでは、基材１２の表面の面内において直交する２方向をそれぞれＸ軸方向（第１方向）、Ｙ軸方向（第２方向）と称し、その表面（ＸＹ平面）に垂直な方向をＺ軸方向（第３方向）と称する。

透明積層体１１のサイズは、その適用対象物の表面（適用面）とほぼ同様のサイズである。適用対象物としては、例えば、イメージセンサ用カバーガラスなどの窓材、カメラ用ＮＤフィルタなどのフィルタ、カメラ用レンズなどのレンズ、半透過型ミラー、調光素子、プリズム、偏光素子、ディスプレイ用前面板などの光学素子が挙げられるが、これに限定されるものではない。

以下、透明積層体１１に備えられる基材１２、および構造層１３について順次説明する。

（基材）
基材１２は、透明性を有している。基材１２の材料は、透明性を有する材料であればよく、有機材料および無機材料のいずれを用いてもよい。無機基材の材料としては、例えば、石英、サファイア、ガラスなどが挙げられる。有機材料としては、例えば、一般的な高分子材料を用いることができる。一般的な高分子材料としては、具体的には例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル（ＴＰＥＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマーなどがあげられる。

基材１２の材料として有機材料を用いる場合、基材１２の表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性および平面性などを改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層の材料としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基材１２の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理などの表面処理を施すようにしてもよい。

基材１２の形状としては、例えば、フィルム状、板状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、フィルム状にはシート状が含まれるものと定義する。基材１２の厚さは、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。基材１２がプラスチックフィルムである場合には、基材１２は、例えば、上述の樹脂を延伸、または溶剤に希釈後、フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。基材１２が、透明積層体１１の適用対象である部材や機器などの構成要素であってもよい。

基材１２の表面は平面に限定されるものではなく、凹凸面、多角形面、曲面またはこれらの形状の組み合わせであってもよい。曲面としては、例えば、部分球面、部分楕円面、部分放物面、自由曲面などが挙げられる。ここで、部分球面、部分楕円面、部分放物面はそれぞれ、球面、楕円面、放物面の一部の面のことを意味する。

なお、図１Ａでは、基材１２の表面をＺ軸方向から見たときの形状が矩形状である例が示されているが、基材１２の表面形状は矩形状に限定されるものではなく、透明積層体１１を適用する部材や機器などの表面形状に応じて選択することが可能である。

（構造層）
構造層１３は、反射防止機能を有する反射防止層である。構造層１３は、複数の構造体１４と、これらの複数の構造体１４の下部と基材１２の表面との間に設けられた中間層（光学層）１５とを備える。

（構造体）
構造体１４は、いわゆるサブ波長構造体である。構造体１４は、基材１２の表面に対して凸状を有する。複数の構造体１４は、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下のピッチＰで配置されている。ここで、反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ以上３５０ｎｍ未満の波長帯域、可視光の波長帯域とは３５０ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の波長帯域、赤外光の波長帯域とは８５０ｎｍを超えて１ｍｍ以下の波長帯域をいう。

複数の構造体１４が、例えば、基材１２の表面において複数の列をなすように配列されている。その列は、直線状および曲線状のいずれを有していてもよい。基材１２の表面のうちの一部の領域の複数の列を直線状とし、他の領域の複数の列を曲線状としてもよい。曲線としては、周期的または非周期的に蛇行する曲線が挙げられる。このような曲線としては、例えば、サイン波、三角波などの波形を挙げることができるが、これに限定されるものではない。

基材１２の表面における複数の構造体１４の配置は、規則的配置および不規則的配置のいずれであってもよい。規則的配置としては、四方格子、準四方格子、六方格子、準六方格子などの格子状の配置が好ましい。なお、図１Ｂでは、複数の構造体１４を六方格子状に配置した例が示されている。ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、正四角形状の格子とは異なり、歪んだ正四角形状の格子のことをいう。六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、正六角形状の格子とは異なり、歪んだ正六角形状の格子のことをいう。

構造体１４の具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球体状、半楕円体状、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。頂部に凸状の曲面を有する錐体形状としては、放物面状などの２次曲面状などが挙げられる。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。

基材１２の表面に設けられた複数の構造体１４はすべて、同一の大きさ、形状および高さを有していてもよいし、複数の構造体１４が、異なる大きさ、形状または高さを有するものを含んでいてもよい。また、複数の構造体１４が、下部同士を重ね合うようにして繋がっているものを含んでいてもよい。

（中間層）
中間層１５は、構造体１４の下部側に構造体１４と一体成形される層であり、構造体１４と同様の材料により構成されている。中間層１５の厚さｄが、図２Ａに示すように、基材１２の表面の面内方向に変化していてもよい。このような変化を許容することで、転写工程において中間層１５の厚さを完全に均一にする必要がなくなるので、構造層１３の成形が容易となる。透明積層体１１の表面１１ｓの反射率は、図２Ｂに示すように、中間層１５の厚さｄの増加に伴って周期的に変化する。具体的には、中間層１５の厚さｄに対する透明積層体１１の表面１１ｓの反射率の変化は、正弦波により表される。ここでは、基材１２の表面から、隣接する構造体１４間の谷部分の最も深い位置までの距離を、中間層１５の厚みとして定義する。

中間層１５は、以下の関係式（１）を満たしている。この関係式（１）を満たすことで、透明積層体１１の表面１１ｓに干渉縞が発生することを防ぐことができる。すなわち、基材１２の表面の面内方向に明暗が繰り替えされることを防ぐことができる。
（２π／λ）・ｎ（λ）・｜ｄ−ｄ₀｜＜π ・・・（１）
（但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける中間層１５の屈折率、ｄ₀：中心点ｐ₀における中間層１５の厚み、ｄ：任意点ｐにおける中間層１５の厚み）

中間層１５は、以下の関係式（２）を満たしていることが好ましい。基材１２の表面における明暗の発生をさらに抑制することができるからである。
（２π／λ）・ｎ（λ）・｜ｄ−ｄ₀｜＜π／２ ・・・（２）

中間層１５の厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以上２５μｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以上１０μｍ以下の範囲内である。５０μｍを超えると、樹脂を硬化させて中間層１５を形成する際に、樹脂の硬化収縮により中間層１５と基材１２との間の界面に密着性不良が発生する虞がある。また、透過率低下も懸念される。一方、１０ｎｍ未満であると、構造体１４に応力が加わった際に、その応力が構造体１４の下方の中間層１５に逃げることができず、構造体１４が折れるなど、透明積層体１１の機械特性の低下が懸念される。

（光学特性）
反射の低減を目的とする光に対する構造層１３単体の最大反射率が、０．２１％以下であることが好ましい。これにより、分光反射スペクトルのリップルを抑制することができ、優れた反射防止効果を有する透明積層体１１を実現できる。反射の低減を目的とする光に対する透明積層体１１の最大反射率は、１．００％以下であることが好ましい。ここで、構造層１３単体および透明積層体１１のいずれの最大反射率も、反射防止機能を持つ表面１１ｓ側の最大反射率を意味する。

基材１２の屈折率ｎ₀と構造層１３の屈折率ｎ₁との屈折率差Δｎ（＝｜ｎ₁−ｎ₀｜）が、好ましくは０．３以下、より好ましくは０．２％以下、さらに好ましくは０．１％以下の範囲内である。屈折率差Δｎが０．３以下であると、良好な反射防止特性が得られる。

［１．２ 透明積層体の製造方法］
次に、図３Ａ〜図４Ｃを参照しながら、本技術の第１の実施形態に係る透明積層体１１の製造方法の一例について説明する。以下では、フォトリソグラフィにより原盤を作製する場合を例として説明するが、原盤（モールド）の作製方法はこれに限定されるものではなく、陽極酸化、光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法（例えば特許文献１参照）などを用いてもよい。また、原盤から電鋳により複製原盤を作製してもよい。

（レジスト成膜工程）
まず、図３Ａに示すように、円盤状などの原盤２１を準備する。次に、図３Ｂに示すように、原盤２１の表面にレジスト層２３を形成する。レジスト層２３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上の金属化合物を用いることができる。

（露光工程）
次に、図３Ｃに示すように、原盤２１の表面に形成されたレジスト層２３に複数の露光部（露光パターン）２３ａを形成する。複数の露光部２３ａは、透明積層体１１にて反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の間隔で形成されている。複数の露光部２３ａにより構成される露光パターンは、規則的パターンおよび不規則的パターンのいずれであってもよい。規則的パターンとしては、四方格子、準四方格子、六方格子、準六方格子などの格子状のパターンが好ましい。

（現像工程）
次に、例えば、原盤２１を回転させながら、レジスト層２３上に現像液を滴下して、レジスト層２３を現像処理する。これにより、図３Ｄに示すように、レジスト層２３に複数の開口部２３ｂが形成される。レジスト層２３をポジ型のレジストにより形成した場合には、露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、図３Ｄに示すように、露光部（潜像）２３ａに応じた開口部２３ｂのパターンがレジスト層２３に形成される。

（エッチング工程）
次に、原盤２１の上に形成されたレジスト層２３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、原盤２１の表面をエッチング処理する。これにより、図４Ａに示すように、原盤２１の表面に凹状の複数の構造体２２が形成される。エッチングとしては、ドライエッチングおよびウエットエッチングのいずれを用いてもよい。本工程において、エッチング処理とアッシング処理とを交互に行うようにしてもよい。これにより、各構造体２２の形状を錐体状にすることができる。
以上により、目的とする原盤２１が得られる。

なお、原盤２１としては、例えば、ガラス、シリコンまたはニッケルなどで構成されたモールド（ハードモールド）を用いることができる。このハードモールドを用いた熱インプリントまたはＵＶインプリントなどによって、樹脂材料またはフィルムなどの型剤に形状転写してレプリカを作製し、そのレプリカをモールド（ソフトモールド）として使用してもよい。これらのモールドの平坦性および厚み精度などは、上述の関係式（１）を満たす中間層１５が形成可能なように調整されていることが好ましい。

（転写工程）
次に、ナノインプリントにより樹脂材料に形状転写する。インプリントに使用するプレス装置としては、例えば、下側のプレートに金属プレートを備え、上側のプレートに金属プレート（熱硬化インプリント方式の場合）または石英ガラスプレート（ＵＶ硬化インプリント方式の場合）を備えるものが用いられる。このような構成を有するプレス装置では、プレートの面内精度、平行度、および面内圧力分布は、上述の関係式（１）を満たす中間層１５が形成可能なように調整されていることが好ましい。

具体的には、図４Ｂに示すように、原盤２１と、基材１２上に塗布された転写材料２４とを密着させた後、紫外線などのエネルギー線をエネルギー線源２５から転写材料２４に照射して転写材料２４を硬化させた後、硬化した転写材料２４と一体となった基材１２を剥離する。もしくは、原盤２１と、基材１２上に塗布された転写材料２４とを密着させた後、ヒータなどの熱源により転写材料２４を加熱して転写材料２４を硬化させた後、硬化した転写材料２４と一体となった基材１２を剥離する。これにより、図４Ｃに示すように、基材１２の表面に構造層１３が形成される。次に、必要に応じて、透明積層体１１を所望とする大きさに切り出すようにしてもよい。

エネルギー線源２５としては、電子線、紫外線、赤外線、レーザ光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、または高周波などエネルギー線を放出可能なものであればよく、特に限定されるものではない。

転写材料２４としては、エネルギー線硬化性樹脂組成物または熱硬化性樹脂を用いることが好ましく、これらを混合して用いてもよい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましく、例えば、アクリル系、エポキシ系などの樹脂材料を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、例えば、ガラスなどの無機系材料を用いることができる。転写材料２４が、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいてもよい。

紫外線硬化性樹脂組成物は、例えばアクリレートおよび開始剤を含んでいる。紫外線硬化性樹脂組成物は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどを含み、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。

単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。

二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。

フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。

機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基材１２の成形方法は特に限定されず、射出成形体でも押し出し成形体でも、キャスト成形体でもよい。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基材表面に施すようにしてもよい。
以上により、目的とする透明積層体１１が得られる。

［１．３ 効果］
第１の実施形態に係る透明積層体１１では、中間層１５が上述の関係式（１）を満たしているので、干渉縞の発生を抑制することができる。したがって、透明積層体１１を表示装置やカメラに適用した場合には、視認性に優れたディスプレイや、迷光による写り込みのないカメラを実現できる。

反射の低減を目的とする光に対する構造層１３単体の最大反射率を０．２％以下とした場合には、分光反射スペクトルのリップルを抑制することがでる。したがって、干渉縞の発生が抑制され、かつ、優れた反射防止効果を有する透明積層体１１を実現できる。

［１．４ 変形例］
（変形例１）
図５Ａに示すように、構造体１４がほぼ平面状の頂部を有していてもよい。この頂部の平面は、例えば基材１２の表面とほぼ平行である。構造体１４の底面の直径Ｄ_bottomおよび構造体１４のピッチＰが、１．２＞Ｄ_bottom／Ｐ＞１の関係を満たし、かつ、構造体１４の頂部の直径Ｄ_topおよび構造体１４の底面の直径Ｄ_bottomが、０＜Ｄ_top／Ｄ_bottom≦１／１０の関係を満たしていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。例えば、反射の低減を目的とする光に対する構造層１３単体の最大反射率を０．２％以下とすることができる。ここで、１．２＞Ｄ_bottom／Ｐ＞１とは、隣接する構造体１４の下部同士が重なっていることを意味している。但し、１．２＞Ｄ_bottom／Ｐとなり、重なりが大きくなりすぎると見かけ上の構造体高さが低くなり、反射防止特性が低下する傾向がある。

構造体１４が尖った頂部または平面状の頂部を有する場合、構造体１４の底面の直径Ｄ_bottomおよび構造体１４のピッチＰが、１．２＞Ｄ_bottom／Ｐ＞１の関係を満たし、かつ、構造体１４の頂部の直径Ｄ_topおよび構造体１４の底面の直径Ｄ_bottomが、０≦Ｄ_top／Ｄ_bottom≦１／１０の関係を満たしていることが好ましい。尖った頂部の形状としては、例えば凸状の曲面、針状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。

（変形例２）
図５Ｂに示すように、透明積層体１１を光学素子１７の表面に設け、反射防止機能付き光学素子１６を構成するようにしてもよい。この場合、透明積層体１１と光学素子１７とは接着層１８により貼り合わされる。接着層１８を構成する接着剤としては、例えば、アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤およびウレタン系接着剤などからなる群より選ばれる１種以上を用いることができる。本技術において、粘着（pressure sensitive adhesion）は接着（adhesion）の一種と定義する。この定義に従えば、粘着層は接着層の一種と見なされる。

（変形例３）
第１の実施形態においては、構造体１４が基材１２の表面に対して凸状である場合を例として説明したが（図２参照）、図６に示すように、構造体１４が基材１２の表面に対して凹状を有していてもよい。この場合、基材１２の表面から、凹状の構造体１４の深さが最大となる位置までの距離を、中間層１５の厚みとして定義する。

（変形例４）
第１の実施形態では、透明積層体１１のサイズが、その適用対象物の表面（適用面）とほぼ同様のサイズである場合を例として説明したが、透明積層体１１が適用対象物の表面よりも大きくてもよい。例えば、透明積層体１１が原反フィルムなどであってもよい。この場合、透明積層体１１は、イメージセンサ用カバーガラスまたはＮＤフィルタなどの適用対象物の表面サイズに切り出して使用される。

図７Ａでは、適用対象物の表面とほぼ同等のサイズを有する任意の区画１１Ｒを、帯状の透明積層体１１から切り出して使用する例が示されている。透明積層体１１の中間層１５の厚さが、図７Ｂに示すように、基材１２の表面の面内方向に変化していてもよい。

上述のように、このように一部の区画１１Ｒを切り出して用いる場合、中間層１５は、以下の関係式（２）を満たしている。この関係式（２）を満たすことで、切り出した区画１１Ｒを適用対象物の表面に適用した場合に、その適用面に干渉縞が発生することを防ぐことができる。
（２π／λ）・ｎ（λ）・｜Ｄ−Ｄ₀｜＜π ・・・（２）
（但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける中間層１５の屈折率、Ｄ₀：区画１１Ｒの中心点Ｐ₀における中間層１５の厚み、Ｄ：区画１１Ｒ内の任意点Ｐにおける中間層１５の厚み）

＜２．第２の実施形態＞
図８Ａに示すように、本技術の第２の実施形態に係る撮像素子パッケージ（以下「素子パッケージ」という。）１１４は、パッケージ１２１と、このパッケージ１２１に収容された撮像素子１２２と、パッケージ１２１の開口窓を覆うように固着された透明積層体（透光部）１１ａを備える。

透明積層体１１ａは、基材であるカバーガラス（カバー体）１２ａと、このカバーガラス１２ａの表面に設けられた構造層１３ａとを備える。構造層１３ａは、第１の実施形態またはその変形例における構造層１３と同様である。カバーガラス１２ａは、被写体からの光が入射する前面（第１の面）１２ｓ₁と、この前面から入射した光が出射される背面（第２の面）１２ｓ₂とを有している。構造層１３ａは、前面１２ｓ₁および背面１２ｓ₂のうち一方に設けられ、反射防止特性および透過特性の向上の観点からすると、それらの両方に設けられることが好ましい。なお、図８Ａでは、構造層１３ａが前面１２ｓ₁にのみ設けられた例が示されている。

撮像素子１２２としては、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサ素子またはＣＯＭＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ素子などが用いられる。

第２の実施形態に係る素子パッケージ１１４では、カバーガラス１２ａの表面に構造層１３ａが設けられているので、干渉縞の発生を招くことなく、カバーガラス１２ａの表面に反射防止特性を付与できる。

（変形例）
図８Ｂに示すように、透明積層体１１ａが、カバーガラス１２ａと構造層１３ａとの間に、光学的ローパスフィルタ１２３および赤外光カットフィルタ（以下「ＩＲカットフィルタ」という。）１２４をさらに備えるようにしてもよい。図８Ｂでは、カバーガラス１２ａの表面に光学的ローパスフィルタ１２３が設けられ、この光学的ローパスフィルタ１２３の表面に赤外フィルタ１２４が設けられた例が示されているが、積層の順序はこの例に限定されるものではない。

＜３．第３の実施形態＞
図９に示すように、本技術の第３の実施形態に係るカメラモジュール（撮像モジュール）１３１は、レンズ１３２、ＩＲカットレンズ１３３、撮像素子１３４、筐体１３５および回路基板１３６を備える。このカメラモジュール１３１は、パーソナルコンピュータ、タブレット型コンピュータ、携帯電話などの電子機器に適用して好適なものである。

回路基板１３６の表面の所定位置に、撮像素子１３４が実装されている。この撮像素子１３４を収容するようにして、回路基板１３６の表面に筐体１３５が固定されている。この筐体１３５内にレンズ１３２およびＩＲカットレンズ１３３が収容されている。レンズ１３２、ＩＲカットレンズ１３３は、被写体から撮像素子１３４の方向に向かってこの順序で所定間隔離して設けられている。被写体からの光は、レンズ１３２により集光されて、ＩＲカットフィルタ１３３を介して撮像素子１３４の撮像面に結像される。レンズ１３２およびＩＲカットレンズ１３３の表面には、第１の実施形態またはその変形例に係る透明積層体１１または構造層１３が備えられている。ここで、表面とは、被写体からの光が入射する前面、およびこの前面から入射した光が出射される背面のうちの少なくとも一方を意味する。

＜４ 第４の実施形態＞
第４の実施形態では、上述の第１の実施形態に係る透明積層体１１またはその構造層１３を撮像装置に適用した例について説明する。

図１０は、本技術の第４の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。図１０に示すように、第４の実施形態に係る撮像装置１００は、いわゆるデジタルカメラ（デジタルスチルカメラ）であって、筐体１０１と、レンズ鏡筒１０２と、筐体１０１およびレンズ鏡筒１０２内に設けられた撮像光学系１０３とを備える。筐体１０１とレンズ鏡筒１０２とが着脱自在に構成されていてもよい。

撮像光学系１０３は、レンズ１１１と、光量調整装置１１２と、半透過型ミラー１１３と、素子パッケージ１１４ａと、オートフォーカスセンサ１１５とを備える。レンズ１１１、光量調整装置１１２、半透過型ミラー１１３は、レンズ鏡筒１０２の先端から素子パッケージ１１４ａに向かってこの順序で設けられている。レンズ１１１、光量調整装置１１２、半透過型ミラー１１３および素子パッケージ１１４ａからなる群より選ばれる少なくとも１種には、反射防止機能が付与されている。オートフォーカスセンサ１１５は、半透過型ミラー１１３により反射された光Ｌを受光可能な位置に設けられている。撮像装置１００が、必要に応じてフィルタ１１６をさらに備えるようにしてもよい。このようにフィルタ１１６を備える場合には、フィルタ１１６に反射防止機能が付与されていてもよい。以下、各構成要素および反射防止機能について順次説明する。

（レンズ）
レンズ１１１は、被写体からの光Ｌを素子パッケージ１１４ａに向けて集光する。

（光量調整装置）
光量調整装置１１２は、撮像光学系１０３の光軸を中心とする絞り用開口の大きさを調整する絞り装置である。光量調整装置１１２は、例えば、一対の絞り羽根と、光の透過光量を減少させるＮＤフィルタとを備えている。光量調整装置１１２の駆動方式としては、例えば、一対の絞り羽根とＮＤフィルタとを１つのアクチュエータで駆動する方式、一対の絞り羽根とＮＤフィルタとをそれぞれ独立した２つのアクチュエータで駆動する方式を用いることができるが、これらの方式に特に限定されるものではない。ＮＤフィルタとしては、透過率もしくは濃度が単一のフィルタ、または透過率もしくは濃度がグラデーション状に変化するフィルタを用いることができる。また、ＮＤフィルタの数は１枚に限定されるものではなく、複数枚のＮＤフィルタを積層して用いるようにしてもよい。

（半透過型ミラー）
半透過型ミラー１１３は、入射する光の一部を透過し、残りを反射するミラーである。具体的には、半透過型ミラー１１３は、レンズ１１１により集光された光Ｌの一部をオートフォーカスセンサ１１５に向けて反射するのに対して、光Ｌの残りを素子パッケージ１１４ａに向けて透過する。半透過型ミラー１１３の形状としては、例えば、シート状、プレート状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。

（素子パッケージ）
素子パッケージ１１４ａは、半透過型ミラー１１３を透過した光を受光し、受光した光を電気信号に変換し、信号処理回路（図示せず）に出力する。

（オートフォーカスセンサ）
オートフォーカスセンサ１１５は、半透過型ミラー１１３により反射された光を受光し、受光した光を電気信号に変換し、制御回路（図示せず）に出力する。

（フィルタ）
フィルタ１１６は、レンズ鏡筒１０２の先端、または撮像光学系１０３内に設けられる。なお、図２０では、フィルタ１１６をレンズ鏡筒１０２の先端に備える例が示されている。この構成を採用する場合、フィルタ１１６は、レンズ鏡筒１０２の先端に対して着脱自在の構成を有していてもよい。

フィルタ１１６としては、レンズ鏡筒１０２の先端、または撮像光学系１０３内に一般的に設けられるものが用いられ、特に限定されるものではない。例示するならば、偏光（ＰＬ）フィルタ、シャープカット（ＳＣ）フィルタ、色彩強調および効果用フィルタ、減光（ＮＤ）フィルタ、色温度変換（ＬＢ）フィルタ、色補正（ＣＣ）フィルタ、ホワイトバランス取得用フィルタ、レンズ保護用フィルタなどが挙げられる。

（反射防止機能）
撮像装置１００では、被写体からの光Ｌが、レンズ鏡筒１０２の先端から素子パッケージ１１４ａ内の撮像素子に到達するまでの間に複数の光学素子（すなわち、レンズ１１１、光量調整装置１１２、半透過型ミラー１１３、素子パッケージ１１４ａのカバーガラス）を透過する。以下では、このように被写体からの光Ｌが撮像装置１００内に取り込まれてから撮像素子に到達するまでの間に透過する光学素子を「透過型光学素子」という。撮像装置１００がフィルタ１１６をさらに備える場合には、フィルタ１１６も透過型光学素子の一種と見なされる。

これらの複数の透過型光学素子のうちの少なくとも１つの透過型光学素子の表面には、上述の第１の実施形態に係る透明積層体１１またはその構造層１３が設けられている。もしくは上述の第１の実施形態の変形例に係る透明積層体１１またはその構造層１３が設けられていてもよい。ここで、透過型光学素子の表面とは、被写体からの光Ｌが入射する入射面、またはこの入射面から入射した光Ｌが出射される出射面を意味する。具体的には例えば、素子パッケージ１１４ａとして、上述の第２の実施形態またはその変形例に係る素子パッケージ１１４を用いることができる。

＜５ 第５の実施形態＞
上述の第４の実施形態では、撮像装置としてデジタルカメラ（デジタルスチルカメラ）に本技術を適用する場合を例として説明したが、本技術の適用例はこれに限定されるものではない。本技術の第５の実施形態では、デジタルビデオカメラに本技術を適用した例について説明する。

図２１は、本技術の第５の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。図２１に示すように、第５の実施形態に係る撮像装置２０１は、いわゆるデジタルビデオカメラであって、レンズ第１群Ｌ１、レンズ第２群Ｌ２、レンズ第３群Ｌ３、レンズ第４群Ｌ４、素子パッケージ２０２、ローパスフィルタ２０３、フィルタ２０４、モータ２０５、アイリス羽根２０６および電気調光素子２０７を備える。この撮像装置２０１では、レンズ第１群Ｌ１、レンズ第２群Ｌ２、レンズ第３群Ｌ３、レンズ第４群Ｌ４、素子パッケージ２０２、ローパスフィルタ２０３、フィルタ２０４、アイリス羽根２０６および電気調光素子２０７により撮像光学系が構成される。アイリス羽根２０６および電気調光素子２０７により光学調整装置が構成される。以下、各構成要素および反射防止機能について順次説明する。

（レンズ群）
レンズ第１群Ｌ１およびレンズ第３群Ｌ３は、固定レンズである。レンズ第２群Ｌ２は、ズーム用レンズである。レンズ第４群は、フォーカス用レンズである。

（素子パッケージ）
素子パッケージ２０２は、入射された光を電気信号に変換し、図示を省略した信号処理部に供給する。

（ローパスフィルタ）
ローパスフィルタ２０３は、例えば、素子パッケージ２０２の前面、すなわちカバーガラスの光入射面に設けられる。ローパスフィルタ２０３は、画素ピッチに近い縞模様の像などを撮影した場合に生じる偽信号（モワレ）を抑制するためのものであり、例えば、人工水晶から構成される。

フィルタ２０４は、例えば、素子パッケージ２０２に入射する光の赤外域をカットするとともに、近赤外域（６３０ｎｍ〜７００ｎｍ）の分光の浮きを抑え、可視域帯（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）の光強度を一様にするためのものである。このフィルタ２０４は、例えば、赤外光カットフィルタ（以下、ＩＲカットフィルタ）２０４ａと、このＩＲカットフィルタ２０４ａ上にＩＲカットコートを積層させて形成されたＩＲカットコート層２０４ｂとから構成される。ここで、ＩＲカットコート層２０４ｂは、例えば、ＩＲカットフィルタ２０４ａの被写体側の面およびＩＲカットフィルタ２０４ａの素子パッケージ２０２側の面の少なくとも一方に形成される。図２１では、ＩＲカットフィルタ２０４ａの被写体側の面にＩＲカットコート層２０４ｂが形成される例が示されている。

モータ２０５は、図示を省略した制御部から供給された制御信号に基づき、レンズ第４群Ｌ４を移動する。アイリス羽根２０６は、素子パッケージ２０２に入射する光量を調整するためのものであり、図示を省略したモータにより駆動される。

電気調光素子２０７は、素子パッケージ２０２に入射する光量を調整するためのものである。この電気調光素子２０７は、少なくとも染料系色素を含んだ液晶からなる電気調光素子であり、例えば、２色性ＧＨ液晶からなる電気調光素子である。

（反射防止機能）
撮像装置２０１では、被写体からの光が素子パッケージ２０２内の撮像素子に到達するまでの間に、複数の光学素子（レンズ第１群Ｌ１、レンズ第２群Ｌ２、電気調光素子２０７、レンズ第３群Ｌ３、レンズ第４群Ｌ４、フィルタ２０４、およびローパスフィルタ２０３付きカバーガラス）を透過する。以下では、このように被写体からの光Ｌが撮像素子に到達するまでの間に透過する光学素子を「透過型光学素子」という。これらの複数の透過型光学素子のうちの少なくとも１つの透過型光学素子の表面には、上述の第１の実施形態に係る透明積層体１１またはその構造層１３が設けられている。もしくは上述の第１の実施形態の変形例に係る透明積層体１１またはその構造層１３が設けられていてもよい。具体的には例えば、素子パッケージ２０２として、上述の第２の実施形態またはその変形例に係る素子パッケージ１１４を用いることができる。

＜６ 第６の実施形態＞
第６の実施形態に係る電子機器は、第３の実施形態に係るカメラモジュール１３１を備えている。以下に、本技術の第７の実施形態に係る電子機器の例について説明する。

図１２を参照して、電子機器がノート型パーソナルコンピュータ３０１である例について説明する。ノート型パーソナルコンピュータ３０１は、コンピュータ本体３０２と、ディスプレイ３０３とを備える。コンピュータ本体３０２は、筐体３１１と、この筐体３１１に収容されたキーボード３１２およびタッチパッド３１３を備える。

ディスプレイ３０３は、筐体３２１と、この筐体３２１に収容された表示素子３２２およびカメラモジュール１３１とを備える。表示素子３２２の表示面に、第１の実施形態に係る透明積層体１１またはその構造層１３を備えるようにしてもよい。もしくは上述の第１の実施形態の変形例に係る透明積層体１１またはその構造層１３を備えるようにしてもよい。

ディスプレイ３０３の前面に前面板が設けられている場合には、その前面板の表面に、第１の実施形態に係る透明積層体１１またはその構造層１３を備えるようにしてもよい。もしくは上述の第１の実施形態の変形例に係る透明積層体１１またはその構造層１３を備えるようにしてもよい。ここで、表面とは、外光が入射する前面、およびこの前面から入射した外光が出射される背面のうちの少なくとも一方を意味する。

図１３Ｂ、図１３Ｂを参照して、電子機器が携帯電話３３１である例について説明する。携帯電話３３１は、いわゆるスマートフォンであり、筐体３３２と、この筐体３３２に収容されたタッチパネル付き表示素子３３３およびカメラモジュール１３１とを備える。タッチパネル付き表示素子３３３は携帯電話３３１の前面側に設けられ、カメラモジュール１３１は携帯電話３３１の背面側に設けられる。ここで、タッチパネル付き表示素子３３３の入力操作面に、第１の実施形態に係る透明積層体１１またはその構造層１３を備えるようにしてもよい。もしくは上述の第１の実施形態の変形例に係る透明積層体１１またはその構造層１３を備えるようにしてもよい。

図１４Ａ、図１４Ｂを参照して、電子機器がタブレット型コンピュータである例について説明する。タブレット型コンピュータ３４１は、筐体３４２と、この筐体３４２に収容されたタッチパネル付き表示素子３４３およびカメラモジュール１３１とを備える。タッチパネル付き表示素子３４３はタブレット型コンピュータ３４１の前面側に設けられ、カメラモジュール１３１はタブレット型コンピュータ３４１の背面側に設けられる。ここで、タッチパネル付き表示素子３４３の入力操作面に、第１の実施形態に係る透明積層体１１またはその構造層１３を備えるようにしてもよい。もしくは上述の第１の実施形態の変形例に係る透明積層体１１またはその構造層１３を備えるようにしてもよい。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

（底面の直径Ｄ_bottom、頂部の直径Ｄ_top、高さＨおよびピッチＰ）
本実施例において、構造体の底面の直径Ｄ_bottom、頂部の直径Ｄ_top、高さＨおよびピッチＰは以下のようにして測定した。まず、透明積層体を構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体の底面の直径Ｄ_bottom、頂部の直径Ｄ_top、高さＨおよびピッチＰを求めた。

（中心点における中間層の厚みｄ₀）
本実施例において、透明積層体表面の中心点における中間層の厚みｄ₀は以下のようにして測定した。まず、透明積層体表面の中心点を含み、かつ、構造体の頂部を含むように切断し、その断面をＴＥＭにて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、透明積層体表面のほぼ中心点における中間層の厚みｄ₀を求めた。ここで、ガラス基板表面から隣接構造体間の谷部分の最も深い位置までの距離を中間層の厚みとした。

（中間層の最大変位厚みｄ_Δmax）
本実施例において、透明積層体表面の中心点における中間層の厚みｄ₀を基準として、厚みｄの変化量が最も大きくなる位置における中間層の厚みｄ（すなわち中間層の最大変位厚みｄ_Δmax）を求めた。まず、透明積層体表面の中心点を含み、かつ、構造体の頂部を含むように切断し、その断面をＴＥＭにて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、中間層の厚みｄを求めた。ここで、ガラス基板表面から隣接構造体間の谷部分の最も深い位置までの距離を中間層の厚みとした。次に、上記切断方向とは直交する方向において、透明積層体表面の中心点を含み、かつ、構造体の頂部を含むように切断し、上記と同様にして、中間層の厚みｄを求めた。次に、上述のようにして求めた２方向の中間層の厚みｄから、中心点における中間層の厚みｄ₀を基準として厚みｄの変化量が最も大きくなる位置における中間層の厚みｄを求め、これを中間層の最大変位厚みｄ_Δmaxとした。

（屈折率ｎ₀）
本実施例において、ガラス基板の屈折率ｎ₀は、アッベ屈折率計を用いて測定した。なお、測定波長は５８９ｎｍとした。

（屈折率ｎ₁）
ＵＶ硬化樹脂の屈折率（すなわち中間層の屈折率）ｎ₁を以下のようにして測定した。まず、ＵＶナノインプリント転写に用いるＵＶ硬化樹脂に、ＨｇランプのＵＶ光を２０００ｍＪ／ｃｍ²照射し硬化させて、測定用サンプルを作製した。次に、作製したサンプルの屈折率をアッベ屈折率計を用いて測定し、この屈折率をＵＶ硬化樹脂の屈折率ｎ₁とした。なお、測定波長は５８９ｎｍとした。

（実施例１）
まず、８インチのシリコンウェハ上に、フォトレジストをスピンコートした。次に、ステッパ（縮小投影型露光装置）にて、六方格子状の露光パターンを形成した。次に、露光したフォトレジスト層を現像処理し、シリコンウェハ上に複数のフォトレジストパターンを形成した後、このフォトレジストパターンをマスクに用いたエッチング加工を行って複数の反射防止構造体を形成した。その後、このフォトレジストパターンを除去して、複数の反射防止構造体（サブ波長構造体）を表面に有するモールドを作製した。なお、後述するＵＶナノインプリント転写において、底面の直径Ｄ_bottom：２５５ｎｍ、頂部の直径Ｄ_top：１０ｎｍ、高さＨ：３００ｎｍおよびピッチＰ：２５０ｎｍを有する複数の構造体が成形されるように、露光条件およびエッチング条件を調整した。

次に、上述のようにして得られたモールドの表面をフッ素処理した後、このモールドを用いたＵＶナノインプリント転写により、透明積層体を以下のようにして作製した。まず、屈折率ｎ₀：１．６４のガラス基板を準備し、このガラス基板上に屈折率ｎ₁：１．４８のアクリル系ＵＶ硬化樹脂をスピンコートした後、コートしたＵＶ硬化樹脂上にモールドの成形面を押し当てプレスした。次に、ＨｇランプのＵＶ光を２０００ｍＪ／ｃｍ²照射し硬化させた後、モールドをガラス基板から剥離した。これにより、六方格子状に配列された複数の構造体とガラス基板との間に中間層（屈折率：１．４８）を有する透明積層体が得られた。なお、モールドのプレス条件調整により、中心点における中間層の厚みｄ₀を５２０ｎｍ、最大変位厚みｄ_Δmaxを５５３ｎｍとした。

（実施例２）
露光条件およびエッチング条件の調整により、ＵＶナノインプリント転写により得られる複数の構造体の底面の直径Ｄ_bottomを２００ｎｍとした。また、モールドのプレス条件調整により、中心点における中間層の厚みｄ₀を５１０ｎｍ、最大変位厚みｄ_Δmaxを４９０ｎｍとした。これ以外のことは、実施例１と同様にして透明積層体を得た。

（実施例３）
露光条件およびエッチング条件の調整により、ＵＶナノインプリント転写により得られる複数の構造体の頂部の直径Ｄ_topを２５ｎｍとした。また、モールドのプレス条件調整により、中心点における中間層の厚みｄ₀を５０５ｎｍ、最大変位厚みｄ_Δmaxを４９０ｎｍとした。これ以外のことは、実施例１と同様にして透明積層体を得た。

（実施例４）
露光条件およびエッチング条件の調整により、ＵＶナノインプリント転写により得られる複数の構造体の頂部の直径Ｄ_topを３０ｎｍとした。また、モールドのプレス条件調整により、中心点における中間層の厚みｄ₀を５００ｎｍ、最大変位厚みｄ_Δmaxを５２８ｎｍとした。これ以外のことは、実施例１と同様にして透明積層体を得た。

（実施例５）
屈折率ｎ₀：１．６４のガラス基板に代えて、屈折率ｎ₀：１．７６のガラス基板を用いた。また、モールドのプレス条件調整により、中心点における中間層の厚みｄ₀を５３０ｎｍ、最大変位厚みｄ_Δmaxを５０６ｎｍとした。これ以外のことは、実施例１と同様にして透明積層体を得た。

（実施例６）
屈折率ｎ₀：１．６４のガラス基板に代えて、屈折率ｎ₀：１．８０のガラス基板を用いた。また、モールドのプレス条件調整により、中心点における中間層の厚みｄ₀を５４０ｎｍ、最大変位厚みｄ_Δmaxを５２０ｎｍとした。これ以外のことは、実施例１と同様にして透明積層体を得た。

（実施例７）
屈折率ｎ₀：１．４８のアクリル系ＵＶ硬化樹脂に代えて、屈折率ｎ₀：１．６０のアクリル系ＵＶ硬化樹脂を用いた。また、モールドのプレス条件調整により、中心点における中間層の厚みｄ₀を５５０ｎｍ、最大変位厚みｄ_Δmaxを５２０ｎｍとした。これ以外のことは、実施例５と同様にして透明積層体を得た。

（比較例１）
モールドのプレス条件調整により、中心点における中間層の厚みｄ₀を４９０ｎｍ、最大変位厚みｄ_Δmaxを１２０ｎｍとした。これ以外のことは、実施例１と同様にして透明積層体を得た。

（比較例２）
モールドのプレス条件調整により、中心点における中間層の厚みｄ₀を５１０ｎｍ、最大変位厚みｄ_Δmaxを１２００ｎｍとした。これ以外のことは、実施例１と同様にして透明積層体を得た。

（評価）
上述のようにして得られた透明積層体に対して以下の評価を行った。

（透明積層体の最大反射率Ｒａ）
まず、透明積層体の裏面にブラックテープを貼り合わせた。次に、ブラックテープが貼り合わされた側とは反対側となる表面から光を入射して、光学フィルムの反射スペクトル（波長帯域３５０ｎｍ〜８５０ｎｍ）を、日本分光社製の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて測定した。次に、この反射スペクトルから、波長帯域３５０ｎｍ〜８５０ｎｍにおける最大反射率を求めた。

（構造層単体の最大反射率Ｒｂ）
以下のようにして、構造層単体のサンプルを作製して、透明積層体の構造層単体の最大反射率を擬似的に評価した。まず、各実施例および比較例にて用いた屈折率ｎ：１．４８および１．７３のアクリル系ＵＶ硬化樹脂を準備した。次に、これらの樹脂をそれぞれ各実施例および比較例にて用いたモールドの成形面に滴下し、プレス、硬化した後、モールドを硬化樹脂から剥離した。これにより、構造層単体のサンプルが得られた。次に、上述の“透明積層体の最大反射率”の評価と同様にして、反射スペクトルを測定し、その反射スペクトルから、波長帯域３５０ｎｍ〜８５０ｎｍにおける最大反射率を求めた。

（関係式）
各実施例および比較例における中間層の厚みｄ₀、および最大変位厚みｄ_Δmaxを、以下の関係式に代入して数値を求めた。なお、波長λの値は、波長帯域３５０ｎｍ〜８５０ｎｍのうちの最小の波長３５０ｎｍとした。また、屈折率ｎは、波長５８９ｎｍにおける中間層の屈折率、すなわち屈折率ｎ₁とした。
（２π／λ）・ｎ・｜ｄ_Δmax−ｄ₀｜

（干渉縞）
まず、透明積層体の裏面に黒アクリル板に貼り付けた。次に、暗室下にて３波長型蛍光灯で、黒アクリル板が貼り付けられた側とは反対側となる表面から光を入射角３０度で入射させて、正反射干渉縞を目視観察し、以下の基準で評価した。
○：干渉縞が観察された
×：干渉縞が観察されなかった

（リップル）
まず、上述の“透明積層体の最大反射率”の評価と同様にして、反射スペクトルを測定した。次に、反射スペクトルから、以下の基準でリップルを評価した。
○：最大反射率≦１％
×：最大反射率＞１％

表１、表２は、実施例１〜７、比較例１、２の透明積層体の構成および評価結果を示す。

表１、表２から以下のことがわかる。
実施例１〜７では、中間層が（２π／λ）・ｎ・｜ｄ_Δmax−ｄ₀｜＜πの関係を満たしているため、干渉縞の発生が抑制されている。一方、比較例１、２では、中間層が（２π／λ）・ｎ・｜ｄ_Δmax−ｄ₀｜＜πの関係を満たしていないため、干渉縞が発生している。
実施例１、３、５、７では、形状層単層の最大反射率Ｒｂが０．２１％以下であり、ガラス基板の屈折率ｎ₀と構造層の屈折率ｎ₁との屈折率差Δｎが０．３以下であるため、リップルが抑制され、透明積層体の最大反射率Ｒａを１．０％以下にできている。一方、実施例２、４では、屈折率差Δｎは０．３以下であるが、構造層単体の最大反射率Ｒｂが０．２％を超えているため、リップルが大きく、透明積層体の最大反射率Ｒａが１．０を超えている。また、実施例６では、透明積層体の最大反射率Ｒｂは０．２％以下であるが、屈折率差Δｎが０．３を超えているため、リップルが大きく、透明積層体の最大反射率Ｒａが１．０を超えている。
実施例１、３、５、７では、構造体の底面の直径Ｄ_bottomおよび構造体のピッチＰが、Ｄ_bottom／Ｐ＞１の関係を満たし（すなわち隣接構造体が重なりを持ち）、かつ構造体の頂部の直径Ｄ_topおよび構造体の底面の直径Ｄ_bottomが、Ｄ_top／Ｄ_bottom≦１／１０の関係を満たしているので、構造層単体の最大反射率Ｒｂを０．２％以下にできる。一方、実施例２では、構造体のピッチＰと構造体の底面の直径Ｄ_bottomが１．２＞、Ｄ_bottom／Ｐ＞１の関係を満たしていないため、構造層単体の最大反射率Ｒｂが０．２％を超えている。また、実施例４では、構造体の頂部の直径Ｄ_topが構造体の底面の直径Ｄ_bottomの１／１０以下の関係を満たしていないため、構造層単体の最大反射率Ｒｂが０．２％を超えている。

したがって、中間層が以下の関係式（１）を満たしていることで、干渉縞の発生を抑制することができる。
（２π／λ）・ｎ（λ）・｜ｄ−ｄ₀｜＜π ・・・（１）
（但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける中間層の屈折率、ｄ₀：中心点における中間層の厚み、ｄ：任意点における中間層の厚み）
また、リップルを抑制するためには、形状層単層の最大反射率Ｒｂが０．２１％以下であり、ガラス基板の屈折率ｎ₀と構造層の屈折率ｎ₁との屈折率差Δｎが０．３以下であることが好ましい。
また、形状層単層の最大反射率Ｒｂを０．２１％以下にするためには、構造体の底面の直径Ｄ_bottomおよび構造体のピッチＰが、１．２＞Ｄ_bottom／Ｐ＞１の関係を満たし、かつ構造体の頂部の直径Ｄ_topおよび構造体の底面の直径Ｄ_bottomが、Ｄ_top／Ｄ_bottom≦１／１０の関係を満たしていることが好ましい。

（参考例１）
以下の構成の透明積層体の分光スペクトルをシミュレーションにより求めた。その結果を図１５Ａに示す。
基材の屈折率ｎ₀：１．６４
構造層の屈折率ｎ₁：１．４９
構造層単体の反射率：０．５％
構造層と基材との間のフレネル反射率：０．２３％

（参考例２）
以下の構成の透明積層体の分光スペクトルをシミュレーションにより求めた。その結果を図１５Ｂに示す。
基材の屈折率ｎ₀：１．６４
構造層の屈折率ｎ₁：１．４９
構造層単体の反射率：０．１％
構造層と基材との間のフレネル反射率：０．２３％

図１５Ａ、図１５Ｂから以下のことがわかる。
参考例１では、構造層単体の反射率が０．２％を超えているため、リップルが大きく、透明積層体の最大反射率が１．０を超えている。
一方、参考例２では、構造層単体の反射率が０．２％以下であるため、リップルが抑制され、透明積層体の最大反射率が１．０以下である。

以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
基材と、
上記基材上に設けられた、反射防止機能を有する構造層と
を備え、
上記構造層は、
複数の構造体と、
上記複数の構造体と上記基材との間に設けられた中間層と
を備え、
上記中間層が、以下の関係式（１）を満たしている積層体。
（２π／λ）・ｎ（λ）・｜ｄ−ｄ₀｜＜π ・・・（１）
（但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける上記中間層の屈折率、ｄ₀：中心点における上記中間層の厚み、ｄ：任意点における上記中間層の厚み）
（２）
反射の低減を目的とする光に対する上記構造層単体の反射率の最大値が、０．２１％以下であり、
反射の低減を目的とする光に対する上記基材と上記構造層との積層体の反射率の最大値が、１．００％以下である（１）に記載の積層体。
（３）
上記構造体の底面の直径Ｄ_bottomおよび上記構造体のピッチＰが、１．２＞Ｄ_bottom／Ｐ＞１の関係を満たし、
上記構造体の頂部の直径Ｄ_topおよび上記構造体の底面の直径Ｄ_bottomが、Ｄ_top／Ｄ_bottom≦１／１０の関係を満たしている（１）または（２）に記載の積層体。
（４）
上記光の波長範囲は、３５０ｎｍ以上８５０ｎｍ以下である（１）から（３）のいずれかに記載の積層体。
（５）
上記中間層の厚みは、上記基材表面の面内方向に変化している（１）から（４）のいずれかに記載の積層体。
（６）
上記基材の屈折率ｎ₀と上記構造層の屈折率ｎ₁との屈折率差Δｎ（＝｜ｎ₁−ｎ₀｜）が、０．３以下である（１）から（５）のいずれかに記載の積層体。
（７）
上記複数の構造体と上記中間層とは同一材料により構成されている（１）から（６）のいずれかに記載の積層体。
（８）
上記構造体は、上記中間層の表面に対して凸状または凹状を有している（１）から（７）のいずれかに記載の積層体。
（９）
（１）から（８）のいずれか１項に記載の積層体を備える撮像装置。
（１０）
（１）から（８）のいずれか１項に記載の積層体を備える電子機器。
（１１）
基材と、
上記基材上に設けられた、反射防止機能を有する構造層と
を備え、
上記構造層は、
複数の構造体と、
上記複数の構造体と上記基材との間に設けられた中間層と
を備え、
上記中間層の任意区画が、以下の式（１）を満たしている積層体。
（２π／λ）・ｎ（λ）・｜Ｄ−Ｄ₀｜＜π ・・・（２）
（但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける上記中間層の屈折率、Ｄ₀：上記区画の中心点における上記中間層の厚み、Ｄ：上記区画内の任意点における上記中間層の厚み）
（１２）
撮像素子と、
透光部を有し、上記撮像素子を収容するパッケージと
を備え、
上記透光部は、
基材と、
上記基材上に設けられた、反射防止機能を有する構造層と
を備え、
上記構造層は、
複数の構造体と、
上記複数の構造体と上記基材との間に設けられた中間層と
を備え、
上記中間層が、以下の関係式（１）を満たしている撮像素子パッケージ。
（２π／λ）・ｎ（λ）・｜ｄ−ｄ₀｜＜π ・・・（１）
（但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける上記中間層の屈折率、ｄ₀：中心点における上記中間層の厚み、ｄ：任意点における上記中間層の厚み（中心点を中心とする所定範囲内の任意点における上記中間層の厚み）

１１ 透明積層体
１１ｓ 表面
１２ 基材
１３ 構造層
１４ 構造体
１５ 中間層
１１４ 撮像素子パッケージ
１３１ カメラモジュール
１００、２０１ 撮像装置
３０１、３３１、３４１ 電子機器

Claims (12)

1. 基材と、
   上記基材上に設けられた、反射防止機能を有する構造層と
   を備え、
   上記構造層は、
   複数の構造体と、
   上記複数の構造体と上記基材との間に設けられた中間層と
   を備え、
   上記中間層が、以下の関係式（１）を満たしている積層体。
   （２π／λ）・ｎ（λ）・｜ｄ−ｄ₀｜＜π ・・・（１）
   （但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける上記中間層の屈折率、ｄ₀：中心点における上記中間層の厚み、ｄ：任意点における上記中間層の厚み）
2. 反射の低減を目的とする光に対する上記構造層単体の反射率の最大値が、０．２１％以下であり、
   反射の低減を目的とする光に対する上記基材と上記構造層との積層体の反射率の最大値が、１．００％以下である請求項１に記載の積層体。
3. 上記構造体の底面の直径Ｄ_bottomおよび上記構造体のピッチＰが、１．２＞Ｄ_bottom／Ｐ＞１の関係を満たし、
   上記構造体の頂部の直径Ｄ_topおよび上記構造体の底面の直径Ｄ_bottomが、Ｄ_top／Ｄ_bottom≦１／１０の関係を満たしている請求項１に記載の積層体。
4. 上記光の波長範囲は、３５０ｎｍ以上８５０ｎｍ以下である請求項１に記載の積層体。
5. 上記中間層の厚みは、上記基材表面の面内方向に変化している請求項１に記載の積層体。
6. 上記基材の屈折率ｎ₀と上記構造層の屈折率ｎ₁との屈折率差Δｎ（＝｜ｎ₁−ｎ₀｜）が、０．３以下である請求項１に記載の積層体。
7. 上記複数の構造体と上記中間層とは同一材料により構成されている請求項１に記載の積層体。
8. 上記構造体は、上記中間層の表面に対して凸状または凹状を有している請求項１に記載の積層体。
9. 請求項１から８のいずれか１項に記載の積層体を備える撮像装置。
10. 請求項１から８のいずれか１項に記載の積層体を備える電子機器。
11. 基材と、
    上記基材上に設けられた、反射防止機能を有する構造層と
    を備え、
    上記構造層は、
    複数の構造体と、
    上記複数の構造体と上記基材との間に設けられた中間層と
    を備え、
    上記中間層の任意区画が、以下の式（１）を満たしている積層体。
    （２π／λ）・ｎ（λ）・｜Ｄ−Ｄ₀｜＜π ・・・（２）
    （但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける上記中間層の屈折率、Ｄ₀：上記区画の中心点における上記中間層の厚み、Ｄ：上記区画内の任意点における上記中間層の厚み）
12. 撮像素子と、
    透光部を有し、上記撮像素子を収容するパッケージと
    を備え、
    上記透光部は、
    基材と、
    上記基材上に設けられた、反射防止機能を有する構造層と
    を備え、
    上記構造層は、
    複数の構造体と、
    上記複数の構造体と上記基材との間に設けられた中間層と
    を備え、
    上記中間層が、以下の関係式（１）を満たしている撮像素子パッケージ。
    （２π／λ）・ｎ（λ）・｜ｄ−ｄ₀｜＜π ・・・（１）
    （但し、λ：反射の低減を目的とする光の波長、ｎ（λ）：波長λにおける上記中間層の屈折率、ｄ₀：中心点における上記中間層の厚み、ｄ：任意点における上記中間層の厚み（中心点を中心とする所定範囲内の任意点における上記中間層の厚み）

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