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JP2014038961A - 導通不良検知装置及び導通不良検知方法 - Google Patents

導通不良検知装置及び導通不良検知方法 Download PDF

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JP2014038961A JP2012181121A JP2012181121A JP2014038961A JP 2014038961 A JP2014038961 A JP 2014038961A JP 2012181121 A JP2012181121 A JP 2012181121A JP 2012181121 A JP2012181121 A JP 2012181121A JP 2014038961 A JP2014038961 A JP 2014038961A
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政宣 吉富
Takafumi Ishii
隆文 石井
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Abstract

【課題】太陽電池の導通不良を簡単且つ確実に検知すること。
【解決手段】導通不良検知装置2は、太陽電池を対象にして導通不良を検知する装置であって、太陽電池の正極負極間に接続する負荷抵抗を変化させ、当該太陽電池のIVカーブ上の2点の動作点における電圧値又は電流値を測定する測定部5と、測定部5によって測定された結果に基づき、2点の動作点間の傾きを算出する算出部と、算出部によって算出された傾きに基づき、導通不良の存否を判定する制御判定部6と、を備える。導通不良検知装置2により、太陽電池の導通不良を簡単且つ確実に検知することができる。
【選択図】図10

Description

本発明は、太陽電池を対象にして導通不良を検知する導通不良検知装置及び導通不良検知方法に関する。
太陽光を利用して発電を行う太陽電池の故障を診断する方法として、例えば下記特許文献1に記載されている故障診断方法が知られている。当該故障診断方法では、太陽電池に測定信号波形を印加し、その応答信号波形を測定信号波形と比較することによって、太陽電池の故障位置と故障種類を特定する。
また、太陽電池の故障を診断する別の方法として、例えば下記特許文献2に記載されている診断方法が知られている。当該診断方法では、太陽電池ストリングのブロッキングダイオード(逆流防止ダイオード)を除いた測定対象部位に充電したコンデンサを接続して放電させ、放電時に測定対象部位の電圧及び電流を測定し、その結果得られるI−V特性の変化に基づいて測定対象部位の故障を診断する。
特開2009−21341号公報 特開2011−66320号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載されている故障診断方法では、信号注入への応答を高速で測定する必要があり、そのため正確な測定が困難となり、故障診断の確度が低下する場合があった。また、上記特許文献2に記載されている診断方法では、測定対象部位に不良が無い場合にはコンデンサの電圧に応じた大きな電流が瞬時的に測定対象部位に流れるため、電流測定装置を故障させる可能性があり、測定時の安全性の面でも好ましくない。測定対象部位での大電流を低減するためにコンデンサの静電容量を小さくすることも考えられるが、この場合はI−V特性の計測時間が長くとれないため、I−V特性の正確な測定が困難となり、故障診断の確度が低下する場合があった。
そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、太陽電池の導通不良を簡単且つ確実に検知することが可能な導通不良検知装置及び導通不良検知方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の一側面に係る導通不良検知装置は、太陽電池の正極負極間に接続する負荷抵抗を変化させ、当該太陽電池のIVカーブ上の2点の動作点における電圧値又は電流値を測定する測定部と、測定部によって測定された結果に基づき、2点の動作点間の傾きを算出する算出部と、算出部によって算出された傾きに基づき、導通不良の存否を判定する判定部と、を備える。
或いは、本発明の他の側面に係る導通不良検知方法は、太陽電池を対象にして導通不良を検知する導通不良検知装置による導通不良検知方法であって、太陽電池の正極負極間に接続する負荷抵抗を変化させ、当該太陽電池のIVカーブ上の2点の動作点における電圧値又は電流値を測定する測定ステップと、測定ステップにおいて測定された結果に基づき、2点の動作点間の傾きを算出する算出ステップと、算出ステップにおいて算出された傾きに基づき、導通不良の存否を判定する判定ステップと、を備える。
かかる導通不良検知装置、或いは導通不良検知方法によれば、太陽電池の正極負極間に接続する負荷抵抗を変化させ、当該太陽電池のIVカーブ上の2点の動作点における電圧値又は電流値が測定される。そして、測定された結果に基づき、2点の動作点間の傾きが算出され、算出された傾きに基づき、導通不良の存否が判定される。ここで、一般的に、太陽電池内部に導通不良箇所が存在する場合、導通不良箇所が抵抗となって、当該太陽電池のIVカーブ上の2点の動作点の傾きが変化する。従って、上述した導通不良検知装置、或いは導通不良検知方法によれば、太陽電池のIVカーブ上の2点の動作点間の傾きに基づいて、導通不良の存否を判定することができる。例えば、定期的にIVカーブ上の2点の動作点の傾きを測定し、記憶部に記録してその傾きの変化量を評価することで当該太陽電池の導通不良を検知することとしてもよい。このように、太陽電池のIVカーブ上の2点の動作点間の傾きを算出することで、導通不良の存否を判定することができるため、太陽電池の導通不良を簡単且つ確実に検知することができる。
上述した導通不良検知装置においては、判定部は、算出部によって算出された傾きを、予め記憶した基準値と比較することで、導通不良の存否を判定する、ことが好適である。ここで、比較方法は、単純な2値判定の他、2つの傾きの比率に基づき判定する構成としても良いし、2つの傾きに一定以上の乖離の有無を見て判定する構成としても良い。こうすれば、太陽電池の導通不良の判定を、より簡単且つ確実に行うことができる。
ここで、基準値は、太陽電池の最大出力動作点における電流値と電圧値、及び太陽電池の開放電圧値に基づいて算出した値である、ことが好適である。なお、太陽電池の最大出力動作点における電圧値と電流値、及び太陽電池の開放電圧値は、過去の任意の時刻に測定され、更新し記憶される実測値であってもよいし、メーカーが指定する定格値に基づく値であってもよい。これにより、太陽電池の導通不良の判定を、より簡単且つ確実に行うことができる。
また、基準値は、太陽電池の最大出力動作点における電圧値から、当該太陽電池を構成する単位太陽電池の電圧値を減算した値に基づき算出した値である、ことも好適である。なお、単位太陽電池の電圧値とは、例えば、太陽電池セル1つの電圧値であってもよいし、1つのバイパスダイオードと並列接続された太陽電池セル群(太陽電池クラスタ)の電圧値であってもよい。また、単位太陽電池の電圧値は、過去の任意の時刻に測定され、更新される実測値であってもよいし、メーカーが指定する定格値に基づく値であってもよい。このように、単位太陽電池の電圧値を考慮した基準値を採用することで、正常であるにも関わらず導通不良と判定する危険を回避することができる。
また、測定部は、2点の動作点における電圧値または電流値を測定する際、一方を太陽電池を開放状態にして測定し、他方を太陽電池に所与の負荷抵抗を接続して測定する、ことが好適である。これにより、導通不良検知装置の構成が簡単になり、制御が容易となる。
ここで、負荷抵抗は、電子負荷抵抗器により実現する、ことも好適である。これにより、導通不良検知装置において、抵抗をON/OFFするための機械スイッチが不要になる。また、太陽電池に接続するパワーコンディショナ内部の電子負荷装置により負荷抵抗を実現することが可能となり、より安価に且つコンパクトに導通不良検知装置を実現することができる。
また、測定部は、太陽電池に含まれる逆流防止ダイオードの電流電圧特性に基づき、測定値を補正する、ことが好適である。これにより、太陽電池の導通不良の判定を、誤検出のおそれなく確実に行うことができる。
或いは、本発明の他の側面に係る導通不良検知装置は、太陽電池ストリングと、太陽電池ストリングに接続された負荷装置とからなる太陽光発電システムを対象に導通不良検知を行う導通不良検知装置であって、太陽電池ストリングと負荷装置との接続を解列状態に切り替えるスイッチング部と、スイッチング部によって解列状態に切り替えられた太陽電池ストリングを検知対象ストリングとして、検知対象ストリングの正極負極間に接続する負荷抵抗を変化させ、当該検知対象ストリングのIVカーブ上の2点の動作点における電圧値を測定する測定部と、負荷抵抗の値と、測定部によって測定された電圧値とに基づき、2点の動作点間の傾きを算出する算出部と、算出部によって算出された傾きを、予め記憶した基準値と比較することで、導通不良の存否を判定する判定部と、を備える。
或いは、本発明の他の側面に係る導通不良検知方法は、太陽電池ストリングと、太陽電池ストリングに接続された負荷装置とからなる太陽光発電システムを対象に導通不良検知を行う導通不良検知装置による導通不良検知方法であって、太陽電池ストリングと負荷装置との接続を解列状態に切り替えるスイッチングステップと、スイッチングステップにおいて解列状態に切り替えられた太陽電池ストリングを検知対象ストリングとして、検知対象ストリングの正極負極間に接続する負荷抵抗を変化させ、当該検知対象ストリングのIVカーブ上の2点の動作点における電圧値を測定する測定ステップと、負荷抵抗の値と、測定ステップにおいて測定された電圧値とに基づき、2点の動作点間の傾きを算出する算出ステップと、算出ステップにおいて算出された傾きを、予め記憶した基準値と比較することで、導通不良の存否を判定する判定ステップと、を備える。
かかる導通不良検知装置、或いは導通不良検知方法によれば、太陽電池ストリングと負荷装置との接続が解列状態に切り替えられ、切り替えられた太陽電池ストリングを検知対象ストリングとして、検知対象ストリングの正極負極間に接続する負荷抵抗を変化させ、当該検知対象ストリングのIVカーブ上の2点の動作点における電圧値が測定される。そして、負荷抵抗の値と、測定された電圧値とに基づき、2点の動作点間の傾きが算出され、算出された傾きが、予め記憶した基準値と比較されることで、導通不良の存否が判定される。ここで、一般的に、太陽電池ストリングに導通不良箇所が存在する場合、導通不良箇所が抵抗となって、当該太陽電池ストリングのIVカーブ上の2点の動作点の傾きである抵抗値が変化する。従って、上述した導通不良検知装置、或いは導通不良検知方法によれば、太陽電池ストリングのIVカーブ上の2点の動作点間の傾きである抵抗値に基づいて、導通不良の存否を判定することができる。例えば、定期的にIVカーブ上の2点の動作点の傾きを測定し、記憶部に記録してその傾きの変化量を評価することで当該太陽電池の導通不良を検知することとしてもよい。このように、太陽電池ストリングのIVカーブ上の2点の動作点間の傾きである抵抗値を算出することで、導通不良の存否を判定することができるため、太陽電池ストリングの導通不良を簡単且つ確実に検知することができる。
本発明によれば、太陽電池の導通不良を簡単且つ確実に検知することができる。
本発明の実施形態に係る導通不良検知装置を含む太陽光発電システムにおける太陽電池ストリングを示す構成図である。 図1の太陽電池ストリングのA点において導通不良が発生した場合のIVカーブを示す図である。 図1の太陽電池ストリングのB点において導通不良が発生した場合のIVカーブを示す図である。 日射強度と開放動作点におけるIVカーブの傾きとの関係を示した模式図である。 太陽電池の矩形に近いIVカーブの例を示す図である。 太陽電池の湾曲形状のIVカーブの例を示す図である。 太陽電池回路中の直列コンダクタンスの大きさに応じたIVカーブを示した図である。 様々な直列コンダクタンス減少に対するIVカーブを示した図である。 (a)は、逆流防止ダイオードの影響を含むIVカーブを示した図、(b)は、(a)の開放電圧付近を拡大した図である。 本発明の第1実施形態に係る導通不良検知装置を含む太陽光発電システムの構成図である。 図10の導通不良検知装置の測定部の回路構成図の一例である。 本発明の第2実施形態に係る導通不良検知装置の測定部の回路構成図である。 本発明の第3実施形態に係る導通不良検知装置の測定部の回路構成図である。 本発明の第5実施形態に係る導通不良検知装置を含む太陽光発電システムの構成図である。 本発明の第6実施形態に係る導通不良検知装置を含む太陽光発電システムの構成図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明による導通不良検知装置及び導通不良検知方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
まず、太陽電池内において導通不良が発生したときのIVカーブ(電流電圧特性曲線)について説明する。図1は、太陽光エネルギーを利用して発電を行う太陽光発電システム1(後述)に含まれる太陽電池ストリング130の構成を示す図である。図1に示すように、太陽電池ストリング130は、太陽電池モジュール120が複数直列接続されて構成される。太陽電池モジュール120は、パネル状に構成されており、図1に示すように、互いに直列接続された複数(ここでは、6つ)の太陽電池セル140を備えている。また、太陽電池モジュール120は、複数の直列接続された太陽電池セル140に並列に接続されたバイパスダイオード150を含んでいる。すなわち、バイパスダイオード150のアノード端子が太陽電池モジュール120の負極側に接続され、バイパスダイオードのカソード端子が太陽電池モジュールの正極側に接続されている。なお、互いに直列接続された複数の太陽電池セル140群と、その太陽電池セル140群に並列接続されたバイパスダイオード150からなる組合せを太陽電池クラスタという。本実施の形態においては、太陽電池モジュール120は1つの太陽電池クラスタから構成されるものとして説明するが、これに限定する必要はなく、互いに直列接続された複数の太陽電池クラスタを有する構成としても良い。
複数の太陽電池セル140は、太陽光を利用して発電を行うものであり、マトリクス状に並置された状態でアルミフレームに固定されていると共に、その受光面側が強化ガラスで覆われている。太陽電池セル140としては、例えば0.5Vの出力電圧の結晶系太陽電池セルが用いられている。
バイパスダイオード150は、複数の太陽電池セル140に並列接続されている。バイパスダイオード150としては、順方向電圧を小さくし且つ逆回復時間を短縮化するために、例えばショットキーバリアダイオードが用いられている。このバイパスダイオード150は、太陽電池モジュール120に逆電圧が印加されたときに電流が流れるよう設けられており、その順方向が太陽電池モジュール120内における太陽電池セル140の等価寄生ダイオードの順方向に対し逆方向とされている。具体的には、バイパスダイオード150のカソード側は、太陽電池モジュール120を直列接続する電路上において、太陽電池モジュール120の正極側に接続されている。また、バイパスダイオード150のアノード側は、電路上において太陽電池モジュール120の負極側に接続されている。
図2は、図1に示す太陽電池ストリング130のA点において導通不良が発生した場合のIVカーブであるL11を示すグラフである。同図中において、L12が元々のIVカーブ、すなわち導通不良が無い場合のIVカーブを示し、L13が導通不良(抵抗)部分のIVカーブを示している。L11は、L12とL13とを電圧方向(横方向)に足し合わせたものであり、導通不良による電圧降下が発生していることがわかる。
一方、図3は、図1に示す太陽電池ストリング130のB点において導通不良が発生した場合のIVカーブであるL21を示すグラフである。L21において、屈曲点Nより低い電圧ではバイパスダイオード150に電流が流れるため、太陽電池ストリング130全体での電圧降下はバイパスダイオード150で抑制される。
以上の通り、太陽電池ストリング130のA点において導通不良が発生した場合と、太陽電池ストリング130のB点において導通不良が発生した場合とではIVカーブの変化は異なる。しかしながら、いずれの場合も開放動作点の接線が寝ている(すなわち、直列コンダクタンスが減少している)。本発明の実施形態に係る導通不良検知装置及び導通不良検知方法は、この点に着目し、開放動作点近傍のIVカーブの傾き(すなわち、直列コンダクタンス)を判定することで太陽電池の導通不良を検出するものである。
次に、IVカーブがどの程度寝たら(すなわち、どの程度直列コンダクタンスが減少したら)異常と判定するかの基準を考察する。太陽電池が正常であれば、開放動作点におけるIVカーブの傾きは、故障(導通不良)がない状態における定格Pmax点(最大出力動作点)から定格開放動作点までの傾きと同程度である。定格Pmax点から定格開放動作点までの傾きは、太陽電池の製品スペックから容易に求めることができる。
ここで、太陽電池ストリング130のIVカーブは、日射強度や温度変化に応じて変化する。すなわち、日射強度に応じて電流方向(縦方向)に平行移動し、温度変化に応じて電圧方向(横方向)に若干伸縮する。
温度上昇によって傾きが立つ程度は、20%程度に留まり、必要であれば太陽電池電圧の温度依存性とモジュール温度から容易に見積もることが可能である。一方、日射強度が下がると、開放動作点におけるIVカーブの傾きはSTC(Standard Test Condition)でのIVカーブの傾きに比較して寝る。しかし、相当に日射強度が下がってもその傾きの違いは導通不良が発生した場合ほど著しく大きくはない。図4は、日射強度と開放動作点におけるIVカーブの傾きとの関係を示した模式図である。図4において、L41はSTCでのIVカーブを示し、T41はL41における定格Pmax点から定格開放動作点までの傾きを示し、L42は日射強度が下がった場合のIVカーブを示し、T42はL42における開放動作点の接線の傾きを示す。図4に示す通り、相当に日射強度が下がっても、T42はT41よりも著しく寝ることはない。
以下、具体例を見ながら導通不良が無い場合における開放動作点の接線の傾きについて説明する。たとえば、STCにおいて図5に示した矩形に近いIVカーブを有する太陽電池ストリング130では、開放動作点の接線の傾きは、日射強度がSTC状態の30%程度まで低下しても、定格Pmax点から定格開放動作点の線の傾きを下回らない。また、STC状態の5%程度まで日射が低下しても、開放動作点での接線の傾き(コンダクタンス)は、定格Pmax点から定格開放動作点までの傾きとして算出されるコンダクタンス(0.63S)の20%程度までしか低下しない。
また、STCにおいて図6に示した湾曲形状のIVカーブを有する太陽電池ストリング130では、開放動作点の接線の傾きは、日射強度がSTC状態の50%程度まで低下しても、定格Pmax点から定格開放動作点までを結ぶ線の傾きを下回らない。また、開放動作点の接線の傾き(コンダクタンス)は、STC状態の10%程度まで日射が低下しても、定格Pmax点から定格開放動作点までを結ぶ線の傾きのとして算出されるコンダクタンス(0.03S)の20%程度までしか低下しない。
本発明の実施形態に係る導通不良検知装置及び導通不良検知方法は上述の特徴を利用したものである。すなわち、発電状態における太陽電池の開放動作点近傍での2点の動作点の電流値及び/又は電圧値を測定し、その測定結果から求めた傾き(コンダクタンス)から導通不良検知を行う。その傾き(コンダクタンス)を予め記憶した当該太陽電池の正常時における定格Pmax点から定格開放動作点までの傾きである基準値(基準コンダクタンス)と比較して、導通不良検知を行う。2点の動作点から求めた傾き(コンダクタンス)が基準値(基準コンダクタンス)より著しく小さければ、接触不良などが発生し、コンダクタンスが減少したものと考えられるため、導通不良があると判定する。すなわち、太陽電池の開放電圧Vocobsと、当該太陽電池に負荷抵抗を接続し、僅かに電流を流した時の電流I及び/又は電圧Vを測定し、I/(Vocobs―V)としてコンダクタンスを算出し、これが、基準コンダクタンス(太陽電池定格のIpm/(Voc―Vpm))より著しく小さければ導通不良と判定する。
次に、本発明の実施形態に係る導通不良検知装置において使用する負荷抵抗の選定について例を挙げて説明する。導通不良が図1のA点で発生し、IVカーブが図2の様になっている場合には、使用する負荷抵抗の値として特段の注意は必要ない。しかし、導通不良が図1のB点で発生し、IVカーブが図3の様になっている可能性があることを考慮すると、負荷抵抗の選定には以下の注意が必要である。
IVカーブが図3の様になっている場合、開放電圧付近でのIVカーブの傾きを正確に求めるためには、負荷抵抗を接続した時の太陽電池は、図3の屈曲点Nと開放電圧の間のいずれかの点で動作することが理想である。
太陽電池ストリング130の導通不良によって直列コンダクタンスが著しく低下している場合のIVカーブを図7(a)に示す。前記の条件を満たすためには、負荷抵抗の値を同図に示すR1の様に著しく大きな値としなければならない。また、図7(b)には、直列コンダクタンスの減少が比較的小さい場合の太陽電池ストリング130のIVカーブを示す。同図に示すような太陽電池ストリング130に負荷抵抗R1を使用した場合、負荷抵抗を装入した場合の太陽電池動作電圧が開放電圧に近くなるため、電流・電圧の傾きを正確に求められず、正常な判定ができない虞がある。
これに対して、負荷抵抗として、R1よりも低い値をもつ負荷抵抗R2を使用した場合の状況について説明する。直列コンダクタンスの低下が著しい、図7(a)では、開放動作点と負荷抵抗R2を接続した時の動作点の間の傾きは、図7(a)の一点鎖線T71の通り、真の場合(図7(a)に示すIVカーブにおける開放電圧から屈曲点への傾き)よりも立ったもの(高コンダクタンス)となる。しかしこの傾きも、直列コンダクタンスが正常である場合に比較すれば低コンダクタンスであるため、異常の有無については正しく判定することが可能である。
図7(a)及び図7(b)に示す負荷抵抗R3は、さらに低い抵抗値のものを使用した場合の状況を示す。これらの場合、開放動作点と負荷抵抗R3を接続した時の動作点間の傾きは二点鎖線T72の通りとなる。これらはいずれも直列コンダクタンスが正常な場合の傾きに近いため、異常の有無を正確に判定できない虞がある。
本発明の実施形態に係る導通不良検知装置が導通不良を検知する際に使用する負荷抵抗Rをどのように設定するか、例を挙げて以下に説明するが、本発明はこの設計方法に限定されるものではない。
負荷抵抗Rの下限は、異常と判定する直列コンダクタンスの上限と、太陽電池ストリングの定格開放電圧値と、太陽電池クラスタの定格電圧値(最大出力動作点電圧値でも、開放電圧値でもよい)とから決定される。例えば、次のように算定する。図8に様々な直列コンダクタンスの低下に対するIVカーブを破線で示している。図8において、L81はSTCでのIVカーブを示し、L82は実日射でのIVカーブを示す。ここで、負荷抵抗Rが小さいことにより、開放動作点と負荷抵抗を使用した場合の動作点の間の傾きが、開放動作点での接線の傾きより立ってしまう場合、動作点は図8のC点となる。C点の電圧は、開放動作点における電圧に比較して、ほぼ太陽電池の1クラスタ(1つのバイパスダイオードで括られた太陽電池セル群)分の電圧V81だけ低くなっている。この値は太陽電池モジュールの型式で決まる値であり、ここでは10Vとする。
また、C点の電流値は、太陽電池ストリングの開放電圧(ここでは250Vとする)からクラスタ電圧(10V)を差し引いて得られる240Vを負荷抵抗値Rで除した値となる。従って、傾きから得られるコンダクタンスI/(Voc−V)は、(240V/R)/10V=24/Rとなる。ここで、太陽電池ストリングの定格Vocが250V、Vpmが200V、Ipmが5Aであったとすると、正常な直列コンダクタンスは、5A/50V=0.1Sと見積もられる。24/Rが0.1Sに対して十分に小さければ異常判定を確実に行うことができる。例えば、24/Rが0.1Sの1/4倍以下であれば確実な異常判定が可能であるとすると、24/R<0.025Sとなり、したがって、負荷抵抗値Rとして960Ω以上の抵抗を使用すれば確実な判定が可能となる。
一方、負荷抵抗Rの上限は、異常と判定する直列コンダクタンスの上限(たとえば0.02S)と、測定精度(例えば電圧測定精度=3V)とから決定される。例えば、開放電圧250V、電圧測定精度3Vの場合、(250V/R)/0.02S=12,500VΩ/R>3Vとなることから、負荷抵抗Rとして4200Ω以下の負荷抵抗を使用すれば、直列コンダクタンスが0.02S以下に低下すれば確実に検出が可能となる。
また、実測された開放電圧Voc、負荷抵抗Rを装入した時に実測された電流I及び電圧Vから計算される直列コンダクタンスI/(Voc−V)の正常/異常を判定する基準として、故障がない状態における定格Pmax点から定格開放動作点までの傾きではなく、定格Pmax点から1クラスタ分(バイパスダイオードで括られた太陽電池セル電圧分)だけ低電圧側の点と定格開放動作点の間の傾きを使用しても良い。これは図8において、基準S1の代わりに基準S2を使用することに相当する。
ここで、測定対象となる太陽電池回路に、逆流防止ダイオードが含まれている場合には、この影響を考慮することが必要である。図9(a)及び(b)は、逆流防止ダイオードの影響と複数抵抗の利用を示した図である。図9(a)において、L91は逆流防止ダイオードが無く、導通不良が無い場合のIVカーブを示し、L92は逆流防止ダイオードがあり、導通不良が無い場合のIVカーブを示し、L93は逆流防止ダイオードがあり、導通不良がある場合のIVカーブを示す。図9(b)は、図9(a)に示すIVカーブのうち、電流0の時の電圧、すなわち開放電圧Voc付近のIVカーブを拡大表示した図である。
L91、L92及びL93はどれも、開放電圧は同じである。しかし、電流が流れた場合、逆流防止ダイオードが存在すると、逆流防止ダイオードによる電圧低下が発生する。
すなわち、逆流防止ダイオードが含まれる太陽電池の極間に負荷抵抗Rを接続した場合の電圧Vは、図9(b)に示すように、逆流防止ダイオードによる電圧損失Vの影響を受けたものとなる。この影響を排除した電圧の補正は、V+Vにより得られる。従って、導通不良の誤検出を防ぐためには、I/(Voc−(V+V))を使用して直列コンダクタンスを求めることが好ましい。
ここで、電圧測定精度が悪い場合など、負荷抵抗R1装入時に観測された動作点が、図9(b)のD点であるかE点であるか不明瞭な場合がある。この場合には、別途負荷抵抗R2を装入して再度測定を行い、F点となるかG点となるかを観測し、F点であれば導通不良なし、G点であれば導通不良ありと判定することも有効である。
また、ハンダはがれ等の接触不良によって導通不良が発生している場合、太陽電池の状態によって導通不良が発生したり収まったりすることがある。この場合、太陽電池回路に流れる電流によって導通不良が発生したり収まったりするため、負荷抵抗R1では検出できなかった導通不良が、負荷抵抗R2では検出できることがある。このように、複数種類の負荷抵抗を接続して測定することにより、導通不良検知の確実性を向上させることが可能になる。
以下では、上述の内容に基づいた、本発明の実施形態に係る導通不良検知装置及び導通不良検知方法の例について説明する。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態に係る導通不良検知装置及び導通不良検知方法について説明する。
図10は、本発明の実施形態に係る太陽光発電システムの構成図である。図10に示す太陽光発電システム1は、太陽光エネルギーを利用して発電を行う発電システムであり、例えば屋根等の高所に設置され、200V以上の出力電圧を有する系統連系型のものとされている。太陽光発電システム1は、太陽電池アレイ100とパワーコンディショナ110とを具備している。なお系統連系型システムに限定する必要はなく、電力系統から独立(自立)した独立型システムであっても良い。
太陽電池アレイ100は、太陽光エネルギーを電気エネルギーへ変換し、直流出力としてパワーコンディショナ110へ供給する。太陽電池アレイ100は、図1に示す太陽電池ストリング130を、少なくとも1つ備えている。これらの太陽電池ストリング130は、パワーコンディショナ110に対し、後述する導通不良検知装置2のスイッチを介して接続されている。
パワーコンディショナ110は、太陽電池アレイ100から供給された直流出力を交流出力に変換し、この交流出力を後段の負荷装置に繋がる電力系統(例えば商用電力系統)へ供給する。このパワーコンディショナ110は、太陽電池アレイ100の最大出力が得られるよう太陽電池アレイ100の動作電圧を制御する動作電圧制御機能と、電力系統の異常が検知された場合に安全にシステム停止する等の系統保護機能と、を有している。なお、パワーコンディショナ110は、絶縁トランスを有するトランス絶縁型であってもよいし、トランスレス(非絶縁)型であってもよい。
次に、太陽光発電システム1に含まれる導通不良検知装置2の構成を説明する。導通不良検知装置2は、パワーコンディショナ110を含む負荷装置に対して解列状態に切り替えた太陽電池ストリング130を対象にして、太陽電池ストリング130内の導通不良を検知するための装置である。詳細には、導通不良検知装置2は、スイッチ群(スイッチング部)3,4、測定部5及び制御判定部6によって構成されている。
スイッチ群3は、3つの太陽電池ストリング130とパワーコンディショナ110との接続を導通不良検査時に解列状態に切り替えるために設けられ、太陽電池ストリング130の数に対応した6つのスイッチング素子31A,31B,32A,32B,33A,33Bによって構成されている。スイッチング素子31A,31B,32A,32B,33A,33Bは、太陽電池ストリング130とパワーコンディショナ110との電気的接続を制御する開閉器である。スイッチング素子31A,31B,32A,32B,33A,33Bとしては、電流を遮断するものであれば如何なる構成のものも用いることができ、例えば、FET(Field Effect Transistor)やIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等の半導体スイッチ、機械式リレー等の電磁開閉器を用いることができる。このスイッチング素子31A,31B,32A,32B,33A,33Bは、通常時(発電時)には閉状態とされ、太陽電池ストリング130及びパワーコンディショナ110を互いに接続させる一方、導通不良検査時には開状態とされ、これらを互いに解列状態にさせる。
具体的には、スイッチング素子31A,32A,33Aは、それぞれの太陽電池ストリング130の正極とパワーコンディショナ110の一方の入力端子との間をつなぐ電路上に設けられ、スイッチング素子31B,32B,33Bは、それぞれの太陽電池ストリング130の負極とパワーコンディショナ110の他方の入力端子との間をつなぐ電路上に設けられる。なお、スイッチ群3は、太陽電池ストリング130の正極及び負極につながる両方の電路上に設けられているが、いずれかの電路上のみに設けられてもよい。例えば、スイッチ群3は、スイッチング素子31A,32A,33Aのみから構成されていてもよい。このような構成でも、導通不良検査時に太陽電池ストリング130及びパワーコンディショナ110を互いに解列状態とすることができる。
また、スイッチ群4は、3つの太陽電池ストリング130と測定部5との間を導通不良検査時に電気的に接続するために設けられ、太陽電池ストリング130の数に対応した6つのスイッチング素子41A,41B,42A,42B,43A,43Bによって構成されている。スイッチング素子41A,41B,42A,42B,43A,43Bは、太陽電池ストリング130と測定部5との電気的接続を制御する開閉器であり、スイッチ群3と同様な半導体スイッチや電磁開閉器等を採用できる。このスイッチング素子41A,41B,42A,42B,43A,43Bは、通常時(発電時)には開状態とされ、及び測定部5を太陽電池ストリング130から電気的に切断させる一方、導通不良検査時には閉状態とされ、これらを互いに接続状態にさせる。
具体的には、スイッチング素子41A,42A,43Aは、それぞれの太陽電池ストリング130の正極と測定部5の一方の接続端子との間をつなぐ電路上に設けられ、スイッチング素子41B,42B,43Bは、それぞれの太陽電池ストリング130の負極と測定部5の他方の接続端子との間をつなぐ電路上に設けられる。なお、スイッチ群4は、太陽電池ストリング130の正極及び負極につながる両方の電路上に設けられているが、いずれかの電路上のみに設けられてもよい。例えば、スイッチ群4は、スイッチング素子41A,42A,43Aのみから構成されていてもよい。このような構成でも、通常時に太陽電池ストリング130及び測定部5を互いに切断状態とすることができる。
なお、太陽電池ストリング130とパワーコンディショナ110の間には、太陽電池ストリング130に逆電流が流れることを防止する逆流防止ダイオード(不図示)が、太陽電池ストリング130の正極側または負極側(或いは両方極)の電路上に直列に接続される。本実施形態においては、この逆流防止ダイオードは、測定部5による測定対象となる電路外に位置する構成として説明する。
測定部5(測定部及び算出部)は、太陽電池ストリング130の正極負極間に接続する負荷抵抗を変化させ、当該太陽電池ストリング130のIVカーブ上の2点の動作点における電圧値を測定する。そして、測定部5は、測定された結果に基づき、2点の動作点間の傾きを算出する。ここで、本実施形態においては、2点の動作点のうちの一方の点は、太陽電池ストリング130の開放状態における動作点であり、他方の点は、太陽電池ストリング130に負荷抵抗を接続したときの動作点とする。
図11は、測定部5の回路構成例を示す図である。図11に示す通り、測定部5において、負荷抵抗RとスイッチSWが直列に接続され、それらに対して電圧測定装置10が並列に接続されている。電圧測定装置10は、電圧計と、制御判定部6の指示に従って各種処理を実行する処理装置とから構成されている。処理装置としては、プロセッサにより構成してもよいし、アナログIC回路やPLD(Programmable Logic Device)回路により構成してもよい。
電圧測定装置10は、スイッチSWを開閉させることで、測定対象となる太陽電池ストリング130(以下「検知対象ストリング130」という。)を開放動作点と、負荷抵抗Rを接続したときの動作点で発電させる。また、電圧測定装置10は、これら二つの動作点における電圧値を測定し、その測定結果と負荷抵抗Rの値から傾き((V/R)/(Voc−V))を算出する。
測定部5による傾き算出処理は、制御判定部6からの指示に基づき、次の手順で実行される。まず、スイッチSWを閉じたときの電圧Vを測定する。次に、スイッチSWを開いたときの電圧Vocを測定する。更に、V/Rを(Voc−V)で除した値を傾きとして求め、制御判定部6に返す。
制御判定部6は、導通不良検知装置2全体を制御する。制御判定部6は、後述の導通不良検知処理(方法)を実行し、測定部5に対する測定と傾き算出の指示制御をすると共に、記憶及び測定結果に基づく演算、並びに導通不良の判定を制御する。この制御判定部6は、スイッチ群3、4、及び測定部5に接続されている。制御判定部6としては、CPU(Central Processing Unit)により構成してもよいし、アナログIC回路やPLD回路により構成してもよい。
この制御判定部6は、太陽光発電システム1から解列させる太陽電池ストリング130を選定するストリング選定機能と、スイッチ群3へオンオフ切替を指示して太陽電池ストリング130の解列/接続を制御する機能と、スイッチ群4へオンオフ切替を指示して測定部5と太陽電池ストリング130の接続/解列を制御する機能と、測定部5に測定および傾き算出を指示する測定指示機能と、測定部5から得られた傾きに基づき、太陽電池ストリング130の導通不良判定を行う判定機能と、時刻を計測し日射が十分な時刻か否かを判定する機能と、を有している。
また、制御判定部6は記憶部を有する。記憶部は、基準値を記憶すると共に、制御判定部6および測定部5が実行するプログラム、測定部5による測定結果、及び制御判定部6による判定結果を記憶する。ここで、基準値(基準コンダクタンス)は、太陽電池ストリング130の定格Pmax点における電流値Ipmと電圧値Vpm、及び定格開放電圧値Vocに基づいて算出した値(Ipm/(Voc―Vpm))である。あるいは、太陽電池クラスタの定格電圧値Vを加味した値(Ipm/(Voc−Vpm+V))を基準値として記憶してもよい。なお、記憶部としては、半導体メモリや磁気記憶装置等を用いることができる。
また、制御判定部6(判定部)は、測定部5によって算出された傾きに基づき、導通不良の存否を判定する。制御判定部6は、測定部5によって算出された傾きを、記憶部に予め記憶された基準値と比較することで、導通不良の存否を判定する。具体的には、算出された傾きが基準値以上であれば当該太陽電池ストリングに導通不良はないものと判定し(正常と判定し)、基準値よりも小さければ導通不良ありと判定する(異常と判定する)。
次に、本実施形態における導通不良検知装置2による導通不良検知方法について説明する。導通不良検知装置2による導通不良検知方法は、以下の手順(1−1)〜(1−8)に従って順に(繰り返し)実行される。
(1−1)i=1(iは変数、以下同様)とする。
(1−2)制御判定部6は、時刻を判定し、発電中で日射が十分な時刻と判定されるまで処理を待機する。
(1−3)手順(1−2)にて日射が十分と判定されると、制御判定部6の制御により、スイッチ群3がi番目の太陽電池ストリング130を検知対象ストリング130としてパワーコンディショナ110から切り離す((両極または片極)3iA、3iBを開く)。
(1−4)制御判定部6の制御により、スイッチ群4がi番目の検知対象ストリング130を測定部5に接続して(4iC、4iDを閉じ)、測定部5が開放電圧付近の傾きを求め、制御判定部6に結果を返す。
(1−5)制御判定部6はi番目の検知対象ストリング130の直列コンダクタンスの正常/異常を判定する。
(1−6)制御判定部6の制御により、スイッチ群4がi番目の検知対象ストリング130を測定部5から切り離す。
(1−7)制御判定部6は、異常と判定した場合、3iA、3iBは開いたままとする。正常と判定した場合、制御判定部6の制御により、スイッチ群3が3iA、3iBを閉じる。
(1−8)i=i+1とし、手順(1−2)に進む(iが最後なら手順(1−1)に戻る)。
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態に係る導通不良検知装置及び導通不良検知方法について説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。
図12は、第2実施形態に係る測定部5の回路構成を示す図である。本実施形態が上記第1実施形態と主として異なる点は、上記第1実施形態がIVカーブ上の一方の動作点を開放動作点としたのに対し、以下に詳説するように、2点の動作点両方を開放動作点以外の動作点となるよう2種の負荷抵抗を使用する点である。
図12に示す通り、測定部5において、直列に接続された負荷抵抗R1とスイッチSW1、直列に接続された負荷抵抗R2とスイッチSW2、及び電圧測定装置10が並列に接続されている。図12に示す測定部5による傾きの算出方法は、制御判定部6からの制御により、次の順に実行される。すなわち、SW1を閉じSW2を開いた時の電圧Vを測定する。次に、SW2を閉じSW1を開いた時の電圧Vを測定する。更に、(V/R−V/R)を(V−V)で除した値を傾きとして求め、制御判定部6に返す。
なお、図12に示す回路構成によれば、SW1とSW2の両方を開くことで検知対象ストリング130を開放状態にすることもできる。すなわち、当該回路構成によれば、3つの動作点(開放動作点、負荷抵抗R1における動作点、負荷抵抗R2における動作点)から傾きを算出することも可能である。あるいは、時刻に応じて2点の動作点の組み合わせを変更する構成としてもよい。
[第3実施形態]
次に、本発明の第3実施形態に係る導通不良検知装置及び導通不良検知方法について説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。
本実施形態が上記第1実施形態と主として異なる点は、上記第1実施形態が時刻に基づき太陽光発電システム1の発電状態を判定していたのに対し、以下に詳説するように、検知対象ストリング130の短絡電流値Iscを測定することで検知対象ストリング130の発電状態(日射が十分か否か)を判定する点である。
図13は、第3実施形態に係る測定部5の回路構成を示す図である。図13に示す通り、測定部5において、直列に接続された抵抗RとスイッチSW1、スイッチSW2、及び電圧測定装置10が並列に接続されている。また、測定部5の回路上には、測定部5の回路を短絡した際の電流値(短絡電流値Isc)を求めるための電流測定装置11も接続されている。図13に示す測定部5による傾きの算出方法は、制御判定部6からの制御により、以下の手順(1)〜(6)に従って順に実行される。
(1)SW1を閉じSW2を開いたときの電圧Vを測定する。
(2)SW1及びSW2を開いたときの電圧Vocを測定する。
(3)V/Rを(Voc−V)で除した値を傾きとして算出し、制御判定部6に返す。
(4)SW2を閉じたときの電流Iscを測定し、測定結果を制御判定部6に返す。
(5)SW2を開く。
次に、本実施形態における導通不良検知装置2の全体動作について説明する。導通不良検知装置2は、以下の手順(2−1)〜(2−8)による導通不良検知を実行する。
(2−1)i=1(iは変数、以下同様)とする。
(2−2)制御判定部6の制御により、スイッチ群3がi番目の検知対象ストリング130をパワーコンディショナ110から切り離す((両極または片極)3iA、3iBを開く)。
(2−3)制御判定部6の制御により、スイッチ群4がi番目の検知対象ストリング130を測定部5に接続して(4iC、4iDを閉じ)、測定部5が開放電圧付近の傾きを求め、制御判定部6に結果を返す。
(2−4)制御判定部6は、測定部5から返された短絡電流値Iscに基づき日射が十分か否かを判定する。具体的には、制御判定部6は記憶部に予め記憶された基準短絡電流値と測定部5に測定された短絡電流値Iscを比較し、短絡電流値Iscが基準短絡電流値以上であれば日射が十分と判定し、基準短絡電流値よりも小さければ日射不十分と判定する。日射が不十分と判定した場合、手順(2−5)及び手順(2−6)をスキップし、手順(2−7)に進む。日射が十分と判定した場合、(2−5)に進む。
(2−5)制御判定部6は、測定部5から返されたi番目の検知対象ストリング130傾きの値に基づき直列コンダクタンスの正常/異常を判定する。
(2−6)制御判定部6の制御により、スイッチ群4がi番目の検知対象ストリング130を測定部5から切り離す。
(2−7)制御判定部6が、直列コンダクタンスを異常と判定した場合、3iA、3iBは開いたままとする。正常と判定した場合、制御判定部6の制御により、スイッチ群3が3iA、3iBを閉じる。
(2−8)i=i+1とし、手順(2−2)に進む(iが最後なら手順(2−1)に戻る)。
[第4実施形態]
次に、本発明の第4実施形態に係る導通不良検知装置及び導通不良検知方法について説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第1から第3の実施形態と異なる点について主に説明する。
本実施形態が上記第1から第3の実施形態と主として異なる点は、上記第1から第3の実施形態における測定対象となる電路には逆流防止ダイオードを含まない構成としていたのに対し、以下に詳説するように、測定対象回路内に逆流防止ダイオードを含む点である。
本実施形態においては、図10に示す太陽光発電システム1の構成図における各太陽電池ストリング130の正極または負極から導通不良検知装置2との接続点61〜66までの電路上に逆流防止ダイオードが1つ直列に接続されている。この場合、測定部5は、開放動作点以外の動作点における電圧の測定値を次の通り補正する。すなわち、各動作点における電圧測定値Vに、逆流防止ダイオードの電圧降下値Vを加算した値(V+V)を補正値として使用する。なお、測定対象電路内に複数の逆流防止ダイオード(例えばn個)を直列に接続する場合は、測定部5は、電圧測定値Vを(V+n×V)で補正する。
[第5実施形態]
次に、本発明の第5実施形態に係る導通不良検知装置及び導通不良検知方法について説明する。本実施形態においては、パワーコンディショナ内の電子負荷装置を負荷抵抗として使用する場合について説明する。すなわち、本実施形態においては、通常MPPT(Maximum Power Point Tracking)機能を実行する際に使用される電子負荷装置を、導通不良検知用の負荷抵抗として使用する。
図14は、図10に示す太陽光発電システム1の変形例であり、本発明の第5実施形態に係る導通不良検知装置2Aを含む太陽光発電システム1Aの構成図である。本実施形態における太陽光発電システム1Aは、太陽光発電システム1の構成のうち、スイッチ群4を取り除き、測定部5の機能をパワーコンディショナ110Aに含めたものである。そして、太陽光発電システム1Aに含まれる導通不良検知装置2Aは、スイッチ群(スイッチング部)3、制御判定部6A及びパワーコンディショナ110Aによって構成される。
パワーコンディショナ110Aの電子負荷装置は、少なくともコンデンサと、IGBTやFETなどの半導体スイッチを有し、これら半導体スイッチを通常のMPPT実行時よりも低いデューティー比で駆動させることにより、高抵抗を実現し、開放動作点付近の動作点で接続された太陽電池ストリング130を動作させる。また、パワーコンディショナ110Aは、内部のマイクロコンピュータ(不図示)により、制御判定部6Aの指示に従い検知対象ストリング130の各動作点電圧を測定し、また、各動作点の傾きを算出し、制御判定部6Aに返す処理を行う。なお、これらの処理に必要なデータやプログラムは、パワーコンディショナ110A内部の記憶部に記憶されている。
制御判定部6Aは、通常時はスイッチ群3を全て閉じた状態とし、測定時においては、スイッチ群3の切替を制御し、測定対象となる太陽電池ストリング130のみパワーコンディショナ110Aに接続し、それ以外の太陽電池ストリング130を解列する。
以下に、本実施形態における導通不良検知装置2Aによる導通不良検知方法について説明する。導通不良検知装置2Aによる導通不良検知方法は、以下の手順(3−1)〜(3−7)に従って順に(繰り返し)実行される。
(3−1)i=1(iは変数、以下同様)とする。
(3−2)制御判定部6Aが、3iA及び3iBをON、それ以外のスイッチをOFFにする。
(3−3)制御判定部6Aの指示により、パワーコンディショナ110Aが所定の抵抗値R1を有する電子負荷装置として働き、その時の電圧Vをパワーコンディショナ110Aが記憶する。
(3−4)制御判定部6Aの指示により、パワーコンディショナ110Aが所定の抵抗値R2を有する電子負荷装置として働き、その時の電圧Vをパワーコンディショナ110Aが記憶する。
(3−5)パワーコンディショナ110Aが、(V/R―V/R)を(V―V)で除した値を開放状態付近での傾きとして求め、制御判定部6Aに返す。
(3−6)i=i+1とし、手順(3−2)に進む(iがストリング数を超えたら手順(3−7)に進む)。
(3−7)制御判定部6Aの指示によりすべてのスイッチをONにし(異常のある検知対象ストリング130のスイッチはONにしなくても良い)、パワーコンディショナ110Aの通常運転を再開する。
導通不良検知装置2Aは、発電中は手順(3−1)〜手順(3−7)を周期的に繰り返す。なお、制御判定部6Aはパワーコンディショナ110Aに内蔵しても(含めても)良い。
[第6実施形態]
次に、本発明の第6実施形態に係る導通不良検知装置及び導通不良検知方法について説明する。本実施形態においては、パワーコンディショナ内のMPPT機能を実行する電子負荷装置を、負荷抵抗として使用する場合の変形例について説明する。
本実施形態は、パワーコンディショナ内の電子負荷装置を導通不良検知用の負荷抵抗として使用する点で第5実施形態と同一であるが、第5実施形態においてはパワーコンディショナ110Aに接続される複数の太陽電池ストリング130に対して電子負荷装置が1つしか存在しないのに対し、パワーコンディショナに接続される太陽電池ストリング130と同数の電子負荷装置が存在する点で異なる。
図15は、図10に示す太陽光発電システム1の変形例であり、本発明の第6実施形態に係る導通不良検知装置2Bを含む太陽光発電システム1Bの構成図である。太陽光発電システム1Bは、太陽光発電システム1の構成のうち、スイッチ群3,4を取り除き、測定部5の機能をコンバータ71〜73に置き換え、さらにパワーコンディショナ110Bにコンバータ71〜73、制御判定部6B及びインバータ8を含めたものである。そして、太陽光発電システム1Bに含まれる導通不良検知装置2Bは、パワーコンディショナ110Bによって構成される。
コンバータ71〜73は、電子負荷装置として機能する。すなわち、コンバータ71〜73に含まれる半導体スイッチを通常のMPPT実行時よりも低いデューティー比で駆動させることにより、高抵抗を実現し、開放動作点付近の動作点で太陽電池ストリング130を動作させる。また、コンバータ71〜73は、内部のマイクロコンピュータ(不図示)により、制御判定部6Bの指示に従い太陽電池ストリング130の各動作点電圧を測定し、また、各動作点の傾きを算出し、制御判定部6Bに返す処理を行う。なお、これらの処理に必要なデータやプログラムは、パワーコンディショナ110B内部の記憶部または制御判定部6B内の記憶部に記憶されている。
次に、上述の導通不良検知装置2Bによる導通不良検知方法について説明する。導通不良検知装置2Bによる導通不良検知方法は、以下の手順(4−1)〜(4−6)に従って順に(繰り返し)実行される。
(4−1)i=1(iは変数、以下同様)とする。
(4−2)制御判定部6Bの指示により、コンバータ7iが検知対象ストリング130を開放状態に制御し、その時の電圧Vocをパワーコンディショナ110Bが記憶する。
(4−3)制御判定部6Bの指示により、コンバータ7iが所定の抵抗値Rを有する電子負荷装置として働き、その時の電圧Vをパワーコンディショナ110Bが記憶する。
(4−4)パワーコンディショナ110Bが、V/Rを(Voc―V)で除した値を開放状態付近での傾きとして求め、制御判定部6Bに返す。
(4−5)制御判定部6Bの指示により、手順(4−4)の結果が正常ならコンバータ7iを通常動作に復旧し、異常ならコンバータ7iを停止する。
(4−6)i=i+1とし、手順(4−2)に進む(iがストリング数を超えたら処理を終了)。
導通不良検知装置2Bは、発電中は手順(4−1)〜手順(4−6)を周期的に繰り返す。
なお、上述の説明では、本発明の実施形態に係る導通不良検知装置が太陽電池ストリング130(検知対象ストリング130)の導通不良を検知すると説明したが、これに限るものではなく、太陽電池セル140、太陽電池ストリング130、太陽電池モジュール120、太陽電池クラスタ、及び太陽電池アレイ100の導通不良も同様に検知することができる。
1…太陽光発電システム(太陽電池システム)、2,2A,2B…導通不良検知装置、3,4…スイッチ群(スイッチング部)、5…測定部、6…制御判定部、8…インバータ、10…電圧測定装置、11…電流測定装置、61〜66…接続点、71〜73…コンバータ、100…太陽電池アレイ、110…パワーコンディショナ(負荷装置)、120…太陽電池モジュール、130…太陽電池ストリング、140…太陽電池セル、150…バイパスダイオード。

Claims (10)

  1. 太陽電池の正極負極間に接続する負荷抵抗を変化させ、当該太陽電池のIVカーブ上の2点の動作点における電圧値又は電流値を測定する測定部と、
    前記測定部によって測定された結果に基づき、前記2点の動作点間の傾きを算出する算出部と、
    前記算出部によって算出された傾きに基づき、導通不良の存否を判定する判定部と、
    を備えることを特徴とする導通不良検知装置。
  2. 前記判定部は、前記算出部によって算出された傾きを、予め記憶した基準値と比較することで、導通不良の存否を判定する、
    ことを特徴とする請求項1に記載の導通不良検知装置。
  3. 前記基準値は、前記太陽電池の最大出力動作点における電流値と電圧値、及び前記太陽電池の開放電圧値に基づいて算出した値である、
    ことを特徴とする請求項2に記載の導通不良検知装置。
  4. 前記基準値は、前記太陽電池の最大出力動作点における電圧値から、当該太陽電池を構成する単位太陽電池の電圧値を減算した値に基づき算出した値である、
    ことを特徴とする請求項3に記載の導通不良検知装置。
  5. 前記測定部は、前記2点の動作点における電圧値または電流値を測定する際、一方を前記太陽電池を開放状態にして測定し、他方を前記太陽電池に所与の負荷抵抗を接続して測定する、
    ことを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の導通不良検知装置。
  6. 前記負荷抵抗は、電子負荷抵抗器により実現する、
    ことを特徴とする請求項5に記載の導通不良検知装置。
  7. 前記測定部は、前記太陽電池に含まれる逆流防止ダイオードの電流電圧特性に基づき、測定値を補正する、
    ことを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の導通不良検知装置。
  8. 太陽電池ストリングと、前記太陽電池ストリングに接続された負荷装置とからなる太陽光発電システムを対象に導通不良検知を行う導通不良検知装置であって、
    前記太陽電池ストリングと前記負荷装置との接続を解列状態に切り替えるスイッチング部と、
    前記スイッチング部によって解列状態に切り替えられた前記太陽電池ストリングを検知対象ストリングとして、前記検知対象ストリングの正極負極間に接続する負荷抵抗を変化させ、当該検知対象ストリングのIVカーブ上の2点の動作点における電圧値を測定する測定部と、
    前記負荷抵抗の値と、前記測定部によって測定された電圧値とに基づき、前記2点の動作点間の傾きを算出する算出部と、
    前記算出部によって算出された傾きを、予め記憶した基準値と比較することで、導通不良の存否を判定する判定部と、
    を備えることを特徴とする導通不良検知装置。
  9. 太陽電池を対象にして導通不良を検知する導通不良検知装置による導通不良検知方法であって、
    前記太陽電池の正極負極間に接続する負荷抵抗を変化させ、当該太陽電池のIVカーブ上の2点の動作点における電圧値又は電流値を測定する測定ステップと、
    前記測定ステップにおいて測定された結果に基づき、前記2点の動作点間の傾きを算出する算出ステップと、
    前記算出ステップにおいて算出された傾きに基づき、導通不良の存否を判定する判定ステップと、
    を備えることを特徴とする導通不良検知方法。
  10. 太陽電池ストリングと、前記太陽電池ストリングに接続された負荷装置とからなる太陽光発電システムを対象に導通不良検知を行う導通不良検知装置による導通不良検知方法であって、
    前記太陽電池ストリングと前記負荷装置との接続を解列状態に切り替えるスイッチングステップと、
    前記スイッチングステップにおいて解列状態に切り替えられた前記太陽電池ストリングを検知対象ストリングとして、前記検知対象ストリングの正極負極間に接続する負荷抵抗を変化させ、当該検知対象ストリングのIVカーブ上の2点の動作点における電圧値を測定する測定ステップと、
    前記負荷抵抗の値と、前記測定ステップにおいて測定された電圧値とに基づき、前記2点の動作点間の傾きを算出する算出ステップと、
    前記算出ステップにおいて算出された傾きを、予め記憶した基準値と比較することで、導通不良の存否を判定する判定ステップと、
    を備えることを特徴とする導通不良検知方法。
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