JP2013171943A5 - - Google Patents

Description

次に、図５（ｃ）に示すように、後述する選択エミッタにより形成されるコンタクト領域に対応する所定の部分をマスキングするようにマスク１８を形成する（図４のＳ３６）。そして、図５（ｄ）に示すように、エミッタ層１２の表面のうち、マスク１８でマスクされている以外の領域上に、ＣＶＤ法等によりＳｉＮやＴｉＯ_２等の反射防止膜２０を形成する（図４のＳ３８）。その後、図６（ａ）に示すように、シリコン基板１０からマスク１８を除去する（図４のＳ４０）。これらの工程により、シリコン基板１０の受光面の一部が露出するように、パターニングされた反射防止膜２０をシリコン基板１０上に形成することができる。

以上の工程により、第１の実施の形態に係る太陽電池セル１００と同じ構成の太陽電池セル２００が製造される。コンタクト領域１６の上に反射防止膜２０を介さずに直接受光面電極２２が形成されているため、受光面電極２２を構成するペースト材の選定や、ペースト材の焼成条件の選定および管理が容易となる。また、第１の実施の形態に係る製造方法と比較して、第２の実施の形態に係る製造方法は、２つの異なるマスクを用いることなく、反射防止膜２０をマスクの一つとして利用することで、専用のマスクの数を低減できる。そして、反射防止膜２０のパターンを用いたセルフアラインによって、エミッタ層１２の露出した部分に沿ってコンタクト領域１６が形成される。結果として、位置合わせ精度が向上するとともに、シリコン基板１０と受光面電極２２との低抵抗な導通が実現される。

以上、本発明を上述の各実施の形態を参照して説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、各実施の形態の構成を適宜組み合わせたものや置換したものについても本発明に含まれるものである。また、当業者の知識に基づいて各実施の形態におけるイオン注入装置、搬送容器などにおいて各種の設計変更等の変形を実施の形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうる。

１０ シリコン基板、 １２ エミッタ層、 １４ マスク、 １６ コンタクト領域、 １８ マスク、 ２０ 反射防止膜、 ２０ａ 貫通部、 ２２ 受光面電極、 ２４ 裏面電極、 １００，２００ 太陽電池セル。