JP2013143559A - 発光装置及び照明装置 - Google Patents
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- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る発光装置は、表面に銀含層を有する少なくとも一対のリードが、樹脂成形体によって固定されてなる基体と、リード上に載置された発光素子と、基体の上面を被覆する無機物からなる保護膜と、保護膜を介して基体表面に設けられる封止樹脂と、を有する発光装置であって、封止樹脂は、発光素子を被覆する第1樹脂と、樹脂成形体とリードの境界を被覆し、第1樹脂よりも硬度の高い第2樹脂と、を有することを有することを特徴とする。
【選択図】図1A
Description
図1を参照して本発明の実施形態に係る発光装置を説明する。図1Aは発光装置10の上面図であり、図1Bは図1AのX−X線における断面図、図1C及び図1Dはその部分拡大図である。
図1A、図1B、図1C、図1Dに示すように、発光装置10は、正負一対の電極として機能する一対のリード2が、絶縁部材である樹脂成形体3によって固定され、一体的に構成される基体を有している。基体は図1Bに示すように断面視において平板状であり、図1Aに示すように上面視において長方形である。リード2は、所望の形状に加工された母体21の表面に、めっきなどによって銀含層22が設けられた板状部材であり、基体の上面となるリード2の上に発光素子1が載置される。同一面側に正負電極を備えた発光素子1は、導電性の接合部材5によって2つのリード2の両方をまたぐようにして接合(フリップチップ構造)され、リード2と導通可能なように接続されている。
実施の形態2では、図2A、図2Bに示すように、発光装置20は、正負一対の電極として機能するリード2が、絶縁部材である樹脂成形体3によって固定され、基体を構成している。基体には凹部Bが形成されており、凹部Bの底面にはリード2の上面の一部が露出されている。リード2は、母体21の表面に銀含層22が設けられた板状部材であり、凹部B内の底面に露出されるリード2の上に載置される発光素子1は、リード2とワイヤ7によって導通可能なように接続されている。凹部B内は、無機物からなる保護膜6によって被覆されており、具体的にはリード2の表面、発光素子1の表面、ワイヤ7の表面、樹脂成形体3の表面を被覆するように設けられている。さらに凹部B内には保護膜6を介して(保護膜6を被覆するように)封止樹脂4が設けられている。保護膜6は、樹脂成形体3とリード2との境界Aに割れ部を有している。
以下、各部材について詳述する。
基体を構成するリードは、金属の母材と、その表面に銀(Ag)含層を有する導電性の板状部材であり、発光素子や保護素子に給電するための正負電極として機能するよう、樹脂成形体を介して電気的に離間する少なくとも一対が設けられており、少なくとも発光装置の側面や底面の一部において、外部から給電可能なように露出されている。その大きさや形状は目的や用途、製造方法等に応じて種々選択することがでる。たとえば、図1A、図1Bで示すように、その側面の一部が基体の側面及び発光装置の側面となるように(同一側面となるように)設けることができる。また、図2A、図2Bに示すように、基体の凹部の底面にそれぞれの一部が露出するように設け、発光素子や保護素子が載置可能なように、さらにワイヤが接続可能なように、露出するよう設けられる。
リードの母材の表面に設けられる銀含層は、母材よりも反射率を高くするほか、ワイヤとの密着性を良好とするなど、母材の表面特性を調整するために好適に設けられる。特に、発光素子からの光に対する反射率が母材よりも高くなるように設けるのが好ましく、可視光領域の波長の光に対する反射率が70%以上、特に好ましくは80%以上の反射率であることが好ましい。これにより、光取り出し効率を向上させることができる。また、高光沢であることが好ましく、光沢度は、は0.5以上、より好ましくは1.0以上、更に好ましくは1.6以上である。ここで示される光沢度は日本電色工業製 微小面色差計VSR 300Aを用い、45°照射、垂直受光で得られる数字である。
基体を構成する樹脂成形体は、一対のリードを一体的に保持する部材であり、基体の上面視が、図1Aに示すような略長方形の外形の他、四角形、多角形、更にそれらを組み合わせたような形状となるよう構成することができる。図1Bで示すような、リード2の上面及び下面と同一面となるような厚みとすることもできるほか、図2Bに示すように、側壁部と底面部を有するように、厚みの異なるようにしてもよい。凹部を有する場合側壁部は、その内側面は図2Bに示すような底面に対して略垂直な角度で設ける他、傾斜面、段差面を有していてもよい。また、その高さや開口部の形状等についても、目的や用途に応じて適宜選択することができる。底面部は、リードの間に設けられており、その幅や位置などは任意に選択することができる。
基体の平面上部や凹部には、封止樹脂が設けられており、本実施の形態では、封止樹脂は第1樹脂と第2樹脂の、少なくとも2種類の樹脂が含まれる。具体的には、発光素子を被覆する第1樹脂と、リードと樹脂成形体との境界を被覆し、前記第1樹脂よりも硬度の高い第2樹脂との2種類を有している。第2樹脂は第1樹脂によって被覆されるように設けられており、つまり、先に第2樹脂を基体の境界を被覆するよう設けた後に、第2樹脂の上部を覆うように第1樹脂を形成する。第1樹脂は、ポッティング(滴下)法、圧縮成型法、印刷法、トランスファモールド法、ジェットディスペンス法などを用いることができ、図1Bのような平板状の基体を用いる場合は、圧縮成型法やトランスファモールド法が好ましく、図2Bのような凹部を有する基体の場合は、ポッティング法が好ましい。
発光素子をリード上に固定する部材として、接合部材を用いる。好ましい材料としては、導電性接合部材としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、Au−Sn共晶Sn−Ag−Cuなどのはんだ材料、低融点金属等のろう材、Cu、Ag、Au粒子や皮膜を用いた同材料間の接合を用いることができる。実施の形態1のように発光素子の電極と接合して導通可能とするような機能も兼ねる場合は、導電性の接合部材を用いる。また、絶縁性接合部材としては、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物やその変性樹脂、ハイブリッド樹脂等を用いることができる。これらの樹脂を用いる場合は、発光素子からの光や熱による劣化を考慮して、発光素子裏面にAl膜やAg膜などの反射率の高い金属層や誘電体反射膜を設けることができる。
発光素子をリードに固定させるための接合部材は、
発光素子への給電のためには、上述の接合部材を導電性として発光素子の電極と接合させるほか、ワイヤを用いることもできる。発光素子の電極と、リードとを接続するワイヤは、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及び少なくともそれらの金属を含有する合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。特に、熱抵抗等に優れた金を用いるのが好ましい。ワイヤ7は、図1Aに示すように発光素子同士をつなぐように接続することもできる。また、これに限らず、発光素子ごとにリードと接続するように設けることもできる
保護膜は、基体表面、もしくは凹部内を被覆する無機物であり、主としてリードの表面の銀含層の変色・腐食を抑制するために設けるものである。本実施の形態においては、リードの表面のみではなく、樹脂成形体の表面にも設けられている。保護膜は、形成した直後は、樹脂成形体とリードとの両方の上面にわたるように形成されているものであが、その後の工程において、昇降温工程を経ることで、樹脂成形体とリードとの熱膨張係数差に起因して、その境界に対応する領域に割れ部を有していてもよい。
発光素子は、任意の波長の半導体発光素子を選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ZnSeや窒化物系半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaPを用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、GaAlAs、AlInGaPなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
蛍光物質を有する発光装置とする場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体が好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。
また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。さらには、発光素子とともに、受光素子などを搭載することができる。
本実施の形態で得られた発光装置を用いた照明装置を説明する。発光装置の集合体より個片化された発光装置は、プリント配線板、セラミックス配線基板などにはんだ材料などを用いて2次実装される。配線基板は発光装置の他に各種電子部品と接続するために使用される。プリント配線板はリジット基板として、ガラスエポキシ基板、ガラスシリコーン基板、アルミナセラミックス基板、LTCC基板、テフロン(登録商標)基板、フレキシブル基板としてポリイミドフィルムなどの絶縁性基板に導電性回路を形成したものを用いることができる。配線回路はフォトレジストを用いたビルドアップ法やサブトラクティブ法により形成されるものや、導電性ペーストを用いた印刷などに形成されるものが用いられる。配線基板表面の電子部品が接合される部分にはCu、Ni、Ag、Snなどが露出しており、その他の部分は絶縁性のソルダーレジストなどで保護されている。露出した金属表面にはプリフラックスや腐食防止剤が塗布されていてもよい。LED発光装置を搭載する配線基板には、発光装置の他にコネクター、電源回路、放熱部品、制御部品などが搭載され、レンズなどの光学部品、筐体と組み合わされて照明装置となる。
発光装置は配線基板にSnAg系、SnCu系、SnPb系、SnBi系、SnAgCu系などのはんだ材料を用い配線板に実装される。特に樹脂系のプリント配線板の場合、鉛フリーはんだのSnAgCu系のクリームはんだ材料等の金属が用いられ、200℃以上の温度の金属接合により2次実装する。たとえばSn3Ag0.5Cuを用いる場合、配線板の発光装置を実装する位置にSn3Ag0.5Cuクリームはんだを印刷し発光装置を搭載した後、低酸素に制御したリフロー装置を用い270℃付近で発光装置を配線板に2次実装する。この際の熱履歴により、発光装置のリードと樹脂成形体の線膨張差、及びリードと樹脂成形体と保護膜との間の強度と線膨張差により保護膜が割れる場合がある。本実施の形態で得られた発光装置は、このような場合であっても、樹脂成形体とリードの境界を被覆しているため、硫黄含有ガスによって銀の変色や腐食を抑制することができる。
リードが樹脂成形体によって固定された基体を準備する。尚、最終的に個片化するまでは、リードが連結した状態のリードフレームに、複数の樹脂成形体が成形された基体の集合体の状態で各工程を経ているが、便宜上、図2Aに示す1つの発光装置(単数)で説明する。
1…発光素子
2…リード
21…母材
22…銀
3…樹脂成形体
31…側壁部
32…底面部
4…封止樹脂
41…第1樹脂
42…第2樹脂
5…接合部材
6…保護膜
7…ワイヤ
8…保護素子
A…境界
B…凹部
Claims (6)
- 表面に銀含層を有する少なくとも一対のリードが、樹脂成形体によって固定されてなる基体と、
前記リード上に載置された発光素子と、
前記基体の上面を被覆する無機物からなる保護膜と、
前記保護膜を介して基体表面に設けられる封止樹脂と、
を有する発光装置であって、
前記封止樹脂は、前記発光素子を被覆する第1樹脂と、
前記樹脂成形体と前記リードの境界を被覆し、前記第1樹脂よりも硬度の高い第2樹脂と、を有することを特徴とする発光装置。 - 前記基体は、前記発光素子が載置可能なリードフレームが底面に露出されている凹部を有する請求項1記載の発光装置。
- 前記第2樹脂は、硬度がJISA40以上である請求項1、又は請求項2記載の発光装置。
- 前記第2樹脂は、水蒸気透過率が15g/mm2・day以下である請求項1〜請求項3記載の発光装置。
- 前記リードは、Cuを含む合金である請求項1〜請求項4記載の発光装置。
- 前記発光装置を融点200℃以上の金属接合により配線基板上に実装していることを特徴とする請求項1〜5記載の発光装置を有する照明装置
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