[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2013008941A - 発光素子モジュール - Google Patents

発光素子モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2013008941A
JP2013008941A JP2012051938A JP2012051938A JP2013008941A JP 2013008941 A JP2013008941 A JP 2013008941A JP 2012051938 A JP2012051938 A JP 2012051938A JP 2012051938 A JP2012051938 A JP 2012051938A JP 2013008941 A JP2013008941 A JP 2013008941A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting element
dam
module according
resin layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012051938A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013008941A5 (ja
Inventor
Jung-Sok Park
パク・ジュンソク
Ho-Jin Lee
イ・ホジン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020110060540A external-priority patent/KR101894349B1/ko
Priority claimed from KR1020110064717A external-priority patent/KR101813166B1/ko
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of JP2013008941A publication Critical patent/JP2013008941A/ja
Publication of JP2013008941A5 publication Critical patent/JP2013008941A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004Devices characterised by their operation
    • H01L33/002Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

【課題】発光素子パッケージの耐久性と光効率を向上させること。
【解決手段】本発明の一実施例は、互いに電気的に分離された第1のリードフレーム及び第2のリードフレームと、第1のリードフレーム及び第2のリードフレームとそれぞれ電気的に連結された発光素子と、前記発光素子の周辺領域に配置されたダムと、前記発光素子を取り囲み、前記ダムの内側領域に配置された樹脂層と、及び前記ダムの周辺領域に配置され、少なくとも一側面が傾斜面に形成された反射部材とを備える発光素子モジュールを提供する。
【選択図】図1

Description

本発明の実施例は、発光素子モジュールに関するものである。
半導体の3―5族又は2―6族化合物半導体物質を用いた発光ダイオードやレーザーダイオードなどの発光素子は、薄膜成長技術及び素子材料の開発によって赤色、緑色、青色及び紫外線などの多様な色を具現することができ、蛍光物質を用いたり、色を組み合わせることによって効率の良い白色光線も具現可能である。
このような技術の発達とともに、ディスプレイ素子のみならず、光通信手段の送信モジュール、LCD(Liquid Crystal Display)表示装置のバックライトを構成する冷陰極管(CCFL:Cold Cathode Fluorescence Lamp)に取って代わる発光ダイオードバックライト、蛍光灯や白熱電球に取って代わる白色発光ダイオード照明装置、自動車のヘッドライト及び信号灯にまで応用が拡大されている。
発光素子は、パッケージ本体に実装されて発光素子パッケージをなす。発光素子パッケージにおいては、シリコンやPPA樹脂などのパッケージ本体に一対のリードフレームが実装され、リードフレーム上に発光素子が電気的に連結される。
本発明の実施例は、発光素子パッケージの耐久性と光効率を向上させようとする。
本発明の一実施例は、互いに電気的に分離される第1のリードフレーム及び第2のリードフレームと、第1のリードフレーム及び第2のリードフレームとそれぞれ電気的に連結された発光素子と、前記発光素子の周辺領域に配置されたダム(dam)と、前記発光素子を取り囲み、前記ダムの内側領域に配置された樹脂層と、前記ダムの周辺領域に配置され、少なくとも一側面が傾斜面に形成された反射部材とを備える発光素子モジュールを提供する。
本発明の一実施例に係る発光素子パッケージによると、外部からの水分や酸素などの浸透防止によって耐久性が向上し、縁部に配置された反射部材が発光素子から放出された光を反射させることによって指向角を調節することができる。
発光素子モジュールの第1の実施例の断面図である。 図1の発光素子モジュールの製造工程を示した図である。 図1の発光素子モジュールの製造工程を示した図である。 図1の発光素子モジュールの製造工程を示した図である。 図1の発光素子モジュールの製造工程を示した図である。 図1の発光素子モジュールの製造工程を示した図である。 図1の発光素子モジュールの製造工程を示した図である。 発光素子モジュールの第2の実施例の断面図である。 発光素子モジュールの第3の実施例の断面図である。 発光素子モジュールの第4の実施例の断面図である。 発光素子モジュールの第5の実施例の断面図である。 図1の「A」部分の発光素子の配線構造の一実施例を示した図である。 発光素子モジュールの第6の実施例を示した図である。 発光素子モジュールアレイと導光板の配置を示した図である。 上述した発光素子モジュールが配置されたアレイを示した図である。 上述した発光素子モジュールが配置されたアレイを示した図である。 発光素子モジュールの第7の実施例を示した図である。 図17の「D」部分を詳細に示した図である。 図17の「D」部分を詳細に示した図である。 図17の「D」部分を詳細に示した図である。 図17の「D」部分を詳細に示した図である。 図17の「D」部分を詳細に示した図である。 図17の「D」部分を詳細に示した図である。 図17の「D」部分を詳細に示した図である。 図17の「D」部分を詳細に示した図である。 発光素子モジュールの第8の実施例を示した図である。 発光素子モジュールが配置された照明装置の一実施例を示した図である。 発光素子モジュールが配置された映像表示装置の一実施例を示した図である。 図26の映像表示装置において発光素子モジュールの駆動の一実施例を示した図である。
以下、各実施例を添付の図面を参照して説明する。
本発明に係る実施例の説明において、各エレメントの「上又は下」に形成されると記載される場合、上又は下は、二つのエレメントが互いに直接接触したり、一つ以上の他のエレメントが前記二つのエレメント間に配置されて形成されることを全て含む。また、「上又は下」と表現される場合、一つのエレメントを基準にして上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。
図1は、発光素子モジュールの第1の実施例の断面図である。
本実施例に係る発光素子モジュール100においては、一対の第1及び第2のリードフレーム140a,140b が互いに電気的に分離されて配置され、発光素子10は、第1及び第2のリードフレーム140 a,140b と電気的に連結されて配置されている。第1及び第2のリードフレーム140 a,140b は、絶縁層130を介して放熱層120と接触している。
放熱層120は、アルミニウム(Al)などの熱伝導性に優れた物質からなり得る。また、絶縁層130は、第1及び第2のリードフレーム140 a,140b から放出される熱を放熱層120に伝達するので、熱伝導性に優れた材料からなり得る。
放熱層120の厚さtは0.6ミリメートルで、絶縁層130の厚さtは0.1ミリメートルであり得るが、それぞれの数値は10%の公差を有することができる。
絶縁層130上の第1及び第2のリードフレーム140 a,140b 間にはPSR(Printed Solder Resister)層160を配置できるが、前記PSR層160は、発光素子モジュールの輝度を向上させることができる。前記PSR層160は、第1及び第2のリードフレーム140 a,140b の短絡を防止するために絶縁性物質からなり得る。
第1及び第2のリードフレーム140 a,140b の上部には電極パッド150a, 150b をそれぞれ配置できるが、電極パッド150 a, 150b は銀(Ag)からなり得る。図1には、電極パッド150 a, 150b を第1及び第2のリードフレーム140 a,140b と同一の領域に配置しているが、電極パッド150 a, 150b は第1及び第2のリードフレーム140 a,140b の少なくとも一部の領域に配置することもできる。上述した電極パッド150 a, 150b は、第1の電極パッド及び第2の電極パッドからなり得る。
第1及び第2のリードフレーム140 a,140b は0.05ミリメートルの厚さを有し、電極パッド150 a, 150b は0.01ミリメートルの厚さを有することができるが、第1及び第2のリードフレーム140 a,140b の厚さが電極パッド150 a, 150b の厚さの5倍であり、上述した各数値は10%の公差を有することができる。
第1及び第2のリードフレーム140 a,140b は、発光素子10から発生した光を反射させることによって光効率を増加できるが、銀(Ag)からなる電極パッド150 a, 150b によって光の反射を増加させることができる。
発光素子10は、第1及び第2のリードフレーム140 a,140b と電気的に連結できるが、発光素子10としては、垂直型発光素子、水平型発光素子又はフリップ型発光素子を配置することができる。本実施例において、発光素子10は、導電性接着層110を介して一つのリードフレーム140 a,140b と電気的に接触し、ワイヤ105を介して他の一つのリードフレームと電気的に接触している。
樹脂層180は、発光素子10を取り囲んで保護することができる。また、樹脂層180には蛍光体185が含まれ、この蛍光体185により、発光素子10から放出された光の波長を変化させることができる。樹脂層180は、少なくとも発光素子10とワイヤ105を覆って形成することができる。
そして、発光素子10から放出された第1の波長領域の光が、前記蛍光体185によって励起されて第2の波長領域の光に変換され、第2の波長領域の光がレンズ(図示せず)などの光経路変換ユニットを通過することによって光経路を変更可能である。
レンズは、発光素子10から放出され、蛍光体185で波長が変換された光の屈折などを通して光経路を変換させることができ、特に、バックライトユニット内で発光素子モジュールが使用されるときに指向角を調節することができる。
レンズは、光透過率の良い材料からなるが、一例として、ポリメチルメタクリレート(PolyMethylMethAcrylate;PMMA)、ポリカーボネート(PolyCarbonate;PC)、ポリエチレン(PolyEthylene;PE)又はレジン射出物からなり得る。
そして、発光素子10の周辺領域にダム170を形成できるが、ダム170は、樹脂層180の縁部を固定することができる。すなわち、樹脂層180が発光素子10を取り囲んで形成された後、樹脂層180の縁部がダム170によって固定され、樹脂層180がダム170の内側領域に配置されている。ダム170は、樹脂層180の周囲を固定するように円状又は楕円状に配置することができる。
ダム170の高さは40〜60マイクロメートルであり得るが、ダム170の高さが過度に低いと、樹脂層180の固定に十分でないおそれがあり、ダム170の高さが過度に高いと、発光素子10から水平方向に放出された光の進行に影響を及ぼすおそれがある。
そして、反射部材190は、前記ダム170から既に設定された間隔だけ離隔するように配置することができる。本実施例において、発光素子10の周囲にキャビティが形成されておらず、発光素子10から放出される光が発光素子モジュール100の側面にも多く放出され得るので、反射部材190が側面に向かう光を反射させることによって、発光素子モジュールの指向角を調節することができる。
反射部材190は、反射率に優れた物質を使用して形成できるが、図示したように、内側壁aに傾斜面が形成され、発光素子10から放出された光の反射効率を増加させることができる。反射部材190をPSR層160などに固定するとき、固定部材195としては両面接着剤又は両面接着テープなどを使用することができる。
反射部材190の傾斜面の最上端の幅Wは、発光素子モジュールから光が放出される開口部になり、前記開口部の幅Wは、ダム170によって固定された樹脂層180の幅Wの1.5〜2倍であり得るが、反射部材190が楕円状をなすので、大きな範囲を有している。
本実施例において、一つの発光素子モジュール内に一つの発光素子を配置しているが、複数の発光素子を配置することもでき、3個の発光素子を配置する場合、赤色、緑色及び青色の光を放出する発光素子をそれぞれ配置することもできる。
図2〜図7は、図1の発光素子モジュールの製造工程を示した図である。
まず、図2に示したように、放熱層120上に絶縁層130を準備する。放熱層120はアルミニウムなどからなり、絶縁層130も熱伝導性に優れた絶縁物質からなり得る。
そして、図3に示したように、絶縁層130上に第1及び第2のリードフレーム140 a,140b と電極パッド150 a, 150b を形成することができる。第1及び第2のリードフレーム140 a,140b は、銅(Cu)などの電気伝導度に優れた物質を絶縁層130の表面にマスクを用いてパターニングすることによって形成することができる。
電極パッド150 a, 150b は、第1及び第2のリードフレーム140 a,140b と同一の面積又はより狭い面積でパターニングして形成することができる。電極パッド150 a, 150b は、第1及び第2のリードフレーム140 a,140b の反射率を高めるとともに、第1及び第2のリードフレーム140 a,140b の変色を防止することもできる。電極パッド150 a, 150b は、コーティング方法で形成することができ、SiO又はTiOなどで複数の層に形成することもできる。
そして、図4に示したように、第1及び第2のリードフレーム140 a,140b 間をPSR層160で充填し、反射部材や樹脂層などの形成領域を準備し、第1及び第2のリードフレーム140 a,140b の電気的短絡を防止することができる。
そして、図5に示したように、一つのリードフレーム140 a,140b と電極パッド150 a, 150b に導電性接着層110を介して発光素子10を固定し、前記発光素子10を他のリードフレーム140 a,140b と電極パッド150 a, 150b にワイヤ105を介して電気的に連結する。
そして、発光素子10の周辺領域にダム170を形成する。前記ダム170は、樹脂層を固定するためのものであって、PSR層160上にシルクスクリーン法などの印刷法で形成することができる。
そして、図6に示したように、樹脂層180は、発光素子10の周囲に塗布して硬化することによって形成することができる。樹脂層180は蛍光体185を含むことができ、樹脂層180の縁部は、ダム170によって固定されて円状及び楕円状をなすことができる。
そして、図7に示したように、反射部材190は、固定部材195を介してPSR層160上に固定することができる。前記PSR層160と反射部材190がなすキャビティは、反射カップとして作用することができる。反射部材190は、内側壁a が傾斜をなすことができ、耐湿コーティングを通して外部からの異物の浸透を防止することができる。
図8〜図11は、発光素子モジュールの第2の実施例〜第5の実施例の断面図である。
図8に示した実施例では、ダム170の上部に「V」字状又は「U」字状の溝が形成されており、当該溝に樹脂層180の縁部が固定されている。このとき、当該溝を通して、樹脂層180の縁部の固定が容易になり得る。
図9に示した実施例では、ダム170の上部がラウンド状をなしており、ラウンド状に樹脂層180の縁部が固定されている。
図10に示した実施例と図11に示した実施例では、ダム170の上部に段差及び溝が形成され、段差及び溝を通して、樹脂層180の固定が容易になり得る。図10に示した実施例では、ダム170の上部に段差が形成され、ダム170の縁部の段差がより高く配置されている。そして、図11に示した実施例では、ダム170の上部に段差及び溝が形成され、段差及び溝を通して樹脂層180の縁部を固定している。
図12は、図1の「A」部分の発光素子の配線構造の一実施例を示した図である。
図12には、図1の水平型発光素子10が配置されており、第1の電極10aは第1のリードフレーム140aにワイヤ105を介して連結されており、第2の電極10bは第2のリードフレーム140bにワイヤ105を介して連結されている。このとき、第1のリードフレーム140aと第2のリードフレーム140bの表面には電極パッドを配置することができる。
本実施例において、水平型発光素子10の周辺に第1のリードフレーム140aと第2のリードフレーム140bが対角線方向に配置され、発光素子モジュール内での第1及び第2のリードフレーム140a、140bの配置面積を減少させることができる。
図13は、発光素子モジュールの第6の実施例を示した図である。
本実施例では、上述した各実施例と異なってダム170が省略されており、反射部材190が樹脂層180の縁部を固定している。このとき、樹脂層180は、反射部材190より高く配置しているが、反射部材190より低く配置することもできる。
図14は、発光素子モジュールアレイと導光板の配置を示した図である。図14に示した実施例のように、樹脂層が反射部材より高く配置されたり、樹脂層上にレンズが配置され、レンズが反射部材より高く配置される場合、発光素子モジュールがバックライトユニットで使用されるとき、以下のように導光板を配置することができる。
図14では、導光板の一側縁部に複数の溝が形成されており、前記溝には発光素子モジュール200がそれぞれ配置されている。すなわち、発光素子モジュール200で樹脂層やレンズが最も高い場合、導光板と発光素子モジュール200が直接接触すると、樹脂層やレンズが損傷するおそれがあるので、導光板に溝を形成することによって、上述した樹脂層やレンズが導光板と直接接触することを防止することができる。
上述した各実施例と後述する各実施例において、樹脂層とレンズは、いずれも発光素子から放出された光の経路を変更することができ、樹脂層を第1の樹脂層と称し、レンズを第2の樹脂層と称することもできる。
そして、導光板に形成された溝の内側面に蛍光体層をコーティングできるが、このとき、発光素子モジュールの樹脂層内の蛍光体を省略することができる。
図15〜図16は、上述した発光素子モジュールが配置されたアレイを示した図である。
第1のリードフレーム140aは、発光素子に駆動信号を供給できるので、それぞれの発光素子において共通しており、アノード電極であり得る。また、第2のリードフレーム140bは、それぞれの発光素子別に連結することができ、カソード電極であり得る。
図15において、発光素子が配置される領域の縁部にダムが配置される領域Bを示している。このとき、第1のリードフレーム140a上の発光素子が配置される領域に電極パッド150aを配置しており、第2のリードフレーム140bが発光素子と連結される領域に他の電極パッド150bを配置することができる。このような電極パッドの配置は、垂直型発光素子に適用することができる。そして、第1及び第2のリードフレーム140a、140bが配置され、他の領域にはPSR層160が露出している。
図16では、図15の第1のリードフレーム140aの電極パッド150a上に発光素子10が配置され、発光素子10がワイヤ105を介して第2のリードフレーム140bと連結されており、ダムが形成された領域Bの縁部に反射部材190が配置されている。
反射部材190の形状は、発光素子から放出される光の投射領域に大きな影響を及ぼす。本実施例では、反射部材190が楕円状に配置されているが、反射部材190の水平断面、すなわち、第1のリードフレームと第2のリードフレームの配列と並んだ方向に反射部材190を切開したとき、反射部材190と反射部材190の内側面の傾斜面の断面は楕円状などの曲面をなしている。このとき、反射部材190の内側面の傾斜面がなす楕円は、長半径が短半径の180〜220%であり得る。
図17は、発光素子パッケージの第7の実施例を示した図である。
本実施例に係る発光素子モジュール200は、本体202と、本体202に設置された第1のリードフレーム240a及び第2のリードフレーム240bと、本体202に設置され、第1のリードフレーム240a及び第2のリードフレーム240bと電気的に連結された、本発明の実施例に係る発光素子10と、発光素子10の側面及び/又は上部を取り囲む樹脂層280とを備える。
本体202は、シリコン材質、合成樹脂材質、又は金属材質を含んで形成することができる。本体202が金属材質などの導電性物質からなる場合、図示していないが、本体202の表面に絶縁層がコーティングされ、この絶縁層によって第1及び第2のリードフレーム240a、240b間の電気的短絡を防止することができる。
第1のリードフレーム240a及び第2のリードフレーム240bは、互いに電気的に分離され、発光素子10に電流を供給する。また、第1のリードフレーム240a及び第2のリードフレーム240bは、発光素子10から発生した光を反射させることによって光効率を増加させることができ、発光素子10から発生した熱を外部に排出させることもできる。
発光素子10は、水平型発光素子、垂直型発光素子又はフリップ型発光素子であり、本体202上に設置したり、第1のリードフレーム240a又は第2のリードフレーム240b上に設置することができる。本実施例では、第1のリードフレーム240aと発光素子10が導電性接着層210を介して電気的に連結され、第2のリードフレーム240bと発光素子10はワイヤ240を介して連結されている。発光素子10は、ワイヤボンディング方式の他に、フリップチップ方式又はダイボンディング方式などによってリードフレーム240a、240bと連結することができる。
樹脂層280は、発光素子10を取り囲んで保護することができる。また、樹脂層280には蛍光体285が含まれ、この蛍光体285は、発光素子10から放出された光の波長を変化させることができる。樹脂層280は、少なくとも発光素子10とワイヤ240を覆って形成することができる。
そして、発光素子10から放出された第1の波長領域の光は、蛍光体285によって励起されて第2の波長領域の光に変換され、第2の波長領域の光がレンズ270などの光経路変換ユニットを通過することによって光経路を変更可能である。
レンズ270は、発光素子10から放出され、蛍光体で波長が変換された光の屈折などを通して光経路を変換させることができ、特に、バックライトユニット内で発光素子パッケージが使用されるときに指向角を調節することができる。
レンズ270は、光透過率の良い材料からなるが、一例として、ポリメチルメタクリレート(PolyMethylMethAcrylate;PMMA)、ポリカーボネート(PolyCarbonate;PC)、ポリエチレン(PolyEthylene;PE)又はレジン射出物からなり得る。
レンズ270は、本体202の上部面に固定できるが、本体202との間で接着剤などで固定することもできる。このとき、本体202とレンズ270との界面では物質特性の差によって間隙が発生し、このような間隙を通して水分や酸素などが発光素子パッケージの内部に浸透するおそれがある。
したがって、本体202とレンズ270との結合面のうち、特に「A」と表示された縁部領域にレンズ270と本体202を密封させ、外部から水分や酸素などの異物が浸透することを防止しなければならない。
図18〜図22は、図17の「D」部分を詳細に示した図である。以下では、図18〜図22を参照して図17の「D」部分を詳細に説明する。
図18において、レンズ270と本体202との結合領域のうち本体202上に溝281が形成されている。溝281は、レンズ270と本体202との結合部分に挿入されて固定され得る構造であれば十分である。
図19に示した構造において、溝282は、下側の幅Wが上側の幅Wより広く配置されている。特に、図19において、溝282の垂直方向の断面が台形状をなしている。
図19に示した構造において、レンズ270の縁部が溝282に挿入されるので、レンズ270の縁部と本体202との結合力が大きくなり得る。また、レンズ270の縁部と本体202との結合経路が長くなり、その結果、外部から浸透し得る水分や酸素などの浸透経路が長くなるので、発光素子パッケージの内部に外部物質が侵入する可能性を減少させることができる。
そして、図20に示した構造において、溝283の下側部分283aの断面積が上側部分283bの断面積より大きくなり、その結果、結合経路の増加による外部物質の発光素子パッケージ内部への浸透を防止することができる。
また、溝283は、上側部分283bの断面積が下側部分283aの断面積より小さく形成される瓶状に形成することもできる。
レンズ270がレジンなどの射出物などからなる場合、図20の本体202に形成された溝283の下側部分283aにレンズ材料を完全に充填した状態で硬化することができ、このとき、レンズ270と溝283との結合力がより大きくなり得る。
図21Aに示した実施例では、レンズ270と本体202とが結合する縁部領域で、本体202にダム284が形成されている。ダム284は、レンズ270の縁部と本体202との間に外部から水分や酸素などが浸透することを防止することができる。
図21Bに示したように、ダム284は、レンズ270の縁部の3ヶ所に備えられてレンズ270を固定することができ、レンズ270が固定されると、レンズ270と本体202との間に間隙が発生しないので、外部物質の浸透を防止することができる。
図21Cに示したように、ダム284は、レンズ270の縁部と隣接してレンズ270を覆う円柱状に配置することができる。このとき、ダム284は、レンズ270を固定する作用の他に、外部からの異物の遮断層として作用することができる。
図22に示した実施例では、本体202の溝281とレンズ270との結合領域で、本体202上に密封材290が形成されている。溝281の構造は、レンズ270と本体202との結合経路を増加させ、レンズ270と本体202との間の結合力を増大させることができ、密封材290は外部物質の侵入を完全に遮断することができる。
密封材290は、図22の溝281の構造のみならず、図19、図20及び図23に示した溝282、283、285及びダム284にも形成することができる。上述した溝282、283、285は、ダム284と同一に作用することができる。密封材290は、本体202とレンズ270との結合力を増加できる材料からなり、特にプライマー組成物を含むことができる。
すなわち、本体202の表面にプライマー処理をすることによって密封材290を形成できるが、プライマー処理は、高分子フィルムなどの基材に高分子処理をし、高分子フィルムと本体202及び密封材290との結合力を強化させることができる。
そして、アクリル、エステル又はウレタンなどの高分子物質をプライマー処理に使用することができ、密封材290は、前記高分子物質を基材に塗布してコーティングすることによって形成することができる。このとき、プライマー組成物を複数の層に形成し、密封材290と本体202及びレンズ270との結合力を増加させることができる。
図24は、発光素子パッケージの第8の実施例を示した図である。
図示した構造は、図17に示した発光素子パッケージと同一であるが、レンズ270の上部面の中間部が陥没した構造をなしている。このようなレンズ270の形状は、発光素子パッケージの指向角を調節するためのものであり、他の形状にも変換可能である。
上述した発光素子モジュール200は、本体202とレンズ270との間の結合力増加及び結合経路増加とプライマー組成物などによる密封により、外部からの水分や酸素などの浸透を防止し、素子の耐久性が向上するので、発光素子パッケージの寿命延長と色感低下を防止することができる。
本実施例に係る発光素子モジュールは、複数が基板上にアレイされ、前記発光素子モジュールの光経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどを配置することができる。このような発光素子モジュール、基板、光学部材は、ライトユニットとして機能することができる。更に他の実施例は、上述した各実施例に記載された半導体発光素子又は発光素子モジュールを含む表示装置、指示装置、照明システムに具現することができ、例えば、照明システムは、ランプ、街灯を含むことができる。以下では、上述した発光素子モジュールが配置された照明システムの一実施例として、照明装置と映像表示装置を説明する。
図25は、発光素子モジュールが配置された照明装置の一実施例を示した図である。
本実施例に係る照明装置は、光を投射する光源600と、光源600が内蔵されるハウジング400と、光源600の熱を放出する放熱部500と、光源600及び放熱部500を前記ハウジング400に結合するホルダー700とを含んで構成される。
ハウジング400は、電気ソケット(図示せず)に結合されたソケット結合部410と、ソケット結合部410と連結され、光源600が内蔵される本体部420とを備える。本体部420を貫通して空気流動口430を形成することができる。
図面には、ハウジング400の本体部420上に複数の空気流動口430が備えられているが、空気流動口430は、一つの空気流動口からなってもよく、図示したように複数の空気流動口の放射状配置にしてもよく、その他にも多様な配置が可能である。
光源600は、基板610上に複数の発光素子モジュール650を備えている。ここで、基板610は、ハウジング400の開口部に挿入され得る形状にすることができ、後述するように放熱部500に熱を伝達するために熱伝導率の高い物質からなり得る。
光源600の下部にはホルダー700が備えられるが、ホルダー700は、フレーム及び他の空気流動口を含むことができる。また、図示してはいないが、光源600の下部には光学部材が備えられ、光源600の発光素子モジュール650から投射される光を拡散、散乱又は収斂させることができる。
図26は、発光素子モジュールを含む映像表示装置を示した図である。
図示したように、本実施例に係る表示装置800は、光源モジュールと、ボトムカバー820上の反射板820と、反射板820の前方に配置され、光源モジュールから放出される光を表示装置の前方にガイドする導光板840と、導光板840の前方に配置される第1のプリズムシート850及び第2のプリズムシート860と、第2のプリズムシート860の前方に配置されるパネル870と、パネル870の前方に配置されるカラーフィルター880とを含んで構成される。
光源モジュールは、基板830上の発光素子モジュール835を含んで構成される。ここで、基板830としてはPCBなどを使用することができ、発光素子モジュール835は上述した通りである。
ボトムカバー810は、表示装置800内の各構成要素を収納することができる。反射板820は、本図面のように別途の構成要素として設けることもでき、導光板840の後面やボトムカバー810の前面に反射度の高い物質でコーティングされる形態で設けることも可能である。
ここで、反射板820としては、反射率が高く、超薄型で使用可能な素材を使用することができ、ポリエチレンテレフタレート(PolyEthylene Terephtalate;PET)を使用することができる。
導光板840は、発光素子モジュールから放出される光を散乱させ、その光を液晶表示装置の画面の全領域にわたって均一に分布させる。したがって、導光板840は、屈折率と透過率の良い材料からなるが、ポリメチルメタクリレート(PolyMethylMethAcrylate;PMMA)、ポリカーボネート(PolyCarbonate;PC)、又はポリエチレン(PolyEthylene;PE)などで形成することができる。
第1のプリズムシート850は、支持フィルムの一面に、透光性と弾性を有する重合体材料で形成されるが、重合体は、複数の立体構造が繰り返して形成されたプリズム層を有することができる。ここで、複数のパターンは、図示したように、山部と谷部が繰り返して形成されたストライプタイプに備えることができる。
第2のプリズムシート860における支持フィルムの一面の山部と谷部の方向は、第1のプリズムシート850における支持フィルムの一面の山部と谷部の方向に対して垂直であり得る。これは、光源モジュールと反射シートから伝達された光を前記パネル870の全方向に均一に分散させるためである。
本実施例では、第1のプリズムシート850と第2のプリズムシート860が光学シートをなすが、光学シートは、他の組み合わせ、例えば、マイクロレンズアレイからなるか、拡散シートとマイクロレンズアレイとの組み合わせ、又は一つのプリズムシートとマイクロレンズアレイとの組み合わせなどからなり得る。
パネル870には、液晶表示パネルを配置できるが、液晶表示パネルの他に、光源を必要とする他の種類のディスプレイ装置を備えることもできる。
パネル870は、ガラスボディー間に液晶が位置し、光の偏光性を用いるために偏光板を両側のガラスボディーに載せた状態となっている。ここで、液晶は、液体と固体の中間的な特性を有するが、液体のように流動性を有する有機分子である液晶が結晶のように規則的に配列された状態を示し、分子配列が外部電界によって変化する性質を用いて画像を表示する。
表示装置に使用される液晶表示パネルは、アクティブマトリックス方式であって、各画素に供給される電圧を調節するスィッチとしてトランジスタを使用する。
パネル870の前面にはカラーフィルター880が備えられ、パネル870から投射された光のうち、それぞれの画素ごとに赤色、緑色及び青色の光のみを透過するので、画像を表現することができる。
図27は、図26の表示装置における発光素子モジュールの駆動の一実施例を示した図である。
発光素子モジュールの駆動ユニットは、基板320とコネクタを介してそれぞれのストリング310に駆動信号及び電流を供給するが、それぞれのストリング310には6個〜8個の発光素子モジュール300が配置されている。このとき、それぞれのストリング202に配置された発光素子モジュール300ごとに異なる駆動信号を供給する場合、導光板840の点線で区分された領域ごとに分割して光を供給することができる。
以上では、本発明の実施例を中心にして説明したが、これは例示に過ぎないもので、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野で通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で以上で例示していない多様な変形と応用が可能であることが分かるだろう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は、変形して実施することができる。そして、このような変形と応用と関連した各差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈すべきである。
10 発光素子
100 発光素子モジュール
105 ワイヤ
110 導電性接着層
120 放熱層
130 絶縁層
160 PSR層
170 ダム
180 樹脂層
185 蛍光体
190 反射部材
195 固定部材

Claims (25)

  1. 互いに電気的に分離された第1のリードフレーム及び第2のリードフレームと、
    前記第1のリードフレーム及び第2のリードフレームとそれぞれ電気的に連結された発光素子と、
    前記発光素子の周辺領域に配置されたダムと、
    前記発光素子を取り囲み、前記ダムの内側領域に配置された樹脂層と、
    前記ダムの周辺領域に配置され、少なくとも一側面が傾斜面に形成された反射部材と
    を備える発光素子モジュール。
  2. 前記ダムは、前記発光素子の周囲に円状又は楕円状に配置されている、請求項1に記載の発光素子モジュール。
  3. 前記傾斜面の水平断面は前記発光素子の周囲で曲面をなす、請求項1又は2に記載の発光素子モジュール。
  4. 前記ダムの高さは40〜60マイクロメートルである、請求項1又は2に記載の発光素子モジュール。
  5. 前記ダムの上部に少なくとも一つの段差を有する、請求項1乃至4のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
  6. 前記段差に前記樹脂層の縁部が固定されている、請求項5に記載の発光素子モジュール。
  7. 前記ダムの上部に溝が形成され、前記溝に前記樹脂層の縁部が固定されている、請求項5に記載の発光素子モジュール。
  8. 前記第1のリードフレームと第2のリードフレームとの間にPSR層をさらに備える、請求項1乃至7のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
  9. 前記反射部材は前記PSR層上に配置され、前記反射部材と前記PSR層は固定部材で結合されている、請求項8に記載の発光素子モジュール。
  10. 前記固定部材は両面接着剤又は両面接着テープである、請求項9に記載の発光素子モジュール。
  11. 前記ダムは、前記PSR層上に印刷されて形成されている、請求項9又は10に記載の発光素子モジュール。
  12. 前記第1のリードフレーム及び第2のリードフレームのうちの少なくとも一つは、絶縁層を介して放熱層と接触する、請求項1乃至11のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
  13. 前記反射部材の傾斜面の最上端の幅は、前記ダムに固定された樹脂層の幅の1.5〜2倍である、請求項1乃至12のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
  14. パッケージ本体に配置され、互いに電気的に分離された第1のリードフレーム及び第2のリードフレームと、
    前記第1のリードフレーム及び第2のリードフレームとそれぞれ電気的に連結された発光素子と、
    前記発光素子を取り囲み、パッケージ本体上に配置された樹脂層と
    を備え、
    前記パッケージ本体と前記樹脂層との結合領域の縁部に密封材が配置されている発光素子モジュール。
  15. 前記樹脂層は、前記発光素子から放出される第1の波長領域の光を第2の波長領域の光に変更する第1の樹脂層と、前記第1の樹脂層の周囲に配置され、前記第1の樹脂層から放出される光の経路を変更する第2の樹脂層とを有する、請求項14に記載の発光素子モジュール。
  16. 前記第1の樹脂層の高さは前記パッケージ本体の高さと同一である、請求項15に記載の発光素子モジュール。
  17. 前記密封材は、前記パッケージ本体上に配置され、プライマー組成物を含む、請求項14乃至16のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
  18. 前記本体上にダムが形成されている、請求項14〜17のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
  19. 前記ダムの下側の幅が上側の幅より広い、請求項18に記載の発光素子モジュール。
  20. 前記ダムの水平方向の断面が台形である、請求項18に記載の発光素子モジュール。
  21. 前記ダムの垂直方向の断面がV字状又は瓶状である、請求項18に記載の発光素子モジュール。
  22. 前記ダムにプライマー組成物がコーティングされている、請求項18に記載の発光素子モジュール。
  23. 前記樹脂層の縁部が前記ダムに挿入されて固定されている、請求項18乃至22のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
  24. 前記ダムは、前記樹脂層の縁部と隣接して少なくとも3ヶ所に形成されている、請求項23に記載の発光素子モジュール。
  25. 前記ダムは、前記樹脂層の縁部と隣接して円柱状に形成されている、請求項23に記載の発光素子モジュール。
JP2012051938A 2011-06-22 2012-03-08 発光素子モジュール Pending JP2013008941A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2011-0060540 2011-06-22
KR1020110060540A KR101894349B1 (ko) 2011-06-22 2011-06-22 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
KR10-2011-0064717 2011-06-30
KR1020110064717A KR101813166B1 (ko) 2011-06-30 2011-06-30 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016224526A Division JP6339161B2 (ja) 2011-06-22 2016-11-17 発光素子パッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013008941A true JP2013008941A (ja) 2013-01-10
JP2013008941A5 JP2013008941A5 (ja) 2015-04-23

Family

ID=45999568

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012051938A Pending JP2013008941A (ja) 2011-06-22 2012-03-08 発光素子モジュール
JP2016224526A Active JP6339161B2 (ja) 2011-06-22 2016-11-17 発光素子パッケージ

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016224526A Active JP6339161B2 (ja) 2011-06-22 2016-11-17 発光素子パッケージ

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8878215B2 (ja)
EP (1) EP2538462B1 (ja)
JP (2) JP2013008941A (ja)
TW (1) TWI546984B (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015012287A (ja) * 2013-06-27 2015-01-19 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2017112211A (ja) * 2015-12-16 2017-06-22 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP2018037197A (ja) * 2016-08-30 2018-03-08 東芝ライテック株式会社 車両用照明装置、および車両用灯具
JP2019080028A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102022463B1 (ko) * 2018-03-22 2019-09-19 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
JP2019192778A (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
US10971657B2 (en) 2018-08-03 2021-04-06 Nichia Corporation Light emitting module and method of manufacturing the same
JP2023073273A (ja) * 2020-04-02 2023-05-25 日亜化学工業株式会社 面状光源及びその製造方法
US11824148B2 (en) 2018-02-26 2023-11-21 Elphoton Inc. Semiconductor light emitting devices and method of manufacturing the same
JP7566016B2 (ja) 2019-10-15 2024-10-11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 制御された毛細管作用適用範囲を有する構造体

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101626412B1 (ko) 2010-12-24 2016-06-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8878215B2 (en) * 2011-06-22 2014-11-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device module
KR20130096094A (ko) * 2012-02-21 2013-08-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법 및 이를 구비한 조명 시스템
US9147816B2 (en) * 2012-08-24 2015-09-29 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting material deposition methods and associated articles
JP6476567B2 (ja) * 2013-03-29 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102013214235A1 (de) * 2013-07-19 2015-01-22 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit Halbleiterlichtquellen und umlaufendem Damm
JP6195760B2 (ja) * 2013-08-16 2017-09-13 シチズン電子株式会社 Led発光装置
DE102014215940A1 (de) 2014-08-12 2016-02-18 Osram Gmbh Herstellen einer Beleuchtungsvorrichtung
US20160079217A1 (en) * 2014-09-12 2016-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and lead frame
US10304811B2 (en) * 2015-09-04 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Light-emitting diode display panel with micro lens array
US9966515B2 (en) * 2015-12-26 2018-05-08 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
DE102016116298A1 (de) 2016-09-01 2018-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit Träger und optoelektronischem Bauelement
TWI606172B (zh) * 2016-10-28 2017-11-21 林 招慶 電子鎖的背光顯示構造
KR102701861B1 (ko) 2016-11-15 2024-09-04 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
CN108269899B (zh) * 2016-12-30 2020-06-05 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
ES2931474T3 (es) 2017-08-25 2022-12-29 Cree Huizhou Solid State Lighting Co Ltd Paquete integrado de fuentes de luz LED múltiples
US10615319B2 (en) * 2017-10-20 2020-04-07 Nichia Corporation Light emitting device
CN110611020A (zh) * 2018-06-15 2019-12-24 中华映管股份有限公司 发光元件
US10867955B2 (en) * 2018-09-27 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure having adhesive layer surrounded dam structure
JP7113390B2 (ja) * 2018-12-21 2022-08-05 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
CN213075617U (zh) * 2019-11-15 2021-04-30 光宝光电(常州)有限公司 光感测模块及其应用的电子装置
DE102020206178A1 (de) 2020-05-15 2021-11-18 Uvex Arbeitsschutz Gmbh Leuchtanordnung
JP2022164486A (ja) * 2021-04-16 2022-10-27 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
DE102021110089A1 (de) 2021-04-21 2022-10-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung eines bauteils mit kavität und bauteil mit kavität

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010691A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Hitachi Displays Ltd 照明装置および照明装置を用いた表示装置
JP2008021650A (ja) * 2006-07-10 2008-01-31 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 直下方式バックライト装置
JP2008227166A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Sharp Corp 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
JP2010003994A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Sharp Corp 照明装置、バックライト装置および照明装置の製造方法
JP2011040715A (ja) * 2009-07-17 2011-02-24 Toray Ind Inc Led実装基板およびその製造方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3431038B2 (ja) * 1994-02-18 2003-07-28 ローム株式会社 発光装置とその製造方法およびledヘッドの製造方法
JPH10144963A (ja) * 1996-11-05 1998-05-29 Sanyo Electric Co Ltd Led光源及びその製造方法
JP4899252B2 (ja) * 2001-04-27 2012-03-21 パナソニック株式会社 発光表示装置の製造方法
KR100470897B1 (ko) * 2002-07-19 2005-03-10 삼성전자주식회사 듀얼 다이 패키지 제조 방법
JP2004087812A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 発光体
JP2005197369A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
KR20060030350A (ko) 2004-10-05 2006-04-10 삼성전자주식회사 백색광 발생 유닛, 이를 갖는 백라이트 어셈블리 및 이를갖는 액정표시장치
JP4046120B2 (ja) * 2005-01-27 2008-02-13 三菱電機株式会社 絶縁シートの製造方法およびパワーモジュールの製造方法
JP5211433B2 (ja) * 2005-03-24 2013-06-12 東レ株式会社 Led用反射体
JP4982077B2 (ja) * 2005-11-30 2012-07-25 株式会社朝日ラバー レンズ体
KR100735325B1 (ko) * 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
TW200802953A (en) 2006-06-30 2008-01-01 Gigno Technology Co Ltd Light emitting diode module
JP2008041290A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Akita Denshi Systems:Kk 照明装置及びその製造方法
JP4822980B2 (ja) * 2006-08-11 2011-11-24 京セラ株式会社 電子部品搭載用基板および電子装置、ならびに電子装置の製造方法
TWI306677B (en) 2006-09-14 2009-02-21 Ind Tech Res Inst Light emitting apparatus and screen
JP2008091818A (ja) * 2006-10-05 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法
US7473940B2 (en) * 2006-11-27 2009-01-06 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Compact LED with a self-formed encapsulating dome
TW200830571A (en) 2007-01-03 2008-07-16 Advanced Optoelectronic Tech Semiconductor lighting module and manufacturing method thereof
DE102007021904A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung mit Gehäusekörper
JP5368982B2 (ja) * 2007-06-14 2013-12-18 ローム株式会社 半導体発光装置
TWI523883B (zh) * 2007-09-25 2016-03-01 日立化成股份有限公司 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用該組成物的光半導體元件搭載用基板及其製造方法以及光半導體裝置
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR101104034B1 (ko) * 2007-12-06 2012-01-09 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드, 발광장치 및 그 제조방법
US8314438B2 (en) * 2008-03-25 2012-11-20 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and cavity in bump
KR101526567B1 (ko) * 2008-05-07 2015-06-10 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
CN101577300A (zh) * 2008-05-08 2009-11-11 先进开发光电股份有限公司 发光二极管及其封装方法
KR101204092B1 (ko) * 2008-05-16 2012-11-22 삼성테크윈 주식회사 리드 프레임 및 이를 구비한 반도체 패키지와 그 제조방법
JP5217800B2 (ja) * 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
KR100964812B1 (ko) 2008-09-29 2010-06-22 주식회사 에피밸리 반도체 발광소자 패키지
JP5428358B2 (ja) * 2009-01-30 2014-02-26 ソニー株式会社 光学素子パッケージの製造方法
KR101077264B1 (ko) 2009-02-17 2011-10-27 (주)포인트엔지니어링 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법
KR101111985B1 (ko) 2009-02-17 2012-03-09 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지
KR101064005B1 (ko) * 2009-03-02 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법
JP5689223B2 (ja) * 2009-03-05 2015-03-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN101510581B (zh) * 2009-03-19 2011-06-29 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管及其相关背光模块
KR101064090B1 (ko) * 2009-11-17 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR100993085B1 (ko) * 2009-12-07 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101028195B1 (ko) * 2010-01-18 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
CN106067511A (zh) * 2010-03-30 2016-11-02 大日本印刷株式会社 带树脂引线框、半导体装置及其制造方法
KR101662038B1 (ko) * 2010-05-07 2016-10-05 삼성전자 주식회사 칩 패키지
TW201250964A (en) * 2011-01-27 2012-12-16 Dainippon Printing Co Ltd Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame
US8878215B2 (en) * 2011-06-22 2014-11-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device module

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010691A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Hitachi Displays Ltd 照明装置および照明装置を用いた表示装置
JP2008021650A (ja) * 2006-07-10 2008-01-31 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 直下方式バックライト装置
JP2008227166A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Sharp Corp 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
JP2010003994A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Sharp Corp 照明装置、バックライト装置および照明装置の製造方法
JP2011040715A (ja) * 2009-07-17 2011-02-24 Toray Ind Inc Led実装基板およびその製造方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015012287A (ja) * 2013-06-27 2015-01-19 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2017112211A (ja) * 2015-12-16 2017-06-22 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP2018037197A (ja) * 2016-08-30 2018-03-08 東芝ライテック株式会社 車両用照明装置、および車両用灯具
JP2019080028A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11824148B2 (en) 2018-02-26 2023-11-21 Elphoton Inc. Semiconductor light emitting devices and method of manufacturing the same
KR102022463B1 (ko) * 2018-03-22 2019-09-19 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
US10862012B2 (en) 2018-04-25 2020-12-08 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device, and light emitting device
JP7037053B2 (ja) 2018-04-25 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
US11552227B2 (en) 2018-04-25 2023-01-10 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device, and light emitting device
JP2019192778A (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
US10971657B2 (en) 2018-08-03 2021-04-06 Nichia Corporation Light emitting module and method of manufacturing the same
US11508881B2 (en) 2018-08-03 2022-11-22 Nichia Corporation Light emitting module and method of manufacturing the same
JP7566016B2 (ja) 2019-10-15 2024-10-11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 制御された毛細管作用適用範囲を有する構造体
JP2023073273A (ja) * 2020-04-02 2023-05-25 日亜化学工業株式会社 面状光源及びその製造方法
JP7460937B2 (ja) 2020-04-02 2024-04-03 日亜化学工業株式会社 面状光源及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150054013A1 (en) 2015-02-26
EP2538462A2 (en) 2012-12-26
TWI546984B (zh) 2016-08-21
US9705054B2 (en) 2017-07-11
US8878215B2 (en) 2014-11-04
US20120326193A1 (en) 2012-12-27
CN102842670A (zh) 2012-12-26
JP6339161B2 (ja) 2018-06-06
EP2538462A3 (en) 2015-01-21
TW201301575A (zh) 2013-01-01
JP2017034292A (ja) 2017-02-09
EP2538462B1 (en) 2019-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6339161B2 (ja) 発光素子パッケージ
CN102537780B (zh) 发光器件模块和包括发光器件模块的背光单元
JP5999917B2 (ja) バックライトユニット及びそれを用いたディスプレイ装置
US8842255B2 (en) Light source module and lighting apparatus having the same
JP2008010691A (ja) 照明装置および照明装置を用いた表示装置
TWI784376B (zh) 發光裝置以及液晶顯示裝置
JP2011129916A (ja) 発光素子及びそれを用いたライトユニット
KR101055037B1 (ko) 라이트 유닛 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR101850434B1 (ko) 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템
US8816512B2 (en) Light emitting device module
KR101323401B1 (ko) 광원소자, 그 제조방법, 이를 구비한 백라이트 유닛 및액정표시장치
KR20140049274A (ko) 광원 모듈 및 이를 구비한 조명시스템
KR101796584B1 (ko) 발광 소자모듈
KR101724699B1 (ko) 발광 장치 및 조명 시스템
JP2007172872A (ja) 照明装置及びこれを用いた画像表示装置
KR101813166B1 (ko) 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템
KR102145920B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101894349B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
KR101997240B1 (ko) 조명 소자
KR102101367B1 (ko) 발광 소자
KR101735310B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101874903B1 (ko) 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템
KR102160779B1 (ko) 발광소자 모듈
CN102842670B (zh) 发光器件模块
KR20130114872A (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20121005

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150304

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150304

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160229

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160726