JP2012253098A - レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このレーザ装置では、信号用半導体レーザ10から希土類ドープ光ファイバ21にレーザ光を出射するときに、第1励起用半導体レーザ22から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ21を高励起状態に励起させる。そして、高励起状態となっている希土類ドープ光ファイバ21を通じて、信号用半導体レーザ10から出射されたレーザ光を増幅し、増幅光として出射する。ここでは、第1励起用半導体レーザ22よりも低いレーザ出力を有する第2励起用半導体レーザ23を設ける。そして、第1励起用半導体レーザ22から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ21を高励起状態に励起させる前に、第1励起用半導体レーザ22及び第2励起用半導体レーザ23からそれぞれ出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ21を予備励起させる。
【選択図】図1
Description
・前記光増幅部の予備励起を、前記第2励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させている途中で、前記第3励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を所定時間だけ励起させることで行う、
といった構成、あるいは、請求項4に記載の発明によるように、
・前記光増幅部の予備励起を、前記第2励起用レーザ光源及び前記第3励起用レーザ光源からそれぞれ出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させつつ、前記第3励起用レーザ光源のレーザ出力を漸次低下させることで行う、
といった構成を採用することも有効であり、これにより、光増幅部を上記所定レベルまで短時間で、しかも容易に励起させることができる。このため、請求項1に記載の発明を容易に実現することができるようになる。
図3に示すように、例えば時刻t1でユーザが入力部3に対してマーキング開始操作を行ったとすると、図3(a)に示すように、第1励起用半導体レーザ22が第2高レーザ出力La2でレーザ光を連続発振するとともに、図3(b)に示すように、第2励起用半導体レーザ23が低レーザ出力Lbでレーザ光を連続発振する。そして、図3(a)に示すように、時刻t1から第1所定時間Taが経過した時刻t2の時点で、第1励起用半導体レーザ22においてレーザ光の発振が停止される。これにより、図3(c)に示すように、時刻t1から時刻t2までの期間は励起光源の総レーザ出力が特に強くなるため、希土類ドープ光ファイバ21が特に強く励起されることとなる。このため、希土類ドープ光ファイバ21は、高励起状態までは励起されないものの、ある程度のレベルまで即座に励起される。よって、時刻t2以降、第2励起用半導体レーザ23から出射されるレーザ光のみによって希土類ドープ光ファイバ21が励起されるときに、希土類ドープ光ファイバ21を、増幅光の第1パルスで十分な出力を確保することが可能な所定レベルまで、短時間で励起させることができる。具体的には、時刻t2から第2所定時間Tbが経過した時刻t3の時点で、希土類ドープ光ファイバ21が上記所定レベルまで励起される。そして、本実施形態のレーザ加工装置では、図3(d)に示すように、時刻t3で信号用半導体レーザ10がレーザ光のパルス発振を開始する。このとき、信号用半導体レーザ10から出射されるレーザ光の第1パルスP10は、予備励起の際に希土類ドープ光ファイバ21に蓄積されたエネルギによって増幅されるため、図3(e)に示すように、増幅光の第1パルスP1で十分なレーザ出力Lcを確保することができる。また、信号用半導体レーザ10からレーザ光の第1パルスP10が出射された直後の時刻t4の時点で、図3(a)に示すように、第1励起用半導体レーザ22が第1高レーザ出力La1でレーザ光を連続発振するため、時刻t4から希土類ドープ光ファイバ21が高励起状態に励起される。よって、時刻t4以降に信号用半導体レーザ10からパルス発振されるレーザ光は、高励起状態となっている希土類ドープ光ファイバ21を通じて増幅されるため、図3(e)に示すように、同増幅光の第2パルス以降のパルスについても十分なレーザ出力Lcが確保される。したがって、時刻t3からワークWへのマーキングが適切に行われることとなる。
(1)第1励起用半導体レーザ22から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ21を励起させる前に、第1励起用半導体レーザ22及び第2励起用半導体レーザ23からそれぞれ出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ21を予備励起させることとした。これにより、第2励起用半導体レーザ23から出射されるレーザ光のみによって希土類ドープ光ファイバ21を励起させる場合と比較すると、希土類ドープ光ファイバ21を上記所定レベルまで短時間で励起させることができるため、ユーザの待機時間を短縮することができる。よって、操作性が向上するようになる。
・希土類ドープ光ファイバ21を予備励起させる際に、第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力を、第1高レーザ出力La1以下であって且つ、低レーザ出力Lbよりも低い範囲のレーザ出力に設定してもよい。このような構成であっても、従来のレーザ加工装置と比較すると、希土類ドープ光ファイバ21を上記所定レベルまで短時間で励起させることができるため、ユーザの待機時間を短縮することが可能である。
Claims (7)
- 信号用レーザ光源から光増幅部にレーザ光をパルス発振する際に、第1励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させ、励起状態となっている前記光増幅部を通じて、前記信号用レーザ光源から出射されたレーザ光を増幅し、増幅光として出射するレーザ装置であって、
前記第1励起用レーザ光源よりも低いレーザ出力を有する第2励起用レーザ光源と、該第2励起用レーザ光源よりも高いレーザ出力を有する第3励起用レーザ光源とを備え、前記第1励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させる前に、前記第2励起用レーザ光源及び前記第3励起用レーザ光源からそれぞれ出射されるレーザ光によって前記光増幅部を予備励起させる
ことを特徴とするレーザ装置。 - 前記光増幅部の予備励起が、該予備励起の開始時から所定時間が経過するまでの期間、前記第3励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させるとともに、前記所定時間が経過して以降、前記第2励起用レーザ光源から出射されるレーザ光のみによって前記光増幅部を励起させることで行われる
請求項1に記載のレーザ装置。 - 前記光増幅部の予備励起が、前記第2励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させている途中で、前記第3励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を所定時間だけ励起させることで行われる
請求項1に記載のレーザ装置。 - 前記光増幅部の予備励起が、前記第2励起用レーザ光源及び前記第3励起用レーザ光源からそれぞれ出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させつつ、前記第3励起用レーザ光源のレーザ出力を漸次低下させることで行われる
請求項1に記載のレーザ装置。 - 前記第3励起用レーザ光源のレーザ出力が、前記第1励起用レーザ光源のレーザ出力よりも高く設定されている
請求項1〜4のいずれか一項に記載のレーザ装置。 - 前記信号用レーザ光源からのレーザ光の出射を開始するに際して、その第1パルスの出射が、前記第1励起用レーザ光源からレーザ光が出射されるよりも前に行われる
請求項1〜5のいずれか一項に記載のレーザ装置。 - 前記第3励起用レーザ光源として前記第1励起用レーザ光源が流用される
請求項1〜6のいずれか一項に記載のレーザ装置。
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- 2011-05-31 JP JP2011122846A patent/JP2012253098A/ja active Pending
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