JP2012138621A - 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012138621A JP2012138621A JP2012078997A JP2012078997A JP2012138621A JP 2012138621 A JP2012138621 A JP 2012138621A JP 2012078997 A JP2012078997 A JP 2012078997A JP 2012078997 A JP2012078997 A JP 2012078997A JP 2012138621 A JP2012138621 A JP 2012138621A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- moving body
- encoder
- head
- measurement
- moving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 224
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title claims description 6
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims abstract description 88
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 650
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 174
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 85
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 42
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 39
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 101150040334 KLHL25 gene Proteins 0.000 abstract description 17
- 101100065246 Mus musculus Enc1 gene Proteins 0.000 abstract description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 711
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 667
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 169
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 161
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 105
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 61
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 55
- 230000008859 change Effects 0.000 description 54
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 52
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 46
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 40
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 39
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 35
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 29
- 230000006870 function Effects 0.000 description 26
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 25
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 25
- 238000013461 design Methods 0.000 description 18
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 11
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 11
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 7
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 5
- PXFBZOLANLWPMH-UHFFFAOYSA-N 16-Epiaffinine Natural products C1C(C2=CC=CC=C2N2)=C2C(=O)CC2C(=CC)CN(C)C1C2CO PXFBZOLANLWPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000007124 Brassica oleracea Species 0.000 description 1
- 235000003899 Brassica oleracea var acephala Nutrition 0.000 description 1
- 235000012905 Brassica oleracea var viridis Nutrition 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- OOYGSFOGFJDDHP-KMCOLRRFSA-N kanamycin A sulfate Chemical group OS(O)(=O)=O.O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CN)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O[C@@H]2[C@@H]([C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)[C@H](N)C[C@@H]1N OOYGSFOGFJDDHP-KMCOLRRFSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- NJTGANWAUPEOAX-UHFFFAOYSA-N molport-023-220-454 Chemical compound OCC(O)CO.OCC(O)CO NJTGANWAUPEOAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706835—Metrology information management or control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706845—Calibration, e.g. tool-to-tool calibration, beam alignment, spot position or focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7019—Calibration
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Optical Transform (AREA)
Abstract
【解決手段】ステージWSTの駆動中に、エンコーダシステムのXエンコーダとYエンコーダとを少なくとも各1つ含む3つのエンコーダEnc1,Enc2及びEnc3によりステージWSTの移動面内の位置情報が計測され、制御装置により、ステージWSTの移動面内の位置が切り換えの前後で維持されるように、ステージWSTの移動面内の位置情報の計測に用いるエンコーダが、エンコーダEnc1,Enc2及びEnc3から、エンコーダEnc4,Enc2及びEnc3に切り換えられる。このため、ステージWSTの位置の制御に用いるエンコーダの切り換えが行われているにもかかわらず、切り換えの前後でステージの移動面内の位置が維持され、正確なつなぎが可能になる。
【選択図】図25
Description
ΔL2=ΔYo×(1+cosθ)+ΔZo×sinθ …(2)
従って、式(1)、(2)からΔZo及びΔYoは次式(3)、(4)で求められる。
ΔYo=(ΔL1+ΔL2)/{2(1+cosθ)} …(4)
Δθy≒(ΔZoL−ΔZoR)/D …(6)
従って、主制御装置20は、上記式(3)〜式(6)を用いることで、Z干渉計43A、43Bの計測結果に基づいて、ウエハステージWSTの4自由度の変位ΔZo、ΔYo、Δθz、Δθyを算出することができる。
=2KVycos[(θ1−θ0)/2]cosθ
+2KVzcos[(θ1−θ0)/2]sinθ …(7)
ここで、θ=π/2−(θ1+θ0)/2なので、上式を変形して、次式(8)を得る。
2πfD=KVy(sinθ1+sinθ0)+KVz(cosθ1+cosθ0)…(8)
ここで、入射角θ0と散乱角θ1には次式の関係(回折条件)が成立する。
ただし、λは光の波長、pは回折格子のピッチ、nは回折次数である。なお、回折次数nは、散乱角(回折角)−θ0の零次回折光を基準にして、+Y方向に散乱(発生)される回折光に対して正、−Y方向に発生される回折光に対し負となる。式(9)に式(10)を代入すると、位相シフトφは、次式(11)のように書き換えられる。
上式(11)より明らかなように、反射面DSが停止していれば、すなわちΔY=ΔZ=0ならば、位相シフトφも零となる。
ただし、回折条件を、次式(13)で与えた。
一方、光束LB2は角度θb0で反射型回折格子RGに入射し、nb次回折光が角度θb1で発生される。この回折光が、反射鏡R2bによって反射され、同じ光路を辿って反射鏡R1bに戻るとする。光束LB2が被る全位相シフトは、式(12)と同様に、次式(14)のように求められる。
ただし、回折条件を、次式(15)で与えた。
+2KΔZf(θa0,θa1,θb0,θb1)+φ0 …(16)
ここで、反射鏡R1a,R1b,R2a,R2bの配置と回折条件(13)、(15)とから定まる幾何学的因子を、次式(17)のように表記した。
=cosθb1+cosθb0−cosθa1−cosθa0 …(17)
また、上式(16)において、その他の要因(例えば、変位ΔL,ΔY,ΔZの基準位置の定義など)より定まる定位相項をφ0と表記した。
その場合、式(16)の右辺第3項の括弧内は零になり、同時にnb=−na(=n)を満たすので、次式(19)が得られる。
上式(19)より、位相差φsymは光の波長λに依存しないことがわかる。そして、干渉光の強度Iは、変位ΔYが計測単位(計測ピッチとも呼ぶ)p/4n増加あるいは減少する毎に、強弱を繰り返すことがわかる。そこで、予め定められた基準位置からの変位ΔYに伴う干渉光の強度の強弱の回数を計測する。そして、その計数値(カウント値)cΔYを用いることにより、変位ΔYの計測値CΔYが、次式(20)より算出される。
上式(21)において、定位相項φ0を位相オフセット(ただし、0≦φ0<2πと定義する)とし、変位ΔYの基準位置での位相φsym(ΔY=0)を保持することとする。
Δx=g(z,θy,θz)=θy(z−c)+θz(z−d) ……(23)
上式(22)において、aは、図12のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、bは、Yエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。また、上式(23)において、cは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにローリング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、dは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。
hC=(yC1−yC0)/φ ……(25)
hD=(xD1−xD0)/φ ……(27)
上式(24)、(25)からわかるように、ウエハステージWSTのピッチング量をφxとすると、ウエハステージWSTのピッチングに伴う、Yエンコーダ70A,70Cのアッベ誤差ΔAA、ΔACは、次式(28)、(29)で表せる。
ΔAC=hC・φx ……(29)
上式(26)、(27)からわかるように、ウエハステージWSTのローリング量をφyとすると、ウエハステージWSTのローリングに伴う、Xエンコーダ70B,70Dのアッベ誤差ΔAB、ΔADは、次式(30)、(31)で表せる。
ΔAD=hD・φy ……(31)
CY=r’・ey’ …(35b)
ここで、ex’,ey’は、ウエハステージWSTにのった相対座標系(X’,Y’,θz’)におけるX’,Y’単位ベクトルで、基準座標系(X,Y,θz)におけるX,Y単位ベクトルex,eyと、次式(36)の関係がある。
CY=−(p−X)sinθz+(q−Y)cosθz ……(37b)
C2=−(p2−X)sinθz+(q2−Y)cosθz ……(38b)
C3= (p3−X)cosθz+(q3−Y)sinθz ……(38c)
上式(39)において、p4,q4は、エンコーダEnc4の計測点のX座標値、Y座標値である。エンコーダEnc4のY座標値q4として前述のヘッド位置のキャリブレーションの際に取得した位置情報が、エンコーダEnc4のX座標値p4としては、設計上の位置情報が、メモリ34内からそれぞれ読み出されて用いられる。
C3= (p3−X)cosθz+(q3−Y)sinθz …(38c)
C4= (p4−X)cosθz+(q4−Y)sinθz …(38d)
なお、4つめのエンコーダがYヘッドの場合には、理論式(38d)の代わりに次の理論式(38e)を用いた連立方程式(38b)(38c)(38e)を用いれば良い。
本実施形態では、ウエハステージWSTの3自由度(X,Y,θz)方向の位置座標を計測するために、常時、エンコーダシステム70A〜70Dを構成するXエンコーダ(ヘッド)及びYエンコーダ(ヘッド)の内、少なくとも1つのXヘッドと少なくとも2つのYヘッドを含む少なくとも3つのヘッドを使用している。そのため、ウエハステージWSTの移動に伴って使用するヘッドを切り換える際には、切り換えの前後でステージ位置の計測結果を連続につなぐために、3つのヘッドの組み合わせから別の3つのヘッドの組み合わせへと切り換える方式を採用している。この方式を、第1方式と呼ぶことにする。
CY4=−(p4−X)sinθz+(q4−Y)cosθz ……(39b)
ここで、(p3,q3),(p4,q4)はYヘッド643,644のX,Y設置位置(より正確には計測点のX,Y位置)である。簡単のため、Yヘッド643,644のY設置位置は等しい(q3=q4)と仮定する。この仮定の下、上式(39a)(39b)より、次式(40)が得られる。
従って、後に停止される第1ヘッド643の計測値を上式(40)の右辺のCY3に代入して、左辺のCY4を求めることにより、新たに使用する第2ヘッド644の計測値を予測することができる。
ここで、(pA,qA)はYヘッド64AのX,Y設置位置(より正確には計測点のX,Y位置)である。簡単のため、Yヘッド64AのY設置位置qAは、Yヘッド643,644のY設置位置q3,q4と等しい(qA=q3=q4)と仮定する。
ただし、定数c=(p3−p4)/(qA−q3)と置いた。従って、Yヘッド643,64Aの計測値のそれぞれを上式(41)の右辺のCY3,CYAに代入して左辺のCY4を求めることにより、新たに使用するYヘッド644の計測値を予測することができる。
なお、上記実施形態では、ウエハステージWSTのθx方向の回転情報(ピッチング量)を干渉計システム118にて計測するものとしたが、例えば1対のZセンサ74i,j又は76p,qの計測値からピッチング量を求めても良い。あるいは、ヘッドユニット62A、62Cと同様に、例えばヘッドユニット62B、62Dの各ヘッドに近接して1つ又は一対のZセンサを設け、Xスケール39X1、39X2とそれぞれ対向するZセンサの計測値からピッチング量を求めても良い。これにより、干渉計システム118を用いることなく、前述のエンコーダとZセンサとを用いてウエハステージWSTの6自由度の方向、すなわちX軸、Y軸、Z軸、θx、θy、及びθz方向の位置情報を計測することが可能となる。前述のエンコーダとZセンサによるウエハステージWSTの6自由度の方向の位置情報の計測は、露光動作だけでなく前述のアライメント動作及び/又はフォーカスマッピング動作でも行って良い。
また、上記実施形態では、ウエハステージWSTを駆動する所定方向と異なる方向へのウエハステージWSTの変位(ヘッドとスケールとの相対変位)に起因して生じるエンコーダシステムの計測誤差を補償するように、前述の補正情報に基づいてエンコーダシステムの計測値を補正するものとしたが、これに限らず、例えばエンコーダシステムの計測値に基づいてウエハステージWSTを駆動しつつ、前述の補正情報に基づいてウエハステージWSTを位置決めする目標位置を補正することとしても良い。あるいは、特に露光動作では、例えばエンコーダシステムの計測値に基づいてウエハステージWSTを駆動しつつ、前述の補正情報に基づいてレチクルステージRSTの位置を補正しても良い。
Claims (29)
- 互いに直交する第1軸及び第2軸を含む移動面内で移動体を駆動する移動体駆動方法であって、
グレーティングに検出光を照射し、前記グレーティングからの検出光を受光するヘッドを有する複数のエンコーダを含むエンコーダシステムの少なくとも2つのエンコーダを用いて、前記移動面内における前記移動体の位置情報を計測する工程と、
前記移動面内における前記移動体の位置が切り換えの前後で維持されるように、前記移動体の位置制御に用いるエンコーダを、前記少なくとも2つのエンコーダのうちのいずれかのエンコーダから別のエンコーダに切り換える工程と、を含む移動体駆動方法。 - 移動面内で移動体を駆動する移動体駆動方法であって、
前記移動体を前記移動面内の所定方向に駆動する際に、前記移動面内における前記移動体の位置情報を計測する複数のヘッドを含むエンコーダシステムの少なくとも1つのヘッドの検出信号に応じた計測データを、所定の制御サンプリング間隔で取り込む工程と、
最後に取り込んだ最新の計測データと少なくとも1つ前のデータを含む過去の計測データとを含む複数のデータと、前記検出信号の伝播経路中の伝播に伴う遅延時間の情報とに基づいて、前記検出信号の伝播に伴う計測遅延に起因する前記ヘッドの計測誤差が補正されるように、前記移動体を駆動する工程と、を含む移動体駆動方法。 - 移動面内で移動可能な移動体上に物体を載置する工程と、
前記物体に対してパターンを形成するため、請求項1又は2のいずれか一項に記載の移動体駆動方法により前記移動体を駆動する工程と、を含むパターン形成方法。 - パターン形成工程を含むデバイス製造方法であって、
前記パターン形成工程では、請求項3に記載のパターン形成方法を用いて基板上にパターンを形成するデバイス製造方法。 - エネルギビームの照射によって物体にパターンを形成する露光方法であって、
前記エネルギビームと前記物体との相対移動のために、請求項1又は2のいずれか一項に記載の移動体駆動方法を用いて、前記物体を載置する移動体を駆動する露光方法。 - 移動面内で移動する移動体上の物体を順次交換し、交換後の物体を順次露光して各物体上にパターンをそれぞれ形成する露光方法であって、
前記移動体上で物体の交換が行われる度に、前記移動体の前記移動面内における位置情報を露光位置を含む所定の有効領域内で計測するエンコーダシステムの少なくとも3つのエンコーダを用いた前記移動面内における前記移動体の位置制御を改めて開始する露光方法。 - 移動面内で移動体を駆動する移動体駆動方法であって、
グレーティングに検出光を照射し、前記グレーティングからの検出光を受光するヘッドをそれぞれ有し、前記移動面内における前記移動体の位置情報を計測する複数のエンコーダを含むエンコーダシステムの各エンコーダの出力を常時取り込むとともに、前記移動体の位置制御に用いていたエンコーダから別のエンコーダへ前記移動体の位置制御に用いるエンコーダを切り換える動作を、前記移動体の位置制御のタイミングに同期して実行する工程、を含む移動体駆動方法。 - 互いに直交する第1軸及び第2軸を含む移動面内で移動体を駆動する移動体駆動方法であって、
グレーティングに検出光を照射し、前記グレーティングからの検出光を受光するヘッドをそれぞれ有する複数のエンコーダを含むエンコーダシステムの少なくとも1つのエンコーダを用いて、前記移動面内における前記移動体の位置情報を計測する工程と、
前記移動体の移動ルートに基づいて、前記移動体の位置制御に用いるエンコーダを任意のエンコーダから別のエンコーダへ切り換える切り換えの対象となるエンコーダの組み合わせ及び切り換えのタイミングをスケジューリングする工程と、
前記スケジューリングされた内容に基づいて、前記任意のエンコーダから別のエンコーダへ切り換える工程と、を含む移動体駆動方法。 - 互いに直交する第1軸及び第2軸を含む移動面内で移動体を駆動する移動体駆動システムであって、
グレーティングに検出光を照射し、前記グレーティングからの検出光を受光するヘッドをそれぞれ有し、前記第1軸に平行な方向に関する前記移動体の位置情報を計測する第1エンコーダと前記第2軸に平行な方向に関する前記移動体の位置情報を計測する第2エンコーダとを少なくとも各1つ合計で3つ以上含むエンコーダシステムと、
前記移動面内における前記移動体の位置が切り換えの前後で維持されるように、前記移動面内における前記移動体の位置情報の計測に用いるエンコーダを、前記第1エンコーダと前記第2エンコーダとを少なくとも各1つ含む少なくとも2つのエンコーダのうちのいずれかのエンコーダから別のエンコーダに切り換える制御装置と、を備える移動体駆動システム。 - 移動面内で移動体を駆動する移動体駆動システムであって、
前記移動面内における前記移動体の位置情報を計測する複数のヘッドを含むエンコーダシステムと、
前記移動体を前記移動面内の所定方向に駆動する際に、前記エンコーダシステムの少なくとも1つのヘッドの検出信号に応じた計測データを、所定の制御サンプリング間隔で取り込むとともに、最後に取り込んだ最新の計測データと少なくとも1つ前のデータを含む過去の計測データとを含む複数のデータと、前記検出信号の伝播経路中の伝播に伴う遅延時間の情報とに基づいて、前記検出信号の伝播に伴う計測遅延に起因する前記ヘッドの計測誤差が補正されるように、前記移動体を駆動する制御装置と、を備える移動体駆動システム。 - 移動面内で移動体を駆動する移動体駆動システムであって、
前記移動面内における前記移動体の位置情報を計測する複数のヘッドを含むエンコーダシステムと、
前記移動面内における前記移動体の位置情報を計測する干渉計システムと、
前記移動体を所定方向に駆動し、その駆動中に前記エンコーダシステムの複数のヘッドについて、各ヘッドの検出信号と前記干渉計システムの検出信号とを所定サンプリングタイミングで同時に取り込み、両検出信号に基づいて前記複数のヘッドそれぞれの検出信号の伝播経路中の伝播に伴う遅延時間の情報を前記干渉計システムの検出信号を基準として取得する遅延時間取得処理を実行する処理装置と、
前記エンコーダシステムの前記複数のヘッドそれぞれの検出信号に対応する計測データと、前記複数のヘッドそれぞれについての前記遅延時間の情報とに基づいて、前記移動体を駆動する制御装置と、を備える移動体駆動システム。 - 物体が載置され、該物体を保持して移動面内で移動可能な移動体と、
前記物体に対するパターン形成のため、前記移動体を駆動する請求項9〜11のいずれか一項に記載の移動体駆動システムと、を備えるパターン形成装置。 - エネルギビームの照射によって物体にパターンを形成する露光装置であって、
前記物体に前記エネルギビームを照射するパターニング装置と、
請求項9〜10のいずれか一項に記載の移動体駆動システムと、を備え、
前記エネルギビームと前記物体との相対移動のために、前記移動体駆動システムによる前記物体を載置する移動体の駆動を行う露光装置。 - 移動面内で移動する移動体上の物体を順次交換し、交換後の物体を順次露光して各物体上にパターンをそれぞれ形成する露光装置であって、
前記移動体の前記移動面内における位置情報を露光位置を含む所定の有効領域内で計測する少なくとも3つのエンコーダを含むエンコーダシステムと、
前記移動体上で物体の交換が行われる度に、前記エンコーダシステムの少なくとも3つのエンコーダを用いた前記移動面内における前記移動体の位置制御を改めて開始する制御装置と、を備える露光装置。 - 移動面内で移動体を駆動する移動体駆動システムであって、
グレーティングに検出光を照射し、前記グレーティングからの検出光を受光するヘッドをそれぞれ有し、前記移動面内における前記移動体の位置情報を計測する複数のエンコーダを含むエンコーダシステムと、
前記エンコーダシステムの各エンコーダの出力を常時取り込むとともに、前記移動体の位置制御に用いていたエンコーダから別のエンコーダへ前記移動体の位置制御に用いるエンコーダを切り換える動作を、前記移動体の位置制御のタイミングに同期して実行する制御装置と、を備える移動体駆動システム。 - 互いに直交する第1軸及び第2軸を含む移動面内で移動体を駆動する移動体駆動システムであって、
グレーティングに検出光を照射し、前記グレーティングからの検出光を受光するヘッドを有し、前記移動面内における前記移動体の位置情報を計測する複数のエンコーダを含むエンコーダシステムと、
前記移動体の移動ルートに基づいて、前記移動体の位置制御に用いるエンコーダを前記エンコーダシステムの任意のエンコーダから別のエンコーダへ切り換える切り換えの対象となるエンコーダの組み合わせ及び切り換えタイミングをスケジューリングする制御装置と、を備える移動体駆動システム。 - 物体が載置され、該物体を保持して移動面内で移動可能な移動体と、
前記物体に対するパターン形成のため、前記移動体を駆動する請求項15又は16のいずれか一項に記載の移動体駆動システムと、を備えるパターン形成装置。 - エネルギビームの照射によって物体にパターンを形成する露光装置であって、
前記物体に前記エネルギビームを照射するパターニング装置と、
請求項15又は16のいずれか一項に記載の移動体駆動システムと、を備え、
前記エネルギビームと前記物体との相対移動のために、前記移動体駆動システムによる前記物体を載置する移動体の駆動を行う露光装置。 - エネルギビームで物体を露光する露光装置であって、
前記物体を保持し、少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体と、
前記物体が保持される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられるとともに、前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向するヘッドによって、前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記移動体の移動に伴う前記計測に用いるヘッドの切り換え時、その切り換え前のヘッドによって計測される位置情報と、前記第1及び第2方向と異なる方向に関する前記移動体の位置情報とに基づいて、前記切り換え後のヘッドによって計測されるべき位置情報を決定する制御装置と、を備える露光装置。 - エネルギビームで物体を露光する露光装置であって、
前記物体を保持し、少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体と、
前記物体が保持される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられるとともに、前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向するヘッドによって、前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記移動体の移動中、前記計測に用いるヘッドを別のヘッドに切り換えて、前記計測を継続するとともに、前記別のヘッドによって計測される前記エンコーダシステムの計測情報と、前記切り換え時の前記第1及び第2方向と異なる方向に関する前記移動体の位置情報とに基づいて、前記所定平面内での前記移動体の位置を制御する制御装置と、を備える露光装置。 - エネルギビームで物体を露光する露光装置であって、
前記物体を保持し、少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体と、
前記物体が保持される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられるとともに、前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向する少なくとも3つのヘッドによって、前記第1方向、前記第2方向、及び前記所定平面内の回転方向に関する前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記移動体の移動中、前記計測に用いる3つのヘッドを、少なくとも1つが異なる3つのヘッドに切り換えて、前記計測を継続するとともに、前記切り換え時、前記切り換え前の3つのヘッドによって計測される位置情報に基づいて、前記切り換え前の3つのヘッドと異なる、前記切り換え後の3つのヘッドの少なくとも1つによって計測されるべき位置情報を決定する制御装置と、を備える露光装置。 - エネルギビームで物体を露光する露光装置であって、
前記物体を保持し、少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体と、
前記物体が保持される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられるとともに、前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向するヘッドによって、前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記位置情報の計測に用いられるヘッドの前記所定平面と平行な面内での位置情報と、前記エンコーダシステムの計測情報とに基づいて、前記移動体の前記所定平面内での位置を制御する制御装置と、を備える露光装置。 - エネルギビームで物体を露光する露光装置であって、
前記物体を保持し、少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体と、
前記物体が保持される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられるとともに、前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向するヘッドによって、前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記ヘッドユニットの複数のヘッドの前記所定平面と平行な面内での位置情報を計測し、計測された位置情報と、前記エンコーダシステムの計測情報とに基づいて、前記移動体の前記所定平面内での位置を制御する制御装置と、を備える露光装置。 - エネルギビームで物体を露光する露光方法であって、
少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体に前記物体を載置し、
前記物体が載置される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられるとともに、前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向するヘッドによって前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムを用いて前記移動体の位置情報を計測し、
前記移動体の移動に伴う前記計測に用いるヘッドの切り換え時、その切り換え前のヘッドによって計測される位置情報と、前記第1及び第2方向と異なる方向に関する前記移動体の位置情報とに基づいて、前記切り換え後のヘッドによって計測されるべき位置情報を決定する露光方法。 - エネルギビームで物体を露光する露光方法であって、
少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体に前記物体を載置し、
前記物体が載置される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられるとともに、前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向するヘッドによって、前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムを用いて前記移動体の位置情報を計測し、
前記移動体の移動中、前記計測に用いるヘッドを別のヘッドに切り換えて、前記計測を継続するとともに、前記別のヘッドによって計測される前記エンコーダシステムの計測情報と、前記切り換え時の前記第1及び第2方向と異なる方向に関する前記移動体の位置情報とに基づいて、前記所定平面内での前記移動体の位置を制御する露光方法。 - エネルギビームで物体を露光する露光方法であって、
少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体に前記物体を載置し、
前記物体が載置される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられるとともに、前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向する少なくとも3つのヘッドによって、前記第1方向、前記第2方向、及び前記所定平面内の回転方向に関する前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムを用いて前記移動体の位置情報を計測し、
前記移動体の移動中、前記計測に用いる3つのヘッドを、少なくとも1つが異なる3つのヘッドに切り換えて、前記計測を継続するとともに、前記切り換え時、前記切り換え前の3つのヘッドによって計測される位置情報に基づいて、前記切り換え前の3つのヘッドと異なる、前記切り換え後の3つのヘッドの少なくとも1つによって計測されるべき位置情報を決定する露光方法。 - エネルギビームで物体を露光する露光方法であって、
少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体に前記物体を載置し、
前記物体が保持される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられるとともに、前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向するヘッドによって、前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムの計測情報と、前記位置情報の計測に用いられるヘッドの前記所定平面と平行な面内での位置情報とに基づいて、前記移動体の前記所定平面内での位置を制御する露光方法。 - エネルギビームで物体を露光する露光方法であって、
少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能な移動体に前記物体を載置し、
前記物体が載置される前記移動体の一面に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体の一面と対向して設けられるとともに、前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向するヘッドによって、前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムの前記ヘッドユニットの複数のヘッドの前記所定平面と平行な面内での位置情報を計測し、
計測された位置情報と、前記エンコーダシステムの計測情報とに基づいて、前記移動体の前記所定平面内での位置を制御する露光方法。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項24〜28のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、前記移動体上に載置された感応物体を露光し、該感応物体上にパターンを形成するデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012078997A JP5522488B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-03-30 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006237045 | 2006-08-31 | ||
JP2006237045 | 2006-08-31 | ||
JP2006237606 | 2006-09-01 | ||
JP2006237491 | 2006-09-01 | ||
JP2006237491 | 2006-09-01 | ||
JP2006237606 | 2006-09-01 | ||
JP2012078997A JP5522488B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-03-30 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008532138A Division JP5035245B2 (ja) | 2006-08-31 | 2007-08-31 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013160145A Division JP5686164B2 (ja) | 2006-08-31 | 2013-08-01 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012138621A true JP2012138621A (ja) | 2012-07-19 |
JP5522488B2 JP5522488B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=39136023
Family Applications (13)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008532138A Expired - Fee Related JP5035245B2 (ja) | 2006-08-31 | 2007-08-31 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012078997A Active JP5522488B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-03-30 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012096250A Active JP5522489B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-04-20 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2013160145A Expired - Fee Related JP5686164B2 (ja) | 2006-08-31 | 2013-08-01 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014110768A Active JP5729578B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-05-29 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002486A Expired - Fee Related JP5999392B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-01-08 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015121621A Expired - Fee Related JP6143122B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-06-17 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015180799A Expired - Fee Related JP6143125B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-14 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015180800A Expired - Fee Related JP6029037B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-14 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004087A Expired - Fee Related JP6339599B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016031588A Expired - Fee Related JP6143138B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-02-23 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016180108A Expired - Fee Related JP6241632B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-09-15 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2017200693A Expired - Fee Related JP6508285B2 (ja) | 2006-08-31 | 2017-10-17 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008532138A Expired - Fee Related JP5035245B2 (ja) | 2006-08-31 | 2007-08-31 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications After (11)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012096250A Active JP5522489B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-04-20 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2013160145A Expired - Fee Related JP5686164B2 (ja) | 2006-08-31 | 2013-08-01 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014110768A Active JP5729578B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-05-29 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002486A Expired - Fee Related JP5999392B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-01-08 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015121621A Expired - Fee Related JP6143122B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-06-17 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015180799A Expired - Fee Related JP6143125B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-14 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015180800A Expired - Fee Related JP6029037B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-14 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004087A Expired - Fee Related JP6339599B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016031588A Expired - Fee Related JP6143138B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-02-23 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016180108A Expired - Fee Related JP6241632B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-09-15 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2017200693A Expired - Fee Related JP6508285B2 (ja) | 2006-08-31 | 2017-10-17 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US20080094592A1 (ja) |
EP (8) | EP2738608B9 (ja) |
JP (13) | JP5035245B2 (ja) |
KR (14) | KR20180137600A (ja) |
CN (3) | CN102520589B (ja) |
HK (10) | HK1130944A1 (ja) |
SG (2) | SG10201407395SA (ja) |
TW (8) | TWI602032B (ja) |
WO (1) | WO2008026742A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012147026A (ja) * | 2006-08-31 | 2012-08-02 | Nikon Corp | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2016513276A (ja) * | 2013-02-08 | 2016-05-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US9377698B2 (en) | 2006-09-01 | 2016-06-28 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
TWI547819B (zh) * | 2014-07-24 | 2016-09-01 | 斯克林集團公司 | 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄有程式之記憶媒體 |
US9874822B2 (en) | 2006-09-01 | 2018-01-23 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US10067428B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-09-04 | Nikon Corporation | Movable body drive system and movable body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision-making method |
US10101673B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method and system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus for driving movable body based on measurement value of encoder and information on flatness of scale, and device manufacturing method |
Families Citing this family (106)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2857902B1 (en) | 2006-01-19 | 2016-04-20 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus, immersion exposure method, and device fabricating method |
KR101409149B1 (ko) | 2007-07-24 | 2014-06-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US8237919B2 (en) * | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
US9013681B2 (en) * | 2007-11-06 | 2015-04-21 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9256140B2 (en) * | 2007-11-07 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction |
US8665455B2 (en) * | 2007-11-08 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8422015B2 (en) | 2007-11-09 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8711327B2 (en) * | 2007-12-14 | 2014-04-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8792079B2 (en) * | 2007-12-28 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method having encoders to measure displacement between optical member and measurement mount and between measurement mount and movable body |
US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
TW201907243A (zh) * | 2007-12-28 | 2019-02-16 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
US8269945B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
JP5126594B2 (ja) * | 2008-04-04 | 2013-01-23 | 株式会社ニコン | 較正方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置 |
US8228482B2 (en) * | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8817236B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8786829B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8994923B2 (en) * | 2008-09-22 | 2015-03-31 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8508735B2 (en) * | 2008-09-22 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5151852B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-02-27 | 株式会社ニコン | 補正情報作成方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US8325325B2 (en) | 2008-09-22 | 2012-12-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8902402B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
DE112010001615T5 (de) | 2009-04-13 | 2012-08-02 | Soraa, Inc. | Stuktur eines optischen Elements unter Verwendung von GaN-Substraten für Laseranwendungen |
US8837545B2 (en) | 2009-04-13 | 2014-09-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications |
US8634442B1 (en) | 2009-04-13 | 2014-01-21 | Soraa Laser Diode, Inc. | Optical device structure using GaN substrates for laser applications |
US8553204B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-10-08 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8970820B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2012527766A (ja) | 2009-05-20 | 2012-11-08 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | デュアルパス走査 |
US8514395B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8488109B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8493547B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
WO2011031792A1 (en) * | 2009-09-08 | 2011-03-17 | Im Chai S | A polarity sequenced electro magnetic head gasket engine and replacement kit |
NL2005322A (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-14 | Asml Netherlands Bv | A shutter member, a lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110123913A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
TWI402641B (zh) * | 2009-12-04 | 2013-07-21 | Ind Tech Res Inst | 聯結多系統達成多軸同步插值裝置與方法 |
US8488106B2 (en) * | 2009-12-28 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL2006004A (en) * | 2010-03-25 | 2011-09-27 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
NL2006913A (en) | 2010-07-16 | 2012-01-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
NL2007818A (en) | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Asml Netherlands Bv | Method of updating calibration data and a device manufacturing method. |
NL2007802A (en) | 2010-12-21 | 2012-06-25 | Asml Netherlands Bv | A substrate table, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
WO2012143541A1 (en) | 2011-04-20 | 2012-10-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | Arrangement of optical fibers, and a method of forming such arrangement |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
US9760028B2 (en) | 2012-03-08 | 2017-09-12 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system and method for processing a target, such as a wafer |
US8779635B2 (en) * | 2012-04-10 | 2014-07-15 | Kla-Tencor Corporation | Arrangement of reticle positioning device for actinic inspection of EUV reticles |
JP5936478B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2016-06-22 | キヤノン株式会社 | 計測装置、リソグラフィー装置、および物品の製造方法 |
JP5936479B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2016-06-22 | キヤノン株式会社 | 計測装置、リソグラフィー装置、および物品の製造方法 |
JP6075657B2 (ja) | 2012-10-02 | 2017-02-08 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP6381184B2 (ja) * | 2013-07-09 | 2018-08-29 | キヤノン株式会社 | 校正方法、測定装置、露光装置および物品の製造方法 |
WO2015034005A1 (ja) | 2013-09-04 | 2015-03-12 | Ckd株式会社 | 電磁アクチュエータ用電機子コイル、電磁アクチュエータ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP6452086B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2019-01-16 | キヤノン株式会社 | 形状算出装置及び方法、計測装置、物品製造方法、及び、プログラム |
DE102014205523A1 (de) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | Etel S.A. | Positioniereinrichtung in Portalbauweise |
JPWO2015147039A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2017-04-13 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 |
KR102254557B1 (ko) | 2014-03-28 | 2021-05-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 및 이동체 구동 방법 |
JP6465565B2 (ja) | 2014-05-19 | 2019-02-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置、位置合わせ方法およびデバイス製造方法 |
NL2015211A (en) * | 2014-08-29 | 2016-07-12 | Asml Netherlands Bv | Encoder system calibration method, object positioning system, lithographic apparatus and device device manufacturing method. |
CN111610696A (zh) * | 2015-02-23 | 2020-09-01 | 株式会社尼康 | 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法 |
JP6691693B2 (ja) | 2015-02-23 | 2020-05-13 | 株式会社ニコン | 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びに重ね合わせ計測方法及びデバイス製造方法 |
CN107250717B (zh) | 2015-02-23 | 2020-09-29 | 株式会社尼康 | 测量装置、光刻系统及曝光装置、以及组件制造方法 |
WO2017057465A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法、並びに計測方法 |
KR20180059812A (ko) | 2015-09-30 | 2018-06-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 플랫 패널 디스플레이 제조 방법 |
CN113359395B (zh) | 2015-09-30 | 2024-07-09 | 株式会社尼康 | 曝光装置、平面显示器之制造方法、以及元件制造方法 |
JP6885335B2 (ja) | 2015-09-30 | 2021-06-16 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法、並びに物体の移動方法 |
KR20180058734A (ko) | 2015-09-30 | 2018-06-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 및 노광 방법 |
CN108139694B (zh) | 2015-09-30 | 2021-08-03 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及平面显示器制造方法 |
JP6958356B2 (ja) | 2015-09-30 | 2021-11-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 |
WO2017057539A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法 |
JP6885336B2 (ja) | 2015-09-30 | 2021-06-16 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 |
CN108139689B (zh) | 2015-09-30 | 2021-06-15 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法 |
CN108351598B (zh) * | 2015-10-27 | 2020-12-08 | Asml控股股份有限公司 | 与偏振无关的量测系统 |
KR102170147B1 (ko) | 2015-12-28 | 2020-10-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 모듈레이션 기술을 이용한 메트롤로지를 위한 대체 타겟 디자인 |
CN205427436U (zh) * | 2016-03-23 | 2016-08-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示器件的对位检测设备及曝光工艺系统 |
JP6925783B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2021-08-25 | 株式会社アドテックエンジニアリング | パターン描画装置及びパターン描画方法 |
JP6438441B2 (ja) * | 2016-08-04 | 2018-12-12 | ファナック株式会社 | エンコーダの信号処理装置、エンコーダ、信号処理方法及びプログラム |
JPWO2018038071A1 (ja) * | 2016-08-24 | 2019-07-18 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
CN113504712B (zh) * | 2016-09-30 | 2023-09-19 | 株式会社尼康 | 曝光装置、平板显示器的制造方法、以及元件制造方法 |
KR20210110745A (ko) * | 2016-09-30 | 2021-09-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 이동 방법, 노광 장치, 노광 방법, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
WO2018062480A1 (ja) | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社ニコン | 搬送装置、露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び搬送方法 |
CN109791370B (zh) | 2016-09-30 | 2021-05-18 | 株式会社尼康 | 曝光装置、平板显示器的制造方法、元件制造方法、及曝光方法 |
WO2018077873A1 (en) * | 2016-10-27 | 2018-05-03 | Asml Netherlands B.V. | System and method for determining and calibrating a position of a stage |
EP3537137A1 (en) * | 2016-11-01 | 2019-09-11 | Shimadzu Corporation | Imaging magnification calibration method for radiation tomography device |
JP6845917B2 (ja) * | 2017-03-14 | 2021-03-24 | パイオニア株式会社 | 表示装置 |
US10877370B2 (en) * | 2017-07-31 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Stretchable layout design for EUV defect mitigation |
CN107806822B (zh) * | 2017-09-21 | 2020-06-09 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种测量装置 |
CN107687814B (zh) * | 2017-09-21 | 2020-05-12 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种测量装置 |
TWI663845B (zh) * | 2017-11-09 | 2019-06-21 | 美商Tt電子公司 | 光學編碼裝置及方法 |
US10481421B2 (en) * | 2018-03-02 | 2019-11-19 | Gooch & Housego Plc | Mounting ring for maintaining optical device alignment |
JP7137363B2 (ja) * | 2018-06-11 | 2022-09-14 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置、物品の製造方法及び計測方法 |
DE102019210274A1 (de) | 2019-07-11 | 2021-01-14 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Optische Positionsmesseinrichtung |
US11764111B2 (en) * | 2019-10-24 | 2023-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Reducing cross-wafer variability for minimum width resistors |
JP7360978B2 (ja) * | 2020-03-18 | 2023-10-13 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
CN111580455B (zh) * | 2020-06-05 | 2021-06-25 | 广东省智能制造研究所 | 一种数控设备的定位精度可靠性评估方法 |
US11874144B2 (en) * | 2020-07-28 | 2024-01-16 | Li Lin | Displacement measurement system |
JP2023000112A (ja) * | 2021-06-17 | 2023-01-04 | キオクシア株式会社 | 計測装置および計測プログラム |
CN113552534B (zh) * | 2021-08-05 | 2022-02-01 | 中国人民解放军战略支援部队航天工程大学 | 基于脉冲信号的旋转基线干涉仪相位标校方法 |
TWI791343B (zh) * | 2021-12-01 | 2023-02-01 | 財團法人工業技術研究院 | 旋轉軸的幾何誤差的獲取方法與獲取設備 |
CN116674205B (zh) * | 2023-08-01 | 2023-12-15 | 易加三维增材技术(杭州)有限公司 | 位移控制方法、装置、非易失性存储介质及电子设备 |
CN117733873B (zh) * | 2024-02-19 | 2024-04-19 | 深圳市德富莱智能科技股份有限公司 | 一种三维自动校准系统 |
CN118565393B (zh) * | 2024-07-29 | 2024-10-18 | 汇丰金属科技(溧阳)有限公司 | 一种粉末冶金轴承精度检测装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04265805A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-09-22 | Karl Suess Kg Praezisionsgeraete Fuer Wissenschaft & Ind Gmbh & Co | x,y,φ座標テーブル用測定装置 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
JP2004031592A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Canon Inc | 位置決め装置及びその制御方法、露光装置、デバイスの製造方法、半導体製造工場、露光装置の保守方法 |
WO2004051184A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Nikon Corporation | 形状計測方法、形状計測装置、チルト計測方法、ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2006054452A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器及びそれを較正する方法 |
JP2007093546A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nikon Corp | エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置 |
WO2007083758A1 (ja) * | 2006-01-19 | 2007-07-26 | Nikon Corporation | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2007097466A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2007097350A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | 位置計測装置及び位置計測方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2012147026A (ja) * | 2006-08-31 | 2012-08-02 | Nikon Corp | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (200)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4465A (en) | 1846-04-18 | Improvement in plows | ||
DE221563C (ja) | ||||
US368A (en) | 1837-08-31 | John williamson | ||
DE224448C (ja) | ||||
US4215938A (en) * | 1978-09-28 | 1980-08-05 | Farrand Industries, Inc. | Method and apparatus for correcting the error of a position measuring interferometer |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPS60119407A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 比較検査装置 |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS63292005A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nikon Corp | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 |
US5070250A (en) | 1989-02-28 | 1991-12-03 | Nikon Corporation | Position detection apparatus with adjustable beam and interference fringe positions |
US5489986A (en) * | 1989-02-28 | 1996-02-06 | Nikon Corporation | Position detecting apparatus |
US5021649A (en) * | 1989-03-28 | 1991-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Relief diffraction grating encoder |
JP2784225B2 (ja) | 1989-11-28 | 1998-08-06 | 双葉電子工業株式会社 | 相対移動量測定装置 |
JP3077149B2 (ja) * | 1990-01-22 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 測定装置、測定方法、及び露光装置、露光方法、及び回路パターンチップ |
US5523843A (en) * | 1990-07-09 | 1996-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting system |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
US5506684A (en) | 1991-04-04 | 1996-04-09 | Nikon Corporation | Projection scanning exposure apparatus with synchronous mask/wafer alignment system |
JP3149472B2 (ja) * | 1991-08-30 | 2001-03-26 | 株式会社ニコン | 走査露光装置および物体の移動測定装置 |
JP3030386B2 (ja) | 1991-05-15 | 2000-04-10 | 敏一 中村 | 抗ガン剤 |
DE4219311C2 (de) * | 1991-06-13 | 1996-03-07 | Sony Magnescale Inc | Verschiebungsdetektor |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH05129184A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPH05173639A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 位置制御装置及びその制御方法 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
JP3303386B2 (ja) | 1993-02-03 | 2002-07-22 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
US5461237A (en) * | 1993-03-26 | 1995-10-24 | Nikon Corporation | Surface-position setting apparatus |
US5583609A (en) | 1993-04-23 | 1996-12-10 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3375076B2 (ja) | 1993-04-27 | 2003-02-10 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
JP3309871B2 (ja) * | 1993-04-27 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
US5581324A (en) | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
JP3319819B2 (ja) * | 1993-06-25 | 2002-09-03 | 株式会社リコー | 画像形成装置管理システム |
US6122036A (en) | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
JPH09223650A (ja) | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP3382389B2 (ja) * | 1993-10-26 | 2003-03-04 | キヤノン株式会社 | 位置ずれ検出方法及びそれを用いた位置ずれ検出装置 |
US5625453A (en) * | 1993-10-26 | 1997-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for detecting the relative positional deviation between diffraction gratings and for measuring the width of a line constituting a diffraction grating |
JPH07190741A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH07318699A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-08 | Canon Inc | ステージ装置及びこれを有する露光装置とデバイス製造方法 |
US6018384A (en) | 1994-09-07 | 2000-01-25 | Nikon Corporation | Projection exposure system |
JP3379238B2 (ja) | 1994-09-08 | 2003-02-24 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
JPH0883753A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH09115820A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び露光方法 |
JPH09318321A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 測長装置 |
JPH1022218A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 基板のアライメント方法 |
CN101324825B (zh) * | 1996-08-12 | 2012-05-30 | 蒂科电子公司 | 利用多个互不正交的波的声学条件传感器 |
JPH1063011A (ja) | 1996-08-14 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
US5917580A (en) * | 1996-08-29 | 1999-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan exposure method and apparatus |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
EP0951054B1 (en) | 1996-11-28 | 2008-08-13 | Nikon Corporation | Aligner and method for exposure |
JPH10223528A (ja) | 1996-12-30 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置合わせ方法 |
EP0900412B1 (en) | 1997-03-10 | 2005-04-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a positioning device having two object holders |
JP3963037B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2007-08-22 | ソニー株式会社 | 記録装置及び再生装置 |
JPH10270535A (ja) | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JPH11121325A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-04-30 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JP4210871B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3809268B2 (ja) | 1997-12-19 | 2006-08-16 | キヤノン株式会社 | デバイス製造方法 |
JPH11191585A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Canon Inc | ステージ装置、およびこれを用いた露光装置、ならびにデバイス製造方法 |
JPH11233420A (ja) | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置検出方法 |
WO1999046835A1 (fr) | 1998-03-11 | 1999-09-16 | Nikon Corporation | Dispositif a laser ultraviolet et appareil d'exposition comportant un tel dispositif a laser ultraviolet |
US6008610A (en) | 1998-03-20 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Position control apparatus for fine stages carried by a coarse stage on a high-precision scanning positioning system |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
KR100604120B1 (ko) | 1998-05-19 | 2006-07-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 수차측정장치와 측정방법 및 이 장치를 구비한투영노광장치와 이 방법을 이용한 디바이스 제조방법,노광방법 |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2000068192A (ja) | 1998-08-18 | 2000-03-03 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及び位置検出方法 |
US6144118A (en) * | 1998-09-18 | 2000-11-07 | General Scanning, Inc. | High-speed precision positioning apparatus |
EP1014199B1 (en) | 1998-12-24 | 2011-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage control apparatus, exposure apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
US6924884B2 (en) * | 1999-03-08 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Off-axis leveling in lithographic projection apparatus |
TW490596B (en) * | 1999-03-08 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus |
US6381004B1 (en) * | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2001118768A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-04-27 | Nikon Corp | マスクのアライメント方法および露光装置 |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP4428781B2 (ja) | 1999-12-28 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 光学式ロータリエンコーダ及びモータ制御装置 |
WO2001052004A1 (en) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Electro Scientific Industries, Inc. | Abbe error correction system and method |
JP2001308003A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
SG124257A1 (en) | 2000-02-25 | 2006-08-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JP2001332490A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6639686B1 (en) | 2000-04-13 | 2003-10-28 | Nanowave, Inc. | Method of and apparatus for real-time continual nanometer scale position measurement by beam probing as by laser beams and the like of atomic and other undulating surfaces such as gratings or the like relatively moving with respect to the probing beams |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
US6970245B2 (en) * | 2000-08-02 | 2005-11-29 | Honeywell International Inc. | Optical alignment detection system |
JP2002090114A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-03-27 | Mitsutoyo Corp | 光スポット位置センサ及び変位測定装置 |
JP2002031895A (ja) | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
US7289212B2 (en) * | 2000-08-24 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby |
TW527526B (en) | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US6557190B2 (en) | 2001-08-31 | 2003-05-06 | National Rv Holdings, Inc. | Storable bed assembly |
JP2002164269A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
KR100815222B1 (ko) | 2001-02-27 | 2008-03-19 | 에이에스엠엘 유에스, 인크. | 리소그래피 장치 및 적어도 하나의 레티클 상에 형성된 적어도 두 개의 패턴으로부터의 이미지로 기판 스테이지 상의 필드를 노출시키는 방법 |
US7515719B2 (en) | 2001-03-27 | 2009-04-07 | Cambridge Mechatronics Limited | Method and apparatus to create a sound field |
JP2002305140A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
JP4198338B2 (ja) * | 2001-07-09 | 2008-12-17 | 株式会社 東北テクノアーチ | ステージ装置 |
JP2003031474A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 露光装置および露光方法 |
TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
KR20010112204A (ko) * | 2001-12-01 | 2001-12-20 | 엄경미 | 위생패드 |
JP2003249443A (ja) | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
KR100927560B1 (ko) * | 2002-01-29 | 2009-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 이미지 형성 상태 조정 시스템, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 프로그램 및 정보 기록 매체 |
US6987555B2 (en) * | 2002-04-23 | 2006-01-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4168665B2 (ja) | 2002-05-22 | 2008-10-22 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
JP2004014876A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Nikon Corp | 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置 |
JP2004041362A (ja) | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Sankyo Kk | 弾球遊技機およびスロットマシン |
KR20050025626A (ko) * | 2002-07-31 | 2005-03-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 위치계측방법, 위치제어방법, 노광방법 및 노광장치,그리고 디바이스 제조방법 |
CN100462844C (zh) | 2002-08-23 | 2009-02-18 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法 |
JP2004101362A (ja) | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Canon Inc | ステージ位置計測および位置決め装置 |
SG152898A1 (en) * | 2002-09-20 | 2009-06-29 | Asml Netherlands Bv | Alignment systems and methods for lithographic systems |
CN1245668C (zh) * | 2002-10-14 | 2006-03-15 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 曝光系统及其曝光方法 |
CN101382738B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-01-12 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
CN1711135A (zh) * | 2002-11-18 | 2005-12-21 | 株式会社Ict | 废气净化用催化剂与废气净化方法 |
KR20130010039A (ko) | 2002-12-10 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101157002B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2012-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101431938B1 (ko) | 2003-04-10 | 2014-08-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
CN101980087B (zh) * | 2003-04-11 | 2013-03-27 | 株式会社尼康 | 浸没曝光设备以及浸没曝光方法 |
KR101516141B1 (ko) | 2003-05-06 | 2015-05-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
US7025498B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-04-11 | Asml Holding N.V. | System and method of measuring thermal expansion |
TWI482200B (zh) * | 2003-06-19 | 2015-04-21 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
US20050027487A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-02-03 | Supriya Iyer | Product defect analysis and resolution system |
CN102012641B (zh) | 2003-07-28 | 2015-05-06 | 株式会社尼康 | 曝光装置、器件制造方法 |
JP4492239B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
KR101475995B1 (ko) * | 2003-08-21 | 2014-12-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP4524601B2 (ja) * | 2003-10-09 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
TWI295408B (en) * | 2003-10-22 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7102729B2 (en) * | 2004-02-03 | 2006-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method |
TW200537255A (en) | 2004-02-04 | 2005-11-16 | Nikon Corp | Exposure equipment and method, position control method and device manufacturing method |
JP2005252246A (ja) | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置及び方法、位置制御方法、並びにデバイス製造方法 |
JP4429037B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | ステージ装置及びその制御方法 |
JP2005249452A (ja) | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | リニアエンコーダ、画像読取装置及び画像記録装置 |
JP4622340B2 (ja) | 2004-03-04 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005268608A (ja) | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ装置 |
JP2005283357A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Sendai Nikon:Kk | 光電式エンコーダ |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4751032B2 (ja) | 2004-04-22 | 2011-08-17 | 株式会社森精機製作所 | 変位検出装置 |
US20050241694A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Red Flame Hot Tap Services Ltd. | Hot tapping method, system and apparatus |
US7126109B2 (en) | 2004-06-14 | 2006-10-24 | Gsi Group Corporation | Encoder scale error compensation employing comparison among multiple detectors |
WO2005124834A1 (ja) | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Nikon Corporation | ベストフォーカス検出方法及び露光方法、並びに露光装置 |
US20060013959A1 (en) * | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Morales Hector D | Process to apply a polimeric coating on non-ferrous substrates |
US7701550B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4852951B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2012-01-11 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
SG188914A1 (en) * | 2004-09-17 | 2013-04-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device |
KR101157003B1 (ko) | 2004-09-30 | 2012-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학 디바이스 및 노광 장치 |
SG156635A1 (en) * | 2004-10-15 | 2009-11-26 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP4424739B2 (ja) | 2004-10-19 | 2010-03-03 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
US7388663B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
US8330939B2 (en) * | 2004-11-01 | 2012-12-11 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with a liquid recovery port provided on at least one of a first stage and second stage |
TWI649790B (zh) * | 2004-11-18 | 2019-02-01 | 日商尼康股份有限公司 | 位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件製造方法 |
KR101261063B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2013-05-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US20060139595A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
JP4450739B2 (ja) | 2005-01-21 | 2010-04-14 | 富士フイルム株式会社 | 露光装置 |
JP2006210570A (ja) | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Nikon Corp | 調整方法、露光装置 |
US7515281B2 (en) * | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7405811B2 (en) * | 2005-04-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7349069B2 (en) * | 2005-04-20 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
JP2007054987A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Soshiodaiya Systems Kk | 印刷装置及び印刷方法 |
US7348574B2 (en) * | 2005-09-02 | 2008-03-25 | Asml Netherlands, B.V. | Position measurement system and lithographic apparatus |
US7362446B2 (en) * | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
JP4164508B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2008-10-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7978339B2 (en) * | 2005-10-04 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus temperature compensation |
WO2007097379A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
CN101385121B (zh) | 2006-02-21 | 2011-04-20 | 株式会社尼康 | 图案形成装置及图案形成方法、移动体驱动系统及移动体驱动方法、曝光装置及曝光方法、以及组件制造方法 |
US7602489B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7253875B1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7636165B2 (en) * | 2006-03-21 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7576832B2 (en) | 2006-05-04 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7483120B2 (en) * | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
JP4393540B2 (ja) | 2006-08-01 | 2010-01-06 | シャープ株式会社 | 樹脂含有粒子の凝集体の製造方法、トナー、現像剤、現像装置および画像形成装置 |
US20080050680A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Stefan Brandl | Lithography systems and methods |
KR101634893B1 (ko) | 2006-08-31 | 2016-06-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR101477465B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2014-12-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 시스템 및 이동체 구동 방법, 패턴 형성 장치 및 방법, 노광 장치 및 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 결정 방법 |
KR101660667B1 (ko) * | 2006-09-01 | 2016-09-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
TW201610608A (zh) * | 2006-09-01 | 2016-03-16 | 尼康股份有限公司 | 移動體驅動方法及移動體驅動系統、圖案形成方法及裝置、曝光方法及裝置、以及元件製造方法 |
US7619207B2 (en) * | 2006-11-08 | 2009-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7903866B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
US7710540B2 (en) * | 2007-04-05 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8547527B2 (en) * | 2007-07-24 | 2013-10-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
TW201907243A (zh) * | 2007-12-28 | 2019-02-16 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
-
2007
- 2007-08-31 SG SG10201407395SA patent/SG10201407395SA/en unknown
- 2007-08-31 EP EP14153959.3A patent/EP2738608B9/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 TW TW105113707A patent/TWI602032B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 TW TW105100233A patent/TWI596444B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 TW TW105100234A patent/TWI649631B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 TW TW105100232A patent/TWI594083B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 TW TW102132751A patent/TWI529501B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 KR KR1020187036725A patent/KR20180137600A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-08-31 KR KR1020187002349A patent/KR101933360B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020167000307A patent/KR101670638B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 CN CN201110386387.5A patent/CN102520589B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 EP EP15182527.0A patent/EP2991101B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 KR KR1020147034198A patent/KR101585370B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020147034199A patent/KR101565275B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 US US11/896,448 patent/US20080094592A1/en not_active Abandoned
- 2007-08-31 EP EP17200084.6A patent/EP3312676B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 KR KR1020137020822A patent/KR101409011B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020157019884A patent/KR101645909B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 TW TW102132750A patent/TWI537687B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 JP JP2008532138A patent/JP5035245B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 KR KR1020137020821A patent/KR101477448B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 EP EP16164422.4A patent/EP3067748B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 KR KR1020157036553A patent/KR101711323B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020147017741A patent/KR101529845B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 CN CN2007800102592A patent/CN101405840B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 EP EP16163509.9A patent/EP3064999B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 EP EP07806547.1A patent/EP2065920B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 KR KR1020087026015A patent/KR101400615B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 EP EP18184704.7A patent/EP3418807A1/en not_active Withdrawn
- 2007-08-31 SG SG2011060241A patent/SG174091A1/en unknown
- 2007-08-31 WO PCT/JP2007/067074 patent/WO2008026742A1/ja active Application Filing
- 2007-08-31 TW TW106129977A patent/TWI653511B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 KR KR1020167000308A patent/KR101670639B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 EP EP15182526.2A patent/EP2993688B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 KR KR1020177000847A patent/KR101824374B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 CN CN201110384985.9A patent/CN102520588B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 KR KR1020157036552A patent/KR101698291B1/ko active Application Filing
- 2007-08-31 TW TW096132674A patent/TWI416269B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-09-18 HK HK09108556.0A patent/HK1130944A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012078997A patent/JP5522488B2/ja active Active
- 2012-04-20 JP JP2012096250A patent/JP5522489B2/ja active Active
- 2012-09-25 HK HK12109422.5A patent/HK1168662A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2012-10-24 HK HK12110558.9A patent/HK1169863A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-08-01 JP JP2013160145A patent/JP5686164B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-10-30 US US14/067,503 patent/US9983486B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-10-30 US US14/067,110 patent/US9958792B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-05-29 JP JP2014110768A patent/JP5729578B2/ja active Active
- 2014-07-11 HK HK14107076.6A patent/HK1193879A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2015
- 2015-01-08 JP JP2015002486A patent/JP5999392B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-17 JP JP2015121621A patent/JP6143122B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-09-14 JP JP2015180799A patent/JP6143125B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-09-14 JP JP2015180800A patent/JP6029037B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-13 JP JP2016004087A patent/JP6339599B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-02-23 JP JP2016031588A patent/JP6143138B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-05-30 HK HK16106083.7A patent/HK1218184A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-05-31 HK HK16106141.7A patent/HK1218187A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-09-15 JP JP2016180108A patent/JP6241632B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-10-20 HK HK16112134.4A patent/HK1224021A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-10-24 HK HK16112168.3A patent/HK1224022A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-10-17 JP JP2017200693A patent/JP6508285B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-04-24 US US15/961,061 patent/US10338482B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2018-06-15 HK HK18107772.9A patent/HK1248325B/zh not_active IP Right Cessation
- 2018-08-28 US US16/114,498 patent/US10353301B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2018-08-30 US US16/117,893 patent/US10353302B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2019
- 2019-01-29 HK HK19101492.0A patent/HK1259005A1/zh unknown
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04265805A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-09-22 | Karl Suess Kg Praezisionsgeraete Fuer Wissenschaft & Ind Gmbh & Co | x,y,φ座標テーブル用測定装置 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
JP2004031592A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Canon Inc | 位置決め装置及びその制御方法、露光装置、デバイスの製造方法、半導体製造工場、露光装置の保守方法 |
WO2004051184A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Nikon Corporation | 形状計測方法、形状計測装置、チルト計測方法、ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2006054452A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器及びそれを較正する方法 |
JP2007093546A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nikon Corp | エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置 |
WO2007083758A1 (ja) * | 2006-01-19 | 2007-07-26 | Nikon Corporation | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2007097466A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2007097350A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | 位置計測装置及び位置計測方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2012147026A (ja) * | 2006-08-31 | 2012-08-02 | Nikon Corp | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9983486B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-05-29 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US10353301B2 (en) | 2006-08-31 | 2019-07-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US10353302B2 (en) | 2006-08-31 | 2019-07-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US10338482B2 (en) | 2006-08-31 | 2019-07-02 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US10162274B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-12-25 | Nikon Corporation | Movable body drive method and system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus for driving movable body based on measurement value of encoder and information on flatness of scale, and device manufacturing method |
JP2012147026A (ja) * | 2006-08-31 | 2012-08-02 | Nikon Corp | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US10101673B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method and system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus for driving movable body based on measurement value of encoder and information on flatness of scale, and device manufacturing method |
US10073359B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-09-11 | Nikon Corporation | Movable body drive system and movable body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision-making method |
US10067428B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-09-04 | Nikon Corporation | Movable body drive system and movable body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision-making method |
US9958792B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-05-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US9740114B2 (en) | 2006-09-01 | 2017-08-22 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
US9971253B2 (en) | 2006-09-01 | 2018-05-15 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
US9874822B2 (en) | 2006-09-01 | 2018-01-23 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US9846374B2 (en) | 2006-09-01 | 2017-12-19 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
US9760021B2 (en) | 2006-09-01 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
US9625834B2 (en) | 2006-09-01 | 2017-04-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
US10197924B2 (en) | 2006-09-01 | 2019-02-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
US10289010B2 (en) | 2006-09-01 | 2019-05-14 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US9377698B2 (en) | 2006-09-01 | 2016-06-28 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
US9977341B2 (en) | 2013-02-08 | 2018-05-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2016513276A (ja) * | 2013-02-08 | 2016-05-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
TWI547819B (zh) * | 2014-07-24 | 2016-09-01 | 斯克林集團公司 | 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄有程式之記憶媒體 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6241632B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP6583755B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP6319360B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20131118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140313 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140326 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5522488 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |