JP2011023303A - リチウムイオン電池集電体用銅箔 - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 199
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 174
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 29
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 58
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 24
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 20
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 34
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 33
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 20
- -1 by dipping Substances 0.000 description 14
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 239000010731 rolling oil Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 229910001651 emery Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)pentan-2-imine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C(C)CC(C)C PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910017526 Cu-Cr-Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017810 Cu—Cr—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017876 Cu—Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012851 LiCoO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015643 LiMn 2 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013290 LiNiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910021383 artificial graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDSFBVVBFMKMRF-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis(prop-2-enyl)silane Chemical compound C=CC[Si](C)(C)CC=C ZDSFBVVBFMKMRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MABAWBWRUSBLKQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C=C MABAWBWRUSBLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N lithium nitride Chemical compound [Li]N([Li])[Li] IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical group 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N n'-(3-triethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCN INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNRDORCPMGMXIT-UHFFFAOYSA-N n'-[(4-ethenylphenyl)methyl]-n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN(CCN)CC1=CC=C(C=C)C=C1 LNRDORCPMGMXIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000004083 survival effect Effects 0.000 description 1
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3-isocyanatopropyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C=O FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBBATURSCRIBHN-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(3-triethoxysilylpropyldisulfanyl)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCSSCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FBBATURSCRIBHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(3-triethoxysilylpropyltetrasulfanyl)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCSSSSCCC[Si](OCC)(OCC)OCC VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC=C LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRSJRHKJPOJTMS-MDZDMXLPSA-N trimethoxy-[(e)-2-phenylethenyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)\C=C\C1=CC=CC=C1 JRSJRHKJPOJTMS-MDZDMXLPSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
【解決手段】表面の少なくとも一部がシランカップリング処理されたリチウムイオン電池集電体用銅箔であって、XPSによる深さ方向分析でSiを検出し、かつC検出量がバックグラウンドレベルよりも大きい深さ範囲(以下、「有機皮膜厚み」という。)の平均値が1.0〜5.0nmであるリチウムイオン電池集電体用銅箔。
【選択図】なし
Description
そして、このような表面形態は、電解銅箔(段落0044)、圧延銅箔の表面に電解法により銅を析出させて表面を粗面化すること(段落0045)、及びエメリー紙で研磨処理すること(段落0205)で得られることが記載されている。
本発明において、銅箔は電解銅箔及び圧延銅箔のいずれでもよい。また、「銅箔」には銅合金箔も含まれるものとする。銅箔の材料としては、特に制限はなく、用途や要求特性に応じて適宜選択すればよい。例えば、限定的ではないが、圧延銅箔の場合、高純度の銅(無酸素銅やタフピッチ銅等)の他、Sn入り銅、Ag入り銅、Ni、Si等を添加したCu−Ni−Si系銅合金、Cr、Zr等を添加したCu−Cr−Zr系銅合金のような銅合金が挙げられる。
シランカップリング処理は、銅箔の上下面のうち負極活物質との密着性が要求される少なくとも一面にシランカップリング剤を浸漬、塗布及び噴霧などによって接触させ、その後、乾燥時の熱によりシランカップリング剤を銅箔表面の銅と反応させ、銅箔表面に固定することで行う事ができる。シランカップリング剤は銅箔と負極活物質の間の接着剤としての役割のほか、防錆性を高める役割も果たす。
エポキシシラン系化合物としては、以下の一般式:
で示されるエポキシシランカップリング剤(例えば3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)が特に好ましい。アゾール系化合物としては、ベンゾイミダゾール、イミダゾールが特に好ましい。アゾール系化合物とエポキシシラン系化合物との反応は、特開平6−256358号公報に説示されている条件で行うことができる。例えば、80〜200℃でアゾール系化合物1モルに対して0.1〜10モルのエポキシシラン系化合物を滴下して5分〜2時間反応させる。その際、溶媒は特に不要であるが、クロロホルム、ジオキサン、メタノール、エタノール等の有機溶媒を用いてもよい。
このような負極活物質との密着性にほとんど寄与せず、特性向上に寄与しない銅と未反応の有機皮膜の厚みが厚くなるのは超音波溶接性の劣化につながるだけである。同じ膜厚であれば、銅箔表面に残存する未反応のシランカップリング剤が少ない方が密着性は向上する。
好ましい一実施形態においては、シランカップリング処理を施す前の表面性状が以下の条件を満たす。具体的には、銅箔の上下面の圧延平行方向における表面粗さについて、0.01μm≦Ra≦0.10μmを満たし、好ましくは、5μm≦RSm≦20μmも満たす。Raは粗さ曲線を中心線から折り返し、その粗さ曲線と中心線によって得られた面積を長さLで割った値であり、RSmは粗さ曲線が平均線と交差する交点から求めた山谷−周期の間隔の平均値である。何れもJIS B0601:2001に準拠して測定される。
一方、電解銅箔については、電流密度を調整することで所定の表面粗さRaにすることが可能である。
例1(シランカップリング処理が特性に与える影響の検討)
[圧延銅箔の製造]
厚さ200mm、幅600mmのタフピッチ銅のインゴットを製造し、熱間圧延により10mmまで圧延した。
次に、焼鈍と冷間圧延を繰り返し、最後に冷間圧延で、ワークロール径60mm、ワークロール表面粗さRaを0.03μmとし、最終パスの圧延速度400m/分、加工度20%として厚さ10μmに仕上げた。圧延油の粘度は9.0cSt(25℃)であった。得られた圧延銅箔はRaが0.11μm、RSmが29μm、RSm/Raが264であった。
電解液として、硫酸銅(CuSO4・5H2O)300g/L、硫酸120g/L、塩化物イオン濃度0.5mg/L、ニカワ濃度0.5mg/Lとした硫酸酸性硫酸銅溶液を用い、電解液温度約55℃、電流密度100A/dm2で電解して10μmの電解銅箔を製造した。得られた電解銅箔はRaが0.12μm、RSmが19.7μm、RSm/Raが164であった。
上記の通り製造した板厚10μmの圧延銅箔又は電解銅箔につき、表1に記載の濃度のN−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシランに3秒間浸漬し乾燥機にて表1に記載の雰囲気温度で3分間乾燥した。その後、以下の通り、活物質の密着性、防錆性、超音波溶接性を評価した。結果を表1に示す。
(1)平均径9μmの人工黒鉛とポリビニリデンフルオライドを重量比1:9で混合し、これを溶剤N−メチル−2−ピロリドンに分散させる。
(2)銅箔の表面に上記の活物質を塗布する。
(3)活物質を塗布した銅箔を乾燥機にて90℃×30分間加熱する。なお、このときにはシランカップリング剤は銅表面にOH基が結合していないため、未反応のシランカップリング剤との脱水反応により銅表面と反応することはほとんどない。
(4)乾燥後、20mm角に切り出し、1.5トン/mm2×20秒間の荷重をかける。
(5)上記サンプルをカッターにて碁盤目状に切り傷を形成し、市販の粘着テープ(セロテープ(登録商標))を貼り、重さ2kgのローラーを置いて1往復させて粘着テープを圧着する。
(6)粘着テープを剥がし、銅箔上に残存した活物質は、表面の画像をPCに取り込み、二値化によって銅表面の金属光沢部分と活物質が残存する黒色部分を区別し、活物質の残存率を算出。残存率は、各サンプル3つの平均値とした。活物質密着性の判定は、残存率50%未満を「×」、50%以上70%未満を「△」、70%以上90%未満を「○」、90%以上を「◎」とした。
(1)銅箔を50mm×100mmの大きさに切り出し、3枚重ね粘着テープで固定し、ビニールの袋に入れて中の空気を追い出しながらテープで封印する。
(2)試料(1)を湿潤試験機(50℃×90%RH)に入れ、168時間保持する。
(3)試料を(2)の試験機から取り出し、銅箔が重なっていた部分の表面の色調を確認する。
(4)試験後の銅箔表面の色調が試験前と同じものを「◎」、試験前と比較して、僅かに変色したものを「○」、薄い赤褐色に変色したものを「△」、表面全体が赤黒色に変色したものを「×」とした。
(1)銅箔を100mm×150mmの大きさに切り出し、30枚重ねる。
(2)ブランソン社製のアクチュエータ(型番:Ultraweld L20E)にホーン(ピッチ0.8mm、高さ0.4mm)を取り付ける。アンビルは0.2mmピッチを使用した。
(3)溶接条件は、圧力40psi、振幅60μm、振動数20kHz、溶接時間は0.1秒とした。
(4)上記条件で溶接した後、銅箔を1枚ずつ剥離したときに、21枚以上の銅箔が溶接部分で破れた場合を「◎」、11〜20枚の銅箔が溶接部分で破れた場合を「○」、1〜10枚の銅箔が溶接部分で破れた場合を「△」、一枚も銅箔が破れなかった場合を「×」とした。なお、銅箔を剥離する前に、ホーンに接触していた最表層の銅箔の溶接部分を実態顕微鏡にて20倍で拡大観察し、クラックが発生していないことを確認してから剥離試験を実施した。
有機皮膜の厚みは、アルゴンスパッタしながらXPS装置で銅箔の深さ方向について元素分析し、Siを検出し、かつC検出量がバックグラウンドレベルよりも大きな深さ範囲(SiO2換算)を有機皮膜厚みとし、任意の5カ所の平均値を有機皮膜厚みの平均値とした。
・装置:XPS装置(アルバックファイ社、型式5600MC)
・真空度:5.7×10-7Pa
・X線:単色AlKα、X線出力210W、入射角45°、取り出し角45°
・イオン線:イオン種Ar+、加速電圧3kV、掃引面積3mm×3mm、スパッタリングレート2.3nm/min(SiO2換算)
比較例1−10は、シランカップリング処理未実施のため、活物質密着性及び防錆性が劣る。
比較例1−11は、シランカップリング剤濃度が低かった。そのため、有機皮膜厚が1.0nm未満と薄く、活物質密着性及び防錆性が劣った。
比較例1−12は、シランカップリング剤濃度が高く、有機皮膜厚が5.0nmを超えており、超音波溶接性が劣った。
例1と同様の方法で銅箔を製造し、活物質との密着性、防錆性、超音波溶接性を評価した。
なお、シランカップリング処理、乾燥後に、蒸留水中に10秒間浸漬して銅箔表面を洗浄し、これを用いてD1を測定した。
[有機皮膜の厚み]
有機皮膜の厚みにつき、分析装置と条件は例1と同様とした。ここでの測定は、シランカップリング処理後に、蒸留水中に10秒間浸漬して銅箔表面を洗浄する前と洗浄した後に行い、洗浄前の有機皮膜厚みの平均値をD0とし、洗浄後の有機皮膜厚みの平均値をD1とした。
比較例2−10は、乾燥温度は適度であるものの、シランカップリング剤濃度が低かった。そのため、有機皮膜厚D0が1.0nm未満と薄く、活物質密着性及び防錆性が劣った。
比較例2−11は、シランカップリング剤濃度が低かった。そのため、有機皮膜厚D0が1.0nm以上であっても、D1が1.0未満、D1/D0が0.6未満となり、防錆性が劣った。
比較例2−12は、シランカップリング剤濃度が適度で有機皮膜厚D0が適当であるものの、乾燥温度が低いために未反応のシランカップリング剤が残存し、D1が1.0未満、D1/D0が0.6未満となり、防錆性が劣った。
種々の圧延銅箔及び電解銅箔について、負極活物質との密着性を評価した。
[圧延銅箔の製造]
厚さ200mm、幅600mmのタフピッチ銅のインゴットを製造し、熱間圧延により10mmまで圧延した。次に、焼鈍と冷間圧延を繰り返し、最後に冷間圧延で、ワークロール径60mm、ワークロール表面粗さRa0.01〜0.09μmとし、最終パスでは圧延速度100〜400m/分及び圧下率20%として厚さ10μmに仕上げた。圧延油の粘度は9.0cSt(25℃)であった。
[電解銅箔の製造]
例1の電解銅箔の製造方法に対して、電流密度を調整することで表3に示す表面粗さの電解銅箔を得た。
[表面粗さ測定]
銅箔をガラス板上に乗せて固定し、レーザーテック社のコンフォーカル顕微鏡HD100Dを用いて、圧延銅箔は圧延平行方向、電解銅箔は製品の長手方向の表面粗さを測定した。圧延銅箔については、上下面のうち一方の面についての測定結果を記載したが、両面とも同様の表面性状であった。Ra及びRSmはJIS B0601:2001に準拠してレーザーテック社製HD100Dを使用して測定した。
[シランカップリング処理]
上記の通り製造した板厚10μmの圧延銅箔及び電解銅箔を濃度0.2質量%のN−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシランに3秒間浸漬した後、80℃の温度の乾燥機内にて5分間乾燥した後、以下の通り、活物質の塗布及び密着性評価を行った。
[その他の特性]
例1と同様の方法で密着性、防錆性、有機皮膜の厚み及び超音波溶接性を評価した。
また、Raが0.01〜0.1μmの範囲にある場合、RSmが20μm以下にある場合、及びRSm/Raが400以下の場合には、同程度の有機皮膜厚みであっても、特性が向上していることが分かる。具体的には、No.3−1はNo.3−2、No.3−3、No.3−9及びNo.3−11に比べて密着性が高く、No.3−4はNo.3−5、No.3−6、No.3−10及びNo.3−12に比べて超音波溶接性が高い。また、No.3−2、No.3−3は、No.3−9、No.3−11に比べ、密着性が高く、No.3−5、No.3−6は、No.3−10、No.3−12に比べて超音波溶接性が高い。No.3−7及びNo.3−8はNo.3−13やNo.3−14に比べて密着性又は超音波溶接性が高い。例1と比べてもこの傾向が窺える。
Claims (10)
- 表面の少なくとも一部がシランカップリング処理されたリチウムイオン電池集電体用銅箔であって、XPSによる深さ方向分析でSiを検出し、かつC検出量がバックグラウンドレベルよりも大きい深さ範囲(以下、「有機皮膜厚み」という。)の平均値D0が1.0〜5.0nmであるリチウムイオン電池集電体用銅箔。
- 純水に10秒間浸漬する洗浄操作後の有機皮膜厚みの平均値D1が1.0nm以上である請求項1記載の銅箔。
- 洗浄操作前の有機皮膜厚みの平均値D0に対する、純水に10秒間浸漬する洗浄操作後の有機皮膜厚みの平均値D1の比率(D1/D0)が0.6以上である請求項1又は2記載の銅箔。
- 銅箔が圧延銅箔であり、上下面の圧延平行方向における表面粗さについて、どちらの面も0.01μm≦Ra≦0.10μmを満たす請求項1〜3何れか一項記載の銅箔。
- 銅箔が電解銅箔であり、S面、M面における表面粗さについて、どちらの面も0.01μm≦Ra≦0.10μmを満たす請求項1〜3何れか一項記載の銅箔。
- 銅箔が圧延銅箔であり、上下面の圧延平行方向における表面粗さについて、どちらの面もRSm≦20μmを満たし、且つ、RSm/Ra≦400である請求項1〜4何れか一項記載の銅箔。
- リチウムイオン二次電池負極集電体用である請求項1〜6何れか一項記載の銅箔。
- 請求項1〜7何れか一項記載の銅箔を集電体として用いたリチウムイオン電池。
- 銅箔表面の少なくとも一部を0.1〜1.0質量%のシランカップリング剤溶液と接触させる工程と、次いでシランカップリング剤を銅箔表面の銅と反応させる工程とを含み、前記反応は50℃以上の雰囲気中で加熱処理を行うことで実施するリチウムイオン電池集電体用銅箔の製造方法。
- 前記反応後に、未反応のシランカップリング剤を銅箔表面から除去する工程を更に含む請求項9記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009169269A JP5219952B2 (ja) | 2009-07-17 | 2009-07-17 | リチウムイオン電池集電体用銅箔 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009169269A JP5219952B2 (ja) | 2009-07-17 | 2009-07-17 | リチウムイオン電池集電体用銅箔 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011023303A true JP2011023303A (ja) | 2011-02-03 |
JP5219952B2 JP5219952B2 (ja) | 2013-06-26 |
Family
ID=43633182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009169269A Active JP5219952B2 (ja) | 2009-07-17 | 2009-07-17 | リチウムイオン電池集電体用銅箔 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5219952B2 (ja) |
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