JP2009158668A - セラミック多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ビアの開口部から露出する高融点金属からなる導体層に対して銅を主成分とする導体パッドの密着強度を高め、導体パッドの剥離に伴う導通不良等のトラブルが発生し難い信頼性の高いセラミック多層配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック多層配線基板１は、セラミックを主成分とする絶縁層６とタングステン又はモリブデンなどの高融点金属を主成分とする導体層７が交互に積層された積層セラミック基板２と、絶縁層６に形成されるとともに内部に高融点金属からなる導体層７を有するビア８と、絶縁層６の最外層に形成される導体パッド３，４と、積層セラミック基板２の表面に露出するビア８の開口部９を覆うように形成されるニッケルと銅からなる固溶体１１とを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、銅製の導体パッドを有するセラミック多層配線基板とその製造方法に関し、特に基板に対する導体パッドの密着強度が高く、導体パッドの剥離に起因する導通不良が発生し難いセラミック多層配線基板及びその製造方法に関する。

携帯電話等の電子機器に使用されるセラミック多層配線基板は、焼結したセラミックの積層体からなり、その内部や外表面には導体配線パターンが形成されている。セラミック多層配線基板の外表面の導体配線パターンは導体パッドとして使用され、例えば、銅などの金属ペーストを印刷及び焼き付けすることによって形成される。また、セラミックの焼結体からなる絶縁層には複数の貫通孔が穿設され、タングステン又はモリブデンなどの高融点金属が充填されて、いわゆるビアが形成される。そして、これらの高融点金属はビアの開口部において上記導体配線パターンに接合されている。
ところが、銅ペーストの印刷・焼き付け等によって形成される導体パッドとタングステン又はモリブデンなどの高融点金属との相性が悪いため、両者の間に空隙が発生し、この部分で導体パッドの剥離が生じるという課題があった。そこで、このような課題を解決すべく、従来、様々な研究や開発が行われており、それに関して既に幾つかの発明や考案が開示されている。

例えば、特許文献１には、「セラミック多層配線基板の製造方法」という名称で、タングステン等の高融点金属を主成分とする導体層と銅を主成分とする導体層との間で剥離が生じ難いセラミック多層配線基板の製造方法に関する発明が開示されている。
特許文献１に開示された発明は、高融点金属を主成分とするメタライズペーストを還元雰囲気中で焼成することにより形成した導体層に、ニッケル、コバルトあるいは銅からなる厚さ０．２〜５ミクロンのメッキを施すとともに還元雰囲気中で熱処理し、このメッキ層の表面に銅を主成分とするメタライズペーストからなる印刷層を直接形成した後、中性雰囲気で焼成して銅を主成分とする導体層を形成することを特徴とするものである。
このような方法によれば、タングステンやモリブデン等との濡れ性が良く、電気抵抗が小さい金属からなるメッキ層が高融点金属を主成分とする導体層と銅を主成分とする導体層との間の接着強度を向上させるという作用を有する。これにより、電極が剥離し難いセラミック多層配線基板を安価に製造することができる。

特許文献２には、「セラミック基板の電極形成方法」という名称で、タングステン等の高温焼結した導体と厚膜銅導体を信頼性良く接続した電極をセラミック基板上に形成する方法に関する発明が開示されている。
特許文献２に開示された発明は、タングステンやモリブデン、マンガン等の高温焼結導体上にニッケルメッキ、銅メッキを順に施し、その上に厚膜銅導体を焼成して電極を形成するものである。
このような方法によれば、ニッケルメッキ及び銅メッキがタングステン等の高温焼結した導体に対する厚膜銅導体の密着強度を高めるように作用する。その結果、電極の剥離が生じ難くなり、セラミック基板の信頼性が向上する。

特公昭６３−４２８７９号公報 特開昭６１−２３６１９２号公報

しかしながら、上述の従来技術である特許文献１に開示された発明において、例えば、高融点金属を主成分とする導体層にニッケルメッキを施した場合、銅を主成分とする導体層の形成温度や半導体素子の実装温度によっては、導体層を形成する銅とニッケルメッキが反応して体積収縮を起こしたり、ニッケルメッキ中の水素が発生したりするなどして高融点金属の導体層と銅の導体層の間に空隙や亀裂が発生するおそれがある。また、高融点金属を主成分とする導体層に銅メッキを施した場合、いわゆるアンカー効果によって気密性は向上するものの、十分な密着強度が得られないという課題があった。

また、特許文献２に開示された発明においては、ニッケルメッキと銅メッキの間の密着強度が不十分なため、ニッケルメッキから銅メッキが剥離するおそれがある。

本発明はかかる従来の事情に対処してなされたものであり、ビアの開口部から露出する高融点金属からなる導体層に対して銅を主成分とする導体パッドの密着強度を高め、導体パッドの剥離に伴う導通不良等のトラブルが発生し難い信頼性の高いセラミック多層配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、電子部品を表面に実装するセラミック多層配線基板において、セラミックを主成分とする複数の絶縁層と、この絶縁層に穿設される貫通孔に高融点金属が充填されて形成されるビアと、複数の絶縁層の間に形成されるとともにビアによって互いに電気的に接続される高融点金属を主成分とする導体層と、絶縁層の最外表面に露出するビアの開口部を覆うように形成される銅とニッケルの固溶体と、この固溶体を覆うように絶縁層の最外表面に形成される銅を主成分とする導体パッドとを備えることを特徴とするものである。
上記構成のセラミック多層配線基板においては、固溶体がニッケル及び銅の特性に起因して、ビアの開口部から露出する導体層及び導体パッドに対してそれぞれ高い密着強度を示すという作用を有する。すなわち、固溶体はビアの開口部から露出する導体層に対する導体パッドの密着強度を高めるように作用する。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１記載のセラミック多層配線基板において、固溶体はビアの開口部に近い側から順に被着されたニッケルメッキ層と銅メッキ層を熱処理して形成されることを特徴とするものである。
このような構成のセラミック多層配線基板においては、固溶体を形成する過程で銅メッキ層が高融点金属と直接反応することがないため、高融点金属に対する固溶体の密着強度が低下し難いという作用を有する。また、ニッケルメッキ層が導体パッドを形成する銅と直接反応するおそれがないため、体積収縮による空隙は発生しない。

請求項３に記載の発明は、請求項２記載のセラミック多層配線基板において、ニッケルメッキ層及び銅メッキ層の厚さは、それぞれ０．０３〜０．５μｍ及び０．６〜４μｍであることを特徴とするものである。
このような構成のセラミック多層配線基板においては、ニッケルメッキ層が薄く、メッキ被膜形成時にニッケルメッキ層に取り込まれた水素が熱処理で容易に除去されるため、空隙が生じるという不良が発生し難いという作用を有する。

請求項４に記載の発明であるセラミック多層配線基板の製造方法は、貫通孔を有する複数枚のセラミックグリーンシートの表面にそれぞれ高融点金属を主成分とする導体ペーストを印刷するとともに貫通孔内に導体ペーストを充填する工程と、セラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、この積層体を還元性雰囲気中で焼成してセラミックからなる複数の絶縁層を形成し、高融点金属からなる導体層を絶縁層の間に形成するとともに貫通孔の内部に形成してビアとする工程と、このビアの開口部を覆うように絶縁層の最外表面にニッケルメッキ層を形成する工程と、このニッケルメッキ層が被着された積層体を還元性雰囲気中、５００〜１０００℃の温度条件で加熱する第一の熱処理工程と、ニッケルメッキ層の表面に銅メッキ層を形成する工程と、この銅メッキ層及びニッケルメッキ層を還元性雰囲気中、５００〜１０００℃の温度条件で加熱して固溶体を形成する第二の熱処理工程と、この固溶体を覆うように絶縁層の最外表面に銅ペーストを印刷する工程と、この銅ペーストを焼成して導体パッドを形成する工程とを備えることを特徴とするものである。
このようなセラミック多層配線基板の製造方法によれば、第一の熱処理工程によってビアの開口部から露出する高融点金属に対するニッケルメッキ層の密着強度が向上するという作用を有する。また、第二の熱処理工程によってニッケルと銅の固溶体が容易かつ安価に形成されるという作用を有する。そして、この固溶体はビアの開口部から露出する高融点金属に対して導体パッドの密着強度を高めるように作用する。

請求項５に記載の発明は、請求項４記載のセラミック多層配線基板の製造方法において、ニッケルメッキ層及び銅メッキ層は、それぞれ０．０３〜０．５μｍ及び０．６〜４μｍの厚さに形成されることを特徴とするものである。
このようなセラミック多層配線基板の製造方法によれば、ニッケルメッキ層の熱処理によって容易に水素を除去することができ、固溶体形成時の空隙発生を防止することができる。

本発明の請求項１に記載のセラミック多層配線基板においては、導体パッドが剥離し難くなり、製品の信頼性が高まる。

また、本発明の請求項２に記載のセラミック多層配線基板においては、固溶体の作用が請求項１に記載の発明に比べてさらに確実に発揮されるため、製品の信頼性がより一層高められるという効果を奏する。

本発明の請求項３に記載のセラミック多層配線基板においては、固溶体に空隙や亀裂が生じ難いため、請求項２記載の発明による効果がより一層発揮される。

本発明の請求項４に記載のセラミック多層配線基板の製造方法によれば、セラミックの焼結体からなる絶縁層に対する導体パッドの接合をビア外表面との密着強度を向上させながら強固にすることができる。これにより、導体パッドの剥離による不良を防止して製品の品質を向上させることが可能となる。

本発明の請求項５に記載のセラミック多層配線基板の製造方法によれば、固溶体に空隙や亀裂が生じ難いため、導体パッドの剥離を請求項４に記載された発明よりもさらに確実に防止することができる。また、請求項１乃至請求項３に記載されたセラミック多層配線基板を安価に製造することが可能である。

以下に、本発明の最良の実施の形態に係るセラミック多層配線基板とその製造方法の実施例について図１乃至図３を用いて説明する。

本実施例のセラミック多層配線基板について図１を用いて説明する。
図１（ａ）は本実施例のセラミック多層配線基板の構造を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は同図（ａ）の部分拡大図である。
図１（ａ）に示すように、セラミック多層配線基板１は積層セラミック基板２の両面に導体パッド３，４が形成され、その上面に半導体素子５などの電子部品が搭載される構造となっている。積層セラミック基板２はセラミックを主成分とする絶縁層６と、タングステン又はモリブデンなどの高融点金属を主成分とする導体層７が交互に積層された構造となっている。また、絶縁層６には貫通孔が穿設され、貫通孔の内部にはタングステン又はモリブデンなどの高融点金属が充填された後、焼成されることにより内部に導体層７を有する、いわゆるビア８が形成されている。
各絶縁層６の表面にそれぞれ形成される各導体層７の間及びこの導体層７と導体パッド３あるいは導体パッド４との間は、ビア８を形成する導体層７によって互いに電気的に接続されている。また、半導体素子５は導体パッド３に対して、ＡｕＳｎ、半田、異方性フィルム又は金バンプなどから形成される接続用バンプ１０などの接合材を介して実装されている。すなわち、半導体素子５は接続用バンプ１０と導体パッド３と導体層７を介して導体パッド４に対して電気的に接続されている。

図１（ｂ）に示すように、積層セラミック基板２の表面に露出するビア８の開口部９はニッケルと銅からなる固溶体１１によって覆われ、固溶体１１の表面は導体パッド３，４で覆われている。すなわち、ビア８の導体層７を形成する高融点金属と導体パッド３，４とはニッケルと銅からなる固溶体１１を介して接合されている。

一般に、タングステン又はモリブデンは銅に対する密着強度が弱いため、銅からなる導体パッド３，４との間の密着強度が低くなっている。しかしながら、固溶体１１はニッケル及び銅の特性をそれぞれ有しているため、上記構造のセラミック多層配線基板１においては、例えば、導体パッド３，４を銅ペーストの印刷・焼成によって形成した場合には、ニッケルの特性に起因してビア８の開口部９から露出する導体層７に対する固溶体１１の密着強度が高くなり、銅の特性に起因して導体パッド３，４に対する固溶体１１の密着強度が高くなる。すなわち、固溶体１１はビア８の開口部９から露出する導体層７に対する導体パッド３，４の密着強度を高めるように作用する。なお、銅は熱伝導率の高い材料であるため、上述のように形成される導体パッド３，４によって放熱性が高められるという作用を有する。また、この場合、高価な金属等と高価な設備や装置を用いた薄膜法や蒸着法によって半導体素子５を実装する導体パッド３，４を形成する従来の方法に比べて、セラミック多層配線基板１を安価なものとすることができる。そして、本実施例のセラミック多層配線基板１では、積層セラミック基板２が多層構造であることから、内層配線が可能であり、配線設計をする際の自由度が高まるという作用を有する。さらに、セラミック多層配線基板１はセラミックが主成分であるため、合成樹脂製の基板に比べて耐光性及び放熱性に優れている。

以上説明したように、本実施例のセラミック多層配線基板１においては、導体パッド３，４を積層セラミック基板２に対して十分な強度で接合することができる。特に、後述するように所定の厚さに形成したニッケルメッキ層と銅メッキ層の熱処理によって固溶体１１を形成した場合、メッキ被膜形成時にニッケルメッキ層に取り込まれた水素が熱処理で容易に除去されるため、空隙が生じるという不良が発生し難く、積層セラミック基板２に対する導体パッド３，４の密着強度を高めるという固溶体１１の作用が確実に発揮される。従って、導体パッド３，４はより一層剥離し難くなり、製品の信頼性がさらに高まる。また、銅ペーストの印刷・焼成によって導体パッド３，４を形成した場合には、半導体素子５からの発熱を導体パッド３，４から効率よく逃がすことができる。これにより、温度上昇に伴う半導体素子５の故障を防止することが可能となる。すなわち、本実施例のセラミック多層配線基板１によれば、高品質の製品を製造することが可能である。

次に、本実施例のセラミック多層配線基板１の製造方法について図３を適宜参照しながら図２を用いて説明する。
図２は本発明の実施の形態に係るセラミック多層配線基板１の製造手順を示す工程図であり、図３（ａ）乃至（ｄ）は本実施例の製造方法を説明するためのセラミック多層配線基板１の縦断面を模式的に示した部分拡大図である。なお、図１に示した構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。
図２に示すように、ステップＳ１では、例えば、以下に示すような手順で積層セラミック基板２を成形する。すなわち、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）の粉末に焼結助剤としてシリカ（ＳｉＯ_２）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）などの粉末を添加・調整した原料粉末にポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等の有機バインダとエタノール（Ｃ_２Ｈ_５ＯＨ）等の分散剤とジオクチフタレート等の可塑剤を加えた後、ボールミル等を用いて混合してスラリー化する。次に、このスラリーをドクターブレード法等によってシート状に成形（以下、グリーンシートという。）した後、所定の箇所に打ち抜き金型やＮＣパンチングマシン等を用いて位置決め孔やビア８用の貫通孔を穿設する。
ステップＳ２では、この貫通孔の内部にスクリーン印刷によってタングステンやモリブデン等の高融点金属粉末の導体性ペーストを充填するとともに、グリーンシートの表面に導体層７を形成する。そして、導体層７が形成された複数枚のグリーンシートをステップＳ３において重ね合わせるとともに、加熱及び加圧を行って一体化する。このようにして一体化されたグリーンシートの積層体を高温焼成炉内に入れて、窒素及び水素の還元性雰囲気中で加熱して有機バインダや分散剤を除去した後、焼結させる。これにより、導体層７が絶縁層６の上面や内層に焼き付けられて図３（ａ）に示すような積層セラミック基板２が形成される。

ステップＳ４において、積層セラミック基板２に対してニッケルメッキ処理を施して、ビア８の開口部９を覆うように厚さ０．０３〜０．５μｍのニッケルメッキ層１２を形成する（図３（ｂ）参照）。その後、ステップＳ５において、積層セラミック基板２を還元雰囲気中、５００〜１０００℃の温度条件で加熱する。これにより、ビア８の開口部９から露出する導体層７とニッケルメッキ層１２の界面にニッケルとタングステンあるいはニッケルとモリブデン等の化合物が形成され、導体層７とニッケルメッキ層１２の密着強度が向上する。
次に、ステップＳ６において、ニッケルメッキ層１２の表面に銅メッキ処理を施して図３（ｃ）に示すように厚さ０．６〜４μｍの銅メッキ層１３を形成する。その後、ステップＳ７において、積層セラミック基板２を還元雰囲気中、５００〜１０００℃の温度条件で加熱する。これにより、ニッケルと銅の固溶体１１が形成される。
ステップＳ８では、次のような手順で積層セラミック基板２の表面に銅ペーストの印刷・焼成を行って、導体層１４を形成する（図３（ｄ）参照）。まず、積層セラミック基板２の表面にステンレスメッシュを用いたベタ印刷によって銅ペーストを１０〜３０μｍの厚さで一回乃至複数回塗布する。そして、積層セラミック基板２を１００℃程度で加熱して、銅ペーストの塗布面を乾燥させる。次に、銅ペーストを塗布した積層セラミック基板２を２２０℃程度の大気中で加熱した後、窒素又はアルゴンの雰囲気中、９００℃の温度条件で加熱する。ステップＳ８では積層セラミック基板２の表面に形成された導体層１４の表面をバフ研磨によって平滑化すると良い。この研磨処理によって銅表面の凸凹が無くなり、導体層１４の表層部が平坦化される。

さらに、ステップＳ９及びステップＳ１０で導体層１４に導体配線パターンを形成する。まず、ステップＳ９において導体層１４にレジスト膜（図示せず）をスピンコート法によって塗布する。そして、フォトリソ手法を用いて、このレジスト膜にフォトマスク（図示せず）を接触させて露光し、所定のパターンに現像する。なお、レジスト膜の塗布に際しては、スピンコート法に限らず、ロールコート法なども用いることができる。また、レジスト膜への露光もコンタクト方式以外に、例えば、プロキシミティ方式などを採用しても良い。次に、ステップＳ１０において導体層１４に対してエッチングを行う。具体的には、塩化第２鉄あるいは塩化第２銅等を主成分とするエッチング液を用いて導体層１４をエッチングする。これにより、レジスト膜が形成されていない部分の導体層１４が除去される。さらに、導体層１４上のレジスト膜を剥離液によって除去する。その結果、導体層１４は所定の導体配線パターンが形成されて、導体パッド３，４となる。

次に、ステップＳ５及びステップＳ７において５通りの温度条件で熱処理を行い、製造したサンプルについて導体パッド３，４とビア８間の密着強度、固溶体１１の形成の有無及び導体パッド３，４間の導通性について調べたので、その結果を表１に示す。なお、導体パッド３，４の密着強度については、各サンプルの導体パッド３，４に対してそれぞれ所定の引張力を加えて剥離状態を調べた。そして、導体パッド３，４がいずれも剥離しない場合を○で表し、いずれか一方が剥離した場合を△で表した。また、固溶体１１の形成の有無については走査電子顕微鏡を用いて撮像した導体パッド３,４の断面写真によって確認した。さらに、市販のテスターを用いて導体パッド３と導体パッド４の間の電気抵抗値が所望の値を満足しているか否かによって導通性を判断した。

表１より、図２のステップＳ５及びステップＳ７の熱処理の温度が５００℃よりも低い場合には温度が低くて固溶体化が進行せず、１０００℃より高い場合には逆に液体化するため、形状維持が不可能となって、導体パッド３，４とビア８間の密着強度が低くなることが分かる。すなわち、図２のステップＳ５及びステップＳ７の熱処理の温度条件は５００〜１０００℃の範囲内であることが望ましい。

本実施例のセラミック多層配線基板１の製造方法によれば、ステップＳ５の熱処理工程においてビア８の開口部９から露出する導体層７に対するニッケルメッキ層１２の密着強度が高められる。そして、ニッケルメッキ層１２と銅メッキ層１３を固溶体化することで、ビア８の開口部９から露出する導体層７に対する導体パッド３，４の密着強度が高められる。すなわち、セラミックの焼結体からなる絶縁層６に対する導体パッド３，４の接合をビア８の外表面との密着強度を向上させながら強固にすることができる。加えて、メッキ処理に要する費用が削減される。また、積層セラミック基板２の材質がアルミナであるため、ビア８用の貫通孔を穿設する際にレーザー加工等の高価なプロセスを必要としない。

以上説明したように、本実施例の製造方法によれば、ニッケルメッキ層の熱処理によって容易に水素を除去することができ、固溶体形成時の空隙発生を防止することができるため、固溶体１１に空隙や亀裂が生じ難い。その結果、セラミックの焼結体からなる絶縁層６に対して導体パッド３，４が強固に接合される。これにより、製品の品質が向上する。そして、固溶体化という安価な方法で密着強度を高められることから、セラミック多層配線基板１の製造コストを削減できる。また、積層セラミック基板２を使用することで、耐光性に優れ、微細配線が可能なセラミック多層配線基板１を容易に製造できる。

本発明のセラミック多層配線基板１の材質は上記実施例に示すものに限定されるものではない。例えば、絶縁層６としてアルミナよりも放熱性に優れた窒化アルミニウムを使用しても良い。また、図２のステップＳ４及びステップＳ６は、電解メッキ及び無電解メッキのいずれの方法で行っても良い。さらに、導体パッド３，４及びビア８の個数や配置及び導体層７の形成パターンについては、図１又は図３に示す場合に限定されるものではなく、適宜変更可能である。なお、ニッケルメッキ層１２及び銅メッキ層１３については、以下の理由から本実施例に示した厚さとすることが望ましい。すなわち、ニッケルメッキ層１２の厚さが０．０３μｍに満たないか、銅メッキ層１３の厚さが０．６μｍに満たない場合には、ビア８の開口部９から露出する導体層７に対する導体パッド３，４の密着強度を向上させるという固溶体１１の作用が十分に発揮されないおそれがある。また、析出時にニッケルメッキ層１２に取り込まれた水素の発生に伴って生じる空隙の大きさは、ニッケルメッキ層１２が厚いほど大きくなるため、ニッケルメッキ層１２の厚さは０．５μｍ以下であることが望ましい。さらに、銅メッキ層１３が厚くなると、温度変化に伴う膨張や収縮によって亀裂が生じ易くなることから、銅メッキ層１３の厚さは４μｍ以下であることが望ましい。

本発明の請求項１乃至請求項５に記載された発明は、タングステンやモリブデン等の高融点金属に対して銅を主成分とする導体層を接合する場合に適用可能である。

（ａ）は本実施例のセラミック多層配線基板の構造を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は同図（ａ）の部分拡大図である。 本発明の実施の形態に係るセラミック多層配線基板の製造手順を示す工程図である。 （ａ）乃至（ｄ）は本実施例の製造方法を説明するためのセラミック多層配線基板１の縦断面を模式的に示した部分拡大図である。

符号の説明

１...セラミック多層配線基板 ２...積層セラミック基板 ３，４...導体パッド ５...半導体素子 ６...絶縁層 ７...導体層 ８...ビア ９...開口部 １０...接続用バンプ １１...固溶体 １２...ニッケルメッキ層 １３...銅メッキ層 １４...導体層

Claims (5)

1. 電子部品を表面に実装するセラミック多層配線基板において、セラミックを主成分とする複数の絶縁層と、この絶縁層に穿設される貫通孔に高融点金属が充填されて形成されるビアと、前記複数の絶縁層の間に形成されるとともに前記ビアによって互いに電気的に接続される高融点金属を主成分とする導体層と、前記絶縁層の最外表面に露出する前記ビアの開口部を覆うように形成される銅とニッケルの固溶体と、この固溶体を覆うように前記絶縁層の最外表面に形成される銅を主成分とする導体パッドとを備えることを特徴とするセラミック多層配線基板。
2. 前記固溶体は前記ビアの開口部に近い側から順に被着されたニッケルメッキ層と銅メッキ層を熱処理して形成されることを特徴とする請求項１記載のセラミック多層配線基板。
3. 前記ニッケルメッキ層及び前記銅メッキ層の厚さは、それぞれ０．０３〜０．５μｍ及び０．６〜４μｍであることを特徴とする請求項２記載のセラミック多層配線基板。
4. 貫通孔を有する複数枚のセラミックグリーンシートの表面にそれぞれ高融点金属を主成分とする導体ペーストを印刷するとともに前記貫通孔内に前記導体ペーストを充填する工程と、前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、この積層体を還元性雰囲気中で焼成してセラミックからなる複数の絶縁層を形成し、前記高融点金属からなる導体層を前記絶縁層の間に形成するとともに前記貫通孔の内部に形成してビアとする工程と、このビアの開口部を覆うように前記絶縁層の最外表面にニッケルメッキ層を形成する工程と、このニッケルメッキ層が被着された前記積層体を還元性雰囲気中、５００〜１０００℃の温度条件で加熱する第一の熱処理工程と、前記ニッケルメッキ層の表面に銅メッキ層を形成する工程と、この銅メッキ層及び前記ニッケルメッキ層を還元性雰囲気中、５００〜１０００℃の温度条件で加熱して固溶体を形成する第二の熱処理工程と、この固溶体を覆うように前記絶縁層の最外表面に銅ペーストを印刷する工程と、この銅ペーストを焼成して導体パッドを形成する工程とを備えることを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。
5. 前記ニッケルメッキ層及び前記銅メッキ層は、それぞれ０．０３〜０．５μｍ及び０．６〜４μｍの厚さに形成されることを特徴とする請求項４記載のセラミック多層配線基板の製造方法。