JP2009076528A - 有機el装置及び電子機器 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 234
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 52
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 38
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 9
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 claims description 8
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 8
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】陽極層21及び陰極層22と、陽極層21及び陰極層22の間に配置された赤色発光層44、青色発光層46及び緑色発光層47と、陽極層21及び赤色発光層44の間に配置された正孔輸送層42と、赤色発光層44及び正孔輸送層42の間に配置された保護層43とを備え、保護層43が、正孔輸送性を有する第1材料と、電子輸送性と正孔輸送性を有している第2材料とを含有する。
【選択図】図4
Description
ここで、白色有機EL素子の高効率化及び白色発光の調節を目的として、隣り合う2つの発光層の間に正孔及び電子の少なくとも一方の移動の移動を規制する中間層を設ける方法が提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。このように2つの発光層の間に中間層を配置することで発光密度を均一化し、RGB発光のバランスが調節された白色発光を実現している。
なお、正孔輸送層から発光層に向かう正孔は、保護層が正孔輸送性を有していることから、発光層に向けて輸送される。したがって、正孔輸送層から発光層に向かう正孔の輸送性は維持される。また、第2材料が電子輸送性を有することで、保護層と隣接する発光層との界面において滞留する電子の一部を保護層内に移動させて正孔と再結合させることができる。これにより、保護層と隣接する発光層との界面において電子が過剰に滞留することを抑制できる。
この発明では、隣り合う2つの発光層間に中間層を設けて正孔及び電子の再結合により生成した励起子が発光層間を移動しにくくすることで、各発光層における発光輝度を調整できる。ここで、あらかじめ中間層により複数の発光層それぞれにおける発光輝度を調整していた場合であっても、正孔輸送層と発光層との間に保護層を配置することで、調整された各発光層における発光輝度を変更することなく有機EL装置全体の長寿命化が図れる。
この発明では、中間層が保護層と同一材料を用いて形成されることで、製造が容易になる。
この発明では、保護層を形成する第2材料としてアセン系材料を用いることで、この励起状態に対する耐性も改善することができる。すなわち、保護層内でも赤色発光層から侵入した電子と正孔が再結合し励起状態を形成する。そのため、保護層を形成する第2材料としてアセン系材料を用いることで、有機EL素子のさらなる長寿命化を図ることができる。
この発明では、第2材料の含有量を10重量%以上90重量%以下とすることで、保護層における電子と正孔との再結合による劣化の抑制と、正孔輸送性の維持とが図れる。
この発明では、保護層の層厚を1nm以上とすることで正孔輸送層の劣化を十分に抑制できると共に、100nm以下とすることで発光層に向かう正孔の輸送性を維持できる。
この発明では、上述と同様に、中間層の劣化を抑制して有機EL装置全体の長寿命化が図れる。
以下、本発明における有機EL装置の一実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図1は有機EL装置を示す概略構成図、図2は図1の等価回路図、図3は画素領域における構成を示す概略断面図、図4は有機機能層を示す概略断面図である。
TFT素子24は、ゲートが走査線13に接続されて、ソースがデータ線12に接続され、ドレインがTFT素子25及び保持容量26に接続されている。また、TFT素子24は、走査線13を介して走査線駆動回路17から供給された走査信号に応じて、データ線12を介してデータ線駆動回路16から供給されたデータ信号を保持容量26に供給する構成となっている。
TFT素子25は、ゲートがTFT素子24のドレインに接続され、ソースが電源線14に接続され、ドレインが陽極層21に接続されている。そして、TFT素子25は、保持容量26で保持されたデータ信号に応じてオン・オフ状態が決定され、電源線14を介して供給される駆動電流を陽極層21に供給する構成となっている。
データ線12、走査線13及び電源線14は、実表示領域15内において格子状に配置されている。そして、データ線12はデータ線駆動回路16に接続され、走査線13は走査線駆動回路17に接続されている。
基板2は、図3に示すように、例えばガラスなどの透光性材料で構成された基板本体31と、基板本体31上に積層されたゲート絶縁膜32、第1及び第2層間絶縁膜33、34、陽極層21、有機機能層23、陰極層22及び陰極保護膜35とを備えている。また、基板2は、基板本体31上に形成された半導体層36と、ゲート絶縁膜32上に形成されたゲート電極37と、第1層間絶縁膜33上に形成されたソース電極38及びドレイン電極39とを備えている。
第1層間絶縁膜33は、例えばSiO2などの絶縁材料で形成されており、ゲート絶縁膜32上に形成されたゲート電極37を被覆している。
第2層間絶縁膜34は、アクリル系やポリイミド系などの耐熱性絶縁性樹脂材料で形成されており、第1層間絶縁膜33上に形成されたソース電極38及びドレイン電極39を被覆すると共に、上面を平坦化している。また、第2層間絶縁膜34上には、各画素領域11を区画する隔壁40が設けられている。
有機機能層23は、図4に示すように、陽極層21上に順に積層された正孔注入層41、正孔輸送層42、保護層43、赤色発光層(発光層)44、中間層45、青色発光層(発光層)46、緑色発光層(発光層)47及び電子輸送層48を備えている。
正孔輸送層42は、正孔注入層41から注入された正孔を赤色発光層44に向けて輸送する機能を有している。ここで、正孔輸送層42を構成する正孔輸送材料としては、例えばHT320(出光興産株式会社製)などが挙げられる。
第1材料としては、α−NPD(α−ナフチルジアミン)などのアミン系化合物材料が挙げられる。ここで、アミン系化合物材料とは、トリフェニルアミン構造を有し、アルキル基がベンゼン環の形状を有する化合物材料を示す。
また、第2材料としては、ADN(9、10−ジ(2−ナフチル)アントラセン)などのアセン系化合物材料が挙げられる。ここで、アセン系化合物材料とは、ポリアセン、具体的にはアントラセンやテトラセン、ペンタセンなどの誘導体を示す。
ここで、第1材料の第1及び第2材料に対する混合比は、例えば50重量%であって10重量%以上90重量%以下の範囲内となっている。また、保護層43の膜厚は、例えば5nmであって1nm以上100nm以下の範囲内となっている。
電子輸送層48は、陰極層22から供給された電子を緑色発光層47に向けて輸送する機能を有している。ここで、電子輸送層48を構成する電子輸送材料としては、例えばAlq3(トリス(8−キノリノール)アルミニウム))などが挙げられる。
陰極保護膜35は、図3に示すように、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコン窒酸化物などのシリコン化合物のような無機化合物で形成されており、製造工程において陰極層22が腐食することを防止する。
ソース電極38は、電源線14に接続されている。また、ドレイン電極39は、TFT素子24のドレイン及び保持容量26に接続されている。これら半導体層36、ゲート電極37、ソース電極38及びドレイン電極39により、TFT素子25が形成される。
カラーフィルタ層53は、画素領域11に対応して配置されており、例えばアクリルなどで形成されて各画素領域11の表示色に対応する色材を含有している。
遮光層54は、各画素領域11の縁部に対応して配置されており、各画素領域11を縁取っている。
なお、基板本体52の内面側に凹部を設け、この凹部に水や酸素を吸収するゲッター剤(例えば、CaO、BaOなど)を配置してもよい。
また、赤色発光層44に到達した電子は、保護層43との界面において滞留する。そして、滞留する電子の一部が、保護層43内に移動する。一方、保護層43内には、正孔輸送層42から正孔が供給される。そして、保護層43内において電子と正孔が再結合する。このとき、保護層43に正孔輸送性材料であるα−NPDより電子耐性に優れ、かつ電子と正孔の再結合により生ずる励起子に対する耐性が高いADNが混合されているため、保護層43が劣化しにくくなる。これにより、正孔輸送層42において電子及び正孔の再結合による劣化が抑制される。
以上のような構成の有機EL装置1は、例えば図5に示すような携帯電話機(電子機器)100の表示部101として用いられる。この携帯電話機100は、表示部101、複数の操作ボタン102、受話口103、送話口104及び上記表示部101を有する本体部を備えている。
このとき、保護層43が正孔輸送性を有していることから、正孔輸送層42から赤色発光層44に向かう正孔の輸送性が維持される。また、第2材料が電子輸送性を有することで、保護層42と赤色発光層44との界面において滞留する電子の一部を保護層42内に移動させて正孔と再結合させ、保護層42と赤色発光層44との界面において電子が過剰に滞留することを抑制できる。
また、赤色発光層44と青色発光層46との間に中間層45を配置することで、赤色発光層44、青色発光層46及び緑色発光層47それぞれにおける発光輝度を調整できる。
そして、保護層43と中間層45とを同一材料で形成することで、有機EL装置1の製造工程を簡略化できる。
また、保護層43の層厚を5nmとすることで、正孔輸送層42の劣化を十分に抑制できると共に、赤色発光層44に対する正孔の輸送性を維持できる。
ここで、実施例1〜3及び比較例1それぞれにおける有機EL装置は、正孔注入層の層厚を20nm、正孔輸送層の層厚を20nm、赤色発光層の層厚を5nm、中間層の層厚を5nm、青色発光層の層厚を15nm、緑色発光層の層厚を15nm、電子輸送層の層厚を20nm、陰極層を構成するLiF膜の膜厚を1nm、陰極層を構成するAl膜の膜厚を150nmとしている。また、実施例1、2における保護層の層厚は5nm、実施例3における保護層の層厚は10nmとなっている。
そして、実施例1の保護層における第1材料であるα−NPDと第2材料であるADNとの混合比は重量比で50:50、実施例2、3の保護層におけるα−NPDとADNとの混合比は重量比で70:30となっている。また、実施例1〜3及び比較例の中間層におけるα−NPDとADNとの混合比は重量比で50:50となっている。
なお、表1において、発光効率の測定時における電流密度は、10mA/cm2となっている。そして、有機EL素子の寿命は、輝度が80%まで低下したときまでの時間を測定している。このとき、有機EL素子における電流密度は、100mA/cm2となっている。また、発光効率と有機EL素子の寿命とは、それぞれ比較例1における測定値を基準とした値を示している。
例えば、保護層の層厚は、1nm以上100nm以下に限られない。
また、保護層は、α−NPDとADNとを混合した構成となっているが、他のアミン系化合物材料とアセン系化合物材料とを混合した構成など、他の正孔輸送性材料と正孔輸送性と電子輸送性をもつ材料とを混合した構成としてもよい。
そして、保護層におけるADNの含有量は、10重量%以上90重量%以下に限られない。
そして、赤色発光層と青色発光層との間に中間層を配置しているが、他の隣り合う2つの発光層の間に中間層を配置してもよく、中間層を配置しなくてもよい。
そして、有機機能層は、陽極層側から赤色発光層、青色発光及び緑色発光層の順に積層した構成となっているが、例えば赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の順など、他の順番で積層してもよい。また、有機機能層は、赤色、青色及び緑色の光を発光する発光層を組み合わせた構成となっているが、他の波長の光を発光する発光層を複数組み合わせた構成としてもよい。
そして、有機EL装置は、基板の上面側から光を射出するトップエミッション構造となっているが、基板の下面側から光を射出するボトムエミッション構造であってもよい。
Claims (7)
- 陽極及び陰極と、該陽極及び陰極の間に配置された発光層と、前記陽極及び前記発光層の間に配置された正孔輸送層と、前記発光層及び前記正孔輸送層の間に配置された保護層とを備え、
該保護層が、正孔輸送性を有する第1材料と、電子輸送性と正孔輸送性を有している第2材料とを含有することを特徴とする有機EL装置。 - 前記陽極及び前記陰極の間に複数の発光層が配置され、
該複数の発光層のうち隣り合う2つの発光層の間に中間層が配置されており、
該中間層が、正孔輸送性及び電子輸送性を有すると共に、最低非占有分子軌道のエネルギー準位が前記隣り合う2つの発光層よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。 - 前記中間層が、前記第1及び第2材料からなることを特徴とする請求項2に記載の有機EL装置。
- 前記第1材料が、アミン系化合物材料であり、
前記第2材料が、アセン系化合物材料であることを特徴とする請求項3に記載の有機EL装置。 - 前記第2材料の前記保護層に対する含有量が、10重量%以上90重量%以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の有機EL装置。
- 前記保護層の層厚が、1nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の有機EL装置。
- 請求項1から6のいずれか1項に記載の有機EL装置を備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007241900A JP5104152B2 (ja) | 2007-09-19 | 2007-09-19 | 有機el装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007241900A JP5104152B2 (ja) | 2007-09-19 | 2007-09-19 | 有機el装置及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009076528A true JP2009076528A (ja) | 2009-04-09 |
JP5104152B2 JP5104152B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=40611259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007241900A Expired - Fee Related JP5104152B2 (ja) | 2007-09-19 | 2007-09-19 | 有機el装置及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5104152B2 (ja) |
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---|---|
JP5104152B2 (ja) | 2012-12-19 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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