KR101469486B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101469486B1 KR101469486B1 KR1020120097905A KR20120097905A KR101469486B1 KR 101469486 B1 KR101469486 B1 KR 101469486B1 KR 1020120097905 A KR1020120097905 A KR 1020120097905A KR 20120097905 A KR20120097905 A KR 20120097905A KR 101469486 B1 KR101469486 B1 KR 101469486B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- host
- light emitting
- organic light
- glass transition
- transition temperature
- Prior art date
Links
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 51
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 69
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-2H-quinoline Chemical compound C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJRJXFPRMUZBHQ-UHFFFAOYSA-N [Ir].C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 Chemical compound [Ir].C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 PJRJXFPRMUZBHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNFKULVICVDFQH-UHFFFAOYSA-N [Sn+4].[O-2].[Zn+2].[Sn+2]=O.[In+3] Chemical compound [Sn+4].[O-2].[Zn+2].[Sn+2]=O.[In+3] PNFKULVICVDFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUFDZNVMARBLOJ-UHFFFAOYSA-K aluminum;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Al+3].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IUFDZNVMARBLOJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- -1 metal complex compound Chemical class 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/346—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising platinum
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 열에 의한 신뢰성이 향상된 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀이 정의된 기판; 및 상기 기판 상에 차례로 형성된 제 1 전극, 상기 적색 서브 픽셀에 대응되는 영역에 적색 도펀트를 포함하는 적색 유기 발광층, 상기 청색 서브 픽셀에 대응되는 영역에 청색 도펀트를 포함하는 청색 유기 발광층, 상기 녹색 서브 픽셀에 대응되는 영역에 녹색 도펀트를 포함하는 녹색 유기 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 소자를 포함하며, 상기 적색, 청색 및 녹색 유기 발광층 중 적어도 하나의 유기 발광층은 제 1 유리전이온도를 갖는 제 1 호스트와 상기 제 1 유리전이온도보다 높은 제 2 유리전이온도를 갖는 제 2 호스트를 포함하며, 상기 제 1, 제 2 호스트를 포함하는 상기 유기 발광층은 상기 제 1 호스트와 제 2 호스트가 서로 엉켜 상기 제 1 유리전이온도보다 높은 유리전이온도를 갖는다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 열에 대한 신뢰성이 향상된 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
다양한 정보를 화면으로 구현하는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로, 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 공간성, 편리성의 추구로 구부릴 수 있는 플렉시블 디스플레이가 요구되면서 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하는 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Device; OLED)가 근래에 각광받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 박막화가 가능하며 플라스틱 같이 휠 수 있는(Flexible) 기판 위에도 소자를 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)이나 무기 EL(Electro Luminance) 디스플레이에 비해 낮은 전압에서(약 10V 이하) 구동이 가능하여 전력 소모가 비교적 적다. 또한, 경량성 및 색감에 있어 우수한 특성을 가져, 많은 사람들의 관심의 대상이 되고 있다.
특히, 유기 발광 표시 장치는 능동형 매트릭스 OLED(Active Matrix OLED)와 수동형 매트릭스 OLED(Passive Matrix OLED)로 나눠지게 된다. 액티브 매트릭스 OLED(AMOED)는 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀로 구성된 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하며, 각 서브 픽셀은 유기 발광 표시 소자와 유기 발광 표시 소자를 구동하는 셀 구동부를 포함한다.
셀 구동부는 스캔 신호를 공급하는 게이트 라인과, 비디오 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인과, 공통 전원 신호를 공급하는 공통 전원 라인 사이에 접속된 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 스토리지 캐패시터로 구성되어 유기 발광 표시 소자의 제 1 전극을 구동한다.
유기 발광 표시 소자는 차례로 적층된 제 1 전극, 유기 발광층 및 제 2 전극을 포함하여 이루어져, 제 1, 제 2 전극에 전계를 가하여 유기 발광층 내에 전자와 정공을 주입 및 전달시켜 서로 결합할 때의 결합 에너지에 의해 발광한다. 유기 발광층은 호스트와 도펀트를 포함하여 이루어지며, 도펀트 및 호스트의 종류에 따라 적색, 녹색, 청색 광을 방출한다. 상기와 같은 유기 발광 표시 장치는 각각 적색, 녹색, 청색 광을 방출하는 적색, 녹색, 청색 서브 픽셀에 의해 풀 컬러(Full color)를 구현한다.
그런데, 유기 발광층의 호스트의 유리전이온도(Glass transition temperature; Tg)가 낮은 경우, 유기 발광 표시 소자의 발광 및 박막 트랜지스터의 동작 시 발생하는 열에 의해 서브 픽셀의 색 특성이 저하되는 문제가 발생한다.
도 1a 및 도 1b는 유기 발광 표시 장치의 불량 서브 픽셀 사진이며, 도 1c는 불량 서브 픽셀을 갖는 유기 발광 표시 패널 사진이다.
도 1a와 같이, 호스트의 유리전이온도가 낮은 경우 열에 의해 호스트의 성질이 변하여 색 특성이 저하된다. 이로 인해, 부분적으로 색 좌표가 상이해져 색 재현율이 저하된다. 특히, 도 1b와 같이, 적색 유기 발광층의 호스트가 녹색 및 청색 유기 발광층의 호스트에 비해 유리전이온도(Tg)가 낮아 열에 취약할 경우, 상대적으로 적색 서브 픽셀의 색 순도 및 발광 세기가 저하된다. 따라서, 도 1c와 같이, 적색, 녹색, 청색 서브 픽셀에서 방출되는 광을 혼합하여 백색 광을 구현하는 유기 발광 표시 패널은 백색이 아닌 청록색 광이 구현되어 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 저하된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 유기 발광 표시 소자의 열에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 기판; 및 상기 기판 상에 차례로 형성된 제 1 전극, 제 1 호스트, 제 2 호스트 및 도펀트를 포함하는 유기 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 소자를 포함하며, 상기 제 1 호스트와 상기 제 2 호스트는 유리전이온도가 서로 상이하다.
상기 제 2 호스트의 유리전이온도는 상기 제 1 호스트의 유리전이온도보다 30℃ 이상 높다.
상기 제 1 호스트의 유리전이온도는 115℃ 이하이다.
상기 제 2 호스트의 유리전이온도는 130℃ 이상이다.
상기 제 1 호스트와 상기 제 2 호스트의 질량비는 1:1이다.
상기 도펀트는 인광 도펀트 또는 형광 도펀트이다.
상기와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층이 유리전이온도(Tg)가 낮은 제 1 호스트와 유리전이온도가 높은 제 2 호스트를 포함하여 이루어져, 제 1, 제 2 호스트가 서로 엉켜 유리전이온도가 상승한다. 따라서, 유기 발광층의 열에 대한 신뢰성이 향상되며, 유기 발광 표시 패널의 불량이 감소한다.
도 1a 및 도 1b는 유기 발광 표시 장치의 불량 서브 픽셀 사진
도 1c는 불량 서브 픽셀을 갖는 유기 발광 표시 패널 사진
도 2는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 단면도
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 소자의 단면도
도 4a 및 도 4b는 온도 변화에 따른 적색 서브 픽셀의 발광 효율을 나타낸 그래프
도 5a 내지 도 5c는 유기 발광층 사진
도 6a 내지 도 6c는 온도에 따른 유기 발광 표시 패널 사진
도 1c는 불량 서브 픽셀을 갖는 유기 발광 표시 패널 사진
도 2는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 단면도
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 소자의 단면도
도 4a 및 도 4b는 온도 변화에 따른 적색 서브 픽셀의 발광 효율을 나타낸 그래프
도 5a 내지 도 5c는 유기 발광층 사진
도 6a 내지 도 6c는 온도에 따른 유기 발광 표시 패널 사진
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 유기 발광 표시 장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 단면도이며, 도 3은 도 2의 유기 발광 표시 소자의 단면도이다.
도 2와 같이, 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 기판(100) 및 기판(100) 상에 차례로 형성된 제 1 전극(110), 호스트 및 도펀트를 포함하는 유기 발광층(130R, 130G, 130B; 130) 및 제 2 전극(150)을 포함하는 유기 발광 표시 소자를 포함한다. 유기 발광 표시 소자 상에는 외부의 수분 또는 산소가 유기 발광 표시 소자로 유입되는 것을 방지하기 위해 인캡슐레이션층(미도시)이 더 형성된다.
구체적으로, 기판(100) 상에는 각 서브 픽셀에 대응되는 영역에 박막 트랜지스터(TFT)(103)가 형성된다. 박막 트랜지스터(TFT)(103)는 반도체층으로 IGZO(Indium Galium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), TiO(Titanium Oxide)등의 산화물을 사용하는 박막 트랜지스터인 산화물 박막 트랜지스터(Oxide TFT), 반도체층으로 유기물을 사용하는 유기 박막 트랜지스터(Organic TFT), 반도체층으로 비정질 실리콘을 이용해 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Amorphous Silicon TFT) 및 반도체층으로 다결정 실리콘을 이용해 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(Poly Silicon TFT) 중 하나가 선택되어 이루어진다.
그리고, 박막 트랜지스터(TFT)(103)를 덮도록 기판(100) 전면에 형성된 보호막(105)을 선택적으로 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 유기 발광 표시 소자의 제 1 전극(110)과 박막 트랜지스터(TFT)(103)가 접속된다. 제 1 전극(110)은 유기 발광층(130)에 정공을 공급하는 양극(Anode)으로 본 발명의 유기 발광 표시 장치가 유기 발광층(130)에서 발생된 광을 상부를 통해 방출시키는 상부 발광 방식(Top Emission Type)인 경우, 제 1 전극(110)은 틴 옥사이드(Tin Oxide; TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성된다.
그리고, 유기 발광층(130)에서 방출되는 광이 반사되어 다시 상부로 진행하도록 제 1 전극(110) 하부에 형성된 반사층(미도시)을 더 포함하며, 반사층(미도시)은 반사 특성이 우수한 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 크롬(Cr), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 몰리 텅스텐(MoW), 티타늄(Ti) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 반사 효율이 우수한 알루미늄-네오디늄(Al-Nd)으로 형성되는 것이 바람직하다.
보호막(105) 상에는 제 1 전극(110)의 일부 영역을 노출시키는 뱅크홀을 갖는 뱅크 절연막(106)이 형성되어, 각 서브 픽셀을 구분한다. 그리고, 뱅크홀을 통해 노출된 제 1 전극(110) 상에는 적색, 녹색, 청색 유기 발광층(130R, 130G, 130B; 130)이 형성된다.
도시하지는 않았으나, 제 1 전극(110)과 유기 발광층(130) 사이에는 제 1 전극(110)으로부터 주입된 정공을 유기 발광층(130)에 전달하기 위한 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL)(미도시)과 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL(미도시)이 더 형성된다. 이 때, 정공 주입층(미도시)과 정공 수송층(220)은 하나의 층으로 형성될 수도 있으며, 이 경우에는 재료비를 절감하고 생산성과 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 정공 주입층(미도시)과 정공 수송층(미도시)을 하나의 층으로 형성함으로써 전하가 이동하는 계면(Interface)을 감소시켜 구동 전압을 낮출 수 있어 유기 발광 표시 장치의 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
특히, 유기 발광층(130)에서 방출된 광 중 상부로 진행하여 바로 외부로 방출되거나 유기 발광층(130) 하부의 반사층(미도시)으로 진행하는 1차적인 광과, 반사층(미도시)에서 반사되어 상부로 진행하는 2차적인 광이 간섭을 일으키게 되어 상쇄 간섭이 발생할 경우 광 효율이 저하되므로, 이를 방지하기 위해 각 서브 픽셀마다 정공 수송층(미도시)의 두께를 상이하게 형성하여, 광 효율을 향상시킬 수 있다.
유기 발광층(130) 상에는 제 2 전극(150)이 형성된다. 제 2 전극(150)은 음극(Cathode)으로, Al, Ag, Mg, Mg:Ag 중 선택된 물질로 형성된다. 특히, 상술한 바와 같이, 본 발명의 유기 발광 표시 장치가 상부 발광 방식인 경우, 제 2 전극(150)은 광 투과가 가능하도록 얇은 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
도시하지는 않았으나, 유기 발광층(130)과 제 2 전극(150) 사이에 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)(미도시)과 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL)(미도시)이 더 형성된다. 전자 수송층(미도시)은 알루미늄 퀴놀레이트(AlQ3)과 같이 전자 수송 능력이 뛰어난 물질로 형성되며, 전자 주입층(미도시)은 리튬 플로라이드(LiF)와 같은 금속화합물을 사용할 수 있다. 또한, 전자 수송층(미도시)과 전자 주입층(미도시) 역시 정공 주입층(미도시), 정공 수송층(220)과 같이 하나의 층으로 형성할 수도 있다.
상기와 같은 유기 발광 표시 장치는 제 1 전극(110)으로부터 공급된 정공과 제 2 전극(150)으로부터 공급된 전자가 유기 발광층(130) 내에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광한다. 특히, 유기 발광층(130)은 도펀트의 종류에 따라 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 광을 방출하며, 적색, 녹색, 청색 광을 방출하는 적색, 녹색, 청색 서브 픽셀에 의해 풀 컬러(Full color)를 구현한다.
그런데, 상술한 바와 같이 유기 발광층(130)의 호스트의 유리전이온도(Tg)가 낮은 경우, 열에 의해 호스트가 결정화되어 유기 발광 표시 소자의 발광 및 박막 트랜지스터(TFT)(103)의 동작 시 발생하는 열에 의해 서브 픽셀의 색 특성이 저하되는 문제가 발생한다.
따라서, 도 3과 같이, 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 유기 발광층(130)은 제 1, 제 2 호스트(Host A, Host B) 및 도펀트(Dopant X)를 포함하며, 제 1, 제 2 호스트(Host A, Host B)는 서로 유리전이온도가 상이하다.
일반적으로 두 종류의 저분자 물질을 혼합하면 저분자 물질은 사슬이 없으므로 물질의 특성이 변하지 않는다. 그러나, 고분자 물질은 사슬을 포함하므로, 두 종류의 고분자 물질을 혼합하면 사슬이 서로 엉켜 물질의 특성이 변한다. 즉, 유리전이온도가 상이한 제 1, 제 2 호스트(Host A, Host B)와 도펀트(Dopant X)를 혼합하여 유기 발광층(130)을 형성하는 경우, 유기 발광층(130)의 밀도가 매우 높아져 분자들 사이의 간섭이 증가해 고분자의 물리적 특성 변화와 유사한 성질을 가져, 유리전이온도가 상이한 제 1, 제 2 호스트(Host A, Host B)가 서로 엉켜 유리전이온도가 상승한다.
도 4a 및 도 4b는 온도 변화에 따른 적색 서브 픽셀의 발광 효율을 나타낸 그래프이며, 도 5a 내지 도 5c는 유기 발광층 사진이다.
구체적으로, 도 4a 및 도 4b는 유리전이온도(Tg)가 111℃인 제 1 호스트(Host A)만을 포함하는 제 1 적색 서브 픽셀, 유리전이온도가 170℃인 제 2 호스트(Host B)만을 포함하는 제 2 적색 서브 픽셀 및 1:1의 질량비로 혼합된 제 1, 제 2 호스트(Host A, Host B)를 포함하는 제 3 적색 서브 픽셀의 효율을 측정한 그래프로, 제 1, 제 2, 제 3 적색 서브 픽셀은 호스트를 제외한 나머지 구성 요소는 동일하다. 이 때, 도 4a는 실제 효율을 도시하였으며, 도 4b는 실제 효율을 백분율로 도시하였다.
그리고, 도 5a, 도 5b, 도 5c는 각각 초기 효율의 10% 이상이 감소한 온도에서 제 1 적색 서브 픽셀, 제 2 서브 픽셀, 제 3 서브 픽셀의 유기 발광층 사진이다.
도 4a와 같이 100℃ 에서 측정한 제 1, 제 2, 제 3 적색 서브 픽셀의 초기 발광 효율 중 제 1 적색 서브 픽셀이 가장 높다. 그러나, 제 1 호스트(Host A)의 유리전이온도인 111℃를 기준으로 제 1 적색 서브 픽셀의 발광 효율이 저하되고, 제 2 적색 서브 픽셀은 약 130℃를 기준으로 저하된다.
즉, 제 2 적색 서브 픽셀은 유리전이온도가 111℃인 제 1 호스트(Host A)를 포함하나, 유리전이온도가 170℃인 제 2 호스트(Host B)에 의해 110℃보다 약 20℃ 가량 높은 온도에서 발광 효율이 저하된다. 이는, 제 1 호스트(Host A)와 제 2 호스트(Host B)의 분자가 높은 밀도로 형성된 유기 발광층 내에서 서로 물리적 간섭을 주기 때문이다.
도 4b와 같이, 초기 발광 효율의 10% 이상이 감소하는 온도 역시 제 1, 제 2 호스트(Host A, Host B)를 혼합한 제 2 적색 서브 픽셀이 제 1 호스트(Host A)만을 포함하는 제 1 적색 서브 픽셀에 비해 높다. 따라서, 제 1, 제 2 호스트(Host A, Host B)를 혼합한 유기 발광 표시 장치는 제 1 호스트(Host A) 또는 제 2 호스트(Host B)만을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 열적 신뢰성이 향상되고, 높은 발광 효율을 가지므로 패널의 불량이 감소한다.
일반적으로, 초기 발광 효율의 10% 이상이 감소하면 유기 발광 표시 패널의 신뢰성에 문제가 있다고 판단하는데, 초기 발광 효율의 10% 이상이 감소하는 온도에서는 하기 도 5a 내지 도 5c와 같이, 호스트의 결정화로 인해 유기 발광층에 부분적으로 흑점(dark spot)이 발생하거나, 유기 발광층이 열에 의해 타버린다.
즉, 효율은 높으나 열에 대한 신뢰성에 영향을 줄 정도로 낮은 유리전이온도를 갖는 호스트를 포함하는 유기 발광층은 열에 대한 신뢰성이 낮아 색 순도 및 발광세기가 저하된다. 따라서, 효율은 높으나 유리전이온도가 낮은 호스트와 유리전이온도가 높은 호스트를 혼합하여 유기 발광 표시 장치의 열에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 제 1, 제 2 호스트(Host A, Host B)는 하기 화학식 1 내지 화학식 20 중 선택된 유기물 또는 금속 착화합물일 수 있다.
이 때, 제 1 호스트(Host A)와 제 2 호스트(Host B)의 질량비는 1:0.1~ 10이며, 1:1인 것이 가장 바람직하다. 특히, 제 1 호스트(Host A)의 유리전이온도와 제 2 호스트(Host B)의 유리전이온도가 일정 온도 이상의 차이를 가져야 유리전이온도의 향상을 기대할 수 있으므로, 유리전이온도의 차이는 30℃이상인 것이 바람직하며, 제 1 호스트(Host A)의 유리전이온도는 115℃ 이하이며, 제 2 호스트(Host B)의 유리전이온도는 130℃ 이상인 것이 바람직하다. 예를 들어, 제 1 호스트(Host A)의 유리전이온도가 111℃인 경우, 제 2 호스트(Host B)의 유리전이온도는 141℃ 이상이다.
그리고, 유기 발광층(130)의 도펀트(Dopant X)는 형광 도펀트 또는 인광 도펀트이며, 제 1, 제 2 호스트(Host A, Host B)모두 전자 또는 정공 수송 능력을 향상시키기 위한 물질이거나, 제 1, 제 2 호스트(Host A, Host B) 중 하나의 호스트는 전자 수송 능력을 향상시키고, 나머지 호스트는 정공 수송 능력을 향상시키기 위한 물질일 수 있다. 이 때, 유기 발광층(130)은 제 1, 제 2 호스트(Host A, Host B) 및 도펀트(Dopant X)를 혼합 증착하여 형성된다.
구체적으로, 적색 유기 발광층(130R)의 도펀트는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum) 등의 인광 도펀트 또는 PBD:Eu(DBM)3(Phen), Perylene 등의 형광 도펀트이다.
녹색 유기 발광층(130G)의 도펀트는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium) 등의 인광 도펀트 또는 Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) 등의 형광 도펀트이며, 청색 유기 발광층(130B)의 도펀트는 (4,6-F2ppy)2Irpic 등의 인광 도펀트 또는 spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자 등의 형광 도펀트이다.
하기 표 1은 온도에 따른 유기 발광 표시 장치의 휘도 변화를 측정한 표로, 적색(R) 서브 픽셀은 유리전이온도가 111℃인 제 1 호스트(Host A)와 유리전이온도가 170℃인 제 2 호스트(Host B)가 혼합된 유기 발광층을 포함하며, 녹색(G) 및 청색(B) 서브 픽셀은 하나의 호스트만을 포함하는 유기 발광층을 갖는다. 그리고, W는 R, G, B 서브 픽셀에서 발광하는 광이 혼합되어 구현되는 백색 광을 의미한다.
그리고, 도 6a 내지 도 6c는 온도에 따른 유기 발광 표시 패널 사진으로, 도 6a, 도 6b, 도 6c는 각각 110℃, 120℃, 130℃에서 백색 광을 구현하는 유기 발광 표시 패널 사진이다.
온도 | Ref | 110℃ | 120℃ | 130℃ | ||||||||||||
서브픽셀 | R | G | B | W | R | G | B | W | R | G | B | W | R | G | B | W |
휘도 (cd/m2) |
186 | 398 | 54 | 614 | 189 | 411 | 56 | 633 | 191 | 423 | 56 | 647 | 101 | 373 | 51 | 502 |
비고 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 45%↓ | 7%↓ | - | 23%↓ |
상술한 바와 같이, 적색 서브 픽셀은 유리전이온도가 111℃인 제 1 호스트(Host A)와 유리전이온도가 170℃인 제 2 호스트(Host B)가 혼합된 유기 발광층을 포함하여 이루어지나, 표 1과 같이, 110℃ 및 제 1 호스트(Host A)의 유리전이온도보다 높은 120℃에서도 휘도가 저하되지 않는다. 이는 제 1 호스트(Host A)와 제 2 호스트(Host B)의 분자가 유기 발광층 내에서 서로 물리적 간섭을 주기 때문이다.
이에 따라, 도 6a 및 도 6b와 같이, R, G, B 서브 픽셀에서 발광하는 광이 혼합되어 백색 광을 구현하는 표시 장치의 휘도 역시 비교 예(Ref)와 큰 차이가 없다. 그리고, 제 1 호스트(Host A)의 유리전이온도보다 약 20℃ 가량 높은 130℃에서 적색 서브 픽셀의 휘도가 감소하고, 도 6c와 같이, 백색 광 역시 휘도가 감소한다.
즉, 상기와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층이 유리전이온도가 서로 상이한 제 1, 제 2 호스트를 포함하여 이루어져, 열에 대한 신뢰성이 향상되며, 높은 발광 효율을 가져 유기 발광 표시 패널의 불량이 감소한다. 특히, 제 1, 제 2 호스트를 포함하는 유기 발광층은 적색 유기 발광층에만 국한되지 아니하며, 녹색 및 청색 유기 발광층에도 적용 가능하다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 기판 103: 박막 트랜지스터
105: 보호막 106: 뱅크 절연막
110: 제 1 전극 130R, 130G, 130B: 유기 발광층
150: 제 2 전극 Host A: 제 1 호스트
Host B: 제 2 호스트 Dopant X: 도펀트
105: 보호막 106: 뱅크 절연막
110: 제 1 전극 130R, 130G, 130B: 유기 발광층
150: 제 2 전극 Host A: 제 1 호스트
Host B: 제 2 호스트 Dopant X: 도펀트
Claims (6)
- 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀이 정의된 기판; 및
상기 기판 상에 차례로 형성된 제 1 전극, 상기 적색 서브 픽셀에 대응되는 영역에 적색 도펀트를 포함하는 적색 유기 발광층, 상기 청색 서브 픽셀에 대응되는 영역에 청색 도펀트를 포함하는 청색 유기 발광층, 상기 녹색 서브 픽셀에 대응되는 영역에 녹색 도펀트를 포함하는 녹색 유기 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 소자를 포함하며,
상기 적색, 청색 및 녹색 유기 발광층 중 적어도 하나의 유기 발광층은 제 1 유리전이온도를 갖는 제 1 호스트와 상기 제 1 유리전이온도보다 높은 제 2 유리전이온도를 갖는 제 2 호스트를 포함하며,
상기 제 1, 제 2 호스트를 포함하는 상기 유기 발광층은 상기 제 1 호스트와 제 2 호스트가 서로 엉켜 상기 제 1 유리전이온도보다 높은 유리전이온도를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 호스트의 유리전이온도는 상기 제 1 호스트의 유리전이온도보다 30℃ 이상 높은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 호스트의 유리전이온도는 115℃ 이하인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 호스트의 유리전이온도는 130℃ 이상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 호스트와 상기 제 2 호스트의 질량비는 1:1인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 도펀트는 인광 도펀트 또는 형광 도펀트인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120097905A KR101469486B1 (ko) | 2012-09-04 | 2012-09-04 | 유기 발광 표시 장치 |
US13/724,131 US9537113B2 (en) | 2012-09-04 | 2012-12-21 | Organic light emitting display device |
CN201210567626.1A CN103681739B (zh) | 2012-09-04 | 2012-12-24 | 有机发光显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120097905A KR101469486B1 (ko) | 2012-09-04 | 2012-09-04 | 유기 발광 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140031031A KR20140031031A (ko) | 2014-03-12 |
KR101469486B1 true KR101469486B1 (ko) | 2014-12-05 |
Family
ID=50186176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120097905A KR101469486B1 (ko) | 2012-09-04 | 2012-09-04 | 유기 발광 표시 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9537113B2 (ko) |
KR (1) | KR101469486B1 (ko) |
CN (1) | CN103681739B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10564746B2 (en) | 2016-01-12 | 2020-02-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102316682B1 (ko) | 2015-01-21 | 2021-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102316683B1 (ko) | 2015-01-21 | 2021-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102316684B1 (ko) | 2015-01-21 | 2021-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
CN107046102A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-08-15 | 固安翌光科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006128624A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Canon Inc | 発光素子 |
KR20060054481A (ko) * | 2003-10-03 | 2006-05-22 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 소자 |
JP2011210873A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JP2012512275A (ja) * | 2008-12-12 | 2012-05-31 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 光活性組成物、および、この組成物で形成された電子素子 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100611756B1 (ko) | 2004-06-18 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
KR100721554B1 (ko) | 2004-07-22 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
US7649197B2 (en) | 2005-03-23 | 2010-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, and light emitting element and light emitting device using the composite material |
KR100922763B1 (ko) | 2008-03-13 | 2009-10-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR101229022B1 (ko) | 2010-12-27 | 2013-02-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자의 제조 방법 |
CN102569660A (zh) | 2011-12-31 | 2012-07-11 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种叠层结构有机电致发光器件 |
-
2012
- 2012-09-04 KR KR1020120097905A patent/KR101469486B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-21 US US13/724,131 patent/US9537113B2/en active Active
- 2012-12-24 CN CN201210567626.1A patent/CN103681739B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060054481A (ko) * | 2003-10-03 | 2006-05-22 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 소자 |
JP2006128624A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Canon Inc | 発光素子 |
JP2012512275A (ja) * | 2008-12-12 | 2012-05-31 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 光活性組成物、および、この組成物で形成された電子素子 |
JP2011210873A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10564746B2 (en) | 2016-01-12 | 2020-02-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9537113B2 (en) | 2017-01-03 |
CN103681739B (zh) | 2017-04-05 |
US20140061599A1 (en) | 2014-03-06 |
KR20140031031A (ko) | 2014-03-12 |
CN103681739A (zh) | 2014-03-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US12052887B2 (en) | Organic electroluminescent devices | |
US9231030B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
US7906900B2 (en) | White organic light emitting device | |
CN111403438B (zh) | 有机发光装置 | |
KR102146104B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치 | |
KR101469486B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR101352237B1 (ko) | 유기전계발광표시장치의 제조방법 | |
KR101383454B1 (ko) | 전계발광소자 | |
US9570519B2 (en) | Organic light emitting display device with multi-organic layers | |
KR101383490B1 (ko) | 전계발광소자 | |
KR101002004B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
KR20150080153A (ko) | 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치 | |
KR20110056715A (ko) | 유기전계발광소자 | |
KR20120042435A (ko) | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20160000914A (ko) | 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
KR101771253B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
KR20100010816A (ko) | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 | |
KR101464752B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
KR20180077849A (ko) | 전계발광소자 및 이를 포함하는 전계발광 표시장치 | |
KR20170049748A (ko) | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
KR101739131B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
KR20170131052A (ko) | 유기전계 발광 소자 및 그를 이용한 표시 장치 | |
KR20170014038A (ko) | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
KR101588895B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
KR20110053568A (ko) | 유기전계발광표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171116 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181114 Year of fee payment: 5 |