JP2008533277A - 擬似ブロックコポリマーおよび可逆的連鎖移動剤(chainshuttlingagent)を用いる方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は2005年3月17日出願の米国仮出願第60/662,938号の利益を主張する。
各々の触媒i={1,2...}について
Rp[i]=触媒iによるモノマー消費の局所速度(モル/L/時間)、
Rt[i]=触媒iについての連鎖移動および停止の合計速度(モル/L/時間)、並びに
Rs[i]=休止ポリマーを伴う可逆的連鎖移動の局所速度(モル/L/時間)。
モノマー
可逆的連鎖移動剤
ここでの使用に適する触媒には望ましい組成もしくはタイプのポリマーの調製に適合するあらゆる化合物もしくは化合物の組み合わせが含まれる。不均一および均一触媒の両者を用いることができる。不均一触媒の例には周知のチーグラー・ナッタ組成物、特には、2族金属ハロゲン化物もしくは混合ハロゲン化物およびアルコキシドに支持された4族金属ハロゲン化物並びに周知のクロムもしくはバナジウム系触媒が含まれる。しかしながら、好ましくは、使用を容易にし、かつ溶液中で狭い分子量ポリマーセグメントを生成するため、ここで用いるための触媒は比較的純粋な有機金属化合物もしくは金属錯体、特には、元素周期律表の3−10族もしくはランタニド系列から選択される金属に基づく化合物もしくは錯体を含む均一触媒である。
Mは元素周期律表の3−15族、好ましくは3−10族、より好ましくは4−10族、最も好ましくは4族から選択される金属であり;
Kは、各々の存在で独立に、それを介してKがMに結合する、非局在化π−電子もしくは1つ以上の電子対を含む基であり、該K基は水素原子を数えずに50個までの原子を含み、任意に2つ以上のKが一緒に結合して架橋構造を形成していてもよく、かつ、さらに任意に、1つ以上のK基がZ、XもしくはZおよびXの両者に結合していてもよく;
Xは、各々の存在で独立に、40個までの非水素原子を有する一価アニオン性部分であり、任意に1つ以上のX基が一緒に結合し、それにより二価もしくは多価アニオン性基を形成していてもよく、かつ、さらに任意に、1つ以上のX基および1つ以上のZ基が一緒に結合し、それにより両者がMに共有結合してそれらと配位する部分を形成してもよく;
Zは、各々の存在で独立に、それを介してZがMに配位する少なくとも1つの非共有電子対を含む、50個までの非水素原子の中性ルイス塩基ドナー配位子であり;
kは0〜3の整数であり;
xは1〜4の整数であり;
zは0〜3の数字であり;並びに
合計k+xはMの形式的な酸化状態に等しい。
Mは4族金属であり;
Kは、それを介してKがMに結合する、非局在化π−電子を含む基であり、該K基は水素原子を数えずに50個までの原子を含み、任意に、2つのK基が一緒に結合して架橋構造を形成していてもよく、かつ、さらに任意に、1つのKがXもしくはZに結合していてもよく;
各々存在するXは、40個までの非水素原子を有する一価アニオン性部分であり、任意に1つ以上のXおよび1つ以上のK基が一緒に結合して金属環を形成し、かつ、さらに任意に、1つ以上のXおよび1つ以上のZ基が一緒に結合し、それにより両者がMに共有結合してそれらと配位する部分を形成し;
Zは、各々の存在で独立に、それを介してZがMに配位する少なくとも1つの非共有電子対を含む、50個までの非水素原子の中性ルイス塩基ドナー配位子であり;
kは0〜3の整数であり;
xは1〜4の整数であり;
zは0〜3の数字であり;並びに
合計k+xはMの形式的な酸化状態に等しい。
Mは、+2もしくは+4の形式上の酸化状態にある、チタン、ジルコニウムもしくはハフニウム、好ましくは、ジルコニウムもしくはハフニウムであり;
R3は、各々の存在において独立に、水素、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、シアノ、ハロおよびそれらの組み合わせからなる群より選択され、該R3は20個までの非水素原子を有し、もしくは隣接するR3基が一緒に二価誘導体(すなわち、ヒドロカルバジイル、シラジイルもしくはゲルマジイル基)を形成し、それにより融合環系を形成し、並びに
X”は、各々の存在で独立に、40個までの非水素原子のアニオン性配位子基であり、または2つのX”基が一緒に40個までの非水素原子の二価アニオン性配位子基を形成し、もしくは一緒に、非局在化π−電子によってMに結合する、4〜30個の非水素原子を有する共役ジエンであり、ここでMは+2の形式的な酸化状態にあり、並びに
R'、Eおよびeは前に定義される通りである。
ジメチルビス(シクロペンタジエニル)シラン、ジメチルビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)シラン、ジメチルビス(2−エチルシクロペンタジエン−1−イル)シラン、ジメチルビス(2−t−ブチルシクロペンタジエン−1−イル)シラン、2,2−ビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)プロパン、ジメチルビス(インデン−1−イル)シラン、ジメチルビス(テトラヒドロインデン−1−イル)シラン、ジメチルビス(フルオレン−1−イル)シラン、ジメチルビス(テトラヒドロフルオレン−1−イル)シラン、ジメチルビス(2−メチル−4−フェニリデン−1−イル)−シラン、ジメチルビス(2−メチリデン−1−イル)シラン、ジメチル(シクロペンタジエニル)(フルオレン−1−イル)シラン、ジメチル(シクロペンタジエニル)(オクタヒドロフルオレン−1−イル)シラン、ジメチル(シクロペンタジエニル)(テトラヒドロフルオレン−1−イル)シラン、(1,1,2,2−テトラメチル)−1,2−ビス(シクロペンタジエニル)ジシラン、(1,2−ビス(シクロペンタジエニル)エタンおよびジメチル(シクロペンタジエニル)−1−(フルオレン−1−イル)メタンである。
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルベンジル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルフェニル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジフェニル、
ビス(シクロペンタジエニル)チタン−アリル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルメトキシド、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルクロライド、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)チタンジメチル、
ビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、
インデニルフルオレニルジルコニウムジメチル、
ビス(インデニル)ジルコニウムメチル(2−(ジメチルアミノ)ベンジル)、
ビス(インデニル)ジルコニウムメチルトリメチルシリル、
ビス(テトラヒドロインデニル)ジルコニウムメチルトリメチルシリル、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルベンジル、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルメトキシド、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルクロライド、
ビス(メチルエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(t−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(エチルテトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(メチルプロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ジメチルシリルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)チタン(III)アリル、
ジメチルシリルビス(t−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、
ジメチルシリルビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、
(メチレンビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)チタン(III) 2−(ジメチルアミノ)ベンジル、
(メチレンビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)チタン(III) 2−(ジメチルアミノ)ベンジル、
ジメチルシリルビス(インデニル)ジルコニウムベンジルクロライド、
ジメチルシリルビス(2−メチルインデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(2−メチルインデニル)ジルコニウム−1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
ジメチルシリルビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウム(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン,
ジメチルシリルビス(テトラヒドロインデニル)ジルコニウム(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
ジメチルシリルビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(フルオレニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリル−ビス(テトラヒドロフルオレニル)ジルコニウムビス(トリメチルシリル)、
(イソプロピリデン)(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウムジベンジル、および
ジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウムジメチル。
Mは、+2、+3もしくは+4の形式的な酸化状態にある、チタンもしくはジルコニウム、好ましくは、チタンであり;
K1は、1〜5個のR2基で任意に置換される、非局在化π−結合配位子基であり、
R2は、各々の存在において独立に、水素、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、シアノ、ハロおよびそれらの組み合わせからなる群より選択され、該R2は20個までの非水素原子を有し、または隣接するR2基は一緒に二価誘導体(すなわち、ヒドロカルバジイル、シラジイルもしくはゲルマジイル基)を形成し、それにより融合環系を形成し、
各々のXはハロ、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシもしくはシリル基であり、該基は20個までの非水素原子を有し、または2つのX基は一緒に中性C5-30共役ジエンもしくはそれらの二価誘導体を形成し;
xは1もしくは2であり;
Yは−O−、−S−、−NR’−、−PR’−であり;並びに
X’はSiR’2、CR’2、SiR’2SiR’2、CR’2CR’2、CR’=CR’、CR’2SiR’2もしくはGeR’2であり、ここで
R’は、各々の存在で独立に、水素、もしくはシリル、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシおよびそれらの組み合わせから選択される基であり、該R’は30個までの炭素もしくはケイ素原子を有する。
Arは水素を数えずに6〜30個の原子のアリール基であり;
R4は、各々の存在で独立に、水素、Ar、もしくはヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルゲルミル、ハロゲン化物、ヒドロカルビルオキシ、トリヒドロカルビルシロキシ、ビス(トリヒドロカルビルシリル)アミノ、ジ(ヒドロカルビル)アミノ、ヒドロカルバジイルアミノ、ヒドロカルビルイミノ、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ、ヒドロカルバジイルホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ビス(トリヒドロカルビルシリル)アミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンホスフィノ置換ヒドロカルビルもしくはヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルから選択されるAr以外の基であり、該R基は水素原子を数えずに40個までの原子を有し、かつ任意に、2つの隣接するR4基は一緒に結合して多環式融合環基を形成していてもよく;
Mはチタンであり;
X’はSiR6 2、CR6 2、SiR6 2SiR6 2、CR6 2CR6 2、CR6=CR6、CR6 2SiR6 2、BR6、BR6L”もしくはGeR6 2であり;
Yは−O−、−S−、−NR5−、−PR5−;−NR5 2もしくは−PR5 2であり;
R5は、各々の存在で独立に、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリルもしくはトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり、該R5は20個までの水素以外の原子を有し、かつ任意に、2つのR5基またはR5およびYもしくはZが一緒に環系を形成し;
R6は、各々の存在で独立に、水素、もしくはヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、シリル、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール、−NR5 2およびそれらの組み合わせから選択される構成要素であり、該R6は20個までの非水素原子を有し、かつ任意に、2つのR6基もしくはR6およびZが一緒に環系を形成し;
Zは中性ジエンまたは、任意にR5、R6もしくはXに結合する、単座もしくは多座ルイス塩基であり;
Xは水素、水素を数えずに60個までの原子を有する一価アニオン性配位子基であり、もしくは2つのX基が一緒に結合し、それにより二価配位子基を形成し;
xは1もしくは2であり;並びに
zは0、1もしくは2である。
(3−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
(3−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,3−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−(ピロル−1−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
(3−(ピロル−1−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−(ピロル−1−イル)シクロペンタジエン−1−イル))ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−(1−メチルピロル−3−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
(3−(1−メチルピロル−3−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−(1−メチルピロル−3−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3,4−ジフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
(3,4−ジフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3,4−ジフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,3−ペンタジエン;
(3−(3−N,N−ジメチルアミノ)フェニル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
(3−(3−N,N−ジメチルアミノ)フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−(3−N,N−ジメチルアミノ)フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−(4−メトキシフェニル)−4−メチルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
(3−(4−メトキシフェニル)−4−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−4−メトキシフェニル)−4−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−フェニル−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
(3−フェニル−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−フェニル−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
2−メチル−(3,4−ジ(4−メチルフェニル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
2−メチル−(3,4−ジ(4−メチルフェニル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
2−メチル−(3,4−ジ(4−メチルフェニル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
((2,3−ジフェニル)−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
((2,3−ジフェニル)−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
((2,3−ジフェニル)−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(2,3,4−トリフェニル−5−メチルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
(2,3,4−トリフェニル−5−メチルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(2,3,4−トリフェニル−5−メチルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(2,3−ジフェニル−4−(n−ブチル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
(2,3−ジフェニル−4−(n−ブチル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(2,3−ジフェニル−4−(n−ブチル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(2,3,4,5−テトラフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロライド、
(2,3,4,5−テトラフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチルおよび
(2,3,4,5−テトラフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン。
R7は、各々の存在で独立に、水素化物、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、ハロゲン化物、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルビルシロキシ、ヒドロカルビルシリルアミノ、ジ(ヒドロカルビル)アミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ、ヒドロカルビレンホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、シリル置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリルアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンホスフィノ置換ヒドロカルビルもしくはヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルであり、該R7基は水素を数えずに40個までの原子を有し、かつ任意に、2つ以上の前記基が一緒に二価誘導体を形成していてもよく;
R8はその金属錯体の残りと融合環を形成する二価ヒドロカルビレンもしくは置換ヒドロカルビレン基であり、該R8は水素を数えずに1〜30個の原子を含み;
Xaは二価部分もしくは、Mと配位−共有結合を形成することが可能な、1つのσ−結合および1つの中性2電子対を含む部分であり、該Xaはホウ素もしくは元素周期律表の14族の構成要素を含み、かつ窒素、リン、イオウもしくは酸素をも含み;
Xは、環状非局在化π−結合配位子基である配位子のクラスを除く、60個までの原子を有する一価アニオン性配位子基であり、かつ任意に、2つのX基は一緒に二価配位子基を形成し;
Zは、各々の存在で独立に、20個までの原子を有する中性結合性化合物であり;
xは0、1もしくは2であり;並びに
zはゼロもしくは1である。
そのような錯体の好ましい例は、下記式に相当する3−フェニル置換s−インデセニル錯体:
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II) 1,3−ペンタジエン、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III) 2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロライド、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II) 1,3−ペンタジエン、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III) 2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロライド、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II) 1,3−ペンタジエン、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III) 2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロライド、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II) 1,3−ペンタジエン、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III) 2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロライド、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、およびそれらの混合物、特には、位置的異性体の混合物。
Tは−NR9−もしくは−O−であり;
R9はヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、ジヒドロカルビルボリルもしくはハロヒドロカルビルであり、または水素を数えずに10個までの原子であり;
R10は、各々の存在で独立に、水素、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、ゲルミル、ハロゲン化物、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルビルシロキシ、ヒドロカルビルシリルアミノ、ジ(ヒドロカルビル)アミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ、ヒドロカルビレンホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、シリル置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリルアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンホスフィノ置換ヒドロカルビルもしくはヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルであり、該R10基は水素原子を数えずに40個までの原子を有し、かつ任意に、2つ以上の前記隣接R10基が一緒に二価誘導体を形成し、それにより飽和もしくは不飽和融合環を形成していてもよく;
Xaは非局在化π−電子を欠く二価部分もしくは、Mとの配位−共有結合を形成することが可能な、1つのσ−結合および1つの中性2電子対を含む部分であり、該X’はホウ素もしくは元素周期律表の14族の構成要素を含み、かつ窒素、リン、イオウもしくは酸素をも含み;
Xは、非局在化π−電子を介してMに結合する環状配位子基である配位子のクラスを除いて、60個までの原子を有する一価アニオン性配位子であり、もしくは2つのX基が一緒に二価アニオン性配位子基であり;
Zは、各々の存在で独立に、20個までの原子を有する中性結合性化合物であり;
xは0、1、2もしくは3であり;並びに
zは0もしくは1である。
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II) 1,3−ペンタジエン、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(III) 2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジクロライド、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジベンジル、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II) 1,3−ペンタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(III) 2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジクロライド、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジベンジル、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II) 1,3−ペンタジエン、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(III) 2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジクロライド、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジベンジル、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II) 1,3−ペンタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(III) 2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジクロライド、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジベンジル;および
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)。
(tert−ブチルアミド)(1,1−ジメチル−2,3,4,9,10−η−1,4,5,6,7,8−ヘキサヒドロナフタレニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(1,1,2,3−テトラメチル−2,3,4,9,10−η−1,4,5,6,7,8−ヘキサヒドロナフタレニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジベンジル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイルチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−インデニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(III) 2−(ジメチルアミノ)ベンジル;
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(III)アリル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(III) 2,4−ジメチルペンタジエニル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II) 1,3−ペンタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(II) 2,4−ヘキサジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV) 2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)イソプレン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV) 1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV) 2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)イソプレン、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジメチル、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジベンジル、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV) 1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(II) 1,3−ペンタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(II) 1,3−ペンタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジメチル、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジベンジル、
(tert−ブチルアミド)(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジメチルシランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジメチルシランチタン(II) 1,3−ペンタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジメチルシランチタン(II) 2,4−ヘキサジエン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチル−シランチタン(IV) 1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(IV) 2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(IV)イソプレン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチル−シランチタン(II) 1,4−ジベンジル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II) 2,4−ヘキサジエン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチル−シランチタン(II) 3−メチル−1,3−ペンタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2,4−ジメチルペンタジエン−3−イル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(6,6−ジメチルシクロヘキサジエニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(1,1−ジメチル−2,3,4,9,10−η−1,4,5,6,7,8−ヘキサヒドロナフタレン−4−イル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(1,1,2,3−テトラメチル−2,3,4,9,10−η−1,4,5,6,7,8−ヘキサヒドロナフタレン−4−イル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニルメチルフェニルシランチタン(IV)ジメチル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニルメチルフェニルシランチタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
1−(tert−ブチルアミド)−2−(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)エタンジイルチタン(IV)ジメチル、および
1−(tert−ブチルアミド)−2−(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)エタンジイル−チタン(II) 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン。
XbおよびYbは、各々独立に、窒素、イオウ、酸素およびリンからなる群より選択され;より好ましくは、XbおよびYbの両者は窒素であり、
RbおよびRb’は、各々の存在で独立に、水素または、任意に1個以上のヘテロ原子を含む、C1-50ヒドロカルビル基もしくはそれらの不活性に置換された誘導体である。適切なRbおよびRb’基の非限定的な例には、アルキル、アルケニル、アリール、アラルキル、(ポリ)アルキルアリールおよびシクロアルキル基に加えて、それらの窒素、リン、酸素およびハロゲン置換誘導体が含まれる。適切なRbおよびRb’基の具体的な例には、メチル、エチル、イソプロピル、オクチル、フェニル、2,6−ジメチルフェニル、2,6−ジ(イソプロピル)フェニル、2,4,6−トリメチルフェニル、ペンタフルオロフェニル、3,5−トリフルオロメチルフェニルおよびベンジルが含まれる;
gは0もしくは1である;
Mbは元素周期律表の3〜15族もしくはランタニド系列から選択される金属元素である。好ましくは、Mbは3−13族金属であり、より好ましくは、Mbは4−10族金属である;
Lbは、水素を数えずに1〜50個の原子を含む、一価、二価もしくは三価アニオン性配位子である。適切なLb基の例には、ハロゲン化物;水素化物;ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、ジ(ヒドロカルビル)アミド、ヒドロカルビレンアミド、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィド;ヒドロカルビルスルフィド;ヒドロカルビルオキシ、トリ(ヒドロカルビルシリル)アルキル;およびカルボキシレートが含まれる。より好ましいLb基はC1-20アルキル、C7-20アラルキルおよびクロライドである;
hは1〜6、好ましくは1〜4、より好ましくは1〜3の整数であり、jは1もしくは2であって、値h×jは電荷バランスをもたらすように選択される;
Zbはビス、Mbと配位し、かつ水素を数えずに50個までの原子を含む中性配位子基である。好ましいZb基には脂肪族および芳香族アミン、ホスフィンおよびエーテル、アルケン、アルカジエン並びにそれらの不活性に置換された誘導体が含まれる。適切な不活性置換基には、ハロゲン、アルコキシ、アリールオキシ、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、ジ(ヒドロカルビル)アミン、トリ(ヒドロカルビル)シリルおよびニトリル基が含まれる。好ましいZb基には、トリフェニルホスフィン、テトラヒドロフラン、ピリジンおよび1,4−ジフェニルブタジエンが含まれる;
fは1〜3の整数である;
2つもしくは3つのTb、RbおよびRb’が一緒に結合して単一もしくは複数の環構造を形成していてもよい;
hは1〜6、好ましくは1〜4、より好ましくは1〜3の整数である;
ジグザク線は、複数の結合を含めて、正味のクーロン引力、特には、配位もしくは共有結合を含む電子相互作用のあらゆる形態を示す;
矢印は配位結合を示す;並びに破線は任意の二重結合を示す。
各々のRdはC1-10ヒドロカルビル基、好ましくは、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、t−ブチル、フェニル、2,6−ジメチルフェニル、ベンジルもしくはトリルである。各々のReはC1-10ヒドロカルビル、好ましくは、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、t−ブチル、フェニル、2,6−ジメチルフェニル、ベンジルもしくはトリルである。加えて、2つ以上のRdもしくはRe基またはRdおよびRe基の混合物が一緒にヒドロカルビル基の多価誘導体、例えば、1,4−ブチレン、1,5−ペンチレンまたは多環式融合環、多価ヒドロカルビルもしくはヘテロヒドロカルビル基、例えば、ナフタレン−1,8−ジイルを形成してもよい。
d’は4であり;
Mb’は4族金属、好ましくはチタンもしくはハフニウム、または10族金属、好ましくはNiもしくはPdであり;
Lb’は水素を数えずに50個までの原子の一価配位子、好ましくは、ハロゲン化物もしくはヒドロカルビルであり、または2つのLb’基が一緒に二価もしくは中性配位子基、好ましくは、C2-50ヒドロカルビレン、ヒドロカルバジイルもしくはジエン基である。
R11はアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリールおよび水素を数えずに1〜30個の原子を含むそれらの不活性に置換された誘導体もしくはそれらの二価誘導体から選択され;
T1は、水素原子以外の1〜41個の原子、好ましくは、水素以外の1〜20個の原子の二価架橋性基、最も好ましくは、モノ−もしくはジ−C1-20ヒドロカルビル置換メチレンもしくはシラン基であり;並びに
R12はルイス塩基官能性を含むC5-20ヘテロアリール基、特には、ピリジン−2−イルもしくは置換ピリジン−2−イル基またはそれらの二価誘導体であり;
M1は4族金属、好ましくは、ハフニウムであり;
X1はアニオン性、中性もしくはジアニオン性配位子基であり;
x’は、そのようなX1基の数を示す、0〜5の数字であり;並びに
結合、任意の結合および電子寄与相互作用は、それぞれ、線、破線および矢印で表される。
M1、X1、x’、R11およびT1は前に定義される通りであり、
R13、R14、R15およびR16は水素、ハロまたは水素を数えずに20個までの原子のアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールもしくはシリル基であり、あるいは隣接するR13、R14、R15もしくはR16基が一緒に結合し、それにより融合環誘導体を形成していてもよく、並びに
結合、任意の結合および電子対寄与相互作用は、それぞれ、線、破線および矢印によって表される。
M1、X1およびx’は前に定義される通りであり、
R13、R14、R15およびR16は前に定義される通りであり、好ましくは、R13、R14およびR15は水素もしくはC1-4アルキルであり、R16はC6-20アリール、最も好ましくは、ナフタレニルであり;
Raは、各々の存在で独立に、C1-4アルキルであり、かつaは1−5であり、最も好ましくは、窒素に対して2つのオルト位にあるRaがイソプロピルもしくはt−ブチルであり;
R17およびR18は、各々の存在で独立に、水素、ハロゲンまたはC1-20アルキルもしくはアリール基であり、最も好ましくは、R17およびR18の一方が水素であり、かつ他方がC6-20アリール基、特には、2−イソプロピル、フェニルもしくは融合多環式アリール基、最も好ましくは、アントラセニル基であり、並びに
結合、任意の結合および電子対寄与相互作用は、それぞれ、線、破線および矢印によって表される。
ここで用いるのに非常に好ましい金属錯体は下記式に相当し:
Rfは、各々の存在で独立に、水素、ハロゲン、C1-20アルキルもしくはC6-20アリールであり、または2つの隣接するRf基が一緒に結合し、それにより環を形成し、かつfは1−5であり;並びに
Rcは、各々の存在で独立に、水素、ハロゲン、C1-20アルキルもしくはC6-20アリールであり、または2つの隣接するRc基が一緒に結合し、それにより環を形成し、かつcは1−5である。
各々存在するX1はハロゲン化物、N,N−ジメチルアミドもしくはC1-4アルキル、好ましくは、メチルである。
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド](o−トリル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド](o−トリル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド](o−トリル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロライド;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド](2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド](2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド](2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロライド;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド](フェナントレン−5−イル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド](フェナントレン−5−イル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);および
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド](フェナントレン−5−イル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロライド。
R20は水素を数えずに5〜20個の原子を含む芳香族もしくは不活性に置換された芳香族基またはそれらの多価誘導体であり;
T3は水素を数えずに1〜20個の原子を有するヒドロカルビレンもしくはシラン基またはそれらの不活性に置換された誘導体であり;
M3は4族金属、好ましくは、ジルコニウムもしくはハフニウムであり;
Gはアニオン性、中性もしくはジアニオン性配位子基;好ましくは、水素を数えずに20個までの原子を有するハロゲン化物、ヒドロカルビルもしくはジヒドロカルビルアミド基であり;
gは、そのようなG基の数を示す、1〜5の数字であり;並びに
結合および電子寄与相互作用は、それぞれ、線および矢印によって表される。
T3は水素を数えずに2〜20個の原子の二価架橋性基、好ましくは、置換もしくは非置換C3-6アルキレン基であり;並びに
Ar2は、各々の存在で独立に、水素を数えずに6〜20個の原子のアリーレンまたはアルキル−もしくはアリール−置換アリーレン基であり;
M3は4族金属、好ましくは、ハフニウムもしくはジルコニウムであり;
Gは、各々の存在で独立に、アニオン性、中性もしくはジアニオン性配位子基であり;
gは、そのようなX基の数を示す、1〜5の数字であり;並びに
電子寄与相互作用は矢印によって表される。
Ar4はC6-20アリールもしくはそれらの不活性に置換された誘導体、特には、3,5−ジ(イソプロピル)フェニル、3,5−ジ(イソブチル)フェニル、ジベンゾ−1H−ピロール−1−イルもしくはアントラセン−5−イルであり、並びに
T4は、各々の存在で独立に、C3-6アルキレン基、C3-6シクロアルキレン基もしくはそれらの不活性に置換された誘導体を含み;
R21は、各々の存在で独立に、水素を数えずに50原子までの水素、ハロ、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリルもしくはトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり;並びに
Gは、各々の存在で独立に、ハロまたは水素を数えずに20原子までのヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基であり、あるいは2つのG基が一緒になって前記ヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリル基の二価誘導体である。
R21は水素、ハロもしくはC1-4アルキル、特には、メチルであり、
T4はプロパン−1,3−ジイルもしくはブタン−1,4−ジイルであり、並びに
Gはクロロ、メチルもしくはベンジルである。
最も好ましい前記式の金属錯体は以下のものである:
M2は元素周期律表の4−10族の金属、好ましくは、4族金属、Ni(II)もしくはPd(II)、最も好ましくは、ジルコニウムであり;
T2は窒素、酸素もしくはリン含有基であり;
X2はハロ、ヒドロカルビルもしくはヒドロカルビルオキシであり;
tは1もしくは2であり;
x”は電荷バランスをもたらすように選択される数字であり;
並びにT2およびNは架橋性配位子によって連結する。
M2、X2およびT2は前に定義される通りであり;
Rdは、各々の存在で独立に、水素、ハロゲンもしくはReであり;並びに
Reは、各々の存在で独立に、C1-20ヒドロカルビルまたはそれらのヘテロ原子、特には、F、N、SもしくはP置換誘導体、より好ましくは、C1-10ヒドロカルビルまたはそれらのFもしくはN置換誘導体、最も好ましくは、アルキル、ジアルキルアミノアルキル、ピロリル、ピペリデニル、ペルフルオロフェニル、シクロアルキル、(ポリ)アルキルアリールもしくはアラルキルである。
X2は前に定義される通り、好ましくは、C1-10ヒドロカルビル、最も好ましくは、メチルもしくはベンジルであり;並びに
Re’はメチル、イソプロピル、t−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、2−メチルシクロヘキシル、2,4−ジメチルシクロヘキシル、2−ピロリル、N−メチル−2−ピロリル、2−ピペリデニル、N−メチル−2−ピペリデニル、ベンジル、o−トリル、2,6−ジメチルフェニル、ペルフルオロフェニル、2,6−ジ(イソプロピル)フェニルもしくは2,4,6−トリメチルフェニルである。
Rfは一価配位子であり、もしくは2つのRf基が一緒になって二価配位子であり、好ましくは、Rfは水素もしくはC1-4アルキルであり;
Mは4族金属であり、
K2は、それを介してK2がMに結合する、非局在化π−電子を含む基であり、該K2基は水素原子を数えずに50個までの原子を含み、並びに
fは1もしくは2である。
共触媒
(L*−H)g +(A)g-
式中:
L*は中性ルイス塩基であり;
(L*−H)+はL*の共役ブレンステッド酸であり;
Ag-はg−の電荷を有する非配位性適合性アニオンであり、および
gは1〜3の整数である。
式中:
M’は+3の形式的な酸価状態にあるホウ素もしくはアルミニウムであり;並びに
Qは、各々の存在で独立に、水素化物、ジアルキルアミド、ハロゲン化物、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシド、ハロ置換ヒドロカルビル、ハロ置換ヒドロカルビルオキシおよびハロ置換シリルヒドロカルビル基(過ハロゲン化ヒドロカルビル、過ハロゲン化ヒドロカルビルオキシおよび過ハロゲン化シリルヒドロカルビル基を含む)から選択され、該Qは20個までの炭素を含み、ただし、1つ以下の存在はQハロゲン化物である。適切なヒドロカルビルオキシドQ基の例はUS−A−5,296,433に開示される。
(L*−H)+(BQ4)-;
式中:
L*は前に定義される通りであり;
Bは3の形式的な酸価状態にあるホウ素であり;および
Qは20個までの非水素原子のヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、フッ化ヒドロカルビル、フッ化ヒドロカルビルオキシもしくはフッ化シリルヒドロカルビル基であり、ただし、1つ以下の存在はQヒドロカルビルである。
トリメチルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリエチルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリプロピルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリ(n−ブチル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリ(sec−ブチル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムn−ブチルトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムベンジルトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(4−(t−ブチルジメチルシリル)−2,3,5,6−テトラフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(4−(トリイソプロピルシリル)−2,3,5,6−テトラフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムペンタフルオロフェノキシトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジエチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチル−2,4,6−トリメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
ジメチルオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルジオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
ジアルキルアンモニウム塩、例えば:
ジ−(i−プロピル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルオクタドデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、および
ジオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
三置換ホスホニウム塩、例えば:
トリフェニルホスホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルジオクタデシルホスホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、および
トリ(2,6−ジメチルフェニル)ホスホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
二置換オキソニウム塩、例えば:
ジフェニルオキソニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
ジ(o−トリル)オキソニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、および
ジ(オクタデシル)オキソニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
二置換スルホニウム塩、例えば:
ジ(o−トリル)スルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、および
メチルオクタデシルスルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートである。
(Oxh+)g(Ag-)h、
式中:
Oxh+はh+の電荷を有するカチオン性酸化剤であり;
hは1〜3の整数であり;並びに
Ag-およびgは前に定義される通りである。
[C]+A-
式中:
[C]+はC1-20カルベニウムイオンであり;および
A-は−1の電荷を有する非配位性適合性アニオンである。好ましいカルベニウムイオンはトリチルカチオン、すなわち、トリフェニルメチリウムである。
さらなる適切なイオン形成性活性化共触媒は、下記式によって表されるシリリウムイオンおよび非配位性適合性アニオンの塩である化合物を含み:
(Q1 3Si)+A-
式中:
Q1はC1-10ヒドロカルビルであり、およびA-は前に定義される通りである。
好ましいシリリウム塩活性化共触媒はトリメチルシリリウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、トリエチルシリリウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレートおよびそれらのエーテル置換付加物である。シリリウム塩は、従来、J. Chem Soc. Chem. Comm., 1993, 383-384に加えてLambert, J. B., et al., Organometallics, 1994, 13, 2430-2443に一般に開示されている。付加重合触媒の活性化共触媒としての上記シリリウム塩の使用はUS−A−5,625,087に開示される。
A*+はカチオン、特には、プロトン含有カチオン、好ましくは、1つもしくは2つのC10-40アルキル基を含むトリヒドロカルビルアンモニウムカチオン、特には、メチルジ(C14-20アルキル)アンモニウムカチオンであり、
Q3は、各々の存在で独立に、水素または水素を数えずに30個までの原子のハロ、ヒドロカルビル、ハロカルビル、ハロヒドロカルビル、シリルヒドロカルビルもしくはシリル(モノ、ジおよびトリ(ヒドロカルビル)シリルを含む)基、好ましくは、C1-20アルキルであり、並びに
Q2はトリス(ペンタフルオロフェニル)ボランもしくはトリス(ペンタフルオロフェニル)アルマンである。
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ウンデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ヘプタデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ウンデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ヘプタデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−5,6−ジメチルベンゾイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−5,6−ビス(ウンデシル)ベンゾイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ウンデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ヘプタデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ウンデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ヘプタデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−5,6−ジメチルベンゾイミダゾリド、および
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−5,6−ビス(ウンデシル)ベンゾイミダゾリド、
のトリヒドロカルビルアンモニウム塩、特には、メチルジ(C14-20アルキル)アンモニウム塩が含まれる。
ポリマー生成物
応用および最終用途
試験法
標準CRYSTAF法
DSC標準法
耐摩耗性
GPC法
圧縮硬化
密度
屈曲/割線モジュラス
光学特性、引張り、ヒステリシスおよび引裂き
を用いて算出した。
TMA
DMA
ペレットブロック化挙動
溶融特性
ATREF
具体例
R11はアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリールおよび、水素を数えずに1〜30個の原子を含む、それらの不活性に置換された誘導体もしくはそれらの二価誘導体から選択され;
T1は、水素以外の1〜41個の原子、好ましくは、水素以外の1〜20個の原子の二価架橋性基、最も好ましくは、モノもしくはジC1-20ヒドロカルビル置換メチレンもしくはシラン基であり;並びに
R12はルイス塩基官能性を含むC5-20ヘテロアリール基、特には、ピリジン−2−イルもしくは置換ピリジン−2−イル基またはそれらの二価誘導体であり;
M1は4族金属、好ましくは、ハフニウムであり;
X1はアニオン性、中性もしくはジアニオン性配位子基であり;
x’は、そのようなX1基の数を示す、0〜5の数字であり;並びに
結合、任意の結合および電子寄与相互作用は、それぞれ、線、破線および矢印によって表される)
M2は元素周期律表の4−10族の金属であり;
T2は窒素、酸素もしくはリン含有基であり;
X2はハロ、ヒドロカルビルもしくはヒドロカルビルオキシであり;
tは1もしくは2であり;
x”は電荷バランスをもたらすように選択される数字であり;
並びにT2およびNは架橋性配位子によって連結する)
a)(1−メチルエチル(2−ヒドロキシ−3,5−ジ(t−ブチル)フェニル)イミンの調製
b)(ビス−(1−メチルエチル)(2−オキソイル−3,5−ジ(t−ブチル)フェニル)イミノ)ジルコニウムジベンジルの調製
a)(1−(2−メチルシクロヘキシル)エチル)(2−オキソイル−3,5−ジ(t−ブチル)フェニル)イミンの調製
b)ビス−(1−(2−メチルシクロヘキシル)エチル)(2−オキソイル−3,5−ジ(t−ブチル)フェニル)イミノ)ジルコニウムジベンジルの調製
一般高スループット平行重合条件
触媒/可逆的移動剤選択法1
触媒/可逆的移動剤選択法2
連続溶液重合反応
実施例1−6、比較例A−B
Claims (6)
- 1種類以上の付加重合性モノマーを重合して差別化されたポリマー組成もしくは特性を有する複数の領域もしくはセグメントを含むコポリマーを形成するための方法であって、付加重合性モノマーもしくはモノマーの混合物を、付加重合条件の下で、少なくとも1種類のオレフィン重合触媒、共触媒および可逆的連鎖移動剤(chain shuttling agent)を含む組成物と接触させることを含み、少なくとも幾つかの成長するポリマー鎖が、差別化されたプロセス条件の下で、少なくとも幾つかの生じるポリマー内で形成される2つ以上のブロックもしくはセグメントが化学的もしくは物理的に区別可能であるように形成されることを特徴とする方法。
- 異なる化学的もしくは物理的特性を有する2つ以上の分子内領域もしくはセグメントを含み、かつ3.0未満の分子量分布、Mw/Mnを有する擬似ブロックコポリマー。
- (1)有機もしくは無機ポリマーおよび(2)請求項2による、もしくは請求項1の方法によって調製される、コポリマーを含むポリマー混合物。
- 請求項1による方法であって、該触媒が下記式に相当する金属錯体を含む方法:
R11はアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリールおよび、水素を数えずに1〜30個の原子を含む、それらの不活性に置換された誘導体もしくはそれらの二価誘導体から選択され;
T1は、水素以外の1〜41個の原子、好ましくは、水素以外の1〜20個の原子の二価架橋性基、最も好ましくは、モノもしくはジC1-20ヒドロカルビル置換メチレンもしくはシラン基であり;並びに
R12はルイス塩基官能性を含むC5-20ヘテロアリール基、特には、ピリジン−2−イルもしくは置換ピリジン−2−イル基またはそれらの二価誘導体であり;
M1は4族金属、好ましくは、ハフニウムであり;
X1はアニオン性、中性もしくはジアニオン性配位子基であり;
x’は、そのようなX1基の数を示す、0〜5の数字であり;並びに
結合、任意の結合および電子寄与相互作用は、それぞれ、線、破線および矢印によって表される) - エチレン、プロピレンおよび4−メチル−1−ペンテンからなる群より選択される少なくとも1種類のモノマーを重合形態で含む、請求項2による擬似ブロックコポリマー。
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