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JP2008544553A - 短波長ledとダウンコンバージョン物質で白色光を生成するパッケージ設計 - Google Patents

短波長ledとダウンコンバージョン物質で白色光を生成するパッケージ設計 Download PDF

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JP2008544553A JP2008518364A JP2008518364A JP2008544553A JP 2008544553 A JP2008544553 A JP 2008544553A JP 2008518364 A JP2008518364 A JP 2008518364A JP 2008518364 A JP2008518364 A JP 2008518364A JP 2008544553 A JP2008544553 A JP 2008544553A
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Abstract

短波長光を発生する固体発光デバイス(102)、及びそれぞれ短波長の一部によって照射される量子ドット物質(104)と蛍光体物質(106)を含む広帯域幅光源。短波長光は、約500nmより短い第一のピーク波長を含む第一のスペクトルを有する。量子ドット物質(104)は短波長の一部を吸収して、約600nmより長い第二のピーク波長を含む第二のスペクトルを有する長波長光として再放出する。蛍光体物質(106)は短波長の一部を吸収して、第一及び第二のピーク波長の間にあるピーク波長を含むスペクトルを有する中波長光として再放出する。光源は、各光(短波長光、中波長光、及び長波長光)の一部が同時に、黒体軌跡に近い色度値と80より大きい演色評価数を有する光として放出されるように構成される。

Description

関連出願
本出願は、2005年6月23日に出願された米国特許仮出願No. 60/693,170及び2005年7月12日に出願された米国特許仮出願No. 60/698,591の優先権を主張するものであり、それぞれの内容は参照によって本明細書に組み込まれる。
本発明は、固体白色光放出デバイスに関する。特に、これらのデバイス及び方法は短波長光源を蛍光体及び量子ドット・ダウンコンバージョン物質と共に用いる。
発光ダイオード(LED’s)及び共振器型LED(RCLED’s)などの固体発光デバイスは、通常の白熱電灯や蛍光灯に比べて、製造コストを低くすることができ、長期的な耐久性という利点もあるためきわめて有用である。その長い使用寿命(バーンタイム)と低い電力消費のため、固体発光デバイスは、初期コストが通常のランプよりも高くなる場合であっても、その動作コストのために利益になることが多い。大規模半導体製造技術を利用することができ、多くの固体ランプがきわめて低コストで生産できる。
LED’sは、家庭電器及び消費者用電器、オーディオビジュアル機器、電話機、及び自動車計器表示などにおける表示ランプとしての応用の他に、屋内及び屋外の情報ディスプレーにも応用されている。
青色光又は紫外光(UV)を放出する効率的LED’sの開発と共に、LEDの一次発光を蛍光体で長波長に変換することによって白色光を生成するLED’sを製造することが可能になった。LEDの一次発光をもっと長い波長に変換することは、普通、一次発光のダウンコンバージョンと呼ばれる。一次発光のうち変換されなかった部分が長波長の光と合体して見る人に白色と見える光を生ずる。しかし、無機の蛍光体だけを用いて短波長の光をダウンコンバートすると、効率的に発生できるスペクトルのタイプが限られる。
本発明のある例示的な実施形態は、短波長固体発光デバイス、量子ドット物質、及び蛍光体物質を用いて可視光を生成する方法であって、その可視光の色度の値が黒体軌跡に近く、演色評価数が約80を超えるものである。第一のピーク波長を含む第一のスペクトルを有する短波長光が短波長固体発光デバイスを用いて発生される。第一のピーク波長は約500 nmよりも短い。量子ドット物質はこの短波長光の少なくとも一部分によって、短波長光の第一の分画(fraction)が量子ドット物質によって吸収され、第二のピーク波長を含む第二のスペクトルを有する長波長光として再放出されるように照射される。第二のピーク波長は約600 nmよりも長い。蛍光体物質はこの短波長光の少なくとも一部分によって、短波長光の第二の分画が蛍光体物質によって吸収され、第三のピーク波長を含む第三のスペクトルを有する中波長光として再放出されるように照射される。短波長光の第三の分画、中波長光の少なくとも一部分、及び長波長光の少なくとも一部分が可視光として放出される。
本発明の別の例示的な実施形態は、広帯域の光源であって:短波長固体発光デバイス;この短波長固体発光デバイスと光学的に結合されて短波長光の第一の部分によって照射される量子ドット物質;及びこの短波長固体発光デバイスと光学的に結合されて短波長光の第二の部分によって照射される蛍光体物質;を含む。短波長固体発光デバイスは約500 nmよりも短い第一のピーク波長を含む第一のスペクトルを有する短波長光を発生する。量子ドット物質は、第一のスペクトルを有する入射光のある分画を吸収して、約600 nmよりも長い第二のピーク波長を含む第二のスペクトルを有する長波長光としてそれを再放出するようになっている。蛍光体物質は、第一のスペクトルを有する入射光のある分画を吸収して、第一のピーク波長と第二のピーク波長の間にあるピーク波長を含む第三のスペクトルを有する中波長光としてそれを再放出するようになっている。短波長固体発光デバイス、量子ドット物質、及び蛍光体物質は、短波長光の一部、長波長光の一部、及び中波長光の一部が広帯域の光源から黒体軌跡に近い色度値と80を超える演色評価数を有する可視光として実質的に同時に放出されるように構成される。
本発明のさらに別の例示的な実施形態は、黒体軌跡に近い色度値と80を超える演色評価数を有する広帯域の光源である。この広帯域の光源は:第一のピーク波長を含む第一のスペクトルを有する短波長光を発生する手段;この短波長光の第一の分画を吸収して第二のピーク波長を含む第二のスペクトルを有する長波長光として再放出する手段;及び短波長光の第二の分画を吸収して第三のピーク波長を含む第三のスペクトルを有する中波長光として再放出する手段;を含む。第一のピーク波長は、約500 nmよりも短く、第二のピーク波長は、約600 nmよりも長く、第三のピーク波長は、第一のピーク波長と第二のピーク波長の間にある。短波長光の第三の分画、中波長光の少なくとも一部分、及び長波長光の少なくとも一部分が可視光として放出される。
固体照明についての研究は、単にエネルギー効率の高い光源を開発するというだけでなく、太陽光のスペクトルに近い白色光を放出する光源を開発することを目標としている。しかし、無機蛍光体だけを用いて短波長光をダウンコンバートすることによってこのタイプのスペクトルを効率的に実現することは困難であった。例えば、セリウムをドープしたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG:Ce)蛍光体を窒化ガリウム(GaN)系の青色LEDと共に用いた白色LED’sが製造されている。従来のこれらの光源では、GaN LEDが放出する青色放射の一部分が蛍光体によってグリーン−イエローにダウンコンバートされる。こうして得られる光は、人間の視覚では白色と感じられる。しかし、この方法は、生ずる光のスペクトルの相関色温度(CCT)が非常に高く、演色性が、特に赤色領域で低いという欠点がある。白色LEDが従来の光源と競争するためにはスペクトル出力分布(SPD)が改善されることが望ましい。
量子ドット(QD’s)は、あるスペクトル範囲でエネルギーを吸収して別のスペクトル範囲でエネルギーを放出するナノメートル・サイズの半導体である。固体照明の用途でQD’sを興味深いものにしているQD’sのユニークな特徴の一つは、QDの吸収及び放出スペクトルがQD粒子の平均物理的サイズと関係しているということである。したがって、ある物質中のQD’sの直径をコントロールすることによって、狭い帯域幅の源から、注文に合う連続放出スペクトルを生ずる物質を実現することが、理論的には可能である。
セレン化カドミウム(CdSe)をベースとするQD’sは可視スペクトル範囲(380 nmから780 nmまで)の全域にわたる光線を放出するように調整できる。したがって、CdSeをベースとするQD’sは、白色LED用途に利用できるダウンコンバージョン物質である。QD’sの放出スペクトルのピーク波長はその平均直径に比例するので、いろいろな直径のQD’sを組み合わせることによって、紫外又は青色LEDによって励起されたときにほとんど連続スペクトルの白色光を発生させることが可能である。
本発明者たちは、青色GaN LEDのまわりに赤色CdSe量子ドット(QD’s)(620 nm)を層状に形成した固体照明デバイスをテストした。このテストでは出力カラーが青紫色で発光効率が低い光源が得られた。この結果は、グリーン−イエローのスペクトル領域におけるこのデバイスの出力エネルギーの不足によって生じたものである。
一般的な照明用途では、光源の色度が黒体軌跡に近いことがほとんど常に望ましい。上記の実験的固体照明デバイスの色度は、ある量のグリーンQD’sをパッケージに加えることによって改善される。しかし、グリーンQD’sは量子収率が低く、自己吸収比が高いことが見出された。したがって、上記の実験的光源にグリーンQD’sを加えることによって出力光の色度値は黒体軌跡に近くなるが、それに関連した量子収率と自己吸収比はパッケージの効率を大きく低下させる可能性がある。
本発明の例示的な実施形態は、発光ダイオード(LED’s)とダウンコンバージョン物質を用いて太陽光に近い白色光を生ずるデバイス及び方法を含む。これらの例示的な実施形態は、高効率赤色QD’sとイエロー−グリーンの蛍光体をダウンコンバージョン物質として用いる。したがって、所望の色度の値を維持しながら、パッケージの発光効率を高くすることができる。
図1は、本発明のある実施形態に係わる広帯域幅光源100を例示している。この広帯域幅光源100は:短波長光を発生する短波長発光デバイス102;QD物質104;及び蛍光体物質106を含み、それらがすべて光学マウント108に搭載されている。光学マウント108は、機械的なサポートになると同時に、短波長発光デバイス102とダウンコンバージョン物質によって発生する熱を散逸させるためのヒートシンクとしても働く。光学マウント108は、また、広帯域幅光源100の上面からの可視光の放出を増加させる反射コーティングが施されている。図1に示されたQD物質104と蛍光体物質106の位置は望ましいものであるが、これら二つの物質の他の形態も本発明の実施形態で用いることができるということを注意しておきたい。例えば、図1の実施形態において、QD物質104と蛍光体物質106の位置を交換することもできる。
例示された広帯域幅光源100は、ダウンコンバージョン物質としての赤色QD’sとイエロー−グリーン蛍光体を固体発光デバイス102と結合するというパッケージング・コンセプトを創造することによって上述の実験的固体光源のスペクトルにおけるグリーン−イエロー光の不足に対処している。図1に示されているように、短波長固体発光デバイス102をQD物質104に埋め込んで、蛍光体物質106をQD物質の層の上に成層することができる。
図7A−Cは、例示された広帯域幅光源100の動作を説明する概略図である。説明を簡単にするために、すべての光子(矢印)は前方へ伝播するように示されている。しかし、ダウンコンバートされた光子はすべての方向に放射されるし、短波長固体発光デバイス102の光子は図7A−Cに示されているように集光されていないことは当業者には理解されるであろう。図7A−Cでは、短波長光子はBでマークされた矢印で表され、中波長光子はGでマークされた矢印で表され、長波長光子はRでマークされた矢印で表されている。三つの図全部で、光子700は、短波長固体発光デバイス102によって発生された短波長光子を表している。
図7Aの例示された実施形態では、光子700は蛍光体物質106に入射し、その一部は蛍光体物質106によって吸収されて中波長光子として再放出される。光子702は、蛍光体物質を透過した吸収されない短波長光子(B)と放出された中波長光子(G)を含む。光子702はQD物質104に入射する。残った短波長光子の一部と中波長光子の一部はQD物質104によって吸収されて長波長光子として再放出される。残った短波長光子と残った中波長光子(G)は蛍光体物質106を透過し、放出された長波長光子(R)と合体して広帯域幅の光704を生ずる。
図7Bの例示された実施形態では、光子700はQD物質104に入射し、その一部はQD物質104によって吸収されて長波長光子として再放出される。残りの短波長光子はQD物質104を透過する。光子706は、QD物質を透過した吸収されない短波長光子(B)と放出された長波長光子(R)を含む。光子706は蛍光体物質106に入射する。残った短波長光子の一部は蛍光体物質106によって吸収されて中波長光子として再放出される。残った短波長光子(B)と長波長光子(R)は蛍光体物質106を透過し、放出された長波長光子(R)と合体して広帯域幅の光704を生ずる。
図7Cの例示された実施形態では、光子700は合体したQD/蛍光体物質402に入射し、その一部は合体したQD/蛍光体物質402によって吸収されて中波長光子及び長波長光子として再放出される。残りの短波長光子は合体したQD/蛍光体物質402を透過し、放出された中波長光子(G)及び長波長光子(R)と合体して広帯域幅の光704を生ずる。
このように、図示した三つの実施形態のすべてで、短波長固体発光デバイス102からの短波長光の一部がQD物質104中のQD、及び蛍光体物質106中の蛍光体によって(又は合体したQD/蛍光体物質402において)吸収され、それらは短波長光を吸収して、それをそれぞれ赤色光及びグリーン−イエロー光として再放出(すなわち、ダウンコンバート)する。したがって、例示された広帯域幅光源100はほぼ連続スペクトルの可視光を発生する。その結果、例示された広帯域幅光源100の色度値と発光効率が改善される。
この広帯域幅光源デザインのその他の利点としては:出力光の演色評価数(CRI)が増加すること;出力光の相関色温度(CCT)の低下;及びデバイスの効率の増加、などがあげられる。
図2は、スペクトル・グラフ200を示し、三つのスペクトルを含んでいる。スペクトル202は、例示された短波長固体発光デバイス102によって発生される短波長光のスペクトルを表す。スペクトル204は、例示された蛍光体物質106によって放出される中波長光のスペクトルを表す。スペクトル206は、例示されたQD物質104によって放出される長波長光のスペクトルを表す。短波長固体発光デバイス102、QD物質104、及び蛍光体物質106を適切に構成することによって、これらのスペクトルのそれぞれからの光の相対量をコントロールして、色度、CRI、及びCCTなど所望の光学的性質を有する可視光を生成できる。図3Aのスペクトル・グラフ300はこのようにして生成される合体したスペクトル302の例を示している。
例示的な広帯域幅光源100によって放出される可視光へのスペクトル202,スペクトル204,及びスペクトル206の相対的な寄与の割合を変えることによって、放出される光の色度値を変えることができる。放出される光の色度値は、また、図2に示されたものと異なるスペクトルを有する短波長固体発光デバイス、QD物質、及び/又は蛍光体物質を選ぶことによっても変えられる。上述のように、黒体軌跡に近い色度が人間にとって最も自然であり、したがって照明の設計として好ましいということが見出されている。図3Bは、CIE-1931ダイアグラム304を示しており、そこにはスペクトル軌跡306,黒体軌跡308,及び図3Aに示された例示的な組み合わせスペクトル302の色度値310がプロットされている。図3Bに見られるように、図3Aに示された例示的な組み合わせスペクトル302の色度値310は黒体軌跡308に非常に近い。短波長固体発光デバイス102,QD物質104,及び蛍光体物質106の適切な選択と構成によって広帯域幅光源100から放出される可視光の色度値を、CIE-1931ダイアグラム上で、黒体軌跡のx色度値の約0.01及びy色度値の約0.01で限られる区域内に望ましく設定できる。
CRIは、蛍光灯、金属ハロゲン化物、及びその他の非白熱照明設備のメーカーによって、彩色表面での照明の視覚効果を記述するために用いられる0から100までのスケールでの性能指数である。自然の昼日光及び黒体光源(色温度を見よ)を近似する照明光源には100というCRIが割り当てられる。昼日光照明という状況では、CRIはガラスやその他の透明物質の分光透過性質を規定する。この場合、95以上という値がトルーカラーのレンダリングを可能にするために受容できると考えられる。典型的な冷白色の蛍光灯はCRIが約62である。希土類と蛍光体を有する蛍光灯はCRIが80以上に達している。青色LEDとYAG蛍光体に基づく典型的な白色LEDのCRIは70〜78である。短波長固体発光デバイス102,QD物質104,及び蛍光体物質106の適切な選択と構成によって広帯域幅光源100から放出される可視光のCRIを約85より大きく、さらには90よりも大きく望ましい値に設定することができる。
短波長固体発光デバイス102は、望ましくは約500 nmより短い、例えば約200 nm〜約500 nmにピーク波長を有する短波長の光を発生する。
固体発光デバイスは、発光ダイオード(LED)、共振器型LED、又はダイオード・レーザーなどである。これらのデバイスを作る材料の例としては:InGaN; GaN; SiC; Sic上のGaN;その他の半導体材料があげられる。
QD物質104は、短波長固体発光デバイス102と光学的に結合されて、短波長光の一部で照射されるようになる。図1では、QD物質104が短波長固体発光デバイス102を囲む形が示されている。しかし、QD物質104が短波長光によって十分に照射されている限りこれは必要ではないということは当業者には理解されるであろう。QD物質104と短波長固体発光デバイス102の間にスペースを設けることは、QD物質104から放出される短波長光と短波長固体発光デバイス102との光学的結合を減らすために望ましいであろう。もっと長い波長の光のこのような‘バック・カプリング’は短波長固体発光デバイス102の望ましくない加熱に導く恐れがある。
QD物質104は入射する短波長光のある分画を吸収して、ピーク波長が約600 nmより長い、例えば約600 nm〜約700 nmにある長波長光として吸収した光を再放出するようになっている。QD物質104によって放出される長波長光のスペクトルの半値全幅(FWHW)は約50 nm未満であるが、用途によってはもっと広いスペクトルの長波長光が望ましい。広いスペクトルの長波長光は、赤外光の成分を可視光に加えなければならない場合に特に望ましい。可視光への赤外光の小さな添加は、一部の人たちに心理的及び身体的に有益な効果があることが見出されている。
QD物質は、マトリクス物質中に分散した多数のQD’sを含む。このマトリクス物質は、広帯域幅光源100によって生成される可視光に対して実質的に透明であることが望ましい。例えば、マトリクス物質としては次のようなものがあげられる:UV硬化性透明樹脂;熱硬化性ゾル−ゲル樹脂;UV硬化性ゾル−ゲル樹脂;ポリカーボネート;ポリスチレン;ポリメチルメタクリレート(PMMA);ポリエチレン;いろいろなエポキシ;シリコーン;シリカ;又はチタニア。
QD’sは、普通、直径が約1.9 nm〜約10.0 nmの範囲にあるが、この範囲に限定されず、どんな標準的なQD物質、例えばCdSe, ZnS, PbSe, CdTe, PbTe, ZnSe, Si,又はGeなどから形成することができる。
蛍光体物質106は、入射する短波長光のある分画を吸収して、ピーク波長が短波長光のピーク波長と長波長光のピーク波長の間にある、多くの場合望ましくは約500 nm〜約600 nmにある、中波長光として吸収した光を再放出するようになっている。蛍光体物質106によって放出される中波長光のスペクトルの半値全幅(FWHW)は、用いる特定蛍光体物質によるが、約150 nm未満である。
蛍光体物質106は、マトリクス物質中に分散した多数の蛍光体粒子を含む。QD物質104のマトリクス物質と同様、このマトリクス物質も、広帯域幅光源100によって生成される可視光に対して実質的に透明であることが望ましく、例としては、例えば次のようなものがあげられる:UV硬化性透明樹脂;熱硬化性ゾル−ゲル樹脂;UV硬化性ゾル−ゲル樹脂;ポリカーボネート;ポリスチレン;ポリメチルメタクリレート(PMMA);ポリエチレン;いろいろなエポキシ;シリコーン;シリカ;又はチタニア。あるいはまた、蛍光体物質106はバルクの蛍光体物質であって、図1に示されているようなフラットな基材に形成されたものであってもよい。
蛍光体粒子又はバルクの蛍光体物質は、少なくとも一つの次のような標準的なイエロー又はグリーンの蛍光体物質を含む、例えば;ZnS:Cu-Al; ZnSiO4:Mn2+; Sr3SiO5:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+Mn2+; SrAlO4:Eu,Dy; (YGdCe)3Al5O12:Eu; Sr4Al14O25:Eu; (Ce, Tb)MgAl11O19; 又は(La, Ce, Tb)PbO4, YAG:Ce、その他の蛍光体物質である。
図1に示された例示的な広帯域幅光源100は、蛍光体物質106が照射される短波長光が最初にQD物質104を透過した後に蛍光体物質に入射するように構成される。QD物質104と蛍光体物質106の位置を逆にすることもできると考えられるが、図1に示された構成が有利になる。上述したように、短波長固体発光デバイス102への光の‘バック・カプリング’は望ましくない加熱に導く恐れがある。QD物質104が、短波長光のある分画だけでなく、入射する中波長光のある分画も吸収して再放出するようになっている場合、図1に示された構成は、短波長固体発光デバイス102にバック・カプリングされる中波長光の望ましい形で減らすことができるであろう。
図4と5は、別の例示的な広帯域幅光源400と500をそれぞれ示している。これらの広帯域幅光源の各々は組み合わせQD/蛍光体物質を含む。この組み合わせQD/蛍光体物質は、例示的な広帯域幅光源の可視光を実質的に透過するマトリクス物質中に分散した複数のQD’sと複数の蛍光体粒子を含む。QD’sと蛍光体粒子はマトリクス物質の特定の領域に熱別に分散することも、マトリクス物質内に混合して分散することもある。
図4は、組み合わせQD/蛍光体物質402が短波長固体発光デバイス102のまわりに形成されている例示的な広帯域幅光源400を示している。図5は、組み合わせQD/蛍光体物質502が光学エレメント504の表面に形成されている例示的な広帯域幅光源500を示している。光学エレメント504は、組み合わせQD/蛍光体物質502から短波長固体発光デバイス102への中及び長波長光のバック・カプリングを減らすことができる光ガイドであることが望ましい。
図1の実施形態による例示的な広帯域幅光源は、GaNをベースとする裸の青色LEDデバイスを短波長固体発光デバイス102として用いて形成された。この青色LEDがピーク放出波長が630 nmである赤色QD’sの層(QD物質104)に埋められ、YAGイエロー/グリーン蛍光体層(蛍光体物質106)がLEDとQD物質の前に置かれた。この例示的なデバイスの測定は、パッケージの発光効率が21 lm/Wであることを示した。これは、蛍光体だけのダウンコンバージョン物質を用いた市販されている白色LEDデバイスの発光効率(23 lm/W)に近い。しかし、図3Aと3Bに示された例示的なデータを与えた例示的な広帯域幅光源は、CRIが90であり、色度値は黒体軌跡に近い。このように、本発明者たちは、本発明の例示的な実施形態に係わる例示的な広帯域幅光源が発光効率の減少を最小限にして優れたカラー品質を達成できることを実証した。
図6は、短波長固体発光デバイス、QD物質、及び蛍光体物質を用いて可視光を生成する例示的な方法を示している。この例示的な方法で生成される可視光は、色度値が黒体軌跡に近く、CRIが約80よりも大きい。この方法は、上で図1,4,又は5を参照して説明した例示的な広帯域幅光源のいずれかを使用することが望ましい。
短波長光が短波長固体発光デバイスを用いて発生される、ステップ600。この短波長光はピーク波長が望ましくは約500 nmよりも短い第一のスペクトルを有する。
QD物質は短波長光の少なくとも一部によって照射され、短波長光のある分画がQD物質によって吸収され長波長光として再放出される、ステップ602。長波長光はピーク波長が望ましくは約600 nmよりも長い第二のスペクトルを有する。
蛍光体物質も、短波長光の少なくとも一部によって照射され、短波長光のある分画が蛍光体物質によって吸収され中波長光として再放出される、ステップ604。中波長光はピーク波長が短波長光のピーク波長と長波長光のピーク波長の間にある第三のスペクトルを有する。
短波長光の残り、中波長光の少なくとも一部、及び長波長光の少なくとも一部が、例示的な広帯域幅光源から可視光として放出される、ステップ606。
あるいはまた、QD物質が短波長光の他に中有波長光の少なくとも一部によって照射される。中波長光のある分画がQD物質によって吸収され追加の長波長光として再放出される、ステップ608。
本発明を特定の実施形態について図示して説明したが、本発明はここで示された細部に限定されないことは言うまでもない。クレームの等価物の範囲内で本発明から逸脱することなくいろいろな変更が可能である。特に、具体的に説明されたいろいろな実施形態の多くの特徴を組み合わせて別の例示的な広帯域幅光源及び方法を本発明の実施形態として構成できることは当業者には理解されるであろう。
本発明は、添付図面と合わせて以下の詳細な説明を読むときに最も良く理解される。通常のやり方に従って、図のいろいろな特徴は正確なスケールで示されていないということが強調される。むしろ、分かりやすくするために、いろいろな特徴の寸法は任意に伸ばしたり縮めたりしている。図面には以下の図が含まれる:
本発明のある実施形態に係る広帯域光源の一例を示す切り欠き側面図である。 青色発光ダイオード、イエロー/グリーン・蛍光体物質、及び赤色量子ドット(QD)物質の例示的なスペクトルを示すグラフである。 本発明のある実施形態に係る広帯域光源の一例のスペクトルを示すグラフである。 本発明のある実施形態に係る広帯域光源の一例の色特性を示すCIE-1931ダイアグラムである。 本発明の実施形態に係る広帯域光源の別の例を示す切り欠き側面図である。 本発明の実施形態に係る広帯域光源のさらに別の例を示す切り欠き側面図である。 本発明のある実施形態に係わる、色度値が黒体軌跡に近く、演色評価数が約80より大きな可視光を生成する方法の例を示す流れ図である。 本発明のある実施形態に係わる、短波長固体発光デバイス、QD物質、及び蛍光体物質を用いて可視光を生成する方法の例を示す概略ブロック図である。 本発明のある実施形態に係わる、短波長固体発光デバイスと、QD/蛍光体組み合わせ物質を用いて可視光を生成する方法の例を示す概略ブロック図である。

Claims (36)

  1. 黒体軌跡に近い色度値を有しかつ演色評価数が約80より大きい可視光を生成する方法であって、該可視光は短波長固体発光デバイス、量子ドット物質、及び蛍光体物質を用いて生成され、該方法は:
    a) 該短波長固体発光デバイスを用いて第一のピーク波長を含む第一のスペクトルを有する短波長光を発生するステップ、該第一のピーク波長は約500nmよりも短い;
    b) 該量子ドット物質を該短波長光の少なくとも一部分によって照射し、該短波長光の第一の分画が該量子ドット物質によって吸収され、第二のピーク波長を含む第二のスペクトルを有する長波長光として再放出されるようにするステップ、該第二のピーク波長は約600nmよりも長い;
    c) 該蛍光体物質を該短波長光の少なくとも一部分によって照射し、該短波長光の第二の分画が該蛍光体物質によって吸収され、第三のピーク波長を含む第三のスペクトルを有する中波長光として再放出されるようにするステップ、該第三のピーク波長は該第一のピーク波長と該第二のピーク波長の間にある;及び
    d) 該短波長光の第三の分画、中波長光の少なくとも一部分、及び長波長光の少なくとも一部分を可視光として放出するステップ;
    を含む方法。
  2. ステップ(d)で放出される該可視光の色度値が、CIE-1931ダイアグラム上で黒体軌跡のx色度値の約0.01及びy色度値の約0.01で限られる区域内にあることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. ステップ(d)で放出される該可視光の演色評価数が約85より大きいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  4. ステップ(d)で放出される該可視光の演色評価数が約90より大きいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  5. ステップ(d)で放出される該可視光の相関色温度が約1000K〜約16000Kより小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  6. ステップ(d)で放出される該可視光の相関色温度が約3300K〜約3600Kにあることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  7. ステップ(a)で該短波長固体発光デバイスによって発生される短波長光の該第一のピーク波長が約200nm〜約500nmにあることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  8. ステップ(b)で該量子ドット物質によって放出される長波長光の該第二のピーク波長が約600nm〜約700nmにあることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  9. ステップ(b)で該量子ドット物質によって放出される長波長光の該第二のスペクトルの半値全幅が約50nmより小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  10. ステップ(b)がさらに、該中波長光の少なくとも一部分によって該量子ドット物質を照射し、該中波長光の第四の分画が該量子ドット物質によって吸収され、追加の長波長光として再放出されるようにするステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  11. ステップ(c)で該蛍光体物質によって放出される中波長光の該第三のピーク波長が約500nm〜約600nmにあることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  12. ステップ(c)で該蛍光体物質によって放出される中波長光の該第三のスペクトルの半値全幅が約150nmより小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  13. 広帯域幅光源であって:
    第一のピーク波長を含む第一のスペクトルを有する短波長光を発生する短波長固体発光デバイス、該第一のピーク波長は約500nmより短い;
    該短波長固体発光デバイスと光学的に結合され、該短波長光の第一の部分によって照射される量子ドット物質であって、該第一のスペクトルを有する入射光の第一の分画を吸収し、吸収された光を第二のピーク波長を含む第二のスペクトルを有する長波長光として再放出するようになっている量子ドット物質、該第二のピーク波長は約600nmより長い;及び
    該短波長固体発光デバイスと光学的に結合され、該短波長光の第二の部分によって照射される蛍光体物質であって、該第一のスペクトルを有する入射光の第二の分画を吸収し、吸収された光を第三のピーク波長を含む第三のスペクトルを有する中波長光として再放出するようになっている蛍光体物質、該第三のピーク波長は該第一のピーク波長と該第二のピーク波長の間にある;
    を含み、該短波長固体発光デバイス、該量子ドット物質、及び該蛍光体物質は、第一の量の短波長光、第二の量の長波長光、及び第三の量の中波長光が実質的に同時に該広帯域幅光源から黒体軌跡に近い色度値を有しかつ演色評価数が80より大きい可視光として放出されるように構成されることを特徴とする広帯域幅光源。
  14. 該短波長固体発光デバイスが、短波長発光ダイオード(LED)、短波長共振器型LED、又は短波長ダイオード・レーザーのいずれかであることを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  15. 該短波長固体発光デバイスによって発生される該短波長光の該第一のピーク波長が約200nm〜約500nmにあることを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  16. 該短波長固体発光デバイスによって発生される該短波長光の該第一のスペクトルの半値全幅が約50nmより小さいことを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  17. 該量子ドット物質が、可視光を実質的に透過するマトリクス物質内に分散された複数の量子ドットを含むことを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  18. 該複数の量子ドットが、CdSe量子ドット、ZnS量子ドット、CdTe量子ドット、PbTe量子ドット、ZnSe量子ドット、Si量子ドット、Ge量子ドット、又はPbSe量子ドットの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項17に記載の広帯域幅光源。
  19. 該マトリクス物質が、UV硬化性透明樹脂、熱硬化性ゾル−ゲル樹脂、UV硬化性ゾル−ゲル樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチル・メタクリレート(PMMA)、ポリエチレン、エポキシ、シリコーン、シリカ、又はチタニアの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項17に記載の広帯域幅光源。
  20. 該量子ドット物質によって放出される長波長光の該第二のピーク波長が約600nm〜約700nmにあることを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  21. 該量子ドット物質によって発生される長波長光の該第二のスペクトルの半値全幅が約50nmより小さいことを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  22. 該量子ドット物質がさらに該蛍光体物質と光学的に結合されて、該中波長光の一部分によって照射され;
    該量子ドット物質がさらに該第三のスペクトルを有する入射光の第三の分画を吸収するようになっている;
    ことを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  23. 該蛍光体物質が照射される該短波長光の該第二の部分が該蛍光体物質に入射する前に該量子ドット物質を透過するように該量子ドット物質が該広帯域幅光源内に配置されていることを特徴とする請求項22に記載の広帯域幅光源。
  24. 該蛍光体物質は、該可視光を実質的に透過するマトリクス物質内に分散された複数の蛍光体粒子を含むことを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  25. 該複数の蛍光体粒子は、ZnS:Cu-Al; ZnSiO4:Mn2+; Sr3SiO5:Eu2+; BaMgAl10O17: Eu2+Mn2+; SrAlO4:Eu, Dy; (YGdCe)3Al5O12:Eu; YAG:Ce; Sr4Al14O25:Eu; (Ce, Tb)MgAl11O19; YAG:Ce; 又は(La, Ce, Tb)PO4の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項24に記載の広帯域幅光源。
  26. 該マトリクス物質は、UV硬化性透明樹脂、熱硬化性ゾル−ゲル樹脂、UV硬化性ゾル−ゲル樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリエチレン、エポキシ、シリコーン、シリカ、又はチタニアの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項24に記載の広帯域幅光源。
  27. 該蛍光体物質は、バルクZnS:Cu-Al; バルクZnSiO4:Mn2+; バルクSr3SiO5:Eu2+; バルクBaMgAl10O17:Eu2+Mn2+; バルクSrAlO4:Eu, Dy; バルク(YGdCe)3Al5O12:Eu;バルクSr4Al14O25:Eu; バルク(Ce, Tb)MgAl11O19; 又はバルク(La, Ce, Tb)PO4の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  28. 該蛍光体物質によって放出される該中波長光の該第三のピーク波長が約500nm〜約600nmにあることを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  29. 該蛍光体物質によって放出される中波長光の該第三のスペクトルの半値全幅が約150nmより小さいことを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  30. 該量子ドット物質が複数の量子ドットを含み;
    該蛍光体物質が複数の蛍光体粒子を含み;
    該複数の量子ドットと該複数の蛍光体粒子が該可視光を実質的に透過するマトリクス物質内に混合して分散されていることを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  31. 該短波長固体発光デバイス、該量子ドット物質、及び該蛍光体物質は、該広帯域幅光源から放出される該可視光の色度値が、CIE-1931ダイアグラム上で黒体軌跡のx色度値の約0.01及びy色度値の約0.01で限られる区域内にあるように構成されることを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  32. 該短波長固体発光デバイス、該量子ドット物質、及び該蛍光体物質は、該広帯域幅光源から放出される該可視光の演色評価数が約85より大きくなるように構成されることを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  33. 該短波長固体発光デバイス、該量子ドット物質、及び該蛍光体物質は、該広帯域幅光源から放出される該可視光の演色評価数が約90より大きくなるように構成されることを特徴とする請求項2に記載の広帯域幅光源。
  34. 該短波長固体発光デバイス、該量子ドット物質、及び該蛍光体物質は、該広帯域幅光源から放出される該可視光の演色評価数が約1000K〜約16000Kの相関色温度を有するように構成されることを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  35. 該短波長固体発光デバイス、該量子ドット物質、及び該蛍光体物質は、該広帯域幅光源から放出される該可視光の演色評価数が約3300K〜約3600Kの相関色温度を有するように構成されることを特徴とする請求項13に記載の広帯域幅光源。
  36. 黒体軌跡に近い色度値を有しかつ演色評価数が約80より大きい可視光を生成する広帯域幅光源であって、該広帯域幅光源が:
    第一のピーク波長を含む第一のスペクトルを有する短波長光を発生する手段、該第一のピーク波長は約500nmよりも短い;
    該短波長光の第一の分画を吸収し、第二のピーク波長を含む第二のスペクトルを有する長波長光として再放出する手段、該第二のピーク波長は約600nmよりも長い;及び
    該短波長光の第二の分画を吸収し、第三のピーク波長を含む第三のスペクトルを有する中波長光として再放出する手段、該第三のピーク波長は該第一のピーク波長と該第二のピーク波長の間にある;
    を含み、該短波長光の第三の分画、中波長光の少なくとも一部分、及び長波長光の少なくとも一部分が可視光として放出されることを特徴とする広帯域幅光源。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012036265A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 Sharp Corp 照明装置
JP2012509567A (ja) * 2008-11-21 2012-04-19 シカト・インコーポレイテッド 3つの部分から成る色合わせ部を有する発光ダイオードモジュール
WO2012165022A1 (ja) 2011-06-02 2012-12-06 三菱化学株式会社 半導体発光装置、半導体発光システムおよび照明器具
JP2013153191A (ja) * 2005-06-23 2013-08-08 Rensselaer Polytechnic Institute 短波長ledとダウンコンバージョン物質で白色光を生成するパッケージ設計
US8513872B2 (en) 2010-08-05 2013-08-20 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting apparatus and method for manufacturing thereof
JP2013534042A (ja) * 2010-05-27 2013-08-29 メルク パテント ゲーエムベーハー ダウンコンバージョン
JP2013201274A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2014512652A (ja) * 2011-03-31 2014-05-22 コニカ ミノルタ ラボラトリー ユー.エス.エー.,インコーポレイテッド 低エネルギー消費の適応照明システム
JP2015511775A (ja) * 2012-03-30 2015-04-20 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 発光デバイス及び波長変換材料を含む光共振器
JP2016001735A (ja) * 2014-05-21 2016-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
EP3000863A1 (en) 2014-09-24 2016-03-30 Nichia Corporation Light emitting device
JP2016219748A (ja) * 2015-05-26 2016-12-22 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
JP2019502272A (ja) * 2015-11-02 2019-01-24 ナノコ テクノロジーズ リミテッド 緑色発光量子ドット及び赤色ksf蛍光体を含むディスプレイデバイス
JP2020098913A (ja) * 2012-08-10 2020-06-25 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 燐光体変換発光ダイオード、ランプ、及び照明器具

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7419839B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
KR20090009772A (ko) * 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US8264138B2 (en) * 2006-01-20 2012-09-11 Cree, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP2041478B1 (en) 2006-03-07 2014-08-06 QD Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
KR100764391B1 (ko) * 2006-04-25 2007-10-05 삼성전기주식회사 발광 다이오드 모듈
WO2008052318A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-08 Tir Technology Lp Light source comprising a light-excitable medium
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US20080198572A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
WO2009014590A2 (en) 2007-06-25 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Compositions and methods including depositing nanomaterial
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
JP5044329B2 (ja) * 2007-08-31 2012-10-10 株式会社東芝 発光装置
TWI397193B (zh) * 2007-11-05 2013-05-21 Univ Nat Chunghsing Light emitting diode chip element with heat dissipation substrate and method for making the same
WO2009107535A1 (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 株式会社東芝 白色ledランプ、バックライト、発光装置、表示装置および照明装置
US20090268461A1 (en) * 2008-04-28 2009-10-29 Deak David G Photon energy conversion structure
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
JP2011524064A (ja) * 2008-05-06 2011-08-25 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
JP2011523981A (ja) * 2008-05-13 2011-08-25 リサーチ・トライアングル・インスティチュート 多孔質および非多孔質ナノ構造ならびにその応用
KR100982991B1 (ko) * 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치
DE102008050643B4 (de) 2008-10-07 2022-11-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmittel
US20100135009A1 (en) * 2008-10-15 2010-06-03 David Duncan Custom color led replacements for traditional lighting fixtures
US8360617B2 (en) * 2008-11-25 2013-01-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting system including LED with glass-coated quantum-dots
US8227979B2 (en) * 2008-12-04 2012-07-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of matching color in lighting applications
US8169135B2 (en) * 2008-12-17 2012-05-01 Lednovation, Inc. Semiconductor lighting device with wavelength conversion on back-transferred light path
KR101493708B1 (ko) 2008-12-26 2015-02-16 삼성전자주식회사 백색 발광 장치
US7923741B1 (en) 2009-01-05 2011-04-12 Lednovation, Inc. Semiconductor lighting device with reflective remote wavelength conversion
CA2758018C (en) * 2009-04-06 2017-07-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent converter for a phosphor-enhanced light source comprising organic and inorganic phosphors
WO2010129374A2 (en) 2009-04-28 2010-11-11 Qd Vision, Inc. Optical materials, optical components, and methods
US8337030B2 (en) 2009-05-13 2012-12-25 Cree, Inc. Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods
US8217567B2 (en) 2009-06-11 2012-07-10 Cree, Inc. Hot light emitting diode (LED) lighting systems
EP2465147B1 (en) 2009-08-14 2019-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting devices, an optical component for a lighting device, and methods
US10264637B2 (en) 2009-09-24 2019-04-16 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with compensation bypass circuits and methods of operation thereof
US8901845B2 (en) 2009-09-24 2014-12-02 Cree, Inc. Temperature responsive control for lighting apparatus including light emitting devices providing different chromaticities and related methods
US9713211B2 (en) 2009-09-24 2017-07-18 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with controllable bypass circuits and methods of operation thereof
US9285103B2 (en) * 2009-09-25 2016-03-15 Cree, Inc. Light engines for lighting devices
US9068719B2 (en) * 2009-09-25 2015-06-30 Cree, Inc. Light engines for lighting devices
US8777449B2 (en) * 2009-09-25 2014-07-15 Cree, Inc. Lighting devices comprising solid state light emitters
KR20120094477A (ko) 2009-09-25 2012-08-24 크리, 인코포레이티드 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치
US8602579B2 (en) 2009-09-25 2013-12-10 Cree, Inc. Lighting devices including thermally conductive housings and related structures
CN102597848B (zh) 2009-10-17 2016-06-01 Qd视光有限公司 光学元件、包括其的产品、以及用于制造其的方法
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
US20110164430A1 (en) * 2010-01-07 2011-07-07 Kenneth Li Illuminator using light emitting diode light recycling with collimation
US9631782B2 (en) 2010-02-04 2017-04-25 Xicato, Inc. LED-based rectangular illumination device
US8104908B2 (en) * 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
DE102010028246A1 (de) * 2010-04-27 2011-10-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US8476836B2 (en) 2010-05-07 2013-07-02 Cree, Inc. AC driven solid state lighting apparatus with LED string including switched segments
WO2012024591A1 (en) 2010-08-20 2012-02-23 Research Triangle Institute, International Photoluminescent nanofiber composites, methods for fabrication, and related lighting devices
EP2606275A2 (en) 2010-08-20 2013-06-26 Research Triangle Institute, International Color-tunable lighting devices and methods for tunning color output of lighting devices
US9441811B2 (en) 2010-08-20 2016-09-13 Research Triangle Institute Lighting devices utilizing optical waveguides and remote light converters, and related methods
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
US10158057B2 (en) 2010-10-28 2018-12-18 Corning Incorporated LED lighting devices
US9648673B2 (en) 2010-11-05 2017-05-09 Cree, Inc. Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters
EP2655961A4 (en) * 2010-12-23 2014-09-03 Qd Vision Inc OPTICAL ELEMENT CONTAINING QUANTUM POINTS
KR101710212B1 (ko) * 2010-12-28 2017-02-24 엘지전자 주식회사 광소자 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지, 백라이트 장치
WO2012099966A2 (en) * 2011-01-18 2012-07-26 Whiteoptics Llc Color-shifting reflector
US8742654B2 (en) * 2011-02-25 2014-06-03 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including nonhomogeneous luminophoric particle size layers
US9412905B2 (en) * 2011-04-01 2016-08-09 Najing Technology Corporation Limited White light emitting device
US8957438B2 (en) 2011-04-07 2015-02-17 Cree, Inc. Methods of fabricating light emitting devices including multiple sequenced luminophoric layers
US9839083B2 (en) 2011-06-03 2017-12-05 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and circuits including LED segments configured for targeted spectral power distribution and methods of operating the same
US8742671B2 (en) 2011-07-28 2014-06-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and methods using integrated driver circuitry
TWI505515B (zh) * 2011-08-19 2015-10-21 Epistar Corp 發光裝置及其製造方法
KR101859653B1 (ko) * 2011-08-30 2018-05-18 삼성전자주식회사 액정 디스플레이 장치용 발광 유닛 및 그를 구비한 액정 디스플레이 장치
US20130062639A1 (en) * 2011-09-12 2013-03-14 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for fabricating light emitting diode (led) devices having output with selected characteristics
US20140328049A1 (en) * 2011-12-16 2014-11-06 Koninklike Philips N.V. Optical arrangement with diffractive optics
US8687882B2 (en) * 2011-12-23 2014-04-01 Blackberry Limited Apparatus, and associated method, for facilitating white balancing of an image
DE202012100357U1 (de) * 2012-02-02 2012-03-05 Flextronics Automotive Gmbh & Co.Kg Leuchte mit transluzentem Kunststoffelement
US9599293B2 (en) 2012-04-05 2017-03-21 Koninklijke Philips N.V. Full spectrum light emitting arrangement
KR101907390B1 (ko) 2012-04-23 2018-10-12 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
JP2016511556A (ja) * 2013-03-14 2016-04-14 コーニング インコーポレイテッド Led照明装置
US9318649B2 (en) * 2013-09-25 2016-04-19 Phoseon Technology, Inc. Multi-wavelength LED curing lamp
KR20150092801A (ko) 2014-02-05 2015-08-17 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR20150106029A (ko) 2014-03-10 2015-09-21 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20150115082A (ko) * 2014-04-02 2015-10-14 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
DE102014107972B9 (de) * 2014-04-17 2022-07-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtvorrichtung mit einem ersten Leuchtstoff und Filterpartikeln
JP6297932B2 (ja) * 2014-06-11 2018-03-20 マクセル株式会社 光学装置
US10490711B2 (en) 2014-10-07 2019-11-26 Nichia Corporation Light emitting device
KR101629331B1 (ko) * 2014-12-11 2016-06-10 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 및 그것을 구비하는 조리기기
DE102015105486A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US9735323B2 (en) * 2015-06-30 2017-08-15 Nichia Corporation Light emitting device having a triple phosphor fluorescent member
CN105610514A (zh) * 2015-12-31 2016-05-25 固安翌光科技有限公司 基于量子点的白光oled器件的可见光通信系统
CN105549262A (zh) * 2016-02-03 2016-05-04 青岛海信电器股份有限公司 背光单元、背光光源组件及液晶显示设备
CN105990504A (zh) * 2016-07-06 2016-10-05 华南师范大学 一种以uv胶固化封装量子点为荧光转换材料的白光led及其制备方法与应用
US9905735B1 (en) * 2017-03-31 2018-02-27 Cree, Inc. High brightness, low-cri semiconductor light emitting devices including narrow-spectrum luminescent materials
CN107123727B (zh) * 2017-05-15 2018-03-27 华中科技大学 一种低工作温度的量子点白光led及其制备方法
CN106972092B (zh) * 2017-05-15 2018-07-03 华中科技大学 一种高发光效率的量子点白光led及其制备方法
CA3067353A1 (en) * 2017-06-14 2018-12-20 Ubiqd Inc. Fiber-coupled broadband light source
JP6940764B2 (ja) 2017-09-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN109708026B (zh) * 2017-10-25 2021-12-31 苏州星烁纳米科技有限公司 一种照明灯具
WO2019121455A1 (de) * 2017-12-18 2019-06-27 Merck Patent Gmbh Lichtkonvertierendes material
DE102019122925A1 (de) * 2018-08-29 2020-03-05 Osa Opto Light Gmbh Breitband-Emitter für elektromagnetische Strahlung
TW202017209A (zh) * 2018-10-22 2020-05-01 隆達電子股份有限公司 具提升量子點信賴性的發光二極體封裝

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002510866A (ja) * 1998-04-01 2002-04-09 マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー 量子ドット白色及び着色発光ダイオード
JP2002531956A (ja) * 1998-11-30 2002-09-24 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 蛍光体組成物を有する発光デバイス
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2003298117A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
JP2004031843A (ja) * 2002-06-28 2004-01-29 Kyocera Corp 発光ダイオ−ド
JP2004071357A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Shigeo Fujita 照明装置
JP2004083653A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Sharp Corp 発光装置ならびに蛍光体およびその製造方法
JP2004327955A (ja) * 2003-04-09 2004-11-18 Citizen Electronics Co Ltd Ledランプ
JP2005135983A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2005228996A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Family Cites Families (145)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3593055A (en) * 1969-04-16 1971-07-13 Bell Telephone Labor Inc Electro-luminescent device
JPS5026433B1 (ja) 1970-12-21 1975-09-01
JPS48102585A (ja) * 1972-04-04 1973-12-22
US3760237A (en) * 1972-06-21 1973-09-18 Gen Electric Solid state lamp assembly having conical light director
DE3480294D1 (en) * 1984-11-15 1989-11-30 Japan Traffic Manage Tech Ass Signal light unit having heat dissipating function
DE3632743A1 (de) 1986-09-26 1988-03-31 Standard Elektrik Lorenz Ag Lichtwellenleiter mit endseitiger mikrolinse
US5187765A (en) * 1991-07-23 1993-02-16 Fostec, Inc. Backlighted panel
US5208462A (en) * 1991-12-19 1993-05-04 Allied-Signal Inc. Wide bandwidth solid state optical source
US5499138A (en) * 1992-05-26 1996-03-12 Olympus Optical Co., Ltd. Image display apparatus
US5461547A (en) 1993-07-20 1995-10-24 Precision Lamp, Inc. Flat panel display lighting system
US5644193A (en) * 1993-12-17 1997-07-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Phosphor, cathode-ray tube, fluorescent lamp and radiation intensifying screen
JP2596709B2 (ja) * 1994-04-06 1997-04-02 都築 省吾 半導体レーザ素子を用いた照明用光源装置
US5477430A (en) 1995-03-14 1995-12-19 Delco Electronics Corporation Fluorescing keypad
KR0134353Y1 (ko) * 1995-10-09 1999-01-15 이항복 교통신호봉
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
BRPI9715293B1 (pt) * 1996-06-26 2016-11-01 Osram Ag elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico
US5777433A (en) * 1996-07-11 1998-07-07 Hewlett-Packard Company High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
US6608332B2 (en) * 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
DE59814117D1 (de) * 1997-03-03 2007-12-20 Philips Intellectual Property Weisse lumineszenzdiode
US6007209A (en) 1997-03-19 1999-12-28 Teledyne Industries, Inc. Light source for backlighting
US5813752A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6096496A (en) * 1997-06-19 2000-08-01 Frankel; Robert D. Supports incorporating vertical cavity emitting lasers and tracking apparatus for use in combinatorial synthesis
US5847507A (en) 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
US5962971A (en) 1997-08-29 1999-10-05 Chen; Hsing LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights
US6580097B1 (en) * 1998-02-06 2003-06-17 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6469322B1 (en) 1998-02-06 2002-10-22 General Electric Company Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
US6294800B1 (en) * 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
US6068383A (en) * 1998-03-02 2000-05-30 Robertson; Roger Phosphorous fluorescent light assembly excited by light emitting diodes
TW539143U (en) * 1998-03-27 2003-06-21 Koninkl Philips Electronics Nv Backlight system and display device comprising such a system
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6793374B2 (en) * 1998-09-17 2004-09-21 Simon H. A. Begemann LED lamp
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6155699A (en) 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
US6630691B1 (en) 1999-09-27 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion
US6696703B2 (en) * 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
EP1142033A1 (en) * 1999-09-27 2001-10-10 LumiLeds Lighting U.S., LLC A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
US6491412B1 (en) 1999-09-30 2002-12-10 Everbrite, Inc. LED display
DE19952932C1 (de) * 1999-11-03 2001-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit breitbandiger Anregung
US20020176259A1 (en) * 1999-11-18 2002-11-28 Ducharme Alfred D. Systems and methods for converting illumination
US6357889B1 (en) * 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
US6513949B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6350041B1 (en) 1999-12-03 2002-02-26 Cree Lighting Company High output radial dispersing lamp using a solid state light source
JP2001243807A (ja) 2000-02-28 2001-09-07 Mitsubishi Electric Lighting Corp Led電球
JP4527230B2 (ja) 2000-02-28 2010-08-18 三菱電機照明株式会社 面発光led光源
US6538371B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
US6867542B1 (en) * 2000-03-29 2005-03-15 General Electric Company Floating chip photonic device and method of manufacture
US6483196B1 (en) 2000-04-03 2002-11-19 General Electric Company Flip chip led apparatus
US6653765B1 (en) 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
US6603258B1 (en) * 2000-04-24 2003-08-05 Lumileds Lighting, U.S. Llc Light emitting diode device that emits white light
DE10026435A1 (de) * 2000-05-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
US6580224B2 (en) * 2000-06-05 2003-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Backlight for color liquid crystal, color liquid crystal display device, and EL element for backlight of color liquid crystal device
US6452217B1 (en) * 2000-06-30 2002-09-17 General Electric Company High power LED lamp structure using phase change cooling enhancements for LED lighting products
JP4635304B2 (ja) * 2000-07-12 2011-02-23 富士電機システムズ株式会社 双方向超接合半導体素子およびその製造方法
WO2002011173A1 (en) * 2000-07-28 2002-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Luminescence conversion based light emitting diode and phosphors for wavelength conversion
US6747406B1 (en) 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
US6635363B1 (en) 2000-08-21 2003-10-21 General Electric Company Phosphor coating with self-adjusting distance from LED chip
US6635987B1 (en) 2000-09-26 2003-10-21 General Electric Company High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products
US6583550B2 (en) * 2000-10-24 2003-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Fluorescent tube with light emitting diodes
TW474115B (en) * 2000-11-07 2002-01-21 Helix Technology Inc Manufacturing method of organic light emitting diode
US20020084745A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
US6703780B2 (en) * 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
US20030203524A1 (en) 2001-03-09 2003-10-30 Faramarz Farahi Process for packaging of light emitting devices using a spin-on-glass material
JP2002299694A (ja) 2001-03-29 2002-10-11 Mitsubishi Electric Lighting Corp 照明用led光源デバイス及び照明器具
US6686676B2 (en) * 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US6616862B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
DE10137042A1 (de) 2001-07-31 2003-02-20 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Planare Lichtquelle auf LED-Basis
JP2003051622A (ja) 2001-08-07 2003-02-21 Rohm Co Ltd 白色系半導体発光装置
TW567619B (en) 2001-08-09 2003-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd LED lighting apparatus and card-type LED light source
US6926435B2 (en) 2001-08-23 2005-08-09 Wavien, Inc. Led illumination engine using a reflector
US6921920B2 (en) 2001-08-31 2005-07-26 Smith & Nephew, Inc. Solid-state light source
EP1447853B1 (en) * 2001-10-01 2012-08-08 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting element and light emitting device using this
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
US7192161B1 (en) 2001-10-18 2007-03-20 Ilight Technologies, Inc. Fluorescent illumination device
US7153015B2 (en) 2001-12-31 2006-12-26 Innovations In Optics, Inc. Led white light optical system
US6796690B2 (en) * 2002-03-14 2004-09-28 The Boeing Company LED light source
JP3707688B2 (ja) 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
US6870311B2 (en) * 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
JP4061479B2 (ja) 2002-07-16 2008-03-19 三菱電機照明株式会社 Led光源装置
JP2004055229A (ja) 2002-07-17 2004-02-19 Mitsubishi Electric Lighting Corp Led光源装置及び照明器具
JP4289027B2 (ja) * 2002-07-25 2009-07-01 豊田合成株式会社 発光装置
US7139389B2 (en) * 2002-08-06 2006-11-21 Daniel Neal Duncan System and method for allocating contact resources to contact resource users
KR101182041B1 (ko) * 2002-09-19 2012-09-11 크리 인코포레이티드 경사 측벽을 포함하고 인광물질이 코팅된 발광 다이오드,및 그의 제조방법
DE10245933B4 (de) * 2002-09-30 2013-10-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Einrichtung zur Erzeugung eines gebündelten Lichtstroms
DE60337026D1 (de) * 2002-11-07 2011-06-16 Sony Deutschland Gmbh Beleuchtungsanordnung für eine projektionsvorrichtung
TW569479B (en) 2002-12-20 2004-01-01 Ind Tech Res Inst White-light LED applying omnidirectional reflector
DE10261428B8 (de) 2002-12-30 2012-09-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiter-Bauelement mit mehrfachen Lumineszenz-Konversionselementen
JP4397394B2 (ja) * 2003-01-24 2010-01-13 ディジタル・オプティクス・インターナショナル・コーポレイション 高密度照明システム
US7118438B2 (en) * 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
US6936857B2 (en) * 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
CN1777999B (zh) * 2003-02-26 2010-05-26 美商克立股份有限公司 复合式白色光源及其制造方法
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
CN100587560C (zh) 2003-04-01 2010-02-03 夏普株式会社 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7040774B2 (en) * 2003-05-23 2006-05-09 Goldeneye, Inc. Illumination systems utilizing multiple wavelength light recycling
JP2005019981A (ja) * 2003-06-05 2005-01-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光体及び半導体発光素子、並びにこれらの製造方法
CN100511732C (zh) * 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件
JP2005013006A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Washi Kosan Co Ltd 過剰栄養分のエネルギー代謝を阻害する複合食品
WO2005004202A2 (en) * 2003-06-24 2005-01-13 Gelcore Llc Full spectrum phosphor blends for white light generation with led chips
US7075225B2 (en) 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
US7462983B2 (en) 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
US7009213B2 (en) * 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US7195161B2 (en) * 2003-09-18 2007-03-27 The Directv Group, Inc. Smart card reader
US7052152B2 (en) * 2003-10-03 2006-05-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LCD backlight using two-dimensional array LEDs
JP2005136006A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及びそれを用いた演出装置
WO2005050262A2 (en) * 2003-11-14 2005-06-02 Light Prescriptions Innovators, Llc Dichroic beam combiner utilizing blue led with green phosphor
DE602004028648D1 (de) 2003-11-25 2010-09-23 Panasonic Elec Works Co Ltd Lichtemittierendes bauelement mit einem leuchtdiodenchip
JP2005159045A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光素子搭載部材とそれを用いた発光ダイオード
US7403680B2 (en) * 2003-12-02 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Reflective light coupler
US20050116635A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Walson James E. Multiple LED source and method for assembling same
US7102152B2 (en) * 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
US7318651B2 (en) * 2003-12-18 2008-01-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash module with quantum dot light conversion
US7223005B2 (en) * 2003-12-23 2007-05-29 Lamb David J Hybrid lightguide backlight
JP4653662B2 (ja) * 2004-01-26 2011-03-16 京セラ株式会社 波長変換器、発光装置、波長変換器の製造方法および発光装置の製造方法
US7080932B2 (en) * 2004-01-26 2006-07-25 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED with an optical system to increase luminance by recycling emitted light
US7427146B2 (en) * 2004-02-11 2008-09-23 3M Innovative Properties Company Light-collecting illumination system
US20050211991A1 (en) 2004-03-26 2005-09-29 Kyocera Corporation Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
US7025464B2 (en) 2004-03-30 2006-04-11 Goldeneye, Inc. Projection display systems utilizing light emitting diodes and light recycling
JP4616577B2 (ja) 2004-04-22 2011-01-19 株式会社日立製作所 映像表示装置
TWI242893B (en) * 2004-05-07 2005-11-01 Lite On Technology Corp White light-emitting apparatus
US7997771B2 (en) 2004-06-01 2011-08-16 3M Innovative Properties Company LED array systems
US7048385B2 (en) * 2004-06-16 2006-05-23 Goldeneye, Inc. Projection display systems utilizing color scrolling and light emitting diodes
TWI267211B (en) * 2004-06-28 2006-11-21 Kyocera Corp Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
US7213958B2 (en) * 2004-06-30 2007-05-08 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having light guide and an interference reflector
KR100638611B1 (ko) * 2004-08-12 2006-10-26 삼성전기주식회사 다중 렌즈 발광 다이오드
GB2417824A (en) * 2004-09-02 2006-03-08 Custom Interconnect Ltd LED light source
US7352006B2 (en) * 2004-09-28 2008-04-01 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes exhibiting both high reflectivity and high light extraction
US7370993B2 (en) * 2004-09-28 2008-05-13 Goldeneye, Inc. Light recycling illumination systems having restricted angular output
US7352124B2 (en) * 2004-09-28 2008-04-01 Goldeneye, Inc. Light recycling illumination systems utilizing light emitting diodes
US7144131B2 (en) * 2004-09-29 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Optical system using LED coupled with phosphor-doped reflective materials
US7265488B2 (en) * 2004-09-30 2007-09-04 Avago Technologies General Ip Pte. Ltd Light source with wavelength converting material
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US7220040B2 (en) * 2004-11-12 2007-05-22 Harris Corporation LED light engine for backlighting a liquid crystal display
KR101139891B1 (ko) * 2005-01-31 2012-04-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 확산 반사면을 구비한 발광 다이오드 소자
EP1686630A3 (en) 2005-01-31 2009-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Led device having diffuse reflective surface
US7405433B2 (en) * 2005-02-22 2008-07-29 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Semiconductor light emitting device
CN1684279A (zh) 2005-02-25 2005-10-19 炬鑫科技股份有限公司 发光元件
JP2006253298A (ja) 2005-03-09 2006-09-21 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
CA2597697C (en) * 2005-06-23 2014-12-02 Rensselaer Polytechnic Institute Package design for producing white light with short-wavelength leds and down-conversion materials
US7942556B2 (en) 2007-06-18 2011-05-17 Xicato, Inc. Solid state illumination device

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002510866A (ja) * 1998-04-01 2002-04-09 マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー 量子ドット白色及び着色発光ダイオード
JP2002531956A (ja) * 1998-11-30 2002-09-24 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 蛍光体組成物を有する発光デバイス
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2003298117A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
JP2004031843A (ja) * 2002-06-28 2004-01-29 Kyocera Corp 発光ダイオ−ド
JP2004071357A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Shigeo Fujita 照明装置
JP2004083653A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Sharp Corp 発光装置ならびに蛍光体およびその製造方法
JP2004327955A (ja) * 2003-04-09 2004-11-18 Citizen Electronics Co Ltd Ledランプ
JP2005135983A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2005228996A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013153191A (ja) * 2005-06-23 2013-08-08 Rensselaer Polytechnic Institute 短波長ledとダウンコンバージョン物質で白色光を生成するパッケージ設計
JP2012509567A (ja) * 2008-11-21 2012-04-19 シカト・インコーポレイテッド 3つの部分から成る色合わせ部を有する発光ダイオードモジュール
JP2013534042A (ja) * 2010-05-27 2013-08-29 メルク パテント ゲーエムベーハー ダウンコンバージョン
US9765947B2 (en) 2010-05-27 2017-09-19 Merck Patent Gmbh Down conversion
US9689556B2 (en) 2010-05-27 2017-06-27 Merck Patent Gmbh Down conversion array comprising quantum dots
JP2012036265A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 Sharp Corp 照明装置
US8513872B2 (en) 2010-08-05 2013-08-20 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting apparatus and method for manufacturing thereof
JP2014512652A (ja) * 2011-03-31 2014-05-22 コニカ ミノルタ ラボラトリー ユー.エス.エー.,インコーポレイテッド 低エネルギー消費の適応照明システム
US8779455B2 (en) 2011-06-02 2014-07-15 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor light-emitting device, semiconductor light-emitting system and illumination fixture
WO2012165022A1 (ja) 2011-06-02 2012-12-06 三菱化学株式会社 半導体発光装置、半導体発光システムおよび照明器具
JP2013201274A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2015511775A (ja) * 2012-03-30 2015-04-20 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 発光デバイス及び波長変換材料を含む光共振器
US10833227B2 (en) 2012-03-30 2020-11-10 Lumileds Llc Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material
US9997674B2 (en) 2012-03-30 2018-06-12 Lumileds Llc Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material
JP2020098913A (ja) * 2012-08-10 2020-06-25 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 燐光体変換発光ダイオード、ランプ、及び照明器具
JP2016001735A (ja) * 2014-05-21 2016-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR20160035985A (ko) 2014-09-24 2016-04-01 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
US10074782B2 (en) 2014-09-24 2018-09-11 Nichia Corporation Light emitting device
US10651349B2 (en) 2014-09-24 2020-05-12 Nichia Corporation Light emitting device
EP3000863A1 (en) 2014-09-24 2016-03-30 Nichia Corporation Light emitting device
KR20220065732A (ko) 2014-09-24 2022-05-20 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
US11710807B2 (en) 2014-09-24 2023-07-25 Nichia Corporation Light emitting device
KR20240078634A (ko) 2014-09-24 2024-06-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
EP4411717A2 (en) 2014-09-24 2024-08-07 Nichia Corporation Light emitting device
JP2016219748A (ja) * 2015-05-26 2016-12-22 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
JP2019502272A (ja) * 2015-11-02 2019-01-24 ナノコ テクノロジーズ リミテッド 緑色発光量子ドット及び赤色ksf蛍光体を含むディスプレイデバイス

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