JP2008287771A - 垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高い保磁力を得ながら、ノイズを低減することができる垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置を提供する。
【解決手段】非磁性下地層４上に、Ｓｉ酸化物グラニュラ層５、Ｔｉ酸化物グラニュラ層６及び連続膜からなる磁性層７がこの順で積層されている。そして、Ｓｉ酸化物グラニュラ層５、Ｔｉ酸化物グラニュラ層６及び磁性層７から垂直磁気記録層１２が構成されている。Ｓｉ酸化物グラニュラ層５の膜厚と飽和磁化との積をｔＭｓ₁と表し、Ｔｉ酸化物グラニュラ層６の膜厚と飽和磁化との積をｔＭｓ₂と表すと、「ｔＭｓ₁：ｔＭｓ₂＝０．２５：０．７５」の関係が成り立っている。
【選択図】図１

Description

本発明は、ハードディスクドライブ等に使用される垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置に関する。

磁気記録装置の記録容量の増大に伴い、磁気記録装置に内蔵されている磁気記録媒体の面記録密度が増加し続けている。磁気記録装置の記録方式は、長手記録方式及び垂直磁気記録方式に大別できる。但し、長手記録方式に関しては、記録磁界、及び熱揺らぎによる記録ビット消失等の影響により高密度化の限界が近いと考えられている。一方、垂直磁気記録方式は、原理的に高記録密度における記録ビット安定性が高く、実用化されつつある。なお、垂直磁気記録方式の磁気記録装置に用いられる垂直磁気記録媒体でも、長手記録方式の記録媒体と同様に、低ノイズ及び熱揺らぎ耐性が求められる。

そして、ノイズの低減のために、複数の磁性粒子が酸化物又は窒化物等の非磁性絶縁物により互いに分離された所謂グラニュラ層が記録層の一部として設けられた垂直磁気記録媒体が提案されている。また、熱揺らぎ耐性及び書き込み能力（Writability）の両立のために、グラニュラ層より異方性磁界Ｈｋが小さく、規格化磁化曲線の傾きαが大きく、グラニュラ層と磁気的に結合した層が設けられたものも提案されている。本願明細書等における規格化磁化曲線とは、飽和磁化により規格化した磁化曲線をいう。

しかしながら、近時では、Ｓ／Ｎ比の向上も求められており、これまでの技術では、十分なＳ／Ｎ比を得ることが困難となっている。

特開２００１−１５５３２１号公報 特開２００５−３５３２５６号公報

本発明の目的は、高い保磁力を得ながら、ノイズを低減することができる垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置を提供することにある。

本願発明者は、上記課題を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。

本願発明に係る垂直磁気記録媒体には、基板と、前記基板の上方に形成された第１のグラニュラ層と、前記第１のグラニュラ層上に形成された第２のグラニュラ層と、前記第２のグラニュラ層上に形成された磁性層と、が設けられている。前記第１のグラニュラ層には、複数の第１の磁性粒子及び前記複数の第１の磁性粒子を互いに分離するＳｉ酸化物が含まれており、前記第２のグラニュラ層には、複数の第２の磁性粒子及び前記複数の第２の磁性粒子を互いに分離するＴｉ酸化物が含まれている。

本発明に係る磁気記録装置には、上述の垂直磁気記録媒体が設けられている。更に、前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録及び再生を行う磁気ヘッドが設けられている。

本願発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法では、基板の上方に、複数の第１の磁性粒子及び前記複数の第１の磁性粒子を互いに分離するＳｉ酸化物を有する第１のグラニュラ層を形成し、その後、前記第１のグラニュラ層上に、複数の第２の磁性粒子及び前記複数の第２の磁性粒子を互いに分離するＴｉ酸化物を有する第２のグラニュラ層を形成する。そして、前記第２のグラニュラ層上に磁性層を形成する。

本発明によれば、第１のグラニュラ層、第２のグラニュラ層及び磁性層の組み合わせにより、高い保磁力を得ながら、ノイズを低減することができる。

以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構造を示す断面図である。

本の実施形態では、図１に示すように、円板状の非磁性基板１０上に、軟磁性層１、非磁性分断層２及び軟磁性層３がこの順で積層されている。そして、軟磁性層１、非磁性分断層２及び軟磁性層３から軟磁性裏打ち層１１が構成されている。

非磁性基板１０としては、例えば、プラスチック基板、結晶化ガラス基板、強化ガラス基板、Ｓｉ基板、アルミニウム合金基板等が用いられる。

軟磁性層１及び３としては、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ及び／又はＮｉを含むアモルファス状又は微結晶構造のものが形成されている。これらの元素に、Ｗ、Ｈｆ、Ｃ、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｐｄ及び／又はＴａが添加されていてもよい。例えば、アモルファス状又は微結晶構造のＦｅＣｏＮｂＺｒ層、ＣｏＺｒＮｂ層、ＣｏＮｂＴａ層、ＦｅＣｏＺｒＮｂ層、ＦｅＣｏＺｒＴａ層、ＦｅＣｏＢ層、ＦｅＣｏＣｒＢ層、ＮｉＦｅＳｉＢ層、ＦｅＡｌＳｉ層、ＦｅＴａＣ層、ＦｅＨｆＣ層又はＮｉＦｅ層等が挙げられる。特に、記録磁界の集中を考慮すると、飽和磁束密度Ｂｓが１．０Ｔ以上の軟磁性材料の層であることが好ましい。軟磁性層１及び３は、例えば、めっき法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、パルスＤＣスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用する場合、例えば、チャンバ内を０．５Ｐａ程度のＡｒ雰囲気とし、投入電力を１ｋＷ程度とする。軟磁性層１及び３の厚さは、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度とし、３０ｎｍ〜６０ｎｍとすることが好ましい。軟磁性層１及び３の厚さがこれらの下限未満であると、記録再生特性が十分とはいえない場合が生じうる。また、軟磁性層１及び３の厚さがこれらの上限を超えると、量産設備を大規模にする必要が生じたり、コストが著しく上昇したりする場合が生じうる。

非磁性分断層２としては、例えばＲｕ又はＲｕ合金からなる非磁性金属層が形成されている。非磁性分断層２も、例えば、めっき法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、パルスＤＣスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用する場合、例えば、チャンバ内を０．５Ｐａ程度のＡｒ雰囲気とし、投入電力を１５０Ｗ程度とする。また、非磁性分断層２の厚さは、軟磁性層１と軟磁性層３との間で反平行の磁気結合が形成される厚さ（例えば０．５ｎｍ〜１ｎｍ程度）となっている。つまり、軟磁性層１及び３の磁化の方向が互いに反対向きとなっており、軟磁性層１及び３の間に反強磁性的な結合が現れている。なお、非磁性分断層２の材料として、「S. S. P. Parkin, Phy. Rev. Lett. 67, 3598 (1991)」に記載されているように、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ又はＶ等を用いてもよい。

軟磁性裏打ち層１１上に、非磁性下地層（中間層）４が形成されている。非磁性下地層４により、軟磁性裏打ち層１１と後述の垂直磁気記録層１２とが互いに磁気的に分離されている。非磁性下地層４としては、例えばＲｕ層又はＲｕ合金層が形成されている。非磁性下地層４も、例えば、めっき法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、パルスＤＣスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用する場合、例えば、チャンバ内を８Ｐａ程度のＡｒ雰囲気とし、投入電力を１ｋＷ程度とする。非磁性下地層４の厚さは、例えば２０ｎｍ程度である。なお、特許文献２に記載されているように、非磁性下地層４が２以上の層から構成されていてもよい。また、軟磁性裏打ち層１１と非磁性下地層４との間に、非磁性下地層４の結晶配向性を向上させ、非磁性下地層４の結晶粒径を制御するシード層（Ｔａ層、ＮｉＣｒ層等）が形成されていてもよい。

非磁性下地層４上に、Ｓｉ酸化物グラニュラ層５、Ｔｉ酸化物グラニュラ層６及び連続膜からなる磁性層７がこの順で積層されている。そして、Ｓｉ酸化物グラニュラ層５、Ｔｉ酸化物グラニュラ層６及び磁性層７から垂直磁気記録層１２が構成されている。

Ｓｉ酸化物グラニュラ層５内では、例えば、複数のＣｏＣｒＰｔ粒子（磁性粒子）の間にＳｉ酸化物が存在する。つまり、複数のＣｏＣｒＰｔ粒子がＳｉ酸化物により互いに分離されている。Ｓｉ酸化物グラニュラ層はＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂層と表記されることがある。一方、Ｔｉ酸化物グラニュラ層６内では、例えば、複数のＣｏＣｒＰｔ粒子の間にＴｉ酸化物が存在する。つまり、複数のＣｏＣｒＰｔ粒子がＴｉ酸化物により互いに分離されている。Ｔｉ酸化物グラニュラ層はＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ₂層と表記されることがある。Ｓｉ酸化物グラニュラ層５及びＴｉ酸化物グラニュラ層６も、例えば、めっき法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、パルスＤＣスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用してＳｉ酸化物グラニュラ層５を形成する場合、例えば、チャンバ内を５Ｐａ程度のＡｒ雰囲気とし、投入電力を１００Ｗ程度とする。一方、ＤＣスパッタ法を採用してＴｉ酸化物グラニュラ層６を形成する場合、例えば、チャンバ内を５Ｐａ程度のＡｒ雰囲気とし、投入電力を３００Ｗ程度とする。なお、Ｓｉ酸化物グラニュラ層５及びＴｉ酸化物グラニュラ層６中の磁性粒子はＣｏＣｒＰｔ粒子である必要はなく、ＣｏＣｒＰｔ系合金の磁性粒子が含まれていてもよい。また、Ｔｉ酸化物グラニュラ層６については、Ｐｔ、Ｂ、Ｃｕ及び／又はＴａを含有するＣｏＣｒ系合金の磁性粒子が含まれていてもよい。

Ｓｉ酸化物グラニュラ層５の厚さは、例えば２ｎｍ程度であり、Ｔｉ酸化物グラニュラ層６の厚さは、例えば８ｎｍ程度である。また、本実施形態では、Ｓｉ酸化物グラニュラ層５の膜厚と飽和磁化との積をｔＭｓ₁と表し、Ｔｉ酸化物グラニュラ層６の膜厚と飽和磁化との積をｔＭｓ₂と表すと、例えば、「ｔＭｓ₁：ｔＭｓ₂＝０．２５：０．７５」の関係が成り立っている。つまり、Ｓｉ酸化物グラニュラ層５の膜厚と飽和磁化との積の割合（ｔＭｓ₁／（ｔＭｓ₁＋ｔＭｓ₂））が０．２５となっている。本実施形態では、Ｓｉ酸化物グラニュラ層５及びＴｉ酸化物グラニュラ層６から複合グラニュラ層が構成されている。

連続膜からなる磁性層７としては、例えばＣｏＣｒＰｔＢ層が形成されている。また、磁性層７内では、複数の結晶粒が互いに密接している。磁性層７も、例えば、めっき法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、パルスＤＣスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用する場合、例えば、チャンバ内を０．５Ｐａ程度のＡｒ雰囲気とし、投入電力を４００Ｗ程度とする。磁性層７の厚さは、例えば１０ｎｍ程度である。なお、連続膜には、多結晶膜だけでなくアモルファス状の膜も含まれる。

磁性層７上に、カーボン保護層８が形成されている。カーボン保護層８は、例えばＣＶＤ法等により形成することができる。カーボン保護層８の厚さは、例えば４ｎｍ程度である。また、カーボン保護層８上に、潤滑層９が形成されている。潤滑層９は、例えば潤滑剤の塗布により形成されている。潤滑層９の厚さは、例えば１ｎｍ程度である。

このように構成された垂直磁気記録媒体に対しては、図２に示すような磁気ヘッドを用いて、データの書き込み（記録）及び読み出し（再生）が行われる。垂直磁気記録媒体用の磁気ヘッド２１には、書き込み用の主磁極２２、補助磁極２３及びコイル２４が設けられている。また、読み出し用の磁気抵抗効果素子２５及びシールド２６も設けられている。補助磁極２３は、磁気抵抗効果素子２５に対するシールドとしても機能する。そして、データの書き込み時には、コイル２４に電流が流され、主磁極２２及び補助磁極２３を経由する磁束２７が形成される。この時、主磁極２２から出た磁束２７は記録層６を貫通した後、軟磁性裏打ち層１１を経由した上で補助磁極２３に戻ってくる。従って、垂直磁気記録層１２の磁化が記録ビット毎に、それに垂直な２方向のいずれか（上方向又は下方向）に磁束の向きに応じて変化する。

このように、本実施形態では、垂直磁気記録層１２に、Ｓｉ酸化物グラニュラ層５及びＴｉ酸化物グラニュラ層６から構成された複合グラニュラ層が設けられている。また、２種類のグラニュラ層５及び６のうちで磁性粒子の分離の程度がより高いＳｉ酸化物グラニュラ層５が基板１側に位置し、記録再生特性がより高いＴｉ酸化物グラニュラ層６が表面側（磁気ヘッド側）に位置している。このため、複合グラニュラ層の全体において、磁性粒子の分離の程度が大きく、高い保磁力が得られ、また、ノイズが低減される。更に、積ｔＭｓ₁が積ｔＭｓ₂よりも小さいため、特に良好な記録再生特性が得られる。また、この複合グラニュラ層上に磁性層７が設けられているため、複合グラニュラ層への磁気情報の書き込みが適切に行われる。つまり、磁性層７は記録補助の機能を有しており、磁性層７により、複合グラニュラ層への磁気情報の書き込みが促進される。

なお、複合グラニュラ層の異方性磁界は、磁性層７の異方性磁界ものよりも大きいことが好ましく、複合グラニュラ層の規格化磁化曲線の保磁力における傾きは、磁性層７の規格化磁化曲線の保磁力における傾きよりも小さいことが好ましい。これは、磁性層７に記録補助の機能を十分に発揮させるためである。

また、Ｓｉ酸化物グラニュラ層５とＴｉ酸化物グラニュラ層６との間で膜厚と飽和磁化との積の関係は特に限定されないが、積ｔＭｓ₁が積ｔＭｓ₂よりも小さい場合に、特に良好な記録再生特性が得られる。これは、Ｔｉ酸化物グラニュラ層６の方が記録再生特性の向上への寄与が大きいからである。また、複合グラニュラ層の全体において、規格化磁化曲線の保磁力における傾きαが極力小さくなっていることが好ましい。傾きαは、複数の磁性粒子が非磁性絶縁物により互いに分離されている程度を示しており、この傾きαが小さいほど分離の程度が大きく、高い保磁力が得られ、ノイズが低くなる。複合グラニュラ層を構成する層の数も特に２層に限定されない。また、後述の実験結果から、Ｓｉ酸化物グラニュラ層５の膜厚と飽和磁化との積の割合（ｔＭｓ₁／（ｔＭｓ₁＋ｔＭｓ₂））は、０．１〜０．３となっていることが好ましい。

なお、磁性層の代わりに、磁化反転磁界（nucleation field）が小さい他のグラニュラ層が設けられた場合には、記録層全体に密度の粗密が存在し、耐食性が不十分となる。また、磁性層の代わりに、非磁性の耐蝕強化層が設けられた場合には、記録層と磁気ヘッドとの距離が大きくなるため、Ｓ／Ｎ比が低下する。つまり、ノイズが増大する。従って、磁性層は必須である。なお、磁性層の厚さが２ｎｍ未満であると、十分な耐食性が得られない場合がある。一方、磁性層の厚さが１２ｎｍを超えると、ノイズが大きくなる場合がある。従って、磁性層の厚さは、２ｎｍ乃至１２ｎｍとすることが好ましい。

上述の垂直磁気記録媒体を製造する場合には、非磁性基板１０上に、上述の各層を順次形成すればよい。更に、潤滑層９の形成後に、研磨テープ等を用いて表面突起及び異物等を除去することが好ましい。

このような製造方法によれば、Ｓｉ酸化物グラニュラ層５によりＴｉ酸化物グラニュラ層６における磁性粒子の分離の程度も大きなものとなる。このため、Ｔｉ酸化物グラニュラ層６の記録再生特性が更に向上する。

ここで、上述の実施形態に係る垂直磁気記録媒体を備えた磁気記録装置の一例であるハードディスクドライブについて説明する。図３は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の内部の構成を示す図である。

このハードディスクドライブ１００のハウジング１０１には、回転軸１０２に装着されて回転する磁気ディスク１０３と、磁気ディスク１０３に対して情報記録及び情報再生を行う磁気ヘッドが搭載されたスライダ１０４と、スライダ１０４を保持するサスペンション１０８と、サスペンション１０８が固着されてアーム軸１０５を中心に磁気ディスク１０３表面に沿って移動するキャリッジアーム１０６と、キャリッジアーム１０６を駆動するアームアクチュエータ１０７とが収容されている。磁気ディスク１０３として、上述の実施形態に係る垂直磁気記録媒体が用いられている。

次に、本願発明者らが行った実験について説明する。この実験では、Ｓｉ酸化物グラニュラ層５の膜厚と飽和磁化との積ｔＭｓ₁とＴｉ酸化物グラニュラ層６の膜厚と飽和磁化との積ｔＭｓ₂との比が相違する複数の試料を作製し、これらの保磁力、規格化磁化曲線の傾きα及びＳ／Ｎ比を測定した。なお、これらの試料の間では、低周波再生出力、書き込みコア幅（ＷＣＷ：write core width）及び書き込み性（Writability）をほぼ均一なものとした。これは、低周波再生出力、書き込みコア幅及び書き込み性が相違すると、この影響によりＳ／Ｎ比等が変動することがあるからである。また、保磁力及び傾きαの測定では、複合グラニュラ層全体の膜厚と飽和磁化との積も各試料の間で均一なものとし、Ｓ／Ｎ比の測定では、保磁力を均一なものとした。なお、書き込み幅は、情報を正確に記録することができるトラックの幅を示しており、この値が小さいほど、高いトラック密度での記録が可能であることを示す。また、書き込み性は、１２４ｋＢＰＩ（キロバイト／インチ）で書き込んだ場合に読み取られる信号と４９５ｋＢＰＩで書き込んだ場合に読み取られる信号との比から評価した。そして、この値が−４０ｄＢに近いほど、書き込み性が良好であるといえる。

図４に保磁力の測定結果を示し、図５に規格化磁化曲線の傾きαの測定結果を示し、図６にＳ／Ｎ比の測定結果を示す。また、図７に低周波再生出力の測定結果を示し、図８に書き込みコア幅の測定結果を示し、図９に書き込み性の測定結果を示す。これらの図に記載のグラフにおける横軸に示す「ｔＭｓ₁の割合」は、複合グラニュラ層におけるＳｉ酸化物グラニュラ層５の膜厚と飽和磁化との積の割合（ｔＭｓ₁／（ｔＭｓ₁＋ｔＭｓ₂））を示している。

上述のように、各試料の間で、低周波再生出力、書き込みコア幅及び書き込み性をほぼ均一にしたが、このことは、図７〜図９からも明らかである。

図４に示すように、保磁力はｔＭｓ₁の割合が０．２５程度の試料において極大となり、図５に示すように、傾きαはｔＭｓ₁の割合が０．２５程度の試料において極小となった。更に、図６に示すように、Ｓ／Ｎ比はｔＭｓ₁の割合が０．２５程度の試料において極大となった。これらの結果から、傾きαと保磁力及びＳ／Ｎ比との間には関連性があることが明らかである。つまり、傾きαが小さいほど、保磁力及びＳ／Ｎ比が高くなる。そして、本実験で作製した試料の中では、ｔＭｓ₁の割合が０．２５程度のものが最も好ましい記録再生特性を具えているといえる。また、図４〜図６に示す結果からは、ｔＭｓ₁の割合が０．１〜０．３程度であっても、特に好ましい記録再生特性が得られているといえる。

上述のように、各試料の間で、低周波再生出力、書き込みコア幅及び書き込み性がほぼ均一になっているため、Ｓ／Ｎ比等の変化はこれらの要素の変化に伴うものではないといえる。従って、本発明によれば、書き込みコア幅を広げずともＳ／Ｎ比を向上させることができるといえる。

なお、最も好ましい記録再生特性が得られるｔＭｓ₁の割合は、今回の実験の条件下では０．２５程度となったが、常にこの値になるとは限らず、各グラニュラ層自体の異方性磁界の影響を受けたり、軟磁性裏打ち層１１、非磁性下地層４及び磁性層７の特性等の影響を受けたりする。これらの影響を考慮すると、ｔＭｓ₁の割合が概ね０．１〜０．３程度の場合に特に好ましい記録再生特性が得られると考えられる。

以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。

（付記１）
基板と、
前記基板の上方に形成され、複数の第１の磁性粒子及び前記複数の第１の磁性粒子を互いに分離するＳｉ酸化物を有する第１のグラニュラ層と、
前記第１のグラニュラ層上に形成され、複数の第２の磁性粒子及び前記複数の第２の磁性粒子を互いに分離するＴｉ酸化物を有する第２のグラニュラ層と、
前記第２のグラニュラ層上に形成された磁性層と、
を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。

（付記２）
前記第２のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積は、前記第１のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積より大きいことを特徴とする付記１に記載の垂直磁気記録媒体。

（付記３）
前記第１のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積をｔＭｓ₁とし、
前記第２のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積をｔＭｓ₂としたとき、
「ｔＭｓ₁／（ｔＭｓ₁＋ｔＭｓ₂）」の値は０．１乃至０．３であることを特徴とする付記１又は２に記載の垂直磁気記録媒体。

（付記４）
前記第１及び第２のグラニュラ層からなる複合グラニュラ層の異方性磁界は、前記磁性層の異方性磁界より大きく、
前記複合グラニュラ層の規格化磁化曲線の保磁力における傾きは、前記磁性層の規格化磁化曲線の保磁力における傾きより小さいことを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。

（付記５）
前記第１の磁性粒子は、ＣｏＣｒＰｔ系合金からなることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。

（付記６）
前記第２の磁性粒子は、Ｐｔ、Ｂ、Ｃｕ及びＴａからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含有するＣｏＣｒ系合金からなることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。

（付記７）
前記基板と前記第１のグラニュラ層との間に設けられた軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層と、前記第１のグラニュラ層、第２のグラニュラ層及び磁性層を含む記録層とを磁気的に分離する非磁性下地層と、
を有することを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。

（付記８）
前記非磁性下地層は、少なくともＲｕ又はＲｕ合金層を有することを特徴とする付記７に記載の垂直磁気記録媒体。

（付記９）
前記軟磁性裏打ち層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１種を含有し、更に、Ｗ、Ｈｆ、Ｃ、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｐｄ及びＴａからなる群から選択された少なくとも１種を含有することを特徴とする付記７又は８に記載の垂直磁気記録媒体。

（付記１０）
前記磁性層の厚さは、２ｎｍ乃至１２ｎｍであることを特徴とする付記１乃至９のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。

（付記１１）
基板の上方に、複数の第１の磁性粒子及び前記複数の第１の磁性粒子を互いに分離するＳｉ酸化物を有する第１のグラニュラ層を形成する工程と、
前記第１のグラニュラ層上に、複数の第２の磁性粒子及び前記複数の第２の磁性粒子を互いに分離するＴｉ酸化物を有する第２のグラニュラ層を形成する工程と、
前記第２のグラニュラ層上に磁性層を形成する工程と、
を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。

（付記１２）
前記第２のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積を、前記第１のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積より大きくすることを特徴とする付記１１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。

（付記１３）
前記第１のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積をｔＭｓ₁とし、
前記第２のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積をｔＭｓ₂としたとき、
「ｔＭｓ₁／（ｔＭｓ₁＋ｔＭｓ₂）」の値を０．１乃至０．３とすることを特徴とする付記１１又は１２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。

（付記１４）
前記第１及び第２のグラニュラ層からなる複合グラニュラ層の異方性磁界を、前記磁性層の異方性磁界より大きくし、
前記複合グラニュラ層の規格化磁化曲線の保磁力における傾きを、前記磁性層の規格化磁化曲線の保磁力における傾きより小さくすることを特徴とする付記１１乃至１３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。

（付記１５）
前記第１の磁性粒子として、ＣｏＣｒＰｔ系合金からなるものを用いることを特徴とする付記１１乃至１４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。

（付記１６）
前記第２の磁性粒子として、Ｐｔ、Ｂ、Ｃｕ及びＴａからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含有するＣｏＣｒ系合金からなるものを用いることを特徴とする付記１１乃至１５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。

（付記１７）
前記磁性層の厚さを、２ｎｍ乃至１２ｎｍとすることを特徴とする付記１１乃至１６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。

（付記１８）
付記１乃至１０のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体と、
前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録及び再生を行う磁気ヘッドと、
を有することを特徴とする磁気記録装置。

本発明の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構造を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の使用方法を示す図である。 ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の内部の構成を示す図である。 保磁力の測定結果を示すグラフである。 規格化磁化曲線の測定結果を示すグラフである。 Ｓ／Ｎ比の測定結果を示すグラフである。 低周波再生出力の測定結果を示すグラフである。 書き込みコア幅の測定結果を示すグラフである。 書き込み性の測定結果を示すグラフである。

符号の説明

１、３：軟磁性層
２：非磁性分断層
４：非磁性下地層
５：Ｓｉ酸化物グラニュラ層
６：Ｔｉ酸化物グラニュラ層
７：垂直磁気記録層
８：カーボン保護層
９：潤滑層
１０：非磁性基板
１１：軟磁性裏打ち層
１２：垂直磁気記録層

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板の上方に形成され、複数の第１の磁性粒子及び前記複数の第１の磁性粒子を互いに分離するＳｉ酸化物を有する第１のグラニュラ層と、
   前記第１のグラニュラ層上に形成され、複数の第２の磁性粒子及び前記複数の第２の磁性粒子を互いに分離するＴｉ酸化物を有する第２のグラニュラ層と、
   前記第２のグラニュラ層上に形成された磁性層と、
   を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
2. 前記第２のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積は、前記第１のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積より大きいことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
3. 前記第１のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積をｔＭｓ₁とし、
   前記第２のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積をｔＭｓ₂としたとき、
   「ｔＭｓ₁／（ｔＭｓ₁＋ｔＭｓ₂）」の値は０．１乃至０．３であることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体。
4. 前記第１及び第２のグラニュラ層からなる複合グラニュラ層の異方性磁界は、前記磁性層の異方性磁界より大きく、
   前記複合グラニュラ層の規格化磁化曲線の保磁力における傾きは、前記磁性層の規格化磁化曲線の保磁力における傾きより小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
5. 前記磁性層の厚さは、２ｎｍ乃至１２ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
6. 基板の上方に、複数の第１の磁性粒子及び前記複数の第１の磁性粒子を互いに分離するＳｉ酸化物を有する第１のグラニュラ層を形成する工程と、
   前記第１のグラニュラ層上に、複数の第２の磁性粒子及び前記複数の第２の磁性粒子を互いに分離するＴｉ酸化物を有する第２のグラニュラ層を形成する工程と、
   前記第２のグラニュラ層上に磁性層を形成する工程と、
   を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
7. 前記第２のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積を、前記第１のグラニュラ層の厚さと飽和磁化との積より大きくすることを特徴とする請求項６に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
8. 前記第１及び第２のグラニュラ層からなる複合グラニュラ層の異方性磁界を、前記磁性層の異方性磁界より大きくし、
   前記複合グラニュラ層の規格化磁化曲線の保磁力における傾きを、前記磁性層の規格化磁化曲線の保磁力における傾きより小さくすることを特徴とする請求項６又は７に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
9. 前記磁性層の厚さを、２ｎｍ乃至１２ｎｍとすることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
10. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体と、
    前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録及び再生を行う磁気ヘッドと、
    を有することを特徴とする磁気記録装置。

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