JP2007242144A - ２層光記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】光の入射側から、第１基板、第１情報層、中間層、第２情報層、及び第２基板をこの順に有してなり、高記録感度と高反射率とを両立することができる２層光記録媒体の提供。
【解決手段】光の入射側から、第１基板、第１情報層、中間層、第２情報層、及び第２基板をこの順に有してなり、前記第２情報層は、光の入射側から第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、反射率向上層、及び第２反射層をこの順に有してなり、前記反射率向上層の消衰係数ｋが２＜ｋ≦６である２層光記録媒体である。該反射率向上層がＡｌ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｏ、及びＣｕから選択される少なくとも１種を含有する態様、反射率向上層の厚みが３〜１５ｎｍである態様などが好ましい。
【選択図】図２

Description

本発明は、レーザー光の照射により情報の記録及び再生などを行うことができる２層光記録媒体（以下、「２層相変化型光記録媒体」、「２層情報記録媒体」、「２層光ディスク」と称することもある）に関する。

ＣＤ−ＲＷ等の相変化型光ディスク（相変化型光記録媒体）は、一般にプラスチック基板の上に相変化型材料からなる記録層を設け、その上に記録層の光吸収率を向上させかつ熱拡散効果を有する反射層を形成したものを基本構成とし、基板面側からレーザー光を入射して、情報の記録及び再生を行う。
相変化型材料は、レーザー光照射による加熱とその後の冷却によって、結晶状態と非晶質状態の間で相変化し、急速加熱後急冷すると非晶質となり、徐冷すると結晶化するものであり、相変化型光記録媒体は、この性質を情報の記録再生に応用したものである。
また、光照射による加熱によって起る記録層の酸化、蒸散或いは変形を阻止する目的で、通常、基板と記録層との間に下部保護層（「下部誘電体層」と称することもある）、及び記録層と反射層との間に上部保護層（「上部誘電体層」と称することもある）を設けことがある。これらの保護層は、その厚みを調節することによって、光記録媒体の光学特性の調節機能を有する。更に、下部保護層は、記録層への記録時の熱によって基板が軟化するのを防止する機能を併せ持つものである。

近年、コンピュータ等で扱う情報量が増加したことによって、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷのような、光ディスクの信号記録容量が増大し、信号情報の高密度化が進んでいる。現在のＣＤの記録容量は６５０ＭＢ程度であり、ＤＶＤは４．７ＧＢ程度であるが、今後、更に高記録密度化の要求が高まることが予想される。
このような相変化型光記録媒体を高記録密度化する方法として、例えば使用するレーザー波長を青色光領域まで短波長化すること、或いは記録再生を行うピックアップに用いられる対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、光記録媒体に照射されるレーザー光のスポットサイズを小さくすることが提案されている。

また、光記録媒体自体を改良して記録容量を高める方法としては、基板の片面側に少なくとも記録層及び反射層を有する情報層を２つ重ね、これら情報層間を紫外線硬化樹脂等で接着した構造の２層光記録媒体が提案されている（特許文献１〜４等参照）。
この情報層間の接着部分である分離層（「中間層」と称することもある）は、２つの情報層を光学的に分離する機能を有するものであり、記録再生用レーザー光がなるべく多く奥側の情報層に到達する必要があるため、レーザー光をなるべく吸収しないような材料から構成されている。

このような２層光記録媒体については、例えば非特許文献１にも開示されているように、未だ多くの課題が存在している。例えばレーザー光照射側から見て手前側にある情報層（第１情報層）をレーザー光が十分に透過しなければ、奥側にある情報層（第２情報層）の記録層に情報を記録し再生することができないため、第１情報層を構成する反射層を無くすか、又は極薄にするか、或いは第１情報層を構成する記録層を極薄にすることが考えられる。

相変化型光記録媒体における記録は、記録層の相変化型材料にレーザー光を照射して急冷し、結晶を非晶質に変化させてマークを形成することにより行われるので、反射層を無くすか、又は厚み１０ｎｍ程度と非常に薄くすると、熱拡散効果が小さくなって非晶質マークを形成することが困難になってしまう。そのための対策として、反射層の上に熱拡散層を設けることが知られている（特許文献５参照）。
一方、第２情報層を記録及び再生する場合は、レーザー光が第１情報層においてある程度吸収されてしまうため、第２情報層は、反射率及び記録感度が高くなければならない。これらの特性を上げるためには、第１情報層の透過率を高めればよいのだが、第１情報層の特性を維持しなければならないので、高透過率化には限度がある。そのために、第２情報層自身で反射率及び記録感度の改善をする必要がある。記録感度を上げる方法として一番効果的な方法は、上部保護層の厚みを厚くすることである。ＤＶＤ＋ＲＷやＢＤ−ＲＥ(書き換え型Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｋ)では、通常、反射層にＡｇ合金が用いられており、高熱伝導率のＡｇ合金からなる反射層によって、急冷構造となり、記録層に非晶質マークが形成される。記録層と反射層の間に設けられている上部保護層の厚みを厚くすれば、記録層を融点以上に加熱するレーザーパワーが小さくて済み、記録感度が向上することが知られている。

しかし、上部保護層の厚みを厚くしていくと、反射率が低下するという問題がある。上部保護層には、通常、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物が用いられるが、この材料の４０５ｎｍ波長付近の屈折率ｎ＝２．３、消衰係数ｋ＝０．０１程度である。基板（ｎ＝１．５８）、下部保護層（ｎ＝２．３、ｋ＝０．０１、厚み６０ｎｍ）、記録層（ｎ＝１．７２、ｋ＝２．８５、厚み１４ｎｍ）、上部保護層（ｎ＝２．３、ｋ＝０．０１）、反射層（ｎ＝０．１１、ｋ＝２．１６、厚み１４０ｎｍ）、基板（ｎ＝１．５８）の構成としたとき、波長４０５ｎｍのレーザー光を入射したときの反射率のシミュレーション結果を図１に示す。なお、横軸は上部保護層の厚みである。図１の結果から、上部保護層が４０ｎｍの厚みまでは、厚くなるに従って反射率は低下してしまう。一方、上部保護層の厚みが４０ｎｍを超えてくると急激に反射率が上昇するが、記録層と反射層との距離が４０ｎｍを超えてくると、反射層による冷却効果が得られなくなり、非晶質マークを形成するのが困難となる。

このように、今まで知られている層構成では、第２情報層の高反射率と高記録感度とを両立させることが困難である。このような課題に対し、上部保護層と反射層との間に、特定の光学定数をもった層を挿入することで、上部保護層を厚くしても、反射率を上げられることがわかった。上部保護層と反射層の間に別の層を設ける構成として、例えば、特許文献６では、Ａｌを１０〜４０原子％を含有するＳｉＡｌ又はＧｅＡｌよりなる光吸収補正層を設けている。また、特許文献７では、屈折率ｎが３以上６以下、消衰係数ｋが１以上４以下である光吸収補正層を設けている。これら光吸収補正層は、記録層が結晶状態であるときの光吸収率Ａｃと、非晶質状態であるときの光吸収率Ａａとの比（Ａｃ／Ａａ）を調整して、書き換え時にマーク形状が歪まないようにする働きを有しており、該光吸収補正層の厚みは２０〜６０ｎｍが好ましいとされているが、反射率に対する効果については何ら記載されていない。
また、特許文献８では、反射層と上部保護層との間に、反射層よりも熱伝導率の低い界面層を設けることが提案されている。しかし、この提案では、界面層の光学特性については開示も示唆もなく、反射率向上に対する効果についても何ら記載されていない。

特許第２７０２９０５号公報 特開２０００−２１５５１６号公報 特開２０００−２２２７７７号公報 特開２００１−２４３６５５号公報 特開２００５−００４９４３号公報 特開２００１−２６６４０９号公報 特開２００３−３４１２４１号公報 特開２００４−３１０９９２号公報 ＯＤＳ２００１ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ Ｐ２２

本発明は、従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、光の入射側から、第１基板、第１情報層、中間層、第２情報層、及び第２基板をこの順に有してなり、高記録感度と高反射率とを両立することができる２層光記録媒体を提供することを目的とする。

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 光の入射側から、第１基板、第１情報層、中間層、第２情報層、及び第２基板をこの順に有する２層光記録媒体において、
前記第２情報層は、光の入射側から、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、反射率向上層、及び第２反射層をこの順に有してなり、
前記反射率向上層は、情報の記録及び再生に用いる光の波長における消衰係数ｋが２＜ｋ≦６であることを特徴とする２層光記録媒体である。
＜２＞ 反射率向上層がＡｌ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｏ、及びＣｕから選択される少なくとも１種を含有する前記＜１＞に記載の２層光記録媒体である。
前記＜１＞及び＜２＞のいずれかに記載の２層光記録媒体においては、反射率及び記録感度が高い第２情報層を備える２層光記録媒体が得られ、特に、この２層光記録媒体は、青紫色レーザーを用いた高密度記録に好適なものである。
＜３＞ 反射率向上層の厚みが３〜１５ｎｍである前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の２層光記録媒体である。該＜３＞に記載の２層光記録媒体においては、反射率向上層の厚みを３ｎｍ以上とすることによって、反射率を高くすることができる。また、反射率向上層の厚みを２０ｎｍ以下とすることによって、記録層へレーザー照射時の急冷構造が保たれるため、記録特性の低下を防止できる。
＜４＞ 第１情報層が、光の入射側から、第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、及び第１反射層をこの順に有する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の２層光記録媒体である。
＜５＞ 第１反射層及び第２反射層の少なくともいずれかが、Ａｇ及びＡｇ合金のいずれかを含有する前記＜４＞に記載の２層光記録媒体である。該＜５＞に記載の２層光記録媒体においては、第１反射層及び第２反射層の少なくともいずれかが、Ａｇ及びＡｇ合金のいずれかを含有するので、第２情報層の冷却速度を速め、容易にアモルファス化が可能となり、記録特性の優れた光記録媒体が得られる。
＜６＞ 第１記録層及び第２記録層の少なくともいずれかが、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系材料を含有する前記＜４＞から＜５＞のいずれかに記載の２層光記録媒体である。
＜７＞ 第１記録層及び第２記録層の少なくともいずれかが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金を含有する前記＜４＞から＜５＞のいずれかに記載の２層光記録媒体である。
前記＜６＞及び＜７＞のいずれかに記載の２層光記録媒体においては、第１記録層及び第２記録層の少なくともいずれかがＳｂ−Ｔｅ共晶系材料又はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金を含有するので、良好に繰り返し記録可能な光記録媒体が得られる。
＜８＞ 第１記録層及び第２記録層の少なくともいずれかが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｎ系合金を含有する前記＜４＞から＜５＞のいずれかに記載の２層光記録媒体である。該＜８＞に記載の２層光記録媒体においては、第２の記録層の融点が低く、かつ結晶相と非晶質相との屈折率差が大きいため、記録感度が高くかつ結晶相と非晶質相との反射率差が大きい第２情報層が得られる。
＜９＞ 第２記録層の厚みが３〜２０ｎｍである前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の２層光記録媒体である。該＜９＞に記載の２層光記録媒体においては、第２記録層の厚みを３ｎｍ以上とすることによって、該第２記録層での光吸収量を多くすることができる。また、第２記録層の厚みを２０ｎｍ以下とすることによって、記録マークを形成する際に溶融させる部分の体積を小さくできるため、記録感度の低下を防止できる。
＜１０＞ 第１基板と第１情報層との間に透明層を有する前記＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の２層光記録媒体である。該＜１０＞に記載の２層光記録媒体においては、第１基板の厚みが薄い場合でも容易に製造可能な２層光記録媒体が得られる。
＜１１＞ 第１基板の厚みが１０〜６００μｍである前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の２層光記録媒体である。該＜１１＞に記載の２層光記録媒体においては、対物レンズの開口数ＮＡが変化した場合でも良好に記録再生を行うことができる。

本発明によると、従来における問題を解決することができ、光の入射側から、第１基板、第１情報層、中間層、第２情報層、及び第２基板をこの順に有してなり、高記録感度と高反射率とを両立することができる２層光記録媒体を提供することができる。

本発明の２層光記録媒体は、光の入射側から、第１基板、第１情報層、中間層、第２情報層、及び第２基板をこの順に有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。

前記第１情報層は、光の入射側から、第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、及び第１反射層をこの順に有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
前記第２情報層は、光の入射側から、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、反射率向上層、及び第２反射層をこの順に有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。

−反射率向上層−
本発明の２層光記録媒体は、第２上部保護層と第２反射層との間に反射率向上層を設ける。第２情報層の反射率向上の効果を得るためには、前記反射率向上層は、情報の記録及び再生に用いる光の波長における消衰係数ｋが２＜ｋ≦６であり、２≦ｋ≦４が好ましい。前記消衰係数ｋが２以下であると、反射率向上の効果が得られなくなることがあり、６を超えると、吸収が大きくなりすぎて反射率が低下することがある。
ここで、前記消衰係数ｋは、例えば、基板上に成膜した反射率向上層と同じ組成の膜をエリプソメータにより測定することができる。

また、前記反射率向上層は、融点が第２記録層よりも高いことが好ましい。
前記反射率向上層は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｕ、又はこれらの合金を含有することが好ましい。合金化する際の添加元素としては、例えばＢｉ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどが挙げられ、Ｓｉ、Ｔｉが特に好ましい。該添加元素の添加量は、０〜３０原子％が好ましい。
前記反射率向上層の厚みは３〜１５ｎｍが好ましく、５〜１０ｎｍがより好ましい。前記厚みが１５ｎｍを超えると、それ以上反射率は向上せず、冷却効果低減といった記録特性を劣化させる要因が生じてくる可能性がある。一方、厚みが３ｎｍ未満であると、充分な反射率向上効果が得られないことがある。
このような反射率向上層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。

ここで、図２は、本発明の２層光記録媒体の一例を示す概略断面図であり、第１基板３の上に、光の入射側から、第１情報層１、中間層４、第２情報層２、及び第２基板５を順次積層した構造を有するものである。
前記第１情報層１は、光の入射側から、第１下部保護層１１、第１記録層１２、第１上部保護層１３、第１反射層１４、及び第１熱拡散層１５からなる。
前記第２情報層２は、光の入射側から、第２下部護層２１、第２記録層２２、第２上部保護層２３、反射率向上層２４、及び第２反射層２５からなる。なお、前記第１上部保護層１３と第１反射層１４との間にバリア層（不図示）を設けても構わない。なお、本発明の第１情報層及び第２情報層は、上記層構成に限定されるものではない。
また、図３は、本発明の２層光記録媒体の他の一例を示す概略断面図であり、図２の構成に、更に第１記録層１２に隣接するように第１下部界面層１６と第１上部界面層１７を設けたものである。
また、図４は、本発明の２層光記録媒体の更に他の一例を示す概略断面図であり、第１基板３と第１下部保護層１１との間に透明層６を設けたものである。このような透明層は、第１基板に厚みの薄いシート状物を用い、製造方法が図２の光記録媒体と相違する場合に設けられる。

−第１基板−
前記第１基板は、記録再生光が十分透過できる材質とする必要があるが、当該技術分野において従来から知られているものを用いればよい。前記第１基板の材料としては、通常、ガラス、セラミックス、樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性、コストの点で好適である。
前記樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。
前記第１基板の情報層を形成する面には、必要に応じて、レーザー光のトラッキング用のスパイラル状又は同心円状の溝などであって、通常グルーブ部及びランド部と称される凹凸パターンが形成されていてもよく、これは通常、射出成形法又はフォトポリマー法などによって成形される。
前記第１基板の厚みは、１０〜６００μｍが好ましく、７０〜１２０μｍ又は５５０〜６００μｍの範囲である。前記厚みがこの範囲外であると、良好な記録再生ができないことがある。

−第２基板−
前記第２基板には、第１基板と同じ材料を用いることができるが、記録再生光に対して不透明な材料を用いてもよく、第１基板とは、材質、溝形状が異なってもよい。
第２基板の厚みは特に限定されないが、第１基板との合計の厚みが１．２ｍｍになるように第２基板の厚みを選択することが好ましい。
第２基板は、第１基板と同様に、射出成形又はフォトポリマー法などによって成形される、グルーブや案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。

−中間層、透明層−
前記中間層、又は透明層は、記録再生光の波長における光吸収が小さい方が好ましく、材料としては、樹脂が成形性、コストの点で好適であり、紫外線硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。また、光ディスク貼り合わせ用の両面粘着テープ（例えば日東電工株式会社製の粘着シートＤＡ−８３２０）なども用いることができる。
前記中間層には、第１基板と同様に、射出成形又はフォトポリマー法などによって成形される、グルーブや案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。
前記中間層は、記録再生を行う際に、ピックアップが第１情報層と第２情報層とを識別して光学的に分離可能とするものであり、該中間層の厚みは１０〜７０μｍが好ましい。前記厚みが１０μｍ未満であると、層間クロストークが生じることがあり、７０μｍを超えると、第２記録層を記録再生する際に球面収差が発生し、記録再生が困難になることがある。
前記透明層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、図２に示すような透明層を設けない製法により作製した光記録媒体の最適な第１基板の厚みと、図４に示すような製法の異なる光記録媒体の第１基板と透明層の厚みの合計が同程度となるように、第１基板と透明層の厚みを調整する必要がある。例えば、ＮＡ＝０．８５の場合であって、図２に示す光記録媒体の第１基板の厚みが７５μｍで良好な記録、消去性能が得られたとすると、図４に示す光記録媒体の第１基板の厚みが５０μｍならば、透明層の厚みを２５μｍとすることが好ましい。

−第１記録層及び第２記録層−
前記第１記録層、及び第２記録層は、レーザービームの照射によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料からなることが好ましい。
このような材料としては、例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金；Ｓｂ−Ｔｅ共晶系材料；Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｎ系合金を主成分とする材料が挙げられる。ここで、主成分とは薄膜材料全体の９０原子％以上を占めることを意味する。
前記Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金は、具体的には、組成式Ｇｅ_ａＳｂ_ｂＴｅ_３＋ａで表される材料で形成できる。この材料は、ａ＝０の場合には、結晶相が非常に安定であり非晶質相の安定性に欠ける。一方、１０＜ａの場合には、信号振幅は大きくなるが、融点が上がるとともに結晶化速度が低下する。そのため、ａは、０＜ａ≦１０の関係を満たすことが好ましく、１≦ａ≦９の関係を満たすことがより好ましい。また、この材料は、ｂ＜１．５の場合には、結晶相が非常に安定であり非晶質相の安定性に欠ける。一方、４＜ｂの場合には、信号振幅は大きくなるが、結晶化速度が低下する。そのため、ｂは、１．５≦ｂ≦４を満たすことが好ましく、１．５≦ｂ≦３を満たすことがより好ましい。
また、前記記録層は、組成式（Ｇｅ−Ｍ１）_ａＳｂ_ｂＴｅ_３＋ａ（ただし、Ｍ１は、Ｓｎ及びＰｂから選ばれる少なくとも１つの元素）で表される材料で形成してもよい。この組成式は、Ｇｅと元素Ｍ１とが合計で１００・ａ／（３＋２ａ＋ｂ）原子％だけ含まれることを意味している。この材料の組成は、組成式Ｇｅ_ａＳｂ_ｂＴｅ_３＋ａで表される材料のＧｅの一部を元素Ｍ１で置換した組成である。この材料を用いた場合、Ｇｅを置換した元素Ｍ１が結晶化能を向上させるため、記録層が極めて薄い場合でも十分な消去率が得られる。元素Ｍ１としては、毒性がない点でＳｎがより好ましい。この材料を用いる場合も、０＜ａ≦１０（より好ましくは、１≦ａ≦９）、かつ１．５≦ｂ≦４（より好ましくは、１．５≦ｂ≦３）であることが好ましい。
記録（アモルファス化）感度の点で好ましい材料としては、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系材料が挙げられる。該Ｓｂ−Ｔｅ共晶系材料には、更なる性能向上、信頼性向上などを目的としてＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｄｙ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐなどの他の元素や不純物を添加することができ、これらの中でも、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅなどの合金が特に好ましい。
また、高速記録に好ましい材料として、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｎ系合金が挙げられる。該Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｎ系合金には、更なる性能向上、信頼性向上などを目的として、Ｍｎ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｇａ等の他の元素や不純物を添加することができる。

これらの記録層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できるが、中でもスパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記第１記録層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、３〜１５ｎｍが好ましく、３〜８ｎｍがより好ましい。前記厚みが３ｎｍ未満であると、均一な膜にするのが困難となることがあり、１５ｎｍを超えると透過率が低下してしまうことがある。
前記第２記録層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、３〜２０ｎｍが好ましく、３〜１５ｎｍがより好ましく、８〜１５ｎｍが更に好ましい。前記厚みが３ｎｍ未満であると、均一な膜にするのが困難となることがあり、２０ｎｍを超えると、記録感度が低下してしまうことがある。

−界面層−
第１上部界面層、第１下部界面層は、それぞれ第１上部保護層と第１記録層との間、第１下部保護層と第１記録層との間で物質が移動するのを防止するために設ける。これらの界面層は、繰り返し記録によって生じる物質移動を防止したり、記録層の結晶化を促進させたりする効果があるため、界面層を設けることで繰り返し記録特性が極めて良好となる。これらの界面層は、例えばＳｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ等の窒化物、これらを含む窒化酸化物、又はＳｉＣ等の炭化物によって形成できる。これらの中でも、Ｇｅ−Ｎが特に好ましい。Ｇｅ−Ｎは、反応性スパッタリングで形成しやすく、機械的特性及び耐湿性に優れる。前記界面層が厚いと、情報層の反射率や吸収率が大きく変化して記録及び消去性能に影響を与える。前記界面層の厚みは、１〜１０ｎｍが好ましく、２〜５ｎｍがより好ましい。
また、第２上部保護層と第２記録層との界面及び／又は第２記録層と第２下部保護層との界面に、上記と同様の材料からなる界面層を設けても構わない。

−反射層−
前記第１反射層及び第２反射層は、入射光を効率よく使い、冷却速度を向上させて非晶質化し易くするなどの機能を有するものであり、そのために、通常、熱伝導率の高い金属が用いられる。前記第１反射層及び第２反射層の少なくともいずれかは、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ又はそれらの合金などを含有する。また、これらの元素の少なくとも１種を主成分とし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｎｄ、Ｚｎなどから選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料を用いてもよい。ここで主成分とは、反射層材料全体の９０原子％以上、好ましくは９５原子％以上を占めることを意味する。
これらの中でも、Ａｇ系材料は、とりわけ熱伝導率が大きいため、第１反射層、第２反射層に用いる材料として好ましい。
このような反射層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。

前記第１反射層の厚みは、３〜２０ｎｍが好ましく、５〜１０ｎｍがより好ましい。前記厚みが３ｎｍ未満であると、厚みが均一で緻密な膜を形成することが困難になることがあり、２０ｎｍを超えると、透過率が減少して第２情報層の記録再生が困難になることがある。
前記第２情報層を構成する第２反射層の厚みは、５０〜２００ｎｍが好ましく、８０〜１５０ｎｍがより好ましい。前記厚みが５０ｎｍ未満であると、繰り返し記録特性が低下することがあり、２００ｎｍを超えると、感度の低下を生じる傾向がある。

−保護層−
第１及び第２下部保護層並びに第１及び第２上部保護層の機能と材質は、単層相変化型光記録媒体の場合と同様であり、第１記録層と第２記録層の劣化変質を防ぎ、接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有し、従来公知の材料が適用可能である。
前記保護層材料としては、例えばＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２等の金属酸化物；Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ等の窒化物；ＺｎＳ、Ｉｎ_２Ｓ_３、ＴａＳ_４等の硫化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物；ダイアモンドライクカーボン；或いはそれらの混合物が挙げられる。
これらの材料は、単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。また、保護層の融点は記録層よりも高いことが必要である。最も好ましいのは、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物である。
このような保護層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記第１及び第２下部保護層の厚みは、３０〜２００ｎｍが好ましく、３０〜１００ｎｍがより好ましい。前記厚みが３０ｎｍ未満であると、記録時の熱によって第１基板又は中間層が変形してしまうことがあり、２００ｎｍより厚いと、量産性に問題が生じることがある。従って、上記の範囲で、最適な反射率になるように厚みの設計を行う。
また、前記第１及び第２上部保護層の厚みは、３〜４０ｎｍが好ましく、６〜３０ｎｍがより好ましい。前記厚みが３ｎｍ未満であると、記録感度が低下することがあり、４０ｎｍより厚くなると記録層と反射層との距離が大きくなり、放熱効果が得られなくなり非晶質マークを形成するのが困難となることがある。

−第１熱拡散層−
第１熱拡散層としては、レーザー照射された記録層を急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。また、奥側の情報層を記録再生できるように、記録再生用レーザー波長での吸収率が小さいことが望まれる。情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、消衰係数は０．５以下が好ましく、０．３以下がより好ましい。前記消衰係数が０．５より大きいと第１情報層での吸収率が増大し、第２情報層の記録再生が困難になる。また、情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、屈折率は１．６以上であることが好ましい。これより小さいと、第１情報層の透過率を大きくするのが困難になる。

以上のことから、窒化物、酸化物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化物の少なくとも１種を含むことが好ましい。例えば、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）、ＡＴＯ（酸化スズ−アンチモン）、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）、ＢＮなどが挙げられる。これらの中でも、Ｉｎ_２Ｏ_３（酸化インジウム）を主成分とする材料が好ましく、ＩＴＯ又はＩＺＯが特に好ましい。ここで、主成分とは材料全体の５０モル％以上を占めることを意味する。
前記第１熱拡散層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記第１熱拡散層の厚みは１０〜２００ｎｍが好ましく、２０〜１００ｎｍがより好ましい。前記厚みが１０ｎｍ未満であると、放熱効果が得られなくなることがあり、２００ｎｍを超えると、応力が大きくなり、繰り返し記録特性が低下するばかりでなく量産性にも問題が生じることがある。
なお、前記熱拡散層を第１下部保護層と第１基板との間にも設けて、熱拡散効果の更なる向上を図っても何ら問題はない。

また、前記第１情報層は、記録再生用レーザー光波長３５０〜７００ｎｍでの光透過率が、４０〜７０％が好ましく、４０〜６０％がより好ましい。
初期化後に記録を行った２層光記録媒体では、記録層がアモルファス状態である面積が結晶状態である面積よりも小さいので、アモルファス状態での光透過率は結晶状態での光透過率より小さくても構わない。

＜２層光記録媒体の製造方法＞
本発明の２層光記録媒体の製造方法の一つは、成膜工程、初期化工程、及び密着工程を含んでなり、基本的にはこの順に各工程を行う。図５には、この方法により製造した２層光記録媒体の概略断面図であり、第１基板３、第２基板５に案内溝（グルーブ）が形成されている。図５中、１は第１情報層、４は中間層、２は第２情報層を表す。

前記成膜工程としては、第１基板のグルーブが設けられた面に第１情報層を形成したものと、第２基板のグルーブが設けられた面に第２情報層を形成したものを別途作製する。
第１情報層、第２情報層のそれぞれを構成する各層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行うが、その際、酸素、窒素等を混入させながら、反応性スパッタリングさせてもよい。

前記初期化工程としては、第１情報層、第２情報層に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化（結晶化）する。
前記初期化工程の際にレーザー光エネルギーにより膜が浮いてしまう恐れがある場合には、初期化工程の前に、第１情報層及び第２情報層の上にＵＶ樹脂などをスピンコートし、紫外線を照射して硬化させオーバーコートを施してもよい。また、次の密着工程を先に行った後に、第１基板側から、第１情報層、第２情報層を初期化しても構わない。

次に、以上のようにして初期化した、第１基板面上に第１情報層を形成したものと、第２基板面上に第２情報層を形成したものとを、第１情報層と第２情報層を向かい合わせながら、中間層を介して貼り合わせる。
例えば、何れか一方の膜面に中間層となる紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させた上で紫外線を照射して樹脂を硬化させる。

また、図４に示すような本発明の２層光記録媒体を製造するための他の方法について説明する。この方法は、第一成膜工程、中間層形成工程、第二成膜工程、基板貼り合わせ工程、及び初期化工程からなり、基本的にこの順に各工程を行う。図６に示すのが、この方法により製造した２層光記録媒体の概略断面図であり、中間層４、第２基板５に案内溝（グルーブ）が形成されている。図６中、３は第１基板、１は第１情報層、２は第２情報層を表す。
前記第一成膜工程としては、第２基板上の案内溝の設けられた面に第２情報層を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
前記中間層形成工程としては、第２情報層上に案内溝を有する中間層を形成する。例えば、第２情報層上に紫外線硬化性樹脂を全面に塗布し、紫外線を透過することのできる材料で作られたスタンパを押し当てたまま紫外線を照射して硬化させ、溝を形成することができる。
前記第二成膜工程としては、中間層上に第１情報層を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
前記基板貼り合わせ工程としては、第１情報層と第１基板を、透明層を介して貼り合わせる。例えば、第１情報層上又は第１基板上に、透明層の材料である紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、第１情報層と第１基板とを貼り合わせてから、紫外線を照射して硬化させる。また、透明層を形成せずに、第１基板の材料である樹脂を第１情報層上に塗布し、硬化させることによって、第１基板を形成してもよい。
前記初期化工程として、第１基板側から、第１情報層、第２情報層に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化（結晶化）する。第２情報層に対しては、中間層形成工程直後に初期化を行っても何ら問題はない。

＜光記録再生方法＞
本発明の２層型光記録媒体の記録再生方法は、本発明の前記２層型光記録媒体の各情報層に対し、第１基板側から波長３５０〜７００ｎｍのレーザー光線を入射させて情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う。
具体的には、光記録媒体を所定の線速度、又は、所定の定角速度にて回転させながら、第１基板側から対物レンズを介して半導体レーザ（例えば、４０５ｎｍの発振波長）等の記録用の光を照射する。この照射光により、第１記録層及び第２記録層がその光を吸収して局所的に相変化して、アモルファス相が生成してその光学特性の変化により情報が記録される。上記のように記録された情報の再生は、光記録媒体を所定の線速度で回転させながらレーザー光線を第１基板側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
情報を記録する際の光記録媒体の線速度は、３〜３０ｍ／秒が好ましく、４〜２１ｍ／秒がより好ましい。
なお、記録再生の対象となる光記録媒体の第１基板、中間層及び第２基板いずれかが溝（グルーブ）を備える場合には、情報は、溝に記録しても、ランドに記録してもよい。また、溝及びランドの両方に情報を記録してもよい。第１情報層と第２情報層とは、ともに同一の部分（溝、ランド、あるいは、溝及びランド）に情報を記録してもよいし、異なる部分に情報を記録してもよい。

＜光記録再生装置＞
本発明の光記録再生装置は、光記録媒体に光源から光を照射して該光記録媒体に情報を記録及び再生する光記録再生装置において、光記録媒体として本発明の前記２層型光記録媒体を用いたものである。

前記光記録再生装置は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、レーザー光線を出射する半導体レーザー等の光源であるレーザー光源と、レーザー光源から出射されたレーザー光線をスピンドルに装着された光記録媒体に集光する対物レンズ、レーザー光源から出射されたレーザー光線の一部を検出するレーザー光検出器、レーザー光源から出射されたレーザー光線を対物レンズとレーザー光検出器とに導く光学素子を備えてなり、更に必要に応じてその他の手段を有してなる。
対物レンズの開口数ＮＡは、０．５以上１．１以下が好ましく、０．６以上１．０以下がより好ましい。前記半導体レーザーの波長は、３５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下が好ましく、３９０ｎｍ以上４３０ｎｍ以下がより好ましい。
前記光記録再生装置は、レーザー光源から出射されたレーザー光線を光学素子により対物レンズに導き、該対物レンズによりレーザー光線を光記録媒体に集光照射して光記録媒体に記録及び再生を行う。このとき、光記録再生装置は、レーザー光源から出射されたレーザー光線の一部をレーザー光検出器に導き、レーザー光検出器のレーザー光線の検出量に基づきレーザー光源の光量を制御する。
前記レーザー光検出器は、検出したレーザー光線の検出量を電圧又は電流に変換し検出量信号として出力する。
前記その他の手段としては、制御手段等が挙げられる。前記制御手段としては、前記各手段の動きを制御することができる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シークエンサー、コンピュータ等の機器が挙げられる。
本発明の光記録再生装置は、良好な記録信号特性が得られる本発明の前記２層相変化型光記録媒体を搭載しているため、高感度で、高変調度の記録が可能となる。

以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例により何ら限定されるものではない。

（実施例１〜８及び比較例１〜３）
−光記録媒体の作製−
直径１２ｃｍ、厚み０．６ｍｍで表面にピッチ０．４μｍ、溝深さ２０ｎｍの凹凸の案内溝を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上に（ＺｎＳ）_７０・（ＳｉＯ_２）_３０からなる第１下部保護層（厚み１２０ｎｍ）、Ｇｅ_５Ｓｂ_７４Ｔｅ_２１からなる第１記録層（厚み６ｎｍ）、（Ｚｒ_２Ｏ_３）_８０・（ＴｉＯ_２）_２０からなる第１上部保護層（厚み１５ｎｍ）、Ａｇからなる第１反射層（厚み１０ｎｍ）、ＩＺＯ（（Ｉｎ_２Ｏ_３）_９０・（ＺｎＯ）_１０）からなる第１熱拡散層（厚み２０ｎｍ）の順に枚葉スパッタ装置（Ｂａｌｚｅｒｓ社製）を用いてＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で成膜した。
次に、第１基板と同じ構成の第２基板上にＡｇからなる第２反射層（厚み１４０ｎｍ）、表１に示す反射率向上層、（ＺｎＳ）_８０・（ＳｉＯ_２）_２０からなる第２上部保護層（厚み２５ｎｍ）、組成式Ａｇ_１Ｉｎ_２Ｇｅ_５Ｓｂ_７２Ｔｅ_２０からなる第２記録層（厚み１１ｎｍ）、（ＺｎＳ）_７０・（ＳｉＯ_２）_３０からなる第２下部保護層（厚み６０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で成膜した。

次に、得られた第１情報層及び第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側から初期化装置（日立コンピュータ株式会社製）用いて、線速３ｍ／ｓｅｃ、パワー３５０ｍＷ、ヘッド送り３６μｍの条件で記録層を結晶化させた。
次に、第１情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂（日本化薬株式会社製、ＤＶＤ−５７６Ｍ）をスピンコートにより塗布し、第２基板の第２情報層面側と貼り合わせ、第１基板側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する２層光記録媒体を作製した。なお、中間層の厚みは２５μｍとした。

また、比較例１として、実施例１において、反射率向上層を設けない以外は、実施例１と同様にして、比較例１の２層光記録媒体を作製した。

以上のようにして作製した各２層光記録媒体について、下記の条件で記録を行った。
〔記録条件〕
・レーザー波長：４０６ｎｍ
・ＮＡ＝０．６５
・線速：６．６１ｍ／ｓ

次に、Ｄａｔａ Ｂｉｔ Ｌｅｎｇｔｈ＝０．１５３μｍでＥＴＭ信号を１０回オーバーライト記録したときの第２情報層のＰＲＳＮＲ（Ｐａｒｔｉａｌ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）をディスク評価装置（パルステック株式会社製、ＯＤＵ−１０００）で測定した。また、各２層光記録媒体について、以下のようにして、反射率及び記録感度を測定した。それぞれの測定結果を表１に示す。

＜反射率＞
反射率向上層を設けていない比較例１を基準として、第２情報層の反射率が高いものを○、変化のないものを△、反射率が逆に小さいものを×とした。

＜記録感度＞
記録感度については、ＰＲＳＮＲが最大となる記録パワーを最適パワーＰｏとし、Ｐｏ≦１３ｍＷを○、Ｐｏ＞１３ｍＷを×とした。

表１中、屈折率ｎ及び消衰係数ｋは、ガラス基板上に、実施例及び比較例とは別に、反射率向上層と同じ組成の膜を５０ｎｍの厚みに成膜し、Ｊ．Ａ．ウーラム社製のエリプソメータ「ＶＡＳＥ」にて測定した。
表１の結果から、消衰係数ｋが２よりも大きい材料からなる反射率向上層を設けた実施例１〜８の各光記録媒体は、いずれも反射率が高くなり、記録感度は１３ｍＷ以下となり良好であった。
これに対し、比較例２の光記録媒体は、反射率が逆に低下してしまった。また、比較例３の記録媒体は、反射率向上効果が得られなかった。

これらの結果を確認するため、光学シミュレーション（光学シミュレーションソフト、ＭＭ Ｒｅｓｅａｒｃｈ社製、ＭＵＬＴＩＬＡＹＥＲ）により反射率の計算を行った。基板（ｎ＝１．５８）、下部保護層（ｎ＝２．３、ｋ＝０．０１、厚み６０ｎｍ）、記録層（ｎ＝１．７２、ｋ＝２．８５、厚み１４ｎｍ）、上部保護層（ｎ＝２．３、ｋ＝０．０１、厚み３０ｎｍ）、反射率向上層（厚み５ｎｍ）、反射層（ｎ＝０．１１、ｋ＝２．１６、厚み１４０ｎｍ）、基板（ｎ＝１．５８）の構成とし、反射率向上層の屈折率（ｎ）、消衰係数（ｋ）を変えたときの、波長４０５ｎｍでの反射率の計算結果を表２に示す。

表２の結果から、反射率向上層を設けない場合の反射率は１０．０％である。屈折率ｎの大きさにかかわらず、消衰係数ｋが２．０よりも大きいと反射率が高くなることがこの計算からわかった。

（実施例９）
実施例１において、反射率向上層の材料をＡｌ_８０Ｓｉ_２０とし、該反射率向上層の厚みを変えた以外のディスク構成は実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。反射率向上層の厚みと反射率とＰＲＳＮＲとの関係を図７に示す。
図７の結果から、反射率向上層の厚みが３０ｎｍまでの範囲では厚くなるにつれて、反射率が高くなり、厚みが３０ｎｍを超えるとそれ以上は上がらなかった。記録特性を比較すると、反射率向上層が厚くなるにつれてＰＲＳＮＲが小さくなり、厚さが１５ｎｍを超えてくると、最大となるＰＲＳＮＲの値が１５以下となった。
以上の結果から、反射率向上層の厚みは、３〜１５ｎｍが好ましいことがわかった。また、反射率向上効果と、記録特性とのバランスを考えると、５〜１０ｎｍがより好ましい範囲であることがわかった。

（実施例１０）
第２基板としてポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚み１．１ｍｍ）を準備した。このポリカーボネート基板上に、第２反射層としてＡｇ層（厚み１４０ｎｍ）、反射率向上層としてＡｌ_８０Ｓｉ_２０層（厚み８ｎｍ）、第２上部保護層としてＺｎＳ−ＳｉＯ_２層（厚み１０ｎｍ、ＳｉＯ_２：２０ｍｏｌ％）、第２記録層としてＧｅ_１２Ｓｂ_６０Ｓｎ_２０Ｍｎ_８層（厚み１１ｎｍ）、第２下部界面層としてＳｉＯ_２層（厚み３ｎｍ）、及び第２下部保護層としてＺｎＳ−ＳｉＯ_２層（厚み６０ｎｍ、ＳｉＯ_２：３０ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法によって積層した。
次いで、第２記録層の全面を結晶化させる初期化工程を行った。
その後、第２下部保護層上に紫外線硬化性樹脂（日本化薬株式会社製、ＤＶＤ−５７６Ｍ）をスピンコートし、その上に案内溝を形成した基板を被せて、樹脂を硬化させた後に基板を剥がした。この工程によって、レーザービームを導く案内溝が第１情報層側に形成された中間層を形成した。

次に、中間層の上に、第１熱拡散層としてＩｎ_２Ｏ_３層（厚み４０ｎｍ）、第１反射層としてＡｇ−Ｂｉ（厚み１０ｎｍ、Ｂｉ：２質量％）、第１上部界面層としてＧｅＮ層（厚み４ｎｍ）、第１上側保護層としてＺｎＳ−ＳｉＯ_２層（厚み５ｎｍ、ＳｉＯ_２：２０ｍｏｌ％）、第１上部界面層としてＧｅＮ層（厚み５ｎｍ）、第１記録層として（Ｇｅ_０．７４Ｓｎ_０．２６）_８Ｓｂ_２Ｔｅ_１１層（厚み６ｎｍ）、第１下部界面層としてＧｅＮ層（厚み５ｎｍ）、及び第１下部保護層としてＺｎＳ−ＳｉＯ_２層（厚み４０ｎｍ、ＳｉＯ_２：２０ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により積層した。
次いで、第１記録層の全面を結晶化させる初期化工程を行った。
次に、第１基板としてポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚み０．０６ｍｍ）を準備した。透明層の材料である紫外線硬化性樹脂を、第１の基板１上にスピンコートした。その後、紫外線硬化性樹脂膜上に第１下部保護層を密着させ、紫外線を照射して樹脂を硬化させた。以上により、実施例１０の２層光記録媒体を作製した。

得られた２層光記録媒体について、第１情報層及び第２情報層のＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ；振幅対雑音比）及び消去率をアドバンテスト社製のスペクトラムアナライザーにより測定した。このとき、レーザービームの波長は４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．８５、測定時の光記録媒体の線速度は５．０ｍ／ｓ、最短マーク長は０．２０６μｍとした。情報は、グルーブに記録した。その結果、第１情報層及び第２情報層は共に、ＣＮＲが５０ｄＢ以上で消去率が３０ｄＢ以上という良好な結果が得られた。

本発明の２層光記録媒体は、例えば、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＢＤ−ＲＥ、ＨＤ ＤＶＤ ＲＷ等の相変化記録層を有する光記録媒体などに好適に用いられる。

図１は、上部保護層の厚みと反射率との関係をシミュレーションした結果を示す図である。 図２は、本発明の２層光記録媒体の一例を示す概略断面図である。 図３は、本発明の２層光記録媒体の他の一例を示す概略断面図である。 図４は、本発明の２層光記録媒体の更に他の一例を示す概略断面図である。 図５は、第１基板及び第２基板にグルーブが設けられた２層光記録媒体の概略断面図である。 図６は、第１基板及び中間層にグルーブが設けられた２層光記録媒体の概略断面図である。 図７は、実施例９における反射率向上層の厚みと反射率とＰＲＳＮＲとの関係をを示すグラフである。

符号の説明

１ 第１情報層
２ 第２情報層
３ 第１基板
４ 中間層
５ 第２基板
６ 透明層
１１ 第１下部保護層
１２ 第１記録層
１３ 第１上部保護層
１４ 第１反射層
１５ 第１熱拡散層
１６ 第１下部界面層
１７ 第１上部界面層
２１ 第２下部保護層
２２ 第２記録層
２３ 第２上部保護層
２４ 反射率向上層
２５ 第２反射層

Claims (11)

1. 光の入射側から、第１基板、第１情報層、中間層、第２情報層、及び第２基板をこの順に有する２層光記録媒体において、
   前記第２情報層は、光の入射側から、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、反射率向上層、及び第２反射層をこの順に有してなり、
   前記反射率向上層は、情報の記録及び再生に用いる光の波長における消衰係数ｋが２＜ｋ≦６であることを特徴とする２層光記録媒体。
2. 反射率向上層がＡｌ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｕ及びこれらの合金から選択される少なくとも１種を含有する請求項１に記載の２層光記録媒体。
3. 反射率向上層の厚みが３〜１５ｎｍである請求項１から２のいずれかに記載の２層光記録媒体。
4. 第１情報層が、光の入射側から、第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、及び第１反射層をこの順に有する請求項１から３のいずれかに記載の２層光記録媒体。
5. 第１反射層及び第２反射層の少なくともいずれかが、Ａｇ及びＡｇ合金のいずれかを含有する請求項４に記載の２層光記録媒体。
6. 第１記録層及び第２記録層の少なくともいずれかが、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系材料を含有する請求項４から５のいずれかに記載の２層光記録媒体。
7. 第１記録層及び第２記録層の少なくともいずれかが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金を含有する請求項４から５のいずれかに記載の２層光記録媒体。
8. 第１記録層及び第２記録層の少なくともいずれかが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｎ系合金を含有する請求項４から５のいずれかに記載の２層光記録媒体。
9. 第２記録層の厚みが３〜２０ｎｍである請求項１から８のいずれかに記載の２層光記録媒体。
10. 第１基板と第１情報層との間に透明層を有する請求項１から９のいずれかに記載の２層光記録媒体。
11. 第１基板の厚みが１０〜６００μｍである請求項１から１０のいずれかに記載の２層光記録媒体。