JP2007197508A

JP2007197508A - セルロース誘導体フィルム、これを用いた光学フィルムおよび画像表示装置

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Publication number: JP2007197508A
Application number: JP2006015043A
Authority: JP
Inventors: Toyohisa Oya; 豊尚大屋
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2006-01-24
Filing date: 2006-01-24
Publication date: 2007-08-09

Abstract

【課題】光学フィルムとして好適に用いることができて、レターデーション発現性に優れ、湿度によるレターデーション変化が少ないセルロース誘導体フィルムを提供すること。
【解決手段】下記式（１）〜（３）を満足するセルロース誘導体を含有するフィルム。
式（１）：２≦Ａ＋Ｂ≦３
式（２）：０．０５≦Ａ≦２．０
式（３）：０．０５≦Ｂ≦２．９５
（式中、Ａはセルロースの水酸基を構成する水素原子に対する（Ａｒ）₃Ｃ−で表される基の置換度；Ａｒは炭素数６〜２０の芳香族基；Ｂはセルロースの水酸基を構成する水素原子に対する炭素数２〜６のアルカノイル基の置換度を表す。）
【選択図】なし

Description

本発明は、光学フィルムに好適であって、湿度によるレターデーション変化が少なく、透明でレターデーション発現性に優れているセルロース誘導体フィルムに関する。さらに、該セルロース誘導体フィルムを用いた、高品位な位相差フィルム、偏光板、光学補償フィルム、反射防止フィルム並びに画像表示装置に関する。

セルロースアセテートは、その透明性、強靭性および光学的等方性から、写真感光材料の支持体として用いられているほか、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置をはじめとする画像表示装置用の光学フィルムとしてその用途を拡大してきている。液晶表示装置用の光学フィルムとしては、偏光板保護フィルムや、フィルムを延伸して面内のレターデーション（Ｒｅ）、厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を発現させ、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）方式などの液晶表示装置の位相差膜として使用されている。

近年、ＳＴＮ型に比べてより高いＲｅ，Ｒｔｈの位相差が要求される、ＶＡ（Vertical Alignment）方式、ＯＣＢ(Optical Compensated Bend)方式、あるいはＩＰＳ(In-Plane Switching)方式の表示素子が開発され、それぞれの液晶モードに応じた、様々なレターデーション発現性を有する光学フィルム材料が要求されている。

セルロースアセテートは延伸性に乏しく、高分子単独での延伸配向によるレターデーションの発現領域は限定される。また、比較的親水的な高分子であるため、湿度によるレターデーション変化が比較的大きいという特徴がある。

そこで、上記の要求に対応するための新規な光学フィルム用材料として、セルロースのアセチル基とプロピオニル基の混合エステル（セルロースアセテートプロピオネートなどのセルロース混合アシレート）を用い、その溶液を支持体上へ流延し、溶媒の一部を蒸発させた後、支持体上から剥離してセルロース誘導体フィルムを形成する溶液製膜法を用いて製造したセルロース誘導体フィルムが提案されている（特許文献１）。また、溶融温度がセルロースアセテートに比べて低いセルロース混合アシレートとしてセルロースアセテートブチレートおよびセルロースアセテートプロピオネートを用い、これを溶融製膜して光学フィルムとして用いる方法も提案されている（特許文献２）。溶融製膜は製膜の際に有機溶媒を使わないことから、溶液製膜に比べて溶解や乾燥の工程を省略できるほか、環境への負荷も少ないという利点を有している。

このような、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレートなどのセルロース混合アシレートは、セルロースアセテートが有する上記の課題を解決する可能性を有してはいるが、近年の液晶表示装置の用途拡大にともない、従来にない優れたレターデーションの発現が可能な新しい光学フィルム用高分子材料を提供することがさらに求められるようになっている。例えば、ＩＰＳモードの液晶の光学補償には、Ｒｅが正でＲｔｈが小さいか負である光学フィルムが好ましい場合があるが、従来のセルロースアシレート系材料はＲｅ、Ｒｔｈとも正であるものがほとんどで、Ｒｔｈが小さいか負である光学特性を達成することは困難であった。

一方、セルロースの６位の水酸基を構成する水素原子をトリチル基に位置選択的に置換して６−トリチルセルロースを合成する方法が開示されている（特許文献３）。また、６−トリチルセルロースを出発物質として、セルロース６−トリチル−２，３−ビス（３，５−ジメチルフェニルカルバメート）を合成する方法も開示されている（特許文献４および特許文献５）。しかしながら、セルロース６−トリチル−２，３−ビス（３，５−ジメチルフェニルカルバメート）は合成中間体として製造されているに過ぎず、該化合物のフィルム化や、フィルム化後の光学特性については何も記載されていない。
特開２００１−１８８１２８号公報特開２０００−３５２６２０号公報特開平７−７０２０２号公報特開平６−３２９５６１号公報特開平５−２４０８４８号公報

本発明の目的は、光学フィルムとして好適に用いることができて、レターデーション発現性に優れ、湿度によるレターデーション変化が少ないセルロース誘導体フィルムを提供することにある。さらに、該セルロース誘導体フィルムを用いた、高品位な位相差フィルム、偏光板、光学補償フィルム、反射防止フィルム、ならびに画像表示装置を提供することも目的とする。

本発明者らは鋭意検討を進めた結果、特定の構造のセルロース（トリアリールメチル）エーテル誘導体を用いることによって、レターデーション発現性に優れ、湿度によるレターデーション変化が少ないセルロース誘導体フィルムを製造することができる予想外の効果を有するということを知見した。

さらに、該セルロース誘導体から作成したフィルムを作成することにより、溶液製膜法のみならず溶融製膜を行った場合においても、高品位なセルロース誘導体光学フィルム、位相差フィルム、偏光板、光学補償フィルム、反射防止フィルム並びに画像表示装置を提供できることを見出した。

かくして本発明の上記目的は、以下の構成を有する本発明により達成された。
［態様１］
下記式（１）〜（３）を満足することを特徴とするセルロース誘導体を含有することを特徴とする、セルロース誘導体フィルム。
式（１）：２≦Ａ＋Ｂ≦３
式（２）：０．０５≦Ａ≦２．０
式（３）：０．０５≦Ｂ≦２．９５
（式中、Ａはセルロースの水酸基を構成する水素原子に対する（Ａｒ）₃Ｃ−で表される基の置換度を表し、Ａｒは炭素数６〜２０の芳香族基を表す。Ｂはセルロースの水酸基を構成する水素原子に対する炭素数２〜６のアルカノイル基の置換度を表す。）
［態様２］
前記セルロース誘導体が下記式（４）〜（６）を満足することを特徴とする、態様１に記載のセルロース誘導体フィルム。
式（４）：２．４≦Ａ＋Ｂ≦３
式（５）：０．０５≦Ａ≦１．４
式（６）：１．０≦Ｂ≦２．９５

［態様３］
前記（Ａｒ）₃Ｃ−で表される基がトリチル基であることを特徴とする、態様１または２に記載のセルロース誘導体フィルム。
［態様４］
前記炭素数２〜６のアルカノイル基がアセチル基、プロピオニル基またはブチリル基であることを特徴とする、態様１〜３のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルム。
［態様５］
面内のレターデーション（Ｒｅ）が下記式（ｉ）を満足し、且つ、厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）が下記式（ii）を満足することを特徴とする、態様１〜４のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルム。
式（ｉ）：０ｎｍ≦Ｒｅ≦３００ｎｍ
式（ii）： −５００ｎｍ≦Ｒｔｈ≦５００ｎｍ
［態様６］
態様１〜５のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルムを、少なくとも１方向に０．１％〜５００％延伸したことを特徴とするセルロース誘導体フィルム。
［態様７］
残留有機溶媒量が０．０１質量％以下であることを特徴とする、態様１〜６のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルム。
［態様８］
態様１〜７のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルムを用いたことを特徴とする位相差フィルム。

［態様９］
偏光膜と該偏光膜を挟持する２枚の保護フィルムとからなる偏光板であって、２枚の保護フィルムの少なくとも一方が、態様１〜７のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルムまたは態様８に記載の位相差フィルムであることを特徴とする偏光板。
［態様１０］
態様１〜７のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルムまたは態様８記載の位相差フィルム上に、液晶性化合物を配向させて形成した光学異方性層を有することを特徴とする光学補償フィルム。
［態様１１］
態様１〜７のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルムまたは態様８に記載の位相差フィルム上に、反射防止層を有することを特徴とする反射防止フィルム。
［態様１２］
態様１〜７のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルムまたは態様８記載の位相差フィルム、態様９に記載の偏光板、態様１０に記載の光学補償フィルムおよび態様１１に記載の反射防止フィルムからなる群より選択される少なくとも１種を用いることを特徴とする画像表示装置。

本発明のセルロース誘導体フィルムは、レターデーション発現性に優れ、湿度によるレターデーション変化が少なく、光学フィルムとして好適である。また、該セルロース誘導体フィルムを用いた位相差フィルム、偏光板、光学補償フィルム、反射防止フィルム、ならびに画像表示装置は、いずれも高品位で光学的性質に優れている。

以下において、本発明のセルロース誘導体フィルムやその製造方法などについて詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

＜セルロース誘導体＞
本発明のセルロース誘導体フィルムに好ましく用いられるセルロース誘導体について詳細に記載する。

（基本的な構造）
セルロースを構成する、β−１，４結合しているグルコース単位は、２位、３位および６位に遊離の水酸基を有している。セルロース誘導体は、これらの水酸基の一部または全部を化学修飾した重合体（ポリマー）である。本発明において置換度とは、２位、３位および６位のそれぞれについて、セルロースの水酸基が置換されている割合（例えば、１００％のエステル化は置換度＝１と表す）の合計を意味する。なお、天然のセルロース原料は由来とする生物や精製方法に対応してグルコース以外の構成糖(例えば、キシロース、マンノースなど)の重合体（ヘミセルロース）や、リグニンなどのセルロース以外の成分を含有する場合があるが、本発明においては、これらを含有するセルロース原料を原料として製造された高分子についても、セルロース誘導体と総称する。

本発明のセルロース誘導体は、（Ａｒ）₃Ｃ−で表される置換基（Ａｒは炭素数６〜２０の芳香族基を表す）、ならびに、炭素数２〜６のアルカノイル基、の少なくとも２種類の基で、セルロースの水酸基を構成する水素原子が置換されていることを特徴とする。

（（Ａｒ）₃Ｃ−で表される置換基）
まず、（Ａｒ）₃Ｃ−で表される置換基について説明する。ここで、Ａｒは炭素数６〜２０の芳香族基を表す。Ａｒは、好ましくは炭素数６〜１８であり、さらに好ましくは炭素数６〜１５であり、特に好ましくは炭素数６〜１２である。ここでＡｒで表される基は、全て同一であっても、２ないし３種の異なった基であってもよい。

Ａｒは置換基を有していてもよく、置換基の好ましい例としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐、環状のアルキル基で、ビシクロアルキル基、活性メチン基を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、カルボキシ基またはその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Carbonimidoyl基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル，アリール，またはヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、イミド基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えばピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、（アルキルまたはアリール）スルホニル基、（アルキルまたはアリール）スルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基またはその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基などが挙げられる。

Ａｒで表される基の好ましい例としては、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，３−ジメトキシフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、４−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、２−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル基、２−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、４−シアノフェニル基、４−ヨードフェニル基、２，４，５−トリメトキシフェニル基、３，４，５−トリメトキシフェニル基、４−フェノキシフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などである。

さらに好ましくは、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，３−ジメトキシフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、４−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基などであり、特に好ましくは、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基などである。

本発明において（Ａｒ）₃Ｃ−で表される基として好ましくは、トリチル基、ジフェニル（４−メトキシフェニル）メチル基、ジ（４−メトキシフェニル）フェニルメチル基、トリ（４−メトキシフェニル）メチル基、ジフェニル（４−メチルフェニル）メチル基、ジ（４−メチルフェニル）フェニルメチル基、トリ（４−メチルフェニル）メチル基、トリ（４−クロロフェニル）メチル基、トリ（４−シアノフェニルメチル）基、トリ（４−イソプロピルフェニル）メチル基などを挙げることができるが、さらに好ましくは、トリチル基、ジフェニル（４−メトキシフェニル）メチル基、ジ（４−メトキシフェニル）フェニルメチル基、トリ（４−メトキシフェニル）メチル基、ジフェニル（４−メチルフェニル）メチル基、ジ（４−メチルフェニル）フェニルメチル基、トリ（４−メチルフェニル）メチル基であり、特に好ましくは、トリチル基、トリ（４−メトキシフェニル）メチル基、トリ（４−メチルフェニル）メチル基などである。

本発明において（Ａｒ）₃Ｃ−で表される基は、セルロースの繰り返し単位の２，３，６位のいずれの位置にも、任意の比で置換していてよいが、一般的には６位に選択的に導入することが好ましい。セルロースの繰り返し単位の水酸基は６位のみが１級の水酸基であることから、６位に選択的に導入する方法として、セルロースを塩基存在下にトリチルクロリドなどと反応させてエーテル化する方法などを例示することができる。

（炭素数２〜６のアルカノイル基）
次に、炭素数２〜６のアルカノイル基について説明する。
本発明におけるアルカノイル基は、好ましくは炭素数２〜５であり、さらに好ましくは炭素数２〜４であり、特に好ましくは、炭素数３ないし４である。炭素数が２より少ない場合は、化合物の製造適性ならびに安定性において好ましくない場合がある。また、炭素数が７以上の場合は、製造適性が低下し、高分子のガラス転移温度がフィルム用途として用いるときに適切ではない場合がある。
好ましいアルカノイル基の例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ペンタノイル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、イソブチリル基、ピバロイル基などを挙げることができる。さらに好ましくは、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基であり、特に好ましくはプロピオニル基、ブチリル基である。

本発明において、炭素数２〜６のアルカノイル基は、セルロースの繰り返し単位の２，３，６位のいずれの位置にも、任意の比で置換していてよいが、一般的には２または３位に選択的に導入することが好ましい。２または３位に選択的に導入する方法として、（Ａｒ）₃Ｃ−で表される基をセルロースの水酸基の６位に選択的に導入した後に、２，３位の水酸基を酸ハライド、酸無水物、あるいはケテンなどと反応させる方法を例示することができる。

本発明のセルロース誘導体は、下記式（１）〜（３）の置換度を満足することを特徴とする。
式（１）：２≦Ａ＋Ｂ≦３
式（２）：０．０５≦Ａ≦２．０
式（３）：０．０５≦Ｂ≦２．９５
（式中、Ａはセルロースの水酸基を構成する水素原子に対する（Ａｒ）₃Ｃ−で表される基の置換度を表し、Ａｒは炭素数６〜２０の芳香族基を表す。Ｂはセルロースの水酸基を構成する水素原子に対する炭素数２〜６のアルカノイル基の置換度を表す。）

本発明のセルロース誘導体は、下記式（４）〜（６）を満足することが好ましい。
式（４）：２．４≦Ａ＋Ｂ≦３
式（５）：０．０５≦Ａ≦１．４
式（６）：１．０≦Ｂ≦２．９５

本発明のセルロース誘導体は、下記式（７）〜（９）を満足することがさらに好ましい。
式（７）：２．６≦Ａ＋Ｂ≦３
式（８）：０．５≦Ａ≦１．３
式（９）：１．３≦Ｂ≦２．５

本発明のセルロース誘導体は、下記式（１０）〜（１２）を満足することが特に好ましい。
式（１１）：２．７≦Ａ＋Ｂ≦３
式（１２）：０．６≦Ａ≦１．２
式（１３）：１．５≦Ｂ≦２．４

本発明のセルロース誘導体の好ましい例として、６−トリチル−２，３−ジアセチルセルロース、６−トリチル−２，３−ジプロピオニルセルロース、６−トリチル−２，３−ジブチリルセルロース、６−とり（４−メトキシフェニル）メチル−２，３−ジアセチルセルロース、６−とり（４−メトキシフェニル）メチル−２，３−ジプロピオニルセルロース、６−とり（４−メトキシフェニル）メチル−２，３−ジブチリルセルロース、６−とり（４−メチルフェニル）メチル−２，３−ジアセチルセルロース、６−トリ（４−メチルフェニル）メチル−２，３−ジプロピオニルセルロース、６−とり（４−メチルフェニル）メチル−２，３−ジブチリルセルロースなどを挙げることができる。さらに好ましくは、６−トリチル−２，３−ジアセチルセルロース、６−トリチル−２，３−ジプロピオニルセルロース、６−トリチル−２，３−ジブチリルセルロースであり、特に好ましくは、６−トリチル−２，３−ジプロピオニルセルロース、６−トリチル−２，３−ジブチリルセルロースである。

セルロース誘導体においてその化学名の表記は、構造に置換度や水酸基含量などの若干の変動を許容する総称として扱われることが一般的である。例えば、トリアセチルセルロースは置換度が２．７〜３程度、エチルセルロースは置換度が１．５〜３程度の誘導体の総称である。本発明においても、上述の好ましい例の名称は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において置換度、水酸基含量に変動幅を有する誘導体を許容する総称である。例えば、２，３，６位のトリチル置換度がそれぞれ０．０２、０．０１、０．８９であり、２，３，６位のプロピオニル置換度がそれぞれ、０．９５、０．９５、０．０４であるのセルロース誘導体についても、６−トリチル−２，３−ジプロピオニルセルロースと総称する。

＜セルロース誘導体の製造方法＞
本発明のセルロース誘導体の一般的な合成方法については、特開平６−３２９５６１号公報、特開平５−２４０８４８号公報、Macromol. Chem. Phys., 1996年, 197巻, 953-964頁、Macromol. Chem. Phys., 2002年, 203巻, 961-967頁、Org. Biomol. Chem., 2004年, 2巻, 402-407頁などに詳細に記載されており、本発明においても適宜適用することができる。
本発明における置換基は任意の順序および工程数でセルロースに導入してよいが、６位水酸基を選択的にエーテル化し、次いで２，３位水酸基を選択的にアシル化（エステル化）することが好ましい。

（原料および前処理）
セルロース原料としては、広葉樹パルプ、針葉樹パルプ、綿花リンター由来のものが好ましく用いられる。セルロース原料としては、α−セルロース含量が９２質量％〜９９．９質量％の高純度のものを用いることが好ましい。
セルロース原料がシート状や塊状である場合は、あらかじめ解砕しておくことが好ましく、セルロースの形態は綿状、羽毛状、あるいは粉末状になるまで解砕が進行していることが好ましい。

（活性化処理）
本発明において、セルロース原料はエーテル化に先立って、活性化剤と接触させる前処理（活性化）を行うことが好ましい。活性化剤としては水を使用することが好ましい。添加方法としては噴霧、滴下、浸漬などの任意の方法から選択することができ、活性化はいかなる温度で行ってもよい。

活性化剤の添加量は、セルロースに対して５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましく、３０質量％以上であることが特に好ましい。活性化剤の量が該下限値以上であれば、セルロースの活性化の程度が低下するなどの不具合が生じないので好ましい。活性化剤の添加量の上限は生産性を低下させない限りにおいて特に制限はないが、セルロースに対して質量で１００００倍以下であることが好ましく、５０００倍以下であることがより好ましく、１０００倍以下であることが特に好ましい。活性化剤をセルロースに対して大過剰加えて活性化を行い、その後、ろ過、送風乾燥、加熱乾燥、減圧留去、溶媒置換などの操作を行って活性剤の量を減少させてもよい。

本発明において、活性化の温度は２０℃〜１００℃であることが好ましい。好ましくは２５℃〜１００℃であり、さらに好ましくは、４０℃〜１００℃であり、特に好ましくは４０℃〜８０℃である。セルロースの活性化の工程は加圧または減圧条件下で行うこともできる。また、加熱の手段として、マイクロ波や赤外線などの電磁波を用いてもよい。活性化の時間は５分以上であることが好ましく、１時間以上であることがさらに好ましく、１．５時間以上であることが特に好ましい。上限については生産性に影響を及ぼさない範囲であれば特に制限はないが、好ましくは７２時間以下、さらに好ましくは２４時間以下、特に好ましくは１２時間以下である。

（脱水処理）
本発明においては、エーテル化に先立って脱水を行うことが好ましい。脱水の際には上述の活性化の効果を低減させないことが好ましく、セルロースを極性有機溶媒に浸漬し、脱液と極性有機溶媒への浸漬を繰り返すことにより、セルロース中の水分を除去することが好ましく行われる。活性化の有無、あるいは活性化剤の含有量により、脱水処理の条件（温度、繰り返し回数など）を調整することが好ましい。
極性有機溶媒としては、水などの活性化剤と混合し、かつ、後述のエーテル化を阻害しないものであれば任意のものを選択できる。極性有機溶媒の好ましい例としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、ピリジンなどを挙げることができるが、さらに好ましくはジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ピリジンであり、特に好ましくはジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンである。
脱水処理の温度は、２０℃〜２２０℃であることが好ましい。より好ましくは３０℃〜１９０℃であり、さらに好ましくは、４０℃〜１８５℃であり、特に好ましくは６０℃〜１８０℃である。
脱水後のセルロースおよび有機溶媒中の水分の含有量は、６％以下であることが好ましく、４％以下であることがさらに好ましく、３％以下であることが特に好ましい。

（溶解）
本発明においては、エーテル化に先立ってセルロースを溶解させることも好ましく行われる。溶解は任意の方法で行うことができるが、セルロースを塩化リチウム、臭化リチウム、フッ化リチウムなどの塩とともに有機溶媒（好ましくは、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなど）で攪拌することにより、セルロースの溶液を得ることが可能である。塩の添加量はセルロースに対して質量で０．１〜１００倍を使用することが好ましく、０．３〜１０倍がさらに好ましく、０．５〜１０倍が特に好ましい。有機溶媒の使用量は、セルロースに対して質量で０．１〜１０００倍を使用することが好ましく、０．５〜１００倍がさらに好ましく、１〜３０倍が特に好ましい。
溶解の際の温度は、２０℃〜２２０℃であることが好ましい。より好ましくは３０℃〜１９０℃であり、さらに好ましくは４０℃〜１８５℃であり、特に好ましくは６０℃〜１８０℃である。
また、セルロースの溶解性を増加させるために、加熱と冷却（好ましくは０℃〜−１００℃、さらに好ましくは−３０℃〜−９０℃、特に好ましくは−５０℃〜−９０℃）を繰り返すことも好ましい。さらに、後述のエーテル化に先立ち、未溶解のセルロースが存在する場合にはろ過を行って不溶物を除去してもよい。

（エーテル化）
エーテル化は任意の方法で実施してよいが、セルロースと、エーテル化剤としてのトリアリールメチルハライド（クロリド、ブロミド、フロリドなど）とを塩基触媒存在下で反応させることが好ましい。
エーテル化剤の添加量はセルロースの水酸基に対して１〜１００当量であることが好ましく、１〜５０当量であることが好ましく、１〜２０当量であることが特に好ましい。
塩基としては任意のものを選択できるが、好ましくは、ピリジン、２，６−ルチジン、イミダゾール、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、モルホリン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、酢酸ナトリウムなどを挙げることができ、さらに好ましくはピリジン、２，６−ルチジン、イミダゾール、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、などを挙げることができ、特に好ましくは、ピリジン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンなどを挙げることができる。エーテル化剤の添加量はセルロースの水酸基に対して０〜１００当量であることが好ましく、０．５〜５０当量であることが好ましく、１〜２０当量であることが特に好ましい。なお、塩基性の溶媒（ピリジン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなど）を用いる場合には、さらに塩基を追加せずにエーテル化を実施してもよい。

（エーテル化の条件）
本発明において、エーテル化は任意の温度で実施することができるが、好ましくは２０〜１５０℃であり、さらに好ましくは３０〜１２０℃であり、特に好ましくは４０〜１００℃である。エーテル化の時間は０．１〜１０００時間が好ましく、０．３〜５００時間がさらに好ましく、１〜１００時間が特に好ましい。
エーテル化の温度、時間、および、エーテル化剤と触媒の濃度と量を調節することにより、置換度と置換度分布を制御することも好ましく行われる。

（エーテル体の取り出し）
本発明においては、エーテル体を一旦取り出して精製してから次工程のアシル化を実施しても、特に精製を行わずに次工程のアシル化を引き続き実施してよい。

（エステル化）
本発明におけるセルロース誘導体を製造する方法においては、セルロースにアシル化剤としてのカルボン酸の酸ハライドまたは酸無水物を加え、塩基を触媒として反応させることで、セルロースの水酸基をアシル化することが好ましい。

（アシル化剤）
本発明において用いるアシル化剤は、好ましくは炭素数２〜６、より好ましくは炭素数２〜５、さらに好ましくは炭素数２〜４、特に好ましくは炭素数３ないし４の脂肪族カルボン酸のハライドまたは酸ハロゲン化物である。
酸無水物として好ましくは、例えば、無水酢酸、プロピオン酸無水物、酪酸無水物、２−メチルプロピオン酸無水物、吉草酸無水物、３−メチル酪酸無水物、２−メチル酪酸無水物、２，２−ジメチルプロピオン酸無水物、ヘキサン酸無水物、２−メチル吉草酸無水物、３−メチル吉草酸無水物、４−メチル吉草酸無水物、２，２−ジメチル酪酸無水物、２，３−ジメチル酪酸無水物、３，３−ジメチル酪酸無水物、シクロペンタンカルボン酸無水物などを挙げることができる。より好ましくは、無水酢酸、プロピオン酸無水物、酪酸無水物、吉草酸無水物、ヘキサン酸無水物、ヘプタン酸無水物などの無水物であり、特に好ましくは、無水酢酸、プロピオン酸無水物、酪酸無水物である。

酸ハロゲン化物として好ましくは、例えば、アセチルクロリド、アセチルブロミド、プロピオニルクロリド、プロピオニルブロミド、酪酸クロリド、酪酸ブロミド、２−メチルプロピオン酸クロリド、吉草酸クロリド、３−メチル酪酸クロリド、２−メチル酪酸クロリド、２，２−ジメチルプロピオン酸クロリド、ヘキサン酸クロリド、２−メチル吉草酸クロリド、３−メチル吉草酸クロリド、４−メチル吉草酸クロリド、２，２−ジメチル酪酸クロリド、２，３−ジメチル酪酸クロリド、３，３−ジメチル酪酸クロリド、シクロペンタンカルボン酸クロリドなどを挙げることができる。より好ましくは、アセチルクロリド、プロピオン酸クロリド、酪酸クロリド、吉草酸クロリド、ヘキサン酸クロリド、ヘプタン酸クロリドなどであり、特に好ましくは、アセチルクロリド、プロピオン酸クロリド、酪酸クロリドである。

本発明の製造方法においては、アシル化剤はセルロースの水酸基に対して１〜５０当量添加することが好ましく、１．１〜３０当量添加することがより好ましく、１．３〜１０当量添加することが特に好ましい。

本発明においては、アシル化剤を複数種類用いることによりセルロース混合アシレートを得てもよい。合成方法としては、アシル化剤として２種のカルボン酸に由来するアシル化剤を混合または逐次添加により反応させる方法（例えば、アセチルクロリドとプロピオニルクロリド）、２種のカルボン酸により構成されるアシル化剤（例えば、酢酸・プロピオン酸混合酸無水物）を用いる方法、カルボン酸と別のカルボン酸の酸無水物（例えば、酢酸とプロピオン酸無水物）を原料として反応系内で混合酸無水物（例えば、酢酸・プロピオン酸混合酸無水物）を生成させてセルロースと反応させる方法、置換度が３に満たないセルロース誘導体を一旦合成し、さらに、異なるカルボン酸の酸無水物や酸ハライドを用いて、残存する水酸基をさらにアシル化してもよい。

（触媒）
本発明におけるセルロース誘導体の製造に用いるアシル化の触媒は塩基を用いることが好ましい。塩基としては任意のものを選択できるが、好ましくは、ピリジン、２，６−ルチジン、イミダゾール、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、モルホリン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、酢酸ナトリウムなどを挙げることができ、さらに好ましくはピリジン、２，６−ルチジン、イミダゾール、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、などを挙げることができ、特に好ましくは、ピリジン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンなどを挙げることができる。エーテル化剤の添加量はセルロースの水酸基に対して０〜１００当量であることが好ましく、０．５〜５０当量であることが好ましく、１〜２０当量であることが特に好ましい。

（溶媒）
アシル化を行う際には、粘度、反応速度、攪拌性、アシル置換比などを調整する目的で、溶媒を添加してもよい。このような溶媒としては、ピリジン、２，６−ルチジン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、ジクロロメタン、クロロホルム、アセトン、エチルメチルケトン、トルエン、ジメチルスルホキシド、スルホランなどを用いることもできる。
好ましくは、ピリジン、２，６−ルチジン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、アセトン、エチルメチルケトン、ジメチルスルホキシド、スルホランなどであり、さらに好ましくは、ピリジン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、Ｎ−メチルピロリドン、アセトン、エチルメチルケトン、などであり、特に好ましくは、ピリジン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、Ｎ−メチルピロリドン、アセトンなどである。
溶媒の量は任意に選択することができるが、好ましい添加量は、セルロース（質量換算）に対して０〜５０００質量％であり、より好ましくは０〜３０００質量％であり、特に好ましくは０〜２０００質量％である。

（アシル化の条件）
本発明において、アシル化は任意の温度で実施することができるが、好ましくは２０〜１５０℃であり、さらに好ましくは３０〜１２０℃であり、特に好ましくは４０〜１００℃である。エーテル化の時間は０．１〜１０００時間が好ましく、０．３〜５００時間がさらに好ましく、１〜１００時間が特に好ましい。
アシル化の温度、時間、および、アシル化剤と触媒の濃度と量を調節することにより、置換度と置換度分布を制御することも好ましく行われる。

（ろ過）
セルロース誘導体中の未反応物、難溶解性塩、その他の異物などを除去または削減する目的として、反応混合物（ドープ）のろ過を行ってもよい。ろ過は、エーテル化の開始から本発明のセルロース誘導体の再沈殿までの間のいかなる工程において行ってもよい。ろ過圧や取り扱い性の制御の目的から、ろ過に先立って適切な溶媒で希釈することも好ましい。

（再沈殿）
このようにして得られたセルロース誘導体溶液を、貧溶媒（水、アルコールなどを含む溶媒）中に混合するか、セルロース誘導体溶液中に、貧溶媒を混合することにより、セルロース誘導体を再沈殿させ、洗浄を行うことにより目的のセルロース誘導体を得ることができる。再沈殿は連続的に行っても、一定量ずつバッチ式で行ってもよい。セルロース誘導体溶液の濃度および貧溶媒の組成をセルロース誘導体の置換様式あるいは重合度により調整することで、再沈殿したセルロース誘導体の形態や見かけ密度、あるいは分子量分布を制御することも好ましい。
また、精製効果の向上、分子量分布や見かけ密度の調節などの目的から、一旦再沈殿させたセルロース誘導体をその良溶媒（例えば、酢酸やアセトンなど）に再度溶解し、これに貧溶媒（例えば、水もしくはカルボン酸（酢酸、プロピオン酸、酪酸など）水溶液、メタノールなど）を作用させることにより再沈殿を行う操作を、必要に応じて１回ないし複数回行ってもよい。

（洗浄）
生成したセルロース誘導体は洗浄処理することが好ましい。洗浄溶媒はセルロース誘導体の溶解性が低く、かつ、不純物を除去することができるものであればいかなるものでもよいが、通常は水、またはアルコールのような貧溶媒が用いられる。洗浄液の温度は、好ましくは１５℃〜１００℃であり、さらに好ましくは２５℃〜９０℃であり、特に好ましくは３０℃〜８０℃である。洗浄処理はろ過と洗浄液の交換を繰り返すいわゆるバッチ式で行っても、連続洗浄装置を用いて行ってもよい。洗浄の進行はいかなる手段で追跡を行ってよいが、水素イオン濃度、イオンクロマトグラフィー、電気伝導度、ＩＣＰ、元素分析、原子吸光スペクトルなどの方法を好ましい例として挙げることができる。

（安定化）
洗浄後のセルロース誘導体は、安定性をさらに向上させたり、カルボン酸臭を低下させるために、弱アルカリ（例えば、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウムなどの炭酸塩、炭酸水素塩、水酸化物、酸化物など）の水溶液などで処理することも好ましい。
残存させる安定化剤の量と種類は、洗浄液の量、洗浄の温度、時間、攪拌方法、洗浄容器の形態、安定化剤の組成や濃度により制御できる。

（重合度）
本発明で用いられるセルロース誘導体の重合度は、ＧＰＣ法による数平均重合度が好ましくは８０〜１０００、より好ましくは１００〜８５０、さらに好ましくは１２０〜７５０であり、特に好ましくは１３０〜６５０である。平均重合度は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）による分子量分布測定の他に、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）などの方法によっても測定できる。これらについては、さらに特開平９−９５５３８号公報に詳細に記載されている。
本発明においては、セルロース誘導体の重量平均重合度／数平均重合度が１．６〜３．６であることが好ましく、１．７〜３．３であることがさらに好ましく、１．８〜３．２であることが特に好ましい。

本発明において置換基の平均置換度は、¹Ｈ−ＮＭＲあるいは¹³Ｃ−ＮＭＲにより決定することができる。

本発明においては異なる２種類以上のセルロース誘導体を混合あるいは層を分けて用いてもよい。

（乾燥）
本発明においてセルロース誘導体組成物の含水率を好ましい量に調整するためには、セルロース誘導体組成物を乾燥することが好ましい。乾燥の方法については、目的とする含水率が得られるのであれば特に限定されないが、加熱、送風、減圧、攪拌などの手段を単独または組み合わせで用いることで効率的に行うことが好ましい。乾燥温度として好ましくは０〜２００℃であり、さらに好ましくは４０〜１５０℃であり、特に好ましくは５０〜１００℃である。本発明のセルロース誘導体組成物は、その含水率が２質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましく、０．７質量％以下であることが特に好ましい。

（形態）
本発明のセルロース誘導体組成物は粒子状、粉末状、繊維状、塊状など種々の形状を取ることができるが、フィルム製造の原料としては粒子状または粉末状であることが好ましいことから、乾燥後のセルロース誘導体組成物は、粒子サイズの均一化や取り扱い性の改善のために、粉砕や篩がけを行ってもよい。セルロース誘導体組成物が粒子状であるとき、使用する粒子の９０質量％以上は、０．５〜５ｍｍの粒子サイズを有することが好ましい。また、使用する粒子の５０質量％以上が１〜４ｍｍの粒子サイズを有することが好ましい。セルロース誘導体組成物粒子は、なるべく球形に近い形状を有することが好ましい。また、本発明のセルロース誘導体組成物は、見かけ密度が好ましくは０．５〜１．３ｇ／ｃｍ³、さらに好ましくは０．７〜１．２ｇ／ｃｍ³、特に好ましくは０．８〜１．１５ｇ／ｃｍ³である。見かけ密度の測定法に関しては、ＪＩＳＫ−７３６５に規定されている。
本発明のセルロース誘導体組成物は安息角が１０〜７０度であることが好ましく、１５〜６０度であることがさらに好ましく、２０〜５０度であることが特に好ましい。

＜セルロース誘導体フィルムの光学的性質＞
次に、本発明のセルロース誘導体フィルムについて説明する。本発明のセルロース誘導体フィルムは、下記の式（ｉ）および（ii）を満足することが好ましい。
式（ｉ）：０ｎｍ≦Ｒｅ≦３００ｎｍ
式（ii）： −５００ｎｍ≦Ｒｔｈ≦５００ｎｍ
Ｒｅは０ｎｍ〜２５０ｎｍがより好ましく、０ｎｍ〜２００ｎｍが特に好ましい。Ｒｔｈは−４００ｎｍ〜４００ｎｍがより好ましく、−３００ｎｍ〜４００ｎｍが特に好ましい。

本明細書において、ＲｅおよびＲｔｈは、以下に基づき算出するものとする。Ｒｅ（λ）、Ｒｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅ（λ）はＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）、遅相軸（ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基にＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨが算出する。この時、平均屈折率の仮定値および膜厚を入力することが必要である。ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨはＲｔｈ（λ）に加えてｎｘ、ｎｙ、ｎｚも算出する。平均屈折率は、セルロースアセテートでは１．４８を使用するが、セルロースアセテート以外の代表的な光学用途のポリマーフィルムの値としては、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）、等の値を用いることができる。その他の既存のポリマー材料の平均屈折率値はポリマーハンドブック（ＪＯＨＮＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）やポリマーフィルムのカタログ値を使用することができる。また、平均屈折率が不明な材料の場合は、アッベ屈折計を用いて測定することができる。本明細書におけるλは、特に記載がなければ５５０±５ｎｍまたは５９０±５ｎｍを指す。

本発明のセルロース誘導体フィルムの製造方法は、特に限定されるものではないが、以下に記載する溶融製膜法または溶液製膜法により製造することが好ましい。

＜溶融製膜＞
本発明のセルロース誘導体フィルムを溶融製膜法により製造する場合の好ましい形態について説明する。

本発明において、セルロース誘導体は１種類のみを用いてもよく、２種類以上を混合して用いてもよい。また、本発明のセルロース誘導体以外の高分子成分や、各種添加剤を適宜混合することもできる。混合される成分はセルロース誘導体との相溶性に優れるものが好ましく、フィルムにしたときの透過率が好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上、特に好ましくは９２％以上となるようにすることが望ましい。

溶融製膜に用いるセルロース誘導体組成物の２２０℃の溶融粘度（製造されるセルロース誘導体フィルムの２２０℃の溶融粘度）は、好ましくは１００Ｐａ・ｓ〜２０００Ｐａ・ｓ、より好ましくは１２０Ｐａ・ｓ〜１５００Ｐａ・ｓ、さらに好ましくは１５０Ｐａ・ｓｊ〜１０００Ｐａ・ｓである。
溶融粘度を上記の好ましい範囲にするには、セルロース誘導体の数平均重合度が７０〜２５０であることが好ましく、より好ましくは９０〜２００、特に好ましくは１２０〜１８０である。また、重量平均重合度は１５０〜７００であることが好ましく、より好ましくは２００〜５５０、特に好ましくは２５０〜５００である。
重合度が好ましい範囲よりも大き過ぎると、溶融粘度が高くなり過ぎて製膜が困難になることがある。一方、重合度が好ましい範囲よりも小さ過ぎると、フィルムとしての強度が下がり過ぎるほか、溶融粘度が下がり過ぎて混練中に充分な剪断を掛けられず混練が不十分になることがある。

（安定剤）
本発明においては、高温溶融製膜時のセルロース誘導体の安定性を保つために、安定剤を添加することが有効である。特に、分子量５００以上であるフェノール系安定剤の少なくとも一種、および分子量５００以上である亜リン酸エステル系安定剤またはチオエーテル系安定剤から選ばれる少なくとも一種を添加することが好ましい。好ましいフェノール系安定剤は、公知の任意のフェノール系安定剤を使用することができる。好ましいフェノール系安定剤としては、ヒンダードフェノール系安定剤が挙げられる。特に、フェノール性水酸基に隣接する部位に置換基を有することが好ましく、その場合の置換基としては炭素数１〜２２の置換または無置換のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピオニル基、イソプロピオニル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ｔ−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、２−エチルへキシル基がより好ましい。また、同一分子内にフェノール基と亜リン酸エステル基を有する安定剤も好ましい素材として挙げられる。

これらは、市販品として容易に入手可能であり、下記のメーカーから販売されている。チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社から、Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ３１１３、Ｉｒｇａｎｏｘ２４５、Ｉｒｇａｎｏｘ１１３５、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０、Ｉｒｇａｎｏｘ２５９、Ｉｒｇａｎｏｘ５６５、Ｉｒｇａｎｏｘ１０３５、Ｉｒｇａｎｏｘ１０９８、Ｉｒｇａｎｏｘ１４２５ＷＬ、として入手することが出来る。また、旭電化工業株式会社から、アデカスタブＡＯ−５０、アデカスタブＡＯ−６０、アデカスタブＡＯ−２０、アデカスタブＡＯ−７０、アデカスタブＡＯ−８０として入手できる。さらに、住友化学株式会社から、スミライザーＢＰ−７６、スミライザーＢＰ−１０１、スミライザーＧＡ−８０、として入手できる。また、シプロ化成株式会社からシーノックス３２６Ｍ、シーノックス３３６Ｂ、としても入手することが可能である。

また、酸化防止効果を有する分子量５００以上の亜リン酸エステル系安定剤を含有することも好ましい。これらの化合物の例としては、特開２００４−１８２９７９号公報の［００２３］〜［００３９］に記載の化合物、特開昭５１−７０３１６号公報、特開平１０−３０６１７５号公報、特開昭５７−７８４３１号公報、特開昭５４−１５７１５９号公報、特開昭５５−１３７６５号公報に記載の化合物から挙げることができる。さらに、その他の安定剤としては、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）１７頁〜２２頁に詳細に記載されている素材の中から選択して用いることができる。これらは、旭電化工業株式会社からアデカスタブ１１７８、同２１１２、同ＰＥＰ−８、同ＰＥＰ−２４Ｇ、ＰＥＰ−３６Ｇ、同ＨＰ−１０として、またクラリアント社からＳａｎｄｏｓｔａｂＰ−ＥＰＱとして市販されており、入手可能である。

また、チオエーテル系安定剤としては、公知の任意のチオエーテル系安定剤を用いることができる。住友化学株式会社からスミライザーＴＰＬ、同ＴＰＭ、同ＴＰＳ、同ＴＤＰとして市販されている。旭電化工業株式会社から、アデカスタブＡＯ−４１２Ｓとしても入手可能である。これらの安定剤の使用に際しては、フェノール系安定剤の少なくとも一種、および亜リン酸エステル系安定剤またはチオエーテル系安定剤から選ばれる少なくとも一種がセルロース誘導体に対してそれぞれ０．０２〜３質量％含有することが好ましく、特には０．０５〜１質量％含有することである。フェノール系安定剤と、亜リン酸エステル系安定剤またはチオエーテル系安定剤の含有量はその比率は特に限定されないが、好ましくは１／１０〜１０／１（質量部）であり、より好ましくは１／５〜５／１（質量部）であり、さらに好ましくは１／３〜３／１（質量部）であり、特には１／３〜２／１（質量部）が好ましい。

さらに、本発明においては同一分子内にフェノール基と亜リン酸エステル基を有する安定剤も推奨される。それらの素材は特開平１０−２７３４９４号公報に記載されている。市販品として、スミライザーＧＰ（住友化学工業株式会社）が挙げられる。さらに、特開昭６１−６３６８６号公報に記載の長鎖脂肪族アミン、特開平６−３２９８３０号公報に記載の立体障害アミン基を含む化合物、特開平７−９０２７０号公報に記載のヒンダードピペリジニル系光安定剤、特開平７−２７８１６４号公報に記載の有機アミン等も使用し得る。好ましいアミン系安定剤は、旭電化からアデカスタブＬＡ−５７、同ＬＡ−５２、同ＬＡ−６７、同ＬＡ−６２、同ＬＡ−７７として、またチバ・スペシャリティーケミカルズ社からＴＩＮＵＶＩＮ７６５、同１４４として市販されている。アミン類の亜リン酸エステル類に対する使用比率は、通常０．０１〜２５質量％程度である。

（可塑剤）
溶融セルロース誘導体に可塑剤を添加すれば、セルロース誘導体の結晶融解温度（Ｔｍ）を下げることができる。本発明に用いる可塑剤の分子量は特に限定されないが、好ましくは高分子量の可塑剤が挙げられ、例えば分子量は５００以上が好ましく、より好ましくは５５０以上であり、さらには６００以上が好ましい。可塑剤の種類としては、リン酸エステル類、アルキルフタリルアルキルグリコレート類、カルボン酸エステル類、多価アルコールの脂肪酸エステル類などが挙げられる。それらの可塑剤の形状としては固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。溶融製膜を行なう場合は、不揮発性を有するものを特に好ましく使用することができる。

リン酸エステルとしては、例えばリン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸フェニルジフェニル等を挙げることができる。

アルキルフタリルアルキルグリコレート類としては、例えば、メチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、エチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルメチルグリコレート、ブチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルオクチルグリコレート、エチルフタリルオクチルグリコレート、オクチルフタリルメチルグリコレート、オクチルフタリルエチルグリコレート等が挙げられる。

カルボン酸エステルとしては、例えばフタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチルおよびフタル酸ジエチルヘキシル等のフタル酸エステル類、およびクエン酸アセチルトリメチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル等のクエン酸エステル類を挙げることができる。またその他、オレイン酸ブチル、リノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、トリアセチン等を単独または併用することも好ましい。

これらの可塑剤の添加量は、溶融製膜に用いるセルロース誘導体組成物の０質量％〜１５質量％が好ましく、０質量％〜１０質量％がより好ましく、０質量％〜８質量％が特に好ましい。これらの可塑剤は、必要に応じて２種類以上を併用して用いてもよい。

（紫外線吸収剤）
溶融製膜に用いるセルロース誘導体組成物には、紫外線防止剤を添加してもよい。紫外線防止剤については、特開昭６０−２３５８５２号、特開平３−１９９２０１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号、同６−１１８２３３号、同６−１４８４３０号、同７−１１０５６号、同７−１１０５５号、同７−１１０５６号、同８−２９６１９号、同８−２３９５０９号、特開２０００−２０４１７３号の各公報に記載がある。その添加量は、調製する溶融物（メルト）の０．０１〜２質量％であることが好ましく、０．０１〜１．５質量％であることがさらに好ましい。

これらの紫外線吸収剤は、市販品として下記のものがあり利用できる。ベンゾトリアゾール系としてはTINUBIN P（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）、TINUBIN 234（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）、TINUBIN 320（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）、TINUBIN 326（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）、TINUBIN 327（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）、TINUBIN 328（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）、スミソーブ340（住友化学社製）、アデカスタイプLA−31（旭電化工業社製）などがある。また、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、シーソーブ100（シプロ化成社製）、シーソーブ101（シプロ化成社製）、シーソーブ101S（シプロ化成社製）、シーソーブ102（シプロ化成社製）、シーソーブ103（シプロ化成社製）、アデカスタイプLA−51（旭電化工業社製）、ケミソープ111（ケミプロ化成社製）、UVINUL D−49（BASF社製）などを挙げられる。また、オキザリックアシッドアニリド系紫外線吸収剤としては、TINUBIN 312（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）やTINUBIN 315（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）がある。さらにサリチル酸系紫外線吸収剤としては、シーソーブ201（シプロ化成社製）やシーソーブ202（シプロ化成社製）が上市されており、シアノアクリレート系紫外線吸収剤としてはシーソーブ501（シプロ化成社製）、UVINUL N−539（BASF社製）がある。

（微粒子）
本発明においては、溶融製膜に用いるセルロース誘導体組成物に微粒子を添加することも好ましく行われる。
本発明において微粒子としては、無機化合物の微粒子または有機化合物の微粒子が挙げられるが、いずれか一方でも、両方を含んでいてもよい。本発明におけるセルロース誘導体に含まれる微粒子の平均一次粒子サイズは、好ましくは５ｎｍ〜３μｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２．５μｍであり、特に好ましくは２０ｎｍ〜２．０μｍである。微粒子の添加量は、セルロース誘導体に対して０．００５〜１．０質量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜０．８質量％であり、さらには０．０２〜０．４質量％が特に好ましい。本発明において「平均一次粒子サイズ」とは、分散状態（非凝集状態）にある微粒子の粒子サイズをいい、平均一次粒子サイズは、動的光散乱法（数ｎｍ−１μｍ）、レーザー回折（０．１μｍ−数千μｍ）、Mie理論に基づくレーザー回折・散乱法（数十ｎｍ−１μｍ）などの既知の方法により測定することができる。

無機化合物の微粒子の好ましい例としては、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＭｏＯ₂、Ｖ₂Ｏ₅、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成ケイ酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウムおよびリン酸カルシウム等が挙げられる。好ましく、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＭｏＯ₂、およびＶ₂Ｏ₅の少なくとも１種が好ましく、さらに好ましくはＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂である。

前記ＳｉＯ₂の微粒子としては、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上、日本アエロジル（株）製）等の市販品が使用できる。また、前記ＺｒＯ₂の微粒子としては、例えば、アエロジルＲ９７６およびＲ８１１（以上、日本アエロジル（株）製）等の市販品が使用できる。またシーホスターＫＥ−Ｅ10、同Ｅ30、同Ｅ40、同Ｅ50、同Ｅ70、同Ｅ150、同Ｗ10、同Ｗ30、同Ｗ50、同Ｐ10、同Ｐ30、同Ｐ50、同Ｐ100、同Ｐ150、同Ｐ250（日本触媒）なども使用される。また、シリカマイクロビーズＰ−４００、７００（触媒化成工業株式会社製品）も利用できる。ＳＯ-Ｇ1、ＳＯ-Ｇ２、ＳＯ-Ｇ３、ＳＯ-Ｇ４、ＳＯ-Ｇ５、ＳＯ-Ｇ６、ＳＯ-Ｅ1、ＳＯ-Ｅ２、ＳＯ-Ｅ３、ＳＯ-Ｅ４、ＳＯ-Ｅ５、ＳＯ-Ｅ６、ＳＯ-Ｃ1、ＳＯ-Ｃ２、ＳＯ-Ｃ３、ＳＯ-Ｃ４、ＳＯ-Ｃ５、ＳＯ-Ｃ６、（株式会社アドマテックス製）として利用する事も出来る。さらに、モリテックス(株）シリカ粒子（水分散物を粉体化）８０５０、同８０７０、同８１００、同８１５０も利用できる。

有機化合物の微粒子の好ましい例としては、シリコーン樹脂、弗素樹脂およびアクリル樹脂等のポリマーが好ましく、シリコーン樹脂が特に好ましい。前記シリコーン樹脂としては、三次元の網状構造を有するものが好ましく、例えばトスパール１０３、同１０５、同１０８、同１２０、同１４５、同３１２０および同２４０（以上、東芝シリコーン（株）製）等の商品名を有する市販品を使用できる。

さらに、無機化合物からなる微粒子は、セルロース誘導体組成物ならびにフィルム中で安定に存在させるために表面処理されていることが好ましい。無機微粒子は、表面処理を施して用いることも好ましい。表面処理法としては、カップリング剤を使用する化学的表面処理と、プラズマ放電処理やコロナ放電処理のような物理的表面処理とがあるが、本発明においてはカップリング剤の使用が好ましい。前記カップリング剤としては、オルガノアルコキシ金属化合物（例えば、シランカップリング剤、チタンカップリング剤等）が好ましく用いられる。微粒子として無機微粒子を用いた場合（特にＳｉＯ₂を用いた場合）ではシランカップリング剤による処理が特に有効である。前記シランカップリング剤としてはオルガノシラン化合物が使用可能である。前記シランカップリング剤の使用量は特に限定されないが、好ましくは無機微粒子に対して０．００５〜５質量％使用することが推奨され、さらには０．０１〜３質量％が好ましい。
微粒子は製膜のいずれの工程でセルロース誘導体に混合してもよく、セルロース誘導体を製造する工程のうち、再沈殿の前までのいずれかの工程において微粒子を添加し、微粒子を含有する状態で再沈殿させることもまた好ましい。

（離型剤）
溶融製膜に用いるセルロース誘導体組成物は、フッ素原子を有する化合物を含むことも好ましい。前記フッ素原子を有する化合物は、離型剤としての作用を発現でき、低分子量化合物であっても重合体であってもよい。重合体としては、特開２００１−２６９５６４号公報に記載の重合体を挙げることができる。前記フッ素原子を有する重合体として好ましいものは、フッ素化アルキル基含有エチレン性不飽和単量体を必須成分として含有してなる単量体を重合せしめた重合体である。前記重合体に係わるフッ素化アルキル基含有エチレン性不飽和単量体としては、分子中にエチレン性不飽和基とフッ素化アルキル基とを有する化合物であれば特に制限はない。またフッ素原子を有する界面活性剤も利用でき、特に非イオン性界面活性剤が好ましい。

（ペレット化）
上記セルロース誘導体と添加物は溶融製膜に先立ち混合しペレット化するのが好ましい。
ペレット化は上記セルロース誘導体と添加物を２軸あるいは１軸混練押出機を用い１５０℃〜２５０℃で溶融後、ヌードル状に押出したものを水中で固化し裁断することで作成することができる。水中に直接押出ながらカットするアンダーウオーターカット法でペレット化を行ってよい。混練押し出し機はベント式のものを用い減圧しながらペレットするのがより好ましい。さらに混練押し出し機中を窒素置換しながらペレット化するのもより好ましい。
好ましいペレットの大きさは断面積が１ｍｍ²〜３００ｍｍ²、長さが１ｍｍ〜３０ｍｍであり、より好ましくは断面積が２ｍｍ²〜１００ｍｍ²、長さが１．５ｍｍ〜１０ｍｍである。
押出機の回転数は１０ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍが好ましく、より好ましくは３０ｒｐｍ〜５００ｒｐｍ以下である。ペレット化における押出滞留時間は１０秒〜３０分、好ましくは３０秒〜３分である。

（溶融製膜の具体的方法）
以下に、溶融製膜の具体的な方法について説明する。
（１）乾燥
溶融製膜に先立ちペレット中の水分を乾燥して、含水率を好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下にする。
このための乾燥温度は４０〜１８０℃が好ましく、乾燥風量は好ましくは２０〜４００ｍ³／時間であり、特に好ましくは１００〜２５０ｍ³／時間である。乾燥風の露点は好ましくは０〜−６０℃であり、より好ましくは−２０〜−４０℃である。

（２）溶融押出し
乾燥したセルロース誘導体樹脂を押出機の供給口からシリンダー内に供給する。
押出機のスクリュー圧縮比は２．５〜４．５が好ましく、より好ましくは３．０〜４．０である。Ｌ（スクリュー長）／Ｄ（スクリュー径）は２０〜７０が好ましい。より好ましくは２４〜５０である。溶融温度は上述の温度で行うことが好ましい。
スクリューは、フルフライト、マドック、ダルメージ等を用いることができる。
樹脂の酸化防止のために、押出機内を不活性（窒素等）気流中、あるいはベント付き押出し機を用い真空排気しながら実施するのがより好ましい。

（３）濾過
押し出し機出口にて、ブレーカープレート式の濾過を行うことが好ましい。
高精度濾過のために、ギアポンプ通過後にリーフ型ディスクフィルター型を濾過装置を設けることが好ましい。濾過は、単段で行っても、多段で行ってもよい。濾材の濾過精度は３μｍ〜１５μｍが好ましく、さらに好ましくは３μｍ〜１０μｍである。濾材はステンレス鋼，スチールを用いることが好ましく、中でもステンレス鋼が望ましい。濾材は線材を編んだもの、金属焼結濾材が使用でき、特に後者が好ましい。

（４）ギアポンプ
厚み精度向上（吐出量の変動減少）のために、押出機とダイスの間にギアポンプを設置するのが好ましい。これにより、ダイ部分の樹脂圧変動巾を±1％以内にできる。
ギアポンプによる定量供給性能を向上させるために、スクリューの回転数を変化させて、ギアポンプ前の圧力を一定に制御する方法も好ましい。３枚以上のギアを用いた高精度ギアポンプも有効である。ギアポンプ内の滞留部分が樹脂劣化の原因となるため、滞留の少ない構造が好ましい。
押出機とギアポンプ、ギアポンプとダイ等をつなぐアダプタの温度変動を小さくすることが押出圧力安定のために好ましい。このためにアルミ鋳込みヒーターを用いることがより好ましい。

（５）ダイ
ダイ内の溶融樹脂の滞留が少ない設計であれば、一般的に用いられるＴダイ、フィッシュテールダイ、ハンガーコートダイのいずれのタイプでも構わない。また、Ｔダイの直前に樹脂温度の均一性アップのためのスタティックミキサーを入れることも問題ない。Ｔダイ出口部分のクリアランスは一般的にフィルム厚みの１．０〜５．０倍がよく、さらに好ましくは１．３〜２倍である。
ダイのクリアランスは４０〜５０ｍｍ間隔で調整可能であることが好ましく、２５ｍｍ間隔以下で調整可能であることがより好ましい。また、下流のフィルム厚みを計測してダイの厚み調整にフィードバックさせる方法も厚み変動の低減に有効である。
機能層を外層に設けるため、多層製膜装置を用いて２種以上の構造を有するフィルムの製造も可能である。
樹脂が供給口から押出機に入ってからダイスから出るまでの樹脂の好ましい滞留時間は２分〜６０分であり、より好ましくは４分〜３０分である。

（６）キャスト
ダイよりシート上に押し出された溶融樹脂をキャスティングドラム上で冷却固化し、フィルムを得る。この時、タッチロールを用いることも好ましい。
キャスティングドラムは好ましくは１〜８本、より好ましくは２〜５本用い、徐冷することが好ましい。キャスティングロール、タッチロールの直径は５０ｍｍ〜５０００ｍｍが好ましく、さらに好ましくは１５０ｍｍ〜１０００ｍｍである。複数本あるキャスティングロールの間隔は、面間で０．３ｍｍ〜３００ｍｍが好ましく、さらに好ましくは３ｍｍ〜３０ｍｍである。
この後、キャスティングドラムから剥ぎ取り、ニップロールを経た後巻き取る。このようにして得た未延伸フィルムの厚みは３０μｍ〜４００μｍが好ましく、より好ましくは５０μｍ〜２００μｍである。

（７）巻き取り
巻き取り前に両端をトリミングすることが好ましい。トリミングされた部分はフィルム用原料として再利用してもよい。トリミングカッターはロータリーカッター、シャー刃、ナイフ等いずれを用いても構わない。材質についても、炭素鋼、ステンレス鋼、セラミックを用いることができる。
好ましい巻き取り張力は１ｋｇ／ｍ幅〜５０ｋｇ／幅、より好ましくは３ｋｇ／ｍ幅〜２０ｋｇ／ｍ幅である。巻き取り張力は、一定の巻き取り張力で巻き取ってもよいが、巻取り径に応じてテーパーをつけ巻取ることがより好ましい。
またニップロール間のドロー比率を調整し、ライン途中でフィルムに規定以上の張力がかからない様にすることが必要である。
巻き取り前に、少なくとも片面にラミネートフィルムを付けてもよい。

＜溶液製膜＞
次に、本発明のセルロース誘導体を溶液製膜法により製造する場合の好ましい形態について説明する。
本発明においては、セルロース誘導体が溶解し流延，製膜できて、その目的が達成できる限りは、セルロース誘導体の溶媒は特に限定されない。好ましい溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、テトラクロロエチレンなどの塩素系有機溶剤、ならびに非塩素系有機溶媒を挙げることができる。
本発明で用いられる非塩素系有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテルから選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを２つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。２種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。炭素原子数が３〜１２のエステル類の例としては、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ペンチル、酢酸メチル、酢酸エチルおよび酢酸ペンチルが挙げられる。炭素原子数が３〜１２のケトン類の例としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンおよびメチルシクロヘキサノンが挙げられる。炭素原子数が３〜１２のエーテル類の例には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールが挙げられる。２種類以上の官能基を有する有機溶媒の例としては、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノールおよび２−ブトキシエタノールが挙げられる。

本発明で用いられる非塩素系有機溶媒は、セルロース誘導体が溶解し流延、製膜できる範囲において、その目的が達成できる限りは、その塩素系有機溶媒は特に限定されない。これらの塩素系有機溶媒は、好ましくはジクロロメタン、クロロホルムである。特にジクロロメタンが好ましい。また、塩素系有機溶媒以外の有機溶媒を混合することも特に問題ない。その場合は、ジクロロメタンは少なくとも５０質量％使用することが必要である。本発明の併用される非塩素系有機溶媒について以下に記す。すなわち、好ましい非塩素系有機溶媒としては、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、アルコール、炭化水素などから選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトン、エーテルおよびアルコールは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を同時に有していてもよい。２種類以上の官能基を有する溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。炭素原子数が３〜１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが挙げられる。炭素原子数が３〜１２のケトン類の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンおよびメチルシクロヘキサノンが挙げられる。炭素原子数が３〜１２のエーテル類の例には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールが挙げられる。２種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノールおよび２−ブトキシエタノールが挙げられる。

また塩素系有機溶媒と併用されるアルコールとしては、好ましくは直鎖であっても分枝を有していても環状であってもよく、その中でも飽和脂肪族炭化水素であることが好ましい。アルコールの水酸基は、第一級〜第三級のいずれであってもよい。アルコールの例には、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノールおよびシクロヘキサノールが含まれる。なおアルコールとしては、フッ素系アルコールも用いられる。例えば、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールなども挙げられる。さらに炭化水素は、直鎖であっても分岐を有していても環状であってもよい。芳香族炭化水素と脂肪族炭化水素のいずれも用いることができる。脂肪族炭化水素は、飽和であっても不飽和であってもよい。炭化水素の例には、シクロヘキサン、ヘキサン、ベンゼン、トルエンおよびキシレンが含まれる。

以上のセルロース誘導体に用いられる主溶媒である塩素系有機溶媒と併用される非塩素系有機溶媒については、特に限定されないが、酢酸メチル、酢酸エチル、ギ酸メチル、ギ酸エチル、アセトン、ジオキソラン、ジオキサン、炭素原子数が４〜７のケトン類またはアセト酢酸エステル、炭素数が１〜１０のアルコールまたは炭化水素から選ばれる。なお好ましい併用される非塩素系有機溶媒は、酢酸メチル、アセトン、ギ酸メチル、ギ酸エチル、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセチル酢酸メチル、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、およびシクロヘキサノール、シクロヘキサン、ヘキサンを挙げることができる。

本発明のセルロース誘導体は、有機溶媒に１０〜３５質量％溶解させることが好ましい。より好ましくは１３〜３０質量％であり、特には１５〜２８質量％溶解しているセルロース誘導体溶液であることが好ましい。これらの濃度にセルロース誘導体を実施する方法は、溶解する段階で所定の濃度になるように実施してもよく、また予め低濃度溶液（例えば９〜１４質量％）として作製した後に後述する濃縮工程で所定の高濃度溶液に調整してもよい。さらに、予め高濃度のセルロース誘導体溶液として後に、種々の添加物を添加することで所定の低濃度のセルロース誘導体溶液としてもよく、いずれの方法で本発明のセルロース誘導体溶液濃度になるように実施されれば特に問題ない。

本発明のセルロース誘導体溶液（ドープ）の調製については、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよく、さらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。これらに関しては、例えば特開平５−１６３３０１号、特開昭６１−１０６６２８号、特開昭５８−１２７７３７号、特開平９−９５５４４号、特開平１０−９５８５４号、特開平１０−４５９５０号、特開２０００−５３７８４号、特開平１１−３２２９４６号、さらに特開平１１−３２２９４７号、特開平２−２７６８３０号、特開２０００−２７３２３９号、特開平１１−７１４６３号、特開平０４−２５９５１１号、特開２０００−２７３１８４号、特開平１１−３２３０１７号、特開平１１−３０２３８８号各公報などにセルロース誘導体溶液の調製法、が記載されている。以上記載したこれらのセルロース誘導体の有機溶媒への溶解方法は、本発明においても適宜本発明の範囲であればこれらの技術を適用できるものである。これらの詳細は、特に非塩素系溶媒系については発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）２２頁〜２５頁に詳細に記載されている方法で実施される。さらに本発明のセルロース誘導体溶液は、溶液濃縮，ろ過が通常実施され、同様に発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）２５頁に詳細に記載されている。なお、高温度で溶解する場合は、使用する有機溶媒の沸点以上の場合がほとんどであり、その場合は加圧状態で用いられる。

本発明のセルロース誘導体溶液は、その溶液の粘度と動的貯蔵弾性率がある範囲であることが好ましい。試料溶液１ｍＬをレオメーター(ＣＬＳ５００)に直径４ｃｍ／２°のＳｔｅｅｌＣｏｎｅ(共にＴＡＩｎｓｔｒｕｍｅｎｎｔｓ社製)を用いて測定した。測定条件はＯｓｃｉｌｌａｔｉｏｎＳｔｅｐ／ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＲａｍｐで４０℃〜−１０℃の範囲を２℃／分で可変して測定し、４０℃の静的非ニュートン粘度ｎ＊（Ｐａ・ｓ）および−５℃の貯蔵弾性率Ｇ’（Ｐａ）を求めた。なお、試料溶液は予め測定開始温度にて液温一定となるまで保温した後に測定を開始した。本発明では、４０℃での粘度が１〜４００Ｐａ・ｓであり、１５℃での動的貯蔵弾性率が５００Ｐａ以上が好ましく、より好ましくは４０℃での粘度が１０〜２００Ｐａ・ｓであり、１５℃での動的貯蔵弾性率が１００〜１００万が好ましい。さらには低温での動的貯蔵弾性率が大きいほど好ましく、例えば流延支持体が−５℃の場合は動的貯蔵弾性率が−５℃で１万〜１００万Ｐａであることが好ましく、支持体が−５０℃の場合は−５０℃での動的貯蔵弾性率が１万〜５００万Ｐａであることが好ましい。

（溶液製膜の具体的方法）
次に、本発明のセルロース誘導体フィルムの製造方法について述べる。本発明のセルロース誘導体フィルムを製造する方法および設備は、従来セルロース誘導体フィルム製造に供する溶液流延製膜方法および溶液流延製膜装置が用いられる。溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロース誘導体溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて乾燥装置のロール群で搬送し乾燥を終了して巻き取り機で所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。ハロゲン化銀写真感光材料や電子ディスプレイ用機能性保護膜に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフィルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらの各製造工程については、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）２５頁〜３０頁に詳細に記載され、流延（共流延を含む），金属支持体，乾燥，剥離，延伸などに分類される。

ここで、本発明においては流延部の空間温度は特に限定されないが、−５０〜５０℃であることが好ましい。さらには−３０〜４０℃であることが好ましく、特には−２０〜３０℃であることが好ましい。特に低温での空間温度により流延されたセルロース誘導体溶液は、支持体の上で瞬時に冷却されゲル強度アップすることでその有機溶媒を含んだフィルムを保持することができる。これにより、セルロース誘導体から有機溶媒を蒸発させることなく、支持体から短時間で剥ぎ取りことが可能となり、高速流延が達成できるものである。なお、空間を冷却する手段としては通常の空気でもよいし窒素やアルゴン、ヘリウムなどでもよく特に限定されない。またその場合の相対湿度は０〜７０％が好ましく、さらには０〜５０％が好ましい。また、本発明ではセルロース誘導体溶液を流延する流延部の支持体の温度が−５０〜１３０℃であり、好ましくは−３０〜２５℃であり、さらには−２０〜１５℃である。流延部を本発明の温度に保つためには、流延部に冷却した気体を導入して達成してもよく、あるいは冷却装置を流延部に配置して空間を冷却してもよい。この時、水が付着しないように注意することが重要であり、乾燥した気体を利用するなどの方法で実施できる。

本発明においてその各層の内容と流延については、特に以下の構成が好ましい。すなわち、セルロース誘導体溶液が２５℃において、少なくとも１種の液体または固体の可塑剤をセルロース誘導体に対して０．１〜２０質量％含有しているセルロース誘導体溶液であること、および／または少なくとも１種の液体または固体の紫外線吸収剤をセルロース誘導体に対して０．００１〜５質量％含有しているセルロース誘導体溶液であること、および／または少なくとも１種の固体でその平均粒子サイズが５〜３０００ｎｍである微粒子粉体をセルロース誘導体に対して０．００１〜５質量％含有しているセルロース誘導体溶液であること、および／または少なくとも１種のフッ素系界面活性剤をセルロース誘導体に対して０．００１〜２質量％含有しているセルロース誘導体溶液であること、および／または少なくとも１種の剥離剤をセルロース誘導体に対して０．０００１〜２質量％含有しているセルロース誘導体溶液であること、および／または少なくとも１種の劣化防止剤をセルロース誘導体に対して０．０００１〜２質量％含有しているセルロース誘導体溶液であること、および／または少なくとも１種の光学異方性コントロール剤をセルロース誘導体に対して０．１〜１５質量％含有していること、および／または少なくとも１種の赤外吸収剤をセルロース誘導体に対して０．１〜５質量％含有しているセルロース誘導体溶液であること、を特徴とするセルロース誘導体溶液およびそれから作製されるセルロース誘導体フィルムであることが好ましい。

流延工程では１種類のセルロース誘導体溶液を単層流延してもよいし、２種類以上のセルロース誘導体溶液を同時およびまたは逐次共流延してもよい。２層以上からなる流延工程を有する場合は、作製されるセルロース誘導体溶液およびセルロース誘導体フィルムにおいて、各層の塩素系溶媒の組成が同一であるか異なる組成のどちらか一方であること、各層の添加剤が１種類であるかあるいは２種類以上の混合物のどちらか一方であること、各層への添加剤の添加位置が同一層であるか異なる層のどちらか一方であること、添加剤の溶液中の濃度が各層とも同一濃度であるかあるいは異なる濃度のどちらか一方であること、各層の会合体分子量が同一であるかあるいは異なる会合体分子量のどちらか一方であること、各層の溶液の温度が同一であるか異なる温度のどちらか一方であること、また各層の塗布量が同一か異なる塗布量のどちらか一方であること、各層の粘度が同一であるか異なる粘度のどちらか一方であること、各層の乾燥後の膜厚が同一であるか異なる厚さのどちらか一方であること、さらに各層に存在する素材が同一状態あるいは分布であるか異なる状態あるいは分布であること、各層の物性が同一であるかあるいは異なる物性のどちらか一方であること、各層の物性が均一であるか異なる物性の分布のどちらか一方であること、を特徴とするセルロース誘導体溶液およびその溶液から作製されるセルロース誘導体フィルムであることも好ましい。ここで、物性とは発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）６頁〜７頁に詳細に記載されている物性を含むものであり、例えばヘイズ、透過率、分光特性、レターゼーションＲｅ、同Ｒｔｈ、分子配向軸、軸ズレ、引裂強度、耐折強度、引張強度、巻き内外Ｒｔ差、キシミ、動摩擦、アルカリ加水分解、カール値、含水率、残留溶剤量、熱収縮率、高湿寸度評価、透湿度、ベースの平面性、寸法安定性、熱収縮開始温度、弾性率、および輝点異物の測定などであり、さらにはベースの評価に用いられるインピーダンス、面状も含まれるものである。また、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）１１頁に詳細に記載されているセルロース誘導体のイエローインデックス、透明度、熱物性（Ｔｇ、結晶化熱）なども挙げることができる。

＜セルロース誘導体フィルムの処理＞
（延伸）
以上のようにして、溶融製膜法あるいは溶液製膜法によって製造した本発明のセルロース誘導体フィルムは、面状の改良、Ｒｅ，Ｒｔｈの発現、線膨張率の改善などを目的として、延伸することが好ましい。
延伸は製膜工程中、オン−ラインで実施してもよく、製膜完了後、一度巻き取った後オフ−ラインで実施してもよい。すなわち、溶融製膜の場合、延伸は製膜中の冷却が完了しない実施してもよく、冷却終了後に実施してもよい。
延伸はＴｇ〜（Ｔｇ＋５０℃）で実施するのが好ましく、より好ましくは（Ｔｇ＋１℃）〜（Ｔｇ＋３０℃）、特に好ましくは（Ｔｇ＋２℃）〜（Ｔｇ＋２０℃）である。好ましい延伸倍率は０．１％〜５００％、さらに好ましくは１０％〜３００％、特に好ましくは３０％〜２００％である。これらの延伸は１段で実施しても、多段で実施してもよい。ここでいう延伸倍率は、以下の式を用いて求めたものである。
延伸倍率（％）＝１００×｛（延伸後の長さ）−（延伸前の長さ）｝／延伸前の長さ

このような延伸は縦延伸、横延伸、およびこれらの組み合わせによって実施される。縦延伸は、（１）ロール延伸（出口側の周速を速くした２対以上のニップロールを用いて、長手方向に延伸）、（２）固定端延伸（フィルムの両端を把持し、これを長手方向に次第に早く搬送し長手方向に延伸）、等を用いることができる。さらに横延伸は、テンター延伸（フィルムの両端をチャックで把持しこれを横方向（長手方向と直角方向）に広げて延伸）、等を使用することができる。これらの縦延伸、横延伸は、それだけで行なってもよく（１軸延伸）、組み合わせて行ってもよい（２軸延伸）。２軸延伸の場合、縦、横逐次で実施してもよく（逐次延伸）、同時に実施してもよい（同時延伸）。
縦延伸、横延伸の延伸速度は１０％／分〜１００００％／分が好ましく、より好ましくは２０％／分〜１０００％／分、特に好ましくは３０％／分〜８００％／分である。多段延伸の場合、各段の延伸速度の平均値を指す。

このような延伸に引き続き、縦または横方向に０％〜１０％緩和することも好ましい。さらに、延伸に引き続き、１５０℃〜２５０℃で１秒〜３分熱固定することも好ましい。
このようにして延伸した後の膜厚は１０〜３００μｍが好ましく、２０μｍ〜２００μｍがより好ましく、３０μｍ〜１００μｍが特に好ましい。

また製膜方向（長手方向）と、フィルムのＲｅの遅相軸とのなす角度θが０°、＋９０°もしくは−９０°に近いほど好ましい。即ち、縦延伸の場合は０°に近いほどよく、０±３°が好ましく、より好ましくは０±２°、特に好ましくは０±１°である。横延伸の場合は、９０±３°または−９０±３°が好ましく、より好ましくは９０±２°または−９０±２°、特に好ましくは９０±１°または−９０±１°である。

上述の未延伸または延伸セルロース誘導体フィルムは単独で使用してもよく、これらと偏光板を組み合わせて使用してもよく、これらの上に液晶層や屈折率を制御した層（低反射層）やハードコート層を設けて使用してもよい。

（光弾性係数）
本発明のセルロース誘導体フィルムは、偏光板保護フィルム、または位相差板として使用されることが好ましい。偏光板保護フィルム、または位相差板として使用した場合には、吸湿による伸張、収縮による応力により複屈折（Ｒｅ，Ｒｔｈ）が変化する場合がある。このような応力に伴う複屈折の変化は光弾性係数として測定できるが、その範囲は、５×１０^-7（cm²／kgf）〜３０×１０^-7（cm²／kgf）が好ましく、６×１０^-7（cm²／kgf）〜２５×１０^-7（cm²／kgf）がより好ましく、７×１０^-7（cm²／kgf）〜２０×１０^-7（cm²／kgf）であることが特に好ましい。

（表面処理）
未延伸、または、延伸後のセルロース誘導体フィルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロース誘導体フィルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０^-3〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、さらにまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類およびそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）３０頁〜３２頁に詳細に記載されている。なお、近年注目されている大気圧でのプラズマ処理は、例えば１０〜１０００Ｋｅｖ下で２０〜５００Ｋｇｙの照射エネルギーが用いられ、より好ましくは３０〜５００Ｋｅｖ下で２０〜３００Ｋｇｙの照射エネルギーが用いられる。これらの中でも特に好ましくは、アルカリ鹸化処理でありセルロース誘導体フィルムの表面処理としては極めて有効である。

アルカリ鹸化処理は、鹸化液に浸漬してもよく、鹸化液を塗布してもよい。浸漬法の場合は、ＮａＯＨやＫＯＨ等のｐＨ１０〜１４の水溶液を２０℃〜８０℃に加温した槽を０．１分から１０分通過させたあと、中和、水洗、乾燥することで達成できる。

塗布方法の場合、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、バーコーティング法およびＥ型塗布法を用いることができる。アルカリ鹸化処理塗布液の溶媒は、鹸化液の透明支持体に対して塗布するために濡れ性が良く、また鹸化液溶媒によって透明支持体表面に凹凸を形成させずに、面状を良好なまま保つ溶媒を選択することが好ましい。具体的には、アルコール系溶媒が好ましく、イソプロピルアルコールが特に好ましい。また、界面活性剤の水溶液を溶媒として使用することもできる。アルカリ鹸化塗布液のアルカリは、上記溶媒に溶解するアルカリが好ましく、ＫＯＨ、ＮａＯＨがより好ましい。鹸化塗布液のｐＨは１０以上が好ましく、１２以上がさらに好ましい。アルカリ鹸化時の反応条件は、室温で１秒〜５分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、２０秒〜３分が特に好ましい。アルカリ鹸化反応後、鹸化液塗布面を水洗または酸で洗浄したあと水洗することが好ましい。また、塗布式鹸化処理と後述の配向膜解塗設を、連続して行うことができ、工程数を減少できる。これらの鹸化方法は、具体的には、例えば、特開２００２−８２２２６号公報、国際公開第０２／４６８０９号パンフレットに内容の記載が挙げられる。

機能層との接着のため下塗り層を設けることも好ましい。この層は上記表面処理をした後、塗設してもよく、表面処理なしで塗設してもよい。下塗層についての詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）３２頁に記載されている。
これらの表面処理、下塗り工程は、製膜工程の最後に組み込むこともでき、単独で実施することもでき、後述の機能層付与工程の中で実施することもできる。

＜機能層との組み合わせ＞
本発明のセルロース誘導体フィルムに、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）３２頁〜４５頁に詳細に記載されている機能性層を組み合わせることが好ましい。中でも好ましいのが、偏光膜の付与（偏光板の形成）、光学補償層の付与（光学補償シート）、反射防止層の付与（反射防止フィルム）である。

［偏光膜］
（偏光膜の素材）
現在、市販の偏光膜は、延伸したポリマーを、浴槽中のヨウ素または二色性色素の溶液に浸漬し、バインダー中にヨウ素または二色性色素を浸透させることで作製されるのが一般的である。偏光膜は、Optiva Inc．に代表される塗布型偏光膜も利用できる。
偏光膜におけるヨウ素および二色性色素は、バインダー中で配向することで偏光性能を発現する。二色性色素としては、アゾ系色素、スチルベン系色素、ピラゾロン系色素、トリフェニルメタン系色素、キノリン系色素、オキサジン系色素、チアジン系色素またはアントラキノン系色素が用いられる。二色性色素は、水溶性であることが好ましい。二色性色素は、親水性置換基（例えば、スルホ、アミノ、ヒドロキシル）を有することが好ましい。例えば、発明協会公開技法（公技番号２００１−１７４５号、２００１年３月１５日発行、発明協会）５８頁に記載の化合物が挙げられる。

偏光膜のバインダーは、それ自体架橋可能なポリマーまたは架橋剤により架橋されるポリマーのいずれも使用することができ、これらの組み合わせを複数使用することができる。バインダーには、例えば特開平８−３３８９１３号公報の段落番号［００２２］に記載のメタクリレート系共重合体、スチレン系共重合体、ポリオレフィン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル共重合体、カルボキシメチルセルロース、ポリカーボネート等が含まれる。シランカップリング剤をポリマーとして用いることができる。

なかでも水溶性ポリマー（例えば、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、カルボキシメチルセルロース、ゼラチン、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール）が好ましく、ゼラチン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールがより好ましく、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールがさらに好ましい。重合度が異なるポリビニルアルコールまたは変性ポリビニルアルコールを２種類併用することが特に好ましい。ポリビニルアルコールの鹸化度は、７０〜１００％が好ましく、８０〜１００％がより好ましい。
ポリビニルアルコールの重合度は、１００〜５０００であることが好ましい。

変性ポリビニルアルコールについては、特開平８−３３８９１３号、同９−１５２５０９号および同９−３１６１２７号の各公報に記載されている。ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールは、２種以上を併用してもよい。
バインダー厚みの下限は、１０μｍであることが好ましい。厚みの上限は、液晶表示装置の光漏れの観点からは、薄ければ薄い程よい。現在市販の偏光板（約３０μｍ）以下であることが好ましく、２５μｍ以下がより好ましく、２０μｍ以下が特に好ましい。

偏光膜のバインダーは架橋していてもよい。架橋性の官能基を有するポリマー、モノマーをバインダー中に混合してもよく、バインダーポリマー自身に架橋性官能基を付与してもよい。架橋は、光、熱またはｐＨ変化により行うことができ、架橋構造をもったバインダーを形成することができる。架橋剤については、米国再発行特許第２３２９７号明細書に記載がある。また、ホウ素化合物（例えば、ホウ酸、硼砂）も、架橋剤として用いることができる。バインダーの架橋剤の添加量は、バインダーに対して、０．１〜２０質量％が好ましい。偏光素子の配向性、偏光膜の耐湿熱性が良好となる。

架橋反応が終了後でも、未反応の架橋剤は１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましい。このようにすることで、耐候性が向上する。

（偏光膜の延伸）
偏光膜は、偏光膜を延伸するか（延伸法）、もしくはラビングした（ラビング法）後に、ヨウ素、二色性染料で染色することが好ましい。
延伸法の場合、延伸倍率は２．５〜３０．０倍が好ましく、３．０〜１０．０倍がより好ましい。延伸は、空気中でのドライ延伸により実施することができる。また、水に浸漬した状態でのウェット延伸により実施してもよい。ドライ延伸の延伸倍率は、２．５〜５．０倍が好ましく、ウェット延伸の延伸倍率は、３．０〜１０．０倍が好ましい。ここでいう延伸倍率は（延伸後の偏光膜の長さ／延伸前の偏光膜の長さ）を表す。延伸はＭＤ方向に平行に行ってもよく（平行延伸）、斜め方向に行ってもよい（斜め延伸）。これらの延伸は、１回で行っても、数回に分けて行ってもよい。数回に分けることによって、高倍率延伸でもより均一に延伸することができる。より好ましいのが斜め方向に１０度から８０度の傾きを付けて延伸する斜め延伸である。

（イ）平行延伸法
延伸に先立ち、ＰＶＡフィルムを膨潤させる。膨潤度は通常１．２〜２．０倍（膨潤前と膨潤後の質量比）である。この後、ガイドロール等を介して連続搬送しつつ、水系媒体浴内や二色性物質溶解の染色浴内で、通常１５〜５０℃、好ましくは１７〜４０℃の浴温で延伸する。延伸は２対のニップロールで把持し、後段のニップロールの搬送速度を前段のそれより大きくして行うことができる。前記作用効果の点より好ましい延伸倍率（延伸後／初期状態の長さ比：以下同じ）は１．２〜３．５倍、より好ましくは１．５〜３．０倍である。この後、５０℃〜９０℃において乾燥させて偏光膜を得る。

（ロ）斜め延伸法
斜め延伸法は、特開２００２−８６５５４号公報に記載されているように、傾斜め方向に張り出したテンターを用いて延伸することにより実施することができる。この延伸は空気中で行うため、事前に含水させて延伸しやすくすることが必用である。好ましい含水率は５％〜１００％、より好ましくは１０％〜１００％である。
延伸時の温度は４０℃〜９０℃が好ましく、より好ましくは５０℃〜８０℃である。相対湿度は５０％〜１００％が好ましく、より好ましくは７０％〜１００％、特に好ましくは８０％〜１００％である。長手方向の進行速度は、１ｍ／分以上が好ましく、より好ましくは３ｍ／分以上である。

延伸の終了後、好ましくは５０℃〜１００℃、より好ましくは６０℃〜９０℃で、好ましくは０．５分〜１０分、より好ましくは１分〜５分乾燥する。
このようにして得られる偏光膜の吸収軸は１０°〜８０°が好ましく、より好ましくは３０°〜６０°であり、特に好ましくは実質的に４５°（４０°〜５０°）である。

（貼り合せ）
上記鹸化後のセルロース誘導体フィルムと、延伸して調製した偏光膜を貼り合わせ偏光板を調製する。張り合わせる方向は、セルロース誘導体フィルムの流延軸方向と偏光板の延伸軸方向が４５°になるように行うのが好ましい。
貼り合わせの接着剤は特に限定されないが、ＰＶＡ系樹脂（アセトアセチル基、スルホン酸基、カルボキシル基、オキシアルキレン基等の変性ＰＶＡを含む）やホウ素化合物水溶液等が挙げられ、中でもＰＶＡ系樹脂が好ましい。接着剤層厚みは乾燥後に０．０１〜１０μｍが好ましく、０．０５〜５μｍが特に好ましい。

このようにして得た偏光板の光線透過率は高い方が好ましく、偏光度も高い方が好ましい。偏光板の透過率は、波長５５０ｎｍの光において、３０〜５０％の範囲にあることが好ましく、３５〜５０％の範囲にあることがより好ましく、４０〜５０％の範囲にあることが特に好ましい。偏光度は、波長５５０ｎｍの光において、９０〜１００％の範囲にあることが好ましく、９５〜１００％の範囲にあることがより好ましく、９９〜１００％の範囲にあることが特に好ましい。

さらに、このようにして得た偏光板はλ／４板と積層し、円偏光板を作成することができる。この場合λ／４板の遅相軸と偏光板の吸収軸を４５度になるように積層する。この時、λ／４板は特に限定されないが、より好ましくは低波長ほどレターデーションが小さくなるような波長依存性を有するものがより好ましい。さらには長手方向に対し２０度〜７０度傾いた吸収軸を有する偏光膜、および液晶性化合物からなる光学異方性層からなるλ／４板を用いることが好ましい。

［光学補償層の付与（光学補償シートの作成）］
光学異方性層は、液晶表示装置の黒表示における液晶セル中の液晶化合物を補償するためのものであり、セルロース誘導体フィルムの上に配向膜を形成し、さらに光学異方性層を付与することで形成される。

（配向膜）
上記表面処理したセルロース誘導体フィルム上に配向膜を設ける。この膜は、液晶性分子の配向方向を規定する機能を有する。しかし、液晶性化合物を配向後にその配向状態を固定してしまえば、配向膜はその役割を果たしているために、構成要素としては必ずしも必須のものではない。即ち、配向状態が固定された配向膜上の光学異方性層のみを偏光子上に転写して本発明のセルロース誘導体フィルムを用いた偏光板を作製することも可能である。

配向膜は、有機化合物（好ましくはポリマー）のラビング処理、無機化合物の斜方蒸着、マイクログルーブを有する層の形成、またはラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ膜）による有機化合物（例えば、ω−トリコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウムクロライド、ステアリル酸メチル）の累積のような手段で設けることができる。さらに、電場の付与、磁場の付与または光照射により、配向機能が生じる配向膜も知られている。

配向膜は、ポリマーのラビング処理により形成することが好ましい。配向膜に使用するポリマーは、原則として、液晶性分子を配向させる機能のある分子構造を有する。
本発明では、液晶性分子を配向させる機能に加えて、架橋性官能基（例えば、二重結合）を有する側鎖を主鎖に結合させるか、または液晶性分子を配向させる機能を有する架橋性官能基を側鎖に導入することが好ましい。

配向膜に用されるポリマーは、それ自体架橋可能なポリマーまたは架橋剤により架橋されるポリマーのいずれも使用することができ、これらの組み合わせを複数使用することができる。ポリマーの例には、例えば特開平８−３３８９１３号公報の段落番号［００２２］に記載のメタクリレート系共重合体、スチレン系共重合体、ポリオレフィン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル共重合体、カルボキシメチルセルロース、ポリカーボネート等が含まれる。シランカップリング剤をポリマーとして用いることができる。水溶性ポリマー（例えば、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、カルボキシメチルセルロース、ゼラチン、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール）が好ましく、ゼラチン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールがより好ましく、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールが特に好ましい。重合度が異なるポリビニルアルコールまたは変性ポリビニルアルコールを２種類併用することが特に好ましい。ポリビニルアルコールの鹸化度は、７０〜１００％が好ましく、８０〜１００％がより好ましい。ポリビニルアルコールの重合度は、１００〜５０００であることが好ましい。

液晶性分子を配向させる機能を有する側鎖は、一般に疎水性基を官能基として有する。具体的な官能基の種類は、液晶性分子の種類および必要とする配向状態に応じて決定する。

例えば、変性ポリビニルアルコールの変性基としては、共重合変性、連鎖移動変性またはブロック重合変性により導入できる。変性基の例としては、親水性基（カルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基、アミノ基、アンモニウム基、アミド基、チオール基等）、炭素数１０〜１００個の炭化水素基、フッ素原子置換の炭化水素基、チオエーテル基、重合性基（不飽和重合性基、エポキシ基、アジリニジル基等）、アルコキシシリル基（トリアルコキシ基、ジアルコキシ基、モノアルコキシ基）等が挙げられる。これらの変性ポリビニルアルコール化合物の具体例として、例えば特開２０００−１５５２１６号公報の段落番号［００２２］〜［０１４５］、同２００２−６２４２６号公報の段落番号［００１８］〜［００２２］に記載のもの等が挙げられる。

架橋性官能基を有する側鎖を配向膜ポリマーの主鎖に結合させるか、または液晶性分子を配向させる機能を有する側鎖に架橋性官能基を導入すると、配向膜のポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを共重合させることができる。その結果、多官能モノマーと多官能モノマーとの間だけではなく、配向膜ポリマーと配向膜ポリマーとの間、そして多官能モノマーと配向膜ポリマーとの間も共有結合で強固に結合される。従って、架橋性官能基を配向膜ポリマーに導入することで、光学補償シートの強度を著しく改善することができる。

配向膜ポリマーの架橋性官能基は、多官能モノマーと同様に、重合性基を含むことが好ましい。具体的には、例えば特開２０００−１５５２１６号公報の段落番号［００８０］〜［０１００］に記載のもの等が挙げられる。配向膜ポリマーは、上記の架橋性官能基とは別に、架橋剤を用いて架橋させることもできる。

架橋剤としては、アルデヒド、Ｎ−メチロール化合物、ジオキサン誘導体、カルボキシル基を活性化することにより作用する化合物、活性ビニル化合物、活性ハロゲン化合物、イソオキサゾールおよびジアルデヒド澱粉が含まれる。２種類以上の架橋剤を併用してもよい。具体的には、例えば特開２００２−６２４２６号公報の段落番号［００２３］〜［００２４］に記載の化合物等が挙げられる。反応活性の高いアルデヒド、特にグルタルアルデヒドが好ましい。

架橋剤の添加量は、ポリマーに対して０．１〜２０質量％が好ましく、０．５〜１５質量％がより好ましい。配向膜に残存する未反応の架橋剤の量は、１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましい。このように調節することで、配向膜を液晶表示装置に長期使用、あるいは高温高湿の雰囲気下に長期間放置しても、レチキュレーション発生のない充分な耐久性が得られる。が発生することがある。

配向膜は、基本的に、配向膜形成材料である上記ポリマー、架橋剤を含む透明支持体上に塗布した後、加熱乾燥（架橋させ）し、ラビング処理することにより形成することができる。架橋反応は、前記のように、透明支持体上に塗布した後、任意の時期に行ってよい。ポリビニルアルコールのような水溶性ポリマーを配向膜形成材料として用いる場合には、塗布液は消泡作用のある有機溶媒（例えば、メタノール）と水の混合溶媒とすることが好ましい。その比率は質量比で水：メタノールが０：１００〜９９：１が好ましく、０：１００〜９１：９であることがより好ましい。これにより、泡の発生が抑えられ、配向膜、さらには光学異方性層の層表面の欠陥が著しく減少する。

配向膜の塗布方法は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、ロッドコーティング法またはロールコーティング法が好ましい。特にロッドコーティング法が好ましい。また、乾燥後の膜厚は０．１〜１０μｍが好ましい。加熱乾燥は、通常２０℃〜１１０℃で行なうことができる。充分な架橋を形成するためには６０℃〜１００℃が好ましく、８０℃〜１００℃がより好ましい。乾燥時間は通常１分〜３６時間にすることができるが、好ましくは１分〜３０分である。ｐＨも、使用する架橋剤に最適な値に設定することが好ましく、グルタルアルデヒドを使用した場合は、通常ｐＨ４．５〜５．５で、特に５が好ましい。

配向膜は、透明支持体上または上記下塗層上に設けられる。配向膜は、上記のようにポリマー層を架橋したのち、表面をラビング処理することにより得ることができる。
前記ラビング処理は、液晶表示装置を製造する際に行う液晶配向処理工程として広く採用されている処理方法を適用することができる。即ち、配向膜の表面を、紙やガーゼ、フェルト、ゴムまたはナイロン、ポリエステル繊維などを用いて一定方向に擦ることにより、配向を得る方法を用いることができる。一般的には、長さおよび太さが均一な繊維を平均的に植毛した布などを用いて数回程度ラビングを行うことにより実施される。

工業的に実施する場合、搬送している偏光膜のついたフィルムに対し、回転するラビングロールを接触させることで達成するが、ラビングロールの真円度、円筒度、振れ（偏芯）はいずれも３０μｍ以下であることが好ましい。ラビングロールへのフィルムのラップ角度は、０．１〜９０°が好ましい。ただし、特開平８−１６０４３０号公報に記載されているように、３６０°以上巻き付けることで、安定なラビング処理を得ることもできる。フィルムの搬送速度は１〜１００ｍ／ｍｉｎが好ましい。ラビング角は０〜６０°の範囲で適切なラビング角度を選択することが好ましい。液晶表示装置に使用する場合は、４０〜５０°が好ましい。４５°が特に好ましい。
このようにして得た配向膜の膜厚は、０．１〜１０μｍの範囲にあることが好ましい。

（光学異方性層）
次に、配向膜の上に光学異方性層の液晶性分子を配向させる。その後、必要に応じて、配向膜ポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを反応させるか、または架橋剤を用いて配向膜ポリマーを架橋させる。
光学異方性層に用いる液晶性分子には、棒状液晶性分子および円盤状液晶性分子が含まれる。棒状液晶性分子および円盤状液晶性分子は、高分子液晶でも低分子液晶でもよく、さらに、低分子液晶が架橋され液晶性を示さなくなったものも含まれる。

１）棒状液晶性分子
棒状液晶性分子としては、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が好ましく用いられる。

なお、棒状液晶性分子には、金属錯体も含まれる。また、棒状液晶性分子を繰り返し単位中に含む液晶ポリマーも、棒状液晶性分子として用いることができる。言い換えると、棒状液晶性分子は、（液晶）ポリマーと結合していてもよい。
棒状液晶性分子については、季刊化学総説第２２巻液晶の化学（１９９４）日本化学会編の第４章、第７章および第１１章、および液晶デバイスハンドブック日本学術振興会第１４２委員会編の第３章に記載がある。
棒状液晶性分子の複屈折率は、０．００１〜０．７の範囲にあることが好ましい。

棒状液晶性分子は、その配向状態を固定するために、重合性基を有することが好ましい。重合性基は、ラジカル重合性不飽基あるいはカチオン重合性基が好ましく、具体的には、例えば特開２００２−６２４２７号公報の段落番号［００６４］〜［００８６］に記載の重合性基、重合性液晶化合物が挙げられる。

２）円盤状液晶性分子
円盤状（ディスコティック）液晶性分子には、C.Destradeらの研究報告、Mol.Cryst.７１巻、１１１頁（１９８１年）に記載されているベンゼン誘導体、C.Destradeらの研究報告、Mol.Cryst.１２２巻、１４１頁（１９８５年）、Physics lett,A,７８巻、８２頁（１９９０）に記載されている
トルキセン誘導体、B.Kohneらの研究報告、Angew.Chem.９６巻、７０頁（１９８４年）に記載されたシクロヘキサン誘導体およびJ.M.Lehnらの研究報告、J.Chem.Commun.,１７９４頁（１９８５年）、J.Zhangらの研究報告、J.Am.Chem.Soc.１１６巻、２６５５頁（１９９４年）に記載されているアザクラウン系やフェニルアセチレン系マクロサイクルが含まれる。

円盤状液晶性分子としては、分子中心の母核に対して、直鎖のアルキル基、アルコキシ基、置換ベンゾイルオキシ基が母核の側鎖として放射線状に置換した構造である液晶性を示す化合物も含まれる。分子または分子の集合体が、回転対称性を有し、一定の配向を付与できる化合物であることが好ましい。円盤状液晶性分子から形成する光学異方性層は、最終的に光学異方性層に含まれる化合物が円盤状液晶性分子である必要はなく、例えば、低分子の円盤状液晶性分子が熱や光で反応する基を有しており、結果的に熱、光で反応により重合または架橋し、高分子量化し液晶性を失った化合物も含まれる。円盤状液晶性分子の好ましい例は、特開平８−５０２０６号公報に記載されている。また、円盤状液晶性分子の重合については、特開平８−２７２８４公報に記載されている。

円盤状液晶性分子を重合により固定するためには、円盤状液晶性分子の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させる必要がある。円盤状コアと重合性基は、連結基を介して結合する化合物が好ましく、これにより重合反応においても配向状態を保つことができる。例えば、特開２０００−１５５２１６号公報の段落番号［０１５１］〜［０１６８］に記載の化合物等が挙げられる。

ハイブリッド配向では、円盤状液晶性分子の長軸（円盤面）と偏光膜の面との角度が、光学異方性層の深さ方向でかつ偏光膜の面からの距離の増加と共に増加または減少している。角度は、距離の増加と共に減少することが好ましい。さらに、角度の変化としては、連続的増加、連続的減少、間欠的増加、間欠的減少、連続的増加と連続的減少を含む変化、または増加および減少を含む間欠的変化が可能である。間欠的変化は、厚さ方向の途中で傾斜角が変化しない領域を含んでいる。角度は、角度が変化しない領域を含んでいても、全体として増加または減少していればよい。さらに、角度は連続的に変化することが好ましい。

偏光膜側の円盤状液晶性分子の長軸の平均方向は、一般に円盤状液晶性分子または配向膜の材料を選択することにより、またはラビング処理方法の選択することにより、調整することができる。また、表面側（空気側）の円盤状液晶性分子の長軸（円盤面）方向は、一般に円盤状液晶性分子または円盤状液晶性分子と共に使用する添加剤の種類を選択することにより調整することができる。円盤状液晶性分子と共に使用する添加剤の例としては、可塑剤、界面活性剤、重合性モノマーおよびポリマーなどを挙げることができる。長軸の配向方向の変化の程度も、上記と同様に、液晶性分子と添加剤との選択により調整できる。

（光学異方性層の他の組成物）
上記の液晶性分子と共に、可塑剤、界面活性剤、重合性モノマー等を併用して、塗工膜の均一性、膜の強度、液晶分子の配向性等を向上することができる。液晶性分子と相溶性を有し、液晶性分子の傾斜角の変化を与えられるか、または配向を阻害しないことが好ましい。

重合性モノマーとしては、ラジカル重合性またはカチオン重合性の化合物が挙げられる。好ましくは、多官能性ラジカル重合性モノマーであり、上記の重合性基を有する液晶化合物に対して共重合性を示すものが好ましい。例えば、特開２００２−２９６４２３号公報の段落番号［００１８］〜［００２０］に記載のものが挙げられる。上記化合物の添加量は、円盤状液晶性分子に対して一般に１質量％〜５０質量％の範囲にあり、５質量％〜３０質量％の範囲にあることが好ましい。

界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、特にフッ素系化合物が好ましい。具体的には、例えば特開２００１−３３０７２５号公報の段落番号［００２８］〜［００５６］に記載の化合物が挙げられる。

円盤状液晶性分子とともに使用するポリマーは、円盤状液晶性分子に傾斜角の変化を与えられることが好ましい。

ポリマーの例としては、セルロースアシレートを挙げることができる。セルロースアシレートの好ましい例としては、特開２０００−１５５２１６号公報の段落番号［０１７８］に記載のものが挙げられる。液晶性分子の配向を阻害しないように、上記ポリマーの添加量は、液晶性分子に対して０．１質量％〜１０質量％の範囲にあることが好ましく、０．１質量％〜８質量％の範囲にあることがより好ましい。

円盤状液晶性分子のディスコティックネマティック液晶相−固相転移温度は、７０〜３００℃が好ましく、７０℃〜１７０℃がより好ましい。

（光学異方性層の形成）
光学異方性層は、液晶性分子および必要に応じて後述の重合性開始剤や任意の成分を含む塗布液を、配向膜の上に塗布することで形成できる。
塗布液の調製に使用する溶媒としては、有機溶媒が好ましく用いられる。有機溶媒の例には、アミド（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例えば、ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例えば、ピリジン）、炭化水素（例えば、ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、テトラクロロエタン）、エステル（例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル）、ケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトン）、エーテル（例えば、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）が含まれる。アルキルハライドおよびケトンが好ましい。２種類以上の有機溶媒を併用してもよい。

塗布液の塗布は、公知の方法（例えば、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法）により実施できる。
光学異方性層の厚さは、０．１〜２０μｍであることが好ましく、０．５〜１５μｍであることがより好ましく、１〜１０μｍであることが特に好ましい。

（液晶性分子の配向状態の固定）
配向させた液晶性分子を、配向状態を維持して固定することができる。固定化は、重合反応により実施することが好ましい。重合反応には、熱重合開始剤を用いる熱重合反応と光重合開始剤を用いる光重合反応とが含まれる。光重合反応が好ましい。

光重合開始剤の例には、α−カルボニル化合物（米国特許第２，３６７，６６１号、同２，３６７，６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許第２，４４８，８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許第２，７２２，５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許第３，０４６，１２７号、同２，９５１，７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許第３，５４９，３６７号明細書記載）、アクリジンおよびフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許第４，２３９，８５０号明細書記載）およびオキサジアゾール化合物（米国特許第４，２１２，９７０号明細書記載）が含まれる。

光重合開始剤の使用量は、塗布液の固形分の０．０１〜２０質量％の範囲にあることが好ましく、０．５〜５質量％の範囲にあることがより好ましい。
液晶性分子の重合のための光照射は、紫外線を用いることが好ましい。
照射エネルギーは、２０ｍＪ／ｃｍ² 〜５０Ｊ／ｃｍ² の範囲にあることが好ましく、２０〜５０００ｍＪ／ｃｍ² の範囲にあることがより好ましく、１００〜８００ｍＪ／ｃｍ² の範囲にあることが特に好ましい。また、光重合反応を促進するため、加熱条件下で光照射を実施してもよい。
保護層を、光学異方性層の上に設けてもよい。

（偏光膜との組み合わせ）
この光学補償フィルムと偏光膜を組み合わせることも好ましい。具体的には、上記のような光学異方性層用塗布液を偏光膜の表面に塗布することにより光学異方性層を形成する。その結果、偏光膜と光学異方性層との間にポリマーフィルムを使用することなく、偏光膜の寸度変化にともなう応力（歪み×断面積×弾性率）が小さい薄い偏光板が作成される。本発明のセルロース誘導体フィルムを用いた偏光板を大型の液晶表示装置に取り付けると、光漏れなどの問題を生じることなく、表示品位の高い画像を表示することができる。

偏光膜と光学補償層の傾斜角度は、ＬＣＤを構成する液晶セルの両側に貼り合わされる２枚の偏光板の透過軸と液晶セルの縦または横方向のなす角度にあわせるように延伸することが好ましい。通常の傾斜角度は４５°である。しかし、最近は、透過型、反射型および半透過型ＬＣＤにおいて必ずしも４５°でない装置が開発されており、延伸方向はＬＣＤの設計にあわせて任意に調整できることが好ましい。

［反射防止層の付与（反射防止フィルムの作製）］
反射防止フィルムは、一般に、防汚性層でもある低屈折率層、および低屈折率層より高い屈折率を有する少なくとも一層の層（即ち、高屈折率層、中屈折率層）とを透明支持体上に設けてなる。
屈折率の異なる無機化合物（金属酸化物等）の透明薄膜を積層させた多層膜の形成方法として、化学蒸着（ＣＶＤ）法や物理蒸着（ＰＶＤ）法、金属アルコキシド等の金属化合物のゾルゲル方法でコロイド状金属酸化物粒子皮膜を形成後に後処理（紫外線照射：特開平９−１５７８５５号公報、プラズマ処理：特開２００２−３２７３１０号公報）して薄膜を形成する方法等が挙げられる。

一方、生産性が高い反射防止フィルムとして、無機粒子をマトリックスに分散した分散物を塗布することにより薄膜を積層した反射防止フィルムも各種提案されている。塗布による反射防止フィルムとして、表面に微細な凹凸の形状を有する防眩性を付与した層を最上層に形成した反射防止フィルムも挙げられる。
本発明のセルロース誘導体フィルムは上記いずれの方式で製造する反射防止フィルムにも適用できるが、塗布による方式（塗布型）で製造する反射防止フィルムに適用することが特に好ましい。

（塗布型反射防止フィルムの層構成）
透明支持体上に少なくとも中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層（最外層）を順に形成した層構成からなる反射防止フィルムは、屈折率が以下の関係を満足するように設計される。
高屈折率層の屈折率＞中屈折率層の屈折率＞透明支持体の屈折率＞低屈折率層の屈折率
また、透明支持体と中屈折率層の間には、ハードコート層を設けてもよい。さらには、中屈折率ハードコート層、高屈折率層および低屈折率層からなるものであってもよい。例えば、特開平８−１２２５０４号公報、同８−１１０４０１号公報、同１０−３００９０２号公報、特開２００２−２４３９０６号公報、特開２０００−１１１７０６号公報等に記載されているものが挙げられる。

また、各層に他の機能を付与させてもよく、例えば、防汚性の低屈折率層、帯電防止性の高屈折率層としたもの（例えば、特開平１０−２０６６０３号公報、特開２００２−２４３９０６号公報等に記載されるもの）等が挙げられる。
反射防止フィルムのヘイズは、５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましい。また、膜の強度は、ＪＩＳＫ５４００に従う鉛筆硬度試験でＨ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがより好ましく、３Ｈ以上であることが特に好ましい。

（高屈折率層および中屈折率層）
反射防止フィルムの高い屈折率を有する層は、平均粒子サイズ１００ｎｍ以下の高屈折率の無機化合物超微粒子およびマトリックスバインダーを少なくとも含有する硬化性膜からなる。
高屈折率の無機化合物微粒子としては、屈折率１．６５以上の無機化合物が挙げられ、好ましくは屈折率１．９以上の無機化合物が挙げられる。例えば、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｌａ、Ｉｎ等の酸化物、これらの金属原子を含む複合酸化物等が挙げられる。

このような超微粒子とするためには、粒子表面を表面処理剤で処理する技術（例えば、特開平１１−２９５５０３号公報、同１１−１５３７０３号公報、特開２０００−９９０８号公報に記載されるシランカップリング剤で処理する技術や、特開２００１−３１０４３２号公報等に記載されるアニオン性化合物あるいは有機金属カップリング剤で処理する技術）、高屈折率粒子をコアとしたコアシェル構造とする技術（例えば、特開２００１−１６６１０４等に記載される技術）、特定の分散剤を併用する技術（例えば、特開平１１−１５３７０３号公報、米国特許第６,２１０,８５８Ｂ１号明細書、特開２００２−２７７６０６９号公報等に記載される技術）等を利用することができる。マトリックスを形成する材料としては、従来公知の熱可塑性樹脂、硬化性樹脂皮膜等が挙げられる。

さらに、ラジカル重合性および／またはカチオン重合性の重合性基を少なくとも２個以上有する多官能性化合物を含有する組成物、加水分解性基を有する有機金属化合物およびその部分縮合体の組成物から選ばれる少なくとも１種の組成物が好ましい。これらの組成物に用いる化合物として、例えば、特開２０００−４７００４号公報、同２００１−３１５２４２号公報、同２００１−３１８７１号公報、同２００１−２９６４０１号公報等に記載の化合物が挙げられる。
また、金属アルコキドの加水分解縮合物から得られるコロイド状金属酸化物と金属アルコキシド組成物から得られる硬化性膜も好ましい。例えば、特開２００１−２９３８１８号公報等に記載される硬化性膜を挙げることができる。

高屈折率層の屈折率は、一般に１．７０〜２．２０である。高屈折率層の厚さは、５ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜１μｍであることがより好ましい。
中屈折率層の屈折率は、低屈折率層の屈折率と高屈折率層の屈折率との間の値となるように調整する。中屈折率層の屈折率は、１．５０〜１．７０であることが好ましい。

（低屈折率層）
低屈折率層は、高屈折率層の上に順次積層してなる層である。低屈折率層の屈折率は一般に１．２０〜１．５５である。好ましくは１．３０〜１．５０である。
低屈折率層は、耐擦傷性や防汚性を有する最外層として構築することが好ましい。耐擦傷性を大きく向上させるためには表面に滑り性を付与することが有効であり、具体的には従来公知のシリコーン化合物や含フッ素化合物を導入した薄膜層の形成法を適用することができる。

含フッ素化合物の屈折率は１．３５〜１．５０であることが好ましい。より好ましくは１．３６〜１．４７である。また、含フッ素化合物はフッ素原子を３５〜８０質量％の範囲で含む架橋性または重合性の官能基を含む化合物であることが好ましい。

例えば、特開平９−２２２５０３号公報の段落番号［００１８］〜［００２６］、同１１−３８２０２号公報の段落番号［００１９］〜［００３０］、特開２００１−４０２８４号公報の段落番号［００２７］〜［００２８］、特開２０００−２８４１０２号公報等に記載の化合物が挙げられる。
シリコーン化合物はポリシロキサン構造を有する化合物であり、高分子鎖中に硬化性官能基または重合性官能基を有し、膜中で橋かけ構造を形成しているものが好ましい。例えば、反応性シリコーン（例えば、サイラプレーン（チッソ（株）製等）、両末端にシラノール基を有するポリシロキサン（特開平１１−２５８４０３号公報等）等が挙げられる。

架橋または重合性基を有する含フッ素および／またはシロキサンのポリマーの架橋または重合反応は、重合開始剤や増感剤等を含有する最外層形成用の塗布組成物を塗布と同時または塗布後に光照射や加熱することにより実施することが好ましい。
また、シランカップリング剤等の有機金属化合物と特定のフッ素含有炭化水素基を有するシランカップリング剤とを触媒共存下に縮合反応させて硬化したゾルゲル硬化膜も好ましい。

例えば、ポリフルオロアルキル基含有シラン化合物またはその部分加水分解縮合物（特開昭５８−１４２９５８号公報、同５８−１４７４８３号公報、同５８−１４７４８４号公報、特開平９−１５７５８２号公報、同１１−１０６７０４号公報記載等記載の化合物）、フッ素含有長鎖基であるポリ（パーフルオロアルキルエーテル）基を含有するシリル化合物（特開２０００−１１７９０２号公報、同２００１−４８５９０号公報、同２００２−５３８０４号公報に記載の化合物等）等が挙げられる。

低屈折率層は、上記以外の添加剤として充填剤（例えば、二酸化珪素（シリカ）、含フッ素粒子（フッ化マグネシウム，フッ化カルシウム，フッ化バリウム）等の一次粒子平均径が１〜１５０ｎｍの低屈折率無機化合物、特開平１１−３８２０公報の段落番号[００２０]〜[００３８]に記載の有機微粒子等）、シランカップリング剤、滑り剤、界面活性剤等を含有することができる。
低屈折率層が最外層の下層に位置する場合、低屈折率層は気相法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等）により形成してもよい。安価に製造できる点で、塗布法が好ましい。
低屈折率層の膜厚は、３０〜２００ｎｍであることが好ましく、５０〜１５０ｎｍであることがより好ましく、６０〜１２０ｎｍであることが特に好ましい。

（ハードコート層）
ハードコート層は、反射防止フィルムに物理強度を付与するために、透明支持体の表面に設けることができる。特に、透明支持体と前記高屈折率層の間に設けることが好ましい。
ハードコート層は、光および／または熱の硬化性化合物の架橋反応、または、重合反応により形成することが好ましい。硬化性官能基としては、光重合性官能基が好ましく、また加水分解性官能基を有する有機金属化合物は有機アルコキシシリル化合物であることが好ましい。
これらの化合物の具体例としては、高屈折率層で例示したものと同様のものが挙げられる。

ハードコート層の具体的な構成組成物としては、例えば、特開２００２−１４４９１３号公報、同２０００−９９０８号公報、国際公開第Ｏ０／４６６１７号パンフレット等に記載されるものが挙げられる。
高屈折率層はハードコート層を兼ねることができる。このような場合、高屈折率層の説明で記載した手法を用いて微粒子を微細に分散してハードコート層に含有させて形成することが好ましい。
ハードコート層は、平均粒子サイズ０．２〜１０μｍの粒子を含有させて防眩機能（アンチグレア機能）を付与した防眩層（後述）を兼ねることもできる。
ハードコート層の膜厚は用途により適切に設計することができる。ハードコート層の膜厚は、０．２〜１０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜７μｍである。
ハードコート層の強度は、ＪＩＳＫ５４００に従う鉛筆硬度試験で、Ｈ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがより好ましく、３Ｈ以上であることが特に好ましい。又、ＪＩＳＫ５４００に従うテーバー試験で、試験前後の試験片の摩耗量が少ないほど好ましい。

（前方散乱層）
前方散乱層は、液晶表示装置に適用した場合の、上下左右方向に視角を傾斜させたときの視野角改良効果を付与するために設ける。上記ハードコート層中に屈折率の異なる微粒子を分散することで、ハードコート機能と兼ねることもできる。

例えば、前方散乱係数を特定化した特開１１−３８２０８号公報、透明樹脂と微粒子の相対屈折率を特定範囲とした特開２０００−１９９８０９号公報、ヘイズ値を４０％以上と規定した特開２００２−１０７５１２号公報等に記載される技術を用いることができる。

（その他の層）
上記の層以外に、プライマー層、帯電防止層、下塗り層や保護層等を設けてもよい。

（塗布方法）
反射防止フィルムの各層は、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート、マイクログラビア法やエクストルージョンコート法（米国特許第２，６８１，２９４号明細書）により、塗布により形成することができる。

（アンチグレア機能）
反射防止フィルムは、外光を散乱させるアンチグレア機能を有していてもよい。アンチグレア機能は、反射防止フィルムの表面に凹凸を形成することにより得られる。反射防止フィルムがアンチグレア機能を有する場合、反射防止フィルムのヘイズは、３〜３０％であることが好ましく、５〜２０％であることがより好ましく、７〜２０％であることが最も好ましい。

反射防止フィルムの表面に凹凸を形成する方法は、これらの表面形状を充分に保持できる方法であればいずれの方法でも適用できる。例えば、低屈折率層中に微粒子を使用して膜表面に凹凸を形成する方法（例えば、特開２０００−２７１８７８号公報等）、低屈折率層の下層（高屈折率層、中屈折率層またはハードコート層）に比較的大きな粒子（粒子サイズ０．０５〜２μｍ）を少量（０．１〜５０質量％）添加して表面凹凸膜を形成し、その上にこれらの形状を維持して低屈折率層を設ける方法（例えば、特開２０００−２８１４１０号公報、同２０００−９５８９３号公報、同２００１−１００００４号公報、同２００１−２８１４０７号公報等）、最上層（防汚性層）を塗設後の表面に物理的に凹凸形状を転写する方法（例えば、エンボス加工方法として、特開昭６３−２７８８３９号公報、特開平１１−１８３７１０号公報、特開２０００−２７５４０１号公報等記載）等が挙げられる。

＜液晶表示装置＞
本発明のセルロース誘導体フィルム、該セルロース誘導体フィルムを用いた偏光板、位相差フィルムおよび光学フィルムは、それぞれ液晶表示に好ましく組み込むことができる。以下に各液晶モードについて説明する。

（ＴＮモード液晶表示装置）
カラーＴＦＴ液晶表示装置として最も多く利用されており、多数の文献に記載がある。ＴＮモードの黒表示における液晶セル中の配向状態は、セル中央部で棒状液晶性分子が立ち上がり、セルの基板近傍では棒状液晶性分子が寝た配向状態にある。

（ＯＣＢモード液晶表示装置）
棒状液晶性分子を液晶セルの上部と下部とで実質的に逆の方向に（対称的に）配向させるベンド配向モードの液晶セルである。ベンド配向モードの液晶セルを用いた液晶表示装置は、米国特許第４，５８３，８２５号、同５，４１０，４２２号の各明細書に開示されている。棒状液晶性分子が液晶セルの上部と下部とで対称的に配向しているため、ベンド配向モードの液晶セルは、自己光学補償機能を有する。そのため、この液晶モードは、ＯＣＢ(Optically Compensated Bend) 液晶モードとも呼ばれる。

ＯＣＢモードの液晶セルもＴＮモード同様、黒表示においては、液晶セル中の配向状態は、セル中央部で棒状液晶性分子が立ち上がり、セルの基板近傍では棒状液晶性分子が寝た配向状態にある。

以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。

（物性評価）
（１）平均分子量
ＧＰＣ装置（東ソー製HLC-8220GPC）を用いて下記条件で測定して、数平均分子量（Mn）ならびに重量平均分子量（Ｍｗ）を求めた。なお、検量線はポリスチレン（ＴＳＫ標準ポリスレン：分子量1050、5970、18100、37900、190000、706000）を用いて作成した。得られた平均分子量を、下記（２）の方法で決定した置換度から求めた１繰り返し単位あたりの分子量で除して、重量平均重合度（ＤＰｗ）、数平均重合度（DPｎ）とした。
溶離液：ＤＭＦ
流量：１ｍｌ／分
検出器：ＲＩ
試料濃度０．５％

（２）置換度
¹³Ｃ−ＮＭＲ法により、セルロース誘導体の炭素の面積強度比を比較することにより、置換度を決定した。

（３）ガラス転移温度（Ｔｇ）
ＤＳＣの測定パンにセルロース誘導体フィルムを２０ｍｇ入れた。これを窒素気流中で、１０℃／分で３０℃から２４０℃まで昇温した後、３０℃まで−５０℃／分で冷却した。この後、再度３０℃から２４０℃まで昇温してベースラインが低温側から偏奇し始める温度をＴｇとした。

＜製造例＞６−トリチルセルロースＴｃ−１の合成
Macromol. Chem. Phys., 1996年, 197巻, 962頁に記載の方法により、セルロース（木材パルプ）より６−トリチルセルロースＴｃ−１を合成した。
得られた６−トリチルセルロースは、数平均分子量５６５００、重量平均分子量１９５８００であった。

＜実施例１＞６−トリチル−２，３−ジアセチルセルロースＰ−１の合成
攪拌装置および冷却装置を付けた反応容器に、６−トリチルセルロース５質量部、ピリジン５０質量部を取り、４０℃で攪拌して均一な溶液を作成した。混合物を５℃に冷却し、アセチルクロリド５．８質量部を１時間かけて添加した後、内温を５０℃まで上昇させて８時間攪拌した。水１．５質量部を添加してさらに１時間攪拌した後、内温を２５℃まで冷却してアセトン５０質量部を加えた。メタノール３００質量部を加え、沈降した粗体を濾取した。粗体を５０℃のメタノールで洗浄する操作を繰り返して精製し、６−トリチルー２，３−ジアセチルセルロースＰ−１を得た。
得られた６−トリチル−２，３−ジアセチルセルロースは、トリチル置換度０．９５、アセチル置換度２．０、数平均分子量６３０００、重量平均分子量２１４２００であった。

＜実施例２＞６−トリチル−２，３−ジプロピオニルセルロースＰ−２の合成
攪拌装置および冷却装置を付けた反応容器に、６−トリチルセルロース５質量部、ピリジン５０質量部を取り、４０℃で攪拌して均一な溶液を作成した。混合物を５℃に冷却し、プロピオニルクロリド６．８質量部を１時間かけて添加した後、内温を５０℃まで上昇させて８時間攪拌した。水１．５質量部を添加してさらに１時間攪拌した後、内温を２５℃まで冷却してアセトン５０質量部を加えた。メタノール３００質量部を加え、沈降した粗体を濾取した。粗体を５０℃のメタノールで洗浄する操作を繰り返して精製し、６−トリチルー２，３−ジプロピオニルセルロースＰ−２を得た。
得られた６−トリチル−２，３−ジアセチルセルロースは、トリチル置換度０．９５、プロピオニル置換度２．０、数平均分子量６５３００、重量平均分子量２２５０００であった。

＜実施例３＞６−トリチル−２，３−ジブチリルセルロースＰ−３の合成
攪拌装置および冷却装置を付けた反応容器に、６−トリチルセルロース５質量部、ピリジン５０質量部を取り、４０℃で攪拌して均一な溶液を作成した。混合物を５℃に冷却し、酪酸クロリド８質量部を１時間かけて添加した後、内温を５０℃まで上昇させて８時間攪拌した。水１．５質量部を添加してさらに１時間攪拌した後、内温を２５℃まで冷却してアセトン５０質量部を加えた。メタノール３００質量部を加え、沈降した粗体を濾取した。粗体を５０℃のメタノールで洗浄する操作を繰り返して精製し、６−トリチルー２，３−ジブチリルセルロースＰ−３を得た。
得られた６−トリチル−２，３−ジブチリルセルロースは、トリチル置換度０．９５、ブチリル置換度１．７、数平均分子量７０３００、重量平均分子量２２２３００であった。

＜実施例４＞６−トリチル−２，３−ジプロピオニルセルロースＰ−４の合成
攪拌装置および冷却装置を付けた反応容器に、６−トリチルセルロース５質量部、ピリジン５０質量部を取り、４０℃で攪拌して均一な溶液を作成した。混合物を５℃に冷却し、プロピオニルクロリド３．０質量部を１時間かけて添加した後、内温を５０℃まで上昇させて８時間攪拌した。水１．５質量部を添加してさらに１時間攪拌した後、内温を２５℃まで冷却してアセトン５０質量部を加えた。メタノール３００質量部を加え、沈降した粗体を濾取した。粗体を５０℃のメタノールで洗浄する操作を繰り返して精製し、６−トリチルー２，３−ジプロピオニルセルロース組成物Ｐ−４を得た。
得られた６−トリチル−２，３−ジプロピオニルセルロースは、トリチル置換度０．９５、プロピオニル置換度１．８５、数平均分子量６２０００、重量平均分子量２０６７００であった。

＜実施例５＞溶融製膜
（１）試料の調製
実施例１〜４で作成したセルロース誘導体ならびに比較例としてアセチルセルロースＣＴＡ−１（置換度２．８５）に、熱安定剤としてスミライザーＧＰ（住友化学工業製）を０．３質量％、紫外線吸収剤としてアデカスタブＬＡ−３１（旭電化工業製）１質量％をそれぞれ添加し、よく撹拌した。

（２）溶融製膜
上記セルロース誘導体を直径３ｍｍ長さ５ｍｍの円柱状のペレットに成形した後、１１０℃の真空乾燥機で６時間乾燥し、残留水分を０．０１質量％以下にした。これを（Ｔｇ−１０℃）になるように調整したホッパーに投入し、窒素気流下、溶融温度２３０℃で、圧縮比３．５のフルフライトスクリューを用い、Ｌ（スクリュー長）／Ｄ（スクリュー径）＝３０で混練溶融した。
さらに、押し出し機出口にブレーカープレート式の濾過を行った後、ギアポンプ通過後に４μｍのステンレス製リーフ型ディスクフィルター型濾過装置を通した。
本発明外のＣＴＡ−１は上記の条件ではペレット化することができなかった。

ＣＴＡ−１を除くペレットをＴダイを通して押出し、特開平１１−２３５７４７号公報の実施例１に記載のタッチロールを用いて製膜した。これをキャスティングロールから剥ぎ取り巻き取った。なお、巻き取り直前に両端（全幅の各３％）をトリミングした後、両端に幅１０ｍｍ、高さ５０μｍの厚みだし加工（ナーリング）をつけた後、ロール状に巻き取った。これらのフィルムの有機溶媒含有量（ガスクロマトグラフィー法による）は０．０１質量％以下であった。
これらのフィルムの面状を目視で観察し、流動筋が感知されないレベルを良好と判断した。また、１００μｍ換算での光線透過率を測定した。

本発明のセルロース誘導体から作成したフィルムは良好な性質を示すことが確認された。

＜実施例６＞溶液製膜
（セルロース誘導体溶液の作成）
（ｉ）溶剤の調製
溶媒組成が、ジクロロメタン（８２．０質量％）、メタノール（１５．０質量％）、ブタノール（３．０質量％）からなる溶剤を調製した。

（ii）セルロース誘導体組成物の乾燥
上述のセルロース誘導体組成物を乾燥し含水率を０．５％以下とした。

（iii）添加剤の添加
下記組成の添加剤を（ｉ）で得られた溶剤に添加した。なお、下記の添加量（質量％）は全てセルロース誘導体の絶乾燥質量に対する割合である。
〔添加剤組成〕
可塑剤Ａ（トリフェニルホスフェート）３．１質量％
可塑剤Ｂ（ビフェニルジフェニルホスフェート）１質量％
光学異方性コントロール剤（特開２００３−６６２３０号公報に
記載の（化１）に記載の板状化合物）２．９５質量％
ＵＶ剤ａ（２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒ
ドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，
５−トリアジン）０．５質量％
ＵＶ剤ｂ（２（２'−ヒドロキシ−３'，５'−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール）０．２質量％
ＵＶ剤ｃ（２（２'−ヒドロキシ−３'，５'−ジ−ｔｅｒｔ−
アミルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール）０．１質量％
クエン酸エチルエステル（モノエステル：ジエステル＝１：１）０．２質量％

（iv）膨潤・溶解
前記（iii）で得られた添加剤を含んだ溶液中に、前記（ii）の各セルロース誘導体を撹拌しながら添加した。撹拌停止後、２５℃で３時間膨潤させてスラリーを作製した。該スラリーを再度撹拌し、セルロース誘導体を完全に溶解した。

（ｖ）ろ過・濃縮
この後、前記スラリーを絶対濾過精度０．０１ｍｍの濾紙（東洋濾紙（株）製、＃６３）でろ過し、さらに絶対濾過精度２．５μｍの濾紙（ポール社製、ＦＨ０２５）にて濾過し、セルロース誘導体溶液を得た。セルロース誘導体溶液の濃度は２５質量％（全固形分×１００／（全固形分量＋溶剤量）であった。

（溶液製膜）
上述のセルロース誘導体溶液を３５℃に加温し、下記のバンド方法で鏡面ステンレス支持体上に流延した。該バンド方法においては、セルロース誘導体溶液をギーサーに通して、１５℃に保温したバンド長６０ｍの鏡面ステンレス支持体上に流延した。使用したギーサーは、特開平１１−３１４２３３号公報に記載の形態に類似するものを用いた。また、流延部の空間温度を４０℃とし、さらに熱供給のための空気を風速３０ｍ／秒で送風した。残留溶剤が１００質量％となった時点でセルロース誘導体フィルムを鏡面ステンレス支持体から荷重２０ｇ／ｃｍで剥ぎ取り、４０℃〜１２０℃の間を昇温速度が３０℃／分となるように昇温（除昇温）した。その後、１２０℃で５分、さらに１４５℃で２０分乾燥した後、３０℃／分で徐冷し、セルロース誘導体フィルムを得た。得られたフィルムは両端を３ｃｍトリミングした後、両端から２〜１０ｍｍの部分に高さ１００μｍのナーリングを付与し、ロール状に巻き取った。
上記方法にしたがって、得られた各セルロース誘導体フィルムのＲｅ、Ｒｔｈ、面状、光線透過率を評価した結果を、表２に示す。

本発明のセルロース誘導体から作成したフィルムは、従来のセルロース誘導体では達成が困難な、負のＲｔｈを発現するという特徴を有する。また、溶融製膜と同様に、本発明のセルロース誘導体から作成したフィルムは良好な面状と透明性を示している。

＜実施例７＞セルロース誘導体フィルムの応用
（延伸フィルムの作製と評価）
本発明の未延伸フィルムを延伸し、それぞれのセルロース誘導体フィルムのＴｇより１０℃高い温度で、１００％／秒でＭＤ延伸、２０％／秒でＴＤ延伸をした。延伸方法は縦延伸の後横延伸を行う逐次延伸と、縦横同時に延伸する同時２軸延伸で実施した。かかる延伸方法で作製したセルロース誘導体フィルムのＲｅおよびＲｔｈを測定し、本発明のセルロース誘導体フィルムはいずれも下記範囲を満足する良好な結果を得た。
式（ｉ）：０ｎｍ≦Ｒｅ≦３００ｎｍ
式（ii）： −５００ｎｍ≦Ｒｔｈ≦５００ｎｍ

（湿度によるレターデーション変化の測定）
本発明のセルロース誘導体フィルム１０１〜１０４、２０１〜２０４、ならびに比較用フィルム２０５について、２５℃・相対湿度１０％、および、２５℃・相対湿度８０％においてＲｅ、Ｒｔｈを測定し、その比（Ｒｅ（相対湿度８０％）／Ｒｅ（相対湿度１０％）とＲｔｈ（相対湿度８０％）／Ｒｔｈ（相対湿度１０％））を求めた。本発明のセルロース誘導体フィルムはその値が１に近く、湿度によるレターデーション変化が小さい良好な性質を示した。

（偏光板の作製と評価）
（１）セルロース誘導体フィルムの鹸化
上述の本発明の未延伸セルロース誘導体フィルムと、それを延伸した延伸セルロース誘導体フィルムのそれぞれについて、下記の方法で鹸化を行なった。
１．５ｍｏｌ／Ｌ濃度の水酸化ナトリウム水溶液を鹸化液として用いた。これを６０℃に調温し、セルロース誘導体フィルムを２分間浸漬した。この後、０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸水溶液に３０秒浸漬した後、水洗浴を通した。

（２）偏光膜の作製
特開２００１−１４１９２６号公報の実施例１に従い、２対のニップロール間に周速差を与え、長手方向に延伸し、厚み２０μｍの偏光膜を作製した。

（３）貼り合わせと評価
このようにして得た偏光膜と、上記鹸化処理した未延伸、延伸セルロース誘導体フィルムのうちから２枚選び、これらで上記偏光膜を挟んだ後、ＰＶＡ（（株）クラレ製、ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、偏光軸とセルロース誘導体フィルムとの長手方向が９０°となるように張り合わせた。このうち未延伸、延伸セルロース誘導体フィルムを特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載の２０インチＶＡ型液晶表示装置に２５℃・相対湿度６０％下で取り付け、これを２５℃・相対湿度１０％の中に持ち込んだ。本発明のセルロース誘導体フィルムを使用したものは、いずれも色調変化が小さく、表示むらの少ない良好な性能が得られた。
また、特開２００２−８６５５４号公報の実施例１に従い、テンターを用い延伸軸が斜め４５°となるように延伸した偏光板についても同様に、本発明のセルロース誘導体フィルムを用いて作製したものは、上記同様に良好な結果が得られた。さらに、特開２００５−２０６７３２号公報の実施例６に記載のＩＰＳ液晶装置に用いたところ、コントラスト視野角が広く好ましい液晶表示装置を得た。

（光学補償フィルムの作製と評価）
特開平１１−３１６３７８号公報の実施例１の液晶層を塗布したセルロースアセテートフィルムの代わりに、上述の鹸化済みの本発明の延伸セルロース誘導体フィルムを使用し、これを、特開２００２−６２４３１号公報の実施例９に記載のベンド配向液晶セルに２５℃・相対湿度６０％下で取り付け、これを２５℃・相対湿度１０％の中に持ち込んだ。本発明のセルロース誘導体フィルムを使用したものはコントラストの変化の小さい良好な表示性能が得られた。

さらに特開平７−３３３４３３号公報の実施例１の液晶層を塗布したセルロースアセテートフィルムに代わって、本発明の延伸セルロース誘導体フィルムに変更し光学補償フィルターフィルムを作製した。この場合も同様に、良好な光学補償フィルムを作製できた。
また、本発明のセルロース誘導体フィルムを用いた偏光板、位相差偏光板を、特開平１０−４８４２０号公報の実施例１に記載の液晶表示装置、特開平９−２６５７２号公報の実施例１に記載のディスコティック液晶分子を含む光学的異方性層、ポリビニルアルコールを塗布した配向膜、特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載の２０インチＶＡ型液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図１０〜１５に記載の２０インチＯＣＢ型液晶表示装置、特開２００４−１２７３１号公報の図１１に記載のＩＰＳ型液晶表示装置に用いたところ、良好な液晶表示装置を得た。

（低反射フィルムの作製と評価）
発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）の実施例４７に従い、上述の延伸セルロース誘導体フィルムを用いて低反射フィルムを作製したところ、本発明のセルロース誘導体フィルムを使用したものは、良好な光学性能が得られた。
さらに上記低反射フィルムを、特開平１０−４８４２０号公報の実施例１に記載の液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載の２０インチＶＡ型液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図１０〜１５に記載の２０インチＯＣＢ型液晶表示装置液晶表示装置、特開２００４−１２７３１号公報の図１１に記載のＩＰＳ型液晶表示装置の最表層に貼り評価を行ったところ、良好な液晶表示装置を得た。

本発明によれば、光学フィルムとして好適に用いることができて、レターデーション発現性に優れ、湿度によるレターデーション変化が少ないセルロース誘導体フィルムを得ることができる。さらに、該セルロース誘導体フィルムを用いれば、高品位な位相差フィルム、偏光板、光学補償フィルム、反射防止フィルム並びに画像表示装置を得ることができる。したがって本発明は、産業上の利用可能性が高い有用な発明である。

Claims

下記式（１）〜（３）を満足することを特徴とするセルロース誘導体を含有することを特徴とする、セルロース誘導体フィルム。
式（１）：２≦Ａ＋Ｂ≦３
式（２）：０．０５≦Ａ≦２．０
式（３）：０．０５≦Ｂ≦２．９５
（式中、Ａはセルロースの水酸基を構成する水素原子に対する（Ａｒ）₃Ｃ−で表される基の置換度を表し、Ａｒは炭素数６〜２０の芳香族基を表す。Ｂはセルロースの水酸基を構成する水素原子に対する炭素数２〜６のアルカノイル基の置換度を表す。）
前記セルロース誘導体が下記式（４）〜（６）を満足することを特徴とする、請求項１に記載のセルロース誘導体フィルム。
式（４）：２．４≦Ａ＋Ｂ≦３
式（５）：０．０５≦Ａ≦１．４
式（６）：１．０≦Ｂ≦２．９５
前記（Ａｒ）₃Ｃ−で表される基がトリチル基であることを特徴とする、請求項１または２に記載のセルロース誘導体フィルム。
前記炭素数２〜６のアルカノイル基がアセチル基、プロピオニル基またはブチリル基であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルム。
面内のレターデーション（Ｒｅ）が下記式（ｉ）を満足し、且つ、厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）が下記式（ii）を満足することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルム。
式（ｉ）：０ｎｍ≦Ｒｅ≦３００ｎｍ
式（ii）： −５００ｎｍ≦Ｒｔｈ≦５００ｎｍ
請求項１〜５のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルムを、少なくとも１方向に０．１％〜５００％延伸したことを特徴とするセルロース誘導体フィルム。
残留有機溶媒量が０．０１質量％以下であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルム。
請求項１〜７のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルムを用いたことを特徴とする位相差フィルム。
偏光膜と該偏光膜を挟持する２枚の保護フィルムとからなる偏光板であって、２枚の保護フィルムの少なくとも一方が、請求項１〜７のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルムまたは請求項８に記載の位相差フィルムであることを特徴とする偏光板。
請求項１〜７のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルムまたは請求項８記載の位相差フィルム上に、液晶性化合物を配向させて形成した光学異方性層を有することを特徴とする光学補償フィルム。
請求項１〜７のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルムまたは請求項８に記載の位相差フィルム上に、反射防止層を有することを特徴とする反射防止フィルム。
請求項１〜７のいずれか一項に記載のセルロース誘導体フィルムまたは請求項８記載の位相差フィルム、請求項９に記載の偏光板、請求項１０に記載の光学補償フィルムおよび請求項１１に記載の反射防止フィルムからなる群より選択される少なくとも１種を用いることを特徴とする画像表示装置。