JP2006256309A - 光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光記録媒体10は、基板12と、該基板12上に形成され、レーザ光が照射されることにより光学特性が変化する記録層18と、を有してなり、該記録層18は、Bi及びOを含み、該記録層18を構成する総ての原子の数に対する記録層18中のBi、Oの原子数の合計値が80%以上であり、且つ、記録層18中のOの原子数の比率が63%以上である。
【選択図】図1
Description
上記第1実施形態と同様の手法で複数の光記録媒体を作製した。尚、これら光記録媒体の構成は、上記第1実施形態に係る光記録媒体10に対し、反射層14を省略した構成とした。他の構成については光記録媒体10と同じである。又、これら各光記録媒体の記録層形成工程において表1に示されるように相互に異なるスパッタリング条件を設定し、記録層のBi、Oの比率が、相互に異なる7種類の光記録媒体を作製した。
対物レンズの開口数NA:0.85
変調方式 :(1、7)RLL
記録線速度 :5.3m/sec
チャンネルビット長 :0.12μm
チャンネルクロック :66MHz
記録方式 :オングルーブ記録
再生パワー :0.7mW
中間パワー :2.0mW
基底パワー :1.0mW
再生パワーPr :0.7mW
対物レンズの開口数NA:0.85
上記第3実施形態に係る光記録媒体60と同様の構成で、記録層が基板及びカバー層22に直接接する光記録媒体を、記録層の組成が相互に異なる複数の種類作製した。記録層18の厚さはいずれも45nmとし、他の構成は、上記実験例1で作製した光記録媒体と同様とした。
12…基板
13…グルーブ
14…反射層
16、20…誘電体層
18…記録層
22…カバー層
52…スペーサ層
S102…基板成形工程
S104…反射層形成工程
S106…誘電体層形成工程
S108…記録層形成工程
S110…誘電体層形成工程
S112…カバー層形成工程
Claims (7)
- 基板と、該基板上に形成され、レーザ光が照射されることにより光学特性が変化する記録層と、を有してなり、該記録層は、Bi及びOを含み、該記録層を構成する総ての原子の数に対する該記録層中のBi、Oの原子数の合計値が80%以上であり、且つ、該記録層中のOの原子数の比率が63%以上であることを特徴とする光記録媒体。
- 請求項1において、
前記記録層中のOの原子数の比率が73%以下であることを特徴とする光記録媒体。 - 請求項1又は2において、
前記記録層は、該記録層を構成するBi及びOの原子数の合計値に対するOの原子数の比率が63%以上であることを特徴とする光記録媒体。 - 請求項1乃至3のいずれかにおいて、
前記記録層は、Mg、Ca、Y、Dy、Ce、Tb、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Zn、Al、In、Si、Ge、Sn、Sb、Li、Na、K、Sr、Ba、Sc、La、Nd、Sm、Gd、Ho、Cr、Co、Ni、Cu、Ga、Pbを含まないことを特徴とする光記録媒体。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記記録層は、実質的にBi及びOからなることを特徴とする光記録媒体。 - 請求項1乃至5のいずれかにおいて、
記録マークを形成するためのトラックが0.1〜0.5μmの範囲のトラックピッチで形成されたことを特徴とする光記録媒体。 - 請求項1乃至6のいずれかにおいて、
透光性を有するスペーサ層が備えられ、且つ、該スペーサ層を挟んで前記記録層が複数層形成されたことを特徴とする光記録媒体。
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