JP2005202721A - 非接触データキャリア - Google Patents
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Abstract
【課題】 非接触データキャリアが高出力のリーダライタの近傍にあって過剰な電力を受ける場合には、ICチップに過電圧が印加され、発熱による通信の不具合や内部回路の破壊を生じる。
【解決手段】 無線受給した電力で生成された電源電圧のレベルを検知する手段(抵抗11b,11c)と、前記検知レベルが基準値を超えるかを判定する手段(コンパレータ9)と、前記検知レベルが基準値を超えたときに活性化されICチップ全体のインピーダンスを抑制して前記リーダライタからの受給電力を低減する手段(スイッチング素子12、抵抗11d)とを備え、過剰受給時には抵抗11dをICチップの負荷抵抗に並列接続してICチップ全体のインピーダンスを下げ、アンテナのQ値を低くする。これによりアンテナで過剰な電力を受給することを避け、過電圧印加に起因するICチップの発熱および破壊を回避する。
【選択図】 図1
【解決手段】 無線受給した電力で生成された電源電圧のレベルを検知する手段(抵抗11b,11c)と、前記検知レベルが基準値を超えるかを判定する手段(コンパレータ9)と、前記検知レベルが基準値を超えたときに活性化されICチップ全体のインピーダンスを抑制して前記リーダライタからの受給電力を低減する手段(スイッチング素子12、抵抗11d)とを備え、過剰受給時には抵抗11dをICチップの負荷抵抗に並列接続してICチップ全体のインピーダンスを下げ、アンテナのQ値を低くする。これによりアンテナで過剰な電力を受給することを避け、過電圧印加に起因するICチップの発熱および破壊を回避する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、各種ID確認や、金融取引、あるいは商品管理等に用いられるもので、リーダライタとの間で無線を介して情報信号の授受を行うとともに、リーダライタから受給した無線の電力に基づいて電源電圧を生成するように構成された非接触データキャリアに関する。
近年、電気的接点がなく、電磁誘導結合方式等を利用して電源電圧を供給し、同時にデータの送受信を行う非接触データキャリアの開発が行われている。非接触データキャリアは、磁気カードや接触型ICカードなどのデータキャリアとは異なり、接点が存在しない。そのため、腐食、汚れや接点の摩耗による通信不良がなく、静電気や水に対しても耐性がある。同時に、リーダライタに接点やデータキャリア挿抜のための機構を必要とせず、メンテナンスフリーである。また、メモリ容量の大きさとセキュリティの観点からも、非接触データキャリアは、個人のID、または物流、商品管理の分野で大きな市場が期待されている。
図4は従来の技術における非接触データキャリアの主要な構成を模式的に示すブロック回路図である。
非接触データキャリアは、電波を送受信するためのコイル状アンテナ1aと同調コンデンサ1bからなる並列共振回路2と、コイル状アンテナ1aの両端に生じる交流電流を整流する整流回路3と、整流後の直流電圧を各回路に供給する電源回路4と、リーダライタからの情報信号を受信して復調するための受信回路5と、応答信号を変調してリーダライタへ送るための送信回路6と、情報を格納するメモリ7と、これら電源回路4、受信回路5、送信回路6およびメモリ7を制御する制御回路8とからなる。
リーダライタおよび非接触データキャリアは、アンテナのインダクタンスまたはコンデンサの静電容量を調整し、共振周波数を搬送波周波数と一致させる。情報信号は搬送波周波数で復調され、応答信号は搬送波周波数で変調される。これにより、電波を効率良く送受信できる(例えば特許文献1参照)。また、アンテナのQ値(共振の鋭さ)を高く設計することで受信感度を上げる。
特開2001−160122号公報(第3−4頁、第1図)
非接触データキャリアのアンテナが受ける電力は、リーダライタとの離間距離に応じて変動する。非接触データキャリアがリーダライタから遠い距離にある場合、より多くの電力を効率良くアンテナで受給することが必要になる。逆に、非接触データキャリアがリーダライタ近傍にある場合、アンテナは過剰な電力を受けるが、この過電圧により内部回路が発熱または破壊されないようにする工夫が必要になる。これら2つの条件を満たすには、固定された共振周波数とQ値のもので実現することは困難である。
また、特許文献1のように共振周波数を調整するためにICチップにコンデンサを搭載する構造も考えられるが、静電容量は面積に比例するため、ICチップ面積の増大を招く。そのため、生産性を損ない、コストも上昇させる、という点で実現困難である。
本発明は、上記の課題を解決するために次のような手段を講じる。
本発明による非接触データキャリアは、リーダライタとの間で無線を介して情報信号の授受を行うとともに、前記リーダライタから受給した無線の電力に基づいて電源電圧を生成するように構成された非接触データキャリアであって、前記生成された電源電圧のレベルを検知する手段と、前記検知レベルが基準値を超えるかを判定する手段と、前記検知レベルが基準値を超えたときに活性化されICチップ全体のインピーダンスを抑制して前記リーダライタからの受給電力を低減する手段とを備えた構成とされている。
この構成による作用は次のとおりである。リーダライタからの受給電力に基づいて得られた電源電圧のレベルを検知するが、非接触データキャリアがリーダライタに近接することに伴って検知レベルが所定の基準値を超えたとき、受給電力の低減手段はICチップ全体のインピーダンスを下げるように動作し、アンテナのQ値を低くする。これによりアンテナの受信効率を下げて過剰な電力を受給することを避け、過電圧印加に起因するICチップの発熱および破壊を回避する。
上記構成において、前記受給電力の低減手段の1態様は、抵抗とスイッチング素子の直列回路が前記ICチップの負荷抵抗に並列に接続され、前記検知レベルが前記基準値を超えたときに前記スイッチング素子が導通されるものである。
リーダライタに近接することに伴って検知レベルが所定の基準値を超えたとき、スイッチング素子が導通されて抵抗がICチップの負荷抵抗に並列接続されると、ICチップ全体のインピーダンスが低下し、過剰な電源供給を避ける。
また、上記構成において、前記受給電力の低減手段の別の態様は、抵抗とスイッチング素子の直列回路の複数組がそれぞれ前記ICチップの負荷抵抗に並列に接続され、複数の前記スイッチング素子のそれぞれは互いに異なる複数レベルの基準値に対応し、前記検知レベルが前記各基準値を超えたときに対応するスイッチング素子が導通されるものである。
検知レベルの比較対象としての基準値が複数あり、各基準値に対応したスイッチング素子と各スイッチング素子に直列接続の抵抗がICチップの負荷抵抗に並列接続されている。これにより、リーダライタに近接することで電源電圧のレベルが高くなるにつれて導通するスイッチング素子が順次に増え、ICチップ全体のインピーダンスが段階的に低下し、受給電力の変化に応じて細かに応答し、過剰な電源供給を避ける。
また、上記において、前記受給電力の低減手段の別の態様は、前記ICチップの負荷抵抗に並列に接続されたツェナーダイオードとされているものである。
ツェナーダイオードは所定の電圧値で導通状態となり、ツェナー電流が大きくなるに従って動作抵抗は小さくなるため、ICチップ全体のインピーダンスを連続的に変化させることが可能となる。すなわち、受給電力の変化に応じてさらにきめ細かく応答し、過剰な電源供給を避ける。
なお、当該非接触データキャリアは、その一般的な構成要素として、コイル状アンテナと同調コンデンサで構成される並列共振回路と、前記コイル状アンテナで受信した交流信号を直流電圧に変換する整流回路と、前記リーダライタからの情報信号を復調するための受信回路と、前記リーダライタへの応答信号を変調するための送信回路と、情報を格納するメモリと、これらを制御する制御回路と、これらの回路に電源電圧を供給するもので前記整流回路による直流電圧に基づく電源回路とを備えるものである。そして、前記電源回路内に、前記電源電圧のレベルを検知する手段と、前記検知レベルの判定手段と、前記受給電力の低減手段が設けられた構成とするのが好ましい。
以上のように本発明によれば、リーダライタからの受給電力に基づいて得られた電源電圧のレベルを検知するが、非接触データキャリアがリーダライタに近接することに伴って検知レベルが所定の基準値を超えたとき、受給電力の低減手段を動作させて、ICチップ全体のインピーダンスを下げ、アンテナのQ値を低くする。これによりアンテナの受信効率を下げて過剰な電力を受給することを避け、過電圧印加に起因するICチップの発熱および破壊を回避することができる。
また、抵抗を用いることにより、コンデンサを付加する場合に比べて、ICチップ面積の増大を抑制し、生産性低下やコスト上昇を抑制することができる。
以下、本発明にかかわる非接触データキャリアの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1における非接触データキャリアの構成を示す回路図である。
図1は本発明の実施の形態1における非接触データキャリアの構成を示す回路図である。
コイル状アンテナ1aと同調コンデンサ1bから並列共振回路2が構成され、これに整流回路3の入力端子が接続され、整流回路3の出力端子に電源回路4が接続されている。電源回路4の高電位側電源ラインと低電位側電源ラインとの間に、レギュレータ10と抵抗11aの直列回路が接続されており、レギュレータ10の両端間に受信回路5、送信回路6、メモリ7および制御回路8が接続されている。電源回路4にはまた、電源電圧のレベルを検出するための直列接続された抵抗11b,11cが高電位側電源ラインと低電位側電源ラインとの間に接続されているとともに、電源電圧の検知レベルを判定するためのコンパレータ9と、ICチップの負荷抵抗に並列に接続された抵抗11dおよびスイッチング素子12の直列接続体が内蔵されている。コンパレータ9の反転入力端子(−)はレギュレータ10の高電位側端子に接続され、コンパレータ9の非反転入力端子(+)は直列接続の抵抗11b,11cの接続点に接続され、コンパレータ9の出力端子がスイッチング素子12の制御端子(ゲート)に接続されている。スイッチング素子12は電界効果トランジスタ(FET)で構成されている。
次に、以上のように構成された本実施の形態の非接触データキャリアの動作を説明する。
コイル状アンテナ1aの両端子に印加された搬送波および信号は、整流回路3を介して直流電圧に変換され、電源回路4に供給される。この電源電圧が抵抗11c,11bで分割され、抵抗11cの両端電圧がコンパレータ9の非反転入力端子(+)に印加される。抵抗11cの両端電圧は電源電圧に比例する。コンパレータ9では、その印加電圧がレギュレータ10による基準電圧と比較される。
コイル状アンテナ1aがリーダライタ13に近づき、電圧が上昇して抵抗11cの両端電圧がレギュレータ10で制限される電圧を超えたとき、コンパレータ9の出力は“H”レベルに反転する。その結果、スイッチング素子12がオンとなり、抵抗11dがICチップの負荷抵抗に並列接続され、ICチップ全体のインピーダンスが小さくなってQ値が低くなる。これにより、受給電力が下がり、ICチップへの過電圧印加を防ぐことが可能となる。
(実施の形態2)
上記の実施の形態1では、過電圧が印加された際に二値的にインピーダンスが変化することになるため、受信効率の下げが過剰になる可能性がある。この不都合に対応したのが本発明の実施の形態2である。
上記の実施の形態1では、過電圧が印加された際に二値的にインピーダンスが変化することになるため、受信効率の下げが過剰になる可能性がある。この不都合に対応したのが本発明の実施の形態2である。
図2は本発明の実施の形態2における非接触データキャリアの構成を示す回路図である。図2において、実施の形態1の図1におけるのと同じ符号は同一構成要素を指しているので、詳しい説明は省略する。
本発明の実施の形態2においては、より効率良く電力の受給を行うため、分圧抵抗を複数備え、印加電圧のレベルに応じてインピーダンスを段階的に変化させる。ここでは3段階のインピーダンスのスイッチングを例に説明する。
電源回路4の高電位側電源ラインと低電位側電源ラインとの間に、電源電圧のレベルを複数ステップで検出するための直列接続された抵抗11e,11f,11g,11hが接続されている。また、抵抗11iとスイッチング素子12aの直列接続体と、抵抗11jとスイッチング素子12bの直列接続体と、抵抗11kとスイッチング素子12cの直列接続体も電源回路4の両端間に接続されている。そして、3つのコンパレータ9a,9b,9cが設けられ、それぞれの反転入力端子(−)にレギュレータ10の高電位側端子が接続されている。抵抗11eと抵抗11fの接続点がコンパレータ9aの非反転入力端子(+)に接続され、抵抗11fと抵抗11gの接続点がコンパレータ9bの非反転入力端子(+)に接続され、抵抗11gと抵抗11hの接続点がコンパレータ9cの非反転入力端子(+)に接続されている。コンパレータ9aの出力端子がスイッチング素子12aの制御端子に接続され、同様に、コンパレータ9b,9cの出力端子がそれぞれスイッチング素子12b,12cの制御端子に接続されている。スイッチング素子12a,12b,12cは電界効果トランジスタ(FET)で構成されている。抵抗11e=抵抗11f=抵抗11g=抵抗11hとし、また、抵抗11i=抵抗11j=抵抗11kとする。もっとも、必ずしもこの条件に拘束されるものではない。
整流回路3から電源回路4に印加される電源電圧を一定として、3つのコンパレータ9a,9b,9cの非反転入力端子(+)に印加される電圧の高さの順位は、コンパレータ9a→コンパレータ9b→コンパレータ9cの順である。これに対して、3つのコンパレータ9a,9b,9cの反転入力端子(−)に印加される電圧は互いに等しいものとなっている。
そこで、非接触データキャリアが高出力のリーダライタ13へ次第に近づいていくと、電源電圧が上昇し、各抵抗分割点の電位がそれぞれ上昇する。そして、印加電圧が最も高いコンパレータ9aが最初に感知して“H”レベルに反転し、対応するスイッチング素子12aが導通し、1つ目の抵抗11iが並列接続されて、ICチップ全体のインピーダンスが小さくなってQ値が低くなる。
さらに近づくと、印加電圧が次に高いコンパレータ9bも“H”レベルに反転し、対応するスイッチング素子12bが導通し、2つ目の抵抗11jも並列接続される。このとき、1つ目の抵抗11iの並列接続状態も維持されている。したがって、ICチップ全体のインピーダンスがさらに小さくなってQ値がさらに低くなる。
さらに近づくと、印加電圧が最も低いコンパレータ9cも“H”レベルに反転し、対応するスイッチング素子12cが導通し、3つ目の抵抗11kも並列接続される。このとき、1つ目および2つ目の抵抗11i,11jの並列接続状態も維持されている。したがって、ICチップ全体のインピーダンスがさらに小さくなってQ値がさらに低くなる。
このようにして、インピーダンスを段階的に変化させることで、効率良く過電圧印加を抑制することが可能となる。
(実施の形態3)
図3は本発明の実施の形態3における非接触データキャリアの構成を示す回路図である。図3において、実施の形態1の図1におけるのと同じ符号は同一構成要素を指しているので、詳しい説明は省略する。
図3は本発明の実施の形態3における非接触データキャリアの構成を示す回路図である。図3において、実施の形態1の図1におけるのと同じ符号は同一構成要素を指しているので、詳しい説明は省略する。
電源回路4の高電位側電源ラインと低電位側電源ラインとの間に、ツェナーダイオード14が接続されている。すなわち、ICチップがもつ負荷抵抗と並列に挿入されている。
非接触データキャリアがリーダライタ13に近づいていくに従って、電源電圧が次第に上昇し、ツェナーダイオード14の降伏電圧を上回ると、ツェナーダイオード14が導通する。ツェナーダイオード14の動作抵抗はツェナー電流が大きくなるに従って小さくなるため、ICチップ全体のインピーダンスは連続的に減少する。結果として、実施の形態2よりもきめ細かな制御が可能となる。
本発明にかかる非接触データキャリアは、非接触ICカードや非接触タグ等として有用である。また、電磁誘導を利用して電源を供給する機器についても応用できる。
1a コイル状アンテナ
1b 同調コンデンサ
2 並列共振回路
3 整流回路
4 電源回路
5 受信回路
6 送信回路
7 メモリ
8 制御回路
9,9a,9b,9c コンパレータ
10 レギュレータ
11a,11b,11c,11d,11e,11f,11g,11h,11i,11j,11k 抵抗
12,12a、12b,12c スイッチング素子
13 リーダライタ
14 ツェナーダイオード
1b 同調コンデンサ
2 並列共振回路
3 整流回路
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5 受信回路
6 送信回路
7 メモリ
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9,9a,9b,9c コンパレータ
10 レギュレータ
11a,11b,11c,11d,11e,11f,11g,11h,11i,11j,11k 抵抗
12,12a、12b,12c スイッチング素子
13 リーダライタ
14 ツェナーダイオード
Claims (5)
- リーダライタとの間で無線を介して情報信号の授受を行うとともに、前記リーダライタから受給した無線の電力に基づいて電源電圧を生成するように構成された非接触データキャリアであって、
前記生成された電源電圧のレベルを検知する手段と、
前記検知レベルが基準値を超えるかを判定する手段と、
前記検知レベルが基準値を超えたときに活性化されICチップ全体のインピーダンスを抑制して前記リーダライタからの受給電力を低減する手段とを備えた非接触データキャリア。 - 前記受給電力の低減手段は、抵抗とスイッチング素子の直列回路が前記ICチップの負荷抵抗に並列に接続され、前記検知レベルが前記基準値を超えたときに前記スイッチング素子が導通されるように構成されている請求項1に記載の非接触データキャリア。
- 前記受給電力の低減手段は、抵抗とスイッチング素子の直列回路の複数組がそれぞれ前記ICチップの負荷抵抗に並列に接続され、複数の前記スイッチング素子のそれぞれは互いに異なる複数レベルの基準値に対応し、前記検知レベルが前記各基準値を超えたときに対応するスイッチング素子が導通されるように構成されている請求項1に記載の非接触データキャリア。
- 前記受給電力の低減手段は、前記ICチップの負荷抵抗に並列に接続されたツェナーダイオードで構成されている請求項1に記載の非接触データキャリア。
- 当該非接触データキャリアは、コイル状アンテナと同調コンデンサで構成される並列共振回路と、前記コイル状アンテナで受信した交流信号を直流電圧に変換する整流回路と、前記リーダライタからの情報信号を復調するための受信回路と、前記リーダライタへの応答信号を変調するための送信回路と、情報を格納するメモリと、これらを制御する制御回路と、これらの回路に電源電圧を供給するもので前記整流回路による直流電圧に基づく電源回路とを備え、
前記電源回路内に、前記電源電圧のレベルを検知する手段と、前記検知レベルの判定手段と、前記受給電力の低減手段が設けられている請求項1から請求項4までのいずれかに記載の非接触データキャリア。
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