JP2005255789A - 高分子電解質およびプロトン伝導膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る高分子電解質は、下記一般式(1a)または(1b)で表わされる構成単位を有する重合体からなることを特徴とする。
【化1】
【化2】
(式中、Aは2価の電子吸引性基を示し、Bは2価の電子供与性基または直接結合を示し、Arは芳香族基を示し、Zは酸素原子または硫黄原子を示し、Xは水素原子またはフッ素原子を示し、jは1以上の整数を示し、kは1〜4の整数を示し、lは0〜10の整数を示し、mは1〜10の整数を示し、nは1〜8の整数を示す。)
【選択図】なし
Description
領域にわたって高いプロトン伝導性を有するとともに、耐熱水性および化学的安定性に優れた、スルホン酸基を有する重合体からなる固体高分子電解質および該電解質からなるプロトン伝導膜を提供することにある。
もに、耐熱水性および化学的安定性に優れた固体高分子電解質を提供することができる。
本発明の高分子固体電解質からなるプロトン伝導膜は、例えば一次電池用電解質、二次電池用電解質、燃料電池用高分子固体電解質、表示素子、各種センサ、信号伝達媒体、固体コンデンサ、イオン交換膜などの伝導膜として好適に使用することができる。
本発明に係る高分子電解質は、下記一般式(1a)または(1b)で表わされる構成単位(以下、「構成単位(1a)」または「構成単位(1b)」ともいい、これらを総称して「構成単位(1)」ともいう)と、下記一般式(2)で表わされる構成単位(以下、「構成単位(2)」ともいう)とを有する重合体(以下、「スルホン化ポリアリーレン」ともいう)からなる。
−SO−、−CONH−、−COO−、−(CF2)h−(ここで、hは1〜10の整数である)、−C(CF3)2−などが挙げられる。
−(CH2)−、−C(CH3)2−、−O−、−S−、−CH=CH−、−C≡C―およ
び
ル基のm位の場合、0.06以上、p位の場合、0.01以上の値となる基をいう。
Arは芳香族基を示し、具体的にはフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナンチル基などが挙げられる。これらの基のうち、フェニル基、ナフチル基が好ましい。Zは酸素原子または硫黄原子を示す。Xは水素原子またはフッ素原子を示す。置換基−Z−CnX2nSO3Hは、芳香族基に2個以上置換している場合には、これらの置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
本発明で用いられるスルホン化ポリアリーレンは、上記構成単位(1a)または(1b)を0.5〜100モル%、好ましくは10〜99.999モル%の割合で、上記構成単位(2)を99.5〜0モル%、好ましくは90〜0.001モル%の割合で含有している。
式(3a)および(3b)中、Mは水素原子またはアルカリ金属原子を示し、アルカリ金属原子としては、ナトリウム、カリウム、リチウムなどが挙げられる。
ClCH2SO3Na、ClCH2CH2SO3Na、ClCH2CH2CH2SO3Na、
ClCH2CH2CH2CH2SO3Na、ClCF2SO3Na、ClCF2CF2SO3Na、ClCF2CF2CF2SO3Na、ClCF2CF2CF2CF2SO3Naなどが挙げられる
。
化合物(A)と化合物(B)または化合物(C)との反応は、例えば、下記反応式に示すように(化合物(A)が構成単位(2)と構成単位(3b)とを有する場合を例示)、塩基性条件下で、化合物(A)と化合物(B)または化合物(C)とを溶媒に溶解させて行うことができる。
化水素基である場合、化合物(6)と化合物(7)とを共重合させた後、Raで示される
炭化水素基を除去することにより化合物(A)を得ることができる。
式(6a)および(6b)中、Yはフッ素を除くハロゲン原子(塩素、臭素、ヨウ素)、−OSO2Z(ここで、Zはアルキル基、フッ素置換アルキル基またはアリール基を示
す。)から選ばれる原子または基を示し、Raは水素原子または炭素原子数1〜20の炭
化水素基を示す。
ル基、tert-ブチル基、iso-ブチル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、2−エチルヘキシル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチルメチル基、テトラヒドロフルフリル基、2−メチルブチル基、3,3−ジメチル−2,4−ジオキソランメチル基などの直鎖状炭化水素基、分岐状炭化水素基、脂環式炭化水素基、5員の複素環を有する炭化水素基などが挙げられる。また、炭化水素基は酸素原子や窒素原子、硫黄原子を含んでいてもよい。酸素原子を含む炭化水素基としては、例えば、テトラヒドロ−2−ピラニル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、プロポキシメチル基が例示できる。これらのうち、テトラヒドロ−2−ピラニル基、メトキシメチル基が好ましい。
ハロゲン原子または−OSO2Z(ここで、Zはアルキル基、フッ素置換アルキル基また
はアリール基を示す。)で表される基を示す。Zが示すアルキル基としてはメチル基、エチル基などが挙げられ、フッ素置換アルキル基としてはトリフルオロメチル基などが挙げられ、アリール基としてはフェニル基、p−トリル基などが挙げられる。なお、R1〜R8、W、Tおよびpは、それぞれ上記一般式(2)中のR1〜R8、W、Tおよびpと同義である。
ロロ安息香酸−4−クロロフェニル、ビス(4−クロロフェニル)スルホキシド、ビス(4−クロロフェニル)スルホン、2,6−ジクロロベンゾニトリル、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレンが挙げられる。これらの化合物において塩素原子が臭素原子またはヨウ素原子に置き換わった化合物、さらにこれらの化合物において4位に置換したハロゲン原子の少なくとも1つ以上が3位に置換した化合物などが挙げられる。
オロプロピル〕ジフェニルエーテル、4,4'−ビス〔(4−クロロフェニル)テトラフルオロエチル〕ジフェニルエーテル、これらの化合物において塩素原子が臭素原子またはヨウ素原子に置き換わった化合物、さらにこれらの化合物において4位に置換したハロゲン
原子が3位に置換した化合物、さらにこれらの化合物においてジフェニルエーテルの4位に置換した基の少なくとも1つが3位に置換した化合物などが挙げられる。
クロロベンゾイル)フェノキシ}フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロ
パン、ビス[4−{4−(4−クロロベンゾイル)フェノキシ}フェニル]スルホン、および下記式で表される化合物などが挙げられる。
まず、電子吸引性基で連結されたビスフェノールを、対応するビスフェノールのアルカリ金属塩とするために、N−メチル−2−ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、スルホラン、ジフェニルスルホン、ジメチルスルホキサイドなどの誘電率の高い極性溶媒中でリチウム、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属、水素化アルカリ金属、水酸化アルカリ金属、アルカリ金属炭酸塩などを加える。
(3−ニトロ−4−クロロフェニル)スルホン、2,6−ジクロロベンゾニトリル、2,6−ジフルオロベンゾニトリル、ヘキサフルオロベンゼン、デカフルオロビフェニル、2,
5−ジフルオロベンゾフェノン、1,3−ビス(4−クロロベンゾイル)ベンゼンなどを
反応させる。反応性から言えば、フッ素化合物が好ましいが、次の芳香族カップリング反応を考慮した場合、末端が塩素原子となるように芳香族求核置換反応を組み立てる必要がある。
また、特開平2−159号公報に記載のように求核置換反応と親電子置換反応とを組み合わせて、目的の電子吸引性基および電子供与性基からなる屈曲性化合物を合成してもよい。
基とを組み合わせた化合物、具体的には2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ケト
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホンなどのビスフェノールのアルカリ
金属塩と、過剰の4,4−ジクロロベンゾフェノン、ビス(4−クロロフェニル)スルホンなどの活性芳香族ハロゲン化合物との置換反応を、N−メチル−2−ピロリドン、N,N
−ジメチルアセトアミド、スルホランなどの極性溶媒の存在下で前記単量体の合成手法に順次重合して得られる。このような化合物の例示としては、下記式で表される化合物などを挙げることができる。
上記化合物(A)は、化合物(6)と化合物(7)とを触媒の存在下に反応させることにより合成されるが、この際使用される触媒は、遷移金属化合物を含む触媒系であり、この触媒系としては、(i)遷移金属塩および配位子となる化合物(以下、「配位子成分」という。)、または配位子が配位された遷移金属錯体(銅塩を含む)、および(ii)還元剤を必須成分とし、さらに、重合速度を上げるために、「塩」を添加してもよい。
シクロオクタジエン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパンなどが挙げられる
。これらのうち、トリフェニルホスフィン、2,2'−ビピリジンが好ましい。上記配位子成分である化合物は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
ロオクタジエン)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスファイト)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムなどが挙げられる。これらのうち、塩化ニッケルビス(トリフェニルホスフィン)、塩化ニッケル(2,2'−ビピリジン)が好ましい。
メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、γ
−ブチロラクトン、N,N'−ジメチルイミダゾリジノンなどが挙げられる。これらのうち、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N,N'−ジメチルイミダゾリジノンが好ましい。これらの重合溶媒は十分に乾燥してから用いることが好ましい。
また、重合する際の重合温度は、通常0〜200℃、好ましくは50〜120℃である。また、重合時間は、通常0.5〜100時間、好ましくは1〜40時間である。
このようにして得られるスルホン化ポリアリーレンの分子量は、ゲルパーミエションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量で、1万〜100万、好ましくは2万〜80万である。
−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 259
)、2,4−ビス−(n−オクチルチオ)−6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブチルアニリノ)−3,5−トリアジン(商品名:IRGANOX 565)、ペンタエリスリチルーテトラキス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 1010)、2,2−チオ−ジエチレンビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 1035)、オクタデシル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)(商品名:IRGANOX
1076)、N,N−ヘキサメチレンビス(3,5−ジ−t−ブチルー4−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド)(IRGAONOX 1098)、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン(商品名:IRGANOX 1330)、トリス−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト(商品名:IRGANOX 3114)、3,9−ビス[2−〔3−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチ
ルフェニル)プロピオニルオキシ〕−1,1−ジメチルエチル]−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカン(商品名:Sumilizer GA-80)などを挙げることができる。上記ヒンダードフェノール系化合物は、スルホン化ポリアリーレン100重量部に対して0.01〜10重量部の量で使用することが好ましい。
0〜75重量%(ただし、合計は100重量%)の組成の混合物が用いられる。アルコールの量が上記範囲内にあると、溶液粘度を下げる効果に優れる。
流れてしまうことがある。一方、100,000mPa・sを超えると、粘度が高過ぎて
、ダイからの押し出しができず、流延法によるフィルム化が困難となることがある。
上記のように未乾燥フィルムを水に浸漬した後乾燥すると、残存溶媒量が低減されたプロトン伝導膜が得られるが、このようにして得られるプロトン伝導膜の残存溶媒量は通常5重量%以下である。また、浸漬条件によっては、得られるプロトン伝導膜の残存溶媒量を1重量%以下とすることができる。このような条件としては、例えば未乾燥フィルムと水との接触比を、未乾燥フィルム1重量部に対し、水が50重量部以上、浸漬する際の水の温度を10〜60℃、浸漬時間を10分〜10時間とする方法がある。
本発明のプロトン伝導膜は、例えば、一次電池用電解質、二次電池用電解質、燃料電池用高分子固体電解質、表示素子、各種センサー、信号伝達媒体、固体コンデンサー、イオン交換膜などに用いられるプロトン伝導膜として利用可能である。
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、本実施例における、各測定項目は下記のようにして求めた。また、各種測定に用いたポリマーフィルム(膜試料)は、各実施例で得られたスルホン酸基を有するポリアリーレンをN−メチルピロリドンに18%の濃度で溶解させた後、キャスティング法によって製造した膜厚40μmのフィルムである。
得られたスルホン化ポリアリーレンの水洗水が中性になるまで洗浄し、フリーに残存している酸を除いて充分に水洗し、乾燥後、所定量を秤量し、THF/水の混合溶剤に溶解したフェノールフタレインを指示薬とし、NaOHの標準液を用いて滴定を行い、中和点からスルホン酸当量を求めた。
交流抵抗は、5mm幅の短冊状のプロトン伝導膜試料の表面に、白金線(φ=0.5mm)を押し当て、恒温恒湿装置中に試料を保持し、白金線間の交流インピーダンス測定から求めた。すなわち、85℃、相対湿度90%の環境下で、交流10kHzにおけるインピーダンスを測定した。抵抗測定装置として、(株)NF回路設計ブロック製のケミカルインピーダンス測定システムを用い、恒温恒湿装置には、(株)ヤマト科学製のJW241を使用した。白金線は、5mm間隔に5本押し当てて、線間距離を5〜20mmに変化させ、交流抵抗を測定した。線間距離と抵抗の勾配から、膜の比抵抗を算出し、比抵抗の逆数から交流インピーダンスを算出し、このインピーダンスからプロトン伝導度を算出した。
比抵抗R(Ω・cm)=0.5(cm)×膜厚(cm)×抵抗線間勾配(Ω/cm)
3.熱分解開始温度
TGA(チッ素雰囲気下、20℃/分の昇温速度)から、スルホン化ポリアリーレンの分解が開始した温度を、熱分解開始温度(℃)とした。
厚さ40μmの膜試料(スルホン化ポリマーフィルム)を95℃の熱水に48時間浸漬し、浸漬前の該フィルムの重量に対する浸漬後の該フィルムの重量の割合を重量保持率(%)とした。
過酸化水素水を純水で濃度3%に希釈し、ここに硫酸鉄を鉄イオン(Fe2+)濃度が20ppmとなるように溶解させた。この溶液に一定の大きさの膜試料(スルホン化ポリマーフィルム)を浸漬し、45℃で20時間静置した。浸漬前の該フィルムの重量に対する浸漬後の該フィルムの重量の割合を重量保持率(%)とした。
本実施例のポリアリーレンの重量平均分子量および数平均分子量は、溶剤としてテトラヒドロフラン(THF)を用い、GPCによって測定されたポリスチレン換算の分子量である。
下記化学式(A1−1)で表わされる化合物37.5g(100mmol)、2H−ジ
ヒドロピラン100g(1200mmol)、トルエン100mLをフラスコに入れ、これを攪拌しながら、陽イオン交換樹脂(アンバーリスト15)1.5gを加え、室温で5時間攪拌を続けた後、濾過により陽イオン交換樹脂を除去した。次いで、得られた濾液を水酸化ナトリウム水溶液および食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去した。得られた固形物をトルエンで再結晶し、下記化学式(A1−2)で表わされ
る化合物24.5g(収率45%)を得た。
ヒドロ−2−ピラニル基を有することを確認でき、その構造は化合物(A’−1)であると推定された。
2,5−ジクロロフェノール16.3g(100mmol)、2H−ジヒドロピラン100g(1200mmol)、トルエン100mLをフラスコに入れ、これを攪拌しながら、陽イオン交換樹脂(アンバーリスト15)1.5gを加え、室温で5時間攪拌を続けた後、濾過により陽イオン交換樹脂を除去した。次いで、得られた濾液を水酸化ナトリウム水溶液および食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去した。得られた固形物をトルエンで再結晶し、下記化学式(A3−2)で表わされる化合物12.
2g(収率47%)を得た。
ドロ−2−ピラニル基を有することを確認でき、その構造は化合物(A’−2)であると推定された。
Claims (3)
- 下記一般式(1a)または(1b)で表わされる構成単位と、下記一般式(2)で表わされる構成単位とを有する重合体からなることを特徴とする高分子電解質。
- スルホン酸基量が0.5〜3meq/gであることを特徴とする請求項1に記載の高分子電解質。
- 請求項1または2に記載の高分子電解質からなることを特徴とするプロトン伝導膜。
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