JP2005120030A - 9,9−ジフェニルフルオレン化合物、および該9,9−ジフェニルフルオレン化合物を含有する有機電界発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物。
【化1】
〔式中、R1〜R3は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、あるいはアラルキル基等を表し、Z1〜Z6はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アリール基、あるいはアラルキル基等を表し、Z7は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、あるいはアラルキル基を表す。また、Z1〜Z6は互いに結合して環を形成していてもよい。〕
【選択図】なし
Description
有機電界発光素子は蛍光性有機化合物を含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持した構造を有し、該薄膜に電子および正孔(ホール)を注入して、再結合させることにより励起子(エキシントン)を生成させ、この励起子が失活する際に放出される光を利用して発光する素子である〔非特許文献1〕。有機電界発光素子は、数V〜数十V程度の直流の低電圧で発光が可能であり、種々の発光素子、表示素子等への応用が期待されている。しかしながら、一般に、発光輝度が低く、発光寿命が短いため実用上充分ではない。
発光輝度及び発光寿命を向上させる方法として、例えばフルオレン化合物を用いた有機電界発光素子提案されている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。しかしながら、これらの発光素子も充分満足できる発光輝度、発光寿命を有しているとは言いがたく、現在では、一層改良された新規な化合物が望まれている。
Appl.Phys.lett.,51,913(1987)
<2>:一対の電極間に、一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物を少なくとも1種含有する層を少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子、
<3>:一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物を含有する層が、発光層である<2>記載の有機電界発光素子、
<4>:一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物を含有する層が、正孔注入輸送層である<2>記載の有機電界発光素子、
<5>:一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送層を有する<2>、<3>および<4>に記載の有機電界発光素子、
<6>:一対の電極間に、さらに、電子注入輸送層を有する<2>〜<5>のいずれかに記載の有機電界発光素子、
に関するものである。
本発明の9,9−ジフェニルフルオレン化合物は一般式(1)で表される化合物である。
R1〜R3は好ましくは、水素原子、炭素数1〜16の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、炭素数3〜25の置換または未置換のアリール基、あるいは炭素数5〜16の置換または未置換のアラルキル基であり、より好ましくは、水素原子、炭素数1〜10の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、炭素数6〜12の置換または未置換のアリール基、あるいは炭素数7〜12の置換または未置換のアラルキル基であり、さらに好ましくは、水素原子、炭素数1〜8の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、炭素数6〜10の置換または未置換のアリール基、あるいは炭素数7〜10の置換または未置換のアラルキル基である。
一般式(1)で表される化合物において、Z1〜Z6としては、好ましくは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜16の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、炭素数1〜16の直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基、未置換のアミノ基、炭素数1〜24の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基で置換されたアミノ基、炭素数6〜25の置換または未置換のアリール基で置換されたアミノ基、あるいは炭素数5〜16の置換または未置換のアラルキル基で置換されたアミノ基、炭素数6〜25の置換または未置換のアリール基、あるいは炭素数5〜16の置換または未置換のアラルキル基であり、より好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、炭素数1〜10の直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基、炭素数6〜17の置換または未置換のアリール基で置換されたアミノ基、あるいは炭素数6〜17の置換または未置換のアラルキル基で置換されたアミノ基、炭素数6〜12の置換または未置換のアリール基、あるいは炭素数6〜12の置換または未置換のアラルキル基であり、さらに好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、炭素数1〜8の直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基、炭素数6〜13の置換または未置換のアリール基で置換されたアミノ基、炭素数6〜10の置換または未置換のアリール基、あるいは炭素数7〜10の置換または未置換のアラルキル基である。
一般式(1)で表される化合物において、R1〜R3の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、n−ヘキシル基、1−メチルペンチル基、4−メチル−2−ペンチル基、2−エチルブチル基、n−ヘプチル基、1−メチルヘキシル基、n−オクチル基、1−メチルヘプチル基、2−エチルヘキシル基、2−プロピルペンチル基、n−ノニル基、2,2−ジメチルヘプチル基、2,6−ジメチル−4−ヘプチル基、3,5,5−トリメチルヘキシル基、n−デシル基、1−エチルオクチル基、n−ウンデシル基、1−メチルデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、1−ヘキシルヘプチル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、1−ヘプチルオクチル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、1−オクチルノニル基、n−オクタデシル基、1−ノニルデシル基、1−デシルウンデシル基、n−エイコシル基、n−ドコシル基、n−テトラコシル基、シクロヘキシルメチル基、(1−イソプロピルシクロヘキシル)メチル基、2−シクロヘキシルエチル基、ボルネル基、イソボルネル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルナンメチル基、1−ビシクロ〔2.2.2〕オクチル基、1−アダマンチル基、3−ノルアダマンチル基、1−アダマンチルメチル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、1−メチルシクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、3−メチルシクロヘキシル基、2−メチルシクロヘキシル基、2,3−ジメチルシクロヘキシル基、2,5−ジメチルシクロヘキシル基、2,6−ジメチルシクロヘキシル基、3,4−ジメチルシクロヘキシル基、3,5−ジメチルシクロヘキシル基、
4−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、2−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、3−エチルフェニル基、2−エチルフェニル基、4−n−プロピルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、4−n−ブチルフェニル基、4−イソブチルフェニル基、4−sec −ブチルフェニル基、2−sec −ブチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、3−tert−ブチルフェニル基、2−tert−ブチルフェニル基、4−n−ペンチルフェニル基、4−イソペンチルフェニル基、4−tert−ペンチルフェニル基、4−n−ヘキシルフェニル基、4−n−ヘプチルフェニル基、4−n−オクチルフェニル基、4−(2’−エチルヘキシル)フェニル基、4−tert−オクチルフェニル基、4−n−ノニルフェニル基、4−n−デシルフェニル基、4−n−ドデシルフェニル基、4−n−テトラデシルフェニル基、4−n−ヘキサデシルフェニル基、
一般式(1)で表される化合物において、Z1〜Z7の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基の具体例としては、R1〜R3の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基の具体例として挙げた直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を挙げることができる。
一般式(1)で表される化合物において、Z1〜Z7の直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基の具体例としては、例えば、R1〜R3の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基の具体例として挙げた直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を含む直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基を挙げることができる。
一般式(1)で表される化合物において、Z1〜Z7の置換または未置換のアラルキル基の具体例としては、R1〜R3の置換または未置換のアラルキル基の具体例として挙げた置換または未置換のアラルキル基を挙げることができる。
本発明に係る一般式(1)で表される9,9―ジフェニルフルオレン化合物の具体例としては、例えば、以下に示す化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
すなわち、一般式(A)で表される9,9−ジフェニルフルオレン誘導体と一般式(B)で表されるハロゲノフルオレン誘導体をパラジウム触媒[例えば、酢酸パラジウム/トリ-tert-ブチルホスフィン、酢酸パラジウム/トリフェニルホスフィン、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム/トリ-tert-ブチルホスフィン]及び塩基(例えば、ナトリウムーtert-ブトキシド、炭酸カリウム、炭酸セシウム、カリウムーtert-ブトキシド)の存在下に反応させることにより製造することができる。
尚、一般式(A)で表される化合物は、例えば、以下の工程(化25)により製造することができる。
すなわち、一般式(C)で表されるフルオレノン誘導体とグリニャール試薬を反応させ、一般式(D)で表される化合物を製造後、アニリン誘導体および酸〔例えば、p−トルエンスルホン酸、酢酸、35%塩酸水溶液、50%硫酸水溶液〕と混合し、加熱することで一般式(E)で表される化合物を得る。この一般式(E)で表される9,9−ジフェニルフルオレン誘導体とR3−Xで表わされるハロゲン化合物を、パラジウム触媒[例えば、酢酸パラジウム/トリ-tert-ブチルホスフィン、酢酸パラジウム/トリフェニルホスフィン、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム/トリ-tert-ブチルホスフィン、1,1−ビス(ジフェニルフォスフィノフェロセン)パラジウム ジクロロメタン錯体/1,1−ビス(ジフェニルフォスフィノフェロセン)]、及び塩基(例えば、ナトリウムーtert-ブトキシド、炭酸カリウム、炭酸セシウム、カリウムーtert-ブトキシド)の存在下に反応させることにより、一般式(A)で表される9,9−ジフェニルフルオレン誘導体を製造することができる。
また、一般式(B)で表されるハロゲンノフルオレン誘導体は、例えば、下記の工程(化26)に従い製造することができる。
すなわち、[1―1]R1およびR2が同一の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基もしくは置換または未置換のアラルキル基の場合:一般式(F)で表されるフルオレン誘導体とR1―XまたはR2―Xで表されるハロゲン化物を塩基(例えば、n−ブチルリチウム、水酸化ナトリウム、水素化ナトリウム)存在下、作用させることで一般式(J)で表される化合物を製造できる。
[1―2]R1およびR2が異なる直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基もしくは置換または未置換のアラルキル基の場合:一般式(F)で表されるフルオレン誘導体とR1―Xで表されるハロゲン化物を塩基(例えば、n−ブチルリチウム、水酸化ナトリウム、水素化ナトリウム)存在下、作用させることで一般式(G)で表される化合物を製造できる。同様にして塩基存在下、一般式(G)で表される化合物とR2―Xで表されるハロゲン化物を作用させることで一般式(J)で表されるフルオレン誘導体を得る。
[2]R1もしくはR2が置換または未置換のアリール基の場合:一般式(H)で表されるフルオレノン誘導体とグリニャール試薬を反応させ、一般式(K)で表される化合物を製造後、置換基R2―Hで表される芳香族化合物と酸〔例えば、p−トルエンスルホン酸、酢酸、35%塩酸水溶液、50%硫酸水溶液〕との混合物とし、加熱することで一般式(J)で表されるフルオレン誘導体を得る。一般式(J)で表されるフルオレン誘導体を銅化合物[例えば、銅粉、塩化銅、ヨウ化銅]及び塩基(例えば、ナトリウムーtert-ブトキシド、炭酸カリウム、炭酸セシウム、カリウムーtert-ブトキシド)の存在下、Z1―Hに反応させることにより、一般式(B)で表されるハロゲノフルオレン誘導体を製造することができる。
例えば、発光層に使用する化合物の正孔注入機能、正孔輸送機能および/または電子注入機能、電子輸送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層および/または電子注入輸送層を兼ねた型の素子構成として一層型の素子構成とすることができる。また、発光層が正孔注入機能および/または正孔輸送機能に乏しい場合には発光層の陽極側に正孔注入輸送層を設けた二層型の素子構成、発光層が電子注入機能および/または電子輸送機能に乏しい場合には発光層の陰極側に電子注入輸送層を設けた二層型の素子構成とすることができる。さらには発光層を正孔注入輸送層と電子注入輸送層で挟み込んだ構成の三層型の素子構成とすることも可能である。
本発明の有機電界発光素子において一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物は、正孔注入輸送層および/または発光層の構成成分として使用することが好ましく、正孔注入輸送層の構成成分として使用することがより好ましい。
本発明の有機電界発光素子において、一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物は、単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。
本発明の有機電界発光素子は基板1に支持されていることが好ましく、基板としては、特に限定されるものではないが、透明ないし半透明である基板が好ましく、材質としては、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス等のガラスおよびポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の透明性高分子が挙げられる。また、半透明プラスチックシート、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わせた複合シートからなる基板を使用することもできる。さらに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロールすることもできる。
陽極2としては、仕事関数の比較的大きい金属、合金または導電性化合物を電極材料として使用することが好ましい。陽極に使用する電極材料としては、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化インジウム(In2O3)、酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛、ITO(インジウム・チン・オキサイド:Indium Tin Oxide)、ポリチオフェン、ポリピロールなどを挙げることができる。これらの電極材料は単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
陽極は、これらの電極材料を、例えば、蒸着法、スパッタリング法等の方法により、基板の上に形成することができる。
陽極の厚みは使用する電極材料の材質にもよるが、一般に、5〜1000nm程度、より好ましくは、10〜500nm程度に設定する。
正孔注入輸送層3は、陽極からの正孔(ホール)の注入を容易にする機能、および注入された正孔を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。
正孔注入輸送層は、一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物、または他の正孔注入輸送機能を有する化合物(例えば、フタロシアニン誘導体、トリアリールアミン誘導体、トリアリールメタン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾールなど)を少なくとも1種使用して形成することができる。
正孔注入輸送機能を有する化合物は、単独で使用してもよく、または複数併用してもよい。
発光層4は、正孔および電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する化合物を含有する層である。
発光層は、一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物をホスト材料として、一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物以外の発光機能を有する化合物を少なくとも1種ゲスト材料として使用して形成することができ、また一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物以外の発光機能を有する化合物を少なくとも1種ホスト材料として、一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物をゲスト材料として使用して形成することもできる。
一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物以外の発光機能を有する化合物(ゲスト材料・ホスト材料)としては、例えば、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、多環芳香族化合物〔例えば、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカサイクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、9,10−ジフェニルアントラセン、9,10−ビス(フェニルエチニル)アントラセン、1,4−ビス(9’−エチニルアントセニル)ベンゼン、4,4’−ビス(9”−エチニルアントラセニル)ビフェニル、ジベンゾ[f,f]ジインデノ[1,2,3-cd:1',2',3'-lm]ペリレン誘導体〕、トリアリールアミン誘導体(例えば、正孔注入輸送機能を有する化合物として前述した化合物を挙げることができる)、有機金属錯体〔例えば、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(10−ベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム、2−(2’−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールの亜鉛塩、4−ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩、3−ヒドロキシフラボンの亜鉛塩、5−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、5−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩〕、スチルベン誘導体〔例えば、1,1,4,4−テトラフェニル−1,3−ブタジエン、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル、
一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物をホスト材料として、他の発光機能を有する化合物(ゲスト材料)と併用する場合、発光層中に占める一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物の含有率は、好ましくは、99.9〜80質量%であり、より好ましくは、99〜90質量%である。
ホスト材料は、単独で使用してもよく、複数併用してもよい。
また、ゲスト材料は単独で使用してもよく、複数併用してもよい。
ホスト材料を複数併用する場合、本発明の一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物のホスト材料全体に占める割合は、好ましくは、99〜10質量%であり、より好ましくは90〜20質量%である。
電子注入輸送層5は、陰極からの電子の注入を容易にする機能および/または注入された電子を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。
電子注入輸送層に使用される電子注入機能を有する化合物としては、例えば、有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体などを挙げることができる。また、有機金属錯体としては、例えば、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、ビス(10−ベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム等の有機ベリリウム錯体、5−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、5−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩等を挙げることができる。好ましくは、有機アルミニウム錯体であり、より好ましくは、置換または未置換の8−キノリノラート配位子を有する有機アルミニウム錯体である。 置換または未置換の8−キノリラート配位子を有する有機アルミニウム錯体としては、例えば、一般式(a)〜一般式(c)で表される化合物を挙げることができる。
(式中、Qは置換または未置換の8−キノリノラート配位子を表す)
(Q)2−Al−O−L’ (b)
(式中、Qは置換または未置換の8−キノリノラート配位子を表し、O−L’はアリールオキシ配位子を表し、L’は炭素数6〜24のアリール基を表す)
(Q)2−Al−O−Al−(Q)2 (c)
(式中、Qは置換または未置換の8−キノリノラート配位子を表す)
置換または未置換の8−キノリノラート配位子を有する有機アルミニウム錯体の具体例としては、例えば、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(3,4−ジメチル−8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(4,5−ジメチル−8−キノリノラート)アルミニウム、トリス(4,6−ジメチル−8−キノリノラート)アルミニウム、
ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(フェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2−メチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(3−メチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(4−メチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(3−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(4−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2,3−ジメチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2,6−ジメチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(3,4−ジメチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(3,5−ジメチルフェノラート)アルミニウム、
陰極6としては、比較的仕事関数の小さい金属、合金または導電性化合物を電極材料として使用することが好ましい。陰極に使用する電極材料としては、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシム−インジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄を挙げることができる。これらの電極材料は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。
陰極はこれらの電極材料を、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオン蒸着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法により電子注入輸送層の上に形成することができる。
また、陰極は一層構造であってもよく、多層構造であってもよい。陰極のシート電気抵抗は数百Ω以下とするのが好ましい。陰極の厚みは、使用する電極材料にもよるが、通常5〜1000nm、好ましくは、10〜500nmとする。本発明の有機電界発光素子の発光を効率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極は、透明ないし半透明であることが好ましく、一般に、発光光の透過率が70%以上となるように陽極または陰極の材料、厚みを設定することが好ましい。
一重項酸素クエンチャーが含有されている層としては、特に限定されるものではないが、好ましくは、発光層または正孔注入輸送層であり、より好ましくは、正孔注入輸送層である。尚、正孔注入輸送層に一重項酸素クエンチャーを含有させる場合、正孔注入輸送層中に均一に含有させてもよく、正孔注入輸送層と隣接する層(例えば、発光層、発光機能を有する電子注入輸送層)の近傍に含有させてもよい。
一重項酸素クエンチャーの含有量としては、含有される層(例えば、正孔注入輸送層)を構成する全体量の0.01〜50質量%、好ましくは、0.05〜30質量%、より好ましくは、0.1〜20質量%である。
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の形成方法に関しては、特に限定されるものではなく、例えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法(例えば、スピンコート法、キャスト法、デイップコート法、バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロジェット法、インクジェット法)を使用することができる。真空蒸着法により正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成する場合、真空蒸着の条件は、特に限定されるものではないが、通常、10−5Torr程度以下の真空下で、50〜500℃程度のボート温度(蒸着源温度)、−50〜300℃程度の基板温度で、0.005〜50nm/sec程度の蒸着速度で実施することが好ましい。この場合、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層は、真空下で、連続して形成することが好ましい。連続で形成することにより諸特性に優れた有機電界発光素子を製造することが可能となる。真空蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を、複数の化合物を使用して形成する場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して、共蒸着することが好ましい。
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常、5nm〜5μmとする。
また、本発明の有機電界発光素子は、電極に保護膜として金属酸化物膜(例えば、酸化アルミニウム膜)、金属フッ化膜を設けることもできる。
本発明の有機電界発光素子は、陽極の表面に界面層(中間層)を設けることもできる。界面層の材質としては、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体等を挙げることができる。
さらに、電極、例えば、陽極はその表面を、酸、アンモニア/過酸化水素、あるいはプラズマで処理して使用することもできる。
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
[1]:2−ブロモ−9、9−ジメチルフルオレンの製造
2−ブロモフルオレン49g(0.20mol)のN,N-ジメチルホルムアミド(100ml)溶液に、水素化ナトリウム16g(40%流動パラフィン添加物、0.40mol)を添加した。25℃で1時間攪拌後、ヨードメチル57g(0.40mol)を25℃で滴下した。25℃で6時間攪拌後、水200gを添加し3時間攪拌した。析出した結晶をろ別後、水洗し、粗結晶47.2gを得た。さらに、粗結晶をイソプロパノール500mlで再結晶し、43.1gの2−ブロモ−9、9−ジメチルフルオレンを得た。
[2]:9−ヒドロキシー9−フェニルフルオレンの製造
9−フルオレノン160g(0.89mol)のテトラヒドロフラン(800ml)溶液にフェニルマグネシウムブロマイド750g(32%テトラヒドロフラン溶液、1.33mol)を0℃で滴下した。8時間25℃で攪拌後、10%塩酸水溶液(300ml)を添加した。有機層を分離、濃縮し残渣を酢酸エチル1Lに溶解した。水洗後、硫酸マグネシウムにより乾燥し、濃縮することで粗結晶196gを得た。これをヘキサン500mlで洗浄することで9−ヒドロキシー9−フェニルフルオレン185gを得た。
[3]:9−フェニルー9−(4’−アミノフェニル)フルオレンの製造
9−ヒドロキシー9−フェニルフルオレン60g(0.22mol)、アニリン123g(1.58mol)、35%塩酸水溶液250mlの酢酸(500ml)溶液を100℃で8時間攪拌した。冷却後、水200mlを添加し、析出した結晶をろ別し、結晶を酢酸エチル1Lに溶解した。20%水酸化ナトリウム水溶液300mlを添加し、25℃で1時間攪拌後、有機層を分離し、水洗した。硫酸マグネシウムにより乾燥し、濃縮することで9−フェニルー9−(4’−アミノフェニル)フルオレン53gを得た。
[4]:例示化合物4の製造
9−フェニルー9−(4’−アミノフェニル)フルオレン20g(0.06mol)、1,1−ビス(ジフェニルフォスフィノフェロセン)パラジウム ジクロロメタン錯体0.24g、1,1−ビス(ジフェニルフォスフィノフェロセン)0.53g、ナトリウムーtert-ブトキシド6.9g(0.07mol)、2−ブロモ−9、9−ジメチルフルオレン19.1g(0.07mol)のテトラヒドロフラン(48ml)溶液を80℃で3時間攪拌した。25℃まで冷却後、酢酸エチル700ml、水100mlを添加し、有機層を分離した。硫酸マグネシウムにより乾燥し、濃縮することで粗結晶27.8gを得た。さらに、粗結晶をイソプロパノール300mlで再結晶することで目的とする例示化合物4を無色の結晶として24.6gを得た。
例示化合物4 4.73g(0.009mol)、ヨードベンゼン1.84g(0.009mol)、酢酸パラジウム0.004g(0.002mol)、トリ-tert-ブチルホスフィン0.1ml、ナトリウムーtert-ブトキシド1.27g(0.014mol)のキシレン(50ml)溶液を110℃で3時間攪拌した。冷却後、トルエン(500ml)、水(100ml)を添加し、有機層を分離した。硫酸マグネシウムにより乾燥し、濃縮することで粗結晶4.65gを得た。粗結晶をメタノール100mlで洗浄後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液:トルエン)で精製し、トルエンで再結晶することで目的とする例示化合物11の化合物を無色の結晶として3.98gを得た。さらにこの化合物を360℃、2×10−4Paで昇華精製した。
実施例2においてヨードベンゼン1.84g(0.009mol)を使用する代わりに、1−ヨードナフタレン2.29g(0.009mol)を使用した以外は実施例2に記載の操作に従い、例示化合物12の化合物を無色の結晶として2.76g得た。さらにこの化合物を385℃、2×10−4Paで昇華精製した。
[1]:7−クロロー2−ヨード−9,9−ジメチルフルオレンの製造
7−クロロー2−ヨードフルオレン6.52g(0.02mol)をN,N-ジメチルホルムアミド100mlに溶解し、この溶液に、水素化ナトリウム1.6g(40%流動パラフィン添加物、0.04mol)を添加した。25℃で1時間攪拌後、ヨードメチル5.68g(0.04mol)を25℃で滴下した。25℃で6時間攪拌後、水200gを添加し3時間攪拌した。析出した結晶をろ別後、水洗し、粗結晶5.60gを得た。さらに、粗結晶をイソプロパノール50mlで再結晶し、4.74gの7−クロロー2−ヨード−9,9−ジメチルフルオレンを得た。
[2]:7−クロロー2−N、 N−ジフェニルアミノ−9,9−ジメチルフルオレンの製造
7−クロロー2−ヨード−9,9−ジメチルフルオレン25g(0.07mol)、ヨウ化銅(I)0.5g(0.05mol)、N、 N−ジフェニルアミン12g(0.07mol)、炭酸カリウム12.4g(0.08mol)、o−ジクロロベンゼン78mlを170℃で6時間加熱した。反応液をトルエン100mlで希釈後、ろ別し、ろ液を濃縮し粗結晶15.3gを得た。さらに、粗結晶をメチルセロソルブ30mlで再結晶し、5.60gの7−クロロー2−N、 N−ジフェニルアミノ−9,9−ジメチルフルオレンを得た。
[3]:9−フェニルー9−(N―フェニルー4’−アミノフェニル)フルオレンの製造
9−フェニルー9−(4’−アミノフェニル)フルオレン20g(0.06mol)、1,1−ビス(ジフェニルフォスフィノフェロセン)パラジウム ジクロロメタン錯体0.24g、1,1−ビス(ジフェニルフォスフィノフェロセン)0.53g、ナトリウムーtert-ブトキシド6.9g(0.07mol)、ブロモベンゼン10.4g(0.07mol)のテトラヒドロフラン(48ml)溶液を80℃で3時間攪拌した。25℃まで冷却後、酢酸エチル700ml、水100mlを添加し、有機層を分離した。硫酸マグネシウムにより乾燥し、濃縮することで粗結晶30.2gを得た。さらに、粗結晶をイソプロパノール300mlで再結晶し、9−フェニルー9−(N―フェニルー4’−アミノフェニル)フルオレン16.4gを得た。
[4]:例示化合物31の製造
9−フェニルー9−(N―フェニルー4’−アミノフェニル)フルオレン3.85g(0.009mol)、7−クロロー2−(N、 N−ジフェニル)アミノ−9,9−ジメチルフルオレン3.56g(0.009mol)、酢酸パラジウム0.004g(0.002mol)、トリ-tert-ブチルホスフィン0.1g(0.005mol)、ナトリウムーtert-ブトキシド2.7g(0.014mol)のキシレン(50ml)溶液を110℃で3時間攪拌した。冷却後、トルエン(500ml)、水(100ml)を添加し、有機層を分離した。硫酸マグネシウムにより乾燥し、濃縮することで粗結晶5.3gを得た。粗結晶をメタノール100mlで洗浄後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液:トルエン)で精製し、トルエンで再結晶することで目的とする例示化合物31の化合物を無色の結晶として1.8gを得た。さらにこの化合物を390℃、2×10−4Paで昇華精製した。
実施例4の[4]において、7−クロロー2−(N、 N−ジフェニル)アミノ−9,9−ジメチルフルオレン3.56g(0.009mol)を使用する代わりに、7−クロロー2−[N−フェニルーN−(1’―ナフチル)]アミノ−9,9−ジメチルフルオレン4g(0.009mol)を使用した以外は、実施例4の[4]に記載の操作に従い、例示化合物32の化合物を無色の結晶として1.77g得た。さらにこの化合物を380℃、2×10−4Paで昇華精製した。
実施例4の[4]において、7−クロロー2−(N、 N−ジフェニル)アミノ−9,9−ジメチルフルオレン3.56g(0.009mol)を使用する代わりに、7−クロロー2−(N−カルバゾリル)−9,9−ジメチルフルオレン3.54g(0.009mol)を使用した以外は、実施例4の[4]に記載の操作に従い、例示化合物33の化合物を無色の結晶として2.60g得た。さらにこの化合物を350℃、2×10−4Paで昇華精製した。
[1] :7−クロロー2−ヨードー9−ヒドロキシー9−フェニルフルオレンの製造
7−クロロー2−ヨードー9−フルオレノン160g(0.47mol)のテトラヒドロフラン(800ml)溶液にブロモフェニルマグネシウム400g(32%テトラヒドロフラン溶液、0.71mol)を0℃で滴下した。8時間25℃で攪拌後、10%塩酸水溶液(300ml)を添加した。有機層を分離、濃縮し残渣を酢酸エチル1Lに溶解した。水洗後、硫酸マグネシウムにより乾燥し、濃縮することで粗結晶190gを得た。これをヘキサン500mlで洗浄することで7−クロロー2−ヨードー9−ヒドロキシー9−フェニルフルオレン182gを得た。
[2]:7−クロロー2−ヨードー9,9−ジフェニルフルオレンの製造
7−クロロー2−ヨードー9−ヒドロキシー9−フェニルフルオレン60g(0.13mol)、p−トルエンスルホン酸10g(0.06mol)のベンゼン(500ml)溶液を70℃で8時間攪拌した。冷却後、反応液を濃縮し、水200mlを添加した。析出した結晶をろ別し、粗結晶53gを得た。さらに、粗結晶をイソプロパノール400mlで再結晶し、43.1gの7−クロロー2−ヨードー9,9−ジフェニルフルオレンを得た。
実施例4の[2]において7−クロロー2−ヨード−9,9−ジメチルフルオレン25g(0.07mol)を使用する代わりに、7−クロロー2−ヨードー9,9−ジフェニルフルオレン33g(0.07mol)を使用した以外は、実施例4の[2]に記載の操作に従い、7−クロロー2−N、 N−ジフェニルアミノー9,9−ジフェニルフルオレン28gを得た。
[4]例示化合物41の製造
実施例4の[4]において、7−クロロー2−(N、 N−ジフェニル)アミノ−9,9−ジメチルフルオレン3.56g(0.009mol)を使用する代わりに、7−クロロー2−(N、 N−ジフェニル)アミノー9,9−ジフェニルフルオレン4.67g(0.009mol)を使用した以外は、実施例4の[4]に記載の操作に従い、例示化合物41の化合物を無色の結晶として4.01g得た。さらにこの化合物を420℃、2×10−4Paで昇華精製した。
実施例4の[4]において、7−クロロー2−(N、 N−ジフェニル)アミノ−9,9−ジメチルフルオレン3.56g(0.009mol)を使用する代わりに、5−tert―ブチルー7−クロロー2−(N、 N−ジフェニル)アミノ−9,9−ジメチルフルオレン4.06g(0.009mol)を使用した以外は、実施例4の[4]に記載の操作に従い、例示化合物61の化合物を無色の結晶として3.34g得た。さらにこの化合物を400℃、2×10−4Paで昇華精製した。
実施例4の[4]において、7−クロロー2−(N、 N−ジフェニル)アミノ−9,9−ジメチルフルオレン3.56g(0.009mol)を使用する代わりに、5−tert―ブチルー7−クロロー2−[N―フェニルー N−(9’−フェナントリル)]アミノ−9,9−ジメチルフルオレン5.00g(0.009mol)を使用した以外は、実施例4の[4]に記載の操作に従い、例示化合物65の化合物を無色の結晶として2.86g得た。さらにこの化合物を430℃、2×10−4Paで昇華精製した。
実施例4の[4]において、9−フェニルー9−(N―フェニルー4’−アミノフェニル)フルオレン3.85g(0.009mol)、7−クロロー2−(N、 N−ジフェニル)アミノ−9,9−ジメチルフルオレン3.56g(0.009mol)、酢酸パラジウム0.004g(0.002mol)、ナトリウムーtert-ブトキシド1.27g(0.014mol)を使用する代わりに、9−フェニルー9−(N―フェニル―4’−アミノフェニル)フルオレン10g(0.024mol)、2,7−ジヨードフルオレン5.17g(0.012mol)、酢酸パラジウム0.26g(0.002mol)、ナトリウムーtert-ブトキシド2.67g(0.028mol)を使用した以外は、実施例4の[4]に記載の操作に従い、例示化合物91の化合物を無色の結晶として3.83g得た。さらにこの化合物を320℃、2×10−4Paで昇華精製した。
厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン(フルウチ化学製)、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を3×10−6Torrに減圧した。先ず、ITO透明電極上に、例示化合物11の化合物を蒸着速度0.2nm/secで75nmの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層を形成した。その上に、トリス(8−キノリノラート)アルミニウムを、蒸着速度0.2nm/sec で50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼ねた発光層とした。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/secで200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、50℃、乾燥雰囲気下、10mA/cm2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、6.5V、輝度460cd/m2 の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は650時間であった。
実施例11において、正孔注入輸送層の形成に際して、例示化合物11の化合物を使用する代わりに、4,4’−ビス〔N−フェニル−N−(3”−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニルを使用した以外は実施例11に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。各素子からは緑色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を(第1表)に示した。
比較例2:
実施例11において、正孔注入輸送層の形成に際して、例示化合物11の化合物を使用する代わりに、9,9−ジメチルー2,7−ビス(N,N−ジフェニルアミノ)フルオレンを使用した以外は実施例11に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。各素子からは緑色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を(第1表)に示した。
厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン(フルウチ化学製)、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を3×10−6Torrに減圧した。
先ず、ITO透明電極上に、ポリ(チオフェン−2,5−ジイル)を蒸着速度0.1nm/secで、20nmの厚さに蒸着し、第1正孔注入輸送層を形成した。次いで例示化合物33の化合物を蒸着速度0.2nm/secで55nmの厚さに蒸着し、第2正孔注入輸送層を形成した。次に、正孔注入輸送層の上にトリス(8−キノリノラート)アルミニウムを蒸着速度0.2nm/secで50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/secで200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、乾燥雰囲気下、10mA/cm2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、6.0V、輝度510cd/m2の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は1950時間であった。
厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン(フルウチ化学製)、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を3×10−6Torrに減圧した。先ず、ITO透明電極上に、4,4’,4”−トリス〔N−(3”−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミンを蒸着速度0.1nm/secで、50nmの厚さに蒸着し、第1正孔注入輸送層を形成した。次いで、次いで例示化合物33の化合物とルブレンを異なる蒸着源から20nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)し、第2正孔注入輸送層を兼ねた発光層を形成した。次いで、その上にトリス(8−キノリノラート)アルミニウムを蒸着速度0.2nm/secで50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/secで200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、乾燥雰囲気下、10mA/cm2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、5.9V、輝度500cd/m2の黄色の発光が確認された。輝度の半減期は1900時間であった。
厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン(フルウチ化学製)、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を3×10−6Torrに減圧した。先ず、ITO透明電極上に、ポリ(チオフェン−2,5−ジイル)を蒸着速度0.1nm/secで、20nmの厚さに蒸着し、第1正孔注入輸送層を形成した。蒸着槽を大気圧下に戻した後、再び蒸着槽を3×10−6Torrに減圧した。次いで、例示化合物91の化合物とルブレンを、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2nm/secで55nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)し、第2正孔注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。減圧状態を保ったまま、次に、その上にトリス(8−キノリノラート)アルミニウムを蒸着速度0.2nm/secで50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を形成した。減圧状態を保ったまま、さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/secで200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、乾燥雰囲気下、10mA/cm2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、6.3V、輝度510cd/m2の黄色の発光が確認された。輝度の半減期は1700時間であった。
厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン(フルウチ化学製)、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を3×10−6Torrに減圧した。先ず、ITO透明電極上に、例示化合物31を蒸着速度0.1nm/secで、20nmの厚さに蒸着し、第1正孔注入輸送層を形成した。蒸着槽を大気圧下に戻した後、再び蒸着槽を3×10−6Torrに減圧した。次いで、例示化合物91の化合物とルブレンを、異なる蒸着源から、蒸着速度0.2nm/secで55nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)し、第2正孔注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。減圧状態を保ったまま、次に、その上にトリス(8−キノリノラート)アルミニウムを蒸着速度0.2nm/secで50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を形成した。減圧状態を保ったまま、さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/secで200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、乾燥雰囲気下、10mA/cm2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、5.9V、輝度540cd/m2の黄色の発光が確認された。輝度の半減期は1700時間であった。
厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン(フルウチ化学製)、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにUV/オゾン洗浄した。次に、ITO透明電極上に、ポリカーボネート(重量平均分子量39000)と例示化合物91の化合物を重量比100:50の割合で含有する3質量%ジクロロエタン溶液を用いてスピンコート法により、40nmの正孔注入輸送層を形成した。次にこの正孔注入輸送層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着層を3×10−6Torrに減圧した。次に、その上にトリス(8−キノリノラート)アルミニウムを蒸着速度0.2nm/secで50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/secで200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に乾燥雰囲気下、10Vの直流電圧を印加したところ、98mA/cm2の電流が流れた。輝度860cd/m2の緑色の発光が確認された。輝度の半減時間380時間であった。
厚さ200nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン(フルウチ化学製)、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにUV/オゾン洗浄した。次に、ITO透明電極上に、ポリメチルメタクリレート(重量平均分子量25000)、例示化合物91の化合物の混合物、トリス(8−キノリノラート)アルミニウムをそれぞれ重量比100:50:0.5の割合で含有する3質量%ジクロロエタン溶液を用いてスピンコート法により、100nmの発光層を形成した。次にこの発光層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着層を3×10−6Torrに減圧した。発光層の上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/secで200nmの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に乾燥雰囲気下、15Vの直流電圧を印加したところ、89mA/cm2の電流が流れた。輝度610cd/m2の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は490時間であった。
2:陽極
3:正孔注入輸送層
3a:正孔注入輸送成分
4:発光層
4a:発光成分
5:電子注入輸送層
5”:電子注入輸送層
5a:電子注入輸送成分
6:陰極
7:電源
Claims (6)
- 一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物。
〔式中、R1〜R3は、それぞれ独立に水素原子、直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、置換または未置換のアリール基、あるいは置換または未置換のアラルキル基を表し、Z1〜Z6はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基、置換または未置換のアミノ基、置換または未置換のアリール基、あるいは置換または未置換のアラルキル基を表し、Z7は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは置換または未置換のアラルキル基を表す。また、Z1〜Z6は互いに結合して環を形成していてもよい。〕 - 一対の電極間に、一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物を少なくとも1種含有する層を少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子。
- 一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物を含有する層が、発光層である請求項2記載の有機電界発光素子。
- 一般式(1)で表される9,9−ジフェニルフルオレン化合物を含有する層が、正孔注入輸送層である請求項2記載の有機電界発光素子。
- 一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送層を有する請求項2、3または4に記載の有機電界発光素子。
- 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送層を有する請求項2〜5のいずれかに記載の有機電界発光素子。
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