JP2005115190A - 光電気複合配線基板、積層光導波路構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】高密度な光並列伝送が実現可能であり、材料や製法の制約が少ないため安価に製造でき、しかも小型化が容易な光電気複合配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の光電気複合配線基板１０は、複数の光導波路層３０，３１、光部品支持基板１１、位置合わせ用ガイド部材４４等を備える。複数の光導波路層３０，３１は互いに積み重ねて配置される。光導波路層３０，３１は、コア３３、クラッド３４、光路変換部３７及び主面にて開口する光導波路層側位置合わせ穴３６を有する。光はクラッド３４を透過して入射または出射する。光部品支持基板１１は、基板主面１２及び基板側位置合わせ穴２１を有する。位置合わせ用ガイド部材４４は、複数の光導波路層３０，３１における各光導波路層側位置合わせ穴３６及び基板側位置合わせ穴２１に対して嵌合支持される。
【選択図】 図２

Description

本発明は、光電気複合配線基板、積層光導波路構造体に係り、特には部材間の位置合わせ構造に特徴を有する光電気複合配線基板、積層光導波路構造体に関するものである。

近年、インターネットに代表される情報通信技術の発達や、情報処理装置の処理速度の飛躍的向上などに伴って、画像等の大容量データを送受信するニーズが高まりつつある。かかる大容量データを情報通信設備を通じて自由にやり取りするためには１０Ｇｂｐｓ以上の情報伝達速度が望ましく、そのような高速通信環境を実現しうる技術として光通信技術に大きな期待が寄せられている。一方、機器内の配線基板間での接続、配線基板内の半導体チップ間での接続、半導体チップ内での接続など、比較的短い距離における信号伝達経路に関しても、高速で信号を伝送することが近年望まれている。このため、金属ケーブルや金属配線を伝送媒体として用いた従来の伝送形態から、光ファイバや光導波路を伝送媒体として用いた伝送形態へと移行すべきである。また、量産性やコスト性などを考慮すると、光導波路を用いた伝送媒体、特に有機系材料からなる光導波路を用いた伝送媒体が有利であると考えられる。

ところで、近年における光配線の分野では、光導波路を用いた多ポートの光送受信モジュールが各種開発されている。このようなモジュールは、光並列伝送を実現するうえで好ましく、テープ状に多芯化された光ファイバ（いわゆるテープファイバ）とセットで使用されることが多い。そして最近では、より高密度な光並列伝送を実現するために、１層内に複数のコアを有するいわゆるマルチコア型の光導波路を複数枚積層した構造体（三次元高分子光導波路アレイ）が提案されるに至っている（例えば、特許文献１参照）。このような従来技術の構造体の場合、クラッドの一部に雌雄嵌合部が設けられており、それらの嵌合によって各層の光導波路が互いに位置合わせされるように構成されている。また、前記構造体はテープファイバを介して受発光素子と接続される。具体的には、受発光素子の発光部または受光部に対して、テープファイバの一端側が接続される。一方、各コアの端部が露出している光導波路の端面（即ち入出力部）に対して、テープファイバの他端側が接続される。

特開平１１−１８３７４７号公報（図１，図２，図６等）

ところが、入出力部が光導波路の端面に存在する従来技術の構造体の場合、多ポート化が進むと光導波路の積層数が増え、それに伴って構造体の厚さ方向の寸法が大きくなってしまう。

また、受発光素子が、所定の面に複数の発光部または複数の受光部が配置されたＶＣＳＥＬ等のような受発光素子（面受発光素子）である場合には、入出力部と面受発光素子との接続が困難になる。

さらに、クラッドの一部に雌雄嵌合部を設けようとすると、光導波路の材料や製法が、例えば特定の有機系材料を使用したプレス成形などに限定されてしまう。このことは低コスト化を阻害する要因となる。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高密度な光並列伝送が実現可能であるとともに、材料や製法の制約が少ないため低コスト化が達成しやすく、しかも小型化が容易な光電気複合配線基板、積層光導波路構造体を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段としては、主面、光路となるコア、前記コアを取り囲むクラッド、光を反射してその進む方向を変換する光路変換部、及び、少なくとも前記主面にて開口する光導波路層側位置合わせ穴を有し、互いに積み重ねて配置された複数の光導波路層と、基板主面及び少なくとも前記基板主面にて開口する基板側位置合わせ穴を有する光部品支持基板と、前記複数の光導波路層における各光導波路層側位置合わせ穴及び前記基板側位置合わせ穴に対して嵌合支持された位置合わせ用ガイド部材とを備え、前記クラッドを透過して光が入射または出射することを特徴とする光電気複合配線基板、がある。

従って、この発明によると、各光導波路層側位置合わせ穴及び基板側位置合わせ穴に対して位置合わせ用ガイド部材が嵌合することにより、複数の光導波路層及び光部品支持基板が位置合わせされる。ここでは、光導波路層及び光部品支持基板とは別体の位置合わせ用ガイド部材を用いているため、光導波路層の一部にわざわざ位置合わせ用構造を設ける必要がなくなり、光導波路層の材料や製法を選択する際の制約が少なくなる。よって、安価な材料や製法にて光導波路層を製造することに等により、光電気複合配線基板の低コスト化が達成しやすくなる。また、クラッドを透過して光が入射または出射する構造、換言すると入出力部が光導波路層の主面側に存在する構造であるため、入出力部を光導波路層の端面に配置する必要がなくなる。よって、光導波路層の積層数をあまり増やすことなく多ポート化を図ることができ、厚さ方向の寸法の増大を回避することができる。また、例えば面受発光素子を光導波路層の主面に対向させて配置すればよいので、面受発光素子を入出力部に比較的容易に接続することができる。しかも、複数の光導波路層を備えた構造であるため、高密度な光並列伝送が実現可能である。

また、上記課題を解決するための別の手段としては、主面、光路となるコア、前記コアを取り囲むクラッド、光を反射してその進む方向を変換する光路変換部、及び、少なくとも前記主面にて開口する光導波路層側位置合わせ穴を有し、互いに積み重ねて配置された複数の光導波路層と、前記複数の光導波路層における各光導波路層側位置合わせ穴に対して嵌合支持された位置合わせ用ガイド部材とを備え、前記クラッドを透過して光が入射または出射することを特徴とする積層光導波路構造体、がある。

従って、この発明によると、各光導波路層側位置合わせ穴に対して位置合わせ用ガイド部材が嵌合することにより、複数の光導波路層同士が位置合わせされる。ここでは、光導波路層とは別体の位置合わせ用ガイド部材を用いているため、光導波路層の一部にわざわざ位置合わせ用構造を設ける必要がなくなり、光導波路層の材料や製法を選択する際の制約が少なくなる。よって、安価な材料や製法にて光導波路層を製造することができ、低コスト化が達成しやすくなる。また、入出力部が光導波路層の主面側に存在する構造であるため、入出力部を光導波路層の端面に配置する必要がなくなる。よって、光導波路層の積層数をあまり増やすことなく多ポート化を図ることができ、厚さ方向の寸法の増大を回避することができる。また、例えば面受発光素子を光導波路層の主面に対向させて配置すればよいので、面受発光素子を入出力部に比較的容易に接続することができる。しかも、複数の光導波路層を備えた構造であるため、高密度な光並列伝送が実現可能である。

上記の光電気複合配線基板、積層光導波路構造体は、発光部及び受光部のうちの少なくとも一方を有し、前記コアと光結合される光学素子を、さらに備えていてもよい。光電気複合配線基板にて光学素子は、光導波路層の主面上あるいは光部品支持基板の基板主面上に１つまたは２つ以上搭載される。積層光導波路構造体にて光学素子は、光導波路層の主面上に１つまたは２つ以上搭載される。その搭載方法としては、例えば、ワイヤボンディングやフリップチップボンディング等の手法、異方導電性材料を用いた手法などを採用することができる。発光部を有する光学素子（即ち発光素子）としては、例えば、発光ダイオード（Light Emitting Diode；ＬＥＤ）、半導体レーザダイオード（Laser Diode ；ＬＤ）、面発光レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser；ＶＣＳＥＬ）等を挙げることができる。これらの発光素子は、入力した電気信号を光信号に変換した後、その光信号を所定部位に向けて発光部から出射する機能を備えている。一方、受光部を有する光学素子（即ち受光素子）としては、例えば、ｐｉｎフォトダイオード（pin Photo Diode；pin ＰＤ）、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）等を挙げることができる。これらの受光素子は、光信号を受光部にて入射し、その入射した光信号を電気信号に変換して出力する機能を有している。なお、前記光学素子は発光部及び受光部の両方を有するものであってもよい。前記光学素子に使用する好適な材料としては、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓなどを挙げることができる。このような光学素子（特に発光素子）は、動作回路によって動作される。光学素子及び動作回路は、導体を介して電気的に接続される。

光電気複合配線基板上には各種の電子部品が実装されていてもよいし、光電気複合配線基板の内部には各種の電子部品が内蔵されていてもよい。その具体例を挙げると、半導体集積回路チップ、半導体パッケージ、各種のチップ部品（例えばチップトランジスタ、チップダイオード、チップ抵抗、チップキャパシタ、チップコイル）などがある。これらの電子部品は、いずれも光電気複合配線基板に形成された導体に電気的に接続される。

上記の光電気複合配線基板、積層光導波路構造体は、互いに積み重ねて配置された複数の光導波路層を備えている。これらの光導波路層は、板状またはフィルム状の部材であって、光信号が伝搬する光路となるコア及びそのコアを取り囲むクラッドを有している。光導波路層を形成材料の面から大別すると、ポリマ材料等からなる有機系の光導波路層と、石英ガラスや化合物半導体等からなる無機系の光導波路層とがある。前記ポリマ材料としては、感光性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを選択することができ、具体的には、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂、ポリオレフィン系樹脂などが好適である。有機系の光導波路層の利点は、可撓性を有するフィルム状に形成可能なこと、取扱性に優れること、比較的安価なこと等である。一方、無機系の光導波路層の利点は耐熱性に優れること等である。

上記の光電気複合配線基板、積層光導波路構造体において光導波路層の積層数は特に限定されず、２層以上の任意の数であってよい。積層配置された複数の光導波路層は、接着剤等を用いて互いに固定されていても、固定されていなくてもよい。複数の光導波路層が固定されてない構成であると、修正作業を簡単に行うことが可能となる。

各々の光導波路層には、位置合わせ用ガイド部材が嵌合可能な光導波路層側位置合わせ穴が形成される。光導波路層側位置合わせ穴は、少なくとも前記主面にて開口するように形成されている。即ち、光導波路層側位置合わせ穴は、主面のみにて開口する非貫通穴であってもよく、あるいは主面及びその反対側面の両方にて開口する貫通穴であってもよい。かかる光導波路層側位置合わせ穴は、周知の穴加工技術により形成することが可能であり、具体的にはドリル加工、パンチ加工、エッチング加工、レーザ加工などの手法により形成することが可能である。ただし、低コストという観点からすると、ドリル加工やパンチ加工といった機械加工が好ましい。また、ここで行われる穴加工は、例えば精密ドリルなどを用いた精密穴加工であることがより好ましい。このような加工法によって位置合わせ凹部を形成しておけば、高い精度で位置合わせすることができるからである。

上記の光電気複合配線基板、積層光導波路構造体は、光を反射してその進む方向を変換する光路変換部を有している。光路変換部は、例えば、光導波路層の一部に形成されたものであってもよいほか、光導波路層とは別体で形成されたもの（即ち光路変換部品）であってもよい。

光導波路層の一部に形成された光路変換部の具体例としては、光導波路層に加工された凹部、好ましくはＶ字溝を挙げることができる。この場合、光はＶ字溝の内面にて反射されてその進む方向が変換される。光導波路層にＶ字溝を加工しただけの構造であっても、光を反射して光路を変換することは十分可能であるが、より好ましくはＶ字溝の内面に金属膜等の光反射体を形成することがよい。この構成によると、光を効率よく反射することが可能となり、光の伝送ロスを確実に低減することができる。金属膜の形成に使用される金属材料としては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、ロジウム等のような、光沢を有する金属が好適である。光沢を有する金属は光を効率よく反射しうるため、当該用途に向くからである。金属膜は光を９０％以上反射することがよく、特には光を全反射することがよい。金属膜の厚さは、使用する金属材料の種類や薄膜の形成方法などに鑑みて適宜設定される。

１つの光導波路層が有するコアの数は単数でも複数でもよいが、高密度な光並列伝送の実現という観点からすると、複数であることが好ましい。例えば、１つの光導波路層において複数のコアが並列に形成されているような場合、複数のコアを横切る（跨ぐ）ようにＶ字溝を形成してもよい。Ｖ字溝の深さは特に限定されないが、少なくとも先端がコアに達する程度の深さであることがよい。

また、複数の光導波路層が有する各々の光路変換部は、主面側から見て重なり合わない位置に配置されていることが望ましい。言い換えると、複数の光導波路層が有する各々の光路変換部は、主面側から見て重なり合わないように主面に平行な方向にずらして配置されていることが望ましい。この構成によれば、入射光や出射光の干渉を避けることができ、光導波路層のコアと光学素子との光結合を困難なく行うことが可能となる。

上記の光電気複合配線基板、積層光導波路構造体は、基板主面及び少なくとも前記基板主面にて開口する基板側位置合わせ穴を有する光部品支持基板を備えている。光部品支持基板を構成する基板としては、例えば、樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板または金属基板が使用可能であり、特にセラミック基板が好ましい。樹脂基板に比較して熱伝導性の高いセラミック基板を用いた場合には、発生した熱が効率よく放散される。そのため、放熱性の悪化に起因する発光波長のズレが回避され、動作安定性・信頼性に優れた光部品支持基板を実現することができる。かかるセラミック基板の好適例を挙げると、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ほう素、ベリリア、ムライト、低温焼成ガラスセラミック、ガラスセラミック等からなる基板がある。これらの中でもアルミナや窒化アルミニウムからなる基板を選択することが特に好ましい。

また、樹脂基板の好適例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）等からなる基板を挙げることができる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。金属基板の好適例としては、例えば、銅基板、銅合金からなる基板、銅以外の金属単体からなる基板、銅以外の合金からなる基板などを挙げることができる。

かかる基板は、絶縁層と導体層（金属配線層）とを備えた配線基板であることがよい。前記導体層は基板表面に形成されていてもよく、基板内部に形成されていてもよい。これらの導体層の層間接続を図るために、基板内部にビアホール導体が形成されていてもよい。なお、かかる導体層やビアホール導体は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）などからなる導電性金属ペーストを印刷または充填することにより形成される。そして、このような導体層には電気信号が流れるようになっている。なお、このような配線基板に加えて、例えば、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層を、基板上に備えるビルドアップ配線基板を用いることも許容される。

前記光部品支持基板の形状は特に限定されることはないが、少なくとも１つの基板主面を有する形状であることがよい。より好ましくは、基板主面側において開口する１つまたは２つ以上のキャビティを有する平板状の光部品支持基板を使用することがよい。

前記光部品支持基板は、基板主面にて開口する基板側位置合わせ穴を有している。かかる基板側位置合わせ穴は、例えば、光部品支持基板を構成する基板材料に直接設けた穴であってもよい。また、光部品支持基板を構成する基板材料に直接設けた穴を充填材料で埋めてその充填材料に設けた穴を、基板側位置合わせ穴としてもよい。この場合における充填材料としては、基板材料よりも加工性に優れたもの、例えば基板材料よりも硬度の低いものも使用することが好適である。例えば、基板材料がセラミックであれば、樹脂や導電性金属などを充填材料として選択することがよい。さらに、位置合わせ用ガイド部材が嵌合可能な穴を有するガイド部材支持部品を別体で作製し、この部品を光部品支持基板に取り付けるようにしてもよい。つまり、基板側位置合わせ穴は光部品支持基板に直接設けられたものでなくてもよい。

前記光部品とは、光伝送機能、集光機能及び光反射機能のうちの少なくとも１つを有する部品を指す。その具体例を挙げると、光伝送機能を有する光部品としては、例えば光導波路層や光ファイバなどがある。なお、光導波路層を支持する基材も、光伝送機能を有する光部品に該当する。集光機能を有する光部品としては、例えばマイクロレンズアレイ等に代表されるレンズ部品などがある。光反射機能を有する光部品としては、例えば光路変換部品などがある。なお、光路変換部が形成された光ファイバコネクタは、光反射機能を有する光部品であるということができる。光路変換部が形成された光導波路層は、光伝送機能及び光反射機能を有する光部品であるということができる。

上記の光電気複合配線基板、積層光導波路構造体を構成する位置合わせ用ガイド部材は、複数の光導波路層における各光導波路層側位置合わせ穴及び基板側位置合わせ穴に対して嵌合可能な構造を有している。位置合わせ用ガイド部材の形状については特に限定されないが、例えばピン状のもの（ガイドピン）が好ましく、その材料としてはある程度硬質な金属がよい。かかるガイドピンは精密加工穴に嵌着されることが好ましい。位置合わせ用ガイド部材の数については特に限定されないが、位置合わせ精度の向上及び固定強度の向上という観点からすると、単数よりは複数であることがよい。位置合わせ用ガイド部材がガイドピンである場合、ガイドピン端部の外縁を面取りしておくことが好ましい。このようにしておくと、位置合わせ穴にガイドピンを嵌合させやすくすることができる。

［第１実施形態］

以下、本発明を具体化した第１実施形態の光電気複合配線基板を、図１〜図５に基づき詳細に説明する。

図１に示されるように、本実施形態の光電気複合配線基板１０は、光学素子、セラミック基板１１（光部品支持基板）、光導波路層３０，３１、ガイドピン４４（位置合わせ用ガイド部材）等によって構成されている。

図１，図２，図３に示されるように、本実施形態の光電気複合配線基板１０を構成するセラミック基板１１は、上面１２（基板主面）及び下面１３を有する略矩形状の板部材である。かかるセラミック基板１１はいわゆる多層配線基板であって、上面１２、下面１３及び内層に金属配線層２６を備えている。例えば、上面１２に位置する金属配線層２６の一部には、ＩＣチップ４２等の各種電子部品を実装するための複数の接続パッド４３が形成されている。このセラミック基板１１はビアホール導体２７も備えており、層の異なる金属配線層２６同士はビアホール導体２７を介して層間接続されている。また、セラミック基板１１の下面１３には複数の接続端子２８が設けられている。本実施形態の場合、金属配線層２６、ビアホール導体２７、接続端子２８及び接続パッド４３は、いずれもタングステン（Ｗ）からなる。

図１等に示されるように、セラミック基板１１の上面１２における２箇所には、光学素子等が配置される矩形状のキャビティ４１が形成されている。図１にて向かって左側のキャビティ４１内には、光学素子（発光素子）の一種であるＶＣＳＥＬ１４が、発光面を上方に向けた状態で配置されるようになっている。このＶＣＳＥＬ１４は、４個×２列に並べられた発光部１５を発光面内に有している。従って、これらの発光部１５は、セラミック基板１１の上面１２に対して直交する方向（即ち図１〜図３の上方向）に、所定波長のレーザ光を出射するようになっている。一方、図１にて向かって右側のキャビティ４１内には、光学素子（受光素子）の一種であるフォトダイオード１６が、受光面を上方に向けた状態で配置されるようになっている。このフォトダイオード１６は、４個×２列に並べられた受光部１７を受光面内に有している。従って、これらの受光部１７は、図１の上側から下側に向かうレーザ光を受けやすいような構成となっている。

図３等に示されるように、セラミック基板１１における複数の箇所（ここでは４箇所）には、第１凹部としての第１貫通穴２１が設けられている。第１貫通穴２１は円形かつ等断面形状であって、セラミック基板１１の上面１２及び下面１３の両方にて開口している。本実施形態の場合、第１貫通穴２１の直径は１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ程度になるように設定されている。また、本実施形態では、４つある第１貫通穴２１のうちの２つがＶＣＳＥＬ１４に近接して配置され、残りの２つがフォトダイオード１６に近接して配置されている。

これらの第１貫通穴２１の内部には、樹脂ペーストを用いて樹脂充填体２２が設けられており、その樹脂充填体２２のほぼ中心部には基板側位置合わせ穴２３（第２凹部）が設けられている。基板側位置合わせ穴２３は円形かつ等断面形状であって、セラミック基板１１の上面１２及び下面１３の両方にて開口している。本実施形態の場合、基板側位置合わせ穴２３の直径は上記第１貫通穴２１よりも小さく、約０．７ｍｍに設定されている。４つある基板側位置合わせ穴２３の内部には、ステンレス鋼からなる断面円形状のガイドピン４４（位置合わせ用ガイド部材）が、上面１２（主面）側に一端を突出させた状態で嵌着されている。ガイドピン４４の端部の外縁は面取りされている本実施形態において具体的には、ＪＩＳ Ｃ ５９８１に規定するガイドピン「ＣＮＦ１２５Ａ−２１」（直径０．６９９ｍｍ）を使用している。

図１，図２，図３に示されるように、セラミック基板１１の上面１２側には、セラミック基板１１よりも一回り小さい略矩形状かつフィルム状の光導波路層３０，３１が、２枚重ね合わせた状態で配置されている。ここで、セラミック基板１１の上面１２に密接して配置されている光導波路層を下側光導波路層３０と呼び、その下層側光導波路層３０の上面に配置されている光導波路層を上側光導波路層３１と呼ぶことにする。これらの光導波路層３０，３１は、コア３３及びそれを上下から取り囲むクラッド３４を有している。実質的にコア３３は光が伝搬する光路となる。本実施形態の場合、コア３３及びクラッド３４は、屈折率等の異なる透明なポリマ材料、具体的には屈折率等の異なるＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）により形成されている。

下側光導波路層３０におけるコア３３は４つであって、それらは下側光導波路層３０の下面（主面）に沿って平行にかつ直線的に延びるように形成されている。また、上側光導波路層３１におけるコア３３も４つであって、それらは上側光導波路層３１の下面（主面）に沿って平行にかつ直線的に延びるように形成されている。下側光導波路層３０の下面には、銅などの導電性金属からなる所定パターン状の金属配線層３８が形成されている。金属配線層３８はキャビティ４１の開口縁まで延設されるとともに、セラミック基板１１が有するビアホール導体２７の端面に電気的に接続されている。その結果、下側光導波路層３０とセラミック基板１１とが導通されている。金属配線層３８の一部に形成されたパッド上には、ＶＣＳＥＬ１４及びフォトダイオード１６の端子が搭載されている。そのため、面発光素子であるＶＣＳＥＬ１４の発光面、及び、面受光素子であるフォトダイオード１６の受光面は、ともに下側光導波路層３０の主面に対向して配置される。ＶＣＳＥＬ１４の近傍にはドライバＩＣ１８が配置されていて、そのドライバＩＣ１８の端子も金属配線層３８の一部に形成されたパッド上に搭載されている。フォトダイオード１６の近傍にはレシーバＩＣ１９が配置されていて、そのレシーバＩＣ１９の端子も当該パッド上に搭載されている。

下側光導波路３０の有する各コア３３の両端部には、下側光導波路層３０の上面にて開口するＶ字溝３５（光路変換部）が各コア３３を横切る（跨ぐ）ようにして形成されている。また、上側光導波路層３１の有する各コア３３は下側光導波路３０の有する各コア３３に比較して若干長めに形成されている。上側光導波路層３１の有する各コア３３の両端部には、上側光導波路層３１の上面にて開口するＶ字溝３５（光路変換部）が各コア３３を横切る（跨ぐ）ようにして形成されている。

ＶＣＳＥＬ１４は発光部列を２列有しており、一方の列の直上には下側光導波路層３０のＶ字溝３５が配置され、他方の列の直上には上側光導波層路３１のＶ字溝３５が配置されている。フォトダイオード１６は受光部列を２列有しており、一方の列の直上には下側光導波路層３０のＶ字溝３５が配置され、他方の列の直上には上側光導波層路３１のＶ字溝３５が配置されている。つまり、本実施形態では、２枚の光導波路層３０，３１が有する各々のＶ字溝３５は、下面側から見て重なり合わないように、下面に平行な方向（具体的にはコア３３の長手方向）にずらして配置されている。それゆえ、入射光や出射光の干渉を避けることができ、各コア３３とＶＣＳＥＬ１４との光結合、及び、各コア３３とフォトダイオード１６との光結合を、困難なく行うことができる構成となっている。

これらのＶ字溝３５は、コア３３の長手方向に対して４５°の角度を持つ傾斜面を有しており、その傾斜面には金属膜３７（光反射体）が設けられている。本実施形態の金属膜３７は、光沢があって光を全反射可能なロジウムからなる薄膜を真空蒸着によって形成されている。

下側光導波路層３０及び上側光導波路層３１の四隅には、それぞれ円形状の位置合わせ穴３６（光導波路層側位置合わせ穴）が貫通形成されている。これらの位置合わせ穴３６は、ガイドピン４４の大きさに対応して直径約０．７ｍｍに設定されている。そして、光導波路層３０，３１の有する各位置合わせ穴３６には、セラミック基板１１から突出する各ガイドピン４４が嵌合され支持されている。その結果、セラミック基板１１の上面１２にて、光導波路層３０，３１が位置合わせされた状態で固定されている。ここで「位置合わせされた状態」とは、具体的には、各コア３３と各発光部１５との光軸が合った状態、及び、各コア３３と各受光部１７との光軸が合った状態をいう。なお本実施形態では、セラミック基板１１及び２枚の光導波路層３０，３１は、接着剤等を用いることなく、位置合わせ穴３６とガイドピン４４との嵌合関係のみをもって互いに固定されている。

このように構成された光電気複合配線基板１０の一般的な動作について簡単に述べておく。

ＶＣＳＥＬ１４及びフォトダイオード１６は、セラミック基板１１側からの電力供給により、動作可能な状態となる。ドライバＩＣ１８からＶＣＳＥＬ１４に電気信号が出力されると、ＶＣＳＥＬ１４は入力した電気信号を光信号（レーザ光）に変換した後、その光を上方に向けて発する。一方の発光部列に属する各発光部１５が発した光は、下側光導波路層３０の下面から入射し、下側光導波路層３０のクラッド３４を透過して下側光導波路層３０のＶ字溝３５に到る。そこで、光は、金属膜３７により反射されて進行方向を約９０°変換した後、下側光導波路層３０のコア３３の内部をその長手方向に沿って反対側端まで伝搬する。そして、コア３３の反対側端に到った光は、再びＶ字溝３５の金属膜３７により反射されて、進行方向を約９０°変換する。進行方向を下向きに変換した光は、下側光導波路層３０のクラッド３４を透過して下面側から出射し、フォトダイオード１６のある方向に向かう。そして、光は一方の受光部列に属する各受光部１７に入射する。

また、ＶＣＳＥＬ１４の他方の発光部列に属する各発光部１５が発した光は、下側光導波路層３０の下面から入射して内部を透過した後、上面から出射する。下側光導波路層３０の上面から出射した光は、次いで上側光導波路層３１の下面から入射し、上側光導波路層３１のクラッド３４を透過して、上側光導波路層３１のＶ字溝３５に到る。そこで、光は、金属膜３７により反射されて進行方向を約９０°変換した後、上側光導波路層３１のコア３３の内部をその長手方向に沿って反対側端まで伝搬する。そして、コア３３の反対側端に到った光は、再びＶ字溝３５の金属膜３７により反射されて、進行方向を約９０°変換する。進行方向を下向きに変換した光は、上側光導波路層３１のクラッド３４を透過しかつ下側光導波路層３０のクラッド３４を透過した後、下面側から出射し、フォトダイオード１６のある方向に向かう。そして、光は他方の受光部列に属する各受光部１７に入射する。

フォトダイオード１６は光に含まれる信号を電気信号に変換し、変換した電気信号をレシーバＩＣ１９に出力するようになっている。

次に、上記構成の光電気複合配線基板１０の製造方法を図４，図５に基づいて説明する。

まず、従来公知の手法によって光導波路層３０，３１をそれぞれ作製し、これに対して精密ドリル加工を施すことにより四隅に位置合わせ穴３６を形成しておく。具体的には、下部クラッド３４、コア３３及び上部クラッド３４を順次積層形成した後、精密ドリルを用いた精密穴加工を行って、所定の４箇所に位置合わせ穴３６を形成する。そして、さらにダイシング加工によるＶ字溝３５の形成及びその部分への真空蒸着等を行うことにより、金属膜３７を形成する。Ｖ字溝３５の形成時には位置合わせ穴３６の位置を基準とすることがよく、これにより位置合わせ精度をいっそう向上させることができる。従って、光路変換部形成工程は位置合わせ凹部形成工程の後に実施されることがよい。

下側光導波路層３０については、さらに下面側にスパッタ等を行い、所定パターン状の金属配線層３８を形成する。金属配線層３８の形成は例えば光路変換部形成工程後に行ってもよいが、位置合わせ凹部形成工程後かつ光路変換部形成工程前に行っても、位置合わせ凹部形成工程前に行ってもよい。この場合、下側光導波路層３０の下面全体にめっき等により金属層を形成し、さらに所定のマスクを設けた状態でエッチングを行ってもよい。このようにして完成した下側光導波路層３０に対しては、従来周知の手法によってＶＣＳＥＬ１４、フォトダイオード１６、ドライバＩＣ１８及びレシーバＩＣ１９をはんだ付けする。

また、以下の手順によりセラミック基板１１を作製する。アルミナ粉末、有機バインダ、溶剤、可塑剤などを均一に混合・混練してなる原料スラリーを作製し、この原料スラリーを用いてドクターブレード装置によるシート成形を行って、所定厚みのグリーンシートを形成する。グリーンシートにおける所定部分にはパンチ加工を施し、形成された穴の中にビアホール導体形成用の金属ペーストを充填する。また、グリーンシートの表面に金属ペーストを印刷することにより、後に金属配線層となる印刷層を形成する。そして、これら複数枚のグリーンシートを積層してプレスすることにより一体化し、グリーンシート積層体とする。

その後、前記グリーンシート積層体にパンチ加工を行って、第１貫通穴２１（第１凹部）を形成する（第１穴明け工程）。この段階ではまだ未焼結状態であるので、穴加工を比較的簡単にかつ低コストで行うことができる。第１穴明け工程では、焼成工程を経た時点における第１貫通穴２１（第１凹部）の内径が、基板側位置合わせ穴２３（第２凹部）の内径（約０．７ｍｍ）及びガイドピン４４の直径（約０．７ｍｍ）よりも大きくなるように設定して、穴加工を行う。具体的には、１．２ｍｍ〜２．４ｍｍ程度に設定して第１貫通穴２１の穴加工を行う。その理由は、セラミックは焼成工程を経ることで収縮し、それに伴って第１貫通穴２１も小径化しかつ位置ズレするため、このことを計算に入れて第１貫通穴２１を大きめに形成しておく必要があるからである。

次に、周知の手法に従って乾燥工程や脱脂工程などを行った後、さらにアルミナが焼結しうる加熱温度にて焼成工程を行う。これにより、グリーンシート積層体（セラミック未焼結体）を焼結させてセラミック基板１１とする。この時点でセラミックは硬質化しかつ収縮する。

続く樹脂充填工程では、以下のようにして第１貫通穴２１内に樹脂充填体２２を設ける。まず、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＪＥＲ社製「エピコート８０７」）８０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＪＥＲ社製「エピコート１５２」）２０重量部に対し、硬化剤（四国化成工業社製「２Ｐ４ＭＺ−ＣＮ」）５重量部、シランカップリング剤（信越化学社製「ＫＢＭ−４０３」）で処理したシリカフィラー（龍森製「ＴＳＳ−６」）２００重量部、消泡剤（サンノプコ社製「ベレノールＳ−４」）を混合する。この混合物を３本ロールにて混練することにより、樹脂充填体２２形成用の樹脂材料としておく。即ち、本実施形態では、熱硬化性樹脂中に無機フィラーを含む未硬化状態の樹脂材料を用いる。

次に、セラミック基板１１を印刷装置にセットし、その上面１２に所定のメタルマスク（図示略）を密着させて配置する。かかるメタルマスクにおいて第１貫通穴２１に対応する箇所には、開口部があらかじめ形成されている。このようなメタルマスクを介して前記樹脂材料を印刷することにより、各第１貫通穴２１内に樹脂材料を隙間なく完全に充填する。この後、印刷後のセラミック基板１１を印刷装置から取り外した後、１２０℃，１時間の条件で加熱し、前記樹脂材料の充填によって形成された樹脂充填体２２を半硬化させる。ここで、樹脂充填体２２を完全に硬化させないのは、次の第２穴明け工程での穴加工をよりいっそう容易に行うためである。

続く第２穴明け工程では、精密ドリルを用いた精密穴加工を行って樹脂充填体２２に基板側位置合わせ穴２３（第２凹部）を形成する。このような加工法によれば、位置合わせの際の基準となるガイドピン４４を、所望とする正しい位置にて支持可能な基板側位置合わせ穴２３とすることができる。

次に、前記セラミック基板１１を１５０℃，５時間の条件で加熱する本硬化処理を行って、樹脂充填体２２を完全に硬化させる。さらに、周知の手法により仕上げ加工を行って、基板側位置合わせ穴２３の穴径を０．７００ｍｍとなるように微調整する。このときの加工に要求される精度は、具体的には±０．００１ｍｍである。

続くガイド部材取付工程では、専用の治具などを用いて、基板側位置合わせ穴２３にガイドピン４４を圧入するようにして嵌合させる。続く位置合わせ工程では、セラミック基板１１から突出する各ガイドピン４４を、下側光導波路層３０の各位置合わせ穴３６に対して嵌合させた後、さらに上側光導波路層３１の各位置合わせ穴３６に対して嵌合させる（図４参照）。これにより、２枚の光導波路層３０，３１がセラミック基板１１に位置合わせされた状態で固定され、所望の光電気複合配線基板１０が完成する。

なお、図５に示すような別の方法を採用してもよい。まず、２枚の光導波路層３０，３１を積み重ねて配置するとともに、各位置合わせ穴３６にガイドピン４４を嵌合させる。これにより、２枚の光導波路層３０，３１を位置合わせして相互に固定した状態の積層光導波路構造体５１をあらかじめ作製する。そして次に、この積層光導波路構造体５１の下面側から突出しているガイドピン４４を、セラミック基板１１の基板側位置合わせ穴２３に圧入するようにして嵌合させる（図５参照）。このようにしても、所望の光電気複合配線基板１０を完成させることができる。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態では、光導波路層３０，３１及びセラミック基板１１とは別体のガイドピン４４を、位置合わせ用ガイド部材として用いている。このため、光導波路層３０，３１の一部にわざわざ位置合わせ用構造を設ける必要がなくなり、光導波路層３０，３１の材料や製法を選択する際の制約が少なくなる。よって、上述したような安価な材料や製法にて光導波路層３０，３１を製造することが可能となり、これにより光電気複合配線基板１０の低コスト化が達成しやすくなる。

（２）また、本実施形態では、クラッド３４を透過して光が入射または出射する構造、換言すると入出力部が光導波路層３０，３１の下面（主面）側に存在する構造を採用している。それゆえ、従来とは異なり、入出力部を光導波路層３０，３１の端面に配置する必要がなくなる。よって、光導波路層３０，３１の積層数をあまり増やすことなく多ポート化を図ることができ、厚さ方向の寸法の増大を回避することができる。このため、光電気複合配線基板１０の小型化を達成しやすくなる。しかも、面受発光素子であるＶＣＳＥＬ１４やフォトダイオード１６を光導波路層３０，３１の下面に対向させて配置すればよいので、面受発光素子を入出力部に比較的容易に接続することができる。

（４）本実施形態の光電気複合配線基板１０は、４本のコア３３を有する光導波路層３０，３１を２枚備えた構造であるため、高密度な光並列伝送を実現することが可能である。

（５）本実施形態では、２枚の光導波路層３０，３１が有する各々のＶ字溝３５（換言するとコア３３の端部）を、下面側から見て重なり合わないようにずらして配置している。それゆえ、入射光や出射光の干渉を避けることができ、各コア３３とＶＣＳＥＬ１４との光結合、及び、各コア３３とフォトダイオード１６との光結合を、困難なく行うことができる。
［第２実施形態］

次に、図６，図７に基づいて、第２実施形態の光電気複合配線基板１０について説明する。

第１実施形態では、下側光導波路層３１の下面に金属配線層３８が設けられ、その金属配線層３８上にＶＣＳＥＬ１４、フォトダイオード１６、ドライバＩＣ１８及びレシーバＩＣ１９がはんだ付けされていた。これに対して本実施形態では、下側光導波路層３０の金属配線層３８が省略され、その代わりにセラミック基板１１のキャビティ４１の底面に金属配線層５３が設けられている。そして、この金属配線層上５３上にＶＣＳＥＬ１４、ドライバＩＣ１８等がはんだ付けされている。

また、第１実施形態では、上側光導波路層３１の有する各コア３３のほうが下側光導波路３０の有する各コア３３に比較して若干長めに形成されていたのに対し、本実施形態ではそれらが同じ長さに形成されている（図６参照）。その代わり、上側光導波路層３１の各コア３３及び下側光導波路層３０の各コア３３が、下面側から見て重なり合わないように、コア３３の幅方向にずらして配置されている（図７参照）。なお、この場合のずらし量は、隣接するコア３３同士の中心線間距離の半分の値に設定されている。それゆえ、本実施形態においても、入射光や出射光の干渉を避けることができ、各コア３３とＶＣＳＥＬ１４との光結合、及び、各コア３３とフォトダイオード１６との光結合を、困難なく行うことができる構成となっている。

そして、本実施形態の構成であっても、高密度な光並列伝送が実現可能であるとともに、材料や製法の制約が少ないため低コスト化が達成しやすく、しかも小型化が容易な光電気複合配線基板１０を提供することができる。
［第３の実施形態］

次に、図８に基づいて、第３実施形態の光電気複合配線基板１０について説明する。

本実施形態の光電気複合配線基板１０は、光学素子、セラミック基板１１（光部品支持基板）、ガイドピン４４（位置合わせ用ガイド部材）、ガイドピン支持ブロック６１（ガイド部材支持部品）等によって構成されている。ガイドピン支持ブロック６１は、セラミック基板１１とは別体で作製された部品であって、直方体状の樹脂塊を材料として形成されている。ガイドピン支持ブロック６１は、基板側位置合わせ穴であるガイドピン支持穴６２を有している。かかるガイドピン支持穴６２は、ドリル加工によって形成された断面円形状の貫通穴であって、ガイドピン支持ブロック６１の上面中央部及び下面中央部にて開口している。そして、ガイドピン支持ブロック６１は、キャビティ４１のコーナー部に配置されるとともに、有機系接着剤を用いてキャビティ４１の内面（具体的には内底面及び２つの内側面）に対して接着されている。つまり本実施形態の場合、基板側位置合わせ穴はセラミック基板１１に直接設けられておらず、いわば間接的に設けられている。そして、このように接着されたガイドピン支持ブロック６１のガイドピン支持穴６２には、ガイドピン４４が嵌合され支持されている。その結果、各ガイドピン４４の一部がセラミック基板１１の上面１２から垂直に突出した状態となる。

そして、本実施形態の構成であっても、高密度な光並列伝送が実現可能であるとともに、材料や製法の制約が少ないため低コスト化が達成しやすく、しかも小型化が容易な光電気複合配線基板１０を提供することができる。
［第４の実施形態］

次に、図９に基づいて、第４実施形態の光電気複合配線基板１０について説明する。

本実施形態の光電気複合配線基板１０の場合、アルミナからなるセラミック基板１１に代えて、低温下での焼成によって得られるガラスセラミック基板７１が使用されている。また、金属配線層２６、ビアホール導体２７、接続端子２８及び接続パッド４３が銅（Ｃｕ）によって形成されている。ガラスセラミック基板７１における４箇所には、第１凹部７４が設けられている。第１凹部７４は円形かつ等断面形状であって、ガラスセラミック基板７１の上面１２のみに開口する非貫通穴である。本実施形態において、第１凹部７４はセラミック未焼結体の段階でドリル加工により形成されたものであり、その直径は１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ程度に設定されている。これらの第１凹部７４の内部には銅充填部７３（金属充填部）が設けられており、その銅充填部７３のほぼ中心部にはピン支持穴７２（第２凹部、基板側位置合わせ穴）が設けられている。なお、第１凹部７４の内部にダミーのビアホール導体が設けられ、そのダミーのビアホール導体のほぼ中心部にピン支持穴７２が設けられている、と把握してもよい。銅充填部７３はビアホール導体等と同じ金属材料（即ち銅）からなる。また、ピン支持穴７２は円形かつ等断面形状であって、ガラスセラミック基板７１の上面１２のみにて開口している。本実施形態の場合、ピン支持穴７２の直径は第１凹部７４よりも小さく、約０．７ｍｍに設定されている。

上記構成のガラスセラミック基板７１を製造する方法について説明する。

まず、従来周知の方法に従ってグリーンシートを作製し、パンチ加工等を行って所定部分にビアホール用孔、キャビティ用孔及び第１凹部７４を形成する。次に、ペースト印刷装置を用いてビアホール用孔の中にビアホール導体用の銅ペーストを充填するとともに、同時に当該銅ペーストを第１凹部７４にも充填する。そして、銅ペーストを充填したセラミック未焼結体を、セラミックが焼結しうる７００℃〜１０００℃程度の温度で焼成する。これによりセラミック未焼結体を焼結させ、ガラスセラミック基板７１とする。この時点でセラミックは硬質化しかつ収縮すると同時に、銅ペーストも焼結して硬質化する。ただし、焼結した銅ペーストからなる銅充填部７３のほうが、ガラスセラミック基板７１に比べて硬度が低い。ゆえに、銅充填部７３に対する機械加工のほうが、ガラスセラミック基板７１に対する機械加工に比べて困難性が小さい。続いて、精密ドリルを用いた精密穴加工を行って銅充填部７３にピン支持穴７２を形成する。上述したように、銅充填部７３は加工性に優れた部分であるため、ピン支持穴７２を比較的簡単に加工形成することができる。

そして、本実施形態の構成であっても、高密度な光並列伝送が実現可能であるとともに、材料や製法の制約が少ないため低コスト化が達成しやすく、しかも小型化が容易な光電気複合配線基板１０を提供することができる。

なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。

・ガイドピン４４の本数や形状等は、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて任意に変更することが可能である。

・第１、第３、第４実施形態では、下側光導波路層３０の下面に光学素子を搭載していたが、例えば、上側光導波路層３１の上面に光学素子を搭載することも可能である。

・第３実施形態では、ガイドピン支持ブロック６１が、樹脂塊を材料として形成されていたが、例えば金属塊やガラス塊などを材料として形成されていてもよい。即ち、基板を形成している主材料であるセラミックほど硬質ではなく、比較的加工しやすい材料を用いて、ガイドピン支持ブロック６１を作製することが好ましい。

・第４実施形態では、銅からなる導体部を有するガラスセラミック基板７１に対して銅充填部７３を形成していた。しかし、ガラスセラミック基板７１が、例えば銀からなる導体部を有するものである場合には、銅充填部７３に代えて銀充填部を形成するようにしてもよい。銀も銅と同じくガラスセラミックとの同時焼成が可能な金属だからである。

次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）主面、光路となるコア、前記コアを取り囲むクラッド、光を反射してその進む方向を変換する光路変換部、及び、少なくとも前記主面にて開口する光導波路層側位置合わせ穴を有し、互いに積み重ねて配置された複数の光導波路層と、基板主面、少なくとも前記基板主面にて開口する第１凹部、前記第１凹部に充填された充填体、及び、前記充填に形成され、前記第１凹部よりも小径で、少なくとも前記基板主面にて開口する基板側位置合わせ穴を有するセラミック製の光部品支持基板と、前記複数の光導波路層における各光導波路層側位置合わせ穴及び前記基板側位置合わせ穴に対して嵌合支持された位置合わせ用ガイド部材とを備え、前記クラッドを透過して光が入射または出射することを特徴とする光電気複合配線基板。

（２）前記充填体は、前記光部品支持基板を形成する主材料よりも加工性のよい材料からなることを特徴とする技術的思想１に記載の光電気複合配線基板。

（３）前記光部品支持基板は銅または銀からなる導体部を有する低温焼成セラミック基板であり、前記充填部は前記導体部と同じ金属材料からなることを特徴とする技術的思想１または２に記載の光電気複合配線基板。

（４）主面、光路となるコア、前記コアを取り囲むクラッド、光を反射してその進む方向を変換する光路変換部、及び、少なくとも前記主面にて開口する光導波路層側位置合わせ穴を有し、互いに積み重ねて配置された複数の光導波路層と、基板主面を有する光部品支持基板と、前記光部品支持基板の前記基板主面側に取り付けられるとともに、基板側位置合わせ穴を有するガイド部材支持部品と、前記複数の光導波路層における各光導波路層側位置合わせ穴及び前記基板側位置合わせ穴に対して嵌合支持された位置合わせ用ガイド部材とを備え、前記クラッドを透過して光が入射または出射することを特徴とする光電気複合配線基板。

本発明を具体化した第１実施形態の光電気複合配線基板を示す概略正面図。 第１実施形態の光電気複合配線基板を示す要部拡大断面図。 図２のＡ−Ａ線における断面図。 第１実施形態の光電気複合配線基板の製造手順を説明するための要部拡大断面図。 第１実施形態の光電気複合配線基板の別の製造手順を説明するための要部拡大断面図。 第２実施形態の光電気複合配線基板を示す要部拡大断面図。 図６のＢ−Ｂ線における断面図。 第３実施形態の光電気複合配線基板を示す要部拡大断面図。 第４実施形態の光電気複合配線基板を示す要部拡大断面図。

符号の説明

１０…光電気複合配線基板
１１…光部品支持基板としてのセラミック基板
１２…基板主面
１４…光学素子としてのＶＣＳＥＬ
１５…発光部
１６…光学素子としてのフォトダイオード
１７…受光部
２１…基板側位置合わせ穴
３０…（下側）光導波路層
３１…（上側）光導波路層
３３…コア
３４…クラッド
３５…光路変換部としてのＶ字溝
３６…光導波路層側位置合わせ穴
４４…位置合わせ用ガイド部材としてのガイドピン
５１…積層光導波路構造体
７１…光部品支持基板としてのガラスセラミック基板
７２…基板側位置合わせ穴としてのピン支持穴

Claims (6)

1. 主面、光路となるコア、前記コアを取り囲むクラッド、光を反射してその進む方向を変換する光路変換部、及び、少なくとも前記主面にて開口する光導波路層側位置合わせ穴を有し、互いに積み重ねて配置された複数の光導波路層と、
   基板主面及び少なくとも前記基板主面にて開口する基板側位置合わせ穴を有する光部品支持基板と、
   前記複数の光導波路層における各光導波路層側位置合わせ穴及び前記基板側位置合わせ穴に対して嵌合支持された位置合わせ用ガイド部材と
   を備え、前記クラッドを透過して光が入射または出射することを特徴とする光電気複合配線基板。
2. 発光部及び受光部のうちの少なくとも一方を有し、前記コアと光結合される光学素子を、さらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の光電気複合配線基板。
3. 前記複数の光導波路層における各光導波路層側位置合わせ穴は、機械加工により形成されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の光電気複合配線基板。
4. 前記位置合わせ用ガイド部材はガイドピンであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電気複合配線基板。
5. 前記複数の光導波路層が有する各々の光路変換部は、前記主面側から見て重なり合わない位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電気複合配線基板。
6. 主面、光路となるコア、前記コアを取り囲むクラッド、光を反射してその進む方向を変換する光路変換部、及び、少なくとも前記主面にて開口する光導波路層側位置合わせ穴を有し、互いに積み重ねて配置された複数の光導波路層と、
   前記複数の光導波路層における各光導波路層側位置合わせ穴に対して嵌合支持された位置合わせ用ガイド部材と
   を備え、前記クラッドを透過して光が入射または出射することを特徴とする積層光導波路構造体。

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