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JP2005006381A - スイッチング素子の駆動回路 - Google Patents

スイッチング素子の駆動回路 Download PDF

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JP2005006381A JP2003165579A JP2003165579A JP2005006381A JP 2005006381 A JP2005006381 A JP 2005006381A JP 2003165579 A JP2003165579 A JP 2003165579A JP 2003165579 A JP2003165579 A JP 2003165579A JP 2005006381 A JP2005006381 A JP 2005006381A
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勝美 石川
Masaki Sasaki
正貴 佐々木
Koichi Suda
晃一 須田
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Hitachi Ltd
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    • H03KPULSE TECHNIQUE
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    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
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Abstract

【課題】短絡検出時にソフト遮断機能を動作させるとともに、狭幅パルスが入力しても、絶縁破壊を防止できるスイッチング素子のゲート駆動回路を提供することにある。
【解決手段】スイッチング素子23をオン・オフ制御する駆動回路21と、スイッチング素子23の短絡が検出されたときスイッチング素子23のゲート端子電圧を、徐々に降下させるソフト遮断指令回路28とを有する。さらに、オンパルス保持指令回路11は、スイッチング素子23のゲート端子電圧を検出するゲート電圧判定用比較器16によりゲート端子電圧が所定の値を超えた場合に、駆動回路21の出力をオン状態を保持する。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電圧駆動型のスイッチング素子の駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体スイッチング素子,例えば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)をモータ駆動用として用いる場合、アーム短絡や負荷短絡等が発生すると、IGBTのコレクタ電流が急激に増大し、IGBTが過電流破壊若しくは熱破壊されるため、短絡状態を短時間で検出する必要がある。短絡を検出する手段としては、大別して2つの方式がある。短絡検出方式としては、第1は、特開平4−79758号公報に記載されているように、電流センスIGBTを用いて短絡電流を検知する方式が知られている。第2は、特開平2−262826号公報に記載されているようにコレクタ電圧をモニターして短絡状態を検知する方式が知られている。
【0003】
一方では、短絡状態で、高速に電流を遮断すると、遮断時の電流変化率−dI/dtが大きくなり、配線インダクタンスとの積で決まる跳ね上がり電圧が大きくなって、IGBTが破壊されるという問題があった。そのため、特開平4−79758号公報や特開平2−262826号公報に記載の方式では、短絡検知した場合、主IGBT電流を緩やかに遮断するように、ゲート電圧を徐々に低下させるソフト遮断機能を設けている。
【特許文献1】
特開平4−79758号公報
【特許文献2】
特開平2−262826号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平4−79758号公報や特開平2−262826号公報に記載のものでは、短絡検出回路には、ノイズによる誤作動を防止するための遅延時間を設けているため、短絡状態を検知し、ソフト遮断機能が働くまでに1〜2μsの時間遅れがあった。したがって、ソフト遮断機能が動作するまでの1〜2μs間に、ターンオフの信号指令が入ってきた場合、高速で主回路電流を遮断するため、遮断時の電流変化率−dI/dtが大きく、配線インダクタンスとの積で決まる跳ね上がり電圧が大きくなって、IGBTが耐圧破壊されるという問題があった。ここで、ソフト遮断機能が動作するまでの1〜2μs間に、ターンオフの信号指令が入ってきた場合としては、ノイズがPWM信号に重畳した場合がある。ノイズは、1μs程度の狭幅パルスであるため、このノイズの終了時にターンオフ指令と誤認される場合がある。
【0005】
本発明の目的は、短絡検出時にソフト遮断機能を動作させるとともに、狭幅パルスが入力しても、絶縁破壊を防止できるスイッチング素子の駆動回路を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
(1)上記目的を達成するため、本発明は、スイッチング素子をオン・オフ制御する駆動回路と、このスイッチング素子の短絡を検出する短絡検出手段と、この短絡手段により短絡が検出されたとき前記スイッチング素子のゲート端子電圧を、徐々に降下させるソフト遮断手段とを有するスイッチング素子の駆動回路において、前記スイッチング素子のゲート端子電圧を検出するゲート電圧検出手段と、このゲート電圧検出手段により検出されたゲート端子電圧が所定の値を超えた場合に、前記駆動回路の出力をオン状態を保持するオンパルス保持手段を備えるようにしたものである。
かかる構成により、短絡検出時にソフト遮断機能を動作させるとともに、駆動回路の出力をオン状態に保持して、狭幅パルスが入力しても、絶縁破壊を防止し得るものとなる。
【0007】
(2)上記(1)において、好ましくは、さらに、前記スイッチング素子のゲート電圧をクランプするゲート電圧クランプ手段を備え、前記オンパルス保持手段の出力信号により前記ゲート電圧クランプ手段を動作させるようにしたものである。
【0008】
(3)上記(1)において、好ましくは、前記スイッチング素子が、ゲート端子と第1端子と第2端子と第3の端子を有し、ゲート端子への電圧印加により、前記第1端子と第2端子間に主電流を流し、第1端子と第3端子間に主電流に比例したセンス電流を流す電圧駆動型のセンス機能付きのスイッチング素子であり、前記オンパルス保持手段は、このゲート電圧検出手段により検出されたゲート端子電圧が所定の値を超え、しかも、前記スイッチング素子の第3端子に直列に接続するセンス抵抗のセンス電圧が、所定の値を超えた場合に、前記駆動回路の出力をオン状態を保持するようにしたものである。
【0009】
(4)上記(1)において、好ましくは、さらに、前記駆動回路に入力するパルス信号のパルス幅を拡張するパルス幅拡張手段を備えるようにしたものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図1及び図2を用いて、本発明の第1の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成及び動作について説明する。
最初に、図1を用いて、本実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成及び動作について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。
【0011】
本実施形態では、スイッチング素子のゲート駆動回路に用いられるスイッチング素子として、センス機能付きIGBT23を用いている。センス機能付きIGBT23は、第1端子(コレクタ端子)と第2端子(エミッタ端子)間に主電流を流し、第1端子(コレクタ端子)と第3端子(センスエミッタ端子)間に主電流の何百〜何千分の1のセンス電流を流すことができる。センス機能付きIGBT23のゲート端子には、ゲート抵抗Rgが接続され、駆動回路21により、PWM入力信号を伝達し、IGBT23をオン・オフする機能を持っている。
【0012】
なお、第3端子(センスエミッタ端子)には、センス抵抗Rsがグランドに直列に接続されている。短絡判定用比較器27は、センス抵抗Rsの電圧を測定し、センス抵抗Rsの電圧が基準電圧(センス電圧検知レベル)VSDより高い場合には、短絡と判断している。短絡判定用比較器27が短絡を判定した場合、ソフト遮断指令回路28は、駆動回路21のオン・オフを停止し、また、ソフト遮断用nMOS29をオンして、ソフト遮断用抵抗Rsfにより、ゲート電圧を徐々に絞るため、IGBTに流れる電流を緩やかに遮断でき、遮断時の電流変化率−dI/dtと、配線インダクタンスとの積で決まる跳ね上がり電圧を低くすることができる。
【0013】
ここで、センス抵抗Rsの電圧には、スイッチング時のノイズや、短絡判定用比較器27までの配線が長くなることにより、高周波のノイズを発生する。そこで、センス抵抗Rsと短絡判定用比較器27との間に、ノイズを除去するためのフィルタ回路26を設けている。フィルタ回路26は、入力電圧であるセンス抵抗Rsの電圧が急激に立ち上がったとしても、出力電圧は1〜2μsの遅れを持ってゆっくりと立ち上がる特性となっている。
【0014】
PWM信号として10kHzの信号を用いた場合、PWM信号の1周期は100μsである。通常、PWM信号のオンデューティの最小値は、2〜3%に設定されているので、PWM信号のオンパルスのパルス幅の最小値は、2〜3μsとなる。したがって、フィルタ回路26を追加しても、2〜3μsのPWM信号が入力された場合は、ソフト遮断指令は1〜2μs程度しか遅延しないため問題はないものである。しかし、ノイズ信号のように1〜2μsの狭幅信号が入力すると、PWMのオフ指令信号とソフト遮断指令信号の競争が起き、IGBT23が耐圧破壊される恐れがある。
【0015】
そこで、本実施形態においては、狭幅パルス対策として、ゲート電圧判定用比較器16と、オンパルス保持指令回路11を備えている。オンパルス保持指令回路11が出力するオンパルス保持信号は、オア回路22を介して駆動回路21に入力する。
【0016】
アーム短絡が起きると、ゲート電圧は電源電圧を越えて充電され、その結果、IGBTの電流は、ゲート電圧の上昇に伴って、急激に増加する。従って、ゲート電圧が最も早く短絡か否かを判断できる。ゲート電圧判定用比較器16は、ゲート電圧をモニターする回路である。ゲート電圧判定用比較器16は、ゲート電圧が基準電圧(ゲート電圧検知レベル)VGDよりも高くなると、アーム短絡が発生したと判定する。ゲート電圧検知レベルVGDは、プレーナのIGBTの場合は、この駆動回路の電源電圧(15V)程度に設定する。また、トレンチゲートのIGBTの場合、飽和電流が非常に大きいため、電源電圧よりも低い値に設定する。例えば、IGBTの閾値が6V程度の場合、プレーナのIGBTでは14V程度に設定し、トレンチゲートのIGBTでは9V程度に設定する。すなわち、9〜14Vに設定することが望ましい。
【0017】
次に、図2を用いて、本実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の動作について説明する。
図2は、本発明の第1の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の動作を示すタイムチャートである。図2は、狭幅パルスが入力した時にアーム短絡が生じた場合の動作を示している。図2の横軸は時間を示している。図2(A)は駆動回路21に入力するPWM信号を示している。図2(B)はオンパルス保持指令回路11が出力するオンパルス保持信号を示している。図2(C)は駆動回路21の出力信号を示している。図2(D)はIGBT23のゲート電圧を示している。図2(E)はIGBT23の中の主IGBT電流を示している。図2(F)はフィルタ回路26の出力であるセンス電圧を示している。
【0018】
図2(A)に示すように、PWM信号として、ノイズ等による狭幅パルスが入力したものとする。ここでは、パルス信号の立ち下がりでPWM信号がオンし、立ち上がりでPWMがオフするものとする。すなわち、時刻t1において、PWM信号がオンし、時刻t4において、PWM信号がオフするものとする。PWM信号のパルス幅ΔT1は、例えば、1μsとする。通常のPWM信号のオンタイムの最小値は、2〜3μsに設定しているため、1μsの狭幅パルスは、ノイズ等によって発生するものである。
【0019】
PWM信号は、オア回路22を介して、駆動回路21に入力するが、駆動回路21は、ターンオン,ターンオフの遅延時間を有している。すなわち、図2(A)に示すように、時刻t1においてPWM信号が立ち下がると、図2(C)に示すように、駆動回路21の出力信号は、時間ΔT2だけ遅延して、時刻t2にターンオンする。また、図2(A)に示すように、時刻t4においてPWM信号が立ち上がると、駆動回路21の出力信号は、時間ΔT3だけ遅延してターンオフする。ターンオン,ターンオフの遅延時間ΔT2,ΔT3は、例えば、0.5μs程度である。
【0020】
図2(C)に示すように、時刻t2において、駆動回路21の出力信号がターンオンすると、図2(D)に示すように、時刻t2からIGBT23のゲート電圧が増加する。
【0021】
この時、IGBT23のアーム短絡が起きると、図2(D)に示すように、ゲート電圧は電源電圧を越えて充電される。したがって、ゲート電圧は、ゲート電圧検知レベルVGDを越えることになる。ゲート電圧の上昇に伴って、図2(E)に示すように、IGBT23の電流も、急激に増加する。しかし、ノイズ防止用のフィルタ23の遅延作用によって、図2(F)に示すように、フィルタ23の出力であるセンス電圧は、遅れて上昇する。
【0022】
ここで、アーム短絡が起きると、時刻t3において、図2(D)に示すように、ゲート電圧はゲート電圧検知レベルVGDを越えるため、ゲート電圧判定比較器16は短絡状態であることを検知し、オンパルス保持指令回路11は、図2(B)に示すように、時刻t3においてオンパルス保持信号を出力する。オンパルス保持指令回路11としては、例えば、ワンショットマルチバイブレータを用い、オンパルス保持信号のパルス幅ΔT4は、例えば、2〜3μsとしている。
【0023】
駆動回路21は、図2(A)に示すPWM信号と、図2(B)に示すオンパルス保持信号の和で、図2(C)に示すように、駆動回路出力信号を決定する。なお、ターンオン,ターンオフの遅延時間ΔT2,ΔT3については、上述のとおりである。時刻t7にオンパルス保持信号がオフになると、駆動回路出力信号は、時刻t8にオフとなる。従って、PWM信号が時刻t4にオフとなり、ターンオフ遅延時間後の時刻5以降においても、駆動回路21は、図2(C)に示すように、オンパルスを出力し続ける。したがって、図2(D)に示すように、時刻t5以降でも、ゲート電圧もオフになることがないものである。
【0024】
ここで、例えば、図2(F)に示すように、時刻t6において、センス電圧がセンス電圧検知レベルVSDを越えると、短絡判定用比較器27が短絡を判定する。そして、ソフト遮断指令回路28は、駆動回路21のオン・オフを停止し、ソフト遮断用nMOS29がオンし、ソフト遮断用抵抗Rsfにより、ゲート電圧を徐々に絞るため、図2(E)に示すように、IGBTに流れる電流を緩やかに遮断し、遮断時の電流変化率−dI/dtと、配線インダクタンスとの積で決まる跳ね上がり電圧を低くすることができる。
【0025】
従って、ゲート電圧判定用比較器16と、オンパルス保持指令回路11を設けることで、狭幅パルス入力時の短絡に対しても、確実に短絡保護することが可能になった。
【0026】
なお、ここで、オンパルス保持指令回路11を設けない場合について簡単に説明する。オンパルス保持指令回路11を設けない場合、狭幅パルスが、図2(A)に示すように、時刻t1に立ち下がり、時刻t4に立ち上がったとすると、図2(C)に示すように、駆動回路の出力信号は、時刻t2にオンとなり、そして、時刻t5にオフとなる。一方、図2(F)に示すように、時刻6においてセンス電圧がレベルVSDを越えてアース短絡が検出されると、ソフト遮断機能が動作する。
【0027】
時刻t5では、ソフト遮断指令が入る前に、ターンオフ指令が入ることとなり、ゲート電圧は、通常のスイッチング速度でゲート電圧を絞るため、高速で主回路電流を遮断し、遮断時の電流変化率−dI/dtが大きく、配線インダクタンスとの積で決まる跳ね上がり電圧が大きくなって、IGBTが耐圧破壊される恐れがあった。
【0028】
なお、オンパルス保持指令回路11が出力するオンパルス保持信号のオン時間ΔT4は、2〜3μsとしているが、この時間は、IGBT23の短絡耐量以下とすればよいものである。例えば、IGBTの短絡耐量が10μsとすると、これよりも短い時間とする。オンパルスを保持すると、その間ゲート電圧は高いレベルに保持されるが、短絡耐量以下の時間で有れば、IGBTが破壊することは防止できる。また、短絡耐量の時間が経過する前に、ソフト遮断されるため、IGBTが破壊されることも防止できる。
【0029】
以上のように、本実施形態では、オンパルスを保持することにより、狭幅パルス入力時に短絡に対しても、確実に短絡保護することができる。
【0030】
次に、図3及び図4を用いて、本発明の第2の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成及び動作について説明する。
最初に、図3を用いて、本実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成及び動作について説明する。
図3は、本発明の第2の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。なお、図1と同一符号は、同一部分を示している。
【0031】
本実施形態では、図1に示した構成に加えて、ゲート電圧クランプ用nMOS17と、ゲート電圧クランプ用抵抗Rcrからなる電圧クランプ回路18を備えている。ゲート電圧クランプ用nMOS17がオンすると、IGBT23のゲート電圧VGは、駆動回路21の出力電圧VDRを、抵抗Rgと抵抗RCRで分圧した電圧値(VDR×(Rcr/(Rcr+Rg)))に保持される。駆動回路21の出力電圧VDRを15Vとすると、クランプ電圧は、10〜12Vとなるようにゲート電圧クランプ用抵抗Rcrの抵抗値が設定されている。また、クランプ電圧は、ゲート電圧検知レベルVGDよりも低い値に設定されている。
【0032】
次に、図4を用いて、本実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の動作について説明する。
図4は、本発明の第2の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の動作を示すタイムチャートである。図4は、狭幅パルスが入力した時にアーム短絡が生じた場合の動作を示している。図4の横軸は時間を示している。図4(A)は駆動回路21に入力するPWM信号を示している。図4(B)はオンパルス保持指令回路11が出力するオンパルス保持信号を示している。図4(C)は駆動回路21の出力信号を示している。図4(D)はIGBT23のゲート電圧を示している。なお、図4(D)において、破線は、ゲート電圧クランプ回路18を用いない場合のゲート電圧を示し、図2(D)と同様である。図4(D)の実線は、クランプ回路18が動作した場合のゲート電圧を示している。図4(E)はIGBT23の中の主IGBT電流を示している。図4(F)はフィルタ回路26の出力であるセンス電圧を示している。
【0033】
アーム短絡が起きると、図4(F)に示すように、ゲート電圧はゲート電圧検知レベルを越えて、ゲート電圧判定比較器16が、短絡状態であることを検知し、図4(B)に示すように、オンパルス保持信号が出力される。駆動回路21は、PWM信号とオンパルス保持信号の和で、駆動回路出力信号を決定する。従って、図4(C)に示すように、PWM信号がオフ指令となっても、オンパルスを出力し続ける。
【0034】
さらに本実施形態では、ゲート電圧クランプ回路18を設けることで、図4(D)に実線で示すように、オンパルス保持信号の間、ゲート電圧を低下させる。このことで、図4(E)に実線で示すように、IGBTの短絡電流も低減することができる。
【0035】
トレンチゲートのIGBTを使用した場合、飽和電流は、定格電流の約10倍となるが、本方式を用いることで、短絡時のIGBTの電流を、約半分程度に低減することができる。
【0036】
以上のように、本実施形態では、ゲート電圧判定用比較器16と、オンパルス保持指令回路11に加えて、ゲート電圧クランプ回路18を設けることで、短いPWM信号入力の短絡に対しても、確実に短絡保護することが可能になるのに加えて、短絡電流も低減することが可能になるため、図1に示した例に比べて、より安全性を向上できるものである。
【0037】
次に、図5を用いて、本発明の第3の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成及び動作について説明する。
図5は、本発明の第3の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。なお、図1と同一符号は、同一部分を示している。
【0038】
本実施形態では、図1に示した例で用いたセンス機能付きIGBT23の代わりに、IGBT24を用いている。図1の例では、センス電流を検出して、短絡保護を実施しているが、本例では、短絡判定用比較器27Aは、高圧ダイオード31のアノード電圧をモニターして、所定電圧VADより高い場合に短絡と判断している。
【0039】
本実施形態でも、ゲート電圧判定用比較器16と、オンパルス保持指令回路11を設けている。狭幅パルス信号に対して、アーム短絡が起きると、ゲート電圧はゲート電圧検知レベルを越えて、ゲート電圧判定比較器16が、短絡状態であることを検知し、オンパルス保持回路11が動作する。駆動回路21は、PWM信号とオンパルス保持信号の和で、駆動回路出力信号を決定する。従って、PWM信号がオフ指令となっても、オンパルスを出力し続ける。その後、短絡判定用比較器27Aが短絡を判定し、ソフト遮断指令回路28により、駆動回路21のオン・オフを停止し、ソフト遮断用nMOS29がオンし、ソフト遮断用抵抗Rsfにより、ゲート電圧を徐々に絞るため、IGBTに流れる電流を緩やかに遮断し、跳ね上がり電圧を低くすることができる。
【0040】
以上のように、本実施形態では、オンパルスを保持することにより、狭幅パルス入力時に短絡に対しても、確実に短絡保護することができる。
【0041】
次に、図6を用いて、本発明の第4の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成及び動作について説明する。
図6は、本発明の第4の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。なお、図5と同一符号は、同一部分を示している。
【0042】
本実施形態では、図5の例におけるゲート電圧判定用比較器16と、オンパルス保持指令回路11に加えて、ゲート電圧クランプ用nMOS17と、ゲート電圧クランプ用抵抗Rcrからなる電圧クランプ回路18を備えている。電圧クランプ回路18の構成動作は、図3にて説明したものと同様である。
【0043】
狭幅パルス信号入力に対して、アーム短絡が起きると、ゲート電圧はゲート電圧検知レベルを越えて、ゲート電圧判定比較器16が、短絡状態であることを検知し、オンパルス保持信号が働く。駆動回路21は、PWM信号とオンパルス保持信号の和で、駆動回路出力信号を決定する。従って、PWM信号がオフ指令となっても、オンパルスを出力し続ける。さらに本発明では、ゲート電圧クランプ回路18を設けることで、オンパルス保持信号の間、ゲート電圧を低下させる。このことで、IGBTの短絡電流も低減することができる。
【0044】
以上のように、本実施形態では、短いPWM信号入力の短絡に対しても、確実に短絡保護することが可能になるのに加えて、短絡電流も低減することが可能になるため、より安全性を向上できるものである。
【0045】
次に、図7を用いて、本発明の第5の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成及び動作について説明する。
図7は、本発明の第5の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。なお、図1と同一符号は、同一部分を示している。
【0046】
本実施形態では、センス抵抗Rs1,Rs2がグランドに直列に接続されている。このセンス抵抗Rs1,Rs2の電圧を測定し、短絡判定用比較器27により、短絡か否かを判断していると共に、センス電圧判定用比較器19と、AND回路20を設けている。センス電圧判定用比較器19は、センス抵抗Rs1の電圧を測定して、所定電圧VSD2より高い場合に短絡と判断している。
【0047】
したがって、本実施形態では、センス電圧判定用比較器19と、ゲート電圧判定用比較器16が共に短絡状態を検出したことをAND回路20により判定し、短絡状態であると検知されると、オンパルス保持指令回路11が動作して、オンパルス保持信号が出力される。IGBTの電流と、ゲート電圧を同時にモニターして短絡を検出した上で、オンパルス保持を行うことで、狭幅パルス信号入力の短絡に対しても、さらに確実に短絡保護することが可能となる。
【0048】
次に、図8を用いて、本発明の第6の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成及び動作について説明する。
図8は、本発明の第6の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。なお、図7と同一符号は、同一部分を示している。
【0049】
本実施形態では、図7の例におけるゲート電圧判定用比較器16と、オンパルス保持指令回路11に加えて、電圧クランプ回路18を備えている。電圧クランプ回路18の構成動作は、図3にて説明したものと同様である。
【0050】
本実施形態では、オンパルス保持信号の間、ゲート電圧を低下させることで、IGBTの短絡電流も低減することができる。従って、狭幅パルス信号入力の短絡に対しても、確実に短絡保護することが可能になるのに加えて、短絡電流も低減することが可能となる。
【0051】
次に、図9及び図10を用いて、本発明の第7の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成及び動作について説明する。
最初に、図9を用いて、本実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成について説明する。
図9は、本発明の第7の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。なお、図1と同一符号は、同一部分を示している。
【0052】
本実施形態では、図1の構成に加えて、狭幅パルス拡張回路42とを備えている。狭幅パルス除去回路42は、例えば、1μsより短いパルスのパルス幅を、1μ以上のパルス幅の信号になるようにパルス幅を拡張するものである。狭幅パルス拡張回路42は、例えば、比較器等を用いて構成することができる。
【0053】
次に、図10を用いて、本実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の動作について説明する。
図10は、本発明の第7の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の動作を示すタイムチャートである。図10は、狭幅パルスが入力した時にアーム短絡が生じた場合の動作を示している。図10の横軸は時間を示している。図10(A)は駆動回路21に入力するPWM信号を示している。図10(A’)は狭幅パルス拡張回路42が出力するPWM信号を示している。図10(B)はオンパルス保持指令回路11が出力するオンパルス保持信号を示している。図10(C)は駆動回路21の出力信号を示している。図10(D)はIGBT23のゲート電圧を示している。図10(E)はIGBT23の中の主IGBT電流を示している。図10(F)はフィルタ回路26の出力であるセンス電圧を示している。
【0054】
狭幅パルス拡張回路42は、図10(A)に示すように、時刻t11にパルス幅がΔT5の狭幅パルスが入力すると、図2(A’)に示すように、時刻t13においてパルス幅をΔT6(>ΔT5)に拡張して出力する。
【0055】
駆動回路21は、図10(A’)に示すPWM信号と、図10(B)に示すオンパルス保持信号の和で、図10(C)に示すように、時刻t14から駆動回路出力信号がオンになる。
【0056】
アーム短絡が起きると、図10(F)に示すように、ゲート電圧はゲート電圧検知レベルを越えて、ゲート電圧判定比較器16が、短絡状態であることを検知し、図10(B)に示すように、オンパルス保持信号が出力される。駆動回路21は、PWM信号とオンパルス保持信号の和で、駆動回路出力信号を決定する。従って、図10(C)に示すように、PWM信号がオフ指令となっても、オンパルスを出力し続ける。
【0057】
ここで、例えば、図10(F)に示すように、時刻t15において、センス電圧がセンス電圧検知レベルVSDを越えると、短絡判定用比較器27が短絡を判定する。そして、ソフト遮断指令回路28は、駆動回路21のオン・オフを停止し、ソフト遮断用nMOS29がオンし、ソフト遮断用抵抗Rsfにより、ゲート電圧を徐々に絞るため、図10(E)に示すように、IGBTに流れる電流を緩やかに遮断し、遮断時の電流変化率−dI/dtと、配線インダクタンスとの積で決まる跳ね上がり電圧を低くすることができる。
【0058】
従って、ゲート電圧判定用比較器16と、オンパルス保持指令回路11を設けることで、狭幅パルス入力時の短絡に対しても、確実に短絡保護することが可能になった。
【0059】
また、狭幅パルス拡張回路42を設けることにより、図10(A)に示すPWM信号のパルス幅が狭い場合の短絡保護をさらに向上させることができる。例えば、図10(A)に示すように、PWM信号が時刻t11において立ち下がり、時刻t12に立ち上がる場合、駆動回路の出力信号は、図10(C)は時刻t13にオンとなり、さらに、時刻t13よりも後で、オンパルス保持信号が出力する時刻t13よりもオフになると、この時点では、オンパルス保持信号はまだオンとなっていないため、急激なIGBTの遮断が生じる恐れがある。このような場合でも、狭幅パルス拡張回路42により狭いパルス幅を拡張することにより、駆動回路出力信号がオン状態を継続できるため、IGBTの破壊を防止することができる。
【0060】
従って、本実施形態では、さらに短いパルス幅の信号入力時の短絡に対しても、さらに確実に短絡保護することができる。
【0061】
【発明の効果】
本発明によれば、短絡検出時にソフト遮断機能を動作させるとともに、狭幅パルスが入力しても、絶縁破壊を防止できるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の動作を示すタイムチャートである。
【図3】本発明の第2の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。
【図4】本発明の第2の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の動作を示すタイムチャートである。
【図5】本発明の第3の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。
【図6】本発明の第4の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。
【図7】本発明の第5の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。
【図8】本発明の第6の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。
【図9】本発明の第7の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の構成を示す回路ブロック図である。
【図10】本発明の第7の実施形態によるスイッチング素子のゲート駆動回路の動作を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
11…オンパルス保持指令回路
16…ゲート電圧判定用比較器
17…ゲート電圧クランプ用nMOS
18…ゲート電圧クランプ回路
19…センス電圧判定用比較器
20…AND回路
21…駆動回路
23…センス機能付きIGBT
24…IGBT
26…フィルタ回路
27,27A…短絡判定用比較器
28…ソフト遮断指令回路
29…ソフト遮断用nMOS
31…高圧ダイオード
42…狭幅パルス拡張回路

Claims (4)

  1. スイッチング素子をオン・オフ制御する駆動回路と、このスイッチング素子の短絡を検出する短絡検出手段と、この短絡手段により短絡が検出されたとき前記スイッチング素子のゲート端子電圧を、徐々に降下させるソフト遮断手段とを有するスイッチング素子の駆動回路において、
    前記スイッチング素子のゲート端子電圧を検出するゲート電圧検出手段と、
    このゲート電圧検出手段により検出されたゲート端子電圧が所定の値を超えた場合に、前記駆動回路の出力をオン状態を保持するオンパルス保持手段を備えたことを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。
  2. 請求項1記載のスイッチング素子の駆動回路において、さらに、
    前記スイッチング素子のゲート電圧をクランプするゲート電圧クランプ手段を備え、
    前記オンパルス保持手段の出力信号により前記ゲート電圧クランプ手段を動作させることを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。
  3. 請求項1記載のスイッチング素子の駆動回路において、、
    前記スイッチング素子が、ゲート端子と第1端子と第2端子と第3の端子を有し、ゲート端子への電圧印加により、前記第1端子と第2端子間に主電流を流し、第1端子と第3端子間に主電流に比例したセンス電流を流す電圧駆動型のセンス機能付きのスイッチング素子であり、
    前記オンパルス保持手段は、このゲート電圧検出手段により検出されたゲート端子電圧が所定の値を超え、しかも、前記スイッチング素子の第3端子に直列に接続するセンス抵抗のセンス電圧が、所定の値を超えた場合に、前記駆動回路の出力をオン状態を保持することを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。
  4. 請求項1記載のスイッチング素子の駆動回路において、さらに、
    前記駆動回路に入力するパルス信号のパルス幅を拡張するパルス幅拡張手段を備えたことを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006271098A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Hitachi Ltd 電力変換装置
JP2008042958A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジュール
JP2008072848A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
KR100977170B1 (ko) 2010-03-12 2010-08-20 주식회사 티엘아이 축전단자의 전압을 신속히 회복하는 용량성 터치 감지 시스템
JP2010246251A (ja) * 2009-04-06 2010-10-28 Denso Corp 電力変換回路の駆動回路
JP2011029818A (ja) * 2009-07-23 2011-02-10 Hitachi Automotive Systems Ltd 半導体素子制御装置、車載用電機システム
US7933105B2 (en) 2006-09-05 2011-04-26 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Switching element driving device and switching element driving method
WO2011121765A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-06 三菱電機株式会社 電力変換装置およびサージ電圧抑制方法
JP2011198891A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Renesas Electronics Corp 半導体基板および半導体装置
JP2012217087A (ja) * 2011-04-01 2012-11-08 Denso Corp 負荷駆動装置
JP2015019554A (ja) * 2013-07-12 2015-01-29 株式会社デンソー スイッチング素子の駆動回路
JP2015019455A (ja) * 2013-07-09 2015-01-29 株式会社デンソー 駆動対象スイッチング素子の駆動回路
JP2015103939A (ja) * 2013-11-25 2015-06-04 シンフォニアテクノロジー株式会社 半導体装置
US9461457B2 (en) 2013-04-15 2016-10-04 Denso Corporation Driver for target switching element and control system for machine using the same
WO2016189830A1 (ja) * 2015-05-27 2016-12-01 株式会社デンソー 駆動装置
JP2020017882A (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 オムロン株式会社 スイッチ回路及び電力変換装置
WO2021199682A1 (ja) * 2020-03-30 2021-10-07 ローム株式会社 ミラークランプ回路
JP7493881B2 (ja) 2020-09-07 2024-06-03 矢崎総業株式会社 パワーデバイス駆動装置

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4337711B2 (ja) * 2004-11-17 2009-09-30 株式会社デンソー 半導体素子制御装置
US8154837B2 (en) * 2005-08-10 2012-04-10 Continental Teves Ag & Co, Ohg Circuit arrangement and method for monitoring wheel speed sensors in a motor vehicle control device
KR101407245B1 (ko) * 2006-11-21 2014-06-16 페어차일드코리아반도체 주식회사 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 폴트 보호 시스템
JP4752811B2 (ja) * 2007-06-06 2011-08-17 日産自動車株式会社 電圧駆動型素子の駆動回路
GB0712826D0 (en) * 2007-07-03 2007-08-08 Pilkington Group Ltd RF interference reduction for functional glazings
US8503146B1 (en) * 2007-10-16 2013-08-06 Fairchild Semiconductor Corporation Gate driver with short-circuit protection
KR100942114B1 (ko) * 2007-11-06 2010-02-12 엘에스산전 주식회사 스위칭 소자의 구동장치
JP5044448B2 (ja) * 2008-03-03 2012-10-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電源スイッチ回路
JP5253012B2 (ja) * 2008-06-24 2013-07-31 ローム株式会社 パワー半導体の駆動回路装置およびそれに用いる信号伝達回路装置
US20130088096A1 (en) * 2010-04-14 2013-04-11 Honda Motor Co., Ltd. Short-circuit protection method
JP5678498B2 (ja) * 2010-07-15 2015-03-04 富士電機株式会社 電力用半導体素子のゲート駆動回路
JP5729472B2 (ja) * 2011-07-14 2015-06-03 富士電機株式会社 短絡保護回路
CN103222193A (zh) * 2011-08-03 2013-07-24 松下电器产业株式会社 指令检测装置
JP5864222B2 (ja) * 2011-11-15 2016-02-17 住友電気工業株式会社 トランジスタ保護回路
JP5776658B2 (ja) * 2012-09-24 2015-09-09 トヨタ自動車株式会社 半導体駆動装置
US8854087B2 (en) * 2012-09-28 2014-10-07 Infineon Technologies Austria Ag Electronic circuit with a reverse conducting transistor device
JP5801001B2 (ja) 2012-12-21 2015-10-28 三菱電機株式会社 駆動保護回路、半導体モジュール及び自動車
US9664729B2 (en) * 2013-01-09 2017-05-30 Nxp Usa, Inc. Apparatus and method for monitoring operation of an insulated gate bipolar transistor
WO2014128951A1 (ja) * 2013-02-25 2014-08-28 株式会社 日立製作所 電力変換装置
US9780660B2 (en) 2013-05-10 2017-10-03 Hitachi, Ltd. Apparatus for controlling insulating gate-type semiconductor element, and power conversion apparatus using apparatus for controlling insulating gate-type semiconductor element
DE102014200503A1 (de) * 2014-01-09 2015-07-09 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Betreiben eines aktiven Gleichrichters, Schaltungsanordnung und Computerprogramm
US9316681B2 (en) * 2014-07-25 2016-04-19 Freescale Semiconductor, Inc. Systems and methods for test circuitry for insulated-gate bipolar transistors
US10254327B2 (en) * 2016-02-29 2019-04-09 Infineon Technologies Ag Method and device for short circuit detection in power semiconductor switches
EP3229373A1 (en) * 2016-04-06 2017-10-11 Volke Andreas Soft shutdown modular circuitry for power semiconductor switches
KR101776876B1 (ko) * 2016-04-26 2017-09-11 콘티넨탈 오토모티브 시스템 주식회사 전류형 감지장치 및 그 제어방법
US10525841B2 (en) * 2016-10-12 2020-01-07 Ford Global Technologies, Llc Gate driver with short circuit protection
FR3082676B1 (fr) * 2018-06-19 2021-07-23 Alstom Transp Tech Convertisseur d'energie electrique, chaine de traction comportant un tel convertisseur et vehicule electrique de transport associe
US10651723B1 (en) * 2018-10-22 2020-05-12 Infineon Technologies Austria Ag Method for static gate clamping in multi-output gate driver systems
JP6989035B2 (ja) * 2019-01-10 2022-01-05 富士電機株式会社 ゲート駆動装置、スイッチング装置
FR3096784A1 (fr) * 2019-05-28 2020-12-04 Psa Automobiles Sa Dispositif de contrôle de la tension de grille d’un mosfet de commutation
CN112285597B (zh) * 2019-07-12 2022-04-29 海信视像科技股份有限公司 显示面板的短路检测方法、装置
US11139812B2 (en) * 2019-09-26 2021-10-05 Infineon Technologies Ag IGBT emitter current sensing for early desaturation detection and short circuit protection
JP7168105B2 (ja) * 2020-01-10 2022-11-09 富士電機株式会社 スイッチング制御回路、半導体装置
CN111525914B (zh) * 2020-02-17 2022-06-28 瓴芯电子科技(无锡)有限公司 功率器件的驱动装置与方法
US11165422B2 (en) 2020-04-01 2021-11-02 Delta Electronics, Inc. Gate driver circuit with reduced power semiconductor conduction loss
US11451227B2 (en) * 2020-04-30 2022-09-20 Eaton Intelligent Power Limited Control circuitry for power semiconductor switches using control signal feedback
CN114825892B (zh) * 2022-05-27 2023-08-11 杭州晶丰明源半导体有限公司 最小导通时间电路、控制器、电路系统和电流检测方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0208508B1 (en) * 1985-07-02 1993-10-27 Pioneer Electronic Corporation Pulse-width modulation drive circuit
JPS626529A (ja) 1985-07-02 1987-01-13 Pioneer Electronic Corp スイツチング駆動回路
EP0354435B1 (en) * 1988-08-12 1995-12-20 Hitachi, Ltd. A drive circuit for an insulated gate transistor; and its use in a switching circuit, a current switching apparatus and an induction motor system
JPH02262826A (ja) 1989-02-06 1990-10-25 Hitachi Ltd 静電誘導形自己消弧素子の過電流検出方法および装置、それを用いた駆動回路とインバータ装置
US5167026A (en) 1989-02-03 1992-11-24 Digital Equipment Corporation Simultaneously or sequentially decoding multiple specifiers of a variable length pipeline instruction based on detection of modified value of specifier registers
JPH0479758A (ja) 1990-07-19 1992-03-13 Fuji Electric Co Ltd 電流センスigbtの駆動回路
JPH11112313A (ja) * 1997-10-02 1999-04-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体回路及びパワートランジスタ保護回路
US6717785B2 (en) * 2000-03-31 2004-04-06 Denso Corporation Semiconductor switching element driving circuit
US6580627B2 (en) * 2001-01-29 2003-06-17 International Rectifier Corporation Voltage sensing with high and low side signals for deadtime compensation and shutdown for short circuit protection
JP3723789B2 (ja) 2001-09-27 2005-12-07 新明和リビテック株式会社 フォーミング現象検知装置及びこのフォーミング現象検知装置を用いた理美容用スチーム噴射装置
JP3780898B2 (ja) 2001-10-16 2006-05-31 富士電機デバイステクノロジー株式会社 パワーデバイスの駆動回路

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006271098A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Hitachi Ltd 電力変換装置
JP2008042958A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジュール
US7933105B2 (en) 2006-09-05 2011-04-26 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Switching element driving device and switching element driving method
JP2008072848A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2010246251A (ja) * 2009-04-06 2010-10-28 Denso Corp 電力変換回路の駆動回路
JP2011029818A (ja) * 2009-07-23 2011-02-10 Hitachi Automotive Systems Ltd 半導体素子制御装置、車載用電機システム
KR100977170B1 (ko) 2010-03-12 2010-08-20 주식회사 티엘아이 축전단자의 전압을 신속히 회복하는 용량성 터치 감지 시스템
JP2011198891A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Renesas Electronics Corp 半導体基板および半導体装置
US8841720B2 (en) 2010-03-18 2014-09-23 Renesas Electronics Corporation Semiconductor substrate and semiconductor chip
US9252137B2 (en) 2010-03-18 2016-02-02 Renesas Electronics Corporation Semiconductor substrate and semiconductor chip
JP5518181B2 (ja) * 2010-03-31 2014-06-11 三菱電機株式会社 電力変換装置およびサージ電圧抑制方法
WO2011121765A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-06 三菱電機株式会社 電力変換装置およびサージ電圧抑制方法
US9124270B2 (en) 2010-03-31 2015-09-01 Mitsubishi Electric Corporation Electric power conversion device and surge voltage suppressing method
JP2012217087A (ja) * 2011-04-01 2012-11-08 Denso Corp 負荷駆動装置
US9461457B2 (en) 2013-04-15 2016-10-04 Denso Corporation Driver for target switching element and control system for machine using the same
JP2015019455A (ja) * 2013-07-09 2015-01-29 株式会社デンソー 駆動対象スイッチング素子の駆動回路
JP2015019554A (ja) * 2013-07-12 2015-01-29 株式会社デンソー スイッチング素子の駆動回路
JP2015103939A (ja) * 2013-11-25 2015-06-04 シンフォニアテクノロジー株式会社 半導体装置
WO2016189830A1 (ja) * 2015-05-27 2016-12-01 株式会社デンソー 駆動装置
JP2016225696A (ja) * 2015-05-27 2016-12-28 株式会社デンソー 駆動装置
CN107852159A (zh) * 2015-05-27 2018-03-27 株式会社电装 驱动装置
CN107852159B (zh) * 2015-05-27 2021-03-16 株式会社电装 驱动装置
JP2020017882A (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 オムロン株式会社 スイッチ回路及び電力変換装置
WO2020021757A1 (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 オムロン株式会社 スイッチ回路及び電力変換装置
JP6992696B2 (ja) 2018-07-26 2022-01-13 オムロン株式会社 スイッチ回路及び電力変換装置
US11496125B2 (en) 2018-07-26 2022-11-08 Omron Corporation Switch circuit capable of overcurrent protection with small and simple circuit, and with simple operation, without affecting normal operation
WO2021199682A1 (ja) * 2020-03-30 2021-10-07 ローム株式会社 ミラークランプ回路
JP7493881B2 (ja) 2020-09-07 2024-06-03 矢崎総業株式会社 パワーデバイス駆動装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20040252435A1 (en) 2004-12-16
US20070030615A1 (en) 2007-02-08
US20090128974A1 (en) 2009-05-21
US7126802B2 (en) 2006-10-24
US7483250B2 (en) 2009-01-27
US7746614B2 (en) 2010-06-29

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