JP2004319697A - 板状物に形成された電極の加工装置 - Google Patents
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- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 64
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001315 Tool steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
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- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05573—Single external layer
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- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0612—Layout
- H01L2224/0615—Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
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- H01L2924/01005—Boron [B]
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- H01L2924/01006—Carbon [C]
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Abstract
【解決手段】板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃える加工装置であって、被加工物搬入・搬出域と加工域との間を移動可能に構成され板状物を載置する載置面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルを被加工物搬入・搬出域と加工域に移動せしめるチャックテーブル移動機構と、加工域に配設され該チャックテーブルに保持された板状物の表面に突出して形成された複数個の電極を切削し高さを揃える切削工具を備えた切削ユニットと、該切削ユニットをチャックテーブルの載置面と垂直な方向に進退せしめる切削ユニット送り機構と、被加工物搬入・搬出域に位置付けられたチャックテーブルに加工前板状物を搬入する搬入機構と、被加工物搬入・搬出域に位置付けられたチャックテーブルに保持された加工後板状物を搬出する搬出機構とを具備している。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ等の板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃える加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体チップが複数個形成された半導体ウエーハはダイシング装置等によって個々の半導体チップに分割され、この分割された半導体チップは携帯電話やパソコン等の電気機器に広く用いられている。
近年、電気機器の軽量化、小型化を可能にするために、半導体チップの電極に50〜100μmの突起状のバンプを形成し、このバンプを実装基板に形成された電極に直接接合するようにしたフリップチップと称する半導体チップが開発され実用に供されている。また、インターポーザーといわれる基板に複数の半導体チップを併設したり、積層したりして小型化を図る技術も開発され実用化されている。
【0003】
しかるに、上述した各技術は半導体チップ等の基板の表面に複数個の突起状のバンプ(電極)を形成し、その突起状の電極を介して基板同士を接合するため、突起状のバンプ(電極)の高さを揃える必要がある。この突起状のバンプ(電極)の高さを揃えるためには、一般的に研削が用いられている。しかしながら、バンプ(電極)を研削すると、バンプ(電極)が金等の粘りのある金属によって形成されている場合にはバリが発生し、このバリが隣接するバンプ(電極)と短絡するという問題がある。
【0004】
また、半導体チップ等の基板の表面に複数個の突起状のバンプ(電極)を形成技術として、金等のワイヤーの先端を加熱溶融してボールを形成した後、半導体チップの電極にそのボールを超音波併用熱圧着し、ボールの根元を破断するスタッドバンプ形成法がある。このスタッドバンプ形成法によって形成されたバンプ(電極)は、熱圧着されたボールの根元を破断する際に針状の髭が発生することから研磨することが困難であり、加熱した板をバンプに押し当ててバンプの高さを揃えるようにしている。(例えば、特許文献1参照。)
【0005】
【特許文献1】
特開2001−53097号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
而して、加熱した板をバンプに押し当ててバンプの高さを揃えると、バンプの頭が潰れる際に隣接するバンプと短絡するという問題がある。この問題を解消するために上記公報に記載された発明においては、バンプの先端部を除去する余分な工程を設けている。
【0007】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、板状物の表面に突出して形成された複数個の電極を短絡させることなくその高さを容易に揃えることができる加工装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃える加工装置であって、
被加工物搬入・搬出域と加工域との間を移動可能に構成され板状物を載置する載置面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルを被加工物搬入・搬出域と加工域に移動せしめるチャックテーブル移動機構と、加工域に配設され該チャックテーブルに保持された板状物の表面に突出して形成された複数個の電極を切削し高さを揃える切削工具を備えた切削ユニットと、該切削ユニットを該チャックテーブルの該載置面と垂直な方向に進退せしめる切削ユニット送り機構と、被加工物搬入・搬出域に位置付けられた該チャックテーブルに加工前板状物を搬入する搬入機構と、被加工物搬入・搬出域に位置付けられた該チャックテーブルに保持された加工後板状物を搬出する搬出機構と、を具備している、
ことを特徴とする板状物に形成された電極の加工装置が提供される。
【0009】
また、板状物を複数収容したカセットを載置するためのカセット載置部と、該カセット載置部に載置されたカセットから加工前板状物を搬出する被加工物搬送手段と、該被加工物搬送手段によって搬出された板状物を仮置きする被加工物仮置き部とを具備し、該被加工物仮置き部に搬出された板状物を該搬入機構によって被加工物搬入・搬出域に位置付けられた該チャックテーブルに搬入するように構成することが望ましい。
【0010】
更に、加工後板状物を洗浄する洗浄手段を具備し、被加工物搬入・搬出域に位置付けられた該チャックテーブルに保持された加工後板状物を該搬出機構によって該洗浄手段に搬送するとともに、該洗浄手段により洗浄された加工後板状物を該被加工物搬送手段によって該カセット載置部に載置されたカセットに収容するように構成することが望ましい。
【0011】
また、上記加工域において上記チャックテーブル上に保持された被加工物に向けて加工流体を供給するための加工流体供給手段を備えていることが望ましく、該加工流体供給手段はイオン化エアーを供給することがより好ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に従って構成された板状物に形成された電極の加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【0013】
図1には本発明に従って構成された加工装置の斜視図が示されている。
図示の実施形態における加工装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上端)に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221に切削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
【0014】
切削ユニット3は、移動基台31と該移動基台31に装着されたスピンドルユニット32を具備している。移動基台31は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部311、311が設けられており、この一対の脚部311、311に上記一対の案内レール221、221と摺動可能に係合する被案内溝312、312が形成されている。このように直立壁22に設けられた一対の案内レール221、221に摺動可能に装着された移動基台31の前面には前方に突出した支持部313が設けられている。この支持部313にスピンドルユニット32が取り付けられる。
【0015】
スピンドルユニット32は、支持部313に装着されたスピンドルハウジング321と、該スピンドルハウジング321に回転自在に配設された回転スピンドル322と、該回転スピンドル322を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ323とを具備している。回転スピンドル322の下端部はスピンドルハウジング321の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端には円板形状の工具装着部材324が設けられている。なお、工具装着部材324には、周方向に間隔をおいて複数のボルト挿通孔(図示していない)が形成されている。この工具装着部材324の下面に切削工具33が装着される。
【0016】
ここで、切削工具33の一実施形態について図2および図3を参照して説明する。
図2および図3に示す切削工具33は、リング状に形成された基台331と、該基台331の一方の面における少なくとも1か所に配設された切削刃332とから構成されている。基台331はアルミ合金等によって形成されており、他方の面から一方の面に向けて延びる複数の盲ねじ穴331aが設けられている。切削刃332は、基台331から立設され、先端が鋭角状に形成されており、例えばダイヤモンドバイトからなる。このように構成された切削工具33は、図1に示すように上記回転スピンドル322の下端に固定されている工具装着部材324の下面に切削刃332を備えた一方の面を下側にして位置付け、工具装着部材324に形成されている貫通孔を通して基台331に形成されている盲ねじ穴331aに締結ボルト325を螺着することによって、工具装着部材324に装着される。
【0017】
次に、切削工具の他の実施形態について、図4乃至図6を参照して説明する。
図4に示す切削工具34は、リング状に形成された基台341の一方の面における少なくとも1か所に凹部341aを形成し、該凹部341aの近傍に例えば数mm程度の厚さを有する矩形状の超鋼バイト、ダイヤモンドバイト等からなる切削刃342を装着して構成されている。
図5に示す切削工具35は、リング状に形成された基台351を超鋼合金等の工具鋼によって形成し、この基台351の一方の面における少なくとも1か所に回転方向に向けて鋭角に形成する少なくとも1個の(図5に示す実施形態においては複数個)の切削刃352を設けたものである。なお、切削刃352の表面にはダイヤモンドチップを施してもよい。
図6に示す切削工具36は、超鋼合金等の工具鋼によって棒状に形成されたバイト本体361の先端部にダイヤモンド等で形成された切削刃362を形成したものである。なお、図6に示す切削工具36を用いる場合には、切削ユニットを構成する移動基台31に工具装着部材37を直接取付け、この工具装着部材37にバイト本体361を装着する。
【0018】
図1に戻って説明を続けると、図示の実施形態における加工装置は、上記切削ユニット3を上記一対の案内レール221、221に沿って上下方向(後述するチャックテーブルの載置面と垂直な方向)に移動せしめる切削ユニット送り機構4を備えている。この切削ユニット送り機構4は、直立壁22の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド41を具備している。この雄ねじロッド41は、その上端部および下端部が直立壁22に取り付けられた軸受部材42および43によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材42には雄ねじロッド41を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ44が配設されており、このパルスモータ44の出力軸が雄ねじロッド41に伝動連結されている。移動基台31の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部(図示していない)も形成されており、この連結部には鉛直方向に延びる貫通雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド41が螺合せしめられている。従って、パルスモータ44が正転すると移動基台31即ち切削ユニット3が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ44が逆転すると移動基台31即ち切削ユニット3が上昇即ち後退せしめられる。
【0019】
図1および図7を参照して説明を続けると、ハウジング2の主部21の後半部上には略矩形状の加工作業部211が形成されており、この加工作業部211にはチャックテーブル機構5が配設されている。チャックテーブル機構5は、支持基台51とこの支持基台51に実質上鉛直に延びる回転中心軸線を中心として回転自在に配設された円板形状のチャックテーブル52とを含んでいる。支持基台51は、上記加工作業部211上に前後方向(直立壁22の前面に垂直な方向)である矢印23aおよび23bで示す方向に延在する一対の案内レール23、23上に摺動自在に載置されており、後述するチャックテーブル移動機構56によって図1に示す被加工物搬入・搬出域24(図7において実線で示す位置)と上記スピンドルユニット32を構成する切削工具33と対向する加工域25(図7において2点鎖線で示す位置)との間で移動せしめられる。
【0020】
上記チャックテーブル52は、上面に被加工物を載置する載置面を有し、上記支持基台51に回転可能に支持されている。このチャックテーブル52は、その下面に装着された回転軸(図示せず)に連結されたサーボモータ53によって回転せしめられる。なお、チャックテーブル52は、多孔質セラミッックスの如き適宜の多孔性材料から構成されており、図示しない吸引手段に接続されている。従って、チャックテーブル52を図示しない吸引手段に選択的に連通することにより、載置面上に載置された被加工物を吸引保持する。なお、図示のチャックテーブル機構5は、チャックテーブル52を挿通する穴を有し上記支持基台51等を覆い支持基台51とともに移動可能に配設されたカバー部材54(図1参照)を備えている。
【0021】
図7を参照して説明を続けると、図示の実施形態における加工装置は、上記チャックテーブル機構5を一対の案内レール23に沿って矢印23aおよび23bで示す方向に移動せしめるチャックテーブル移動機構56を具備している。チャックテーブル移動機構56は、一対の案内レール23、23間に配設され案内レール23、23と平行に延びる雄ねじロッド561と、該雄ねじロッド561を回転駆動するサーボモータ562を具備している。雄ねじロッド561は、上記支持基台51に設けられたネジ穴511と螺合して、その先端部が一対の案内レール23、23を連結して取り付けられた軸受部材563によって回転自在に支持されている。サーボモータ562は、その駆動軸が雄ねじロッド561の基端と伝動連結されている。従って、サーボモータ562が正転すると支持基台53即ちチャックテーブル機構5が矢印23aで示す方向に移動し、サーボモータ562が逆転すると支持基台53即ちチャックテーブル機構5が矢印23bで示す方向に移動せしめられる。矢印23aおよび23bで示す方向に移動せしめられるチャックテーブル機構5は、図7において実線で示す被加工物搬入・搬出域と2点鎖線で示す加工域に選択的に位置付けられる。また、チャックテーブル機構5は、加工域においては所定範囲に渡って矢印23aおよび23bで示す方向に往復動せしめられる。
【0022】
図1に戻って説明を続けると、上記チャックテーブル機構5を構成する支持基台51の移動方向両側には、図1に示すように横断面形状が逆チャンネル形状であって、上記一対の案内レール23、23や雄ねじロッド561およびサーボモータ562等を覆っている蛇腹手段57および58が付設されている。蛇腹手段57および58はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段57の前端は加工作業部211の前面壁に固定され、後端はチャックテーブル機構5のカバー部材54の前端面に固定されている。蛇腹手段58の前端はチャックテーブル機構5のカバー部材54の後端面に固定され、後端は装置ハウジング2の直立壁22の前面に固定されている。チャックテーブル機構5が矢印23aで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段57が伸張されて蛇腹手段58が収縮され、チャックテーブル機構5が矢印23bで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段57が収縮されて蛇腹手段58が伸張せしめられる。
【0023】
図1に基づいて説明を続けると、装置ハウジング2の主部21における前半部上には、第1のカセット載置部6aと、第2のカセット載置部7aと、被加工物仮置き部8aと、洗浄部9aが設けられている。第1のカセット載置部6aには加工前の被加工物を収容する第1のカセット6が載置され、第2のカセット載置部7aには加工後の被加工物を収容する第2のカセット7が載置されるようになっている。上記被加工物仮置き部8aには、第1のカセット載置部6aに載置された第1のカセット6から搬出された加工前の被加工物を仮置きする被加工物仮載置き手段8が配設されている。また、洗浄部9aには、加工後の被加工物を洗浄する洗浄手段9が配設されている。
【0024】
上記第1のカセット載置部6aと第2のカセット載置部7aとの間には被加工物搬送手段11が配設されており、この被加工物搬送手段11は第1のカセット載置部6aに載置された第1のカセット6内に収納された加工前の被加工物を被加工物仮置き手段8に搬出するとともに洗浄手段9で洗浄された加工後の被加工物を第2のカセット載置部7aに載置された第2のカセット7に搬送する。上記被加工物仮置き部8aと被加工物を被加工物搬入・搬出域24との間には被加工物搬入手段12が配設されており、この被加工物搬入手段12は被加工物仮置き手段8に載置された加工前の被加工物を被加工物搬入・搬出域24に位置付けられたチャックテーブル機構5のチャックテーブル52上に搬送する。上記被加工物を被加工物搬入・搬出域24と洗浄部9aとの間には被加工物搬出手段13が配設されており、この被加工物搬出手段13は被加工物搬入・搬出域24に位置付けられたチャックテーブル52上に載置されている加工後の被加工物を洗浄手段9に搬送する。また、図示の実施形態における加工装置は、装置ハウジング2の主部21における加工域25の側方に、加工域25においてチャックテーブル52上に保持された被加工物に向けて加工流体を供給するための加工流体供給手段を構成するノズル14が配設されている。なお、加工流体としてはエアー、切削水、ミスト、イオン化エアーを用いることができるが、静電気の発生を防止するためイオン化エアーを使用することが望ましい。従って、図示の実施形態におけるノズル14は、図示しないイオン化エアー供給手段に接続されている。
【0025】
上記第1のカセット6に収容される加工前の被加工物は、図8に示すように表面に複数個の半導体チップ110が格子状に形成され半導体ウエーハ10からなっている。半導体ウエーハ10に形成された複数個の半導体チップ110の表面には、それぞれ複数個のスタッドバンプ(電極)120が形成されている。このスタッドバンプ(電極)120は、例えばスタッドバンプ形成法によって形成されている。即ち、図9の(a)に示すように、キャビラリ15に挿通された金ワイヤ121の先端を、電気トーチによる放電により加熱溶融してボール122を形成した後、このボール212を図9の(b)に示すように半導体チップ110に形成された例えばアルミニウム等からなる電極板111に超音波併用熱圧着し、ボール122の根元で破断する。このようにして形成された複数個のスタッドバンプ(電極)120は、図9の(c)に示すように針状の髭123が残った状態となるとともに、その高さにバラツキがある。
【0026】
次に、被加工物の他の実施形態について、図10および図11を参照して説明する。
図10および図11に示す実施形態における被加工物は上述した半導体ウエーハ10が個々に分割された半導体チップ110であり、図10は環状のフレーム16に装着された保護テープ17に複数個の半導体チップ110が貼着され、図11は支持基板(サブストレート)18上に複数個の半導体チップ110が例えば両面接着テープによって貼着されている。なお、半導体チップ110の表面には上述した複数個のスタッドバンプ(電極)120が形成されている。
【0027】
上述したような被加工物を収容した第1のカセット6は、装置ハウジング2の第1のカセット載置部6aに載置される。そして、第1のカセット載置部6aに載置された第1のカセット6に収容されていた加工前の被加工物が全て搬出されると、空になったカセット6に代えて複数個の加工前の被加工物を収容した新しいカセット6が手動で第1のカセット載置部6aに載置される。一方、装置ハウジング2の第2のカセット載置部7aに載置された第2のカセット7に所定数の加工後の被加工物が搬入されると、かかる第2のカセット7が手動で搬出され、新しい空の第2のカセット7が載置される。
【0028】
図示の実施形態における加工装置は以上のように構成されており、以下その作動について主に図1を参照して説明する。なお、被加工物としては上記図8および図9に示す半導体ウエーハ10とし、切削工具としては図2および図3に示す切削工具33として説明する。
第1のカセット6に収容された加工前の被加工物としての半導体ウエーハ10は被加工物搬送手段11の上下動作および進退動作により搬送され、被加工物仮置き手段8に載置される。被加工物仮置き手段8に載置された半導体ウエーハ10は、ここで中心合わせが行われた後に被加工物搬入手段12の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域24に位置せしめられているチャックテーブル機構5のチャックテーブル52上に載置される。チャックテーブル52上に載置された半導体ウエーハ10は、図示しない吸引手段によってチャックテーブル52上に吸引保持される。
【0029】
チャックテーブル52上に半導体ウエーハ20を吸引保持したならば、チャックテーブル移動機構56(図7参照)を作動してチャックテーブル機構5を矢印23aで示す方向に移動し、切削ユニット3の回転スピンドル322に装着された切削工具33と対向する加工域25に位置付ける。そして、チャックテーブル52を回転させるとともに、回転スピンドル322を回転させつつ切削ユニット3を下降させていく。この結果、回転スピンドル322の回転に伴って回転する切削工具33の切削刃332が半導体ウエーハ10に設けられた半導体チップ110の表面に形成された複数個のスタッドバンプ(電極)120に接触し、スタッドバンプ(電極)120が上端部から徐々に削り取られる。
【0030】
ここで、チャックテーブル52に保持された半導体ウエーハ10と切削工具33との関係について、図12を参照して説明する。
半導体ウエーハ10は、その中心Pが切削工具33の切削刃332が通過する位置に位置付けられる。そして、チャックテーブル52従って半導体ウエーハ10を例えば10rpm以下の回転速度で矢印で示す方向に回転するとともに、切削工具33を例えば3000rpm以上の回転速度で矢印で示す方向に回転せしめる。即ち、半導体ウエーハ10と切削工具33を同方向に回転せしめる。このように、半導体ウエーハ10と切削工具33が回転することにより、半導体ウエーハ10に設けられた半導体チップ110の表面に形成された複数個のスタッドバンプ(電極)120は、図13に示すようにその先端部が切削によって除去され、高さが揃えられる。
なお、切削工具としては図6に示す切削工具36を用いた場合には、切削工具36が静止しているので、チャックテーブル52は回転するとともに矢印23aおよび23bの方向に半導体ウエーハ10の半径より僅かに長い距離だけ移動せしめる。
【0031】
上述した加工時においては、加工域25の側方に配設されたノズル14から加工中の半導体ウエーハ10に向けてイオン化エアーが噴出される。このように加工中の半導体ウエーハ10にイオン化エアーが噴出されることにより、加工時に発生する静電気を除去することができるとともに、冷却効果も得られる。
【0032】
上述したように半導体ウエーハ10に設けられた半導体チップ110の表面に形成された複数個のバンプ(電極)120の切削加工が終了したら、切削ユニット3を上昇せしめ、回転スピンドル322の回転を停止するとともに、チャックテーブル52の回転を停止する。次に、チャックテーブル52を図1において矢印23bで示す方向に移動して被加工物搬入・搬出域24に位置付け、チャックテーブル52上の切削加工された半導体ウエーハ10の吸引保持を解除する。そして、吸引保持が解除された半導体ウエーハ10は被加工物搬出手段13により搬出されて洗浄手段9に搬送される。洗浄手段9に搬送された半導体ウエーハ10は、ここで洗浄される。洗浄手段9で洗浄された半導体ウエーハ10は、被加工物搬送手段11よって第2のカセット7の所定位置に収納される。
【0033】
【発明の効果】
以上のように本発明に従って構成された加工装置によれば、板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の先端部を切削によって除去するので、短絡を生じさせることなくその高さを容易に揃えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によって構成された加工装置の一実施形態を示す斜視図。
【図2】図1に示す加工装置に装備される切削ユニットを構成する切削工具の一実施形態を示す斜視図。
【図3】図2に示す研磨工具その下面側から見た状態を示す要部拡大斜視図。
【図4】研磨工具の他の実施形態を示す要部拡大斜視図。
【図5】研磨工具の更に他の実施形態を示す要部拡大斜視図。
【図6】研磨工具の更に他の実施形態を示すもので、切削ユニットに装備した状態を示す斜視図。
【図7】図1に示す加工装置に装備されるチャックテーブル機構およびチャックテーブル移動機構を示す斜視図。
【図8】板状物からなる被加工物としての半導体ウエーハの平面図。
【図9】図8に示す半導体ウエーハに設けられた複数個の半導体チップにバンプ(電極)を形成するスタッドバンプ形成法の説明図。
【図10】板状物からなる被加工物としての半導体チップを環状のフレームに支持した状態を示す斜視図。
【図11】板状物からなる被加工物としての半導体チップを支持基板(サブストレート)に支持した状態を示す斜視図。
【図12】チャックテーブルに保持された半導体ウエーハと切削工具との関係を示す説明図。
【図13】半導体チップに形成されたバンプ(電極)を図1に示す加工装置によって加工した状態を示す説明図。
【符号の説明】
2:装置ハウジング
3:研削ユニット
31:移動基台
32:スピンドルユニット
321:スピンドルハウジング
322:回転スピンドル
323:サーボモータ
324:工具装着部材
33、34、35、36:研削工具
4:研削ユニット送り機構
44:パルスモータ
5:チャックテーブル機構
51:支持基台
52:チャックテーブル
53:サーボモータ
54:カバー部材
56:チャックテーブル移動機構
57、58:蛇腹手段
6:第1のカセット
7:第2のカセット
9:被加工物仮置き手段
9:洗浄手段
11:被加工物搬送手段
12:被加工物搬入手段
13:被加工物搬出手段
14:ノズル
10:半導体ウエーハ
110:半導体チップ
111:電極板
120:バンプ(電極)
Claims (5)
- 板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃える加工装置であって、
被加工物搬入・搬出域と加工域との間を移動可能に構成され板状物を載置する載置面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルを被加工物搬入・搬出域と加工域に移動せしめるチャックテーブル移動機構と、加工域に配設され該チャックテーブルに保持された板状物の表面に突出して形成された複数個の電極を切削し高さを揃える切削工具を備えた切削ユニットと、該切削ユニットを該チャックテーブルの該載置面と垂直な方向に進退せしめる切削ユニット送り機構と、被加工物搬入・搬出域に位置付けられた該チャックテーブルに加工前板状物を搬入する搬入機構と、被加工物搬入・搬出域に位置付けられた該チャックテーブルに保持された加工後板状物を搬出する搬出機構と、を具備している、
ことを特徴とする板状物に形成された電極の加工装置。 - 板状物を複数収容したカセットを載置するためのカセット載置部と、該カセット載置部に載置されたカセットから加工前板状物を搬出する被加工物搬送手段と、該被加工物搬送手段によって搬出された板状物を仮置きする被加工物仮置き部とを具備し、該被加工物仮置き部に搬出された板状物を該搬入機構によって被加工物搬入・搬出域に位置付けられた該チャックテーブルに搬入する、請求項1記載の板状物に形成された電極の加工装置。
- 加工後板状物を洗浄する洗浄手段を具備し、被加工物搬入・搬出域に位置付けられた該チャックテーブルに保持された加工後板状物を該搬出機構によって該洗浄手段に搬送するとともに、該洗浄手段により洗浄された加工後板状物を該被加工物搬送手段によって該カセット載置部に載置されたカセットに収容する、請求項2記載の板状物に形成された電極の加工装置。
- 該加工域において該チャックテーブル上に保持された被加工物に向けて加工流体を供給するための加工流体供給手段を備えている、請求項1から3のいずれかに記載の板状物に形成された電極の加工装置。
- 該加工流体供給手段は、イオン化エアーを供給する、請求項4記載の板状物に形成された電極の加工装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003110536A JP2004319697A (ja) | 2003-04-15 | 2003-04-15 | 板状物に形成された電極の加工装置 |
US10/820,853 US20040208718A1 (en) | 2003-04-15 | 2004-04-09 | Machine for processing electrodes formed on a plate-like workpiece |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003110536A JP2004319697A (ja) | 2003-04-15 | 2003-04-15 | 板状物に形成された電極の加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004319697A true JP2004319697A (ja) | 2004-11-11 |
Family
ID=33156960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003110536A Pending JP2004319697A (ja) | 2003-04-15 | 2003-04-15 | 板状物に形成された電極の加工装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040208718A1 (ja) |
JP (1) | JP2004319697A (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040208718A1 (en) | 2004-10-21 |
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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