JP2004361506A - 誘電体多層膜型光フィルタとその製造方法及び光部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】成膜したフィルタ基板からフィルタチップを切り出す際に生じる損失波長特性が変化してしまう問題を解決し、所望の損失波長特性を有する誘電体多層膜型光フィルタの提供。
【解決手段】基板２上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜５を有するフィルタ基板６を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップ７を切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法において、フィルタ基板をフィルタチップへ加工する際に生じる波長シフト量を予測し、最終的な目標の損失波長特性からその予測した波長シフト分をずらした損失波長特性を有するフィルタ基板を製造し、目標の損失波長特性を有するフィルタチップを製造することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法。
【選択図】 図２
【解決手段】基板２上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜５を有するフィルタ基板６を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップ７を切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法において、フィルタ基板をフィルタチップへ加工する際に生じる波長シフト量を予測し、最終的な目標の損失波長特性からその予測した波長シフト分をずらした損失波長特性を有するフィルタ基板を製造し、目標の損失波長特性を有するフィルタチップを製造することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信ネットワークなどで使用されている誘電体多層膜型光フィルタの製造方法、前記製造方法により得られた誘電体多層膜型光フィルタ及び該誘電体多層膜型光フィルタを含む光部品に関し、特に成膜したフィルタ基板からフィルタチップを切り出す際に生じる損失波長特性が変化してしまう問題を解決し、所望の損失波長特性を得るための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は誘電体多層膜型光フィルタの一例を示す図である。この誘電体多層膜型光フィルタ１は、ガラス基板２上に、２種類以上の屈折率の異なる膜３，４を多層に積み重ねた誘電体多層膜５を形成した構成になっている。この誘電体多層膜型光フィルタ１に光を入射すると、屈折率の異なる膜３，４からなる各層の境界で起こる反射が重なって干渉し、透過率や反射率の波長依存性や偏光依存性が生じる。
光通信用の誘電体多層膜型光フィルタを製造する際には、周囲の温度や湿度などの変化に対して安定な光学特性を示す耐環境特性、あるいは膜の密着力や耐擦傷性などの機械特性が要求されるが、通常のＥＢ蒸着法では、これらの要求特性を満たす膜を形成することができない。そこで、プラズマやイオンで蒸発物質にエネルギーをアシストして成膜する方法が採られている。この方法は一般に、プラズマＩＡＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＩＡＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法と称される成膜方法であり、また使用される蒸着材料は、ＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＴｉＯ２等の酸化物が多く使用されている（例えば、特許文献１および非特許文献１参照。）。
【０００３】
誘電体多層膜型光フィルタの一般的な製造工程は、図２に示すように、まず、大きさφ３０ｍｍ〜φ３００ｍｍ程度、厚さ０．５〜１０ｍｍ程度のガラス基板２上に屈折率の異なる膜３，４を多層に積み重ね、誘電体多層膜５を有するフィルタ基板６を作製する（成膜工程）。その後、該フィルタ基板６の基板２側を研磨し（研磨工程）、さらに大きさ１．４ｍｍ角程度、厚さ０．５〜２ｍｍ程度の所望の大きさに切り出し加工し（切り出し工程）、多数のフィルタチップ７を製造する。ここで、光通信用の誘電体多層膜型光フィルタの成膜時間は、種類によっては１０時間以上必要となるので、１回の成膜でより多くのフィルタチップ７を製造することが低コスト化につながる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１０−１１５７１１号公報
【非特許文献１】
「生産現場における光学薄膜の設計・作製・評価技術」、技術情報協会、２００１年１月、２１１〜２１３頁
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
現在、光部品の小型化・低コスト化への要求が強く、それらの要求に対応すべく、フィルタチップをより小さい形状にする必要がある。すなわち、フィルタチップをより小さくすることができれば、部品の小型化につながるし、同時に、所定面積のフィルタ基板から切り出せるフィルタチップの数を増加できるため、フィルタチップ１個当たりのコストの低減も達成できる。例えば、１．４ｍｍ角のフィルタチップでは１００個しか製造できないフィルタ基板があったとき、フィルタチップを１．０ｍｍ角に縮小できれば、同じフィルタ基板から、およそ１７６個のチップを製造することができ、４３％のコスト削減が可能となる。
【０００６】
しかしながら、フィルタ基板をより小さなチップに切断加工することによって、フィルタの損失波長特性が変化してしまうという問題が生じる。バンドパスフィルタの場合は、図３に示すように切断加工によって損失波長特性の中心が短波長側にシフトしてしまう。また、より高精度に損失波長特性を制御する必要がある利得等化フィルタに関しては、図４に示すように、切断加工によって損失波長特性が短波長側にシフトするのと同時に、損失波長特性の波形も変化してしまう。
もともと、成膜されたフィルタは内部応力を持っており、フィルタ基板からフィルタチップに切断加工する際に、その内部応力が変化してしまい、その影響としてフィルタを形成している膜の光学膜厚が変化し、損失波長特性が変化してしまう。この問題は、フィルタチップの形状が小さくなるに従って顕著になっていくため、１ｍｍ角以下のフィルタチップを製造することは難しく、特に利得等化フィルタやＤＷＤＭ用狭帯域バンドパスフィルタ等の高い波長精度を要求されるフィルタに関しては実現不可能であった。
【０００７】
本発明は前記事情に鑑みてなされ、成膜したフィルタ基板からフィルタチップを切り出す際に生じる損失波長特性が変化してしまう問題を解決し、所望の損失波長特性を有する誘電体多層膜型光フィルタの提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明は、基板上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜を有するフィルタ基板を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップを切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法において、前記フィルタ基板をフィルタチップへ加工する際に生じる波長シフト量を予測し、最終的な目標の損失波長特性からその予測した波長シフト分をずらした損失波長特性を有するフィルタ基板を製造し、前記目標の損失波長特性を有するフィルタチップを製造することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法を提供する。
また本発明は、基板上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜を有するフィルタ基板を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップを切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法において、前記フィルタチップを、前記誘電体多層膜の成膜温度以上、かつ前記基板のガラス転移温度以下の温度で所定時間加熱処理し、前記目標の損失波長特性を有するフィルタチップを製造することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法を提供する。
さらに本発明は、基板上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜を有するフィルタ基板を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップを切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法において、所望の損失波長特性を持ったフィルタ基板を作製し、該フィルタ基板をフィルタチップに加工し、次いで該フィルタチップを前記誘電体多層膜の成膜温度以上、かつ前記基板のガラス転移温度以下の温度で所定時間加熱処理し、前記フィルタ基板をフィルタチップに加工したときに生じた短波長側への波長シフト量と同じ分だけ長波長側に波長シフトさせるとともに、波形もフィルタ基板の時の特性に調整し、目標の損失波長特性を有するフィルタチップを製造することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法を提供する。
また本発明は、基板上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜を有するフィルタ基板を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップを切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法であって、前記フィルタ基板をフィルタチップへ加工する際に生じる波長シフト量を予測し、前記フィルタ基板をフィルタチップへ加工する前に、フィルタ基板に前記誘電体多層膜の成膜温度以上、かつ前記基板のガラス転移温度以下の温度で所定時間加熱処理して損失波長特性を前記波長シフト量を補償するように調整することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法を提供する。
さらに本発明は、前記誘電体多層膜型光フィルタの製造方法によって製造された誘電体多層膜型光フィルタを提供する。
また本発明は、誘電体多層膜型光フィルタを用いた光部品を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
本発明による誘電体多層膜型光フィルタ（以下、フィルタ、フィルタチップなどと記する場合がある。）の製造方法の第１の実施形態は、図２に示すように、基板２上に屈折率が異なる材料からなる膜３，４を交互に成膜して誘電体多層膜５を有するフィルタ基板６を作製し、次いで該フィルタ基板６から多数のフィルタチップ７を切り出し加工する方法において、フィルタ基板６をフィルタチップ７へ加工する際に生じる波長シフト量を予測し、最終的な目標の損失波長特性からその予測した波長シフト分をずらした損失波長特性を有するフィルタ基板６を製造し、前記目標の損失波長特性を有するフィルタチップ７を製造する。本実施形態による方法は、例えばＤＷＤＭ用狭帯域バンドパスフィルタの製造に好適である。
【００１０】
前記基板２としては各種の光透過率が良好な材料を用いることができるが、安定性、耐熱性、コストなどの点から、ガラス基板が好ましい。特に狭帯域バンドパスフィルタや利得等化フィルタなどにおいては、損失波長特性の温度特性を改善することを目的として最適化された線膨張係数をもつガラス基板が好んで使用される。（例えば、特許文献参照。特開２００３−１３９９４８）。ガラス基板の場合、φ３０ｍｍ〜φ３００ｍｍ程度、厚さ０．５〜１０ｍｍ程度のものが好ましい。
この基板２上に形成される誘電体多層膜５を構成する膜３，４の材料としては、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５等の酸化物を挙げることができる。これらの材料の選択は、屈折率の異なる膜３，４を交互に積層してあればよく、特に限定されない。通常は図１に示すように、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５のいずれか１種からなる高屈折率材料の膜３と、ＳｉＯ２からなる低屈折率材料の膜４とを複数交互に積層した構成とする。
基板２上に誘電体多層膜５を成膜する方法は、プラズマＩＡＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＩＡＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはＩＢＳ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｓｐｕｔｔｅｒ）法が好ましい。成膜条件は、使用材料、膜層数、膜厚、目標損失波長特性などに応じて適宜設定することができる。
【００１１】
本実施形態によるフィルタの製造方法を図３及び図５を参照して説明する。
図３は、最終目標の損失波長特性における中心波長が１５５０ｎｍであるフィルタチップ７を製造する場合、最終目標損失波長特性を有するフィルタ基板６を作製し、これを１．３ｍｍ角のフィルタチップ７に切り出した場合の損失波長特性の変化を示している。図３に示す方法では、フィルタ基板６状態での損失波長特性は目標を満足しているものの、フィルタ基板６をフィルタチップ７に加工した際に、波長シフトが発生し、フィルタチップ７状態では最終目標中心波長（１５５０ｎｍ）から短波長側にずれてしまい、目標を満足することができない。
【００１２】
一方、図５に示す本発明の方法は、フィルタ基板６をフィルタチップ７に加工する際に生じる短波長側への波長シフト量を予測し、最終目標中心波長（１５５０ｎｍ）よりも前記波長シフト量を補填する分だけ長波長側に中心波長を持ったフィルタ基板６を作製し、次いでこのフィルタ基板６からフィルタチップ７を切り出した場合の損失波長特性の変化を示している。このように、本発明ではフィルタ基板６をフィルタチップ７に加工する際に生じる波長シフト量を予測し、その波長シフト量を補填する分だけ損失波長特性をずらせたフィルタ基板６を作製し、これを切り出してフィルタチップ７を作製することによって、最終目標損失波長特性をもつ小型のフィルタチップ７を作製できる。
【００１３】
ところで、非特許文献１には「最初希望の中心波長より短いところに中心波長を偶々もつ製品に後処理を施してその中心波長を合わせられる」といった、フィルタに熱を加えて中心波長を非可逆的にシフトさせ、中心波長の製造ばらつきを補正する技術が記載されている。しかしながら、狭帯域バンドパスフィルタに関しては、フィルタ基板をフィルタチップに加工する際に発生する短波長側の波長シフト量をこの手段をもって解決しようとしても、損失波長特性が変化してしまい、所望の特性を得ることができない。
【００１４】
（第２の実施形態）
第２の実施形態は、基板２上に屈折率が異なる材料からなる膜３，４を交互に成膜して誘電体多層膜５を有するフィルタ基板６を作製し、次いで該フィルタ基板６から多数のフィルタチップ７を切り出し加工するフィルタの製造方法において、フィルタチップ７を、誘電体多層膜５の成膜温度以上、かつ基板２のガラス転移温度以下の温度で所定時間加熱処理し、最終目標損失波長特性をもつフィルタチップを製造する方法である。この実施形態は、例えば利得等化フィルタの製造に好適である。
【００１５】
第２の実施形態において、フィルタを構成する基板２、複数の膜３，４を積層してなる誘電体多層膜５の材料等は、先の第１の実施形態において例示したものを用いることができる。また誘電体多層膜の成膜方法、成膜条件も先の第１の実施形態において記載した成膜方法、成膜条件と同様にして作製し得る。
【００１６】
本実施形態において、フィルタチップ７を加熱処理する際の加熱温度としては１００℃〜６００℃程度が好ましい。加熱温度がこの範囲より低いと、加熱処理時間が長くなって製造効率が悪くなり、また加熱による波長シフトが十分に達成できなくなる場合がある。また加熱温度が前記範囲を超えると、波長シフト量の制御が困難となる。
【００１７】
本実施形態によるフィルタの製造方法を図４及び図６を参照して説明する。
図４は、利得等化フィルタを作製する場合に、最終目標の損失波長特性を有するフィルタ基板６を作製し、これを１ｍｍ角のフィルタチップ７に切り出した場合の損失波長特性の変化を示している。図４に示す方法では、フィルタ基板６をフィルタチップ７に加工した際に、損失波長特性が全体的に短波長側へシフトしている。さらに、波長シフトしているだけでなく、損失波長特性の波形も変化している。例えば、１５３３ｎｍ付近を見ると、ピークの高さが変化している。すなわち、基板２上に所望の損失波長特性を持った誘電体多層膜５を成膜してフィルタ基板６を作製できたとしても、実際に光部品として使用するためにフィルタチップ７へと切り出すと、得られるフィルタチップ７の損失波長特性は、所望の損失波長特性からずれたものになってしまう。
【００１８】
一方、本発明の方法では、フィルタ基板６から切り出したフィルタチップ７を所定温度で所定時間加熱することで、フィルタ基板６をフィルタチップ７に加工したときに生じた短波側への波長シフト量と同じ分だけ、長波長側にシフトさせることによって、図６の「フィルタチップ（加熱後）」に示すように、フィルタチップの損失波長特性をフィルタ基板の損失波長特性と同様に調整できる。このフィルタチップ７の加熱による波長シフト量は、フィルタ基板６をフィルタチップ７に加工した時に生じる波長シフト量と実質的に同じにする必要がある。
【００１９】
周知の技術として、前記のように非特許文献１中に、短波長よりに成膜されたフィルタに対し高温の熱を加えることでバンドパスフィルタの中心波長を合わせる旨の記述があるが、これはフィルタチップ７へ加工する際に生じる波形変化にまで言及したものではなく、本発明はこの現象をより詳細に観測し、波長シフトの補填に適用することによって、最終目的の損失波長特性を有するフィルタチップ７を効率よく作製することができる。
【００２０】
（第３の実施形態）
第３の実施形態は、基板２上に屈折率が異なる材料からなる膜３，４を交互に成膜して誘電体多層膜５を有するフィルタ基板６を作製し、次いで該フィルタ基板６から多数のフィルタチップ７を切り出し加工するフィルタの製造方法において、フィルタ基板６をフィルタチップ７へと加工する際に生じる損失波長特性の波長シフト量を予測し、フィルタ基板６をフィルタチップ７へと加工する前に、フィルタ基板６に成膜温度以上、かつ使用している基板２のガラス転移温度以下の熱を加え、損失波長特性を予測した分だけシフトさせる。次に、このフィルタ基板６からフィルタチップ７を切り出すことで、所望の損失波長特性を持ったフィルタチップ７を作製する。この実施形態は、例えば利得等化フィルタの製造に好適である。
この実施形態では、個々のフィルタチップ７に熱を加えるのではなく、フィルタ基板６ごと加熱処理するので、作業工数を削減することができる。
【００２１】
なお、本発明の方法は、狭帯域バンドパスフィルタや利得等化フィルタに限定するものではなく、エッジフィルタ、ＣＷＤＭ用などに用いられる広帯域バンドパスフィルタ、またＴＡＰ用フィルタにも適用可能である。
また、本発明の方法により製造されるフィルタ（フィルタチップ）は、光通信用のＤＷＤＭ素子、ＣＷＤＭ素子、などの光フィルタを備えた各種光部品に適用することができる。
【００２２】
【実施例】
（実施例１：バンドパスフィルタの製造）
ガラス基板（オハラ社製、商品名：ＷＭＳ１３）上に、ＳｉＯ２膜（低屈折率材料の膜）とＴａ２Ｏ５膜（高屈折率材料の膜）とを交互に成膜し、膜層数１４４層、膜厚３６μｍの誘電体多層膜を形成してフィルタ基板を作製した。フィルタ基板の作製にあたり、フィルタ基板をフィルタチップに加工する際に生じる短波長側への波長シフト量を０．８ｎｍと予測し、最終目標中心波長である１５５０ｎｍよりも０．８ｎｍ長波長側に中心波長をもったバンドパスフィルタ基板を作製し、このフィルタ基板（φ１００ｍｍ）から１．３ｍｍ角のフィルタチップを多数切り出した。
作製したフィルタ基板の透過率とフィルタチップの透過率を測定した結果を図５に示す。図５に示すように、前記フィルタ基板をフィルタチップに加工したところ、予測通り０．８ｎｍ短波長側に波長シフトし、目標通り中心波長を１５５０ｎｍにもつフィルタチップを作製することができた。
【００２３】
（実施例２：利得等化フィルタの製造）
ガラス基板（オハラ社製、商品名：ＷＭＳ１３）上に、ＳｉＯ２膜（低屈折率材料の膜）とＴａ２Ｏ５膜（高屈折率材料の膜）とを交互に成膜し、膜層数２８層、膜厚６３μｍの誘電体多層膜を形成してフィルタ基板を作製した。
このフィルタ基板（φ１００ｍｍ）から１ｍｍ角のフィルタチップ（加熱前）を多数切り出した。切り出したフィルタチップを４００℃、２０分間加熱し、フィルタチップ（加熱後）を作製した。なお、前記加熱温度は、成膜温度（１５０℃）以上であり、使用したガラス基板のガラス転移温度（６５０℃）以下の範囲の範囲内であり、所望の波長シフト量を得るのに適当な温度であることから設定した。
作製したフィルタ基板、フィルタチップ（加熱前）及び（加熱後）のそれぞれの損失波長特性を測定した結果を図６に示す。
図６から、フィルタ基板をフィルタチップに加工した際に生じた短波長側への波長シフト量分だけ、フィルタチップを加熱して損失波長特性を長波長側へシフトさせることによって、フィルタチップの損失波長特性をフィルタ基板の損失波長特性と同様なものに調整できることが確認された。
【００２４】
このフィルタチップの加熱温度と時間とを決定するため、切り出した加熱前のフィルタチップに４００℃及び４５０℃の温度下、各種の加熱時間で加熱してフィルタチップを作製し、加熱温度、時間と波長シフト量の関係を調べた。その結果を図７に示す。
図７に示すように、所定温度（４００℃または４５０℃）において、加熱時間の増加に伴って波長シフト量が増加し、また加熱温度が高い程、短時間で波長シフト量が大きくなることがわかる。このような予備試験を行うことで、フィルタチップの損失波長特性とフィルタ基板の損失波長特性とを実質的に等しくするために必要な加熱温度と時間とを決定することができる。
【００２５】
また、前記加熱前のフィルタチップ（利得等化フィルタ）を４００℃で加熱し、加熱前（０分）、１分加熱、２０分加熱及び８０分加熱時点で損失波長特性を測定した。その結果を図８に示す。
図８より、波長シフト量と損失波形には密接な関係があることがわかる。また、加熱時間を変化させることで、損失波長特性も変化する。そして、この現象を利用し、フィルタチップまたは切り出す前のフィルタ基板の損失波長特性を長波長側に調整できることが確認できた。
【００２６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、所望の損失波長特性を持った小型のフィルタチップを製造することができる。
また、本発明によれば、より小さいフィルタチップを製造することができるため、ある面積をもったフィルタ基板から製造できるフィルタチップの数量が増え、フィルタチップ１個当たりのコストを低減することができる。
また、本発明によれば、より小さいフィルタチップを製造することができるため、このフィルタチップを使用して、より小型で低コストな光部品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】誘電体多層膜型光フィルタの構造を示す斜視図である。
【図２】フィルタチップ（誘電体多層膜型光フィルタ）の製造方法を説明する斜視図である。
【図３】従来技術に関し、フィルタ基板からフィルタチップへ加工した際の損失波長特性の変化を示すグラフである。
【図４】従来技術に関し、フィルタ基板からフィルタチップへ加工した際の損失波長特性の変化を示すグラフである。
【図５】本発明の方法に関し、フィルタ基板からフィルタチップへ加工した際の損失波長特性の変化を示すグラフである。
【図６】本発明の方法に関し、フィルタ基板からフィルタチップへ加工した際の損失波長特性の変化を示すグラフである。
【図７】加熱処理における温度、時間と波長シフト量の関係を示すグラフである。
【図８】利得等化フィルタの波長シフトと波形変化の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１…誘電体多層膜型光フィルタ、２…基板、３，４…膜、５…誘電体多層膜、６…フィルタ基板、７…フィルタチップ（誘電体多層膜型光フィルタ）。
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信ネットワークなどで使用されている誘電体多層膜型光フィルタの製造方法、前記製造方法により得られた誘電体多層膜型光フィルタ及び該誘電体多層膜型光フィルタを含む光部品に関し、特に成膜したフィルタ基板からフィルタチップを切り出す際に生じる損失波長特性が変化してしまう問題を解決し、所望の損失波長特性を得るための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は誘電体多層膜型光フィルタの一例を示す図である。この誘電体多層膜型光フィルタ１は、ガラス基板２上に、２種類以上の屈折率の異なる膜３，４を多層に積み重ねた誘電体多層膜５を形成した構成になっている。この誘電体多層膜型光フィルタ１に光を入射すると、屈折率の異なる膜３，４からなる各層の境界で起こる反射が重なって干渉し、透過率や反射率の波長依存性や偏光依存性が生じる。
光通信用の誘電体多層膜型光フィルタを製造する際には、周囲の温度や湿度などの変化に対して安定な光学特性を示す耐環境特性、あるいは膜の密着力や耐擦傷性などの機械特性が要求されるが、通常のＥＢ蒸着法では、これらの要求特性を満たす膜を形成することができない。そこで、プラズマやイオンで蒸発物質にエネルギーをアシストして成膜する方法が採られている。この方法は一般に、プラズマＩＡＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＩＡＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法と称される成膜方法であり、また使用される蒸着材料は、ＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＴｉＯ２等の酸化物が多く使用されている（例えば、特許文献１および非特許文献１参照。）。
【０００３】
誘電体多層膜型光フィルタの一般的な製造工程は、図２に示すように、まず、大きさφ３０ｍｍ〜φ３００ｍｍ程度、厚さ０．５〜１０ｍｍ程度のガラス基板２上に屈折率の異なる膜３，４を多層に積み重ね、誘電体多層膜５を有するフィルタ基板６を作製する（成膜工程）。その後、該フィルタ基板６の基板２側を研磨し（研磨工程）、さらに大きさ１．４ｍｍ角程度、厚さ０．５〜２ｍｍ程度の所望の大きさに切り出し加工し（切り出し工程）、多数のフィルタチップ７を製造する。ここで、光通信用の誘電体多層膜型光フィルタの成膜時間は、種類によっては１０時間以上必要となるので、１回の成膜でより多くのフィルタチップ７を製造することが低コスト化につながる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１０−１１５７１１号公報
【非特許文献１】
「生産現場における光学薄膜の設計・作製・評価技術」、技術情報協会、２００１年１月、２１１〜２１３頁
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
現在、光部品の小型化・低コスト化への要求が強く、それらの要求に対応すべく、フィルタチップをより小さい形状にする必要がある。すなわち、フィルタチップをより小さくすることができれば、部品の小型化につながるし、同時に、所定面積のフィルタ基板から切り出せるフィルタチップの数を増加できるため、フィルタチップ１個当たりのコストの低減も達成できる。例えば、１．４ｍｍ角のフィルタチップでは１００個しか製造できないフィルタ基板があったとき、フィルタチップを１．０ｍｍ角に縮小できれば、同じフィルタ基板から、およそ１７６個のチップを製造することができ、４３％のコスト削減が可能となる。
【０００６】
しかしながら、フィルタ基板をより小さなチップに切断加工することによって、フィルタの損失波長特性が変化してしまうという問題が生じる。バンドパスフィルタの場合は、図３に示すように切断加工によって損失波長特性の中心が短波長側にシフトしてしまう。また、より高精度に損失波長特性を制御する必要がある利得等化フィルタに関しては、図４に示すように、切断加工によって損失波長特性が短波長側にシフトするのと同時に、損失波長特性の波形も変化してしまう。
もともと、成膜されたフィルタは内部応力を持っており、フィルタ基板からフィルタチップに切断加工する際に、その内部応力が変化してしまい、その影響としてフィルタを形成している膜の光学膜厚が変化し、損失波長特性が変化してしまう。この問題は、フィルタチップの形状が小さくなるに従って顕著になっていくため、１ｍｍ角以下のフィルタチップを製造することは難しく、特に利得等化フィルタやＤＷＤＭ用狭帯域バンドパスフィルタ等の高い波長精度を要求されるフィルタに関しては実現不可能であった。
【０００７】
本発明は前記事情に鑑みてなされ、成膜したフィルタ基板からフィルタチップを切り出す際に生じる損失波長特性が変化してしまう問題を解決し、所望の損失波長特性を有する誘電体多層膜型光フィルタの提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明は、基板上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜を有するフィルタ基板を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップを切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法において、前記フィルタ基板をフィルタチップへ加工する際に生じる波長シフト量を予測し、最終的な目標の損失波長特性からその予測した波長シフト分をずらした損失波長特性を有するフィルタ基板を製造し、前記目標の損失波長特性を有するフィルタチップを製造することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法を提供する。
また本発明は、基板上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜を有するフィルタ基板を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップを切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法において、前記フィルタチップを、前記誘電体多層膜の成膜温度以上、かつ前記基板のガラス転移温度以下の温度で所定時間加熱処理し、前記目標の損失波長特性を有するフィルタチップを製造することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法を提供する。
さらに本発明は、基板上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜を有するフィルタ基板を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップを切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法において、所望の損失波長特性を持ったフィルタ基板を作製し、該フィルタ基板をフィルタチップに加工し、次いで該フィルタチップを前記誘電体多層膜の成膜温度以上、かつ前記基板のガラス転移温度以下の温度で所定時間加熱処理し、前記フィルタ基板をフィルタチップに加工したときに生じた短波長側への波長シフト量と同じ分だけ長波長側に波長シフトさせるとともに、波形もフィルタ基板の時の特性に調整し、目標の損失波長特性を有するフィルタチップを製造することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法を提供する。
また本発明は、基板上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜を有するフィルタ基板を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップを切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法であって、前記フィルタ基板をフィルタチップへ加工する際に生じる波長シフト量を予測し、前記フィルタ基板をフィルタチップへ加工する前に、フィルタ基板に前記誘電体多層膜の成膜温度以上、かつ前記基板のガラス転移温度以下の温度で所定時間加熱処理して損失波長特性を前記波長シフト量を補償するように調整することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法を提供する。
さらに本発明は、前記誘電体多層膜型光フィルタの製造方法によって製造された誘電体多層膜型光フィルタを提供する。
また本発明は、誘電体多層膜型光フィルタを用いた光部品を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
本発明による誘電体多層膜型光フィルタ（以下、フィルタ、フィルタチップなどと記する場合がある。）の製造方法の第１の実施形態は、図２に示すように、基板２上に屈折率が異なる材料からなる膜３，４を交互に成膜して誘電体多層膜５を有するフィルタ基板６を作製し、次いで該フィルタ基板６から多数のフィルタチップ７を切り出し加工する方法において、フィルタ基板６をフィルタチップ７へ加工する際に生じる波長シフト量を予測し、最終的な目標の損失波長特性からその予測した波長シフト分をずらした損失波長特性を有するフィルタ基板６を製造し、前記目標の損失波長特性を有するフィルタチップ７を製造する。本実施形態による方法は、例えばＤＷＤＭ用狭帯域バンドパスフィルタの製造に好適である。
【００１０】
前記基板２としては各種の光透過率が良好な材料を用いることができるが、安定性、耐熱性、コストなどの点から、ガラス基板が好ましい。特に狭帯域バンドパスフィルタや利得等化フィルタなどにおいては、損失波長特性の温度特性を改善することを目的として最適化された線膨張係数をもつガラス基板が好んで使用される。（例えば、特許文献参照。特開２００３−１３９９４８）。ガラス基板の場合、φ３０ｍｍ〜φ３００ｍｍ程度、厚さ０．５〜１０ｍｍ程度のものが好ましい。
この基板２上に形成される誘電体多層膜５を構成する膜３，４の材料としては、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５等の酸化物を挙げることができる。これらの材料の選択は、屈折率の異なる膜３，４を交互に積層してあればよく、特に限定されない。通常は図１に示すように、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５のいずれか１種からなる高屈折率材料の膜３と、ＳｉＯ２からなる低屈折率材料の膜４とを複数交互に積層した構成とする。
基板２上に誘電体多層膜５を成膜する方法は、プラズマＩＡＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＩＡＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはＩＢＳ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｓｐｕｔｔｅｒ）法が好ましい。成膜条件は、使用材料、膜層数、膜厚、目標損失波長特性などに応じて適宜設定することができる。
【００１１】
本実施形態によるフィルタの製造方法を図３及び図５を参照して説明する。
図３は、最終目標の損失波長特性における中心波長が１５５０ｎｍであるフィルタチップ７を製造する場合、最終目標損失波長特性を有するフィルタ基板６を作製し、これを１．３ｍｍ角のフィルタチップ７に切り出した場合の損失波長特性の変化を示している。図３に示す方法では、フィルタ基板６状態での損失波長特性は目標を満足しているものの、フィルタ基板６をフィルタチップ７に加工した際に、波長シフトが発生し、フィルタチップ７状態では最終目標中心波長（１５５０ｎｍ）から短波長側にずれてしまい、目標を満足することができない。
【００１２】
一方、図５に示す本発明の方法は、フィルタ基板６をフィルタチップ７に加工する際に生じる短波長側への波長シフト量を予測し、最終目標中心波長（１５５０ｎｍ）よりも前記波長シフト量を補填する分だけ長波長側に中心波長を持ったフィルタ基板６を作製し、次いでこのフィルタ基板６からフィルタチップ７を切り出した場合の損失波長特性の変化を示している。このように、本発明ではフィルタ基板６をフィルタチップ７に加工する際に生じる波長シフト量を予測し、その波長シフト量を補填する分だけ損失波長特性をずらせたフィルタ基板６を作製し、これを切り出してフィルタチップ７を作製することによって、最終目標損失波長特性をもつ小型のフィルタチップ７を作製できる。
【００１３】
ところで、非特許文献１には「最初希望の中心波長より短いところに中心波長を偶々もつ製品に後処理を施してその中心波長を合わせられる」といった、フィルタに熱を加えて中心波長を非可逆的にシフトさせ、中心波長の製造ばらつきを補正する技術が記載されている。しかしながら、狭帯域バンドパスフィルタに関しては、フィルタ基板をフィルタチップに加工する際に発生する短波長側の波長シフト量をこの手段をもって解決しようとしても、損失波長特性が変化してしまい、所望の特性を得ることができない。
【００１４】
（第２の実施形態）
第２の実施形態は、基板２上に屈折率が異なる材料からなる膜３，４を交互に成膜して誘電体多層膜５を有するフィルタ基板６を作製し、次いで該フィルタ基板６から多数のフィルタチップ７を切り出し加工するフィルタの製造方法において、フィルタチップ７を、誘電体多層膜５の成膜温度以上、かつ基板２のガラス転移温度以下の温度で所定時間加熱処理し、最終目標損失波長特性をもつフィルタチップを製造する方法である。この実施形態は、例えば利得等化フィルタの製造に好適である。
【００１５】
第２の実施形態において、フィルタを構成する基板２、複数の膜３，４を積層してなる誘電体多層膜５の材料等は、先の第１の実施形態において例示したものを用いることができる。また誘電体多層膜の成膜方法、成膜条件も先の第１の実施形態において記載した成膜方法、成膜条件と同様にして作製し得る。
【００１６】
本実施形態において、フィルタチップ７を加熱処理する際の加熱温度としては１００℃〜６００℃程度が好ましい。加熱温度がこの範囲より低いと、加熱処理時間が長くなって製造効率が悪くなり、また加熱による波長シフトが十分に達成できなくなる場合がある。また加熱温度が前記範囲を超えると、波長シフト量の制御が困難となる。
【００１７】
本実施形態によるフィルタの製造方法を図４及び図６を参照して説明する。
図４は、利得等化フィルタを作製する場合に、最終目標の損失波長特性を有するフィルタ基板６を作製し、これを１ｍｍ角のフィルタチップ７に切り出した場合の損失波長特性の変化を示している。図４に示す方法では、フィルタ基板６をフィルタチップ７に加工した際に、損失波長特性が全体的に短波長側へシフトしている。さらに、波長シフトしているだけでなく、損失波長特性の波形も変化している。例えば、１５３３ｎｍ付近を見ると、ピークの高さが変化している。すなわち、基板２上に所望の損失波長特性を持った誘電体多層膜５を成膜してフィルタ基板６を作製できたとしても、実際に光部品として使用するためにフィルタチップ７へと切り出すと、得られるフィルタチップ７の損失波長特性は、所望の損失波長特性からずれたものになってしまう。
【００１８】
一方、本発明の方法では、フィルタ基板６から切り出したフィルタチップ７を所定温度で所定時間加熱することで、フィルタ基板６をフィルタチップ７に加工したときに生じた短波側への波長シフト量と同じ分だけ、長波長側にシフトさせることによって、図６の「フィルタチップ（加熱後）」に示すように、フィルタチップの損失波長特性をフィルタ基板の損失波長特性と同様に調整できる。このフィルタチップ７の加熱による波長シフト量は、フィルタ基板６をフィルタチップ７に加工した時に生じる波長シフト量と実質的に同じにする必要がある。
【００１９】
周知の技術として、前記のように非特許文献１中に、短波長よりに成膜されたフィルタに対し高温の熱を加えることでバンドパスフィルタの中心波長を合わせる旨の記述があるが、これはフィルタチップ７へ加工する際に生じる波形変化にまで言及したものではなく、本発明はこの現象をより詳細に観測し、波長シフトの補填に適用することによって、最終目的の損失波長特性を有するフィルタチップ７を効率よく作製することができる。
【００２０】
（第３の実施形態）
第３の実施形態は、基板２上に屈折率が異なる材料からなる膜３，４を交互に成膜して誘電体多層膜５を有するフィルタ基板６を作製し、次いで該フィルタ基板６から多数のフィルタチップ７を切り出し加工するフィルタの製造方法において、フィルタ基板６をフィルタチップ７へと加工する際に生じる損失波長特性の波長シフト量を予測し、フィルタ基板６をフィルタチップ７へと加工する前に、フィルタ基板６に成膜温度以上、かつ使用している基板２のガラス転移温度以下の熱を加え、損失波長特性を予測した分だけシフトさせる。次に、このフィルタ基板６からフィルタチップ７を切り出すことで、所望の損失波長特性を持ったフィルタチップ７を作製する。この実施形態は、例えば利得等化フィルタの製造に好適である。
この実施形態では、個々のフィルタチップ７に熱を加えるのではなく、フィルタ基板６ごと加熱処理するので、作業工数を削減することができる。
【００２１】
なお、本発明の方法は、狭帯域バンドパスフィルタや利得等化フィルタに限定するものではなく、エッジフィルタ、ＣＷＤＭ用などに用いられる広帯域バンドパスフィルタ、またＴＡＰ用フィルタにも適用可能である。
また、本発明の方法により製造されるフィルタ（フィルタチップ）は、光通信用のＤＷＤＭ素子、ＣＷＤＭ素子、などの光フィルタを備えた各種光部品に適用することができる。
【００２２】
【実施例】
（実施例１：バンドパスフィルタの製造）
ガラス基板（オハラ社製、商品名：ＷＭＳ１３）上に、ＳｉＯ２膜（低屈折率材料の膜）とＴａ２Ｏ５膜（高屈折率材料の膜）とを交互に成膜し、膜層数１４４層、膜厚３６μｍの誘電体多層膜を形成してフィルタ基板を作製した。フィルタ基板の作製にあたり、フィルタ基板をフィルタチップに加工する際に生じる短波長側への波長シフト量を０．８ｎｍと予測し、最終目標中心波長である１５５０ｎｍよりも０．８ｎｍ長波長側に中心波長をもったバンドパスフィルタ基板を作製し、このフィルタ基板（φ１００ｍｍ）から１．３ｍｍ角のフィルタチップを多数切り出した。
作製したフィルタ基板の透過率とフィルタチップの透過率を測定した結果を図５に示す。図５に示すように、前記フィルタ基板をフィルタチップに加工したところ、予測通り０．８ｎｍ短波長側に波長シフトし、目標通り中心波長を１５５０ｎｍにもつフィルタチップを作製することができた。
【００２３】
（実施例２：利得等化フィルタの製造）
ガラス基板（オハラ社製、商品名：ＷＭＳ１３）上に、ＳｉＯ２膜（低屈折率材料の膜）とＴａ２Ｏ５膜（高屈折率材料の膜）とを交互に成膜し、膜層数２８層、膜厚６３μｍの誘電体多層膜を形成してフィルタ基板を作製した。
このフィルタ基板（φ１００ｍｍ）から１ｍｍ角のフィルタチップ（加熱前）を多数切り出した。切り出したフィルタチップを４００℃、２０分間加熱し、フィルタチップ（加熱後）を作製した。なお、前記加熱温度は、成膜温度（１５０℃）以上であり、使用したガラス基板のガラス転移温度（６５０℃）以下の範囲の範囲内であり、所望の波長シフト量を得るのに適当な温度であることから設定した。
作製したフィルタ基板、フィルタチップ（加熱前）及び（加熱後）のそれぞれの損失波長特性を測定した結果を図６に示す。
図６から、フィルタ基板をフィルタチップに加工した際に生じた短波長側への波長シフト量分だけ、フィルタチップを加熱して損失波長特性を長波長側へシフトさせることによって、フィルタチップの損失波長特性をフィルタ基板の損失波長特性と同様なものに調整できることが確認された。
【００２４】
このフィルタチップの加熱温度と時間とを決定するため、切り出した加熱前のフィルタチップに４００℃及び４５０℃の温度下、各種の加熱時間で加熱してフィルタチップを作製し、加熱温度、時間と波長シフト量の関係を調べた。その結果を図７に示す。
図７に示すように、所定温度（４００℃または４５０℃）において、加熱時間の増加に伴って波長シフト量が増加し、また加熱温度が高い程、短時間で波長シフト量が大きくなることがわかる。このような予備試験を行うことで、フィルタチップの損失波長特性とフィルタ基板の損失波長特性とを実質的に等しくするために必要な加熱温度と時間とを決定することができる。
【００２５】
また、前記加熱前のフィルタチップ（利得等化フィルタ）を４００℃で加熱し、加熱前（０分）、１分加熱、２０分加熱及び８０分加熱時点で損失波長特性を測定した。その結果を図８に示す。
図８より、波長シフト量と損失波形には密接な関係があることがわかる。また、加熱時間を変化させることで、損失波長特性も変化する。そして、この現象を利用し、フィルタチップまたは切り出す前のフィルタ基板の損失波長特性を長波長側に調整できることが確認できた。
【００２６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、所望の損失波長特性を持った小型のフィルタチップを製造することができる。
また、本発明によれば、より小さいフィルタチップを製造することができるため、ある面積をもったフィルタ基板から製造できるフィルタチップの数量が増え、フィルタチップ１個当たりのコストを低減することができる。
また、本発明によれば、より小さいフィルタチップを製造することができるため、このフィルタチップを使用して、より小型で低コストな光部品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】誘電体多層膜型光フィルタの構造を示す斜視図である。
【図２】フィルタチップ（誘電体多層膜型光フィルタ）の製造方法を説明する斜視図である。
【図３】従来技術に関し、フィルタ基板からフィルタチップへ加工した際の損失波長特性の変化を示すグラフである。
【図４】従来技術に関し、フィルタ基板からフィルタチップへ加工した際の損失波長特性の変化を示すグラフである。
【図５】本発明の方法に関し、フィルタ基板からフィルタチップへ加工した際の損失波長特性の変化を示すグラフである。
【図６】本発明の方法に関し、フィルタ基板からフィルタチップへ加工した際の損失波長特性の変化を示すグラフである。
【図７】加熱処理における温度、時間と波長シフト量の関係を示すグラフである。
【図８】利得等化フィルタの波長シフトと波形変化の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１…誘電体多層膜型光フィルタ、２…基板、３，４…膜、５…誘電体多層膜、６…フィルタ基板、７…フィルタチップ（誘電体多層膜型光フィルタ）。
Claims (6)
- 基板上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜を有するフィルタ基板を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップを切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法において、前記フィルタ基板をフィルタチップへ加工する際に生じる波長シフト量を予測し、最終的な目標の損失波長特性からその予測した波長シフト分をずらした損失波長特性を有するフィルタ基板を製造し、前記目標の損失波長特性を有するフィルタチップを製造することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法。
- 基板上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜を有するフィルタ基板を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップを切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法において、前記フィルタチップを、前記誘電体多層膜の成膜温度以上、かつ前記基板のガラス転移温度以下の温度で所定時間加熱処理し、前記目標の損失波長特性を有するフィルタチップを製造することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法。
- 基板上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜を有するフィルタ基板を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップを切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法において、所望の損失波長特性を持ったフィルタ基板を作製し、該フィルタ基板をフィルタチップに加工し、次いで該フィルタチップを前記誘電体多層膜の成膜温度以上、かつ前記基板のガラス転移温度以下の温度で所定時間加熱処理し、前記フィルタ基板をフィルタチップに加工したときに生じた短波長側への波長シフト量と同じ分だけ長波長側に波長シフトさせるとともに、波形もフィルタ基板の時の特性に調整し、目標の損失波長特性を有するフィルタチップを製造することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法。
- 基板上に屈折率が異なる材料からなる膜を交互に成膜して誘電体多層膜を有するフィルタ基板を作製し、次いで該フィルタ基板から多数のフィルタチップを切り出し加工する誘電体多層膜型光フィルタの製造方法であって、前記フィルタ基板をフィルタチップへ加工する際に生じる波長シフト量を予測し、前記フィルタ基板をフィルタチップへ加工する前に、フィルタ基板に前記誘電体多層膜の成膜温度以上、かつ前記基板のガラス転移温度以下の温度で所定時間加熱処理して損失波長特性を前記波長シフト量を補償するように調整することを特徴とする誘電体多層膜型光フィルタの製造方法。
- 請求項１〜４のいずれかに記載の誘電体多層膜型光フィルタの製造方法によって製造された誘電体多層膜型光フィルタ。
- 請求項５に記載の誘電体多層膜型光フィルタを用いた光部品。
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|---|---|---|---|
| JP2003156989A JP2004361506A (ja) | 2003-06-02 | 2003-06-02 | 誘電体多層膜型光フィルタとその製造方法及び光部品 |
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| JP2003156989A JP2004361506A (ja) | 2003-06-02 | 2003-06-02 | 誘電体多層膜型光フィルタとその製造方法及び光部品 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024031764A1 (zh) * | 2022-08-12 | 2024-02-15 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 波的偏移量的确定方法、装置、设备和存储介质 |
-
2003
- 2003-06-02 JP JP2003156989A patent/JP2004361506A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
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| WO2024031764A1 (zh) * | 2022-08-12 | 2024-02-15 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 波的偏移量的确定方法、装置、设备和存储介质 |
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