JP2004039795A

JP2004039795A - 基板処理装置

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Publication number: JP2004039795A
Application number: JP2002193405A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Toyoda; 豊田　一行; Toru Kagaya; 加賀谷　徹; Nobuhito Shima; 嶋　信人; Tadashi Konya; 紺谷　忠司; Nobuo Ishimaru; 石丸　信雄
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2002-07-02
Filing date: 2002-07-02
Publication date: 2004-02-05

Abstract

【課題】安定かつ十分な活性種を被処理基板に輸送でき、プロセス温度の低温化が図れ、かつ構造を簡単にする。
【解決手段】石英製の反応管１を有し、反応管１内に、活性化を要しないガスと活性化を要するガスとを交互に供給して反応管１内に収容したウェーハ７に所望の処理を行なう。反応管１の一部分に、反応管１と連通する石英製のチャンバ６０を一体的に設ける。チャンバ６０は、反応管１の外部に設けた放電部２と、反応管１の内部に設けたバッファ室６とから構成される。放電部２は、ガス導入口８から導入される活性化を要する処理ガスからプラズマを生成し、このプラズマによって前記ガスを活性化して活性種を生成する。バッファ室６は、放電部２で生成された活性種を輸送して、反応管１内の積層した各ウェーハ７に供給する。活性化を要しない処理ガスはノズル４３から各ウェーハ７に供給する。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、活性化したガスを含む処理ガスで基板を処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
熱ＣＶＤを用いた一般的な縦型ＣＶＤ装置はヒータを有し、そのヒータの内側に石英製の反応管が設けられる。反応管は金属製の炉口フランジ上に立設され、反応管と炉口フランジ間はＯリングによりシールされる。炉口フランジにはガス給・排気管が取付けられる。これによりＬＳＩ等の半導体デバイスを製造する。
【０００３】
ところで、デバイスの微細化のためにプロセス温度は低温化、例えば６００℃以下にすることが要請される。しかし、上述した縦型ＣＶＤ装置を用いて、例えばＳｉＮ_ｘ膜を形成しようとすると、プロセス温度は７００℃以上にもなるので、上記低温化の要請に答えることができない。また、ガス給・排気管を取り付けるために、反応管の下部に炉口フランジを必要とする構成であるため、構造が複雑である。さらに、その炉口フランジは取付けや加工性の点から金属で構成しているため、反応管が金属汚染される。
【０００４】
そこで、図５に示すようなリモートプラズマ型ＣＶＤ装置が提案されている。図５（ｂ）は縦断面図、図５（ａ）はＡ−Ａ線矢視断面図である。これは、石英製の反応管１に排気ポート３が一体的に設けられて、反応管の下部に給排気のための金属製の炉口フランジを必要としない構造になっている。これにより構造の簡素化をはかり、金属汚染を防止している。反応管１の外周に筒状のヒータ４が設けられる。反応管１の開放下端はシールキャップ１９により気密に閉塞される。シールキャップ１９にボート５が立設されて反応管１内に挿入される。ボート５には処理されるウェハ７が水平姿勢で多段に装填される。また、シールキャップ１９には、ガス導入ノズル３が一体的に取り付けられ、ボート５が反応管１内に挿入されるとき、ガス導入ノズル３も反応管１内に挿入されるようになっている。ガス導入ノズル３に接続されるガス導入配管に、プラズマ生成部などのガス励起手段３０を設け、このガス励起手段３０により反応管１外で反応性ガスを必要に応じてプラズマ励起して活性種を生成し、この活性種を反応管１内に供給する。これによりプロセス温度を６００℃以下に下げている。
【０００５】
図示しないボートエレベータにシールキャップ１９を介してボート５を下降させ、ボート５にウェハ７を装填し、ボートエレベータによりボート５を反応管１内に挿入する。シールキャップ１９が反応管１の下端開口を完全に密閉した後、反応管１内を排気して減圧する。ガス励起手段３０で反応性ガスを必要に応じて活性化する。ガス導入ノズル３から活性化した反応性ガスを反応管１内に供給しつつ、排気ポート３より排出する。ヒータ４により反応管１内を所定温度に加熱し、ウェハ７の表面に成膜する。成膜完了後、ガス導入ノズル３から不活性ガスを導入し、反応管１内を不活性ガスに置換して常圧に復帰させ、ボート５を下降させ、ボート５から成膜完了後のウェハ７を払い出す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の基板処理装置では、次のような問題があった。
【０００７】
（１）反応管とは離れたガス供給配管にプラズマ生成部などのガス励起手段を設けているので、ガス励起手段で生成された活性種の内、寿命の長いのもしか利用できず、かつ輸送途中で失活したりして、より多くの活性種を反応管内に輸送できない。
【０００８】
（２）このため、活性化した反応ガスを反応管内に十分供給することができないので、基板処理の処理速度が落ち、生産性が悪化する。
【０００９】
（３）ガス供給配管の途中にガス励起手段を設けなければならないので、構造が複雑になり、コストアップや使い勝手の悪化を伴う。
【００１０】
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、安定かつ十分な活性種を被処理基板に輸送でき、プロセス温度の低温化が図れ、かつ構造が簡単な基板処理装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、非金属からなる反応管を有し、前記反応管内に処理ガスを供給して前記反応管内に収容した被処理基板に所望の処理を行なう基板処理装置において、前記非金属からなる反応管の一部分に、前記反応管と連通する非金属からなるチャンバを一体的に設け、前記チャンバ内で前記反応ガスを活性化して前記反応管内に供給するものであることを特徴とする基板処理装置である。
【００１２】
非金属からなる反応管に非金属からなるチャンバを設けたので、反応管に金属汚染の心配がない。さらに、反応管の一部分にチャンバを設けたので、反応ガスを活性化した状態でより多くの安定した活性種を反応管内輸送できる。また、チャンバで活性化した反応ガスを直接反応管内に供給するので、基板処理の低温化が可能になる。また、反応管の一部分にチャンバを一体的に設けたので、構造の簡素化が図れる。
【００１３】
第２の発明は、第１の発明において、前記反応管内に基板を積層配置して収容し、複数枚一括して処理を行なう基板処理装置である。複数枚の基板に対して活性化した反応ガスを供給するので、スループットを向上できる。
【００１４】
第３の発明は、第２の発明において、前記チャンバを基板の積層配置方向に沿って設けた基板処理装置である。チャンバを基板の積層配置方向に沿って設けたので、各基板に均一に活性化した反応ガスを供給することができ、複数枚の基板を均一に処理することができる。
【００１５】
第４の発明は、第３の発明において、前記チャンバに前記反応管と連通させるための連通孔を前記基板の積載配置方向に沿って設けた基板処理装置である。チャンバと反応管とは連通孔で連通するので、連通孔周囲が帯電し、電荷を反発して電荷をチャンバ内に閉じ込めるので、電気的に中性な活性種のみを連通孔から供給でき、基板チャージアップに起因する基板ダメージを回避できる。また、連通孔を基板の積載配置方向に沿って設けたので、各基板に活性化した反応ガスをより均一に供給できる。この場合において、基板間に連通孔を対応させると、基板の奥深く供給されるので、特に好ましい。
【００１６】
第５の発明は、第１〜第４の発明において、前記反応管内に複数種の反応ガスを交互に供給して、複数種の反応ガスのうちの一部をチャンバを介して供給する基板に極薄膜を１層ずつ形成する基板処理装置である。複数種の反応ガスを交互に供給して基板に極薄膜を１層ずつ形成する基板処理としては、処理温度、圧力が低く、膜を１原子層ずつ形成するＡＬＤ（（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術がある。ＡＬＤ技術は、低温でありながら高温プロセスと同等以上の良質な薄膜を形成することができる。
【００１７】
第６の発明は、第３の発明において、前記基板を回転させながら前記基板に所望の処理を行なう基板処理装置である。チャンバを基板の積層配置方向に沿って設けて、基板の側面から反応ガスを供給しても、各基板に、より均一に活性化した反応ガスを供給することができ、複数枚の基板をより均一に処理することができる。
【００１８】
第７の発明は、第１〜第６の発明において、チャンバを、プラズマにより活性種を生成する放電部と、放電部で生成された活性種を輸送するバッファ室とから構成し、放電部を反応管の外部に設け、バッファ室を反応管の内部に設けたことを特徴とする基板処理装置である。バッファ室が基板に隣接して設けられるので、反応ガスを活性化した状態でより多くの活性種を基板に供給できる。
【００１９】
第８の発明は、第１〜第６の発明において、反応管の下部に排気口が設けられている装置であって、チャンバを、プラズマにより活性種を生成する放電部で構成して、放電部を反応管の外部の上部に設けたことを特徴とする基板処理装置である。活性種を反応管の上部から下部に向かって輸送できるので、バッファ室を設けなくても、より多くの活性種を基板に輸送できる。
【００２０】
第９の発明は、第１〜第６の発明において、チャンバを、プラズマにより活性種を生成する放電部で構成して、放電部を反応管の外側部に設けたことを特徴とする基板処理装置である。反応管の下部に排気口が設けられていなくても、また、バッファ室を設けなくても、反応ガスを活性化した状態でより多くの活性種を基板に輸送できる。
【００２１】
第１０の発明は、第１の発明ないし第９の発明の基板処理装置を含む半導体製造装置である。良質な半導体デバイスを同時に多数枚製造できる。
【００２２】
第１１の発明は、非金属からなる反応管内に反応ガスを供給し、前記反応管内に収容した基板に所望の処理を行なう基板処理方法において、前記反応ガスを活性にする非金属からなるチャンバを、前記非金属からなる反応管の一部分に形成し、前記反応ガスを前記チャンバを通して活性化して前記反応室に供給することを特徴とする基板処理方法である。
【００２３】
非金属からなる反応管に非金属からなるチャンバが存在するので、反応管に金属汚染の心配がない。さらに、反応管の一部分にチャンバが存在するので、反応ガスを活性化した状態でより多くの活性種を反応管内に輸送できる。また、チャンバで活性化した反応ガスを反応管内に供給するので、基板処理の低温化が可能になる。
【００２４】
第１２の発明は、第１１の発明の基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法である。良質な半導体デバイスを同時に多数枚製造できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を説明する。図２は縦型基板処理装置を備える半導体製造装置の概略構成図である。半導体製造装置は、本体１００および本体へ電力等を供給するユーティリティ部２００を有している。
【００２６】
本体１００の内部には縦型の基板処理装置５０が設けられている。この基板処理装置５０は、複数枚の被処理基板、例えばシリコンウェーハをＡＬＤ技術を用いて成膜処理を行なう。基板処理装置５０には、石英製の反応管１、その反応管１を加熱するヒータ４が設けられている。反応管１の下方には、反応管１中へウェーハ７を出し入れする石英製のボート５、およびボート５を上下させるボートエレベータ２４が設置されている。図では空のボート５が反応管１からボートエレベータ２４で抜き出された状態が示されている。反応管１の下部開口は、ボート下部に設けたシールフランジ１９で塞ぐようになっている。また、反応管１にプラズマ生成用の放電部２が設けられ、この放電部２に整合器１０を介して高周波電源１１の高周波電力を加え、プラズマを生成できるようになっている。
【００２７】
さらに本体１００の内部には、前記ボート５へ移載されるウェーハ７が収納されたカセット２０を一時保管するカセット棚２２が設けられる。図では１２個のカセット２０を保管した状態が示されている。このカセット棚２２のカセット２０よりボート５へ被処理前ウェーハ７を搬入し、被処理後ウェーハ７をカセット棚２２のカセット２０へ搬出する搬送アーム３１を有するウェーハ移載機２３が設けられている。ウェーハ移載機２３は同時に複数枚、例えば５枚のウェーハ７を移載できる。そして本体前面にＩ／Ｏステージ２１が設置されており、本体外部との間でカセット２０の授受を行なうようになっている。カセット棚２２と、Ｉ／Ｏステージ２１との間では、図示しないカセットローダがカセット２０を運搬するようになっている。
【００２８】
上述した基板処理装置の動作について簡単に説明する。Ｉ／Ｏステージ２１にウェーハが収納されたカセット２０を受け取る。カセット２０には複数枚、例えば２５枚のウェーハが収納されている。Ｉ／Ｏステージ２１に受けたカセット２０はカセットローダによって順次カセット棚２２に運ばれる。ウェーハ移載機２３はカセット棚２２からウェーハ７を搬出してボート５に移載する。ボート５には複数枚、例えば１００枚のウェーハが装填できるため、ウェーハ移載機２３による移載動作が何度か繰り返される。同時に５枚ずつ移載できると、１００枚のウェーハ移載を行なう場合は、２０回の移載動作を繰り返す。ボート５へのウェーハの移載が終了したら、ボート５は、ボートエレベータ２４により上昇して反応管１内に挿入され、反応管１内はシールフランジ１９により気密に保持される。
【００２９】
反応管１内のガスは、排気配管３２から図示しないポンプで排気し、所定の圧力に到達したら、ボート５を図示しない回転機構により回転させる。また反応管１内のウェーハは、ヒータ４によって所定の温度に保持される。所定の温度に保持後、反応管１内に活性化を要する処理ガスと、活性化を要しない処理ガスとを交互に供給して、ウェーハ上にＡＬＤ技術により成膜処理を行なう。ここで、活性化を要しない処理ガスを供給するときは、処理ガスは放電部２を介さないで流すようにする。活性化を要する処理ガスを供給するときは、処理ガスは放電部２を介して流すようにする。放電部２を介して供給される処理ガスは、放電部２で生成されたプラズマにより活性化される。供給される各処理ガスは、図示しない圧力調整機構よって一定の圧力に保たれる。
【００３０】
成膜処理のプロセスが完了すると、ボート５は、ボートエレベータ２４により反応管１から抜き出されて、ウェーハ移載機２３、カセット棚２２、カセットローダを経由してＩ／Ｏステージ２１に運ばれ、本体外部に授けられる。
【００３１】
図１は、上述した基板処理装置を説明した第１の実施形態による縦型ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置の構成図である。図１（ｂ）は反応管周辺部を示した縦断面図、図１（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。縦型ＡＬＤ装置は、ウェーハを石英製反応管１内に多段に積層配置して一括して処理する。
【００３２】
縦型ＡＬＤ装置は、円筒状の反応管１を有する。反応管１は、非金属の石英で構成され、上部が閉じ、下部が開いて、内部に反応室３５を構成する。また、反応管１内の雰囲気を排気する排気ポート３が設けられる。供給ポート４１には図示しないガス供給源が連通され、排気ポート３には図示しない真空ポンプが連通されている。
【００３３】
反応管１の外側には筒状のヒータ４が設置され、反応管１の内部を加熱し一定温度に保持することができる。
【００３４】
反応管１の下方に、ウェーハ７を積層配置する石英製のボート５が昇降自在に設けられる。ボート５は、回転軸１４に支持されたボート台１３上に図示しないボートキャップ（断熱板）を介して設けられ、ボート台１３及びボート５は回転駆動部１６によってシールフランジ１９上に回転自在に支持される。シールフランジ１９を貫通する回転軸１４はシール１５により回転可能にシールされ気密が保持されている。ボート５が上昇して反応管１内に挿入されると、ボート５の下部に設けたシールフランジ１９が反応管１の下部をシールする。シールした状態で、回転駆動部１６によりボート５は回転する。
【００３５】
反応管１内に処理ガスを供給しつつ排気することにより、ボート５に積層配置されたウェーハ７に所望の処理が行われる。処理後、ボートは下降して反応管１から抜き出されることになる。
【００３６】
活性化を要しないガスを供給する第１のガス供給ポート４１は、反応管１の下部から挿入したノズル４３によって構成される。ノズル４３は、反応管１下部の側面から導入して、反応管１の下方からウェーハ７の積層配置方向に沿って反応管１の上方まで延在されている。ノズル４３には、ノズル４３を反応管１に連通させるための連通孔４４が、反応室３５の中心軸４５側に多数個設けられる。連通孔４４はウェーハピッチに合わせて開けることが好ましい。
【００３７】
活性化を要するガスを供給する第２のガス供給ポート８は、処理ガスを活性化して反応管１内に供給するチャンバ６０によって構成される。チャンバ６０は、非金属からなる石英で構成され、反応管１の一部の内壁１ａに一体的に設けられて反応管１と連通するようになっている。チャンバ６０は、プラズマを生成してさらに活性種を生成する放電部２と、放電部２で生成された活性種を輸送するバッファ室６とから構成される。バッファ室６は、放電部２が反応管１の下部に設けられているために、反応管１の下部から上部にわたって積載されているウェーハに活性種を輸送するために必要となる。また、活性種が壁にぶつかったりして失活しないように、ノズルに比べて比較的広い空間をもっている。
【００３８】
プラズマを生成して活性種を生成する放電部２は、排気ポート３と対向する反応管１の下方位置に開口部６１を設けて、その開口部６１に反応管１の外部に突設するごとく、排気ポート３と同様に、短筒状に取り付けられる。放電部２が反応管１の外部に設けられているのは、後述する放電電極１２をむき出しで反応管１内に設けることができないためである。放電部２の端部には、活性化を要するガスを導入するための石英製のガス導入口８が設けられる。筒状の放電部２の外周には、一対の放電電極１２が設けられる。放電電極１２の構造は筒状の放電部形状に沿った弧状の対向電極が好ましいが、板状でも、リング状でもよい（図１の場合では、リング状電極の例を示す）。放電電極１２に高周波電源１１から高周波電力を整合器１０を介して印加する。この高周波電力の印加により、放電部２の内部にプラズマ９が生成され、このプラズマ９によって活性化を要するガスが活性化されるようになっている。
【００３９】
放電部２で生成された活性種を輸送するバッファ室６は、反応管１下方の開口部６１から、ウェーハ７の積層配置方向に沿って反応管１の上方まで延設されている。バッファ室６には、バッファ室６を反応管１に連通させるための連通孔１７が、反応室３５の中心軸４５側であって、ボート５に支持された複数のウェーハ７に対応するように複数設けられている。連通孔１７はウェーハ７間の間に位置するように、すなわちウェーハピッチに合わせて開けることが好ましい。
【００４０】
放電部２に設けたガス導入口８から導入されたガスは、放電部２内部に生成されたプラズマ９によって活性化され、バッファ室６の反応室中心軸４５側に設けられた多数の連通孔１７から、反応室３５内のボート５に多段に等間隔で載置された複数のウェーハ７に、ウェーハ７の側面から供給される構造となっている。
【００４１】
上記のようなバッファ室６を形成するには、反応管１の内部を仕切板６２で仕切るのがよい。例えば、反応管１の内径よりも小さな幅をもち、反応管１の高さよりも若干短い長尺の仕切板６２を反応管内１に挿入する。仕切板６２には連通孔１７を開けておく。挿入した仕切板６２で放電部２を取り付けた開口部６１側の反応管１の内壁１ａを覆い、仕切板６２の上下を塞いで、仕切板６２と内壁１ａとで仕切られたバッファ室６を内部に形成する。各部品は石英で製作後、例えばバーナであぶりながら互いに溶着させる。連通孔１７は例えばレーザ加工により形成する。
【００４２】
なお、上述した活性化を要しないガスを供給する第１の供給ポート４１は、反応管１とは一体のノズル４３によって構成したが、バッファ室６の隣に、バッファ室６と同様に反応管１を仕切って形成した第２のバッファ室で構成し、これをノズルにしてもよい。またはバッファ室６を２部屋に仕切って、そのうちの一方をバッファ室とし、他方を第１のガス供給ポート用のノズル、ないしガス均一供給用バッファ室としてもよい。
【００４３】
さて、上述したような構成をした縦型ＡＬＤ装置の作用について説明する。ここでは、基板処理として、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２（ジクロルシラン）とＮＨ_３（アンモニア）とを交互に供給して、直径２００ｍｍのシリコンウェーハ上にＳｉＮ_ｘ膜をＡＬＤ技術を用いて形成する例を説明する。処理中はボート５は処理の均一性を向上するため回転させる。回転速度Ｒは０＜Ｒ≦１０ｒｐｍ程度である。また、処理温度は３００〜６００℃、例えば４９５℃である。
【００４４】
図示しない真空ポンプにより排気ポート３より反応管１内を排気した後、第２のガス供給ポート４２を構成するガス導入口８からチャンバ６０を介してＮＨ_３（アンモニア）を１００〜１０，０００ｓｃｃｍ、好ましくは２，０００ｓｃｃｍ供給しつつ排気制御して、反応管内圧力を１３．３〜１３３０Ｐａ（０．１〜１０Ｔｏｒｒ）、例えば３９．９Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）にする。
【００４５】
この状態で放電電極１２に高周波電源１１から１００〜３０００Ｗ、例えば３００Ｗの高周波電力を整合器１０を介して供給すると、放電部２内にアンモニアのプラズマ９が生成される。放電部２に供給されたアンモニアは、このプラズマ９で活性化し、活性種がバッファ室６に輸送され、複数の連通孔１７から反応管１内の各ウェーハ７に供給される。
【００４６】
連通孔１７の孔径は１〜５ｍｍ程度が好ましい。孔周辺の石英壁は電子が付着するため負に帯電する。これにより石英壁表面にシースが形成されてイオン（プラズマ）が通過できにくくなる。しかし孔径がある程度大きくなるとプラズマが漏洩してしまうことがあるので好ましくない。孔径が小さいと、孔の上にもシースが形成されるため、イオンは孔の外に出なくなる。しかし孔径が相当小さくなると、孔部分で圧力上昇による粒子同士の衝突が増加して活性種の失活する量が増加するため好ましくない。なお、供給するガス量を同一とした場合、孔径の大小に応じた主要な特性は図６の通りである。
【００４７】
したがって、連通孔１７を通ってウェーハ７に供給されるのは、電気的に中性なアンモニアの活性種のみとなり、チャージアップによるダメージを回避できる。また、連通孔１７はボート５上に多段に載置されたウェーハ７間の中間に位置するように設けてあるため、アンモニアの活性種は重ねて載置されたウェーハ７の奥深く供給される。
【００４８】
１〜６０秒間、例えば６０秒間ほどプラズマを生成しながらアンモニアを供給して、各ウェーハの全面にＮＨ_３の活性種を供給する。
【００４９】
その後、Ｎ_２やＡｒなどの不活性ガスで反応管１内をパージして且つ排気し、アンモニアの活性種の濃度が充分下がった時点で、不活性ガスの供給を停止し、第２のガス供給ポート４１からＳｉＨ_２Ｃｌ_２（ジクロルシラン）を、５０〜５０００ｓｃｃｍ、例えば３００ｓｃｃｍ供給し、１３．３〜１３３０Ｐａ（０．１〜１０ｔｏｒｒ）、例えば３９９Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）で、１〜６０秒間、例えば６０秒間保持する。各ウェーハ表面にＳｉを含んだ粒子を一層分吸着させ、その後上記ＮＨ_３の活性種を６０秒間供給し、Ｎ_２パージを行なう。そうするとＳｉＮ_ｘ膜の極薄膜が１層形成される。その後、Ｎ_２やＡｒなどの不活性ガスで反応管１内をパージして且つ排気し、ジクロルシランの濃度か充分に下がった時点で、不活性ガスの供給を停止する。反応管１内の圧力や温度を適切にして、反応ガスを交互に供給して極薄膜を１層ずつ形成するＡＬＤ技術では、このＳｉＮ_ｘ膜の極薄膜が１層分形成されるとリミットがかかり、それ以上膜厚は増加しない。
【００５０】
このように２種類のガスを交互にＳｉＨ_２Ｃｌ_２→ＮＨ_３活性種の順で１回ずつ供給するとウェーハに極薄膜（ＡＬＤ膜）が１層分形成される。このＳｉＨ_２Ｃｌ_２→ＮＨ_３活性種供給の１サイクルのプロセスで、約１オングストローム（以下、Åと略称）のＳｉＮ_ｘ膜が形成できる。このため例えば５００ÅのＳｉＮ_ｘ膜を形成する場合は上記プロセスを約５００回繰り返す。
【００５１】
上述した実施の形態では、非金属からなる石英製反応管１に金属配管等を介さないで直接非金属からなる石英製チャンバ６０を設けたので、金属配管等を介して放電部が接続されているものと比べて、反応管１が金属汚染される心配がない。さらに、反応管１の一部分に、アンモニアを活性化して反応管１内に供給するチャンバ６０を設けたので、反応管とは離れたガス供給配管にプラズマ生成部などのガス励起手段を設けたものと比べて、生成された活性種が輸送途中で失活する量が低減し、活性化した状態のまま、より多くのアンモニアを反応管１内に輸送できる。また、活性化したアンモニアを反応管１内に供給するので、ジクロルシランの処理温度である４９５℃での低温処理が可能となり、ウェーハ処理の低温化が可能になる。また、反応管１の一部分にチャンバ６０を一体的に設けたので、ガス供給配管の途中にガス励起手段を設けるものと比べて、構造の簡素化が図れる。特に、石英製反応管１の内壁の一部を石英製仕切板６２で覆うだけで、チャンバ６０の活性種輸送部を構成するバッファ室６を形成できる。また、反応管１に設けた開口部６１の外側に放電部２を取り付けるだけで、バッファ室６と連通するプラズマ生成部を構成することができる。また、チャンバはシンプルな構造となるため、反応管１のウェット洗浄の際も取り扱いが簡単である。
【００５２】
また、バッファ室６の連通孔１７が、ボート５に支持されたウェーハ７に対応するように複数設けられていると、ウェーハ７表面と平行な活性種の流れを作ることができ、ウェーハ７上に積極的に原料を供給し、表面吸着を促進できる。したがって、ＡＬＤ技術を用いて低温で高品質のＳｉＮ_ｘ膜を形成することができる。
【００５３】
また、反応管１内に複数枚のウェーハ７を積層配置して収容し、複数枚のウェーハ７に対して活性化した反応ガスを供給して、複数枚一括して処理を行なうバッチ式なので、スループットを向上できる。また、チャンバ６０をウェーハ７の積層配置方向に沿って設けたので、各ウェーハ７に均一に活性化した反応ガスを供給することができ、複数枚のウェーハ７を均一に処理することができる。また、チャンバ６０を構成するバッファ室６に適切な孔径の連通孔１７を設けて、プラズマが連通孔１７から出ていかないようにしたので、ウェーハチャージアップに起因するウェーハダメージを回避できる。
【００５４】
また、ボート５を一定速度で回転させながらウェーハ７上に成膜を行なうので、チャンバ６０をウェーハ７の積層配置方向に沿って設けて、ウェーハ７の側面から反応ガスを供給しても、各ウェーハ７に、より均一に活性化した反応ガスを供給することができ、ウェーハ面間均一性を高めることができる。ＳｉＮ_ｘ膜形成の実験では、ボート５を回転させない場合、膜厚の均一性は±３％程度であったが、ボート５を回転した場合は±１％以下となる結果が得られた。
【００５５】
なお、実施の形態では、放電部２を反応管１の外部に設けているので、放電電極１２を保護する保護管が不要となり、構造を簡素化できる。しかし、放電部２も反応管１の内部に設けることは可能である。その場合、構造は複雑化するが、放電電極１２を石英製の電極保護管で覆えばよい。
【００５６】
また、実施の形態では、基板処理装置は、膜を１原子層ずつ形成するＡＬＤ装置として説明したが、ＡＬＤ装置ではなく、薄い膜を形成するＣＶＤ装置や表面処理装置としても使用可能である。また、上記実施の形態では、バッチ式について述べたが、これに限定されず、本発明は枚葉式にも適用できる。また、反応管が単管の場合について述べたが二重管でもよい。
【００５７】
また、上述した実施の形態では、ガスを活性化する手段として、プラズマを使った例を挙げているが、他の活性化手段を用いて、ガスを活性化させてもよい。この活性化手段としては、触媒や、ランプなどで熱エネルギーを与える予備加熱，ＵＶ光などがある。
【００５８】
ところで、上述した第１の実施の形態では、処理ガスを活性化して輸送するチャンバの一部を反応管の内部に設けた場合について説明した。すなわち、輸送部としてのバッファ室が内部、プラズマ生成部としての放電部２が外部に設けられている。しかし、本発明はこれに限定されない。例えばチャンバを反応管の外部に設けることも可能である。次に、そのようなチャンバを外部に設けた他の実施の形態について説明する。
【００５９】
図３は、チャンバを反応管１の上部に設けた第２の実施の形態の縦型ＡＬＤの縦断面図である。チャンバを上部に設けた点を除いて、その他の構成は図１で説明した第１の実施の形態と同じであるため、同一符号を付して説明を省略する。
【００６０】
非金属からなる石英製の反応管１の上部に、反応管１と連通する非金属からなる石英製のチャンバ１を一体的に設ける。このチャンバ１は、第１の実施の形態と異なり、輸送部であるバッファ室を持たず、プラズマを生成して活性種を形成する放電部２のみから構成される。具体的には、反応管１の頂部に連通孔１７を設け、連通孔１７の外部にヒータ４上部を貫通する短筒状の放電部２を設ける。放電部２の端部には、活性化を要するガスを導入するための石英製のガス導入口８が設けられる。筒状の放電部２の外周には、一対の放電電極１２が設けられる。放電電極１２に高周波電源１１から高周波電力を整合器１０を介して印加する。この高周波電力の印加により、放電部２の内部にプラズマ９が生成され、このプラズマ９によって活性化を要するガスが活性化されるようになっている。
【００６１】
第２の実施の形態のように、チャンバとしての放電部２を反応管１の上部に設けると、排気ポート３が反応管１の下方に設けられているため、第１の実施の形態のようにバッファ室を設けなくても、放電部２で生成した活性種を反応室３５の上部から排気ポート３のある下方に輸送することができるので、複数枚重ねて載置したウェーハ７全体に活性種を供給することができる。また、バッファ室が不要となるので、反応管構造をより簡素化でき、コストダウンが図れる。
【００６２】
図４は、チャンバを反応管の側部に設けた第３の実施の形態の縦型ＡＬＤ装置の構成図である。図４（ｂ）は反応管周辺部を示した縦断面図、図４（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。チャンバ６０を反応管側部に設けた点を除いて、その他の構成は図１で説明した第１の実施の形態と同じであるため、同一符号を付して説明を省略する。
【００６３】
非金属からなる石英製の反応管１の外周部に、ウェーハ７の積層配置方向に沿って、反応管１と連通する非金属からなる石英製のチャンバ６０を一体的に設ける。チャンバ６０は、バッファ室を持たない細長い放電部２のみで構成される。反応管１の壁面１ｂに連通孔１７を設けて、反応管１と放電部２とを連通する。放電部２は全体が反応管１の外部に存在するので、放電部２の全長に沿って長尺の一対の放電電極１２を取り付けることができ、放電部２全体をプラズマ生成室とすることができる。
【００６４】
この第３の実施の形態では、生成された活性種を、多段に載置されたウェーハに均等に送ることができる。前述した第１及び第２の実施の形態では、放電部２が反応管１の下部や上部に設けてあるため、多段に載置されたウェーハ７の上段部と下段部とでは、処理速度やウェーハ７上に形成される膜の性質が若干異なるおそれがある。しかし、第３の実施の形態では、ウェーハ７が多段に載置された範囲と同じ領域にプラズマ９を生成でき、そのプラズマ９によって活性種を生成するため、より均一なウェーハ処理ができる。すなわち、多段に重ねた被処理ウェーハ７のすぐ横に設けた放電部２の中に、均一で広範囲にプラズマ生成することができるため、均一な密度の活性種を被処理ウェーハ７に供給することができる。このため複数枚の被処理ウェーハ７を均一に処理することができる。また、多段に重ねた被処理ウェーハ７のすぐ横に設けた放電部２でプラズマを生成するため、寿命の短い活性種も大量に被処理ウェーハ７に供給することができる。
【００６５】
【発明の効果】
本発明によれば、非金属からなる反応管に非金属からなるチャンバを一体的に設けたので、反応管が金属汚染される心配がない。さらに、反応管の一部分にチャンバを設けたので、反応ガスを活性化した状態で安定した十分な量の活性種を反応管内に輸送できる。また、チャンバで活性化した反応ガスを反応管内に供給するので、基板処理の低温化が可能になる。また、反応管の一部分にチャンバを一体的に設けたので、構造の簡素化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板処理装置の第１の実施の形態による縦型ＡＬＤ装置の構成図であり、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｂ）は縦断面図である。
【図２】本発明に係る半導体製造装置の概略構成図である。
【図３】第２の実施の形態による縦型ＡＬＤ装置の構成図である。
【図４】第３の実施の形態による縦型ＡＬＤ装置の構成図であり、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｂ）は縦断面図である。
【図５】従来例による縦型ＡＬＤ装置の構成図であり、図５（ｂ）は縦断面図、図５（ａ）はＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図６】第１の実施の形態にかかる連通孔の孔径特性を示す説明図である。
【符号の説明】
１　　反応管
７　　被処理ウェーハ（被処理基板）
２　　放電部
６　　バッファ室
６０　　チャンバ

Claims

非金属からなる反応管を有し、前記反応管内に処理ガスを供給して前記反応管内に収容した被処理基板に所望の処理を行なう基板処理装置において、
前記非金属からなる反応管の一部分に、前記反応管と連通する非金属からなるチャンバを一体的に設け、
前記チャンバ内で前記処理ガスを活性化して前記反応管内に供給するものであることを特徴とする基板処理装置。