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JP2004085259A - プローブ装置 - Google Patents

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JP2004085259A JP2002243785A JP2002243785A JP2004085259A JP 2004085259 A JP2004085259 A JP 2004085259A JP 2002243785 A JP2002243785 A JP 2002243785A JP 2002243785 A JP2002243785 A JP 2002243785A JP 2004085259 A JP2004085259 A JP 2004085259A
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Abstract

【課題】例えば高温検査時には検査前にプローブカード8をプリヒートして擬似コンタクト状態を作ってプローブカード8の熱変形によるZ方向の変位量を見込んだとしても、検査中の加熱による熱変形によるZ方向の変位量まで予測することができず、しかも検査時のコンタクト荷重によるプローブカード8のZ方向の変位までも予測することができない。
【解決手段】本発明のプローブ装置10は、ウエハWを載置する温度調整可能なメインチャック12と、このメインチャック12をX、Y及びZ方向に移動させるXYテーブル13等の駆動装置と、この駆動装置を介して移動するメインチャック12の上方に配置されたプローブカード14とを備え、プローブカードの高さを測定するレーザ変位センサ16をXYテーブル13に設けたことを特徴とする。
【選択図】   図3

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プローブ装置に関し、更に詳しくは、検査の信頼性を高めることができるプローブ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程でウエハに形成されたデバイスの電気的特性検査を行なう場合には例えば図5に示すプローブ装置が用いられる。プローブ装置は、例えば図5の(a)、(b)に示すように、ウエハWを搬送するローダ室1と、ローダ室1から引き渡されたウエハWの電気的特性検査を行うプローバ室2とを備えている。ローダ室1は、カセット収納部3と、ウエハWをローダ室1へ搬送するウエハ搬送機構4と、ウエハ搬送機構4を介してウエハWを搬送する過程でそのオリフラまたはノッチを基準にしてプリアライメントするサブチャック5とを備えている。
【0003】
また、プローバ室2は、ウエハ搬送機構4からプリアライメント後のウエハWを載置し且つ温度調整可能な載置台(メインチャック)6と、メインチャック6をX及びY方向に移動させるXYテーブル7と、このXYテーブル7を介して移動するメインチャック6の上方に配置されたプローブカード8と、プローブカード8の複数のプローブピン8Aとメインチャック6上のウエハWの複数の電極パッドを正確に位置合わせする位置合わせ機構(アライメント機構)9とを備えている。アライメント機構9は、アライメントブリッジ9Aに取り付けられ且つウエハWを撮像する上カメラ9Bと、メインチャック6に付設され且つプローブピン8Aを撮像する下カメラ9Cとを備え、アライメントブリッジ9Aが一対のガイドレール9Dに従ってプローバ室2の最奥部から中央のプローブセンタまで進出し、ウエハWの電極パッドとプローブピン8Aのアライメントを行なう。
【0004】
また、図5の(a)に示すようにプローバ室2のヘッドプレート2AにはテスタのテストヘッドTが旋回可能に配設され、テストヘッドTとプローブカード8はパフォーマンスボード(図示せず)を介して電気的に接続されている。そして、メインチャック6上のウエハWを例えば−20℃〜+150℃の温度範囲でウエハWの温度を設定し、テスタから検査用信号をテストヘッドT及びパフォーマンスボードを介してプローブピン8Aへ送信し、プローブピン8AからウエハWの電極パッドに検査用信号を印加してウエハWに形成された複数の半導体素子(デバイス)の電気的特性検査を行う。
【0005】
而して、ウエハの検査には高温検査や低温検査がある。高温検査を行なう場合にはメインチャック6に内蔵された温度調節機構を介してウエハを所定の温度(100℃以上)まで加熱してウエハの検査を行ない、低温検査を行なう場合には温度調節機構を介してウエハを所定の温度(0℃以下のマイナス温度領域)まで冷却してウエハの検査を行なう。
【0006】
ところが、例えば高温検査を行なう場合には、100℃以上の高温下でウエハの検査を行なうため、メインチャック6からの放熱によりプローブカード8が加熱され熱変形により撓み、プローブピン8AとウエハWの電極パッド間のZ方向の位置(Z位置)が例えば100μm程度変化してプローブピン8AとウエハWの電極パッドのコンタクト不良を生じ、検査の信頼性が低下する。そこで、検査前にメインチャック6を加熱し、メインチャック6とプローブカード8を接近させてプローブカード8をプリヒートした後、プローブカード8の熱変形を見込んだ擬似コンタクト状態を作った後、本来の検査を実施することによってプローブピン8Aと電極パッドのコンタクト不良を軽減している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えば高温検査時には検査前にプローブカード8をプリヒートして擬似コンタクト状態を作ってプローブカード8の熱変形によるZ方向の変位量を見込んだとしても、検査中の加熱による熱変形によるZ方向の変位量まで予測することができず、しかも検査時のコンタクト荷重によるプローブカード8のZ方向の変位までも予測することができないため、プローブピン8AとウエハWの電極パッドのコンタクト荷重に過不足が生じ、検査の信頼性が低下する虞があった。しかも、プローブカード8が熱的に安定するまでに多くに時間(例えば、1〜2時間)を費やし、スループットが低下するという課題もあった。
【0008】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、検査時のプローブカードのZ方向の変位量を把握してプローブピンと被検査体とのコンタクト荷重を安定させて信頼性の高い検査を行なうことができ、しかもスループットを高めることができるプローブ装置を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に記載のプローブ装置は、被検査体を載置する被検査体の温度調整可能な載置台と、この載置台をX、Y及びZ方向に移動させる駆動装置と、この駆動装置を介して移動する載置台の上方に配置されたプローブカードとを備えたプローブ装置において、上記プローブカードの高さを測定するセンサを設けたことを特徴とするものである。
【0010】
また、本発明の請求項2に記載のプローブ装置は、請求項1に記載の発明において、上記センサを上記駆動装置に設けたことを特徴とするものである。
【0011】
また、本発明の請求項3に記載のプローブ装置は、請求項1に記載の発明において、上記センサを上記プローブカードの固定部に設けたことを特徴とするものである。
【0012】
また、本発明の請求項4に記載のプローブ装置は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、上記センサとしてレーザ変位センサまたは静電容量センサを設けたことを特徴とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図4に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。尚、図1〜図4では同一部分また相当部分には同一符号を附して本発明を説明する。
本実施形態のプローブ装置10は、図1に示すように従来と同様に、プローバ室11内に配設され且つZ方向に上下動させる昇降機構を内蔵するメインチャック12と、このメインチャック12をX及びY方向へ移動させるXYテーブル13と、これらの上方に配置されたプローブカード14と、このプローブカード14とメインチャック12上のウエハWと位置合わせするアライメント機構(図示せず)と、これらの駆動機構を制御する制御装置15とを備えている。また、プローブカード14はプローバ室11のヘッドプレート11Aの開口部11Bに固定されている。そして、ウエハの検査時にはアライメント機構(図示せず)とXYテーブル13が協働してメインチャック12上のウエハWとプローブカード14のプローブピン14Aとをアライメントする。その後、XYテーブル13を介してウエハWをインデックス送りした後、メインチャック12がZ方向に上昇し、ウエハWの電極パッドとプローブピン14Aとが電気的に接触し、ウエハの電気的特性検査を行なう。
【0014】
而して、XYテーブル13上にはレーザ変位センサ16が設けられ、このレーザ変位センサ16からプローブカード14にレーザ光を照射してその高さを検出する。レーザ変位センサ16はXYテーブル13の移動する度にプローブカード14の高さを検出し、延いてはプローブカード14全面の高さを検出することができる。このレーザ変位センサ16は制御装置15に接続され、制御装置15の制御下で作動し、検出高さを制御装置15において記憶することができる。
【0015】
そこで、プローブカード14が熱変形していない常温下で、ウエハWを検査する範囲でXYテーブル13を介してメインチャック12のインデックス送りを行い、インデックス送りの度にレーザ変位センサ16を用いてプローブカード14高さをZ座標として検出する。そして、この時のZ座標と、このZ座標に対応するレーザ変位センサ16のX、Y座標とを制御装置15に参照用の高さとして記憶させる。更に、XY座標とZ座標の関係を図2に一点差線▲1▼で示すグラフを参照用として作成する。そして、この参照用の高さを基準にして高温検査時のプローブカード14の熱変形による高さの変位量を制御装置15において求める。
【0016】
例えば100℃の高温下でウエハWの検査を実施する場合には、メインチャック12上のウエハWを100℃に加熱した状態でXYテーブル13を介してウエハWのインデックス送りを行いながらレーザ変位センサ16を用いてプローブカード14の高さを検出し、これと同一XY座標位置での参照用の高さを比較し、両者が一致すればプローブカード14が熱的に変形していないことになる。しかし、高温検査時にはプローブカード14は例えば図1に一点鎖線で示すように熱膨張して変形しているため、この時点での高さと参照用の高さは一致していない。制御装置15では検査時の検出高さと参照用の高さとの差を求め、この差に基づいてメインチャック12の上昇距離を補正し、ウエハWの電極パッドとプローブピン14Aとを一定の針圧で電気的に接触させて安定し、信頼性の高い電気的特性検査を行なうことができる。
【0017】
次に、動作について説明する。図示しない搬送機構を介して制御装置15の制御下でメインチャック12上のウエハWを加熱しながらローダ室からプローバ室11内のメインチャック12へウエハWを搬送する。その後、制御装置15の制御下でアライメント機構とXYテーブル13が協働してメインチャック12上のウエハWの電極パッドとプローブカード14のプローブピン14Aとのアライメントを行う。
【0018】
次いで、メインチャック12が検査時の初期位置に達し、この位置でレーザ変位センサ16によってプローブカード14の高さを検出する。制御装置15ではこの検出高さと予め求めておいた参照用の高さとを比較し、これら両者間の差を求めた後、この差に基づいてメインチャック12の上昇距離を補正する。メインチャック12は補正後の距離だけ上昇した後、オーバードライブすると、ウエハWの電極パッドとプローブピン14Aとが予め設定した針圧で電気的に接触してデバイスの電気的特性検査を行なう。検査後、メインチャック12が下降し、XYテーブル13を介して次のデバイス位置までウエハWのインデックス送りを行う。その後、上述した場合と同一の要領でレーザ変位センサ16の検出高さに基づいてメインチャック12の上昇距離を補正することにより常に安定した針圧でウエハWの電気的特性検査を繰り返し行なうことができる。従って、電極パッドの下側に例えば有機系の絶縁膜があっても絶縁膜を損傷することなく、信頼性の高い検査を行なうことができる。尚、検査時プローブカード14の高さを制御装置15において逐次記憶し、これらの高さの変化を図2の実線▲2▼で示した。
【0019】
以上説明したように本実施形態によれば、XYテーブル13上にレーザ変位センサ16を設け、このレーザ変位センサ16によってプローブカード14の高さを検出するようにしたため、ウエハWの高温検査を行なう際にメインチャック12からの放熱及び検査時の発熱によりプローブカード14が熱膨張して図1の一点鎖線で示すように変形しても、レーザ変位センサ16を介して変形後のプローブカード14の高さを検出し、予め求めた変形前の参照高さとの差に基づいてメインチャック12の上昇距離を補正することにより、ウエハWの電極パッドとプローブピン14Aとを常に安定した針圧で電気的に接触させることができ、信頼性の高い検査を行なうことができる。しかも、プローブカード14が熱的に安定するまで検査を待つ必要がないため、検査のスループットを高めることができる。
【0020】
図3は本発明のプローブ装置の他の実施形態を示す図である。尚、図3では制御装置を省略して図示してある。本実施形態のプローブ装置10は、レーザ変位センサ16をメインチャック12に取り付けた以外は、上記実施形態と同様に構成されている。本実施形態ではレーザ変位センサ16をメインチャック12に取り付けたため、ウエハWの周縁部のデバイスの検査を行なう際に、メインチャック12に対するコンタクト荷重の作用によりメインチャック12に僅かな沈み込みや傾斜が生じても、プローブカード14の熱変形による変位量と一緒にレーザ変位センサ16によってプローブカード14の変位量として検出することができるため、これらの変位量に基づいて上昇距離を補正することによりウエハWの電極パッドとプローブピン14A間の針圧をより安定化して信頼性の高い検査を行なうことができる。
【0021】
図4は本発明のプローブ装置の更に他の実施形態を示す図である。尚、図3でも制御装置を省略して図示してある。本実施形態のプローブ装置10は、レーザ変位センサ16をヘッドプレート11Aに取り付けた以外は、上記実施形態と同様に構成されている。本実施形態ではレーザ変位センサ16をヘッドプレート11Aに取り付けたため、プローブカード14の上面からそのZ方向の変位量を検出することができ、ウエハWの電極パッドとプローブピン14A間の針圧を安定化して信頼性の高い検査を行なうことができる。
【0022】
尚、上記各実施形態ではセンサとしてレーザ変位センサを例に挙げて説明したが、その他の変位センサ、例えば静電容量センサ等従来公知のセンサを用いることもできる。
【0023】
【発明の効果】
本発明の請求項1〜請求項4に記載の発明によれば、検査時のプローブカードのZ方向の変位量を把握してプローブピンと被検査体とのコンタクト荷重を安定させ、信頼性の高い検査を行なうことができるプローブ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプローブ装置の一実施形態の要部の断面を示す概念図である。
【図2】図1に示すレーザ変位センサを用いて検出したプローブカードの高さを示すグラフである。
【図3】本発明のプローブ装置の他の実施形態の要部の断面を示す概念図である。
【図4】本発明のプローブ装置の更に他の実施形態の要部の断面を示す概念図である。
【図5】従来のプローブ装置の一例を示す図で、(a)はプローバ室の正面を破断して示す断面図、(b)はプローブ装置の内部を示す平面図である。
【符号の説明】
10  プローブ装置
12  メインチャック(載置台)
13  XYテーブル(駆動装置)
14  プローブカード
14A プローブピン
16  レーザ変位センサ(センサ)
W  ウエハ(被検査体)

Claims (4)

  1. 被検査体を載置する被検査体の温度調整可能な載置台と、この載置台をX、Y及びZ方向に移動させる駆動装置と、この駆動装置を介して移動する載置台の上方に配置されたプローブカードとを備えたプローブ装置において、上記プローブカードの高さを測定するセンサを設けたことを特徴とするプローブ装置。
  2. 上記センサを上記駆動装置に設けたことを特徴とする請求項1に記載のプローブ装置。
  3. 上記センサを上記プローブカードの固定部に設けたことを特徴とする請求項1に記載のプローブ装置。
  4. 上記センサとしてレーザ変位センサまたは静電容量センサを設けたことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のプローブ装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173206A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Micronics Japan Co Ltd プローバ
KR100851419B1 (ko) * 2006-05-16 2008-08-08 도쿄 세이미츄 코퍼레이션 리미티드 프로버 및 탐침 접촉 방법
JP2008243861A (ja) * 2007-03-23 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 検査装置及び検査方法
JP2009524050A (ja) * 2006-01-18 2009-06-25 エレクトログラス・インコーポレーテッド 動的なプローブ調節の方法及び装置
JP2009145197A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Tokyo Electron Ltd 検査装置
JP2009231765A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Tokyo Electron Ltd プローブ装置、プローブ方法及びプローブ方法を記録したプログラム記録媒体

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6408500B1 (en) * 2000-09-15 2002-06-25 James Orsillo Method of retrofitting a probe station
DE10143173A1 (de) 2000-12-04 2002-06-06 Cascade Microtech Inc Wafersonde
US7355420B2 (en) 2001-08-21 2008-04-08 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6972578B2 (en) * 2001-11-02 2005-12-06 Formfactor, Inc. Method and system for compensating thermally induced motion of probe cards
US7071714B2 (en) 2001-11-02 2006-07-04 Formfactor, Inc. Method and system for compensating for thermally induced motion of probe cards
JP2004265895A (ja) * 2003-01-20 2004-09-24 Tokyo Electron Ltd 光学的測長器を備えたプローブ装置及びプローブ検査方法
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
JP2005072143A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローブ装置
DE202004021093U1 (de) 2003-12-24 2006-09-28 Cascade Microtech, Inc., Beaverton Aktiver Halbleiterscheibenmessfühler
JP4809594B2 (ja) * 2004-08-02 2011-11-09 東京エレクトロン株式会社 検査装置
EP1789812A2 (en) 2004-09-13 2007-05-30 Cascade Microtech, Inc. Double sided probing structures
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
TWI260103B (en) * 2005-02-16 2006-08-11 Univ Tsinghua Passive micro fuel cell
WO2006095759A1 (ja) * 2005-03-08 2006-09-14 Tokyo Electron Limited 接続ピンの形成方法,プローブ,接続ピン,プローブカード及びプローブカードの製造方法
JP2007183193A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Micronics Japan Co Ltd プロービング装置
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
JP4744382B2 (ja) * 2006-07-20 2011-08-10 株式会社東京精密 プローバ及びプローブ接触方法
KR100790817B1 (ko) * 2006-12-06 2008-01-03 삼성전자주식회사 반도체 제조관리 시스템
KR100831990B1 (ko) * 2006-12-08 2008-05-26 (주) 쎄믹스 프로브 카드의 탐침 예열 장치 및 방법
JP2008246628A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブル機構
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
US7847570B2 (en) 2007-10-19 2010-12-07 Teradyne, Inc. Laser targeting mechanism
US7733081B2 (en) 2007-10-19 2010-06-08 Teradyne, Inc. Automated test equipment interface
JP2009130114A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Tokyo Electron Ltd 検査装置
JP5071131B2 (ja) 2008-01-31 2012-11-14 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP5286938B2 (ja) * 2008-05-27 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 針跡検査装置、プローブ装置、及び針跡検査方法、並びに記憶媒体
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
US8410806B2 (en) 2008-11-21 2013-04-02 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
WO2011062312A1 (ko) * 2009-11-23 2011-05-26 주식회사 쎄믹스 터치패드를 이용한 웨이퍼 프로버
JP5632317B2 (ja) * 2011-03-19 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 冷却装置の運転方法及び検査装置
KR20130136794A (ko) * 2012-06-05 2013-12-13 삼성전자주식회사 반도체 테스트 장비 및 이를 이용한 반도체 소자 테스트 방법
TWI495894B (zh) * 2013-08-07 2015-08-11 Wistron Corp 用來檢測工件是否正確置放之檢測裝置及其方法
US10254309B2 (en) * 2013-12-31 2019-04-09 Celadon Systems, Inc. Test apparatus having a probe core with a latch mechanism
KR102396428B1 (ko) 2014-11-11 2022-05-11 삼성전자주식회사 반도체 테스트 장치 및 방법
US10288409B2 (en) * 2015-04-01 2019-05-14 Applied Materials Israel Ltd. Temperature sensitive location error compensation
CN108493124B (zh) * 2018-05-16 2024-07-12 深圳市杰普特光电股份有限公司 自动化晶圆测试机台
JP7090517B2 (ja) * 2018-09-20 2022-06-24 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び検査方法
KR102258116B1 (ko) * 2018-11-20 2021-06-01 주식회사 탑 엔지니어링 패널검사장치
JP2022096153A (ja) * 2020-12-17 2022-06-29 住友電気工業株式会社 電子デバイスの検査装置及び検査方法
JP2022184029A (ja) * 2021-05-31 2022-12-13 東京エレクトロン株式会社 アライメント方法及び検査装置
CN114859213A (zh) * 2022-07-05 2022-08-05 深圳市标谱半导体科技有限公司 测试针调节组件及芯片测试设备
CN117706432B (zh) * 2024-02-02 2024-04-30 合肥中航天成电子科技有限公司 一种用于sop封装元件的管脚检测设备

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5550480A (en) * 1994-07-05 1996-08-27 Motorola, Inc. Method and means for controlling movement of a chuck in a test apparatus
TW399279B (en) * 1997-05-08 2000-07-21 Tokyo Electron Limtied Prober and probe method
JP3423979B2 (ja) * 1997-07-11 2003-07-07 東京エレクトロン株式会社 プローブ方法及びプローブ装置
JP3356683B2 (ja) * 1998-04-04 2002-12-16 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
DE10039336C2 (de) * 2000-08-04 2003-12-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Testen von Halbleiterschaltungen und Testvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP2002313857A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Ando Electric Co Ltd 距離変化出力装置及び方法
JP4782953B2 (ja) * 2001-08-06 2011-09-28 東京エレクトロン株式会社 プローブカード特性測定装置、プローブ装置及びプローブ方法
JP2003168707A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JP2005072143A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローブ装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173206A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Micronics Japan Co Ltd プローバ
JP4589710B2 (ja) * 2004-12-13 2010-12-01 株式会社日本マイクロニクス プローバ
JP2009524050A (ja) * 2006-01-18 2009-06-25 エレクトログラス・インコーポレーテッド 動的なプローブ調節の方法及び装置
KR100851419B1 (ko) * 2006-05-16 2008-08-08 도쿄 세이미츄 코퍼레이션 리미티드 프로버 및 탐침 접촉 방법
JP2008243861A (ja) * 2007-03-23 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 検査装置及び検査方法
JP2009145197A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Tokyo Electron Ltd 検査装置
JP2009231765A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Tokyo Electron Ltd プローブ装置、プローブ方法及びプローブ方法を記録したプログラム記録媒体

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