JP2003332074A - 金属配位化合物を用いた発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光素子用の発光材料として、新規な発光材
料を提供して、発光輝度が高く、発光効率が高い素子を
提供する。 【解決手段】 基板上に形成した電極間に、下式で表さ
れる銅錯体を用いることを特徴とすることで、安価な発
光材料を得ることができた。また溶液でのフォトルミネ
ッセンス発光強度は弱いが、発光素子にした時の輝度は
高い値を示した。 【外１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用い
た発光素子に関するものであり、さらに詳しくは、金属
配位化合物を発光材料として用いることで安定した効率
の高い発光素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ素子は、高速応答性や高効率の
発光素子として、応用研究が精力的に行われている。そ
の基本的な構成を図１に示した。［例えばＭａｃｒｏｍ
ｏｌ．Ｓｙｍｐ．１２５，１〜４８（１９９７）参照］
図１に示したように、一般に有機ＥＬ素子は透明基板１
５上に透明電極１４と金属電極１１の間に複数層の有機
膜層から構成される。

【０００３】図１（ａ）では、有機層が発光層１２とホ
ール輸送層１３からなる。透明電極としては、仕事関数
が大きなＩＴＯなどが用いられ、透明電極からホール輸
送層への良好なホール注入特性を持たせている。金属電
極としては、アルミニウム、マグネシウムあるいはそれ
らを用いた合金などの仕事関数の小さな金属材料を用い
有機層への良好な電子注入性を持たせる。これら電極に
は、５０〜２００ｎｍの膜厚が用いられる。

【０００４】発光層には、電子輸送性と発光特性を有す
るアルミキノリノール錯体など（代表例は、図２に示す
Ａｌｑ）が用いられる。また、ホール輸送層には、例え
ばトリフェニルアミン誘導体（代表例は、図２に示すα
ＮＰＤ）など電子供与性を有する材料が用いられる。

【０００５】以上の構成した素子は電圧印加により整流
性を示し、金属電極を陰極に透明電極を陽極になるよう
に電界を印加すると、金属電極から電子が発光層に注入
され、透明電極からはホールが注入される。

【０００６】注入されたホールと電子は発光層内で再結
合により励起子が生じ発光する。この時ホール輸送層は
電子のブロッキング層の役割を果たし、発光層／ホール
輸送層界面の再結合効率が上がり、発光効率が上がる。

【０００７】さらに、図１（ｂ）では、図１（ａ）の金
属電極と発光層の間に、電子輸送層が設けられている。
発光と電子・ホール輸送を分離して、キャリアブロッキ
ング作用をより効果的にする構成とし、発光効率を上げ
ている。電子輸送層としては、例えば、オキサジアゾー
ル誘導体など、または、図２に示したＡｌｑ、Ｂｐｈｅ
ｎやＢＣＰを用いることができる。

【０００８】また、図１（ｃ）のように、発光層内で形
成される励起子を発光層内に閉じ込め、効率的な発光を
行うために、励起子拡散防止層を設けることもできる。
また、上記有機物層を単層構成で素子を構成することも
可能である。これは、基板上に第１電極を形成し、その
上に高分子膜を塗布法などで作成し、上部に第２電極を
形成する場合が多いが、低分子の真空蒸着によっても利
用することは可能である。

【０００９】また発光層は、発光材料をキャリア輸送材
料中に分散するゲストホストタイプと発光材料１００％
で用いる場合の２通りある。発光材料の多くは、発光層
内における濃度が高くなると、自己消光によって発光効
率が低下する場合があり、その場合には、適当なホスト
材料を選定してゲストホストタイプで用いる。

【００１０】本発明は、有機ＥＬ素子の発光材料として
特定の構造を有する銅錯体を用いるものである。銅錯体
に関する先行技術としては、本発明とは異なる銅錯体化
合物を用いるものであるが、ディスプレイや照明などに
用いるには十分な性能のものは開示されていない。

【００１１】以下先行技術の例を挙げる。 １．Ｙ．Ｍａ ｅｔ ａｌ．，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａ
ｔｅｒｉａｌｓ，１９９９，１１，Ｎｏ１０，ｐ８５ Ｈｉｇｈ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｇｏｌｄ（１）
ａｎｄ Ｃｏｐｐｅｒ（１） Ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ
ｗｉｔｈ Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｅｘｃｉｔｅｄ Ｓｔａｔ
ｅ ｆｏｒ Ｕｓｅ ｉｎ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉ
ｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ ２．特許公報 第２９４０５１４号東口ら 有機エレクトロルミネッセント素子 銅錯体は比較的安価に製造することが可能であり、銅錯
体の性能を十分に引き出せば低コスト高性能な有機ＥＬ
素子が可能になる。

【００１２】上記した２つの先行技術論文は、ＥＬ素子
の発光効率が著しく低かったり、素子の効率の記載が不
十分で銅錯体の特性が十分引き出せているとは考えにく
い。

【００１３】本発明は、高発光効率・高安定性・低コス
トであるを発光材料を提供することが目的である。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は銅錯体を発光材
料として用いることを特徴としており、この中には既存
の化合物もあり、また新規化合物もある。

【００１５】特に本発明は、下記一般式（１）で示され
る部分構造式を有する金属配位化合物を用いることを特
徴とする発光素子である。

【００１６】

【外６】 （１） ［但し、Ｃｕは銅イオンであり窒素原子Ｎを含む芳香環
Ａはピリジン環、キノリン環、または、これら芳香環の
一つ以上のＣ−ＨがＮ原子に置き換わってもよい芳香環
であり、該芳香環が置換基を有しても良い。

【００１７】該置換基は、置換基を有しても良い芳香環
基、ハロゲン原子または炭素原子数１から１０の直鎖状
または分岐状のアルキル基（該アルキル基中の１つもし
くは隣接しない２つ以上のメチレン基は−Ｏ−、−Ｓ
−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ＝
ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、該ア
ルキル基中の水素原子はフッ素原子または芳香環基に置
換されていてもよい。）である。］によって達成され
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明に用いられる銅錯体の主た
る特徴は、中心金属の銅イオンはプラス１価の状態にあ
ることを特徴としている。銅原子の電子配置では、プラ
ス１価の銅は、ｄ電子が１０個含まれる。本発明者らの
経験上、遷移金属にあって偶数個のｄ電子を持つ場合に
は、発光特性が良好な場合が多い。銅イオンとしては、
プラス１価と２価が知られており、本発明では２価の銅
イオン化合物を排除するものではないが、本発明の主た
る部分は１価の銅イオン化合物を用いることである。

【００１９】また、本発明の銅錯体に用いられる化合物
の構成要素を、図３から図１０までに示した。

【００２０】上記、一座及び二座配位子が銅に配位した
金属配位化合物を本発明では用いる。上記配位子には、
０価、マイナス１価のものが含まれ、銅のプラス１価と
の組み合わせで０価、プラス１価の金属配位化合物が含
まれる。プラス１価の場合には、カウンターアニオンが
付随するが、それは、ＣｌＯ４−、ＰＦ６−、ＢＦ４
−、ＢＰｈ４−など、マイナス１価のイオンであれば特
に限定はない。

【００２１】これら、銅配位化合物の合成法は以下の文
献に記載がある。これら合成例に従うことによって、本
発明の銅配位化合物は、容易に合成することができる。
例えば図１１に示した例示化合物の合成法は以下の論文
を参照することができる。

【００２２】 例示化合物１ 文献８ 例示化合物２ 文献７ 例示化合物３ 文献３ 例示化合物４ 文献４ 例示化合物５ 文献４ 例示化合物６ 文献９ 例示化合物７ 文献６ 例示化合物８ 文献４ 例示化合物９ 文献４ 例示化合物１０ 文献１０ ＜合成文献＞ 文献１．Ｄ．Ｆｅｌｄｅｒ，ｅｔ ａｌ．，Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓ
ｏｃｉｅｔｙ，２００１，１２３，ｐ６２９９；Ｈｉｇ
ｈｌｙ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｃｕ（１）−Ｐｈｅ
ｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ Ｃｏｍｐｌｅｘ ｉｎ Ｒｉ
ｇｉｄ Ｍａｔｒｉｘ ａｎｄ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ
ｅ Ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ Ｐｈｏｔｏ
ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｔｉｅｓ． 文献２．Ｔ．Ｓｈｏｎｏ，ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅｍｉｓ
ｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９７２，ｐ１６３；Ｓｙｎ
ｔｈｓｅｓ ｏｆ Ｃｏｐｐｅｒ（１）Ｔｒｉｈｅｎｙ
ｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ ｃｏｍｐｌｅｘ． 文献３．Ｍ．Ｔ．Ｍｉｌｌｅｒ，ｅｔ ａｌ．，Ｉｎｏ
ｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９９，３８，
ｐ３４１４；Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ Ｓｔｅｒｉｃｓ
ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｌｏｃａｌｉｚａ
ｔｉｏｎ ｏｎ ｔｈｅ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃａｌ
，Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ２，９
−Ｄｉｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ １，１０−Ｐｈｅｎａ
ｎｔｈｒｏｌｉｎｅ Ｃｏｐｐｅｒ（１） Ｃｏｍｐｌ
ｅｘ． 文献４．Ｒ．Ａ．Ｒａｄｅｒ，ｅｔ ａｌ．，Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９８１，１０３，ｐ５９０６； Ｐ
ｈｏｔｏｓｔｕｄｉｅｓ ｏｆ ［Ｃｕ（ｂｐｙ）（Ｐ
Ｐｈ３）２］＋，［Ｃｕ（Ｐｈｅｎ）（ＰＰｈ３）２］
＋ａｎｄ ［Ｃｕ（ｄｍｐ）（ＰＰｈ３）２］＋ｉｎ
Ｓｏｌｕｔｉｏｎ ａｎｄ ｉｎ Ｒｉｇｉｄ，Ｌｏｗ
−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｇｌａｓｓｅｓ．Ｓｉｍｕ
ｌｔａｎｅｏｕｓ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｅｍｉｓｓｉｏ
ｎｓ ｆｒｏｍ Ｉｎｔｒａｌｉｇａｎｄ ａｄ Ｃｈ
ａｒｇｅ−Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｓｔａｔｅｓ． 文献５．Ｒ． Ｍ． Ｅｖｅｒｌｙ， ｅｔ ａｌ．，
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＰｈｙｓｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉ
ｓｔｒｙ， １９９１， ９５， ｐ９０７１； Ｒｅ
ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ Ａｂｓｏ
ｒｂｉｎｇａｎｄ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｃｈａｒｇｅ−
Ｔｒａｎｓｆｅｒ ＥｘｃｉｔｅｄＳｔａｔｅｓ ｏｆ
［Ｃｕ（ＮＮ）２］＋ Ｓｙｓｔｅｍｓ． 文献６．Ｗｈｅｉ−Ｌｕ Ｋｗｉｋ，ｅｔ ａｌ．，Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ
ｙ ｏｆ Ｄａｌｔｏｎ，；Ｔｅｒｎａｒｙ Ｃｏｍｐ
ｌｅｘｅｓ ｏｆ Ｃｏｐｐｅｒ（１）ｗｉｔｈ ２，
９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−１，１０−Ｐｈｅｎａｎｔｈｒ
ｏｌｉｎｅ ａｎｄｓｏｍｅ Ｏｘｙｇｅｎ−ｄｏｎｅ
ｒ Ｌｉｇａｎｄｓ． 文献７．Ｍ．Ｔ．Ｍｉｌｌｅｒ，ｅｔ ａｌ．，Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９９９，１２１，ｐ４２９２ ；
Ａ Ｈｉｇｈｌｙ Ｅｍｉｓｓｉｖｅ Ｈｅｔｅｒｏｌ
ｅｐｔｉｃ Ｃｏｐｐｅｒ（１） Ｂｉｓ（ｐｈｅｎａ
ｎｔｈｒｏｌｉｎｅ） Ｃｏｍｐｌｅｘ：［Ｃｕ（ｄｂ
ｐ）（ｄｍｐ）］＋． 文献８．Ｍ．Ｋ． Ｅｇｇｌｅｓｔｏｎ， ｅｔ ａ
ｌ．，ＩｎｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ， １９
９７，３６，ｐ１７２ ；Ｓｔｅｒｉｃ Ｅｆｆｅｃｔ
ｓ ｉｎ Ｇｒｏｕｎｄ ａｎｄ ＥｘｃｉｔｅｓＳｔ
ａｔｅｓ ｏｆ Ｃｕ（ＮＮ）２＋Ｓｙｓｔｅｍ． 文献９．新井ら，第５１回錯体討論会予稿集，ｐ５７
８， ２Ｐ−Ｆ１３ ；ジホスフィンとジイミンを含む
銅（１）錯体の光特性 文献１０．木下ら，第５１回錯体化学討論会予稿集ｐ４
２５ ２Ｓ３−０６ 硫黄架橋大環状Ｃａｌｉｘ［］ｐｙｒｉｄｉｎｅの開発
と新規錯体群 図１２に示したもののみでなく、図１３のように高分子
鎖中にＣｕ配位部位を組み込むことも可能である。

【００２３】表１から表５に本発明の銅錯体の例示化合
物を示した。（表中の配位子１の数、配位子２の数の欄
がブランクの部分は１であることを示す）

【００２４】

【表１】

【００２５】

【表２】

【００２６】

【表３】

【００２７】

【表４】

【００２８】

【表５】

【００２９】本発明に利用することのできる銅配位化合
物は、これらに限られるのみではない。例えば図８や図
９に示した配位子の例では、主な配位子の骨格のみを示
したが、これらの中で水素原子がアルキル基、芳香環
基、ハロゲン原子に置換されてもよい。また、さらに縮
合した環構造を有したり、ＣＨ基が窒素原子に置き換わ
ることも可能である。

【００３０】本発明で用いる好ましい銅配位化合物の特
徴は、芳香環イミン構造の窒素原子が一価のＣｕに配位
する構造を有していることにある。これら構造を有する
銅配位化合物の励起状態は、ｍｅｔａｌ−ｔｏ−ｌｉｇ
ａｎｄ−ｃｈａｒｇｅ−ｔｒａｎｓｆｅｒ（ＭＬＣＴ）
励起状態に帰属され、強い発光が得られる。これら励起
状態を得るためには、配位子の電子受容性が強いほうが
よい。例えば２座配位子であれば、配位子の金属に配位
する原子が２つともイミン構造を有する窒素原子である
ことが好ましい。それには、２，９−フェナントロリン
や、２，２’−ビピリジンやそれらの誘導体を用いるこ
とができる。また、一座配位子であれば、ピリジン誘導
体などを用いることができる。

【００３１】もう一つの特徴は、基底状態と励起状態の
構造変化を抑制するような配位子構造にすることが、重
要である。Ｃｕ（１）の配位構造は４配位の擬似的なテ
トラヘドラル構造であるが、励起状態でこれが保たれて
いるほうが発光輝度が高い。

【００３２】例えば、図１２の例示化合物１は、フェナ
ントロリンの２，９位を２つのイソブチル基で置換して
いる。これは、基底状態の擬似的なテトラヘドラル構造
を励起状態でも保持する効果があり、発光輝度が高くな
る。励起状態では、２つのフェナントリンが１つの平面
状になろうとするが、それを嵩高いイソブチル基で置換
することで、テトラヘドラル構造を保持している。同じ
考え方で、例示化合物３−８も高輝度発光特性を示すと
考えられる。

【００３３】また、本発明に使用される銅錯体は、一般
に用いられる他の発光材料に比べ、溶液中での発光効率
は高くないにもかかわらず、発光素子に成膜した固体状
態中では非常に強い発光を示す。この主な理由は２つ考
えられる。

【００３４】一つは、基底状態のＣｕ（１）の配位構造
は４配位の擬似的なテトラヘドラル構造である。これが
励起されて励起状態になり、ＭＬＣＴ励起状態を形成す
るためには、Ｃｕはプラス２価に近い状態になり、平面
に近い構造の方が安定になる。このことで励起状態と基
底状態で大きく構造が変化するため、エネルギーの熱失
活経路が増え発光が弱めれらる。しかしながらこの構造
変化が固体中では動きが阻害されるため、構造変化が抑
制されて強い発光が得られると考えられる。

【００３５】他の理由は、溶液中では付加的な配位構造
が形成され、５配位構造を形成する可能性があり、その
故に強い発光が得られないという考え方である。このよ
うな５配位化反応は、固体中では分子運動が抑制されて
いるため得られにくく、従って固体中では強い発光が得
られる。

【００３６】また、本発明のＣｕ配位化合物の粉末固体
中の発光寿命は、０．１μｓｅｃ以上の発光寿命を有す
る。発光寿命が長いほど、熱失活経路が少なく、発光効
率が高いことを示す。従って、本発明に用いられる配位
化合物の発光寿命は長い方が好ましく、０．１μｓｅｃ
以上、さらに好ましくは、０．５μｓｅｃ以上の発光寿
命を持つ。

【００３７】これまで、用いられてきたアルミキノリノ
ール誘導体、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体など
は、溶液中で非常に強い発光が得られ、その強発光特性
がそのまま固体分散中でも保持される。この特性が有機
ＥＬ素子においても有効に働き、素子の高発光効率が得
られた。

【００３８】しかしながら、本発明のＣｕ錯体では溶液
中の発光に比べて固体中の発光は非常に強い。本発明者
らはこの特性に着眼し有機ＥＬ素子の高効率で安定発光
に有用であることを見出した。

【００３９】また、本発明は高分子にも適用できる。例
えば、図１３に示すように、高分子鎖中にＣｕ配位化合
物を組み込むことで有効に発光部位として働く。

【００４０】本発明のＣｕ配位化合物は有機ＥＬ素子の
発光材料に有用である。高い発光効率を有することは言
うまでもなく、蒸着プロセスによる製膜や、高分子中に
分散するためのスピンコートにも適する。素子作成工程
における分解などのダメージがなく安定した素子作成が
可能になる。また、ＥＬ素子の通電時の発光安定性に関
しても問題がないことが確認された。。

【００４１】また、以下の実施例に示すように、通電耐
久試験において、本発明の化合物は、安定性においても
優れた性能を有することが明らかとなった。

【００４２】ディスプレイへの応用では、アクティブマ
トリクス方式であるＴＦＴ駆動回路を用いて駆動する方
式が考えられる。

【００４３】また本発明は、スイッチング素子に特に限
定はなく、単結晶シリコン基板やＭＩＭ素子、ａ−Ｓｉ
型等でも容易に応用することができる。

【００４４】本発明で示した高効率な発光素子は、省エ
ネルギーや高輝度が必要な製品に応用が可能である。応
用例としては表示装置・照明装置やプリンターの光源、
液晶表示装置のバックライトなどが考えられる。表示装
置としては、省エネルギーや高視認性・軽量なフラット
パネルディスプレイが可能となる。また、プリンターの
光源としては、現在広く用いられているレーザビームプ
リンタのレーザー光源部を、本発明の発光素子に置き換
えることができる。独立にアドレスできる素子をアレイ
上に配置し、感光ドラムに所望の露光を行うことで、画
像形成する。本発明の素子を用いることで、装置体積を
大幅に減少することができる。照明装置やバックライト
に関しては、本発明による省エネルギー効果が期待でき
る。

【００４５】

【発明の実施の形態】前記したように、図１２の例示化
合物１−１０を文献に従って合成した。得られた化合物
をマススペクトル、ＮＭＲなどで分子構造を特定した。
これらのうち以下の表に示した材料について光励起によ
る発光特性を測定した。発光スペクトル測定は、日立測
器社製Ｆ４５００（励起波長３８０−４５０ｎｍ）行っ
た。

【００４６】また発光寿命に関しては、浜松ホトニクス
社製ストリークカメラＣ４３３４で励起光には、窒素レ
ーザー（波長３３７．１ｎｍ）を用いて測定した。測定
はすべて粉末状態で行った。また、発光スペクトルに関
しては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）中に５％
濃度で分散して同様の測定を行い上記粉末のスペクトル
とほぼ同じスペクトルを得た。

【００４７】

【表６】

【００４８】それぞれ固体状態で強い発光が得られた。

【００４９】（実施例１）例示化合物４を発光材料とし
て用いて有機ＥＬ素子を作成した。

【００５０】素子構成として、有機層が１層の素子を使
用した。ガラス基板上に１００ｎｍ厚のＩＴＯを成膜
し、パターニングして上下対向する電極面積が３ｍｍ^２
になるようにした。そのＩＴＯ基板上に、以下の溶液を
作成して、スピンコートによって作成した。

【００５１】 （溶液） クロロベンゼン １０ｇ ポリビニルカルバゾール（平均分子量９６００） １００ｍｇ 例示化合物４ ３．０ｍｇ この溶液を用いて、窒素雰囲気下で２０００ｒｐｍ、２
０秒間でスピンコートすることで、１２０ｎｍの膜厚の
有機膜を形成することができた。この製膜後、この基板
を真空蒸着チャンバーに装着して陰極を形成した。陰極
は以下のような構成にした。

【００５２】金属電極層１（１５ｎｍ） ：ＡｌＬｉ合
金（Ｌｉ含有量１．８重量％） 金属電極層２（１００ｎｍ） ：Ａｌ これらにＡｌをマイナス、ＩＴＯ側をプラスにしてＤＣ
電圧を印加して素子特性を評価した。

【００５３】電圧電流特性は、良好な整流性を示した。
発光スペクトルは、トプコン社製、スペクトル測定機Ｓ
Ｒ１で測定した。結果を図１４に示すが、発光スペクト
ルピークが５４５ｎｍで、前記した粉末やＰＭＭＡ分散
中のＰＬスペクトルより４０ｎｍ程度長波長化してい
た。発光は目視では黄緑色であり、２００時間連続通電
しても、安定した発光をしていた。１０Ｖ印加時の発光
効率を算出すると０．５ｌｍ／Ｗであった。

【００５４】（実施例２）実施例１に対して、発光材料
を例示化合物１にした以外は同様の実施例である。発光
スペクトルピークが６５０ｎｍで、赤色で発光してい
た。２００時間連続通電しても、安定した発光をしてい
た。

【００５５】（実施例３）実施例１に対して、発光材料
を例示化合物８にした以外は同様の実施例である。発光
スペクトルピークが５２３ｎｍで、緑色で発光してい
た。２００時間連続通電しても、安定した発光をしてい
た。

【００５６】（実施例４）高分子中にＣｕ錯体を組み入
れた分子構造を有する発光材料の実施例に関して説明す
る。

【００５７】最初に合成法から説明する。

【００５８】以下に示す方法で、本発明Ｃｕモノマー金
属錯体化合物を得ることができる。

【００５９】

【外７】

【００６０】１００ｍｌの３つ口フラスコにアセトニト
リル２０ｍｌ、ヨウ化銅ＣｕＩ ０．５４ｇ（５．４５
ｍｍｏｌ）を入れ、窒素気流下，熱エタノール２０ｍｌ
に溶解させた２，９−ジメチル−１．１０−フェナント
ロリン ０．４０ｇ（１．９２ｍｍｏｌ）を徐々に加え
た後，加熱還流にて１時間攪拌を行った．その後エタノ
ール１０ｍｌに溶解させた２−（アセトアセチルオキ
シ）エチルメタクリレート ０．４１ｇ（１．９２ｍｍ
ｏｌ）を徐々に加え，２４時間加熱還流を行った．反応
物を氷冷し、沈殿物を濾取水洗した。この濾液を減圧留
去後，日本分析工業社製分取ＨＰＬＣにて精製を行い目
的物であるＭ１を得た． 《高分子重合反応》

【外８】

【００６１】重合管中にＮ、Ｎ’−ジメチルホルミルア
ミド２ｍｌ、上記Ｍ１ ４９ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ
ｅ）、ＶＫ（ビニルカルバゾール）１７４ｍｇ（０．９
ｍｍｏｌｅ）、ＡＩＢＮ（２、２’−アゾビス（イソブ
チロニトリル）１．６４ｍｇ（０．００１ｍｍｏｌｅ）
を入れ、脱気封管後、６０度、２０時間加熱撹拌を行っ
た。反応終了後、混合溶液をエーテル１００ｍｌ中に再
沈殿を三度行った後、得られた粉末を加熱減圧乾燥し、
上記Ｐ１を得た。本高分子化合物の平均分子量は約１５
０００であった。また、１ａとＶＫの導入率のモル比は
１Ｈ−ＮＭＲによると１：２９程度であった。

【００６２】この高分子化合物の１％クロロホルム溶液
を作成し、ガラス上にキャストして励起光３５０ｎｍで
フォトルミネッセンスのスペクトル測定を行った。（測
定器：日立測器 Ｆ４５００）。発光ピーク波長は、５
６０ｎｍであり、強い発光が確認された。この波長の発
光寿命は０．５μｓｅｃであった。

【００６３】（実施例５）実施例４で作成した高分子配
位化合物を用いて、有機物一層構成の素子を作成した。
１．１ｍｍ、５ｃｍ角の透明電極ＩＴＯ付のガラス基板
を用い、ＩＴＯを所定のパターンにパターニングした。
この上に上記化合物Ｐ１の２％クロロフォルム溶液を用
意し、２０００ｒｐｍ、２０秒の条件でスピンナー塗布
した。この後８０℃で２時間乾燥し、１２０ｎｍの高分
子膜を得た。これに対向電極としてＡｌ−Ｌｉ １０ｎ
ｍ、Ａｌを１００ｎｍを所定のパターンを開口部に持っ
たマスク蒸着して成膜し、発光素子を形成した。電極に
２０Ｖの直流電圧を印加したところ、５７０ｎｍの発光
波長で発光し、２００時間連続通電しても、安定した発
光をしていた。

【００６４】（実施例６）上記実施例４で得た化合物を
用いて、有機層がホール輸送層、発光層、電子輸送層の
３層からなる図１（ｂ）に示す単ビットの有機ＥＬ素子
を作成し、素子特性を計測した。透明基板１５として無
アルカリガラス基板を用い、この上に透明電極１４とし
て１００ｎｍ厚の酸化インジウム（ＩＴＯ）をスパッタ
法にて形成し、直径２ｍｍの大きさの電極にパターニン
グした。

【００６５】

【外９】

【００６６】この上にホール輸送層として、上記構造式
で表されるＰＥＤＯＴとＰＳＳからなる高分子膜溶液を
スピンコート法にて膜厚３０ｎｍ形成した。その上に実
施例５の高分子化合物ｐ１の１．０％ クロロホルム溶
液を２回スピンコートし、６０℃のオーブン中で６０分
乾燥して、膜厚７０ｎｍの発光層を得た。さらに電子輸
送層として、上記Ｂｐｈｅｎで表される化合物を、１０
^−４Ｐａの真空度で抵抗加熱蒸着を行い、膜厚４０ｎｍ
の有機膜を得た。

【００６７】この上に金属電極層の下引き層として、フ
ッ化カリウムＫＦを５ｎｍ配置した。さらに金属電極と
して、１００ｎｍの膜厚のアルミニウムＡｌ膜を蒸着
し、陰極層を形成し有機ＥＬ素子を作成した。

【００６８】有機ＥＬ素子の特性は、電流電圧特性をヒ
ューレッドパッカード社製の微小電流計４１４０Ｂで測
定し、また発光輝度をトプコン社製ＢＭ７で測定した。
本実施例の化合物を用いた素子は良好な整流性を示し
た。

【００６９】電圧１５Ｖ印加時に、本ＥＬ素子からの発
光が確認された。発光波長ピークは５６５ｎｍであり、
本実施例５とほぼ同様の発光波長が確認され、この高分
子化合物のＣｕ配位部の発光に由来する発光を確認し
た。

【００７０】

【発明の効果】本発明の銅錯体を発光材料として用いる
ことで、発光輝度が高い発光素子を提供することが可能
になった。また銅錯体は安価なもので、ディスプレイ商
品として有用なものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】一般的な発光素子の構成を示す図。

【図２】一般的な電子輸送材料やホール輸送材料の構造
を示す図。

【図３】本発明の銅錯体に利用できる芳香環イミン構造
を有する一座配位子を示す図。窒素原子がＣｕに配位す
る。

【図４】本発明の銅錯体に利用できるビピリジン構造を
有する２座配位子を示す図。ビピリジンの２つの窒素原
子がＣｕに配位する。

【図５】本発明の銅錯体に利用できるフェナントロリン
構造を有する２座配位子を示す図。２つの窒素原子がＣ
ｕに配位する。

【図６】本発明の銅錯体に利用できる２−フェニルピリ
ジン構造を有する２座配位子を示す図。ピリジンとフェ
ニルの２位がＣｕに配位する。

【図７】本発明の銅錯体に利用できるベンゾキノリン構
造を有する２座配位子を示す図。環中の窒素と炭素がＣ
ｕに配位する。

【図８】本発明の銅錯体に利用できるビピリジン誘導体
を有する２座配位子を示す図。

【図９】本発明の銅錯体に利用できる２−フェニルピリ
ジン誘導体構造を有する２座配位子を示す図。

【図１０】本発明の銅錯体に利用できる他の二座配位子
を示す図。ＰＰＰｈ３（１００１）は一座配位子でＰが
Ｃｕに配位。他は酸素、窒素、りんが配位する２座配位
子。

【図１１】本発明の銅錯体に利用できる他の配位子を示
す図。１１０１は３座配位子で３つの窒素原子が銅に配
位する。

【図１２】本発明に関する銅錯体の例示化合物を示す
図。

【図１３】本発明の高分子型銅錯体の構造を例示する
図。

【図１４】実施例１の発光素子の発光スペクトル図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 滝口 隆雄 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 井川 悟史 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 鎌谷 淳 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 古郡 学 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 岩脇 洋伸 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 上野 和則 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB11 AB18 DB03 4J100 AL08P AQ26Q BA12P BA15P CA04 DA61 JA32

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも１枚の基板上に形成された一
   対の電極間に、下記一般式（１）で示される部分構造式
   を有する金属配位化合物を含む有機物層を有することを
   特徴とする発光素子。 【外１】 （１） ［但し、Ｃｕは銅イオンであり窒素原子Ｎを含む芳香環
   Ａはピリジン環、キノリン環、または、これら芳香環の
   一つ以上のＣ−ＨがＮ原子に置き換わってもよい芳香環
   であり、該芳香環が置換基を有しても良い。該置換基
   は、置換基を有しても良い芳香環基、ハロゲン原子また
   は炭素原子数１から１０の直鎖状または分岐状のアルキ
   ル基（該アルキル基中の１つもしくは隣接しない２つ以
   上のメチレン基は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−
   Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−で置
   き換えられていてもよく、該アルキル基中の水素原子は
   フッ素原子または芳香環基に置換されていてもよい。）
   である。］
2. 【請求項２】 前記銅イオンがプラス１価であることを
   特徴とする請求項１に記載の発光素子。
3. 【請求項３】 下記一般式（２）で示される部分構造式
   を有する金属配位化合物を含む層を用いることを特徴と
   する請求項１に記載の発光素子。 【外２】 （２） 〔但し、Ｃｕは銅イオンであり、ＢとＣは芳香環を示
   し、ＢとＣは共有結合によって結合されている。窒素を
   含む芳香環Ｃは置換基を有しても良いピリジン環、キノ
   リン環またはイソキノリン環、または、これらの一つ以
   上のＣ−ＨがＮ原子に置き換わってもよい複素環であ
   る。芳香環Ｂ中のＱは、炭素原子または窒素原子を示
   し、 芳香環Ｂは、置換基を有しても良いフェニル環、ピリジ
   ン環、ナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、ま
   たは、これら芳香環基の一つ以上のＣ−ＨがＮ原子に置
   き換わってもよい複素環である。該置換基は、置換基を
   有しても良い芳香環、ハロゲン原子または炭素原子数１
   から１０の直鎖状または分岐状のアルキル基（該アルキ
   ル基中の１つもしくは隣接しない２つ以上のメチレン基
   は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ
   Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてい
   てもよく、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子また
   は芳香環基に置換されていてもよい。）である。〕
4. 【請求項４】 下記一般式（３）で示される部分構造式
   を有する金属配位化合物を含む層を用いることを特徴と
   する請求項３に記載の発光素子。 【外３】 （３） 〔但し、Ｃｕは銅イオンであり、部分構造式（３）中の
   芳香環中のＱは、炭素原子または窒素原子を示し、 該芳香環は、置換基を有しても良く、一つ以上のＣ−Ｈ
   がＮ原子に置き換わってもよい。該置換基は、置換基を
   有しても良い芳香環、ハロゲン原子または炭素原子数１
   から１０の直鎖状または分岐状のアルキル基（該アルキ
   ル基中の１つもしくは隣接しない２つ以上のメチレン基
   は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ
   Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてい
   てもよく、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子また
   は芳香環基に置換されていてもよい。）である。〕
5. 【請求項５】 下記一般式（４）で示される部分構造式
   を有する金属配位化合物を含む層を用いることを特徴と
   する請求項３に記載の発光素子。 【外４】 （４） 〔但し、Ｃｕは銅イオンであり、部分構造式（４）中の
   芳香環基は、図中のＲの他にも置換基を有しても良く、
   該芳香環基の一つ以上のＣ−ＨがＮ原子に置き換わって
   もよい。図中Ｒはハロゲン原子または炭素原子数１から
   １０の直鎖状または分岐状のアルキル基（該アルキル基
   中の１つもしくは隣接しない２つ以上のメチレン基は−
   Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ
   −、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていて
   もよく、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子または
   置換基を有してもよい芳香環基に置換されていてもよ
   い。）である。〕
6. 【請求項６】 下記一般式（５）で示される部分構造式
   を有する金属配位化合物を含む層を用いることを特徴と
   する請求項３に記載の発光素子。 【外５】 （５） 〔但し、Ｃｕは銅イオンであり、部分構造式（５）中の
   芳香環基中のＱは、炭素原子または窒素原子を示し、該
   芳香環は、置換基を有しても良く、一つ以上のＣ−Ｈが
   Ｎ原子に置き換わってもよい。該置換基は、置換基を有
   しても良い芳香環、ハロゲン原子または炭素原子数１か
   ら１０の直鎖状または分岐状のアルキル基（該アルキル
   基中の１つもしくは隣接しない２つ以上のメチレン基は
   −Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ
   −、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていて
   もよく、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子または
   芳香環基に置換されていてもよい。）である。〕
7. 【請求項７】 前記発光の発光寿命が０．１μｓｅｃ以
   上である特許請求の範囲１項の電界発光素子。
8. 【請求項８】 前記発光の発光寿命が０．５μｓｅｃ以
   上である特許請求の範囲１項の電界発光素子。
9. 【請求項９】 前記発光素子が電気信号を印加する電気
   信号印加回路により駆動されることを特徴とする特許請
   求の範囲１項の電界発光素子を用いた表示装置。