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JP2003264117A - セラミック電子部品、ペースト塗布方法及びペースト塗布装置 - Google Patents

セラミック電子部品、ペースト塗布方法及びペースト塗布装置

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JP2003264117A
JP2003264117A JP2002062714A JP2002062714A JP2003264117A JP 2003264117 A JP2003264117 A JP 2003264117A JP 2002062714 A JP2002062714 A JP 2002062714A JP 2002062714 A JP2002062714 A JP 2002062714A JP 2003264117 A JP2003264117 A JP 2003264117A
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ceramic
roller
paste
ceramic body
electronic component
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英樹 横山
Atsushi Takeda
篤史 武田
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TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ハンダ付け工程におけるセラミック素体のマン
ハッタン現象を回避し得るセラミック電子部品を提供す
る。 【解決手段】セラミック素体１は、ほぼ直方体状であ
る。端子電極３１、３２は、セラミック素体１の長さ方
向Ｌの両端側に備えられる。端子電極３１は、長さ方向
Ｌの一面１１と、幅方向Ｗの両面１３、１４の一部分
と、厚さ方向Ｔの両面１５、１６の一部分とを覆うよう
に設けられている。端子電極３２は、長さ方向Ｌの他面
１２と、幅方向Ｗの両面１３、１４の一部分と、厚さ方
向Ｔの両面１５、１６の一部分とを覆うように設けられ
ている。セラミック素体１の長さをＬ１とし、幅方向Ｗ
の一面１３における端子電極３１、３２の長さをＬ３と
し、幅方向Ｗの他面１４における端子電極３１、３２の
長さをＬ４としたとき、 ０≦｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１≦１／４４ を満たす。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック電子部
品、並びに、そのセラミック電子部品の製造に用いられ
るペースト塗布方法及びペースト塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】チップコンデンサ等のセラミック電子部
品では、キャップ状の端子電極がセラミック素体の長さ
方向の両端側に形成されている。詳しくは、それぞれの
端子電極は、セラミック素体の長さ方向の一面と、幅方
向の両面の一部分と、厚さ方向の両面の一部分とを覆う
ように形成されている。
【０００３】このような端子電極を形成するには、導体
ペースト中にセラミック素体を浸漬させる方法、または
ローラ塗布法を用いて、セラミック素体の両端側に導体
ペーストを塗布させ、この導体ペーストを熱処理により
乾燥固化させるのが一般的である。
【０００４】導体ペーストにより形成される端子電極
は、導体ペーストの塗布条件に起因して、幅方向の一面
に形成された部分の長さと、幅方向の他面に形成された
部分の長さが、互いに異なっている場合がある。
【０００５】このようなセラミック電子部品にハンダ付
け工程を行うと、幅方向の両面について、端子電極とハ
ンダとの接触面積が異なってしまう。このため、端子電
極はハンダから異なる大きさの応力を受けることとな
り、セラミック素体の立ち上がり（マンハッタン現象）
等の不具合を招く。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ハン
ダ付け工程におけるセラミック素体のマンハッタン現象
を回避し得るセラミック電子部品、並びに、そのセラミ
ック電子部品の製造に用いられるペースト塗布方法及び
ペースト塗布装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】１．セラミック電子部品 上述した課題を解決するため、本発明に係るセラミック
電子部品は、セラミック素体と、端子電極とを含む。
【０００８】前記セラミック素体は、ほぼ直方体状であ
る。前記端子電極は、前記セラミック素体の長さ方向の
両端側に備えられ、それぞれの端子電極が、長さ方向の
一面と、幅方向の両面の一部分と、厚さ方向の両面の一
部分とを覆うように設けられている。
【０００９】前記セラミック素体の長さをＬ１とし、幅
方向の両面における前記端子電極の長さを、それぞれ、
Ｌ３、Ｌ４としたとき、 ０≦｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１≦１／４４ を満たす。
【００１０】発明者らの実験によれば、比（｜Ｌ４−Ｌ
３｜／Ｌ１）を、０から１／４４までの範囲内に設定す
ると、ハンダ付け工程におけるマンハッタン現象の発生
率が低く保たれた。比｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１＝１／４４
の付近で、マンハッタン現象の発生率が急激に増大し
た。
【００１１】２．ペースト塗布方法 更に、本発明は、セラミック電子部品の製造に用いられ
るペースト塗布方法を開示する。このペースト塗布方法
では、外周面に導体ペーストを塗布させたローラを回転
させるとともに、前記ローラの回転方向とほぼ同じ方向
にセラミック素体を移動させる。そして、前記ローラの
外周面に前記セラミック素体の一面を接触させて前記導
体ペーストを塗布させる。
【００１２】更に、前記セラミック素体の移動速度をＶ
ｃとし、前記セラミック素体の前記一面に接する円周で
みた前記ローラの周速度をＶｐとしたとき、比Ｖｐ／Ｖ
ｃが ０．９５≦Ｖｐ／Ｖｃ≦０．９８ を満たす。
【００１３】発明者らの実験によれば、比Ｖｐ／Ｖｃを
０．９５から０．９８までの範囲に設定してペースト塗
布方法を実行すると、形成される端子電極の比（｜Ｌ４
−Ｌ３｜／Ｌ１）を、０から１／４４までの範囲内に収
めることができた。比Ｖｐ／Ｖｃを０．９８よりも大き
く設定すると、端子電極の比（｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１）
が１／４４を超えた。また、比Ｖｐ／Ｖｃを０．９５よ
りも小さく設定しても、端子電極の比（｜Ｌ４−Ｌ３｜
／Ｌ１）が１／４４を超えた。
【００１４】３．ペースト塗布装置 更に、本発明は、セラミック電子部品の製造に用いられ
るペースト塗布装置を開示する。このペースト塗布装置
は、ローラと、セラミック素体移動装置とを含む。
【００１５】前記ローラは、回転駆動されるものであ
る。前記セラミック素体移動装置は、前記ローラの回転
方向とほぼ同じ方向にセラミック素体を移動させ、前記
ローラの外周面に前記セラミック素体の一面を近接させ
るものである。
【００１６】更に、前記セラミック素体の移動速度をＶ
ｃとし、前記セラミック素体の前記一面に接する円周で
みた前記ローラの周速度をＶｐとしたとき、比Ｖｐ／Ｖ
ｃが ０．９５≦Ｖｐ／Ｖｃ≦０．９８ を満たす。
【００１７】このペースト塗布装置は、ローラの外周面
に導体ペーストを塗布して用いられる。この状態でロー
ラを回転させるとともに、ローラの回転方向とほぼ同じ
方向にセラミック素体を移動させる。更に、ローラの外
周面にセラミック素体の一面を近接させる。これによ
り、ローラの外周面上の導体ペーストがセラミック素体
の一面に塗布される。従って、上述のペースト塗布方法
が実現されることとなり、上述した本発明に係るセラミ
ック電子部品が得られる。
【００１８】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、添付図面を参照し、更に具体的に説明する。添付図
面は単に例を示すに過ぎない。
【００１９】
【発明の実施の形態】１．セラミック電子部品 図１は本発明に係るセラミック電子部品の斜視図、図２
は図１の２−２線に沿った断面図である。図示のよう
に、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック素
体１と、端子電極３１、３２とを含んでいる。セラミッ
ク電子部品は、チップコンデンサ、チップインダクタ、
チップバリスタもしくはチップ抵抗またはそれらの組み
合わせを含むことができる。図はチップコンデンサを示
している。
【００２０】セラミック素体１は、ほぼ直方体状であ
る。ほぼ直方体状という表現は、直方体の角を丸めた形
状、または直方体を面取りした形状も含んでいる。セラ
ミック素体１について、長さ方向Ｌに沿った長さＬ１、
幅方向Ｗに沿った幅Ｗ１、及び、厚さ方向Ｔに沿った厚
さＴ１は、任意である。図示実施例の場合、長さＬ１＝
２．０ｍｍ、幅Ｗ１＝１．２ｍｍ、厚さＴ１＝１．２５
ｍｍである。別の例として、長さＬ１＝４．４ｍｍ、幅
Ｗ１＝３．１ｍｍ、厚さＴ１＝２．２ｍｍとしてもよ
い。
【００２１】長さＬ１、幅Ｗ１及び厚さＴ１の大小関係
は、長さＬ１＞幅Ｗ１、かつ、長さＬ１＞厚さＴ１とな
っている。セラミック素体１は、セラミック電子部品の
種類に応じて選択された周知のセラミック材料により構
成することができる。
【００２２】更に、図２を参照すると、セラミック素体
１は、複数の内部電極２１〜２８を有する。複数の内部
電極２１〜２８は、素体内部で互いに間隔を隔てて厚さ
方向Ｔに積層されている。
【００２３】図３は図１に図示したセラミック電子部品
であって、端子電極を露出した状態を示す断面図、図４
は端子電極を露出した状態を示す正面図、図５は端子電
極を露出した状態を示す背面図、図６は端子電極を露出
した状態を示す平面図である。図３は、図２に示した断
面図に対応した断面図である。また、図４〜図６では、
端子電極３１、３２の形状的特徴が強調して示されてい
る。
【００２４】図３を参照すると、端子電極３１、３２
は、セラミック素体１の長さ方向Ｌの両端側に備えられ
ている。更に図４〜図６も参照すると、一方の端子電極
３１は、長さ方向Ｌの一面１１と、幅方向Ｗの両面１
３、１４の一部分と、厚さ方向Ｔの両面１５、１６の一
部分とを覆うように設けられている。他方の端子電極３
２は、長さ方向Ｌの他面１２と、幅方向Ｗの両面１３、
１４の一部分と、厚さ方向Ｔの両面１５、１６の一部分
とを覆うように設けられている。
【００２５】詳しくは、図４を参照すると、一方の端子
電極３１は、幅方向Ｗの一面１３全体のうち、長さ方向
Ｌの一面１１付近の部分を覆っている。他方の端子電極
３２は、幅方向Ｗの一面１３全体のうち、長さ方向Ｌの
他面１２付近の部分を覆っている。幅方向Ｗの一面１３
側における端子電極３１、３２の最大長さをＬ３とす
る。
【００２６】更に図５を参照すると、一方の端子電極３
１は、幅方向Ｗの他面１４全体のうち、長さ方向Ｌの一
面１１付近の部分を覆っている。他方の端子電極３２
は、幅方向Ｗの他面１４全体のうち、長さ方向Ｌの他面
１２付近の部分を覆っている。幅方向Ｗの他面１４側に
おける端子電極３１、３２の最大長さをＬ４とする。
【００２７】更に図６を参照すると、一方の端子電極３
１は、厚さ方向Ｔの一面１５全体のうち、長さ方向Ｌの
一面１１付近の部分を覆っている。他方の端子電極３２
は、厚さ方向Ｔの一面１５全体のうち、長さ方向Ｌの他
面１２付近の部分を覆っている。厚さ方向Ｔの一面１５
側からみたとき、幅方向Ｗの一面１３上における端子電
極３１、３２の長さをＬ５とし、幅方向Ｗの他面１４上
における端子電極３１、３２の長さをＬ６とする。
【００２８】更に図３を参照すると、一方の端子電極３
１は、セラミック素体１の長さ方向Ｌの一面１１で、電
極膜２１、２３、２５、２７に接続されている。他方の
端子電極３２は、セラミック素体１の長さ方向Ｌの他面
１２で、電極膜２２、２４、２６、２８に接続されてい
る。
【００２９】上述した端子電極３１、３２は、セラミッ
ク素体１に焼き付けられた電極である。このような端子
電極３１、３２は、セラミック素体１に導体ペーストを
塗布させ、熱処理で導体ペーストを乾燥固化することに
よって、得られる。
【００３０】再び図１、図２を参照すると、端子電極３
１、３２の表面には、めっき膜４１、４２が付着されて
いる。更に、これらのめっき膜４１、４２の表面に、め
っき膜４３、４４が付着されている。めっき膜４１〜４
４はＣｕ、Ｎｉ、Ｓｎ等の金属膜である。
【００３１】上述した端子電極３１の長さＬ３、Ｌ４
（図４、図５参照）は、端子電極３１の表面に付着され
るめっき膜４１、４３の膜厚よりもはるかに大きく、め
っき膜４１、４３の膜厚は実質上、無視し得る。同様に
して、もう１つの端子電極３２の長さＬ３、Ｌ４は、端
子電極３２の表面に付着されるめっき膜４２、４４の膜
厚よりもはるかに大きく、めっき膜４２、４４の膜厚は
実質上、無視し得る。
【００３２】本発明に係るセラミック電子部品の重要な
特徴は、セラミック素体１の長さＬ１、幅方向Ｗの一面
１３側における端子電極３１、３２の長さＬ３、及び、
幅方向Ｗの他面１４側における端子電極３１、３２の長
さＬ４について、 ０≦｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１≦１／４４ （１） を満たすことである。例えば、セラミック素体１の長さ
Ｌ１が２．０ｍｍの場合、上記式（１）は、０≦｜Ｌ４
−Ｌ３｜≦（１／２２）ｍｍとなる。
【００３３】＜実験データ＞次に、実験データを挙げて
説明する。上述した構成のセラミック電子部品におい
て、端子電極３１、３２の比（｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１）
を段階的に変化させ、５つのサンプル群１〜５を作製し
た。サンプル群１〜５にはそれぞれ１００個のサンプル
が含まれており、サンプル群１〜５の比（｜Ｌ４−Ｌ３
｜／Ｌ１）は、それぞれ、０．００２、０．０１１、
０．０２１、０．０３１、０．０４１とした。但し、こ
れらの値は、それぞれ、当該サンプル群に含まれる１０
０個のサンプルの平均値である。
【００３４】次に、それぞれのサンプル群１〜５につい
てハンダ付け工程を行い、マンハッタン現象の発生個数
を調べた。ハンダ付け工程では共晶ハンダを用い、リフ
ロー温度を２４０℃とした。結果を下記の表１に示す。
【００３５】次に、比（｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１）に対す
るマンハッタン現象の発生個数をグラフ化し図７に示
す。近似化された曲線を、参照符号Ｕ８で示してある。
この曲線Ｕ８を参照すると、比（｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ
１）が０から１／４４までの範囲内では、ハンダ付け工
程におけるマンハッタン現象の発生個数が低く保たれ
る。比｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１＝１／４４の付近で、マン
ハッタン現象の発生個数が急激に増大する。
【００３６】以上、セラミック電子部品の一種であるチ
ップコンデンサに本発明を適用した場合を説明したが、
他の種類のセラミック電子部品にも本発明を適用するこ
とができる。
【００３７】２．ペースト塗布方法及びペースト塗布装
置 次に、上述のセラミック電子部品の製造に用いられるペ
ースト塗布方法及びペースト塗布装置について説明す
る。
【００３８】図８はペースト塗布装置の構成を概略的に
示す図、図９は図８に示したペースト塗布装置の部分拡
大図である。図８を参照すると、ペースト塗布装置は、
ローラ６１と、セラミック素体移動装置８とを含んでい
る。
【００３９】ローラ６１は、駆動装置７１により、矢印
ａ１で示す方向に回転駆動される。ローラ６１の外周面
には導体ペースト３５が塗布される。具体的には、ロー
ラ６１の下側が、容器３７に入れられた導体ペースト３
５に浸されており、このローラ６１が回転駆動されるこ
とによって、ローラ６１の外周面に導体ペースト３５が
塗布されることになる。導体ペースト３５は、周知の組
成、粘度、電気特性を有するものによって構成される。
【００４０】更に、ローラ６１には固定スキージ６７が
組み合わされている。固定スキージ６７は、ローラ６１
の外周面に塗布される余分な導体ペースト３５を掻き取
り、ローラ６１の外周面に塗布される導体ペースト３５
の厚さを一定化する役割を担う。
【００４１】図８、図９に示すように、セラミック素体
移動装置８は、ローラ６１の回転方向ａ１とほぼ同じ方
向ａ３にセラミック素体１を移動させ、ローラ６１の外
周面にセラミック素体１の長さ方向Ｌの一面１１を近接
させる。セラミック素体１は、図１、図２を参照して説
明したものである。セラミック素体１の移動方向ａ３
は、ローラ６１の回転軸６１１にほぼ垂直となる。セラ
ミック素体移動装置８は、具体的な構成として、ベルト
８３と、案内ローラ８５、８６とを含んでいる。
【００４２】ベルト８３には、複数の固定具８１が備え
られている。これらの固定具８１はベルト８３上で互い
に間隔を隔てて備えられている。セラミック素体１は、
この固定具８１を介してベルト８３に固定される。
【００４３】ベルト８３は、案内ローラ８５、８６の間
に張設されている。案内ローラ８６は、駆動装置７３に
より、矢印ａ４で示す方向に回転駆動される。これによ
り、ベルト８３は矢印ａ３の方向に走行し、ベルト８３
に固定されたセラミック素体１も、矢印ａ３の方向に移
動される。
【００４４】図８を参照すると、ペースト塗布装置に
は、掻き取りローラ６２が備えられている。掻き取りロ
ーラ６２は、ローラ６１の後段に備えられ、駆動装置７
２により、セラミック素体１の移動方向ａ３とは逆の方
向ａ２に回転駆動される。更に、掻き取りローラ６２に
は固定スキージ６８が組み合わされている。固定スキー
ジ６８は、掻き取りローラ６２の外周面の汚れを除去す
る役割を担う。
【００４５】セラミック素体移動装置８は、上述のよう
にローラ６１にセラミック素体１を近接させた後、掻き
取りローラ６２の回転方向ａ２とは逆の方向ａ３にセラ
ミック素体１を移動させ、掻き取りローラ６２の外周面
にセラミック素体１の一面１１を近接させる。
【００４６】更にペースト塗布装置には、制御装置７５
が備えられている。制御装置７５は、駆動装置７１に制
御信号Ｓ１を与え、駆動装置７１を介してローラ６１の
回転を制御する。同様に、制御装置７５は、駆動装置７
２に制御信号Ｓ２を与え、駆動装置７２を介して掻き取
りローラ６２の回転を制御する。更に、制御装置７５
は、駆動装置７３に制御信号Ｓ３を与え、駆動装置７３
及び案内ローラ８６を介してベルト８３の走行を制御す
る。
【００４７】図８、図９を参照して説明したように、外
周面に導体ペースト３５を塗布させたローラ６１を回転
させるとともに、ローラ６１の回転方向ａ１とほぼ同じ
方向ａ３にセラミック素体１を移動させ、ローラ６１の
外周面にセラミック素体１の長さ方向Ｌの一面１１を近
接させる。これにより、ローラ６１の外周面上の導体ペ
ースト３５が、セラミック素体１の長さ方向Ｌの一面１
１及びその付近に塗布される。セラミック素体１の幅方
向Ｗの両面１３、１４のうち、一面１３がペースト突入
側となり、他面１４がペースト脱出側となる（図９参
照）。
【００４８】更に図９に示すように、セラミック素体１
の移動速度をＶｃとし、セラミック素体１の一面１１に
接する円周Ｃｒ１でみたローラ６１の周速度をＶｐとす
る。図１〜図６に示したセラミック電子部品を得るに
は、上述のローラ６１及びセラミック素体移動装置８に
ついて、比Ｖｐ／Ｖｃが ０．９５≦Ｖｐ／Ｖｃ≦０．９８ （２） を満たせばよい。図示実施例では、比Ｖｐ／Ｖｃは、制
御装置７５により制御することができる。
【００４９】次に、図９を参照して説明したように、矢
印ａ２で示される方向に掻き取りローラ６２を回転させ
るとともに、掻き取りローラ６２の回転方向ａ２とは逆
の方向ａ３にセラミック素体１を移動させ、掻き取りロ
ーラ６２の外周面にセラミック素体１の一面１１を近接
させる。従って、セラミック素体１の一面１１側に塗布
された導体ペースト３５の余分な部分が、掻き取りロー
ラ６２の外周面により掻き取られる。
【００５０】その後、セラミック素体１の一面１１側に
塗布された導体ペースト３５を、熱処理で乾燥固化す
る。セラミック素体１の反対側の面１２についても同様
なペースト塗布工程及び熱処理を施せばよい。
【００５１】＜実験データ＞次に、実験データを挙げて
説明する。上述したペースト塗布方法において、セラミ
ック素体１の移動速度Ｖｃを固定し、セラミック素体１
の一面１１に接する円周Ｃｒ１でみたローラ６１の周速
度Ｖｐを段階的に変化させた（下記の表２を参照）。こ
れにより、比Ｖｐ／Ｖｃを段階的に変化させ、数値例１
〜６とした。
【００５２】但し、セラミック素体１の一面１１に接す
る円周Ｃｒ１でみたローラ６１の周速度Ｖｐは、ローラ
６１の外周面の周速度から求められる。ローラ６１の外
周面とセラミック素体１の一面１１との間の距離は０．
１ｍｍとした。
【００５３】数値例１〜６のペースト塗布方法によっ
て、それぞれ、セラミック素体１の長さ方向Ｌの一面１
１及びその付近に導体ペースト３５を塗布させた。セラ
ミック素体１の長さＬ１、幅Ｗ１、厚さＴ１は、それぞ
れ、２．０ｍｍ、１．２ｍｍ、１．２５ｍｍとした。ま
た、導体ペースト３５の組成及び粘度は下記の通りとし
た。
【００５４】＜ペースト組成＞ 金属分： Ａｇ１００％ 金属含有率： ７３ｗｔ％ バインダー： アクリル系 ＜ペースト粘度＞ １ｒｐｍ： ８０Ｐａ．ｓ １０ｒｐｍ： ３５Ｐａ．ｓ １００ｒｐｍ： ２３Ｐａ．ｓ 但し、上記のペースト粘度はＢ．Ｆ．粘度計による値で
ある。
【００５５】その後、塗布された導体ペースト３５を、
熱処理で乾燥固化した。これにより、セラミック素体１
の一面１１側に端子電極３１を備えたサンプルを得た。
それぞれの数値例１〜６ごとに、５つのサンプルを得
た。
【００５６】次に、得られたサンプルについて、幅方向
Ｗの一面１３側における端子電極３１の長さＬ３と、幅
方向Ｗの他面１４側における端子電極３１の長さＬ４と
を測定した（図４、図５参照）。更に、厚さ方向Ｔの一
面１５側からみたとき、幅方向Ｗの一面１３上における
端子電極３１の長さＬ５と、幅方向Ｗの他面１４上にお
ける端子電極３１の長さＬ６とを測定した。一面１３は
ペースト突入側の面であり、他面１４はペースト脱出側
の面である（図９参照）。長さＬ３〜Ｌ６の測定は投影
器により行った。
【００５７】図１０は、比Ｖｐ／Ｖｃに対する端子電極
３１の長さＬ３、Ｌ４を示すグラフである。図示におい
て、比Ｖｐ／Ｖｃに対する長さＬ３の特性、及び、比Ｖ
ｐ／Ｖｃに対する長さＬ４の特性を、それぞれ、参照符
号Ｕ３、Ｕ４で示してある。特性Ｕ３、Ｕ４を参照する
と、比Ｖｐ／Ｖｃを大きくするにつれて、ペースト突入
側の面１３における端子電極３１の長さＬ３は減少し、
ペースト脱出側の面１４における端子電極３１の長さＬ
４は増大する。
【００５８】図１１は、比Ｖｐ／Ｖｃに対する比（｜Ｌ
４−Ｌ３｜／Ｌ１）の特性Ｕ１を示すグラフである。こ
の特性Ｕ１は、図１０に示した特性Ｕ３、Ｕ４から求め
られる。比Ｖｐ／Ｖｃが０．９６以下の範囲では、比Ｖ
ｐ／Ｖｃを小さくするにつれて、比（｜Ｌ４−Ｌ３｜／
Ｌ１）は増大し、比Ｖｐ／Ｖｃが０．９５よりも小さく
なると、比（｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１）は１／４４を超え
る。そこで、比Ｖｐ／Ｖｃの下限値を０．９５とした。
【００５９】また、比Ｖｐ／Ｖｃが０．９７以上の範囲
では、比Ｖｐ／Ｖｃを大きくするにつれて、比（｜Ｌ４
−Ｌ３｜／Ｌ１）は増大し、比Ｖｐ／Ｖｃが０．９８よ
りも大きくなると、比（｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１）は１／
４４を超える。そこで、比Ｖｐ／Ｖｃの上限値を０．９
８とした。
【００６０】このように比Ｖｐ／Ｖｃを、０．９５≦Ｖ
ｐ／Ｖｃ≦０．９８の範囲Ｂ１内に設定すると、端子電
極３１の比（｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１）を、０≦｜Ｌ４−
Ｌ３｜／Ｌ１≦１／４４の範囲Ｂ２内に収めることがで
きる。
【００６１】図１２は、比Ｖｐ／Ｖｃに対する端子電極
３１の長さＬ５、Ｌ６を示すグラフである。図示におい
て、比Ｖｐ／Ｖｃに対する長さＬ５の特性、及び、比Ｖ
ｐ／Ｖｃに対する長さＬ６の特性を、それぞれ、参照符
号Ｕ５、Ｕ６で示してある。特性Ｕ５、Ｕ６を参照する
と、比Ｖｐ／Ｖｃを大きくするにつれて、厚さ方向Ｔの
一面１５側からみたときのペースト突入側の面１３上に
おける端子電極３１の長さＬ５は減少し、ペースト脱出
側の面１４上における端子電極３１の長さＬ６は増大す
る。
【００６２】図１３は、比Ｖｐ／Ｖｃに対する比（｜Ｌ
６−Ｌ５｜／Ｌ１）の特性Ｕ２を示すグラフである。こ
の特性Ｕ２は、図１２に示した特性Ｕ５、Ｕ６から求め
られる。比Ｖｐ／Ｖｃを、０．９５≦Ｖｐ／Ｖｃ≦０．
９８の範囲Ｂ１内に設定すると、端子電極３１の比（｜
Ｌ６−Ｌ５｜／Ｌ１）を、０≦｜Ｌ６−Ｌ５｜／Ｌ１≦
１／４４の範囲Ｂ３内に収めることができる。
【００６３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ハ
ンダ付け工程におけるセラミック素体のマンハッタン現
象を回避し得るセラミック電子部品、並びに、そのセラ
ミック電子部品の製造に用いられるペースト塗布方法及
びペースト塗布装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るセラミック電子部品の斜視図であ
る。
【図２】図１の２−２線に沿った断面図である。
【図３】図１に図示したセラミック電子部品であって、
端子電極を露出した状態を示す断面図である。
【図４】図１に図示したセラミック電子部品であって、
端子電極を露出した状態を示す正面図である。
【図５】図１に図示したセラミック電子部品であって、
端子電極を露出した状態を示す背面図である。
【図６】図１に図示したセラミック電子部品であって、
端子電極を露出した状態を示す平面図である。
【図７】比（｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１）に対するマンハッ
タン現象の発生個数を示すグラフである。
【図８】ペースト塗布装置の構成を概略的に示す図であ
る。
【図９】図８に示したペースト塗布装置の部分拡大図で
ある。
【図１０】比Ｖｐ／Ｖｃに対する端子電極の長さＬ３、
Ｌ４を示すグラフである。
【図１１】比Ｖｐ／Ｖｃに対する比（｜Ｌ４−Ｌ３｜／
Ｌ１）の特性を示すグラフである。
【図１２】比Ｖｐ／Ｖｃに対する端子電極の長さＬ５、
Ｌ６を示すグラフである。
【図１３】比Ｖｐ／Ｖｃに対する比（｜Ｌ６−Ｌ５｜／
Ｌ１）の特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１ セラミック素体 ３１、３２ 端子電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E082 AA01 AB03 BC38 FG26 GG10 GG26 GG28 JJ03 JJ21 JJ23 MM11 MM28 PP09 PP10

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 セラミック素体と、端子電極とを含むセ
    ラミック電子部品であって、 前記セラミック素体は、ほぼ直方体状であり、 前記端子電極は、前記セラミック素体の長さ方向の両端
    側に備えられ、それぞれの端子電極が、長さ方向の一面
    と、幅方向の両面の一部分と、厚さ方向の両面の一部分
    とを覆うように設けられており、 前記セラミック素体の長さをＬ１とし、幅方向の両面に
    おける前記端子電極の長さを、それぞれ、Ｌ３、Ｌ４と
    したとき、 ０≦｜Ｌ４−Ｌ３｜／Ｌ１≦１／４４ を満たすセラミック電子部品。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載されたセラミック電子部
    品であって、 前記セラミック素体は、複数の内部電極を有し、 前記複数の内部電極は、素体内部で互いに間隔を隔てて
    厚さ方向に積層され、長さ方向の一面で前記端子電極に
    接続されているセラミック電子部品。
  3. 【請求項３】 請求項１または２の何れかに記載された
    セラミック電子部品であって、 前記端子電極の表面にはめっき膜が塗布されているセラ
    ミック電子部品。
  4. 【請求項４】 ペースト塗布方法であって、 外周面に導体ペーストを塗布させたローラを回転させる
    とともに、前記ローラの回転方向とほぼ同じ方向にセラ
    ミック素体を移動させ、 前記ローラの外周面に前記セラミック素体の一面を近接
    させて前記導体ペーストを塗布させる工程を含んでお
    り、 前記セラミック素体の移動速度をＶｃとし、前記セラミ
    ック素体の前記一面に接する円周でみた前記ローラの周
    速度をＶｐとしたとき、比Ｖｐ／Ｖｃが ０．９５≦Ｖｐ／Ｖｃ≦０．９８ を満たすペースト塗布方法。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載されたペースト塗布方法
    であって、 前記セラミック素体は、複数の内部電極を有し、 前記複数の内部電極は、素体内部で互いに間隔を隔てて
    積層され、前記セラミック素体の前記一面に露出されて
    いるペースト塗布方法。
  6. 【請求項６】 ローラと、セラミック素体移動装置とを
    含むペースト塗布装置であって、 前記ローラは、回転駆動されるものであり、 前記セラミック素体移動装置は、前記ローラの回転方向
    とほぼ同じ方向にセラミック素体を移動させ、前記ロー
    ラの外周面に前記セラミック素体の一面を近接させるも
    のであり、 前記セラミック素体の移動速度をＶｃとし、前記セラミ
    ック素体の前記一面に接する円周でみた前記ローラの周
    速度をＶｐとしたとき、比Ｖｐ／Ｖｃが ０．９５≦Ｖｐ／Ｖｃ≦０．９８ を満たすペースト塗布装置。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載されたペースト塗布装置
    であって、 前記セラミック素体は、複数の内部電極を有し、 前記複数の内部電極は、素体内部で互いに間隔を隔てて
    積層され、前記セラミック素体の前記一面に露出されて
    いるペースト塗布装置。
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