JP2003115610A - 窒化物半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リーク電流が低くかつ静電耐圧の高い窒化物
半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 それぞれ複数の窒化物半導体層からなる
ｐ側層とｎ側層の間に窒化物半導体からなる活性層を有
する窒化物半導体素子において、ｐ側層はオーミック電
極を形成する層としてｐ型コンタクト層を含み、そのｐ
型コンタクト層はｐ型窒化物半導体層とｎ型窒化物半導
体層とが交互に積層されてなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード
（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）、太陽電池、光
センサー等の発光素子、受光素子、あるいはトランジス
タ、パワーデバイス等の電子デバイスに使用される窒化
物半導体（例えば、ＩｎaＡｌbＧａ1-a-bＮ、０≦ａ、
０≦ｂ、ａ＋ｂ≦１）を用いた窒化物半導体素子に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】窒化物半導体は青色発光素子（ＬＥＤ，
ＬＤ）、純緑色発光素子を構成することができる半導体
材料として注目されて、活発に研究開発が進められてい
る。現在、この窒化物半導体を用いた素子として、高輝
度青色ＬＥＤ、純緑色ＬＥＤ等がフルカラーＬＥＤディ
スプレイ、交通信号灯、イメージスキャナー光源等の光
源として実用化されているが、今後ますます幅広い用途
に使用されることが期待される。これらのＬＥＤ素子は
基本的に、サファイア基板上にＧａＮよりなるバッファ
層と、ＳｉドープＧａＮよりなるｎ側コンタクト層と、
単一量子井戸構造（ＳＱＷ：Single-Quantum- Well）の
ＩｎＧａＮ、あるいはＩｎＧａＮを有する多重量子井戸
構造（ＭＱＷ：Multi-Quantum-Well）の活性層と、Ｍｇ
ドープＡｌＧａＮよりなるｐ側クラッド層と、Ｍｇドー
プＧａＮよりなるｐ側コンタクト層とが順に積層された
構造を有しており、例えば、２０ｍＡにおいて、発光波
長４５０ｎｍの青色ＬＥＤで５ｍＷ、外部量子効率９．
１％、５２０ｎｍの緑色ＬＥＤで３ｍＷ、外部量子効率
６．３％と非常に優れた特性を示す。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、今後窒
化物半導体素子の用途が広がるに従って、発光強度及び
発光効率に加え、リーク電流の低減や静電耐圧の向上が
さらに望まれることが予想される。

【０００４】そこで、本発明はリーク電流が低くかつ静
電耐圧の高い窒化物半導体発光素子を提供することを目
的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに、本発明に係る窒化物半導体素子は、それぞれ複数
の窒化物半導体層からなるｐ側層とｎ側層の間に窒化物
半導体からなる活性層を有する窒化物半導体素子であっ
て、上記ｐ側層はｐオーミック電極を形成する層として
ｐ型コンタクト層を含み、該ｐ型コンタクト層はｐ型窒
化物半導体層とｎ型窒化物半導体層とが交互に積層され
てなることを特徴とする。このように構成された本発明
に係る窒化物半導体発光素子において、上記ｐ型コンタ
クト層がｐ型窒化物半導体層とｎ型窒化物半導体層とを
交互に積層することにより形成されているので、ｐ側が
負でｎ側が正の逆方向に電圧が印加された場合に、静電
破壊電圧（静電耐圧）を高くできかつリーク電流を小さ
くできる。これは、主として上記ｐ型コンタクト層内の
ｐｎ接合に逆バイアス電圧が印加されることによるもの
と考えられる。

【０００６】本発明に係る窒化物半導体素子において、
前記ｎ型窒化物半導体層に対するｐ型窒化物半導体層の
膜厚比（ｐ型窒化物半導体層の膜厚／ｎ型窒化物半導体
層の膜厚）が１以上で９以下に設定されていることが好
ましい。

【０００７】また、本発明に係る窒化物半導体素子にお
いて、順方向電圧を上昇させないように、前記ｎ型窒化
物半導体層の膜厚が６０Å以下であることが好ましい。

【０００８】さらに、本発明に係る窒化物半導体素子に
おいて、良好なｎ型導電性を得るために前記ｎ型窒化物
半導体層にはＳｉがドープされ、良好なｐ型導電性を得
るために前記ｐ型窒化物半導体層にはＭｇがドープされ
ていることが好ましい。

【０００９】また、本発明に係る窒化物半導体素子にお
いて、前記ｎ型窒化物半導体層はＳｉがドープされたＧ
ａＮからなり、前記ｐ型窒化物半導体層はＭｇがドープ
されたＧａＮからなることが好ましく、これによりｐ型
コンタクト層の抵抗率をより低くできる。また、本発明
に係る窒化物半導体素子において、前記ｎ型窒化物半導
体層はアンドープ層であり、前記ｐ型窒化物半導体層に
はＭｇがドープされていてもよい。この場合、前記ｎ型
窒化物半導体層はアンドープＧａＮからなり、前記ｐ型
窒化物半導体層はＭｇがドープされたＧａＮからなるこ
とが好ましい。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明に係る実施の形態の窒化物半導体素子について説明す
る。図１は、本発明の一実施の形態である窒化物半導体
素子（ＬＥＤ素子）の構造を示す模式的断面図であり、
本実施の形態の窒化物半導体素子はサファイア基板１の
上に、（１）ＡｌＧａＮよりなるバッファ層２、（２）
アンドープＧａＮ層３、（３）ＳｉドープＧａＮよりな
るｎ型コンタクト層４、（４）アンドープＧａＮ層５、
（５）ＳｉドープＧａＮ層６、（６）アンドープＧａＮ
層７、（７）ＧａＮ／ＩｎＧａＮ超格子ｎ型層８、
（８）ＩｎＧａＮ層を井戸層としＧａＮ層を障壁層とす
る多重量子井戸構造の活性層９、（９）ｐ−ＡｌＧａＮ
／ｐ−ＩｎＧａＮ超格子ｐ型層１０、（１０）Ｍｇドー
プＧａＮ／ＳｉドープＧａＮ変調ドープｐ側コンタクト
層１１、が順に積層された構造を有し、以下のようにｐ
側及びｎ側の電極が形成されて構成されている。

【００１１】ｎオーミック電極２１は、例えば、素子の
隅部においてｐ側コンタクト層１１からアンドープＧａ
Ｎ層５までをエッチングにより除去して、ｎ型コンタク
ト層４の一部を露出させ、露出させたｎ型コンタクト層
４上に形成する。また、ｐ側の電極としては、ｐ側コン
タクト層１１上のほぼ全面にｐオーミック電極２２を形
成し、そのｐオーミック電極２２上の一部にｐパッド電
極２３を形成している。

【００１２】ここで、特に本実施の形態の窒化物半導体
素子は、ｐ側コンタクト層１１をＭｇドープＧａＮ層１
１ａとＳｉドープＧａＮ層１１ｂとを交互に積層した変
調ドープ層により構成したことを特徴とし、これにより
リーク電流を低減しかつ静電耐圧を向上させている。本
実施の形態において、ｐ側コンタクト層１１（Ｓｉドー
プＧａＮ層１１ｂ）における好ましいＳｉのドープ量と
しては１×１０^１７／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３、
さらに好ましくは１×１０^１８／ｃｍ^３〜５×１０^１９
／ｃｍ^３の範囲に調整する。１×１０^１７／ｃｍ^３以上
とすることで、リーク電流を小さくする効果が顕著に現
れ、１×１０^２１／ｃｍ^３より大きくなると結晶性が悪
くなり、発光効率が低下する傾向にあるからである。

【００１３】また、ｐ側コンタクト層１１（Ｍｇドープ
ＧａＮ層１１ａ）における好ましいＭｇのドープ量とし
ては、１×１０^１８／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３、
さらに好ましくは１×１０^１９／ｃｍ^３〜３×１０^２０
／ｃｍ^３とする。１×１０^{１ ８}／ｃｍ^３以上とすること
で、ｐオーミック電極とより良好なオーミック接触が得
られ、また、１×１０^２１／ｃｍ^３より大きくすると、
多量にＳｉをドープする場合と同様、結晶性が悪くなっ
てしまうからである。

【００１４】また、本発明において、ｐ−ＡｌＧａＮ／
ｐ−ＩｎＧａＮ超格子ｐ型層１０は、クラッド層として
機能し、光の閉じこめ、および活性層への正孔が注入さ
れる層となる。このｐ−ＡｌＧａＮ／ｐ−ＩｎＧａＮ超
格子ｐ型層１０はｐ型とするために、ｐ型不純物、例え
ば、Ｍｇがドープされるが、ｐ−ＡｌＧａＮ層に対する
Ｍｇのドープ量とｐ−ＩｎＧａＮ層に対するＭｇのドー
プ量は同一であっても異なっていても良いが、それぞれ
ｐ側コンタクト層のＭｇドープＧａＮ層１１ａのＭｇの
ドープ量よりも少ない量に設定することが好ましく、こ
れによりＶｆ（順方向電圧）をより低くできる。また、
ｐ−ＡｌＧａＮ／ｐ−ＩｎＧａＮ超格子ｐ型層１０のｐ
−ＩｎＧａＮ層はＭｇドープのＧａＮ層で構成すること
もできる。

【００１５】また、ｐ−ＡｌＧａＮ／ｐ−ＩｎＧａＮ
（ｐ−ＧａＮ）超格子ｐ型層１０において、ｐ−ＡｌＧ
ａＮ層及びｐ−ＩｎＧａＮ（ｐ−ＧａＮ）層の各膜厚
は、１００Å以下、より好ましくは７０Å以下、よりい
っそう好ましくは１０〜４０Åの範囲に設定する。この
場合、ｐ−ＡｌＧａＮ層の膜厚とｐ−ＩｎＧａＮ（ｐ−
ＧａＮ）層の膜厚は、同一であっても異なっていても良
い。超格子ｐ型層１０は、ｐ−ＡｌＧａＮ層とｐ−Ｉｎ
ＧａＮ（ｐ−ＧａＮ）層を交互に成長させて形成する
が、例えば、ｐ−ＡｌＧａＮ層から積層してｐ−ＡｌＧ
ａＮ層で終わってもよく、ｐ−ＩｎＧａＮ（ｐ−Ｇａ
Ｎ）層から始めてｐ−ＩｎＧａＮ（ｐ−ＧａＮ）層で終
わってもよい。しかしながら、ＩｎＧａＮ層は熱分解し
やすいので、ＩｎＧａＮ層の表面が長時間、高温雰囲気
中に曝されないように、ｐ−ＡｌＧａＮ層で終わってい
ることが好ましい。

【００１６】さらに、ｐ−ＡｌＧａＮ／ｐ−ＩｎＧａＮ
（ｐ−ＧａＮ）超格子ｐ型層１０の総膜厚は、発光出力
を高くしかつＶｆを低くするために、２０００Å以下に
設定することが好ましく、より好ましくは１０００Å以
下、さらに好ましくは５００Å以下に設定する。また、
ｐ−ＡｌＧａＮ／ｐ−ＩｎＧａＮ（ｐ−ＧａＮ）超格子
ｐ型層１０の各膜厚は、ｐ型コンタクト層の各膜厚より
も薄くすることが好ましい。すなわち、多層膜のｐ型コ
ンタクト層に隣接する層を超格子層とし、各膜厚をｐ型
コンタクト層のｎ型層及びｐ型層のそれぞれの膜厚より
も薄くすることで、さらに静電耐圧の高い窒化物半導体
素子を構成できる。

【００１７】又、本実施の形態では、ｐ−ＡｌＧａＮ／
ｐ−ＩｎＧａＮ超格子ｐ型層１０を用いた形について説
明したが、本発明はこれに限られるものではなく、少な
くとも、ＡｌＧａＮを有していれば良く、ＡｌＧａＮ単
一層でもよい。ｐ−ＡｌＧａＮ／ｐ−ＩｎＧａＮ超格子
とすることで、ＡｌＧａＮ単一層と比べて結晶性が良く
なり、抵抗率がさらに低下しＶ_ｆが低下する傾向にあ
る。

【００１８】以上の実施の形態では、Ｖｆを低くするた
めに、好ましい形態として、ｐ型コンタクト層をそれぞ
れＧａＮからなるｎ型窒化物半導体層（ＳｉドープＧａ
Ｎ層）とｐ型窒化物半導体層（ＭｇドープＧａＮ層）に
より構成したが、本発明はこれに限られるものではな
い。また、微量のＩｎを含むＩｎＧａＮもしくは微量の
Ａｌを含むＡｌＧａＮであれば、実質的にＧａＮと同様
の効果が得られる。また、その他の微量の元素（Ｉｎ，
Ａｌ以外の元素）がＧａＮに含まれていても同様、Ｇａ
Ｎと同等の効果が得られる。

【００１９】また、上述の実施の形態では、ｐ型コンタ
クト層を構成するｎ型窒化物半導体層としてＳｉドープ
ＧａＮ層を用いたが、本発明はこれに限られるものでは
なく、ｎ型窒化物半導体層はアンドープ層のｎ型層で構
成してもよい。すなわち、本発明では、アンドープの窒
化物半導体層がｎ型の導電性を示すことを利用して、ｎ
型窒化物半導体層としてアンドープの窒化物半導体層を
用いても良い。尚、ｎ型窒化物半導体層としてアンドー
プの窒化物半導体層を用いる場合、アンドープのＧａＮ
層を用いることが好ましい。より好ましくは、アンドー
プのＧａＮ層とＭｇドープのＧａＮ層とを組み合わせ
て、ｐ型コンタクト層を構成する。

【００２０】

【実施例】以下、実施例を用いて本発明についてより具
体的に説明する。 実施例１．まず、実施例１として、ｐ側コンタクト層１
１におけるＭｇドープＧａＮ層１１ａとＳｉドープＧａ
Ｎ層１１ｂの膜厚比を変えた３種類のサンプルを作製し
て、逆方向の静電耐圧特性をそれぞれ評価した。本実施
例１において、各半導体層の膜厚は表１に示すように設
定し、各サンプルのｐ側コンタクト層１１におけるＭｇ
ドープＧａＮ層１１ａとＳｉドープＧａＮ層１１ｂの膜
厚の比は表２に示すようにした。

【００２１】表１

【００２２】表２ 尚、本実施例１において、ＧａＮ層１１ａのＭｇドープ
量は１×１０^２０ｃｍ ^−３とし、ＧａＮ層１１ｂのＳｉ
ドープ量は５×１０^１８ｃｍ^−３とした。また、各サン
プルは１つのＧａＮ層１１ａと１つのＧａＮ層１１ｂと
を１周期として１０周期とした。

【００２３】以上のようにして作製したサンプル１〜３
においてそれぞれ静電破壊電圧を評価した結果を図２の
グラフに示す。尚、図２のグラフの縦軸は基準サンプル
（比較例）の静電破壊電圧により規格化した値で示して
いる。この基準サンプルはｐ側コンタクト層をＭｇが１
×１０ ^２０ｃｍ^−３ドープされたＧａＮからなる単層と
した以外は実施例１と同様に構成されている。図２のグ
ラフに示すように、本実施例１のサンプル１〜３のいず
れのサンプルについても、静電破壊電圧が比較例より向
上していることが確認された。また、これにより膜厚比
を７：３とすることで、静電破壊電圧を最も高くできる
ことが確認された。

【００２４】実施例１の変形例 実施例１では、超格子ｐ型層と、ｐ型コンタクト層１１
の間に、不純物濃度が低いＡｌＧａＮ又はＧａＮ層を形
成することができ、これにより、より静電耐圧を高くで
きる。この低濃度ＡｌＧａＮ又はＧａＮ層は好ましくは
０．５μｍ以下、例えば、０．２μｍの膜厚で形成す
る。この層は、アンドープで形成してもよく、ｐ型不純
物、例えばＭｇをドープしながら形成しても良いが、Ｍ
ｇをドープしながら形成する場合は、隣接する層のＭｇ
濃度よりも低くなるようにする。このようにすると、実
施例１の素子に比較して、より静電耐圧を高くできる。

【００２５】実施例２．実施例１のサンプル１〜３に、
ＭｇドープＧａＮ層１１ａの膜厚を３６ÅとしＳｉドー
プＧａＮ層１１ｂの膜厚を８４Åとしたサンプル４を加
え、各サンプルについてそれぞれ、ＳｉドープＧａＮ層
１１ｂにおけるＳｉドープ量を０〜１．５×１０^１９ｃ
ｍ^−３まで変化させて各サンプルについて、順方向電圧
と発光出力を評価した。その結果を図３、図４に示す。
この図３に示すように、サンプル１〜３においては、順
方向電圧を上昇させることがないことが確認され、図４
に示すように発光出力についてはサンプル１〜４はいず
れも基準サンプルと同等又はそれ以上であることが確認
された。尚、図４のＥ＋１８及びＥ＋１９は、それぞれ
（×１０^１８）及び（×１０^{１ ９}）を意味するものであ
り、単位はｃｍ^−３である。

【００２６】実施例３．実施例３では、ＭｇドープＧａ
Ｎ層１１ａとＳｉドープＧａＮ層１１ｂとの積層周期を
１０周期と固定し、ＭｇドープＧａＮ層１１ａの膜厚を
８４ÅとしＳｉドープＧａＮ層１１ｂの膜厚を３６Åと
したサンプルにおいて、ＳｉドープＧａＮ層１１ｂのＳ
ｉドープ量を、１．０×１０^１８／ｃｍ^３、２．５×１
０^１８／ｃｍ^３、５×１０^１８／ｃｍ^３とした３種類の
サンプルを作製して、その静電破壊電圧を測定した。そ
の結果を、図５に示す。図５に示すように、Ｓｉドープ
ＧａＮ層１１ｂにおけるＳｉドープ量が増加するほど、
静電破壊電圧が向上することが確認された。

【００２７】実施例４．実施例４では、ＭｇドープＧａ
Ｎ層１１ａとＳｉドープＧａＮ層１１ｂとの膜厚比を
７：３に固定し、その周期を変えた、以下の表３の５種
類のサンプルを作製して、それぞれ順方向電圧、発光出
力及び静電破壊電圧について測定した。 表３ ここで、ＳｉドープＧａＮ層１１ｂのＳｉドープ量は、
５×１０^１８／ｃｍ^３とした。その結果を、図６、図７
及び図８に示す。図６及び図７に示すように、順方向電
圧及び発光出力は積層周期数にはほぼ依存しないことが
確認された。また、図８に示すように、静電破壊電圧
は、１０周期の場合が最も高くなり、次は１５周期の場
合であった。

【００２８】実施例５．実施例５では、ＭｇドープＧａ
Ｎ層１１ａの膜厚（８４Å）とＳｉドープＧａＮ層１１
ｂの膜厚（３６Å）の比を７：３とし、それを１周期と
して１０周期繰り返して構成したコンタクト層におい
て、ＳｉドープＧａＮ層１１ｂのＳｉドープ量を０〜
１．５×１０^１９／ｃｍ^３の範囲で種々変化させて順方
向電圧と発光出力を評価した。その結果を図９、図１０
に示す。図９に示すように、発光出力及び順方向電圧は
ＳｉドープＧａＮ層１１ｂのＳｉドープ量にはほとんど
依存しないことが確認された。

【００２９】実施例６．実施例６では、ＭｇドープＧａ
Ｎ層１１ａの膜厚（８４Å）とＳｉドープＧａＮ層１１
ｂの膜厚（３６Å）の比を７：３とし、それを１周期と
して１０周期繰り返して構成したコンタクト層におい
て、ＳｉドープＧａＮ層１１ｂのＳｉドープ量を０〜
１．５×１０^１９／ｃｍ^３の範囲で種々変化させた各サ
ンプルにおいて、ホール測定を熱アニールの前後で行っ
た。尚、熱処理は、６５０℃、０．５時間で行った。そ
の結果を図１１に示す。その結果、ＳｉドープＧａＮ層
１１ｂに、５×１０^１８／ｃｍ^３、１×１０^{１ ９}／ｃｍ
^３の比較的ドープ量の多いサンプルについては、熱アニ
ールにより抵抗率の減少が顕著であることが確認され
た。また、これらの抵抗率は、ｐ−コンタクト層をｐ−
ＧａＮの単層膜で構成した場合の抵抗率である１０Ω・
ｃｍより低い値であり、本願のＭｇドープＧａＮ層１１
ａとＳｉドープＧａＮ層１１ｂとが交互に積層されてな
るコンタクト層は低抵抗化にも有効であることが確認さ
れた。

【００３０】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る窒化物半導体素子は、上記ｐ型コンタクト層内にｐ
ｎ接合が形成されているので、正の逆方向に電圧が印加
された場合における静電破壊電圧（静電耐圧）を高くで
きかつリーク電流を小さくできる。これにより、より高
い静電耐圧が要求される用途に適用することが可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る実施の形態の窒化物半導体素子
の模式的な断面図である。

【図２】 本発明に係る実施例１の各サンプルの静電破
壊電圧を示すグラフである。

【図３】 本発明に係る実施例２の各サンプルの順方向
電圧を示すグラフである。

【図４】 実施例２の各サンプルの発光出力を示すグラ
フである。

【図５】 本発明に係る実施例３の各サンプルの静電破
壊電圧を示すグラフである。

【図６】 本発明に係る実施例４の各サンプルの順方向
電圧を示すグラフである。

【図７】 実施例４の各サンプルの発光出力を示すグラ
フである。

【図８】 実施例４の各サンプルの静電破壊電圧を示す
グラフである。

【図９】 本発明に係る実施例５の各サンプルの順方向
電圧を示すグラフである。

【図１０】 実施例５の各サンプルの発光出力を示すグ
ラフである。

【図１１】 本発明に係る実施例６の各サンプルの熱処
理前後の抵抗率を示すグラフである。

【符号の説明】

１…サファイア基板、 ２…バッファ層、 ３…アンドープＧａＮ層、 ４…ｎ型コンタクト層、 ５…アンドープＧａＮ層、 ６…ＳｉドープＧａＮ層、 ７…アンドープＧａＮ層、 ８…ＧａＮ／ＩｎＧａＮ超格子ｎ型層、 ９…多重量子井戸構造の活性層、 １０…ｐ−ＡｌＧａＮ／ｐ−ＩｎＧａＮ超格子ｐ型層、 １１…ＭｇドープＧａＮ／ＳｉドープＧａＮ変調ドープ
ｐ側コンタクト層、 １１ａ…ＭｇドープＧａＮ層、 １１ｂ…ＳｉドープＧａＮ層、 ２１…ｎオーミック電極、 ２２…ｐオーミック電極、 ２３…ｐパッド電極。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 それぞれ複数の窒化物半導体層からなる
   ｐ側層とｎ側層の間に窒化物半導体からなる活性層を有
   する窒化物半導体素子であって、 上記ｐ側層はｐオーミック電極を形成する層としてｐ型
   コンタクト層を含み、該ｐ型コンタクト層はｐ型窒化物
   半導体層とｎ型窒化物半導体層とが交互に積層されてな
   ることを特徴とする窒化物半導体素子。
2. 【請求項２】 前記ｎ型窒化物半導体層に対するｐ型窒
   化物半導体層の膜厚比（ｐ型窒化物半導体層の膜厚／ｎ
   型窒化物半導体層の膜厚）が１以上で９以下に設定され
   た請求項１記載の窒化物半導体素子。
3. 【請求項３】 前記ｎ型窒化物半導体層の膜厚が６０Å
   以下である請求項１又は２記載の窒化物半導体素子。
4. 【請求項４】 前記ｎ型窒化物半導体層にはＳｉがドー
   プされ、前記ｐ型窒化物半導体層にはＭｇがドープされ
   ている請求項１〜３のうちのいずれか１つに記載の窒化
   物半導体素子。
5. 【請求項５】 前記ｎ型窒化物半導体層はＳｉがドープ
   されたＧａＮからなり、前記ｐ型窒化物半導体層はＭｇ
   がドープされたＧａＮからなる請求項１〜３のうちのい
   ずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
6. 【請求項６】 前記ｎ型窒化物半導体層はアンドープ層
   であり、前記ｐ型窒化物半導体層にはＭｇがドープされ
   ている請求項１〜３のうちのいずれか１つに記載の窒化
   物半導体素子。
7. 【請求項７】 前記ｎ型窒化物半導体層はアンドープＧ
   ａＮからなり、前記ｐ型窒化物半導体層はＭｇがドープ
   されたＧａＮからなる請求項１〜３のうちのいずれか１
   つに記載の窒化物半導体素子。