JP2003115518A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 変則的な運用時でも自然酸化膜の成長等の弊
害の発生を防止する。 【解決手段】 マルチチャンバ型ＣＶＤ装置は、負圧に
耐えるロードロックチャンバ構造に構成された負圧移載
室１０と、負圧移載室１０に設置されてウエハＷを移載
する負圧移載装置１２と、ロードロックチャンバ構造に
構成されて負圧移載室１０の手前に連設された搬入室２
０、搬出室３０、バッファ室４０と、正圧を維持可能な
構造に構成された正圧移載室５０と、正圧移載室５０に
設置されて搬入室２０、搬出室３０およびバッファ室４
０とポッド載置台６１との間でウエハＷを移載する正圧
移載装置５２と、負圧移載室１０の後側に設置された複
数のＣＶＤユニット７１、７２、７３、７４とを備えて
いる。 【効果】 変則的運用時には減圧可能なバッファ室４０
にウエハＷを一時的に蓄えることで自然酸化膜の生成等
の弊害の発生を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置に関
し、ワークである基板の高清浄な表面状態を維持しなが
ら複数種の薄膜を同一の基板に連続的に成膜する技術に
係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣとい
う。）の製造方法において、半導体素子を含む集積回路
が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）
に酸化膜や窒化膜や金属膜を成膜するのに利用して有効
なものに関する。 【０００２】 【従来の技術】ＩＣの製造方法において、ウエハに酸化
膜や金属膜を成膜するのに、次のようなマルチチャンバ
型ＣＶＤ装置が使用されることがある。すなわち、この
マルチチャンバ型ＣＶＤ装置は、大気圧未満の圧力（負
圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された負
圧側ウエハ移載室と、この負圧側ウエハ移載室に設置さ
れた負圧側ウエハ移載装置と、ロードロックチャンバ構
造に構成されて負圧側ウエハ移載室の手前に連設された
搬入用予備室および搬出用予備室と、大気圧以上の圧力
（正圧）を維持可能な構造に構成されて搬入用予備室お
よび搬出用予備室の手前に設置された正圧側ウエハ移載
室と、正圧側ウエハ移載室に設置された正圧側ウエハ移
載装置と、正圧側ウエハ移載室の手前に設置されてウエ
ハを収納したキャリアが載置されるキャリアステージ
と、負圧側移載室の後側に設置された複数のＣＶＤユニ
ットとを備えている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】前記したマルチチャン
バ型ＣＶＤ装置においては、搬入用予備室と搬出用予備
室とが設置されているにすぎないため、緊急に処理すべ
きウエハを収納したキャリアがマルチチャンバ型ＣＶＤ
装置に変則的に送られて来た場合において、搬入用予備
室に搬入されたウエハ群の処理が完了して搬出用予備室
から搬出されるまで、当該キャリアはキャリアステージ
において長期間待機することを余儀なくされる。この際
の長期間の待機によって変則的に処理すべきウエハには
自然酸化膜が成長してしまう等の弊害が発生することが
ある。 【０００４】予め、このような事態が発生しないように
工程全体を統括的に管理するために、マルチチャンバ型
ＣＶＤ装置の運用に比較的に長めの余裕を持たせること
を余儀なくされており、その結果、成膜工程ひいてはＩ
Ｃの接続方法全体としてのスループットが低下してしま
う。 【０００５】本発明の目的は、変則的な運用に際しても
自然酸化膜の成長等の弊害の発生を防止することができ
る基板処理装置を提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、一つの基板処理部がゲートバルブを介し連結され
基板移載装置が設置された第一の移載室と、基板を収納
するキャリアに対し基板を出し入れする基板移載装置が
設置された第二の移載室とを有し、前記第一の移載室と
第二の移載室との間にゲートバルブを介して一枚以上の
基板を収容する基板収容室を少なくとも三つ連結し、こ
れらの基板収容室が減圧可能に構成されているととも
に、そのうちの一室が前記基板を一時的に蓄えるバッフ
ァ室として使用されることを特徴とする。 【０００７】前記した手段によれば、変則的な運用が必
要になった場合においては、バッファ室に基板を一時的
に蓄えることができる。バッファ室は減圧可能に構成さ
れているため、バッファ室に蓄えられた基板については
自然酸化膜の生成等の弊害の発生を防止することができ
る。 【０００８】 【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。 【０００９】本実施の形態において、図１および図２に
示されているように、本発明に係る基板処理装置は、マ
ルチチャンバ型ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置とい
う。）として構成されており、このＣＶＤ装置はＩＣの
製造方法にあってウエハに酸化シリコンや窒化シリコン
等の絶縁膜を成膜したり、ウエハに五酸化タンタル（Ｔ
ａ₂Ｏ₅ ）やルテニウム（Ｒｕ）等の金属膜を成膜する
成膜工程に使用されるようになっている。 【００１０】なお、本実施の形態に係るＣＶＤ装置にお
いてはウエハ搬送用のキャリアとしては、ＦＯＵＰ（fr
ont opening unified pod 。以下、ポッドという。）が
使用されている。また、以下の説明において、前後左右
は図１を基準とする。すなわち、ウエハ移載室５０側が
前側、その反対側すなわちウエハ移載室１０側が後側、
搬入用予備室２０側が左側、搬出用予備室３０側が右側
とする。 【００１１】図１および図２に示されているように、Ｃ
ＶＤ装置は大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロ
ックチャンバ構造に構成された第一のウエハ移載室（以
下、負圧移載室という。）１０を備えており、負圧移載
室１０の筐体（以下、負圧移載室筐体という。）１１は
平面視が九角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成され
ている。負圧移載室１０の中央部には負圧下でウエハＷ
を移載するウエハ移載装置（以下、負圧移載装置とい
う。）１２が設置されており、負圧移載装置１２はスカ
ラ形ロボット（selective compliance assembly robot
arm ＳＣＡＲＡ）によって構成されており、負圧移載室
筐体１１の底壁に設置されたエレベータ１３によって気
密シールを維持しつつ昇降するように構成されている。 【００１２】負圧移載室筐体１１の九枚の側壁のうち正
面側に位置する三枚の側壁には、搬入用予備室（以下、
搬入室という。）２０、搬出用予備室（以下、搬出室と
いう。）３０およびバッファ用予備室（以下、バッファ
室という。）４０がそれぞれ隣接して連結されている。
搬入室２０の筐体（以下、搬入室筐体という。）２１、
搬出室３０の筐体（以下、搬出室筐体という。）３１お
よびバッファ室４０の筐体（以下、バッファ室筐体とい
う。）４１はそれぞれ平面視が大略四角形で上下両端が
閉塞した箱形状に形成されているとともに、負圧に耐え
得るロードロックチャンバ構造に構成されている。 【００１３】互いに隣接した搬入室筐体２１の側壁およ
び負圧移載室筐体１１の側壁には搬入口２２、２３がそ
れぞれ開設されており、負圧移載室１０側の搬入口２３
には搬入口２２、２３を開閉するゲートバルブ２４が設
置されている。互いに隣接した搬出室筐体３１の側壁お
よび負圧移載室筐体１１の側壁には搬出口３２、３３が
それぞれ開設されており、負圧移載室１０側の搬出口３
３には搬出口３２、３３を開閉するゲートバルブ３４が
設置されている。互いに隣接したバッファ室筐体４１の
側壁および負圧移載室筐体１１の側壁には搬入搬出口４
２、４３がそれぞれ開設されており、負圧移載室１０側
の搬入搬出口４３には搬入搬出口４２、４３を開閉する
ゲートバルブ４４が設置されている。 【００１４】搬入室２０には搬入室用仮置き台２５が設
置され、搬出室３０には搬出室用仮置き台３５が設置さ
れ、バッファ室４０にはバッファ室用仮置き台４５が設
置されている。これら仮置き台２５、３５、４５は略同
様に構成されているので、その構成はバッファ室用仮置
き台４５について代表的に説明する。図１および図２に
示されているように、仮置き台４５は上下で一対の端板
８１、８２と、上下の端板８１と８２との間に周方向に
間隔を置いて垂直に架設された複数本の保持部材８３
と、各保持部材８３に長手方向に等間隔に配置されて水
平に刻設された保持溝８４とを備えている。ウエハＷの
外周辺部が各保持部材８３の同一平面内に位置する各保
持溝８４に挿入されることにより、ウエハＷは仮置き台
４５に水平に保持された状態になる。そして、複数枚の
ウエハＷは仮置き台４５に中心を揃えられて整列された
状態で保持される。仮置き台４５はエレベータ８５によ
って昇降されるように構成されている。 【００１５】搬入室２０、搬出室３０およびバッファ室
４０の前側には、大気圧以上の圧力（以下、正圧とい
う。）を維持可能な構造に構成された第二のウエハ移載
室（以下、正圧移載室という。）５０が隣接して連結さ
れており、正圧移載室５０の筐体（以下、正圧移載室筐
体という。）５１は平面視が横長の長方形で上下両端が
閉塞した箱形状に形成されている。正圧移載室５０には
正圧下でウエハＷを移載するウエハ移載装置（以下、正
圧移載装置という。）５２が設置されており、正圧移載
装置５２はスカラ形ロボットによって構成されている。
正圧移載装置５２は正圧移載室５０に設置されたエレベ
ータ５３によって昇降されるように構成されているとと
もに、リニアアクチュエータ５４によって左右方向に往
復移動されるように構成されている。 【００１６】互いに隣接した搬入室筐体２１の側壁およ
び正圧移載室筐体５１の側壁には搬入口２６、２７がそ
れぞれ開設されており、正圧移載室５０側の搬入口２７
には搬入口２６、２７を開閉するゲートバルブ２８が設
置されている。互いに隣接した搬出室筐体３１の側壁お
よび正圧移載室筐体５１の側壁には搬出口３６、３７が
それぞれ開設されており、正圧移載室５０側の搬出口３
７には搬出口３６、３７を開閉するゲートバルブ３８が
設置されている。互いに隣接したバッファ室筐体４１の
側壁および正圧移載室筐体５１の側壁には搬入搬出口４
６、４７がそれぞれ開設されており、正圧移載室５０側
の搬入搬出口４７には搬入搬出口４６、４７を開閉する
ゲートバルブ４８が設置されている。 【００１７】図１に示されているように、正圧移載室５
０の左側にはノッチ合わせ装置５５が設置されている。
また、図２に示されているように、正圧移載室５０の上
部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット５６が
設置されている。 【００１８】図１および図２に示されているように、正
圧移載室筐体５１の正面壁には三つのウエハ搬入搬出口
５７、５８、５９が左右方向に並べられて開設されてお
り、これらのウエハ搬入搬出口５７、５８、５９はウエ
ハＷを正圧移載室５０に対して搬入搬出し得るように設
定されている。これらのウエハ搬入搬出口５７、５８、
５９にはポッドオープナ６０がそれぞれ設置されてい
る。ポッドオープナ６０はポッドＰを載置する載置台６
１と、載置台６１に載置されたポッドＰのキャップを着
脱するキャップ着脱機構６２とを備えており、載置台６
１に載置されたポッドＰのキャップをキャップ着脱機構
６２によって着脱することにより、ポッドＰのウエハ出
し入れ口を開閉するようになっている。ポッドオープナ
６０の載置台６１に対してはポッドＰが、図示しない工
程内搬送装置（ＲＧＶ）によって供給および排出される
ようになっている。したがって、載置台６１によってキ
ャリアステージとしてのポッドステージが実質的に構成
されていることになる。 【００１９】図１に示されているように、負圧移載室筐
体１１の九枚の側壁のうち背面側に位置する四枚の側壁
には第一処理部としての第一ＣＶＤユニット７１、第二
処理部としての第二ＣＶＤユニット７２、第三処理部と
しての第三ＣＶＤユニット７３および第四処理部として
の第四ＣＶＤユニット７４がそれぞれ隣接して連結され
ている。第一ＣＶＤユニット７１、第二ＣＶＤユニット
７２、第三ＣＶＤユニット７３および第四ＣＶＤユニッ
ト７４は、いずれも二枚葉式ホットウオール形減圧ＣＶ
Ｄ装置によってそれぞれ構成されている。 【００２０】以下、前記構成に係るＣＶＤ装置を使用し
たＩＣの製造方法における成膜工程を説明する。 【００２１】これから成膜すべきウエハＷは二十五枚が
ポッドＰに収納された状態で、成膜工程を実施するＣＶ
Ｄ装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図１
および図２に示されているように、搬送されて来たポッ
ドＰは搬入室２０におけるポッドオープナ６０の載置台
６１の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置され
る。ポッドＰのキャップがキャップ着脱機構６２によっ
て取り外され、ポッドＰのウエハ出し入れ口が開放され
る。 【００２２】ポッドＰがポッドオープナ６０により開放
されると、正圧移載室５０に設置された正圧移載装置５
２は搬入搬出口５７を通してポッドＰからウエハＷを一
枚ずつ順次にピックアップし、搬入室２０に搬入口２
６、２７を通して搬入（ウエハローディング）し、一台
のポッドＰに収納された二十五枚のウエハＷを搬入室用
仮置き台２５に移載して行く。この移載作業中には、負
圧移載室１０側の搬入口２２、２３はゲートバルブ２４
によって閉じられており、負圧移載室１０の負圧は維持
されている。二十五枚のウエハＷの搬入室用仮置き台２
５への移載が完了すると、正圧移載室５０側の搬入口２
６、２７がゲートバルブ２８によって閉じられ、搬入室
２０が排気装置（図示せず）によって負圧に排気され
る。 【００２３】搬入室２０が予め設定された圧力値に減圧
されると、負圧移載室１０側の搬入口２２、２３がゲー
トバルブ２４によって開かれるとともに、第一ＣＶＤユ
ニット７１のウエハ搬入搬出口がゲートバルブによって
開かれる。続いて、負圧移載室１０の負圧移載装置１２
は搬入口２２、２３を通して搬入室２０の仮置き台２５
からウエハＷを二枚ずつピックアップして負圧移載室１
０に搬入し、第一ＣＶＤユニット７１の処理室へウエハ
搬入搬出口を通して搬入（ウエハローディング）すると
ともに、処理室のボートに移載（セッティング）する。
ウエハＷのボートへの移載が終了すると、第一ＣＶＤユ
ニット７１のウエハ搬入搬出口がゲートバルブによって
閉じられる。 【００２４】このウエハＷの第一ＣＶＤユニット７１へ
の搬入に際して、搬入室２０および負圧移載室１０が真
空排気されることによって内部の酸素や水分が予め除去
されているため、ウエハＷの第一ＣＶＤユニット７１へ
の搬入に伴って外部の酸素や水分が第一ＣＶＤユニット
７１の処理室に侵入することは確実に防止される。 【００２５】その後、第一ＣＶＤユニット７１において
は、処理室が気密に閉じられた状態で所定の圧力となる
ように排気管によって排気され、ヒータユニットによっ
て所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管
によって所定の流量だけ供給されることにより、予め設
定された処理条件に対応する所望の第一膜がウエハＷに
形成される。 【００２６】第一ＣＶＤユニット７１において予め設定
された成膜処理時間が経過すると、第一膜を成膜済みの
二枚のウエハＷは負圧移載装置１２によって第一ＣＶＤ
ユニット７１からピックアップされ、負圧に維持されて
いる負圧移載室１０に搬出（ウエハアンローディング）
される。処理済みのウエハＷが第一ＣＶＤユニット７１
から負圧移載室１０に搬出されると、第二ＣＶＤユニッ
ト７２のウエハ搬入搬出口がゲートバルブによって開か
れる。続いて、負圧移載装置１２は第一ＣＶＤユニット
７１から搬出した二枚のウエハＷを第二ＣＶＤユニット
７２の処理室へウエハ搬入搬出口を通して搬入するとと
もに、処理室のボートに移載する。二枚のウエハＷの第
一ＣＶＤユニット７１から第二ＣＶＤユニット７２への
移替え作業が完了すると、第二ＣＶＤユニット７２の処
理室のウエハ搬入搬出口がゲートバルブによって閉じら
れる。 【００２７】このようにして第一ＣＶＤユニット７１に
よる第一膜を成膜済みの二枚のウエハＷについての第一
ＣＶＤユニット７１から第二ＣＶＤユニット７２への移
替え作業は、いずれも負圧に維持された第一ＣＶＤユニ
ット７１、第二ＣＶＤユニット７２および負圧移載室１
０において実施されるため、第一ＣＶＤユニット７１か
ら第二ＣＶＤユニット７２へのウエハの移替え作業に際
して、ウエハＷの第一膜の表面に自然酸化膜が生成され
たり、異物等が付着したりするのは防止されることにな
る。 【００２８】第二ＣＶＤユニット７２においてウエハ搬
入搬出口がゲートバルブによって閉じられると、前述し
た第一ＣＶＤユニット７１の場合と同様にして、第二膜
がウエハＷの第一膜の上に第二ＣＶＤユニット７２の処
理室において成膜される。 【００２９】この第二ＣＶＤユニット７２における第二
膜の成膜中には、搬入室２０の仮置き台２５に予め準備
された二十五枚のウエハＷのうちの二枚が、第一ＣＶＤ
ユニット７１の処理室の空になったボートへ前述した負
圧移載装置１２の移載作動によって装填される。この移
載作業中には、搬入室２０の正圧移載室５０側の搬入口
２６、２７がゲートバルブ２８によって閉じられること
により、搬入室２０および負圧移載室１０の負圧は維持
されている。 【００３０】第二ＣＶＤユニット７２において第二膜の
成膜について予め設定された処理時間が経過すると、前
述した第一ＣＶＤユニット７１の場合と同様にして、第
二膜を成膜済みの二枚のウエハＷは負圧移載装置１２に
よって第二ＣＶＤユニット７２からピックアップされ、
負圧に維持されている負圧移載室１０に搬出される。処
理済みのウエハＷが第二ＣＶＤユニット７２から負圧移
載室１０に搬出されると、第三ＣＶＤユニット７３のウ
エハ搬入搬出口がゲートバルブによって開かれる。続い
て、負圧移載装置１２は第二ＣＶＤユニット７２から搬
出した二枚のウエハＷを第三ＣＶＤユニット７３の処理
室へウエハ搬入搬出口を通して搬入するとともに、処理
室のボートに移載する。二枚のウエハＷの第二ＣＶＤユ
ニット７２から第三ＣＶＤユニット７３への移替え作業
が完了すると、第三ＣＶＤユニット７３の処理室のウエ
ハ搬入搬出口がゲートバルブによって閉じられる。 【００３１】このようにして第二ＣＶＤユニット７２に
よる第二膜を成膜済みの二枚のウエハＷについての第二
ＣＶＤユニット７２から第三ＣＶＤユニット７３への移
替え作業も、いずれも負圧に維持された第二ＣＶＤユニ
ット７２、第三ＣＶＤユニット７３および負圧移載室１
０において実施されるため、第二ＣＶＤユニット７２か
ら第三ＣＶＤユニット７３へのウエハの移替え作業に際
しても、ウエハＷの第二膜の表面に自然酸化膜が生成さ
れたり、異物等が付着したりするのは防止されることに
なる。 【００３２】第三ＣＶＤユニット７３においてボートに
第二膜処理済みの二枚のウエハＷが装填されて第三ＣＶ
Ｄユニット７３のウエハ搬入搬出口がゲートバルブによ
って閉じられると、第一ＣＶＤユニット７１および第二
ＣＶＤユニット７２の場合と同様にして、第三膜がウエ
ハＷの第二膜の上に第三ＣＶＤユニット７３の処理室に
おいて成膜される。 【００３３】なお、前述した搬入室２０から第一ＣＶＤ
ユニット７１への移替え作業、第一ＣＶＤユニット７１
から第二ＣＶＤユニット７２への移替え作業は、この第
三ＣＶＤユニット７３における第三膜の成膜中に実行す
ることができる。 【００３４】第三ＣＶＤユニット７３において第三膜の
成膜について予め設定された処理時間が経過すると、前
述した第一ＣＶＤユニット７１および第二ＣＶＤユニッ
ト７２の場合と同様にして、第三膜を成膜済みの二枚の
ウエハＷは負圧移載装置１２によって第三ＣＶＤユニッ
ト７３からピックアップされ、負圧に維持されている負
圧移載室１０に搬出される。処理済みのウエハＷが第三
ＣＶＤユニット７３から負圧移載室１０に搬出される
と、第四ＣＶＤユニット７４のウエハ搬入搬出口がゲー
トバルブによって開かれる。続いて、負圧移載装置１２
は第三ＣＶＤユニット７３から搬出した二枚のウエハＷ
を第四ＣＶＤユニット７４の処理室へウエハ搬入搬出口
を通して搬入するとともに、処理室のボートに移載す
る。二枚のウエハＷの第三ＣＶＤユニット７３から第四
ＣＶＤユニット７４への移替え作業が完了すると、第四
ＣＶＤユニット７４の処理室のウエハ搬入搬出口がゲー
トバルブによって閉じられる。 【００３５】このようにして第三ＣＶＤユニット７３に
よる第三膜を成膜済みの二枚のウエハＷについての第三
ＣＶＤユニット７３から第四ＣＶＤユニット７４への移
替え作業も、いずれも負圧に維持された第三ＣＶＤユニ
ット７３、第四ＣＶＤユニット７４および負圧移載室１
０において実施されるため、第三ＣＶＤユニット７３か
ら第四ＣＶＤユニット７４へのウエハの移替え作業に際
しても、ウエハＷの第三膜の表面に自然酸化膜が生成さ
れたり、異物等が付着したりするのは防止されることに
なる。 【００３６】第四ＣＶＤユニット７４においてボートに
第四膜処理済みの二枚のウエハＷが装填されて第四ＣＶ
Ｄユニット７４のウエハ搬入搬出口がゲートバルブによ
って閉じられると、第一ＣＶＤユニット７１、第二ＣＶ
Ｄユニット７２および第三ＣＶＤユニット７３の場合と
同様にして、第四膜がウエハＷの第三膜の上に第四ＣＶ
Ｄユニット７４の処理室において成膜される。 【００３７】なお、前述した搬入室２０から第一ＣＶＤ
ユニット７１への移替え作業、第一ＣＶＤユニット７１
から第二ＣＶＤユニット７２への移替え作業および第二
ＣＶＤユニット７２から第三ＣＶＤユニット７３への移
替え作業は、この第四ＣＶＤユニット７４における第四
膜の成膜中に実行することができる。 【００３８】第四ＣＶＤユニット７４において第四膜の
成膜について予め設定された処理時間が経過すると、前
述した第一ＣＶＤユニット７１、第二ＣＶＤユニット７
２および第三ＣＶＤユニット７３の場合と同様にして、
第四膜を成膜済みの二枚のウエハＷは負圧移載装置１２
によって第四ＣＶＤユニット７４からピックアップさ
れ、負圧に維持されている負圧移載室１０に搬出され
る。処理済みのウエハＷが第四ＣＶＤユニット７４から
負圧移載室１０に搬出されると、搬出室３０の搬出口３
２、３３がゲートバルブ３４によって開かれる。続い
て、負圧移載装置１２は第四ＣＶＤユニット７４から搬
出した二枚のウエハＷを搬出口３２、３３を通じて搬出
室３０へ搬入するとともに、仮置き台３５に移載する。
ウエハＷの第四ＣＶＤユニット７４から搬出室３０の仮
置き台３５への移替え作業が完了すると、搬出室３０の
搬出口３２、３３がゲートバルブ３４によって閉じられ
る。この移載作業中には、搬出室３０の正圧移載室５０
側の搬出口３６、３７がゲートバルブ３８によって閉じ
られることにより、搬出室３０および負圧移載室１０の
負圧は維持されている。 【００３９】以上の作動が繰り返されることにより、搬
入室２０に一括して搬入された二十五枚のウエハＷにつ
いて二枚ずつ第一膜から第四膜についての成膜処理が順
次に実施されて行く。 【００４０】二十五枚のウエハＷについて第一膜から第
四膜についての成膜処理が完了すると、搬出室３０の正
圧移載室５０側の搬出口３６、３７がゲートバルブ３８
によって開けられて、搬出室３０のロードロックが解除
される。搬出室３０のロードロックが解除されると、正
圧移載室５０の搬出室３０に対応したウエハ搬入搬出口
５８がポッドオープナ６０によって開かれるとともに、
載置台６１に載置された空のポッドＰのキャップがポッ
ドオープナ６０によって開かれる。続いて、正圧移載室
５０の正圧移載装置５２は搬出口３７を通して搬出室用
仮置き台３５からウエハＷを一枚ずつ順次にピックアッ
プして正圧移載室５０に搬出（ウエハアンローディン
グ）し、正圧移載室５０のウエハ搬入搬出口５８を通し
てポッドＰに収納（チャージング）して行く。成膜済み
の二十五枚のウエハＷのポッドＰへの収納が完了する
と、ポッドＰのキャップがポッドオープナ６０のキャッ
プ着脱機構６２によってウエハ出し入れ口に装着され、
ポッドＰが閉じられる。 【００４１】閉じられたポッドＰは載置台６１の上から
次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。 【００４２】ところで、以上の成膜工程の実施中に、変
則的に処理すべきウエハＷを収納したポッドＰがＣＶＤ
装置に送られて来た場合には、変則処理の必要なポッド
Ｐは正圧移載室５０のバッファ室４０に対応したウエハ
搬入搬出口５９の載置台６１の上に載置される。このポ
ッドＰに収納された変則処理の必要な二十五枚のウエハ
Ｗはバッファ室４０に正圧移載装置５２によって直ちに
搬入され、仮置き台４５に移載される。 【００４３】バッファ室４０に搬入されて仮置き台４５
に保持された変則処理の必要なウエハＷは、第一ＣＶＤ
ユニット７１〜第四ＣＶＤユニット７４のうち所望の処
理が必要な最初のユニットにおいて投入が可能になった
時点で、バッファ室４０から当該ユニットに負圧移載装
置１２によって二枚ずつ搬入される。以降、所望の処理
が必要なユニットに負圧移載装置１２によって順次移替
えられて所望の処理が実施されて行く。所望の処理が施
された変則処理の必要なウエハＷはバッファ室４０の仮
置き台４５に負圧移載装置１２によって戻される。 【００４４】バッファ室４０の仮置き台４５に戻された
処理済みのウエハＷはバッファ室４０からこれに対応す
るウエハ搬入搬出口５９に載置された載置台６１の元の
ポッドＰへ、正圧移載装置５２によって戻される。所望
の変則処理済みのウエハＷが戻られたポッドＰは、バッ
ファ室４０に対応した載置台６１の上から次の工程へ工
程内搬送装置によって搬送されて行く。 【００４５】ここで、バッファ室４０に搬入されて仮置
き台４５に保持された変則処理の必要なウエハＷは、最
も長期間である場合において搬入室２０に搬入されたウ
エハＷ群の処理が完了して搬出室３０から搬出されるま
でバッファ室４０において待機することになる。しか
し、バッファ室４０はロードロックされて負圧に維持さ
れているため、この長期間の待機中であっても、自然酸
化膜が成長してしまう等の弊害が発生するのを防止する
ことができる。 【００４６】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。 【００４７】1) 変則処理が必要なウエハをロードロッ
ク可能なバッファ室に収納して待機させることにより、
自然酸化膜がこの待機中のウエハに成長してしまう等の
弊害が発生するのを防止することができるため、変則処
理の必要なウエハを任意に受け入れることができる。 【００４８】2) 変則処理の必要なウエハを任意に受け
入れることができるため、成膜工程全体を統括的に管理
するために必要なＣＶＤ装置の運用における余裕の幅を
小さく抑制することができる。 【００４９】3) ＣＶＤ装置の運用の余裕の幅を小さく
することにより、ＣＶＤ装置の休止時間を相対的に減少
させることができるため、ＣＶＤ装置ひいては成膜工程
およびＩＣの製造方法のスループットを高めることがで
きる。 【００５０】4) 搬入室、搬出室およびバッファ室の仮
置き台をポッドの収納と同数の二十五枚のウエハを保持
可能に構成するとともに、仮置き台をエレベータによっ
て昇降可能に構成することにより、負圧移載装置および
負圧移載室を大幅に改造せずに一台のポッドのウエハを
取り扱うことができるため、ＣＶＤ装置のイニシャルコ
ストおよびランニングコストの増加を抑制することがで
きる。 【００５１】本発明は前記実施の形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可
能であることはいうまでもない。 【００５２】例えば、負圧移載室の周囲に配設するＣＶ
Ｄユニットの数は、四に限らず、二または三または五以
上であってもよい。 【００５３】負圧移載室の周囲に配設されるウエハを処
理する処理部は、二枚葉式ホットウオール形減圧ＣＶＤ
装置が設備されたＣＶＤユニットによって構成するに限
らず、バッチ式ＣＶＤ装置および枚葉式ＣＶＤ装置が設
備されたＣＶＤユニット、さらには、酸化装置や拡散装
置、熱処理装置、スパッタリング装置、ドライエッチン
グ装置等の基板処理装置を備えた処理ユニット等によっ
て構成してもよい。 【００５４】前記実施の形態ではＣＶＤ膜を形成する場
合について説明したが、酸化処理や拡散処理やアニール
処理、プラズマ処理、スパッタ処理、ドライエッチング
処理、クリーニング処理、冷却処理、予備加熱処理およ
びそれらを組み合わせた処理にも適用することができ
る。 【００５５】また、ウエハを処理する場合について説明
したが、液晶パネルや磁気ディスク、光ディスク等の基
板全般について適用することができる。 【００５６】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
変則的な運用に際しても自然酸化膜の成長等の弊害の発
生を防止することができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の一実施の形態であるマルチチャンバ型
ＣＶＤ装置を示す一部省略平面断面図である。 【図２】その側面断面図である。 【符号の説明】 Ｗ…ウエハ（基板）、Ｐ…ポッド（基板キャリア）、１
０…負圧移載室（基板移載室）、１１…負圧移載室筐
体、１２…負圧移載装置（ウエハ移載装置）、１３…エ
レベータ、２０…搬入室（搬入用予備室）、２１…搬入
室筐体、２２、２３…搬入口、２４…ゲートバルブ、２
５…搬入室用仮置き台、２６、２７…搬入口、２８…ゲ
ートバルブ、３０…搬出室（搬出用予備室）、３１…搬
出室筐体、３２、３３…搬出口、３４…ゲートバルブ、
３５…搬出室用仮置き台、３６、３７…搬出口、３８…
ゲートバルブ、４０…バッファ室（バッファ用予備
室）、４１…バッファ室筐体、４２、４３…搬入搬出
口、４４…ゲートバルブ、４５…バッファ室用仮置き
台、４６、４７…搬入搬出口、４８…ゲートバルブ、５
０…正圧移載室（ウエハ移載室）、５１…正圧移載室筐
体、５２…正圧移載装置（ウエハ移載装置）、５３…エ
レベータ、５４…リニアアクチュエータ、５５…ノッチ
合わせ装置、５６…クリーンユニット、５７、５８、５
９…ウエハ搬入搬出口、６０…ポッドオープナ、６１…
載置台、６２…キャップ着脱機構、７１…第一ＣＶＤユ
ニット（第一処理部）、７２…第二ＣＶＤユニット（第
二処理部）、７３…第三ＣＶＤユニット（第三処理
部）、７４…第四ＣＶＤユニット、８１、８２…端板、
８３…保持部材、８４…保持溝、８５…エレベータ。

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Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 少なくとも一つの基板処理部がゲートバ
   ルブを介し連結され基板移載装置が設置された第一の移
   載室と、基板を収納するキャリアに対し基板を出し入れ
   する基板移載装置が設置された第二の移載室とを有し、
   前記第一の移載室と第二の移載室との間にゲートバルブ
   を介して一枚以上の基板を収容する基板収容室を少なく
   とも三つ連結し、これらの基板収容室が減圧可能に構成
   されているとともに、そのうちの一室が前記基板を一時
   的に蓄えるバッファ室として使用されることを特徴とす
   る基板処理装置。