JP2003073144A - 多成分を有するガラス基板用の微細加工表面処理液 - Google Patents
多成分を有するガラス基板用の微細加工表面処理液Info
- Publication number
- JP2003073144A JP2003073144A JP2001265039A JP2001265039A JP2003073144A JP 2003073144 A JP2003073144 A JP 2003073144A JP 2001265039 A JP2001265039 A JP 2001265039A JP 2001265039 A JP2001265039 A JP 2001265039A JP 2003073144 A JP2003073144 A JP 2003073144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- glass substrate
- hydrofluoric acid
- dissociation constant
- larger
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
- C03C15/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching for making a smooth surface
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
フラットパネルディスプレイ用のガラス基板自体を結晶
の析出及び表面あれを生じさせることなく加工する事が
出来る多成分を有するガラス基板用の均一組成を有する
微細加工表面処理液を提供すること。 【解決手段】フッ化水素酸を含有するとともに、フッ化
水素酸よりも酸解離定数が大きい酸を少なくとも一種以
上含有することを特徴とする。フッ化水素酸を含有する
とともに、フッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸を
少なくとも一種以上含有する薬液であり、該フッ化水素
酸よりも酸解離定数が大きい酸の含有量をxとし、ガラ
ス基板をエッチングする液温における該薬液の熱シリコ
ン酸化膜に対するエッチレートをf(x)[A/mi
n]としたとき、該薬液は、x=x1おいて極小値f
(x1)を有し、x=x2においてf(x)={f(x
2)}/2を有し、(2/5)*x1<x<x2 の範
囲で該フッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸を含有
することを特徴とする。
Description
ラス基板用の微細加工表面処理液に係り、更に詳しくは
半導体素子製造時に、種々のカチオンおよびそれらのカ
チオン酸化物を有するガラス基板を微細加工するため湿
式でエッチング・洗浄する目的、及び微細加工された半
導体素子を有するガラス基板表面をエッチング・洗浄す
る目的に対して、極めて有効である多成分を有するガラ
ス基板用の微細加工表面処理液に関する。
式プロセスにおいて、種々のカチオンおよびそれらのカ
チオン酸化物を有するガラス基板表面及びその微細加工
済み表面のエッチング・洗浄及びパターニングの清浄化
・精密化は、ディスプレイの高精細化の進展と共に益々
必要性が高まっている。フッ化水素酸(HF)及びフッ
化水素酸(HF)とフッ化アンモニウム(NH4F)の
混合溶液(バッファードフッ酸(BHF))は共にこの
プロセスの重要かつ必要不可欠の微細加工表面処理剤と
して、エッチング・洗浄の目的に使用されているが、更
なる高精細化のため、その高性能化と高機能化が必要と
なってきた。
スプレイ用のガラス基板に関しては、ディスプレイの軽
量化・省電力化等の要求により薄型化が進んでいる。と
ころが、製造プロセスにおいて、いわゆるマザーガラス
としては生産効率・コスト低減の面から、大型化してい
る。この大型の基板を薄くして製造を行う場合、どうし
てもプロセス上で必要とされる機械強度等の面から、薄
型化に限界が生じる。そこで、更なる薄型化をおこなう
ためには、基板自体を微細加工処理する必要がある。
酸化物を有する基板、特に多成分を有するガラス基板等
を用いる製造プロセスにおいて、それらの基板を従来の
フッ化水素酸およびバッファードフッ酸でエッチング・
洗浄を行うと結晶が析出して基板表面に付着する。処理
後の基板表面が大きくあれる。等により、不均一なエッ
チング及び洗浄が進行する問題が生じている。
基板中に含まれるカチオン由来のフッ化物であることが
分かった。これらのカチオンフッ化物は、水溶性が低
く、フッ化水素酸およびバッファードフッ酸に対する溶
解度も非常に低いため結晶として析出し、基板表面に付
着することがわかった。
の付着によりエッチングが阻害されるため、および/ま
たは、基板中に含まれるカチオンおよびそれらの酸化物
のエッチング反応速度がそれぞれ異なり、結果としてエ
ッチレートおよびエッチング量にばらつきが生じるため
である。
いて最も重要となるのは、基板自体に表面あれを生じさ
せることなく均一に加工処理することである。
する例えば液晶や有機ELなどのフラットパネルディス
プレイ用のガラス基板自体を結晶の析出及び表面あれを
生じさせることなく均一に加工する事が出来る多成分を
有するガラス基板用の微細加工表面処理液を提供するこ
とである。
を解決するべく鋭意検討を重ねた結果、フッ化水素酸を
含有するとともに、フッ化水素酸よりも酸解離定数が大
きい酸を少なくとも一種以上含有することを特徴とする
多成分を有するガラス基板用の微細加工表面処理液を提
供することにより、上記の課題が解決することを見いだ
し、本発明を完成するに至った。
ンを含有するとともに、フッ化水素酸よりも酸解離定数
が大きい酸を少なくとも一種以上含有することを特徴と
する多成分を有するガラス基板用の均一組成を有する微
細加工表面処理液である。
を含有するとともに、フッ化水素酸よりも酸解離定数が
大きい酸を少なくとも一種以上含有することを特徴とす
る多成分を有するガラス基板用の均一組成を有する微細
加工表面処理液である。
含有するとともに、フッ化水素酸よりも酸解離定数が大
きい酸を少なくとも一種以上含有する溶液であり、該フ
ッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸の含有量をx
[mol/kg]、熱シリコン酸化膜に対するエッチレ
ートをf(x)[Å/min]とした場合に、該溶液
は、x=x1おいて極小値f(x1)を有することを特
徴とする多成分を有するガラス基板用の均一組成を有す
る微細加工表面処理液である。
を含有するとともに、フッ化水素酸よりも酸解離定数が
大きい酸を少なくとも一種以上含有する溶液であり、該
フッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸の含有量をx
[mol/kg]、熱シリコン酸化膜に対するエッチレ
ートをf(x)[Å/min]とした場合に、該溶液
は、x=x1において極小値f(x1)を有し、(2/
5)*x1<xの範囲で該フッ化水素酸よりも酸解離定
数が大きい酸の含有することを特徴とする多成分を有す
るガラス基板用の均一組成を有する微細加工表面処理液
である。
を含有するとともに、フッ化水素酸よりも酸解離定数が
大きい酸を少なくとも一種以上含有する溶液であり、該
フッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸の含有量をx
[mol/kg]、熱シリコン酸化膜に対するエッチレ
ートをf(x)[Å/min]とした場合に、該溶液
は、x=x2においてf(x=0)={f(x2)/2}
を有し、x<x2の範囲で該フッ化水素酸よりも酸解離
定数が大きい酸を含有することを特徴とする多成分を有
するガラス基板用の均一組成を有する微細加工表面処理
液。
を含有するとともに、フッ化水素酸よりも酸解離定数が
大きい酸を少なくとも一種以上含有する溶液であり、該
フッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸の含有量をx
[mol/kg]、熱シリコン酸化膜に対するエッチレ
ートをf(x)[Å/min]とした場合に、該溶液
は、x=x1において極小値f(x1)を有し、x=x
2においてf(x=0)={f(x2)/2}を有し、
(2/5)*x1<x<x2の範囲で該フッ化水素酸よ
りも酸解離定数が大きい酸を含有することを特徴とする
多成分を有するガラス基板用の均一組成を有する微細加
工表面処理液。
よりも酸解離定数が大きい酸が無機酸であり、一価ある
いは多価の酸であることを特徴とする前項10ないし1
5のいずれか1項記載の多成分を有するガラス基板用の
均一組成を有する微細加工表面処理液である。
よりも酸解離定数が大きい酸が、HCl、HBr、HN
O3、H2SO4のいずれか1種以上であることを特徴
とする前項10ないし16のいずれか1項記載の多成分
を有するガラス基板用の均一組成を有する微細加工表面
処理液である。
量%で0.0001〜1%含むことを特徴とする前項1
0ないし17のいずれか1項記載の多成分を有するガラ
ス基板用の均一組成を有する微細加工表面処理液であ
る。
るガラス基板は、珪酸を主成分とし、さらに、Al、B
a、Ca、Mg、Sb、Sr、Zrのいずれか1種以上
を含有することを特徴とする前項10ないし18のいず
れか1項記載の多成分を有するガラス基板用の均一組成
を有する微細加工表面処理液である。
板は、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板であ
ることを特徴とする前項10ないし19のいずれか1項
記載の多成分を有するガラス基板用の均一組成を有する
微細加工表面処理液である。
の含有量は、8mol/kg以下であることを特徴とす
る前項10ないし20のいずれか1項記載の多成分を有
するガラス基板用の均一組成を有する微細加工表面処理
液である。
る。本発明はまず、結晶の析出と、基板表面の荒れの原
因の探求を行ったところ次の知見を得た。
れる金属成分が薬液中へ溶解して生じたガラス基板に由
来するカチオンが、薬液中に含有されるアニオン種、例
えばフッ素イオン(F−イオン)と反応して使用薬液に
対して極めて溶解性の低い金属塩(例えばフッ化物塩)
を生じ、これらがガラス基板表面に析出・付着して、エ
ッチングを阻害するために被エッチング面が凹凸となり
その結果ガラス基板が不透明になる。
等の多成分を含有するガラス基板表面をエッチングする
と、それらのエッチレートが大きく異なるため不均一な
エッチチングが進行することにより、被エッチング面が
荒れ、被エッチング面に凹凸が発生する。
に含まれる各成分のエッチレートを均一にすること、お
よびそれらが溶解してイオン化したカチオンから、溶解
性の極めて低いそれらのフッ化物を生成させないことが
必要である。そのためには、カチオンおよびそれらの酸
化物が高い溶解性を有し、薬液中へ溶解後、薬液中でイ
オンとして安定に存在できることが最も望ましい。
は、薬液中のF−イオン濃度を下げることが効果的であ
る。
シリコン酸化物であるため、ガラス基板をエッチングす
るためにはフッ化水素酸あるいはバッファードフッ酸の
様に、シリコン酸化物を溶解する能力を有した薬液に限
られてくる。
おけるドミナントイオンはHF2−イオンである。
にエッチングするためには、薬液中のF−イオンを減少
させる一方で、HF2−イオンを効率よく生成する必要
がある。このためには、HFよりも酸解離定数が大きい
酸を最適量添加することで、フッ化水素酸(F−イオ
ン)を含有する溶液中のHFの解離(F−イオン濃度)
を制御した微細加工表面処理液が必要である。酸解離定
数がHF以下である酸では、HF2−イオンを効率よく
生成することは困難である。
RION社製F−イオンメ−タ−を用いて測定できる。
含有するとともに、フッ化水素酸よりも酸解離定数が大
きい酸を少なくとも一種以上含有することが必要であ
る。
細加工表面処理液は、フッ化水素酸よりも酸解離定数が
大きい酸の含有量をx[mol/kg]とし、該溶液の
熱シリコン酸化膜に対するエッチレートをf(x)[Å
/min]とした場合に、該溶液は、x=x1において
極小値f(x1)を有し、ガラス基板由来成分の溶解性
に関しては、(2/5)*x1<xの範囲で該フッ化水
素酸よりも酸解離定数が大きい酸を含有することが好ま
しく、x=x2においてf(x=0)={f(x2)/
2}を有し、エッチング後のガラス基板表面マイクロラ
フネスからは、x<x2の範囲で該フッ化水素酸よりも
酸解離定数が大きい酸を含有することが好ましい。
た理由について述べる。
することにより、F−イオンが存在する。フッ化水素よ
りも酸解離定数の大きな酸を添加すると、HFの酸解離
平衡状態を保つためにHF2−イオンの分解によるHF
およびF−イオンの生成と、この生成したF−イオンと
添加されたH+イオンとがHFを生成する新たな解離平
衡状態が生じると思われる。その結果、エッチング反応
のドミナントイオンがHF2−イオンである熱シリコン
酸化膜のエッチレートf(x)は、酸の添加量xと共に
減少し、ある点(x=x1)で極小値f(x1)を示
す。
増加すると、再び熱シリコン酸化膜に対するエッチレー
トf(x)が増加し、ある点(x=x2)でf(x=0)
=f(x2)を示し、その後も酸添加量xが増加する
と、熱シリコン酸化膜に対するエッチレートf(x)は
増加する。
大きな酸を添加することで、液中の解離状態を制御して
液中のF−イオン濃度を低減することが出来る。
たとき、(2/5)*x1<xの範囲でフッ化水素より
も酸解離定数の大きな酸を添加し、F−イオン濃度を制
御することにより、ガラス基板中の各成分が薬液中に溶
解して生じたカチオンが溶解性の極めて低いそれらのフ
ッ化物を生成することを制御できる。
添加量xを(2/5)*x1<x<x2の範囲内に設定
することが、ガラス面に結晶物の付着や凹凸を生じるこ
となく均一で初期と同等の透明度を維持したエッチング
が可能となる点で好ましく、(1/2)*x1<x<x
1+(x2−x1)*(3/5)の範囲内に設定するこ
とがより好ましく、(3/5)*x1<x<x1+(x
2−x1)/2の範囲内に設定することが特に好まし
い。
はなく、塩酸、硝酸、硫酸、臭化水素酸等の無機酸でも
蓚酸、酒石酸、ヨウド酢酸、フマル酸、マレイン酸等の
有機酸でも良い。薬液組成が均一になる点で親水性の酸
が好ましい。また、被エッチング面の有機物汚染を抑制
できる点で無機酸が好ましく、その中でも酸解離定数が
大きい点で塩酸、硝酸、硫酸、臭化水素酸がより好まし
い。添加する酸としては、一価の酸あるいは多価の酸を
用いることができる。多価の酸の場合、少ない添加量で
多くのH+を得ることができる利点がある。本発明の効
果が最もバランス良い点でHClが特に好ましいが、ガ
ラス基板中のカチオンおよびそれらのカチオン酸化物の
存在率を考慮して添加する酸の種類を選定することが好
ましい。添加する酸は、1種のみでも良く、複数の酸を
併用しても良い。
レジストなどに対する濡れ性の向上あるいは粒子付着等
の抑制効果のために界面活性剤を含有することも被エッ
チング面の荒れを抑制できる点で好ましく、その含量は
本発明のエッチング剤に対して0.0001〜1重量%
であることが好ましい。
予め実験的に求めておけば、f(x)が極小値を与える
フッ化水素よりも酸解離定数の大きな酸の添加量x1お
よびf(x=0)={f(x2)/2}を与えるフッ化水
素よりも酸解離定数の大きな酸の添加量x2を容易に得
ることができる。
が薬液中に溶解して生じたカチオンの溶解性は、フッ化
水素よりも酸解離定数の大きな酸の添加量xが(2/
5)*x1<xの範囲内であることが好ましく、x1/
2<xの範囲内であることがより好ましい。
じることなく、初期と同等の透明度を維持した均一エッ
チングを可能とせしめるには、フッ化水素よりも酸解離
定数の大きな酸の添加量xは、(2/5)*x1<x<
x2の範囲内であることが好ましい。
ッチング液は、フッ化水素酸、フッ化水素酸よりも酸解
離定数が大きい酸を必須成分とし、界面活性剤を任意に
含有することができるが、その他の化合物も本発明を阻
害しない範囲内において含有することが可能である。
用のエッチング液中に含まれる金属成分は、特に限定さ
れるものではないが、ガラス基板由来成分の溶解性の向
上並びに被エッチング面を荒さない等の点において、そ
の濃度が1[ppb]以下であることが好ましく、0.
5[ppb]以下であることがより好ましく、0.01
[ppb]以下であることがさらに好ましい。
分としていれば含有される金属成分は特に限定されるも
のではないが、Al、Ba、Ca、Mg、Sb、Sr、
Zrのいずれか1種以上を含有するものに対し本発明は
特に効果的である。
プレィ用のガラス基板が対象として好適である。
以下であることが好ましい。また、フッ化水素酸の含有
量の増加に伴い、ガラス基板に対するエッチレートが増
加すると、被エッチング表面近傍での溶解したカチオン
の局所的な溶解性が問題となり、より高い溶解性が求め
られる。従って、フッ化水素酸の含有量は、5mol/
kg以下であることがより好ましい。
体的に説明するが、本発明はこれらにより制限されるも
のではない。
塩酸混酸HFを調整した。調液した塩酸混酸HFの組成
と特徴は下表1の通りである。
LCD(液晶ディスプレイ)用ガラス基板をEDX(エ
ネルギ−分散型X線分析装置)にて成分分析した結果を
表2に示します。
/kg]−HFについて塩酸添加量x[mol/kg]
としたとき(以下、1/x系と記す場合がある。)、薬
液温度が23℃での熱シリコン酸化膜に対するエッチレ
ートf(x)の塩酸添加量x[mol/kg]への依存
性を図1に示す。
シリコン酸化膜に対するエッチレートf(x)が極小値
を示す酸添加量x1、およびf(x=0)={f
(x2)}/2を示す酸添加濃度x2をそれぞれ表して
いる。
量に対して、薬液量を大過剰とすることで基板中のカチ
オンが薬液中で完全に溶解した均一組成の薬液につい
て、エッチング量とガラス基板由来のカチオンの溶出量
との関係を調べた。薬液中のガラス基板由来のカチオン
の溶出量は、ICP―MS(誘導結合高周波数プラズマ
質量分析装置:横河ヒュウレットパッカード社製HP−
4500)を用いて行った。
分について測定した結果を図2に示す。
して薬液中のAl成分の量が増加していることからAl
成分がガラス基板中で均一に存在していることが分か
る。また、このガラス基板を種々の組成の薬液でエッチ
ングした場合、エッチング量に対して、薬液中へ溶出し
たAl成分の量がこの一次直線の値より小さくなる場合
は、ガラス基板中からAl成分がエッチングされなかっ
た、あるいはエッチングにより溶出した後、用いた薬液
に対する溶解性が低いAl成分の塩(例えばフッ化物)
の結晶を生成し、析出したことを表している。すなわ
ち、種々の組成の薬液を用いて、ガラス基板中の各カチ
オンについて同様の測定を行うことで、該カチオンの該
薬液に対する溶解性を評価できる。
ついて塩酸添加量xに対して、ガラス基板をエッチング
した場合のエッチング量と薬液中に溶出したガラス基板
由来のカチオン成分の量との関係を調べた結果をガラス
基板中に含まれる主なカチオン成分として、図3にB
a、図4にCa、図5にSr、について示す。
0[mol/kg]−HFについて塩酸添加量xに対し
て、x>(2/5)*x1でガラス基板中に含まれる主
なカチオン成分としてAl、Ba、Ca、Srの該薬液
中への溶解性が増加することがわかる。さらに、1.0
[mol/kg]−HFにおいて、HClの添加量xと
し、熱シリコン酸化膜に対する液温23℃でのエッチレ
ートf(x)が極小値を示すx=x1[mol/kg]
はx1=0.5[mol/kg]となり、x>(2/
5)*x1=(2/5)*0.5=0.2[mol/k
g]の範囲でガラス基板中に含まれる主なカチオン成分
の薬液中への溶解性がより優れることがわかります。な
お、ガラス基板の主成分である珪素(Si)・珪酸(S
iO2)の溶解性については、該薬液は極めて良好であ
る。
に関して、フッ化物としての水に対する溶解度は塩化物
等の他のハロゲン化塩と比較して溶解度が低いことが知
られている。つまり、F以外のハロゲン種を導入するこ
とによりフッ化塩の―部でも他のハロゲン塩に置換でき
ればガラス基板洗浄液の基板中に存在するカチオンに起
因した難溶性の結晶(フッ化塩)の析出が減少すること
が期待できる。
Cl−イオンが添加されることになる。このH+イオン
の添加により薬液中の解離平衡反応が制御されることに
よる薬液中のF−イオン濃度の低下とCl−イオンの添
加により、ガラス基板に含有されるカチオン成分が溶出
後、F化物よりも溶解性の高いCl化物を生成するため
基板中に存在するカチオンに起因した結晶の析出が減少
する。
場合には、HFに対する塩酸の比率(Cl/F比率)が
大きい程、溶解性に優れることが分かった。
成について調べた結果、HClの添加量xとし、薬液の
熱シリコン酸化膜に対する液温23℃でのエッチレート
f(x)が極小値を示すx=x1[mol/kg]とし
たとき、x>{(2/5)*x1}で、xの増加にとも
ないガラス基板中に含まれるカチオンの溶解性が増加す
ることを明らかとした。
イクロラフネスの評価について開示する。
酸添加量xに対して、ガラス基板を25μm、50μ
m、100μmエッチングした後の基板表面のマイクロ
ラフネスを、Ra値を測定することで調べた結果を表3
に示す。マイクロラフネス(Ra値)の測定は、接触式
段差計(α−ステップ250;TENCOR社製)を用
いて行った。
については、塩酸添加量xが、x<4で基板表面のマイ
クロラフネスの増加が抑制されていることが分かる。つ
まり、1[mol/kg]−HFにおいて、HClの添
加量xとした場合、熱シリコン酸化膜に対する液温23
℃でのエッチレートf(x)が2*{f(x=0)}と等
しくなる添加量x=x2(mol/kg)はx2=4
(mol/kg)となり、x<4で、ガラス基板表面の
マイクロラフネスの増加を抑制できることがわかる。な
お、1.0[mol/kg]−HF/0.5[mol/
kg]−HCl組成のHClをHNO3及びH2SO4
に変えた薬液について評価した結果は、HClの場合と
同等の性能が確認された。
成について、前項と同様にしてエッチング後のガラス基
板表面の表面マイクロラフネス(Ra値)を調べた結
果、HClの添加量xとし、薬液の熱シリコン酸化膜に
対する液温23℃でのエッチレートf(x)が2*{f
(x=0)}と等しくなる添加量をx=x2(mol/k
g)としたとき、x<x2で基板表面のマイクロラフネ
スの増加が抑制されることを明らかとした。なお、1.
0[mol/kg]−HF/0.5[mol/kg]−
HCl組成のHClをHNO3及びH2SO4に変えた
薬液について評価した結果は、HClの場合と同等の性
能が確認された。
成分を有するガラス基板に含まれるカチオンの溶解性の
向上およびエッチング後のガラス基板表面のマイクロラ
フネス増加の抑制の両点から、HFを含有する溶液にH
Clを添加した薬液については、HClの添加量をxと
し、薬液の熱シリコン酸化膜に対する液温23℃でのエ
ッチレートf(x)が極小値を示すx=x1 [mol
/kg]とエッチレートf(x)が2*{f(x=0)}
と等しくなる添加量をx=x2 (mol/kg)とし
たとき、(2/5)*x1<x<x2 の範囲でHCl
を添加することでより均一に加工する事が出来きること
が分かった。
有機ELなどのフラットパネルディスプレイ用のガラス
基板自体を結晶の析出及び表面あれを生じさせることな
く加工する事が出来る。
液としても用いることができる。すなわち、ガラスのエ
ッチングを行った後の液中にはガラス中のカチオンと反
応したフッ化反応物が含まれている。フッ化反応物を除
去し液をろ過するためにフィルタ等を通過させるが、使
用を重ねるにつれ、やがてフィルタは目詰まりを起こ
す。そこで、フィルタを本発明のエッチング液により洗
浄すれば目詰まりの原因であるフッ化反応物をフィルタ
ーから除去することができ、フィルターの再生が可能と
なる。
ては多成分を有するガラス基板表面が表面荒れを生じる
ことなく均一にエッチングされるので、エッチング後の
表面を観察することにより、凹凸が生じていればガラス
基板中のその箇所に、気泡等も含めた某かの欠陥を生じ
ていたことが分かる。従って、このガラス基板を均一に
エッチングできる薬液にてエッチングを行うことでガラ
ス基板の欠陥検出が可能となる。
HClを添加した際のHCl含有量と熱酸化膜のエッチ
ングレートとの関係およびガラス基板に対するエッチレ
ートの関係を示すグラフである。
した図である。
した図である。
した図である。
した図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 F−イオンを含有するとともに、フッ化
水素酸よりも酸解離定数が大きい酸を少なくとも一種以
上含有することを特徴とする多成分を有するガラス基板
用の微細加工表面処理液。 - 【請求項2】 フッ化水素酸を含有するとともに、「フ
ッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸」を少なくとも
一種以上含有することを特徴とする多成分を有するガラ
ス基板用の微細加工表面処理液。 - 【請求項3】 フッ化水素酸を含有するとともに、フッ
化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸を少なくとも一種
以上含有する溶液であり、該フッ化水素酸よりも酸解離
定数が大きい酸の含有量をx[mol/kg]、熱シリ
コン酸化膜に対するエッチレートをf(x) [Å/m
in]とした場合に、該溶液は、x=x1おいて極小値
f(x1)となったときx>x1の範囲でフッ化水素酸
よりも酸解離定数が大きい酸を有することを特徴とする
多成分を有するガラス基板用の微細加工表面処理液。 - 【請求項4】 フッ化水素酸を含有するとともに、フッ
化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸を少なくとも一種
以上含有する溶液であり、該フッ化水素酸よりも酸解離
定数が大きい酸の含有量をx[mol/kg]、熱シリ
コン酸化膜に対するエッチレートをf(x)[Å/mi
n]とした場合に、該溶液は、x=x 1において極小値
f(x1)を有し、(2/5)*x1<xの範囲で、該
フッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸を含有するこ
とを特徴とする多成分を有するガラス基板用の微細加工
表面処理液。 - 【請求項5】 フッ化水素酸を含有するとともに、フッ
化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸を少なくとも一種
以上含有する溶液であり、該フッ化水素酸よりも酸解離
定数が大きい酸の含有量をx[mol/kg]、熱シリ
コン酸化膜に対するエッチレートをf(x)[Å/mi
n]とした場合に、該溶液は、x=x2においてf(x
=0)={f(x2)}/2となるとき、x<x2の範囲
で該フッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸を含有す
ることを特徴とする多成分を有するガラス基板用の微細
加工表面処理液。 - 【請求項6】 フッ化水素酸を含有するとともに、フッ
化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸を少なくとも一種
以上含有する溶液であり、該フッ化水素酸よりも酸解離
定数が大きい酸の含有量をx[mol/kg]、熱シリ
コン酸化膜に対するエッチレートをf(x)[Å/mi
n]とした場合に、該溶液は、x=x1において極小値
f(x1)となり、x=x2においてf(x=0)={f
(x2)}/2(ただし、x1<x2)となるとき、
(2/5)*x1<x<x2の範囲で該フッ化水素酸よ
りも酸解離定数が大きい酸を含有することを特徴とする
多成分を有するガラス基板用の微細加工表面処理液。 - 【請求項7】 フッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい
酸が無機酸であり、一価あるいは多価の酸であることを
特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項記載の多成
分を有するガラス基板用の均一組成を有する微細加工表
面処理液。 - 【請求項8】 フッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい
酸が、HCl、HBr、HNO3、H2SO4のいずれ
か1種以上であることを特徴とする請求項1ないし6の
いずれか1項記載の多成分を有するガラス基板用の微細
加工表面処理液。 - 【請求項9】 界面活性剤を重量%で0.0001〜1
%含むことを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1
項記載の多成分を有するガラス基板用の微細加工表面処
理液。 - 【請求項10】 多成分を有するガラス基板は、珪酸を
主成分とし、さらに、Al、Ba、Ca、Mg、Sb、
Sr、Zrのいずれか1種以上を含有することを特徴と
する請求項1ないし9のいずれか1項記載の多成分を有
するガラス基板用の微細加工表面処理液。 - 【請求項11】 前記ガラス基板は、フラットパネルデ
ィスプレイ用のガラス基板であることを特徴とする請求
項1ないし10のいずれか1項記載の多成分を有するガ
ラス基板用の微細加工表面処理液。 - 【請求項12】 フッ化水素酸の含有量は、8mol/
kg以下であることを特徴とする請求項1〜11のいず
れか1項記載の多成分を有するガラス基板用の微細加工
表面処理液。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001265039A JP5197902B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 多成分を有するガラス基板用の微細加工表面処理液 |
TW091119981A TWI316141B (ja) | 2001-08-31 | 2002-08-30 | |
KR1020047002329A KR100865881B1 (ko) | 2001-08-31 | 2002-09-02 | 다성분을 가지는 글라스 기판용 미세가공 표면처리액 |
CNB028168097A CN1270993C (zh) | 2001-08-31 | 2002-09-02 | 含有多成分的玻璃基板用的微细加工表面处理液 |
US10/488,036 US20070215835A1 (en) | 2001-08-31 | 2002-09-02 | Surface treating fluid for fine processing of multi-component glass substrate |
EP02762954A EP1422203A4 (en) | 2001-08-31 | 2002-09-02 | SURFACE TREATMENT FLUID FOR FINE PROCESSING OF MULTICOMPONENT GLASS SUBSTRATE |
PCT/JP2002/008868 WO2003018501A1 (fr) | 2001-08-31 | 2002-09-02 | Fluide de traitement de surface destine au traitement fin de substrat de verre a plusieurs composants |
US12/505,801 US20090298295A1 (en) | 2001-08-31 | 2009-07-20 | Method for treating surface of a glass substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001265039A JP5197902B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 多成分を有するガラス基板用の微細加工表面処理液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003073144A true JP2003073144A (ja) | 2003-03-12 |
JP5197902B2 JP5197902B2 (ja) | 2013-05-15 |
Family
ID=19091559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001265039A Expired - Fee Related JP5197902B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 多成分を有するガラス基板用の微細加工表面処理液 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20070215835A1 (ja) |
EP (1) | EP1422203A4 (ja) |
JP (1) | JP5197902B2 (ja) |
KR (1) | KR100865881B1 (ja) |
CN (1) | CN1270993C (ja) |
TW (1) | TWI316141B (ja) |
WO (1) | WO2003018501A1 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007032501A1 (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | 中間膜分離液及び中間膜分離方法 |
WO2007032502A1 (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | 暗色セラミックス焼結体の分離用水溶液及び分離方法 |
WO2007032503A1 (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | 導線性セラミックス焼結体の分離用水溶液及び分離方法 |
JP2007098387A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-04-19 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 暗色セラミックス焼結体の分離用水溶液及び分離方法 |
JPWO2008004469A1 (ja) * | 2006-07-03 | 2009-12-03 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス基板の洗浄方法、製造方法およびそれを用いた磁気ディスク |
JP2011150254A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Nsc:Kk | 表示装置の製造方法 |
JP2015523306A (ja) * | 2012-05-31 | 2015-08-13 | コーニング インコーポレイテッド | ウエット酸エッチングにおけるスラッジ制御のための方法 |
JP2016522144A (ja) * | 2013-04-30 | 2016-07-28 | コーニング インコーポレイテッド | 低静電放電フュージョンドローガラスのための表面処理 |
CN111363551A (zh) * | 2020-03-19 | 2020-07-03 | 常州星海电子股份有限公司 | 超大功率光阻玻璃芯片刻蚀用腐蚀液及腐蚀工艺 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5132859B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2013-01-30 | ステラケミファ株式会社 | 多成分を有するガラス基板用の微細加工表面処理液 |
EP1722603B2 (en) | 2004-03-02 | 2021-02-17 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
CN102701596B (zh) * | 2007-12-18 | 2015-11-18 | Hoya株式会社 | 便携式终端用防护玻璃及其制造方法、以及便携式终端装置 |
CN101807004B (zh) * | 2010-03-08 | 2012-07-11 | 彩虹集团电子股份有限公司 | 一种用于彩色显像管网版生产的工作版的制做方法 |
US9315412B2 (en) * | 2011-07-07 | 2016-04-19 | Corning Incorporated | Surface flaw modification for strengthening of glass articles |
US9145469B2 (en) | 2012-09-27 | 2015-09-29 | Ticona Llc | Aromatic polyester containing a biphenyl chain disruptor |
CN106030348B (zh) | 2013-12-19 | 2019-02-01 | 康宁股份有限公司 | 用于显示器应用的织构化表面 |
US9488857B2 (en) | 2014-01-10 | 2016-11-08 | Corning Incorporated | Method of strengthening an edge of a glass substrate |
CN103951270B (zh) * | 2014-04-17 | 2016-10-19 | 苏州凯利昂光电科技有限公司 | 一种tft玻璃薄化预处理方法 |
WO2016003588A1 (en) | 2014-07-01 | 2016-01-07 | Ticona Llc | Laser activatable polymer composition |
CN104445975A (zh) * | 2014-12-01 | 2015-03-25 | 欧浦登(顺昌)光学有限公司 | 一种玻璃局部防眩加工工艺及其产品 |
TW202108536A (zh) * | 2019-06-10 | 2021-03-01 | 美商康寧公司 | 以濕化學減少玻璃靜電電荷 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3753840A (en) * | 1970-01-19 | 1973-08-21 | Glaverbel | Fabrication of curved glass sheets |
JPS52144020A (en) * | 1976-05-26 | 1977-12-01 | Seiko Instr & Electronics | Method of etching glass surface |
JPS5384018A (en) * | 1976-11-22 | 1978-07-25 | Corning Glass Works | Production of durable glass having porous* nonnreflective layer |
JPS5747744A (en) * | 1980-08-30 | 1982-03-18 | Toyo Glass Kk | Etching method for glass |
JPH04185693A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-02 | Hitachi Ltd | 抵抗膜のエッチング液組成物及びそれを使用したエッチング方法 |
JPH07172866A (ja) * | 1990-02-28 | 1995-07-11 | At & T Corp | 艶消仕上面の形成方法 |
US5635463A (en) * | 1995-03-17 | 1997-06-03 | Purex Co., Ltd. | Silicon wafer cleaning fluid with HN03, HF, HCl, surfactant, and water |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES525932A0 (es) * | 1982-10-13 | 1984-11-16 | Saelzle Erich | Metodo de pulir articulos de vidrio |
US5286403A (en) * | 1989-09-29 | 1994-02-15 | Dwyer Michael O | Concentrated cleaning compositions |
JPH06333912A (ja) * | 1993-05-26 | 1994-12-02 | Asahi Glass Co Ltd | フッ酸系エッチング液 |
JPH07215736A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-15 | Hoya Corp | ガラス体表面の化学的研磨法 |
KR100248113B1 (ko) * | 1997-01-21 | 2000-03-15 | 이기원 | 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물 |
JP2001089191A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ディスプレイ用ガラス基板の製造方法及び該製造方法により製造されたディスプレイ用ガラス基板 |
JP2002237030A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 情報記録媒体用基板及びその製造方法 |
JP5132859B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2013-01-30 | ステラケミファ株式会社 | 多成分を有するガラス基板用の微細加工表面処理液 |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001265039A patent/JP5197902B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-08-30 TW TW091119981A patent/TWI316141B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-09-02 WO PCT/JP2002/008868 patent/WO2003018501A1/ja active Application Filing
- 2002-09-02 KR KR1020047002329A patent/KR100865881B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-09-02 US US10/488,036 patent/US20070215835A1/en not_active Abandoned
- 2002-09-02 EP EP02762954A patent/EP1422203A4/en not_active Withdrawn
- 2002-09-02 CN CNB028168097A patent/CN1270993C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-07-20 US US12/505,801 patent/US20090298295A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3753840A (en) * | 1970-01-19 | 1973-08-21 | Glaverbel | Fabrication of curved glass sheets |
JPS52144020A (en) * | 1976-05-26 | 1977-12-01 | Seiko Instr & Electronics | Method of etching glass surface |
JPS5384018A (en) * | 1976-11-22 | 1978-07-25 | Corning Glass Works | Production of durable glass having porous* nonnreflective layer |
JPS5747744A (en) * | 1980-08-30 | 1982-03-18 | Toyo Glass Kk | Etching method for glass |
JPH07172866A (ja) * | 1990-02-28 | 1995-07-11 | At & T Corp | 艶消仕上面の形成方法 |
JPH04185693A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-02 | Hitachi Ltd | 抵抗膜のエッチング液組成物及びそれを使用したエッチング方法 |
US5635463A (en) * | 1995-03-17 | 1997-06-03 | Purex Co., Ltd. | Silicon wafer cleaning fluid with HN03, HF, HCl, surfactant, and water |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8409401B2 (en) | 2005-09-12 | 2013-04-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Separating method for dark ceramics sintered body |
US8246847B2 (en) | 2005-09-12 | 2012-08-21 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Separating method for conductive ceramics sintered body |
WO2007032503A1 (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | 導線性セラミックス焼結体の分離用水溶液及び分離方法 |
JP2007075690A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 導電性セラミックス焼結体の分離用水溶液及び分離方法 |
JP2007098387A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-04-19 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 暗色セラミックス焼結体の分離用水溶液及び分離方法 |
JP5308669B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2013-10-09 | 日本板硝子株式会社 | 中間膜分離方法 |
WO2007032502A1 (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | 暗色セラミックス焼結体の分離用水溶液及び分離方法 |
US8118971B2 (en) | 2005-09-12 | 2012-02-21 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Interlayer film separation method |
WO2007032501A1 (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | 中間膜分離液及び中間膜分離方法 |
JPWO2008004469A1 (ja) * | 2006-07-03 | 2009-12-03 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス基板の洗浄方法、製造方法およびそれを用いた磁気ディスク |
JP2011150254A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Nsc:Kk | 表示装置の製造方法 |
TWI576644B (zh) * | 2010-01-25 | 2017-04-01 | Nsc Co Ltd | A method of manufacturing a display device |
JP2015523306A (ja) * | 2012-05-31 | 2015-08-13 | コーニング インコーポレイテッド | ウエット酸エッチングにおけるスラッジ制御のための方法 |
JP2016522144A (ja) * | 2013-04-30 | 2016-07-28 | コーニング インコーポレイテッド | 低静電放電フュージョンドローガラスのための表面処理 |
CN111363551A (zh) * | 2020-03-19 | 2020-07-03 | 常州星海电子股份有限公司 | 超大功率光阻玻璃芯片刻蚀用腐蚀液及腐蚀工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040036717A (ko) | 2004-04-30 |
CN1549798A (zh) | 2004-11-24 |
CN1270993C (zh) | 2006-08-23 |
US20070215835A1 (en) | 2007-09-20 |
JP5197902B2 (ja) | 2013-05-15 |
KR100865881B1 (ko) | 2008-10-29 |
US20090298295A1 (en) | 2009-12-03 |
EP1422203A1 (en) | 2004-05-26 |
WO2003018501A1 (fr) | 2003-03-06 |
TWI316141B (ja) | 2009-10-21 |
EP1422203A4 (en) | 2009-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003063842A (ja) | 多成分を有するガラス基板用の微細加工表面処理液 | |
JP2003073144A (ja) | 多成分を有するガラス基板用の微細加工表面処理液 | |
JP4069961B2 (ja) | 電子ディスプレイおよび基材の洗浄およびエッチング用組成物 | |
US6284721B1 (en) | Cleaning and etching compositions | |
JP7311477B2 (ja) | 次亜塩素酸イオンを含む半導体ウェハの処理液 | |
CN102628009B (zh) | 清洗液及清洗方法 | |
WO2009157378A1 (ja) | 無アルカリガラス基板のエッチング方法及び表示デバイス | |
KR20070028487A (ko) | 기체 매질로 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법 및 이방법으로 처리된 반도체 웨이퍼 | |
JP2022153481A (ja) | 半導体ウエハ用処理液 | |
JP4367816B2 (ja) | 石英ガラスの表面処理方法 | |
JP2000160367A (ja) | エッチレートが高速化されたエッチング液 | |
JP2002308649A (ja) | 石英ガラス表面のフロスト処理液、その使用方法及び該処理液で処理された石英ガラス | |
JP4978548B2 (ja) | エッチング方法及び半導体デバイス用基板の製造方法 | |
TWI405875B (zh) | 鈦、鋁金屬層積膜之蝕刻液組成物 | |
KR19990075903A (ko) | 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물 | |
JP7582057B2 (ja) | シリコンウェーハの洗浄方法及びシリコンウェーハの製造方法 | |
JP2008216178A (ja) | ふっ化水素酸とけい素化合物を含有する水溶液中のふっ化水素酸の分析方法 | |
JP3400694B2 (ja) | シリコンウエハのエッチング方法 | |
JPH07302789A (ja) | ポリシリコン用エッチング剤、該エッチング剤の製造方法及びポリシリコンのエッチング方法 | |
KR20090020815A (ko) | 실리콘/실리콘산화물의 세정 및 식각 조성물 | |
WO2024004980A1 (ja) | 半導体基板洗浄用組成物、半導体基板の洗浄方法、及び半導体基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110921 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111004 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111007 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121023 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130206 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |