JP2002312043A - ボルテージレギュレータ - Google Patents
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- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/575—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices characterised by the feedback circuit
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
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- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップ面積を増大させることなく、負荷の状
態に応じて応答性を高速にしたり消費電流を抑制したり
することができるボルテージレギュレータを得る。 【解決手段】 通常動作モード時には、第1演算増幅器
4を動作させて、差動増幅回路部21、増幅回路部22
及び出力回路部6の3段の増幅段を備える高速応答性に
優れた構成になるようにし、低消費電流動作モード時に
は、第1演算増幅器4の動作を停止させて第2演算増幅
器5のみを動作させ、差動増幅回路部27及び出力回路
部6の2段の増幅段を備える低消費電流で動作する構成
になるようにした。
態に応じて応答性を高速にしたり消費電流を抑制したり
することができるボルテージレギュレータを得る。 【解決手段】 通常動作モード時には、第1演算増幅器
4を動作させて、差動増幅回路部21、増幅回路部22
及び出力回路部6の3段の増幅段を備える高速応答性に
優れた構成になるようにし、低消費電流動作モード時に
は、第1演算増幅器4の動作を停止させて第2演算増幅
器5のみを動作させ、差動増幅回路部27及び出力回路
部6の2段の増幅段を備える低消費電流で動作する構成
になるようにした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ボルテージレギュ
レータに関し、特に高速動作モードと低消費電流動作モ
ードとの切り替え機能を備えたボルテージレギュレータ
に関する。
レータに関し、特に高速動作モードと低消費電流動作モ
ードとの切り替え機能を備えたボルテージレギュレータ
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ボルテージレギュレータは、リッ
プル除去率(PSRR)や負荷過渡応答性を向上させる
ために消費電流が大きい回路構成を有するものと、高速
応答性を必要としないことから消費電流を抑制した回路
構成を有するものとがあった。携帯電話等のように、通
常の消費電流で動作する動作状態とスリープモード等の
ように低消費電流となる待機状態とを有する機器では、
高速応答性を有するボルテージレギュレータを使用する
と、高速応答性を必要としない待機状態ではボルテージ
レギュレータによる消費電流の無駄が大きかった。
プル除去率(PSRR)や負荷過渡応答性を向上させる
ために消費電流が大きい回路構成を有するものと、高速
応答性を必要としないことから消費電流を抑制した回路
構成を有するものとがあった。携帯電話等のように、通
常の消費電流で動作する動作状態とスリープモード等の
ように低消費電流となる待機状態とを有する機器では、
高速応答性を有するボルテージレギュレータを使用する
と、高速応答性を必要としない待機状態ではボルテージ
レギュレータによる消費電流の無駄が大きかった。
【0003】そこで、図7で示すように、消費電流は大
きいが高速応答性を有する高速動作用のボルテージレギ
ュレータ101と、消費電流を抑制した低速動作用のボ
ルテージレギュレータ102とを備え、各ボルテージレ
ギュレータ101,102を切り替えスイッチ103を
介して負荷110に接続していた。ボルテージレギュレ
ータ101と102は、出力トランジスタ105と10
6のサイズが異なるが同じ構成をなしており、ボルテー
ジレギュレータ101の出力トランジスタ105には、
電流供給能力が大きいトランジスタを使用していた。
きいが高速応答性を有する高速動作用のボルテージレギ
ュレータ101と、消費電流を抑制した低速動作用のボ
ルテージレギュレータ102とを備え、各ボルテージレ
ギュレータ101,102を切り替えスイッチ103を
介して負荷110に接続していた。ボルテージレギュレ
ータ101と102は、出力トランジスタ105と10
6のサイズが異なるが同じ構成をなしており、ボルテー
ジレギュレータ101の出力トランジスタ105には、
電流供給能力が大きいトランジスタを使用していた。
【0004】切り替えスイッチ103は、外部の制御装
置111からの制御信号に応じて、ボルテージレギュレ
ータ101又は102を排他的に負荷110に接続する
ものである。すなわち、制御装置111は、負荷110
が通常の消費電流で動作する場合には、ボルテージレギ
ュレータ101の出力端に負荷110が接続されるよう
に切り替えスイッチ103を制御する。
置111からの制御信号に応じて、ボルテージレギュレ
ータ101又は102を排他的に負荷110に接続する
ものである。すなわち、制御装置111は、負荷110
が通常の消費電流で動作する場合には、ボルテージレギ
ュレータ101の出力端に負荷110が接続されるよう
に切り替えスイッチ103を制御する。
【0005】また、制御装置111は、負荷110が低
消費電流で動作する場合には、ボルテージレギュレータ
102の出力端に負荷110が接続されるように切り替
えスイッチ103を制御する。このようにすることによ
り、負荷110の消費電流に応じてボルテージレギュレ
ータ101と102を選択して使用することで、ボルテ
ージレギュレータで消費される電流を抑制することがで
きる。
消費電流で動作する場合には、ボルテージレギュレータ
102の出力端に負荷110が接続されるように切り替
えスイッチ103を制御する。このようにすることによ
り、負荷110の消費電流に応じてボルテージレギュレ
ータ101と102を選択して使用することで、ボルテ
ージレギュレータで消費される電流を抑制することがで
きる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成では、各ボルテージレギュレータ101,102及び
切り替えスイッチ103を同じ1つの半導体チップ上に
形成する場合、出力トランジスタ105,106はそれ
ぞれ大きなチップ面積を必要とする。更に、切り替えス
イッチ103においても出力トランジスタ105,10
6と同等の電流を流す能力が必要であることから、切り
替えスイッチ103を低抵抗にするために大きなチップ
面積を必要とした。これらのことから、各ボルテージレ
ギュレータ101,102及び切り替えスイッチ103
を1つの半導体チップ上に形成する場合、チップ面積が
増大してコストの増大を招いていた。
成では、各ボルテージレギュレータ101,102及び
切り替えスイッチ103を同じ1つの半導体チップ上に
形成する場合、出力トランジスタ105,106はそれ
ぞれ大きなチップ面積を必要とする。更に、切り替えス
イッチ103においても出力トランジスタ105,10
6と同等の電流を流す能力が必要であることから、切り
替えスイッチ103を低抵抗にするために大きなチップ
面積を必要とした。これらのことから、各ボルテージレ
ギュレータ101,102及び切り替えスイッチ103
を1つの半導体チップ上に形成する場合、チップ面積が
増大してコストの増大を招いていた。
【0007】本発明は、上記のような問題を解決するた
めになされたものであり、チップ面積を増大させること
なく、負荷の状態に応じて応答性を高速にしたり消費電
流を抑制したりすることができるボルテージレギュレー
タを得ることを目的とする。
めになされたものであり、チップ面積を増大させること
なく、負荷の状態に応じて応答性を高速にしたり消費電
流を抑制したりすることができるボルテージレギュレー
タを得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明に係るボルテー
ジレギュレータは、あらかじめ設定された基準電圧を基
に所定の電圧を生成して出力するボルテージレギュレー
タにおいて、該生成して出力された電圧の検出を行い、
該検出した出力電圧に応じた電圧を生成して出力する検
出回路部と、該検出回路部の出力電圧と基準電圧との電
圧比較を行い該比較結果を示す電圧を出力する、外部か
らの制御信号によって動作制御される第1演算増幅器
と、検出回路部の出力電圧と基準電圧との電圧比較を行
い該比較結果を示す電圧を出力する、該第1演算増幅器
よりも消費電流の小さい第2演算増幅器と、第1演算増
幅器及び第2演算増幅器からの出力電圧に応じた電流を
出力する出力トランジスタを有する出力回路部とを備え
るものである。
ジレギュレータは、あらかじめ設定された基準電圧を基
に所定の電圧を生成して出力するボルテージレギュレー
タにおいて、該生成して出力された電圧の検出を行い、
該検出した出力電圧に応じた電圧を生成して出力する検
出回路部と、該検出回路部の出力電圧と基準電圧との電
圧比較を行い該比較結果を示す電圧を出力する、外部か
らの制御信号によって動作制御される第1演算増幅器
と、検出回路部の出力電圧と基準電圧との電圧比較を行
い該比較結果を示す電圧を出力する、該第1演算増幅器
よりも消費電流の小さい第2演算増幅器と、第1演算増
幅器及び第2演算増幅器からの出力電圧に応じた電流を
出力する出力トランジスタを有する出力回路部とを備え
るものである。
【0009】具体的には、上記第1演算増幅器は、外部
からの所定の制御信号が入力されると、電流消費を停止
して動作を停止するようにした。
からの所定の制御信号が入力されると、電流消費を停止
して動作を停止するようにした。
【0010】また、上記第1演算増幅器は、検出回路部
の出力電圧と基準電圧との差動増幅を行って出力する1
対のトランジスタを有する差動増幅回路及び該差動増幅
回路に対して所定のバイアス電流の供給を行う第1定電
流源で構成される差動増幅回路部と、該差動増幅回路部
からの出力電圧を増幅して出力トランジスタの動作制御
を行う増幅用トランジスタ及び該増幅用トランジスタに
電流供給を行う第2定電流源を有し差動増幅回路部の出
力電圧を増幅して出力回路部の出力トランジスタに出力
する増幅回路部と、外部からの制御信号に応じて該増幅
回路部における出力回路部への出力制御を行う出力制御
部と、外部からの制御信号に応じて第1定電流源及び第
2定電流源に対して電流供給動作を停止させる第1及び
第2定電流源制御部とを備えるようにした。
の出力電圧と基準電圧との差動増幅を行って出力する1
対のトランジスタを有する差動増幅回路及び該差動増幅
回路に対して所定のバイアス電流の供給を行う第1定電
流源で構成される差動増幅回路部と、該差動増幅回路部
からの出力電圧を増幅して出力トランジスタの動作制御
を行う増幅用トランジスタ及び該増幅用トランジスタに
電流供給を行う第2定電流源を有し差動増幅回路部の出
力電圧を増幅して出力回路部の出力トランジスタに出力
する増幅回路部と、外部からの制御信号に応じて該増幅
回路部における出力回路部への出力制御を行う出力制御
部と、外部からの制御信号に応じて第1定電流源及び第
2定電流源に対して電流供給動作を停止させる第1及び
第2定電流源制御部とを備えるようにした。
【0011】この場合、上記第1定電流源及び第2定電
流源は、所定の定電圧を生成して出力する定電圧発生回
路部と、該定電圧発生回路部からの定電圧に応じて一定
の電流供給を行う対応するトランジスタとでそれぞれ構
成され、第1及び第2定電流源制御部は、外部からの制
御信号に応じて定電圧発生回路部からの定電圧の該各ト
ランジスタへの入力制御を行う。
流源は、所定の定電圧を生成して出力する定電圧発生回
路部と、該定電圧発生回路部からの定電圧に応じて一定
の電流供給を行う対応するトランジスタとでそれぞれ構
成され、第1及び第2定電流源制御部は、外部からの制
御信号に応じて定電圧発生回路部からの定電圧の該各ト
ランジスタへの入力制御を行う。
【0012】また、上記第2演算増幅器は、検出回路部
の出力電圧と基準電圧との差動増幅を行って出力回路部
の出力トランジスタの動作制御を行う1対のトランジス
タを有する差動増幅回路及び該差動増幅回路に対して所
定のバイアス電流の供給を行う第3定電流源からなる差
動増幅回路部で構成される。
の出力電圧と基準電圧との差動増幅を行って出力回路部
の出力トランジスタの動作制御を行う1対のトランジス
タを有する差動増幅回路及び該差動増幅回路に対して所
定のバイアス電流の供給を行う第3定電流源からなる差
動増幅回路部で構成される。
【0013】一方、上記第2演算増幅器は、外部からの
制御信号によって動作制御され、外部から所定の制御信
号が入力されると、電流消費を停止して動作を停止する
ようにしてもよい。
制御信号によって動作制御され、外部から所定の制御信
号が入力されると、電流消費を停止して動作を停止する
ようにしてもよい。
【0014】また、上記第2演算増幅器は、検出回路部
の出力電圧と基準電圧との差動増幅を行って出力回路部
の出力トランジスタの動作制御を行う1対のトランジス
タを有する差動増幅回路及び該差動増幅回路に対して所
定のバイアス電流の供給を行う第3定電流源で構成され
る差動増幅回路部と、外部からの制御信号に応じて第3
定電流源に対して電流供給動作を停止させる第3定電流
源制御部とを備えるようにした。
の出力電圧と基準電圧との差動増幅を行って出力回路部
の出力トランジスタの動作制御を行う1対のトランジス
タを有する差動増幅回路及び該差動増幅回路に対して所
定のバイアス電流の供給を行う第3定電流源で構成され
る差動増幅回路部と、外部からの制御信号に応じて第3
定電流源に対して電流供給動作を停止させる第3定電流
源制御部とを備えるようにした。
【0015】この場合、上記第3定電流源は、所定の定
電圧を生成して出力する定電圧発生回路部と、該定電圧
発生回路部からの定電圧に応じて一定の電流供給を行う
トランジスタとで構成され、上記第3定電流源制御部
は、外部からの制御信号に応じて定電圧発生回路部から
の定電圧の該トランジスタへの入力制御を行う。
電圧を生成して出力する定電圧発生回路部と、該定電圧
発生回路部からの定電圧に応じて一定の電流供給を行う
トランジスタとで構成され、上記第3定電流源制御部
は、外部からの制御信号に応じて定電圧発生回路部から
の定電圧の該トランジスタへの入力制御を行う。
【0016】また、上記第1演算増幅器及び第2演算増
幅器は、動作を停止する際、他方の演算増幅器が動作を
開始して所定時間経過した後、動作が停止するように外
部からの制御信号が入力されるようにしてもよい。
幅器は、動作を停止する際、他方の演算増幅器が動作を
開始して所定時間経過した後、動作が停止するように外
部からの制御信号が入力されるようにしてもよい。
【0017】
【発明の実施の形態】次に、図面に示す実施の形態に基
づいて、本発明を詳細に説明する。 第1の実施の形態.図1は、本発明の第1の実施の形態
におけるボルテージレギュレータの例を示した概略の構
成図である。
づいて、本発明を詳細に説明する。 第1の実施の形態.図1は、本発明の第1の実施の形態
におけるボルテージレギュレータの例を示した概略の構
成図である。
【0018】図1において、ボルテージレギュレータ1
は、所定の基準電圧VREFを生成して出力する基準電
圧発生回路部2と、出力電圧VOUTの検出を行い該検
出した出力電圧VOUTに応じた電圧VFBを生成して
出力する検出回路部3と、基準電圧VREFと該検出回
路部3からの電圧VFBとの電圧比較を行って該比較結
果を出力する、消費電流は大きいが高速な動作を行うこ
とができる第1演算増幅器4と、同じく基準電圧VRE
Fと電圧VFBとの電圧比較を行って該比較結果を出力
する、消費電流を抑制した第2演算増幅器5とを備えて
いる。
は、所定の基準電圧VREFを生成して出力する基準電
圧発生回路部2と、出力電圧VOUTの検出を行い該検
出した出力電圧VOUTに応じた電圧VFBを生成して
出力する検出回路部3と、基準電圧VREFと該検出回
路部3からの電圧VFBとの電圧比較を行って該比較結
果を出力する、消費電流は大きいが高速な動作を行うこ
とができる第1演算増幅器4と、同じく基準電圧VRE
Fと電圧VFBとの電圧比較を行って該比較結果を出力
する、消費電流を抑制した第2演算増幅器5とを備えて
いる。
【0019】更に、ボルテージレギュレータ1は、第1
演算増幅器4からの出力信号及び第2演算増幅器5から
の出力信号に応じた電流を出力して出力端子OUTから
出力される出力電圧VOUTを一定にする出力回路部6
を備えている。また、検出回路部3は、出力電圧VOU
Tと接地との間に接続された抵抗R1とR2との直列回
路で構成され、出力回路部6は、第1演算増幅器4及び
第2演算増幅器5からの出力電圧に応じた電流を出力す
るドライバトランジスタをなすPチャネル型MOSトラ
ンジスタ(以下、PMOSトランジスタと呼ぶ)QP1
で構成されている。
演算増幅器4からの出力信号及び第2演算増幅器5から
の出力信号に応じた電流を出力して出力端子OUTから
出力される出力電圧VOUTを一定にする出力回路部6
を備えている。また、検出回路部3は、出力電圧VOU
Tと接地との間に接続された抵抗R1とR2との直列回
路で構成され、出力回路部6は、第1演算増幅器4及び
第2演算増幅器5からの出力電圧に応じた電流を出力す
るドライバトランジスタをなすPチャネル型MOSトラ
ンジスタ(以下、PMOSトランジスタと呼ぶ)QP1
で構成されている。
【0020】基準電圧発生回路部2から出力された基準
電圧VREFは、第1演算増幅器4及び第2演算増幅器
5の各反転入力端にそれぞれ印加され、出力電圧VOU
Tを抵抗R1とR2で分圧して得られた電圧VFBは、
第1演算増幅器4及び第2演算増幅器5の各非反転入力
端にそれぞれ印加されている。第1演算増幅器4及び第
2演算増幅器5の各出力電圧は、電源電圧VDDと出力
端子OUTとの間に接続されたPMOSトランジスタQ
P1のゲートにそれぞれ印加されている。また、第1演
算増幅器4は、外部の制御装置10から入力される制御
信号に応じて、動作制御される。すなわち、制御装置1
0は、通常の動作を行う場合は第1演算増幅器4を動作
させ、低消費電流での動作を行う場合は第1演算増幅器
4の電流消費を停止させて動作を停止させる。
電圧VREFは、第1演算増幅器4及び第2演算増幅器
5の各反転入力端にそれぞれ印加され、出力電圧VOU
Tを抵抗R1とR2で分圧して得られた電圧VFBは、
第1演算増幅器4及び第2演算増幅器5の各非反転入力
端にそれぞれ印加されている。第1演算増幅器4及び第
2演算増幅器5の各出力電圧は、電源電圧VDDと出力
端子OUTとの間に接続されたPMOSトランジスタQ
P1のゲートにそれぞれ印加されている。また、第1演
算増幅器4は、外部の制御装置10から入力される制御
信号に応じて、動作制御される。すなわち、制御装置1
0は、通常の動作を行う場合は第1演算増幅器4を動作
させ、低消費電流での動作を行う場合は第1演算増幅器
4の電流消費を停止させて動作を停止させる。
【0021】図2は、図1で示したボルテージレギュレ
ータ1の回路例を示した図である。図2において、第1
演算増幅器4は、基準電圧VREFと該検出回路部3か
らの電圧VFBとの電圧比較を行って該比較結果を出力
する差動増幅回路部21と、該差動増幅回路部21から
出力された上記比較結果を示す電圧を増幅して出力する
増幅回路部22とを備えている。更に、第1演算増幅器
4は、制御装置10からの制御信号に応じて増幅回路部
22の動作を停止させる第1スイッチ23と、制御装置
10からの制御信号に応じて差動増幅回路部21及び増
幅回路部22に流れる電流を遮断する第2スイッチ24
と、所定の定電圧VAを生成して出力する定電圧発生回
路部25を備えている。なお、第1スイッチ23は出力
制御部をなす。
ータ1の回路例を示した図である。図2において、第1
演算増幅器4は、基準電圧VREFと該検出回路部3か
らの電圧VFBとの電圧比較を行って該比較結果を出力
する差動増幅回路部21と、該差動増幅回路部21から
出力された上記比較結果を示す電圧を増幅して出力する
増幅回路部22とを備えている。更に、第1演算増幅器
4は、制御装置10からの制御信号に応じて増幅回路部
22の動作を停止させる第1スイッチ23と、制御装置
10からの制御信号に応じて差動増幅回路部21及び増
幅回路部22に流れる電流を遮断する第2スイッチ24
と、所定の定電圧VAを生成して出力する定電圧発生回
路部25を備えている。なお、第1スイッチ23は出力
制御部をなす。
【0022】また、差動増幅回路部21は、カレントミ
ラー回路を形成するPMOSトランジスタQP2,QP
3と、差動対をなすNチャネル型MOSトランジスタ
(以下、NMOSトランジスタと呼ぶ)QN1,QN2
と、定電流源をなすNMOSトランジスタQN3とで構
成されている。また、増幅回路部22は、PMOSトラ
ンジスタQP4と定電流源をなすNMOSトランジスタ
QN4とで構成されている。NMOSトランジスタQN
3,QN4の各ゲートには、定電圧発生回路部25から
の定電圧VAがそれぞれ印加されている。
ラー回路を形成するPMOSトランジスタQP2,QP
3と、差動対をなすNチャネル型MOSトランジスタ
(以下、NMOSトランジスタと呼ぶ)QN1,QN2
と、定電流源をなすNMOSトランジスタQN3とで構
成されている。また、増幅回路部22は、PMOSトラ
ンジスタQP4と定電流源をなすNMOSトランジスタ
QN4とで構成されている。NMOSトランジスタQN
3,QN4の各ゲートには、定電圧発生回路部25から
の定電圧VAがそれぞれ印加されている。
【0023】差動増幅回路部21において、PMOSト
ランジスタQP2のゲート及びドレイン並びにPMOS
トランジスタQP3のゲートはそれぞれ接続され、PM
OSトランジスタQP2及びQP3の各ソースはそれぞ
れ電源電圧VDDに接続されている。また、PMOSト
ランジスタQP2のドレインは、NMOSトランジスタ
QN1のドレインに接続され、PMOSトランジスタQ
P3のドレインは、NMOSトランジスタQN2のドレ
インに接続されている。
ランジスタQP2のゲート及びドレイン並びにPMOS
トランジスタQP3のゲートはそれぞれ接続され、PM
OSトランジスタQP2及びQP3の各ソースはそれぞ
れ電源電圧VDDに接続されている。また、PMOSト
ランジスタQP2のドレインは、NMOSトランジスタ
QN1のドレインに接続され、PMOSトランジスタQ
P3のドレインは、NMOSトランジスタQN2のドレ
インに接続されている。
【0024】NMOSトランジスタQN1のゲートには
基準電圧発生回路部2からの基準電圧VREFが入力さ
れており、NMOSトランジスタQN2のゲートには、
出力電圧VOUTを抵抗R1とR2で分圧して得られた
電圧VFBが入力されている。更に、NMOSトランジ
スタQN1及びQN2の各ソースは接続され、該接続部
と接地との間にNMOSトランジスタQN3が接続され
ている。NMOSトランジスタQN3のゲートには、第
2スイッチ24を介して定電圧発生回路部25からの定
電圧VAが印加されていることから、NMOSトランジ
スタQN3は、定電圧発生回路部25と共に定電流源と
して動作する。なお、NMOSトランジスタQN3及び
定電圧発生回路部25は、第1定電流源をなす。
基準電圧発生回路部2からの基準電圧VREFが入力さ
れており、NMOSトランジスタQN2のゲートには、
出力電圧VOUTを抵抗R1とR2で分圧して得られた
電圧VFBが入力されている。更に、NMOSトランジ
スタQN1及びQN2の各ソースは接続され、該接続部
と接地との間にNMOSトランジスタQN3が接続され
ている。NMOSトランジスタQN3のゲートには、第
2スイッチ24を介して定電圧発生回路部25からの定
電圧VAが印加されていることから、NMOSトランジ
スタQN3は、定電圧発生回路部25と共に定電流源と
して動作する。なお、NMOSトランジスタQN3及び
定電圧発生回路部25は、第1定電流源をなす。
【0025】次に、増幅回路部22において、電源電圧
VDDと接地との間にPMOSトランジスタQP4とN
MOSトランジスタQN4が直列に接続されている。P
MOSトランジスタQP4のゲートは、差動増幅回路部
21におけるPMOSトランジスタQP3とNMOSト
ランジスタQN2との接続部に接続されている。更に、
PMOSトランジスタQP4のゲートと電源電圧VDD
との間には第1スイッチ23が接続されている。また、
NMOSトランジスタQN4のゲートには、第2スイッ
チ24を介して定電圧発生回路部25からの定電圧VA
が印加されていることから、NMOSトランジスタQN
4は、定電圧発生回路部25と共に定電流源として動作
する。なお、NMOSトランジスタQN4及び定電圧発
生回路部25は、第2定電流源をなし、第2スイッチ2
4は、第1及び第2定電流源制御部をなす。
VDDと接地との間にPMOSトランジスタQP4とN
MOSトランジスタQN4が直列に接続されている。P
MOSトランジスタQP4のゲートは、差動増幅回路部
21におけるPMOSトランジスタQP3とNMOSト
ランジスタQN2との接続部に接続されている。更に、
PMOSトランジスタQP4のゲートと電源電圧VDD
との間には第1スイッチ23が接続されている。また、
NMOSトランジスタQN4のゲートには、第2スイッ
チ24を介して定電圧発生回路部25からの定電圧VA
が印加されていることから、NMOSトランジスタQN
4は、定電圧発生回路部25と共に定電流源として動作
する。なお、NMOSトランジスタQN4及び定電圧発
生回路部25は、第2定電流源をなし、第2スイッチ2
4は、第1及び第2定電流源制御部をなす。
【0026】一方、出力回路部6のPMOSトランジス
タQP1において、ゲートは、増幅回路部22のPMO
SトランジスタQP4とNMOSトランジスタQN4と
の接続部に接続され、ソースは、電源電圧VDDに接続
されている。また、PMOSトランジスタQP1のドレ
インと接地との間には、検出回路部3の抵抗R1とR2
の直列回路が接続されている。また、PMOSトランジ
スタQP1のドレインがボルテージレギュレータ1の出
力端子OUTに接続され、該出力端子OUTと接地との
間に負荷(図示せず)が接続される。
タQP1において、ゲートは、増幅回路部22のPMO
SトランジスタQP4とNMOSトランジスタQN4と
の接続部に接続され、ソースは、電源電圧VDDに接続
されている。また、PMOSトランジスタQP1のドレ
インと接地との間には、検出回路部3の抵抗R1とR2
の直列回路が接続されている。また、PMOSトランジ
スタQP1のドレインがボルテージレギュレータ1の出
力端子OUTに接続され、該出力端子OUTと接地との
間に負荷(図示せず)が接続される。
【0027】次に、第2演算増幅器5は、定電圧発生回
路部25と、基準電圧VREFと該検出回路部3からの
電圧VFBとの電圧比較を行って該比較結果を出力する
差動増幅回路部27とを備えている。このことから、定
電圧発生回路部25は、第1演算増幅器4及び第2演算
増幅器5で共有されている。差動増幅回路部27は、カ
レントミラー回路を形成するPMOSトランジスタQP
11,QP12と、差動対をなすNMOSトランジスタ
QN11,QN12と、定電流源をなすNMOSトラン
ジスタQN13とで構成されている。
路部25と、基準電圧VREFと該検出回路部3からの
電圧VFBとの電圧比較を行って該比較結果を出力する
差動増幅回路部27とを備えている。このことから、定
電圧発生回路部25は、第1演算増幅器4及び第2演算
増幅器5で共有されている。差動増幅回路部27は、カ
レントミラー回路を形成するPMOSトランジスタQP
11,QP12と、差動対をなすNMOSトランジスタ
QN11,QN12と、定電流源をなすNMOSトラン
ジスタQN13とで構成されている。
【0028】差動増幅回路部27において、PMOSト
ランジスタQP11のゲート並びにPMOSトランジス
タQP12のゲート及びドレインはそれぞれ接続され、
PMOSトランジスタQP11及びQP12の各ソース
はそれぞれ電源電圧VDDに接続されている。また、P
MOSトランジスタQP11のドレインは、NMOSト
ランジスタQN11のドレインに接続され、該接続部は
出力回路部6のPMOSトランジスタQP1のゲートに
接続されている。更に、PMOSトランジスタQP12
のドレインは、NMOSトランジスタQN12のドレイ
ンに接続されている。
ランジスタQP11のゲート並びにPMOSトランジス
タQP12のゲート及びドレインはそれぞれ接続され、
PMOSトランジスタQP11及びQP12の各ソース
はそれぞれ電源電圧VDDに接続されている。また、P
MOSトランジスタQP11のドレインは、NMOSト
ランジスタQN11のドレインに接続され、該接続部は
出力回路部6のPMOSトランジスタQP1のゲートに
接続されている。更に、PMOSトランジスタQP12
のドレインは、NMOSトランジスタQN12のドレイ
ンに接続されている。
【0029】NMOSトランジスタQN11のゲートに
は基準電圧発生回路部2からの基準電圧VREFが入力
されており、NMOSトランジスタQN12のゲートに
は、電圧VFBが入力されている。更に、NMOSトラ
ンジスタQN11及びQN12の各ソースは接続され、
該接続部と接地との間にNMOSトランジスタQN13
が接続されている。NMOSトランジスタQN13のゲ
ートには、定電圧発生回路部25からの定電圧VAが印
加されていることから、NMOSトランジスタQN13
は、定電圧発生回路部25と共に定電流源として動作す
る。
は基準電圧発生回路部2からの基準電圧VREFが入力
されており、NMOSトランジスタQN12のゲートに
は、電圧VFBが入力されている。更に、NMOSトラ
ンジスタQN11及びQN12の各ソースは接続され、
該接続部と接地との間にNMOSトランジスタQN13
が接続されている。NMOSトランジスタQN13のゲ
ートには、定電圧発生回路部25からの定電圧VAが印
加されていることから、NMOSトランジスタQN13
は、定電圧発生回路部25と共に定電流源として動作す
る。
【0030】このような構成において、通常動作モード
時には、制御装置10は、第1スイッチ23をオフさせ
てPMOSトランジスタQP4のゲートへの電源電圧V
DDの印加を遮断すると共に、第2スイッチ24に対し
て、NMOSトランジスタQN3及びQN4の各ゲート
に定電圧VAがそれぞれ印加されるようにスイッチング
させる。このように、通常動作モード時には、ボルテー
ジレギュレータ1は、第1演算増幅器4における差動増
幅回路部21及び増幅回路部22並びに出力回路部6と
いった3段の増幅段を備えたレギュレータをなし、NM
OSトランジスタQN3及びQN4の各定電流源には合
わせて数十μAの電流が流れ、高速な応答性を有する構
成となる。
時には、制御装置10は、第1スイッチ23をオフさせ
てPMOSトランジスタQP4のゲートへの電源電圧V
DDの印加を遮断すると共に、第2スイッチ24に対し
て、NMOSトランジスタQN3及びQN4の各ゲート
に定電圧VAがそれぞれ印加されるようにスイッチング
させる。このように、通常動作モード時には、ボルテー
ジレギュレータ1は、第1演算増幅器4における差動増
幅回路部21及び増幅回路部22並びに出力回路部6と
いった3段の増幅段を備えたレギュレータをなし、NM
OSトランジスタQN3及びQN4の各定電流源には合
わせて数十μAの電流が流れ、高速な応答性を有する構
成となる。
【0031】このため、通常動作モード時では、差動増
幅回路部21において、基準電圧VREFと電圧VFB
が釣り合っている状態から、何らかの原因で出力電圧V
OUTが低下した場合、NMOSトランジスタQN2の
ドレイン電流は、NMOSトランジスタQN1のドレイ
ン電流よりも低下する。このため、増幅回路部22にお
けるPMOSトランジスタQP4のゲート電圧は上昇
し、出力回路部6におけるPMOSトランジスタQP1
のゲート電圧が低下してPMOSトランジスタQP1の
電流駆動能力が大きくなり、出力電圧VOUTを上昇さ
せることができる。
幅回路部21において、基準電圧VREFと電圧VFB
が釣り合っている状態から、何らかの原因で出力電圧V
OUTが低下した場合、NMOSトランジスタQN2の
ドレイン電流は、NMOSトランジスタQN1のドレイ
ン電流よりも低下する。このため、増幅回路部22にお
けるPMOSトランジスタQP4のゲート電圧は上昇
し、出力回路部6におけるPMOSトランジスタQP1
のゲート電圧が低下してPMOSトランジスタQP1の
電流駆動能力が大きくなり、出力電圧VOUTを上昇さ
せることができる。
【0032】次に、差動増幅回路部21において、基準
電圧VREFと分圧電圧VFBが釣り合っている状態か
ら、何らかの原因で出力電圧VOUTが上昇した場合、
NMOSトランジスタQN2のドレイン電流は、NMO
SトランジスタQN1のドレイン電流よりも増加する。
このため、増幅回路部22におけるPMOSトランジス
タQP4のゲート電圧は低下し、出力回路部6における
PMOSトランジスタQP1のゲート電圧が上昇してP
MOSトランジスタQP1の電流駆動能力が小さくなる
ことにより、出力電圧VOUTを低下させることができ
る。このようにして、ボルテージレギュレータ1は、出
力電圧VOUTを所定の電圧で一定にすることができ
る。
電圧VREFと分圧電圧VFBが釣り合っている状態か
ら、何らかの原因で出力電圧VOUTが上昇した場合、
NMOSトランジスタQN2のドレイン電流は、NMO
SトランジスタQN1のドレイン電流よりも増加する。
このため、増幅回路部22におけるPMOSトランジス
タQP4のゲート電圧は低下し、出力回路部6における
PMOSトランジスタQP1のゲート電圧が上昇してP
MOSトランジスタQP1の電流駆動能力が小さくなる
ことにより、出力電圧VOUTを低下させることができ
る。このようにして、ボルテージレギュレータ1は、出
力電圧VOUTを所定の電圧で一定にすることができ
る。
【0033】これに対して、低消費電流動作モード時に
は、制御装置10は、第1スイッチ23をオンさせてP
MOSトランジスタQP4のゲートに電源電圧VDDを
印加させると共に、第2スイッチ24に対して、NMO
SトランジスタQN3及びQN4の各ゲートをそれぞれ
接地するようにスイッチングさせる。このように、低消
費電流動作モード時には、ボルテージレギュレータ1
は、第2演算増幅器5における差動増幅回路部27及び
出力回路部6といった2段の増幅段を備えたレギュレー
タをなす。この場合、NMOSトランジスタQN13の
ゲートサイズを調整することにより、定電流源をなすN
MOSトランジスタQN13に流れる電流を数μAに抑
制することができ、ボルテージレギュレータ1の消費電
流を低下させることができる。
は、制御装置10は、第1スイッチ23をオンさせてP
MOSトランジスタQP4のゲートに電源電圧VDDを
印加させると共に、第2スイッチ24に対して、NMO
SトランジスタQN3及びQN4の各ゲートをそれぞれ
接地するようにスイッチングさせる。このように、低消
費電流動作モード時には、ボルテージレギュレータ1
は、第2演算増幅器5における差動増幅回路部27及び
出力回路部6といった2段の増幅段を備えたレギュレー
タをなす。この場合、NMOSトランジスタQN13の
ゲートサイズを調整することにより、定電流源をなすN
MOSトランジスタQN13に流れる電流を数μAに抑
制することができ、ボルテージレギュレータ1の消費電
流を低下させることができる。
【0034】このため、低消費電流動作モード時では、
差動増幅回路部27において、基準電圧VREFと電圧
VFBが釣り合っている状態から、何らかの原因で出力
電圧VOUTが低下した場合、NMOSトランジスタQ
N12のドレイン電流は、NMOSトランジスタQN1
1のドレイン電流よりも低下する。このため、出力回路
部6におけるPMOSトランジスタQP1のゲート電圧
は低下してPMOSトランジスタQP1の電流駆動能力
が大きくなり、出力電圧VOUTを上昇させることがで
きる。
差動増幅回路部27において、基準電圧VREFと電圧
VFBが釣り合っている状態から、何らかの原因で出力
電圧VOUTが低下した場合、NMOSトランジスタQ
N12のドレイン電流は、NMOSトランジスタQN1
1のドレイン電流よりも低下する。このため、出力回路
部6におけるPMOSトランジスタQP1のゲート電圧
は低下してPMOSトランジスタQP1の電流駆動能力
が大きくなり、出力電圧VOUTを上昇させることがで
きる。
【0035】次に、差動増幅回路部27において、基準
電圧VREFと分圧電圧VFBが釣り合っている状態か
ら、何らかの原因で出力電圧VOUTが上昇した場合、
NMOSトランジスタQN12のドレイン電流は、NM
OSトランジスタQN11のドレイン電流よりも増加す
る。このため、出力回路部6におけるPMOSトランジ
スタQP1のゲート電圧は上昇してPMOSトランジス
タQP1の電流駆動能力が小さくなり、出力電圧VOU
Tを低下させることができる。このようにして、ボルテ
ージレギュレータ1は、出力電圧VOUTを所定の電圧
で一定にすることができる。
電圧VREFと分圧電圧VFBが釣り合っている状態か
ら、何らかの原因で出力電圧VOUTが上昇した場合、
NMOSトランジスタQN12のドレイン電流は、NM
OSトランジスタQN11のドレイン電流よりも増加す
る。このため、出力回路部6におけるPMOSトランジ
スタQP1のゲート電圧は上昇してPMOSトランジス
タQP1の電流駆動能力が小さくなり、出力電圧VOU
Tを低下させることができる。このようにして、ボルテ
ージレギュレータ1は、出力電圧VOUTを所定の電圧
で一定にすることができる。
【0036】ここで、第2演算増幅器5の差動増幅回路
部27は、通常の動作を行う通常動作モードの場合及び
低消費電流での動作を行う低消費電流動作モードの場合
のいずれにおいても動作する。しかし、通常動作モード
時では、第1演算増幅器4が動作し、第1演算増幅器4
の方がPMOSトランジスタQP1のゲートを駆動する
能力が高いため、第2演算増幅器5が動作することによ
る影響はほとんどない。また、通常動作モードから低消
費電流動作モードに切り替わる際に、第2演算増幅器5
が動作していないと応答性が悪いためリンギング波形が
出力されるが、第2演算増幅器5を常時動作させること
によって、該リンギング波形の出力を防止することがで
きる。
部27は、通常の動作を行う通常動作モードの場合及び
低消費電流での動作を行う低消費電流動作モードの場合
のいずれにおいても動作する。しかし、通常動作モード
時では、第1演算増幅器4が動作し、第1演算増幅器4
の方がPMOSトランジスタQP1のゲートを駆動する
能力が高いため、第2演算増幅器5が動作することによ
る影響はほとんどない。また、通常動作モードから低消
費電流動作モードに切り替わる際に、第2演算増幅器5
が動作していないと応答性が悪いためリンギング波形が
出力されるが、第2演算増幅器5を常時動作させること
によって、該リンギング波形の出力を防止することがで
きる。
【0037】なお、図2では、第1スイッチ23を電源
電圧VDDとPMOSトランジスタQP4のゲートとの
間に設けたが、図3のように、PMOSトランジスタQ
P4とNMOSトランジスタQN4との接続部と、出力
回路部6のPMOSトランジスタQP1のゲートとの間
に設けるようにしてもよい。この場合、制御装置10
は、通常動作モード時には第1スイッチ23をオンさせ
て導通状態にし、低消費電流動作モード時には第1スイ
ッチ23をオフさせて遮断状態にする。
電圧VDDとPMOSトランジスタQP4のゲートとの
間に設けたが、図3のように、PMOSトランジスタQ
P4とNMOSトランジスタQN4との接続部と、出力
回路部6のPMOSトランジスタQP1のゲートとの間
に設けるようにしてもよい。この場合、制御装置10
は、通常動作モード時には第1スイッチ23をオンさせ
て導通状態にし、低消費電流動作モード時には第1スイ
ッチ23をオフさせて遮断状態にする。
【0038】更に、第1スイッチ23を、図4のよう
に、電源電圧VDDとPMOSトランジスタQP4のソ
ースとの間に設けるようにしてもよく、第1スイッチ2
3は、増幅回路部22におけるPMOSトランジスタQ
P1のゲートへの信号の出力を遮断できる位置に設ける
ようにすればよい。この場合においても、制御装置10
は、通常動作モード時には第1スイッチ23をオンさせ
て導通状態にし、低消費電流動作モード時には第1スイ
ッチ23をオフさせて遮断状態にする。図3及び図4で
は、図2と異なる部分のみを示しており、その他の部分
は省略している。
に、電源電圧VDDとPMOSトランジスタQP4のソ
ースとの間に設けるようにしてもよく、第1スイッチ2
3は、増幅回路部22におけるPMOSトランジスタQ
P1のゲートへの信号の出力を遮断できる位置に設ける
ようにすればよい。この場合においても、制御装置10
は、通常動作モード時には第1スイッチ23をオンさせ
て導通状態にし、低消費電流動作モード時には第1スイ
ッチ23をオフさせて遮断状態にする。図3及び図4で
は、図2と異なる部分のみを示しており、その他の部分
は省略している。
【0039】上記のように、本第1の実施の形態におけ
るボルテージレギュレータは、通常動作モード時には、
第1演算増幅器4を動作させて、差動増幅回路部21、
増幅回路部22及び出力回路部6の3段の増幅段を備え
る高速応答性に優れた構成をなし、低消費電流動作モー
ド時には、第1演算増幅器4の動作を停止させて第2演
算増幅器5のみを動作させ、差動増幅回路部27及び出
力回路部6の2段の増幅段を備える低消費電流で動作す
る構成をなすようにした。このことから、負荷の状態に
応じて応答性を高速にしたり消費電流を抑制したりする
ことができると共に、チップ面積の増大を招く出力回路
部のドライバトランジスタを共有させることができるた
め、チップ面積を小さくしてコストの低減を図ることが
できる。
るボルテージレギュレータは、通常動作モード時には、
第1演算増幅器4を動作させて、差動増幅回路部21、
増幅回路部22及び出力回路部6の3段の増幅段を備え
る高速応答性に優れた構成をなし、低消費電流動作モー
ド時には、第1演算増幅器4の動作を停止させて第2演
算増幅器5のみを動作させ、差動増幅回路部27及び出
力回路部6の2段の増幅段を備える低消費電流で動作す
る構成をなすようにした。このことから、負荷の状態に
応じて応答性を高速にしたり消費電流を抑制したりする
ことができると共に、チップ面積の増大を招く出力回路
部のドライバトランジスタを共有させることができるた
め、チップ面積を小さくしてコストの低減を図ることが
できる。
【0040】なお、上記第1の実施の形態では、1段の
増幅回路部22を設けた場合を例にして説明したが、こ
れは一例であり、複数段の増幅回路部を設けるようにし
て、該各増幅回路部は制御装置10によって電流消費の
停止制御が行われるようにする。この場合、各増幅回路
部が増幅回路部22と同様の構成であるならば、各増幅
回路部の定電流源をなすNMOSトランジスタのそれぞ
れのゲートは、第2スイッチ24を介して定電圧VAが
印加されるようにする。
増幅回路部22を設けた場合を例にして説明したが、こ
れは一例であり、複数段の増幅回路部を設けるようにし
て、該各増幅回路部は制御装置10によって電流消費の
停止制御が行われるようにする。この場合、各増幅回路
部が増幅回路部22と同様の構成であるならば、各増幅
回路部の定電流源をなすNMOSトランジスタのそれぞ
れのゲートは、第2スイッチ24を介して定電圧VAが
印加されるようにする。
【0041】第2の実施の形態.上記第1の実施の形態
では、第2演算増幅器5は常に動作するようにしたが、
更に低消費電流化を行うために通常動作モード時には第
2演算増幅器5の動作を停止させて電流を消費しないよ
うにしてもよく、このようにしたものを本発明の第2の
実施の形態とする。図5は、本発明の第2の実施の形態
におけるボルテージレギュレータの例を示した概略の構
成図である。なお、図5では、図1と同じものは同じ符
号で示しており、ここではその説明を省略すると共に図
1との相違点のみ説明する。
では、第2演算増幅器5は常に動作するようにしたが、
更に低消費電流化を行うために通常動作モード時には第
2演算増幅器5の動作を停止させて電流を消費しないよ
うにしてもよく、このようにしたものを本発明の第2の
実施の形態とする。図5は、本発明の第2の実施の形態
におけるボルテージレギュレータの例を示した概略の構
成図である。なお、図5では、図1と同じものは同じ符
号で示しており、ここではその説明を省略すると共に図
1との相違点のみ説明する。
【0042】図5における図1との相違点は、通常動作
モード時には、図1の第2演算増幅器5が制御装置10
からの制御信号によって動作を停止して電流を消費しな
いようにしたことにあり、これに伴って、図1の第2演
算増幅器5を第2演算増幅器5aにし、図1のボルテー
ジレギュレータ1をボルテージレギュレータ1aにし
た。図5において、ボルテージレギュレータ1aは、基
準電圧発生回路部2と、検出回路部3と、第1演算増幅
器4と、基準電圧VREFと電圧VFBとの電圧比較を
行って該比較結果を出力する、消費電流を抑制した第2
演算増幅器5aと、出力回路部6とを備えている。
モード時には、図1の第2演算増幅器5が制御装置10
からの制御信号によって動作を停止して電流を消費しな
いようにしたことにあり、これに伴って、図1の第2演
算増幅器5を第2演算増幅器5aにし、図1のボルテー
ジレギュレータ1をボルテージレギュレータ1aにし
た。図5において、ボルテージレギュレータ1aは、基
準電圧発生回路部2と、検出回路部3と、第1演算増幅
器4と、基準電圧VREFと電圧VFBとの電圧比較を
行って該比較結果を出力する、消費電流を抑制した第2
演算増幅器5aと、出力回路部6とを備えている。
【0043】基準電圧発生回路部2から出力された基準
電圧VREFは、第2演算増幅器5aの反転入力端に印
加され、電圧VFBは、第2演算増幅器5aの非反転入
力端に印加されている。更に、第2演算増幅器5aの出
力電圧は、出力回路部6におけるPMOSトランジスタ
QP1のゲートに印加されている。また、第2演算増幅
器5aは、外部の制御装置10から入力される制御信号
に応じて、動作制御される。すなわち、制御装置10
は、通常の動作を行う場合は第2演算増幅器5aの動作
を停止させて第2演算増幅器5aが電流を消費しないよ
うにし、低消費電流での動作を行う場合は第2演算増幅
器5aを動作させる。
電圧VREFは、第2演算増幅器5aの反転入力端に印
加され、電圧VFBは、第2演算増幅器5aの非反転入
力端に印加されている。更に、第2演算増幅器5aの出
力電圧は、出力回路部6におけるPMOSトランジスタ
QP1のゲートに印加されている。また、第2演算増幅
器5aは、外部の制御装置10から入力される制御信号
に応じて、動作制御される。すなわち、制御装置10
は、通常の動作を行う場合は第2演算増幅器5aの動作
を停止させて第2演算増幅器5aが電流を消費しないよ
うにし、低消費電流での動作を行う場合は第2演算増幅
器5aを動作させる。
【0044】この際、制御装置10は、低消費電流動作
から通常動作に移行させる場合、第2演算増幅器5aの
動作を直ちに停止させるのではなく、第1演算増幅器4
を動作させてから所定の時間、例えば数μsecから数
十μsec経過した後に、第2演算増幅器5aの動作を
停止させる。更に、制御装置10は、通常動作から低消
費電流動作に移行させる場合、第1演算増幅器4の動作
を直ちに停止させるのではなく、第2演算増幅器5aを
動作させてから所定の時間、例えば数μsecから数十
μsec経過した後に、第1演算増幅器4の動作を停止
させる。このようにすることにより、動作モードを切り
替える際に、リンギング波形が出力されることを防止で
きる。
から通常動作に移行させる場合、第2演算増幅器5aの
動作を直ちに停止させるのではなく、第1演算増幅器4
を動作させてから所定の時間、例えば数μsecから数
十μsec経過した後に、第2演算増幅器5aの動作を
停止させる。更に、制御装置10は、通常動作から低消
費電流動作に移行させる場合、第1演算増幅器4の動作
を直ちに停止させるのではなく、第2演算増幅器5aを
動作させてから所定の時間、例えば数μsecから数十
μsec経過した後に、第1演算増幅器4の動作を停止
させる。このようにすることにより、動作モードを切り
替える際に、リンギング波形が出力されることを防止で
きる。
【0045】図6は、図1で示したボルテージレギュレ
ータ1aの回路例を示した図である。なお、図6では、
図2と同じものは同じ符号で示しており、ここではその
説明を省略すると共に図2との相違点のみ説明する。図
6における図2との相違点は、図2の定電圧発生回路部
25とNMOSトランジスタQN13のゲートとの間
に、制御装置10によって動作制御される第3スイッチ
31を設けたことにある。
ータ1aの回路例を示した図である。なお、図6では、
図2と同じものは同じ符号で示しており、ここではその
説明を省略すると共に図2との相違点のみ説明する。図
6における図2との相違点は、図2の定電圧発生回路部
25とNMOSトランジスタQN13のゲートとの間
に、制御装置10によって動作制御される第3スイッチ
31を設けたことにある。
【0046】図6において、第2演算増幅器5aは、基
準電圧VREFと該検出回路部3からの電圧VFBとの
電圧比較を行って該比較結果を出力する差動増幅回路部
27と、制御装置10からの制御信号に応じて差動増幅
回路部27に流れる電流を遮断する第3スイッチ31と
を備えている。NMOSトランジスタQN13のゲート
には、第3スイッチ31を介して定電圧発生回路部25
からの定電圧VAが印加されることから、NMOSトラ
ンジスタQN13は、定電流源として動作する。なお、
NMOSトランジスタ13及び定電圧発生回路部25
は、第3定電流源をなし、第3スイッチ31は、第3定
電流源制御部をなす。
準電圧VREFと該検出回路部3からの電圧VFBとの
電圧比較を行って該比較結果を出力する差動増幅回路部
27と、制御装置10からの制御信号に応じて差動増幅
回路部27に流れる電流を遮断する第3スイッチ31と
を備えている。NMOSトランジスタQN13のゲート
には、第3スイッチ31を介して定電圧発生回路部25
からの定電圧VAが印加されることから、NMOSトラ
ンジスタQN13は、定電流源として動作する。なお、
NMOSトランジスタ13及び定電圧発生回路部25
は、第3定電流源をなし、第3スイッチ31は、第3定
電流源制御部をなす。
【0047】このような構成において、低消費電流動作
モードから通常動作モードに移行させる場合には、制御
装置10は、第1スイッチ23をオフさせると共に、第
2スイッチ24に対して、NMOSトランジスタQN3
及びQN4の各ゲートに定電圧VAがそれぞれ印加され
るようにスイッチングさせる。このようにしてから、所
定の時間が経過した後、制御装置10は、第3スイッチ
31に対して、NMOSトランジスタQN13のゲート
を接地するようにスイッチングさせる。このようにする
ことにより、通常動作モード時において、第2演算増幅
器5aで消費される電流をなくすことができる。
モードから通常動作モードに移行させる場合には、制御
装置10は、第1スイッチ23をオフさせると共に、第
2スイッチ24に対して、NMOSトランジスタQN3
及びQN4の各ゲートに定電圧VAがそれぞれ印加され
るようにスイッチングさせる。このようにしてから、所
定の時間が経過した後、制御装置10は、第3スイッチ
31に対して、NMOSトランジスタQN13のゲート
を接地するようにスイッチングさせる。このようにする
ことにより、通常動作モード時において、第2演算増幅
器5aで消費される電流をなくすことができる。
【0048】次に、通常動作モードから低消費電流動作
モードに移行させる場合には、制御装置10は、第3ス
イッチ31に対して、NMOSトランジスタQN13の
ゲートに定電圧VAが印加されるようにスイッチングさ
せる。このようにしてから所定の時間が経過した後、制
御装置10は、第1スイッチ23をオンさせると共に、
第2スイッチ24に対して、NMOSトランジスタQN
3及びQN4の各ゲートをそれぞれ接地するようにスイ
ッチングさせる。このようにしてから、所定の時間が経
過した後、制御装置10は、第3スイッチ31に対し
て、NMOSトランジスタQN13のゲートに定電圧V
Aが印加されるようにスイッチングさせる。
モードに移行させる場合には、制御装置10は、第3ス
イッチ31に対して、NMOSトランジスタQN13の
ゲートに定電圧VAが印加されるようにスイッチングさ
せる。このようにしてから所定の時間が経過した後、制
御装置10は、第1スイッチ23をオンさせると共に、
第2スイッチ24に対して、NMOSトランジスタQN
3及びQN4の各ゲートをそれぞれ接地するようにスイ
ッチングさせる。このようにしてから、所定の時間が経
過した後、制御装置10は、第3スイッチ31に対し
て、NMOSトランジスタQN13のゲートに定電圧V
Aが印加されるようにスイッチングさせる。
【0049】上記のように、本第2の実施の形態におけ
るボルテージレギュレータは、通常動作モード時には、
第2演算増幅器5aの動作を停止させると共に第2演算
増幅器5aで消費される電流をなくすようにした。この
ことから、上記第1の実施の形態と同様の効果を得るこ
とができると共に、通常動作モード時におけるボルテー
ジレギュレータの消費電流を低下させることができる。
るボルテージレギュレータは、通常動作モード時には、
第2演算増幅器5aの動作を停止させると共に第2演算
増幅器5aで消費される電流をなくすようにした。この
ことから、上記第1の実施の形態と同様の効果を得るこ
とができると共に、通常動作モード時におけるボルテー
ジレギュレータの消費電流を低下させることができる。
【0050】なお、上記第2の実施の形態では、第1の
実施の形態における図2の場合を例にして説明したが、
第1の実施の形態における図3及び図4の場合において
も適用できることは言うまでもなく、図3及び図4に適
用した場合も同様であるのでその説明を省略する。ま
た、上記第1の実施の形態における第1スイッチ23及
び第2スイッチ24、並びに上記第2の実施の形態にお
ける第3スイッチ31は、電子回路で形成されたスイッ
チ回路であるが、機械的な接点を有するスイッチであっ
てもよい。
実施の形態における図2の場合を例にして説明したが、
第1の実施の形態における図3及び図4の場合において
も適用できることは言うまでもなく、図3及び図4に適
用した場合も同様であるのでその説明を省略する。ま
た、上記第1の実施の形態における第1スイッチ23及
び第2スイッチ24、並びに上記第2の実施の形態にお
ける第3スイッチ31は、電子回路で形成されたスイッ
チ回路であるが、機械的な接点を有するスイッチであっ
てもよい。
【0051】
【発明の効果】上記の説明から明らかなように、本発明
のボルテージレギュレータによれば、通常動作モード時
には、第1演算増幅器を動作させて高速応答性に優れた
構成になるようにし、低消費電流動作モード時には、第
1演算増幅器の動作を停止させて第2演算増幅器のみを
動作させて低消費電流で動作する構成になるようにし
た。このことから、負荷の状態に応じて応答性を高速に
したり消費電流を抑制したりすることができると共に、
チップ面積の増大を招く出力回路部のドライバトランジ
スタを共有させることができるため、チップ面積を小さ
くしてコストの低減を図ることができる。
のボルテージレギュレータによれば、通常動作モード時
には、第1演算増幅器を動作させて高速応答性に優れた
構成になるようにし、低消費電流動作モード時には、第
1演算増幅器の動作を停止させて第2演算増幅器のみを
動作させて低消費電流で動作する構成になるようにし
た。このことから、負荷の状態に応じて応答性を高速に
したり消費電流を抑制したりすることができると共に、
チップ面積の増大を招く出力回路部のドライバトランジ
スタを共有させることができるため、チップ面積を小さ
くしてコストの低減を図ることができる。
【0052】具体的には、上記第1演算増幅器は、外部
からの所定の制御信号が入力されると、電流消費を停止
して動作を停止するようにした。このことから、低消費
電流動作モード時に、第1演算増幅器の電流消費を停止
させて第1演算増幅器よりも消費電流の小さい第2演算
増幅器のみを動作させることによって確実に消費電流を
低減させることができると共に、第2演算増幅器を常時
動作させることによって、リンギング波形の出力を防止
することができる。
からの所定の制御信号が入力されると、電流消費を停止
して動作を停止するようにした。このことから、低消費
電流動作モード時に、第1演算増幅器の電流消費を停止
させて第1演算増幅器よりも消費電流の小さい第2演算
増幅器のみを動作させることによって確実に消費電流を
低減させることができると共に、第2演算増幅器を常時
動作させることによって、リンギング波形の出力を防止
することができる。
【0053】また、第1演算増幅器が動作すると、差動
増幅回路部、増幅回路部及び出力回路部の3段の増幅段
を備えた構成になるようにしたことから、通常の動作を
行う通常動作モード時には、高速応答性に優れた動作を
行うことができる。
増幅回路部、増幅回路部及び出力回路部の3段の増幅段
を備えた構成になるようにしたことから、通常の動作を
行う通常動作モード時には、高速応答性に優れた動作を
行うことができる。
【0054】この場合、外部からの制御信号に応じて、
第1定電流源及び第2定電流源における各トランジスタ
に対する定電圧発生回路部からの定電圧の入力制御を行
うようにした。このことから、低消費電流で動作を行う
低消費電流動作モード時に、電流消費の大きい第1演算
増幅器の電流消費を確実に停止させることができる。
第1定電流源及び第2定電流源における各トランジスタ
に対する定電圧発生回路部からの定電圧の入力制御を行
うようにした。このことから、低消費電流で動作を行う
低消費電流動作モード時に、電流消費の大きい第1演算
増幅器の電流消費を確実に停止させることができる。
【0055】また、第2演算増幅器が動作すると、差動
増幅回路部及び出力回路部の2段の増幅段を備えた構成
になるようにしたことから、低消費電流動作モード時に
電流消費を抑制させることができる。
増幅回路部及び出力回路部の2段の増幅段を備えた構成
になるようにしたことから、低消費電流動作モード時に
電流消費を抑制させることができる。
【0056】一方、上記第2演算増幅器は、外部からの
所定の制御信号が入力されると、電流消費を停止して動
作を停止するようにした。このことから、通常動作モー
ド時に、第2演算増幅器の電流消費を停止させることが
でき、通常動作モード時の消費電流を低減させることが
できる。
所定の制御信号が入力されると、電流消費を停止して動
作を停止するようにした。このことから、通常動作モー
ド時に、第2演算増幅器の電流消費を停止させることが
でき、通常動作モード時の消費電流を低減させることが
できる。
【0057】また、第2演算増幅器が動作すると、差動
増幅回路部及び出力回路部の2段の増幅段を備えた構成
になるようにしたことから、低消費電流動作モード時に
は、電流消費を抑制した動作を行うことができる。
増幅回路部及び出力回路部の2段の増幅段を備えた構成
になるようにしたことから、低消費電流動作モード時に
は、電流消費を抑制した動作を行うことができる。
【0058】この場合、外部からの制御信号に応じて、
第3定電流源におけるトランジスタに対する定電圧発生
回路部からの定電圧の入力制御を行うようにした。この
ことから、通常動作モード時に、第2演算増幅器の電流
消費を確実に停止させることができる。
第3定電流源におけるトランジスタに対する定電圧発生
回路部からの定電圧の入力制御を行うようにした。この
ことから、通常動作モード時に、第2演算増幅器の電流
消費を確実に停止させることができる。
【0059】また、上記第1演算増幅器及び第2演算増
幅器において、動作を停止する場合は、他方の演算増幅
器が動作を開始して所定時間経過した後、動作が停止す
るようにした。このことから、第1演算増幅器と第2演
算増幅器が共に動作を停止しないようにすることがで
き、動作モードを切り替える際に、リンギング波形が出
力されることを防止できる。
幅器において、動作を停止する場合は、他方の演算増幅
器が動作を開始して所定時間経過した後、動作が停止す
るようにした。このことから、第1演算増幅器と第2演
算増幅器が共に動作を停止しないようにすることがで
き、動作モードを切り替える際に、リンギング波形が出
力されることを防止できる。
【図1】 本発明の第1の実施の形態におけるボルテー
ジレギュレータの例を示した概略の構成図である。
ジレギュレータの例を示した概略の構成図である。
【図2】 図1におけるボルテージレギュレータ1の回
路例を示した図である。
路例を示した図である。
【図3】 図1におけるボルテージレギュレータ1の他
の例を示した部分回路図である。
の例を示した部分回路図である。
【図4】 図1におけるボルテージレギュレータ1の他
の例を示した部分回路図である。
の例を示した部分回路図である。
【図5】 本発明の第1の実施の形態におけるボルテー
ジレギュレータの例を示した概略の構成図である。
ジレギュレータの例を示した概略の構成図である。
【図6】 図5におけるボルテージレギュレータ1aの
回路例を示した図である。
回路例を示した図である。
【図7】 従来のボルテージレギュレータの回路例を示
した図である。
した図である。
1,1a ボルテージレギュレータ 2 基準電圧発生回路部 3 検出回路部 4 第1演算増幅器 5,5a 第2演算増幅器 6 出力回路部 10 制御装置 21,27 差動増幅回路部 22 増幅回路部 23 第1スイッチ 24 第2スイッチ 25 定電圧発生回路部 31 第3スイッチ
フロントページの続き Fターム(参考) 5H420 BB12 BB14 CC02 DD02 EA14 EA18 EA23 EA42 EA47 EB15 EB37 FF03 FF25 NA31 NA36 NB02 NB12 NB18 NB25 NC02 NC03 NC06 NC23 NC26 5H430 BB01 BB05 BB09 BB11 BB13 EE06 EE09 FF04 FF13 GG08 HH03 JJ04 JJ07
Claims (9)
- 【請求項1】 あらかじめ設定された基準電圧を基に所
定の電圧を生成して出力するボルテージレギュレータに
おいて、 上記生成して出力された電圧の検出を行い、該検出した
出力電圧に応じた電圧を生成して出力する検出回路部
と、 該検出回路部の出力電圧と上記基準電圧との電圧比較を
行い該比較結果を示す電圧を出力する、外部からの制御
信号によって動作制御される第1演算増幅器と、 上記検出回路部の出力電圧と上記基準電圧との電圧比較
を行い該比較結果を示す電圧を出力する、該第1演算増
幅器よりも消費電流の小さい第2演算増幅器と、 上記第1演算増幅器及び第2演算増幅器からの出力電圧
に応じた電流を出力する出力トランジスタを有する出力
回路部と、を備えることを特徴とするボルテージレギュ
レータ。 - 【請求項2】 上記第1演算増幅器は、外部からの所定
の制御信号が入力されると、電流消費を停止して動作を
停止することを特徴とする請求項1記載のボルテージレ
ギュレータ。 - 【請求項3】 上記第1演算増幅器は、 上記検出回路部の出力電圧と上記基準電圧との差動増幅
を行って出力する1対のトランジスタを有する差動増幅
回路、及び該差動増幅回路に対して所定のバイアス電流
の供給を行う第1定電流源で構成される差動増幅回路部
と、 該差動増幅回路部からの出力電圧を増幅して上記出力ト
ランジスタの動作制御を行う増幅用トランジスタ及び該
増幅用トランジスタに電流供給を行う第2定電流源を有
し、差動増幅回路部の出力電圧を増幅して上記出力回路
部の出力トランジスタに出力する増幅回路部と、 上記外部からの制御信号に応じて該増幅回路部における
上記出力回路部への出力制御を行う出力制御部と、 上記外部からの制御信号に応じて上記第1定電流源及び
第2定電流源に対して電流供給動作を停止させる第1及
び第2定電流源制御部と、を備えることを特徴とする請
求項2記載のボルテージレギュレータ。 - 【請求項4】 上記第1定電流源及び第2定電流源は、
所定の定電圧を生成して出力する定電圧発生回路部と、
該定電圧発生回路部からの定電圧に応じて一定の電流供
給を行う対応するトランジスタとでそれぞれ構成され、
上記第1及び第2定電流源制御部は、上記外部からの制
御信号に応じて定電圧発生回路部からの定電圧の該各ト
ランジスタへの入力制御を行うことを特徴とする請求項
3記載のボルテージレギュレータ。 - 【請求項5】 上記第2演算増幅器は、上記検出回路部
の出力電圧と上記基準電圧との差動増幅を行って上記出
力回路部の出力トランジスタの動作制御を行う1対のト
ランジスタを有する差動増幅回路、及び該差動増幅回路
に対して所定のバイアス電流の供給を行う第3定電流源
からなる差動増幅回路部で構成されることを特徴とする
請求項1、2、3又は4記載のボルテージレギュレー
タ。 - 【請求項6】 上記第2演算増幅器は、外部からの制御
信号によって動作制御され、外部から所定の制御信号が
入力されると、電流消費を停止して動作を停止すること
を特徴とする請求項1、2、3又は4記載のボルテージ
レギュレータ。 - 【請求項7】 上記第2演算増幅器は、上記検出回路部
の出力電圧と上記基準電圧との差動増幅を行って上記出
力回路部の出力トランジスタの動作制御を行う1対のト
ランジスタを有する差動増幅回路、及び該差動増幅回路
に対して所定のバイアス電流の供給を行う第3定電流源
で構成される差動増幅回路部と、 上記外部からの制御信号に応じて該第3定電流源に対し
て電流供給動作を停止させる第3定電流源制御部と、を
備えることを特徴とする請求項6記載のボルテージレギ
ュレータ。 - 【請求項8】 上記第3定電流源は、所定の定電圧を生
成して出力する定電圧発生回路部と、該定電圧発生回路
部からの定電圧に応じて一定の電流供給を行うトランジ
スタとで構成され、上記第3定電流源制御部は、上記外
部からの制御信号に応じて定電圧発生回路部からの定電
圧の該トランジスタへの入力制御を行うことを特徴とす
る請求項7記載のボルテージレギュレータ。 - 【請求項9】 上記第1演算増幅器及び第2演算増幅器
は、動作を停止する際、他方の演算増幅器が動作を開始
して所定時間経過した後、動作が停止するように外部か
らの制御信号が入力されることを特徴とする請求項6、
7又は8記載のボルテージレギュレータ。
Priority Applications (6)
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PCT/JP2002/003497 WO2002084426A2 (en) | 2001-04-10 | 2002-04-08 | Voltage regulator |
EP02714539A EP1377889B1 (en) | 2001-04-10 | 2002-04-08 | Voltage regulator |
CNB028081161A CN100351727C (zh) | 2001-04-10 | 2002-04-08 | 稳压器 |
US10/469,642 US7002329B2 (en) | 2001-04-10 | 2002-04-08 | Voltage regulator using two operational amplifiers in current consumption |
DE60227932T DE60227932D1 (de) | 2001-04-10 | 2002-04-08 | Spannungsregler |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001111269A JP2002312043A (ja) | 2001-04-10 | 2001-04-10 | ボルテージレギュレータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002312043A true JP2002312043A (ja) | 2002-10-25 |
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ID=18962901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001111269A Pending JP2002312043A (ja) | 2001-04-10 | 2001-04-10 | ボルテージレギュレータ |
Country Status (6)
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JP (1) | JP2002312043A (ja) |
CN (1) | CN100351727C (ja) |
DE (1) | DE60227932D1 (ja) |
WO (1) | WO2002084426A2 (ja) |
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