JP2002342987A - 光学記録媒体製造用原盤、光学記録媒体製造用スタンパおよび光学記録媒体の製造方法 - Google Patents
光学記録媒体製造用原盤、光学記録媒体製造用スタンパおよび光学記録媒体の製造方法Info
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- JP2002342987A JP2002342987A JP2001143792A JP2001143792A JP2002342987A JP 2002342987 A JP2002342987 A JP 2002342987A JP 2001143792 A JP2001143792 A JP 2001143792A JP 2001143792 A JP2001143792 A JP 2001143792A JP 2002342987 A JP2002342987 A JP 2002342987A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】グルーブパターンあるいは情報ピットパターン
の微細化、特にグルーブまたは情報ピットの幅を狭くす
ることが可能な光学記録媒体の製造方法とそれに用いる
原盤およびスタンパの製造方法を提供する。 【解決手段】トラック領域を区分する案内溝のパターン
またはピットのパターンに従ってレジスト膜を形成し、
原盤基板10に凹凸形状を形成する。次に、凹凸形状の
凹部10aの側壁にこの凹部の幅を狭めるサイドウォー
ル12aを形成して原盤とする。また、得られた原盤基
板10の凹凸形状が転写されたニッケルなどからなるス
タンパ13を形成する。また、得られたスタンパの上記
凹凸形状が転写された媒体基板を形成し、媒体基板上に
光学記録膜および保護膜を形成する。
の微細化、特にグルーブまたは情報ピットの幅を狭くす
ることが可能な光学記録媒体の製造方法とそれに用いる
原盤およびスタンパの製造方法を提供する。 【解決手段】トラック領域を区分する案内溝のパターン
またはピットのパターンに従ってレジスト膜を形成し、
原盤基板10に凹凸形状を形成する。次に、凹凸形状の
凹部10aの側壁にこの凹部の幅を狭めるサイドウォー
ル12aを形成して原盤とする。また、得られた原盤基
板10の凹凸形状が転写されたニッケルなどからなるス
タンパ13を形成する。また、得られたスタンパの上記
凹凸形状が転写された媒体基板を形成し、媒体基板上に
光学記録膜および保護膜を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学記録媒体(以
下光ディスクとも言う)の製造方法と、この光学記録媒
体を製造する工程において用いる光学記録媒体製造用原
盤およびスタンパの製造方法に関する。
下光ディスクとも言う)の製造方法と、この光学記録媒
体を製造する工程において用いる光学記録媒体製造用原
盤およびスタンパの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、動画、静止画などのビデオデータ
をデジタルに記録する技術の発展に伴い、大容量のデー
タが取り扱われるようになり、大容量記録装置としてC
DやDVDなどの光ディスク装置が脚光を浴びており、
さらなる大容量化の研究が進められている。
をデジタルに記録する技術の発展に伴い、大容量のデー
タが取り扱われるようになり、大容量記録装置としてC
DやDVDなどの光ディスク装置が脚光を浴びており、
さらなる大容量化の研究が進められている。
【0003】CDなどの光ディスクを記録あるいは再生
する光ディスク装置の通常の構成においては、記録また
は再生用の波長λの光を照射する光源と、当該光源の出
射する光を光学記録媒体の光学記録膜上に集光する開口
数NAの対物レンズ(集光レンズ)を含む光学系と、光
学記録膜からの反射光を検出する受光素子などを有す
る。
する光ディスク装置の通常の構成においては、記録また
は再生用の波長λの光を照射する光源と、当該光源の出
射する光を光学記録媒体の光学記録膜上に集光する開口
数NAの対物レンズ(集光レンズ)を含む光学系と、光
学記録膜からの反射光を検出する受光素子などを有す
る。
【0004】上記の光ディスクの再生あるいは記録にお
いて、光学記録膜上における光のスポットサイズφは、
一般に下記式(1)で与えられる。
いて、光学記録膜上における光のスポットサイズφは、
一般に下記式(1)で与えられる。
【0005】
【数1】φ=λ/NA …(1)
【0006】光のスポットサイズφは光学記録媒体の記
録密度に直接影響を与え、スポットサイズφが小さいほ
ど高密度記録が可能となり、大容量化ができる。即ち、
光の波長λがより短いほど、また、対物レンズの開口数
NAが大きいほど、スポットサイズφはより小さくな
り、高密度記録が可能となることを示す。
録密度に直接影響を与え、スポットサイズφが小さいほ
ど高密度記録が可能となり、大容量化ができる。即ち、
光の波長λがより短いほど、また、対物レンズの開口数
NAが大きいほど、スポットサイズφはより小さくな
り、高密度記録が可能となることを示す。
【0007】例えば、上記のCD方式においては、光源
の波長が近赤外領域(780nm程度)であり、対物レ
ンズの開口数が0.45程度であり、記録膜に相変化型
記録膜を用い、さらに、ディスク基板に形成された凹凸
に応じて、光学記録膜が凹凸形状を有しており、この凹
凸形状の光学記録膜の内、記録または再生用の光の照射
側から近い側である、凹凸形状の凸部(以下ランドLと
言う)に相当する部分の光学記録膜のみが記録領域RA
として用いられ、記録または再生用の光の照射側から遠
い側である、凹凸形状の凹部(以下グルーブGと言う)
に相当する部分の光学記録膜を記録領域RAとして用い
ない構成において、120mm径の光ディスクの場合に
約700MBの記録容量を実現している。
の波長が近赤外領域(780nm程度)であり、対物レ
ンズの開口数が0.45程度であり、記録膜に相変化型
記録膜を用い、さらに、ディスク基板に形成された凹凸
に応じて、光学記録膜が凹凸形状を有しており、この凹
凸形状の光学記録膜の内、記録または再生用の光の照射
側から近い側である、凹凸形状の凸部(以下ランドLと
言う)に相当する部分の光学記録膜のみが記録領域RA
として用いられ、記録または再生用の光の照射側から遠
い側である、凹凸形状の凹部(以下グルーブGと言う)
に相当する部分の光学記録膜を記録領域RAとして用い
ない構成において、120mm径の光ディスクの場合に
約700MBの記録容量を実現している。
【0008】光ディスクのさらなる高密度化の研究が進
められており、例えば、文献「Optical dis
k recording using a GaN b
lue−violet laser diode」(I
chimuraら、Jpn.J.Appl.Phy
s.,vol.39(2000),pp937−94
2)においては、青紫色半導体レーザと開口数0.85
の2群対物レンズを用いることで、DVDサイズの光デ
ィスクに22Gバイトを越える記憶容量を実現する手法
が提案されている。
められており、例えば、文献「Optical dis
k recording using a GaN b
lue−violet laser diode」(I
chimuraら、Jpn.J.Appl.Phy
s.,vol.39(2000),pp937−94
2)においては、青紫色半導体レーザと開口数0.85
の2群対物レンズを用いることで、DVDサイズの光デ
ィスクに22Gバイトを越える記憶容量を実現する手法
が提案されている。
【0009】ところで、対物レンズの開口数が大きくな
ると、一般に光ディスク装置におけるディスク傾き許容
度が減少する。光軸に対する傾き角θに対して、発生す
るコマ収差W31は、文献「Aplanatic con
dition required to reprod
uce jitter−free signalsin
optical disk system」(Kub
otaら、Appl.Opt.,vol.26(198
7),pp3961−3973)によると下記式(2)
で与えられ、概ね開口数NAの3乗と、光ディスクの保
護膜(光学記録膜の上層に形成された膜)の厚さtに比
例する。なお、式(2)中、nは保護膜の屈折率であ
る。
ると、一般に光ディスク装置におけるディスク傾き許容
度が減少する。光軸に対する傾き角θに対して、発生す
るコマ収差W31は、文献「Aplanatic con
dition required to reprod
uce jitter−free signalsin
optical disk system」(Kub
otaら、Appl.Opt.,vol.26(198
7),pp3961−3973)によると下記式(2)
で与えられ、概ね開口数NAの3乗と、光ディスクの保
護膜(光学記録膜の上層に形成された膜)の厚さtに比
例する。なお、式(2)中、nは保護膜の屈折率であ
る。
【0010】
【数2】
【0011】従って、許容されるコマ収差W31の値をλ
/4とすると、開口数0.85まで高めた光ディスク装
置において、DVD再生装置と同等のディスク傾き許容
度を確保するためには、光ディスクの保護膜の厚さを
0.1mm程度に薄くすることが必要となる。
/4とすると、開口数0.85まで高めた光ディスク装
置において、DVD再生装置と同等のディスク傾き許容
度を確保するためには、光ディスクの保護膜の厚さを
0.1mm程度に薄くすることが必要となる。
【0012】上記の短波長化および高開口数化より大容
量化に対応した光ディスクについて、図面を参照して説
明する。図7(a)は上記の光ディスクの光の照射の様
子を示す模式斜視図である。光ディスクDは、中心部に
センターホールCHが開口された略円盤形状をしてお
り、ドライブ方向DRに回転駆動される。情報を記録ま
たは再生するときには、光ディスクDC中の光学記録膜
に対して、例えば開口数が0.8以上の対物レンズOL
により、青〜青紫色の領域のレーザ光などの光LTが照
射されて用いられる。
量化に対応した光ディスクについて、図面を参照して説
明する。図7(a)は上記の光ディスクの光の照射の様
子を示す模式斜視図である。光ディスクDは、中心部に
センターホールCHが開口された略円盤形状をしてお
り、ドライブ方向DRに回転駆動される。情報を記録ま
たは再生するときには、光ディスクDC中の光学記録膜
に対して、例えば開口数が0.8以上の対物レンズOL
により、青〜青紫色の領域のレーザ光などの光LTが照
射されて用いられる。
【0013】図7(b)は模式断面図であり、図7
(c)は図7(b)の模式断面図の要部を拡大した断面
図である。厚さが約1.1mmのポリカーボネートなど
からなるディスク基板14の一方の表面に、トラック領
域を区分する溝14aが設けられており、この面上に、
例えば反射膜、誘電体膜、記録膜、誘電体膜などがこの
順番で積層された光学記録膜15が形成されている。光
学記録膜15の層構成および層数は記録材料の種類や設
計によって異なる。さらに、光学記録膜15の上層に
0.1mmの膜厚の光透過性の保護層16が形成されて
いる。
(c)は図7(b)の模式断面図の要部を拡大した断面
図である。厚さが約1.1mmのポリカーボネートなど
からなるディスク基板14の一方の表面に、トラック領
域を区分する溝14aが設けられており、この面上に、
例えば反射膜、誘電体膜、記録膜、誘電体膜などがこの
順番で積層された光学記録膜15が形成されている。光
学記録膜15の層構成および層数は記録材料の種類や設
計によって異なる。さらに、光学記録膜15の上層に
0.1mmの膜厚の光透過性の保護層16が形成されて
いる。
【0014】上記の光ディスクを記録あるいは再生する
場合には、対物レンズOLにより、レーザ光などの光L
Tを保護層16側から光学記録膜15に対して照射す
る。光ディスクの再生時においては、光学記録膜15で
反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処理回路
により所定の信号を生成して、再生信号が取り出され
る。
場合には、対物レンズOLにより、レーザ光などの光L
Tを保護層16側から光学記録膜15に対して照射す
る。光ディスクの再生時においては、光学記録膜15で
反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処理回路
により所定の信号を生成して、再生信号が取り出され
る。
【0015】上記のような光ディスクにおいて、ディス
ク基板15の一方の表面に設けられた溝14aに応じて
光学記録膜15も凹凸形状を有しており、この溝14a
によりトラック領域が区分されている。以下、ディスク
基板14から見て保護層16側に凸に突出している領域
はランド、凹部領域はグルーブと呼ばれ、ランドとグル
ーブの両者に情報を記録するランド・グルーブ記録方式
を適用することが可能である。また、ランドとグルーブ
の一方のみ記録領域とすることも可能である。
ク基板15の一方の表面に設けられた溝14aに応じて
光学記録膜15も凹凸形状を有しており、この溝14a
によりトラック領域が区分されている。以下、ディスク
基板14から見て保護層16側に凸に突出している領域
はランド、凹部領域はグルーブと呼ばれ、ランドとグル
ーブの両者に情報を記録するランド・グルーブ記録方式
を適用することが可能である。また、ランドとグルーブ
の一方のみ記録領域とすることも可能である。
【0016】また、上記のディスク基板14の凹凸形状
を記録データに対応する長さを有するピットとして、光
学記録膜をアルミニウム膜などの反射膜とすることによ
り、再生専用(ROM)型の光ディスクとすることもで
きる。
を記録データに対応する長さを有するピットとして、光
学記録膜をアルミニウム膜などの反射膜とすることによ
り、再生専用(ROM)型の光ディスクとすることもで
きる。
【0017】上記の光ディスクの製造方法について説明
する。図8(a)は、上記の製造方法で用いるカッティ
ング装置(露光装置)の模式構成図であり、図8(b)
は要部斜視図である。光源として、例えば発振波長35
1nmのKrガス(イオン)レーザGSが備えられ、そ
の光軸上に光学素子として、電気光学素子EOM、偏光
ビームスプリッタPBS1、ミラーM1、レンズL1、
音響光学素子AOM、レンズL2、ミラーM2、レンズ
L3、レンズL4、DCM、ミラーM3、対物レンズO
Lが所定の位置に配置されている。上記のミラーM2以
前の光学素子は、固定定盤に固定されており、一方、レ
ンズL3以降の光学素子は、可動式テーブルMT上に搭
載されている。また、このカッティング装置の露光対象
物であるガラス基板上にレジスト膜が成膜されたレジス
ト原盤RDが、スピンドルモータにより高回転精度で回
転駆動可能なエアースピンドル上にチャックされる。
する。図8(a)は、上記の製造方法で用いるカッティ
ング装置(露光装置)の模式構成図であり、図8(b)
は要部斜視図である。光源として、例えば発振波長35
1nmのKrガス(イオン)レーザGSが備えられ、そ
の光軸上に光学素子として、電気光学素子EOM、偏光
ビームスプリッタPBS1、ミラーM1、レンズL1、
音響光学素子AOM、レンズL2、ミラーM2、レンズ
L3、レンズL4、DCM、ミラーM3、対物レンズO
Lが所定の位置に配置されている。上記のミラーM2以
前の光学素子は、固定定盤に固定されており、一方、レ
ンズL3以降の光学素子は、可動式テーブルMT上に搭
載されている。また、このカッティング装置の露光対象
物であるガラス基板上にレジスト膜が成膜されたレジス
ト原盤RDが、スピンドルモータにより高回転精度で回
転駆動可能なエアースピンドル上にチャックされる。
【0018】ガスレーザGSから出射されたレーザ光L
T1は、電気光学素子EOMおよび偏光ビームスプリッ
タPBS1を透過し、ミラーM1で反射してその進行方
向が屈曲される。このとき、レーザ光LT1の一部はミ
ラーM1を透過し、フォトダイオードPD1に入射す
る。上記のミラーM1で反射したレーザ光LT1は、レ
ンズL1により集光され、音響光学素子AOMを経てレ
ンズL2により平行光に戻され、ミラーM2で反射して
その進行方向が屈曲される。このとき、レーザ光LT1
の一部はミラーM2を透過し、フォトダイオードPD2
に入射する。上記のフォトダイオードPD1またはフォ
トダイオードPD2で受光したの強度により、電気光学
素子EOMにフォードバックがなされ、一定の出力を得
ようとするAPC制御(Automatic Power Control )が
なされる。また、必要に応じて、音響光学素子AOMに
おいてレーザ光LT1の変調がなされる。上記のミラー
M2で反射したレーザ光LT1は、レンズ(L3,L
4)よりなるビームエキスパンダにより、そのビーム径
が拡大され、DCMを透過して、ミラーM3により反射
して、対物レンズOLによりレジスト原盤RDのレジス
ト膜に対して例えば0.3μmの径のスポットとして集
光される。
T1は、電気光学素子EOMおよび偏光ビームスプリッ
タPBS1を透過し、ミラーM1で反射してその進行方
向が屈曲される。このとき、レーザ光LT1の一部はミ
ラーM1を透過し、フォトダイオードPD1に入射す
る。上記のミラーM1で反射したレーザ光LT1は、レ
ンズL1により集光され、音響光学素子AOMを経てレ
ンズL2により平行光に戻され、ミラーM2で反射して
その進行方向が屈曲される。このとき、レーザ光LT1
の一部はミラーM2を透過し、フォトダイオードPD2
に入射する。上記のフォトダイオードPD1またはフォ
トダイオードPD2で受光したの強度により、電気光学
素子EOMにフォードバックがなされ、一定の出力を得
ようとするAPC制御(Automatic Power Control )が
なされる。また、必要に応じて、音響光学素子AOMに
おいてレーザ光LT1の変調がなされる。上記のミラー
M2で反射したレーザ光LT1は、レンズ(L3,L
4)よりなるビームエキスパンダにより、そのビーム径
が拡大され、DCMを透過して、ミラーM3により反射
して、対物レンズOLによりレジスト原盤RDのレジス
ト膜に対して例えば0.3μmの径のスポットとして集
光される。
【0019】上記のカッティング装置において、不図示
のスピンドルモータによりレジスト原盤RDをスピンド
ル方向SDに回転駆動し、可動式テーブルMTをレジス
ト原盤RDの半径方向に所定幅ずつ送りながら、上記レ
ーザ光LT1をレジスト原盤RDのレジスト膜に照射す
ることで、レジスト原盤RDのパターン露光を行うこと
ができる。例えば、相変化型光ディスクなどの書き換え
可能型の光ディスクを製造する工程においては、記録領
域を区分するトラック(ランド/グルーブ)のパターン
に沿って露光用レーザ光をスパイラル状に走査露光する
ことができる。また、再生専用(ROM)型の光ディス
クを製造する工程においては、露光用レーザ光を記録デ
ータ(情報ピット)に対応するようにオンオフしながら
スパイラル状に走査露光することもできる。
のスピンドルモータによりレジスト原盤RDをスピンド
ル方向SDに回転駆動し、可動式テーブルMTをレジス
ト原盤RDの半径方向に所定幅ずつ送りながら、上記レ
ーザ光LT1をレジスト原盤RDのレジスト膜に照射す
ることで、レジスト原盤RDのパターン露光を行うこと
ができる。例えば、相変化型光ディスクなどの書き換え
可能型の光ディスクを製造する工程においては、記録領
域を区分するトラック(ランド/グルーブ)のパターン
に沿って露光用レーザ光をスパイラル状に走査露光する
ことができる。また、再生専用(ROM)型の光ディス
クを製造する工程においては、露光用レーザ光を記録デ
ータ(情報ピット)に対応するようにオンオフしながら
スパイラル状に走査露光することもできる。
【0020】上記の対物レンズの焦点距離を常にレジス
ト原盤RD上に一致させるために、オートフォーカス
(A/F)機構が配置されている。例えば、A/F光学
系として発振波長680nmのレーザダイオードLDを
用いた離軸方式を適用しており、レーザダイオードLD
から出射された680nmのレーザ光LT2は偏光ビー
ムスプリッタPBS2の分光面で反射され、1/4波長
板QWPを透過してDCMで反射し、レーザ光LT1と
ともにレジスト原盤RD上に照射される。このとき、レ
ーザ光LT2の対物レンズOLによる焦点をレーザ光L
T1の焦点面に一致させておく。レーザ光LT2は、レ
ジスト原盤RDで反射され、対物レンズを通して戻って
きたスポットをスポット位置検出素子PSD上に投影さ
れる。この際、レーザ光LT2は対物レンズの光軸から
やや離れた位置から光軸にほぼ平行に入射させ、レジス
ト原盤表面においてレーザ光LT1の焦点からやや離れ
た位置に焦点を結ばせることにより、レジスト原盤表面
の光軸上での焦点面からの変位をレーザ光LT2のレジ
スト原盤上での変位として検出し、光てこの原理によ
り、スポット位置検出素子PSD上で100倍程度に拡
大して検出する。このようにしてスポット位置検出素子
PSD上でのスポットの位置を検出して、レジスト原盤
表面が焦点位置に一致したときのレーザ光LT2の戻り
光スポット位置からの変位をフォーカス誤差量として、
対物レンズを上下させるアクチュエータにフィードバッ
クして駆動させ、A/Fサーボを行い、レーザ光LT1
を常にレジスト原盤上に合焦させる。また、A/F光学
系において、偏光ビームスプリッタPBS2および1/
4波長板QWPはレーザ光LT2の往路と復路を効率よ
く分離するための偏光素子として用いられている。
ト原盤RD上に一致させるために、オートフォーカス
(A/F)機構が配置されている。例えば、A/F光学
系として発振波長680nmのレーザダイオードLDを
用いた離軸方式を適用しており、レーザダイオードLD
から出射された680nmのレーザ光LT2は偏光ビー
ムスプリッタPBS2の分光面で反射され、1/4波長
板QWPを透過してDCMで反射し、レーザ光LT1と
ともにレジスト原盤RD上に照射される。このとき、レ
ーザ光LT2の対物レンズOLによる焦点をレーザ光L
T1の焦点面に一致させておく。レーザ光LT2は、レ
ジスト原盤RDで反射され、対物レンズを通して戻って
きたスポットをスポット位置検出素子PSD上に投影さ
れる。この際、レーザ光LT2は対物レンズの光軸から
やや離れた位置から光軸にほぼ平行に入射させ、レジス
ト原盤表面においてレーザ光LT1の焦点からやや離れ
た位置に焦点を結ばせることにより、レジスト原盤表面
の光軸上での焦点面からの変位をレーザ光LT2のレジ
スト原盤上での変位として検出し、光てこの原理によ
り、スポット位置検出素子PSD上で100倍程度に拡
大して検出する。このようにしてスポット位置検出素子
PSD上でのスポットの位置を検出して、レジスト原盤
表面が焦点位置に一致したときのレーザ光LT2の戻り
光スポット位置からの変位をフォーカス誤差量として、
対物レンズを上下させるアクチュエータにフィードバッ
クして駆動させ、A/Fサーボを行い、レーザ光LT1
を常にレジスト原盤上に合焦させる。また、A/F光学
系において、偏光ビームスプリッタPBS2および1/
4波長板QWPはレーザ光LT2の往路と復路を効率よ
く分離するための偏光素子として用いられている。
【0021】上記のカッティング装置を用いて、以下の
ように光ディスクを製造することができる。まず、図9
(a)に示すようなガラス基板10上にレジスト膜11
が成膜されたレジスト原盤RDを準備する。上記のガラ
ス基板は、例えば直径が200mm、厚さが数mmであ
り、表面が精密に研磨されている。また、レジスト膜1
1は、例えば紫外線に感光する感光性ポジ型フォトレジ
ストを用い、100nmの膜厚でスピンコートにより成
膜する。レジスト膜11中に残存する溶剤を数10℃の
ベーキング処理により除去する。
ように光ディスクを製造することができる。まず、図9
(a)に示すようなガラス基板10上にレジスト膜11
が成膜されたレジスト原盤RDを準備する。上記のガラ
ス基板は、例えば直径が200mm、厚さが数mmであ
り、表面が精密に研磨されている。また、レジスト膜1
1は、例えば紫外線に感光する感光性ポジ型フォトレジ
ストを用い、100nmの膜厚でスピンコートにより成
膜する。レジスト膜11中に残存する溶剤を数10℃の
ベーキング処理により除去する。
【0022】次に、図8(a)および(b)に示すカッ
ティング装置を用いて、ディスク基板の溝となる領域を
感光させるパターンでレジスト膜11の露光を行い、ア
ルカリ現像液などにより現像処理を施して、図9(b)
に示すように、ディスク基板の溝となる領域を開口する
パターンのレジスト膜11aとする。
ティング装置を用いて、ディスク基板の溝となる領域を
感光させるパターンでレジスト膜11の露光を行い、ア
ルカリ現像液などにより現像処理を施して、図9(b)
に示すように、ディスク基板の溝となる領域を開口する
パターンのレジスト膜11aとする。
【0023】次に、図10(a)に示すように、例えば
ニッケルメッキ処理などを行い、上記ガラス基板10上
のレジスト膜11a上にスタンパ13を形成する。スタ
ンパ13の表面には、ガラス基板10およびレジスト膜
11aにより構成されるパターンの凹凸と逆パターンの
凹凸が転写され、凸部13aが形成されている。
ニッケルメッキ処理などを行い、上記ガラス基板10上
のレジスト膜11a上にスタンパ13を形成する。スタ
ンパ13の表面には、ガラス基板10およびレジスト膜
11aにより構成されるパターンの凹凸と逆パターンの
凹凸が転写され、凸部13aが形成されている。
【0024】次に、図10(b)に示すように、ガラス
基板10上のレジスト膜11aからスタンパ13を離型
する。
基板10上のレジスト膜11aからスタンパ13を離型
する。
【0025】次に、図11(a)に示すように、上記で
得られたスタンパ13を金型(MD1,MD2)からな
るキャビティ内に固定し、射出成形用金型を構成する。
このとき、スタンパ13の凸部形成面13a’がキャビ
ティ内側を臨むように設置する。上記の射出成形用金型
のキャビティ内に、例えば溶融状態のポリカーボネート
などの樹脂を金型の注入口Iから射出することで、図1
1(b)に示すように、スタンパ13の凹凸パターン上
にディスク基板14を形成する。ここで、ディスク基板
14には、スタンパ13の表面の凹凸と逆パターンの凹
凸となる溝14aが転写される。
得られたスタンパ13を金型(MD1,MD2)からな
るキャビティ内に固定し、射出成形用金型を構成する。
このとき、スタンパ13の凸部形成面13a’がキャビ
ティ内側を臨むように設置する。上記の射出成形用金型
のキャビティ内に、例えば溶融状態のポリカーボネート
などの樹脂を金型の注入口Iから射出することで、図1
1(b)に示すように、スタンパ13の凹凸パターン上
にディスク基板14を形成する。ここで、ディスク基板
14には、スタンパ13の表面の凹凸と逆パターンの凹
凸となる溝14aが転写される。
【0026】上記の射出成形金型から離型することで、
図12(a)に示すような表面に溝14aが形成された
ディスク基板14が得られる。次に、図12(b)に示
すように、ディスク基板14の表面に空気や窒素ガスな
どのガスを吹き付けてダストを除去した後、例えばスパ
ッタリング法などにより、反射膜、誘電体膜、記録膜、
誘電体膜の積層体を有する光学記録膜15をこの成膜順
序で成膜する。次に、図12(c)に示すように、光学
記録膜15の上層に保護膜15を形成する。以上で、図
7に示す構造の光ディスクを製造することができる。
図12(a)に示すような表面に溝14aが形成された
ディスク基板14が得られる。次に、図12(b)に示
すように、ディスク基板14の表面に空気や窒素ガスな
どのガスを吹き付けてダストを除去した後、例えばスパ
ッタリング法などにより、反射膜、誘電体膜、記録膜、
誘電体膜の積層体を有する光学記録膜15をこの成膜順
序で成膜する。次に、図12(c)に示すように、光学
記録膜15の上層に保護膜15を形成する。以上で、図
7に示す構造の光ディスクを製造することができる。
【0027】上記の露光工程において、露光用レーザ光
を記録データに対応するようにオンオフしながらスパイ
ラル状に走査露光することで、ディスク基板ディスク基
板14の凹凸形状を記録データに対応する長さを有する
ピットとして形成し、光学記録膜をアルミニウム膜など
の反射膜により形成することにより、再生専用(RO
M)型の光ディスクを製造することもできる。
を記録データに対応するようにオンオフしながらスパイ
ラル状に走査露光することで、ディスク基板ディスク基
板14の凹凸形状を記録データに対応する長さを有する
ピットとして形成し、光学記録膜をアルミニウム膜など
の反射膜により形成することにより、再生専用(RO
M)型の光ディスクを製造することもできる。
【0028】図8に示すカッティング装置によりレジス
ト原盤を所定パターンで露光する場合、機構系は全て設
置場所の外部振動の影響を受けないようにエア定盤上に
搭載されている。この場合、カッティングにより形成可
能な最小パターンサイズ、即ち、解像力Pは、一般にレ
ーザ波長λ、対物レンズの開口数NA、およびレジスト
膜の特性などに依存し、通常0.5〜0.8の値をとる
プロセスファクターKから、下記式(3)で表される。
ト原盤を所定パターンで露光する場合、機構系は全て設
置場所の外部振動の影響を受けないようにエア定盤上に
搭載されている。この場合、カッティングにより形成可
能な最小パターンサイズ、即ち、解像力Pは、一般にレ
ーザ波長λ、対物レンズの開口数NA、およびレジスト
膜の特性などに依存し、通常0.5〜0.8の値をとる
プロセスファクターKから、下記式(3)で表される。
【0029】
【数3】P=K(λ/NA) …(3)
【0030】例えば、λ=351nm、NA=0.9、
K=0.5を代入するとP=0.2μmとなり、トラッ
クピッチ0.4μmのグルーブ、または、0.2μmL
/S(ライン/スペース:パターンとして残す部分と除
去する部分の幅)がそれぞれ0.2μm/0.2μmで
あるレジスト膜のパターンが解像される。
K=0.5を代入するとP=0.2μmとなり、トラッ
クピッチ0.4μmのグルーブ、または、0.2μmL
/S(ライン/スペース:パターンとして残す部分と除
去する部分の幅)がそれぞれ0.2μm/0.2μmで
あるレジスト膜のパターンが解像される。
【0031】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
情報通信および画像処理技術の急速な進展に伴い、光デ
ィスク容量も近い将来において現在の数倍のものが要求
されると考えられ、例えば20GB以上の記憶容量が必
要となり、これを直径12cmのディスクの片面に現在
と同様の信号処理により達成するには、書き換え型光デ
ィスクではトラックピッチが0.4μm以下のグルーブ
パターンが必要となるが、上記の従来の光ディスクの製
造方法によると、トラックピッチが0.4μm以下のグ
ルーブパターンを形成することは容易ではない。
情報通信および画像処理技術の急速な進展に伴い、光デ
ィスク容量も近い将来において現在の数倍のものが要求
されると考えられ、例えば20GB以上の記憶容量が必
要となり、これを直径12cmのディスクの片面に現在
と同様の信号処理により達成するには、書き換え型光デ
ィスクではトラックピッチが0.4μm以下のグルーブ
パターンが必要となるが、上記の従来の光ディスクの製
造方法によると、トラックピッチが0.4μm以下のグ
ルーブパターンを形成することは容易ではない。
【0032】また、光磁気記録膜、あるいは、相変化膜
を用いる書き換え型光ディスクでは、データ書き込み時
のクロスイレース特性を改善するために、出来るだけ細
く(幅が狭く)深いグルーブ、いわゆるディープグルー
ブ形状のグルーブパターンが好適である。このような微
細で深い溝を形成するためには、上記の式(3)からわ
かるように、レーザ光の短波長化と対物レンズの高NA
化が求められるが、対物レンズのNAはレンズの設計製
作精度の面から現状の0.9程度の値がほぼ限界であ
る。
を用いる書き換え型光ディスクでは、データ書き込み時
のクロスイレース特性を改善するために、出来るだけ細
く(幅が狭く)深いグルーブ、いわゆるディープグルー
ブ形状のグルーブパターンが好適である。このような微
細で深い溝を形成するためには、上記の式(3)からわ
かるように、レーザ光の短波長化と対物レンズの高NA
化が求められるが、対物レンズのNAはレンズの設計製
作精度の面から現状の0.9程度の値がほぼ限界であ
る。
【0033】レーザ光の集光スポットサイズW(半値
幅)は、上述の解像力の場合と同様に、レーザ波長λ、
対物レンズの開口数NA、およびガウシアンビームを仮
定した係数0.52から、下記式(4)で近似される。
幅)は、上述の解像力の場合と同様に、レーザ波長λ、
対物レンズの開口数NA、およびガウシアンビームを仮
定した係数0.52から、下記式(4)で近似される。
【0034】
【数4】 W=0.52×(λ/NA) …(4)
【0035】例えば、λ=351nm、NA=0.9を
代入するとW=0.2μmとなり、レジスト膜中のグル
ーブパターンの幅をこれ以上狭くすることはできない。
従って、例えば0.4μmのトラックピッチで、0.1
μmの幅の微細なグルーブパターンを膜厚70nmのレ
ジスト膜に形成することは現状の技術では極めて困難と
なっている。
代入するとW=0.2μmとなり、レジスト膜中のグル
ーブパターンの幅をこれ以上狭くすることはできない。
従って、例えば0.4μmのトラックピッチで、0.1
μmの幅の微細なグルーブパターンを膜厚70nmのレ
ジスト膜に形成することは現状の技術では極めて困難と
なっている。
【0036】本発明は上記の状況に鑑みてなされたもの
であり、従って本発明の目的は、グルーブパターンある
いは情報ピットパターンの微細化、特にグルーブまたは
情報ピットの幅を狭くすることが可能な光学記録媒体の
製造方法と、この光学記録媒体を製造する工程において
用いる光学記録媒体製造用原盤およびスタンパの製造方
法を提供することである。
であり、従って本発明の目的は、グルーブパターンある
いは情報ピットパターンの微細化、特にグルーブまたは
情報ピットの幅を狭くすることが可能な光学記録媒体の
製造方法と、この光学記録媒体を製造する工程において
用いる光学記録媒体製造用原盤およびスタンパの製造方
法を提供することである。
【0037】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光学記録媒体製造用原盤の製造方法は、
光学記録媒体の媒体基板の表面に凹凸形状を転写するた
めに用いられる光学記録媒体製造用原盤の製造方法であ
って、原盤基板に凹凸形状を形成する工程と、上記凹凸
の凹部の側壁に当該凹部の幅を狭めるサイドウォールを
形成する工程とを有する。
めに、本発明の光学記録媒体製造用原盤の製造方法は、
光学記録媒体の媒体基板の表面に凹凸形状を転写するた
めに用いられる光学記録媒体製造用原盤の製造方法であ
って、原盤基板に凹凸形状を形成する工程と、上記凹凸
の凹部の側壁に当該凹部の幅を狭めるサイドウォールを
形成する工程とを有する。
【0038】上記の本発明の光学記録媒体製造用原盤の
製造方法は、好適には、上記サイドウォールを形成する
工程は、上記原盤基板の上記凹凸形状形成面上に、上記
凹部内を被覆して全面にサイドウォール用層を形成する
工程と、上記凹部の側壁に接する部分の上記サイドウォ
ール用層を残して全面にエッチバックする工程とを含
む。
製造方法は、好適には、上記サイドウォールを形成する
工程は、上記原盤基板の上記凹凸形状形成面上に、上記
凹部内を被覆して全面にサイドウォール用層を形成する
工程と、上記凹部の側壁に接する部分の上記サイドウォ
ール用層を残して全面にエッチバックする工程とを含
む。
【0039】上記の本発明の光学記録媒体製造用原盤の
製造方法は、好適には、上記凹凸形状が上記光学記録媒
体のトラック領域を区分する案内溝のパターンである。
あるいは好適には、上記凹凸形状が上記光学記録媒体の
ピットのパターンである。
製造方法は、好適には、上記凹凸形状が上記光学記録媒
体のトラック領域を区分する案内溝のパターンである。
あるいは好適には、上記凹凸形状が上記光学記録媒体の
ピットのパターンである。
【0040】上記の本発明の光学記録媒体製造用原盤の
製造方法は、好適には、上記原盤基板に凹凸形状を形成
する工程は、上記原盤基板の上記凹凸形状形成面上に当
該凹凸形状の凹部となる部分を開口するパターンに沿っ
てレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜をマス
クとして異方性エッチングを行う工程とを含む。
製造方法は、好適には、上記原盤基板に凹凸形状を形成
する工程は、上記原盤基板の上記凹凸形状形成面上に当
該凹凸形状の凹部となる部分を開口するパターンに沿っ
てレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜をマス
クとして異方性エッチングを行う工程とを含む。
【0041】上記の本発明の光学記録媒体製造用原盤の
製造方法は、トラック領域を区分する案内溝のパターン
またはピットのパターンに従ってレジスト膜を形成し、
異方性エッチングを行うなどにより、原盤基板に凹凸形
状を形成する。次に、凹凸形状形成面上に凹部内を被覆
して全面にサイドウォール用層を形成し、凹部の側壁に
接する部分のサイドウォール用層を残して全面にエッチ
バックするなどにより、凹凸の凹部の側壁にこの凹部の
幅を狭めるサイドウォールを形成する。
製造方法は、トラック領域を区分する案内溝のパターン
またはピットのパターンに従ってレジスト膜を形成し、
異方性エッチングを行うなどにより、原盤基板に凹凸形
状を形成する。次に、凹凸形状形成面上に凹部内を被覆
して全面にサイドウォール用層を形成し、凹部の側壁に
接する部分のサイドウォール用層を残して全面にエッチ
バックするなどにより、凹凸の凹部の側壁にこの凹部の
幅を狭めるサイドウォールを形成する。
【0042】上記の本発明の光学記録媒体製造用原盤の
製造方法によれば、グルーブパターンあるいは情報ピッ
トパターンの微細化、特にグルーブまたは情報ピットの
幅を狭くして製造することができる光学記録媒体の製造
方法において用いる光学記録媒体製造用原盤を製造する
ことができる。
製造方法によれば、グルーブパターンあるいは情報ピッ
トパターンの微細化、特にグルーブまたは情報ピットの
幅を狭くして製造することができる光学記録媒体の製造
方法において用いる光学記録媒体製造用原盤を製造する
ことができる。
【0043】また、上記の目的を達成するために、本発
明の光学記録媒体製造用スタンパの製造方法は、光学記
録媒体の媒体基板の表面に凹凸形状を転写するために用
いられる光学記録媒体製造用スタンパの製造方法であっ
て、原盤基板に凹凸形状を形成する工程と、上記凹凸形
状の凹部の側壁に当該凹部の幅を狭めるサイドウォール
を形成する工程と、上記原盤基板の上記凹凸形状が転写
されたスタンパを形成する工程とを有する。
明の光学記録媒体製造用スタンパの製造方法は、光学記
録媒体の媒体基板の表面に凹凸形状を転写するために用
いられる光学記録媒体製造用スタンパの製造方法であっ
て、原盤基板に凹凸形状を形成する工程と、上記凹凸形
状の凹部の側壁に当該凹部の幅を狭めるサイドウォール
を形成する工程と、上記原盤基板の上記凹凸形状が転写
されたスタンパを形成する工程とを有する。
【0044】上記の本発明の光学記録媒体製造用スタン
パの製造方法は、好適には、上記スタンパをニッケルに
より形成する。
パの製造方法は、好適には、上記スタンパをニッケルに
より形成する。
【0045】上記の本発明の光学記録媒体製造用スタン
パの製造方法は、原盤基板に凹凸形状を形成し、凹凸形
状の凹部の側壁にこの凹部の幅を狭めるサイドウォール
を形成し、得られた原盤基板の凹凸形状が転写されたニ
ッケルなどからなるスタンパを形成する。
パの製造方法は、原盤基板に凹凸形状を形成し、凹凸形
状の凹部の側壁にこの凹部の幅を狭めるサイドウォール
を形成し、得られた原盤基板の凹凸形状が転写されたニ
ッケルなどからなるスタンパを形成する。
【0046】上記の本発明の光学記録媒体製造用スタン
パの製造方法によれば、グルーブパターンあるいは情報
ピットパターンの微細化、特にグルーブまたは情報ピッ
トの幅を狭くして製造することができる光学記録媒体の
製造方法において用いる光学記録媒体製造用スタンパを
製造することができる。
パの製造方法によれば、グルーブパターンあるいは情報
ピットパターンの微細化、特にグルーブまたは情報ピッ
トの幅を狭くして製造することができる光学記録媒体の
製造方法において用いる光学記録媒体製造用スタンパを
製造することができる。
【0047】また、上記の目的を達成するために、本発
明の光学記録媒体の製造方法は、表面に凹凸形状が転写
された媒体基板を有する光学記録媒体の製造方法であっ
て、原盤基板に凹凸形状を形成する工程と、上記凹凸形
状の凹部の側壁に当該凹部の幅を狭めるサイドウォール
を形成する工程と、上記原盤基板の上記凹凸形状が転写
されたスタンパを形成する工程と、上記スタンパの上記
凹凸形状が転写された媒体基板を形成する工程と、上記
媒体基板の上記凹凸形状形成面上に光学記録膜を形成す
る工程と、上記光学記録膜上に保護膜を形成する工程と
を有する。
明の光学記録媒体の製造方法は、表面に凹凸形状が転写
された媒体基板を有する光学記録媒体の製造方法であっ
て、原盤基板に凹凸形状を形成する工程と、上記凹凸形
状の凹部の側壁に当該凹部の幅を狭めるサイドウォール
を形成する工程と、上記原盤基板の上記凹凸形状が転写
されたスタンパを形成する工程と、上記スタンパの上記
凹凸形状が転写された媒体基板を形成する工程と、上記
媒体基板の上記凹凸形状形成面上に光学記録膜を形成す
る工程と、上記光学記録膜上に保護膜を形成する工程と
を有する。
【0048】上記の本発明の光学記録媒体の製造方法
は、好適には、上記原盤基板の上記凹凸形状が転写され
たスタンパを形成する工程は、上記原盤基板の上記凹凸
形状が転写された中間部材を形成する工程と、上記中間
部材の上記凹凸形状が転写されたスタンパを形成する工
程とを含む。
は、好適には、上記原盤基板の上記凹凸形状が転写され
たスタンパを形成する工程は、上記原盤基板の上記凹凸
形状が転写された中間部材を形成する工程と、上記中間
部材の上記凹凸形状が転写されたスタンパを形成する工
程とを含む。
【0049】上記の本発明の光学記録媒体の製造方法
は、好適には、上記光学記録膜として相変化型の光学記
録膜を形成する。あるいは好適には、上記光学記録膜と
して光磁気記録膜を形成する。あるいは好適には、上記
光学記録膜として有機色素層を含む光学記録膜を形成す
る。あるいは好適には、上記光学記録膜として反射膜を
形成する。
は、好適には、上記光学記録膜として相変化型の光学記
録膜を形成する。あるいは好適には、上記光学記録膜と
して光磁気記録膜を形成する。あるいは好適には、上記
光学記録膜として有機色素層を含む光学記録膜を形成す
る。あるいは好適には、上記光学記録膜として反射膜を
形成する。
【0050】上記の本発明の光学記録媒体の製造方法
は、原盤基板に凹凸形状を形成し、凹凸形状の凹部の側
壁にこの凹部の幅を狭めるサイドウォールを形成する。
次に、原盤基板の凹凸形状が転写されたスタンパを形成
し、スタンパの上記凹凸形状が転写された媒体基板を形
成する。次に、媒体基板の凹凸形状形成面上に相変化型
の光学記録膜、光磁気記録膜あるいは反射膜などの光学
記録膜を形成し、その上に保護膜を形成する。原盤基板
の凹凸形状が転写されたスタンパを形成するためには、
凹凸形状が転写された中間部材を形成し、その凹凸形状
を転写してスタンパを形成してもよい。
は、原盤基板に凹凸形状を形成し、凹凸形状の凹部の側
壁にこの凹部の幅を狭めるサイドウォールを形成する。
次に、原盤基板の凹凸形状が転写されたスタンパを形成
し、スタンパの上記凹凸形状が転写された媒体基板を形
成する。次に、媒体基板の凹凸形状形成面上に相変化型
の光学記録膜、光磁気記録膜あるいは反射膜などの光学
記録膜を形成し、その上に保護膜を形成する。原盤基板
の凹凸形状が転写されたスタンパを形成するためには、
凹凸形状が転写された中間部材を形成し、その凹凸形状
を転写してスタンパを形成してもよい。
【0051】上記の本発明の光学記録媒体の製造方法に
よれば、グルーブパターンあるいは情報ピットパターン
の微細化、特にグルーブまたは情報ピットの幅を狭くし
て光学記録媒体を製造することができる。
よれば、グルーブパターンあるいは情報ピットパターン
の微細化、特にグルーブまたは情報ピットの幅を狭くし
て光学記録媒体を製造することができる。
【0052】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて詳しく説明する。本実施の形態は、光学
記録媒体である光ディスクの製造方法と、この光学記録
媒体を製造する工程において用いる光学記録媒体製造用
原盤およびスタンパの製造方法に関する。
て図面を用いて詳しく説明する。本実施の形態は、光学
記録媒体である光ディスクの製造方法と、この光学記録
媒体を製造する工程において用いる光学記録媒体製造用
原盤およびスタンパの製造方法に関する。
【0053】図1(a)は本実施形態に係る光ディスク
の光の照射の様子を示す模式斜視図である。光ディスク
Dは、中心部にセンターホールCHが開口された略円盤
形状をしており、ドライブ方向DRに回転駆動される。
情報を記録または再生するときには、光ディスクDC中
の光学記録膜に対して、例えば開口数が0.8以上の対
物レンズOLにより、青〜青紫色の領域のレーザ光など
の光LTが照射されて用いられる。
の光の照射の様子を示す模式斜視図である。光ディスク
Dは、中心部にセンターホールCHが開口された略円盤
形状をしており、ドライブ方向DRに回転駆動される。
情報を記録または再生するときには、光ディスクDC中
の光学記録膜に対して、例えば開口数が0.8以上の対
物レンズOLにより、青〜青紫色の領域のレーザ光など
の光LTが照射されて用いられる。
【0054】図1(b)は模式断面図であり、図1
(c)は図1(b)の模式断面図の要部を拡大した断面
図である。厚さが約1.1mmのポリカーボネートなど
からなるディスク基板14の一方の表面に、トラック領
域を区分する溝14aが設けられており、この面上に、
例えば反射膜、誘電体膜、記録膜、誘電体膜などがこの
順番で積層された光学記録膜15が形成されている。光
学記録膜15の層構成および層数は記録材料の種類や設
計によって異なる。上記の記録膜は、例えば相変化型の
記録膜、光磁気記録膜、あるいは有機色素を含む記録膜
である。さらに、光学記録膜15の上層に0.1mmの
膜厚の光透過性の保護層16が形成されている。
(c)は図1(b)の模式断面図の要部を拡大した断面
図である。厚さが約1.1mmのポリカーボネートなど
からなるディスク基板14の一方の表面に、トラック領
域を区分する溝14aが設けられており、この面上に、
例えば反射膜、誘電体膜、記録膜、誘電体膜などがこの
順番で積層された光学記録膜15が形成されている。光
学記録膜15の層構成および層数は記録材料の種類や設
計によって異なる。上記の記録膜は、例えば相変化型の
記録膜、光磁気記録膜、あるいは有機色素を含む記録膜
である。さらに、光学記録膜15の上層に0.1mmの
膜厚の光透過性の保護層16が形成されている。
【0055】上記の光ディスクを記録あるいは再生する
場合には、対物レンズOLにより、レーザ光などの光L
Tを保護層16側から光学記録膜15に対して照射す
る。光ディスクの再生時においては、光学記録膜15で
反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処理回路
により所定の信号を生成して、再生信号が取り出され
る。
場合には、対物レンズOLにより、レーザ光などの光L
Tを保護層16側から光学記録膜15に対して照射す
る。光ディスクの再生時においては、光学記録膜15で
反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処理回路
により所定の信号を生成して、再生信号が取り出され
る。
【0056】上記のような光ディスクにおいて、ディス
ク基板15の一方の表面に設けられた溝14aに応じて
光学記録膜15も凹凸形状を有しており、この溝14a
によりトラック領域が区分されている。以下、ディスク
基板14から見て保護層16側に凸に突出している領域
はランド、凹部領域はグルーブと呼ばれ、ランドとグル
ーブの両者に情報を記録するランド・グルーブ記録方式
を適用することが可能である。また、ランドとグルーブ
の一方のみ記録領域とすることも可能である。
ク基板15の一方の表面に設けられた溝14aに応じて
光学記録膜15も凹凸形状を有しており、この溝14a
によりトラック領域が区分されている。以下、ディスク
基板14から見て保護層16側に凸に突出している領域
はランド、凹部領域はグルーブと呼ばれ、ランドとグル
ーブの両者に情報を記録するランド・グルーブ記録方式
を適用することが可能である。また、ランドとグルーブ
の一方のみ記録領域とすることも可能である。
【0057】ここで、上記のグルーブピッチは例えば
0.4μm程度であり、グルーブの幅は例えば0.1μ
m程度であり、また、グルーブの深さは70nm程度で
あり、従来形成することが困難であった微細な幅のグル
ーブとなっている。
0.4μm程度であり、グルーブの幅は例えば0.1μ
m程度であり、また、グルーブの深さは70nm程度で
あり、従来形成することが困難であった微細な幅のグル
ーブとなっている。
【0058】また、上記のディスク基板14の凹凸形状
を記録データに対応する長さを有するピットとして、光
学記録膜をアルミニウム膜などの反射膜とすることによ
り、再生専用(ROM)型の光ディスクとすることもで
きる。
を記録データに対応する長さを有するピットとして、光
学記録膜をアルミニウム膜などの反射膜とすることによ
り、再生専用(ROM)型の光ディスクとすることもで
きる。
【0059】上記の光ディスクの製造方法について説明
する。図8(a)は、本実施形態の光ディスクの製造方
法で用いるカッティング装置(露光装置)の模式構成図
であり、図8(b)は要部斜視図であり、従来の光ディ
スクの製造方法において用いるものと共通の構成であ
る。光源として、例えば発振波長351nmのKrまた
はArガス(イオン)レーザGSが備えられ、その光軸
上に光学素子として、電気光学素子EOM、偏光ビーム
スプリッタPBS1、ミラーM1、レンズL1、音響光
学素子AOM、レンズL2、ミラーM2、レンズL3、
レンズL4、DCM、ミラーM3、対物レンズOLが所
定の位置に配置されている。上記のミラーM2以前の光
学素子は、固定定盤に固定されており、一方、レンズL
3以降の光学素子は、可動式テーブルMT上に搭載され
ている。また、このカッティング装置の露光対象物であ
るガラス基板上にレジスト膜が成膜されたレジスト原盤
RDが、スピンドルモータにより高回転精度で回転駆動
可能なエアースピンドル上にチャックされる。
する。図8(a)は、本実施形態の光ディスクの製造方
法で用いるカッティング装置(露光装置)の模式構成図
であり、図8(b)は要部斜視図であり、従来の光ディ
スクの製造方法において用いるものと共通の構成であ
る。光源として、例えば発振波長351nmのKrまた
はArガス(イオン)レーザGSが備えられ、その光軸
上に光学素子として、電気光学素子EOM、偏光ビーム
スプリッタPBS1、ミラーM1、レンズL1、音響光
学素子AOM、レンズL2、ミラーM2、レンズL3、
レンズL4、DCM、ミラーM3、対物レンズOLが所
定の位置に配置されている。上記のミラーM2以前の光
学素子は、固定定盤に固定されており、一方、レンズL
3以降の光学素子は、可動式テーブルMT上に搭載され
ている。また、このカッティング装置の露光対象物であ
るガラス基板上にレジスト膜が成膜されたレジスト原盤
RDが、スピンドルモータにより高回転精度で回転駆動
可能なエアースピンドル上にチャックされる。
【0060】ガスレーザGSから出射されたレーザ光L
T1は、電気光学素子EOMおよび偏光ビームスプリッ
タPBS1を透過し、ミラーM1で反射してその進行方
向が屈曲される。このとき、レーザ光LT1の一部はミ
ラーM1を透過し、フォトダイオードPD1に入射す
る。上記のミラーM1で反射したレーザ光LT1は、レ
ンズL1により集光され、音響光学素子AOMを経てレ
ンズL2により平行光に戻され、ミラーM2で反射して
その進行方向が屈曲される。このとき、レーザ光LT1
の一部はミラーM2を透過し、フォトダイオードPD2
に入射する。上記のフォトダイオードPD1またはフォ
トダイオードPD2で受光したの強度により、電気光学
素子EOMにフォードバックがなされ、一定の出力を得
ようとするAPC制御(Automatic Power Control )が
なされる。また、必要に応じて、音響光学素子AOMに
おいてレーザ光LT1の変調がなされる。上記のミラー
M2で反射したレーザ光LT1は、レンズ(L3,L
4)よりなるビームエキスパンダにより、そのビーム径
が拡大され、DCMを透過して、ミラーM3により反射
して、対物レンズOLによりレジスト原盤RDのレジス
ト膜に対して例えば0.3μmの径のスポットとして集
光される。
T1は、電気光学素子EOMおよび偏光ビームスプリッ
タPBS1を透過し、ミラーM1で反射してその進行方
向が屈曲される。このとき、レーザ光LT1の一部はミ
ラーM1を透過し、フォトダイオードPD1に入射す
る。上記のミラーM1で反射したレーザ光LT1は、レ
ンズL1により集光され、音響光学素子AOMを経てレ
ンズL2により平行光に戻され、ミラーM2で反射して
その進行方向が屈曲される。このとき、レーザ光LT1
の一部はミラーM2を透過し、フォトダイオードPD2
に入射する。上記のフォトダイオードPD1またはフォ
トダイオードPD2で受光したの強度により、電気光学
素子EOMにフォードバックがなされ、一定の出力を得
ようとするAPC制御(Automatic Power Control )が
なされる。また、必要に応じて、音響光学素子AOMに
おいてレーザ光LT1の変調がなされる。上記のミラー
M2で反射したレーザ光LT1は、レンズ(L3,L
4)よりなるビームエキスパンダにより、そのビーム径
が拡大され、DCMを透過して、ミラーM3により反射
して、対物レンズOLによりレジスト原盤RDのレジス
ト膜に対して例えば0.3μmの径のスポットとして集
光される。
【0061】上記のカッティング装置において、不図示
のスピンドルモータによりレジスト原盤RDをスピンド
ル方向SDに回転駆動し、可動式テーブルMTをレジス
ト原盤RDの半径方向に所定幅ずつ送りながら、上記レ
ーザ光LT1をレジスト原盤RDのレジスト膜に照射す
ることで、レジスト原盤RDのパターン露光を行うこと
ができる。例えば、相変化型光ディスクなどの書き換え
可能型の光ディスクを製造する工程においては、記録領
域を区分するトラック(ランド/グルーブ)のパターン
に沿って露光用レーザ光をスパイラル状に走査露光する
ことができる。また、再生専用(ROM)型の光ディス
クを製造する工程においては、露光用レーザ光を記録デ
ータ(情報ピット)に対応するようにオンオフしながら
スパイラル状に走査露光することもできる。
のスピンドルモータによりレジスト原盤RDをスピンド
ル方向SDに回転駆動し、可動式テーブルMTをレジス
ト原盤RDの半径方向に所定幅ずつ送りながら、上記レ
ーザ光LT1をレジスト原盤RDのレジスト膜に照射す
ることで、レジスト原盤RDのパターン露光を行うこと
ができる。例えば、相変化型光ディスクなどの書き換え
可能型の光ディスクを製造する工程においては、記録領
域を区分するトラック(ランド/グルーブ)のパターン
に沿って露光用レーザ光をスパイラル状に走査露光する
ことができる。また、再生専用(ROM)型の光ディス
クを製造する工程においては、露光用レーザ光を記録デ
ータ(情報ピット)に対応するようにオンオフしながら
スパイラル状に走査露光することもできる。
【0062】上記の対物レンズの焦点距離を常にレジス
ト原盤RD上に一致させるために、オートフォーカス
(A/F)機構が配置されている。例えば、A/F光学
系として発振波長680nmのレーザダイオードLDを
用いた離軸方式を適用しており、レーザダイオードLD
から出射された680nmのレーザ光LT2は偏光ビー
ムスプリッタPBS2の分光面で反射され、1/4波長
板QWPを透過してDCMで反射し、レーザ光LT1と
ともにレジスト原盤RD上に照射される。このとき、レ
ーザ光LT2の対物レンズOLによる焦点をレーザ光L
T1の焦点面に一致させておく。レーザ光LT2は、レ
ジスト原盤RDで反射され、対物レンズを通して戻って
きたスポットをスポット位置検出素子PSD上に投影さ
れる。この際、レーザ光LT2は対物レンズの光軸から
やや離れた位置から光軸にほぼ平行に入射させ、レジス
ト原盤表面においてレーザ光LT1の焦点からやや離れ
た位置に焦点を結ばせることにより、レジスト原盤表面
の光軸上での焦点面からの変位をレーザ光LT2のレジ
スト原盤上での変位として検出し、光てこの原理によ
り、スポット位置検出素子PSD上で100倍程度に拡
大して検出する。このようにしてスポット位置検出素子
PSD上でのスポットの位置を検出して、レジスト原盤
表面が焦点位置に一致したときのレーザ光LT2の戻り
光スポット位置からの変位をフォーカス誤差量として、
対物レンズを上下させるアクチュエータにフィードバッ
クして駆動させ、A/Fサーボを行い、レーザ光LT1
を常にレジスト原盤上に合焦させる。また、A/F光学
系において、偏光ビームスプリッタPBS2および1/
4波長板QWPはレーザ光LT2の往路と復路を効率よ
く分離するための偏光素子として用いられている。
ト原盤RD上に一致させるために、オートフォーカス
(A/F)機構が配置されている。例えば、A/F光学
系として発振波長680nmのレーザダイオードLDを
用いた離軸方式を適用しており、レーザダイオードLD
から出射された680nmのレーザ光LT2は偏光ビー
ムスプリッタPBS2の分光面で反射され、1/4波長
板QWPを透過してDCMで反射し、レーザ光LT1と
ともにレジスト原盤RD上に照射される。このとき、レ
ーザ光LT2の対物レンズOLによる焦点をレーザ光L
T1の焦点面に一致させておく。レーザ光LT2は、レ
ジスト原盤RDで反射され、対物レンズを通して戻って
きたスポットをスポット位置検出素子PSD上に投影さ
れる。この際、レーザ光LT2は対物レンズの光軸から
やや離れた位置から光軸にほぼ平行に入射させ、レジス
ト原盤表面においてレーザ光LT1の焦点からやや離れ
た位置に焦点を結ばせることにより、レジスト原盤表面
の光軸上での焦点面からの変位をレーザ光LT2のレジ
スト原盤上での変位として検出し、光てこの原理によ
り、スポット位置検出素子PSD上で100倍程度に拡
大して検出する。このようにしてスポット位置検出素子
PSD上でのスポットの位置を検出して、レジスト原盤
表面が焦点位置に一致したときのレーザ光LT2の戻り
光スポット位置からの変位をフォーカス誤差量として、
対物レンズを上下させるアクチュエータにフィードバッ
クして駆動させ、A/Fサーボを行い、レーザ光LT1
を常にレジスト原盤上に合焦させる。また、A/F光学
系において、偏光ビームスプリッタPBS2および1/
4波長板QWPはレーザ光LT2の往路と復路を効率よ
く分離するための偏光素子として用いられている。
【0063】上記のカッティング装置を用いて、以下の
ように光ディスクを製造することができる。まず、図2
(a)に示すようなガラス基板10上にレジスト膜11
が成膜されたレジスト原盤RDを準備する。上記のガラ
ス基板は、例えば直径が200mm、厚さが数mmであ
り、表面が精密に研磨されている。また、レジスト膜1
1は、例えば紫外線に感光する感光性ポジ型フォトレジ
ストを用い、100nmの膜厚でスピンコートにより成
膜する。レジスト膜11中に残存する溶剤を数10℃の
ベーキング処理により除去する。
ように光ディスクを製造することができる。まず、図2
(a)に示すようなガラス基板10上にレジスト膜11
が成膜されたレジスト原盤RDを準備する。上記のガラ
ス基板は、例えば直径が200mm、厚さが数mmであ
り、表面が精密に研磨されている。また、レジスト膜1
1は、例えば紫外線に感光する感光性ポジ型フォトレジ
ストを用い、100nmの膜厚でスピンコートにより成
膜する。レジスト膜11中に残存する溶剤を数10℃の
ベーキング処理により除去する。
【0064】次に、図8(a)および(b)に示すカッ
ティング装置を用いて、ディスク基板の溝となる領域を
感光させるパターンでレジスト膜11の露光を行い、ア
ルカリ現像液などにより現像処理を施して、図2(b)
に示すように、ディスク基板の溝となる領域を開口する
パターンのレジスト膜11aとする。
ティング装置を用いて、ディスク基板の溝となる領域を
感光させるパターンでレジスト膜11の露光を行い、ア
ルカリ現像液などにより現像処理を施して、図2(b)
に示すように、ディスク基板の溝となる領域を開口する
パターンのレジスト膜11aとする。
【0065】上記の露光工程において、例えば、レーザ
波長λ=351nm、対物レンズの開口数NA=0.
9、プロセスファクターK=0.5とすると、式(3)
から解像力P=0.2μmとなり、トラックピッチ0.
4μmのグルーブ、または、0.2μmL/S(ライン
/スペース:パターンとして残す部分と除去する部分の
幅)がそれぞれ0.2μm/0.2μmであるレジスト
膜のパターンが解像される。
波長λ=351nm、対物レンズの開口数NA=0.
9、プロセスファクターK=0.5とすると、式(3)
から解像力P=0.2μmとなり、トラックピッチ0.
4μmのグルーブ、または、0.2μmL/S(ライン
/スペース:パターンとして残す部分と除去する部分の
幅)がそれぞれ0.2μm/0.2μmであるレジスト
膜のパターンが解像される。
【0066】次に、図2(c)に示すように、レジスト
膜11aをマスクとしてドライエッチングを行い、レジ
スト膜11aのパターンをガラス基板10に転写して側
壁がほぼ垂直となるようにレジスト膜11aと同パター
ンの溝10aを形成する。ここで、用いるエッチングガ
スとして例えばフロン系ガス(CF4 ,CHF3など)
を用い、プラズマ中に生成されたエッチングガスのイオ
ンをガラス基板10に垂直に入射させる、いわゆる反応
性イオンエッチング(RIE)モードでエッチングを行
う。形成するグルーブパターンは、例えば深さ70nm
であり、ピッチおよび幅は、それぞれ0.4μm、0.
2μmである。
膜11aをマスクとしてドライエッチングを行い、レジ
スト膜11aのパターンをガラス基板10に転写して側
壁がほぼ垂直となるようにレジスト膜11aと同パター
ンの溝10aを形成する。ここで、用いるエッチングガ
スとして例えばフロン系ガス(CF4 ,CHF3など)
を用い、プラズマ中に生成されたエッチングガスのイオ
ンをガラス基板10に垂直に入射させる、いわゆる反応
性イオンエッチング(RIE)モードでエッチングを行
う。形成するグルーブパターンは、例えば深さ70nm
であり、ピッチおよび幅は、それぞれ0.4μm、0.
2μmである。
【0067】次に、図3(a)に示すように、酸素プラ
ズマ処理あるいはアッシングなどにより、レジスト膜1
1aを除去する。
ズマ処理あるいはアッシングなどにより、レジスト膜1
1aを除去する。
【0068】次に、図3(b)に示すように、例えば真
空中スパッタリングあるいはCVD(Chemical Vapor D
eposition )法により、窒化シリコンなどのシリコン系
材料あるいはその他の材料を50nmの膜厚で全面に堆
積させて、サイドウォール用層12を形成する。このと
き、成膜の条件を適正化し、グルーブの底部、側部およ
びランド上に均一な膜厚で被覆するように成膜する。
空中スパッタリングあるいはCVD(Chemical Vapor D
eposition )法により、窒化シリコンなどのシリコン系
材料あるいはその他の材料を50nmの膜厚で全面に堆
積させて、サイドウォール用層12を形成する。このと
き、成膜の条件を適正化し、グルーブの底部、側部およ
びランド上に均一な膜厚で被覆するように成膜する。
【0069】次に、図3(c)に示すように、例えばフ
ロン系ガスを用いたRIEモードで全面にエッチバック
を行うことにより、グルーブの側壁に接する部分を残し
てサイドウォール用層を除去し、サイドウォール12a
を形成する。上記のように形成されたサイドウォール1
2aが形成されたことにより、幅が狭められた溝(グル
ーブ)10bとなる。例えば、サイドウォール用層の膜
厚が50nmの場合、サイドウォールの幅も50nmと
なり、サイドウォールにより狭められた溝(グルーブ)
10bの幅は0.1μm程度となる。グルーブ底部が露
出するまでサイドウォール用層が除去されているので、
サイドウォールにより狭められた溝(グルーブ)10b
の深さは70nm程度のままである。
ロン系ガスを用いたRIEモードで全面にエッチバック
を行うことにより、グルーブの側壁に接する部分を残し
てサイドウォール用層を除去し、サイドウォール12a
を形成する。上記のように形成されたサイドウォール1
2aが形成されたことにより、幅が狭められた溝(グル
ーブ)10bとなる。例えば、サイドウォール用層の膜
厚が50nmの場合、サイドウォールの幅も50nmと
なり、サイドウォールにより狭められた溝(グルーブ)
10bの幅は0.1μm程度となる。グルーブ底部が露
出するまでサイドウォール用層が除去されているので、
サイドウォールにより狭められた溝(グルーブ)10b
の深さは70nm程度のままである。
【0070】次に、図4(a)に示すように、例えばニ
ッケルメッキ処理などを行い、上記ガラス基板10上に
スタンパ13を形成する。スタンパ13の表面には、サ
イドウォールにより狭められた溝(グルーブ)10bが
形成されたガラス基板10により構成されるパターンの
凹凸と逆パターンの凹凸が転写され、凸部13aが形成
されている。サイドウォールにより狭められた溝(グル
ーブ)10bは、幅が0.1μm、深さが70nm、ピ
ッチが0.4μmであったので、凸部13aの幅が0.
1μm、高さが70nm、ピッチが0.4μmとなる。
ッケルメッキ処理などを行い、上記ガラス基板10上に
スタンパ13を形成する。スタンパ13の表面には、サ
イドウォールにより狭められた溝(グルーブ)10bが
形成されたガラス基板10により構成されるパターンの
凹凸と逆パターンの凹凸が転写され、凸部13aが形成
されている。サイドウォールにより狭められた溝(グル
ーブ)10bは、幅が0.1μm、深さが70nm、ピ
ッチが0.4μmであったので、凸部13aの幅が0.
1μm、高さが70nm、ピッチが0.4μmとなる。
【0071】次に、図4(b)に示すように、ガラス基
板10上のレジスト膜11aからスタンパ13を離型す
る。
板10上のレジスト膜11aからスタンパ13を離型す
る。
【0072】次に、図5(a)に示すように、上記で得
られたスタンパ13を金型(MD1,MD2)からなる
キャビティ内に固定し、射出成形用金型を構成する。こ
のとき、スタンパ13の凸部形成面13a’がキャビテ
ィ内側を臨むように設置する。上記の射出成形用金型の
キャビティ内に、例えば溶融状態のポリカーボネートな
どの樹脂を金型の注入口Iから射出することで、図5
(b)に示すように、スタンパ13の凹凸パターン上に
ディスク基板14を形成する。ここで、ディスク基板1
4には、スタンパ13の表面の凹凸と逆パターンの凹凸
となる溝(グルーブ)14aが転写される。凸部は、幅
が0.1μm、高さが70nm、ピッチが0.4μmで
あったので、溝(グルーブ)14aの幅が0.1μm、
深さが70nm、ピッチが0.4μmとなる。
られたスタンパ13を金型(MD1,MD2)からなる
キャビティ内に固定し、射出成形用金型を構成する。こ
のとき、スタンパ13の凸部形成面13a’がキャビテ
ィ内側を臨むように設置する。上記の射出成形用金型の
キャビティ内に、例えば溶融状態のポリカーボネートな
どの樹脂を金型の注入口Iから射出することで、図5
(b)に示すように、スタンパ13の凹凸パターン上に
ディスク基板14を形成する。ここで、ディスク基板1
4には、スタンパ13の表面の凹凸と逆パターンの凹凸
となる溝(グルーブ)14aが転写される。凸部は、幅
が0.1μm、高さが70nm、ピッチが0.4μmで
あったので、溝(グルーブ)14aの幅が0.1μm、
深さが70nm、ピッチが0.4μmとなる。
【0073】上記の射出成形金型から離型することで、
図6(a)に示すような表面に溝(グルーブ)14aが
形成されたディスク基板14が得られる。次に、図6
(b)に示すように、ディスク基板14の表面に空気や
窒素ガスなどのガスを吹き付けてダストを除去した後、
例えばスパッタリング法などにより、反射膜、誘電体
膜、記録膜、誘電体膜の積層体を有する光学記録膜15
をこの成膜順序で成膜する。上記の記録膜は、例えば、
相変化型の光学記録膜、光磁気記録膜あるいは有機色素
を含む記録膜を用いることができる。次に、図6(c)
に示すように、光学記録膜15の上層に保護膜15を形
成する。以上で、図7に示す構造の光ディスクを製造す
ることができる。
図6(a)に示すような表面に溝(グルーブ)14aが
形成されたディスク基板14が得られる。次に、図6
(b)に示すように、ディスク基板14の表面に空気や
窒素ガスなどのガスを吹き付けてダストを除去した後、
例えばスパッタリング法などにより、反射膜、誘電体
膜、記録膜、誘電体膜の積層体を有する光学記録膜15
をこの成膜順序で成膜する。上記の記録膜は、例えば、
相変化型の光学記録膜、光磁気記録膜あるいは有機色素
を含む記録膜を用いることができる。次に、図6(c)
に示すように、光学記録膜15の上層に保護膜15を形
成する。以上で、図7に示す構造の光ディスクを製造す
ることができる。
【0074】上記の露光工程において、露光用レーザ光
を記録データに対応するようにオンオフしながらスパイ
ラル状に走査露光することで、ディスク基板ディスク基
板14の凹凸形状を記録データに対応する長さを有する
ピットとして形成し、光学記録膜をアルミニウム膜など
の反射膜により形成することにより、再生専用(RO
M)型の光ディスクを製造することもできる。
を記録データに対応するようにオンオフしながらスパイ
ラル状に走査露光することで、ディスク基板ディスク基
板14の凹凸形状を記録データに対応する長さを有する
ピットとして形成し、光学記録膜をアルミニウム膜など
の反射膜により形成することにより、再生専用(RO
M)型の光ディスクを製造することもできる。
【0075】上記の本実施形態の光ディスクの製造方法
によれば、グルーブパターンあるいは情報ピットパター
ンの微細化、特にグルーブまたは情報ピットの幅を狭く
して光学記録媒体を製造することができる。また、本実
施形態の光ディスクを製造する工程において用いる光学
記録媒体製造用原盤およびスタンパの製造方法によれ
ば、グルーブパターンあるいは情報ピットパターンの微
細化、特にグルーブまたは情報ピットの幅を狭くして製
造することができる光学記録媒体の製造方法において用
いる光学記録媒体製造用原盤あるいはスタンパを製造す
ることができる。
によれば、グルーブパターンあるいは情報ピットパター
ンの微細化、特にグルーブまたは情報ピットの幅を狭く
して光学記録媒体を製造することができる。また、本実
施形態の光ディスクを製造する工程において用いる光学
記録媒体製造用原盤およびスタンパの製造方法によれ
ば、グルーブパターンあるいは情報ピットパターンの微
細化、特にグルーブまたは情報ピットの幅を狭くして製
造することができる光学記録媒体の製造方法において用
いる光学記録媒体製造用原盤あるいはスタンパを製造す
ることができる。
【0076】本発明は、上記の実施の形態に限定されな
い。例えば、光学記録膜の層構成は、実施形態で説明し
た構成に限らず、記録膜の材料などに応じて種々の構造
とすることができる。また、相変化型の光学記録媒体の
他、光磁気記録媒体や、有機色素材料を用いた光ディス
ク媒体にも適用可能である。原盤の溝の幅を狭めるサイ
ドウォールとしては、窒化シリコンの他、溝の幅を狭め
る部材となりうる材料であれば種々の材料を用いること
ができる。その他、本発明の要旨を変更しない範囲で種
々の変更をすることができる。
い。例えば、光学記録膜の層構成は、実施形態で説明し
た構成に限らず、記録膜の材料などに応じて種々の構造
とすることができる。また、相変化型の光学記録媒体の
他、光磁気記録媒体や、有機色素材料を用いた光ディス
ク媒体にも適用可能である。原盤の溝の幅を狭めるサイ
ドウォールとしては、窒化シリコンの他、溝の幅を狭め
る部材となりうる材料であれば種々の材料を用いること
ができる。その他、本発明の要旨を変更しない範囲で種
々の変更をすることができる。
【0077】
【発明の効果】本発明の光ディスクを製造する工程にお
いて用いる光学記録媒体製造用原盤およびスタンパの製
造方法によれば、グルーブパターンあるいは情報ピット
パターンの微細化、特にグルーブまたは情報ピットの幅
を狭くして製造することができる光学記録媒体の製造方
法において用いる光学記録媒体製造用原盤あるいはスタ
ンパを製造することができる。
いて用いる光学記録媒体製造用原盤およびスタンパの製
造方法によれば、グルーブパターンあるいは情報ピット
パターンの微細化、特にグルーブまたは情報ピットの幅
を狭くして製造することができる光学記録媒体の製造方
法において用いる光学記録媒体製造用原盤あるいはスタ
ンパを製造することができる。
【0078】本発明の光ディスクの製造方法によれば、
グルーブパターンあるいは情報ピットパターンの微細
化、特にグルーブまたは情報ピットの幅を狭くして光学
記録媒体を製造することができる。
グルーブパターンあるいは情報ピットパターンの微細
化、特にグルーブまたは情報ピットの幅を狭くして光学
記録媒体を製造することができる。
【図1】図1(a)は本発明の実施形態に係る光ディス
クの光の照射の様子を示す模式斜視図であり、図1
(b)は模式断面図であり、図1(c)は図1(b)の
模式断面図の要部を拡大した断面図である。
クの光の照射の様子を示す模式斜視図であり、図1
(b)は模式断面図であり、図1(c)は図1(b)の
模式断面図の要部を拡大した断面図である。
【図2】図2は本発明の実施形態に係る光ディスクの製
造方法の製造工程を示す断面図であり、(a)はレジス
ト原盤を作成する工程まで、(b)はレジスト膜をパタ
ーン加工する工程まで、(c)はガラス基板に溝を形成
する工程までを示す。
造方法の製造工程を示す断面図であり、(a)はレジス
ト原盤を作成する工程まで、(b)はレジスト膜をパタ
ーン加工する工程まで、(c)はガラス基板に溝を形成
する工程までを示す。
【図3】図3は図2の続きの工程を示す断面図であり、
(a)はレジスト膜を除去する工程まで、(b)はサイ
ドウォール用層を形成する工程まで、(c)はサイドウ
ォールを形成する工程までを示す。
(a)はレジスト膜を除去する工程まで、(b)はサイ
ドウォール用層を形成する工程まで、(c)はサイドウ
ォールを形成する工程までを示す。
【図4】図4は図3の続きの工程を示す断面図であり、
(a)はスタンパを形成する工程まで、(b)はスタン
パを離型する工程までを示す。
(a)はスタンパを形成する工程まで、(b)はスタン
パを離型する工程までを示す。
【図5】図5は図4の続きの工程を示す射出成形工程の
(a)模式図および(b)断面図である。
(a)模式図および(b)断面図である。
【図6】図6は図5の続きの工程を示す断面図であり、
(a)はディスク基板を形成する工程まで、(b)は光
学記録膜を形成する工程まで、(c)は保護膜を形成す
る工程までを示す。
(a)はディスク基板を形成する工程まで、(b)は光
学記録膜を形成する工程まで、(c)は保護膜を形成す
る工程までを示す。
【図7】図7(a)は従来例に係る光ディスクの光の照
射の様子を示す模式斜視図であり、図7(b)は模式断
面図であり、図7(c)は図7(b)の模式断面図の要
部を拡大した断面図である。
射の様子を示す模式斜視図であり、図7(b)は模式断
面図であり、図7(c)は図7(b)の模式断面図の要
部を拡大した断面図である。
【図8】図8(a)は、カッティング装置(露光装置)
の模式構成図であり、図8(b)は要部斜視図である。
の模式構成図であり、図8(b)は要部斜視図である。
【図9】図9は従来例に係る光ディスクの製造方法の製
造工程を示す断面図であり、(a)はレジスト原盤を作
成する工程まで、(b)はレジスト膜をパターン加工す
る工程までを示す。
造工程を示す断面図であり、(a)はレジスト原盤を作
成する工程まで、(b)はレジスト膜をパターン加工す
る工程までを示す。
【図10】図10は図9の続きの工程を示す断面図であ
り、(a)はスタンパを形成する工程まで、(b)はス
タンパを離型する工程までを示す。
り、(a)はスタンパを形成する工程まで、(b)はス
タンパを離型する工程までを示す。
【図11】図11は図10の続きの工程を示す射出成形
工程の(a)模式図および(b)断面図である。
工程の(a)模式図および(b)断面図である。
【図12】図12は図11の続きの工程を示す断面図で
あり、(a)はディスク基板を形成する工程まで、
(b)は光学記録膜を形成する工程まで、(c)は保護
膜を形成する工程までを示す。
あり、(a)はディスク基板を形成する工程まで、
(b)は光学記録膜を形成する工程まで、(c)は保護
膜を形成する工程までを示す。
10…ディスク基板、10a…溝、10b…サイドウォ
ールにより狭められた溝、11,11a…レジスト膜、
12…サイドウォール用層、12a…サイドウォール、
13…スタンパ、13a…凸部、13’…凸部形成面、
14…ディスク基板、14a…溝、14’…溶融樹脂、
15…光学記録膜、16…保護膜、AOM…音響光学素
子、CH…センタホール、DC…光ディスク、DR…ド
ライブ方向、EOM…電気光学素子、GL…ガスレー
ザ、I…注入口、L1,L2,L3,L4…レンズ、L
T,LT1,LT2…(レーザ)光、M1,M2,M3
…ミラー、MD1,MD2…金型、MT…可動テーブ
ル、OL…対物レンズ、PBS1,PBS2…偏光ビー
ムスプリッタ、PD1,PD2…フォトダイオード、P
SD…スポット位置検出素子、QWP…1/4波長板、
RD…レジスト原盤、SD…スピンドル方向。
ールにより狭められた溝、11,11a…レジスト膜、
12…サイドウォール用層、12a…サイドウォール、
13…スタンパ、13a…凸部、13’…凸部形成面、
14…ディスク基板、14a…溝、14’…溶融樹脂、
15…光学記録膜、16…保護膜、AOM…音響光学素
子、CH…センタホール、DC…光ディスク、DR…ド
ライブ方向、EOM…電気光学素子、GL…ガスレー
ザ、I…注入口、L1,L2,L3,L4…レンズ、L
T,LT1,LT2…(レーザ)光、M1,M2,M3
…ミラー、MD1,MD2…金型、MT…可動テーブ
ル、OL…対物レンズ、PBS1,PBS2…偏光ビー
ムスプリッタ、PD1,PD2…フォトダイオード、P
SD…スポット位置検出素子、QWP…1/4波長板、
RD…レジスト原盤、SD…スピンドル方向。
Claims (13)
- 【請求項1】光学記録媒体の媒体基板の表面に凹凸形状
を転写するために用いられる光学記録媒体製造用原盤の
製造方法であって、 原盤基板に凹凸形状を形成する工程と、 上記凹凸の凹部の側壁に当該凹部の幅を狭めるサイドウ
ォールを形成する工程とを有する光学記録媒体製造用原
盤の製造方法。 - 【請求項2】上記サイドウォールを形成する工程は、 上記原盤基板の上記凹凸形状形成面上に、上記凹部内を
被覆して全面にサイドウォール用層を形成する工程と、 上記凹部の側壁に接する部分の上記サイドウォール用層
を残して全面にエッチバックする工程とを含む請求項1
に記載の光学記録媒体製造用原盤の製造方法。 - 【請求項3】上記凹凸形状が上記光学記録媒体のトラッ
ク領域を区分する案内溝のパターンである請求項1に記
載の光学記録媒体製造用原盤の製造方法。 - 【請求項4】上記凹凸形状が上記光学記録媒体のピット
のパターンである請求項1に記載の光学記録媒体製造用
原盤の製造方法。 - 【請求項5】上記原盤基板に凹凸形状を形成する工程
は、 上記原盤基板の上記凹凸形状形成面上に当該凹凸形状の
凹部となる部分を開口するパターンに沿ってレジスト膜
を形成する工程と、 上記レジスト膜をマスクとして異方性エッチングを行う
工程とを含む請求項1に記載の光学記録媒体製造用原盤
の製造方法。 - 【請求項6】光学記録媒体の媒体基板の表面に凹凸形状
を転写するために用いられる光学記録媒体製造用スタン
パの製造方法であって、 原盤基板に凹凸形状を形成する工程と、 上記凹凸形状の凹部の側壁に当該凹部の幅を狭めるサイ
ドウォールを形成する工程と、 上記原盤基板の上記凹凸形状が転写されたスタンパを形
成する工程とを有する光学記録媒体製造用スタンパの製
造方法。 - 【請求項7】上記スタンパをニッケルにより形成する請
求項6に記載の光学記録媒体製造用スタンパの製造方
法。 - 【請求項8】表面に凹凸形状が転写された媒体基板を有
する光学記録媒体の製造方法であって、 原盤基板に凹凸形状を形成する工程と、 上記凹凸形状の凹部の側壁に当該凹部の幅を狭めるサイ
ドウォールを形成する工程と、 上記原盤基板の上記凹凸形状が転写されたスタンパを形
成する工程と、 上記スタンパの上記凹凸形状が転写された媒体基板を形
成する工程と、 上記媒体基板の上記凹凸形状形成面上に光学記録膜を形
成する工程と、 上記光学記録膜上に保護膜を形成する工程とを有する光
学記録媒体の製造方法。 - 【請求項9】上記原盤基板の上記凹凸形状が転写された
スタンパを形成する工程は、 上記原盤基板の上記凹凸形状が転写された中間部材を形
成する工程と、 上記中間部材の上記凹凸形状が転写されたスタンパを形
成する工程とを含む請求項8に記載の光学記録媒体の製
造方法。 - 【請求項10】上記光学記録膜として相変化型の光学記
録膜を形成する請求項8に記載の光学記録媒体の製造方
法。 - 【請求項11】上記光学記録膜として光磁気記録膜を形
成する請求項8に記載の光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項12】上記光学記録膜として有機色素層を含む
光学記録膜を形成する請求項8に記載の光学記録媒体の
製造方法。 - 【請求項13】上記光学記録膜として反射膜を形成する
請求項8に記載の光学記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001143792A JP2002342987A (ja) | 2001-05-14 | 2001-05-14 | 光学記録媒体製造用原盤、光学記録媒体製造用スタンパおよび光学記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001143792A JP2002342987A (ja) | 2001-05-14 | 2001-05-14 | 光学記録媒体製造用原盤、光学記録媒体製造用スタンパおよび光学記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002342987A true JP2002342987A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=18989871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001143792A Pending JP2002342987A (ja) | 2001-05-14 | 2001-05-14 | 光学記録媒体製造用原盤、光学記録媒体製造用スタンパおよび光学記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002342987A (ja) |
-
2001
- 2001-05-14 JP JP2001143792A patent/JP2002342987A/ja active Pending
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