JP2002057086A - 描画データ作成方法及び装置 - Google Patents
描画データ作成方法及び装置Info
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- JP2002057086A JP2002057086A JP2000240582A JP2000240582A JP2002057086A JP 2002057086 A JP2002057086 A JP 2002057086A JP 2000240582 A JP2000240582 A JP 2000240582A JP 2000240582 A JP2000240582 A JP 2000240582A JP 2002057086 A JP2002057086 A JP 2002057086A
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- pattern
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- pattern data
- mask pattern
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】圧縮率の高いステンシルマスクパターンデータ
を作成して露光のスループットを向上させる。 【解決手段】描画データ作成装置は、マスクパターンデ
ータファイル１１Ａからブロック露光用図形データを抽
出し、該図形データを参照して描画パターンデータファ
イル１０Ａを作成する描画データ作成装置であって、該
マスクパターンデータ及び該描画パターンデータが格納
される記憶装置２１と、マスクパターン及び描画パター
ンを画面上に表示させるための表示装置２３と、マスク
パターン内にブロック露光用図形の領域を設定し、この
図形を描画対象物上に配置するデータを入力するための
入力装置２２と、該入力装置から入力された該データに
基づいて該領域及び該配置を該表示装置に表示させると
共に、該領域の位置及び範囲を示す参照データと該配置
の位置データとに基づいて該描画パターンデータを作成
し該記憶装置に格納するコンピュータ本体２０とを備え
ている。
を作成して露光のスループットを向上させる。 【解決手段】描画データ作成装置は、マスクパターンデ
ータファイル１１Ａからブロック露光用図形データを抽
出し、該図形データを参照して描画パターンデータファ
イル１０Ａを作成する描画データ作成装置であって、該
マスクパターンデータ及び該描画パターンデータが格納
される記憶装置２１と、マスクパターン及び描画パター
ンを画面上に表示させるための表示装置２３と、マスク
パターン内にブロック露光用図形の領域を設定し、この
図形を描画対象物上に配置するデータを入力するための
入力装置２２と、該入力装置から入力された該データに
基づいて該領域及び該配置を該表示装置に表示させると
共に、該領域の位置及び範囲を示す参照データと該配置
の位置データとに基づいて該描画パターンデータを作成
し該記憶装置に格納するコンピュータ本体２０とを備え
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジストが塗布さ
れた半導体ウェーハなどの露光対象物に描画されるパタ
ーンのデータ作成方法及び装置に関する。
れた半導体ウェーハなどの露光対象物に描画されるパタ
ーンのデータ作成方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来の描画パターンデータ作成
手順を示す概略フローチャートである。
手順を示す概略フローチャートである。
【０００３】（Ｓ１）レイアウトが完成していなければ
ステップＳ２へ進み、そうでなければ処理を終了する。
ステップＳ２へ進み、そうでなければ処理を終了する。
【０００４】（Ｓ２）画面上で描画パターンの図形を追
加、変更又は修正することにより、描画パターンデータ
ファイル１０内の図形データを編集し、ステップＳ１へ
戻る。
加、変更又は修正することにより、描画パターンデータ
ファイル１０内の図形データを編集し、ステップＳ１へ
戻る。
【０００５】図７は、描画パターンデータファイル１０
に基づいて露光処理を行う場合の概略工程図である。
に基づいて露光処理を行う場合の概略工程図である。
【０００６】（Ｓ３）描画パターンデータファイル１０
内から、１ショットでブロック露光を行う図形を切り出
し、この図形の繰り返し回数を調べ、繰り返し回数の多
い順に所定数、ブロック露光パターンとしてマスクパタ
ーンデータファイル１１に登録し、さらに、描画パター
ンデータファイル１０及びマスクパターンデータファイ
ル１１に基づいて、レジストが塗布されたウェーハ上に
描画パターンを露光するための電子ビーム露光装置用走
査制御データファイル１２を作成する。
内から、１ショットでブロック露光を行う図形を切り出
し、この図形の繰り返し回数を調べ、繰り返し回数の多
い順に所定数、ブロック露光パターンとしてマスクパタ
ーンデータファイル１１に登録し、さらに、描画パター
ンデータファイル１０及びマスクパターンデータファイ
ル１１に基づいて、レジストが塗布されたウェーハ上に
描画パターンを露光するための電子ビーム露光装置用走
査制御データファイル１２を作成する。
【０００７】マスクパターンデータファイル１１に基づ
いてマスクブランクを露光し、さらに現像することによ
り、ステンシルマスク１３を作製する。
いてマスクブランクを露光し、さらに現像することによ
り、ステンシルマスク１３を作製する。
【０００８】ステンシルマスク１３を電子ビーム露光装
置に取り付け、この装置に走査制御データファイル１２
を読み込ませて、レジストが塗布されたウェーハ上に描
画パターンを露光する。
置に取り付け、この装置に走査制御データファイル１２
を読み込ませて、レジストが塗布されたウェーハ上に描
画パターンを露光する。
【０００９】図８は、簡単な描画パターンを用いた、図
７の処理説明図である。
７の処理説明図である。
【００１０】描画パターンデータファイル１０内のパタ
ーンＰ１に対応したパターンＱ１が、ステンシルマスク
１３上に形成される。パターンＱ１は、パターンＰ１の
領域Ａ１〜Ａ４にそれぞれ対応した領域Ｂ１〜Ｂ４に、
ショット上分割される。そして、領域Ｂ１〜Ｂ４の順に
電子ビームが走査され、それぞれ半導体ウェーハ１４上
の領域Ｃ１〜Ｃ４に対しショットが行われて、パターン
Ｐ１に対応した露光パターンＲ１が露光される。
ーンＰ１に対応したパターンＱ１が、ステンシルマスク
１３上に形成される。パターンＱ１は、パターンＰ１の
領域Ａ１〜Ａ４にそれぞれ対応した領域Ｂ１〜Ｂ４に、
ショット上分割される。そして、領域Ｂ１〜Ｂ４の順に
電子ビームが走査され、それぞれ半導体ウェーハ１４上
の領域Ｃ１〜Ｃ４に対しショットが行われて、パターン
Ｐ１に対応した露光パターンＲ１が露光される。
【００１１】図７の走査制御データファイル１２は、領
域Ｂ１〜Ｂ４の各々の位置及び範囲のデータと、領域Ｂ
１〜Ｂ４の各々に電子ビームを照射するときの半導体ウ
ェーハ１４上でのショット位置データと、領域Ｂ１〜Ｂ
４の走査順のデータとを含んでいる。
域Ｂ１〜Ｂ４の各々の位置及び範囲のデータと、領域Ｂ
１〜Ｂ４の各々に電子ビームを照射するときの半導体ウ
ェーハ１４上でのショット位置データと、領域Ｂ１〜Ｂ
４の走査順のデータとを含んでいる。
【００１２】図８では、ステンシルマスク１３上の領域
Ｂ１〜Ｂ４がそれぞれ１回しか使用されないので、パタ
ーンの利用効率が悪く、ステンシルマスク１３のサイズ
が大きくなる原因となる。このサイズは、露光パターン
の精度上、制限される。
Ｂ１〜Ｂ４がそれぞれ１回しか使用されないので、パタ
ーンの利用効率が悪く、ステンシルマスク１３のサイズ
が大きくなる原因となる。このサイズは、露光パターン
の精度上、制限される。
【００１３】そこで、パターンの利用効率を向上させて
ステンシルマスク１３のサイズを小さくするために、例
えば図９に示すようなパターンＱ２が形成されたステン
シルマスク１３Ａが作製される。パターンＱ２は、次の
ような図形処理により形成される。すなわち、描画パタ
ーンデータファイル１０上のパターンＰ１を、互いに共
通部分を有する領域Ａ５及びＡ６と、互いに共通部分を
有する領域Ａ７及びＡ８とに分割し、領域Ａ５とＡ６の
論理和図形と、領域Ａ７とＡ８の論理和図形とを組み合
わせることにより、パターンＱ２が形成される。
ステンシルマスク１３のサイズを小さくするために、例
えば図９に示すようなパターンＱ２が形成されたステン
シルマスク１３Ａが作製される。パターンＱ２は、次の
ような図形処理により形成される。すなわち、描画パタ
ーンデータファイル１０上のパターンＰ１を、互いに共
通部分を有する領域Ａ５及びＡ６と、互いに共通部分を
有する領域Ａ７及びＡ８とに分割し、領域Ａ５とＡ６の
論理和図形と、領域Ａ７とＡ８の論理和図形とを組み合
わせることにより、パターンＱ２が形成される。
【００１４】パターンＰ１の領域Ａ５〜Ａ８はそれぞ
れ、パターンＱ２の領域Ｂ５〜Ｂ８に対応している。パ
ターンＱ２の領域Ｂ５〜Ｂ８でそれぞれ露光パターンＲ
１の領域Ｃ５〜Ｃ８が露光される。
れ、パターンＱ２の領域Ｂ５〜Ｂ８に対応している。パ
ターンＱ２の領域Ｂ５〜Ｂ８でそれぞれ露光パターンＲ
１の領域Ｃ５〜Ｃ８が露光される。
【００１５】パターンＱ２が部分的に複数回使用される
ので、このデータは、パターンＰ１のデータを圧縮した
形になっている。
ので、このデータは、パターンＰ１のデータを圧縮した
形になっている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
図形処理を自動的に行うことにより圧縮率の高いステン
シルマスク１３Ａを得ることは困難である。
図形処理を自動的に行うことにより圧縮率の高いステン
シルマスク１３Ａを得ることは困難である。
【００１７】このため、露光パターンを得るのに必要な
ステンシルマスクの面積が増えたり、ステンシルマスク
の枚数が増えたりして、マスク作製コストが増大すると
共に、電子ビーム走査時間やマスク交換時間が増大し、
露光のスループットが低下する原因となる。また、図７
のステップＳ３の処理結果が不満足である場合に、描画
パターンデータファイル１０内の図形を修正したりステ
ップＳ３のアルゴリズムを変更したりする必要があるの
で、作業効率が悪くなる。
ステンシルマスクの面積が増えたり、ステンシルマスク
の枚数が増えたりして、マスク作製コストが増大すると
共に、電子ビーム走査時間やマスク交換時間が増大し、
露光のスループットが低下する原因となる。また、図７
のステップＳ３の処理結果が不満足である場合に、描画
パターンデータファイル１０内の図形を修正したりステ
ップＳ３のアルゴリズムを変更したりする必要があるの
で、作業効率が悪くなる。
【００１８】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、圧縮率の高いマスクパターンデータを作成して露光
のスループットを向上させることが可能な描画データ作
成方法及び装置を提供することにある。
み、圧縮率の高いマスクパターンデータを作成して露光
のスループットを向上させることが可能な描画データ作
成方法及び装置を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段及びその作用効果】本発明
は、マスクパターンデータからブロック露光用図形デー
タを抽出し、該図形データを参照して描画パターンデー
タを作成する描画データ作成方法であって、抽出された
ブロック露光用図形の領域のマスク上の位置及び範囲を
示す参照データと、描画対象物上に配置される該ブロッ
ク露光用図形の位置データとに基づいて、該描画パター
ンデータを作成する。
は、マスクパターンデータからブロック露光用図形デー
タを抽出し、該図形データを参照して描画パターンデー
タを作成する描画データ作成方法であって、抽出された
ブロック露光用図形の領域のマスク上の位置及び範囲を
示す参照データと、描画対象物上に配置される該ブロッ
ク露光用図形の位置データとに基づいて、該描画パター
ンデータを作成する。
【００２０】この描画データ作成方法によれば、予めマ
スクパターンの全部又は一部が作成され、このパターン
から図形が抽出され、この抽出図形を参照して描画パタ
ーンが作成されるので、圧縮率の高いパターンをマスク
上に形成することができ、これにより、従来よりもマス
ク上のパターン面積が減少し又はマスクの枚数が少なく
なって、露光の走査時間またはマスクの取替時間が短縮
され、露光のスループットが向上する。
スクパターンの全部又は一部が作成され、このパターン
から図形が抽出され、この抽出図形を参照して描画パタ
ーンが作成されるので、圧縮率の高いパターンをマスク
上に形成することができ、これにより、従来よりもマス
ク上のパターン面積が減少し又はマスクの枚数が少なく
なって、露光の走査時間またはマスクの取替時間が短縮
され、露光のスループットが向上する。
【００２１】本発明の他の目的、構成及び効果は以下の
説明から明らかになる。
説明から明らかになる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態を説明する。複数の図中の対応する同一又は類
似の構成要素には、同一又は類似の符号を付している。
実施形態を説明する。複数の図中の対応する同一又は類
似の構成要素には、同一又は類似の符号を付している。
【００２３】図１は、本発明の一実施形態の描画データ
作成装置のハードウエア構成を示す概略ブロック図であ
る。
作成装置のハードウエア構成を示す概略ブロック図であ
る。
【００２４】この描画データ作成装置は、コンピュータ
本体２０に、外部記憶装置２１、入力装置２２及び表示
装置２３が接続されたコンピュータシステムである。外
部記憶装置２１には、描画パターンデータファイル１０
Ａ、マスクパターンデータファイル１１Ａ、走査制御デ
ータファイル１２及びマスク用蓄積図形データファイル
１５が格納される。表示装置２３には、第１のウインド
ウ内にマスクパターンが表示され、第２のウインドウ内
に描画パターンが表示される。以下、これらが表示され
たウインドをそれぞれマスクパターンウインド及び描画
パターンウインドと称す。
本体２０に、外部記憶装置２１、入力装置２２及び表示
装置２３が接続されたコンピュータシステムである。外
部記憶装置２１には、描画パターンデータファイル１０
Ａ、マスクパターンデータファイル１１Ａ、走査制御デ
ータファイル１２及びマスク用蓄積図形データファイル
１５が格納される。表示装置２３には、第１のウインド
ウ内にマスクパターンが表示され、第２のウインドウ内
に描画パターンが表示される。以下、これらが表示され
たウインドをそれぞれマスクパターンウインド及び描画
パターンウインドと称す。
【００２５】設計者は、描画パターンデータ作成前に、
表示装置２３の表示を見ながら入力装置２２を操作し
て、マスク用として過去に使用され蓄積されている図形
のデータファイル１５内から図形を選択し、又は、新た
な図形をマスク用として作成する。コンピュータ本体２
０は、この選択され又は作成された図形のデータをマス
クパターンデータファイル１１Ａに登録する。設計者
は、レイアウト設計中においても必要に応じこのような
処理を行うことにより、コンピュータ本体２０を介しマ
スクパターンデータファイル１１Ａ内に図形データを追
加登録する。
表示装置２３の表示を見ながら入力装置２２を操作し
て、マスク用として過去に使用され蓄積されている図形
のデータファイル１５内から図形を選択し、又は、新た
な図形をマスク用として作成する。コンピュータ本体２
０は、この選択され又は作成された図形のデータをマス
クパターンデータファイル１１Ａに登録する。設計者
は、レイアウト設計中においても必要に応じこのような
処理を行うことにより、コンピュータ本体２０を介しマ
スクパターンデータファイル１１Ａ内に図形データを追
加登録する。
【００２６】図２は、描画パターンデータファイル１０
Ａ及びマスクパターンデータファイル１１Ａの作成手順
を示す概略フローチャートである。
Ａ及びマスクパターンデータファイル１１Ａの作成手順
を示す概略フローチャートである。
【００２７】（Ｓ１０）描画パターンのレイアウトが完
成していなければステップＳ１１へ進む。
成していなければステップＳ１１へ進む。
【００２８】（Ｓ１１）レイアウト設計で使用したい図
形がマスクパターンデータファイル１１Ａ内に有ればス
テップＳ１２へ進み、無ければステップＳ１３へ進む。
形がマスクパターンデータファイル１１Ａ内に有ればス
テップＳ１２へ進み、無ければステップＳ１３へ進む。
【００２９】（Ｓ１２）例えば図４において、マスクパ
ターンデータファイル１１Ａ内のパターンＱ２が表示装
置２３に表示されている。設計者は、マスクパターンウ
インド内で例えば領域Ｄ５をブロック露光用として設定
することによりその始点位置Ｓ１及び範囲（Ｘ方向幅及
びＹ方向幅）を参照データとして指定し、描画パターン
ウインド内にこの領域Ｄ５を配置することにより半導体
ウェーハ１４上の位置データを指定する。コンピュータ
本体２０により、これら参照データ及び位置データが描
画パターンの図形データとして描画パターンデータファ
イル１０Ａ内に追加される。次に、ステップＳ１０へ戻
る。
ターンデータファイル１１Ａ内のパターンＱ２が表示装
置２３に表示されている。設計者は、マスクパターンウ
インド内で例えば領域Ｄ５をブロック露光用として設定
することによりその始点位置Ｓ１及び範囲（Ｘ方向幅及
びＹ方向幅）を参照データとして指定し、描画パターン
ウインド内にこの領域Ｄ５を配置することにより半導体
ウェーハ１４上の位置データを指定する。コンピュータ
本体２０により、これら参照データ及び位置データが描
画パターンの図形データとして描画パターンデータファ
イル１０Ａ内に追加される。次に、ステップＳ１０へ戻
る。
【００３０】（Ｓ１３）設計者は、入力装置２２を操作
して、上述のように蓄積図形データファイル１５内の図
形を選択し又は新たな図形をマスク用として作成し、こ
れをマスクパターンウインド内に配置する。コンピュー
タ本体２０は、この配置された図形のデータをマスクパ
ターンデータファイル１１Ａに登録する。次にステップ
Ｓ１１へ戻る。
して、上述のように蓄積図形データファイル１５内の図
形を選択し又は新たな図形をマスク用として作成し、こ
れをマスクパターンウインド内に配置する。コンピュー
タ本体２０は、この配置された図形のデータをマスクパ
ターンデータファイル１１Ａに登録する。次にステップ
Ｓ１１へ戻る。
【００３１】このような処理により、描画パターンデー
タファイル１０Ａ及びマスクパターンデータファイル１
１Ａが完成する。
タファイル１０Ａ及びマスクパターンデータファイル１
１Ａが完成する。
【００３２】完成したマスクパターンデータファイル１
１Ａ内のデータは、蓄積図形データファイル内に格納さ
れる。
１Ａ内のデータは、蓄積図形データファイル内に格納さ
れる。
【００３３】図３は、描画パターンデータファイル１０
Ａ及びマスクパターンデータファイル１１Ａに基づいて
露光処理を行う場合の概略工程図である。
Ａ及びマスクパターンデータファイル１１Ａに基づいて
露光処理を行う場合の概略工程図である。
【００３４】ステンシルマスク１３は、マスクパターン
データファイル１１Ａに基づいて作製される。
データファイル１１Ａに基づいて作製される。
【００３５】上述のように、描画パターンデータファイ
ル１０Ａにはステンシルマスク１３上に設定された領域
の位置及び範囲を示す参照データと半導体ウェーハ１４
上の位置データとが含まれている。図１のコンピュータ
本体２０は、このファイルとマスクパターンデータファ
イル１１Ａとを参照して、露光処理時間が最小になるよ
うに各ショットの順番を定めることにより、走査制御デ
ータファイル１２を作成する。
ル１０Ａにはステンシルマスク１３上に設定された領域
の位置及び範囲を示す参照データと半導体ウェーハ１４
上の位置データとが含まれている。図１のコンピュータ
本体２０は、このファイルとマスクパターンデータファ
イル１１Ａとを参照して、露光処理時間が最小になるよ
うに各ショットの順番を定めることにより、走査制御デ
ータファイル１２を作成する。
【００３６】なお、設計者による描画パターンのショッ
ト図形配置順にショットの順番を定めてもよく、この場
合には、描画パターンデータファイル１０Ａが完成した
ときに走査制御データファイル１２も完成する。
ト図形配置順にショットの順番を定めてもよく、この場
合には、描画パターンデータファイル１０Ａが完成した
ときに走査制御データファイル１２も完成する。
【００３７】ステンシルマスク１３を電子ビーム露光装
置に取り付け、走査制御データファイル１２をこの装置
に読み込ませることにより、半導体ウェーハ１４上に描
画パターンの露光が行われる。
置に取り付け、走査制御データファイル１２をこの装置
に読み込ませることにより、半導体ウェーハ１４上に描
画パターンの露光が行われる。
【００３８】図４では、図９の処理と対比して図２及び
図３の処理をイメージで説明するために、図９のパター
ンＱ２と同じパターンが形成されたステンシルマスク１
３Ａを用いた場合を説明している。従来法では図９のよ
うなパターンＱ２を自動作成するのは困難であるが、本
実施形態によればこれが比較的容易に手動作成される。
図３の処理をイメージで説明するために、図９のパター
ンＱ２と同じパターンが形成されたステンシルマスク１
３Ａを用いた場合を説明している。従来法では図９のよ
うなパターンＱ２を自動作成するのは困難であるが、本
実施形態によればこれが比較的容易に手動作成される。
【００３９】まず、マスクパターンデータファイル１１
ＡにパターンＱ２が登録される。次に、パターンＱ２の
領域Ｄ５〜Ｄ８をそれぞれ描画パターンウインド内の領
域Ａ５〜Ａ８に配置することにより、描画パターンデー
タファイル１０Ａが作成される。ステンシルマスク１３
は、マスクパターンデータファイル１１Ａに基づいて作
製される。半導体ウェーハ１４上の露光パターンＲ１
は、ステンシルマスク１３上の領域Ｂ５〜Ｂ８の各々で
成形した電子ビームを半導体ウェーハ１４上のショット
領域Ｃ５〜Ｃ８に照射させることにより得られる。
ＡにパターンＱ２が登録される。次に、パターンＱ２の
領域Ｄ５〜Ｄ８をそれぞれ描画パターンウインド内の領
域Ａ５〜Ａ８に配置することにより、描画パターンデー
タファイル１０Ａが作成される。ステンシルマスク１３
は、マスクパターンデータファイル１１Ａに基づいて作
製される。半導体ウェーハ１４上の露光パターンＲ１
は、ステンシルマスク１３上の領域Ｂ５〜Ｂ８の各々で
成形した電子ビームを半導体ウェーハ１４上のショット
領域Ｃ５〜Ｃ８に照射させることにより得られる。
【００４０】各領域のエッジがパターンエッジより少し
外側になっている理由は、電子ビームのエネルギーがほ
ぼガウシアン分布であるのでそのエッジ部分をステンシ
ルマスク１３で遮断することにより、露光量プロファイ
ルのエッジを急峻にして描画パターン精度を向上させる
ためである。
外側になっている理由は、電子ビームのエネルギーがほ
ぼガウシアン分布であるのでそのエッジ部分をステンシ
ルマスク１３で遮断することにより、露光量プロファイ
ルのエッジを急峻にして描画パターン精度を向上させる
ためである。
【００４１】図５は、従来技術では得られない本実施形
態特有のマスクパターンデータファイル１１Ｂを用いて
描画パターンデータファイル１０Ｂを作成する場合の、
図２及び図３の処理のイメージ説明図である。
態特有のマスクパターンデータファイル１１Ｂを用いて
描画パターンデータファイル１０Ｂを作成する場合の、
図２及び図３の処理のイメージ説明図である。
【００４２】まず、マスクパターンデータファイル１１
ＢにパターンＱ３及びＱ４が登録される。次に、パター
ンＱ３の領域Ｄ１０〜Ｄ１３及びパターンＱ４の領域Ｄ
１４をそれぞれ描画パターンウインド内の領域Ａ１０〜
Ａ１４に配置することにより、描画パターンデータファ
イル１０Ｂが作成される。なお、パターンＱ４は、描画
パターン設計中に追加登録してもよい。ステンシルマス
ク１３は、マスクパターンデータファイル１１Ｂに基づ
いて作製される。半導体ウェーハ１４上の露光パターン
Ｒ１は、上記同様にして得られる。本実施形態によれ
ば、マスクパターンデータファイル１１Ｂ内の図形デー
タを参照して描画パターンデータファイル１０Ｂが上述
のように作成されるので、圧縮率の高いパターンをステ
ンシルマスク１３上に形成することができ、これによ
り、従来よりもステンシルマスク上のパターン面積が減
少し又はステンシルマスクの枚数が少なくなって、露光
の走査時間またはステンシルマスクの取替時間が短縮さ
れ、露光のスループットが向上する。
ＢにパターンＱ３及びＱ４が登録される。次に、パター
ンＱ３の領域Ｄ１０〜Ｄ１３及びパターンＱ４の領域Ｄ
１４をそれぞれ描画パターンウインド内の領域Ａ１０〜
Ａ１４に配置することにより、描画パターンデータファ
イル１０Ｂが作成される。なお、パターンＱ４は、描画
パターン設計中に追加登録してもよい。ステンシルマス
ク１３は、マスクパターンデータファイル１１Ｂに基づ
いて作製される。半導体ウェーハ１４上の露光パターン
Ｒ１は、上記同様にして得られる。本実施形態によれ
ば、マスクパターンデータファイル１１Ｂ内の図形デー
タを参照して描画パターンデータファイル１０Ｂが上述
のように作成されるので、圧縮率の高いパターンをステ
ンシルマスク１３上に形成することができ、これによ
り、従来よりもステンシルマスク上のパターン面積が減
少し又はステンシルマスクの枚数が少なくなって、露光
の走査時間またはステンシルマスクの取替時間が短縮さ
れ、露光のスループットが向上する。
【００４３】本実施形態は、手動設計であるので、メモ
リなどのようにショット図形の繰り返し数が多い場合に
特に有効である。
リなどのようにショット図形の繰り返し数が多い場合に
特に有効である。
【００４４】なお、本発明には外にも種々の変形例が含
まれる。
まれる。
【００４５】例えば、マスクパターンデータファイル１
１Ａ内に上述の領域の位置及び範囲を示す被参照データ
をその識別コードと共に含ませておき、この識別コード
を上記参照データとして描画パターンデータファイル１
０Ａに含ませてもよい。また、これらファイルを１つに
纏めてもよい。
１Ａ内に上述の領域の位置及び範囲を示す被参照データ
をその識別コードと共に含ませておき、この識別コード
を上記参照データとして描画パターンデータファイル１
０Ａに含ませてもよい。また、これらファイルを１つに
纏めてもよい。
【００４６】さらに、描画すべきパターンをモジュール
に分割し、モジュール毎に本実施形態を適用するか従来
法を適用するかを選択してもよい。
に分割し、モジュール毎に本実施形態を適用するか従来
法を適用するかを選択してもよい。
【００４７】また、描画パターンデータファイル１０Ａ
の作成において、設計済みの描画パターンブロックを単
位として繰り返し配置したり、これをさらに別の位置に
配置したり、階層構造化してもよい。
の作成において、設計済みの描画パターンブロックを単
位として繰り返し配置したり、これをさらに別の位置に
配置したり、階層構造化してもよい。
【００４８】ステップＳ１２で設定及び指定される領域
は、露光装置で実現可能な、ステンシルマスクに入射さ
せるビーム形状であればよく、矩形以外であってもよ
い。
は、露光装置で実現可能な、ステンシルマスクに入射さ
せるビーム形状であればよく、矩形以外であってもよ
い。
【図１】本発明の一実施形態の描画データ作成装置のハ
ードウエア構成を示す概略ブロック図である。
ードウエア構成を示す概略ブロック図である。
【図２】図１中の描画パターンデータファイル１０Ａ及
びマスクパターンデータファイル１１Ａの作成手順を示
す概略フローチャートである。
びマスクパターンデータファイル１１Ａの作成手順を示
す概略フローチャートである。
【図３】図２中の描画パターンデータファイル１０Ａ及
びマスクパターンデータファイル１１Ａに基づいて露光
処理を行う場合の概略工程図である。
びマスクパターンデータファイル１１Ａに基づいて露光
処理を行う場合の概略工程図である。
【図４】図２及び図３の処理のイメージ説明図である。
【図５】図２及び図３の処理の他のイメージ説明図であ
る。
る。
【図６】従来の描画パターンデータ作成手順を示す概略
フローチャートである。
フローチャートである。
【図７】従来の、図６中の描画パターンデータファイル
１０に基づいて露光処理を行う場合の概略工程図であ
る。
１０に基づいて露光処理を行う場合の概略工程図であ
る。
【図８】簡単な描画パターンを用いた、図７の処理のイ
メージ説明図である。
メージ説明図である。
【図９】簡単な描画パターンを用いた、図７の処理の他
のイメージ説明図である。
のイメージ説明図である。
１０、１０Ａ、１０Ｂ 描画パターンデータファイル １１、１１Ａ、１１Ｂ マスクパターンデータファイル １２ 走査制御データファイル １３ ステンシルマスク １４ 半導体ウェーハ １５ 蓄積図形データファイル ２０ コンピュータ本体 ２１ 外部記憶装置 ２２ 入力装置 ２３ 表示装置 Ｐ１〜Ｐ３、Ｑ１〜Ｑ４ パターン Ｒ１ 露光パターン Ａ１〜Ａ８、Ａ１０〜Ａ１４、Ｂ１〜Ｂ８、Ｃ１〜Ｃ
８、Ｄ５〜Ｄ８、Ｄ１０〜Ｄ１４ 領域
８、Ｄ５〜Ｄ８、Ｄ１０〜Ｄ１４ 領域
Claims (5)
- 【請求項１】 マスクパターンデータからブロック露光
用図形データを抽出し、該図形データを参照して描画パ
ターンデータを作成する描画データ作成方法であって、 抽出されたブロック露光用図形の領域のマスク上の位置
及び範囲を示す参照データと、描画対象物上に配置され
る該ブロック露光用図形の位置データとに基づいて、該
描画パターンデータを作成する、 ことを特徴とする描画データ作成方法。 - 【請求項２】 描画パターンデータ作成前に上記マスク
パターンの一部を記憶装置に登録しておき、 上記描画パターンデータ作成中に、必要なブロック露光
用図形が該一部の中に存在しない場合にこの図形もマス
クパターンの一部として該記憶装置に追加登録する、 ことを特徴とする請求項１記載の描画データ作成方法。 - 【請求項３】 上記マスクパターンデータ内に、上記領
域のマスク上の位置及び範囲を示す被参照データをその
識別コードと共に含ませておき、 上記参照データは該識別コードである、 ことを特徴とする請求項１又は２記載の描画データ作成
方法。 - 【請求項４】 マスクパターンデータからブロック露光
用図形データを抽出し、該図形データを参照して描画パ
ターンデータを作成する描画データ作成装置であって、 該マスクパターンデータ及び該描画パターンデータが格
納される記憶装置と、 マスクパターン及び描画パターンを画面上に表示させる
ための表示装置と、 マスクパターン内にブロック露光用図形の領域を設定
し、この図形を描画対象物上に配置するデータを入力す
るための入力装置と、 該入力装置から入力された該データに基づいて該領域及
び該配置を該表示装置に表示させると共に、該領域の位
置及び範囲を示す参照データと該配置の位置データとに
基づいて該描画パターンデータを作成し該記憶装置に格
納するコンピュータ本体と、 を有することを特徴とする描画データ作成装置。 - 【請求項５】 マスクパターンデータからブロック露光
用図形データを抽出し、該図形データを参照して描画パ
ターンデータを作成するプログラムが格納された記録媒
体であって、該プログラムは、 抽出されたブロック露光用図形の領域のマスク上の位置
及び範囲を示す参照データと、描画対象物上に配置され
る該ブロック露光用図形の位置データとに基づいて、該
描画パターンデータを作成するものである、 ことを特徴とする記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000240582A JP4503154B2 (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | 描画データ作成方法及び装置 |
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|---|---|---|---|
| JP2000240582A JP4503154B2 (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | 描画データ作成方法及び装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002057086A true JP2002057086A (ja) | 2002-02-22 |
| JP4503154B2 JP4503154B2 (ja) | 2010-07-14 |
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|---|---|---|---|
| JP2000240582A Expired - Fee Related JP4503154B2 (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | 描画データ作成方法及び装置 |
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| JP (1) | JP4503154B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102609180A (zh) * | 2010-12-20 | 2012-07-25 | 索尼公司 | 信息处理装置和信息处理方法 |
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-
2000
- 2000-08-09 JP JP2000240582A patent/JP4503154B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US10955958B2 (en) | 2010-12-20 | 2021-03-23 | Sony Corporation | Information processing apparatus and information processing method |
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| Publication number | Publication date |
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| JP4503154B2 (ja) | 2010-07-14 |
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