JPH03283423A - 荷電ビーム描画方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、ＬＳＩ等の半導体集積回路のパターンをマス
クや半導体ウェハ等の試料に高速・高精度に描画するた
めの荷電ビーム描画方法に係わり、特に装置に受容可能
な描画パターンデータを高速に生成することを可能とし
た荷電ビーム描画方法に関する。

（従来の技術） 近年、ＬＳＩのパターンは益々微細かつ複雑になってお
り、このようなパターンを形成する装置として電子ビー
ム描画装置が広く用いられている。この装置を用いて所
望のパターンを描画する場合、ＣＡＤを始めとするＬＳ
Ｉのパターン設計ツールを用いて作成される設計パター
ンデータを、そのままの形式で上記描画装置の描画パタ
ーンデータとして供給することはできない。即ち、設計
パターンデータで定義されているデータ体系は一般的に
非常に自由度の高いデータ体系として作成されているた
め、電子ビーム描画装置に受容可能なデータ体系とする
には、以下に示すような制限を満足させなければならな
い。

■　電子ビーム描画装置で受容可能な基本図形群（台形
や矩形等）のみで構成される図形体系で定義されること
。

■　多重露光となってパター・ンの形成精度を低下させ
てしまう図形相互の重なりのないデータ体系で定義され
ること。

■　電子ビーム描画装置の描画方式に沿って所定の単位
描画領域毎に領域分割されたデータ体系で定義されてい
ること。

従って、上記設計パターンデータを例えば輪郭化処理と
いった手法を用いて多重露光領域の除去を行い、その後
ビームの偏向領域により決定する固有の単位描画領域（
フレーム領域、サブフィールド領域）毎の矩形１台形及
び三角形等の基本図形群に図形分割することにより、電
子ビーム描画装置にとって受容可能な図形データ体系と
する。そして、このような図形体系のデータを基に所望
とするＬＳＩチップに係わる描画パターンデータを生成
し、該描画パターンデータを磁気ディスクに代表される
記憶媒体に記憶させて描画に供している。

そして、描画処理工程では上記描画パターンデータを１
回のテーブル連続移動により描画し得る単位領域である
描画ストライブ領域（フレーム領域を所定の規則により
集めた領域）毎に読み出して、−時的にパターンメモリ
部に蓄積する。このパターンメモリに蓄積されたデータ
を解読し、ビーム成形手段により形成可能な描画単位図
形（図形サイズに制限を持った矩形と形状及びサイズに
制限を持った三角形）の集まりで所望パターンを構成す
べく図形分割を行う。

その結果得られた図形データを基にして、ビム位置及び
ビームの形状を制御すると共に、試料を載置したテーブ
ルをＸ方向若しくはＹ方向に連続的に移動し、描画スト
ライブ領域内に所望のパターンを描画する。

次いで、上記テーブルを連続移動方向と直交する方向に
描画ストライブ領域の幅だけステ・ノブ移動し、上記処
理を繰り返すことにより所望領域全体の描画処理が行わ
れる。なお、主偏向手段により副偏向位置を制御しなが
ら且つ副偏向手段により副偏向領域内に所望パターンを
描画する２段偏向方式では、単位描画領域（サブフィー
ルド）の集合体でフレーム領域を構成し、このフレーム
領域の集合体で描画ストライブ領域を構成しており、描
画ストライブの幅は上記主偏向手段と副偏向手段のビー
ム偏向幅で規定されている。

上述の如く描画処理に供される描画パターンデータを生
成するに際しては、ＬＳＩパターンの微細化及び高集積
化への対応策として、メモリセルのような繰り返し構造
を有するパターン領域については、繰り返しの種となる
図形パターン群とその繰り返し情報で描画パターンデー
タを構成することにより、描画パターンデータの圧縮を
はかっていた。その理由はパターン密度の微細化及び集
積度の伸長が激しいメモリデバイスのデータ変換処理に
あっては、上記繰り返し構造を利用したデータ圧縮を行
わないと計算機資源を著しく圧迫することと、データ変
換処理時間が長期化し実用的でなくなるといった観点か
ら、最早データ変換不能な状況となってしまうからであ
る。

このような背景から実際のデータ変換処理においては、
繰り返しのないパターン領域のデ−夕変換処理において
は、該領域を所定のサブフィールドサイズを基にマトリ
ックス状に領域分割し、個々のサブフィールド領域毎に
その描画位置と該サブフィールド領域に包含される描画
図形パターン群を定義した描画パターンデータを生成す
る。そして、繰り返しのあるパターン領域については、
繰り返しの種となる領域が上記サブフィールドサイズよ
り大きいか否かを判定し、小さいか等しい場合には上記
繰り返しの種パターン領域に包含される描画図形パター
ンを示す図形データに繰り返し情報を付与した描画パタ
ーンデータとする。また、サブフィールド領域より大き
い場合には、繰り返しの種パターン領域を所定のサブフ
ィールドサイズで領域分割し、該サブフィールド領域毎
に繰り返し情報を付与した体系の描画パターンデータを
生成する。

そして、上記の処理工程により生成した描画パターンデ
ータを組み合わせて前記ＬＳＩチップの領域を構成する
１単位であるフレーム領域に係わる描画パターンデータ
（フレームデータ）を構築する。さらに、該フレームデ
ータの集合体としてチップデータを表現し、描画する際
には１回のテーブル連続移動により描画可能なフレーム
領域を集めた単位領域である描画ストライブ領域毎に描
画処理を繰り返して所望領域全体の描画処理を行ってい
た。

しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。即ち、ＣＡＤで作成された設計パターンデー
タから描画パターンデータにデータ変換する過程で、上
記ブロック領域内に包含される図形相互の重なり除去処
理及び図形のサブフィールド分割処理に多くの処理時間
を費やしており、これらがデータ変換時間の高速化を阻
害する大きな要因となっていた。

このような状況から現在のデータ変換処理では、ＣＡＤ
で作成される設計パターンデータから所望とする描画パ
ターンデータを高速にデータ生成するのに制限があり、
ＬＳＩの微細化及び高集積化が進む状況下にあってデー
タ変換時間の長期化を誘引しており、描画装置自体の描
画スループットが向上していくに伴って描画パターンデ
ータの供給が追い付かなくなる。つまり、データ変換処
理が描画スループットを制限してしまうという問題に発
展することも十分考えられ、計算機の性能向上及び拡張
が常に叫ばれることになる。

そして、このような問題点は、電子ビーム描画装置の稼
動率を低下させると共に、ＬＳＩの生産性の低下を引き
起こすこととなり、今後ＬＳＩの急速な進歩でパターン
の微細化・集積度の向上により電子ビーム描画装置で描
画されたＬＳＩパターンに対する信頼性及び装置の稼動
率を高める上で大きな問題となる。

（発明が解決しようとする課題） このように従来、ビーム偏向手段の組み合わせによりビ
ーム位置とビーム形状を制御して描画する方式の描画パ
ターンデータを、設計パターンデータ等からデータ変換
する処理工程においては、上記データ変換時間の高速化
を阻害していた図形相互の重なり除去や白黒反転処理時
間及び図形の領域分割処理に要する時間が、ＬＳＩパタ
ーンの大規模化に伴って長期化していた。このため、デ
ータ変換処理時間（実際に設計パターンデータを入力し
てから描画バタンデータが出力されるまでの時間）の長
期化を招き、これが描画スルーブツトの低下を招くとい
う問題に発展することが十分考えられる。

なお、上記問題は電子ビーム描画方法に限ったものでは
なく、イオンビームを用いたイオンビーム描画方法やレ
ーザによるレーザ描画方法についても同様に言えること
である。

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、データ変換処理工程の中で比率の高
い図形演算処理（図形の重なり除去や白黒反転処理）及
び図形分割処理の高速化を行うことかでき、データ変換
時間の短縮及び描画スルーブツトの向上をはかり得る荷
電ビーム描画方法を提供することにある。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の骨子は、ＬＳＩの図形パターンを表現している
設計パターンデータ若しくは異なる描画方式のなかから
、ビームの形状及びビーム位置を制御してマスクやウェ
ハ等の試料に所望のＬＳＩパターンを描画処理するため
の描画パターンデータを生成するに際して、図形パター
ン相互の図形演算処理及び図形分割処理を高速化するこ
とにより、データ変換時間全体の大幅な短縮化を行うこ
とにある。

即ち本発明は、描画すべき図形パターン情報及び他のブ
ロックの参照情報から構成されるブロックデータの集合
として表現されるＬＳＩチップの設計パターンデータ、
又は描画方式の異なる描画パターンデータから、荷電ビ
ームの形状及び描画位置を制御して試料上に描画すべき
所望パターンを表現する描画パターンデータを生成し、
該描画パターンデータを基にして所望パターンを描画処
理する荷電ビーム描画方法において、前記設計パターン
データを構成しているブロック内の図形パターンに対し
て所定の演算（図形パターン相互の重なり除去処理又は
白黒反転処理）を実行する図形演算処理及び該図形パタ
ーンを所定の領域毎に分割する図形分割処理を行うに際
して、ブロック内に包含される図形パターン群の頂点を
通過するＸ方向若しくはＹ方向に平行な線分と前記分割
すべき倣域毎のＸ平行線分及びＹ平行線分の３種の線分
により前記ブロック領域を分割し、該分割されたスリッ
ト領域毎に前記図形演算処理を行って前記描画パターン
データを生成するようにした方法である。

（作用） 本発明によれば、階層構造を有効利用して作成されたＬ
ＳＩの設計パターンデータから、ビームの形状及びビー
ム位置を制御して試料上に所望パターンを描画処理する
ための描画パターンデータを生成するに際して、それぞ
れのブロック領域に包含されている図形パターン相互の
重なり除去及び白黒反転処理に代表される図形演算処理
と、ビーム偏向手段により偏向可能な最大領域から制限
される単位描画領域への図形分割処理とを、一体化して
行うことによりこれらの処理に要する時間の短縮をはか
ることができ、データ変換の大幅な高速化をはかること
ができる。

上述したように本発明方法は、階層構造を有する設計パ
ターンデータから実際の描画処理に必要な描画パターン
データをデータ変換するだめの処理時間を大幅に短縮す
ることが可能となり、その結果として荷電ビーム描画装
置の稼働率を高めると共にＬＳＩの生産性を高めること
ができる。また、上記荷電ビーム描画装置のデータ変換
方法は、今後パターンの微細化及び高集積化が進む状況
下にあって、描画マスクの短納期化が叫ばれる中より有
効な効果を発揮すると期待される。

（実施例） 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。

第１図は、本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム
描画装置を示す概略構成図である。

図中１０は試料室であり、この試料室１０内にはガラス
マスク或いは半導体ウェハ等の試料１１を載置したテー
ブル１２が収容されている。テーブル１２は、テーブル
駆動回路１３によりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向
（紙面表裏方向）に駆動される。そして、テーブル１２
の移動位置はレーザー測長針等を用いた位置回路１４に
より測定されるものとなっている。

試料室１０の上方には電子ビーム光学系２０が配置され
ている。この光学系２０は、電子銃２１、各種レンズ２
２〜２６、ブランキング用偏向器３１．ビーム寸法可変
用偏向器３２．ビーム走査用の主偏向器３３．ビーム走
査用の副偏向器３４及びビーム成形アパーチャ３５．３
６等から構成されている。そして、主偏向器３３により
所定の単位描画領域（サブフィールド）に位置決めし、
副偏向器３４によりサブフィールド内での図形描画位置
の位置決めを行うと共に、ビーム寸法可変用偏向器３２
及び成形アパーチャ３５．３６によりビーム形状を制御
し、テーブル１２を一方向に連続移動しながらＬＳＩチ
ップパターン領域を１回のテーブル連続移動により描画
可能な範囲内で集めた描画ストライプ領域を描画処理す
る。つまり、ＬＳＩチップパターン領域をビームの偏向
幅に応じて短冊状に分割したフレーム領域を集めた描画
ストライブ領域を描画処理する。さらに、テーブル１２
を連続移動方向に直交する方向にステップ移動し、上記
処理を繰り返して各描画ストライプ領域を順次描画する
ものとなっている。

一方、制御計算機４０には磁気ディスク（記憶媒体）４
１が接続されており、このディスク４１にＬＳＩチップ
の描画パターンデータが格納されている。磁気ディスク
４１から読み出されたＬＳＩチップの描画パターンデー
タは、前記描画ストライプ領域毎にパターンメモリ（デ
ータバッファ部）４２に一時的に格納される。

パターンメモリ４２に格納された描画ストライプ毎の描
画パターンデータ、つまり描画位置及び基本図形データ
等で構成される描画ストライプ情報は、データ解読部で
あるパターンデータデコーダ４３及び描画データデコー
ダ４４により解読され、ブランキング回路４５、ビーム
成形器ドライバ４６、主偏向器ドライバ４７及び副偏向
器ドライバ４８に送られる。

即ち、パターンデータデコーダ４３では上記描画ストラ
イプ領域毎の描画パターンデータを入力し、描画ストラ
イプデータとして定義されているパターンの繰り返し情
報を元に圧縮された描画図形データを展開すると共に、
該描画ストライプ領域の描画処理において描画すべき領
域か否か及び次に描画すべき領域についてサブフィール
ド毎に判断及び解読しながら、前記描画パターンデータ
に定義された描画図形データを前記成形成形アパーチャ
３５．３６の組み合わせにより形成可能な描画単位図形
群に図形分割して、このデータに基づいてビーム制御デ
ータが作成されブランキング回路４５に送られる。

そして、さらに希望するビーム寸法データが作成され、
このビーム成形のための制御データがビーム成形器ドラ
イバ４６に送られる。次に、ビーム成形器ドライバ４６
から前記光学系２０のビーム寸法可変用偏向器３２に所
定の偏向信号か印加され、これにより電子ビームの寸法
か制御されるものとなっている。

また、描画データデコーダ４４では、上記描画ストライ
プデータに基づいてサブフィールドの位置決めデータを
解読〜作成し、主偏向器ドライバ４７に送られる。そし
て、主偏向器ドライバ４７から前記光学系２０の主偏向
器３３に所定の信号が印加され、これにより電子ビーム
は指定のサブフィールド位置に偏向走査される。

さらに、描画データデコーダ４４では副偏向器走査のコ
ントロール信号を発生し、この信号が副偏向器ドライバ
４８に送られる。そして、副偏向器ドライバ４８から副
偏向器３４に所定の副偏向信号が印加され、これにより
サブフィールド毎の描画処理か行われるものとなってい
る。

次に、上記構成された装置を用いた電子ビーム描画方法
について説明する。描画処理を行うためのデータの生成
工程を示したのが第２図である。ＬＳＩのパターンは、
ＣＡＤシステムにより設計〜パターン作成（ディジタイ
ズ処理）され、その設計パターンデータは大型計算機を
始めとする処理能力の高いホスト計算機により、前記電
子ビーム描画装置の描画方式に依存した装置固有の描画
パターンにデータ変換される。

そして、この描画パターンデータを基にして電子ビーム
の位置決め及びビーム形状を制御して一連の描画処理が
行われることとなる。

ここで、ＣＡＤシステムによりパターン作成される設計
パターンデータは、例えば描画対象となる試料がマスク
の場合、第３図に示すように描画マスク５０を構成する
ＬＳＩチップ５１〜５５毎に独立したデータ体系となっ
ており、それぞれのＬＳＩチップに係わる設計パターン
データは、第４図に示すように幾つかのプロソりに分散
して図形データが格納されている階層構造を有するデー
タ体系となっている。

具体的には、ＬＳＩチップ全体を示すブロック６０には
第４図（ａ）に示す如（子ブロック６１と６２が配置さ
れており、ブロック参照情報としては同図（ｂ）に示す
ような子ブロック６１のアレイ配置情報と同図（Ｃ）に
示すような子ブロック６２のアレイ配置情報でブロック
配置情報が構成されている。さらに、６０〜６２の個々
のブロックは第４図（ｄ）〜（ｆ）に示す如く図形パタ
ーンが定義されるデータ体系となっていて、その結果と
して同図（ｇ）に示すようなＬＳＩチップが表現されて
いる。

このような形式のＬＳＩパターンデータを電子ビーム描
画装置で受容可能な図形データ体系とするため、ホスト
計算機で上記設計パターンデータを構成するブロックに
包含される図形パターンが互いに重畳するか否かについ
て検査及び展開処理を（例えば、特願昭６２−３２７１
９号に開示された方法により）行い、結果として第５図
（ａ）に示す如く図形パターン６０　ａ　ｃ−６０ｈと
、同図（ｂ）に示す如くブロック６１．６２の参照情報
で構成されるブロックデータとし、さらに図形パターン
６１ａを包含するブロックデータ６１と、図形パターン
６２ａ、６２ｂで構成されるブロックデータ６２を得る
。

かくして得られたそれぞれのブロックに包含されている
図形パターン相互の重なり除去や白黒反転といった図形
演算及び図形分割処理を行う。この図形演算及び図形分
割処理について、以下に説明する。

第６図（ａ）は、ブロック領域８０に包含される図形パ
ターン群を示しており、図形パターン８１〜８５で構成
されており、それぞれの図形パターン群は斜線で示すよ
うなパターン間の重なりを有している。このような図形
パターン群の重なり除去や白黒反転と図形のサブフィー
ルド分割処理を行う処理工程を順次説明する。

最初に、第６図（ｂ）に示すように図形パターン８１〜
８５の各頂点を通過するＹ軸平行線分９０ａ〜９０ｉを
定義しておき、次に同図（Ｃ）に示す如く上記サブフィ
ールド領域への分割線分９１ａを追加定義して上記ブロ
ック領域８０をスリット分割する。そして、該スリット
領域毎に第６図（ｄ）に示すような図形の辺ベクトルを
各図形パターンの左上頂点を基準点として定義しておき
、スリット領域の下のベクトルから右向きのベクトルの
場合には＋１し、左向きのベクトルの場合には−１する
という処理を行うことにより、図形相互の重なり部が結
果的に除去される。なお、この場合の重なり部の検出で
は、＋２となったベクトルから次の＋１となるベクトル
までが重なり部として求められる。

さらに、上記図形の重なり除去処理においては、第６図
（ｅ）に示したサブフィールド分割線分９１ｂをスリッ
ト内に定義しておき、該線分により強制的に図形を閉図
形とすることにより図形の重なり除去並びにサブフィー
ルド分割された同図（「）に示すような図形パターンを
得ることができる。

また、白黒反転処理についても第６図（ｅ）に示すよう
に図形の辺ベクトルに対する解釈を変えてスリット下部
から上記ベクトルを解釈していき最初のベクトルが右向
きの場合及び最終ベクトルか左向きの場合にそれぞれ１
つの閉図形を定義する。この場合にも、サブフィールド
分割線分９１ｂにて図形を強制的に閉図形とする（この
例では分割されていない）ことにより第６図（ｇ）に示
すような図形パターンを得る。

そして、上述の処理を全てのスリット領域に対して行う
ことにより第６図（ｈ）に示すような図形相互に重なり
がなく且つサブフィールド領域に分割された図形体系と
することがてき、更にこの図形パターン群を図形数の低
減及びデータ量の低減を目的として、個々の図形のＸ方
向の隣接図形との融合処理を行って第６図（１）に示す
図形パターン群とする。また、第６図（ｊ）は白黒反転
処理及びサブフィールド分割処理を行って得た図形パタ
ーン群を示している。

このようにして上記図形パターン群をプロツり単位に磁
気ディスクに格納していくという処理を繰り返してＬＳ
Ｉの設計パターンデータを構成している全てのブロック
に包含される図形パターンに対する図形演算及び図形分
割処理を行っていく。

そして、上述の処理工程を経て得られたブロック単位の
図形パターン群は、ブロックの参照情報がＬＳＩチップ
全体を示すブロック６０以外にはブロック参照がないよ
うにパターンの階層構造をルベルに制限するための展開
処理を行って（本実施例では元のデータにおいてルベル
のデータ構造となっている）、第７図に示すようにＬＳ
Ｉチップの全体領域をビームの主偏向幅により決定され
る暫定的なフレーム領域（７１〜７６）に領域分割する
。第７図において、テーブル連続移動方向は紙面左右方
向であり、テーブルステップ移動方向は紙面上下方向と
する。

次に、上記フレーム処理毎に行うデータ変換処理につい
て説明する。上記暫定的に分割されたフレーム領域７１
〜７６（以下仮想フレーム領域と呼ぶ）に一部でも含ま
れるブロック領域について、該ブロック領域の描画位置
を上記仮想フレーム領域の基準位置からの相対位置によ
り定義した位置データと、アレイ属性情報から構成され
るブロック配置データと、該ブロック領域内の描画図形
を前記副偏向手段により偏向可能なサブフィールド領域
毎にグループ分けされた第８図に示すようなブロック図
形データから構成されるブロック描画データの集合体と
、該ブロック領域の描画位置データにて構成するフレー
ムデータを生成する。

このようにして得たフレームデータ群は磁気ディスクに
格納される。そして、上記磁気ディスクに格納された描
画パターンデータを基にして、例えば特願平１−１５０
１８８号に開示された方法により描画処理することによ
り、高速、高精度な描画を実現することができる。

かくして本実施例方法によれば、ＣＡＤシステムで作成
される設計パターンデータと整合性の高い描画パターン
データを高速にデータ変換することができる。本発明者
らが実験した結果では、略２倍の高速化を達成すること
ができた。

従って本実施例方法によれば、階層構造を有する設計パ
ターンデータから実際の描画処理に必要な描画パターン
データをデータ変換する処理時間を大幅に短縮すること
が可能となり、その結果として荷電ビーム描画装置の稼
働率を高めると共に、ＬＳＩの生産性を高めることがで
きる。

なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記描画パターンデータを格納する手段と
しては、磁気ディスクに限るものではなく磁気テープや
半導体メモリ等のその他の記憶媒体を用いることができ
る。また、電子ビーム描画装置の構成は第１図に同等限
定されるものではなく、適宜変更可能である。実施例で
は電子ビームを例にとり説明したか、電子ビームに限定
されることなくイオンビームやレーザービーム等に対し
適用可能であり、描画方式についても主・副偏向を組み
合わせた２段偏向方式の他、１段偏向方式や３段以上の
偏向方式でもよい。さらに、可変成形ビームを用いたシ
ョット方式の他、楕円形ビームを用いたベクタ若しくは
ラスク方式の装置についても適用可能である。また、記
憶媒体に蓄積される描画パターンデータの図形体系は矩
形や台形等の基本図形でなく描画単位図形や多角形図形
でもよく、このような図形体系のデータについても適用
可能である。

また、変換対象となる入力データについても階層構造を
有する設計パターンデータに限定されることなく、描画
方式の異なる装置にデータ供給する描画パターンデータ
であってもよい。

具体的には、第９図に示すような円形ビームを用いたラ
スク走査方式の描画装置では通常、描画パターンデータ
自体の描画図形には重なりを許容しており、描画処理す
る直前に該描画図形をドツト展開する処理工程で図形の
重なり除去及び白黒反転処理を行っている。このように
、入力データに対して上記図形演算処理及び図形分割処
理を必要とするデータに対して上述の処理が有効である
。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形し
て実施することができる。

［発明の効果コ 以上詳述したように本発明によれば、階層構造を有する
ＬＳＩの設計パターンデータ若しくは描画方式の異なる
描画パターンデータからビームの形状及びビームの描画
位置を制御して所望パターンを描画処理するための描画
パターンデータを生成するに際して、変換処理時間の中
のかなりの比率を占める図形相互の重なり除去や白黒反
転処理といった図形演算処理と図形分割処理に要する処
理時間を高速化することができ、これによりデータ変換
の大幅な高速化をはかることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図、第２図は描画パターンデータ
の生成工程を示す模式図、第３図は描画試料に配置され
るＬＳＩチップのデータ体系を示す模式図、第４図は設
計パターンデータのデータ構造を示す模式図、第５図は
ブロックのデータ体系を示す模式図、第６図は図形処理
体系を示す模式図、第７図はフレーム領域への仮想的な
分割を示す模式図、第８図は描画パターンデータの構造
を示す模式図、第９図は円形ビームを用いたラスク走査
方式の描画方式を示す模式図である。 １０・・・試料室、　１１・・・試料、１２・・・テー
ブル、２０・・電子光学系、２１・・・電子銃、　２２
〜２６・・・レンズ、３１〜３４・・・偏向器、 ３５．３６・・・ビーム成形アパーチャ、４０・・・制
御計算機、 ４１・・・磁気ディスク（記憶媒体）、４２・・・パタ
ーンメモリ、 ４３・・・パターンデータデコーダ、 ４４・・・描画データデコーダ、 ４５・・・ブランキング回路、 ４６〜４８・・・偏向器ドライバ、 ５１〜５５・・・ＬＳＩチップ、 ６０・・・ブロック、 ６１．６２・・・子ブロック領域、 ６０ａ〜６０ｈ・・・図形パターン、 ７１〜７６・・・フレーム領域、 ８０・・・ブロック領域、 ８１〜８５・・図形パターン、 ９０２〜９０ｉ・・・Ｙ軸方向線分、 ９１ａ、９１ｂ・・・サブフィールド分割線分。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）描画すべき図形パターン情報及び他のブロックの
   参照情報から構成されるブロックデータの集合として表
   現されるＬＳＩチップの設計パターンデータ、又は描画
   方式の異なる描画パターンデータから、荷電ビームの形
   状及び描画位置を制御して試料上に描画すべき所望パタ
   ーンを表現する描画パターンデータを生成し、該描画パ
   ターンデータを基にして所望パターンを描画処理する荷
   電ビーム描画方法において、 前記設計パターンデータを構成しているブロック内の図
   形パターンに対して所定の演算を実行する図形演算処理
   及び該図形パターンを所定の領域毎に分割する図形分割
   処理を行うに際して、ブロック内に包含される図形パタ
   ーン群の頂点を通過するＸ方向若しくはＹ方向に平行な
   線分と前記分割すべき領域毎のＸ方向分割及びＹ方向分
   割線分の３種の線分により前記ブロック領域を分割し、
   該分割されたスリット領域毎に前記図形演算処理を行っ
   て前記描画パターンデータを生成することを特徴とする
   荷電ビーム描画方法。
2. （２）前記図形演算処理として、前記設計パターンデー
   タを構成しているブロック内の図形パターン相互の重な
   り除去、又は白黒反転処理を行うことを特徴とする請求
   項１記載の荷電ビーム描画方法。