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JP2001143869A - エレクトロルミネッセンス材料、エレクトロルミネッセンス素子及び色変換フィルター - Google Patents

エレクトロルミネッセンス材料、エレクトロルミネッセンス素子及び色変換フィルター

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Publication number
JP2001143869A
JP2001143869A JP36599699A JP36599699A JP2001143869A JP 2001143869 A JP2001143869 A JP 2001143869A JP 36599699 A JP36599699 A JP 36599699A JP 36599699 A JP36599699 A JP 36599699A JP 2001143869 A JP2001143869 A JP 2001143869A
Authority
JP
Japan
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group
emission wavelength
electroluminescent
electroluminescent material
maximum emission
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JP36599699A
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弘志 北
Kazuaki Nakamura
和明 中村
Noriko Ueda
則子 植田
Yasushi Okubo
康 大久保
Taketoshi Yamada
岳俊 山田
Yoshiyuki Suzurisato
善幸 硯里
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 無機系蛍光体及び/又は希土類錯体系蛍
光体を用いることにより高輝度でかつ保存性の高いエレ
クトロルミネッセンス素子の提供、及び該エレクトロル
ミネッセンス素子の応用により輝度の高いカラーフィル
ターを提供する。 【解決手段】 エレクトロルミネッセンス材料の少なく
とも1種及び該エレクトロルミネッセンス材料の発光を
吸収し該エレクトロルミネッセンス材料より発せられる
極大発光波長とは異なる極大発光波長に発光する無機系
蛍光体を少なくとも1種含有することを特徴とするエレ
クトロルミネッセンス素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はエレクトロルミネッセン
ス素子に関し、具体的には、発光型のマルチカラー又は
フルカラーディスプレイ、表示パネルなど、民生用や工
業用の表示機器に好適に用いられるエレクトロルミネッ
センス素子、及びカラー画像形成方法並びにカラーフィ
ルターに関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子ディスプレイデバイスには、発光型
と受光型とがあり、発光型としては、例えばCRT(陰
極線管)、PDP(プラズマディスプレイ)、ELD
(エレクトロルミネッセンスディスプレイ)、VFD
(蛍光表示管)などが挙げられる。
【0003】この中で、ELDについて説明する。
【0004】ELD(エレクトロルミネッセンスディス
プレイ)とは、電界または電場により発光する材料から
なる発光素子、またはそれらを複数個組み合わせたもの
であり、材料としては有機と無機が、さらに発光機構と
しては電子と正孔の再結合を利用したキャリア注入型と
加速電子の衝突エネルギーを利用した加速電子型があ
る。材料的には一般的に無機の方が有機よりも寿命が長
く安定である反面、材料の展開幅が狭く分子設計に制限
がある。機構的には、一般に再結合型の方が加速電子型
よりも駆動電圧が低いという利点があり、近年その利点
からキャリア注入型のELDが盛んに研究されている。
【0005】ELD材料としては、具体的には以下の3
種類がある。
【0006】無機LED(材料はGaNやGaInN
等の無機化合物で構成され、発光機構は再結合型。単に
LED(発光ダイオード)とも呼ばれる。) 有機LED(材料はトリアリールアミン誘導体やスチ
ルベン誘導体等の有機化合物で構成され、発光機構は再
結合型。有機EL(エレクトロルミネッセント)、OL
EDとも呼ばれる。) 無機EL(材料はZnS:MnやZnS:Tb等の無
機化合物で構成され、発光機構は加速電子型。有機EL
Dよりも歴史が古いため、こちらを単にエレクトロルミ
ネッセンス(EL)と呼ぶ場合もある。) この中で、本発明で言う「エレクトロルミネッセンス素
子」とはおよびであり、「エレクトロルミネッセン
ス材料」とはおよびを構成する材料のことを示す。
従って、上記は本発明から除外される。
【0007】特に近年注目されているキャリア注入型の
有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機化合物から
なる薄膜を用いるようになってから、発光強度の大きい
ものが得られるようになってきた。例えば、米国特許第
3,530,325号には発光体として単結晶アントラ
セン等を用いたもの、特開昭59−194393号には
正孔注入層と有機発光体層とを組み合わせたもの、特開
昭63−295695号には正孔注入層と有機電子注入
輸送層とを組み合わせたもの、Jpn.Journal
of Applied Phisycs,vol12
7,No.2第269〜271頁には正孔移動層と発光
層と電子移動層とを組み合わせたものがそれぞれ開示さ
れており、これらにより発光強度は改良されてきた。
【0008】一方、上記エレクトロルミネッセンス材料
の発光を吸収して蛍光を発光させる蛍光体がが知られて
いる。該蛍光体を用いて、あるエレクトロルミネッセン
ス材料から多色の蛍光を発光させる方法については、C
RT、PDP、VFD等に応用されている。しかしなが
ら、この場合、エレクトロルミネッセンス材料の発光が
電子線や遠紫外線であるなど、エネルギー的に高い、即
ち発光波長が短波であることが問題となる。つまり、上
記蛍光体は具体的には無機蛍光体であり、安定性につい
ては非常に高く長期使用に耐えられるものも数多く知ら
れているが、無機蛍光体の中で励起波長が近紫外から可
視領域というという長波長に励起するものはほとんどな
く、特に赤色光を発光するものが全くないのが実状であ
った。
【0009】また、エレクトロルミネッセンス材料から
発光させることが可能な近紫外線はおよそ350nm〜
400nm程度の極大発光波長の光であると推定される
が、このような近紫外線で励起する蛍光体として有機蛍
光色素を用いることが、特開平3−152897号、同
9−245511号、同5−258860号等で知られ
ている。
【0010】しかしながら、一般に有機蛍光色素は、周
囲の環境に影響を受けやすく、例えば溶媒や樹脂などの
媒体の種類などによっては、その蛍光波長が変化(変
色)したり、消光を起こす場合があり、さらに光や熱に
対して極めて不安定であり、例えば10万ルックス程度
の強い光のもとでは数分から数時間程度で分解してしま
うものがほとんどであり、長期保存に耐えうる有機蛍光
色素は存在しない。
【0011】また、前記特許に記載されている方式は、
発光体の青色ないし青緑色領域の光を吸収して、緑領域
ないしは赤領域に色変換する蛍光色素を使用するもので
あり、緑色領域の蛍光を発する蛍光変換膜は、ストーク
スシフト(吸収波長と発光波長との差)が小さくてす
み、かつエレクトロルミネッセンス材料の発光の一部を
透過させることが可能であり、比較的高効率で発光体の
光を変換できるという特徴を持つが、赤色領域への蛍光
は、大きなストークスシフトを必要とする上に、発光体
の光をほとんど利用できないので、著しく変換効率が低
い。具体的には数種類の励起波長の異なる蛍光色素を併
用し、例えば青色光を受けて黄色になる蛍光色素と黄色
を受けて赤色に光る蛍光色素のように複数の蛍光色素の
光−光変換(フォトルミネッセンス)を他段階に利用す
る必要があり、原理上高効率化は不可能であった。
【0012】従って、従来の技術においては、先の変
色、輝度低下、消光の問題も含めて、青色、緑色、赤色
の発光輝度のバランスが悪く、中でも赤色の輝度が低
く、全体的に視認性の悪い、低輝度のカラー表示になら
ざるを得ないという問題があった。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、鋭意検
討の結果、無機系蛍光体及び/又は希土類錯体系蛍光体
を用いることにより高輝度でかつ保存性の高いエレクト
ロルミネッセンス素子を得るに至り、また、該エレクト
ロルミネッセンス素子の応用により輝度の高いカラーフ
ィルターを提供するに至った。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意努力を
重ねた結果、下記のような構成にて上記目的を達成でき
ることを見出した。 (1)下記一般式(N1)で表されることを特徴とする
エレクトロルミネッセンス材料、
【0015】
【化14】
【0016】〔式中、Arはアリール基を表し、Aは炭
素原子、窒素原子、硫黄原子または酸素原子を表し、X
はAおよびNとともに5員または6員の含窒素芳香族複
素環を形成するのに必要な原子群を表し、Yは3つの炭
素原子とともに5員または6員の芳香族炭化水素環また
は芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、式
中のC−N結合、C−A結合、C−C結合は単結合また
は2重結合を表し、Rは水素原子または置換基またはA
rを表す。さらに
【0017】
【化15】
【0018】で表される含窒素芳香族複素環および
【0019】
【化16】
【0020】で表される芳香族炭化水素環または芳香族
複素環はさらに炭化水素環または複素環により縮合され
ていてもよい。〕 (2)下記一般式(A1)で表されることを特徴とする
エレクトロルミネッセンス材料、
【0021】
【化17】
【0022】〔式中、Ar11、Ar12およびAr13はア
リール基または芳香族複素環基を表し、かつ一般式(A
1)で表される化合物の分子内には少なくとも2つの内
部回転異性性を付与しうる結合軸を持つビアリール基が
存在する。〕 (3)下記一般式(A2)で表されることを特徴とする
請求項2に記載のエレクトロルミネッセンス材料、
【0023】
【化18】
【0024】〔式中、Ar21、Ar22およびAr23はそ
れぞれ独立に内部回転異性性を付与しうる結合軸を有す
るビアリールを表す。〕 (4)下記一般式(A3)で表されることを特徴とする
請求項2又は3の何れかに記載のエレクトロルミネッセ
ンス材料。
【0025】
【化19】
【0026】〔式中、Ar31、Ar32およびAr33はそ
れぞれ独立にアリール基または芳香族複素環基を表し、
かつAr31、Ar32およびAr33のうち少なくとも2つ
は1,1´−ビナフチル基を有するアリール基を表
す。〕 (5)下記一般式(B1)で表されることを特徴とする
エレクトロルミネッセンス材料、
【0027】
【化20】
【0028】〔式中、Ar41およびAr42はそれぞれ独
立にアリール基または芳香族複素環基を表し、L11、L
12およびL13は5員の芳香族複素環を形成するのに必要
な原子群を表し、L11、L12およびL13のうち少なくと
も1つは=N−、−N(R41)−、−S−または−O−
を表し、R41は水素原子または置換基を表す。ただし、
Ar41、Ar42およびR41のうち少なくとも1つは、内
部回転異性性を付与しうる結合軸を持つビアリール基ま
たはその部分を有する基である。また、隣接する置換基
同士は互いに縮合して飽和または不飽和の環を形成して
も良い。〕 (6)下記一般式(C1)で表されることを特徴とする
エレクトロルミネッセンス材料。
【0029】
【化21】
【0030】〔式中、Ar51はアリール基または芳香族
複素環基を表し、nは0から6の整数を表し、nが2以
上の時複数のAr51は同じであっても異なっていても良
く、また、L21、L22、L23、L24、L25およびL26
6員の含窒素芳香族複素環を形成するのに必要な原子群
を表し、L21、L22、L23、L24、L25およびL26のう
ち少なくとも1つは=N−または−N(R51)−を表
し、R51は水素原子または置換基を表す。ただし、Ar
51およびR51のうち少なくとも1つは、内部回転異性性
を付与しうる結合軸を持つビアリール基またはその部分
を有する基である。また、隣接する置換基同士は互いに
縮合して飽和または不飽和の環を形成しても良い。〕 (7)下記一般式(D1)で表されることを特徴とする
エレクトロルミネッセンス材料、
【0031】
【化22】
【0032】〔式中、Ar61およびAr62はアリール基
または芳香族複素環基を表し、R61およびR62は水素原
子または置換基を表す。ただし、Ar61、Ar62、R61
およびR62のうち少なくとも1つは、内部回転異性性を
付与しうる結合軸を持つビアリール基またはその部分を
有する基である。また、隣接する置換基同士は互いに縮
合して飽和または不飽和の環を形成しても良い。〕 (8)下記一般式(E1)で表されることを特徴とする
エレクトロルミネッセンス材料、
【0033】
【化23】
【0034】〔式中、Mは1価から4価にイオン状態を
取りうる金属元素を表し、n’は1から4の自然数を表
し、L71 -はMとイオン結合を形成し、かつMに配位可
能な部分を有する1価のアニオンを表し、mはn’と同
じかまたはそれよりも小さい自然数を表し、R71 -はM
とイオン結合を形成する1価のアニオンを表す。ただ
し、L71 - 、またはR71 - の少なくとも1つは、内部回
転異性性を付与しうる結合軸を持つビアリール部分を有
する基である。〕 (9)下記一般式(F1)又は(F2)で表されること
を特徴とするエレクトロルミネッセンス材料、
【0035】
【化24】
【0036】〔式中、Z1およびZ2は、それぞれ独立に
1価の発光性化合物残基を表し、Z3はk価の発光性化
合物残基を表し、kは1〜8の自然数を表し、xは1〜
3の自然数を表し、yは0〜3の整数を表し、xが2以
上の時は複数のZ1は同じであっても異なっていても良
く、yが2以上の時は複数のZ2は同じであっても異な
っていても良く、さらにxおよびyが共に1以上の時は
1とZ2は同じであっても異なっていてもよい。R81
よびR82はそれぞれ独立に置換基を表し、nは0〜4の
整数を表し、mは0〜4の整数を表し、nが2以上の時
は複数のR81は同じであっても異なっていても良く、ま
た互いに縮合して環を形成してもよく、mが2以上の時
は複数のR82は同じであっても異なっていても良く、ま
た互いに縮合して環を形成してもよく、さらにnおよび
mが共に1以上の時はR81とR82は同じであっても異な
っていてもよい。また、Z1、Z2、R81およびR82のそ
れぞれの置換基は、ナフタレン環と縮合環を形成しても
よい。〕 (10)下記一般式(G1)で表される4−ハロ−1,
1’−ビナフチル誘導体を原料に用い、下記一般式(G
2)で表される1価のビアリール基を分子内の何れかに
有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
用化合物、
【0037】
【化25】
【0038】〔式中、X91はハロゲン原子を表し、R91
およびR92はそれぞれ独立に置換基を表し、nは0〜4
の整数を表し、mは0〜4の整数を表し、nが2以上の
時、複数のR91は同じであっても異なっていても良く、
また互いに縮合して環を形成してもよく、mが2以上の
時は複数のR92は同じであっても異なっていても良く、
また互いに縮合して環を形成してもよく、さらにnおよ
びmが共に1以上の時はR91とR92は同じであっても異
なっていてもよい。〕 (11)エレクトロスミネッセンス材料の少なくとも1
種及び該エレクトロルミネッセンス材料の発光を吸収し
該エレクトロルミネッセンス材料より発せられる極大発
光波長とは異なる極大発光波長に発光する無機系蛍光体
を少なくとも1種含有することを特徴とするエレクトロ
ルミネッセンス素子、(12)前記無機系蛍光体がSo
l−Gel法により製造された無機系蛍光体であること
を特徴とする請求項11に記載のエレクトロルミネッセ
ンス素子、(13)前記無機系蛍光体の極大発光波長が
400〜700nmであることを特徴とする請求項11
又は12に記載のエレクトロルミネッセンス素子、(1
4)前記無機系発光体の少なくとも1種が極大発光波長
が600〜700nmであることを特徴とする請求項1
1〜13の何れか1項に記載のエレクトロルミネッセン
ス素子、(15)エレクトロスミネッセンス材料及び該
エレクトロルミネッセンス材料の発光を吸収し該エレク
トロルミネッセンス材料より発せられる極大発光波長と
は異なる極大発光波長に発光する希土類錯体系蛍光体を
含有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素
子、(16)前記希土類錯体系蛍光体の極大発光波長が
400〜700nmであることを特徴とする請求項15
に記載のエレクトロルミネッセンス素子、(17) 前
記希土類錯体系発光体の少なくとも1種が極大発光波長
が600〜700nmであることを特徴とする請求項1
5又は16の何れか1項に記載のエレクトロルミネッセ
ンス素子、(18)前記エレクトロルミネッセンス材料
の極大発光波長が430nm以下であることを特徴とす
る請求項11〜17の何れか1項に記載のエレクトロル
ミネッセンス素子、(19)前記エレクトロルミネッセ
ンス材料の極大発光波長が400〜430nmであるこ
とを特徴とする請求項18に記載のエレクトロルミネッ
センス素子、(20)前記エレクトロルミネッセンス材
料が有機LEDであることを特徴とする請求項11〜1
9の何れか1項に記載のエレクトロルミネッセンス素
子、(21)前記エレクトロルミネッセンス材料が無機
LEDであることを特徴とする請求項11〜19の何れ
か1項に記載のエレクトロルミネッセンス素子、(2
2)前記エレクトロルミネッセンス材料が、前記一般式
(N1)、(A1)、(A2)、(A3)、(B1)、
(C1)、(D1)、(E1)、(F1)、(F2)、
(G1)又は(G2)で表される化合物から選ばれる少
なくとも1種であることを特徴とする請求項11〜21
に記載のエレクトロルミネッセンス素子、(23)基盤
上に、エレクトロルミネッセンス材料を含有する層及び
該エレクトロルミネッセンス材料から発せられる光を吸
収して400〜500nmに極大発光波長を有する無機
系蛍光体の少なくとも1種、501〜600nmに極大
発光波長を有する無機系蛍光体の少なくとも1種及び6
01〜700nmに極大発光波長を有する無機系蛍光体
の少なくとも1種を含有する色変換層を有することを特
徴とするエレクトロルミネッセンス素子、(24)基盤
上に、エレクトロルミネッセンス材料を含有する層及び
該エレクトロルミネッセンス材料から発せられる光を吸
収して400〜500nmに極大発光波長を有する希土
類錯体系蛍光体の少なくとも1種、501〜600nm
に極大発光波長を有する希土類錯体系蛍光体の少なくと
も1種及び601〜700nmに極大発光波長を有する
希土類錯体系蛍光体の少なくとも1種を含有する色変換
層を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス
素子、(25)エレクトロルミネッセンス材料から発せ
られる光を吸収して400〜700nmに極大発光波長
を有する無機系蛍光体の少なくとも1種を含有すること
を特徴とする色変換フィルター、(26)エレクトロル
ミネッセンス材料から発せられる光を吸収して400〜
500nmに極大発光波長を有する無機系蛍光体の少な
くとも1種、501〜600nmに極大発光波長を有す
る無機系蛍光体の少なくとも1種及び601〜700n
mに極大発光波長を有する無機系蛍光体の少なくとも1
種を含有することを特徴とする色変換フィルター、(2
7)前記無機蛍光体がSol−Gel法により製造され
た無機系蛍光体であることを特徴とする請求項25又は
26の何れか1項に記載の色変換フィルター、(28)
エレクトロルミネッセンス材料から発せられる光を吸収
して400〜700nmに極大発光波長を有する希土類
錯体系蛍光体の少なくとも1種を含有することを特徴と
する色変換フィルター、(29)エレクトロルミネッセ
ンス材料から発せられる光を吸収して400〜500n
mに極大発光波長を有する希土類錯体系蛍光体の少なく
とも1種、501〜600nmに極大発光波長を有する
希土類錯体系蛍光体の少なくとも1種及び601〜70
0nmに極大発光波長を有する希土類錯体系蛍光体の少
なくとも1種を含有する色変換層を有することを特徴と
する色変換フィルター、(30)Sol−Gel法によ
り製造された無機系蛍光体を用いて赤色よりも短波長領
域の光を赤色に変換することを特徴とする色変換方法、
(31)希土類錯体系蛍光体を用いて赤色よりも短波長
領域の光を赤色に変換することを特徴とする色変換方
法、(32)前記希土類錯体系蛍光体の極大吸収波長が
340nm以上であることを特徴とする請求項31に記
載の色変換方法、(33)下記一般式(R2)で表され
るアニオン性配位子を少なくとも1つ有することを特徴
とする希土類錯体系蛍光体。
【0039】
【化26】
【0040】〔式中、R101は水素原子又は置換基を表
し、Y101は酸素原子、硫黄原子又は−N(R102)−を
表し、R102は水素原子又は置換基を表し、Z101は炭素
と炭素の二重結合と共に4〜8員環を形成するのに必要
な原子群を表す。〕 以下に本発明を詳細に説明する。
【0041】本発明において、エレクトロルミネッセン
ス材料とは、電場又は電界によって発光する材料であっ
て、具体的には陽極と陰極から、それぞれ正孔と電子が
注入され、それらが再結合するする際に発光する材料で
あり、加速電子の衝突エネルギーによる発光(いわゆる
無機エレクトロルミネッセンス)する材料とは異なる。
【0042】電場又は電界によって発光するとは、例え
ば発光層を挟んで一対の対向電極を有し、該電極に電流
を流すことで該発光層に含有されるエレクトロルミネッ
センス材料が発光するものである。これは、発光層を挟
んだ一対の対向電極の一方の電極から注入された電子
と、もう一方の電極から注入された正孔により発光層内
で再結合が起こり、エレクトロルミネッセンス材料がよ
り高いエネルギー準位に励起され、励起されたエレクト
ロルミネッセンス材料が元の基底状態に戻る際にエネル
ギーを光として放出することにより起こると考えられて
いる。
【0043】本発明に用いられるエレクトロルミネッセ
ンス材料は、電場又は電界によって発光するものであれ
ば特に制限はなく、例えば窒化ガリウム(GaN)のよ
うな無機のエレクトロルミネッセンス材料(無機LED
ともいう)でもよく、有機のエレクトロルミネッセンス
材料(有機LEDともいう)のいずれであってもかまわ
ないが、有機LEDを用いることが発光効率の点から好
ましい。
【0044】本発明においては、エレクトロルミネッセ
ンス材料は電場又は電界により430nm以下に極大発
光波長を有するものであることが好ましく、更には40
0〜430nmに極大発光波長を有するものであること
が好ましい。
【0045】また、CIE色度図表上では、新編色彩科
学ハンドブック第4刷 日本色彩学会編 第108頁に
記載されている「図4.16 色刺激(光の色)の色名
と色度座標との関係」の中の Purplish Bl
ue、Blueish PurpleまたはPurpl
eの領域であることが好ましい。
【0046】本発明に好ましく用いられるエレクトロル
ミネッセンス材料について具体的に説明する。
【0047】本発明に好ましく用いられるエレクトロル
ミネッセンス材料は、前記の一般式(N1)、(A
1)、(A2)、(A3)、(B1)、(C1)、(D
1)、(E1)、(F1)、(F2)で表される化合物
ならびに(G1)で表される4−ハロ−1,1’−ビナ
フチル誘導体を原料として用い(G2)で表される1価
のビアリール基を分子内のいずれかに有する化合物があ
げられる。
【0048】一般式(N1)、(A1)、(A2)、
(A3)、(B1)、(C1)および(D1)におい
て、Ar、Ar11、Ar12、Ar13、Ar21、Ar22
Ar23、Ar31、Ar32、Ar33、Ar41、Ar42、A
51、Ar61およびAr62で表されるアリール基は、π
電子の数が4n+2(nは自然数)であれば特に制限は
なく、単環でも縮合環でもいい。さらに該アリール基は
置換基によって置換されていてもよく、その置換されて
いてもいい置換基としては、アルキル基、シクロアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素
環基、アミノ基、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト
基、カルボキシル基、アシルアミノ基、スルホンアミド
基、ホスホンアミド基、カルバモイル基、エステル基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ
基、シリル基等が挙げられる。また該アリール基の互い
に隣接する場所に複数の置換基が置換する場合には、互
いに縮合して炭化水素環または複素環を形成してもよ
く、さらにはスピロ構造を有する部分があっても良い。
【0049】一般式(N1)、(A1)、(A2)、
(A3)、(B1)、(C1)および(D1)におい
て、Ar、Ar11、Ar12、Ar13、Ar21、Ar22
Ar23、Ar31、Ar32、Ar33、Ar41、Ar42、A
51、Ar61およびAr62で表される芳香族複素環基と
は、π電子の数が4n+2(nは自然数)である単環も
しくは縮合環の複素環化合物の任意の位置から水素原子
を一つ取り除いたものを表し、例えば、それに該当する
複素環化合物としては、フラン、チオフェン、ピロー
ル、イミダゾール、ピラゾール、1,2,4−トリアゾ
ール、1,2,3−トリアゾール、オキサゾール、チア
ゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、フラザ
ン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、
1,3,5−トリアジン等が挙げられ、それら複素環は
さらに縮合環を形成していてもよい。
【0050】一般式(B1)、(C1)、(D1)、
(E1)、(F1)、(F2)、(G1)および(G
2)において、R41、R51、R61、R62、R71、R81
82、R 91およびR92で表される置換基としては、置換
可能なものならば特に制限はないが、代表的にはアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、アリール基、複素環基、アミノ基、ハロゲン原子、
水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、アシルアミノ
基、スルホンアミド基、ホスホンアミド基、カルバモイ
ル基、エステル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
ニトロ基、シアノ基、シリル基等が挙げられる。また、
該置換基中の互いに隣接する場所に複数の置換基が置換
する場合には、互いに縮合して炭化水素環または複素環
を形成してもよく、さらにはスピロ構造を有する部分が
あっても良い。
【0051】一般式(N1)において、
【0052】
【化27】
【0053】で表される含窒素複素環基としては、5員
または6員の6π系の芳香族複素環が好ましく、具体的
には、2−ピリジル基、2−ピリミジル基、6−ピリミ
ジル基、2−ピラジル基、3−ピリダジル基、2−オキ
サゾリル基、2−チアゾリル基、3−イソオキサゾリル
基、3−イソチアゾリル基、3−フラザニル基、3−ピ
ラゾリル基、2−イミダゾリル基、4−イミダゾリル
基、2−ピロロ基、2−オキサジアゾリル基、2−チア
ジアゾリル基、2−(1,2,4−トリアゾリル)基、
2−(1,3,5−トリアジル)基、3−(1,2,4
−トリアジル)基等が挙げられる。さらに該含窒素複素
環は例えばR41で説明した置換基によって置換されてい
ても良く、さらに縮合環(例えば2−ピリジル基に炭化
水素環を縮合させた2−キノリル基、3−ピラゾリル基
に複素環を縮合させた6−(1H−ピラゾロ[5,1−
c][1,2,4]トリアゾリル)基等)を形成しても
よい。
【0054】一般式(N1)において、
【0055】
【化28】
【0056】で表される芳香族炭化水素環基は、4n+
2π系の芳香族炭化水素化合物から任意の位置の水素原
子を1つ取り除いたものであり、具体的にはフェニル
基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−アントリル
基、1−アントリル基、9−フェナントリル基、2−ト
リフェニレニル基、3−ペリレニル基等が挙げられる。
さらに該炭化水素環は例えばR41で説明した置換基によ
って置換されていても良く、さらに縮合環(例えば9−
フェナントリル基に炭化水素環を縮合させた9−ピレニ
ル基、フェニル基に複素環を縮合させた8−キノリル基
等)を形成してもよい。
【0057】一般式(N1)において、
【0058】
【化29】
【0059】で表される芳香族複素環基は、含窒素芳香
族複素環に結合する部分の両隣接位が炭素原子であり、
かつ4n+2π系の芳香族基であれば特に制限はなく、
具体的には、3−ピリジル基、5−ピリミジル基、4−
ピリダジル基、5−ピリダジル基、4−イソオキサゾリ
ル基、4−イソチアゾリル基、4−ピラゾリル基、3−
ピロロ基、3−フリル基、3−チエニル基等が挙げられ
る。さらに該複素環は例えばR41で説明した置換基によ
って置換されていても良く、さらに縮合環を形成しても
よい。
【0060】一般式(A1)、(A2)、(B1)、
(C1)、(D1)、(E1)、(F1)および(F
2)に記載されている「内部回転異性性を付与しうる結
合軸」とは、例えば下記1,1’−ビナフチルのナフタ
レン核とナフタレン核をつなぐ結合軸のように、常温常
圧下において立体障害により360度の自由回転ができ
ないような結合軸のことを意味し、便宜的にはCPK模
型を組んだ際に360度の自由回転ができなければその
結合軸は「内部回転異性性を付与しうる結合軸」である
と言うことができる。
【0061】また、「内部回転異性性を付与しうる結合
軸」を有する化合物には異性体が存在し、その異性体を
「アトロプ異性体」または「内部回転光学異性体」(化
学大辞典 第6巻 第588頁 共立出版)というが、
逆に言うと「内部回転異性性を付与しうる結合軸」をも
つ化合物(または置換基)とは「アトロプ異性体」また
は「内部回転光学異性体」が存在する化合物(または置
換基)と言い換えることもできる。
【0062】
【化30】
【0063】以下に「内部回転異性性を付与しうる結合
軸を持つビアリール基」を有する置換基の基本骨格(図
で示す化合物から任意の位置の水素原子を取り除いたも
のが置換基となる。また、その基本骨格はさらにR41
説明したような置換基によって置換されていても良く、
さらに縮合環を形成してもよい。)の一例を示すが本発
明はこれらに限定されるものではない。
【0064】
【化31】
【0065】
【化32】
【0066】
【化33】
【0067】一般式(E1)においてMで表される金属
元素は、1価から4価のイオン構造が採れるものであれ
ば特に制限はないが、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、
Zn、Cd、Hg、Pd、Cu、B、Al、Ga、I
n、Tl、Si、Geが好ましく、Be、Mg、Ca、
Sr、Ba、Zn、Cu、B、Al、Ga、Inがさら
に好ましく、Be、Al、Zn、Gaが最も好ましい。
【0068】一般式(E1)において、L71 -で表され
るMとイオン結合を形成し、かつMに配位可能な部分を
有する1価のアニオンとは、酸性状態では酸素原子、硫
黄原子または窒素原子上にプロトンが付加された状態を
採りうる、すなわち解離性基を有する(−OH、−N
H、−SH)化合物からプロトンを1つ取った形のもの
を示し、かつ該酸素原子、硫黄原子または窒素原子から
2ないし3原子隔てた位置に窒素原子またはカルコゲン
原子(O、S、Se、Te)のような金属に配位可能な
原子を有するものであり、例えば、8−ヒドロキシキノ
リンの水酸基からプロトンを取った酸素アニオン、1H
−2−(1−ピラゾリル)イミダゾールの1位のNHか
らプロトンを取った窒素アニオン等が挙げられる。
【0069】一般式(E1)において、R71 -で表され
るMとイオン結合を形成する1価のアニオンは、pH8
以上の塩基性条件下でアニオンを発生するものであれば
特に制限はなく、例えば、4−ヒドロキシ−1,1’−
ビフェニル、2−メルカプトナフタレン、1H−ピラゾ
ロ[5,1−c][1,2,4]トリアゾールからプロ
トンを1つ取り除いたアニオン等が挙げられる。
【0070】一般式(F1)において、Z1およびZ2
表される1価の発光性化合物残基とは、室温下で発光を
示す化合物の任意の位置から水素原子または置換基を1
つ取り除いたものを表し、一般式(F2)において、Z
3で表されるk価の発光性化合物残基とは、室温下で発
光を示す化合物の任意の位置から水素原子または置換基
をk個取り除いたものを表し、該室温下で発光を示す化
合物の「発光」は蛍光発光でも燐光発光でもよい。
【0071】発光性化合物残基となりうる発光性化合物
としては、レーザー色素のように可視領域に吸収を有す
る蛍光色素でも、蛍光増白剤のように紫外領域に吸収を
有する蛍光化合物でも、さらにポルフィリンのプラチナ
錯体やビアセチルのような燐光発光化合物でもよく、具
体的には、例えば八木國夫、吉田善一、太田利一共著
「蛍光 −理論・測定・応用−」(南江堂)の第99頁
〜122頁に記載されている有機蛍光物質、同書第25
1頁〜270頁に記載されている蛍光増白剤、さらに同
書第274頁〜287頁に記載されている蛍光色素がそ
の代表例として挙げられ、特に好ましくは、トリフェニ
レンやペリレン等に代表される縮合環式芳香族炭化水素
環化合物、p−ターフェニルやクオーターフェニル等に
代表される線状共役多環式炭化水素化合物、アクリジ
ン、キノリン、カルバゾール、カルバゾン、フルオレ
ン、キサンチオン、アロキサジン、アクリドン、フラボ
ン、クマリン、ナフトイミダゾール、ベンゾオキサゾー
ルおよびジベンゾフェナジン等に代表される縮合環式芳
香族複素環化合物、チアゾール、オキサゾール、オキサ
ジアゾール、チアジアゾールおよびトリアゾール等に代
表される芳香族複素環化合物、アミノクロロマレイック
イミド、メチルアミノシトラコニックメチルイミド、デ
カペンタエンカルボン酸およびデカペンタエンジカルボ
ン酸等に代表される共役系脂肪族化合物、アクリジンオ
レンジNO、メチレンブルー、フルオロセイン、エオシ
ン、ローダミンおよびベンソフラビン等に代表される蛍
光色素化合物、オキサカルボシアニン、カルボシアニ
ン、チアカルボシアニンおよび2−(アニリノポリエチ
ニル)−ベンゾチアゾール等の感光色素化合物、ポルフ
ィリン、クロロフィルおよびリボフラビン等に代表され
る天然色素化合物、ジアミノスチルベン、ジスチリルベ
ンゼン、ベンジジン、ジアミノカルバゾール、トリアゾ
ール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、イミ
ダゾロン、ジヒドロピリジン、クマリン、カルボスチリ
ル、ジアミノジベンゾチオフェンオキシド、ジアミノフ
ルオレン、オキサシアニン、アミノナフタルイミド、ピ
ラゾリンおよびオキサジアゾール系の蛍光増白剤 等が
挙げられ、さらにこれらは置換基を有していてもよく、
さらに縮合環を形成していてもよい。
【0072】一般式(G1)において、X91で表される
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子、アスタチン原子が挙げられるが、この
中で好ましいものは臭素原子およびヨウ素原子である。
【0073】本発明において、エレクトロルミネッセン
ス材料は後述する正孔注入材料、電子注入材料を兼ねて
も良い。つまり、正孔注入や電子注入能力を併せもって
いても良い。また、エレクトロルミネッセンス材料は、
該材料をホストとするドーピング材料(ドーパント、ゲ
ストともいう)を必要に応じて併用しても良い。
【0074】以下に本発明のエレクトロルミネッセンス
材料の具体例を挙げるが、本発明はそれらに限定される
ものではない。
【0075】
【化34】
【0076】
【化35】
【0077】
【化36】
【0078】
【化37】
【0079】
【化38】
【0080】
【化39】
【0081】
【化40】
【0082】
【化41】
【0083】
【化42】
【0084】
【化43】
【0085】
【化44】
【0086】
【化45】
【0087】
【化46】
【0088】
【化47】
【0089】
【化48】
【0090】
【化49】
【0091】
【化50】
【0092】
【化51】
【0093】
【化52】
【0094】
【化53】
【0095】次に、本発明でいうエレクトロルミネッセ
ンス素子とは、基盤上に前記下エレクトロルミネッセン
ス材料と、該エレクトロルミネッセンス材料から発せら
れる光を吸収して蛍光を発する無機系蛍光体又は希土類
錯体系蛍光体とを含有し、エレクトロルミネッセンス材
料を含有する層を挟んで一対の対向電極を有する素子を
いう。ここで、エレクトロルミネッセンス材料と無機系
蛍光体又は希土類錯体系蛍光体とは別の層に含有されて
おり、同一の層に存在することはない。
【0096】下の記載において、特に指定のない限り、
エレクトロルミネッセンス材料は発光層を含有する層を
発光層、正孔注入層、電子注入層の何れかの層に存在
し、無機系蛍光体及び/又は希土類錯体系蛍光体は色変
換層に存在するものである。
【0097】また、本発明におけるエレクトロルミネッ
センス素子は、必要に応じて電子注入層や、正孔注入層
を介在させてもかまわない。
【0098】本発明のエレクトロルミネッセンス素子に
好ましく用いられる基盤は、ガラス、プラスチックなど
の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば
特に制限はない。本発明のエレクトロルミネッセンス素
子に好ましく用いられる基盤としては例えばガラス、石
英、光透過性プラスチックフィルムを挙げることができ
る。
【0099】光透過性プラスチックフィルムとしては、
例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエ
チレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン
(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレー
ト、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルロー
ストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプ
ロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げら
れる。
【0100】本発明のエレクトロルミネッセンス素子
は、本発明のエレクトロルミネッセンス材料を発光層に
用いることが好ましいが、公知の発光材料と併用しても
かまわない。具体的には例えば「有機EL素子とその工
業化最前線」 1998年11月30日 (株)エヌ・
ティー・エス発行(以下、文献Aということもある。)
の第1編第3章(第35頁〜第51頁)に記載されてい
る低分子系発光材料、同文献Aの第1編第4章(第55
頁〜第79頁)に記載されている色素ドープ材料、同文
献Aの第1編第5章(第81頁〜第100頁、第178
頁〜第189頁、だい192頁〜第212頁)に記載さ
れている高分子系材料などを挙げることができる。ま
た、これらの文献中の引用文献に挙がっている化合物も
同様に使用することができる。
【0101】エレクトロルミネッセンス素子は通常2つ
の電極間に単層または複数の層を含有して構成され、該
構成層としては前記発光層の他に正孔注入層(または電
荷注入層、ホール注入層、電荷輸送層、ホール輸送層と
もいう)、電子注入層(または電子輸送層ともいう)等
が挙げられる。
【0102】前記、正孔注入層および電子注入層は必要
に応じてさらに積層構造をとっていてもよく、例えば、
陽極/第1正孔注入層/第2正孔注入層(正孔輸送層)
/発光層/第2電子注入層(電子輸送層)/第1電子注
入層/陰極のような層構成を取ってもよい。
【0103】以下に本発明におけるエレクトロルミネッ
センス素子の層構成の例を示す(ただし、上記の如く複
数の正孔注入層および/または電子注入層についての記
載は省略するが、当然それらが複数の化合物を重ねてな
る積層構造を形成していても良い。) 基板/色変換層/基板/陽極/発光層/陰極 (2)基板/色変換層/基板/陽極/正孔注入層/発光
層/陰極 (3)基板/色変換層/基板/陽極/発光層/電子注入
層/陰極 (4)基板/色変換層/基板/陽極/正孔注入層/発光
層/電子注入層/陰極 (5)基板/陽極/発光層/陰極/色変換層/基板 (6)基板/陽極/正孔注入層/発光層/陰極/色変換
層/基板 (7)基板/陽極/発光層/電子注入層/陰極/色変換
層/基板 (8)基板/陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/
陰極/色変換層/基板 ここで、色変換層と接する基板と陽極と接する基板と
は、同じであっても異なっていても良く、さらに各素子
の外側を基板で覆っても良い。
【0104】なお、陽極と発光層または正孔注入層の
間、および、陰極と発光層または電子注入層との間には
バッファー層(電極界面層)を存在させてもよい。
【0105】バッファー層とは、駆動電圧低下や発光効
率向上のために電極と有機層間に設けられる層のこと
で、文献Aの第2編第2章「電極材料」(第123頁〜
第166頁)に詳細に記載されており、陽極バッファー
層と陰極バッファー層とがある。
【0106】陽極バッファー層としては、銅フタロシア
ニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バ
ナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファ
スカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディ
ン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子
バッファー層等が挙げられる。
【0107】陰極バッファー層としては、ストロンチウ
ムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フ
ッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファ
ー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金
属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される
酸化物バッファー層等が挙げられる。
【0108】上記バッファー層はごく薄い膜であること
が望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1〜10
0nmの範囲が好ましい。
【0109】発光層、正孔注入層、電子注入層又はバッ
ファー層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピ
ンコート法、キャスト法、LB法などの公知の方法によ
り薄膜化することにより形成することができるが、特に
分子堆積膜であることが好ましい。ここで、分子堆積膜
とは、該化合物の気相状態から沈着され形成された薄膜
や、該化合物の溶融状態又は液相状態から固体化され形
成された膜のことである。通常、この分子堆積膜はLB
法により形成された薄膜(分子累積膜)と凝集構造、高
次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区
別することができる。
【0110】また、この発光層は、特開昭57−517
81号公報に記載されているように、樹脂などの結着材
と共に上記発光材料を溶剤に溶かして溶液としたのち、
これをスピンコート法などにより薄膜化して形成するこ
とができる。このようにして形成された発光層の膜厚に
ついては特に制限はなく、状況に応じて適宜選択するこ
とができるが、5nm〜5μmの範囲で用いられること
が好ましい。
【0111】このエレクトロルミネッセンス素子におけ
る陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金
属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極
物質とするものが好ましく用いられる。このような電極
物質の具体例としてはAuなどの金属、CuI、インジ
ウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO、亜鉛
ドープ酸化インジウム(IZO)などの導電性透明材料
が挙げられる。該陽極は、これらの電極物質を蒸着やス
パッタリングなどの方法により、薄膜を形成させ、フォ
トリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成して
もよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場
合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やス
パッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターン
を形成してもよい。
【0112】この陽極より発光を取り出す場合には、透
過率を10%より大きくすることが望ましく、また、陽
極としてのシート抵抗は103Ω/□以下が好ましい。
陽極の膜厚は材料によって適宜選択できるが、10nm
〜1μm程度で用いるのが好ましく、10〜200nm
であることが更に好ましい。
【0113】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
(4eV未満)金属(電子注入性金属と称することもあ
る)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電
極物質とするものが用いられる。このような電極物質の
具体例としては、カリウム、ナトリウム、ナトリウム−
カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム
/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/
アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合
物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合
物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土
類金属などが挙げられる。
【0114】これらの中で、電子注入性及び酸化などに
対する耐久性の点から、マグネシウム/銀混合物、マグ
ネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジ
ウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2
3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物などのよ
うに、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きな
金属との混合物が好適である。
【0115】ただし、陰極表面に前記のような陰極バッ
ファー層を塗設して使用する場合には、仕事関数の制限
は解除され、例えば特開平11−224783号に記載
されているように陰極バッファー層(該特許明細書中で
は「電子注入層」と称している)にアルカリ金属やアル
カリ土類金属のフッ化物を用いることにより、陰極はI
TOやSnO2、In23、ZnO:Al等の通常陽極
として使用される仕事関数の大きな物質を使用すること
もでき、また文献Aの第145頁第15行目〜第28行
目に記載されているように、陰極バッファー層としてフ
ッ化リチウム(膜厚0.5〜1μm)を用いることによ
り、アルミニウムが陰極材料として使用できること、等
が知られており、このような陰極バッファー層を用いる
場合の陰極材料としては、前記金属酸化物やアルミニウ
ムの他、銀、銅、プラチナ、金等の周期律表で「金属」
として定義されている元素が使用できる。
【0116】該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパ
ッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることに
より、作製することができる。さらに、特開平11−8
074号に記載されているようなメッキ法によって作成
することも可能である。
【0117】陰極としてのシート抵抗は103Ω/□以
下が好ましい。また、陰極の膜厚は10nm〜100μ
mであることが好ましく、50〜2000nmであるこ
とが更に好ましい。
【0118】なお、発光を透過させるため、エレクトロ
ルミネッセンス素子の発光層と色変換層との間に位置す
る電極が、透明又は半透明であることが発光効率が向上
し好ましい。
【0119】ここで、電極が透明又は半透明であるとは
400nm〜700nmにおける可視光透過率が20%
以上であることを意味し、50%以上であることが好ま
しい。本発明において必要に応じて設けられる正孔注入
層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能
を有するものであり、この正孔注入層を陽極と発光層の
間に介在させることにより、より低い電界で多くの正孔
が発光層に注入さる。また、発光層に陰極又は電子注入
層より注入された電子と、発光層と正孔注入層の界面に
存在する電子の障壁により、発光層内の界面に累積され
発光効率が向上するなど発光性能の優れた素子となる。
【0120】この正孔注入層に用いられる材料(以下、
正孔注入材料という)については、前記の機能を有する
ものであれば特に制限はなく、従来、公知のものの中か
ら任意のものを選択して用いることができる。
【0121】上記正孔注入材料は、正孔の注入、電子の
障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物
のいずれであってもよい。
【0122】有機の正孔注入材料には、例えば、特開昭
63−295695号公報、特開平2−191694号
公報、特開平3−792号公報、特開平5−23468
1号公報、特開平5−239455号公報、特開平5−
299174号公報、特開平7−126225号公報、
特開平7−126226号公報、特開平8−10017
2号公報、EP0650955A1号公報等に記載され
ている各種有機化合物を用いることができる。例えば、
フタロシアニン誘導体、テトラアリールベンジシン化合
物、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾー
ル誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、
アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフ
ェン等である。これらの化合物は2種以上を併用しても
よく、併用するときは別層にして積層したり、混合した
りすればよい。
【0123】正孔注入層を積層して使用する場合(正孔
注入と正孔輸送の機能を使い分ける時)は、上記の化合
物のなかから好ましい組合せを選択して用いることがで
きる。このとき、陽極(ITO等)側からイオン化ポテ
ンシャルの小さい化合物の層の順に積層することが好ま
しい。また、陽極表面には薄膜性(製膜性)の良好な化
合物(例えば特開平4−308688号等に記載されて
いるスターバースト型化合物等がその代表例である)を
用いることが好ましい。
【0124】上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリ
ルアミン化合物の代表例としては、N,N,N’,N’
−テトラフェニル−4,4’−ジアミノフェニル、N,
N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニ
ル)−〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジアミン
(TPD)、2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノ
フェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ジ−p−トリ
ルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N,N’,
N’−テトラ−p−トリル−4,4’−ジアミノビフェ
ニル、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニ
ル)−4−フェニルシクロヘキサン、ビス(4−ジメチ
ルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン、ビス
(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタ
ン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(4−メトキ
シフェニル)−4,4’−ジアミノビフェニル、N,
N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノ
ジフェニルエーテル、4,4’−ビス(ジフェニルアミ
ノ)クオードリフェニル、N,N,N−トリ(p−トリ
ル)アミン、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−
〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベ
ン、4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニル
ビニル)ベンゼン、3−メトキシ−4’−N,N−ジフ
ェニルアミノスチルベンゼン、N−フェニルカルバゾー
ル、さらには、米国特許第5061569号明細書に記
載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するも
の、例えば4,4’−ビス〔N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−
308688号公報に記載されているトリフェニルアミ
ンユニットが3つスターバースト型に連結された4,
4’,4′′−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−
N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDAT
A)などが挙げられる。
【0125】また、無機の正孔注入材料としてp型−S
i、p型−SiCなどを使用することができる。
【0126】この正孔注入層は、上記正孔注入材料を、
例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB
法などの公知の方法により、薄膜化することにより形成
することができる。正孔注入層の膜厚については特に制
限はないが、5nm〜5μm程度であることが好まし
い。
【0127】また、必要に応じて用いられる電子注入層
は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を
有していればよく、その材料としては従来公知の化合物
の中から任意のものを選択して用いることができる。
【0128】電子注入層は、発光層に用いる化合物の電
子注入輸送機能がさほど高くないときなどに設けられ、
陰極からの電子の注入を容易にする機能、電子を輸送す
る機能および正孔を妨げる機能を有する。なお、電子注
入輸送層は、注入機能を持つ層と輸送機能を持つ層とに
別個に設けてもよい。
【0129】この電子注入層に用いられる材料(以下、
電子注入材料という)の例としては、ニトロ置換フルオ
レン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオ
キシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラ
カルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデン
メタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘
導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。ま
た、特開昭59−194393号公報に記載されている
一連の電子伝達性化合物は、該公報では発光層を形成す
る材料として開示されているが、電子注入材料としても
使用することができる。さらに、上記オキサジアゾール
誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄
原子に置換したチアジアゾール誘導体、アリールアミノ
基、アルキルアミノ基に置換したトリアゾール誘導体、
電子吸引基として知られているキノキサリン環を有する
キノキサリン誘導体も、電子注入材料として用いること
ができる。
【0130】また、8−キノリノール誘導体の金属錯
体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム
(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノ
ール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−
キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8
−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−
8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノ
ール)亜鉛(Znq)など、及びこれらの金属錯体の中
心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPb
に置き替わった金属錯体も、電子注入材料として用いる
ことができる。その他、前記文献A第 編第 章
38頁〜第48頁に記載の金属錯体系材料、メタルフリ
ーメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル
基やスルホン酸基などで置換されているものも、電子注
入材料として好ましく用いることができる。また、正孔
注入層と同様に、n型−Si、n型−SiCなどの無機
半導体も電子注入材料として用いることができる。
【0131】この電子注入層は、上記化合物を、例えば
真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法など
の公知の薄膜化法により製膜して形成することができ
る。
【0132】電子注入層としての膜厚は、特に制限はな
いが、5nm〜5μm程度であることが好ましい。
【0133】電子注入層は、上記の電子注入材料一種又
は二種以上を含有する一層構造であってもよいし、ある
いは、同一組成又は異種組成の複数層を有する積層構造
であってもよい。
【0134】次に、本発明における無機系蛍光体及び希
土類錯体系蛍光体について説明する。
【0135】本発明において、無機系蛍光体、希土類錯
体系蛍光体としては、前記エレクトロルミネッセンス材
料から発せられる発光を吸収して該エレクトロルミネッ
センス材料の極大発光波長とは異なる極大発光波長に発
光するものであれば特に制限はない。
【0136】ここで、エレクトロルミネッセンス材料か
ら発せられる極大発光波長と異なる発光波長とは、エレ
クトロルミネッセンス材料が発する極大発光波長に対し
て、無機系蛍光体の極大発光波長が10nm以上離れた
ものをいう。
【0137】本発明のエレクトロルミネッセンス素子に
含有される無機系蛍光体又は希土類錯体系蛍光体は、エ
レクトロルミネッセンス材料から発せられる光によって
400〜700nmの領域に極大発光を有するものであ
ることが好ましい。
【0138】また、本発明のエレクトロルミネッセンス
素子に含有される無機系蛍光体又は希土類錯体系蛍光体
は、エレクトロルミネッセンス材料から発せられる極大
発光波長に対して180nm以上長波側に極大発光波長
を有するものを少なくとも1種含有することが好まし
い。
【0139】また、本発明のエレクトロルミネッセンス
素子は、フルカラー化の目的で、エレクトロルミネッセ
ンス材料から発せられる光によって400〜500nm
に極大発光波長を有する無機系蛍光体又は希土類錯体系
蛍光体の少なくとも1種、501〜600nmに極大発
光波長を有する無機系蛍光体又は希土類錯体系蛍光体の
少なくとも1種及び601〜700nmに極大発光波長
を有する無機系蛍光体又は希土類錯体系蛍光体の少なく
とも1種をそれぞれ有する色変換層を有することが好ま
しい。
【0140】色変換層は、用途によって様々な形態を採
ることができる。
【0141】例えば、白色の面状発光体にしたい場合に
は、青色に発光する蛍光体と黄色に発光する蛍光体の混
合物を用いるか、または、青色発光、緑色発光、赤色発
光の3種の蛍光体の混合物を用いるが、その場合は特に
パターニングする必要はなく、均一の厚みで塗設すれば
良い。
【0142】液晶ディスプレイのカラーフィルターのよ
うな、多色化された色変換フィルターを得たい場合は、
必要とする発光色の得られる蛍光体をストライプ状、ド
ット状またはモザイク状にパターニングすればよく、そ
のパターニング方法としては、従来の液晶ディスプレイ
用カラーフィルターの製造方法がそのまま適用でき、具
体的には顔料分散法、印刷法、インクジェット法等で作
成することができる。
【0143】本発明における無機系蛍光体の組成は特に
制限はないが、結晶母体であるY22S、Zn2Si
4、Ca5(PO43Cl等に代表される金属酸化物及
びZnS、SrS、CaS等に代表される硫化物に、C
e、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、Yb等の希土類金属のイオンや
Ag、Al、Mn、In、Cu、Sb等の金属のイオン
を賦活剤または共賦活剤として組み合わせたものが好ま
しい。
【0144】結晶母体を更に詳しく説明すると、結晶母
体としては金属酸化物が好ましく、例えば、(X)3
1627、(X)4Al1425、(X)3Al2Si
210、(X)4Si28、(X)2Si26、(X)2
27、(X)225、(X)5(PO43Cl、(X)
2Si38−2(X)Cl2 〔ここで、Xはアルカリ土類金属を表す。なお、Xで表
されるアルカリ土類金属は単一成分でも2種類以上の混
合成分でもよく、その混合比率は任意でよい。〕のよう
なアルカリ土類金属で置換された酸化アルミニウム、酸
化ケイ素、リン酸、ハロリン酸等が代表的な結晶母体と
して挙げられる。
【0145】その他の好ましい結晶母体としては、亜鉛
の酸化物および硫化物、イットリウムやガドリウム、ラ
ンタン等の希土類金属の酸化物およびその酸化物の酸素
の一部を硫黄原子に換えた(硫化物)もの、および希土
類金属の硫化物およびそれらの酸化物や硫化物に任意の
金属元素を配合したもの等が挙げられる。
【0146】結晶母体の好ましい例を以下に列挙する。
【0147】ZnS、Y22S、Y3Al512、Y2
iO10、Zn2SiO4、Y23、BaMgAl1017
BaAl1219、(Ba、Sr、Mg)O・aAl
23、(Y、Gd)BO3、(Zn、Cd)S、SrG
24、SrS、GaS、SnO2、Ca10(PO46
(F、Cl)2、(Ba、Sr)(Mg、Mn)Al10
17、(Sr、Ca、Ba、Mg)10(PO46
2、(La、Ce)PO4、CeMgAl1119、Gd
MgB510、Sr227、Sr4Al1425、Y2SO
4、Gd22S、Gd23、YVO4、Y(P,V)O4
等である。
【0148】以上の結晶母体及び賦活剤または共賦活剤
は、同族の元素と一部置き換えたものでも構わないし、
とくに元素組成に制限はなく、紫外領域の光または紫色
領域の光を吸収して可視光を発するものであればよい。
【0149】本発明において、無機蛍光体の賦活剤、共
賦活剤として好ましいものは、La、Eu、Tb、C
e、Yb、Pr等に代表されるランタノイド元素のイオ
ン、Ag、Mn、Cu、In、Al 等の金属 のイオ
ンであり、そのドープ量は母体に対して0.001〜1
00モル%が好ましく、0.01〜50モル%がさらに
好ましい。
【0150】賦活剤、共賦活剤は結晶母体を構成するイ
オンの一部を上記ランタノイドのようなイオンに置き換
えることでその結晶の中にドープされる。
【0151】蛍光体結晶の実際の組成は、厳密に記載す
れば以下のような組成式になるが、賦活剤の量の大小は
本質的な蛍光特性に影響を及ぼさないことが多いので、
以下特にことわりのない限り下記xやyの数値は記載し
ないこととする。例えばSr 4-xAl1425:Eu
2+ xは、本発明においてはSr4Al1425:Eu2+と表
記する。
【0152】以下に代表的な無機蛍光体(結晶母体と賦
活剤によって構成される無機蛍光体)の組成式を記載す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。(B
z Mg1-z3-x-yAl1627:Eu2+ x,Mn2+ y、S
4-xAl1425:Eu2+ x、(Sr1-z Baz1-x
2Si28:Eu2+ x、Ba2-xSiO4:Eu2+ x、S
2-xSiO4:Eu2+ x、Mg2-xSiO4:Eu2+ x
(BaSr)1-xSiO4:Eu2+ x、Y2-x-ySiO5
Ce 3+ x,Tb3+ y、Sr2-x25:Eu2+ x、Sr
2-x27:Eu2+ x、(BayCazMg1-y-z5-x(P
43Cl:Eu2+ x、Sr2-xSi38−2SrC
2:Eu2+ x[x,yおよびzはそれぞれ1以下の任意
の数を表す。] 以下に本発明に好ましく使用される無機蛍光体を示す
が、本発明はこれらの化合物に限定されるものではな
い。 [青色発光 無機蛍光化合物] (BL−1) Sr227:Sn4+ (BL−2) Sr4Al1425:Eu2+ (BL−3) BaMgAl1017:Eu2+ (BL−4) SrGa24:Ce3+ (BL−5) CaGa24:Ce3+ (BL−6) (Ba、Sr)(Mg、Mn)Al10
17:Eu2+ (BL−7) (Sr、Ca、Ba、Mg)10(PO
46Cl2:Eu2+ (BL−8) BaAl2SiO8:Eu2+ (BL−9) Sr227:Eu2+ (BL−10) Sr5(PO43Cl:Eu2+ (BL−11) (Sr,Ca,Ba)5(PO43
l:Eu2+ (BL−12) BaMg2Al1627:Eu2+ (BL−13) (Ba,Ca)5(PO43Cl:E
2+ (BL−14) Ba3MgSi28:Eu2+ (BL−15) Sr3MgSi28:Eu2+ [緑色発光 無機蛍光化合物] (GL−1) (BaMg)Al1627:Eu2+,M
2+ (GL−2) Sr4Al1425:Eu2+ (GL−3) (SrBa)Al2Si28:Eu2+ (GL−4) (BaMg)2SiO4:Eu2+ (GL−5) Y2SiO5:Ce3+,Tb3+ (GL−6) Sr227−Sr225:Eu2+ (GL−7) (BaCaMg)5(PO43Cl:
Eu2+ (GL−8) Sr2Si38−2SrCl2:Eu2+ (GL−9) Zr2SiO4、MgAl1119:Ce
3+,Tb3+ (GL−10) Ba2SiO4:Eu2+ (GL−11) Sr2SiO4:Eu2+ (GL−12) (BaSr)SiO4:Eu2+ [赤色発光 無機蛍光化合物] (RL−1) Y22S:Eu3+ (RL−2) YAlO3:Eu3+ (RL−3) Ca22(SiO46:Eu3+ (RL−4) LiY9(SiO462:Eu3+ (RL−5) YVO4:Eu3+ (RL−6) CaS:Eu3+ (RL−7) Gd23:Eu3+ (RL−8) Gd22S:Eu3+ (RL−9) Y(P,V)O4:Eu3+ 本発明に用いられる無機蛍光体は、発光強度の観点か
ら、製造時に機械的破砕工程を経ない、つまりビルドア
ップ法で合成されるものが好ましく、特にSol−Ge
l法等による液相法によって製造されるものが好まし
い。また、組成上は無機酸化物が母体となっているもの
が好ましい。
【0153】Sol−Gel法による製造方法とは、例
えば、作花済夫著「ゾル−ゲル法の応用」(1997年
アグネ承風社発行)に詳しく書かれているが、基本的に
は、溶液から出発し、溶液のゾル化、ゲル化を経て材料
を溶融法よりも低温で合成する方法を意味し、本発明で
いう「Sol−Gel法」とは、蛍光体製造の少なくと
も1工程で液相法での反応を行うことを指し、通常の無
機蛍光体合成に適用される溶融反応で行う合成法と区別
することができる。本発明のSol−Gel法は、一般
的には母体または賦活剤または共賦活剤に用いる元素
(金属)を例えばテトラメトキシシラン(Si(OCH
34)やユーロピウム−2,4−ペンタンジオネート
(Eu3+(CH3COCH=C(O-)CH33)等の金
属アルコキシドや金属錯体、またはそれらの有機溶媒溶
液に金属単体を加えて作るダブルアルコキシド(例えば
Al(OBu)3の2−ブタノール溶液に金属マグネシ
ウムを加えて作るMg〔Al(OBu)32等)、金属
ハロゲン化物、有機酸の金属塩、金属単体として必要量
混合し、液相状態で熱的または化学的に重縮合すること
による製造方法を意味し、必要に応じて焼成や還元処理
等を施してもよい。
【0154】なお、本発明で用いられる金属アルコキシ
ド、金属ハロゲン化物、金属塩または金属の「金属」と
は、一般に周期律表等で定義されている「金属類(Me
tals)」の他に「遷移金属(Transition
Metals)」の全ての元素、「ランタノイド」の
全ての元素、「アクチノイド」の全ての元素、および
「非金属(Non Metals)」として定義される
ホウ素、珪素(シリコン)を含んだものとして定義す
る。
【0155】上記無機蛍光体は、必要に応じて表面改質
処理を施してもよく、その方法としてはシランカップリ
ング剤等の化学的処理によるものや、サブミクロンオー
ダーの微粒子等の添加による物理的処理によるもの、さ
らにはそれらの併用によるもの等が挙げられる。
【0156】本発明で用いられるシランカップリング剤
としては、日本ユニカー株式会社発行(1997年8月
2日)の「NUCシリコーン シランカップリング剤」
カタログに記載されているものがそのまま使え、その具
体例としては、例えば、β−(3,4−エポキシシクロ
ヘキシル)−エチルトリアルコキシシラン、グリシジル
オキシエチルトリエトキシシラン、γ−アクリロイルオ
キシ−n−プロピルトリ−n−プロピルオキシシラン、
γ−メタクリロイルオキシ−n−プロピル−n−プロピ
ルオキシシラン、ジ(γ−アクリロイルオキシ−n−プ
ロピル)ジ−n−プロピルオキシシラン、アクリロイル
オキシジメトキシエチルシラン、N−β(アミノエチ
ル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β
(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−
フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどが挙げら
れる。
【0157】本発明で用いられる微粒子としては、無機
微粒子であることが好ましく、例えば、シリカ、チタニ
ア、ジルコニア、酸化亜鉛等の微粒子が挙げられる。
【0158】また、特にSol−Gel法で製造する場
合、蛍光体の前駆溶液または一次粒子を含む液を透明基
板に印刷法やインクジェット法等でパターニングした後
に焼成や還元処理等の結晶化処理または高輝度化処理を
施しても良い。
【0159】次に、本発明における希土類錯体系蛍光体
としては、希土類金属としてCe、Pr、Nd、Pm、
Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Y
b等を有するものが挙げられ、錯体を形成する有機配位
子としては、芳香族系、非芳香族系のどちらでも良く、
好ましく下記一般式(1)又は一般式(R2)で表され
る化合物が好ましい。
【0160】一般式(1) Xa−(La)−(Lb)n−(Lc)−Ya [式中、La、Lb、Lcはそれぞれ独立に2個以上の
結合手を持つ原子を表わし、nは0または1を表わし、
XaはLaの隣接位に配位可能な原子を有する置換基を
表わし、YaはLcの隣接位に配位可能な原子を有する
置換基を表わす。さらにXaの任意の部分とLaとは互
いに縮合して環を形成してもよく、Yaの任意の部分と
Lcとは互いに縮合して環を形成してもよく、LaとL
cとは互いに縮合して環を形成してもよく、さらに分子
内に芳香族炭化水素環または芳香族複素環が少なくとも
一つ存在する。ただし、Xa−(La)−(Lb)n−
(Lc)−Yaがβ−ジケトン誘導体やβ−ケトエステ
ル誘導体、β−ケトアミド誘導体又は前記ケトンの酸素
原子を硫黄原子又は−N(R1)−に置き換えたもの、
クラウンエーテルやアザクラウンエーテルまたはチアク
ラウンエーテルまたはクラウンエーテルの酸素原子を任
意の数硫黄原子または−N(R1)−に置き換えたクラ
ウンエーテルを表わす場合には芳香族炭化水素環または
芳香族複素環は無くてもよい。] 一般式(1)において、XaおよびYaで表される配位
可能な原子とは、具体的には酸素原子、窒素原子、硫黄
原子、セレン原子、テルル原子であり、特に酸素原子、
窒素原子、硫黄原子であることが好ましい。
【0161】一般式(1)において、La、Lb、Lc
で表される2個以上の結合手を持つ原子としては、特に
制限はないが、代表的には炭素原子、酸素原子、窒素原
子、シリコン原子、チタン原子等が挙げられるが、この
ましいものは炭素原子である。
【0162】以下に一般式(1)で表される希土類錯体
系蛍光体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定され
るものではない。
【0163】
【化54】
【0164】
【化55】
【0165】
【化56】
【0166】
【化57】
【0167】
【化58】
【0168】
【化59】
【0169】
【化60】
【0170】次に、本発明における色変換フィルターに
ついて説明する。
【0171】本発明でいう色変換フィルターとは、光源
の色(発光色)を所望の色に変換するのに用いられる波
長変換素子のことであり、基本的には光源の最大極大波
長よりも10nm以上長波長に波長を変換できる波長変
換素子であり、具体的な用途としては、特開平3−15
2897号、同9−245511号、同11−2974
77号等に記載されたフルカラーディスプレイ用フィル
ター(青色の光源から緑および赤に変換し、それらをス
トライプ状に配置することによって青、緑、赤の発光を
可能とする色変換フィルター)、照明や液晶ディスプレ
ーのバックライト用の白色発光用フィルター(400〜
700nmの可視領域の光を幅広く発光させる色変換フ
ィルター)、ネオンサインや自動車の計器類の部分発光
用フィルター(必要に応じた場所に必要な色を表示する
ための色変換フィルター)などがその代表例として挙げ
られる。
【0172】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の態様はこれに限定されない。
【0173】実施例(1−1) エレクトロルミネッセ
ンス素子(UV−1)の作製 陽極としてガラス上にITOを150nm成膜した基板
(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを
行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板を
イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガス
で乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明
支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定
し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに、N,N’−
ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)
〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジアミン(TP
D)200mgを入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボー
トにp−クウオーターフェニル(PQP)200mgを
入れ、さらに別のモリブデン製抵抗加熱ボートにトリス
(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム(Alq
3)を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。次い
で、真空槽を4×10- 4Paまで減圧した後、TPDの
入った前記加熱ボートに通電して、220℃まで加熱
し、蒸着速度0.1〜0.3nm/secで透明支持基
板に蒸着し、膜厚60nmの正孔注入層を設けた。さら
に、PQPの入った前記加熱ボートを通電して220℃
まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/secで前
記正孔注入層上に蒸着して膜厚40nmの発光層を設け
た。さらに、Alq3の入った前記加熱ボートを通電し
て250℃まで加熱し、蒸着速度0.1nm/secで
前記発光層の上に蒸着して膜厚20nmの電子注入層を
設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。次
に、真空槽をあけ、電子注入層の上にステンレス鋼製の
長方形穴あきマスクを設置し、一方、モリブデン製抵抗
加熱ボートにマグネシウム3gを入れ、タングステン製
の蒸着用バスケットに銀を0.5g入れ、再び真空槽を
2×10-4Paまで減圧した後、マグネシウム入りのボ
ートに通電して蒸着速度1.5〜2.0nm/secで
マグネシウムを蒸着し、この際、同時に銀のバスケット
を加熱し、蒸着速度0.1nm/secで銀を蒸着し、
前記マグネシウムと銀との混合物からなる対向電極とす
ることにより、エレクトロルミネッセンス素子UV−1
を作製した。
【0174】この素子のITO電極を陽極、マグネシウ
ムと銀からなる対向電極を陰極として直流10ボルトを
印加したところ、発光最大波長380nmの発光を得
た。
【0175】実施例(1−2) 比較用エレクトロルミ
ネッセンス素子(B−1)の作製 (1−1)の発光体p−クウオーターフェニル(PQ
P)を4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)
ビフェニル(DPVBi)に置き換えた以外は(1−
1)と全く同じ方法で作製した比較用エレクトロルミネ
ッセンス素子(B−1)を作製した。
【0176】この素子のITO電極を陽極、マグネシウ
ムと銀からなる対向電極を陰極として直流10ボルトを
印加したところ、発光最大波長475nmの青色の発光
を得た。
【0177】
【化61】
【0178】実施例(2−1) 例示化合物(GL−1
0) Ba2SiO4:Eu2+の合成 0.016モルのアンモニアを含有するアンモニア水に
エタノール150mlと水150mlを加えアルカリ液
を作製した。
【0179】さらにテトラエトキシシラン8.33g
(0.04モル)とユーロピウム(III)アセチルア
セトナート錯体2水和物0.097g(0.2ミリモ
ル)を150mlのエタノールに溶解した溶液を室温下
にて前記アルカリ液中に滴下速度約1ml/minで攪
拌しながら添加し、ゾル液を調整した。得られたゾルを
エバポレータで約15倍(約30ml)に濃縮し、これ
に0.3mol/lの硝酸バリウム水溶液を295ml
添加しゲル化させた。
【0180】得られた湿潤ゲルは密閉容器中、60℃で
一晩熟成させた。その後エタノール(約300ml)中
に攪拌分散させ、濾紙(Advantec 5A)を用
いた吸引濾過により分取し、室温で乾燥した。乾燥ゲル
は、5% H2−N2雰囲気中、1000℃で2時間熱
処理を施し、太陽光下で薄緑色に光る無機蛍光体 GL
−10 (Ba2SiO4:Eu2+ 0.005) 2.7gを
得た。
【0181】GL−10 の成分組成はXRDスペクト
ルにより分析した。その結果主成分はBa2SiO4、微
量含まれる副成分はBaSiO3とBa3SiO5である
ことがわかった。
【0182】GL−10の平均粒径は1.05μm、発
光極大波長は500nm(励起光405nm)の緑色に
発光する蛍光体であることがわかった。
【0183】また、同様な方法で、赤色発光微粒子無機
蛍光体(RL−5)(平均粒径約0.85μm、極大発
光波長610nm(励起光375nm))と青色発光無
機蛍光体(BL−3)(平均粒径0.90μm、極大発
光波長432nm(励起光375nm))を得た。
【0184】実施例(2−2) 微粒子無機蛍光体の表
面物性改質 平均粒径5nmのエアロジル0.16gにエタノール1
5gおよびγ―グリシドキシプロピルトリエトキシシラ
ン0.22gを加えて開放系室温下1時間攪拌した。こ
の混合物と無機蛍光体(GL−10)20gとを乳鉢に
移し、よくすり混ぜた後、70℃のオーブンで2時間、
さらに120℃のオーブンで2時間加熱し、表面改質し
た(GL−10)を得た。
【0185】また、同様にして、RL−5とBL−3の
表面改質も行った。
【0186】実施例(2−3) 比較無機蛍光体の表面
物性改良 本発明の無機蛍光体(RL−5)を化成オプトニクス社
製KX−605(Zn 2SiO4:Mn2+、平均粒径7μ
m、極大発光波長570nm(励起光343nm))に
置き換えた以外は上記(2−2)記載の方法と全く同じ
方法でKX−605の表面改質を行った。
【0187】実施例(3―1) 無機蛍光体を用いた色
変換フィルターの作製 上記の表面改質を施した本発明の赤色発光無機蛍光体
(RL−5)10gに、トルエン/エタノール=1/1
の混合溶液(300g)で溶解されたブチラール(BX
−1)30gを加え、攪拌した後、Wet膜厚200μ
mでガラス上に塗布した。得られた塗布済みガラスを1
00℃のオーブンで4時間加熱乾燥して、本発明の色変
換フィルター(F−1)を作成した。
【0188】また、これと同じ方法で緑色発光無機蛍光
体(GL−10)を塗設した色変換フィルター(F−
2)および青色発光無機蛍光体(BL−3)を塗設した
色変換フィルター(F−3)を作成した。
【0189】さらに、同様な方法で比較無機蛍光体KX
−605(表面改質処理を施したもの)を塗設した比較
用色変換カラーフィルター(F−4)を作成した。
【0190】本発明の色変換フィルターF−1、F−2
およびF−3はほぼ無色で透明なフィルターであるのに
対し、比較の色変換フィルターF−4は白色に濁りほと
んど光透過性がなかった。
【0191】可視光透過率はF−1が54%、F−2が
57%、F−3が57%、F−4が4%であった。
【0192】実施例(3−2) 希土類錯体系蛍光体を
用いた色変換フィルターの作成 トルエン/エタノール=1/1の混合溶液(300g)
で溶解されたブチラール(BX−1)30gに本発明の
希土類錯体系蛍光体(RE−17)3gを溶解し、厚さ
80μmのポリエーテルスルフォン(PES)フィルム
上にWet膜厚150μmで塗布し、温風乾燥して、本
発明の赤色発光の色変換フィルター(F−5)を作成し
た。
【0193】また、これと同様に、RE−17の替わり
にRE−23を用いて、本発明の緑色発光の色変換フィ
ルター(F−6)を作成した。
【0194】さらに、RE−17の替わりにRE−1を
用いて、本発明の青色発光の色変換フィルター(F−
7)を作成した。
【0195】実施例(3−3) 蛍光色素を用いた色変
換フィルターの作成(比較) 上記(3−2)のRE−17の替わりに蛍光色素 クマ
リン6 2.0gと蛍光顔料ソルベントイエロー116
0.5gに替えた以外は(3−2)と同様な方法で比
較となる青色光励起緑色発光の色変換フィルター(F−
8)を作成した。
【0196】また、(3−2)のRE−17の替わりに
蛍光顔料ソルベントイエロー116を1.0g、ベーシ
ックバイオレット11を0.5gおよびローダミン6G
を0.5gに替えた以外は(3−2)と同様な方法で比
較となる青色光励起赤色発光の色変換フィルター(F−
9)を作成した。
【0197】(1―1)で作製したエレクトロルミネッ
センス素子(UV−1)と(3―1)で作製した色変換
フィルター(F−1)を重ね乾燥窒素ガス雰囲気下で1
2V直流電圧をかけると、色変換フィルターから発光す
る輝度は、26cd/m2であり、CIE色度座標はx
=0.64、y=0.29で赤色(レッド)の発光がで
ていることを観測した。
【0198】実施例(4−1) (エレクトロルミネッ
センス素子の発光効率、寿命および色調の評価) エレクトロルミネッセンス素子(UV−1)および比較
用エレクトロルミネッセンス素子(B−1)の各々に本
発明の色変換フィルターまたは比較の色変換フィルター
を蛍光体層がエレクトロルミネッセンス素子の発光面と
相対するように重ね、温度23℃、乾燥窒素ガス雰囲気
下で12V直流電圧印加による連続点灯を行い、点灯開
始時の発光効率(lm/W)および輝度の半減する時間
を測定した。発光効率は試料No.7の発光効率を10
0とした時の相対値で表し、輝度の半減する時間は試料
No.8の輝度が半減する時間を100とした相対値で
表した。結果を表1に示す。
【0199】
【表1】
【0200】表1より、赤色に発光する、本発明の色変
換フィルターを有するエレクトロルミネッセンス素子
(試料No.1および2)は比較の試料No.3に比べ
発光効率が高く寿命も長いことがわかった。さらに発光
色も本発明の試料の方が好ましい色調であった。
【0201】また、緑色に発光する、本発明の色変換フ
ィルターを有するエレクトロルミネッセンス素子(試料
No.4および6)は色変換フィルターに従来の無機系
蛍光体を使用した比較の試料No.5に比べて圧倒的に
発光効率が高いことがわかった。さらに青色発光のエレ
クトロルミネッセンス素子と色変換フィルターとの組み
合わせである試料No.7と比べても、発光効率が高
く、寿命も長いことがわかった。さらに発光色も比較試
料より好ましい色調であった。
【0202】さらに青色に発光する本発明の試料No.
8および9においても高い発光効率と高い経時安定性が
確認された。
【0203】実施例(5−1) (LED素子の評価) 日亜化学(株)製紫外発光LED素子(UV LED
Lamp)にLED素子側に蛍光体層が近づくように本
発明の色変換フィルター(F−1)、(F−5)をそれ
ぞれ重ねて電圧をかけ発光したところ輝度、色調ともに
良好な赤色光を発した。同様に本発明の色変換フィルタ
ー(F−2)、(F−6)をそれぞれ重ねて電圧をかけ
発光したところ輝度、色調ともに良好な緑色光を発し
た。同様に本発明の色変換フィルター(F−3)、(F
−7)をそれぞれ重ねて電圧をかけ発光したところ輝
度、色調ともに良好な青色光を発した。
【0204】実施例(6−1) 本発明の化合物N−7
を使用したエレクトロルミネッセンス素子(S−N7)
の作製 実施例(1−1)の発光体p−クウオーターフェニル
(PQP)を本発明の化合物N−7に置き換えた以外は
実施例(1−1)と全く同じ方法で作製した比較用エレ
クトロルミネッセンス素子(S−N7)を作製した。
【0205】この素子のITO電極を陽極、マグネシウ
ムと銀からなる対向電極を陰極として直流10ボルトを
印加したところ、紫色の発光を得た。
【0206】実施例(6−2) 本発明の化合物A−3
を使用したエレクトロルミネッセンス素子(S−A3)
の作製 実施例(1−1)の発光体p−クウオーターフェニル
(PQP)を本発明の化合物A−3に置き換えた以外は
実施例(1−1)と全く同じ方法で作製した比較用エレ
クトロルミネッセンス素子(S−A3)を作製した。
【0207】この素子のITO電極を陽極、マグネシウ
ムと銀からなる対向電極を陰極として直流10ボルトを
印加したところ、薄紫色の発光を得た。
【0208】実施例(6−3) 本発明の化合物B−1
を使用したエレクトロルミネッセンス素子(S−B1)
の作製 実施例(1−1)の発光体p−クウオーターフェニル
(PQP)を本発明の化合物B−1に置き換えた以外は
実施例(1−1)と全く同じ方法で作製した比較用エレ
クトロルミネッセンス素子(S−B1)を作製した。
【0209】この素子のITO電極を陽極、マグネシウ
ムと銀からなる対向電極を陰極として直流10ボルトを
印加したところ、紫色の発光を得た。
【0210】実施例(6−4) 本発明の化合物D−5
を使用したエレクトロルミネッセンス素子(S−D5)
の作製 実施例(1−1)の発光体p−クウオーターフェニル
(PQP)を本発明の化合物D−5に置き換えた以外は
実施例(1−1)と全く同じ方法で作製した比較用エレ
クトロルミネッセンス素子(S−D5)を作製した。
【0211】この素子のITO電極を陽極、マグネシウ
ムと銀からなる対向電極を陰極として直流10ボルトを
印加したところ、紫色の発光を得た。
【0212】実施例(6−5) 本発明の化合物F−1
を使用したエレクトロルミネッセンス素子(S−F1)
の作製 実施例(1−1)の発光体p−クウオーターフェニル
(PQP)を本発明の化合物F−1に置き換えた以外は
実施例(1−1)と全く同じ方法で作製した比較用エレ
クトロルミネッセンス素子(S−F1)を作製した。
【0213】この素子のITO電極を陽極、マグネシウ
ムと銀からなる対向電極を陰極として直流10ボルトを
印加したところ、紫色の発光を得た。
【0214】実施例(7−1) (本発明の近紫外〜紫
発光化合物の評価) 上記実施例(6−1)〜(6−5)で作成した近紫外〜
紫発光のエレクトロルミネッセンス素子およびその比較
として実施例(1−1)で作成した従来の発光材料を用
いて作成したエレクトロルミネッセンス素子(UV−
1)の各々に本発明の色変換フィルター F−2を蛍光
体層がエレクトロルミネッセンス素子の発光面と相対す
るように重ね、温度23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で1
5V直流電圧印加による連続点灯を行い、点灯開始時の
発光輝度(cd/m2)および輝度の半減する時間を測
定した。発光輝度は試料No.701の発光輝度を10
0とした時の相対値で表し、輝度の半減する時間は試料
No.701の輝度が半減する時間を100とした相対
値で表した。結果を表2に示す。
【0215】
【表2】
【0216】表2より明らかなように、本発明の発光化
合物(N−1、A−3、B−1、D−5、 F−1)を
使用したエレクトロルミネッセンス素子(S−N7、S
−A3、S−B1、S−D5、S−F1)は、従来の発
光化合物を用いたエレクトロルミネッセンス素子(UV
−1)に比べ、同じ色変換フィルターを用いた際の発光
輝度が非常に高く、さらに寿命も大幅に改善されること
がわかった。
【0217】(可視領域に発光する本発明の化合物を使
用したエレクトロルミネッセンス素子の作製) 実施例(8−1) 本発明の化合物C−8を使用したエ
レクトロルミネッセンス素子(S−C8)の作製 実施例(1−1)の発光体p−クウオーターフェニル
(PQP)を本発明の化合物C−8に置き換えた以外は
実施例(1−1)と全く同じ方法で作製した比較用エレ
クトロルミネッセンス素子(S−C8)を作製した。
【0218】この素子のITO電極を陽極、マグネシウ
ムと銀からなる対向電極を陰極として直流10ボルトを
印加したところ、青緑色の発光を得た。
【0219】実施例(8−2) 本発明の化合物E−1
を使用したエレクトロルミネッセンス素子(S−E1)
の作製 実施例(1−1)の発光体p−クウオーターフェニル
(PQP)を本発明の化合物E−1に置き換えた以外は
実施例(1−1)と全く同じ方法で作製した比較用エレ
クトロルミネッセンス素子(S−E1)を作製した。
【0220】この素子のITO電極を陽極、マグネシウ
ムと銀からなる対向電極を陰極として直流10ボルトを
印加したところ、緑色の発光を得た。
【0221】実施例(8−3) 本発明の化合物F−7
を使用したエレクトロルミネッセンス素子(S−F7)
の作製 実施例(1−1)の発光体p−クウオーターフェニル
(PQP)を本発明の化合物F−7に置き換えた以外は
実施例(1−1)と全く同じ方法で作製した比較用エレ
クトロルミネッセンス素子(S−F7)を作製した。
【0222】この素子のITO電極を陽極、マグネシウ
ムと銀からなる対向電極を陰極として直流10ボルトを
印加したところ、青色の発光を得た。
【0223】(本発明の化合物と公知の類似化合物との
性能比較) 実施例(9−1)比較のエレクトロルミネッセンス素子
(CF−1)の作製 実施例(1−1)と同様な方法を用い、図101に示す
構成のエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
【0224】第1層の正孔輸送層にNPBを70nmの
厚さで、第2層の発光層にZn(BOX)2を50nm
の厚さで、第3層の電子輸送層にOXD−7を30nm
の厚さで積層した以外は実施例(1−1)のエレクトロ
ルミネッセンス素子(UV−1)と全く同様の手法で比
較のエレクトロルミネッセンス素子CF−1を作製し
た。
【0225】この素子のITO電極を陽極、マグネシウ
ムと銀からなる対向電極を陰極として直流10ボルトを
印加したところ、青色の発光を得た。
【0226】
【化62】
【0227】実施例(9−2)トリアリールアミン系化
合物の性能比較(正孔輸送材料としての評価) 実施例(9−1)で作製したエレクトロルミネッセンス
素子(CF−1)の第1層の正孔輸送材料であるNPB
のみを表3に示す化合物に替えたエレクトロルミネッセ
ンス素子(9201〜9214)を作製した。
【0228】これらの素子のITO電極を陽極、マグネ
シウムと銀からなる対向電極を陰極として温度23℃、
乾燥窒素ガス雰囲気下で15V直流電圧印加による連続
点灯を行い、点灯開始時の発光輝度(cd/m2)およ
び輝度の半減する時間を測定した。発光輝度は試料N
o.9201の発光輝度を100とした時の相対値で表
し、輝度の半減する時間は試料No.9201の輝度が
半減する時間を100とした相対値で表した。結果を表
3に示す。
【0229】
【化63】
【0230】
【0231】
【化64】
【0232】
【表3】 表3から明らかなように、本発明のトリアリールアミン
系化合物をエレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材
料として使用した試料(No.9207〜9214)は
何れも発光輝度が高くまた素子の発光寿命も長いことが
わかる。
【0233】例えば、N,N,N−トリ−p−ターフェ
ニルアミン(QA−1)を使用した試料(No.920
1)に対し、結合軸を3つ有する本発明の化合物A−3
では約2倍の発光輝度と2倍以上の寿命があることがわ
かる。
【0234】また、3つ以上のトリアリールアミン部分
を有するQA−2およびQA−3を用いた試料(No.
9202、9203)に対しては、3つのトリアリール
アミン部分を持ち且つC2対称軸を分子内に3つ有する
本発明の化合物(A−13)を使用した試料(920
9)の方が発光輝度、寿命ともに高いことがわかった。
【0235】同様に、ベンジジン(ナフチジン)誘導体
である比較化合物QA−4、QA−5およびQA−6に
比べ、本発明の化合物A−6、 A−18、 A−19
およびF−1はそれを正孔輸送層に用いたエレクトロル
ミネッセンス素子において高い発光輝度と長い発光寿命
とが両立されることがわかった。
【0236】つまり、分子内に2つ以上のアトロプ結合
軸を持つビアリール基を有する本発明のトリアリールア
ミン系化合物は全般的に、アトロプ結合軸を持つビアリ
ール基を有さないか、もしくは1個だけ有する化合物に
比べ、それを正孔輸送材料に用いたエレクトロルミネッ
センス素子において、正孔輸送機能が高くさらに寿命が
長いことがこの結果から明らかになった。
【0237】実施例(9−3)トリアリールアミン系化
合物の性能比較(正孔輸送材料兼発光材料としての評
価) 実施例(9−1)および(9−2)のエレクトロルミネ
ッセンス素子の作成において、第2層(発光層)を蒸着
しない以外は同様の方法で図102に示す第1層(正孔
輸送層兼発光層)と第3層(電子輸送層)の2層構成と
した有機EL(9300〜9312)を作製した。
【0238】これらの素子のITO電極を陽極、マグネ
シウムと銀からなる対向電極を陰極として温度23℃、
乾燥窒素ガス雰囲気下で15V直流電圧印加による連続
点灯を行い、点灯開始時の発光輝度(cd/m2)およ
び輝度の半減する時間を測定した。発光輝度は試料N
o.9301の発光輝度を100とした時の相対値で表
し、輝度の半減する時間は試料No.9301の輝度が
半減する時間を100とした相対値で表した。結果を表
4に示す。
【0239】
【表4】
【0240】表4からわかるように、比較のトリアリー
ルアミン系化合物(NPB、QA−1〜QA−6)は何
れも正孔輸送材料兼発光材料になることがわかるが、何
れの場合も発光輝度が低くまた寿命も短い。
【0241】それに対し本発明のアトロプ結合軸を持つ
ビアリール基を分子内に2個以上有するトリアリールア
ミン系化合物を用いたエレクトロルミネッセンス素子で
は、高い発光輝度と長い寿命とを両立しうることがわか
った。
【0242】
【化65】
【0243】実施例(9−4)5員複素環化合物の性能
比較(電子輸送材料としての評価) 実施例(9−1)で作製したエレクトロルミネッセンス
素子(CF−1)の第3層の電子輸送材料であるOXD
−7のみを表5に示す化合物に替えたエレクトロルミネ
ッセンス素子(9401〜9411)を作製した。
【0244】これらの素子のITO電極を陽極、マグネ
シウムと銀からなる対向電極を陰極として温度23℃、
乾燥窒素ガス雰囲気下で15V直流電圧印加による連続
点灯を行い、点灯開始時の発光輝度(cd/m2)およ
び輝度の半減する時間を測定した。発光輝度は試料N
o.9401の発光輝度を100とした時の相対値で表
し、輝度の半減する時間は試料No.9401の輝度が
半減する時間を100とした相対値で表した。結果を表
5に示す。
【0245】
【表5】
【0246】表5から明らかなように、本発明の5員複
素環化合物をエレクトロルミネッセンス素子の電子輸送
材料として使用した試料(No.9403〜9411)
は、従来の電子輸送材料を用いて作製した試料(920
0、9401および9402)に比べて何れも発光輝度
の向上が認められた。また素子の発光寿命も非常に大き
く改善された。このような効果(特に素子の寿命におい
て)は、アトロプ結合軸を持つビアリール基を分子内に
1つ有する本発明の5員複素環化合物(B−1、B−
3、B−7、B−9、B−10)においても十分に発揮
されるが、さらに分子内に2つのアトロプ結合軸を持つ
ビアリール基を有する本発明の5員複素環化合物(B−
2、B−8、B−6、F−3)ではその効果がより顕著
になるという傾向も認められた。
【0247】実施例(9−5)5員複素環化合物化合物
の性能比較(電子輸送材料兼発光材料としての評価) 実施例(9−4)のエレクトロルミネッセンス素子の作
成において、第2層(発光層)を蒸着しない以外は同様
の方法で図103に示す第1層(正孔輸送層)と第3層
(電子輸送層兼発光層)の2層構成とした有機EL(95
00〜9511)を作製した。
【0248】これらの素子のITO電極を陽極、マグネ
シウムと銀からなる対向電極を陰極として温度23℃、
乾燥窒素ガス雰囲気下で15V直流電圧印加による連続
点灯を行い、点灯開始時の発光輝度(cd/m2)およ
び輝度の半減する時間を測定した。発光輝度は試料N
o.9501の発光輝度を100とした時の相対値で表
し、輝度の半減する時間は試料No.9501の輝度が
半減する時間を100とした相対値で表した。結果を表
6に示す。
【0249】
【表6】
【0250】表6から明らかなように、本発明の5員複
素環化合物をエレクトロルミネッセンス素子の電子輸送
材料兼発光材料として使用した試料(No.9503〜
9511)は、従来の電子輸送材料を用いて作製した試
料(9500、9501および9502)に比べて何れ
も発光輝度の大幅な向上が認められた。また素子の発光
寿命も非常に大きく改善された。このような効果(特に
素子の寿命において)は、アトロプ結合軸を持つビアリ
ール基を分子内に1つ有する本発明の5員複素環化合物
(B−1、B−3、B−7、B−9、B−10)におい
ても十分に発揮されるが、さらに分子内に2つのアトロ
プ結合軸を持つビアリール基を有する本発明の5員複素
環化合物(B−2、B−8、B−6、F−3)ではその
効果がより顕著になるという傾向も認められた。
【0251】実施例(9−6)6員複素環化合物の性能
比較(電子輸送材料としての評価) 実施例(9−1)で作製したエレクトロルミネッセンス
素子(CF−1)の第3層の電子輸送材料であるOXD
−7のみを表7に示す化合物に替えたエレクトロルミネ
ッセンス素子(9601〜9605)を作製した。
【0252】これらの素子のITO電極を陽極、マグネ
シウムと銀からなる対向電極を陰極として温度23℃、
乾燥窒素ガス雰囲気下で15V直流電圧印加による連続
点灯を行い、点灯開始時の発光輝度(cd/m2)およ
び輝度の半減する時間を測定した。発光輝度は試料N
o.9601の発光輝度を100とした時の相対値で表
し、輝度の半減する時間は試料No.9601の輝度が
半減する時間を100とした相対値で表した。結果を表
7に示す。
【0253】
【表7】
【0254】表7から明らかなように、本発明の6員複
素環化合物をエレクトロルミネッセンス素子の電子輸送
材料として使用した試料(No.9602〜9605)
は、従来の電子輸送材料を用いて作製した試料(960
1)に比べて何れも発光輝度の向上が認められた。また
素子の発光寿命も非常に大きく改善されることがわかっ
た。
【0255】実施例(9−7)6員複素環化合物化合物
の性能比較(電子輸送材料兼発光材料としての評価) 実施例(9−6)で作製したエレクトロルミネッセンス
素子(9601〜9605)の第2層(発光層)を取り
除き、第1層(正孔輸送)と第3層(電子輸送層層兼発
光層)の2層構成とした有機EL(9701〜970
5)を作製した。これらの素子のITO電極を陽極、マ
グネシウムと銀からなる対向電極を陰極として温度23
℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で15V直流電圧印加による
連続点灯を行い、点灯開始時の発光輝度(cd/m2
および輝度の半減する時間を測定した。発光輝度は試料
No.9701の発光輝度を100とした時の相対値で
表し、輝度の半減する時間は試料No.9701の輝度
が半減する時間を100とした相対値で表した。結果を
表8に示す。
【0256】
【表8】
【0257】表8から明らかなように、本発明の6員複
素環化合物をエレクトロルミネッセンス素子の電子輸送
材料兼発光材料として使用した試料(No.9702〜
9705)は、従来の電子輸送材料を用いて作製した試
料(9701)に比べて何れも発光輝度の大幅な向上が
認められた。また素子の発光寿命も非常に大きく改善さ
れることがわかった。
【0258】実施例(9−8)6員複素環化合物化合物
のその他の使用例 本発明の化合物C−9は蛍光性ドーパントとして、従来
のキナクリドンおよびN,N’−ジメチルキナクリドン
(DMQA)に比べ、Alq3等の発光材料との併用で
高い発光輝度と長い寿命が達成されることがわかった。
【0259】また、本発明の化合物C−6においては、
黄緑色に発光する発光材料となることがわかった。
【0260】実施例(9−9)スチルベン系化合物の性
能比較(発光材料としての評価) 実施例(9−1)で作製したエレクトロルミネッセンス
素子(CF−1)の第2層の発光材料であるZn(BO
X)2のみを表9に示す化合物に替えたエレクトロルミ
ネッセンス素子(9901〜9908)を作製した。
【0261】これらの素子のITO電極を陽極、マグネ
シウムと銀からなる対向電極を陰極として温度23℃、
乾燥窒素ガス雰囲気下で15V直流電圧印加による連続
点灯を行い、点灯開始時の発光輝度(cd/m2)およ
び輝度の半減する時間を測定した。発光輝度は試料N
o.9901の発光輝度を100とした時の相対値で表
し、輝度の半減する時間は試料No.9901の輝度が
半減する時間を100とした相対値で表した。結果を表
9に示す。
【0262】
【表9】
【0263】表9から明らかなように、本発明の5員複
素環スチルベン系化合物をエレクトロルミネッセンス素
子の発光材料として使用した試料(No.9902〜9
908)は、従来の発光材料を用いて作製した試料(9
901)に比べて何れも発光輝度の向上が認められた。
また素子の発光寿命も大きく改善された。このような効
果は、アトロプ結合軸を持つビアリール基を分子内に1
つ有する本発明のスチルベン系化合物(D−1、D−
5、D−8、D−11、D−12)においても十分に発
揮されるが、さらに分子内に2つのアトロプ結合軸を持
つビアリール基を有する本発明のスチルベン系化合物
(D−2、D−4)ではその効果がより顕著になるとい
う傾向も認められた。
【0264】実施例(9−10)金属錯体系化合物の性
能比較(電子輸送材料兼発光材料としての評価) 実施例(9−1)で作製したエレクトロルミネッセンス
素子(CF−1)の第2層の発光材料であるZn(BO
X)2を表10に示す化合物に替え、さらに第3層の電
子輸送層を取り除いた正孔輸送層(第1層)と電子輸送
層兼発光層(第2層)の2層構成のエレクトロルミネッ
センス素子(91001〜91008)を作製した。
【0265】これらの素子のITO電極を陽極、マグネ
シウムと銀からなる対向電極を陰極として温度23℃、
乾燥窒素ガス雰囲気下で15V直流電圧印加による連続
点灯を行い、点灯開始時の発光効率(lm/W)および
輝度の半減する時間を測定した。発光効率は試料No.
91001の発光効率を100とした時の相対値で表
し、輝度の半減する時間は試料No.91001の輝度
が半減する時間を100とした相対値で表した。結果を
表10に示す。
【0266】
【表10】
【0267】表10から明らかなように、本発明の金属
錯体系化合物をエレクトロルミネッセンス素子の電子輸
送材料兼発光材料として使用した試料(No.9100
3〜91007)は、従来の材料を用いて作製した試料
(91001および91002)に比べて何れも発光効
率が良好(発光波長が大きく異なり発光輝度では比較で
きないため発光効率での比較を行った)であった。また
素子の発光寿命も大きく改善されることがわかった。
【0268】本発明の化合物の代表的合成方法 本発明の一般式(N1)で表される2−アリールフェニ
ルピリジン誘導体は、Shuichi Oi,Susu
mu Fukita and YoshioInoue
Chem.Comumun.,1998,2439−
2440に記載された方法で合成することができる。
【0269】その他、本発明のビナフチル基を有する種
々の化合物の合成は代表的には、スキーム2〜スキーム
5に示したような合成経路で合成することができる。
【0270】次にその代表例として、スキーム4で示し
た経路による本発明のトリアリールアミン(A−18)
の合成例を示す。
【0271】
【化66】
【0272】〔合成例1〕 4−ブロモ−1,1’−ビナフチル〔化合物XX〕の合
成:1,1’−ビナフチル50g (197mmol)
を2000ml四つ口フラスコ内で塩化メチレン60
0mlに溶解させ、氷浴中において臭素3.4ml(6
5.6mol、3分の1当量)を塩化メチレンで10倍
希釈した溶液を滴下した。滴下終了後溶液をサンプリン
グし、高速液体クロマトグラフィーによって反応率を確
認しながら、さらに臭素溶液を3分の1当量ずつ2回加
えた。その後室温で一昼夜撹拌した後、溶媒を減圧下で
留去した。得られた粗生成物をアセトニトリルから再結
晶を行ない、さらにメタノールによって懸濁洗浄を2回
行なうことによって4−ブロモ−1,1’−ビナフチル
を43.9g (67.0%) 得た。 [合成例2] N,N’−ジフェニル−N,N’−ビナフチルベンジジ
ン[化合物A−18]の合成:500ml三ツ口フラス
コ内に4−ブロモ−1,1’−ビナフチル10g(3
0.0mmol) 、N,N’−ジフェニルベンジジン
5.05g (15.0mmol)、銅粉末を0.48
g (7.50mmol)、炭酸カリウムを4.73g
(34.2mmol)、ニトロベンゼン25mlを入
れ、200℃で30時間撹拌した。反応終了後トルエン
を加え、濾過して無機物を除いた。次いでろ液を水洗し
て硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去して、トルエ
ン−ヘキサン混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにより分離精製することによりN,N’−
ジフェニル−N,N’−ビナフチルベンジジンを5.4
0g (65.0mmol、43.0%)得た。
【0273】
【本発明の効果】本発明の第1の効果としては、本発明
の微粒子無機蛍光体または有機配位子によって配位され
た希土類金属錯体を用いた色変換フィルターを得ること
ができたこと、第2の効果としては、本発明の色変換フ
ィルターと公知の近紫外発光有機エレクトロルミネッセ
ンス素子との組み合わせにより、可視光に発光波長を変
換できることを確認できたこと、第3の効果としては、
本発明の色変換フィルターと本発明の近紫外ないしは紫
色領域に発光する本発明の化合物を用いた有機エレクト
ロルミネッセンス素子との組み合わせにより、良好な可
視発光を確認でき、かつその発光寿命が長いことがわか
ったこと、第4の効果としては内部回転異性性を付与し
うる結合軸が存在するビアリール基を有する本発明の化
合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て高い発光輝度ないしは発光効率と長い発光寿命が両立
されることを確認できたことが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】エレクトロルミネッセンス素子の構造断面図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07D 333/20 C07D 333/20 4C037 405/04 405/04 4C050 409/04 409/04 4C055 C07F 5/06 C07F 5/06 E 4C056 C09K 11/06 615 C09K 11/06 615 4C063 620 620 4C065 635 635 4C072 645 645 4C204 650 650 4H001 655 655 4H006 660 660 4H048 11/08 11/08 J 11/59 CPR 11/59 CPR 11/64 CPM 11/64 CPM 11/82 CQA 11/82 CQA H05B 33/22 H05B 33/22 B D // C07D 213/06 C07D 213/06 215/24 215/24 221/10 221/10 231/12 231/12 C 235/18 235/18 251/24 251/24 263/32 263/32 271/10 271/10 273/01 273/01 277/22 277/22 285/12 307/36 307/36 471/04 112X 471/04 112 471/06 471/06 487/22 487/22 519/00 311 519/00 311 285/12 A (72)発明者 大久保 康 東京都日野市さくら町1番地コニカ株式会 社内 (72)発明者 山田 岳俊 東京都日野市さくら町1番地コニカ株式会 社内 (72)発明者 硯里 善幸 東京都日野市さくら町1番地コニカ株式会 社内 Fターム(参考) 3K007 AB00 AB02 AB03 AB04 BB06 CA01 CA02 CA05 CA06 CB01 CB03 DA00 DA01 DB03 EB00 FA01 4C023 CA04 4C033 AD09 4C034 CE01 4C036 AD08 AD16 4C037 GA05 4C050 AA08 BB07 PA02 4C055 AA01 BA02 BA05 BA08 BA13 BA27 CA01 CA02 CA05 CA06 DA01 4C056 AA01 AB01 AB02 AB03 AC02 AC04 AC07 AD01 AE02 AE03 BA03 BB01 BC01 FA08 FB01 FC02 4C063 AA01 BB01 CC75 CC92 DD12 DD25 EE10 4C065 AA04 AA19 BB09 CC09 DD02 EE02 HH01 KK01 LL01 PP01 4C072 MM02 UU05 4C204 BB05 CB25 DB01 EB01 FB16 GB01 4H001 CA01 CA06 XA08 XA12 XA13 XA14 XA23 XA39 XA56 YA63 4H006 AA01 AA03 AB92 AC24 4H048 AA03 AB92 VA20 VA30 VA80 VB10

Claims (33)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(N1)で表されることを特
    徴とするエレクトロルミネッセンス材料。 【化1】 〔式中、Arはアリール基を表し、Aは炭素原子、窒素
    原子、硫黄原子または酸素原子を表し、XはAおよびN
    とともに5員または6員の含窒素芳香族複素環を形成す
    るのに必要な原子群を表し、Yは3つの炭素原子ととも
    に5員または6員の芳香族炭化水素環または芳香族複素
    環を形成するのに必要な原子群を表し、式中のC−N結
    合、C−A結合、C−C結合は単結合または2重結合を
    表し、Rは水素原子または置換基またはArを表す。さ
    らに 【化2】 で表される含窒素芳香族複素環および 【化3】 で表される芳香族炭化水素環または芳香族複素環はさら
    に炭化水素環または複素環により縮合されていてもよ
    い。〕
  2. 【請求項2】 下記一般式(A1)で表されることを特
    徴とするエレクトロルミネッセンス材料。 【化4】 〔式中、Ar11、Ar12およびAr13はアリール基また
    は芳香族複素環基を表し、かつ一般式(A1)で表され
    る化合物の分子内には少なくとも2つの内部回転異性性
    を付与しうる結合軸を持つビアリール基が存在する。〕
  3. 【請求項3】 下記一般式(A2)で表されることを特
    徴とする請求項2に記載のエレクトロルミネッセンス材
    料。 【化5】 〔式中、Ar21、Ar22およびAr23はそれぞれ独立に
    内部回転異性性を付与しうる結合軸を有するビアリール
    を表す。〕
  4. 【請求項4】 下記一般式(A3)で表されることを特
    徴とする請求項2又は3の何れかに記載のエレクトロル
    ミネッセンス材料。 【化6】 〔式中、Ar31、Ar32およびAr33はそれぞれ独立に
    アリール基または芳香族複素環基を表し、かつAr31
    Ar32およびAr33のうち少なくとも2つは1,1´−
    ビナフチル基を有するアリール基を表す。〕
  5. 【請求項5】 下記一般式(B1)で表されることを特
    徴とするエレクトロルミネッセンス材料。 【化7】 〔式中、Ar41およびAr42はそれぞれ独立にアリール
    基または芳香族複素環基を表し、L11、L12およびL13
    は5員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表
    し、L11、L12およびL13のうち少なくとも1つは=N
    −、−N(R41)−、−S−または−O−を表し、R41
    は水素原子または置換基を表す。ただし、Ar41、Ar
    42およびR41のうち少なくとも1つは、内部回転異性性
    を付与しうる結合軸を持つビアリール基またはその部分
    を有する基である。また、隣接する置換基同士は互いに
    縮合して飽和または不飽和の環を形成しても良い。〕
  6. 【請求項6】 下記一般式(C1)で表されることを特
    徴とするエレクトロルミネッセンス材料。 【化8】 〔式中、Ar51はアリール基または芳香族複素環基を表
    し、nは0から6の整数を表し、nが2以上の時複数の
    Ar51は同じであっても異なっていても良く、また、L
    21、L22、L23、L24、L25およびL26は6員の含窒素
    芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、
    21、L22、L23、L24、L25およびL26のうち少なく
    とも1つは=N−または−N(R51)−を表し、R51
    水素原子または置換基を表す。ただし、Ar51およびR
    51のうち少なくとも1つは、内部回転異性性を付与しう
    る結合軸を持つビアリール基またはその部分を有する基
    である。また、隣接する置換基同士は互いに縮合して飽
    和または不飽和の環を形成しても良い。〕
  7. 【請求項7】 下記一般式(D1)で表されることを特
    徴とするエレクトロルミネッセンス材料。 【化9】 〔式中、Ar61およびAr62はアリール基または芳香族
    複素環基を表し、R61およびR62は水素原子または置換
    基を表す。ただし、Ar61、Ar62、R61およびR62
    うち少なくとも1つは、内部回転異性性を付与しうる結
    合軸を持つビアリール基またはその部分を有する基であ
    る。また、隣接する置換基同士は互いに縮合して飽和ま
    たは不飽和の環を形成しても良い。〕
  8. 【請求項8】 下記一般式(E1)で表されることを特
    徴とするエレクトロルミネッセンス材料。 【化10】 〔式中、Mは1価から4価にイオン状態を取りうる金属
    元素を表し、n’は1から4の自然数を表し、L71 -
    Mとイオン結合を形成し、かつMに配位可能な部分を有
    する1価のアニオンを表し、mはn’と同じかまたはそ
    れよりも小さい自然数を表し、R71 -はMとイオン結合
    を形成する1価のアニオンを表す。ただし、L71 - 、ま
    たはR71 - の少なくとも1つは、内部回転異性性を付与
    しうる結合軸を持つビアリール部分を有する基であ
    る。〕
  9. 【請求項9】 下記一般式(F1)又は(F2)で表さ
    れることを特徴とするエレクトロルミネッセンス材料。 【化11】 〔式中、Z1およびZ2は、それぞれ独立に1価の発光性
    化合物残基を表し、Z3はk価の発光性化合物残基を表
    し、kは1〜8の自然数を表し、xは1〜3の自然数を
    表し、yは0〜3の整数を表し、xが2以上の時は複数
    のZ1は同じであっても異なっていても良く、yが2以
    上の時は複数のZ2は同じであっても異なっていても良
    く、さらにxおよびyが共に1以上の時はZ1とZ2は同
    じであっても異なっていてもよい。R81およびR82はそ
    れぞれ独立に置換基を表し、nは0〜4の整数を表し、
    mは0〜4の整数を表し、nが2以上の時は複数のR81
    は同じであっても異なっていても良く、また互いに縮合
    して環を形成してもよく、mが2以上の時は複数のR82
    は同じであっても異なっていても良く、また互いに縮合
    して環を形成してもよく、さらにnおよびmが共に1以
    上の時はR81とR82は同じであっても異なっていてもよ
    い。また、Z1、Z2、R81およびR82のそれぞれの置換
    基は、ナフタレン環と縮合環を形成してもよい。〕
  10. 【請求項10】 下記一般式(G1)で表される4−ハ
    ロ−1,1’−ビナフチル誘導体を原料に用い、下記一
    般式(G2)で表される1価のビアリール基を分子内の
    何れかに有することを特徴とする有機エレクトロルミネ
    ッセンス用化合物。 【化12】 〔式中、X91はハロゲン原子を表し、R91およびR92
    それぞれ独立に置換基を表し、nは0〜4の整数を表
    し、mは0〜4の整数を表し、nが2以上の時、複数の
    91は同じであっても異なっていても良く、また互いに
    縮合して環を形成してもよく、mが2以上の時は複数の
    92は同じであっても異なっていても良く、また互いに
    縮合して環を形成してもよく、さらにnおよびmが共に
    1以上の時はR91とR92は同じであっても異なっていて
    もよい。〕
  11. 【請求項11】 エレクトロルミネッセンス材料の少な
    くとも1種及び該エレクトロルミネッセンス材料の発光
    を吸収し該エレクトロルミネッセンス材料より発せられ
    る極大発光波長とは異なる極大発光波長に発光する無機
    系蛍光体を少なくとも1種含有することを特徴とするエ
    レクトロルミネッセンス素子。
  12. 【請求項12】 前記無機系蛍光体がSol−Gel法
    により製造された無機系蛍光体であることを特徴とする
    請求項11に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  13. 【請求項13】 前記無機系蛍光体の極大発光波長が4
    00〜700nmであることを特徴とする請求項11又
    は12に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  14. 【請求項14】 前記無機系発光体の少なくとも1種が
    極大発光波長が600〜700nmであることを特徴と
    する請求項11〜13の何れか1項に記載のエレクトロ
    ルミネッセンス素子。
  15. 【請求項15】 エレクトロルミネッセンス材料及び該
    エレクトロルミネッセンス材料の発光を吸収し該エレク
    トロルミネッセンス材料より発せられる極大発光波長と
    は異なる極大発光波長に発光する希土類錯体系蛍光体を
    含有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素
    子。
  16. 【請求項16】 前記希土類錯体系蛍光体の極大発光波
    長が400〜700nmであることを特徴とする請求項
    15に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  17. 【請求項17】 前記希土類錯体系発光体の少なくとも
    1種が極大発光波長が600〜700nmであることを
    特徴とする請求項15又は16の何れか1項に記載のエ
    レクトロルミネッセンス素子。
  18. 【請求項18】 前記エレクトロルミネッセンス材料の
    極大発光波長が430nm以下であることを特徴とする
    請求項11〜17の何れか1項に記載のエレクトロルミ
    ネッセンス素子。
  19. 【請求項19】 前記エレクトロルミネッセンス材料の
    極大発光波長が400〜430nmであることを特徴と
    する請求項18に記載のエレクトロルミネッセンス素
    子。
  20. 【請求項20】 前記エレクトロルミネッセンス材料が
    有機LEDであることを特徴とする請求項11〜19の
    何れか1項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  21. 【請求項21】 前記エレクトロルミネッセンス材料が
    無機LEDであることを特徴とする請求項11〜19の
    何れか1項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  22. 【請求項22】 前記エレクトロルミネッセンス材料
    が、前記一般式(N1)、(A1)、(A2)、(A
    3)、(B1)、(C1)、(D1)、(E1)、(F
    1)、(F2)、(G1)又は(G2)で表される化合
    物から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする
    請求項11〜21に記載のエレクトロルミネッセンス素
    子。
  23. 【請求項23】 基盤上に、エレクトロルミネッセンス
    材料を含有する層及び該エレクトロルミネッセンス材料
    から発せられる光を吸収して400〜500nmに極大
    発光波長を有する無機系蛍光体の少なくとも1種、50
    1〜600nmに極大発光波長を有する無機系蛍光体の
    少なくとも1種及び601〜700nmに極大発光波長
    を有する無機系蛍光体の少なくとも1種を含有する色変
    換層を有することを特徴とするエレクトロルミネッセン
    ス素子。
  24. 【請求項24】 基盤上に、エレクトロルミネッセンス
    材料を含有する層及び該エレクトロルミネッセンス材料
    から発せられる光を吸収して400〜500nmに極大
    発光波長を有する希土類錯体系蛍光体の少なくとも1
    種、501〜600nmに極大発光波長を有する希土類
    錯体系蛍光体の少なくとも1種及び601〜700nm
    に極大発光波長を有する希土類錯体系蛍光体の少なくと
    も1種を含有する色変換層を有することを特徴とするエ
    レクトロルミネッセンス素子。
  25. 【請求項25】 エレクトロルミネッセンス材料から発
    せられる光を吸収して400〜700nmに極大発光波
    長を有する無機系蛍光体の少なくとも1種を含有するこ
    とを特徴とする色変換フィルター。
  26. 【請求項26】 エレクトロルミネッセンス材料から発
    せられる光を吸収して400〜500nmに極大発光波
    長を有する無機系蛍光体の少なくとも1種、501〜6
    00nmに極大発光波長を有する無機系蛍光体の少なく
    とも1種及び601〜700nmに極大発光波長を有す
    る無機系蛍光体の少なくとも1種を含有することを特徴
    とする色変換フィルター。
  27. 【請求項27】 前記無機蛍光体がSol−Gel法に
    より製造された無機系蛍光体であることを特徴とする請
    求項25又は26の何れか1項に記載の色変換フィルタ
    ー。
  28. 【請求項28】 エレクトロルミネッセンス材料から発
    せられる光を吸収して400〜700nmに極大発光波
    長を有する希土類錯体系蛍光体の少なくとも1種を含有
    することを特徴とする色変換フィルター。
  29. 【請求項29】 エレクトロルミネッセンス材料から発
    せられる光を吸収して400〜500nmに極大発光波
    長を有する希土類錯体系蛍光体の少なくとも1種、50
    1〜600nmに極大発光波長を有する希土類錯体系蛍
    光体の少なくとも1種及び601〜700nmに極大発
    光波長を有する希土類錯体系蛍光体の少なくとも1種を
    含有する色変換層を有することを特徴とする色変換フィ
    ルター。
  30. 【請求項30】 Sol−Gel法により製造された無
    機系蛍光体を用いて赤色よりも短波長領域の光を赤色に
    変換することを特徴とする色変換方法。
  31. 【請求項31】 希土類錯体系蛍光体を用いて赤色より
    も短波長領域の光を赤色に変換することを特徴とする色
    変換方法。
  32. 【請求項32】 前記希土類錯体系蛍光体の極大吸収波
    長が340nm以上であることを特徴とする請求項31
    に記載の色変換方法。
  33. 【請求項33】 下記一般式(R2)で表されるアニオ
    ン性配位子を少なくとも1つ有することを特徴とする希
    土類錯体系蛍光体。 【化13】 〔式中、R101は水素原子又は置換基を表し、Y101は酸
    素原子、硫黄原子又は−N(R102)−を表し、R102
    水素原子又は置換基を表し、Z101は炭素と炭素の二重
    結合と共に4〜8員環を形成するのに必要な原子群を表
    す。〕
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Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002151268A (ja) * 2000-09-01 2002-05-24 Konica Corp 有機化合物、無機系蛍光体、色変換フィルターおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003026688A (ja) * 2001-07-10 2003-01-29 Nippon Steel Chem Co Ltd アルミキレート錯体及び有機電界発光素子
JP2003109767A (ja) * 2001-07-25 2003-04-11 Toray Ind Inc 発光素子
EP1447853A1 (en) * 2001-10-01 2004-08-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element and light emitting device using this
JP2004359671A (ja) * 2003-05-14 2004-12-24 Mitsubishi Chemicals Corp アルミニウム混合配位子錯体化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子
WO2005098972A1 (en) * 2004-04-07 2005-10-20 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting device and phosphor for the same
WO2005098973A1 (en) * 2004-04-07 2005-10-20 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting device and phosphor for the same
US7023019B2 (en) 2001-09-03 2006-04-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
KR100567547B1 (ko) * 2002-06-24 2006-04-05 서울반도체 주식회사 핑크 칩 발광 다이오드 및 그 제작 방법
KR100567548B1 (ko) * 2002-04-22 2006-04-05 서울반도체 주식회사 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100567546B1 (ko) * 2002-06-24 2006-04-05 서울반도체 주식회사 핑크색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
WO2006118389A1 (en) * 2005-05-02 2006-11-09 Korea Research Institute Of Chemical Technology Preparation of white light emitting diode using a phosphor
JP2006324536A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Hitachi Displays Ltd 有機発光表示装置
JP2007001880A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Toshiba Corp 蛍光性錯体及びそれを用いた照明装置
JP2007191716A (ja) * 1999-12-27 2007-08-02 Fujifilm Corp オルトメタル化イリジウム錯体からなる発光素子材料、発光素子および新規イリジウム錯体
WO2007102361A1 (ja) * 2006-03-07 2007-09-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007527361A (ja) * 2003-02-28 2007-09-27 チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディング インコーポレーテッド エレクトロルミネセンス素子
JP2007266458A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2008517458A (ja) * 2004-10-18 2008-05-22 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 蛍光体、その蛍光体を利用した発光素子、及びその蛍光体の製造方法{Phosphor,lightemittingdevicebyusingthesameandmanufacturingmethodofthesame}
JP2008205437A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Samsung Electro Mech Co Ltd 白色発光装置
JP2008283221A (ja) * 2008-08-25 2008-11-20 Sharp Corp Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
JP2009512628A (ja) * 2005-09-12 2009-03-26 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機電子素子のための化合物
JP2009524661A (ja) * 2006-01-24 2009-07-02 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有機金属錯体
WO2010038854A1 (ja) 2008-10-03 2010-04-08 東ソー株式会社 1,3,5-トリアジン誘導体、その製造方法、及びこれを構成成分とする有機電界発光素子
JP2010077124A (ja) * 2008-09-01 2010-04-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd トリアゾール誘導体、トリアゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器及び照明機器
JP2010141353A (ja) * 2010-03-04 2010-06-24 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
EP2100941A3 (en) * 2008-03-14 2010-10-06 Gracel Display Inc. Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
WO2011021689A1 (ja) 2009-08-21 2011-02-24 東ソー株式会社 環状アジン誘導体とそれらの製造方法、ならびにそれらを構成成分とする有機電界発光素子
JP2011063584A (ja) * 2009-08-21 2011-03-31 Tosoh Corp トリアジン誘導体、その製造方法、及びそれを構成成分とする有機電界発光素子
US7951947B2 (en) 1999-12-27 2011-05-31 Fujifilm Corporation Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
JP2012508732A (ja) * 2008-11-13 2012-04-12 グレイセル・ディスプレイ・インコーポレーテッド 新規な電界発光用有機金属化合物及びこれを発光材料として用いた電界発光素子
JP2012082136A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Tosoh Corp トリアジン誘導体、その製造方法、及びそれを構成成分とする有機半導体素子
TWI383034B (zh) * 2005-10-25 2013-01-21 Intematix Corp 二相以矽酸鹽為主的黃色磷光體
US8674091B2 (en) 2008-12-01 2014-03-18 Tosoh Corporation 1,3,5-triazine derivative, process for producing same, and organic electroluminescent element comprising same as constituent
JP2014065710A (ja) * 2009-06-11 2014-04-17 Avvi Bahamas Ltd Hcv感染を治療するための抗ウィルス化合物
JP2014160840A (ja) * 2004-11-06 2014-09-04 Merck Patent Gmbh 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
US9252368B2 (en) 2011-11-11 2016-02-02 Tosoh Corporation Cyclic azine compound having nitrogen-containing condensed aromatic group, method for producing same, and organic electroluminescent device comprising same as constituent component
JP2019145799A (ja) * 2008-05-16 2019-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び正孔輸送材料
WO2023112915A1 (ja) * 2021-12-14 2023-06-22 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器

Cited By (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4701191B2 (ja) * 1999-12-27 2011-06-15 富士フイルム株式会社 オルトメタル化イリジウム錯体からなる発光素子材料、発光素子および新規イリジウム錯体
US8034935B2 (en) 1999-12-27 2011-10-11 Fujifilm Corporation Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US7994319B2 (en) 1999-12-27 2011-08-09 Fujifilm Corporation Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US7951946B2 (en) 1999-12-27 2011-05-31 Fujifilm Corporation Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US7951947B2 (en) 1999-12-27 2011-05-31 Fujifilm Corporation Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
JP2007191716A (ja) * 1999-12-27 2007-08-02 Fujifilm Corp オルトメタル化イリジウム錯体からなる発光素子材料、発光素子および新規イリジウム錯体
US7951945B2 (en) 1999-12-27 2011-05-31 Fujifilm Corporation Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US8742108B2 (en) 1999-12-27 2014-06-03 Udc Ireland Limited Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US7951472B2 (en) 1999-12-27 2011-05-31 Fujifilm Corporation Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US8247964B2 (en) 1999-12-27 2012-08-21 Fujifilm Corporation Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
JP2002151268A (ja) * 2000-09-01 2002-05-24 Konica Corp 有機化合物、無機系蛍光体、色変換フィルターおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4675513B2 (ja) * 2001-07-10 2011-04-27 新日鐵化学株式会社 アルミキレート錯体及び有機電界発光素子
JP2003026688A (ja) * 2001-07-10 2003-01-29 Nippon Steel Chem Co Ltd アルミキレート錯体及び有機電界発光素子
JP2003109767A (ja) * 2001-07-25 2003-04-11 Toray Ind Inc 発光素子
US7422504B2 (en) 2001-09-03 2008-09-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
US7629620B2 (en) 2001-09-03 2009-12-08 Panasonic Corporation Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
US7592639B2 (en) 2001-09-03 2009-09-22 Panasonic Corporation Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
EP2017901A1 (en) 2001-09-03 2009-01-21 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting DEV
USRE47453E1 (en) 2001-09-03 2019-06-25 Panasonic Corporation Luminescent layer and light-emitting semiconductor device
US7772769B2 (en) 2001-09-03 2010-08-10 Panasonic Corporation Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
US7023019B2 (en) 2001-09-03 2006-04-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
US7294956B2 (en) 2001-10-01 2007-11-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element and light emitting device using this
EP1447853A4 (en) * 2001-10-01 2008-12-24 Panasonic Corp SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ELECTROLUMINESCENT DEVICE USING SUCH A MEMBER
EP1447853A1 (en) * 2001-10-01 2004-08-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element and light emitting device using this
KR100567548B1 (ko) * 2002-04-22 2006-04-05 서울반도체 주식회사 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100567546B1 (ko) * 2002-06-24 2006-04-05 서울반도체 주식회사 핑크색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100567547B1 (ko) * 2002-06-24 2006-04-05 서울반도체 주식회사 핑크 칩 발광 다이오드 및 그 제작 방법
JP2007527361A (ja) * 2003-02-28 2007-09-27 チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディング インコーポレーテッド エレクトロルミネセンス素子
JP4734849B2 (ja) * 2003-05-14 2011-07-27 三菱化学株式会社 アルミニウム混合配位子錯体化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子
JP2004359671A (ja) * 2003-05-14 2004-12-24 Mitsubishi Chemicals Corp アルミニウム混合配位子錯体化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子
US7531956B2 (en) 2004-04-07 2009-05-12 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and phosphor for the same
WO2005098973A1 (en) * 2004-04-07 2005-10-20 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting device and phosphor for the same
WO2005098972A1 (en) * 2004-04-07 2005-10-20 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting device and phosphor for the same
JP2008517458A (ja) * 2004-10-18 2008-05-22 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 蛍光体、その蛍光体を利用した発光素子、及びその蛍光体の製造方法{Phosphor,lightemittingdevicebyusingthesameandmanufacturingmethodofthesame}
US7646141B2 (en) 2004-10-18 2010-01-12 Lg Innotek Co., Ltd. Phosphor, light emitting device by using the same and manufacturing method of the same
JP2014160840A (ja) * 2004-11-06 2014-09-04 Merck Patent Gmbh 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2006118389A1 (en) * 2005-05-02 2006-11-09 Korea Research Institute Of Chemical Technology Preparation of white light emitting diode using a phosphor
JP2006324536A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Hitachi Displays Ltd 有機発光表示装置
JP4596977B2 (ja) * 2005-05-20 2010-12-15 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光表示装置
JP4559922B2 (ja) * 2005-06-21 2010-10-13 株式会社東芝 蛍光性錯体及びそれを用いた照明装置
US7902741B2 (en) 2005-06-21 2011-03-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Fluorescent complex and lighting system using the same
JP2007001880A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Toshiba Corp 蛍光性錯体及びそれを用いた照明装置
JP2009512628A (ja) * 2005-09-12 2009-03-26 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機電子素子のための化合物
TWI383034B (zh) * 2005-10-25 2013-01-21 Intematix Corp 二相以矽酸鹽為主的黃色磷光體
US8470208B2 (en) 2006-01-24 2013-06-25 E I Du Pont De Nemours And Company Organometallic complexes
JP2009524661A (ja) * 2006-01-24 2009-07-02 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有機金属錯体
WO2007102361A1 (ja) * 2006-03-07 2007-09-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007266458A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
US8098005B2 (en) 2007-02-20 2012-01-17 Samsung Led Co., Ltd. White light emitting device
JP2008205437A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Samsung Electro Mech Co Ltd 白色発光装置
EP2100941A3 (en) * 2008-03-14 2010-10-06 Gracel Display Inc. Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
US11980087B2 (en) 2008-05-16 2024-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Triarylamine derivative, light-emitting substance, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US11678568B2 (en) 2008-05-16 2023-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Triarylamine derivative, light-emitting substance, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP7187589B2 (ja) 2008-05-16 2022-12-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子および化合物
JP2021073707A (ja) * 2008-05-16 2021-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
JP7524281B2 (ja) 2008-05-16 2024-07-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
US10804471B2 (en) 2008-05-16 2020-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Triarylamine derivative, light-emitting substance, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP2019145799A (ja) * 2008-05-16 2019-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び正孔輸送材料
JP2008283221A (ja) * 2008-08-25 2008-11-20 Sharp Corp Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
JP2010077124A (ja) * 2008-09-01 2010-04-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd トリアゾール誘導体、トリアゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器及び照明機器
US8735577B2 (en) 2008-10-03 2014-05-27 Tosoh Corporation 1,3,5-triazine derivative, process for producing same, and organic electroluminescent element comprising same as constituent component
WO2010038854A1 (ja) 2008-10-03 2010-04-08 東ソー株式会社 1,3,5-トリアジン誘導体、その製造方法、及びこれを構成成分とする有機電界発光素子
JP2012508732A (ja) * 2008-11-13 2012-04-12 グレイセル・ディスプレイ・インコーポレーテッド 新規な電界発光用有機金属化合物及びこれを発光材料として用いた電界発光素子
US8674091B2 (en) 2008-12-01 2014-03-18 Tosoh Corporation 1,3,5-triazine derivative, process for producing same, and organic electroluminescent element comprising same as constituent
JP2016128456A (ja) * 2009-06-11 2016-07-14 アッヴィ・バハマズ・リミテッド Hcv感染を治療するための抗ウィルス化合物
JP2014065710A (ja) * 2009-06-11 2014-04-17 Avvi Bahamas Ltd Hcv感染を治療するための抗ウィルス化合物
US9624193B2 (en) 2009-08-21 2017-04-18 Tosoh Corporation Cyclic azine derivatives, processes for producing these, and organic electroluminescent element containing these as component
US9120773B2 (en) 2009-08-21 2015-09-01 Tosoh Corporation Cyclic azine derivatives, processes for producing these, and organic electroluminescent element containing these as component
JP2011063584A (ja) * 2009-08-21 2011-03-31 Tosoh Corp トリアジン誘導体、その製造方法、及びそれを構成成分とする有機電界発光素子
WO2011021689A1 (ja) 2009-08-21 2011-02-24 東ソー株式会社 環状アジン誘導体とそれらの製造方法、ならびにそれらを構成成分とする有機電界発光素子
JP2010141353A (ja) * 2010-03-04 2010-06-24 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP2012082136A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Tosoh Corp トリアジン誘導体、その製造方法、及びそれを構成成分とする有機半導体素子
US9252368B2 (en) 2011-11-11 2016-02-02 Tosoh Corporation Cyclic azine compound having nitrogen-containing condensed aromatic group, method for producing same, and organic electroluminescent device comprising same as constituent component
WO2023112915A1 (ja) * 2021-12-14 2023-06-22 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器

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