JP2001044638A

JP2001044638A - 多層配線基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001044638A
Application number: JP11218057A
Authority: JP
Inventors: Akihiko Nishimoto; 昭彦西本
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-07-30
Filing date: 1999-07-30
Publication date: 2001-02-16

Abstract

(57)【要約】【課題】コア基板表面に表面平坦性に優れ、かつ耐環境
試験に層間剥離のない高信頼性の多層配線基板と、少な
い工程数で多層配線層が形成可能な製造方法を提供す
る。【解決手段】少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁基板１
と該絶縁基板１の表面および／または内部に形成された
複数層の埋設された導体配線層２と、該導体配線層２間
を金属粉末を充填してなるバイアホール導体３とを具備
する多層配線基板において、表面の導体配線層２ａの表
面粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ以上で、導体配線層２表面
が絶縁基板１の表面よりも１〜１０μｍ低く、導体配線
層２が金属箔からなるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、メインフ
レームと呼ばれる大型コンピューターのマザーボードや
半導体素子搭載用基板などに用いられ、有機樹脂を含有
する絶縁基板と金属箔からなる導体配線層を具備した多
層配線基板とその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来技術】近年、電子機器は小型化が進んでいるが、
近年携帯情報端末の発達や、コンピューターを持ち運ん
で操作するいわゆるモバイルコンピューティングの普及
によってさらに小型、薄型且つ高精細の多層配線基板が
求められる傾向にある。

【０００３】また、通信機器に代表されるように、高速
動作が求められる電子機器が広く使用されるようになっ
てきた。高速動作が求められるということは、高い周波
数の信号に対し、正確なスイッチングが可能であるなど
多種な要求を含んでいる。そのような電子機器に対応す
るため、高速動作に適した多層プリント配線板が求めら
れている。

【０００４】高速動作を行うためには、配線の長さを短
くし、電気信号の伝播に要する時間を短縮することが必
要である。配線の長さを短縮するために、配線の幅を細
くし、配線の間隙を小さくするという、小型、薄型且つ
高精細の多層配線基板が求められる傾向にある。そのよ
うな高密度配線の要求に対応するため、従来より、多層
配線基板の製造方法としては、ビルドアップ法が用いら
れている。

【０００５】そこで、ビルドアップ法について説明す
る。まず、ガラスエポキシ複合材料からなる絶縁基板の
表面に導体配線層が形成され、またスルーホール導体が
形成されたコア基板を用意する。このコア基板の表面に
感光性樹脂を塗布して絶縁層を形成する。感光性樹脂か
らなる絶縁層に対して露光現象してバイアホールを形成
する。

【０００６】バイアホールの内壁を含む絶縁層の全表面
に銅などのメッキ層を形成する。メッキ層表面に感光性
レジストを塗布／露光／現象／エッチング／レジスト除
去を経て導体配線層を形成する。その後、必要に応じ上
記の工程を繰り返すことにより、絶縁層および導体配線
層を繰り返して形成して多層化することが行われてい
る。

【０００７】また、近年では、上記感光性樹脂に代え
て、樹脂付き銅箔を使用し、この樹脂付き銅箔を基板上
に積層するビルドアップ法も開発されている。ガラスエ
ポキシ複合材料からなる絶縁基板の表面に導体配線層お
よびスルーホール導体が形成されたコア基板を用意す
る。このコア基板の表面に、熱プレスなどの方法で銅箔
の一面に未硬化状態の熱硬化性樹脂が塗布された樹脂付
き銅箔を貼り付けた後、加熱して樹脂を完全に硬化させ
て絶縁層を形成する。銅箔および絶縁層に炭酸ガスレー
ザー等でバイアホールを形成する。バイアホールの内壁
を含む絶縁層の全表面に銅などのメッキ層を形成する。
メッキ層表面に感光性レジスト塗布／露光／現象／エッ
チング／レジスト除去を経て導体配線層を形成する。そ
の後、必要に応じ上記の工程を繰り返すことにより、絶
縁層および導体配線層を繰り返して形成して多層化する
ことが行われている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、近年、ビルド
アップ法の普及に伴い、その問題も明らかになってき
た。その問題はコア基板とビルドアップ層との層間強度
が弱いという点である。コア基板の熱膨張係数は１６〜
２０ｐｐｍ／℃、ビルドアップ層の熱膨張係数は最低で
も４０〜５０ｐｐｍ／℃と高いため、耐環境試験後に層
間剥離するという問題があった。

【０００９】また、プリント基板は通常表面をソルダー
レジストでコーティングするが、この場合もプリント基
板とソルダーレジストとの熱膨張係数の差によりソルダ
ーレジストが剥離するという問題があった。

【００１０】本発明は、上記のようなプリント基板表面
に樹脂層をコーティングするビルドアップ基板やソルダ
ーレジストをコーティングした基板における課題を解決
することを目的とするものであり、具体的には、コア基
板表面に耐環境試験に層間剥離のない高信頼性の多層配
線基板と、少ない工程数で多層配線層が形成可能な製造
方法を提供することを目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的に
対して鋭意検討を重ねた結果、ビルドアップ基板やソル
ダーレジスト層を被覆した基板のように、配線基板表面
に熱膨張係数４０ｐｐｍ／℃以上の樹脂含有絶縁層をコ
ーティングするような配線基板において、表面に形成さ
れた導体配線層の表面を所定の表面粗さに荒らすととも
に、その導体配線層を絶縁基板表面よりも低く形成する
ことによって上記の目的が達成されることを見出し本発
明に至った。

【００１２】即ち、少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁
基板と該絶縁基板の表面および／または内部に形成され
た複数層の埋設された導体配線層と、該導体配線層間を
金属粉末を充填してなるバイアホール導体とを具備する
多層配線基板において、表面の導体配線層の表面粗さ
（Ｒａ）が０．２μｍ以上で、導体配線層表面が絶縁層
表面より１〜１０μｍ低くすることにより、ビルドアッ
プによる多層配線層やソルダーレジスト層などの樹脂含
有絶縁層との熱膨張係数差による応力に耐え、耐環境試
験後に層間剥離のない多層配線基板が得られることを見
いだした。なお、上記多層配線基板の導体配線層は金属
箔からなることが望ましい。また、かかる多層配線基板
は、その表面にビルドアップ法によって多層配線層が形
成されるか、またはソルダーレジスト層を形成する場合
に好適である。

【００１３】さらに、本発明の多層配線基板の製造方法
としては、（ａ）金属箔を接着剤を介してフィルムに接
着させる工程と、（ｂ）前記フィルム表面の金属箔表面
を表面粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ以上となるようにエッ
チング処理する工程と、（ｃ）（ｂ）によって作製され
た前記フィルム表面に、回路パターン状のレジストを被
着後、エッチング処理して、金属箔からなる導体配線層
を形成する工程と、（ｄ）前記フィルム表面の導体配線
層を少なくとも熱硬化性樹脂を含有する軟質の絶縁シー
ト表面に圧力を加えながら積層し、前記導体配線層を前
記絶縁シート表面に埋設した後、前記フィルムを剥離し
て前記導体配線層を前記絶縁シート表面に転写させる工
程と、（ｅ）（ｃ）（ｄ）の工程によって導体配線層が
表面に埋設された複数の絶縁シートを積層圧着後、一括
して積層硬化する工程と、（ｆ）（ｅ）の工程によって
積層硬化した基板表裏面の導体配線層を表面粗さ（Ｒ
ａ）を０．２μｍ以上にかつ絶縁基板表面よりも１〜１
０μｍ低くなるようエッチング処理をする工程から成る
ことを特徴とするものであり、さらには、絶縁基板表面
にビルドアップ法によって多層配線層を形成する工程、
あるいは絶縁基板表面にソルダーレジスト層を形成する
工程を具備するものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の多層配線基板の一
例の概略断面図を図１に、また表面の導体配線層の要部
拡大断面図を図２に示した。本発明の多層配線基板は、
少なくとも熱硬化性樹脂を含有する複数の絶縁層１ａ〜
１ｅの積層体を絶縁基板１とし、絶縁基板１の表面、裏
面および内部には、金属箔からなる導体配線層２が形成
されている。そして、絶縁基板１の表面や裏面および内
部に設けられた複数の導体配線層２間を接続するための
バイアホール導体３が各絶縁層に形成されている。な
お、バイアホール導体３は、バイアホール内に金属粉末
を充填してなるものである。

【００１５】また、上記の多層配線基板においては、表
面の導体配線層２ａおよび内部の導体配線層２ｂの表面
が粗いほど絶縁層１ａ〜１ｅとの接着性を高めることが
できる。係る観点から、上記導体配線層２ａ、２ｂの絶
縁層と接する側の表面粗さ（Ｒａ）は０．２μｍ以上、
特に０．４μｍ以上であることが望ましい。

【００１６】本発明の多層配線基板においては、表面の
絶縁層１ａおよび裏面の絶縁層１ｅの表面の導体配線層
２ａは、絶縁基板１の表面より１〜１０μｍ低くなるこ
とが良く、特に２〜６μｍが望ましい。この導体配線層
２ａの表面からの低さｘが１μｍより小さいとビルドア
ップ層やソルダーレジスト層を形成した時に層間剥離が
発生しやすくなり、１０μｍをこえると多層配線基板表
面全体の平坦度が悪くなり、フリップチップ実装等に適
用できなくなる。

【００１７】なお、導体配線層２ａの表面からの低さｘ
を測定する場合、導体配線層２ａの表面は所定の表面粗
さを有するが、その場合、導体配線層２ａの表面とは、
導体配線層２の先端を結ぶラインをもって、導体配線層
２ａの表面と定義する。

【００１８】また、導体配線層２ａ、２ｂの断面は、図
２に示すように逆台形形状からなることが絶縁層への密
着性および埋設性の点で有効であり、特に逆台形形状に
おける形成角θが３０〜８０°であることが望ましい。

【００１９】このように本発明の多層配線基板によれ
ば、導体配線層２はいずれも各絶縁層１ａ〜１ｅの表面
に埋設されているために導体配線層２ａ、２ｂ自体の厚
みに起因する積層不良が発生することがなく、絶縁層間
の優れた密着性と、配線基板全体としての非常に優れた
平滑性を実現できる。

【００２０】なお、本発明の多層配線基板の表面には、
図３に示すように表面にビルドアップ法によって形成さ
れた多層配線層６が形成されるか、または図４のよう
に、ソルダーレジスト層７が形成されるような基板に対
して好適に使用される。

【００２１】即ち、このような多層配線層６やソルダー
レジスト層７を形成する場合において、多層配線基板表
面の導体配線層２ａを前述したように絶縁基板表面より
低くすることにより、その低くなった部分および導体配
線層の荒れた部分が多層配線層６やソルダーレジスト層
７の樹脂含有絶縁層に対してアンカーとして作用する結
果、絶縁層６ａと配線層６ｂとからなる多層配線層６や
ソルダーレジスト層７の熱膨張差に起因する応力に対し
ても強固に接着し、多層配線層６やソルダーレジスト層
７の剥離を防止することができる。

【００２２】本発明の上記多層配線基板において、絶縁
基板１は、少なくとも熱硬化性樹脂を含有する絶縁材料
からなるものであり、例えば、ＰＰＥ（ポリフェニレン
エーテル樹脂）、ＢＴレジン（ビスマレイドトリアジ
ン）、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリアミノビスマ
レイミド樹脂、エポキシ樹脂からなり、とりわけ原料と
して室温で液体の熱硬化性樹脂であることが望ましい。

【００２３】また、上記絶縁材料としては、上記の熱硬
化性樹脂とともに、フィラー成分を２０〜８０体積％の
割合で均一に分散させることにより、絶縁基板の強度を
高めることができる。フィラー成分としては、有機質ま
たは無機質の粉末または繊維体が挙げられる。

【００２４】前記無機質フィラーとしては、ＳｉＯ₂、
Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｂ
ａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ＭｇＴｉＯ₃ 、ゼオライ
ト、ＣａＴｉＯ₃、ほう酸アルミニウム等の公知の材料
が使用できる。また、その形状としては、球状、針状な
ど任意のものとすることができる。さらに、繊維体とし
ては、ガラスなどの繊維体があり、織布、不織布など任
意の性状のものを用いれば良い。また、有機質フィラー
としては、アラミド繊維、セルロース繊維などが挙げら
れる。

【００２５】さらに、導体配線層２ａ、２ｂとしては、
回路を形成するに好適な金属より形成され、例えば、
金、銀、銅、アルミニウムの少なくとも１種を含む低抵
抗金属の金属箔が好適に使用される。この金属箔の厚み
は１〜５０μｍが良く、望ましくは５〜１８μｍが良
い。この金属箔の厚み、言い換えれば導体配線層２の厚
みが１μｍより小さいと回路の抵抗率が高くなり、また
３５μｍより大きいと、積層時に絶縁基板の変形が大き
くなったり、絶縁基板への金属の埋め込み量が多くな
り、絶縁基板の歪みが大きくなり樹脂硬化後に基板が変
形を起こしやすいなどの問題がある。

【００２６】さらに、バイアホール中に充填する導体ペ
ーストとしては、導体配線層を形成する金属粉末にエポ
キシ、セルロース等の樹脂成分を添加し、酢酸ブチルな
どの溶媒によって混練したものが使用される。この導体
ペーストは、バイアホールへの充填後溶剤を乾燥させる
がはじめから無溶剤であることが望ましい。また、バイ
アホール導体の低抵抗化のために、前記金属粉末に少な
くとも鉛や錫を含む低融点金属を含有させてもよい。

【００２７】また、ビルドアップ法による多層配線層６
を形成する場合の絶縁層６ａやソルダーレジスト層７
は、いずれもエポキシ樹脂などの熱硬化性や光硬化性の
樹脂からなり、いずれも熱膨張係数が３０×１０^-6／℃
以上の絶縁材料によって構成される。

【００２８】次に、多層配線基板の製造方法を図５をも
とに説明する。この図５は、図１の多層配線基板を作製
するための工程図である。

【００２９】導体配線層を形成するにあたって、まず、
図５（ａ）に示すように、絶縁シート１０に対して、打
ち抜き法やレーザー加工により所望のバイアホール１１
を形成する。そして図５（ｂ）に示すように、そのバイ
アホール１１内に金属粉末を含有する導体ペーストを充
填してバイアホール導体１２を形成する。

【００３０】この絶縁シート１０は、例えば、絶縁材料
として熱硬化性樹脂と無機質フィラーとの複合材料を用
いる場合、以下の方法によって作製される。まず、前述
したような適当な無機質フィラーに、前述した液状の熱
硬化性樹脂を無機質フィラー量が２０〜８０体積％とな
るように溶媒とともに加えた混合物を混練機（ニーダ）
や３本ロール等の手段によって混合して絶縁性スラリー
を作製する。

【００３１】絶縁性スラリーは、好適には、前述したよ
うな有機樹脂と無機フィラーの複合材料に、トルエン、
酢酸ブチル、メチルエチルケトン、メタノール、メチル
セロソルブアセテート、イソプロピルアルコール、メチ
ルイソブチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶媒を
添加して所定の粘度を有する流動体からなる。スラリー
の粘度は、シート成形法にもよるが１００〜３０００ポ
イズが適当である。

【００３２】そして、その混合物を圧延法、押し出し
法、射出法、ドクターブレード法などのシート成形法に
よってシート状に成形した後、所望により熱硬化性樹脂
が完全硬化するに十分な温度よりもやや低い温度に加熱
して熱硬化性樹脂を半硬化させて、絶縁シート１０を作
製できる。

【００３３】次に、図５（ｂ）の半硬化状の絶縁シート
１０のバイアホール導体１２の両端部に金属箔からなる
導体配線層１４を埋設させる。本発明では、この導体配
線層１４の形成を転写法によって行う。

【００３４】例えば、導体配線層１４の形成には、ま
ず、図５（ｃ）に示すように、適当な転写フィルム１３
の表面にメッキ法などによって作製された銅、金、銀、
アルミニウム等から選ばれる１種または２種以上の合金
からなる厚さ１〜５０μｍの金属箔の鏡面側を接着し、
その金属箔の表面に所望の回路パターンの鏡像パターン
となるようにレジスト層を付設した後、エッチング、レ
ジスト除去によって所定の回路パターンの鏡像の導体配
線層１４を形成する。

【００３５】また、この時の導体配線層１４は、前述し
たような図２に示すような逆台形形状の断面からなるこ
とが望ましい。このような逆台形形状は、例えば、塩化
第二鉄、塩化第二銅などを用いて金属箔のエッチング速
度を２〜５０μｍ／分にすることにより容易に形成でき
る。

【００３６】転写フィルム１３としては、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミ
ド、ポリフェニレンサルファイド、塩化ビニル、ポリプ
ロピレン等公知のものが使用できる。フィルムの厚みは
１０〜１００μｍが適当であり、望ましくは２５〜５０
μｍが良い。これは、転写フィルムの厚みが１０μｍよ
り小さいとフィルムの変形や折れ曲がりにより形成した
配線回路が断線を引き起こし易くなり、厚みが１００μ
ｍより大きいとフィルムの柔軟性がなくなるためシート
の剥離が難しくなるためである。また、転写フィルム１
３表面に金属箔を接着するための接着剤としては、アク
リル系、ゴム系、シリコン系、エポキシ系等公知の接着
剤が使用できる。

【００３７】また、内面の導体配線層２ｂを形成するた
めには、あらかじめ表面粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ以上
のものを貼り合わせた方が絶縁層中の樹脂をエッチング
処理で水分に曝すことがないので吸水率を低くできる。
この時、金属箔のカップリング処理を施さない方が配線
を転写後のフィルムが剥離しやすい。

【００３８】次に、上記のようにして作製された表面用
の導体配線層１４を具備する転写フィルム１３ととも
に、同様な方法によって作製された裏面用の導体配線層
１４を具備する転写フィルム１３を作製し、これらを図
５（ｃ）に示すように、バイアホール導体１２が形成さ
れた絶縁シート１０の表面に積層する。そして、図５
（ｄ）に示すように、その積層物を１０〜５００ｋｇ／
ｃｍ²、６０〜１５０℃で加圧加熱した後、転写フィル
ム１３を剥がすことにより、図５（ｅ）に示すような、
絶縁シート１０の両面に、導体配線層１４が埋設された
配線シートａを作製することができる。

【００３９】このように、配線シートａの形成にあたっ
て、絶縁シート１０の両面に導体配線層１４が形成され
た転写フィルム１３を積層し圧着することにより、多層
配線基板における２層の導体配線層の転写工程を同時に
行うことができる。

【００４０】また、上記のようにして作製した配線シー
トａの表面に埋設された導体配線層１４の粗面化処理を
行い、導体配線層１４の表面粗さ（Ｒａ）が０．２μ
ｍ、特に０．４μｍ以上となるようにすることが望まし
い。

【００４１】この粗面化処理は、塩酸、硫酸、硝酸、酢
酸、蟻酸などの酸処理による化学的なエッチング処理に
よって施すことができ、例えば、酸溶液を導体配線層の
表面に噴霧することが望ましい。また、粗面化処理面
（エッチング面）には、尖頭状の突起を多数形成するこ
とが望ましく、このような尖頭状の突起は、例えば、蟻
酸によって１μｍ／分以上の粗化速度で良好に形成でき
る。

【００４２】そして、図５（ｆ）に示すように、上記
（ａ）乃至（ｅ）と同様にして作製された配線シートｂ
〜ｅを配線シートａとともに積層して一体化した後、こ
れらを絶縁シート中の熱硬化性樹脂が完全に硬化する温
度に加熱することにより、図１に示したような多層配線
基板を作製することができる。

【００４３】その後、本発明によれば、得られた多層配
線基板に対して、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、蟻酸などの
酸処理による化学エッチングで表面の導体配線層の粗化
処理を行なう。例えば、酸溶液を導体配線層の表面に噴
霧することが望ましい。また、粗面化処理面（エッチン
グ面）には、導体配線層表面に尖頭状の突起を多数形成
することが望ましく、導体配線層の表面粗さ（Ｒａ）が
０．２μｍ以上、望ましくは０．４μｍ以上となるよう
にすることが望ましい。また、上記粗面化処理に伴い、
多層配線基板表面の導体配線層を絶縁基板表面より１〜
１０μｍ、望ましくは２〜６μｍ低くする。このような
絶縁基板表面の導体配線層への処理は、例えば、蟻酸に
よって１μｍ／分以上の粗化速度で良好に形成できる。
なお、上記導体配線層の高さの調整は、処理時間によっ
て容易に制御できる。

【００４４】なお、このようにビルドアップ法によって
多層配線層を形成するには、この多層配線基板をコア基
板として、その表面にエポキシ樹脂などの感光性樹脂を
塗布して絶縁層を形成する。感光性樹脂からなる絶縁層
に対して露光現象してバイアホールを形成する。

【００４５】バイアホールの内壁を含む絶縁層の全表面
に銅などのメッキ層を形成する。メッキ層表面に感光性
レジストを塗布／露光／現象／エッチング／レジスト除
去を経て導体配線層を形成する。その後、必要に応じ上
記の工程を繰り返すことにより、絶縁層および導体配線
層を繰り返して形成して多層配線層を形成することがで
きる。

【００４６】また、ソルダーレジスト層の形成は、この
多層配線基板の表面にエポキシ樹脂などのソルダーレジ
スト層を全面に塗布し、その後、露光／現像して所定の
箇所にパターンを露出させることによって形成される。

【００４７】なお、本発明の多層配線基板は、ビルドア
ップ法による多層配線層を形成した基板や、ソルダーレ
ジスト層を被覆した基板を構成することはもちろん、こ
れ単体を多層配線基板として用いても何ら問題もなく使
用することができる。

【００４８】

【実施例】ＢＴレジンの熱硬化性樹脂５０体積％と、平
均粒径が５μｍの球状溶融ＳｉＯ₂５０体積％との混合
物に対して、溶媒として酢酸ブチル、トルエン、メチル
エチルケトンを加え、さらに有機樹脂の硬化を促進させ
るための触媒を添加混合した後、スラリーをドクターブ
レード法により厚さ２００μｍの絶縁シートを作製し
た。そしてこの絶縁シートに対して、炭酸ガスレーザー
で直径０．１ｍｍのバイアホールを形成し、そのホール
内に銀をメッキした銅粉末を含む銅ペーストを充填して
バイアホール導体を形成した。

【００４９】一方、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）の樹脂フィルム表面に接着剤を塗布し、電解メッキ
法によって形成され、内層配線用としては表面粗さ（Ｒ
ａ）０．４μｍ、厚み１８μｍの電解銅箔をアクリル系
の接着剤を介してＰＥＴフィルムと接着した。また、表
層配線用としては表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ、厚み
１８μｍの電解銅箔をアクリル系の接着剤を介してＰＥ
Ｔフィルムと接着した。

【００５０】そして、銅箔の表面に感光性のレジストを
塗布し、ガラスマスクを通して露光して回路パターンを
形成した後、これを塩化第二鉄溶液中を噴霧して非パタ
ーン部を３５μｍ／分の速度でエッチング除去した。形
成された導体配線層の断面を観察した結果、形成角θが
６０°の逆台形形状の断面を有していた。

【００５１】なお、回路パターンは、線幅が１ｍｍと、
５０μｍのものを形成するとともに、絶縁シートの５０
％に相当する面積の接地層のパターンも形成した。

【００５２】そして、導体配線層が形成された樹脂フィ
ルムを１０重量％の蟻酸溶液を噴霧して表面粗さ（Ｒ
ａ）０．５μｍに粗化した後、バイアホール導体が形成
された前記絶縁シートの両面に位置合わせして積層し
て、３０ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３０秒加圧した後、樹脂
フィルムと接着層のみを剥離して絶縁シートに導体配線
層を転写させた。なお、絶縁シートに転写された導体配
線層は、絶縁シートの表面に完全に埋設され、絶縁シー
ト表面と導体配線層の表面とは同一平面となっているこ
とを確認した。

【００５３】そして、上記配線の形成された絶縁シート
を全部で５層積層し、これらを３０ｋｇ／ｃｍ²の圧力
で、２００℃、２時間加熱処理して多層配線基板を得
た。

【００５４】そして、得られた多層配線基板の表裏面の
配線層を１０重量％の蟻酸でエッチング処理し、表面粗
さ（Ｒａ）０．１〜１０μｍに粗化した。また、導体配
線層を絶縁層より０〜１５μｍ低くした。これは、エッ
チング速度を遅くすることにより行なった。

【００５５】また、この多層配線基板の表面に以下のよ
うにしてビルドアップ法によって多層配線層を形成した
（以下、ビルドアップ基板という。）。上記多層配線基
板をコア基板として、感光性のエポキシ樹脂をスピンコ
ート法を用いて４０μｍの厚みで塗布した。溶剤を乾燥
除去した後、ガラスマスクを通して３Ｊ／ｃｍ²で露光
し、炭酸ナトリウムで現像し、バイアホールを形成し
た。メッキによる配線層の密着強度を上げるために、樹
脂層を粗化した。次に、全面に無電解メッキをかけ、レ
ジストを塗布して露光、現像して配線部分以外にメッキ
レジストをを形成し、配線部に無電解メッキをかけた。
これを繰り返し上下各２層の配線層を形成し、１０層の
ビルドアップ多層配線層を作製した。

【００５６】また、ソルダーレジスト層を形成した基板
（以下、ソルダーレジスト基板という。）の形成は、次
のようにして行った。上記の多層配線基板に対して、プ
リント法でエポキシ樹脂からなるソルダーレジストを塗
布した。次に、ガラスマスクを通して、６００ｍＪ／ｃ
ｍ²で露光、炭酸ナトリウムで現像して、その後樹脂を
１５０℃、１時間で硬化した。

【００５７】得られた各多層配線基板に対して、−５５
〜１２５℃の温度サイクルを２０００サイクル行い、ビ
ルドアップ基板においてはその多層配線層、ソルダーレ
ジスト基板においてはソルダーレジスト層の剥離の不良
数を観察した。また、多層基板の平坦度も３次元測定機
で測定した。結果を表１に示した。

【００５８】

【表１】

【００５９】その結果、本発明の多層配線基板は、温度
サイクル後の層間剥離もなく、平坦度も小さく、フリッ
プチップ実装などにも適した高信頼性の多層配線基板を
得ることができた。

【００６０】

【発明の効果】叙上のように、本発明によれば、配線基
板表面に樹脂含有絶縁層をコーティングするビルドアッ
プ基板やソルダーレジスト基板において、温度サイクル
などの耐環境試験に対して層間剥離のない高信頼性でか
つ平坦度の小さい多層配線基板と、少ない工程数で多層
配線層が形成可能な多層配線基板の製造方法を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一例を説明するための
概略断面図である。

【図２】本発明の多層配線基板における導体配線層の要
部拡大断面図である。

【図３】本発明の多層配線基板の表面にビルドアップ法
により多層配線層を形成した場合の構造を説明するため
の要部拡大断面図である。

【図４】本発明の多層配線基板の表面にソルダーレジス
ト層を形成した場合の構造を説明するための要部拡大断
面図である。

【図５】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を説明
するための工程図である。

【符号の説明】

１・・・絶縁基板１ａ〜１ｅ・・・絶縁層２ａ・・・表面の導体配線層２ｂ・・・内面の導体配線層３・・・バイアホール導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁基板
と、該絶縁基板の表面および内部に形成された複数層の
導体配線層と、金属粉末を充填してなり前記導体配線層
間を接続するためのバイアホール導体とを具備する多層
配線基板において、前記絶縁基板表面に形成された導体
配線層の表面が前記絶縁基板の表面よりも１〜１０μｍ
低く、且つその導体配線層の表面粗さ（Ｒａ）が０．２
μｍ以上であることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】前記絶縁基板表面の導体配線層が金属箔か
らなることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】前記多層配線基板をコア基板として、その
絶縁基板表面に、ビルドアップ法によって多層配線層が
形成されてなる請求項１又は請求項２記載の多層配線基
板。
【請求項４】前記多層配線基板表面に、ソルダーレジス
ト層が形成されてなる請求項１又は請求項２記載の多層
配線基板。
【請求項５】（ａ）所定のフィルム表面に金属箔を接着
剤を介して接着させる工程と、（ｂ）前記フィルム表面の金属箔表面を表面粗さ（Ｒ
ａ）が０．２μｍ以上となるようにエッチング処理する
工程と、（ｃ）（ｂ）によって作製された前記フィルム表面に、
回路パターン状のレジストを被着後、エッチング処理し
て、金属箔からなる導体配線層を形成する工程と、（ｄ）前記フィルム表面の導体配線層を少なくとも熱硬
化性樹脂を含有する軟質の絶縁シート表面に圧力を加え
ながら積層し、前記導体配線層を前記絶縁シート表面に
埋設した後、前記フィルムを剥離して前記導体配線層を
前記絶縁シート表面に転写させる工程と、（ｅ）（ｃ）（ｄ）の工程によって導体配線層が表面に
埋設された複数の絶縁シートを積層圧着後、一括して積
層硬化する工程と、（ｆ）（ｅ）の工程によって積層硬化された絶縁基板表
面の導体配線層を表面粗さ（Ｒａ）を０．２μｍ以上に
かつ絶縁層表面よりも１〜１０μｍ低くなるようエッチ
ング処理をする工程と、を具備することを特徴とする多
層配線基板の製造方法。
【請求項６】前記（ｆ）工程後に、絶縁基板表面にビル
ドアップ法によって多層配線層を形成する工程を具備す
る請求項５記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】前記（ｆ）工程後に、絶縁基板表面にソル
ダーレジスト層を形成する工程を具備する請求項５記載
の多層配線基板の製造方法。