JP2000284718A - 表示装置 - Google Patents
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- JP2000284718A JP2000284718A JP8924899A JP8924899A JP2000284718A JP 2000284718 A JP2000284718 A JP 2000284718A JP 8924899 A JP8924899 A JP 8924899A JP 8924899 A JP8924899 A JP 8924899A JP 2000284718 A JP2000284718 A JP 2000284718A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 補助容量における保持電圧の変動を抑制して
良好な表示を得る表示装置を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板１０上に複数のゲート信号線
５１及び複数のドレイン信号線５２に囲まれた各領域に
表示画素が配列されており、補助容量電極線６０からド
レイン信号線５２の延在方向に突出させてドレイン信号
線５２と一部を重畳させて配置した補助容量電極突出部
５３と、この補助容量電極突出部５３とゲート絶縁膜１
２を介してｐ−Ｓｉ１３からなる容量電極５４とによっ
て容量を成す補助容量形成部を備えており、半導体膜５
４とドレイン信号線５２とが第１の層間絶縁膜１５を介
して設けられているとともに、半導体膜５４とドレイン
信号線５２とは平面的に非重畳である構造である。
良好な表示を得る表示装置を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板１０上に複数のゲート信号線
５１及び複数のドレイン信号線５２に囲まれた各領域に
表示画素が配列されており、補助容量電極線６０からド
レイン信号線５２の延在方向に突出させてドレイン信号
線５２と一部を重畳させて配置した補助容量電極突出部
５３と、この補助容量電極突出部５３とゲート絶縁膜１
２を介してｐ−Ｓｉ１３からなる容量電極５４とによっ
て容量を成す補助容量形成部を備えており、半導体膜５
４とドレイン信号線５２とが第１の層間絶縁膜１５を介
して設けられているとともに、半導体膜５４とドレイン
信号線５２とは平面的に非重畳である構造である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、補助容量電極線と
半導体膜とで容量を成す表示装置に関する。
半導体膜とで容量を成す表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、表示装置として、表示領域に表示
電極を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジ
スタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称す
る。）を備えた液晶表示装置（Liquid Crystal Displa
y：以下、「ＬＣＤ」と称する。）やエレクトロルミネ
ッセンス（Electro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称
する。）表示装置の研究開発も進められている。
電極を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジ
スタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称す
る。）を備えた液晶表示装置（Liquid Crystal Displa
y：以下、「ＬＣＤ」と称する。）やエレクトロルミネ
ッセンス（Electro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称
する。）表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】図３にＬＣＤの１表示画素の平面図を示
し、図４（ａ）に図３中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示
し、図４（ｂ）に図３中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示
す。
し、図４（ａ）に図３中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示
し、図４（ｂ）に図３中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示
す。
【０００４】図３に示すように、ゲート電極１１を一部
に備えたゲート信号線５１と、ドレイン電極１６を一部
に備えたドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画
素が形成されている。両信号線の交点付近には表示電極
２０を駆動するためのスイッチング素子であるＴＦＴが
備えられている。
に備えたゲート信号線５１と、ドレイン電極１６を一部
に備えたドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画
素が形成されている。両信号線の交点付近には表示電極
２０を駆動するためのスイッチング素子であるＴＦＴが
備えられている。
【０００５】補助容量電極線６０はその一部が突出した
補助容量電極突出部５３を備えており、その補助容量電
極突出部５３はドレイン信号線５２の延在方向（図中上
下方向）にそのドレイン信号線５２と重畳して形成され
ている。
補助容量電極突出部５３を備えており、その補助容量電
極突出部５３はドレイン信号線５２の延在方向（図中上
下方向）にそのドレイン信号線５２と重畳して形成され
ている。
【０００６】図４に従ってＴＦＴ及びＬＣＤの構造につ
いて説明する。
いて説明する。
【０００７】図４（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からな
るゲート信号線５１の一部を成すゲート電極１１を備え
ている。そのゲート電極１１上には、ゲート絶縁膜１
２、及び多結晶シリコン（以下、「ｐ−Ｓｉ」と称す
る。）膜（図３及び図４中において左上から右下に向か
う斜線を付している。）からなる能動層１３を順に形成
し、その能動層１３には、ゲート電極１１上方に真性又
は実質的に真性であるチャネル１３ｃと、このチャネル
１３ｃの両側に、ストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オン注入して形成された低濃度領域いわゆるＬＤＤ（Li
ghtly Doped Drain）領域を備えた構造であって、更に
イオン注入をして高濃度領域としたソース１３ｓ及びド
レイン１３ｄが設けられている。なお、図４（ａ）に示
すように、補助容量電極線６０から突出した補助容量電
極突出部５３と能動層１３のソース１３ｓが延在されて
形成された容量電極５４との間で電荷を蓄積して容量を
成している。この補助容量は、液晶２２に印加される電
圧を保持するために設けられており、表示画素の開口部
の面積を大きくするためにドレイン信号線と重畳する構
造となっている。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からな
るゲート信号線５１の一部を成すゲート電極１１を備え
ている。そのゲート電極１１上には、ゲート絶縁膜１
２、及び多結晶シリコン（以下、「ｐ−Ｓｉ」と称す
る。）膜（図３及び図４中において左上から右下に向か
う斜線を付している。）からなる能動層１３を順に形成
し、その能動層１３には、ゲート電極１１上方に真性又
は実質的に真性であるチャネル１３ｃと、このチャネル
１３ｃの両側に、ストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オン注入して形成された低濃度領域いわゆるＬＤＤ（Li
ghtly Doped Drain）領域を備えた構造であって、更に
イオン注入をして高濃度領域としたソース１３ｓ及びド
レイン１３ｄが設けられている。なお、図４（ａ）に示
すように、補助容量電極線６０から突出した補助容量電
極突出部５３と能動層１３のソース１３ｓが延在されて
形成された容量電極５４との間で電荷を蓄積して容量を
成している。この補助容量は、液晶２２に印加される電
圧を保持するために設けられており、表示画素の開口部
の面積を大きくするためにドレイン信号線と重畳する構
造となっている。
【０００８】そして、図４（ｂ）に示すように、ゲート
絶縁膜１２、能動層１３及びストッパ絶縁膜１４上の全
面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層
された層間絶縁膜１５を設け、ドレイン１３ｄに対応し
て設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してド
レイン電極１６を設ける。このとき図４（ａ）に示すよ
うに、ドレイン電極１６と同時にドレイン信号線５２を
補助容量電極突出部５３の上方に形成する。更に全面に
ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層
間絶縁膜１７を設ける。その上には、透明導電材料から
成る表示電極２０からの透過光以外、例えば表示電極２
０の周辺からの透過光を遮光するように遮蔽膜１８が設
けられている。更にその上には例えば有機樹脂から成り
表面を平坦にする平坦化絶縁膜１９を設ける。
絶縁膜１２、能動層１３及びストッパ絶縁膜１４上の全
面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層
された層間絶縁膜１５を設け、ドレイン１３ｄに対応し
て設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してド
レイン電極１６を設ける。このとき図４（ａ）に示すよ
うに、ドレイン電極１６と同時にドレイン信号線５２を
補助容量電極突出部５３の上方に形成する。更に全面に
ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層
間絶縁膜１７を設ける。その上には、透明導電材料から
成る表示電極２０からの透過光以外、例えば表示電極２
０の周辺からの透過光を遮光するように遮蔽膜１８が設
けられている。更にその上には例えば有機樹脂から成り
表面を平坦にする平坦化絶縁膜１９を設ける。
【０００９】そして、その平坦化絶縁膜１９、層間絶縁
膜１７及び層間絶縁膜１５のソース１３ｓに対応した位
置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール
を介してソース１３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）から成る表示電極２０を平坦化絶縁膜１９
上に設ける。
膜１７及び層間絶縁膜１５のソース１３ｓに対応した位
置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール
を介してソース１３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）から成る表示電極２０を平坦化絶縁膜１９
上に設ける。
【００１０】その表示電極２０及び平坦化絶縁膜１９上
に、液晶２２を配向する配向膜２１を形成する。
に、液晶２２を配向する配向膜２１を形成する。
【００１１】こうして、ＴＦＴを備えたＴＦＴ基板１０
が完成する。
が完成する。
【００１２】このＴＦＴ基板１０に対向して設けられる
対向電極基板３０には、基板３０側から順に透明材料か
ら成る対向電極３１、及び有機樹脂等から成る配向膜３
２が形成されている。
対向電極基板３０には、基板３０側から順に透明材料か
ら成る対向電極３１、及び有機樹脂等から成る配向膜３
２が形成されている。
【００１３】これらの両基板１０，３０を互いに対向さ
せてそれらの周囲をシール接着材にて接着して両基板の
間隙に液晶２２を充填し、両基板の外側に偏光板３３を
貼ってＬＣＤが完成する。
せてそれらの周囲をシール接着材にて接着して両基板の
間隙に液晶２２を充填し、両基板の外側に偏光板３３を
貼ってＬＣＤが完成する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、補助容
量は補助容量電極線６０と容量電極５４との間の容量だ
けでは十分でないため、開口率を低下させないためにド
レイン信号線５２と重畳した領域において、補助容量電
極突出部５３と容量電極５４との間でも補助容量を成し
ている。
量は補助容量電極線６０と容量電極５４との間の容量だ
けでは十分でないため、開口率を低下させないためにド
レイン信号線５２と重畳した領域において、補助容量電
極突出部５３と容量電極５４との間でも補助容量を成し
ている。
【００１５】ところが、補助容量電極突出部５３と容量
電極５４との間の補助容量については、ｐ−Ｓｉ膜から
成っている容量電極５４の上方にドレイン信号線５２が
形成された構造である。そのため、ドレイン信号線５２
と容量電極５４との間で容量カップリングを起こしてし
まい、１水平同期期間ごとに変化するドレイン信号線５
２に印加された電圧に追従して容量電極５４に印加され
る電圧が、本来保持されるべき電圧に対して変化してし
まうことになる。それによって表示電極２０に印加され
る電圧も変化するため、保持電圧、即ち液晶２２に印加
される実効電圧が小さくなってしまい表示が白くなり、
コントラストの低下を引き起こすという欠点があった。
電極５４との間の補助容量については、ｐ−Ｓｉ膜から
成っている容量電極５４の上方にドレイン信号線５２が
形成された構造である。そのため、ドレイン信号線５２
と容量電極５４との間で容量カップリングを起こしてし
まい、１水平同期期間ごとに変化するドレイン信号線５
２に印加された電圧に追従して容量電極５４に印加され
る電圧が、本来保持されるべき電圧に対して変化してし
まうことになる。それによって表示電極２０に印加され
る電圧も変化するため、保持電圧、即ち液晶２２に印加
される実効電圧が小さくなってしまい表示が白くなり、
コントラストの低下を引き起こすという欠点があった。
【００１６】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、補助容量の変動を抑制して良好
な表示を得ることが可能な表示装置を提供することを目
的とする。
て為されたものであり、補助容量の変動を抑制して良好
な表示を得ることが可能な表示装置を提供することを目
的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、絶
縁性基板上に複数のゲート信号線及び複数のドレイン信
号線に囲まれた各領域に表示画素が配列されており、該
各表示画素に対応して容量を成す補助容量電極線を備え
た表示装置であって、前記補助容量電極線の一部を前記
ドレイン信号線の延在方向に突出させて該ドレイン信号
線と少なくとも一部が重畳して配置した補助容量電極突
出部と、該補助容量電極突出部と第１の絶縁膜を介して
形成された半導体膜とによって容量を成す補助容量形成
部を備えており、前記半導体膜と前記ドレイン信号線と
が第２の絶縁膜を介して設けられているとともに、前記
半導体膜と前記ドレイン信号線とは前記補助溶炉湯形成
部において平面的に非重畳であるものである。
縁性基板上に複数のゲート信号線及び複数のドレイン信
号線に囲まれた各領域に表示画素が配列されており、該
各表示画素に対応して容量を成す補助容量電極線を備え
た表示装置であって、前記補助容量電極線の一部を前記
ドレイン信号線の延在方向に突出させて該ドレイン信号
線と少なくとも一部が重畳して配置した補助容量電極突
出部と、該補助容量電極突出部と第１の絶縁膜を介して
形成された半導体膜とによって容量を成す補助容量形成
部を備えており、前記半導体膜と前記ドレイン信号線と
が第２の絶縁膜を介して設けられているとともに、前記
半導体膜と前記ドレイン信号線とは前記補助溶炉湯形成
部において平面的に非重畳であるものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の表示装置をＬＣＤに適用
した場合について説明する。
した場合について説明する。
【００１９】図１にＬＣＤの１表示画素を表す平面図を
示し、図２（ａ）に図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を
示し、図２（ｂ）に図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を
示す。
示し、図２（ａ）に図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を
示し、図２（ｂ）に図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を
示す。
【００２０】図１に示すように、一部にゲート電極１１
を備えた複数のゲート信号線５１と複数のドレイン信号
線５２とに囲まれた各領域には表示画素を成す表示電極
２０がそれぞれ形成されており、その表示電極２０はＴ
ＦＴに接続されている。
を備えた複数のゲート信号線５１と複数のドレイン信号
線５２とに囲まれた各領域には表示画素を成す表示電極
２０がそれぞれ形成されており、その表示電極２０はＴ
ＦＴに接続されている。
【００２１】また、補助容量電極線６０は隣接する表示
画素に延在している。この補助容量電極線６０はゲート
電極１１を形成する際に、同時にＣｒ等の高融点金属か
ら成っている。
画素に延在している。この補助容量電極線６０はゲート
電極１１を形成する際に、同時にＣｒ等の高融点金属か
ら成っている。
【００２２】補助容量電極線６０から垂直に突出した補
助容量電極突出部５３は、ドレイン信号線５２の延在方
向（図中上下方向）に延在しており、ドレイン信号線５
２と重畳して配置されている。
助容量電極突出部５３は、ドレイン信号線５２の延在方
向（図中上下方向）に延在しており、ドレイン信号線５
２と重畳して配置されている。
【００２３】図２（ｂ）に示すように、ＴＦＴの能動層
１３はｐ−Ｓｉ膜（図中左上から右下に向かう斜線を付
している。）から成っており、能動層１３に設けられた
ドレイン１３ｄはドレイン信号線５２に接続されてお
り、ソース１３ｓは表示電極２０に接続されている。
１３はｐ−Ｓｉ膜（図中左上から右下に向かう斜線を付
している。）から成っており、能動層１３に設けられた
ドレイン１３ｄはドレイン信号線５２に接続されてお
り、ソース１３ｓは表示電極２０に接続されている。
【００２４】また、ゲート電極１１とゲート絶縁膜１２
を介して重畳した能動層１３にはチャネル１３ｃを形成
している。本実施の形態においてはダブルゲート構造を
成しているのでチャネル１３ｃは２つある。
を介して重畳した能動層１３にはチャネル１３ｃを形成
している。本実施の形態においてはダブルゲート構造を
成しているのでチャネル１３ｃは２つある。
【００２５】更にソース１３ｓは、補助容量電極突出部
５３の全体と重畳するように延在して配置されて容量電
極５４を成している。そうしてこの容量電極と補助容量
電極突出部５３との間のゲート絶縁膜１２を介して容量
を成している。容量電極５４は能動層１３の形成と同時
にｐ−Ｓｉ膜で形成されている。
５３の全体と重畳するように延在して配置されて容量電
極５４を成している。そうしてこの容量電極と補助容量
電極突出部５３との間のゲート絶縁膜１２を介して容量
を成している。容量電極５４は能動層１３の形成と同時
にｐ−Ｓｉ膜で形成されている。
【００２６】この容量電極５４上に形成された第１の層
間絶縁膜１５を介してＡｌ等の導電材料から成るドレイ
ン信号線５２を形成している。このドレイン信号線５２
上には第２の層間絶縁膜１７を設け、その上に遮蔽膜１
８が形成されている。そして、遮蔽膜１８の上には有機
樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１９を設
け、その上にＩＴＯから成る表示電極２０を形成してい
る。
間絶縁膜１５を介してＡｌ等の導電材料から成るドレイ
ン信号線５２を形成している。このドレイン信号線５２
上には第２の層間絶縁膜１７を設け、その上に遮蔽膜１
８が形成されている。そして、遮蔽膜１８の上には有機
樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１９を設
け、その上にＩＴＯから成る表示電極２０を形成してい
る。
【００２７】図２に従ってＬＣＤの構造を説明する。
【００２８】図２（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート信号線５１及びそ
の一部を成すゲート電極１１を設ける。そのゲート電極
１１上には、第１の絶縁膜であるゲート絶縁膜１２、及
びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層１３を順に形成し、その能
動層１３には、ゲート電極１１上方に真性又は実質的に
真性であるチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両
側に、ストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイオン注入し
て形成された低濃度領域いわゆるＬＤＤ領域を備えてお
り、更にイオン注入をして高濃度領域としたソース１３
ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。なお、図２
（ａ）に示すように、補助容量電極線６０から突出した
補助容量電極突出部５３と能動層１３のソース１３ｓが
延在されて形成された容量電極５４との間で電荷を蓄積
して容量を成している。この容量は液晶２２に印加され
る電圧を保持するために設けられている補助容量であ
る。補助容量電極突出部５３はゲート電極１１及びゲー
ト信号線５１と同時に形成する。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート信号線５１及びそ
の一部を成すゲート電極１１を設ける。そのゲート電極
１１上には、第１の絶縁膜であるゲート絶縁膜１２、及
びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層１３を順に形成し、その能
動層１３には、ゲート電極１１上方に真性又は実質的に
真性であるチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両
側に、ストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイオン注入し
て形成された低濃度領域いわゆるＬＤＤ領域を備えてお
り、更にイオン注入をして高濃度領域としたソース１３
ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。なお、図２
（ａ）に示すように、補助容量電極線６０から突出した
補助容量電極突出部５３と能動層１３のソース１３ｓが
延在されて形成された容量電極５４との間で電荷を蓄積
して容量を成している。この容量は液晶２２に印加され
る電圧を保持するために設けられている補助容量であ
る。補助容量電極突出部５３はゲート電極１１及びゲー
ト信号線５１と同時に形成する。
【００２９】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面には、例えばＳｉＯ
2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された第２の絶
縁膜である層間絶縁膜１５を設ける。層間絶縁膜１５
に、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を設ける。
このとき図２（ａ）に示すように、ドレイン電極１６と
同時に形成されるドレイン信号線５２をゲート電極１１
の突出部５３の上方に配置する。更に全面に例えばＳｉ
Ｏ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層されて成る第
３の絶縁膜である層間絶縁膜１７を設ける。そして、図
２（ｂ）に示すように、その上に光を遮光する不透明材
料である金属、例えばＣｒ、Ｍｏ、チタン（Ｔｉ）など
から成る遮蔽膜１８を形成する。
びストッパ絶縁膜１４上の全面には、例えばＳｉＯ
2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された第２の絶
縁膜である層間絶縁膜１５を設ける。層間絶縁膜１５
に、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を設ける。
このとき図２（ａ）に示すように、ドレイン電極１６と
同時に形成されるドレイン信号線５２をゲート電極１１
の突出部５３の上方に配置する。更に全面に例えばＳｉ
Ｏ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層されて成る第
３の絶縁膜である層間絶縁膜１７を設ける。そして、図
２（ｂ）に示すように、その上に光を遮光する不透明材
料である金属、例えばＣｒ、Ｍｏ、チタン（Ｔｉ）など
から成る遮蔽膜１８を形成する。
【００３０】更にその上には例えば有機樹脂から成り表
面を平坦にする第４の絶縁膜である平坦化絶縁膜１９を
設ける。
面を平坦にする第４の絶縁膜である平坦化絶縁膜１９を
設ける。
【００３１】そして、その平坦化絶縁膜１９、層間絶縁
膜１７及び層間絶縁膜１５のソース１３ｓに対応した位
置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール
を介してソース１３ｓとコンタクトした透明導電材料で
あるＩＴＯから成る表示電極２０を平坦化絶縁膜１９上
に設ける。
膜１７及び層間絶縁膜１５のソース１３ｓに対応した位
置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール
を介してソース１３ｓとコンタクトした透明導電材料で
あるＩＴＯから成る表示電極２０を平坦化絶縁膜１９上
に設ける。
【００３２】その表示電極２０及び平坦化絶縁膜１９上
に、液晶２２を配向する配向膜２１を形成する。
に、液晶２２を配向する配向膜２１を形成する。
【００３３】こうして、ＴＦＴを備えたＴＦＴ基板１０
が完成する。
が完成する。
【００３４】このＴＦＴ基板１０に対向して設けられる
対向電極基板３０には、基板３０側から順に透明導電材
料から成る対向電極３１、及び有機樹脂等から成る配向
膜３２が形成されている。
対向電極基板３０には、基板３０側から順に透明導電材
料から成る対向電極３１、及び有機樹脂等から成る配向
膜３２が形成されている。
【００３５】これらの両基板１０，３０を互いに対向さ
せてそれらの周囲をシール接着材にて接着して両基板の
間隙に液晶２２を充填し、両基板の外側に偏光板３３を
貼ってＬＣＤが完成する。
せてそれらの周囲をシール接着材にて接着して両基板の
間隙に液晶２２を充填し、両基板の外側に偏光板３３を
貼ってＬＣＤが完成する。
【００３６】ここで、補助容量電極突出部５３はゲート
絶縁膜１２を介して容量電極５４との重畳部において容
量を成すため、互いに重畳して形成されている。また、
容量電極５４と、ドレイン信号線５２とは層間絶縁膜１
５及び層間絶縁膜１７を介して積層されているが、互い
に重畳しないように配置されている。
絶縁膜１２を介して容量電極５４との重畳部において容
量を成すため、互いに重畳して形成されている。また、
容量電極５４と、ドレイン信号線５２とは層間絶縁膜１
５及び層間絶縁膜１７を介して積層されているが、互い
に重畳しないように配置されている。
【００３７】このように、容量電極５４とドレイン信号
線５２とが重畳していないので、ドレイン信号線５２と
容量電極５４との間で容量カップリングを起こすことを
抑制することができるため、１水平同期期間ごとに変化
するドレイン信号線５２に印加された電圧に追従して容
量電極５４に印加される電圧が、本来保持されるべき電
圧に対して変化することを防止することができる。
線５２とが重畳していないので、ドレイン信号線５２と
容量電極５４との間で容量カップリングを起こすことを
抑制することができるため、１水平同期期間ごとに変化
するドレイン信号線５２に印加された電圧に追従して容
量電極５４に印加される電圧が、本来保持されるべき電
圧に対して変化することを防止することができる。
【００３８】それによって、表示電極２０に印加される
電圧が変化することがないため、保持電圧、即ち液晶２
２に印加される実効電圧が小さくなることがなくなり、
従来のように表示が白くなってコントラストが低下する
現象を防止できる。
電圧が変化することがないため、保持電圧、即ち液晶２
２に印加される実効電圧が小さくなることがなくなり、
従来のように表示が白くなってコントラストが低下する
現象を防止できる。
【００３９】なお、ドレイン信号線５２は容量電極５４
である半導体膜と重畳していなければ良い。またドレイ
ン信号線５２はそのすべてが補助容量電極突出部５３と
重畳しておく必要はない。しかし、ドレイン信号線５２
が補助容量突出部５３との重畳部が小さくなると、表示
電極１９を形成する面積が小さくなってしまい開口率が
低下することが考えられ、更に重畳部がなくなるとその
隙間を透過する漏れ光が発生するので、開口率を最大限
に大きくできる範囲で補助容量電極突出部５３とドレイ
ン信号線５２との重畳面積を決定すればよい。
である半導体膜と重畳していなければ良い。またドレイ
ン信号線５２はそのすべてが補助容量電極突出部５３と
重畳しておく必要はない。しかし、ドレイン信号線５２
が補助容量突出部５３との重畳部が小さくなると、表示
電極１９を形成する面積が小さくなってしまい開口率が
低下することが考えられ、更に重畳部がなくなるとその
隙間を透過する漏れ光が発生するので、開口率を最大限
に大きくできる範囲で補助容量電極突出部５３とドレイ
ン信号線５２との重畳面積を決定すればよい。
【００４０】なお、上述の各実施の形態においては、能
動層の半導体膜としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シ
リコン膜又は非晶質シリコン膜を用いても良い。
動層の半導体膜としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シ
リコン膜又は非晶質シリコン膜を用いても良い。
【００４１】また、本実施の形態においては、ＬＣＤに
適用した場合を示したが、本発明はそれに限定されるも
のではなく、有機ＥＬ表示装置に適用しても本発明と同
様の効果を得ることができる。
適用した場合を示したが、本発明はそれに限定されるも
のではなく、有機ＥＬ表示装置に適用しても本発明と同
様の効果を得ることができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、１水平同期期間ごとに
変化するドレイン信号線に印加される電圧に関係なく一
定の保持電圧を得ることができるので、明るさがふらつ
いた表示を得ることなく良好な表示を得られる表示装置
を得ることができる。
変化するドレイン信号線に印加される電圧に関係なく一
定の保持電圧を得ることができるので、明るさがふらつ
いた表示を得ることなく良好な表示を得られる表示装置
を得ることができる。
【図１】本発明をＬＣＤに適用した場合の実施の形態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】本発明をＬＣＤに適用した場合の実施の形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】従来のＬＣＤの平面図である。
【図４】従来のＬＣＤの断面図である。
１０ ＴＦＴ基板 １１ ゲート電極 １３ｓ ソース １３ｄ ドレイン １３ｃ チャネル １６ ドレイン電極 １８ 遮蔽膜 ２０ 表示電極 ３０ 対向電極基板 ５１ ゲート信号線 ５２ ドレイン信号線 ５３ 補助容量電極突出部 ５４ 容量電極 ６０ 補助容量電極線
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA29 JA24 JA37 JA41 JA46 JB51 JB69 KA04 NA01 PA01 PA11 5C094 AA03 AA06 AA54 AA55 BA03 BA43 CA19 DA13 EA10 5F110 CC07 DD03 EE04 GG13 HJ13 HL03 HM15 NN02 NN13 NN23 NN24 NN45
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に複数のゲート信号線及び
複数のドレイン信号線に囲まれた各領域に表示画素が配
列されており、該各表示画素に対応して容量を成す補助
容量電極線を備えた表示装置であって、 前記補助容量電極線の一部を前記ドレイン信号線の延在
方向に突出させて該ドレイン信号線と少なくとも一部が
重畳して配置した補助容量電極突出部と、該補助容量電
極突出部と第１の絶縁膜を介して形成された半導体膜と
によって容量を成す補助容量形成部を備えており、 前記半導体膜と前記ドレイン信号線とが第２の絶縁膜を
介して設けられているとともに、前記半導体膜と前記ド
レイン信号線とは前記補助容量形成部において平面的に
非重畳であることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8924899A JP2000284718A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 表示装置 |
| US09/527,925 US6724443B1 (en) | 1999-03-18 | 2000-03-17 | Active matrix type display device |
| KR10-2000-0013558A KR100400627B1 (ko) | 1999-03-18 | 2000-03-17 | 액티브 매트릭스형 표시 장치 |
| TW089104872A TW452669B (en) | 1999-03-18 | 2000-03-17 | Active matrix type display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8924899A JP2000284718A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000284718A true JP2000284718A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=13965468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8924899A Pending JP2000284718A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-30 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000284718A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105259717A (zh) * | 2015-11-25 | 2016-01-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板和显示装置 |
| JP2023041967A (ja) * | 2006-06-02 | 2023-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP8924899A patent/JP2000284718A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023041967A (ja) * | 2006-06-02 | 2023-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP7456030B2 (ja) | 2006-06-02 | 2024-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US11960174B2 (en) | 2006-06-02 | 2024-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic appliance |
| CN105259717A (zh) * | 2015-11-25 | 2016-01-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板和显示装置 |
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Legal Events
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