JP2000269239A - Ic chip transfer system, ic chip mounting system, ic chip transfer method and ic chip mounting method - Google Patents
Ic chip transfer system, ic chip mounting system, ic chip transfer method and ic chip mounting methodInfo
- Publication number
- JP2000269239A JP2000269239A JP11069160A JP6916099A JP2000269239A JP 2000269239 A JP2000269239 A JP 2000269239A JP 11069160 A JP11069160 A JP 11069160A JP 6916099 A JP6916099 A JP 6916099A JP 2000269239 A JP2000269239 A JP 2000269239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- mounting
- active surface
- protrusion
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/1012—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
- H01L2224/10122—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body to be connected
- H01L2224/10135—Alignment aids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/1012—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
- H01L2224/10152—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
- H01L2224/10165—Alignment aids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/1401—Structure
- H01L2224/1403—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75302—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8112—Aligning
- H01L2224/81136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8112—Aligning
- H01L2224/81136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
- H01L2224/81138—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
- H01L2224/81141—Guiding structures both on and outside the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ICチップを搬送
するICチップ搬送システムおよび搬送方法、ならびに
ICチップを基板に実装するICチップ実装システムお
よび実装方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC chip carrying system and a carrying method for carrying an IC chip, and an IC chip carrying system and a carrying method for carrying an IC chip on a substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】ICチップを基板に実装する場合には、
製造されたICチップを基板上の位置まで搬送した後、
基板上に実装されるようになっている。従来、ICチッ
プを基板上の位置まで搬送する場合には、搬送装置がI
Cチップを吸着して保持し、基板上の位置まで移動する
ことにより、ICチップを搬送している。ここで、図1
は、従来の搬送装置がICチップを保持している状態を
示す。同図に示すように、この搬送装置は、筒状に形成
された保持部1を有しており、ICチップ2を上方に吸
引することにより、ICチップ2の能動面3に保持部1
の端部が接触した状態でICチップ2を保持している。2. Description of the Related Art When mounting an IC chip on a substrate,
After transporting the manufactured IC chip to a position on the substrate,
It is designed to be mounted on a substrate. Conventionally, when transferring an IC chip to a position on a substrate, the transfer device is
The IC chip is transported by sucking and holding the C chip and moving it to a position on the substrate. Here, FIG.
Shows a state in which a conventional transport device holds an IC chip. As shown in FIG. 1, this transporting device has a holding portion 1 formed in a cylindrical shape, and sucks the IC chip 2 upward to attach the holding portion 1 to the active surface 3 of the IC chip 2.
The IC chip 2 is held in a state where the end portions are in contact with each other.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したよう
な保持方法でICチップ2を保持した場合、ICチップ
2の能動面3が保持部1と接触しているため、能動面3
に傷がついて損傷したり、静電気により能動面3が破壊
されたりすることがある。However, when the IC chip 2 is held by the above-described holding method, the active surface 3 of the IC chip 2 is in contact with the holding portion 1 and thus the active surface 3
May be damaged, or the active surface 3 may be destroyed by static electricity.
【0004】このようなICチップ2の能動面3の損傷
を低減する装置として、図2に示すような「角錐コレッ
ト」と呼ばれる保持部を備えた搬送装置が用いられてい
る。同図に示すように、この搬送装置では、ICチップ
2の能動面3ではなく辺の部分5に接触するような形状
になされた保持部4を有しており、ICチップ2を上方
に吸引することにより、能動面3には接触せずにICチ
ップ2を保持することができるようになっている。従っ
て、保持部と能動面3との接触に起因する能動面3の損
傷を防止することができる。As a device for reducing the damage to the active surface 3 of the IC chip 2, a transfer device having a holding portion called a "pyramid collet" as shown in FIG. 2 is used. As shown in the figure, this transport device has a holding portion 4 shaped so as to be in contact with the side portion 5 instead of the active surface 3 of the IC chip 2, and the IC chip 2 is sucked upward. Thus, the IC chip 2 can be held without contacting the active surface 3. Therefore, it is possible to prevent the active surface 3 from being damaged due to the contact between the holding portion and the active surface 3.
【0005】しかし、近年では、電子機器の多機能化お
よび小型化に伴って複数のサイズの異なるICチップ2
を1枚の基板に実装することがある。このような場合、
上述した角錐コレットと呼ばれる保持部4を有する搬送
装置では、搬送するICチップ2のサイズ毎に保持部4
を用意する必要がある。また、保持部4をICチップ2
の辺の部分5に正確に接触させることが要求されるた
め、時間を要するとともに、保持部4の位置決め精度に
優れた高価な搬送装置が必要となる。[0005] However, in recent years, as electronic devices have become multifunctional and miniaturized, IC chips 2 of different sizes have been developed.
May be mounted on one substrate. In such a case,
In the transfer device having the holding portion 4 called a pyramid collet described above, the holding portion 4 is provided for each size of the IC chip 2 to be transferred.
It is necessary to prepare. Further, the holding part 4 is the IC chip 2
It is required to make accurate contact with the side portion 5 of the side, so that it takes time, and an expensive conveying device having excellent positioning accuracy of the holding section 4 is required.
【0006】本発明は、上記の事情を考慮してなされた
ものであり、簡易な構成でありながら、ICチップの損
傷を低減することが可能なICチップ搬送システムおよ
びICチップ搬送方法、ならびにICチップの実装を可
能とするICチップ実装システムおよびICチップ実装
方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has an IC chip transport system, an IC chip transport method, and an IC that can reduce damage to an IC chip while having a simple configuration. An object of the present invention is to provide an IC chip mounting system and an IC chip mounting method capable of mounting a chip.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るICチップ搬送システムは、能動面を
有するICチップを搬送するICチップ搬送システムで
あって、前記ICチップの前記能動面に突起部を形成す
る突起部形成手段と、所定の区間内を移動可能に設けら
れ、前記突起部形成手段により前記ICチップに形成さ
れた前記突起部に接触して前記ICチップを吸引するこ
とにより前記ICチップを保持する搬送手段とを具備し
ており、前記搬送手段が前記ICチップを保持した状態
で移動することにより、前記ICチップを搬送すること
を特徴としている。In order to solve the above problems, an IC chip transport system according to the present invention is an IC chip transport system for transporting an IC chip having an active surface, wherein the active surface of the IC chip is provided. A projecting portion forming means for forming a projecting portion, and movably provided in a predetermined section, and contacting the projecting portion formed on the IC chip by the projecting portion forming means to suck the IC chip. And a transporting means for holding the IC chip, wherein the transporting means moves while holding the IC chip, thereby transporting the IC chip.
【0008】また、上記構成において、前記突起部形成
手段が、前記ICチップの前記能動面に一直線状にない
3箇所に突起部を形成するようにしてもよい。In the above structure, the protrusion forming means may form protrusions at three positions which are not linear with the active surface of the IC chip.
【0009】また、本発明に係るICチップ実装システ
ムは、能動面を有するICチップを基板に実装するIC
チップ実装システムであって、前記ICチップの前記能
動面に突起部を形成する突起部形成手段と、前記ICチ
ップを受け取る受取位置と、前記基板に前記ICチップ
を実装する実装位置との間を移動可能に設けられ、前記
突起部形成手段により前記突起部が形成された前記IC
チップを前記受取位置で受け取って保持した後、前記実
装位置まで移動し、前記実装位置において当該ICチッ
プを前記基板に実装する実装手段とを具備しており、前
記実装手段は、前記突起部形成手段により前記ICチッ
プに形成された前記突起部に接触して前記ICチップを
吸引することにより前記ICチップを保持することを特
徴としている。Further, an IC chip mounting system according to the present invention provides an IC for mounting an IC chip having an active surface on a substrate.
A chip mounting system, comprising: a protrusion forming means for forming a protrusion on the active surface of the IC chip; a receiving position for receiving the IC chip; and a mounting position for mounting the IC chip on the substrate. The IC which is provided so as to be movable and on which the protrusion is formed by the protrusion forming means.
And mounting means for moving the chip to the mounting position after receiving and holding the chip at the receiving position, and mounting the IC chip on the substrate at the mounting position. The IC chip is held by sucking the IC chip by contacting the protrusion formed on the IC chip by means.
【0010】また、本発明に係るICチップ実装システ
ムは、能動面を有するICチップを基板にフリップチッ
プ実装するICチップ実装システムであって、前記IC
チップの前記能動面に突起部を形成する突起部形成手段
と、前記ICチップの前記能動面に電極として使用され
る電極バンプを形成する電極バンプ形成手段と、前記I
Cチップを受け取る受取位置と、前記基板に前記ICチ
ップを実装する実装位置との間を移動可能に設けられ、
前記突起部形成手段により前記突起部が形成された前記
ICチップを前記受取位置で受け取って保持した後、前
記実装位置まで移動し、前記能動面が前記基板と対向す
るように前記基板に前記ICチップを実装する実装手段
とを具備しており、前記実装手段は、前記突起部形成手
段により前記ICチップに形成された前記突起部に接触
して前記ICチップを吸引することにより前記ICチッ
プを保持することを特徴としている。[0010] An IC chip mounting system according to the present invention is an IC chip mounting system for flip-chip mounting an IC chip having an active surface on a substrate.
A protrusion forming means for forming a protrusion on the active surface of the chip; an electrode bump forming means for forming an electrode bump used as an electrode on the active surface of the IC chip;
C is provided movably between a receiving position for receiving the C chip and a mounting position for mounting the IC chip on the substrate;
After receiving and holding the IC chip on which the protrusion is formed by the protrusion forming means at the receiving position, the IC chip is moved to the mounting position, and the IC is mounted on the substrate such that the active surface faces the substrate. Mounting means for mounting the chip, wherein the mounting means contacts the protrusion formed on the IC chip by the protrusion forming means and sucks the IC chip to attach the IC chip. It is characterized by holding.
【0011】また、上記構成のICチップ実装システム
において、前記突起部形成手段が、前記電極バンプ形成
手段によって形成された前記電極バンプの前記能動面か
らの高さよりも大きい高さに前記突起部を形成するよう
にしてもよい。Further, in the IC chip mounting system having the above-mentioned structure, the projecting portion forming means sets the projecting portion to a height larger than a height from the active surface of the electrode bump formed by the electrode bump forming means. It may be formed.
【0012】また、上記構成のICチップ実装システム
において、前記基板に凹部を形成する凹部形成手段をさ
らに具備するようにし、前記実装手段が、前記凹部形成
手段によって前記基板に形成された前記凹部に前記突起
部が配置されるように前記ICチップを前記基板に実装
するようにしてもよい。Further, in the IC chip mounting system having the above-mentioned structure, the IC chip mounting system further comprises a concave portion forming means for forming a concave portion on the substrate, wherein the mounting means is provided in the concave portion formed on the substrate by the concave portion forming means. The IC chip may be mounted on the substrate such that the protrusion is arranged.
【0013】また、上記構成のICチップ実装システム
において、前記突起部形成手段が、前記電極バンプ形成
手段によって形成された前記電極バンプよりも融点の低
い材料で前記突起部を形成するようにしてもよい。Further, in the IC chip mounting system having the above-mentioned structure, the projecting portion forming means may form the projecting portion using a material having a lower melting point than the electrode bumps formed by the electrode bump forming means. Good.
【0014】また、上記構成のICチップ実装システム
において、前記突起部形成手段が、前記能動面とほぼ直
交する方向からの押圧力を受けた場合に、前記電極バン
プ形成手段によって形成された前記電極バンプよりも潰
れやすい形状に前記突起部を形成するようにしてもよ
い。Further, in the IC chip mounting system having the above-mentioned structure, when the protrusion forming means receives a pressing force from a direction substantially orthogonal to the active surface, the electrode formed by the electrode bump forming means is provided. The protrusion may be formed in a shape that is more easily crushed than a bump.
【0015】また、前記突起部が、前記能動面とほぼ直
交する方向からの押圧力を受けた場合に、前記電極バン
プ形成手段によって形成された前記電極バンプよりも潰
れやすい材質で形成するようにしてもよい。Further, when the protruding portion receives a pressing force from a direction substantially perpendicular to the active surface, the protruding portion is formed of a material which is more easily crushed than the electrode bump formed by the electrode bump forming means. You may.
【0016】また、上記構成のICチップ実装システム
において、前記突起部形成手段が、前記ICチップの前
記能動面に一直線状にない3箇所にバンプを形成するよ
うにしてもよい。Further, in the IC chip mounting system having the above-mentioned configuration, the protrusion forming means may form bumps at three places which are not linear on the active surface of the IC chip.
【0017】また、本発明に係るICチップ搬送方法
は、能動面を有するICチップを搬送するICチップ搬
送方法であって、前記ICチップの前記能動面に突起部
を形成する突起部形成ステップと、前記突起部形成ステ
ップにより前記ICチップに形成された前記突起部に接
触して前記ICチップを吸引することにより前記ICチ
ップを保持する保持ステップと、前記保持ステップによ
り保持された前記ICチップを移動させる搬送ステップ
とを具備することを特徴としている。Further, an IC chip carrying method according to the present invention is an IC chip carrying method for carrying an IC chip having an active surface, the method comprising a step of forming a projecting portion on the active surface of the IC chip. Holding the IC chip by contacting the protrusion formed on the IC chip by the protrusion forming step and sucking the IC chip; and holding the IC chip by the holding step. And a transporting step of moving.
【0018】また、本発明に係るICチップ実装方法
は、能動面を有するICチップを基板にワイヤーボンデ
ィング実装するICチップ実装方法であって、前記IC
チップの前記能動面に突起部を形成する突起部形成ステ
ップと、前記突起部形成ステップにより前記ICチップ
に形成された前記突起部に接触して前記ICチップを吸
引することにより前記ICチップを保持する保持ステッ
プと、前記保持ステップにより保持された前記ICチッ
プを前記基板への実装位置に移動させる搬送ステップ
と、前記搬送ステップにより移動させられた前記ICチ
ップを前記基板に実装する実装ステップとを具備するこ
とを特徴としている。An IC chip mounting method according to the present invention is an IC chip mounting method for wire bonding mounting an IC chip having an active surface to a substrate.
A step of forming a protrusion on the active surface of the chip; and holding the IC chip by attracting the IC chip by contacting the protrusion formed on the IC chip by the step of forming the protrusion. Holding step, a transfer step of moving the IC chip held by the holding step to a mounting position on the substrate, and a mounting step of mounting the IC chip moved by the transfer step on the substrate. It is characterized by having.
【0019】また、本発明に係るICチップ実装方法
は、能動面を有するICチップを基板にフリップチップ
実装するICチップ実装方法であって、前記ICチップ
の前記能動面に突起部を形成する突起部形成ステップ
と、前記ICチップの前記能動面に電極として使用され
る電極バンプを形成する電極バンプ形成ステップと、前
記突起部形成ステップにより前記ICチップに形成され
た前記突起部に接触して前記ICチップを吸引すること
により前記ICチップを保持する保持ステップと、前記
保持ステップにより保持された前記ICチップを前記基
板への実装位置に移動させる搬送ステップと、前記搬送
ステップにより移動させられた前記ICチップを前記基
板に実装する実装ステップとを具備することを特徴とし
ている。An IC chip mounting method according to the present invention is an IC chip mounting method for flip-chip mounting an IC chip having an active surface on a substrate, wherein the protrusion is formed on the active surface of the IC chip. Forming an electrode bump used as an electrode on the active surface of the IC chip, forming an electrode bump, and contacting the protrusion formed on the IC chip by the protrusion forming step. A holding step of holding the IC chip by sucking the IC chip, a transferring step of moving the IC chip held by the holding step to a mounting position on the substrate, and a moving step of the transferring step. Mounting an IC chip on the substrate.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。 A.第1実施形態 A−1.構成 まず、図3は本発明の第1実施形態に係るICチップ実
装システムの構成を示すブロック図である。同図に示す
ように、このICチップ実装システム10は、ダミーバ
ンプ形成部(突起部形成手段)11と、ボンディング部
(搬送手段、実装手段)12とを備えた構成となってい
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. A. First embodiment A-1. Configuration First, FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the IC chip mounting system according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the IC chip mounting system 10 includes a dummy bump forming section (projecting section forming section) 11 and a bonding section (transporting section, mounting section) 12.
【0021】ダミーバンプ形成部11は、ICチップ製
造装置14から供給されるICチップの能動面にダミー
バンプ(突起部)を形成するものである。ボンディング
部12は、後述する吸着コレットを有しており、ダミー
バンプ形成部11によってダミーバンプが形成されたI
Cチップをダミーバンプ形成部11から受け取った後、
受け取ったICチップを基板に実装するものである。The dummy bump forming section 11 forms a dummy bump (projection) on the active surface of the IC chip supplied from the IC chip manufacturing apparatus 14. The bonding section 12 has a suction collet, which will be described later.
After receiving the C chip from the dummy bump forming unit 11,
The received IC chip is mounted on a substrate.
【0022】A−2.ICチップ実装方法 次に、上記構成のICチップ実装システム10によるI
Cチップの基板への実装方法について図4を用いて説明
する。まず、ICチップ製造装置14からダミーバンプ
形成部11にICチップが供給される。ここでは、図4
(a)に示すように、プラスチック薄膜シート40上に
ウェハカットされた複数のICチップ41が配置された
状態でダミーバンプ形成部11に供給されるようになっ
ている。A-2. IC Chip Mounting Method Next, the IC chip mounting system 10 having the above configuration
A method for mounting the C chip on the substrate will be described with reference to FIG. First, an IC chip is supplied from the IC chip manufacturing apparatus 14 to the dummy bump forming unit 11. Here, FIG.
As shown in (a), the plurality of wafer-cut IC chips 41 are arranged on the plastic thin film sheet 40 and are supplied to the dummy bump formation unit 11.
【0023】図4(b)に示すように、ダミーバンプ形
成部11においては、上述したように供給された各IC
チップ41の能動面42上にダミーバンプ43が形成さ
れる。ここで、ダミーバンプ43としては、通常のバン
プ(突起電極)と同様にはんだ等の金属材料を用いて、
通常のバンプと同様に転写バンプ法やメッキ法などによ
り形成される。なお、本発明において、ダミーバンプ
は、電極としての機能を有する必要がないため、導電性
を有しない材料で形成するようにしてもよい。As shown in FIG. 4B, in the dummy bump formation section 11, each IC supplied as described above is provided.
A dummy bump 43 is formed on the active surface 42 of the chip 41. Here, a metal material such as solder is used as the dummy bump 43 in the same manner as a normal bump (projection electrode).
Like a normal bump, the bump is formed by a transfer bump method, a plating method, or the like. In the present invention, since the dummy bumps do not need to have a function as an electrode, they may be formed of a material having no conductivity.
【0024】ここで、図5は、ダミーバンプ形成部11
によってダミーバンプ41が形成されたICチップ41
を示す正面図である。同図に示すように、ICチップ4
1の能動面42上の3箇所にダミーバンプ43が形成さ
れている。ここで、3つのダミーバンプ43は、一直線
上に位置しないように配置されている。Here, FIG. 5 shows the dummy bump forming portion 11.
IC chip 41 on which dummy bumps 41 are formed
FIG. As shown in FIG.
Dummy bumps 43 are formed at three places on one active surface 42. Here, the three dummy bumps 43 are arranged so as not to be located on a straight line.
【0025】このようにダミーバンプ43が形成された
ICチップ41は、図4(c)に示すように、吸着コレ
ット44によってプラスチック薄膜シート40から取り
出され、吸着コレット44の移動に伴って基板45の上
方まで移動させられる。The IC chip 41 on which the dummy bumps 43 are formed is taken out of the plastic thin film sheet 40 by the suction collet 44 as shown in FIG. It is moved up.
【0026】ここで、図6は、吸着コレット44による
ICチップ41の保持状態を示す図である。同図に示す
ように、筒状に形成された吸着コレット44の下端部4
4aは、ICチップ41に形成された3つのダミーバン
プ43と接触しており、この状態でICチップ41を上
方に吸引することによりICチップ41を保持してい
る。従って、ICチップ41の能動面42は、吸着コレ
ット44と接触しないようになされている。このとき、
下端部44aと能動面42との間には、ダミーバンプ4
3の高さの分だけ微小の隙間ができることになるが、こ
の隙間は、実際には20μm程度の大きさであり、吸着
コレット44が十分な吸引力でICチップ41を吸引し
ているので問題とはならず、ICチップ41を吸着でき
るようになっている。FIG. 6 is a view showing the holding state of the IC chip 41 by the suction collet 44. As shown in FIG. As shown in the figure, the lower end 4 of a cylindrical suction collet 44 is formed.
4a is in contact with three dummy bumps 43 formed on the IC chip 41, and holds the IC chip 41 by sucking the IC chip 41 upward in this state. Therefore, the active surface 42 of the IC chip 41 is configured not to contact the suction collet 44. At this time,
A dummy bump 4 is provided between the lower end 44a and the active surface 42.
However, the gap is actually about 20 μm in size, and the suction collet 44 sucks the IC chip 41 with a sufficient suction force. However, the IC chip 41 can be sucked.
【0027】吸着コレット44がICチップ41を保持
した状態で、基板45における実装位置の上方に移動し
た後、図4(d)に示すように、吸着コレット44が基
板45に向けて下降し、基板45上の所定の位置にIC
チップ41が実装される。このようにICチップ41が
基板45上に実装された後、図4(e)に示すように、
基板45上に形成された図示せぬ配線パターンと能動面
42上の図示せぬ電極とがワイヤ46によって接続され
る。従って、本実施形態においては、ボンディング部1
2はワイヤーボンディング法によってICチップ41を
基板45に実装している。After the suction collet 44 moves above the mounting position on the substrate 45 while holding the IC chip 41, the suction collet 44 descends toward the substrate 45 as shown in FIG. IC at a predetermined position on the substrate 45
The chip 41 is mounted. After the IC chip 41 is mounted on the substrate 45 in this manner, as shown in FIG.
A wiring pattern (not shown) formed on the substrate 45 and an electrode (not shown) on the active surface 42 are connected by wires 46. Therefore, in the present embodiment, the bonding portion 1
Reference numeral 2 denotes an IC chip 41 mounted on a substrate 45 by a wire bonding method.
【0028】本実施形態に係るICチップ実装システム
によるICチップ実装方法では、プラスチック薄膜シー
ト40からICチップ41を取り出して基板45に実装
するまでのICチップ41の搬送時に、吸着コレット4
4とICチップ41の能動面42とが接触しないように
なされている。従って、吸着コレット44と能動面42
との接触による能動面42の損傷や静電気破壊などが防
止される。In the IC chip mounting method using the IC chip mounting system according to the present embodiment, when the IC chip 41 is transported until the IC chip 41 is taken out from the plastic thin film sheet 40 and mounted on the substrate 45, the suction collet 4
4 and the active surface 42 of the IC chip 41 are not in contact with each other. Therefore, the suction collet 44 and the active surface 42
Damage to the active surface 42 due to contact with the semiconductor device, electrostatic destruction, and the like are prevented.
【0029】また、ICチップ41の能動面42上に形
成されたダミーバンプ43と接触可能な形状の吸着コレ
ット44を用いれば、ICチップ41のサイズ毎に吸着
コレットを用意する必要がない。従って、ICチップ実
装システムの設備コストを低減することができる。Further, if the suction collet 44 having a shape capable of contacting the dummy bump 43 formed on the active surface 42 of the IC chip 41 is used, it is not necessary to prepare a suction collet for each size of the IC chip 41. Therefore, the equipment cost of the IC chip mounting system can be reduced.
【0030】また、上述したようにダミーバンプ43
は、一直線上に配列されていないため、下端部44aと
能動面42とが接触してしまうことが確実に防止でき
る。これは、図7(a)に示すように、ダミーバンプ4
3を2箇所(一直線上に配置される)に形成した場合に
は、図7(b)に示すように、能動面42に対して吸着
コレット44が傾いた状態でICチップ41を保持して
まうこともあり、この場合、図示のように下端部44a
が能動面42と接触してしまうからである。Further, as described above, the dummy bump 43
Are not arranged in a straight line, so that contact between the lower end portion 44a and the active surface 42 can be reliably prevented. This is because, as shown in FIG.
When the IC chip 41 is formed in two places (arranged on a straight line), as shown in FIG. 7B, the IC chip 41 is held while the suction collet 44 is inclined with respect to the active surface 42. In this case, the lower end portion 44a
Is in contact with the active surface 42.
【0031】なお、2箇所にダミーバンプ43を形成し
た場合にも、図8に示すように、吸着コレット44の下
端部44aが能動面42ではなくICチップ41の辺の
部分42aに接触した状態でICチップ41を保持する
ようにすれば、ダミーバンプ43を2箇所に形成するよ
うにしてもよい。また、形成するダミーバンプ43が1
つであっても、吸着コレット44がICチップ41を吸
着する時に、吸着コレット44と能動面42との接触を
防止できるものであればよい。また、能動面42上にス
ペースがあれば、4箇所以上にダミーバンプ43を設け
るようにしてもよい。When the dummy bumps 43 are formed at two places, as shown in FIG. 8, the lower end portion 44a of the suction collet 44 is not in contact with the active surface 42 but in contact with the side portion 42a of the IC chip 41. If the IC chip 41 is held, the dummy bumps 43 may be formed at two places. Also, if the dummy bump 43 to be formed is 1
At least, any one that can prevent contact between the suction collet 44 and the active surface 42 when the suction collet 44 suctions the IC chip 41 may be used. If there is a space on the active surface 42, the dummy bumps 43 may be provided at four or more places.
【0032】B.第2実施形態 次に、図9は、本発明の第2実施形態に係るICチップ
実装システムの構成を示す。なお、第2実施形態におい
て、第1実施形態と共通する構成要素には、同一の符号
を付けて、その説明を省略する。B. Second Embodiment Next, FIG. 9 shows a configuration of an IC chip mounting system according to a second embodiment of the present invention. Note that, in the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【0033】図9に示すように、第2実施形態に係るI
Cチップ実装システム100は、第1実施形態に係るI
Cチップ実装システム10に、ダミーバンプ形成部11
によってダミーバンプが形成されたICチップに電極と
して機能するバンプを形成する電極バンプ形成部(電極
バンプ形成手段)111を加えた構成となっている。As shown in FIG. 9, the I according to the second embodiment
The C chip mounting system 100 according to the first embodiment
C chip mounting system 10 includes a dummy bump forming section 11
Accordingly, an electrode bump forming portion (electrode bump forming means) 111 for forming a bump functioning as an electrode is added to an IC chip on which dummy bumps are formed.
【0034】このような構成のICチップ実装システム
100によるICチップ実装方法について図10を用い
て説明する。まず、図10(a)に示すように、第1実
施形態と同様にICチップ製造装置14からダミーバン
プ形成部11にICチップが供給される。An IC chip mounting method using the IC chip mounting system 100 having such a configuration will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 10A, an IC chip is supplied from the IC chip manufacturing apparatus 14 to the dummy bump forming unit 11 as in the first embodiment.
【0035】図10(b)に示すように、第1実施形態
と同様にダミーバンプ形成部11においては、上述した
ように供給された各ICチップ41の能動面42上にダ
ミーバンプ43が形成される。この後、プラスチック薄
膜シート40上に配置されたICチップ41が電極バン
プ形成部111に移動させられる。そして、図10
(c)に示すように、電極バンプ形成部111によって
電極として使用される導電性材料からなるバンプ101
が能動面42上の所定の位置に形成される。As shown in FIG. 10B, the dummy bumps 43 are formed on the active surface 42 of each of the supplied IC chips 41 in the dummy bump forming section 11, as in the first embodiment. . Thereafter, the IC chip 41 arranged on the plastic thin film sheet 40 is moved to the electrode bump forming section 111. And FIG.
As shown in (c), the bump 101 made of a conductive material used as an electrode by the electrode bump forming part 111
Are formed at predetermined positions on the active surface 42.
【0036】ここで、図11は、ダミーバンプ43およ
びバンプ101が形成されたICチップ41を示す図で
ある。同図に示すように、ダミーバンプ43はバンプ1
01よりも高く形成されている。また、第2実施形態で
は、ダミーバンプ形成部11によって形成されるダミー
バンプ43の材料は、電極バンプ形成部111によって
形成されるバンプ101よりも融点の低いものが用いら
れている。例えば、ダミーバンプ43およびバンプ10
1ともにはんだで形成する場合には、バンプ101より
も融点の低いはんだを用いてダミーバンプ43を形成す
るようにすればよい。FIG. 11 is a view showing the IC chip 41 on which the dummy bumps 43 and the bumps 101 are formed. As shown in FIG.
It is formed higher than 01. In the second embodiment, the material of the dummy bump 43 formed by the dummy bump formation unit 11 has a lower melting point than that of the bump 101 formed by the electrode bump formation unit 111. For example, the dummy bump 43 and the bump 10
When both are formed by solder, the dummy bumps 43 may be formed by using a solder having a lower melting point than the bump 101.
【0037】このようにしてダミーバンプ43およびバ
ンプ101が形成されたICチップ41は、図10
(d)に示すように、吸着コレット44によってプラス
チック薄膜シート40から取り出される。そして、吸着
コレット44の移動に伴って基板45の上方に移動させ
られる。The IC chip 41 on which the dummy bumps 43 and the bumps 101 are formed as described above is shown in FIG.
As shown in (d), it is taken out of the plastic thin film sheet 40 by the suction collet 44. Then, the suction collet 44 is moved above the substrate 45 as the suction collet 44 moves.
【0038】ここで、図12は吸着コレット44による
ICチップ41の保持状態を示す図である。同図に示す
ように、筒状に形成された吸着コレット44の下端部4
4aは、ICチップ41に形成された3つのダミーバン
プ43と接触しており、この状態でICチップ41を上
方に吸引することによりICチップ41を保持してい
る。上述したようにダミーバンプ43がバンプ101よ
りも高く形成されているため、ICチップ41の能動面
42およびバンプ101が吸着コレット44と接触しな
いようになっている。FIG. 12 is a diagram showing the holding state of the IC chip 41 by the suction collet 44. As shown in FIG. As shown in the figure, the lower end 4 of a cylindrical suction collet 44 is formed.
4a is in contact with three dummy bumps 43 formed on the IC chip 41, and holds the IC chip 41 by sucking the IC chip 41 upward in this state. As described above, since the dummy bump 43 is formed higher than the bump 101, the active surface 42 of the IC chip 41 and the bump 101 do not come into contact with the suction collet 44.
【0039】このように基板45の上方まで搬送された
ICチップ41は、図示せぬ実装装置によってバンプ1
01が形成された能動面42と基板45が対向するよう
に上下面が反転される。そして、図10(e)に示すよ
うに、基板45上に形成された図示せぬ配線パターンと
電極であるバンプ101とが接続されるように実装され
る。従って、第2実施形態において、ボンディング部1
2はフリップチップ法によってICチップ41を基板4
5上に実装している。The IC chip 41 conveyed above the substrate 45 in this manner is mounted on a bump 1 by a mounting device (not shown).
The upper and lower surfaces are inverted so that the active surface 42 on which the 01 is formed and the substrate 45 face each other. Then, as shown in FIG. 10E, the circuit is mounted so that a wiring pattern (not shown) formed on the substrate 45 is connected to the bump 101 as an electrode. Therefore, in the second embodiment, the bonding portion 1
2 is an IC chip 41 mounted on a substrate 4 by a flip chip method.
5 is mounted.
【0040】ここで、図13はICチップ41を反転さ
せた後に基板45上に実装する時の様子を示す図であ
る。ICチップ41の実装工程においては、図13
(a)に示すように、ICチップ41が基板45上に位
置決めされると、ICチップ41が加熱・加圧されて基
板45上にICチップ41が実装されるようになってい
る。上述したようにダミーバンプ43はバンプ101よ
りも融点の低い材料が使用されているため、図13
(b)に示すように、加熱・加圧されることによりダミ
ーバンプ43が融けて潰れるようになっている。このよ
うにバンプ101よりも高く形成されたダミーバンプ4
3が潰れることによって、基板45上の配線パターンと
バンプ101とを接続することができるようになってい
る。FIG. 13 is a diagram showing a state in which the IC chip 41 is mounted on the substrate 45 after being turned over. In the mounting process of the IC chip 41, FIG.
As shown in (a), when the IC chip 41 is positioned on the substrate 45, the IC chip 41 is heated and pressed to mount the IC chip 41 on the substrate 45. As described above, since the material having a lower melting point than the bump 101 is used for the dummy bump 43, FIG.
As shown in (b), the dummy bump 43 is melted and crushed by being heated and pressed. In this manner, the dummy bump 4 formed higher than the bump 101
By crushing 3, the wiring pattern on the substrate 45 and the bump 101 can be connected.
【0041】なお、融点の低い材料でダミーバンプ43
を形成する以外にも、図14に示すように、ダミーバン
プ43を細長い形状に形成するようにしてもよい。この
ようにすれば、図15に示すように、基板45上にIC
チップ41を加熱・加圧した時に、加圧力によってダミ
ーバンプ43が潰れてバンプ101と基板45上の配線
パターンを接続することができる。ここで、ダミーバン
プ43は、図14に示した形状のものに限定されるわけ
ではなく、実装時に加圧力が加わった場合に、バンプ1
01よりも潰れやすい形状であればよい。また、ダミー
バンプ43をバンプ101よりも潰れやすい材質のもの
を用いて形成するようにしてもよい。The dummy bump 43 is made of a material having a low melting point.
In addition to forming the dummy bumps 43, the dummy bumps 43 may be formed in an elongated shape as shown in FIG. In this way, as shown in FIG.
When the chip 41 is heated and pressurized, the dummy bump 43 is crushed by the pressing force, and the bump 101 and the wiring pattern on the substrate 45 can be connected. Here, the dummy bumps 43 are not limited to those having the shape shown in FIG. 14.
Any shape can be used as long as it is more easily crushed than 01. Further, the dummy bump 43 may be formed using a material that is more easily crushed than the bump 101.
【0042】また、図16に示すように、基板45に凹
部160を形成する凹部形成部を設けるようにし、IC
チップ41に形成されたダミーバンプ43が凹部160
に配置されるようにICチップ41を実装するようにし
てもよい。このようにした場合にも、図17に示すよう
に、ダミーバンプ43が凹部160に侵入することによ
り、バンプ101と基板45上の配線パターンを接続す
ることが可能となる。また、基板45に形成された凹部
160にダミーバンプ43が配置されるようにICチッ
プ41を実装すればよいので、実装時のICチップ41
の位置決めが容易となる。As shown in FIG. 16, the substrate 45 is provided with a recess forming portion for forming the recess 160, and
The dummy bump 43 formed on the chip 41 is
The IC chip 41 may be mounted so that the IC chip 41 is arranged in the IC chip 41. Also in this case, as shown in FIG. 17, the dummy bump 43 enters the recess 160, so that the bump 101 and the wiring pattern on the substrate 45 can be connected. Further, the IC chip 41 may be mounted so that the dummy bumps 43 are arranged in the concave portions 160 formed in the substrate 45.
Positioning becomes easy.
【0043】また、図18に示すように、バンプ101
よりも低くダミーバンプ43を形成するようにしてもよ
い。この場合、図示のようにダミーバンプ43に接触す
る下端部44aのみが下方に延出した形状の吸着コレッ
ト44を用いてICチップ41を吸着させれば、吸着コ
レット44が能動面42およびバンプ101との接触を
防止できる。Also, as shown in FIG.
Alternatively, the dummy bump 43 may be formed lower than that. In this case, as shown in the drawing, if the IC chip 41 is sucked using the suction collet 44 having a shape in which only the lower end portion 44a contacting the dummy bump 43 extends downward, the suction collet 44 is in contact with the active surface 42 and the bump 101. Contact can be prevented.
【0044】第2実施形態に係るICチップ実装システ
ムによるICチップ実装方法では、プラスチック薄膜シ
ート40からICチップ41を取り出して基板45に実
装するまでのICチップ41の搬送時に、吸着コレット
44とICチップ41の能動面42およびバンプ101
とが接触しないようになされている。従って、能動面4
2およびバンプ101と吸着コレット44が接触するこ
とに起因する損傷や静電気による破壊などが防止され
る。In the IC chip mounting method by the IC chip mounting system according to the second embodiment, when the IC chip 41 is transported until the IC chip 41 is taken out from the plastic thin film sheet 40 and mounted on the substrate 45, the suction collet 44 and the IC are mounted. Active surface 42 of chip 41 and bump 101
And are kept from contacting. Therefore, the active surface 4
Damage due to contact between the suction collet 44 and the suction collet 44 and destruction due to static electricity are prevented.
【0045】また、第1実施形態と同様にICチップ4
1の能動面42上に形成されたダミーバンプ43と接触
可能な形状の吸着コレット44を用いれば、ICチップ
41のサイズ毎に吸着コレットを用意する必要がない。Also, as in the first embodiment, the IC chip 4
If a suction collet 44 having a shape capable of contacting the dummy bump 43 formed on one active surface 42 is used, it is not necessary to prepare a suction collet for each size of the IC chip 41.
【0046】C.変形例 なお、上述した第1ないし第2実施形態においては、I
Cチップ41を吸着コレット44で搬送して基板45上
に実装するICチップ実装システムについて説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ICチッ
プを搬送するICチップ搬送システムに適用するように
してもよい。C. Modified Example In the first and second embodiments described above, I
Although the IC chip mounting system in which the C chip 41 is transported by the suction collet 44 and mounted on the substrate 45 has been described, the present invention is not limited to this, and is applied to an IC chip transport system that transports IC chips. You may do so.
【0047】例えば、図19に示すように、プラスチッ
ク薄膜シート40上にウェハカットされたICチップ4
1をトレイ180に移載するICチップ搬送システムに
適用するようにしてもよい。同図に示すように、このI
Cチップ搬送システムでは、プラスチック薄膜シート4
0上にウェハカットされたICチップ41に不良品があ
るか否をチェックし、良品のみをプラスチック薄膜シー
ト40から取り出してトレイ180上に移載している。
この移載動作の前に上述した実施形態と同様にICチッ
プ41の能動面42上にダミーバンプ43を形成し、吸
着コレット44と能動面42とが接触しない状態でIC
チップ41を保持してプラスチック薄膜シート40から
トレイ180に移載している。このように良品のみをト
レイ180に移載した後、上述した第1ないし第2実施
形態に示したボンディング部12がトレイ180からI
Cチップ41を取り出して基板45上に実装するように
してもよい。For example, as shown in FIG. 19, an IC chip 4 cut into a wafer on a plastic thin film sheet 40 is formed.
1 may be applied to an IC chip transport system that transfers the data to the tray 180. As shown in FIG.
In the C chip transport system, the plastic thin sheet 4
It is checked whether or not there is a defective product in the IC chip 41 that has been wafer-cut on the wafer 0, and only a good product is taken out of the plastic thin film sheet 40 and transferred onto the tray 180.
Prior to this transfer operation, a dummy bump 43 is formed on the active surface 42 of the IC chip 41 in the same manner as in the above-described embodiment.
The chip 41 is held and transferred from the plastic thin film sheet 40 to the tray 180. After only the non-defective products are transferred to the tray 180 in this manner, the bonding unit 12 shown in the first and second embodiments described above is
The C chip 41 may be taken out and mounted on the substrate 45.
【0048】[0048]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
簡易な構成でありながら、搬送時などにおいて、ICチ
ップの能動面とICチップを保持する部分とが接触する
ことが防止され、ICチップの能動面の損傷を低減する
ことができる。As described above, according to the present invention,
Even with a simple configuration, contact between the active surface of the IC chip and the portion holding the IC chip during transportation or the like is prevented, and damage to the active surface of the IC chip can be reduced.
【図1】 従来のICチップ搬送ツールのICチップ保
持状態を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an IC chip holding state of a conventional IC chip transport tool.
【図2】 従来の他のICチップ搬送ツールのICチッ
プ保持状態を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an IC chip holding state of another conventional IC chip transport tool.
【図3】 本発明の第1実施形態に係るICチップ実装
システムの構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of an IC chip mounting system according to the first embodiment of the present invention.
【図4】 第1実施形態に係るICチップ実装システム
によるICチップ実装方法を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining an IC chip mounting method by the IC chip mounting system according to the first embodiment.
【図5】 第1実施形態に係るICチップ実装システム
によりダミーバンプが形成されたICチップを示す正面
図である。FIG. 5 is a front view showing an IC chip on which dummy bumps are formed by the IC chip mounting system according to the first embodiment.
【図6】 第1実施形態に係るICチップ実装システム
の吸着コレットがICチップを保持しているときの様子
を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a state where the suction collet of the IC chip mounting system according to the first embodiment is holding an IC chip.
【図7】 前記吸着コレットによる不適切なICチップ
保持状態を説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining an inappropriate IC chip holding state by the suction collet.
【図8】 第1実施形態に係るICチップ実装システム
の前記吸着コレットによるICチップの保持状態の他の
例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing another example of a state of holding the IC chip by the suction collet in the IC chip mounting system according to the first embodiment.
【図9】 本発明の第2実施形態に係るICチップ実装
システムの構成を示すブロック図である。FIG. 9 is a block diagram illustrating a configuration of an IC chip mounting system according to a second embodiment of the present invention.
【図10】 第2実施形態に係るICチップ実装システ
ムによるICチップ実装方法を説明するための図であ
る。FIG. 10 is a diagram for explaining an IC chip mounting method by the IC chip mounting system according to the second embodiment.
【図11】 第2実施形態に係るICチップ実装システ
ムによりダミーバンプおよびバンプが形成されたICチ
ップを示す図である。FIG. 11 is a view showing an IC chip on which dummy bumps and bumps are formed by the IC chip mounting system according to the second embodiment.
【図12】 第2実施形態に係るICチップ実装システ
ムの吸着コレットがICチップを保持しているときの様
子を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a state where a suction collet of the IC chip mounting system according to the second embodiment is holding an IC chip.
【図13】 第2実施形態に係るICチップ実装システ
ムによる基板へのICチップ実装時の状態を説明するた
めの図である。FIG. 13 is a diagram for explaining a state when an IC chip is mounted on a substrate by the IC chip mounting system according to the second embodiment.
【図14】 第2実施形態に係るICチップ実装システ
ムによってICチップに形成された他のダミーバンプの
形状を説明するための図である。FIG. 14 is a diagram for explaining the shape of another dummy bump formed on an IC chip by the IC chip mounting system according to the second embodiment.
【図15】 図14に示すICチップを基板に実装した
状態を示す図である。15 is a diagram showing a state where the IC chip shown in FIG. 14 is mounted on a substrate.
【図16】 第2実施形態に係るICチップ実装システ
ムによる基板へのICチップの他の実装例を説明するた
めの図である。FIG. 16 is a diagram for explaining another example of mounting an IC chip on a substrate by the IC chip mounting system according to the second embodiment.
【図17】 図16に示すICチップが基板に実装され
た状態を示す図である。17 is a diagram showing a state where the IC chip shown in FIG. 16 is mounted on a substrate.
【図18】 第2実施形態に係るICチップ実装システ
ムの吸着コレットの変形例によってICチップが保持さ
れた状態を示す図である。FIG. 18 is a diagram illustrating a state in which an IC chip is held by a modification of the suction collet of the IC chip mounting system according to the second embodiment.
【図19】 本発明に係るICチップ搬送システムの動
作を説明するための図である。FIG. 19 is a diagram for explaining the operation of the IC chip transport system according to the present invention.
10……ICチップ実装システム、11……ダミーバン
プ形成部(突起部形成手段)、12……ボンディング部
(実装手段、搬送手段)、14……ICチップ製造装
置、40……プラスチック薄膜シート、41……ICチ
ップ、42……能動面、43……ダミーバンプ(突起
部)、44……吸着コレット、45……基板、100…
…ICチップ実装システム、101……バンプ、111
……電極バンプ形成部(電極バンプ形成手段)、160
……凹部、180……トレイ10: IC chip mounting system, 11: Dummy bump forming part (projection forming means), 12: Bonding part (mounting means, transporting means), 14: IC chip manufacturing apparatus, 40: Plastic thin film sheet, 41 ... IC chip, 42, active surface, 43, dummy bump (projection), 44, suction collet, 45, substrate, 100
... IC chip mounting system, 101 ... Bump, 111
..., Electrode bump forming section (electrode bump forming means), 160
... recess, 180 ... tray
Claims (13)
Cチップ搬送システムであって、 前記ICチップの前記能動面に突起部を形成する突起部
形成手段と、 所定の区間内を移動可能に設けられ、前記突起部形成手
段により前記ICチップに形成された前記突起部に接触
して前記ICチップを吸引することにより前記ICチッ
プを保持する搬送手段とを具備しており、 前記搬送手段が前記ICチップを保持した状態で移動す
ることにより、前記ICチップを搬送することを特徴と
するICチップ搬送システム。1. An IC for transporting an IC chip having an active surface.
A C chip transport system, comprising: a protrusion forming means for forming a protrusion on the active surface of the IC chip; and a movable portion provided in a predetermined section, wherein the protrusion is formed on the IC chip by the protrusion forming means. Transport means for holding the IC chip by sucking the IC chip in contact with the protruding portion, and moving the transport means while holding the IC chip, thereby providing the IC. An IC chip transfer system for transferring chips.
の前記能動面に一直線状にない3箇所に突起部を形成す
ることを特徴とする請求項1に記載のICチップ搬送シ
ステム。2. The IC chip transport system according to claim 1, wherein said projection forming means forms projections at three positions which are not linear on said active surface of said IC chip.
するICチップ実装システムであって、 前記ICチップの前記能動面に突起部を形成する突起部
形成手段と、 前記ICチップを受け取る受取位置と、前記基板に前記
ICチップを実装する実装位置との間を移動可能に設け
られ、前記突起部形成手段により前記突起部が形成され
た前記ICチップを前記受取位置で受け取って保持した
後、前記実装位置まで移動し、前記実装位置において当
該ICチップを前記基板に実装する実装手段とを具備し
ており、 前記実装手段は、前記突起部形成手段により前記ICチ
ップに形成された前記突起部に接触して前記ICチップ
を吸引することにより前記ICチップを保持することを
特徴とするICチップ実装システム。3. An IC chip mounting system for mounting an IC chip having an active surface on a substrate, a projection forming means for forming a projection on the active surface of the IC chip, and a receiving position for receiving the IC chip. And, after receiving and holding the IC chip on which the protrusion is formed by the protrusion forming means at the receiving position, the IC chip is provided movably between a mounting position for mounting the IC chip on the substrate, Mounting means for moving to the mounting position and mounting the IC chip on the substrate at the mounting position, wherein the mounting means is formed on the IC chip by the protrusion forming means. And holding the IC chip by sucking the IC chip by contacting the IC chip.
ップチップ実装するICチップ実装システムであって、 前記ICチップの前記能動面に突起部を形成する突起部
形成手段と、 前記ICチップの前記能動面に電極として使用される電
極バンプを形成する電極バンプ形成手段と、 前記ICチップを受け取る受取位置と、前記基板に前記
ICチップを実装する実装位置との間を移動可能に設け
られ、前記突起部形成手段により前記突起部が形成され
た前記ICチップを前記受取位置で受け取って保持した
後、前記実装位置まで移動し、前記能動面が前記基板と
対向するように前記基板に前記ICチップを実装する実
装手段とを具備しており、 前記実装手段は、前記突起部形成手段により前記ICチ
ップに形成された前記突起部に接触して前記ICチップ
を吸引することにより前記ICチップを保持することを
特徴とするICチップ実装システム。4. An IC chip mounting system for flip-chip mounting an IC chip having an active surface on a substrate, comprising: a protrusion forming means for forming a protrusion on the active surface of the IC chip; An electrode bump forming means for forming an electrode bump used as an electrode on the active surface; a receiving position for receiving the IC chip; and a mounting position for mounting the IC chip on the substrate, movably provided. After receiving and holding the IC chip on which the protrusion is formed by the protrusion forming means at the receiving position, the IC chip is moved to the mounting position, and the IC chip is mounted on the substrate such that the active surface faces the substrate. And mounting means for mounting the IC chip on the IC chip by the protrusion forming means. IC chip mounting system, characterized by holding the IC chip by sucking an IC chip.
形成手段によって形成された前記電極バンプの前記能動
面からの高さよりも大きい高さに前記突起部を形成する
ことを特徴とする請求項4に記載のICチップ実装シス
テム。5. The device according to claim 1, wherein the protrusion forming unit forms the protrusion at a height greater than a height of the electrode bump formed by the electrode bump forming unit from the active surface. 5. The IC chip mounting system according to 4.
をさらに具備し、 前記実装手段は、前記凹部形成手段によって前記基板に
形成された前記凹部に前記突起部が配置されるように前
記ICチップを前記基板に実装することを特徴とする請
求項5に記載のICチップ実装システム。6. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a concave portion forming means for forming a concave portion in the substrate, wherein the mounting means includes a step of disposing the IC so that the protrusion is arranged in the concave portion formed in the substrate by the concave portion forming means. The IC chip mounting system according to claim 5, wherein a chip is mounted on the substrate.
形成手段によって形成された前記電極バンプよりも融点
の低い材料で前記突起部を形成することを特徴とする請
求項4または5に記載のICチップ実装システム。7. The projection according to claim 4, wherein the projection forming unit forms the projection using a material having a lower melting point than the electrode bump formed by the electrode bump forming unit. IC chip mounting system.
ぼ直交する方向からの押圧力を受けた場合に、前記電極
バンプ形成手段によって形成された前記電極バンプより
も潰れやすい形状に前記突起部を形成することを特徴と
する請求項4または5に記載のICチップ実装システ
ム。8. The protruding portion forming means, when receiving a pressing force from a direction substantially perpendicular to the active surface, has a shape that is more easily crushed than the electrode bumps formed by the electrode bump forming means. The IC chip mounting system according to claim 4, wherein a part is formed.
る方向からの押圧力を受けた場合に、前記電極バンプ形
成手段によって形成された前記電極バンプよりも潰れや
すい材質で形成されていることを特徴とする請求項4ま
たは5に記載のICチップ実装システム。9. The protrusion is made of a material that is more easily crushed than the electrode bump formed by the electrode bump forming means when receiving a pressing force from a direction substantially orthogonal to the active surface. The IC chip mounting system according to claim 4 or 5, wherein:
プの前記能動面に一直線状にない3箇所にバンプを形成
することを特徴とする請求項3ないし9のいずれかに記
載のICチップ実装システム。10. The IC chip mounting according to claim 3, wherein said projection forming means forms bumps at three positions which are not linear on said active surface of said IC chip. system.
ICチップ搬送方法であって、 前記ICチップの前記能動面に突起部を形成する突起部
形成ステップと、 前記突起部形成ステップにより前記ICチップに形成さ
れた前記突起部に接触して前記ICチップを吸引するこ
とにより前記ICチップを保持する保持ステップと、 前記保持ステップにより保持された前記ICチップを移
動させる搬送ステップとを具備することを特徴とするI
Cチップ搬送方法。11. An IC chip transport method for transporting an IC chip having an active surface, comprising: a projection forming step of forming a projection on the active surface of the IC chip; and the IC chip by the projection forming step. A holding step of holding the IC chip by sucking the IC chip by contacting the projection formed on the IC chip; and a transporting step of moving the IC chip held by the holding step. Characteristic I
C chip transport method.
装するICチップ実装方法であって、 前記ICチップの前記能動面に突起部を形成する突起部
形成ステップと、 前記突起部形成ステップにより前記ICチップに形成さ
れた前記突起部に接触して前記ICチップを吸引するこ
とにより前記ICチップを保持する保持ステップと、 前記保持ステップにより保持された前記ICチップを前
記基板への実装位置に移動させる搬送ステップと、 前記搬送ステップにより移動させられた前記ICチップ
を前記基板に実装する実装ステップとを具備することを
特徴とするICチップ実装方法。12. An IC chip mounting method for mounting an IC chip having an active surface on a substrate, the method comprising the steps of: forming a protrusion on the active surface of the IC chip; A holding step of holding the IC chip by sucking the IC chip by contacting the protrusion formed on the IC chip; and moving the IC chip held by the holding step to a mounting position on the substrate. And a mounting step of mounting the IC chip moved by the transporting step on the substrate.
リップチップ実装するICチップ実装方法であって、 前記ICチップの前記能動面に突起部を形成する突起部
形成ステップと、 前記ICチップの前記能動面に電極として使用される電
極バンプを形成する電極バンプ形成ステップと、 前記突起部形成ステップにより前記ICチップに形成さ
れた前記突起部に接触して前記ICチップを吸引するこ
とにより前記ICチップを保持する保持ステップと、 前記保持ステップにより保持された前記ICチップを前
記基板への実装位置に移動させる搬送ステップと、 前記搬送ステップにより移動させられた前記ICチップ
を前記基板に実装する実装ステップとを具備することを
特徴とするICチップ実装方法。13. An IC chip mounting method for flip-chip mounting an IC chip having an active surface on a substrate, comprising: forming a projection on the active surface of the IC chip; An electrode bump forming step of forming an electrode bump used as an electrode on an active surface; and the IC chip by attracting the IC chip by contacting the protrusion formed on the IC chip by the protrusion forming step. Holding step; holding the IC chip held by the holding step to a mounting position on the board; and mounting the IC chip transferred by the transferring step on the board. A method of mounting an IC chip, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6916099A JP3733777B2 (en) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | IC chip mounting system and IC chip mounting method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6916099A JP3733777B2 (en) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | IC chip mounting system and IC chip mounting method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000269239A true JP2000269239A (en) | 2000-09-29 |
JP3733777B2 JP3733777B2 (en) | 2006-01-11 |
Family
ID=13394679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6916099A Expired - Fee Related JP3733777B2 (en) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | IC chip mounting system and IC chip mounting method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3733777B2 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10250778B3 (en) * | 2002-10-30 | 2004-03-04 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip used in flip-chip technology for producing circuit boards has a buffer body with a protective layer made from a damping material arranged between a contact surfaces and above a semiconductor component structures |
WO2005112537A1 (en) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Part feeding head device and part mounting head device |
JP2007141998A (en) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | Apparatus and method of manufacturing semiconductor chip |
KR20190072464A (en) | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Pickup unit |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273639A (en) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Fujitsu Ltd | Method of mounting semiconductor chip |
JPH05190665A (en) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Fujitsu Ltd | Pickup collet for semiconductor chip with bump and pickup method of semiconductor chip with bump |
JPH09115954A (en) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Flip chip packaging method |
JPH09232506A (en) * | 1996-02-20 | 1997-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JPH10189653A (en) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Toshiba Corp | Semiconductor element and circuit module having this semiconductor element |
JPH10303249A (en) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Nec Kansai Ltd | Semiconductor device |
-
1999
- 1999-03-15 JP JP6916099A patent/JP3733777B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273639A (en) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Fujitsu Ltd | Method of mounting semiconductor chip |
JPH05190665A (en) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Fujitsu Ltd | Pickup collet for semiconductor chip with bump and pickup method of semiconductor chip with bump |
JPH09115954A (en) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Flip chip packaging method |
JPH09232506A (en) * | 1996-02-20 | 1997-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JPH10189653A (en) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Toshiba Corp | Semiconductor element and circuit module having this semiconductor element |
JPH10303249A (en) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Nec Kansai Ltd | Semiconductor device |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10250778B3 (en) * | 2002-10-30 | 2004-03-04 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip used in flip-chip technology for producing circuit boards has a buffer body with a protective layer made from a damping material arranged between a contact surfaces and above a semiconductor component structures |
US6906428B2 (en) | 2002-10-30 | 2005-06-14 | Infineon Technologies Ag | Electronic component having a semiconductor chip and method for populating a circuit carrier during the production of the electronic component |
WO2005112537A1 (en) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Part feeding head device and part mounting head device |
JP2005327971A (en) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Part supply head unit, part supply unit, and part-mounting apparatus |
US7650691B2 (en) * | 2004-05-17 | 2010-01-26 | Panasonic Corporation | Component supply head device and component mounting head device |
JP4516354B2 (en) * | 2004-05-17 | 2010-08-04 | パナソニック株式会社 | Parts supply method |
JP2007141998A (en) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | Apparatus and method of manufacturing semiconductor chip |
KR20190072464A (en) | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Pickup unit |
JP2019107779A (en) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Pickup unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3733777B2 (en) | 2006-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20030025204A1 (en) | Ball grid array type semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP3733777B2 (en) | IC chip mounting system and IC chip mounting method | |
US6481616B2 (en) | Bump bonding device and bump bonding method | |
JP3251893B2 (en) | Ball transfer device | |
US20050196901A1 (en) | Device mounting method and device transport apparatus | |
JP3789741B2 (en) | Substrate transport jig | |
JP2003124253A (en) | Bare chip mounting method and mounting system | |
US6872596B2 (en) | Method of transferring semiconductor chips | |
US6521478B2 (en) | Method for manufacturing a low-profile semiconductor device | |
KR100709129B1 (en) | Method for manufacturing flip chip package | |
JPH08139096A (en) | Electronic component, mounting of electronic component and electronic component mounting device | |
US6476461B2 (en) | Arrangement of stacked, spherically-shaped semiconductors | |
US6683371B2 (en) | Methods of and apparatus for manufacturing ball grid array semiconductor device packages | |
KR20120054758A (en) | Die transferring device for tcncp | |
JPH06310569A (en) | Face-down bonding method of semiconductor element | |
JP3925252B2 (en) | Electronic component mounting method | |
US20020050059A1 (en) | Chip feed device and method of feeding semiconductor chips | |
JP2002261195A (en) | Method for forming semiconductor device and equipment for mounting ball | |
KR100572515B1 (en) | Ball grid array package and method of attaching solder balls to a ball grid array package | |
JP2000077437A (en) | Electronic component bonding device and bonding of the electronic component | |
JP3610888B2 (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING DEVICE, CIRCUIT BOARD AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP2005203413A (en) | Electronic component, electronic component holding method and board with mounted components | |
JPH1154554A (en) | Processing method for mounting electronic part on substrate | |
KR100293415B1 (en) | A Soldering Machine for Semiconductor Package System | |
JPH0661310A (en) | Lead, tab tape, manufacture of tab tape, method of joining lead and object to be joined, method of joining tab tape and semiconductor chip, and device thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050628 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050927 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051010 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091028 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101028 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101028 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111028 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131028 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |