JP2000155946A

JP2000155946A - 記録方法

Info

Publication number: JP2000155946A
Application number: JP11226038A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Sakagami; 嘉孝坂上; Eiji Ono; 鋭二大野; Kenichi Nishiuchi; 健一西内
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-10-09
Filing date: 1999-08-10
Publication date: 2000-06-06
Also published as: DE69618680D1; US5745467A; CN1250211A; DE69614005D1; EP1018727B1; EP0991059A1; CN1137473C; TW359812B; DE69618681T2; EP0797193A4; EP1020850B1; DE69618034T2; CN1128442C; KR100456957B1; EP0991058B1; EP0991059B1; CN1250210A; WO1997014143A1; KR980700643A; DE69614005T2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来記録の際、マーク後端が急激に冷却され
ていたため、マーク後端部が大きくなりオーバーライト
後の再生ジッタが悪い。【解決手段】記録マークは、第１パワーと第１パワー
よりも小さい第２パワーとの間で変調した光を記録パル
ス列として照射することにより形成され、記録パルス列
の始端部分と終端部分では、第１パワーで光が照射さ
れ、記録パルス列の始端パルスと終端パルスとの間で
は、第１のパワーの光と第２パワーの光とが交互に照射
され、記録パルス列が照射された直後に、第１パワーよ
りも低いバイアスパワーよりもさらに低い冷却パワーの
光を照射し、記録マークの長さおよび連続して形成され
る記録マーク相互の間隔に応じて、記録パルス列の始端
部分と終端部分の位置を変化させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光線等の光
学的手段を用いて情報を高速かつ高密度に記録・再生す
る光ディスクの記録方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光線を利用して高密度な情報の再
生あるいは記録を行う技術は公知であり、おもに光ディ
スクとして実用化されている。

【０００３】光ディスクは、再生専用型、追記型、書き
換え型に大別することができる。

【０００４】再生専用型は、例えばコンパクトディスク
やレーザディスクとして、また追記型や書き換え型は文
書ファイル、データファイル等として実用化されてい
る。

【０００５】更に、書き換え型光ディスクの中には、お
もに光磁気と相変化型がある。

【０００６】相変化光ディスクは、記録層がレーザ光線
等の照射によって、例えばアモルファスと結晶間、ある
いは結晶とさらに異なる構造の結晶間の何れか等で、可
逆的に状態変化を起こすことを利用する。これは、レー
ザ光照射により、薄膜の屈折率あるいは消衰係数のうち
少なくとも何れか一つが変化して記録を行い、この部分
で透過光あるいは反射光の振幅が変化し、その結果検出
系に至る透過光量あるいは反射光量が変化することを検
出して信号を再生する。なお、アモルファスと結晶間で
状態変化を起こす代表的な材料としては、Ｔｅ、Ｓｅ、
Ｉｎ、Ｓｂ等の合金が主に用いられている。

【０００７】また、相変化光ディスクでは、記録マーク
の書き換えに１ビームオーバーライトを用いることがで
きる。１ビームオーバーライトとは、記録信号によりレ
ーザパワーを記録パワーと、当該記録パワーよりも低い
パワーのバイアスパワー（消去パワーとも称される）の
間で変調して信号トラック上に照射することにより、既
に記録されている古い信号を消去しながら新しい信号を
記録する方法である。オーバーライト自体では記録パワ
ーレベルとバイアスパワーレベルの２レベルで済むが、
記録・消去・再生を考慮すると、記録パワーレベル、バ
イアスパワーレベル及び再生パワーレベルの３レベルが
必要である。

【０００８】例えば結晶・アモルファス間の相変化光デ
ィスクでは、記録レベルで照射された領域は、元の状態
がアモルファスか結晶かに関わらず、溶融後急速に冷却
されるためアモルファスとなり、消去レベルで照射され
た領域は、結晶化温度以上に昇温するため、元の状態に
関わらず結晶化して、新しい信号がオーバーライトされ
る。

【０００９】一方、光ディスクの記録再生装置では、光
ディスクの回転方式は大別して２つある。ディスクの内
外周で線速度が同じになるようにディスクを回転させる
方法（以下ＣＬＶ）と、ディスクを一定の角速度で回転
させる方法（以下ＣＡＶ）である。

【００１０】例えば、コンピューター用の外部メモリ等
に用いられるデータファイルの様に高速なアクセスが必
要とされる場合には、ディスク回転数を変えるには時間
がかかるためＣＡＶが使用されており、この場合、ディ
スクの周方向の線速度が外周で速く内周で遅くなる。

【００１１】又、記録変調方式には、マーク間（マーク
ポジションとも称される）変調とマーク長（マークエッ
ジとも称される）変調の２種類がある。

【００１２】マーク間変調記録は、マーク間隔を変化さ
せて記録し、再生時にはマークの位置を検出して信号検
出するものである。

【００１３】マーク長変調記録は、種々の長さのマーク
を種々のマーク間隔で記録し、再生時にはマークの両端
の位置を検出して信号を検出するものである。マーク長
変調方式は、マーク間変調方式に比べて原理的に２倍の
高密度化が可能である。

【００１４】相変化光ディスク上へのレーザ記録は、原
理的にはヒートモードによるものであり、従って長いマ
ークを記録する場合には、蓄熱効果によってマークの先
端より終端が太くなってマークが涙状に歪み、結果とし
て再生波形も歪みマークの両端の位置がずれてしまう。

【００１５】そこで、上述のマーク長変調方式において
は、一つの記録マークを形成するための記録波形を、複
数のパルスからなる記録パルス列で構成（マルチパルス
記録とも称される）する記録方法が提案されている（例
えば、特開平３ー１８５６２８号公報）。これにより、
単パルスにより記録する方法に比べて記録膜が受ける熱
が制御でき、マーク形状が単パルスの場合のようにマー
クの始終端で非対称にならず良好なマーク形状となる。

【００１６】しかし、上記のようなマルチパルス記録方
式でも、高密度化の要請のためにマーク間隔を狭くする
と、マーク間で熱干渉を起こしてマークの長さや形状が
変化する。

【００１７】これを改善する方法として、例えば特開平
７−１２９９５９号公報が提案されている。当該公報で
は、熱干渉量を予め予測し、前記マルチパルス記録にお
いて記録マーク長およびマーク間隔によって記録パルス
列の始端部分と終端部分の位置を変化させ、マーク間の
熱干渉を抑制し、信号特性を良好にするというものであ
る。

【００１８】また、１ビームオーバーライトにおいて記
録パルスを記録パワー、バイアスパワー、および記録パ
ワーの直後に設けたバイアスパワーより低いパワーの３
段階に変調する記録方法が提案されている（例えば、特
開昭６３−１１３９３８号公報）。

【００１９】さらに、マルチパルス記録方式にバイアス
パワーより低いパワーでのレーザ光照射を付加した記録
方法も提案されている（例えば、特開平６−２９５４４
０号公報）。

【００２０】また、マーク間隔によって、冷却パワーで
の照射時間（以下、冷却パワー照射時間）を変化させる
という記録方法が提案されている（特願平５ー８０４９
１）。

【００２１】書き換え可能な相変化材料を用いた光ディ
スク等のいわゆる光ディスクに、例えば半導体レーザー
等の光源により光を照射し、物理的状態変化を生じさせ
信号を記録する場合、光源の光に起因した熱よって、記
録層の温度は数百度にまで達し、記録薄膜は溶融され
る。

【００２２】従って、書き換え回数を重ねるすなわち多
サイクルすることにより、熱ダメージによる信号劣化が
生じる。

【００２３】信号劣化の原因としては、誘電体層や記録
層の破壊と、記録層の物質流動と呼ばれる現象がある。
物質流動とは、記録時に記録層およびその周辺が高温と
なるため、多サイクルすることにより記録層物質がトラ
ック方向に移動し、同一トラック上に記録膜の薄いとこ
ろと厚いところが生じる現象であり、その結果として信
号の再生波形が潰れてしまい、当該部分では信号が再生
できなくなる。何れにしても、多サイクルによる信号劣
化が大きい場合には、それによって光ディスクの用途が
限定されてしまう。

【００２４】また、光ディスク装置で半導体レーザーに
より光を照射して物理的状態変化を生じさせる場合、例
えば書き換え可能な相変化材料を用いた光ディスクにお
いて信号を記録する場合、レーザ光によって加熱された
記録層の冷え方によって記録マーク形状が変化する。

【００２５】すなわち、熱がこもった様な場合には、一
度溶融された記録層がアモルファス化せず結晶化してし
まう。その結果として、記録マークが小さくなったり、
あるいは記録マークの形状が歪んだりし、再生信号品質
が悪化する。

【００２６】そして、従来の様な冷却パルスを採用した
場合、マーク後端部での熱のこもりが低減されてアモル
ファス化は容易になるが、場合によっては後端部で冷却
速度が大きくなりすぎることに起因して、アモルファス
領域がマーク先端部より大きくなることがある。

【００２７】さらに、冷却パワーやその照射時間の条件
によっては、オーバライト特性が悪化する場合がある。
この原因は、記録マークが後端で横方向に大きくなりす
ぎるため、かえってマーク歪となったり、あるいはオー
バライトにより消し残りが発生するためと考えられる。

【００２８】更なる高密度な記録を考えた場合には、マ
ークの前端部と後端部との対称性が充分でないために、
オーバーライト後の再生ジッタが大きく、再生信号品質
としては充分ではなかった。

【００２９】また、マーク間変調記録では冷却パルスを
付加することにより、マークを大きく形成し、Ｃ／Ｎを
大きくし良好な信号品質を実現できる。ここでＣ／Ｎと
はｃａｒｒｉｅｒｌｅｖｅｌとｎｏｉｚｅｌｅｖｅ
ｌの比をとったものである。

【００３０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、冷却パ
ワーの条件によっては、オーバライト特性が悪化する場
合がある。この原因は、記録マークが横方向に大きくな
りすぎるため、オーバライトにより消し残りが発生する
ため等が考えられる。

【００３１】本発明は、マーク後端部での熱の冷却条件
を細かく制御し、記録マークを所望の形状に形成し、再
生信号品質が更に向上可能で、また熱によるダメージを
緩和し、良好なサイクル特性を得ることが可能な記録方
法を提供するものである。

【００３２】

【課題を解決するための手段】本発明の記録方法は、レ
ーザ光の照射により光学記録媒体に記録マークを形成し
て情報の記録をおこなう記録方法であって、記録マーク
は、第１のパワーと前記第１のパワーよりも小さい第２
のパワーとの間で変調したレーザ光を記録パルス列とし
て照射することにより形成され、前記記録パルス列の始
端部分と終端部分では、前記第１のパワーでレーザ光が
照射され、前記記録パルス列の始端パルスと終端パルス
との間では、前記第１のパワーのレーザ光と前記第２の
パワーのレーザ光とが交互に照射され、前記記録パルス
列が照射された直後に、前記第１のパワーよりも低いバ
イアスパワーよりもさらに低い冷却パワーのレーザ光を
照射し、記録マークの長さおよび連続して形成される記
録マーク相互の間隔に応じて、前記記録パルス列の前記
始端部分と前記終端部分の位置を変化させることを特徴
とする記録方法である。

【００３３】また、本発明の記録方法は、前記記録パル
ス列の前記始端パルスと前記終端パルスとの間では、前
記第１のパワーのレーザ光と前記第２のパワーのレーザ
光とが、データクロックの１周期以下の周期で交互に切
り替えて照射されることを特徴とする、上記記録方法で
ある。

【００３４】

【発明の実施の形態】本発明の記録方法はマーク長変調
記録において、（Ａ）記録パルス列と冷却パワーでのレーザ光の照射開
始までにバイアスパワーでのレーザ光照射を行う。

【００３５】（Ｂ）記録マーク長に応じて冷却パワー照
射時間あるいは冷却パワーでのレーザ光照射開始時間を
変化させる。

【００３６】（Ｃ）記録マーク長が予め決められたもの
より短い場合にのみ、冷却パワー照射時間あるいは冷却
パワーでのレーザ光照射開始時間を変化させる。

【００３７】（Ｄ）記録マーク長が予め決められたもの
より短い場合にのみ、一定の冷却パワー照射時間および
冷却パワー開始時間の冷却パルスを付加する。

【００３８】（Ｅ）光ディスクを角速度一定で回転させ
る時、ディスク内周部において予め決められたマーク長
さ以下のマークを記録する時のみ、冷却パルスを付加す
る。

【００３９】（Ｆ）光ディスクを角速度一定で回転させ
る時、ディスクの半径に応じて冷却パワー照射時間、冷
却パワー開始時間を変化させる。

【００４０】また、本発明の記録方法は、マーク間変調
記録において、（Ｇ）記録パワーと冷却パワーでのレー
ザ光の照射開始までにバイアスパワーでのレーザ光照射
を行う。

【００４１】（Ｈ）光ディスクを角速度一定で回転させ
る時、ディスクの半径に応じて冷却パワー開始時間を変
化させる。の何れかの構成としたものであるため、マー
ク前端部・後端部での形状の非対称性を抑制し、記録マ
ークを所望の形状に形成し、良好な再生信号品質が実現
できる。

【００４２】そして、本発明の記録方法は、マーク長変
調記録において、記録パルス列が始端パルスと終端パル
スと始端・終端パルス間のデータクロックの１周期以下
の周期で交互に切り換わるパルスからなる場合に、
（Ｉ）前記記録パルス列の終端パルス後に冷却パワーで
のレーザ光照射を行う、（Ｊ）前記記録パルス列の終端
パルスと冷却パワーでのレーザ光の照射開始までにバイ
アスパワーでの照射を行う、また、マーク長変調記録に
おいて、記録パルス列が始端パルスと終端パルスと始端
・終端パルス間のデータクロックの１周期以下の周期で
交互に切り換わるパルスからなり、始端パルスと終端パ
ルスの位置がそれぞれマーク長およびマーク間隔に応じ
て変化する場合に、（Ｋ）冷却パワーでのレーザ光照射
時間は一定で、記録パルス列の始端パルスや終端パルス
の位置によらず、冷却パワーでのレーザ光照射開始まで
の時間が、記録パルス列の終端パルスから一定、または
冷却パワーでのレーザ光照射開始のタイミングがクロッ
クに基づく、の何れかの構成としたものであるため、始
端パルスと終端パルスの位置を変動させることで、記録
マーク間の熱干渉によるマーク長変動が抑制されるた
め、高密度記録が可能であると同時に、バイアスレベル
の一部を冷却パワーとすることで、記録薄膜の記録時の
トータルエネルギーが低減でき、多サイクルした場合の
熱的ダメージによる信号劣化を軽減し良好なサイクル特
性も実現できる。

【００４３】また、本発明の記録装置は、データのＨｉ
期間の始端位置に一定幅の始端パルスを発生する始端パ
ルス発生回路と、データのＨｉ期間が長い場合はマーク
の中間位置にバーストゲート信号を発生し、データのＨ
ｉ期間が短い場合はバーストゲート信号を発生しないバ
ーストゲート発生回路と、データのＨｉ期間の終端位置
に一定幅の終端パルスを発生する終端パルス発生回路
と、データのＨｉ期間がｎクロックの時、前記始端パル
スと終端パルスを含むｎＴマーク信号を発生し、データ
のＬｏ期間がｍクロックの時、スペース両端の前記終端
パルスと始端パルスを含むｍＴスペース信号を発生する
マーク／スペース長検出回路（ただし、ｎ，ｍはデータ
列に存在する自然数）と、前記ｎＴマーク信号とｍＴス
ペース信号とから後述の始端用セレクタおよび終端用セ
レクタを制御するためのセレクト信号を発生するエンコ
ーダと、後述の終端用プログラマブルディレイラインか
らの遅延終端パルスから一定幅の冷却パルスを発生する
冷却パルス発生回路と、前記セレクタ信号により複数の
始端設定値から一つを選択して出力する始端用セレクタ
と、前記始端用セレクタの始端設定値出力を前記始端パ
ルスがきた時だけ更新し、こないときは前の値を保持す
る始端用サンプル／ホールド回路と、前記始端用サンプ
ル／ホールド回路の出力の始端設定値で遅延量を変化さ
せて、前記始端パルスを遅延させた遅延始端パルスを出
力する始端用プログラマブルディレイラインと、冷却パ
ルス発生回路から出力される冷却パルスの遅延量を変化
させて遅延冷却パルスを出力する冷却パルス用ディレイ
ラインと、前記セレクタ信号により複数の終端設定値か
ら一つを選択して出力する終端用セレクタと、前記終端
用セレクタの終端設定値出力を前記終端パルスがきたと
きだけ更新し、こないときは前の値を保持する終端用サ
ンプル／ホールド回路と、前記終端用サンプル／ホール
ド回路の出力の終端設定値で遅延量を変化させて、前記
終端パルスを遅延させて、前記終端パルスを遅延させた
遅延終端パルスを出力する終端用プログラマブルディレ
イラインと、を備え、（Ｌ）この冷却パルス発生回路
に、終端用プログラマブルディレイラインからの遅延終
端パルスを入力することにより、冷却パルスを発生させ
る、（Ｍ）この冷却パルス発生回路に、終端パルス発生
回路からの終端パルスを入力することにより、冷却パル
スを発生させる、構成としたものであり、上記記録方法
と同様の作用により、記録薄膜の記録時のトータルエネ
ルギーを低減でき、多サイクル記録した場合の熱的ダメ
ージによる信号劣化を軽減し、良好なサイクル特性を有
する装置を提供できる。

【００４４】さらに、本発明の記録方法は、マーク長変
調記録する場合に、（Ｎ）１つの記録マークを形成する
ための記録パルス列後に、バイアスパワーより小さいパ
ワーを含む少なくとも２つ以上の異なったパワーでレー
ザ光を照射する冷却パルスとしてのマーク後端補正パル
ス列を設ける、（Ｏ）記録パルス列でのレーザ光照射
後、連続的にバイアスパワーより小さいパワーまでパワ
ーが変化する期間を有する冷却パルスとしてのマーク後
端補正パルス列を設ける、（Ｐ）記録パルス列後、冷却
パルスとしてのマーク後端補正パルス列までの間にバイ
アスパワーでのレーザ光照射を行う、（Ｑ）記録するマ
ーク長に応じて、冷却パルスとしてのマーク後端補正パ
ルス列開始時間または、冷却パルスとしてのマーク後端
補正パルス列のパルス形状を変化させる、（Ｒ）光ディ
スクを角速度一定で回転させる時、ディスクの半径方向
の位置に応じて、前記２つのマーク後端補正パルス列開
始時間または、マーク後端補正パルス列のパルス形状を
変化させる、の何れかの構成としたものであるため、マ
ーク前端部・後端部での形状の非対称性を抑制し、記録
マークを所望の形状に形成し、良好な再生信号品質が実
現できる。

【００４５】以下、図面を用いて本発明の具体的実施の
形態を挙げ、本発明をより詳細に説明する。

【００４６】図２を用いて本実施の形態で用いたディス
クの構造について説明する。誘電体層、記録層、反射層
は真空蒸着またはスパッタリングなどの通常の薄膜形成
方法で、透明基板５１上に形成する。基板５１上に、第
１の誘電体５２、記録層５３、第２の誘電体層５４、反
射層５５を順次設ける。さらにその上に、密着した保護
層５６を設ける。また、光ディスクとしては、反射層５
５や保護層５６のない構造の光ディスクでも適用可能で
ある。記録、再生を行うレーザー光は基板５１側から入
射させる。

【００４７】基板５１の材質は、ガラス、石英、ポリカ
ーボネート、あるいは、ポリメチルメタクリレートを使
用できる。また、基板は平滑な平板でも表面にトラッキ
ングガイド用の溝状の凸凹があるものでもよい。

【００４８】保護層５６としては、樹脂を溶剤に溶かし
て塗布・乾燥したものや、樹脂板を接着剤で接着したも
の等が使える。

【００４９】記録層５３に用いる記録層材料としては、
アモルファス・結晶間の相変化をするカルコゲン合金が
よく知られており、例えばＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅ
系、ＧｅＳｂＴｅＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅＰｄ系、ＴｅＧ
ｅＳｎＡｕ系、ＡｇＳｂＴｅ系、ＧｅＴｅ系、ＧａＳｂ
系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳ
ｂＳｅ系、ＩｎＳｂＴｅＡｇ系等、例えば上記系統の合
金の相変化特性または光学特性に影響を及ぼさない範囲
で他の元素を含む合金等が使える。

【００５０】誘電体層５２、５４としてはＳｉＯ₂、Ｓ
ｉＯ、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ｔａ₂Ｏ₅、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇｅ
Ｏ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ等あるいはこれらの混合物が使
える。

【００５１】反射層５５としてはＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等の金属材料を主成分とした材料、ある
いはこれらの混合物、さらには所定の波長における反射
率の大きな誘電体多層膜等が使える。

【００５２】上記材料の内、後述の本実施の形態で用い
たディスクは、φ１３０ｍｍのポリカーボネート製信号
記録用トラックを持つ基板を用い、基板上に第１の誘電
体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合膜を厚さ１３００Åス
パッタリングにより形成した。

【００５３】また、後述の実施の形態１、２で用いたデ
ィスクの記録層組成はＧｅ₂₂Ｓｂ₂₄Ｔｅ₅₄、また、実施
の形態３〜１８で用いたディスクの記録層組成はＧｅ₂₁
Ｓｂ ₂₆Ｔｅ₅₃とし、記録層を２５０Å、第２の誘電体層
としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合膜を厚さ２００Å形成し
た。反射層はＡｌ膜を１５００Åスパッタリングにより
成膜を行った。そしてその上にポリカーボネートの保護
層を設けた。

【００５４】ここで、後述するすべての本実施の形態で
用いた光ディスク装置について、図３を用いて説明す
る。光ディスク６１は、スピンドルモータ６２に取り付
けられ回転可能である。光学ヘッド６３は半導体レーザ
を光源とし、コリメータレンズ、対物レンズ等により光
ディスク上にレーザスポットを形成する。

【００５５】半導体レーザはレーザ駆動回路６４により
駆動されるが、信号を記録する場合には、入力信号は波
形補正回路６５により波形補正されたのち、レーザ駆動
回路６４へ入力される。

【００５６】一般に、波形補正回路を複雑なものにする
ことはコストの面からも望まれるものではなく、それ故
に波形補正に関してもできるだけ簡素なパターン、例え
ば全てのマーク長それぞれに対して記録波形を変化する
のではなく、予め決められたマーク長についてのみ記録
波形を変化するという方がよいと考えられる。

【００５７】実施の形態で用いた具体的な記録パルス列
の一形状を図４に示す。但し、図４の記録パルス列Ａ〜
Ｄにはマーク長変調記録において、６Ｔマークを記録す
る場合の代表的な記録パルス列パターンを示す。

【００５８】なお、本実施の形態のマーク長変調記録に
おいては、すべて、レーザ光の第１のパワーを記録パワ
ー、第２のパワーをバイアスパワー、冷却パワーや冷却
パルスとしてのマーク後端補正パルス列の最低パワーを
再生パワーとして行った結果をしめす。この様に第１の
パワーを記録パワー、第２のパワーをバイアスパワー及
び最低パワーを再生パワーとすると、特に波形補正回路
の構成が簡略化できるため好ましいが、本発明に適用す
るレ−ザ光のパワーはこれに限定されるものではなく、
第１のパワーは記録パワー以上、第２のパワーは少なく
とも第１のパワーよりも低いパワー、最低パワーを第２
のパワーまたはバイアスパワーの何れかより低いパワー
であれば自由に設定できること勿論である。

【００５９】図４において、記録パルス列Ａは、記録マ
ークを形成するために、レーザ光第１のパワー１．５Ｔ
からなる始端パルスと、第１と第２のパワーを０．５Ｔ
の周期で交互に切り換えたパルスより構成された記録パ
ルス列である。ここでいうＴとはクロックのことであ
る。

【００６０】記録パルス列Ｂは、記録マークを形成する
ために、レーザ光第１のパワー１．０Ｔからなる始端パ
ルスと、第１のパワーと第２のパワーを０．５Ｔの周期
で交互に切り換えたパルスと、第１のパワー１．０Ｔか
らなる終端パルスより構成された記録パルス列である。

【００６１】記録パルス列Ｃは、記録パルス列Ｂと同じ
パルス構成であり、かつ記録するマーク長および前後の
マーク間隔により、記録パルス列の始端パルスと終端パ
ルスの位置が変化するものである。

【００６２】記録パルス列Ｄは、記録マークを形成する
ために、レーザ光第１のパワーと第２のパワーを０．５
Ｔ周期で交互に切り換えたパルスより構成された記録パ
ルス列である。

【００６３】なお、本発明に適応する記録パルス列のパ
ルス幅（始端パルス幅、終端パルス幅、始端・終端パル
ス間のパルスの幅、記録パルス列Ｄの場合の記録パルス
列のパルス幅等）は、図４に示したものに限定されるも
のではなく、自由に設定できることはもちろんである。

【００６４】また、本実施の形態で、マーク間変調記録
で冷却パルスを付加した場合に採用した具体的な記録波
形の一形状を図５に示す。

【００６５】入力波形Ａは（２、７）変調方式の一例で
ある。この場合のマーク幅は０．５Ｔである。ここでは
マーク間隔を２．０Ｔ、３．５Ｔ、１．５Ｔとした場合
を示してある。

【００６６】記録波形Ｅは入力波形Ａを記録する場合で
あり、記録パルス幅は０．２５Ｔである。

【００６７】記録波形Ｆは入力波形Ａを記録する場合で
あり、記録パワー照射直後に冷却パワーレベルを照射し
たものである。記録パルス幅は０．２５Ｔで冷却パワー
照射時間は０．２５Ｔである。

【００６８】記録波形Ｇは入力波形Ａを記録する場合で
あり、記録パワーレベル照射後にバイアスパワーレベル
での照射を行い、その後、冷却パワーレベルでの照射を
行ったものである。記録パルス幅は０．２５Ｔで、冷却
パワー照射時間は０．２５Ｔ、冷却パワー開始時間は
０．２５Ｔである。

【００６９】また、本実施の形態でマーク長変調記録で
冷却パルスを付加した場合に採用した具体的な記録波形
の一形状を図１に示す。図１では、図４の記録パルス列
Ａをもちいた場合について示す。

【００７０】入力波形ＢはＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔｔｏ
ＦｏｕｒｔｅｅｎＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ）信号の入力
波形の一例である。ＥＦＭ変調は、３Ｔから１１Ｔの間
の９種類の長さの信号の組合せによってデータを変調す
るもので、ここでいうＴとはクロックのことである。

【００７１】記録波形Ｈは入力波形Ｂを記録する場合で
あり、冷却パルスを付加しない場合である。

【００７２】記録波形Ｉは入力波形Ｂを記録する場合に
冷却パルスを付加した記録波形であり、直前の記録マー
ク長によらず、冷却パワー照射時間を０．５Ｔ、冷却パ
ワー開始時間を０と一定にして付加したものである。

【００７３】記録波形Ｊは入力波形Ｂを記録する場合に
冷却パルスを付加した記録波形であり、直前の記録マー
ク長によらず冷却パワー照射時間を０．５Ｔ、冷却パワ
ー開始時間を０．２５Ｔと一定にして付加したものであ
る。

【００７４】以下、具体的実施の形態をもって本発明を
さらに詳細に説明する。

【００７５】（実施の形態１）本実施の形態ではマーク
間変調で、記録パワーと冷却パワーとのレーザ光照射の
間に、バイアスパワーでのレーザ光照射を行った場合に
ついて説明する。

【００７６】光ディスクの評価条件は、レーザー光の波
長が６８０ｎｍ、記録装置の記録再生に用いる光学ヘッ
ドの対物レンズのＮＡを０．５５、（２、７）変調を最
短マークピッチが２．１μｍとなるようにクロックＴを
設定し、１ビームオーバーライトにより１００回記録
し、再生信号を微分しピーク検出を行い、その検出信号
のジッタ値：σsum／Ｔｗ（％）を測定した。ここでσ
はジッタの標準偏差、Ｔｗは検出系のウインドウ幅であ
る。線速度は、６．０ｍ／ｓである。

【００７７】このディスクについて、信号の記録は、マ
ークピッチが２．１μｍとなる単一周波数を記録したと
き、Ｃ／Ｎが飽和する記録パワーと、その信号をマーク
ピッチが５．６μｍとなる信号でオーバライトした場合
に消去率がー２０ｄＢを越えるパワーマージンとの中央
値のパワーを設定した。

【００７８】本実施の形態で用いた記録波形とジッタを
それぞれ（表１）、（表２）に示す。

【００７９】

【表１】

【００８０】

【表２】

【００８１】（表１）の記録波形１−１は、図５の記録
波形Ｅのように冷却パルスを付加しない場合である。記
録波形１−２は、図５の記録波形Ｆのように冷却パルス
を記録パワーでのレーザ光照射直後に付加した場合であ
る。但し、その時の冷却パワー照射時間は０．２５Ｔで
ある。また、記録波形１−３は、図５の記録波形Ｇのよ
うに記録パワーでの照射後バイアスパワーでの照射を行
い、その後、冷却パワーでの照射をおこなう場合であ
る。但し、その時の冷却パワー照射時間を０．２５Ｔと
し、冷却パワー開始時間を記録パワーでの照射終了後
０．２０Ｔ遅らせた場合である。

【００８２】（表２）から、記録波形１−１の場合は、
他の記録波形に比べてジッタが悪くなっている。記録波
形１−２の場合は、記録波形１−１に比べるとジッタが
改善されているが、記録波形１−３と比べると悪い。す
なわち、本発明による冷却パワー開始時間を遅らせた記
録波形１−３の場合は、他の記録波形に比べてジッタが
改善される。

【００８３】以上のように、マーク間変調で冷却パルス
の開始を遅らせることにより、ジッタの小さい記録が可
能となる。

【００８４】なお、本実施の形態では、冷却パワーの一
例として再生パワーの場合を取り上げたが、冷却パワー
がバイアスパワーとレーザオフレベルとの間の場合につ
いても同様な結果が得られた。

【００８５】（実施の形態２）本実施の形態では、光デ
ィスクを角速度一定で回転させ、マーク間変調で記録し
た時、冷却パワー開始時間をディスクの半径に応じて変
化させた場合について説明する。

【００８６】評価条件は、ディスクの回転数１５００ｒ
ｐｍと一定で、（２、７）変調信号を最短マークピッチ
が常に２．１μｍとなるようにクロックＴを変えて、１
ビームオーバーライトにより１００回記録し、ジッタ：
σsum／Ｔｗ（％）を半径２３、３０、３７、４３、５
０、５７ｍｍの位置で測定した。ここでσはジッタの標
準偏差、Ｔｗは検出系のウインドウ幅である。また、こ
の半径でのそれぞれの線速度は、約３．６、４．７、
５．８、６．８、７．９、９．０ｍ／ｓである。なお、
ディスクおよびその他の測定条件は実施の形態１と同じ
である。

【００８７】本実施の形態で用いた記録波形とジッタを
それぞれ（表３）、（表４）に示す。

【００８８】

【表３】

【００８９】

【表４】

【００９０】（表３）の記録波形２−１は、図５の記録
波形Ｅのように冷却パルスを付加しない場合である。記
録波形２−２は、図５の記録波形Ｆのように冷却パワー
でのレーザ光照射を記録パワーでのレーザ光照射後に行
う場合である。但し、その時の冷却パワー照射時間は
０．３０Ｔである。また、記録波形２−３は、図５の記
録波形Ｇのように記録パワーでの照射後、バイアスパワ
ーでの照射を行い、その後冷却パワーでの照射を行う場
合である。但し、その時の冷却パワー照射時間は０．３
０Ｔ、冷却パワー開始時間は記録パワーでの照射終了後
０．１０Ｔ後である。

【００９１】（表４）から、記録波形２−１の場合は、
他の記録波形に比べてジッタがディスクの内外周で悪化
している。記録波形２−２を用いた場合には、ディスク
内周部で他の記録波形に比べてジッタが改善されてい
る。また、記録波形２−３を用いた場合には、ディスク
内周部で記録波形２−２よりジッタが悪化している。し
かし、ディスク外周部では他の記録波形よりジッタが改
善している。

【００９２】以上のことから、本発明のように、ディス
ク内周部では例えば記録波形２−２を適用し、ディスク
外周部では例えば記録波形２−３を適用するという様
に、ディスク内周部で冷却パワー開始時間を早めた記録
波形を用いることにより、再生ジッタの良好な記録が可
能となる。

【００９３】以上のように光ディスクを角速度一定で回
転させる場合、ディスク内周部において冷却パワー開始
時間を早くすることにより、ディスク全周でジッタの小
さい記録が可能となる。

【００９４】なお、本実施の形態では実施の形態１と同
様に冷却パワーが再生パワーの場合についての結果であ
るが、冷却パワーがバイアスパワーとレーザオフレベル
の間の場合についても同様な結果が得られることは勿論
である。

【００９５】（実施の形態３）本実施の形態では、マー
ク長変調で、記録パワーと冷却パワーとのレーザ光照射
の間に、バイアスパワーでのレーザ光照射を行った場合
について説明する。

【００９６】光ディスクの評価条件は、レーザー光の波
長が６８０ｎｍ、記録装置の記録再生に用いる光学ヘッ
ドの対物レンズのＮＡを０．５５とし、８−１４変調
（ＥＦＭ）された入力信号を最短マーク長が０．９０μ
ｍとなるようにクロックＴを設定し、１ビームオーバー
ライトにより１００回記録した時の３Ｔから１１Ｔまで
の再生信号のゼロクロス点のジッタ値：σsum／Ｔｗ
（％）を測定した。ここでσsumは３Ｔから１１Ｔまで
のジッタの総和の標準偏差、Ｔｗは検出系のウインドウ
幅である。線速度は、４．０ｍ／ｓである。

【００９７】このディスクにおいて、信号の記録は、記
録マーク長が０．９μｍとなる単一周波数を記録したと
き、Ｃ／Ｎが飽和する記録パワーを記録パワーとし、そ
の３Ｔマークの信号を、１１Ｔ相当の単一周波数でオー
バーライトした場合に、消去率がー２０ｄＢを越えるパ
ワーマージンの中央値のパワーを設定し、バイアスパワ
ーとした。

【００９８】本実施の形態で用いた記録波形とジッタを
それぞれ（表５）、（表６）に示す。

【００９９】

【表５】

【０１００】

【表６】

【０１０１】（表５）では、３Ｔ〜１１Ｔまでの各マー
ク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と冷
却パワー開始時間とを、３種類の記録波形毎に示してあ
る。

【０１０２】本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａ
を用いた。

【０１０３】（表５）の記録波形３−１は、図１の記録
波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。記
録波形３−２は、図１の記録波形Ｉのように記録パルス
列直後に冷却パワーでのレーザ光照射を行う場合であ
る。但し、その時の冷却パワー照射時間は、マーク長３
Ｔ〜１１Ｔによらず０．５Ｔと一定とし、冷却パワー開
始時間は０とした場合である。また、記録波形３−３
は、図１の記録波形Ｊのように記録パルス列直後にバイ
アスパワーでの照射を行い、その後冷却パワーでの照射
を行う場合である。但し、その時の冷却パワー照射時
間、冷却パワー開始時間は、マーク長によらずそれぞれ
０．５Ｔと０．２Ｔである。

【０１０４】（表６）から、記録波形３−１の場合に
は、他の記録波形に比べてジッタが悪くなっている。記
録波形３−２を用いた場合には、記録波形３−１に比べ
てジッタが改善されている。一方、本願発明による冷却
パワー開始時間を遅らせた記録波形３−３の場合には、
マーク前端部・後端部での対称性がより良好に制御され
ているため、他の記録波形に比べてジッタが小さくなっ
ている。

【０１０５】以上のように、記録パワーと冷却パワーと
のレーザ光照射の間に、バイアスパワーでのレーザ光照
射を入れることにより、ジッタの小さい記録が可能とな
る。

【０１０６】なお、本実施の形態では冷却パワーを再生
光パワーの場合について示したが、冷却パワーが０から
バイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果
が得られた。

【０１０７】また、本実施の形態では記録パルス列の第
２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、
第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な
結果が得られた。

【０１０８】また、本実施の形態では記録パルス列とし
て図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４
の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得ら
れた。

【０１０９】（実施の形態４）本実施の形態では、冷却
パワー照射時間のみを記録マーク長によって変化させた
場合について説明する。

【０１１０】ぞれぞれの記録波形とジッタをそれぞれ
（表７）、（表８）に示す。なお、測定条件は実施の形
態３と同じである。

【０１１１】（表７）では、３Ｔ〜１１Ｔまでの各マー
ク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と冷
却パワー開始時間とを、４種類の記録波形毎に示してあ
る。

【０１１２】本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａ
を用いた。

【０１１３】（表７）の記録波形４−１は、図１の記録
波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。記
録波形４−２は、図１の記録波形Ｉのように冷却パワー
照射時間をマーク長によらず０．１０Ｔと一定とし、そ
の冷却パワー照射開始を記録パルス列直後とした場合で
ある。また、記録波形４−３は、図１の記録波形Ｉのよ
うに記録パルス列直後に冷却パワーでの照射を行う場合
である。但し、その時の冷却パワー照射時間は、記録波
形４−２より長く０．５０Ｔとした場合である。さら
に、記録波形４−４は、図１の記録波形Ｉのように記録
パルス列直後に冷却パワーでの照射を行うものであり、
その冷却パワー照射時間はマーク長が短いほど長くした
場合である。

【０１１４】

【表７】

【０１１５】

【表８】

【０１１６】（表７）から、記録波形４−１の場合に
は、他の記録波形に比べてジッタが悪くなっている。記
録波形４−２、４−３を用いた場合には、ジッタは記録
波形４−１よりは改善されているものの、記録波形４−
４に比べると悪い値である。

【０１１７】一方、本願発明による記録マーク長が短い
ほど冷却パワー照射時間を長くした記録波形４−４の場
合には、マーク前端部・後端部での対称性が各マーク長
についてより良好に制御されているために、ジッタ値が
他の記録波形に比べて大きく改善されている。

【０１１８】以上のように、記録マーク長に応じて冷却
パワー照射時間を変化させることにより、ジッタの小さ
い記録が可能となる。

【０１１９】なお、本実施の形態では冷却パワーを再生
光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０
からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な
結果が得られた。

【０１２０】また、本実施の形態では記録パルス列の第
２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、
第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な
結果が得られた。

【０１２１】また、本実施の形態では記録パルス列とし
て図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４
の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得ら
れた。

【０１２２】（実施の形態５）本実施の形態では、マー
ク長が予め決めたものより短い時にだけ冷却パワー照射
時間をマークの長さに応じて変化させた場合について説
明する。

【０１２３】ぞれぞれの記録波形とジッタをそれぞれ
（表９）、（表１０）に示す。なお、測定条件は実施の
形態３と同じである。

【０１２４】

【表９】

【０１２５】

【表１０】

【０１２６】（表９）では、３Ｔ〜１１Ｔまでの各マー
ク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と冷
却パワー開始時間とを、３種類の記録波形毎に示してあ
る。

【０１２７】本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａ
を用いた。

【０１２８】（表９）の記録波形５−１は、図１の記録
波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。記
録波形５−２は、図１の記録波形Ｉのように記録パルス
列照射直後に冷却パワーの照射をマーク長が３Ｔ〜６Ｔ
のマーク長が短い場合にのみ変化させるものであり、冷
却パワー照射時間は記録マーク長が短いほど長くした場
合である。また、記録波形５−３は、マーク長が３Ｔの
場合のみ冷却パワー照射時間が長く、冷却パルスを記録
パルス列照射直後に付加した場合である。

【０１２９】（表１０）から、記録波形５−１の場合に
は、他の記録波形に比べてジッタが悪くなっている。一
方、本願発明による３Ｔ〜６Ｔの記録マーク長の場合、
そのマーク長が短いほど冷却パワー照射時間を長くした
記録波形５−２では、記録波形５−１に比べてジッタが
改善されている。

【０１３０】また、本願発明による記録マーク長が３Ｔ
の場合のみ長い冷却パワー照射時間を付加した記録波形
５−３では、記録波形５−２に比べるとジッタは大きい
ものの、記録波形５−１に比べてジッタが改善されてい
る。

【０１３１】以上のように、予め決められた記録マーク
長以下の場合にのみ冷却パルス照射時間を変化させて付
加することにより、ジッタの小さい記録が可能となる。
この記録波形では、記録回路的にも簡素になりコストの
面からも良いと考えられる。

【０１３２】なお、本実施の形態では冷却パワーを再生
光パワーの場合について示したが、冷却パワーが０から
バイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果
が得られた。

【０１３３】また、本実施の形態では記録パルス列の第
２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、
第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な
結果が得られた。

【０１３４】また、本実施の形態では記録パルス列とし
て図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４
の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得ら
れた。

【０１３５】（実施の形態６）本実施の形態では、冷却
パワー照射時間がマーク長によらず一定で冷却パワー開
始時間のみを、記録するマーク長に応じて変化させた場
合について説明する。

【０１３６】ぞれぞれの記録波形とジッタをそれぞれ
（表１１）、（表１２）に示す。なお、測定条件は実施
の形態３と同じである。

【０１３７】

【表１１】

【０１３８】

【表１２】

【０１３９】（表１１）では、３Ｔ〜１１Ｔまでの各マ
ーク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と
冷却パワー開始時間とを、４種類の記録波形毎に示して
ある。本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａを用い
た。

【０１４０】（表１１）の記録波形６−１は、図１の記
録波形Ｈのように記録パルス列照射後に冷却パルスを付
加しない場合である。記録波形６−２は、図１の記録波
形Ｉのように記録パルス列照射直後に冷却パワーの照射
を行う場合である。但し、冷却パワー照射時間は、記録
するマーク長によらず０．５０Ｔである。また、記録波
形６−３は、図１の記録波形Ｊのように記録パルス列照
射後バイアスパワーでの照射を行い、その後冷却パワー
での照射を行う場合である。但し、冷却パワー照射時間
は０．５０Ｔ、冷却パワー開始時間を０．４Ｔとし、記
録するマーク長に関わらず一定とした場合である。さら
に、記録波形６−４は、記録波形６−３同様に、冷却パ
ワー照射時間は０．５０Ｔとマーク長によらず一定であ
るが、冷却パワー開始時間を記録マーク長が短いほど早
めた場合である。

【０１４１】（表１２）から、記録波形６−１の場合に
は、他の記録波形に比べてジッタが悪くなっている。記
録波形６−２、記録波形６−３を用いた場合には、記録
波形６−１に比べてジッタは改善されている。一方、本
願発明による記録マーク長が短いほど冷却パワー開始時
間を早めた記録波形６−４の場合には、他の記録波形に
比べてさらにジッタが小さくなる。

【０１４２】以上のように、記録マーク長に応じて冷却
パワー開始時間を変化させることにより、ジッタの小さ
い記録が可能となる。

【０１４３】なお、本実施の形態では冷却パワーを再生
光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０
からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な
結果が得られた。

【０１４４】また、本実施の形態では記録パルス列の第
２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、
第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な
結果が得られた。

【０１４５】また、本実施の形態では記録パルス列とし
て図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４
の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得ら
れた。

【０１４６】（実施の形態７）本実施の形態では、冷却
パワー照射時間が一定で、マーク長が予め決めたものよ
り短い時にだけ、冷却パワー開始時間を記録するマーク
の長さによって変化させた場合について説明する。

【０１４７】ぞれぞれの記録波形とジッタをそれぞれ
（表１３）、（表１４）に示す。なお、測定条件は実施
の形態３と同じである。

【０１４８】（表１３）では、３Ｔ〜１１Ｔまでの各マ
ーク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と
冷却パワー開始時間とを、３種類の記録波形毎に示して
ある本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａを用い
た。

【０１４９】（表１３）の記録波形７−１は、図１の記
録波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。
記録波形７−２は、図１の記録波形Ｊのように記録パル
ス列照射後バイアスパワーでの照射を行い、その後冷却
パワーでの照射を行う場合であり、かつ記録するマーク
長が３Ｔ〜６Ｔの場合には、マーク長が短いほど冷却パ
ルス開始時間を早くした場合である。但し、冷却パワー
照射時間は、０．５０Ｔとマーク長によらず一定であ
る。

【０１５０】

【表１３】

【０１５１】

【表１４】

【０１５２】また、記録波形７−３は、３Ｔマークを記
録する場合のみ、冷却パルスを記録パルス列照射直後に
行い、４Ｔ〜１１Ｔのマークを記録する場合には冷却パ
ワー開始時間を０．２０Ｔと一定とした場合である。

【０１５３】（表１４）から、記録波形７−１の場合に
は、他の記録波形に比べてジッタが悪くなっている。一
方、本願発明による３Ｔ〜６Ｔの記録マーク長の場合、
そのマーク長が短いほど冷却パワー開始時間を早くした
記録波形７−２では、記録波形７−１に比べてジッタが
改善されている。また、本願発明による３Ｔの記録マー
ク長の場合のみ冷却パルス開始時間を早めた記録波形７
−３では、記録波形７−２に比べると、ジッタは大きい
が記録波形７−１に比べるとジッタが改善されている。

【０１５４】以上のように、予め決められた記録マーク
長以下の場合にのみ、冷却パルス開始時間を変化させ付
加することにより、ジッタの小さい記録が可能となる。
この記録波形では、記録回路的にも簡素になりコストの
面からも良いと考えられる。

【０１５５】なお、本実施の形態では冷却パワーを再生
光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０
からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な
結果が得られた。

【０１５６】また、本実施の形態では記録パルス列の第
２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、
第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な
結果が得られた。

【０１５７】また、本実施の形態では記録パルス列とし
て図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４
の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得ら
れた。

【０１５８】（実施の形態８）本実施の形態では、予め
決められた長さ以下のマークを記録する場合にのみ、一
定の冷却パワー照射時間および一定の冷却パワー開始時
間の冷却パルスを付加する場合について説明する。

【０１５９】ぞれぞれの記録波形とジッタをそれぞれ
（表１５）、（表１６）に示す。なお、測定条件は実施
の形態３と同じである。

【０１６０】

【表１５】

【０１６１】

【表１６】

【０１６２】（表１５）では、３Ｔ〜１１Ｔまでの各マ
ーク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と
冷却パワー開始時間とを、３種類の記録波形毎に示して
ある。

【０１６３】本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａ
を用いた。

【０１６４】（表１５）の記録波形８−１は、図１の記
録波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。
記録波形８−２は、図１の記録波形Ｊのように記録する
マーク長が３Ｔ〜６Ｔの場合のみ記録パルス列照射後バ
イアスパワーでの照射を行い、その後、冷却パワーでの
照射を行う場合である。但し、マーク長が３Ｔ〜６Ｔま
での場合、冷却パワー照射時間を０．４３Ｔ、冷却パワ
ー開始時間は０．０８Ｔとした冷却パルスを付加した場
合である。また、記録波形８−３は、記録するマーク長
が３Ｔの場合のみ冷却パワー照射時間を０．４３Ｔ、冷
却パワー開始時間は０．０８と一定とした冷却パルスを
付加した場合である。

【０１６５】（表１６）から、記録波形８−１の場合に
は、他の記録波形と比べてジッタが悪くなっている。一
方、本願発明による予め決められたマーク長以下のマー
クを記録する時のみ、冷却パルス幅および開始時間を一
定にした冷却パルスを付加した記録波形８−２を用いた
場合には、記録波形８−１の場合よりもジッタが改善さ
れている。また、本願発明による最短マーク長のマーク
を記録する時のみ冷却パルスを付加した記録波形８−３
を用いた場合には、記録波形８−２には劣るものの、記
録波形８−１に比べてジッタが改善されている。

【０１６６】以上のように、予め決められたマーク長以
下のマークを記録する時のみ冷却パルス幅および開始時
間を一定とした冷却パルスを付加することにより、ジッ
タの小さい記録が可能となる。この記録波形では、記録
回路的にも簡素になりコストの面からも良いと考えられ
る。

【０１６７】なお、本実施の形態では冷却パワーを再生
光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０
からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な
結果が得られた。

【０１６８】また、本実施の形態では記録パルス列の第
２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、
第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な
結果が得られた。

【０１６９】また、本実施の形態では記録パルス列とし
て図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４
の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得ら
れた。

【０１７０】（実施の形態９）本実施の形態では、光デ
ィスクを角速度一定で回転させた時、ディスク内周部に
おいて予め決められたマーク長さ以下のマークを記録す
る時のみ、冷却パルスを付加する場合について説明す
る。

【０１７１】評価条件は、ディスクの回転数１０００ｒ
ｐｍ、ＥＦＭ信号を最短マーク長が常に０．９０μｍと
なるようにクロックＴを変えて、１ビームオーバーライ
トにより１００回記録し、３Ｔから１１Ｔまでの再生信
号のゼロクロス点のジッタ値：σ／Ｔｗ（％）を、半径
２３、３０、３７、４３、５０、５７ｍｍの位置で測定
した。ここでσはジッタの標準偏差、Ｔｗは検出系のウ
インドウ幅である。また、この半径でのそれぞれの線速
度は、約２．４、３．１、３．９、４．５、５．２、
６．０ｍ／ｓである。なお、その他の測定条件は実施の
形態３と同じである。

【０１７２】ぞれぞれの記録波形とジッタをそれぞれ
（表１７）、（表１８）に示す。

【０１７３】（表１７）では、３〜１１Ｔまでの各マー
ク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と冷
却パワー開始時間とを、３種類の記録波形毎に示してあ
る。

【０１７４】本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａ
を用いた。（表１７）の記録波形９−１は、図１の記録
波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。

【０１７５】

【表１７】

【０１７６】

【表１８】

【０１７７】記録波形９−２は、３Ｔ〜６Ｔマークを記
録する時のみ、図１の記録波形Ｊのように記録パルス列
照射後、バイアスパワーでの照射を行い、その後に冷却
パワーでの照射を行う場合である。但し、その冷却パワ
ー照射時間を０．４３Ｔ、冷却パワー開始時間を０．０
８Ｔと均一である。また、７Ｔ〜１１Ｔマークを記録す
る場合には、冷却パルスは付加しない。また、記録波形
９−３は、３Ｔマークを除いて、図１の記録波形Ｈのよ
うに冷却パルスを付加しない場合である。但し、３Ｔマ
ークを記録する時のみ冷却パワー照射時間を０．４３
Ｔ、冷却パワー開始時間を０．０８Ｔとしている。

【０１７８】（表１８）から、記録波形９−１の場合に
は、ジッタが他の記録波形に比べて特に内周で悪くなっ
ている。一方、短いマークを記録する時に冷却パルスを
付加した記録波形９−２を用いた場合には、ディスク内
周部で記録波形９−１に比べてジッタが改善されてい
る。また、３Ｔマークを記録する時のみ冷却パルスを付
加した記録波形９−３を用いた場合にも、ディスク内周
部で記録波形９−１に比べてジッタが改善されている。
従って、例えば、半径３７mm、あるいは４３mmまでのデ
ィスク内周部には、記録波形９−２または９−３を用
い、それより外周部には、記録波形９−１を用いればよ
い。

【０１７９】本願発明の様に、ディスク内周部では記録
波形９−２あるいは９−３を、外周部では冷却パルスを
付加しない記録波形９−１をもちいることにより、ディ
スクのどの半径においても良好なジッタが得られる。

【０１８０】以上のように、光ディスクを角速度一定で
回転させる場合、所定の半径の内側となるディスク内周
部において、予め決められたマーク長より短いマークを
記録する時のみ冷却パルスを付加することにより、ディ
スクのどの半径においてもジッタの小さい良好な記録が
可能となる。この記録波形では、記録回路的にも簡素に
なりコストの面からも良いと考えられる。

【０１８１】なお、本実施の形態では冷却パワーを再生
光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０
からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な
結果が得られた。

【０１８２】また、本実施の形態では記録パルス列の第
２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、
第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な
結果が得られた。

【０１８３】また、本実施の形態では記録パルス列とし
て図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４
の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得ら
れた。

【０１８４】（実施の形態１０）本実施の形態では、光
ディスクを角速度一定で回転させた時、ディスクの半径
に応じて冷却パワー照射時間、冷却パワー開始時間を変
化させた場合について説明する。

【０１８５】ぞれぞれの記録波形とジッタをそれぞれ
（表１９）、（表２０）に示す。なお、測定条件は実施
の形態９と同じである。

【０１８６】（表１９）では、３〜１１Ｔまでの各マー
ク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と冷
却パワー開始時間とを、３種類の記録波形毎に示してあ
る。

【０１８７】本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａ
を用いた。

【０１８８】（表１９）の記録波形１０−１は、図１の
記録波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合であ
る。記録波形１０−２は、図１の記録波形Ｉのように記
録パルス列照射直後、冷却パワーでの照射を行う場合で
ある。但し、その冷却パワー照射時間は、記録するマー
ク長により異なり、マーク長が短いほど冷却パワー照射
時間が長くなっている。

【０１８９】

【表１９】

【０１９０】

【表２０】

【０１９１】また、記録波形１０−３は、図１の記録波
形Ｊのように記録パルス列の照射後、バイアスパワーで
の照射を行い、その後冷却パワーでの照射を行う場合で
ある。但し、その冷却パワー照射時間は０．５０Ｔ、冷
却パワー開始時間は記録するマーク長により変化し、そ
のマーク長が短いほど開始時間は早くなるものである。

【０１９２】（表２０）から、記録波形１０−１の場合
には、ジッタが内周で他の記録波形に比べて悪くなって
いる。一方、記録波形１０−２を用いた場合には、記録
波形１０−１に比べてディスク内周部ではジッタが改善
されているが、外周部ではジッタが逆に悪化している。
記録波形１０−３を用いた場合には、記録波形１０−１
に比べて、ディスク内周部ではジッタが改善されている
が、外周部ではジッタが逆に悪化している。従って、所
定の半径より内側の領域、例えば、半径４３mmまでのデ
ィスク内周部には、記録波形１０−２または１０−３を
用い、それより外周部には、記録波形１０−１を用いれ
ばよい。

【０１９３】本願発明のようにディスク内周部では記録
波形１０−２、あるいは記録波形１０−３を、ディスク
外周部では、記録回路を簡素にする点からも記録波形１
０−１を用いることにより、ディスクのどの半径におい
ても良好なジッタが得られる。

【０１９４】以上のように、光ディスクを角速度一定で
回転させる場合、ディスク内周部において、マーク長が
短いほど冷却パワー照射時間を広げる、あるいは冷却パ
ワー開始時間を早くすることにより、ディスクのどの半
径においてもジッタの小さい記録が可能となる。

【０１９５】なお、本実施の形態では冷却パワーを再生
光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０
からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な
結果が得られた。

【０１９６】また、本実施の形態では記録パルス列の第
２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、
第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な
結果が得られた。

【０１９７】また、本実施の形態では記録パルス列とし
て図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４
の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得ら
れた。

【０１９８】（実施の形態１１）種々の冷却パルスとし
てのマーク後端補正パルス列を記録パルス列直後に付加
した場合について説明する。

【０１９９】本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａ
を用いた。そして、その記録パルス列直後に種々のマー
ク後端補正パルス列を付加した。測定条件は実施の形態
３と同じである。

【０２００】本実施の形態でもちいた種々の記録波形を
図６をもちいて説明する。但し、図６には６Ｔマークを
記録する場合の代表的な記録波形パターンを示す。

【０２０１】記録波形１１−１は、マーク後端補正パル
ス列を付加しない場合である。

【０２０２】記録波形１１−２は、記録パルス列直後に
再生光パワーで０．５Ｔの期間レーザ光を照射し、その
後バイアスパワーでレーザ光照射を行ったものである。

【０２０３】記録波形１１−３は、記録パルス列直後に
バイアスパワーと再生光パワーの中間レベルまでパワー
を落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射し、その直
後に再生光パワーまでパワーを落として０．２５Ｔの期
間レーザ光を照射するところの、マーク後端補正パルス
列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射を
行ったものである。

【０２０４】記録波形１１−４は、記録パルス列直後に
バイアスパワーより２ｍＷ高いパワーで０．１５Ｔの期
間レーザ光を照射し、その直後に０．３５Ｔの期間再生
光パワーでレーザ光を照射するところの、マーク後端補
正パルス列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ
光照射を行ったものである。

【０２０５】記録波形１１−５は、記録パルス列直後に
再生光パワーで０．２Ｔの期間レーザ光を照射し、その
直後、０．１Ｔの期間バイアスパワーで照射し、その直
後、再生光パワーで０．２Ｔの期間照射するところの、
マーク後端補正パルス列を付加し、その後は、バイアス
パワーでのレーザ光照射を行ったものである。

【０２０６】記録波形１１−６は、記録パルス列直後か
ら０．２Ｔの期間をかけて、バイアスパワーから再生光
パワーまで連続的にパワーを落としていき、再生光パワ
ーで０．３Ｔの期間照射するところの、マーク後端補正
パルス列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光
照射を行ったものである。

【０２０７】記録波形１１−７は、記録パルス列直後か
ら０．２５Ｔの期間をかけて、バイアスパワーから再生
光パワーまで連続的にパワーを落としていき、その後
０．２５Ｔの期間をかけて、再生光パワーからバイアス
パワーまで連続的にパワーを上げるところの、マーク後
端補正パルス列を付加し、その後はバイアスパワーでレ
ーザ光照射を行ったものである。ぞれぞれの記録波形
と、１００回オーバーライト後のジッタ値を（表２１）
に示す。

【０２０８】

【表２１】

【０２０９】（表２１）から記録波形１１−１に比べ、
記録波形１１−２のように記録マーク後端補正パルスと
してバイアスパワーよりも低い（冷却パワーとも称され
る）再生パワーでのレーザ光照射を付加した方が、１０
０回オーバーライト後のジッタ値が改善している。

【０２１０】一方、本発明のように、マーク後端補正パ
ルス列を加えた記録波形１１−３、１１−４、１１−
５、１１−６、１１−７では、マーク前端部・後端部で
の対称性がより良好に制御されているため、記録波形１
４−２よりさらにジッタが改善している。

【０２１１】以上のように、記録パルス列後にマーク後
端補正パルス列を付加することにより、１００回オーバ
ーライトでのジッタが良好な記録が可能となる。

【０２１２】なお、本実施の形態では、マーク後端補正
パルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示した
が、前記パワーを３段階以上にした場合にも同様な結果
が得らることは勿論である。

【０２１３】また、本実施の形態では、冷却パワーを再
生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーを
０からバイアスパワーより小さいパワーに設定した場合
にも同様な結果が得られた。

【０２１４】また、本実施の形態では、記録パルス列の
第２のパワーがバイアスパワーの場合について示した
が、第２のパワーが０以上記録パワー未満の場合にも同
様な結果が得られた。

【０２１５】（実施の形態１２）次に、記録パルス列と
マーク後端補正パルス列間にバイアスパワーでのレーザ
光照射を行った場合について説明する。

【０２１６】本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａ
をもちいた。また、測定条件は実施の形態１１とおなじ
である。

【０２１７】本実施の形態でもちいた種々の記録波形を
図７をもちいて説明する。但し、図７には６Ｔマークを
記録する場合の代表的な記録波形パターンを示す。

【０２１８】記録波形１２−１は、実施の形態１１の記
録波形１１−３と同じ記録波形である。

【０２１９】一方、本願発明の記録パルス列とマーク後
端補正パルス列との間にバイアスパワーでのレーザ光照
射を行った記録波形１２−２は、記録パルス列後にバイ
アスパワーでのレーザ光照射を０．２Ｔの期間行って、
その後、バイアスパワーと再生パワーの中間までパワー
を落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射し、その直
後に再生パワーまでパワーを落として０．２５Ｔの期間
レーザ光を照射し、その後はバイアスパワーでレーザ光
照射を行ったものである。

【０２２０】ぞれぞれの記録波形と、１００回オーバー
ライト後のジッタ値を（表２２）に示す。

【０２２１】

【表２２】

【０２２２】（表２２）から、本発明のように、記録パ
ルス列とマーク後端補正パルス列との間にバイアスパワ
ーでのレーザ光照射を行った記録波形１２−２では、マ
ーク前端部と後端部との対称性が良くなっているため、
記録波形１２−１よりさらにジッタが改善している。

【０２２３】以上のように、記録パルス列とマーク後端
補正パルス列間にバイアスパワーでのレーザ光照射を行
うことにより、１００回オーバーライト後のジッタが良
好な記録が可能となる。

【０２２４】なお、本実施の形態ではマーク後端補正パ
ルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示したが、
前記パワーを３段階以上にした場合や、レーザ光を記録
パルス列直後から連続的にバイアスパワーより小さいパ
ワーまで変化させる期間を有したマーク後端補正パルス
列の場合にも同様な結果が得られること勿論である。

【０２２５】また、本実施の形態では、記録パルス列と
して図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図
４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得
られた。

【０２２６】また、本実施の形態では、冷却パワーを再
生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーを
０からバイアスパワーより小さいパワーに設定した場合
にも同様な結果が得られた。

【０２２７】また、本実施の形態では、記録パルス列の
第２のパワーがバイアスパワーの場合について示した
が、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同
様な結果が得られた。

【０２２８】（実施の形態１３）次に、種々の記録パル
ス列にマーク後端補正パルス列を付加した場合について
説明する。

【０２２９】本実施の形態でもちいた種々の記録波形を
図８をもちいて説明する。但し、図８には６Ｔマークを
記録する場合の代表的な記録波形パターンを示す。

【０２３０】なお、測定条件は実施の形態１１とおなじ
てある。

【０２３１】記録波形１３−１、２、３の記録パルス列
は、先述した図４の記録パルス列Ｂである。

【０２３２】記録波形１３−１は、マーク後端補正パル
ス列を付加しない場合である。

【０２３３】記録波形１３−２は、記録パルス列直後に
再生光パワーで０．５Ｔの期間レーザ光を照射し、その
後バイアスパワーでレーザ光照射を行ったものである。

【０２３４】記録波形１３−３は、記録パルス列直後に
バイアスレベルと再生光パワーとの中間レベルまでパワ
ーを落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射し、その
直後に再生光パワーまでパワーを落として０．２５Ｔの
期間レーザ光を照射するところの、マーク後端補正パル
ス列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射
をおこなったものである。

【０２３５】記録波形１３−４、５、６は、先述した図
４の記録パルス列Ｃであり、記録波形１３−４は、マー
ク後端補正パルス列を付加しない場合、記録波形１３−
５は、記録パルス列直後に再生光パワーで０．５Ｔの期
間レーザ光を照射し、その後バイアスパワーでレーザ光
照射を行った場合、記録波形１３−６は、記録パルス列
直後に記録波形１３−３と同じマーク後端補正パルス列
を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射をお
こなった場合である。

【０２３６】記録波形１３−７、８、９は、先述した図
４の記録パルス列Ｄであり、記録波形１３−７は、マー
ク後端補正パルス列を付加しない場合、記録波形１３−
８は、記録パルス列直後に再生光パワーで０．５Ｔの期
間レーザ光を照射し、その後バイアスパワーでレーザ光
照射を行った場合、記録波形１３−９は、記録パルス列
直後に記録波形１３−３と同じマーク後端補正パルス列
を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射をお
こなった場合である。

【０２３７】ぞれぞれの記録波形と、１００回オーバー
ライト後のジッタ値を（表２３）に示す。

【０２３８】

【表２３】

【０２３９】（表２３）から、記録波形１３−１に比
べ、記録波形１３−２のように記録パルス列直後に再生
パワーでのレーザ光照射を付加した方が、１００回オー
バーライト後でのジッタ値が改善している。

【０２４０】一方、本発明のように、マーク後端補正パ
ルス列を加えた記録波形１３−３では、記録波形１３−
２と比較してもジッタが小さい。この様に図４の記録パ
ルス列Ｂにおいても、マーク後端補正パルス列を付加し
た方がマーク前端部・後端部での対称性がよくなってい
るためジッタが改善している。

【０２４１】同様に、図４の記録パルス列Ｃ、Ｄの場合
にも、マーク後端補正パルス列を付加した方がマーク前
端部・後端部での対称性がよくなっているためジッタが
改善している。

【０２４２】以上のように、図４の記録パルスＢ、Ｃ、
Ｄにマーク後端補正パルス列を付加することにより、１
００回オーバーライト後のジッタが良好な記録が可能と
なる。

【０２４３】なお、本実施の形態では、マーク後端補正
パルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示した
が、前記パワーを３段階以上にした場合や、レーザ光を
記録パルス列直後から連続的にバイアスパワーより小さ
いパワーまで変化させる期間を有したマーク後端補正パ
ルス列の場合にも同様な結果が得られること勿論であ
る。

【０２４４】また、本実施の形態では、冷却パワーを再
生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが
０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様
な結果が得られた。

【０２４５】また、本実施の形態では、記録パルス列の
第２のパワーがバイアスパワーの場合について示した
が、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同
様な結果が得られた。

【０２４６】（実施の形態１４）次に、記録マーク長に
よってマーク後端補正パルス列開始時間を変化させた場
合について説明する。

【０２４７】本実施の形態では、実施の形態１１とおな
じ測定条件である。また、本実施の形態では図４の記録
パルス列Ａをもちいた。

【０２４８】本実施の形態でもちいた種々の記録波形を
（表２４）をもちいて説明する。

【０２４９】

【表２４】

【０２５０】記録波形１４−１は、記録マーク長によら
ず、記録パルス列直後にバイアスレベルと再生光パワー
との中間レベルまでパワーを落として０．２５Ｔの期間
レーザ光を照射し、その直後に再生光パワーまでパワー
を落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射し、その後
はバイアスパワーでレーザ光照射をおこなったものであ
る。

【０２５１】記録波形１４−２は、記録波形１４−１と
同じマーク後端補正パルス列を有し、そのマーク後端補
正パルス列の開始時間は１１Ｔマークを記録する場合が
０．８Ｔであり、マーク長が短いほど開始時間を０．１
Ｔずつ早くしていき、３Ｔマークを記録する場合には、
記録パルス列直後にマーク後端補正パルス列を付加し、
その後はバイアスパワーでレーザ光照射をおこなったも
のである。

【０２５２】ぞれぞれの記録波形と、１００回オーバー
ライト後のジッタ値を（表２５）に示す。

【０２５３】

【表２５】

【０２５４】（表２５）から、本発明のように、マーク
後端補正パルス列開始時間をマーク長によって、変化さ
せた記録波形１４−２では、記録波形１４−１に比べて
全マーク長でマーク前端部・後端部での対称性が良くな
ってジッタがさらに改善している。

【０２５５】以上のように、マーク後端補正パルス列開
始時間を、記録するマーク長に応じて変化させることに
より、１００回オーバーライト後のジッタが良好な記録
が可能となる。

【０２５６】なお、本実施の形態では、マーク後端補正
パルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示した
が、前記パワーを３段階以上にした場合や、レーザ光を
記録パルス列直後から連続的にバイアスパワーより小さ
いパワーまで変化させる期間を有したマーク後端補正パ
ルス列の場合にも同様な結果が得られること勿論であ
る。

【０２５７】また、本実施の形態では冷却パワーを再生
光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０
からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な
結果が得られた。

【０２５８】また、本実施の形態では記録パルス列の第
２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、
第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な
結果が得られた。

【０２５９】また、本実施の形態では記録パルス列とし
て図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４
の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得ら
れた。

【０２６０】（実施の形態１５）次に、記録マーク長に
よってマーク後端補正パルス列のパルス形状を変化させ
た場合について説明する。

【０２６１】本実施の形態では、記録パルス列（図４の
記録パルス列Ａ）をもちいた。また、測定条件も実施の
形態１１とおなじである。

【０２６２】本実施の形態でもちいた種々の記録波形を
図９をもちいて説明する。但し、図９の記録波形１５−
１には、６Ｔマークを記録する場合の代表的な記録波形
パターンを示す。また、記録波形１５−２には、３〜１
１Ｔまでのマーク長のうち、３〜５Ｔと１０、１１Ｔに
ついてのみ記録波形パターンを示す。

【０２６３】記録波形１５−１は、実施の形態１１の記
録波形１１−３と同じである。

【０２６４】記録波形１５−２は、本願発明のように、
記録パルス列直後のパワーを記録マーク長が短いほど小
さくなるように変化させたものである。具体的には３Ｔ
マークを記録する場合は再生光パワー、４Ｔマークでは
再生光よりバイアスパワーと再生光パワーとの間の８分
の１の大きいパワーと、マーク長が長くなるほど順々に
パワーを大きくし、０．２５Ｔの期間そのパワーでレー
ザ光を照射し、その直後に再生光パワーまでパワーを落
として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射するところの、
マーク後端補正パルス列を付加し、その後はバイアスパ
ワーでレーザ光照射をおこなったものである。

【０２６５】ぞれぞれの記録波形と、１００回オーバー
ライト後のジッタ値を（表２６）に示す。

【０２６６】

【表２６】

【０２６７】（表２６）から、本発明の記録波形１５−
２のように、記録マーク長に応じてマーク後端補正パル
ス列の形状を変化させた記録波形では、記録波形１５−
１に比べて１００サイクルでのジッタ値が改善してい
る。

【０２６８】以上のように、マーク後端補正パルス列の
パルス形状を、記録するマーク長に応じて変化させるこ
とにより、マーク前端部と後端部との対称性がよくなり
再生信号品質が良好な記録が可能となる。

【０２６９】なお、本実施の形態では、マーク後端補正
パルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示した
が、前記パワーを３段階以上にした場合や、レーザ光を
記録パルス列直後から連続的にバイアスパワーより小さ
いパワーまで変化させる期間を有したマーク後端補正パ
ルス列の場合にも同様な結果が得られること勿論であ
る。

【０２７０】また、本実施の形態では冷却パワーを再生
光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０
からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な
結果が得られた。

【０２７１】また、本実施の形態では記録パルス列の第
２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、
第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な
結果が得られた。

【０２７２】また、本実施の形態では記録パルス列とし
て図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４
の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得ら
れた。

【０２７３】（実施の形態１６）次に、光ディスクを角
速度一定で回転させた場合、ディスクの半径方向の位置
に応じてマーク後端補正パルス列の開始時間を変化させ
た場合について説明する。

【０２７４】また、ディスクの回転数を１０００ｒｐ
ｍ、半径に応じてＥＦＭ信号を最短マーク長が常に０．
９０ｕｍとなるようにクロックＴを変えた。

【０２７５】本実施の形態では、実施の形態１１とおな
じ記録パルス列（図４の記録パルス列Ａ）をもちいた。

【０２７６】本実施の形態でもちいた種々の記録波形を
（表２７）を用いて説明する。

【０２７７】

【表２７】

【０２７８】記録波形１６−１は、マーク後端補正パル
ス列を付加しない場合である。

【０２７９】記録波形１６−２は、実施の形態１１の記
録波形１１−３と同じである。

【０２８０】記録波形１６−３も、実施の形態１１の記
録波形１１−３と同じマーク後端補正パルス列を有して
いるが、本願発明のようにそのマーク後端補正パルス列
の開始時間がディスク半径位置が内周側ほど短くしたも
のである。具体的には、半径が２３〜３４ｍｍまではマ
ーク後端補正パルス列は記録パルス列直後に付加し、３
５〜４６ｍｍまではマーク後端補正パルス列開始時間を
０．２Ｔ遅らせ、４７〜５７ｍｍまではマーク後端補正
パルス列開始時間を０．５Ｔ遅らせた。

【０２８１】ぞれぞれの記録波形と、１００回オーバー
ライト後のジッタ値を（表２８）に示す。なお、測定は
内周が２６ｍｍ、中周が３８ｍｍ、外周が５０ｍｍの各
半径でおこなった。また、この半径でのそれぞれの線速
度は約２．７、４．０、５．２ｍ／ｓである。

【０２８２】また、その他の測定条件は実施の形態１１
と同じとした。

【０２８３】

【表２８】

【０２８４】（表２８）から、記録波形１６−１では、
熱のこもりのためジッタが悪化しているが、記録波形１
６−２のようにマーク後端補正パルス列を付加すると、
熱のこもりがなくなるため、１００回オーバーライトで
のジッタ値がディスクの全周にわたって改善している。

【０２８５】一方、本発明のように、マーク後端補正パ
ルス列開始時間をディスク半径方向位置によって変化さ
せた記録波形１６−３では、中外周部で熱制御をさらに
細かくおこなったためジッタもさらに改善している。

【０２８６】以上のように、マーク後端補正パルス列開
始時間をディスク半径位置に応じて変化させることによ
り、１００回オーバーライトでのジッタが良好な記録が
可能となる。

【０２８７】なお、本実施の形態では、マーク後端補正
パルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示した
が、前記パワーを３段階以上にした場合や、レーザ光を
記録パルス列直後から連続的にバイアスパワーより小さ
いパワーまで変化させる期間を有したマーク後端補正パ
ルス列の場合にも同様な結果が得られること勿論であ
る。

【０２８８】また、本実施の形態では冷却パワーを再生
光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０
からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な
結果が得られた。

【０２８９】また、本実施の形態では記録パルス列の第
２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、
第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な
結果が得られた。

【０２９０】また、本実施の形態では記録パルス列とし
て図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４
の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得ら
れた。

【０２９１】（実施の形態１７）次に、光ディスクを角
速度一定で回転させた時、ディスクの半径方向の位置に
よってマーク後端補正パルス列の形状を変化した場合に
ついて説明する。

【０２９２】本実施の形態では、実施の形態１１とおな
じ記録パルス列（図４の記録パルス列Ａ）を用いた。

【０２９３】また、実施の形態１６とおなじ測定条件で
ある。

【０２９４】本実施の形態でもちいた記録波形を図１０
をもちいて説明する。但し、図１０には６Ｔマークを記
録する場合の代表的な記録パルス列パターンを示す。ま
た、記録波形１７−２では、ディスク内、中、外周での
記録波形を示す。

【０２９５】記録波形１７−１は、ディスクの半径方向
の位置によらずマーク後端補正パルス列の形状は同じで
あり、その記録波形は実施の形態１１の記録波形１１−
３と同じである。

【０２９６】記録波形１７−２は、記録パルス列直後の
マーク後端補正パルス列のパワーをディスク半径方向の
位置が内周側にあるほど小さくなるように変化させたも
のである。具体的には、記録パルス列直後のパワーをそ
れぞれ、半径が２３〜３４ｍｍまでは再生光パワーより
１ｍＷ高いパワー、３５〜４６ｍｍまではバイアスパワ
ーと再生光パワーの中間のパワー、４７〜５７ｍｍまで
はバイアスパワーより１ｍＷ低いパワーとし、０．２５
Ｔの期間そのパワーでレーザ光を照射し、その直後に再
生光パワーまでパワーを落として０．２５Ｔの期間レー
ザ光を照射するところの、マーク後端補正パルス列を付
加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射をおこな
ったものである。

【０２９７】ぞれぞれの記録波形と、１００回オーバー
ライト後のジッタ値を（表２９）に示す。

【０２９８】

【表２９】

【０２９９】（表２９）から、本発明のように、記録パ
ルス列直後のマーク後端補正パルス列のパワーをディス
クの内周側ほど小さくした記録波形１７−２では、内外
周部においてマーク前端部・後端部での対称性がよいた
めジッタが記録波形１７−１に比べて改善している。

【０３００】以上のように、マーク後端補正パルス列の
パルス形状をディスクの半径方向の位置に応じて変化さ
せることにより、１００回オーバーライト後のジッタが
良好な記録が可能となる。

【０３０１】なお、本実施の形態ではマーク後端補正パ
ルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示したが、
前記パワーを３段階以上にした場合や、レーザ光を記録
パルス列直後から連続的にバイアスパワーより小さいパ
ワーまで変化させる期間を有したマーク後端補正パルス
列の場合にも同様な結果が得られること勿論である。

【０３０２】また、本実施の形態では冷却パワーを再生
光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０
からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な
結果が得られた。

【０３０３】また、本実施の形態では記録パルス列の第
２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、
第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な
結果が得られた。

【０３０４】また、本実施の形態では記録パルス列とし
て図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４
の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得ら
れた。

【０３０５】（実施の形態１８）まず、本発明の内、記
録パルス列の終端パルスから、冷却パワーでのレーザ光
照射を開始するまでの時間が一定である場合の動作の説
明を、図１１のディスク記録装置のブロック図、図１２
の各部の信号波形図を用いて行う。

【０３０６】なお、本実施の形態では、データ１はクロ
ック単位の長さで、クロックの２周期以上のＨｉ期間、
およびＬｏ期間を持つＰＷＭデータ（図１２ａ）とし、
データのＨｉ期間をディスク上でマーク、Ｌｏ期間をス
ペースに対応させて記録する。

【０３０７】また、始端パルス３および終端パルス７の
幅はクロックの１周期、１つのバーストパルス２７の幅
はクロックの２分の１周期とする。

【０３０８】冷却パルス幅はクロックの２分の１周期、
記録パルス列の終端パルスから冷却パワーでのレーザ光
照射開始までの時間もクロックの２分の１周期とした。

【０３０９】更に、マーク／スペース長検出回路８は、
高密度記録でマーク間の熱干渉が発生するスペース長お
よび再生系の周波数特性によって、ピークシフトが発生
するマーク／スペース長について検出する。

【０３１０】本実施の形態では、記録すべきデータ列に
存在する最短の２Ｔマークおよび２Ｔスペースを検出す
るものとする。

【０３１１】まず、始端パルス発生回路２において、デ
ータ１のＨｉ期間の始端部分に、クロックの１周期幅の
始端パルス３を発生する（図１２ｂ）。

【０３１２】バーストゲート発生回路４において、マー
クの中間位置に、マーク長から３クロック分減じた長さ
でバーストゲート信号５を発生する。但し、マーク長が
３クロック以下の時は、バーストゲート信号は発生しな
い（図１２ｃ）。

【０３１３】終端パルス発生回路６において、データ１
のＨｉ期間の終端部分に、クロックの１周期幅の終端パ
ルス７を発生する（図１２ｅ）。

【０３１４】マーク／スペース長検出回路８において、
２クロック幅のデータ、すなわち２Ｔマークと２Ｔスペ
ースを検出し、２Ｔマークがきたときは、２Ｔマークの
始端パルス終端パルスを含むように、２クロック幅の２
Ｔマーク信号９を発生し（図１２ｆ）、２Ｔスペースが
きたときは、２Ｔスペースの両端の終端パルス始端パル
スを含むように、４クロック幅の２Ｔスペース信号１０
を発生する（図１２ｇ）。

【０３１５】エンコーダ１１において、２Ｔマーク信号
９と２Ｔスペース信号１０とにより、始端パルス３およ
び終端パルス７の属性を決定し、セレクト信号１２とし
て出力する。すなわち、３Ｔ以上のマークで３Ｔ以上の
スペースをｎｏｒｍａｌ、３Ｔ以上のマークで２Ｔスペ
ースを２Ｔｓ、２Ｔマークで３Ｔ以上のスペースを２Ｔ
ｍ、２Ｔマークで２Ｔスペースを２Ｔｓ−２Ｔｍという
名称の４種類の属性に分類する（図１２ｈ）。

【０３１６】次に、始端用セレクタ１４において、複数
の始端設定値１３、すなわちｎｏｒｍａｌの時の始端設
定値、２Ｔｓの時の始端設定値、２Ｔｍの時の始端設定
値、２Ｔｓ−２Ｔｍの時の始端設定値の中から、セレク
ト信号１２により１つを選択し、選択始端設定値１５を
出力する。

【０３１７】始端用サンプル／ホールド回路１６におい
て、始端パルス３がきたときだけ更新し、始端パルス３
がこない時は、前の値を保持してホールド始端設定値３
９として出力する（図１２ｉ）。

【０３１８】そして、始端用プログラマブルディレイラ
イン１７において、始端パルス３は、ホールド始端設定
値３９に基づいた値の遅延時間の後に、遅延始端パルス
１８として出力される（図１２ｊ）。

【０３１９】同様に、終端用セレクタ２０において、複
数の終端設定値１９の中からセレクト信号１２により１
つを選択し、選択終端設定値２１を出力し、終端用サン
プル／ホールド回路２２において、終端パルス７がきた
ときだけ更新し、終端パルス７が来ない時は、前の値を
保持してホールド終端設定値４５として出力する（図１
２ｋ）。

【０３２０】そして、終端用プログラマブルディレイラ
イン２３において、終端パルス７は、ホールド終端設定
値４５に基づいた値の遅延時間の後に、遅延終端パルス
２４として出力される（図１２ｌ）。

【０３２１】ここで遅延冷却パルス信号の出力について
説明する。

【０３２２】冷却パルス発生回路３６において、遅延終
端パルスの立ち上がりのタイミングで、冷却パルスをク
ロックの２分の１周期分発生させる（図１２ｎ）。

【０３２３】次に、冷却パルス用ディレイライン３７に
おいて、冷却パルス発生回路３６から出力される冷却パ
ルス４１を一定量遅延し、冷却パルス信号４２が出力さ
れる（図１２ｏ）。

【０３２４】それをインバータ３８を通し、ＨｉとＬｏ
を反転した遅延冷却パルス信号４３として出力する（図
１２ｐ）。

【０３２５】更に、ＡＮＤゲート２６において、前記バ
ーストゲート信号５とクロック２５との論理積をとり、
バーストパルス２７を発生する（図１２ｍ）。

【０３２６】ＯＲゲート２８において、遅延始端パルス
１８とバーストパルス２７と遅延終端パルス２４との論
理和をとり、記録信号２９を発生させる。

【０３２７】レーザダイオード３５は、再生光電流源３
２により、相変化光ディスクの再生光パワーを発光する
ようにバイアスが付加されている。

【０３２８】再生光電流源３２と並列にバイアスレベル
電流源３１と記録レベル電流源３０とを設け、スイッチ
３３により記録レベル電流源３０の電流を、スイッチ３
４によりバイアスレベル電流源３１をｏｎ／ｏｆｆする
と、レーザダイオード３５の駆動電流が、記録レベル電
流、バイアスレベル電流、再生光レベル電流の３者の間
でスイッチングできる。

【０３２９】すなわち、このスイッチ３３を前記記録信
号２９で、スイッチ３４を遅延冷却パルス信号４３で制
御することにより、レーザダイオード３５を記録パワ
ー、バイアスパワー、冷却パワーで切り換えながら発光
させることができ、レーザダイオード３５を内蔵した光
学ヘッドを用いて、相変化光ディスクにマークおよびス
ペースを冷却パルスを付加した記録方法で形成する（図
１２ｑ）。

【０３３０】次に、冷却パワーでの光照射開始のタイミ
ングが、クロックに基づいている場合の遅延冷却パルス
信号の作製方法を、図１３のディスク装置のブロック図
と図１４の各部の信号波形図を用いて説明する。

【０３３１】この場合には、終端パルス発生回路６から
出力された終端パルスの立ち上がりと同じタイミング
で、冷却パルス発生回路４６から冷却パルス４８が出力
される（図１４ｆ）。

【０３３２】冷却パルス用ディレイライン３７におい
て、遅延量が一定の遅延をほどこした冷却パルスを出力
する（図１４ｏ）。

【０３３３】その他の動作原理については上記場合と同
じである。

【０３３４】以上の一連の動作で、本実施の形態のディ
スク記録装置は、冷却パワーでのレーザ光照射を付加し
て、マークの始端部分と終端部分との位置を記録するマ
ーク長、および当該記録するマーク長の前後のスペース
長に応じてそれぞれ変化させ、データに対応したマーク
およびスペースを記録することができる。

【０３３５】なお、本実施の形態では（１ー７）ＲＬＬ
コード信号記録を想定し、マーク／スペース長検出回路
では最短反転間隔である２Ｔマーク、２Ｔスペースと２
Ｔ以上のマークとスペースの４パターンで示したが、さ
らに３Ｔ以上についても分類することでさらに各マーク
のエッジ位置精度を高めることができる。

【０３３６】また、始端パルス、終端パルスは１Ｔ幅、
バーストパルスは０．５Ｔ幅としたが、記録薄膜あるい
は記録媒体と光スポットとの相対速度等により、最適な
パルス幅を選択することも可能である。

【０３３７】また、冷却パルス幅は一定値の０．５Ｔと
したが、マーク長あるいはマーク間隔に応じて変化させ
ることによりさらに、トータルエネルギーを低減させる
ことも可能である。

【０３３８】光ディスクの評価条件は、レーザー光の波
長が６８０ｎｍ、記録装置の記録再生に用いる光学ヘッ
ドの対物レンズのＮＡを０．５５とし、（１ー７）ＲＬ
Ｌ信号を最短マーク長が０．６０μｍとなるようにクロ
ックＴを設定し、記録した時の２Ｔから８Ｔまでの再生
信号のゼロクロス点のジッタ値：σsum／Ｔｗ（％）を
測定した。ここでσsumは２Ｔから８Ｔまでのジッタの
総和の標準偏差、Ｔｗは検出系のウインドウ幅である。
線速度は、４．０ｍ／ｓである。

【０３３９】このディスクにおいて、信号の記録は、記
録マーク長が０．６μｍとなる単一周波数を記録したと
き、Ｃ／Ｎが飽和する記録パワーを記録パワーとし、そ
の２Ｔマークの信号を、７Ｔ相当の単一周波数でオーバ
ーライトした場合に、消去率がー２０ｄＢを越えるパワ
ーマージンの中央値のパワーを設定し、バイアスパワー
とした。

【０３４０】ディスクのサイクル特性の判断としては、
２Ｔから８Ｔまでの再生信号のゼロクロス点のジッタ
値：σsum／Ｔｗ（％）が、１３％未満を満たすサイク
ル数により判断した。

【０３４１】図１５を用いて、本実施の形態で用いた記
録波形を説明する。但し、図１５には７Ｔマークを記録
する場合の代表的な記録波形パターンを示す。記録波形
１８−１〜３までは図４の記録パルス列Ｂ、記録波形１
８−４〜７までは図４の記録パルス列Ｃの記録パルス列
をもちいている。

【０３４２】記録波形１８−１は、始端パルス幅１．０
Ｔ、終端パルス幅１．０Ｔ、始端・終端パルス間では第
２パワーで０．５Ｔ、第１パワーで０．５Ｔ交互にレー
ザ光を照射する記録パルスパルス列で、かつ冷却パルス
を付加しない場合である。

【０３４３】記録波形１８−２は、前記記録波形１８−
１に記録マーク長に関わらず、記録パルス列の終端パル
スの直後に、冷却パワーでの照射時間が０．５Ｔである
冷却パルスを付加した場合である。

【０３４４】記録波形１８−３は、前記記録波形１８−
１に記録マーク長に関わらず、冷却パワーでの照射時間
が０．５Ｔで、記録パルス列の終端パルスの立ち下がり
から冷却パワーでのレーザ光照射開始までの時間が０．
５Ｔと一定であるところの、冷却パルスを付加した場合
である。

【０３４５】記録波形１８−４は、記録波形１８−１で
記録するマーク長および前後のマーク間隔により、記録
パルス列の始端パルスと終端パルスとの位置が変化し、
かつ冷却パルスを付加しない場合である。

【０３４６】記録波形１８−５は、記録波形１８−４に
記録マーク長に関わらず、記録パルス列の終端パルスの
直後に、冷却パワーでの照射時間が０．５Ｔである冷却
パルスを付加した場合である。

【０３４７】記録波形１８−６は、記録波形１８−４に
記録マーク長に関わらず、冷却パワーでの照射時間が
０．５Ｔで、記録パルス列の終端パルスの立ち上がりか
ら冷却パワーでのレーザ光照射開始までの時間が１．５
Ｔと一定であるところの、冷却パルスを付加した場合で
ある。

【０３４８】記録波形１８−７は、記録波形１８−４に
記録マーク長に関わらず、冷却パワーでの照射時間が
０．５Ｔで、冷却パワーでの照射開始が、サブパルス
（始端パルスと終端パルスとの間のパルス）の最終端パ
ルスの立ち上がりから２．５Ｔと一定に遅らせたところ
の、冷却パルスを付加した場合である。すなわち、冷却
パルス照射開始時間がクロックに基づいている場合であ
る。

【０３４９】ぞれぞれの記録波形と、１００サイクル後
のジッタ値と、ジッタ値が１３％未満を満たすサイクル
数とを（表３０）に示す。

【０３５０】

【表３０】

【０３５１】（表３０）から、本願発明のように、冷却
パルスを付加した記録波形１８−２では、冷却パルスを
付加していない記録波形１８−１に比べて、熱的ダメー
ジが改善されたため、ジッタ＜１３％を満たすサイクル
数も良好なものとなっている。

【０３５２】また、記録波形１８−３の様に、記録パル
ス列後に０．５Ｔバイアスパワーでのレーザ光照射を行
うことで、マーク前端部・後端部での対称性がより制御
されるため、記録波形１８−２に比べてジッタが小さく
なっている。

【０３５３】そして、記録するマーク長および前後のマ
ーク間隔により、記録パルス列の始端パルスと終端パル
スとの位置が変化する場合にも、本願発明のように、冷
却パルスを付加した記録波形１８−５では、冷却パルス
を付加しない記録波形１８−４に比べて、熱的ダメージ
が改善されたため、ジッタ＜１３％を満たすサイクル数
も良好なものとなっている。

【０３５４】さらに、記録するマーク長および前後のマ
ーク間隔により、記録パルス列の始端パルスと終端パル
スとの位置が変化する場合、しない場合よりも、よりマ
ーク形状の制御が可能であるため、ジッタが小さくなっ
ている。

【０３５５】その上、本願発明の記録波形１８−６、１
８−７のように、記録パルス列の終端パルスと冷却パワ
ーでのレーザ光照射との間に、バイアスパワーでの照射
を行うことにより、１００サイクルでのジッタ値も、ジ
ッタ＜１３％を満たすサイクル数もさらに改善され、記
録パルス列直後に冷却パワーでのレーザ光照射を行う記
録波形１８−５よりも良好な値が得られている。

【０３５６】以上のように、冷却パワーでのレーザ光照
射を行う、記録パルス列の終端部と冷却パワーでのレー
ザ光照射との間に、バイアスパワーでのレーザ光照射を
入れることにより、１００サイクルでのジッタおよび多
サイクルを行った場合にも良好な記録が可能となる。

【０３５７】また、本実施の形態では冷却パワーを再生
光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０
からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な
結果が得られた。

【０３５８】また、本実施の形態では記録パルス列の第
２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、
第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な
結果が得られた。

【０３５９】

【発明の効果】本発明の記録方法により、記録マーク間
の熱干渉によるマーク長変動が抑制され、記録マーク前
端部と後端部との対称性がよくなるため、所望の記録マ
ーク形状が形成され、光ディスクの高密度化やディスク
の回転方式が角速度一定の場合にも再生信号品質の向上
が実現できる。

【０３６０】また、多サイクルした場合の熱的ダメージ
による信号劣化を軽減し、良好なサイクル特性も実現で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に用いた記録波形の図

【図２】本発明の一実施の形態に用いた光ディスクの構
造図

【図３】本発明の一実施の形態に用いた光ディスク装置
の図

【図４】本発明の一実施の形態に用いた記録パルス列の
図

【図５】本発明の一実施の形態に用いた記録波形の図

【図６】本発明の一実施の形態に用いた記録波形の図

【図７】本発明の一実施の形態に用いた記録波形の図

【図８】本発明の一実施の形態に用いた記録波形の図

【図９】本発明の一実施の形態に用いた記録波形の図

【図１０】本発の一実施の形態に用いた記録波形の図

【図１１】本発明の一実施の形態に用いたディスク記録
装置のブロック図

【図１２】本発明の一実施の形態に用いたディスク記録
装置の各部の信号波形図

【図１３】本発明の一実施の形態に用いたディスク記録
装置のブロック図

【図１４】本発明の一実施の形態に用いたディスク記録
装置の各部の信号波形図

【図１５】本発明の一実施の形態に用いた記録波形の図

【符号の説明】

１データ３始端パルス５バーストゲート信号７終端パルス９２Ｔマーク信号１０２Ｔスペース信号１２セレクト信号１３複数の始端設定値１５選択始端設定値１８遅延始端パルス１９複数の終端設定値２１選択終端設定値２４遅延終端パルス２５クロック２６ＡＮＤゲート２７バーストパルス２８ＯＲゲート２９記録信号３０記録電流源３１バイアス電流源３２再生光電流源３３スイッチ３４スイッチ３５レーザダイオード３８インバータ３９ホールド始端設定値４１冷却パルス４２遅延冷却パルス４３遅延冷却パルス（反転）４５ホールド終端設定値３６冷却パルス発生回路３７冷却パルス用ディレイライン５１基板５２第１の誘電体層５３記録層５４第２の誘電体層５５反射層５６保護層６１光ディスク６２スピンドルモータ６３光学ヘッド６４レーザー駆動回路６５波形補正回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光の照射により光学記録媒体に記
録マークを形成して情報の記録をおこなう記録方法であ
って、記録マークは、第１のパワーと前記第１のパワーよりも
小さい第２のパワーとの間で変調したレーザ光を記録パ
ルス列として照射することにより形成され、前記記録パルス列の始端部分と終端部分では、前記第１
のパワーでレーザ光が照射され、前記記録パルス列の始端パルスと終端パルスとの間で
は、前記第１のパワーのレーザ光と前記第２のパワーの
レーザ光とが交互に照射され、前記記録パルス列が照射された直後に、前記第１のパワ
ーよりも低いバイアスパワーよりもさらに低い冷却パワ
ーのレーザ光を照射し、記録マークの長さおよび連続して形成される記録マーク
相互の間隔に応じて、前記記録パルス列の前記始端部分
と前記終端部分の位置を変化させることを特徴とする記
録方法。
【請求項２】前記記録パルス列の前記始端パルスと前
記終端パルスとの間では、前記第１のパワーのレーザ光
と前記第２のパワーのレーザ光とが、データクロックの
１周期以下の周期で交互に切り替えて照射されることを
特徴とする、請求項１に記載の記録方法。